JPH11265844A - 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 マスク面上に形成されている微細な電子回路
パターンをウエハ面上に露光転写する際にマスクとウエ
ハとの相対的な位置決め（アライメント）を行う場合に
好適な露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法を
得ること。 【解決手段】 第１位置において第１基板保持器に保持
した基板を第２位置に搬送し、第２基板保持器に保持し
た後にマスク面上のパターンを該基板に露光転写する露
光方法において、該第１位置で該基板と基準面との面間
隔を複数の位置にて測定し、これより該基板の面形状を
求める第１工程と、該第１工程で求めた該基板の面形状
を用いて、該第１位置と異なる該第２位置での該基板の
傾き及び高さの少なくとも一方を調整する第２工程、該
第２位置で該マスクと該基板の位置合わせマークとの面
内のずれ量を計測し、これより求めた位置合わせマーク
の実際の配列を求める第３工程を利用していること。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は露光装置及びそれを
用いたデバイスの製造方法に関し、例えばＩＣ，ＬＳ
Ｉ，ＣＣＤ，磁気ヘッド，液晶パネル等のデバイスの製
造用のプロキシミティタイプの露光装置や所謂ステッパ
ー等において、マスクやレチクル（以下「マスク」とい
う。）等の第１物体面上に形成されている微細な電子回
路パターンをウエハ等の第２物体面上に露光転写する際
にマスクとウエハ（感光基板）との相対的な位置決め
（アライメント）を行う露光装置に好適なものである。

【０００２】

【従来の技術】従来よりデバイス製造用の露光装置にお
いては、マスクとウエハの相対的な位置合わせは性能向
上を図るための重要な一要素となっている。特に最近の
露光装置における位置合わせについては、デバイス（半
導体素子）の高集積化の為に、例えばサブミクロン以下
の位置合わせ精度を有するものが要求されている。

【０００３】多くの位置合わせ装置においては、マスク
及びウエハ面上に位置合わせ用のアライメントパターン
（アライメントマークともいう）をスクライブライン上
に設け、それらより得られる位置情報を利用して、双方
のアライメントを行っている。

【０００４】この時、マスクとウエハ間のギャップ（間
隔）測定方法が、例えば特公平３−５６５２号公報等で
提案されている。同公報では、図７に示すようにギャッ
プセンサ５９，６８を用いて、ウエハ６０と基準面の間
隔を複数の位置で測定している。そしてその測定値を基
に基板表面の仮想的な近似平面を表す式を求め、ウエハ
表面の全体を平均的に基準面に対して平行に設定する方
法を開示している。

【０００５】図７において、マスク５１はマスクホルダ
ー５２に吸着されており、マスクホルダー５２は、３個
の調整ねじ５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃ（５３Ｃは不図示）
と３個の引張ばね５４Ａ、５４Ｂ、５４Ｃ（５４Ｃは不
図示）とによって、マスクステージ５５に支持されてい
る。ここで、マスクホルダー５２のティルト、及び高さ
はモータ５６Ａ、５６Ｂ、５６Ｃ（５６Ｃは不図示）に
より、調整ねじ５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃ（５３Ｃは不図
示）を動かすことにより行っている。

【０００６】各モータの駆動は、インターフェース５７
を介してコンピュータ５８から指令が出されている。ま
た、マスクステージ５５には、第１ギャップセンサ５９
が設置されており、ウエハ６０と第１ギャップセンサ５
９との間隔ｇｗが第１ギャップセンサ５９によって測定
され、測定値はインターフェース５７を介してコンピュ
ータ５８に入力されている。

【０００７】一方、ウエハ６０はウエハホルダ６１に保
持されている。このウエハホルダ６１は調整ねじ６２
Ａ、６２Ｂ、６２Ｃ（６２Ｃは不図示）、引張ばね６３
によって保持されており、ウエハホルダ６１のティル
ト、及び高さは、モータ６４Ａ、６４Ｂ、６４Ｃ（６４
Ｃは不図示）により、調整ねじ６２Ａ、６２Ｂ、６２Ｃ
（６２Ｃは不図示）を動かすことにより行っている。

【０００８】各モータの駆動は、インターフェース５７
を介してコンピュータ５８から指令が出されている。調
整ねじ６２Ａ、６２Ｂ、６２Ｃを介してウエハホルダ６
１を支持するＸＹステージ６５は、ベアリング６６を介
して基準面としてのベース６７上に設置されている。こ
のＸＹステージ６５は、コンピュータ５８の指令によ
り、インターフェース５７を介してＸＹ方向の任意の位
置に移動できるように構成されている。

【０００９】また、ＸＹステージ６５には第２ギャップ
センサ６８が取り付けられており、マスク５１と第２ギ
ャップセンサ６８との間隔ｇｍを測定し、その測定値は
インターフェース５７を介してコンピュータ５８に入力
される。

【００１０】ここで、ＸＹステージ６５を移動してウエ
ハ６０を第１ギャップセンサ５９の下で走査し、ウエハ
６０の中心に対する各点の座標（ｘ’、ｙ’）に応じて
ウエハの高さｚ’を測定し、ウエハ６０の複数点の位置
の座標とウエハ高さが（ｘ’、ｙ’、ｚ’）としてコン
ピュータ５８に記憶される。ＸＹテージ６５に固定され
ている第２ギャップセンサ６８も同様に、マスク５１の
中心に対する各座標位置でギャップを測定し、マスク５
１の複数点の座標とマスク高さが（ｘ、ｙ、ｚ）として
コンピュータ５８に記憶される。コンピュータ５８で
は、第１ギャップセンサ５９からの測定値を基に、ウエ
ハ６０の露光領域に対する近似平面を計算する。

【００１１】一方、第２ギャップセンサ６８からの測定
値を基に、対向するウエハ６０の面に対する近似平面を
計算する。

【００１２】以上の計算値を基に、マスクホルダ５２、
ウエハホルダ６１を動かし、ウエハ６０上の露光領域の
近似平面とマスク５１の近似平面とを平行にし、さらに
両平面のギャップ値を所望の値にしている。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】図７に示すギャップ測
定装置におけるギャップ測定方法では、ギャップ測定を
するタイミング、及びギャップ測定のためのウエハの位
置等が適切でないため、スループットが低下するという
傾向があった。

【００１４】本発明は、マスクとウエハとのギャップ
（間隔）を高精度に測定し、マスクとウエハとの相対的
な位置合わせを適切に行い、高集積度のデバイスを容易
に製造することができる露光装置及びそれを用いたデバ
イスの製造方法の提供を目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明の露光方法は、 (1-1) 第１位置において第１基板保持器に保持した基板
を第２位置に搬送し、第２基板保持器に保持した後にマ
スク面上のパターンを該基板に露光転写する露光方法に
おいて、該第１位置で該基板と基準面との面間隔を複数
の位置にて測定し、これより該基板の面形状を求める第
１工程と、該第１工程で求めた該基板の面形状を用い
て、該第１位置と異なる該第２位置での該基板の傾き及
び高さの少なくとも一方を調整する第２工程、該第２位
置で該マスクと該基板の位置合わせマークとの面内のず
れ量を計測し、これより求めた位置合わせマークの実際
の配列を求める第３工程を利用していることを特徴とし
ている。

【００１６】特に、 (1-1-1) 前記第１基板保持器に基板を保持したときに、
該基板が受ける面形状誤差と、前記第２基板保持器に基
板を保持したときに該基板が受ける面形状誤差との相違
による前記第２位置での該基板のティルト及び高さの変
化を予め該第１，第２基板保持器の保持面の面形状を測
定し、オフセット処理していることを特徴としている。

【００１７】(1-1-2) 前記第２工程では前記基板の面形
状を用いて最小自乗法より該第２位置における該基板と
該マスク面との間隔又は平行度の設計値からのずれが最
小となる変換パラメータを決定し、変換パラメータを用
いて第２位置での前記マスクに対する露光面の傾き及び
高さが最適となるように調整していることを特徴として
いる。

【００１８】本発明の露光装置は、 (2-1) 第１位置において第１基板保持器に保持した基板
を搬送手段で第２位置に搬送し、第２基板保持器に保持
し、該第２位置においてマスク面上のパターンを該基板
に露光転写する露光装置において、該第１位置で該基板
と基準面との面間隔を複数の位置にて測定し、これより
該基板の面形状を求める面間隔測定手段と、該面間隔測
定手段で求めた該基板の面形状を用いて、該第１位置と
異なる該第２位置での該基板の傾き及び高さの少なくと
も一方を調整する調整手段、該第２位置での該マスクと
該基板の位置合わせマークとの面内のずれ量を計測し、
これより求めた位置合わせマークの実際の配列を求める
位置計測手段とを有していることを特徴としている。

【００１９】特に、 (2-1-1) 前記第１基板保持器に基板を保持したときに、
該基板が受ける面形状誤差と、前記第２基板保持器に基
板を保持したときに該基板が受ける面形状誤差との相違
による前記第２位置での該基板のティルト及び高さの変
化を予め該第１，第２基板保持器の保持面の面形状を測
定し、オフセット処理する演算器を有していることを特
徴としている。

【００２０】(2-1-2) 前記調整手段は最小自乗法より該
第２位置における該基板と該マスク面との間隔又は平行
度の設計値からのずれが最小となる変換パラメータを決
定する補正量計算手段を有し、該補正量計算手段で求め
た変換パラメータを用いて、第２位置での前記マスクに
対する露光面の傾き及び高さが最適となるように調整し
ていることを特徴としている。

【００２１】本発明のデバイスの製造方法は、 (3-1) 構成(1-1) の露光方法によってマスク面上のパタ
ーンを基板上に露光転写し、次いで該基板を現像処理工
程を介してデバイスを製造していることを特徴としてい
る。

【００２２】(3-2) 構成(2-1) の露光装置によって、マ
スク面上のパターンを基板面上に露光転写し、次いで該
基板を現像処理工程を介してデバイスを製造しているこ
とを特徴としている。

【００２３】

【発明の実施の形態】図１は本発明の実施形態１の要部
斜視図、図２は図１の要部拡大説明図、図３は本発明に
おいて第１物体（マスク）と第２物体（感光基板，ウエ
ハ）との相対的な位置を検出するときのフローチャート
である。

【００２４】本実施形態ではＸ線を露光光として用いた
プロキシミティ型の半導体素子製造用の露光装置に適用
した場合を示している。

【００２５】図１において１３は第１物体としてのマス
クであり、その面上には電子回路パターンが形成されて
いる。１は第２物体としてのウエハ（感光基板）であ
る。ウエハ１は第１位置においてウエハホルダ（第１基
板保持器）２に保持されている。

【００２６】ウエハホルダ２はＺステージ３、Ｘステー
ジ４、Ｙステージ５の上に設置されている。ウエハ１
は、３軸のステージ３，４，５によりＸ，Ｙ，Ｚ方向の
任意の位置に移動できるようになっている。

【００２７】先ず、ウエハホルダ２に保持されたウエハ
１は、面間隔測定手段としての複数のギャップセンサ
６、７、８により、ギャップセンサ端面からウエハ１迄
のギャップ（間隔）ｚｉが測定され、各ギャップセンサ
の測定値は、ウエハ１上でのギャップ測定位置の座標
（ｘｉ、ｙｉ）と共に補正量計算手段としての演算器９
（コンピュータ）にデータ（ｘｉ、ｙｉ、ｚｉ）として
取り込まれる。

【００２８】コンピュータ９では、３点の測定座標値と
ギャップ値から３点を通る平面の近似平面の式を計算す
る。ここで、求める近似平面の式を、 ａＸ＋ｂＹ＋ｃ＝Ｚ ‥‥‥（１） とし、最小自乗法を用いて次の３式の連立方程式を解い
て求めている。

【００２９】

【数１】 上記連立方程式（２），（３），（４）を解くことによ
り、変換パラメータ（係数）ａ、ｂ、ｃを求めることが
でき、これよりウエハ１のウエハホルダ２上での平面近
似式を得ている。

【００３０】ここで得られた平面近似式の情報は、演算
器１０に送られて、露光の際のギャップ情報として利用
している。この時、ウエハホルダ２のホルダ面の形状
と、露光位置（第２位置）に設置されているウエハホル
ダ（第２基板保持器）１１のホルダ面の面形状が異なる
ことにより発生するウエハ１の面形状誤差は、予め、ウ
エハホルダ２、１１のホルダ面の形状を測定しオフセッ
トとして演算器９にて補正することにより取り除いてい
る。

【００３１】一方、ウエハホルダ２に保持されていたウ
エハ１は搬送手段としてのウエハ搬送器（不図示）によ
り露光エリアに配置されているウエハホルダ１１上に搬
送され、そこでウエハホルダ１１に保持している。

【００３２】図１において、１２はＸ線露光光、１４は
マスクフレームであり、マスクメンブレン（マスク）１
３の周辺部を保持している。マスクメンブレン（マス
ク）１３の面上には吸収体によりＩＣパターンがパター
ニングされている。１５はマスクホルダ、１６はＺ軸ス
テージ（ティルト補正が可能な構成になっている）、１
７はＸ軸ステージ、１８はＹ軸ステージである。

【００３３】ここで各ステージ１６，１７，１８は調整
手段の一要素を構成している。マスク１３とウエハ１の
位置ずれ検出機能部分（位置ずれ検出装置）１９ａ〜２
２ａは各々は筐体１９、２０、２１、２２（筐体２１と
２２は不図示）に収まっている。

【００３４】ここで位置ずれ検出装置１９ａ〜２２ａは
位置計測手段の一要素を構成している。各筐体１９〜２
２からマスク１３とウエハ１のＸ、Ｙ面内方向の位置ず
れ情報を得ている。

【００３５】図１には、筐体１９，２０に設けた２つの
位置ずれ検出機能部分１９ａ、２０ａを図示している。
マスク１３上の四隅のＩＣパターンエリアの各辺に対応
して更に２個所の位置ずれ検出機能部分２１ａ，２２ａ
が設けられている。筐体１９、２０、２１、２２の中に
は光学系、検出系が収まっている。２３、２４、２５、
２６（検出光２５，２６は不図示）は各位置ずれ検出光
である。

【００３６】次に、図２に位置ずれ検出装置の光学系概
略図を説明する。

【００３７】図２において、Ｈｅ―ＮｅレーザやＬＤ等
の光源２７からの光束は、コリメータレンズ２８により
平行光束となる。平行光束は投光レンズ２９を通り、ミ
ラー３０で偏向され、フィルタ３１を透過し、露光領域
３２内にあるマスク１３、ウエハ１の面内ずれ検知用の
位置合わせマーク（グレーティングレンズ，フレネルゾ
ーンプレート）３３に照射される。

【００３８】位置合わせマーク３３からの光束（回折
光）はマスク１３とウエハ１の面内ずれ量を示す情報を
含んでおり、フィルタ３１、受光レンズ３４を通り、セ
ンサ３５の受光面に結像される。センサ３５上での回折
光の位置ずれを検出することにより、マスク１３、ウエ
ハ１の相対位置ずれ量Ｘ、Ｙを演算器１０で処理して検
出している。

【００３９】ここで、マスク１３とウエハ１との相対位
置ずれ量の検出方法であるが、ウエハ１上の複数の位置
に配置されたアライメントマークを用いて、各アライメ
ントマーク位置でのずれ量を検出し、その検出値を基
に、アライメントマークの実際の配置と設計上の配置の
ずれ量が最小になるようなパラメータを演算器３８で決
定し、それを基に各露光位置においてのマスク１３とウ
エハ１との位置決めを行う所謂グローバルアライメント
シーケンスを行う。

【００４０】具体的にはコンピュータ１０は、既に露光
位置以外で測定したウエハの近似平面式の情報と、露光
位置で測定した位置ずれ量を基に、ウエハ１がマスク１
３に対して最適な位置関係になるようにアクチュエータ
３９、４０、４１に指令を出しＺステージ１６、Ｘステ
ージ１７、Ｙステージ１８を駆動している。

【００４１】尚、本実施形態の位置合わせ方法において
は、露光位置の各ショット毎でアライメントを行う、ダ
イバイダイアライメント方式で行ってもよい。

【００４２】図３には、上記説明した露光シーケンスの
流れ図を示した。

【００４３】図１は、プロキシミティータイプのＸ線露
光装置の例について示したが、光ステッパーについても
同様である。この他、本発明においては光源として、ｉ
線（λ＝３６５ｎｍ）、ＫｒＦ―エキシマ光（λ＝２４
８ｎｍ）、ＡｒＦ―エキシマ光（λ＝１９３ｎｍ）等を
用い、これらの光源からの照明光を持つ逐次移動型縮小
投影露光装置や、等倍のミラープロジェクションタイプ
の露光装置にも同様に適用可能である。

【００４４】図４は本発明の実施形態２の位置ずれ検出
方法を示す要部概略図である。本実施形態は、実施形態
１に比べてウエハホルダ２に保持されているウエハ１の
面情報を検出する手段として、顕微鏡対物レンズ３６と
ポジションセンサ３７を用いて検出している点が異なっ
ているだけであり、その他の構成は同じである。

【００４５】ここで、顕微鏡対物レンズ３６、ポジショ
ンセンサ３７、ウエハ１の光学配置が図４のようになっ
ている。

【００４６】ウエハ１が光軸方向にΔｇの距離を移動し
て、ウエハ１’の位置に移動したとすると、ポジション
センサ３７上の検出光の位置がσだけ移動する。ここ
で、各光学系とウエハの光軸方向の位置が、 １／ａ0 ＋１／ｂ0 ＝１／ｆ ‥‥‥（５） １／( ａ0 ＋２Δｇ) ＋１／ｂ＝１／ｆ ‥‥‥（６） という関係を満たしているとき、σは、 σ＝( ｂ0 ―ｂ) ／ｂ ×ｈ ‥‥‥（７） となる。

【００４７】ここでａ0 は顕微鏡対物レンズ３６の物側
主点からウエハ１までの距離、ｂ 0は顕微鏡対物レンズ
３６の像側主点からポジションセンサ３７までの距離、
ｂは顕微鏡対物レンズ３６の像側主点から、ウエハ１’
を反射したの検出光の顕微鏡対物レンズの３６の光軸と
の交点までの距離、ｆは顕微鏡対物レンズ３６の焦点距
離、ｈは顕微鏡対物レンズに入射するビームの光軸から
の距離である。予めギャップ変化Δｇに対するポジショ
ンセンサ３７上での測定光の移動量σを求めておけば、
ウエハ１の面の光軸方向の変位を求めることができる。

【００４８】図４では、１個の検出系を例として示し
た。この場合は、Ｘステージ、及びＹステージを動かし
て検出系の測定可能エリアにウエハを動かし、複数位置
での検出光の位置変化を測定すれば、ウエハの面形状を
把握することができる。また、図４で示した検出光学系
を複数配置しておけばウエハを移動させずにウエハ各位
置での測定が可能である。

【００４９】また、本実施形態では、ウエハ面の位置変
化をポジションセンサ３７上の検出光の変化として測定
したが、ウエハ各位置で得られる検出光のポジションセ
ンサ上での位置を常に一定の位置にＺステージ３を駆動
して追い込み、そのときのＺステージ３の移動量を検出
しても良い。

【００５０】次に上記説明した露光方法又は露光装置を
利用したデバイスの製造方法の実施例を説明する。

【００５１】図５は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の
半導体チップ、或は液晶パネルやＣＣＤ等）の製造のフ
ローを示す。

【００５２】ステップ１（回路設計）では半導体デバイ
スの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では設
計した回路パターンを形成したマスクを製作する。

【００５３】一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリ
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマ
スクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ
上に実際の回路を形成する。

【００５４】次のステップ５（組立）は後工程と呼ば
れ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。

【００５５】ステップ６（検査）ではステップ５で作製
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これが出荷（ステップ７）される。

【００５６】図６は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。

【００５７】ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に
電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打
込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。

【００５８】ステップ１７（現像）では露光したウエハ
を現像する。ステップ１８（エッチング）では現像した
レジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジ
スト剥離）ではエッチングがすんで不要となったレジス
トを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうこと
によってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。

【００５９】本実施例の製造方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度のデバイスを製造することがで
きる。

【００６０】

【発明の効果】本発明によれば以上のように、ウエハ面
の高さを測定する位置を露光位置とは完全に分離し、露
光作業を中断せずに測定を可能にし、更に、ウエハ面の
高さ測定位置と露光領域が異なることにより生じる誤差
を適切に補正することにより、マスクとウエハとのギャ
ップ（間隔）を高精度に測定し、マスクとウエハとの相
対的な位置合わせを適切に行い、高集積度のデバイスを
容易に製造することができる露光装置及びそれを用いた
デバイスの製造方法を達成することができる。

【００６１】特に本発明によれば、Ｘ線を光源とした露
光装置のマスクとウエハの相対位置合わせのシーケンス
において、予め露光位置とは異なる位置でウエハの面形
状を測定し、ウエハ面の近似平面を把握しておき、露光
の際をその値を基にマスクとウエハ面のティルト及びギ
ャップを設定するので、スループットを低下させない露
光装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態１の要部概略図

【図２】図１の一部分の拡大説明図

【図３】本発明に係る位置検出方法のフローチャート

【図４】本発明の実施形態２の一部分の要部概略図

【図５】本発明のデバイスの製造方法のフローチャート

【図６】本発明のデバイスの製造方法のフローチャート

【図７】従来の面位置検出手段を有した露光装置の要部
概略図

【符号の説明】

１、６０ ウエハ ２、１１、６１ ウエハホルダ ３、１６ Ｚステージ ４、１７ Ｘステージ ５、１８ Ｙステージ ６、７、８ ギャップセンサ ９、１０、３８ 演算器 １２ Ｘ線露光光 １３、５１ マスクメンブレン（マスク） １４ マスクフレーム １５、５２ マスクホルダ １９、２０、２１、２２ 筐体 １９ａ〜２２ａ 位置ずれ検出器 ２３、２４、２５、２６ 位置ずれ検出光 ２７ 光源 ２８ コリメータレンズ ２９ 投光レンズ ３０ ミラー ３１ フィルタ ３２ 露光領域 ３３ 位置合わせマーク ３４ 受光レンズ ３５ センサ ３６ 顕微鏡対物レンズ ３７ ポジションセンサ ３９、４０、４１ アクチュエータ ５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃ、６２Ａ、６２Ｂ、６２Ｃ 調
整ねじ ５４Ａ、５４Ｂ、５４Ｃ、６３ 引張ばね ５５ マスクステージ ５７ インターフェース ５８ コンピュータ ５９ 第１ギャップセンサ ６４Ａ、６４Ｂ、６４Ｃ モータ ６５ ＸＹステージ ６８ 第２ギャップセンサ

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１位置において第１基板保持器に保持
   した基板を第２位置に搬送し、第２基板保持器に保持し
   た後にマスク面上のパターンを該基板に露光転写する露
   光方法において、該第１位置で該基板と基準面との面間
   隔を複数の位置にて測定し、これより該基板の面形状を
   求める第１工程と、該第１工程で求めた該基板の面形状
   を用いて、該第１位置と異なる該第２位置での該基板の
   傾き及び高さの少なくとも一方を調整する第２工程、該
   第２位置で該マスクと該基板の位置合わせマークとの面
   内のずれ量を計測し、これより求めた位置合わせマーク
   の実際の配列を求める第３工程を利用していることを特
   徴とする露光方法。
2. 【請求項２】 前記第１基板保持器に基板を保持したと
   きに、該基板が受ける面形状誤差と、前記第２基板保持
   器に基板を保持したときに該基板が受ける面形状誤差と
   の相違による前記第２位置での該基板のティルト及び高
   さの変化を予め該第１，第２基板保持器の保持面の面形
   状を測定し、オフセット処理していることを特徴とする
   請求項１の露光方法。
3. 【請求項３】 前記第２工程では前記基板の面形状を用
   いて最小自乗法より該第２位置における該基板と該マス
   ク面との間隔又は平行度の設計値からのずれが最小とな
   る変換パラメータを決定し、変換パラメータを用いて第
   ２位置での前記マスクに対する露光面の傾き及び高さが
   最適となるように調整していることを特徴とする請求項
   １の露光方法。
4. 【請求項４】 第１位置において第１基板保持器に保持
   した基板を搬送手段で第２位置に搬送し、第２基板保持
   器に保持し、該第２位置においてマスク面上のパターン
   を該基板に露光転写する露光装置において、該第１位置
   で該基板と基準面との面間隔を複数の位置にて測定し、
   これより該基板の面形状を求める面間隔測定手段と、該
   面間隔測定手段で求めた該基板の面形状を用いて、該第
   １位置と異なる該第２位置での該基板の傾き及び高さの
   少なくとも一方を調整する調整手段、該第２位置での該
   マスクと該基板の位置合わせマークとの面内のずれ量を
   計測し、これより求めた位置合わせマークの実際の配列
   を求める位置計測手段とを有していることを特徴とする
   露光装置。
5. 【請求項５】 前記第１基板保持器に基板を保持したと
   きに、該基板が受ける面形状誤差と、前記第２基板保持
   器に基板を保持したときに該基板が受ける面形状誤差と
   の相違による前記第２位置での該基板のティルト及び高
   さの変化を予め該第１，第２基板保持器の保持面の面形
   状を測定し、オフセット処理する演算器を有しているこ
   とを特徴とする請求項４の露光装置。
6. 【請求項６】 前記調整手段は最小自乗法より該第２位
   置における該基板と該マスク面との間隔又は平行度の設
   計値からのずれが最小となる変換パラメータを決定する
   補正量計算手段を有し、該補正量計算手段で求めた変換
   パラメータを用いて、第２位置での前記マスクに対する
   露光面の傾き及び高さが最適となるように調整している
   ことを特徴とする請求項４の露光装置。
7. 【請求項７】 請求項１から３のいずれか１項記載の露
   光方法によってマスク面上のパターンを基板上に露光転
   写し、次いで該基板を現像処理工程を介してデバイスを
   製造していることを特徴とするデバイスの製造方法。
8. 【請求項８】 請求項４から６のいずれか１項記載の露
   光装置によって、マスク面上のパターンを基板面上に露
   光転写し、次いで該基板を現像処理工程を介してデバイ
   スを製造していることを特徴とするデバイスの製造方
   法。