JP2000330294A - リソグラフィ投影装置およびそれを用いたデバイス製造方法 - Google Patents

リソグラフィ投影装置およびそれを用いたデバイス製造方法

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マリー セガーズ ウベルト
Rudolf Maria Boon
マリア ボーン ルドルフ
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アドリアーン ビュナグテ アントン
Fransis Mathijs Jacobs
マチュス ヤコブス フランシス
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 リソグラフィ装置において、基板を予整合装
置から基板テーブルに移送しうるとともに、予整合段階
が1つの基板において他の基板の露光と同時に実施され
ていても基板テーブルへの振動の伝達を回避する基板ハ
ンドリング装置を提供すること。 【解決手段】 予整合装置2がプロセストラックのウェ
ーハキャリヤ6からウェーハを受け取って、ウェーハの
芯出し等の予備段階を実行する。準備されたウェーハ
は、予整合装置2およびウェーハテーブルから独立した
ロボットアームによってウェーハテーブルに移送され
る。ロボットアームはウェーハをピックアップするため
に予整合装置に結合し、分離し、そしてウェーハテーブ
ルに結合してウェーハを配置する。それによって移送中
のウェーハの位置精度が維持される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばウェーハ等
の基板を取り扱う装置に関するものである。より詳しく
は、本発明は、放射線の投影ビームを供給する放射系
と、マスクを保持するためのマスクホルダを備えたマス
クテーブルと、基板を保持するための基板ホルダを備え
た基板テーブルと、基板の標的部分上にマスクの照射さ
れた部分を写像するための投影系と、基板の初期整合を
実行するための予整合装置と、基板を前記予整合装置か
ら前記基板テーブルに移送するための基板ハンドリング
装置とを有するリソグラフィ投影装置に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】簡易化のため投影系を以後「レンズ」と
称するが、この用語は、例えば屈折光学系、反射光学
系、反射屈折光学系および荷電粒子光学器を含む種々の
形式の投影系を含むものとして広く解すべきである。投
影系はまた、投影ビームを指向、整形または制御するた
めの、これらの理論のいずれかに基づいて作用する要素
をも含み、そのような要素は下記において集合的にまた
は単独で「レンズ」と称される。
【0003】リソグラフィ投影装置は、例えば集積回路
(IC)の製造に用いられる。そのような場合、マスク
(レチクル)がICの個々の層に対応する回路パターン
を含んでいてもよく、このパターンは感光材料(レジス
ト)の層を被覆された基板(シリコンウェーハ)上の露
光区域(ダイ)上に写像可能である。一般に、単一のウ
ェーハは隣接するダイの全回路網を包含し、ダイは一度
に1つづつレチクルを介して連続的に照射される。リソ
グラフィ投影装置の1つの形式において、ダイはそれぞ
れ1回でダイ上に全レチクルパターンを照射され、その
ような装置は通常ウェーハステッパと呼ばれる。一般に
ステップ・アンド・スキャン装置と呼ばれる他の装置に
おいて、ダイはそれぞれ所定の基準方向(スキャン方
向)の投影ビームによって、この方向と平行にまたは平
行でなく基板テーブル(ウェーハテーブル)を同期的に
走査しながら、レチクルパターンを漸次走査することに
よって照射される。これは、一般に投影系が増幅係数M
(一般に<1)を有し、ウェーハテーブルが走査される
速度Vはマスクテーブル(レチクルテーブル)が走査さ
れる速度の係数M倍になるからである。ここで述べたリ
ソグラフィ装置についての他の情報は、例えば国際特許
出願WO97/33205号明細書から得られるであろ
う。
【0004】つい最近まで、リソグラフィ装置は単一の
マスクテーブルと単一の基板テーブルとを備えていた。
しかしながら今日では、例えば国際特許出願WO98/
28665号およびWO98/40791号の各明細書
に記載された多段装置に見られるように、少なくとも2
つの独立して移動しうる基板テーブルが設けられた機械
装置が利用可能になっている。そのような多段装置の背
後にある基本的作用原理は、第1基板テーブルがそのテ
ーブル上に設置された第1基板を露光するために投影系
の下方の露光位置にある間に、第2基板テーブルが取り
付け位置に走行することができ、前に露光された基板を
排出し、新しい基板をピックアップし、新しい基板にお
いていくつかの初期の測定を実施し、次いで新しい基板
を第1基板の露光完了後直ちに投影系の下方の露光位置
に移送するために準備し、このサイクルが繰返される。
この方法により、機械装置の処理量を著しく増加するこ
とができ、それによって機械の維持経費が改善される。
同じ原理を露光位置および測定位置の間で動かされるた
だ1つの基板テーブルに利用することができることを理
解すべきである。
【0005】公知のリソグラフィ装置において、ウェー
ハのような露光される基板は、まずウェーハキャリヤま
たはプロセストラックから予整合モジュール内に取り付
けられ、基板が露光用に準備される。そのような準備の
最も重要な観点の1つは予整合段階にある。この段階に
おいて、ウェーハは予整合ターンテーブル上に設置さ
れ、その端部は、例えば光学的または容量的センサを有
する端部センサを通して回転させられることによって検
査される。これは、ウェーハの切欠き、または平坦な端
部を自動的に位置決めすることを可能にし、またターン
テーブル上のウェーハの偏心度測定を可能にする。この
方法において、切欠きまたは平坦な端部はウェーハが基
板テーブルに移送される前に所望の通りに自動的に配置
される。また、基板テーブルに移送される際に、ウェー
ハの偏心度が、ウェーハを基板テーブルで用いられる整
合モジュールのキャプチャ・レンジ(捕捉範囲)外とす
る閾値を越えるかどうかを決定することができる。その
ような場合、ウェーハはあらかじめ計算された量だけタ
ーンテーブル上を移動されて閾値内に運ばれる。
【0006】一旦これらの段階が実施されると、基板ハ
ンドリング装置はウェーハをターンテーブルから取り外
し、それを整合モジュールがウェーハをキャプチャでき
る精度でウェーハテーブルに上に設置する。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者らは、他のウェーハの露光中に予整合段階が実施され
れば種々の整合装置の作動が誤差を上乗せする好ましく
ない振動源になることを結論付けた。予整合を露光と同
時に実施しないことは処理量を減らすため好ましくな
い。また、予整合が振動の伝達を防止するためウェーハ
テーブルから機械的に分離されれば、それらの相対的位
置は、もはや基板ハンドリング装置が所望の高精度でウ
ェーハをウェーハテーブルに移送するのに十分な精度を
満足しないことになる。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、リソグ
ラフィ投影装置において、基板を予整合装置から基板テ
ーブルに移送しうるとともに、予整合段階が1つの基板
において他の基板の露光と同時に実施されていても基板
テーブルへの振動の伝達を回避する、基板ハンドリング
装置を提供することである。
【0009】本発明によれば、放射エネルギーからなる
投影ビームを供給する放射系と、マスクを保持するため
のマスクホルダを備えたマスクテーブルと、基板を保持
するための基板ホルダを備えた基板テーブルと、基板の
標的部分上にマスクの照射された部分を写像するための
投影系と、基板の初期整合を実行するための予整合装置
と、基板を予整合装置から基板テーブルに移送するため
の基板ハンドリング装置とを有するリソグラフィ投影装
置において、予整合装置が基板テーブルから機械的に分
離されており、基板ハンドリング装置を既知の相対的位
置で前記基板テーブルと選択的に結合するカップリング
装置すなわち結合装置を有することを特徴とするリソグ
ラフィ投影装置が提供される。
【0010】本発明の予整合装置が、露光工程中、基板
を支持する基板テーブルから機械的に分離されているた
め、予整合段階によって発生した振動が露光中に基板へ
伝達されない。基板の移送における位置精度を得るた
め、基板ハンドリング装置は基板テーブルに対する位置
を画定するため基板テーブルに結合し、次いで基板ホル
ダ上に基板を置く。基板ハンドリング装置は予整合装置
に対して固定された位置を有することができ、または予
整合装置から機械的に分離され、そして基板をピックア
ップするため予整合装置に結合されてもよい。予整合装
置との結合は、たとえ基板ハンドリング装置が予整合装
置から分離されていても、ピックアップされるときに基
板ハンドリング装置が予整合装置に対して例えば所定の
位置等の既知の位置にあることを確実にし、それによっ
て基板が既知の位置で基板ハンドリング装置に保持され
る。同様に、基板ハンドリング装置が基板テーブルに結
合されるとき、その相対的位置は既知の位置であり、予
整合装置での基板の位置精度は、移送中にも保持され
る。基板ハンドリング装置が基板テーブルおよび予整合
装置の双方に結合されるならば、基板が予整合装置から
ピックアップされるときの相対的位置は予整合装置に対
して既知であり、基板が置かれるときの相対的位置は基
板テーブルに対して既知であり、それによって予整合装
置の精度が移送中に維持される。
【0011】好適な実施例において、基板ハンドリング
装置が予整合装置または基板テーブルに接近するとき、
それらの相対的位置は粗くすなわち概略で認識されてい
るのみである。基板ハンドリング装置が予整合装置また
は基板テーブルと初期接触を行うと、自動結合機構が2
つを所定の物理的関係に結合する。これは、基板ハンド
リング装置に非固定状態にすなわち変位可能に結合され
た、基板ハンドリング装置上の端部エフェクタ部材を使
用して達成される。端部エフェクタ部材は、予整合装置
および基板テーブル上のそれぞれに設けられた対応する
カップリングハーフ(結合装置半分割部分)に適合する
カップリングハーフを有している。予整合装置および基
板テーブルに設けられた2つのカップリングハーフは、
基板ハンドリング装置が全体として基板テーブルに正確
に整合する必要なくカップリング上の正確な位置に適合
するように機械的に偏倚されている。
【0012】本発明の別の観点によれば、放射エネルギ
ーからなる投影ビームを供給する放射系と、マスクを保
持するためのマスクホルダを備えたマスクテーブルと、
基板を保持するための基板ホルダを備えた基板テーブル
と、基板の標的部分上にマスクの照射された部分を写像
するための投影系と、基板の初期整合を実行するための
予整合装置とを有するリソグラフィ投影装置を用いたデ
バイス製造方法であって、マスクテーブルにパターンを
備えたマスクを設ける段階と、予整合装置に放射線感光
層を有する基板を設け且つ露光のため基板を準備する段
階と、基板ハンドリング装置を使用して基板を予整合装
置から基板テーブルに移送する段階と、マスクの照射さ
れた部分を基板の標的部分上に写像する段階とを含むデ
バイス製造方法において、基板を予整合装置から移送す
る段階、基板を予整合装置からピックアップする段階、
基板ハンドリング装置を基板テーブルに結合する段階、
および基板を基板テーブルの基板ホルダに設置する段階
の各副段階を含むデバイス製造方法が提供される。
【0013】本発明によるリソグラフィ投影装置を用い
た製造工程において、マスク内のパターンは、少なくと
も部分的にエネルギー感光物質(レジスト)層に被われ
た基板上に写像される。この写像段階に先立って、基板
は、プライミング、レジストコーティング、およびソフ
トベークのような種々の処置を受ける。露光後、基板
は、ポスト露光ベーク(PEB)、現像、ハードベー
ク、および写像された特性の測定および検査のような他
の処置を受ける。この一連の処置は、IC等のデバイス
の個々の層を模写することを基礎として用いられる。次
いで、そのような模写された層は、エッチング、イオン
打込み(ドーピング)、金属溶射、酸化、および化学的
機械研磨等のような、全ての個々の層を仕上げるための
種々の工程が実施される。いくつかの層が必要であれ
ば、次いで全ての処置またはその変形が新しい各層に対
して繰返されなければならない。最終的に一連のデバイ
ス(ダイス)が基板(ウェーハ)上に出現する。次い
で、これらのデバイスはダイシングまたはソーイングの
ような技術によって分離され、そこから個々のデバイス
はピン等に連結されたキャリヤ上に取り付けることがで
きる。さらに、そのような工程に関する情報は、例えば
1997年、マック・グローヒル出版社(McGraw
Hill Publishing Co.)発行の刊
行物、ピーター・ファン・ザント(Peter van
Zant)著、「マイクロチップの製造/半導体処理
の実際的ガイド」第3版、ISBN 0−0−7−06
7250−4から得ることができるであろう。
【0014】この刊行物では、ICの製造における本発
明の装置の使用について特に言及されているけれども、
そのような装置は他の多くの可能な用途を有することを
明白に理解すべきである。たとえば、集積光学装置の製
造において、磁壁メモリ、液晶ディスプレイパネル、お
よび薄膜磁気ヘッド等に対するガイダンスおよび検出パ
ターンが使用される。熟練した技術者は、そのような別
の用途に関連して、本明細書における「レチクル」、
「ウェーハ」、または「ダイ」なる用語の使用は、それ
ぞれもっと一般的な用語「マスク」、「基板」および
「露光区域」に置き換えられるものと考えるべきであ
る。
【0015】本明細書において、用語「放射線」および
「ビーム」は、紫外線(たとえば波長365nm、24
8nm、193nm、157nmまたは126nm
の)、極紫外線(EUV)、X線、電子線およびイオン
を含むが、それらに限定されない全てのタイプの電磁放
射線または磁束を含むために使用される。またここで、
本発明は直交するX、YおよびZ方向の基準軸を使用し
て記載され、I方向に平行な軸線の周りの回転はRi
示される。さらに、その他の指定された文脈を除いて、
個々に使用される用語「垂直」(Z)は、装置の特殊な
配置を暗示するより、基板またはマスク面に垂直な方向
を示すためのものである。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、本発明を典型的な実施例と
添付の略図に基づいて説明する。なお、図面において同
様の参照符号は同様の部分を示す。
【0017】(実施例1)図1は本発明によるリソグラ
フィ投影装置を示す。装置は、(1) 放射線(例えば
UVまたはEUV放射、電子線、またはイオン)の投影
ビームPBを供給する放射系LA、EX、IN、および
COと、(2) マスクMA(例えばレチクル)を保持
するためのマスクホルダを備え、アイテムPLに対して
マスクを正確に位置決めするための第1位置決め装置に
接続されたマスクテーブルMTと、(3) 基板W(例
えばレジスト被覆シリコンウェーハ)を保持するための
基板ホルダを備え、アイテムPLに対して基板を正確に
位置決めするための第2位置決め装置に接続された基板
テーブルWT(ウェーハテーブル)と、(4) 基板テ
ーブルWTに保持された基板Wの露光区域C(ダイ)上
にマスクMAの照射部分を写像するための投影系(レン
ズ)PL(例えば屈折または反射屈折系、鏡群、または
フィールドデフレクタ列)とを有する。ここに記載した
ように、装置は伝達型(すなわち伝達型マスクを有す
る)である。しかしながら、一般に、例えば反射型とす
ることもできる。
【0018】放射系は、放射線のビームを発生する放射
線源LA(例えば水銀ランプ、エキシマレーザ、ストレ
ージ・リング内の電子ビームの通路の周りに設けられた
アンジュレータまたはシンクロトロン、レーザプラズマ
源、または電子またはイオンビーム源)および照明系を
有する。ビームは、例えばビーム整形光学機器Ex、イ
ンテグレータINおよび集光装置COのような照明系に
含まれる種々の光学的要素を通され、結果としてビーム
PBがその横断面において所望の形状および強度分布を
有するようになっている。
【0019】次いでビームPBは、マスクテーブルMT
上のマスクホルダに保持されたマスクMAに遮られる。
マスクMAを通過すると、ビームPBは、ビームPBを
基板Wの露光区域C上に集中するためのレンズPLを通
過する。干渉変位および測定装置IFに助けられて、基
板テーブルWTは、例えば異なる露光区域CをビームP
Bの通路内に位置決めするように第2位置決め装置によ
って正確に動かされる。同様に、第1位置決め装置は、
例えばマスクライブラリからマスクMAを機械的に検索
した後、ビームPBの通路に対してマスクMAを正確に
位置決めするために使用することができる。一般に、マ
スクテーブルMTおよび基板テーブルWTの移動は、図
1には明示されていない長行程モジュール(粗い位置決
め)および短行程モジュール(精密な位置決め)の助け
によって実現されるであろう。ウェーハステッパの場合
(ステップ・アンド・スキャン装置とは反対に)、マス
クテーブルMTは短行程位置決め装置のみに接続される
かまたは停止したままとすることができる。
【0020】図示された装置は、2つの異なるモードで
使用することができる。 (1) ステップ・アンド・リピート(ステップ)モー
ドにおいて、マスクテーブルMTは実質的に静止したま
まで、マスク写像全体が露光区域C上に1回で(すなわ
ち1回のフラッシュで)投影される。ついで基板テーブ
ルWTは、異なる露光区域CがビームPBによって照射
されるように、Xおよび/またはY方向に移動される。 (2) ステップ・アンド・スキャン(スキャン)モー
ドにおいて、所定の露光区域Cが1回の「フラッシュ」
で露光されないことを除いて、本質的に同じシナリオが
適用される。その代わりに、マスクテーブルMTは速度
vで所定の方向(いわゆる「スキャン」方向であり、例
えばY方向)に移動することができ、そこで投影ビーム
PBはマスク写像上を走査させられ、同時に、基板テー
ブルWTは速度V=Mvで同じ方向または反対方向に動
かされる。ここで、MはレンズPLの倍率(典型的には
M=1/4または1/5)である。このようにして、比
較的大きい露光区域Cが、分解能を譲歩することなく露
光可能である。
【0021】図2は予整合装置2とウェーハ操作要素を
有する予整合ユニット1を示す。ウェーハがウェーハキ
ャリヤまたはプロセストラックから予整合装置2に移送
された後、予整合工程が開始される。予整合は、例えば
光学的センサを使用するウェーハ端部検出、ウェーハの
芯出し、および温度調整を含む。予整合工程および予整
合装置は、例えば本出願人の「リソグラフィ投影装置」
という名称の同時出願(本出願人の整理番号P−013
5.010)にさらに詳細に記載されている。
【0022】一旦予整合が終了すると、ウェーハは取付
けロボット3(基板ハンドリング装置)によってウェー
ハテーブルに移送される。取付けロボット3は、ウェー
ハの破損を防止するため独立した別の軌道安全装置を備
えている。取付けロボット3の作動中、取付けロボット
3の測定された絶対位置および所与の速度は、許容され
る位置および速度と比較される。誤差がある場合、修正
作用が施される。予整合装置2上のウェーハの位置は高
い精度で認識されており、ウェーハは、所望の精度で、
すなわちウェーハテーブルWTに使用される整合系のキ
ャプチャ・レンジ内で、ウェーハテーブルWT上に設置
されなければならない。このため、取付けロボット3
は、ウェーハを取り上げるとき予整合装置2と、またそ
れを下ろすときウェーハテーブルWTと結合するドッキ
ングユニット(「カップリング装置」)31を備えてい
る。ドッキングユニット31は、ドッキングユニット3
1上に設けられたボールと予整合装置2およびウェーハ
テーブルWT上の溝とを備えたボール/溝運動式結合タ
イプのものとすることができる。好適には、ドッキング
ユニット31は、予整合装置2とウェーハテーブルWT
とに2つの離れた位置で結合する。安全の理由で、取付
けロボット3の回転部分には、光が露光位置から予整合
ユニット1またはプロセストラックに逃れることを防止
するため、遮光装置32が設けられている。
【0023】全面露光後、取外しロボット4はウェーハ
WをウェーハテーブルWTから排出ステーション5に移
送する。取外しロボット4は取付けロボット3と同様に
構成することができるが、そのような高精度は要求され
ない。ウェーハWは、排出ステーション5から基台と称
せられるウェーハキャリヤ6またはプロセストラックに
取り出される。取外しロボット4は、ウェーハを予整合
装置2からウェーハテーブルWTに取り付けるのにも使
用可能である。反対に、取付けロボット3もウェーハを
ウェーハテーブルWTから排出ステーション5またはウ
ェーハキャリヤ6に移送するため使用することができ
る。
【0024】予整合ユニット1は、200nmおよび3
00nmのカセットキャリヤのような異なる形式のウェ
ーハキャリヤの使用を可能とするキャリヤハンドリング
装置61をさらに備えることができる。キャリヤハンド
リング装置61は、リソグラフィ投影装置の左または右
側のいずれかに形成することができ、ウェーハキャリヤ
6を受け入れ且つ(可能であれば)ロックし、ウェーハ
キャリヤ6を検査し且つ割出しを行い、さらに(可能で
あれば)キャリヤ6を開放し、そしてウェーハを取り外
すために配置される。キャリアハンドリング装置61
は、ウェーハキャリヤ6内の、排出されたウェーハまた
はさらに処理する必要のあるウェーハを保管するために
使用することができる。
【0025】図3には、予整合ユニット1が第1取付け
位置において示されている。この位置において、予整合
装置2は予整合され且つ調整されたウェーハ71を収容
し、一方、取付けロボット3は半回転した後にウェーハ
71をウェーハテーブルWTに移送するため位置決めさ
れる。取外しロボット4は、露光後にウェーハテーブル
WTから取り外され、取外しロボット4が半回転した後
に排出ステーション5に移送されたであろうウェーハ7
2を支持している。
【0026】図4には、同じ予整合ユニット1が示され
ているが、取付けロボット3のアーム33はウェーハ7
1の移送のためウェーハテーブルWTまで伸長してい
る。
【0027】(実施例2)図5の(a)から(c)ま
で、および図6の(a)および(b)は、本発明の第2
実施例の取付けロボット130(基板ハンドリング装
置)を概略で図示している。機能的に、また下記の点を
除き、第2実施例は第1実施例と同じである。
【0028】取付けロボット130は、図5の(a)お
よび(b)に示された位置から(c)に示された予整合
装置2およびウェーハテーブルに達するために伸長でき
るように、基台132に回転可能に取付けられた2部分
アーム131を有する。ビックアップハンド133がア
ーム131の端部に設けられており、図5の(c)に示
されたように、ビックアップハンド133はウェーハW
をビックアップするためにウェーハWの下側に挿入され
る2つのフィンガー134を有している。ビックアップ
ハンド133はまた、予整合装置2上に設けられた対応
するカップリングハーフ135(「カップリング装
置」)に適合する一方のカップリングハーフ135aを
支持している。カップリング135aおよび135b
は、ウェーハがビックアップされるとき予整合装置2に
対して確実に且つ正確に位置決めされるために使用され
る。ビックアップハンド133とアーム131の連結
は、アーム131が完全には整合していないときでさえ
も、ビックアップハンドがカップリング135aおよび
135bによって動かされて正確に整合するように、そ
れらの間の一定量の変動を許容する。それ故、ウェーハ
はハンド133上で正確に位置決めされ、ウェーハテー
ブルWT上に対応する精度で設置されることができる。
【0029】図6の(a)および(b)は移動可能なウ
ェーハテーブルWTを示す。したがって、ウェーハテー
ブルWTは、ビックアップハンド133上に設けられた
カップリングハーフ135aと適合する他方のカップリ
ングハーフ135cを支持する固定部材136の所定位
置に移動することができる。
【0030】(実施例3)本発明の第3実施例に使用さ
れる結合機構が、図7、図8および図9に概略で図示さ
れている。第3実施例は、形式および機能について、他
の点では第1および第2実施例と同様である。
【0031】図7に示されたように、第3実施例のカッ
プリング装置は、ロボットアーム(基板ハンドリング装
置)231に固定されたフレーム235aと、ウェーハ
予整合装置2に固定されたドッキングプレート235b
を有する。同様のドッキングプレートがウェーハテーブ
ルWTにも取付けられている。端部エフェクタ部材30
1は、フレーム235aに非固定状態にすなわち変位可
能に取り付けられ、2組のローラー軸受302および3
03、および306および307を支持している。第1
組のローラー軸受302および303は、ロボットアー
ム231が予整合装置2と結合せしめられるとき、第1
ローラー軸受302がドッキングプレート235bの溝
に係合し、一方、第2ローラー軸受303はドッキング
プレート235bの支持面305に接触する。ローラー
軸受302と溝304との係合は、端部エフェクタ部材
301の位置をドッキングプレート235bに対してY
方向に固定し、一方、ローラー軸受303と溝305と
の係合は、端部エフェクタ部材301の位置をX方向に
固定する。第2組の第3および第4ローラー軸受306
および307は、ロボットアームが同様に端部エフェク
タ部材301の位置をフレーム235aに対して固定す
るように正確に整合されるとき、同様の溝308および
表面309に係合する。ばね310は端部エフェクタ部
材301をフレーム235aに結合して、それをローラ
ー軸受306および307がそれぞれ溝308および支
持面309に係合する位置に向かって偏倚する。ウェー
ハをピックアップするためのピックアップハンド(たと
えば図5および図6のビックアップハンド133)は、
端部エフェクタ部材301がドッキングプレート235
bによって正確な位置に案内されるとき、ピックアップ
ハンドがウェーハをピックアップするための正確な位置
にあるように、端部エフェクタ部材に固定されている。
フレーム235aに対する端部エフェクタ部材301の
不整合は、カッドセル(quadcell)検出器31
1によって検出され、それによってロボットアーム23
1の位置または方向付けの調節が可能である。カッドセ
ル検出器311は、ロボットアーム231を予整合装置
2に粗く整合させるために使用され、精密な整合は端部
エフェクタ部材301によって実施される。ロボットア
ーム231は、端部エフェクタ部材301がドッキング
プレート235bと正確に整合するように、十分近くま
で移動することだけが必要である。カッドセル検出器3
11は、ばね310が、ローラー軸受302および30
3を十分な力でドッキングプレート235bに押付けて
いるかどうかを制御するためにも使用される。
【0032】図8および図9は、本発明の装置が、ロボ
ットアーム231と予整合装置との間の整合を確実にす
るため使用される方法を示している。ロボットアーム2
31が正確に整合するために、僅かな角度で予整合装置
2に到達したときに第1および第2ローラー軸受の一
方、例えばローラー軸受302が、まずドッキングプレ
ート235bに係合するであろう。ロボットアーム23
1が前進を続けるとき、端部エフェクタ部材301は、
第1および第2ローラー軸受302および303の他方
がばね310の偏倚力に抗してドッキングプレート23
5bに係合するようになるとき、フレーム235aとの
整合から外される。これは図9に示されている。端部エ
フェクタ部材301に強固に取付けられたビックアップ
ハンドは、ウェーハを予整合装置2からビックアップす
るため正確な位置にある。この結合機構がロボットアー
ム231を予整合装置2とウェーハテーブルWTに対し
てXY平面内で位置決めするだけであることが認識され
るであろう。
【0033】上記のように、対応するドッキングプレー
ト235bが、ウェーハテーブルWT上にウェーハWを
配置するのに使用するために、ウェーハテーブルWTに
設けられている。
【0034】本発明の特定の実施例について述べてきた
けれども、本発明が上記の他にも、例えばレチクルの取
り扱い等においても使用され得ることを認識すべきであ
る。以上の記載は本発明を限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例によるリソグラフィ投影装
置の図。
【図2】第1実施例の予整合装置および基板ハンドリン
グ装置の図。
【図3】ウェーハが予整合装置上に置かれた第1実施例
の予整合装置および基板ハンドリング装置の図。
【図4】ウェーハが伸長された基板ハンドリング装置に
ある第1実施例の予整合装置と基板ハンドリング装置の
図。
【図5】(a)〜(c)は、本発明の第2実施例による
予整合装置と基板ハンドリング装置の図。
【図6】(a)および(b)は、本発明の第2実施例の
基板ハンドリング装置とウェーハテーブルの図。
【図7】本発明の第3実施例の結合機構の図。
【図8】基板ハンドリング装置が予整合装置に対して僅
かな角度をなすときの第3実施例の結合機構の図。
【図9】端部エフェクタが予整合装置に正確に整合した
第3実施例の結合機構の図。
【符号の説明】
1 予整合ユニット 2 予整合装置 3 取付けロボット 4 取外しロボット 5 排出ステーション 6 ウェーハキャリヤ 31 ドッキングユニット 32 遮光装置 33 アーム 61 キャリヤハンドリング装置 71,72 ウェーハ 130 取付けロボット 131 アーム 132 基台 133 ピックアップハンド 134 フィンガー 135a,135b,135c カップリングハーフ 136 固定部材 231 ロボットアーム 235a フレーム 235b ドッキングプレート 301 端部エフェクタ部材 302,303 ローラー軸受 304 溝 305 支持面 306,307 ローラー軸受 308 溝 309 支持面 310 ばね LA 放射系(放射線源) EX 放射系(ビーム形成光学装置) IN 放射系(インテグレータ) CO 放射系(集光装置) PB ビーム MA マスク MT マスクテーブル C 露光区域 PL レンズ W 基板 WT 基板テーブル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アントン アドリアーン ビュナグテ オランダ国 トリヒト、ケルクシュトラー ト 10 (72)発明者 フランシス マチュス ヤコブス オランダ国 アステン、エイケラール 91

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 放射線の投影ビームを供給する放射系
    と、 マスクを保持するためのマスクホルダを備えたマスクテ
    ーブルと、 基板を保持するための基板ホルダを備えた基板テーブル
    と、 基板の標的部分上にマスクの照射された部分を写像する
    ための投影系と、 基板の初期整合を実行するための予整合装置と、 基板を前記予整合装置から前記基板テーブルに移送する
    ための基板ハンドリング装置とを有するリソグラフィ投
    影装置において、 前記予整合装置が前記基板テーブルから機械的に分離さ
    れており、 前記基板ハンドリング装置を既知の相対的位置で前記基
    板テーブルと選択的に結合するためのカップリング装置
    を有することを特徴とするリソグラフィ投影装置。
  2. 【請求項2】 カップリング装置が、既知の相対的位置
    で前記予整合装置と選択的に結合するためにさらに配置
    されている請求項1に記載された装置。
  3. 【請求項3】 前記カップリング装置が、前記基板ハン
    ドリング装置に非固定状態に取り付けられた部材と、該
    部材を前記予整合装置および前記基板テーブルに選択的
    に結合するために配置されたドッキング装置とを有する
    請求項1または請求項2に記載された装置。
  4. 【請求項4】 前記部材を前記基板ハンドリング装置の
    所定位置に向かって偏倚するため配置された偏倚装置を
    さらに有する請求項3に記載された装置。
  5. 【請求項5】前記カップリング装置が、前記基板ハンド
    リング装置上に設けられた第1部分と、該第1部分と結
    合するため前記予整合装置および前記基板テーブルのそ
    れぞれに設けられた2つの第2部分とを有する請求項1
    から請求項4までのいずれか1項に記載された装置。
  6. 【請求項6】 前記第1部分がローラー軸受を有し、前
    記第2部分のそれぞれが内部に溝を有するドッキングプ
    レートを有し、前記ローラー軸受が前記溝と密接に係合
    するようになっている請求項5に記載された装置。
  7. 【請求項7】 前記ローラー軸受と前記溝との係合が、
    前記予整合装置または基板テーブルに保持されたときの
    前記基板の平面と実質的に平行な第1の方向における、
    前記基板ハンドリング装置と前記予整合装置または前記
    基板テーブルとの相対的位置を画定する請求項6に記載
    された装置。
  8. 【請求項8】 前記第1部分が第2のローラー軸受をさ
    らに有し、且つ前記ドッキングプレートが軸受表面をさ
    らに画定しており、前記基板ハンドリング装置と前記予
    整合装置または前記基板テーブルとの相対的位置を、前
    記予整合装置または前記基板テーブルに保持されたとき
    の前記基板の平面と実質的に平行であり且つ前記第1の
    方向に対して実質的に垂直な第2の方向において画定す
    るために、前記第2軸受が前記軸受表面に対して押圧さ
    れるようになっている請求項6または請求項7に記載さ
    れた装置。
  9. 【請求項9】 放射線の投影ビームを供給する放射系
    と、 マスクを保持するためのマスクホルダを備えたマスクテ
    ーブルと、 基板を保持するための基板ホルダを備えた基板テーブル
    と、 基板の標的部分上にマスクの照射された部分を写像する
    ための投影系と、 基板の初期整合を実行するための予整合装置とを有する
    リソグラフィ投影装置を用いてデバイスを製造する方法
    であって、 前記マスクテーブルにパターンを備えたマスクを供給す
    る段階と、 前記予整合装置に放射線感光層を有する基板を供給し、
    且つ露光のため前記基板を準備する段階と、 基板ハンドリング装置を使用して前記基板を前記予整合
    装置から前記基板テーブルに移送する段階と、 マスクの照射された部分を基板の標的部分上に写像する
    段階とを含むデバイス製造方法において、前記基板を前
    記予整合装置から移送する段階が、 前記基板を前記予整合装置からピックアップする段階、 前記基板ハンドリング装置を前記基板テーブルに結合す
    る段階、および前記基板を前記基板テーブルの前記基板
    ホルダに設置する段階の各副段階を含むことを特徴とす
    るデバイス製造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100596280B1 (ko) 2004-12-22 2006-06-30 동부일렉트로닉스 주식회사 오버레이 측정의 프리얼라인먼트 간소화 장치 및 방법
JP2006178318A (ja) * 2004-12-24 2006-07-06 Nsk Ltd 露光装置
JP2008153631A (ja) * 2006-11-08 2008-07-03 Integrated Dynamics Engineering Gmbh 組み合わせ動作制御システム

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2380602B (en) * 2001-05-19 2005-03-02 Wentworth Lab Ltd Wafer alignment device
US20030168174A1 (en) 2002-03-08 2003-09-11 Foree Michael Todd Gas cushion susceptor system
US6826451B2 (en) * 2002-07-29 2004-11-30 Asml Holding N.V. Lithography tool having a vacuum reticle library coupled to a vacuum chamber
SG102718A1 (en) * 2002-07-29 2004-03-26 Asml Holding Nv Lithography tool having a vacuum reticle library coupled to a vacuum chamber
JP3875158B2 (ja) * 2002-08-09 2007-01-31 株式会社東芝 露光装置判定システム、露光装置判定方法、露光装置判定プログラム及び半導体装置の製造方法
SG115631A1 (en) 2003-03-11 2005-10-28 Asml Netherlands Bv Lithographic projection assembly, load lock and method for transferring objects
SG115629A1 (en) 2003-03-11 2005-10-28 Asml Netherlands Bv Method and apparatus for maintaining a machine part
SG125948A1 (en) * 2003-03-31 2006-10-30 Asml Netherlands Bv Supporting structure for use in a lithographic apparatus
JP4236252B2 (ja) * 2003-05-06 2009-03-11 キヤノン株式会社 ステージ装置及び露光装置
JP2005003799A (ja) * 2003-06-10 2005-01-06 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性板状部材吸着機構及び画像記録装置
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
US7245357B2 (en) * 2003-12-15 2007-07-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP5167572B2 (ja) * 2004-02-04 2013-03-21 株式会社ニコン 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
KR101942136B1 (ko) * 2004-02-04 2019-01-24 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
JP4256893B2 (ja) * 2004-03-30 2009-04-22 パイオニア株式会社 露光装置
US8749762B2 (en) * 2004-05-11 2014-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7349067B2 (en) * 2004-06-21 2008-03-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7456935B2 (en) * 2005-04-05 2008-11-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a positioning device for positioning an object table
KR100696380B1 (ko) * 2005-07-06 2007-03-19 삼성전자주식회사 엣지 노광 웨이퍼 방법
KR100689843B1 (ko) * 2006-01-03 2007-03-08 삼성전자주식회사 웨이퍼 스테이지 및 이를 이용한 웨이퍼 안착방법
US20080117402A1 (en) * 2006-11-20 2008-05-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US11136667B2 (en) 2007-01-08 2021-10-05 Eastman Kodak Company Deposition system and method using a delivery head separated from a substrate by gas pressure
US20080316461A1 (en) * 2007-06-21 2008-12-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8446566B2 (en) * 2007-09-04 2013-05-21 Asml Netherlands B.V. Method of loading a substrate on a substrate table and lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101681124B (zh) * 2007-06-21 2012-01-11 Asml荷兰有限公司 夹持装置和物体加载方法
US9013682B2 (en) * 2007-06-21 2015-04-21 Asml Netherlands B.V. Clamping device and object loading method
US20090086187A1 (en) * 2007-08-09 2009-04-02 Asml Netherlands Lithographic Apparatus and Device Manufacturing Method
JP2010129929A (ja) * 2008-11-28 2010-06-10 Canon Inc 基板保持装置、基板保持方法、露光装置およびデバイス製造方法
JP5743437B2 (ja) * 2009-07-09 2015-07-01 キヤノン株式会社 露光装置、露光方法、搬送方法及びデバイスの製造方法
KR101509809B1 (ko) * 2009-12-01 2015-04-08 현대자동차주식회사 차량의 커튼에어백용 램프브라켓
NL2006565A (en) 2010-06-30 2012-01-02 Asml Holding Nv Reticle clamping system.
US9120344B2 (en) * 2011-08-09 2015-09-01 Kateeva, Inc. Apparatus and method for control of print gap
JP6240165B2 (ja) * 2012-05-17 2017-11-29 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 熱調整ユニット、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法
CN103972135B (zh) * 2013-01-25 2017-02-22 上海微电子装备有限公司 一种硅片精确定位传输装置及定位方法
CN111113437A (zh) * 2018-10-31 2020-05-08 上海微电子装备(集团)股份有限公司 一种机械手定位装置
CN112296997B (zh) * 2019-07-31 2022-01-14 上海微电子装备(集团)股份有限公司 一种机械手交接工位标定方法、装置、设备及存储介质
WO2021070265A1 (ja) * 2019-10-08 2021-04-15 株式会社日立ハイテク 試料ステージ及び光学式検査装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3603646A (en) * 1970-01-26 1971-09-07 Ibm Semiconductor wafer air slide with controlled wafer motion
US3865254A (en) 1973-05-21 1975-02-11 Kasker Instr Inc Prealignment system for an optical alignment and exposure instrument
JPS59155129A (ja) * 1983-02-23 1984-09-04 Nec Home Electronics Ltd 半導体ウエ−ハ露光方法
JPS60158626A (ja) * 1984-01-30 1985-08-20 Canon Inc 半導体露光装置
US4655584A (en) 1984-05-11 1987-04-07 Nippon Kogaku K. K. Substrate positioning apparatus
NL8401710A (nl) * 1984-05-29 1985-12-16 Philips Nv Inrichting voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat.
JP2919158B2 (ja) * 1992-02-10 1999-07-12 キヤノン株式会社 基板保持装置
EP1341044A3 (en) * 1995-05-30 2003-10-29 ASML Netherlands B.V. Positioning device with a reference frame for a measuring system
JPH09218519A (ja) * 1996-02-09 1997-08-19 Nikon Corp 露光装置の環境制御方法及び装置
WO1997033205A1 (en) 1996-03-06 1997-09-12 Philips Electronics N.V. Differential interferometer system and lithographic step-and-scan apparatus provided with such a system
JPH09320934A (ja) * 1996-05-28 1997-12-12 Nikon Corp ステージ装置
JPH09280251A (ja) * 1996-04-10 1997-10-28 Nikon Corp ステージ装置
JP3695000B2 (ja) * 1996-08-08 2005-09-14 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置
JP3779393B2 (ja) * 1996-09-06 2006-05-24 東京エレクトロン株式会社 処理システム
JP2000505958A (ja) 1996-12-24 2000-05-16 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 2個の物品ホルダを有する二次元バランス位置決め装置及びこの位置決め装置を有するリソグラフ装置
WO1998040791A1 (en) 1997-03-10 1998-09-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Positioning device having two object holders
JP3260096B2 (ja) 1997-03-19 2002-02-25 富士男 板垣 建築物の沈下修正用アンカーボルト装置
US6232615B1 (en) * 1998-03-31 2001-05-15 Asm Lithography B.V. Lithographic projection apparatus with improved substrate holder
US6161311A (en) * 1998-07-10 2000-12-19 Asm America, Inc. System and method for reducing particles in epitaxial reactors

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100596280B1 (ko) 2004-12-22 2006-06-30 동부일렉트로닉스 주식회사 오버레이 측정의 프리얼라인먼트 간소화 장치 및 방법
JP2006178318A (ja) * 2004-12-24 2006-07-06 Nsk Ltd 露光装置
JP2008153631A (ja) * 2006-11-08 2008-07-03 Integrated Dynamics Engineering Gmbh 組み合わせ動作制御システム

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