TW500980B - Lithographic projection apparatus, integrated circuit device manufacturing method, integrated circuit device, and substrate preparing device - Google Patents

Description

五、發明説明（1 ) 本發明係關於-種準備站，特別是供微影投影裝置者。本 發明係尤指一種微影投影裝置包含： 一輻射系統，用於供給一輻射之投影束·， 一光罩台，設有一光罩座，用以固持一光罩； 一基材台，設有一基材座，用以固持一基材·， 一投影系統，供使光罩之一輻照部份成像至基材之一靶部 份； 一準備站包含一中間台，一基材在傳送至基材台前可定位 在其上； 一種此型之裝置，例如可使用於製造積體電路（IQ•。在 此種情形，光罩（光柵）可包含一電路圖案，對應於一個別層 足1C，並且此圖案可在一已塗布一層光敏材料（抗蝕劑）之 基材（矽晶圓），予以成像至靶區區（晶粒）。通常，一單一晶 圓將包含一整個網絡之相鄰晶粒，其經由光栅予以連續輻 照’ 一次一晶粒。在一種類型之微影投影裝置，每一晶粒 藉在一次使整個光柵國案曝光至晶粒予以輻照；此種裝置 在下文將通稱為晶圓步進器。在一種替代性裝置（其在下文 通稱為步進及掃描裝置），每一晶粒係在投影束下，在一既 疋參考方向（"掃描"方向）漸進掃描光栅圖案，同時平行或 不平行於此方向同步掃描晶圓台予以輻照；由於投影系統 通常將有一放大因數M(通常掃描晶圓台之速率V將為 一因數Μ倍掃描光栅台者。例如自國際專利申請案 W t可發現關於如此處所說明微影裝置之更多 資訊。 本紙張尺度適用中國國家標準(CMS) A4規格(2l〇x 297公釐） 500980 A7 B7 五、發明説明（2 直到最近，此型之裝置包含一單一光罩台及一單一基材台 。然而’現在變為可利用之機器，其中有至少二可獨立活 動基材台；例如請見在國際專利申請案W〇98/28665號及 WO98/40791號中所說明之多級裝置。在此多級裝置後之基 本操作原理’為在一第一基材台為在投影系統下面，俾允 终一位於該台之第一基材曝光之曝光時，一第二基材台可 移動至一裝載位置，排出一已曝光之基材，拾取一新基材 ，在新基材進行若干初始測量，然後一完成第一基材之曝 光時，便準備將此新基材傳送至在投影系統下面之曝光位 置；循環然後自行重複；以此方式，可實際增加機器通過 量，其復改進擁有機器之成本。 微影裝置可例如採用各種類型之投影輻射，諸如紫外線光 (UV) ’全紫外線，χ_射線，離子束或電子束。依所使用輻 射之類型及裝置之特定設計需求而定，投影系統可例如為 折射’反射或折反射，並可包含玻璃質組件，掠射-入射鏡 ’選擇性多層塗層，磁及/或靜電場透鏡等；為簡明起見， 此等組件在本文單獨或集體概略稱作”透鏡，，。裝置可包含 在真空操作，並與應真空相容之組件。如在前段所述，裝 置可具有超過一基材台及/或光罩台。 在一種使用微影投影裝置之製造方法，將一在光罩之圖案 成像至一基材’其至少部份被一層能敏材料（抗蝕劑）所覆蓋 。供此過程，必要提供基材至基材台，並在過程中將基材 在^老—一面定位i。可利用一包含裝置，供施— 加真空至一基材台主表面之基材座，將基材固持在此固定 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4规格(210X 297公釐) 500980 A7 B7 五、發明説明 位置。真芝將會將基材牛固吸至基材台。在基材提供至基 材台前，其將會常在一過程導軌予以處理（例如旋塗之抗蝕 劑），並因此基材之溫度可能不同於基材台之溫度。此溫度 差可能產生問題，因為在基材提供至基材台後，基材之溫 度可to麦化。基材台可能使基材冷卻，因而基材將可能收 縮。然而，藉基材座牢固固持基材，不允許基材收縮。基 材僅可在基材内之張力南於基材與基材台表面間之摩擦時 收縮。如果此情形發生，基材之一部份將會在基材台之表 面滑移而釋出基材内之張力。此滑移運動可能在二在基材 之連績層曝光之並存影像之超定位產生誤差，導致所謂之 塗覆層誤差。通常，使一在基材之標記對準至一參考標記（ 例如在一在光罩上或在基材台上之基準），藉以很準確達成 二並存影像之超定位如果在使基材對準至該參考標記後基 材滑移，二並存影像在基材之滑移部份之超定位可能失效 。相似考慮適用於基材較冷於基材台，並藉基材台予以加 溫之情形。在該情形之基材，將可能膨脹，並且也可能在 基材台之表面滑移。 本發明之一項目的，為至少部份減輕以上種種問題。因之 本發明提供一種根據開頭段之裝置，其中，中間台包含一 設有許多孔徑之主表面，及供在該主表面與一位於其上之 基材間產生氣體軸承之氣體釉承裝置β 氣體軸承實際去除基材與中間台主表面間之摩擦^在基材 之·—庚_變^|^+—基材可容易在氣體軸承上膨脹及收縮。在 中間台之表面與基材在之間使用氣體軸承之另一優點，為 冬 本紙張尺度適用_國國豕標準(Cns) Α4規袼(210Χ 297公發） 500980 A7 B7 五、發明説明（4 ) 避免基材之背面被存在於中間台主表面之外來微粒所污染 。氣體軸承甚至可將已收集在背面之微粒自背面吹除。 在氣體軸承所使用之氣體可為空氣，並且氣體源可設有裝 置，供過濾氣體（例如來自外面之空氣），以便其實際無外來 微粒。要不然，可使用其他氣體，例如氮或氦。如精於此 項技藝者將會察知，有孔徑供氣體入流至氣體軸承，並且 也有孔徑供氣體自氣體軸承抽空，藉以可控制氣體軸承。 例如，供氣體入流之特定壓力可在約1 . 1與1 .5巴之間，而 供氣體抽空之減低氣體壓力可在約0.5與0.9巴之間。氣體 軸承可具有厚度例如少於約150微米。 準備站可包含氣體離子化裝置，以使用以造成氣體軸承之 氣體離子化。使用氣體離子化裝置，藉以可使基材自任何 初始帶電狀態逐漸放電（由於基材之帶靜電微粒將會吸引具 有相反電荷之離子，因而帶電部份將會被離子所中和）。此 逐漸放電為有利，因為例如如果其來至導體附近，其防止 基材之突然放電。例如以火花放電，可能對基材或對已造 成在其上之敏感結構導致損壞。如精於此項技藝者將會察 知，氣體離子化裝置可例如採用放射性離子化或電暈放電 ，使氣體離子化；電暈放電為一種施加高壓至一尖銳點， 以使在該點附近之氣體離子化之方法。 中間台可包含第一控制裝置，供控制該台之溫度^控制中 間台之溫度，藉以可影響基材之溫度。完成此種影響之第 一可能Γ*構1可能為自基材至中間台之溫熱輻射。第二t 構可能為中間台之溫度影響在氣體軸承所使用之氣體，以 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 500980 A7 ___ —_ B7 五、發明説明（5 ) 及氣體之溫度影響基材之溫度。特別是在基材與中間台表 面間之氣體軸承所導致之間隙為很薄時，該台之溫度可能 對基材之溫度具有強烈而快速之影響。 準備站可包含第二控制裝置，供調節在氣體軸承所使用氣 體之溫度。直接調節該氣體之溫度，也可影響基材之溫度 °特別是在基材與中間台表面間之間隙大時，可能宜於直 接調節氣體之溫度，代替僅調節中間台之溫度。 如以上所說明本發明之一項優點，為該第一及第二控制裝 置可保持中間台及氣體在溫度實際等於基材台之溫度（例如 如使用溫度感測裝置在基材台所測量）^在該情形，氣體及 中間台之溫度將會改變基材之溫度至溫度實際等於基材台 之溫度。在提供基材至基材台後，基材之溫度將會不再實 際變化，並因此在基材台將不會發生基材之實際膨脹或收 縮。因之，在取此等測量時，可使將會發生基材在基材台 滑移之機會最少。 在根據本發明之另一實施例，該準備站另包含： 檢測裝置，供檢測基材在中間台之第一位置； 計算裝置，供計算在第一位置與基材在中間台之希望位置 間所需要之移位；以及 移動裝置，供使基材自第一位置移動至希望位置。 檢測裝置可包含邊緣檢測裝置，供檢測基材之邊緣在中間 台之位置。檢測裝置可包含電容感測器或光學感測器，例 如攝影-秦秦統或CCD陣列。利用檢測裝置所獲得關於基材在 中間台之第一位置之資訊，連同關於物鏡在該台之希望位 -8 ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) _ 500980

置（資訊，可在計算裝置予以處理，俾計算所需要之移位 。基材在中間台之希望位置，可預先確定並儲存在記憶體 裝置，在必要時可自其取回。移動裝置可包含例如一機械 手臂。 可同時使基材至希望位置及至一定溫度。這改進裝置之時 間效率（通過量增強）<^另一優點為檢測裝置可檢測基材在中 間台之第一位置之準確度較佳，因為基材完全平放在氣體 軸承。此係因為氣體軸承在基材施加一力，其均等分關在 基材之整個背面，因而基材不被基材座壓緊（並因此彎曲或 麵曲）。 本發明也係關於一種裝置製造方法，包含下列步驟： (a) 對一光罩台提供一含一國案之光罩； (b) 對一基材台提供一至少部份被一層輻射敏感材料所覆 蓋之基材；以及 (e)使用一輻射之投影束，將光罩之一輻照部份投影至輻 射敏感材料層之一靶區域；其中，在步驟〇)前，實 施下列步騾： 提供基材至一包含一設有許多孔徑之主表面之中間台，並 在一既定時間間隔，使基材保持在一在主表面與基材間所 產生之氣體軸承。以此方式使基材留在氣體軸承，允許基 材在其溫度變化時收縮或膨脹，而在基材與中間台之間不 產生張力。 在一^^舟一根據本發明之微影投影裝置之製造方法，將 一在光罩之圖案成像至一基材，其至少部份被一層能敏材 -9-

500980 A7 _ B7 五、發明説明（7 ) 料（抗蝕劑）所覆蓋。在此成像步驟前，基材可經歷各種程序 ，諸如打底，抗li劑塗布及一種軟烘焙。在曝光後，可使 基材經歷其他程序，諸如曝光後烘培（post- exposure bake， 簡稱PEB)，顯像，一種硬烘焙，及所成像特徵之測量/檢查 。使用此陣列之程序，作為將一個別層之裝置例如IC作成 圖案之基礎。此種有圖案層然後可經歷各種過程，諸如蝕 刻，離子植入（摻雜），金屬化，氧化，化學-機械式樾光等 ，均意在將一個別層拋光。如果需要若干層，則整個程序 ，或其一種變型，將必須就每一新層予以重複。最終，在 基片（晶圓）將會存在一陣列之裝置。然後藉一種技術，諸如 切片或鋸開，使此等裝置彼此分開，由此可將個別裝置安 裝在一載體上，連接至插腳等《例如，自Peter van Zant所 著"Microchip Fabrication ϊ A Practical Guide to Semiconductor Processing” 一書，MeGraw Hill Publishing Co· ，1997年第三版，ISBN 0-07-067250-4，可獲得關於此等方 法之另外資訊。 如在上文所解釋之本發明也可適用於供準備光罩之準備站 α 雖然在本文中可特別參考在製造1C時，使用根據本發明 之裝置，但請予明白暸解，此種裝置有很多其他可能應用 。例如，其可採用於製造供磁域記憶體，液晶顯示板.，薄 膜磁頭等之整合光學系統，導引及檢測圖案。精於此項技 藝者餘音察知，在此等替代性應用之範圍，在本文中"光柵-”，”晶圓”或"晶粒”諸詞之任何使用，應該視為分別被更一 -10- 本紙張尺度適用中國國家榡準(CMS) Α4规格(210X 297公釐） 500980 A7 B7 五、發明説明（8 ) 般用語”光罩"，”基材”及”靶區域”所替代。 本發明及其諸多優點，將藉助於例證性實施例及所附略圖 ，予以進一步闡釋，在附圖中： 圖1略示一適合配合本發明使用之微影投影裝置； 圖2a示一根據本發明之準備站，其一部份之剖面圖（在正 視）； 圖2b示一可在一根據本發明之準備站應用之氣體源之剖 面圖； 圖2c為圖2a之主題之平面圖； 國3示一根據本發明之準備站之第三實施例； 圖4示一根據本發明之準備站之第四實施例。 元件符號說明 1 基材，晶圓 19 真空固持裝置 la 基材1之正面 21 氣體源 lb 基材1之背面 23 管 3 基材1之邊緣 25 檢測裝置 5 中間台 27 邊緣檢測裝置 7 氣體室 29 標記檢測裝置 9 孔徑 31 泵 11 主表面 33 氣體離子化裝置 15 旋轉單元 35 第二控制裝置 17 致動器 37 氣體過濾裝置 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 500980 A7 B7 五、發明説明（9 ) 39 空氣進口 IF 千涉位移及測量裝置 41 移動裝置 IN 輻射系統，積分器 43 第二真空固持裝置 LA 輻射系統，源 45 移位裝置 ΜΑ 光罩 47 抽空泵 ΜΤ 光罩台 49 抽空孔徑 ΡΒ 投影束 51 抽空管 PL 投影系統 C 靶區域 W 基材 CO 輻射系統，聚光器 WT 基材台 Ex 輻射系統，束成形光學裝置 實施例1 圖1略示一根據本發明之微影投影裝置，該裝置包含： • 一輻射系統LA，Ex，IN，CO，用於供給一輻射諸如紫 外光（例如在波長365毫微米，248亳微米，193亳微米或157 亳微米），EUV，X-射線，電子或離子之投影束PB ; • 一光罩台MT，設有一光罩座，供固持一光罩MA(例如 光柵）； • 一基材台WT，設有一基材座，供固持一基材W(例如抗 蝕劑塗布矽晶圓）； • 一投影系統PL(例如一透鏡，一折射或折反射系統，一 鏡群，或一陣列之場偏轉器），供使光罩MA之一輻照部份 成像貧畫之一靶部份C (晶晶粒）。 如此處所示，該裝置包含折射組件。然而，其可代之為包 «12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4规格(21〇x 297公釐） A? —-- -- B7 五、發明説明（1〇 ) 含一個或多個反射組件。 輻射系統包含一源L A (例如一位於繞電子束之路徑，在一 儲存環或同步加速器之Hg燈，激元雷射，熱離子槍或離子 源，或一擺動器/波動器），其產生一輻射束。此束沿各光學 組件，例如束成形光學裝置Εχ，積分器ΪΝ及聚光器C〇經 過，因而所產生之束ΡΒ在其剖面具有所希望之形狀及強度 分布<5 束ΡΒ隨後與一在光罩台ΜΤ@持在一光罩座之光罩1^八相 趸。已通過光罩ΜΑ ,束Ρβ通過投影系統p]L ,其將束ρΒ· 焦至基材w之靶區域c。藉助於干涉移位及測量裝置IF，例 如可使基材台WT準確移動，俾使不同靶區域c定位在束1>]8 之路徑。同樣’可例如使光罩MA相對於束pB之路徑準確 疋位。通常，藉助於在圖1中所未明示之長行程模組（粗定 位）及短行程模組（細定位），將會實現基材台Μτ之移動。 在晶圓步進器之情形（不同於步進及掃描裝置），僅可能藉短 行程模組使光罩台移動，或僅只使其固定。 所示之裝置可使用在二不同模式： •在步進模式，使光罩台MT保持基本上靜止，並在一次（ 亦即一單次”閃光”）將整個光罩影像投影至靶區域c。然 後使基材台WT在X及/或Υ方向偏移，以便束ρβ可輻照 一不同之乾區域c; •在掃描模式，除了 一既定靶區域c不在一單次”閃光”予以 曝充芽上適用相同曹況。光罩台Μ Τ代之為可在一 既定方向（所謂之"掃描方向"，例如X方向），以速率ν移 -13- ^紙^尺度適用中國國家標準(CNS) Α4规格(210 X 297公釐) " --

動，因而導致投影束PB掃描一光罩影像；同時，使基材 台WT同時在相同或相反方向以速率v = Mv移動其中 Μ為投影系統PL之放大倍率（一般而言’ ^^丨“或丨^) 。以此方式，可使一比較大靶區域c曝光，而不必在解析 度有所折衷。 實施例2 圖2a示一根據本發明之準備站之較佳實施例之剖面圖。 自該圖可看下列諸項； •一基材（晶圓）1有一邊緣3, 一正面“及一背面lb; •一中間台5包含一氣體室7,經由孔徑9連接至一主表面 11; •一旋轉單元15包含一致動器17及真空固持裝置19,供在 中間台5上面固持基材1，及使其旋轉； •氣體軸承裝置包含一氣體源21，供經由孔徑9供給一種氣 體至主表面11，氣體室7及一管23 ; •檢測裝置25包含邊緣檢測裝置27，供檢測基材i之邊緣3 ’及標記檢測裝置2 9，供檢測一在基材1之正面1 a之標 記。 基材運送裝置，例如一機械手臂，將使基材1至中間台5 。通常，基材運送裝置使基材固持在背面lb或邊緣3，因為 在正面la可能存在已在基材1造成之敏感結構。基材運送裝 置將會使基材1固持在主表面η上面，並且致動器17將會 使真空HTH置1 9向該表面11移動，直到背面丨13在一與其 垂直之方向。將真空施加至真空固持裝置19，致使基材1之 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(21〇)< 297公釐) 500980 A7 B7

五、發明説明（ 背面lb被吸至真空固持裝置19。基材運送裝置然後自美材 1之身面lb釋放’並自主表面11移開。致動器使固持裝 置19在一實際垂直於表面U之方向，向主表面η退回，並 且氣體源21經由管23，氣體室7及孔徑9 ,供給氣體至該表 面11 °氣體在基材1與主表面11之間造成一氣體軸承。 如圖2b中所示，氣體源21可包含一泵3丨，氣體離子化裝 置33 ’供氣體溫度控制之第二控制裝置35，氣體過滤裝置 37,及一空氣進口 39。如果利用空氣造成氣體輛承，空氣 將會通過空氣進口 39進入氣體源21，並將會被氣體過滤裝 置3 7過濾，因而使空氣實際無外來微粒。其後第二控制裝 置35將會使空氣至所需要之溫度，離子化裝置33使其離子 化’泵31使其至所需要之壓力，並通過管23輸送至中間台 5。如果使用空氣以外其他氣體，可無過濾裝置37及進口 39。可使用諸如氮及氦等氣體，供此目的。氣體離子化裝 置33使用以造成氣體軸承之氣體離子化。氣體中之離子將 會被在基材1之背面lb所收集之任何靜電荷吸引，並將會中 和此電荷。 中間台5 (圖2 a)可包含第一控制裝置，供控制該台之溫度 。控制中間台5之溫度，藉以可影響基材1之溫度。一供完 成此影響之第一可能機構，可為在基材1與表面11間之溫熱 輕射m第機構可為中間台5之溫度影響在氣體軸承所使 用氣體之溫度，及氣體之溫度影響基材1之溫度。特別是 在基材1與表面1 1間之氣體軸承所導致之氣體傳，例如少於 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 微米時瀛口 5之溫度對基材丨之溫度可能具有強烈而快 速之影響。 果第及/或第一控制裝置保持中間台5及氣體在溫度實 際等於基材台WT之溫度，則將為有利。吾人可例如採用一 感測器，供測量基材台”之溫度，並且吾人可調節在第一 $/或第一控制裝置之溫度，致使其實際等於該測得溫度。 k產生項種優點，因為在傳送至基材台冒了前，將會使基 材之舰度1等於基材台WT之溫度，並因此在基材丨置於基材 後，貫際將不發生收縮或膨脹。 在測量基材1在中間台5之取向時，可使用標記檢測裝置 29檢測-在基材之正面u之標記，及/或可使用邊緣檢測裝 置27檢測基材1之邊緣3❶邊緣檢測裝置27測量基材丨在中 間台5之偏心率。此係藉致動器”所完成，其使真空固持裝 置19繞-垂直於中間台之平面之軸線旋轉，因而基材之邊 緣3在邊緣檢測裝置27下面旋轉（請見圖。，其示中間平面 5操基材位於其上之平面圖）。邊緣檢測裝置27可採用電容 感測器或光學感測器（例如攝影機系統或CCD陣列）測量基材 1之邊緣3之位置。以下列方式·· —可在基材1傳送至基材台WT前，使凹口或平形邊緣依 希望自動定向。 —可確定晶圓之偏心率是否超過一在平移至基材台時，將 會導致晶圓落在-在基材台所採用對準模組之截留範歷 外面之界S值。 如果基材1在中間台5之第一位置不在基材台貿7所採用對 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4规格（210X297公釐） 500980 A7 ""_丨丨丨丨丨丨嶋丨丨丨丨丨丨 丨丨丨丨丨丨丨丨丨丨丨 .. ......... __________________ B7 五、發明説明（14 ) ~ 一 一 準=組之截留範圍以内，吾人將可能使基材丨在中間台5重 新疋位，因為否則基材丨可能不準確傳送至在基材台wt供 曝光之所兩要位置。供此重新定位，中間台5設有移動裝置 41，包含第二真望固持裝置43 ,其可被吸抵基材1之背面 lb，及移位裝置45，供使該第二固持裝置43移動。如果基 材1在中間台5不在希望之共面位置，在中間台之基材丨將會 旋轉，因而基材1之中心及固持裝置19之中心將會與移動裝 置41在一直線。隨後，第二固持裝置43將會被吸至基材夏 之背面lb，並在在固持裝置19之真空將會解除，移位裝置 45將會使第二固持裝置43移動至固持裝置19之中心或自其 移開，因而在第二固持裝置43解除真空後，基材！將會具有 所需要之共面位置。在該需要位置，基材1之中心將實際在 與固持裝置1 9之中心相同位置❹如果必要可使用超過一移 動裝置41。 實施例3 圖3以剖面示本發明之第三實施例。氣體源2 1輸送氣體通過 管23，氣體室7及孔徑9至氣體軸承。在氣體軸承之氣體將 會通過抽空孔徑49及抽空管51抽空至一柚空泵47。在此實 施例，存在於基材1之背面1 b之任何外來微粒，可抽空至抽 空泵47。如果抽空泵不存在，外來微粒可能自基材1之背面 吹離至裝置中，在該處外來微粒可能導致污染問題。如精 於此項技藝者將會察知，抽空氣體之另一優點，為如果控 制氣體m及抽空，便較容易控制氣體軸承之厚度：可一 ♦ 使抽空氣體回至氣體源2 1，因而在過濾後，其可在氣體軸 -17-本紙张尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 500980 A7 . B7 五、發明説明（15 ) 承再使用。 實施例4

圖4以剖面示本發明之第四實施例。在此實施例，氣體軸承 為相對厚（亦即大於150微米），氣體將自氣體源21，通過管 23，氣體室7及孔徑9，供給至氣體軸承。如果使用此種氣 體軸承，氣體源2 1將有利於配備有第二控制裝置，供直接 控制該氣體之溫度。 裝 訂

-18- 本紙張尺度適用中國國家樣準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

Claims (1)

1. 500980 C8 08L一_ 公告本

   申請專利範圍 修正

   1· 一種微影投影裝置，包含： 一輻射系統，用於供給一輻射之投影束； 一光罩台，設有一光罩座，用以固持一光罩； 一基材台，設有一基材座，用以固持一基材； 一投影系統，供使光罩之一輻照部份成像至基材之一 |&部份； 一準備站，包含一中間台，一基材在傳送至基材台前 可定位在其上； 其中，中間台包含一設有許多孔徑之主表面，及供在 該主表面與一位於其上之基材間產生氣體軸承之裝置。 2·如申請專利範圍第1項之裝置，其中，準備站包含供使 氣體離子化之氣體離子化裝置。 3 .如申請專利範圍第1或2項之裝置，其中，該中間台包 含供調節該台溫度之第一控制裝置a 4·如申請專利範圍第1項之裝置，其中，該氣體軸承有一 厚度少於150微米。 5·如申請專利範圍第3項之裝置，其中，該準備站包含供 調節氣體溫度之第二控制裝置。 6·如申請專利範圍第5項之裝置，其中，該第一及/或第二 控制裝置使中間台及氣體保持在一溫度實際等於基材之 溫度台。 7*如申請專利範圍第1項之裝置，其中，該裝置另包含： 一檢’供檢測基材在該中間台之第—位置； 計算裝置，供計算在第一位置與基材在中間台之希望 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 申請專利範圍 位置間之需要移位；以及 移動裝置，供使基材自第一位置移動至該希望位置。 8 ·如申請專利範圍第7項之裝置，其中，該檢測裝置予以 構造及設置為檢測基材之邊緣。 9 ·如申請專利範圍第7或8項之裝置，其中，該檢測裝置 予以構造及設置為檢測一在基材之標記。 10· —種積體電路裝置製造方法，包含下列步驟： (a) 對一光罩台提供一含一圖案之光罩； (b) 對一基材台提供一至少部份被一層輻射敏感材料所 覆蓋之基材；以及 (c) 使用一輻射之投影束將光罩之一輻照部份投影至輻 射敏感材料層之一乾區域；其中，在步騾（b)前，實 施下列步驟： 提供基材至一包含一設有許多孔徑之主表面之中間台 ，並在一既定時間間隔，使基材保持在該主表面與基材 間所產生之氣體軸承。 1 1 · 一種如申清專利範圍第1 〇項之積體電路裝置製造方法 所製造之積體電路裝置β 12· —種基材準備裝置，包含一中間台，一基材在傳送至一 在微影投影裝置之基材台前，可定位在其上； 其中，中間台包含一設有許多孔徑之主表面，及供在 該主表面與位於其上之基材間產生氣體軸承之氣體轴承 —--------——… -20- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公董)