DE60013687T2 - Substrathandhabungsvorrichtung zur Verwendung in lithographischen Projektionsapparaten - Google Patents

Substrathandhabungsvorrichtung zur Verwendung in lithographischen Projektionsapparaten Download PDF

Info

Publication number
DE60013687T2
DE60013687T2 DE60013687T DE60013687T DE60013687T2 DE 60013687 T2 DE60013687 T2 DE 60013687T2 DE 60013687 T DE60013687 T DE 60013687T DE 60013687 T DE60013687 T DE 60013687T DE 60013687 T2 DE60013687 T2 DE 60013687T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
substrate
aligner
mask
wafer
holder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE60013687T
Other languages
English (en)
Other versions
DE60013687D1 (de
Inventor
Hubert Marie Segers
Rudolf Maria Boon
Anton Adriaan Bijnagte
Fransiscus Mathijs Jacobs
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Netherlands BV filed Critical ASML Netherlands BV
Publication of DE60013687D1 publication Critical patent/DE60013687D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE60013687T2 publication Critical patent/DE60013687T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70258Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70208Multiple illumination paths, e.g. radiation distribution devices, microlens illumination systems, multiplexers or demultiplexers for single or multiple projection systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70275Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70466Multiple exposures, e.g. combination of fine and coarse exposures, double patterning or multiple exposures for printing a single feature
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716Stages
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G03F7/7075Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Handhabungsvorrichtung für ein Substrat, z. B. einen Wafer. Insbesondere betrifft die Erfindung eine Substrathandhabungsvorrichtung zur Verwendung in einem lithographischen Projektionsapparat, mit:
    einem Beleuchtungssystem zur Lieferung eines Projektions-Beleuchtungsstrahls;
    einem Maskentisch mit einem Maskenhalter zum Halten einer Maske;
    einem Substrattisch mit einem Substrathalter zum Halten eines Substrates;
    einem Projektionssystem zur Abbildung eines beleuchteten Abschnittes der Maske auf einem Zielabschnitt des Substrates;
    einem Vor-Ausrichter zur Durchführung einer anfänglichen Ausrichtung eines Substrates; und
    einem Substrathandhaber zum Übertragen eines Substrates von dem Vor-Ausrichter auf den Substrattisch.
  • Aus Gründen der Einfachheit sei das Projektionssystem nachfolgend als "Linse" bezeichnet; dieser Ausdruck soll jedoch breit als verschiedene Arten von Projektionssystemen umfassend interpretiert werden, einschließlich beispielsweise Brechungsoptiken, Reflektionsoptiken, katadioptrische Systemen und Ladungspartikeloptiken. Das Beleuchtungssystem kann auch Elemente beinhalten, welche nach einem der Prinzipien zum Richten, Formen oder Steuern des Projektionsstrahles arbeiten und solche Elemente können nachfolgend zusammenfassend oder einzeln für sich als Linse" bezeichnet werden.
  • Ein lithographischer Projektionsapparat kann beispielsweise bei der Herstellung von integrierten Schaltkreisen (ICs) verwendet werden. In so einem Fall kann die Maske (Strichplatte) ein Schaltkreismuster entsprechend einer einzelnen Schicht des IC beinhalten und dieses Muster kann auf einen Belichtungsbereich (Form) auf einem Substrat (Siliziumwafer) abgebildet werden, der mit einer Schicht eines fotoempfindlichen Materials (Resist) beschichtet worden ist. Allgemein kann ein einzelner Wafer ein ganzes Netzwerk an benachbarten Formen enthalten, welche aufeinander folgend, je einer pro Zeitpunkt, über die Strichplatte beleuchtet werden. Bei einem Typ von lithographischem Projektionsapparat wird jede Form durch Belichten des gesam ten Strichplattenmusters auf die Form in einem Durchgang beleuchtet; so ein Apparat wird allgemein als Waferstepper bezeichnet. Bei einem anderen Apparat – der allgemein als Step- und Scan-Apparat bezeichnet wird – wird jede Form durch fortschreitendes Abtasten des Strichplattenmusters unter dem Projektionsstrahl in einer gegebenen Referenzrichtung (der "Abtast"-Richtung) beleuchtet, während synchron der Substrattisch (Wafertisch) parallel oder antiparallel zu dieser Richtung bewegt wird; da allgemein das Projektionssystem einen Vergrößerungsfaktor M (üblicherweise < 1) hat, beträgt die Geschwindigkeit V, mit der der Wafertisch bewegt wird, einen Faktor M mal derjenigen, mit der der Maskentisch (Strichplattentisch) bewegt wird. Mehr Informationen bezüglich lithographischen Vorrichtungen gemäß der hier folgenden Beschreibung lassen sich beispielsweise der internationalen Patentanmeldung WO97/33205 entnehmen.
  • Bis vor sehr kurzer Zeit enthielt ein lithographischer Apparat einen einzelnen Maskentisch und einen einzelnen Substrattisch. Es werden jedoch nun Maschinen verfügbar, in denen es wenigstens zwei unabhängig voneinander bewegbare Substrattische gibt; vergleiche beispielsweise den Mehrstufenapparat, wie er in den internationalen Patentanmeldungen WO98/28665 und WO98/40791 beschrieben ist. Das grundlegende Betriebsprinzip hinter solchen Mehrfachstufenapparaten ist, dass, während ein erster Substrattisch in einer Belichtungsposition unterhalb des Projektionssystems zur Belichtung eines ersten Substrates auf diesem Tisch ist, ein zweiter Substrattisch in eine Beladeposition laufen kann, ein vorher belichtetes Substrat entladen kann, ein neues Substrat aufnehmen kann, gewisse Anfangsmessungen an dem neuen Substrat durchführen kann und dann bereit zur Übertragung des neuen Substrates in die Belichtungsposition unter dem Projektionssystem stehen kann, sobald die Belichtung des ersten Substrates abgeschlossen ist; der Zyklus wiederholt sich dann. Auf diese Weise ist es möglich, den Durchsatz der Maschine erheblich zu erhöhen, was wiederum für die Betriebskosten der Maschine günstig ist. Es sei festzuhalten, dass das gleiche Prinzip mit nur einem Substrattisch verwendbar ist, der zwischen Belichtungs- und Messpositionen bewegt wird.
  • Bei einem bekannten Lithographieapparat können Substrate zur Belichtung – beispielsweise Wafer – zunächst von einem Waferträger oder einer Prozessspur in ein Vor-Ausrichtungsmodul geladen werden, um die Substrate für die Belichtung vorzubereiten. Einer der wichtigsten Aspekte einer solchen Vorbereitung ist ein Vor-Ausrichtungsschritt. In diesem Schritt wird der Wafer auf einem Vor-Ausrichtungsdrehteller angeordnet und seine Kante wird durch Drehung entlang eines Kantensensors überprüft, der beispielsweise einen optischen oder kapazitiven Sensor aufweisen kann. Dies ermöglicht das automatische Anordnen der Kerbe oder flachen Kante des Wafers und erlaubt auch, dass die Exzentrizität des Wafers auf dem Drehtisch gemessen wird. Auf diese Weise:
    • – kann die Kerbe oder flache Kante automatisch ausgerichtet werden, wie gewünscht, bevor der Wafer auf den Substrattisch übertragen wird;
    • – kann bestimmt werden, ob die Exzentrizität des Wafers einen Schwellenwert übersteigt, der bei einer Übertragung auf den Substrattisch bewirken würde, dass der Wafer aus dem Greifbereich eines Ausrichtungsmodules fallen würde, welches am Substrattisch verwendet wird. Wenn dies der Fall ist, kann der Wafer auf dem Drehtisch zunächst um einen vorberechneten Betrag verschoben werden, um ihn innerhalb des Schwellenwertes zu bringen.
  • Sobald diese Schritte durchgeführt worden sind, kann ein Substrathandhaber den Wafer von dem Drehtisch entfernen und ihn auf dem Wafertisch mit einer Präzision anordnen, welche das Greifen des Wafers durch das Ausrichtungsmodul erlaubt.
  • Die vorliegenden Erfinder haben jedoch festgehalten, dass die verschiedenen Aktivitäten des Vor-Ausrichters eine Quelle unerwünschter Vibrationen sind, welche Überlagerungsfehler auslösen können, wenn Vor-Ausrichtungsschritte durchgeführt werden, während ein anderer Wafer belichtet wird. Es ist unerwünscht, eine Vor-Ausrichtung nicht gleichzeitig mit Belichtungen durchführen zu können, da dies den Durchsatz verringert. Wenn weiterhin der Vor-Ausrichter mechanisch von dem Wafertisch isoliert wird, um eine Vibrationsübertragung zu verhindern, sind die Relativlagen nicht mehr mit einer ausreichenden Genauigkeit sicher, um es dem Substrathandhaber zu erlauben, den Wafer mit der notwendigen Präzision auf den Wafertisch zu übertragen.
  • Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen Substrathandhaber bereit zu stellen, der in der Lage ist, Substrate von einem Vor-Ausrichter auf einen Substrattisch in einem lithographischen Projektionsapparat zu übertragen, wobei die Übertragung von Vibrationen auf den Substrattisch vermieden sind, wenn Vor-Ausrichtungsschritte an dem Substrat gleichzeitig mit der Belichtung eines anderen Substrates durchgeführt werden.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein lithographischer Projektionsapparat geschaffen, mit:
    einem Beleuchtungssystem zur Lieferung eines Projektions-Beleuchtungsstrahls;
    einem Maskentisch mit einem Maskenhalter zum Halten einer Maske;
    einem Substrattisch mit einem Substrathalter zum Halten eines Substrates;
    einem Projektionssystem zur Abbildung eines beleuchteten Abschnittes der Maske auf einen Zielabschnitt des Substrats;
    einem Vor-Ausrichter zur Durchführung einer anfänglichen Ausrichtung eines Substrates; und
    einem Substrathandhaber zum Übertragen eines Substrates von dem Vor-Ausrichter auf einen Substrattisch;
    dadurch gekennzeichnet, dass:
    der Vor-Ausrichter mechanisch von dem Substrattisch getrennt ist; und dadurch, dass
    eine Verbindungsvorrichtung wahlweise den Substrathandhaber mit dem Substrattisch in einer bekannten Relativposition verbindet.
  • Da der Vor-Ausrichter der vorliegenden Erfindung mechanisch von dem Substrattisch getrennt ist, der das Substrat während des Belichtungsvorganges trägt, werden Vibrationen, die von den Vor-Ausrichtungsschritten verursacht werden, wäh rend der Belichtung nicht auf das Substrat übertragen. Um eine Positionsgenauigkeit bei der Übertragung von Substraten zu haben, verbindet der Substrathandhaber den Substrattisch, um seine Position relativ hierzu zu definieren und überträgt nur dann das Substrat in den Substrathalter. Der Substrathandhaber kann eine festgelegte Position relativ zu dem Vor-Ausrichter haben oder kann mechanisch von diesem getrennt sein und mit ihm verbunden werden, um das Substrat aufzunehmen. Eine Verbindung mit dem Vor-Ausrichter stellt sicher, dass, selbst wenn der Substrathandhaber von dem Vor-Ausrichter getrennt ist, er in einer bekannten, z. B. vorbestimmten Position relativ zu dem Vor-Ausrichter ist, wenn das Substrat aufgenommen wird, so dass es in dem Substrathandhaber in einer bekannten Position gehalten wird. Auf ähnliche Weise, wenn der Substrathandhaber mit dem Substrattisch verbunden ist, ist seine Relativposition bekannt und die Positionsgenauigkeit des Substrates, wenn es in dem Vor-Ausrichter ist, wird bei der Übertragung bewahrt. Wenn der Substrathandhaber sowohl mit dem Substrattisch als auch dem Vor-Ausrichter verbunden ist, ist seine Relativposition relativ zu dem Vor-Ausrichter bekannt, wenn das Substrat von dem Vor-Ausrichter aufgenommen wird und seine Relativposition relativ zu dem Substrattisch ist bekannt, wenn das Substrat abgelegt wird, so dass die Genauigkeit der Vor-Ausrichtung während der Übertragung beibehalten wird.
  • Wenn in bevorzugten Ausführungsformen der Substrathandhaber sich dem Vor-Ausrichter oder dem Substrattisch annähert, sind ihre Relativpositionen nur grob bekannt. Sobald der Substrathandhaber einen Anfangskontakt mit dem Vor-Ausrichter oder dem Substrattisch gemacht hat, bringt ein automatischer Kupplungsmechanismus die beiden in einer bestimmten körperlichen Beziehung zusammen. Dies kann erreicht werden unter Verwendung eines Wirkelementes an dem Substrathandhaber, welches lose mit dem Substrathandhaber verbunden ist. Das Wirkelement trägt die Hälfte einer Kupplung, welche mit entsprechenden Hälften an dem Vor-Ausrichter und dem Substrattisch zusammenpasst. Die beiden Hälften der Kupplung werden mechanisch vorgespannt, um beim Kuppeln die korrekte Position zu erreichen, ohne die Notwendigkeit, dass der Substrathandhaber insgesamt genau gegenüber dem Substrattisch ausgerichtet wird.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung unter Verwendung eines lithographischen Projektionsapparates geschaffen mit:
    einem Beleuchtungssystem zur Lieferung eines Projektions-Beleuchtungsstrahls;
    einem Maskentisch mit einem Maskenhalter zum Halten einer Maske;
    einem Substrattisch mit einem Substrathalter zum Halten eines Substrates;
    einem Projektionssystem zum Abbilden eines beleuchteten Abschnittes der Maske auf einen Zielabschnitt auf dem Substrat; und
    einem Vor-Ausrichter zur Durchführung einer anfänglichen Ausrichtung eines Substrats, wobei das Verfahren die Schritte aufweist:
    Bereitstellen einer Maske, welche ein Muster trägt, für den Maskentisch;
    Bereitstellen eines Substrats mit einer bestrahlungsempfindlichen Schicht an den Vor-Ausrichter und Vorbereiten hiervon für eine Belichtung;
    Übertragen des Substrates von dem Vor-Ausrichter auf den Substrattisch unter Verwendung eines Substrathandhabers; und
    Abbilden der beleuchteten Abschnitte auf der Maske auf die Zielabschnitte des Substrats,
    dadurch gekennzeichnet, dass:
    der Schritt des Übertragens des Substrates von dem Vor-Ausrichter die folgenden Unterschritte aufweist:
    Aufnehmen des Substrates von dem Vor-Ausrichter;
    Verbinden des Substrathandhabers mit dem Substrattisch;
    Anordnen des Substrates in dem Substrathalter des Substrattisches.
  • Bei einem Herstellungsverfahren unter Verwendung eines lithographischen Projektionsapparates gemäß der Erfindung wird ein Muster in einer Maske auf ein Substrat abgebildet, welches wenigstens teilweise mit einer Schicht eines energieempfindlichen Materials (Resist) bedeckt ist. Vor diesem Abbildungsschritt kann das Substrat verschiedene Verfahrensvorgänge durchlaufen, beispielsweise Grundieren, Beschichten mit Resist und Vorbacken. Nach der Belichtung kann das Substrat anderen Verfahrensabläufen unterworfen werden, beispielsweise das Backen nach der Belichtung (PEB), das Entwickeln, das Ausbacken und eine Messung/Prüfung der abgebildeten Merkmale. Diese Reihe von Verfahrensabläufen wird als Basis zur Musterung einer individuellen Schicht einer Vorrichtung, z. B. eines IC verwendet. Eine derartig gemusterte Schicht kann dann verschiedene Verfahrensläufe durchlaufen, beispielsweise Ätzen, Ionenimplantation (Dotierung), Metallisierung, Oxidation, chemo-mechanisches Polieren etc., welche alle dafür vorgesehen sind, eine individuelle Schicht fertig zu stellen. Wenn mehrere Schichten notwendig sind, wird der gesamte Ablauf oder eine Abwandlung hiervon für jede neue Schicht wiederholt. Schließlich ist eine Reihe von Vorrichtungen (Formen) auf dem Substrat (Wafer) vorhanden. Dieses Vorrichtungen werden dann voneinander durch eine Technik getrennt, welche Dicen oder Sägen genannt wird, wonach die einzelnen Vorrichtungen auf einem Träger angeordnet werden können, mit Kontaktstiften verbunden werden etc. Weitere Informationen betreffend diese Abläufe können beispielsweise aus dem Buch "Microchip Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor Processing", dritte Ausgabe, von Peter van Zant, McGraw Hill Publishing Co., 1997, ISBN 0-07-067250-4 erhalten werden.
  • Obgleich konkreter Bezug in diesem Text auf die Verwendung des Apparats gemäß der Erfindung bei der Herstellung von ICs gemacht wird, sei ausdrücklich festgehalten, dass so ein Apparat andere mögliche Anwendungen hat. Beispielsweise kann er bei der Herstellung von integrierten optischen Systemen, Führungs- und Erkennungsmustern für Magnetic-Domain-Speicher, Flüssigkristallanzeigeschirme, Dünnfilm-Magnetköpfe etc. verwendet werden. Der Fachmann auf dem Gebiet erkennt, dass im Zusammenhang derartiger anderer Anwendungsfälle jegliche Verwendung der Begriffe "Strichplatte", "Wafer" oder "Form" in diesem Text als ersetzbar durch die allgemeineren Begriffe "Maske", "Substrat" und "Belichtungsbereich" verstanden werden kann.
  • In der vorliegenden Beschreibung werden die Begriffe "Beleuchtung" und "Strahl" verwendet, um alle Arten von elektromagnetischer Strahlung oder Partikel fluss zu umfassen, einschließlich, jedoch nicht ausschließlich, ultraviolette Strahlung (z. B. bei einer Wellenlänge von 365 nm, 248 nm, 193 nm, 157 nm oder 126 nm), extreme ultraviolette Strahlung (EUV), Röntgenstrahlen, Elektronen und Ionen. Weiterhin wird die Erfindung als ein Referenzsystem von senkrechten X-, Y- und Z-Richtungen enthaltend beschrieben und eine Drehung um eine Achse parallel zu der I-Richtung wird mit Ri bezeichnet. Solange nicht der Zusammenhang anders erfordert, soll der Begriff "vertikal" (Z), der nachfolgend verwendet wird, die Richtung senkrecht zu dem Substrat oder zur Maskenoberfläche bezeichnen und nicht irgendeine bestimmte Ausrichtung des Apparats.
  • Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend unter Bezug auf exemplarische Ausführungsformen und die beigefügte schematische Zeichnung beschrieben, in der:
  • 1 einen lithographischen Projektionsapparat gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung zeigt;
  • 2 einen Vor-Ausrichter und einen Substrathandhaber der ersten Ausführungsform zeigt;
  • 3 den Vor-Ausrichter und Substrathandhaber der ersten Ausführungsform zeigt, wobei ein Wafer auf dem Vor-Ausrichter angeordnet ist;
  • 4 den Vor-Ausrichter und Substrathandhaber der ersten Ausführungsform zeigt mit einem Wafer auf dem Substrathandhaber, der ausgefahren ist;
  • 5A bis 5C einen Vor-Ausrichter und einen Substrathandhaber der zweiten Ausführungsform der Erfindung zeigen;
  • 6A und 6B den Substrathandhaber und einen Wafertisch der zweiten Ausführungsform der Erfindung zeigen;
  • 7 einen Kupplungsmechanismus einer dritten Ausführungsform der Erfindung zeigt;
  • 8 den Kupplungsmechanis der dritten Ausführungsform zeigt, wenn der Substrathandhaber in einem leichten Winkel zu dem Vor-Ausrichter steht; und
  • 9 den Kupplungsmechanismus der dritten Ausführungsform zeigt, wobei das Wirkelement korrekt zu dem Vor-Ausrichter ausgerichtet ist.
  • In der Zeichnung bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche Teile.
  • Ausführungsform 1
  • 1 zeigt schematisch einen lithographischen Projektionsapparat gemäß der Erfindung. Der Apparat weist auf:
    • – ein Beleuchtungssystem LA, Ex, IN, CO zur Lieferung eines Projektions-Beleuchtungsstrahls PB (z. B. UV oder EUV-Strahlung, Elektronen oder Ionen);
    • – einen Maskentisch MT mit einem Maskenhalter zum Halten einer Maske MA (z. B. einer Strichplatte), der mit einer ersten Positioniervorrichtung zum genauen Positionieren der Maske bezüglich einem Gegenstand PL verbunden ist;
    • – einen Substrattisch (Wafertisch) WT mit einem Substrathalter zum Halten eines Substrats W (z. B. einem resistbeschichtetem Siliziumwafer) und der mit einer zweiten Positioniervorrichtung verbunden ist, um das Substrat genau bezüglich dem Gegenstand PL zu positionieren;
    • – ein Projektionssystem ("Linse") PL (z. B. ein brechendes oder katadioptrisches System, eine Spiegelgruppe oder eine Reihe von Feldreflektoren) zur Abbildung eines beleuchteten Abschnittes auf einen Belichtungsbereich C (Form) eines Substrats W, das im Substrattisch WT gehalten ist.
  • Wie hier dargestellt, ist der Apparat vom Durchlässigkeitstyp (d. h. hat eine durchlässige Maske). Er kann jedoch allgemein auch beispielsweise von einem Reflektionstyp sein.
  • Das Beleuchtungssystem weist eine Quelle LA (z. B. eine Hg-Lampe, einen Excimerlaser, einen Wellenformer um den Pfad eines Elektronenstrahls in einem Speicherring oder einem Synchrotron herum, eine Laserplasmaquelle oder eine Elektronen- oder Ionenstrahlquelle) auf, welche einen Beleuchtungsstrahl erzeugt, sowie ein Beleuchtungssystem. Der Strahl wird durch verschiedene optische Bauteile geführt, die in dem Beleuchtungssystem vorhanden sind – z. B. eine Strahlformeroptik Ex, einen Integrator IN und einen Kondensor CO – so dass der sich ergebende Strahl PB eine gewünschte Form und Intensitätsverteilung im Querschnitt hat.
  • Der Strahl PB durchschneidet nachfolgend die Maske MA, welche in dem Maskenhalter auf dem Maskentisch MT gehalten ist. Nach dem Durchlauf durch die Maske MA läuft der Strahl PB durch die Linse PL, welche den Strahl PB auf einen Belichtungsbereich C des Substrats W fokusiert. Mit der Hilfe einer interferometrischen Verschiebungs- und Messvorrichtung IF kann der Substrattisch WT durch die zweite Positioniervorrichtung genau bewegt werden, beispielsweise so, dass unterschiedliche Belichtungsbereiche C in dem Pfad des Strahls PB ausgerichtet werden. Auf ähnliche Weise kann die erste Positioniervorrichtung verwendet werden, die Maske MA bezüglich des Pfads des Strahls PB genau zu positionieren, z. B. nach der mechanischen Entnahme der Maske MA aus einem Maskenvorrat. Allgemein wird die Bewegung des Maskentisches MT und Substrattisches WT unter Zuhilfenahme eines langhubigen Moduls (Grobpositionierung) und eines kurzhubigen Moduls (Feinpositionierung) realisiert, welche in 1 nicht näher dargestellt sind. Im Fall eines Wafersteppers (im Gegensatz zu einem Step- und Scan-Apparat) kann der Maskentisch MT nur mit der kurzhubigen Positioniervorrichtung verbunden sein oder er kann einfach festgelegt sein.
  • Der dargestellte Apparat kann in zwei unterschiedlichen Moden angewendet werden:
    • 1. In einem Schritt- und Zurück-Modus (Step) wird der Maskentisch MT im wesentlichen ortsfest gehalten und ein gesamtes Maskenbild in einem Durchgang (d. h. einem einzigen "Blitz") auf einen Belichtungsbereich C projiziert. Der Substrattisch WT wird dann in X- und/oder Y-Richtung verschoben, so dass ein anderer Belichtungsbereich C durch den Strahl PB beleuchtet werden kann.
    • 2. In dem Step- und Scan-Modus (Scan) findet im wesentlichen das gleiche Szenario statt, mit der Ausnahme, dass ein gegebener Belichtungsbereich C nicht in einem einzelnen "Blitz" belichtet wird. Anstelle hiervon wird der Maskentisch MT in eine gegebene Richtung bewegt (die sogenannte "Abtastrichtung", z. B. Y-Richtung), und zwar mit einer Geschwindigkeit v, so dass der Projektionsstrahl PB veranlasst wird, über ein Maskenbild zu streichen; gleichzeitig wird der Substrattisch WT in die gleiche oder eine entgegengesetzte Richtung mit einer Geschwindigkeit V = Mv bewegt, wobei M die Vergrößerung der Linse PL ist (typischerweise ist M = 1/4 oder 1/5). Auf diese Weise kann ein relativ großer Belichtungsbereich C belichtet werden, ohne dass Abstriche an der Auflösung gemacht werden müssen.
  • 2 zeigt eine Vor-Ausrichtungseinheit 1 mit einem Vor-Ausrichter 2 und eine Waferhandhabungskomponente. Nachdem ein Wafer von einem Waferträger oder einer Prozessspur auf den Vor-Ausrichter 2 übertragen worden ist, beginnt der Vor-Ausrichtungsprozess. Das Vor-Ausrichten kann das Erkennen einer Waferkante, z. B. unter Verwendung eines optischen Sensors, ein Zentrieren des Wafers und eine Temperaturkonditionierung beinhalten. Der Vor-Ausrichtungsprozess und der Vor-Ausrichter werden z. B. näher in der gleichzeitig angemeldeten Anmeldung mit dem Titel "Lithographic Projection Apparatus" (Anmelderaktenzeichen P-0135.010) beschrieben.
  • Sobald die Vor-Ausrichtung abgeschlossen ist, wird der Wafer auf einen Wafertisch WT durch einen Laderoboter 3 (der "Substrathandhaber") übertragen. Der Laderoboter 3 ist mit einem unabhängigen und separaten Bewegungsbahnsicherheitssystem ausgestattet, um Waferbruch zu vermeiden. Während des Betriebs des Laderoboters 3 wird die gemessene Absolutposition und ermittelte Geschwindigkeit des Laderoboters 3 mit einer zulässigen Position und Geschwindigkeit verglichen. Gegenmaßnahmen können für den Fall ergriffen werden, dass eine Abweichung vorliegt. Die Position des Wafers auf dem Vor-Ausrichter 2 ist mit hoher Genauigkeit bekannt und er muss auf dem Wafertisch WT mit der notwendigen Genauigkeit angeordnet werden, d.h. innerhalb des Erfassungsbereiches des Ausrichtungssystems, das am Wafertisch WT verwendet wird. Hierzu ist der Laderoboter 3 mit einer Anschlusseinheit 31 (der "Verbindungsvorrichtung" ausgestattet, welche mit dem Vor-Ausrichter 2 beim Aufnehmen des Wafers W und mit dem Wafertisch WT bei dessen Ablage ankuppelt. Die Anschlusseinheit 31 kann vom kinematischen Kugel/Ausnehmungs-Kupplungstyp mit der Kugel an der Anschlusseinheit 31 und Ausnehmungen an dem Vor-Ausrichter 2 und dem Wafertisch WT sein. Bevorzugt verbindet die Anschlusseinheit 31 den Vor-Ausrichter 2 und den Wafertisch WT an zwei voneinander beabstandeten Positionen. Aus Sicherheitsgründen ist der drehende Teil des Laderoboters 3 mit einer Lichtabschirmung 32 versehen, um zu verhindern, dass jegliches Streulicht von der Belichtungsposition zu der Vor-Ausrichtungseinheit 1 oder der Prozessspur hin austritt.
  • Nach der vollständigen Belichtung überträgt ein Entladeroboter 4 den Wafer W von dem Wafertisch WT in eine Entladestation 5. Der Entladeroboter 4 kann ähnlich zu dem Laderoboter 3 aufgebaut sein, muss jedoch nicht derart hohe Genauigkeitsanforderungen erfüllen. Der Wafer W wird von der Entladestation 5, welche auch als Gestell bezeichnet wird, auf den Waferträger 6 oder die Prozessspur entnommen. Der Entladeroboter 4 kann auch verwendet werden, um Wafer vom Vor-Ausrichter 2 auf den Wafertisch WT zu laden. Umgekehrt kann der Laderoboter 3 auch verwendet werden, Wafer von dem Wafertisch WT auf die Entladestation 5 oder den Waferträger 6 zu übertragen.
  • Die Vor-Ausrichtungseinheit 1 kann weiterhin mit einem Trägerhandhaber 61 versehen sein, der die Verwendung unterschiedlicher Waferträgertypen ermöglicht, beispielsweise Träger für 200-mm- und 300-mm-Kassetten. Die Trägerhandhaber 61 können entweder auf der linken oder rechten Seite des lithographischen Projektionsapparates ausgelegt sein und somit für Annahme und (falls gewünscht) Verriegeln des Waferträgers 6, Inspektion und Markierung des Waferträgers 6 und (falls gewünscht) Öffnen des Trägers 6 und Entnahme von Wafern. Die Trägerhandhabe 61 kann verwendet werden, zurückgewiesene Wafer oder Wafer, welche eine weitere Verarbeitung benötigen, in dem Waferträger 6 aufzubewahren.
  • In 3 ist die Vor-Ausrichteinheit 1 in einer ersten Ladeposition gezeigt. In dieser Position enthält der Vor-Ausrichter 2 einen Wafer 71, der vor-ausgerichtet und konditioniert worden ist, während der Laderoboter 3 so angeordnet ist, dass er den Wafer 71 nach einer halben Drehung des Laderoboters 3 auf den Wafertisch WT überträgt. Der Entladeroboter 4 trägt einen Wafer 72, der nach der Belichtung von dem Wafertisch WT entnommen worden ist und der nach einer halben Drehung des Entladeroboters 4 in die Entladestation 5 übertragen wird.
  • In 4 ist die gleiche Vor-Ausrichteinheit 1 gezeigt, wobei jedoch der Arm 33 des Laderoboters 3 für eine Übertragung des Wafers 71 auf den Wafertisch WT ausgefahren ist. Der belichtete Wafer 72 befindet sich nach wie vor auf dem Entladeroboter 4.
  • Ausführungsform 2
  • Die 5A bis 5C, 6A und 6B zeigen schematisch einen Laderoboter (Substrathandhaber) 130 einer zweiten Ausführungsform der Erfindung. Funktionell und wie unten beschrieben ist die zweite Ausführungsform gleich der ersten Ausführungsform.
  • Der Laderoboter 130 weist einen zweiteiligen Arm 131, der drehbeweglich an einer Basis 132 so angeordnet ist, dass der Arm von der Position gemäß der 5A und 5B ausfahren kann, um einen Vor-Ausrichter 2 zu erreichen, wie in 5C gezeigt, und einen Wafertisch auf. Eine Aufnahmehand 133 ist an einem Ende des Arms 131 angeordnet und weist zwei Finger 134 auf, welche unter den Wafer W eingeführt werden, wie in 5C gezeigt, um den Wafer W aufzunehmen. Die Aufnahmehand 133 trägt auch eine Kupplungshälfte 135a, welche mit einer entsprechenden Kupplungshälfte 135b (die "Verbindungsvorrichtung") zusammenpasst, welche an dem Vor-Ausrichter 2 angeordnet ist. Die Kupplung 135a, 135b wird verwendet, sicher zu stellen, dass die Aufnahmehand 133 relativ zu dem Vor-Ausrichter 2 genau positioniert ist, wenn der Wafer W aufgenommen wird. Die Verbindung zwischen der Aufnahmehand 133 und dem Arm 131 erlaubt einen gewissen Bewegungsbetrag zwischen ihnen, so dass die Aufnahmehand in eine korrekte Ausrichtung durch die Kupplung 135a, 135b bewegt werden kann, selbst wenn der Arm 131 nicht perfekt ausgerichtet ist. Somit wird der Wafer genau auf der Aufnahmehand 133 positioniert und kann auf dem Wafertisch WT mit entsprechender Genauigkeit angeordnet werden.
  • Die 6A und B zeigen den Wafertisch WT, der beweglich ist. Als solcher kann er in eine vorbestimmte Position relativ zu einem festen Bauteil 136 gebracht werden, welches eine andere Kupplungshälfte 135c zum Zusammenpassen mit der Kupplungshälfte 135a an der Aufnahmehand 133 trägt.
  • Ausführungsform 3
  • Ein Kupplungsmechanismus, der in einer dritten Ausführungsform der Erfindung verwendet wird, ist schematisch in den 7, 8 und 9 gezeigt. Ansonsten ist die dritte Ausführungsform in Form und Funktion ähnlich zur ersten und zweiten Ausführungsform.
  • Wie in 7 gezeigt, weist die Kupplungsvorrichtung der dritten Ausführungsform einen Rahmen 235a, der an einem Roboterarm 231 (Substrathandhaber) befestigt ist und eine Anschlussplatte 235b auf, welche an dem Wafer-Vor-Ausrichter 2 befestigt ist. Eine ähnliche Anschlussplatte ist an dem Wafertisch WT angebracht. Ein Wirkelement 201 ist lose an dem Rahmen 235a angebracht und trägt zwei Sätze von Kugellagern 302, 303 und 306, 307. Der erste Satz von Kugellagern 302, 303 ist so angeordnet, dass, wenn der Roboterarm 231 in Anlage mit dem Vor-Ausrichter 2 gebracht wird, das erste Kugellager 302 in Eingriff mit einer Ausnehmung 304 in der Anschlussplatte 235b gebracht wird, während das zweite Kugellager 303 auf einer Lagerfläche 305 der Anschlussplatte 235b aufsitzt. Der Eingriff des Kugellagers 302 mit der Ausnehmung 304 legt die Position des Wirkelements 301 relativ zur Anschlussplatte 235b in Y-Richtung fest, während die Anlage des Kugellagers 303 mit der Lagerfläche 305 die Position des Wirkelementes 301 in X-Richtung festlegt. Die dritten und vierten Kugellager 306, 307 des zweiten Satzes gelangen mit einer ähnlichen Ausnehmung 308 und einer Oberfläche 309 in Eingriff, wenn der Roboterarm korrekt ausgerichtet ist, so dass auf ähnliche Weise die Position des Wirkelementes 301 relativ zum Rahmen 235a festgelegt ist. Eine Feder 310 verbindet das Wirkelement 301 mit dem Rahmen 235a und spannt es in Richtung der Position vor, in der die Kugellager 306 und 307 jeweils in Eingriff mit der Ausnehmung 308 bzw. der Lagerfläche 309 gelangen. Eine Aufnahmehand (z. B. die Aufnahmehand 133 der 5 und 6) zum Aufnehmen des Wafers ist steif an dem Wirkelement angebracht, so dass, wenn das Wirkelement 301 durch die Anschlussplatte 235b in die korrekte Position geführt wird, die Aufnahmehand in einer korrekten Position zum Aufnehmen des Wafers ist. Eine Fehlausrichtung des Wirkelementes 301 relativ zum Rahmen 235a wird durch einen Vierzellen-Detektor 311 erkannt und die Position oder Ausrichtung des Roboterarms 231 kann entsprechend eingestellt werden. Der Vierzellen-Detektor 311 wird verwendet, um den Roboterarm 231 in eine Grobausrichtung zu dem Vor-Ausrichter 2 zu bringen; eine Feinausrichtung erfolgt durch das Wirkelement 301 und der Roboterarm 231 muss nur nahe genug an die korrekte Position herangebracht werden, um es dem Wirkelement 301 zu ermöglichen, die korrekte Ausrichtung mit der Anschlussplatte 235b herbei zu führen. Der Vierzellen-Detektor 311 wird auch verwendet, zu überprüfen, ob die Feder 310 ausreichend zusammengedrückt ist, um sicher zu stellen, dass die Kugellager 302 und 303 mit ausreichender Kraft gegen die Anschlussplatte 235b gedrückt werden.
  • Die 8 und 9 zeigen, wie diese Anordnung verwendet wird, um eine korrekte Ausrichtung zwischen dem Roboterarm 231 und dem Vor-Ausrichter 2 sicher zu stellen. Wenn sich der Roboterarm 231 dem Vor-Ausrichter 2 mit einem leichten Winkel zur korrekten Ausrichtung annähert, gelangt eines der ersten und zweiten Kugellager, z. B. das Kugellager 302 zuerst mit der Anschlussplatte 235b in Anlage. Wenn der Roboterarm 231 weiter vorwärts bewegt wird, wird das Wirkelement 301 außer Ausrichtung zu dem Rahmen 235a geschoben, wenn das andere der ersten und zweiten Kugellager 302, 303 in Anlage mit der Anschlussplatte 235b entgegen der Vorspannungskraft der Feder 310 gelangt. Dies ist die Position, die in 9 gezeigt ist. Die steif an dem Wirkelement 301 angebrachte Aufnahmehand ist nun in der korrekten Position zum Aufnehmen des Wafers vom Vor-Ausrichter 2. Es sei festzuhalten, dass dieser Verbindungsmechanismus nur den Roboterarm 231 relativ zu dem Vor-Ausrichter 2 und den Wafertisch WT in der XY-Ebene anordnet. Eine präzise Anordnung in Z ist nicht notwendig.
  • Wie oben erwähnt, ist eine entsprechende Anschlussplatte an dem Wafertisch WT zur Verwendung des Ladens des Wafers W auf den Wafertisch WT vorgesehen.
  • Obgleich wir oben spezielle Ausführungsformen der Erfindung beschrieben haben, versteht sich, dass die Erfindung anders als beschrieben umgesetzt werden kann; beispielsweise kann die Erfindung auch zur Handhabung von Strichplatten verwendet werden.

Claims (10)

  1. Ein lithographischer Projektionsapparat mit: einem Beleuchtungssystem (LA, Ex, IN, CO) zur Lieferung eines Projektions-Beleuchtungsstrahls; einem Maskentisch (MT) mit einem Maskenhalter zum Halten einer Maske (MA); einem Substrattisch (WT) mit einem Substrathalter zum Halten eines Substrates (W); einem Projektionssystem (PL) zur Abbildung eines beleuchteten Abschnittes der Maske auf einen Zielabschnitt des Substrates; einem Vor-Ausrichter (2) zur Durchführung einer anfänglichen Ausrichtung eines Substrates; und einem Substrathandhaber (3) zum Übertragen eines Substrates von dem Vor-Ausrichter auf den Substrattisch; gekennzeichnet durch: eine mechanische Trennung des Vor-Ausrichters (2) von dem Substrattisch (WT); und durch eine Verbindungsvorrichtung (31) zum wahlweisen Verbinden des Substrathandhabers (3) mit dem Substrattisch (WT) an einer bekannten Relativposition.
  2. Apparat nach Anspruch 1, wobei die Verbindungsvorrichtung weiterhin angeordnet ist, um mit dem Vor-Ausrichter an einer bekannten Relativposition wahlweise eine Verbindung einzugehen.
  3. Apparat nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Verbindungsvorrichtung ein Bauteil aufweist, welches lose an dem Substrathandhaber angeordnet ist, wobei eine Kuppelvorrichtung wahlweise angeordnet ist, um das Bauteil mit dem Vor-Ausrichter und dem Substrattisch zu verbinden.
  4. Apparat nach Anspruch 3, weiterhin mit einer Vorspannvorrichtung, die dafür angeordnet ist, das Bauteil relativ zu dem Substrathandhaber in Richtung einer bestimmten Position vorzuspannen.
  5. Apparat nach Anspruch 1, 2, 3 oder 4, wobei die Verbindungsvorrichtung ein erstes Teil, das an dem Substrathandhaber angeordnet ist und zwei zweite Teile aufweist, von denen je eines zur Verbindung mit dem ersten Teil an dem Vor-Ausrichter und dem Substrattisch angeordnet ist.
  6. Apparat nach Anspruch 5, wobei das erste Teil ein Kugellager aufweist und jedes der zweiten Teile eine Koppelplatte mit einer Ausnehmung darin aufweist, mit der das Kugellager in enge Anlage bringbar ist.
  7. Apparat nach Anspruch 6, wobei die Anlage zwischen dem Kugellager und der Ausnehmung die Relativposition des Substrathandhabers und des Vor-Ausrichters oder des Substrattisches in einer ersten Richtung im wesentlichen parallel zur Ebene des Substrates definiert, wenn dieses in dem Vor-Ausrichter oder dem Substrattisch gehalten ist.
  8. Apparat nach Anspruch 6 oder 7, wobei das erste Teil weiterhin ein zweites Kugellager aufweist und die Koppelplatte weiterhin eine Lageroberfläche definiert, an der das zweite Lager sich lagern kann, um die Relativposition des Substrathandhabers und des Vor-Ausrichters oder Substrattisches in einer zweiten Richtung im wesentlichen parallel zur Ebene des Substrates zu definieren, wenn dieses in dem Vor-Ausrichter oder dem Substrattisch um im wesentlichen senkrecht zur ersten Richtung gehalten ist.
  9. Ein Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung unter Verwendung eines lithographischen Projektionsapparates, mit: einem Beleuchtungssystem zur Lieferung eines Projektions-Beleuchtungsstrahls; einem Maskentisch mit einem Maskenhalter zum Halten einer Maske; einem Substrattisch mit einem Substrathalter zum Halten eines Substrates; einem Projektionssystem zum Abbilden eines beleuchteten Abschnittes der Maske auf einen Zielabschnitt auf dem Substrat; und einem Vor-Ausrichter zur Durchführung einer anfänglichen Ausrichtung eines Substrats, wobei das Verfahren die Schritte aufweist: Bereitstellen einer Maske, welche ein Muster trägt, für den Maskentisch; Bereitstellen eines Substrates mit einer bestrahlungsempfindlichen Schicht an den Vor-Ausrichter und Vorbereiten hiervon für eine Belichtung; Übertragen des Substrates von dem Vor-Ausrichter auf den Substrattisch unter Verwendung eines Substrathandhabers; und Abbilden der beleuchteten Abschnitte der Maske auf die Zielabschnitte des Substrates, dadurch gekennzeichnet, dass: der Schritt des Übertragens des Substrates von dem Vor-Ausrichter die folgenden Unterschritte aufweist: Aufnehmen des Substrates von dem Vor-Ausrichter; Verbinden des Substrathandhabers mit dem Substrattisch; Anordnen des Substrates in dem Substrathalter des Substrattisches.
  10. Eine Vorrichtung, hergestellt durch das Verfahren nach Anspruch 9.
DE60013687T 1999-04-21 2000-04-10 Substrathandhabungsvorrichtung zur Verwendung in lithographischen Projektionsapparaten Expired - Fee Related DE60013687T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP99201223 1999-04-21
EP99201223 1999-04-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE60013687D1 DE60013687D1 (de) 2004-10-21
DE60013687T2 true DE60013687T2 (de) 2005-09-29

Family

ID=8240117

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE60013687T Expired - Fee Related DE60013687T2 (de) 1999-04-21 2000-04-10 Substrathandhabungsvorrichtung zur Verwendung in lithographischen Projektionsapparaten
DE60020638T Expired - Fee Related DE60020638T2 (de) 1999-04-21 2000-04-14 Lithographischer Projektionsapparat

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE60020638T Expired - Fee Related DE60020638T2 (de) 1999-04-21 2000-04-14 Lithographischer Projektionsapparat

Country Status (5)

Country Link
US (2) US6404483B1 (de)
JP (2) JP2000330294A (de)
KR (2) KR100588129B1 (de)
DE (2) DE60013687T2 (de)
TW (2) TW513617B (de)

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2380602B (en) * 2001-05-19 2005-03-02 Wentworth Lab Ltd Wafer alignment device
US20030168174A1 (en) 2002-03-08 2003-09-11 Foree Michael Todd Gas cushion susceptor system
SG102718A1 (en) * 2002-07-29 2004-03-26 Asml Holding Nv Lithography tool having a vacuum reticle library coupled to a vacuum chamber
US6826451B2 (en) * 2002-07-29 2004-11-30 Asml Holding N.V. Lithography tool having a vacuum reticle library coupled to a vacuum chamber
JP3875158B2 (ja) * 2002-08-09 2007-01-31 株式会社東芝 露光装置判定システム、露光装置判定方法、露光装置判定プログラム及び半導体装置の製造方法
SG115631A1 (en) * 2003-03-11 2005-10-28 Asml Netherlands Bv Lithographic projection assembly, load lock and method for transferring objects
SG115629A1 (en) 2003-03-11 2005-10-28 Asml Netherlands Bv Method and apparatus for maintaining a machine part
SG125948A1 (en) * 2003-03-31 2006-10-30 Asml Netherlands Bv Supporting structure for use in a lithographic apparatus
JP4236252B2 (ja) * 2003-05-06 2009-03-11 キヤノン株式会社 ステージ装置及び露光装置
JP2005003799A (ja) * 2003-06-10 2005-01-06 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性板状部材吸着機構及び画像記録装置
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
US7245357B2 (en) * 2003-12-15 2007-07-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP5167572B2 (ja) * 2004-02-04 2013-03-21 株式会社ニコン 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
KR101579361B1 (ko) * 2004-02-04 2015-12-21 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
WO2005096101A1 (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Pioneer Corporation 露光装置
US8749762B2 (en) * 2004-05-11 2014-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7349067B2 (en) * 2004-06-21 2008-03-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR100596280B1 (ko) 2004-12-22 2006-06-30 동부일렉트로닉스 주식회사 오버레이 측정의 프리얼라인먼트 간소화 장치 및 방법
JP2006178318A (ja) * 2004-12-24 2006-07-06 Nsk Ltd 露光装置
US7456935B2 (en) * 2005-04-05 2008-11-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a positioning device for positioning an object table
KR100696380B1 (ko) * 2005-07-06 2007-03-19 삼성전자주식회사 엣지 노광 웨이퍼 방법
KR100689843B1 (ko) * 2006-01-03 2007-03-08 삼성전자주식회사 웨이퍼 스테이지 및 이를 이용한 웨이퍼 안착방법
DE502006008851D1 (de) * 2006-11-08 2011-03-17 Integrated Dynamics Eng Gmbh Kombiniertes Motion-Control-System
US20080117402A1 (en) * 2006-11-20 2008-05-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US11136667B2 (en) 2007-01-08 2021-10-05 Eastman Kodak Company Deposition system and method using a delivery head separated from a substrate by gas pressure
KR20120059630A (ko) * 2007-06-21 2012-06-08 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 기판 테이블 상에 기판을 적재하는 방법, 디바이스 제조 방법, 컴퓨터 프로그램물, 데이터 캐리어 및 장치
US8446566B2 (en) 2007-09-04 2013-05-21 Asml Netherlands B.V. Method of loading a substrate on a substrate table and lithographic apparatus and device manufacturing method
US9013682B2 (en) * 2007-06-21 2015-04-21 Asml Netherlands B.V. Clamping device and object loading method
US20080316461A1 (en) * 2007-06-21 2008-12-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20090086187A1 (en) * 2007-08-09 2009-04-02 Asml Netherlands Lithographic Apparatus and Device Manufacturing Method
JP2010129929A (ja) * 2008-11-28 2010-06-10 Canon Inc 基板保持装置、基板保持方法、露光装置およびデバイス製造方法
JP5743437B2 (ja) * 2009-07-09 2015-07-01 キヤノン株式会社 露光装置、露光方法、搬送方法及びデバイスの製造方法
KR101509809B1 (ko) * 2009-12-01 2015-04-08 현대자동차주식회사 차량의 커튼에어백용 램프브라켓
NL2006565A (en) * 2010-06-30 2012-01-02 Asml Holding Nv Reticle clamping system.
US9120344B2 (en) * 2011-08-09 2015-09-01 Kateeva, Inc. Apparatus and method for control of print gap
US9891541B2 (en) * 2012-05-17 2018-02-13 Asml Netherlands B.V. Thermal conditioning unit, lithographic apparatus and device manufacturing method
CN103972135B (zh) * 2013-01-25 2017-02-22 上海微电子装备有限公司 一种硅片精确定位传输装置及定位方法
CN112296997B (zh) * 2019-07-31 2022-01-14 上海微电子装备(集团)股份有限公司 一种机械手交接工位标定方法、装置、设备及存储介质
WO2021070265A1 (ja) * 2019-10-08 2021-04-15 株式会社日立ハイテク 試料ステージ及び光学式検査装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3603646A (en) * 1970-01-26 1971-09-07 Ibm Semiconductor wafer air slide with controlled wafer motion
US3865254A (en) * 1973-05-21 1975-02-11 Kasker Instr Inc Prealignment system for an optical alignment and exposure instrument
JPS59155129A (ja) * 1983-02-23 1984-09-04 Nec Home Electronics Ltd 半導体ウエ−ハ露光方法
JPS60158626A (ja) * 1984-01-30 1985-08-20 Canon Inc 半導体露光装置
US4655584A (en) 1984-05-11 1987-04-07 Nippon Kogaku K. K. Substrate positioning apparatus
NL8401710A (nl) * 1984-05-29 1985-12-16 Philips Nv Inrichting voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat.
JP2919158B2 (ja) * 1992-02-10 1999-07-12 キヤノン株式会社 基板保持装置
US5953105A (en) * 1995-05-30 1999-09-14 U.S. Philips Corporation Positioning device with a reference frame for a measuring system, and a lithographic device provided with such a positioning device
JPH09218519A (ja) * 1996-02-09 1997-08-19 Nikon Corp 露光装置の環境制御方法及び装置
WO1997033205A1 (en) 1996-03-06 1997-09-12 Philips Electronics N.V. Differential interferometer system and lithographic step-and-scan apparatus provided with such a system
JPH09280251A (ja) * 1996-04-10 1997-10-28 Nikon Corp ステージ装置
JPH09320934A (ja) * 1996-05-28 1997-12-12 Nikon Corp ステージ装置
JP3695000B2 (ja) * 1996-08-08 2005-09-14 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置
JP3779393B2 (ja) * 1996-09-06 2006-05-24 東京エレクトロン株式会社 処理システム
DE69735016T2 (de) 1996-12-24 2006-08-17 Asml Netherlands B.V. Lithographisches Gerät mit zwei Objekthaltern
JP3626504B2 (ja) 1997-03-10 2005-03-09 アーエスエム リソグラフィ ベスローテン フェンノートシャップ 2個の物品ホルダを有する位置決め装置
JP3260096B2 (ja) 1997-03-19 2002-02-25 富士男 板垣 建築物の沈下修正用アンカーボルト装置
US6232615B1 (en) * 1998-03-31 2001-05-15 Asm Lithography B.V. Lithographic projection apparatus with improved substrate holder
US6161311A (en) * 1998-07-10 2000-12-19 Asm America, Inc. System and method for reducing particles in epitaxial reactors

Also Published As

Publication number Publication date
KR20010014775A (ko) 2001-02-26
JP2000330294A (ja) 2000-11-30
DE60013687D1 (de) 2004-10-21
KR20000077050A (ko) 2000-12-26
JP3840034B2 (ja) 2006-11-01
DE60020638D1 (de) 2005-07-14
JP2000323406A (ja) 2000-11-24
DE60020638T2 (de) 2006-05-04
KR100588129B1 (ko) 2006-06-09
TW500980B (en) 2002-09-01
TW513617B (en) 2002-12-11
US6721035B1 (en) 2004-04-13
US6404483B1 (en) 2002-06-11
KR100540364B1 (ko) 2006-01-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60013687T2 (de) Substrathandhabungsvorrichtung zur Verwendung in lithographischen Projektionsapparaten
DE60219844T2 (de) Verfahren zur Übernahme einer lithographischen Maske
DE102006052015B4 (de) Positionsmessvorrichtung und Positionsabweichungsmessverfahren
DE60024211T2 (de) Lithographischer Projektionsapparat mit kollisionsvermeidender Vorrichtung
DE69631260T2 (de) Abtastbelichtungsapparat, Belichtungsverfahren unter Verwendung desselben und Verfahren zur Herstellung der Vorrichtung
DE69728948T2 (de) Projektionsbelichtungsvorrichtung und Verfahren
DE60308161T2 (de) Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
DE60026461T2 (de) Lithographischer Projektionsapparat
DE60036844T2 (de) Lithographischer Apparat mit einer Maskenklemmvorrichtung
DE60130160T2 (de) Verfahren zur Aberrationsmessung in einem optischen Abbildungssystem
DE60223630T2 (de) Lithographisches Gerät und zugehöriges Herstellungsverfahren
DE69133544T2 (de) Vorrichtung zur Projektion eines Maskenmusters auf ein Substrat
DE60033775T2 (de) Lithographischer Apparat mit einem System zur Positionsdetektion
DE602005001835T2 (de) Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE602004011458T2 (de) Substratverarbeitungsverfahren
DE60131203T2 (de) Lithographischer Apparat
WO2017153165A1 (de) Verfahren zum herstellen eines beleuchtungssystems für eine euv-projektionsbelichtungsanlage und beleuchtungssystem
DE60128975T2 (de) Mikrolithographischer Projektionsapparat
DE69837232T2 (de) Belichtungsverfahren und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE3342719C2 (de) Positionierungseinrichung in einem Projektionsbelichter
DE69724333T2 (de) Beleuchtungssystem und Belichtungsapparat
DE60120000T2 (de) Lithographischer Apparat mit System zur Bestimmung des Abbe-Abstandes
EP1922586B1 (de) Austauschvorrichtung für ein optisches element
DE10311855A1 (de) Anordnung zum Übertragen von Informationen/Strukturen auf Wafer
DE69930088T2 (de) Projektionslithographie mit Servosteuerung

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee