JP2001358063A - リソグラフィ投影装置のためのオブジェクト位置決め方法およびデバイス - Google Patents
リソグラフィ投影装置のためのオブジェクト位置決め方法およびデバイスInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 リソグラフィ投影装置のオブジェクト・テー
ブル上の要求された位置にオブジェクトを置く方法を提
供すること。 【解決手段】 テーブル５上の基板またはマスクなどの
オブジェクト１を配置するための方法であって、 オブジェクト１をテーブル５上の第１の位置に配置する
第１の配置ステップと、 オブジェクト１の第１の位置とオブジェクト１の要求さ
れた位置との間の変位を決定する測定ステップと、 オブジェクト１をテーブル５から外し、除去する除去ス
テップと、 テーブル５の平面１３に実質的に平行な方向に、オブジ
ェクト１とテーブル５を互いに相対的に、実質的に前記
変位だけ移動する移動ステップと、 実質的にテーブル５上の要求された位置にオブジェクト
１を置く第２の配置ステップとを備えている方法。
ブル上の要求された位置にオブジェクトを置く方法を提
供すること。 【解決手段】 テーブル５上の基板またはマスクなどの
オブジェクト１を配置するための方法であって、 オブジェクト１をテーブル５上の第１の位置に配置する
第１の配置ステップと、 オブジェクト１の第１の位置とオブジェクト１の要求さ
れた位置との間の変位を決定する測定ステップと、 オブジェクト１をテーブル５から外し、除去する除去ス
テップと、 テーブル５の平面１３に実質的に平行な方向に、オブジ
ェクト１とテーブル５を互いに相対的に、実質的に前記
変位だけ移動する移動ステップと、 実質的にテーブル５上の要求された位置にオブジェクト
１を置く第２の配置ステップとを備えている方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特にリソグラフィ
投影装置のための位置決め方法および装置に関する。よ
り詳細には、本発明は、マスクや基板などのオブジェク
トをリソグラフィ投影装置内のオブジェクト・テーブル
上の要求された位置に位置決めする方法であって、放射
投影ビームを供給するための放射システムと、所望のパ
ターンによる投影ビームをパターニングすることが可能
なパターニング手段を保持するための第１のオブジェク
ト・テーブルと、基板を保持するための第２のオブジェ
クト・テーブルおよびパターニングされたビームを基板
の目標部分上に投影するための投影システムとを備えて
いる方法に関する。
投影装置のための位置決め方法および装置に関する。よ
り詳細には、本発明は、マスクや基板などのオブジェク
トをリソグラフィ投影装置内のオブジェクト・テーブル
上の要求された位置に位置決めする方法であって、放射
投影ビームを供給するための放射システムと、所望のパ
ターンによる投影ビームをパターニングすることが可能
なパターニング手段を保持するための第１のオブジェク
ト・テーブルと、基板を保持するための第２のオブジェ
クト・テーブルおよびパターニングされたビームを基板
の目標部分上に投影するための投影システムとを備えて
いる方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】「パターニング手段」という用語は、入
射する放射ビームにパターニング断面を与えるのに使用
できる手段を表すものとして広く解釈され、基板の目標
部分で生成されるべきパターンに対応する。「光値」と
いう用語もまたこの文脈で使用される。一般に、前記パ
ターンは目標部分で生成された、集積回路デバイスまた
は他のデバイス（以下参照）などのデバイス内の特定の
機能を持つ層に対応する。このようなパターニング手段
は、以下のものを含む。
射する放射ビームにパターニング断面を与えるのに使用
できる手段を表すものとして広く解釈され、基板の目標
部分で生成されるべきパターンに対応する。「光値」と
いう用語もまたこの文脈で使用される。一般に、前記パ
ターンは目標部分で生成された、集積回路デバイスまた
は他のデバイス（以下参照）などのデバイス内の特定の
機能を持つ層に対応する。このようなパターニング手段
は、以下のものを含む。
【０００３】前記第１のオブジェクト・テーブルにより
保持されたマスク。マスクの概念は、リソグラフィでは
良く知られており、バイナリ、交番位相シフト、減衰位
相シフトと同様に様々なハイブリッド・マスク・タイプ
を含む。このようなマスクの投影ビーム内への配置は、
マスク上のパターンに従って、マスク上にあたる照射の
選択透過（透過マスクの場合）または反射（反射マスク
の場合）による。第１のオブジェクト・テーブルはマス
クが入射する投影ビーム内の所望の位置に保持されるこ
とができ、望まれればビームに関して移動可能なことを
確実にする。
保持されたマスク。マスクの概念は、リソグラフィでは
良く知られており、バイナリ、交番位相シフト、減衰位
相シフトと同様に様々なハイブリッド・マスク・タイプ
を含む。このようなマスクの投影ビーム内への配置は、
マスク上のパターンに従って、マスク上にあたる照射の
選択透過（透過マスクの場合）または反射（反射マスク
の場合）による。第１のオブジェクト・テーブルはマス
クが入射する投影ビーム内の所望の位置に保持されるこ
とができ、望まれればビームに関して移動可能なことを
確実にする。
【０００４】プログラマブル・ミラー・アレイは構造に
より保持され、第１のオブジェクト・テーブルと呼ばれ
る。このような装置の一例は、粘弾性を持つ制御層およ
び反射面を有するマトリックス・アドレス指定可能表面
である。このような装置の背後にある基本的原理は、
（例えば）反射面のアドレスされた領域は、入射光を回
折光として反射するが、アドレスされていない領域は、
入射光を非回折光として反射するということである。適
切なフィルタを用いると、前記非回折光は回折ビームか
らフィルタされ、後方の回折光のみが残ることができ
る。この方法で、ビームはマトリクス・アドレス指定可
能面のアドレス・パターンに従ってパターン化される。
要求されたマトリクス・アドレシングは適切な電子手段
を用いて行うことができる。このような鏡面アレイにつ
いてのより多くの情報は、例えば、ここで参照により組
み込まれている米国特許ＵＳ５，２９６，８９１および
ＵＳ５，５２３，１９３から収集することができる。
より保持され、第１のオブジェクト・テーブルと呼ばれ
る。このような装置の一例は、粘弾性を持つ制御層およ
び反射面を有するマトリックス・アドレス指定可能表面
である。このような装置の背後にある基本的原理は、
（例えば）反射面のアドレスされた領域は、入射光を回
折光として反射するが、アドレスされていない領域は、
入射光を非回折光として反射するということである。適
切なフィルタを用いると、前記非回折光は回折ビームか
らフィルタされ、後方の回折光のみが残ることができ
る。この方法で、ビームはマトリクス・アドレス指定可
能面のアドレス・パターンに従ってパターン化される。
要求されたマトリクス・アドレシングは適切な電子手段
を用いて行うことができる。このような鏡面アレイにつ
いてのより多くの情報は、例えば、ここで参照により組
み込まれている米国特許ＵＳ５，２９６，８９１および
ＵＳ５，５２３，１９３から収集することができる。
【０００５】第１のオブジェクトと呼ばれる構造により
支持されたプログラマブルＬＣＤアレイ。そのような構
造の一例は、ここで参照により組み込まれている米国特
許ＵＳ５，２２９，８７２で示されている。
支持されたプログラマブルＬＣＤアレイ。そのような構
造の一例は、ここで参照により組み込まれている米国特
許ＵＳ５，２２９，８７２で示されている。
【０００６】単純化のため、本文章の残りの部分は、あ
る位置で、特にマスクを含む例それ自体を指す。しかし
ながら、そのような例の中で議論された一般的な例は上
で述べたようなパターニング手段についてのより広い文
脈で見られるべきである。
る位置で、特にマスクを含む例それ自体を指す。しかし
ながら、そのような例の中で議論された一般的な例は上
で述べたようなパターニング手段についてのより広い文
脈で見られるべきである。
【０００７】リソグラフィ投影装置は、例えば、集積回
路（ＩＣｓ）の製造に使用される。このような場合、パ
ターニング手段は、ＩＣの個々の層に対応する回路パタ
ーンを生成することができ、このパターンは一層の放射
感受性材料（レジスト）をコートされた基板（シリコン
・ウエハ）の上の目標部分（１つまた複数のダイ）上に
結像される。一般に、単一のウエハは、一度に投影シス
テムにより連続的に照射された近接した目標部分の全ネ
ットワークを含む。マスク・テーブル上のマスクによる
パターニングを取り入れた現在の装置では、２つの異な
るタイプの機械の区別をすることができる。１つのタイ
プのリソグラフィ投影装置では、１回に目標部分上の全
マスク・パターンを露光することにより各目標部分が照
射される。このような装置は一般にウエハ・ステッパと
呼ばれる。一般にステップ・アンド・スキャン装置と呼
ばれるもう１つの装置では、各目標部分は、所与の参照
方向（「スキャン」方向）に投影ビームの下のマスク・
パターンを徐々にスキャンする一方、この方向と平行あ
るいは平行でない基板テーブルを同時にスキャンするこ
とにより照射される。一般に、投影システムは倍率Ｍ
（一般に＜１）を有し、基板テーブルがスキャンされる
速度Ｖがマスク・テーブルがスキャンされる速度の係数
Ｍ倍であるからである。ここで説明したリソグラフィ装
置に関するさらなる情報は、例えばここで参照して組み
込んだＵＳ６，０４６，７９２から収集できる。
路（ＩＣｓ）の製造に使用される。このような場合、パ
ターニング手段は、ＩＣの個々の層に対応する回路パタ
ーンを生成することができ、このパターンは一層の放射
感受性材料（レジスト）をコートされた基板（シリコン
・ウエハ）の上の目標部分（１つまた複数のダイ）上に
結像される。一般に、単一のウエハは、一度に投影シス
テムにより連続的に照射された近接した目標部分の全ネ
ットワークを含む。マスク・テーブル上のマスクによる
パターニングを取り入れた現在の装置では、２つの異な
るタイプの機械の区別をすることができる。１つのタイ
プのリソグラフィ投影装置では、１回に目標部分上の全
マスク・パターンを露光することにより各目標部分が照
射される。このような装置は一般にウエハ・ステッパと
呼ばれる。一般にステップ・アンド・スキャン装置と呼
ばれるもう１つの装置では、各目標部分は、所与の参照
方向（「スキャン」方向）に投影ビームの下のマスク・
パターンを徐々にスキャンする一方、この方向と平行あ
るいは平行でない基板テーブルを同時にスキャンするこ
とにより照射される。一般に、投影システムは倍率Ｍ
（一般に＜１）を有し、基板テーブルがスキャンされる
速度Ｖがマスク・テーブルがスキャンされる速度の係数
Ｍ倍であるからである。ここで説明したリソグラフィ装
置に関するさらなる情報は、例えばここで参照して組み
込んだＵＳ６，０４６，７９２から収集できる。
【０００８】本発明によるリソグラフィ投影装置を用い
た製造工程では、マスク内のパターンは一層の放射感受
性材料（レジスト）により少なくとも部分的に覆われた
基板上に結像される。この結像ステップに先立って、基
板は下塗り、レジスト塗布、ソフト・ベーキングなどの
様々な工程を受ける。露光後、基板は露光後焼き付け
（ＰＥＢ）、現像、ハード・ベーキングおよび結像特性
の測定／点検などを受ける。この一連の工程は、ＩＣな
どのデバイスの個々の層をパターニングする基礎として
使用される。このようなパターニングされた層は、その
後イオン注入（ドーピング）、メタライゼーション、酸
化、化学機械的研磨などの、すべてが個々の層を仕上げ
るように意図された全ての様々な工程を受ける。複数の
層が必要な場合、全工程、またはその異型を新しい各層
のために繰り返さなければならないことになる。結局、
デバイスの列は基板（ウエハ）上に存在することにな
る。その後、これらのデバイスはダイシング、ソーイン
グなどの技術により互いから分離され、そこから個々の
デバイスはキャリア上に取付けられ、ピンなどに結合さ
れる。このような工程に関するさらなる情報は、例えば
書籍「Ｍｉｃｒｏｃｈｉｐ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ：
Ａ Ｐｒａｃｔｉｃａｌ Ｇｕｉｄｅ ｔｏＳｅｍｉ
ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ」、第３
版、Ｐｅｔｅｒｖａｎ Ｚａｎｔ著、ＭｃＧｒａｗ Ｈ
ｉｌｌ Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ Ｃｏ．，１９９７，Ｉ
ＳＢＮ ００７−０６７２５０−４から得られる。
た製造工程では、マスク内のパターンは一層の放射感受
性材料（レジスト）により少なくとも部分的に覆われた
基板上に結像される。この結像ステップに先立って、基
板は下塗り、レジスト塗布、ソフト・ベーキングなどの
様々な工程を受ける。露光後、基板は露光後焼き付け
（ＰＥＢ）、現像、ハード・ベーキングおよび結像特性
の測定／点検などを受ける。この一連の工程は、ＩＣな
どのデバイスの個々の層をパターニングする基礎として
使用される。このようなパターニングされた層は、その
後イオン注入（ドーピング）、メタライゼーション、酸
化、化学機械的研磨などの、すべてが個々の層を仕上げ
るように意図された全ての様々な工程を受ける。複数の
層が必要な場合、全工程、またはその異型を新しい各層
のために繰り返さなければならないことになる。結局、
デバイスの列は基板（ウエハ）上に存在することにな
る。その後、これらのデバイスはダイシング、ソーイン
グなどの技術により互いから分離され、そこから個々の
デバイスはキャリア上に取付けられ、ピンなどに結合さ
れる。このような工程に関するさらなる情報は、例えば
書籍「Ｍｉｃｒｏｃｈｉｐ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ：
Ａ Ｐｒａｃｔｉｃａｌ Ｇｕｉｄｅ ｔｏＳｅｍｉ
ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ」、第３
版、Ｐｅｔｅｒｖａｎ Ｚａｎｔ著、ＭｃＧｒａｗ Ｈ
ｉｌｌ Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ Ｃｏ．，１９９７，Ｉ
ＳＢＮ ００７−０６７２５０−４から得られる。
【０００９】屈折光学、反射光学を備えている様々な型
の投影系を含む投影系を以下で「レンズ」と呼ぶ。しか
しながら、この用語は広く、例えば反射屈折系として解
釈されるべきである。放射系は、さらに投影ビームを方
向付ける、形成するまたは制御するためのこれらの法則
のいかなるものにでも従って操作する要素を備え、およ
び、このような要素もまた以下で集合的にまたは特に
「レンズ」と呼ばれる。これに加えて、第１のおよび第
２のオブジェクト・テーブルはそれぞれ「マスク・テー
ブル」、および「基板テーブル」と呼ばれる。
の投影系を含む投影系を以下で「レンズ」と呼ぶ。しか
しながら、この用語は広く、例えば反射屈折系として解
釈されるべきである。放射系は、さらに投影ビームを方
向付ける、形成するまたは制御するためのこれらの法則
のいかなるものにでも従って操作する要素を備え、およ
び、このような要素もまた以下で集合的にまたは特に
「レンズ」と呼ばれる。これに加えて、第１のおよび第
２のオブジェクト・テーブルはそれぞれ「マスク・テー
ブル」、および「基板テーブル」と呼ばれる。
【００１０】一般的に、このタイプの装置は単一の第１
のオブジェクト（マスク）テーブルおよび単一の第２の
オブジェクト（基板）テーブルを含む。しかしながら、
少なくとも２つの独立に移動できる基板テーブルがある
機械が利用可能になりつつある。例えばここで参照によ
り本明細書に組み込まれたＵＳ５，９６９，４４１およ
びＷＯ９８／４０７９１に記載された多段式装置を参照
されたい。このような多段式装置の背後にある基本的な
操作法則は、そのテーブル上に位置した第１の基板を露
光させるために第１の基板テーブルが投影システムの下
にある一方、第２の基板テーブルはローディング位置に
移動して、露光された基板を排出し、新しい基板を拾い
上げ、新しい基板上で初期の測定学ステップを実行し、
第１の基板の露光が完成されてすぐに投影システムの下
の露光位置にこの新しい基板を移動させるために準備す
ることができ、このようにサイクルそれ自体を繰り返
す。この方法により、最後までの機械の実質的な増加
と、代わりに機械の所有のコストの改善を達成すること
ができる。
のオブジェクト（マスク）テーブルおよび単一の第２の
オブジェクト（基板）テーブルを含む。しかしながら、
少なくとも２つの独立に移動できる基板テーブルがある
機械が利用可能になりつつある。例えばここで参照によ
り本明細書に組み込まれたＵＳ５，９６９，４４１およ
びＷＯ９８／４０７９１に記載された多段式装置を参照
されたい。このような多段式装置の背後にある基本的な
操作法則は、そのテーブル上に位置した第１の基板を露
光させるために第１の基板テーブルが投影システムの下
にある一方、第２の基板テーブルはローディング位置に
移動して、露光された基板を排出し、新しい基板を拾い
上げ、新しい基板上で初期の測定学ステップを実行し、
第１の基板の露光が完成されてすぐに投影システムの下
の露光位置にこの新しい基板を移動させるために準備す
ることができ、このようにサイクルそれ自体を繰り返
す。この方法により、最後までの機械の実質的な増加
と、代わりに機械の所有のコストの改善を達成すること
ができる。
【００１１】リソグラフィ投影装置を使用する製造工程
において、マスク中のパターンは、放射感受性材料（レ
ジスト）の層で少なくとも部分的に覆われた基板上に結
像される。この工程についてお互いに関しておよびテー
ブルに関しての両方で高い精度でそれぞれのオブジェク
ト・テーブル上に基板およびマスクを置くことが必要で
ある。
において、マスク中のパターンは、放射感受性材料（レ
ジスト）の層で少なくとも部分的に覆われた基板上に結
像される。この工程についてお互いに関しておよびテー
ブルに関しての両方で高い精度でそれぞれのオブジェク
ト・テーブル上に基板およびマスクを置くことが必要で
ある。
【００１２】基板１のようなオブジェクト（図２を参
照）が、基板テーブル５のようにオブジェクト・テーブ
ル上の正しい回転位置に置かれない場合、それに続く基
板１のマスクへの整合の間、位置測定誤差が生じる。整
合の間、基板１はマスクと同じ回転方向にされ、そのた
めに基板テーブル５を回転させることが必要である。セ
ンサ・システム７に使用される干渉計９はこの回転に敏
感であり、テーブル５上の側鏡に横方向にあたるレーザ
・ビーム１１を用いて測定された方向の誤差を与える。
前記誤差はいわゆるビーム・ポイント誤差であり、テー
ブル５の回転の増加に伴い一般に増加する。このように
起こる測定誤差は、基板１上の連続する層に露光される
と同時に発生する２つの結像のスーパー位置決めの誤差
として与えることができる。この同時に発生する２つの
結像のスーパー位置決めの誤差は、一般にオーバーレイ
誤差と呼ばれる。
照）が、基板テーブル５のようにオブジェクト・テーブ
ル上の正しい回転位置に置かれない場合、それに続く基
板１のマスクへの整合の間、位置測定誤差が生じる。整
合の間、基板１はマスクと同じ回転方向にされ、そのた
めに基板テーブル５を回転させることが必要である。セ
ンサ・システム７に使用される干渉計９はこの回転に敏
感であり、テーブル５上の側鏡に横方向にあたるレーザ
・ビーム１１を用いて測定された方向の誤差を与える。
前記誤差はいわゆるビーム・ポイント誤差であり、テー
ブル５の回転の増加に伴い一般に増加する。このように
起こる測定誤差は、基板１上の連続する層に露光される
と同時に発生する２つの結像のスーパー位置決めの誤差
として与えることができる。この同時に発生する２つの
結像のスーパー位置決めの誤差は、一般にオーバーレイ
誤差と呼ばれる。
【００１３】ビーム・ポイント誤差は鏡面の干渉計ビー
ムへの直角性の不一致に起因する。図３ａは、鏡Ｔに向
けられた光線を用いて、干渉計Ｉと鏡Ｔとの間の距離Ｌ
を測定する干渉計Ｉを示す。ここに描いたように、鏡Ｔ
は、名目上の入射ビームに関してｄＳ回転され、その結
果、入射ビームと反射ビームとの間の角は、２ｄＳであ
る。その場合、干渉計ビームの全長は、Ｂ＝Ｌ＋Ｌ／
（ｃｏｓ ２ｄＳ）である。したがって、距離Ｌは干渉
計Ｉにより測定された全長Ｂと既知の回転ｄＳから計算
できる。最適には、干渉計ビームは所与の参照座標系の
Ｘ方向と平行になるように方向付けられる。しかしなが
ら、熱不安定性および機械的な作用などの要素により、
ビーム・ポイント誤差と呼ばれるこの平行性からの一時
的なずれが起こる。図３ｂは、回転ｄＳ＝０でのビーム
・ポイント誤差ｄＥを示す。ビームの全長は、Ｂ＝Ｌ／
（ｃｏｓ ｄＥ）＋Ｌ／（ｃｏｓ ｄＥ）である。この
定式は、小さなビーム・ポイント誤差ｄＥについては、
全ビーム長に与える影響は小さいが、鏡ＴがｄＳ回転し
た場合ビームポイントの誤差の影響は増加することを示
す。図３ｃは、図３ｂの誤差ｄＥおよび図３ａの回転ｄ
Ｓを結合する。ビームの全長は、Ｂ＝Ｌ／（ｃｏｓ ｄ
Ｅ）＋Ｌ／ｃｏｓ（ｄＥ＋２ｄＳ）である。この関数を
微分し、ｄＥおよびｄＳに微小角近似を適用して（ｄＥ
は一般に５〜１００μｒａｄ程度である）、ｄＢ／ｄＥ
≒Ｌ＊ｄＳ＊ｄＥという式が得られる。これにより、か
なり高いｄＳの値にとっては、Ｂのビーム・ポイント誤
差ｄＥへの敏感性が増加することが明らかになる。
ムへの直角性の不一致に起因する。図３ａは、鏡Ｔに向
けられた光線を用いて、干渉計Ｉと鏡Ｔとの間の距離Ｌ
を測定する干渉計Ｉを示す。ここに描いたように、鏡Ｔ
は、名目上の入射ビームに関してｄＳ回転され、その結
果、入射ビームと反射ビームとの間の角は、２ｄＳであ
る。その場合、干渉計ビームの全長は、Ｂ＝Ｌ＋Ｌ／
（ｃｏｓ ２ｄＳ）である。したがって、距離Ｌは干渉
計Ｉにより測定された全長Ｂと既知の回転ｄＳから計算
できる。最適には、干渉計ビームは所与の参照座標系の
Ｘ方向と平行になるように方向付けられる。しかしなが
ら、熱不安定性および機械的な作用などの要素により、
ビーム・ポイント誤差と呼ばれるこの平行性からの一時
的なずれが起こる。図３ｂは、回転ｄＳ＝０でのビーム
・ポイント誤差ｄＥを示す。ビームの全長は、Ｂ＝Ｌ／
（ｃｏｓ ｄＥ）＋Ｌ／（ｃｏｓ ｄＥ）である。この
定式は、小さなビーム・ポイント誤差ｄＥについては、
全ビーム長に与える影響は小さいが、鏡ＴがｄＳ回転し
た場合ビームポイントの誤差の影響は増加することを示
す。図３ｃは、図３ｂの誤差ｄＥおよび図３ａの回転ｄ
Ｓを結合する。ビームの全長は、Ｂ＝Ｌ／（ｃｏｓ ｄ
Ｅ）＋Ｌ／ｃｏｓ（ｄＥ＋２ｄＳ）である。この関数を
微分し、ｄＥおよびｄＳに微小角近似を適用して（ｄＥ
は一般に５〜１００μｒａｄ程度である）、ｄＢ／ｄＥ
≒Ｌ＊ｄＳ＊ｄＥという式が得られる。これにより、か
なり高いｄＳの値にとっては、Ｂのビーム・ポイント誤
差ｄＥへの敏感性が増加することが明らかになる。
【００１４】鏡Ｔの回転位置の誤差（すなわち図２の基
板テーブル５の横に取り付けられた場合）もまた測定距
離に影響するという問題はさらに示される。この誤差の
影響は、ビーム・ポイント誤差より２倍大きい。図３ａ
示したように、鏡の回転は反射ビームの方向に２倍の影
響を持つからである。鏡の回転中の誤差ｄＥmは、式ｄ
Ｂ／ｄＥm≒２＊Ｌ＊ｄＳ＊ｄＥmに従って測定されたビ
ームの全長Ｂに影響を持つ。かなり高いｄＳの値につい
て、鏡Ｔの回転位置の誤差ｄＥmへの敏感性が増加する
ことは明らかである。
板テーブル５の横に取り付けられた場合）もまた測定距
離に影響するという問題はさらに示される。この誤差の
影響は、ビーム・ポイント誤差より２倍大きい。図３ａ
示したように、鏡の回転は反射ビームの方向に２倍の影
響を持つからである。鏡の回転中の誤差ｄＥmは、式ｄ
Ｂ／ｄＥm≒２＊Ｌ＊ｄＳ＊ｄＥmに従って測定されたビ
ームの全長Ｂに影響を持つ。かなり高いｄＳの値につい
て、鏡Ｔの回転位置の誤差ｄＥmへの敏感性が増加する
ことは明らかである。
【００１５】両誤差は、一次元の誤差として示される。
しかしながら、実際には、これらの誤差は二次元である
ので、誤差は図３ａ〜３ｃ（示された）の平面内に、さ
らに前記平面に垂直な方向中にある可能性がある。同様
の考察を図２中のオブジェクト１がマスクである、およ
びオブジェクト・テーブル５がマスク・テーブルである
場合に適用する。
しかしながら、実際には、これらの誤差は二次元である
ので、誤差は図３ａ〜３ｃ（示された）の平面内に、さ
らに前記平面に垂直な方向中にある可能性がある。同様
の考察を図２中のオブジェクト１がマスクである、およ
びオブジェクト・テーブル５がマスク・テーブルである
場合に適用する。
【００１６】ビーム・ポイント誤差に起因する問題とは
別にオブジェクトが各オブジェクト・テーブル上に誤っ
て配置される場合にさらなる問題が発生する。図４ａ
は、真空生成表面１３上に正しく配置された基板１を示
す。基板１は、真空生成表面１３の境界１５と基板１の
縁部２との間の小さな重なりのみで、真空生成表面１３
全体を覆う。真空源１７からの真空化が、基板１上に真
空力Ｆを発生させる真空分散手段１９および真空チャン
バ２１により真空生成表面１３に適用される。
別にオブジェクトが各オブジェクト・テーブル上に誤っ
て配置される場合にさらなる問題が発生する。図４ａ
は、真空生成表面１３上に正しく配置された基板１を示
す。基板１は、真空生成表面１３の境界１５と基板１の
縁部２との間の小さな重なりのみで、真空生成表面１３
全体を覆う。真空源１７からの真空化が、基板１上に真
空力Ｆを発生させる真空分散手段１９および真空チャン
バ２１により真空生成表面１３に適用される。
【００１７】図４ｂは、真空生成表面１３上に不正確に
配置された基板１を示す。基板１は真空生成表面１３全
体を覆うが一端で、基板１の縁部２と真空生成表面１３
の境界１５との間に多すぎる重なりが生じる。前記一端
で、縁部２により小さい真空力Ｆが適用される。基板１
は、特に縁部２で変形する可能性がある。基板上の露光
は、非平面な縁部上での結像の変形のために失敗する可
能性がある。
配置された基板１を示す。基板１は真空生成表面１３全
体を覆うが一端で、基板１の縁部２と真空生成表面１３
の境界１５との間に多すぎる重なりが生じる。前記一端
で、縁部２により小さい真空力Ｆが適用される。基板１
は、特に縁部２で変形する可能性がある。基板上の露光
は、非平面な縁部上での結像の変形のために失敗する可
能性がある。
【００１８】図４ｃは、また真空生成表面１３上に不正
確に配置された基板１を示す。基板１は真空生成表面１
３全体を覆わないので空気Ａが真空チャンバ２１内に入
り真空力Ｆが最適よりも小さくなる。露光中に、悪く付
着された基板１は、真空生成表面１３上を移動する可能
性があり、悪い露光を生じさせる。基板１が全体的に緩
くなると、基板１が真空生成表面１３から離れ、また周
辺の装置を破損する可能性がある。同様の考慮が基板１
がオブジェクト・テーブル５上に静電気力により保持さ
れる場合に当てはまる。本発明が真空中で使用される装
置に適用される場合に後者は必要かもしれない。
確に配置された基板１を示す。基板１は真空生成表面１
３全体を覆わないので空気Ａが真空チャンバ２１内に入
り真空力Ｆが最適よりも小さくなる。露光中に、悪く付
着された基板１は、真空生成表面１３上を移動する可能
性があり、悪い露光を生じさせる。基板１が全体的に緩
くなると、基板１が真空生成表面１３から離れ、また周
辺の装置を破損する可能性がある。同様の考慮が基板１
がオブジェクト・テーブル５上に静電気力により保持さ
れる場合に当てはまる。本発明が真空中で使用される装
置に適用される場合に後者は必要かもしれない。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
の問題を少なくとも部分的に緩和することである。した
がって、本発明は開始パラグラフに従ったリソグラフィ
投影装置のオブジェクト・テーブル上の要求された位置
にオブジェクトを置く方法であって、オブジェクトをテ
ーブル上の第１の位置に置く第１の配置ステップと、オ
ブジェクトの第１の位置とオブジェクトの要求された位
置との間の変位を決定する測定ステップと、オブジェク
トをテーブルから外し、除去する除去ステップと、テー
ブルの平面に実質的に平行な方向に、オブジェクトとテ
ーブルを互いに相対的に、実質的に前記変位だけ移動す
る移動ステップと、オブジェクトを実質的にテーブル上
の要求された位置に置く第２の配置ステップを備えてい
ることを特徴とする方法を提供する。
の問題を少なくとも部分的に緩和することである。した
がって、本発明は開始パラグラフに従ったリソグラフィ
投影装置のオブジェクト・テーブル上の要求された位置
にオブジェクトを置く方法であって、オブジェクトをテ
ーブル上の第１の位置に置く第１の配置ステップと、オ
ブジェクトの第１の位置とオブジェクトの要求された位
置との間の変位を決定する測定ステップと、オブジェク
トをテーブルから外し、除去する除去ステップと、テー
ブルの平面に実質的に平行な方向に、オブジェクトとテ
ーブルを互いに相対的に、実質的に前記変位だけ移動す
る移動ステップと、オブジェクトを実質的にテーブル上
の要求された位置に置く第２の配置ステップを備えてい
ることを特徴とする方法を提供する。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明の方法は、マスク
および基板が整合中に同じ回転方向にされる場合、テー
ブルの要求された回転の使用された干渉計システムに関
する回転が制限されるように、基板またはマスクなどの
オブジェクトを高い精度で、基板テーブルまたはマスク
・テーブルなどのオブジェクト・テーブル上に位置決め
することを可能にする。オブジェクト・テーブルの鏡面
の干渉計ビームに対する直角度が増すと、ビーム・ポイ
ント誤差およびオブジェクト・テーブルの鏡面の回転位
置誤差の敏感性が減少する。本発明の別の利点は、オブ
ジェクトが真空生成表面上によりよく位置決めされると
いうことである。オブジェクトの変形は回避され、ま
た、結像の露光が改善されることになる。またオブジェ
クトが真空生成表面全体を覆わないという危険は、オブ
ジェクトのテーブルへのよりよい位置決めによって減少
される。
および基板が整合中に同じ回転方向にされる場合、テー
ブルの要求された回転の使用された干渉計システムに関
する回転が制限されるように、基板またはマスクなどの
オブジェクトを高い精度で、基板テーブルまたはマスク
・テーブルなどのオブジェクト・テーブル上に位置決め
することを可能にする。オブジェクト・テーブルの鏡面
の干渉計ビームに対する直角度が増すと、ビーム・ポイ
ント誤差およびオブジェクト・テーブルの鏡面の回転位
置誤差の敏感性が減少する。本発明の別の利点は、オブ
ジェクトが真空生成表面上によりよく位置決めされると
いうことである。オブジェクトの変形は回避され、ま
た、結像の露光が改善されることになる。またオブジェ
クトが真空生成表面全体を覆わないという危険は、オブ
ジェクトのテーブルへのよりよい位置決めによって減少
される。
【００２１】測定ステップは第１のマークをオブジェク
トに関する既知の位置で第２のマークに対して整合する
ことにより達成することができる。整合は、第２のマー
クが、オブジェクトが置かれ、オブジェクトの要求され
た位置に関する既知の位置を有するオブジェクト・テー
ブル上に（すなわち信頼された形で）位置するように行
われる。もう１つの可能性は、オブジェクトが１つのオ
ブジェクト・テーブル上に位置すること、第２のマーク
がもう１つのオブジェクト・テーブル上に位置すること
である。アライメントは、また第１のマークが基板上に
あり第２のマークがマスク上にあるように、または他の
方法により行われる。有利なことに、オブジェクト上の
複数の第１のマークを複数の第２のマークに整合するこ
とができる。測定ステップはまたテーブル上のオブジェ
クトの第１の位置に関する情報を得るのに結像手段を使
用して達成することができる。前記結像手段はカメラ・
システムあるいはＣＣＤアレイである可能性があり、テ
ーブル上のオブジェクトの第１の位置を必要な精度で測
定することができる。このように得られたテーブル上の
オブジェクトの第１の位置についての情報は、テーブル
上のオブジェクトの要求された位置を考慮した情報とと
もに、前記変位を計算するための計算手段で処理するこ
とができる。テーブル上のオブジェクトの前記要求され
た位置は前もって決定し、必要時に検索できるメモリ装
置に格納することができる。前記変位はテーブルの真空
生成表面の平面内で線形であるおよび／または前記表面
の垂直軸の回りに角度を持つ可能性がある。オブジェク
トは、例えばハンドラ・アーム上の真空クランプ手段の
援助によってオブジェクト・テーブル上に置かれること
がある。
トに関する既知の位置で第２のマークに対して整合する
ことにより達成することができる。整合は、第２のマー
クが、オブジェクトが置かれ、オブジェクトの要求され
た位置に関する既知の位置を有するオブジェクト・テー
ブル上に（すなわち信頼された形で）位置するように行
われる。もう１つの可能性は、オブジェクトが１つのオ
ブジェクト・テーブル上に位置すること、第２のマーク
がもう１つのオブジェクト・テーブル上に位置すること
である。アライメントは、また第１のマークが基板上に
あり第２のマークがマスク上にあるように、または他の
方法により行われる。有利なことに、オブジェクト上の
複数の第１のマークを複数の第２のマークに整合するこ
とができる。測定ステップはまたテーブル上のオブジェ
クトの第１の位置に関する情報を得るのに結像手段を使
用して達成することができる。前記結像手段はカメラ・
システムあるいはＣＣＤアレイである可能性があり、テ
ーブル上のオブジェクトの第１の位置を必要な精度で測
定することができる。このように得られたテーブル上の
オブジェクトの第１の位置についての情報は、テーブル
上のオブジェクトの要求された位置を考慮した情報とと
もに、前記変位を計算するための計算手段で処理するこ
とができる。テーブル上のオブジェクトの前記要求され
た位置は前もって決定し、必要時に検索できるメモリ装
置に格納することができる。前記変位はテーブルの真空
生成表面の平面内で線形であるおよび／または前記表面
の垂直軸の回りに角度を持つ可能性がある。オブジェク
トは、例えばハンドラ・アーム上の真空クランプ手段の
援助によってオブジェクト・テーブル上に置かれること
がある。
【００２２】精度を増加させるためには、オブジェクト
がテーブル上の要求された位置上にあるまで、方法を繰
り返すことが必要となる。
がテーブル上の要求された位置上にあるまで、方法を繰
り返すことが必要となる。
【００２３】本発明は、また基板を基板テーブル上の要
求された位置に位置決めする方法であって、基板をテー
ブル上の第１の位置に置く第１の配置ステップと、基板
の第１の位置と基板の要求された位置との間の変位を決
定する測定ステップと、基板をテーブルから外し、除去
する除去ステップと、テーブルの平面に実質的に平行な
方向に、基板とテーブルを互いに相対的に、実質的に前
記変位だけ移動する移動ステップと、基板を実質的にテ
ーブル上の要求された位置に置く第２の配置ステップを
備えていることを特徴とする方法に関する。
求された位置に位置決めする方法であって、基板をテー
ブル上の第１の位置に置く第１の配置ステップと、基板
の第１の位置と基板の要求された位置との間の変位を決
定する測定ステップと、基板をテーブルから外し、除去
する除去ステップと、テーブルの平面に実質的に平行な
方向に、基板とテーブルを互いに相対的に、実質的に前
記変位だけ移動する移動ステップと、基板を実質的にテ
ーブル上の要求された位置に置く第２の配置ステップを
備えていることを特徴とする方法に関する。
【００２４】本発明はまた、（ａ）少なくとも部分的に
放射感受性材料の層に覆われた基板を有する第２のオブ
ジェクト・テーブルを備えているステップと、（ｂ）投
影ビームにその断面におけるパターンを与えるパターニ
ング手段を使用するステップと、（ｃ）放射感受性材料
の層の目標部分にパターニングビームを投影するステッ
プを含んでいるデバイス製造方法であって、ステップ
（ｃ）の前に、基板を第２のオブジェクト・テーブル上
の第１の位置に置く第１の配置ステップと、基板の第１
の位置と基板の要求された位置との間の変位を決定する
測定ステップと、基板を第２のオブジェクト・テーブル
から外し、除去する除去ステップと、第２のオブジェク
ト・テーブルの平面に実質的に平行な方向に、基板と第
２のオブジェクト・テーブルを互いに相対的に、実質的
に前記変位だけ移動する移動ステップと、基板を実質的
に第２のオブジェクト・テーブル上の要求された位置に
置く第２の配置ステップとが実行されるデバイス製造方
法に関する。
放射感受性材料の層に覆われた基板を有する第２のオブ
ジェクト・テーブルを備えているステップと、（ｂ）投
影ビームにその断面におけるパターンを与えるパターニ
ング手段を使用するステップと、（ｃ）放射感受性材料
の層の目標部分にパターニングビームを投影するステッ
プを含んでいるデバイス製造方法であって、ステップ
（ｃ）の前に、基板を第２のオブジェクト・テーブル上
の第１の位置に置く第１の配置ステップと、基板の第１
の位置と基板の要求された位置との間の変位を決定する
測定ステップと、基板を第２のオブジェクト・テーブル
から外し、除去する除去ステップと、第２のオブジェク
ト・テーブルの平面に実質的に平行な方向に、基板と第
２のオブジェクト・テーブルを互いに相対的に、実質的
に前記変位だけ移動する移動ステップと、基板を実質的
に第２のオブジェクト・テーブル上の要求された位置に
置く第２の配置ステップとが実行されるデバイス製造方
法に関する。
【００２５】上記でＩＣ製造において本発明による装置
の使用について特定の参照が行われるが、このような装
置が他の多くの可能な適用例を持つことが明らかに理解
されるべきである。例えば、集積光学装置、磁気ドメイ
ン・メモリの誘導および検知パターン、液晶ディスプレ
イ・パネル、薄膜磁気ヘッドなどの製造に採用すること
ができる。このような別法の適用例の文脈において、本
文中の「レチクル」、「ウエハ」、「ダイ」という用語
の任意の使用は、それぞれより一般的な用語「マス
ク」、「基板」、「目標領域」に置き換えて考慮される
べきであることを当業者には理解されたい。
の使用について特定の参照が行われるが、このような装
置が他の多くの可能な適用例を持つことが明らかに理解
されるべきである。例えば、集積光学装置、磁気ドメイ
ン・メモリの誘導および検知パターン、液晶ディスプレ
イ・パネル、薄膜磁気ヘッドなどの製造に採用すること
ができる。このような別法の適用例の文脈において、本
文中の「レチクル」、「ウエハ」、「ダイ」という用語
の任意の使用は、それぞれより一般的な用語「マス
ク」、「基板」、「目標領域」に置き換えて考慮される
べきであることを当業者には理解されたい。
【００２６】本発明およびその利点は例示の実施形態お
よび付随する概略図の援助によりさらに明らかにされる
であろう。
よび付随する概略図の援助によりさらに明らかにされる
であろう。
【００２７】
【発明の実施の形態】実施形態１ 図１は、本発明によ
るリソグラフィ投影装置の概略を示す。装置は以下のも
のを備えている。紫外線（例えば、３６５ｎｍ、２４８
ｎｍ、１９３ｎｍまたは１５７ｎｍの波長）ＥＵＶ、Ｘ
線、電子、イオンなどの放射投影ビームＰＢを供給する
放射システムＥｘ，ＩＮ，ＣＯ；マスクＭＡ（レチクル
など）を保持するためのマスク・ホルダを備えている第
１のオブジェクト・テーブル（マスク・テーブル）Ｍ
Ｔ；基板Ｗ（レジストを塗布されたシリコン・ウエハな
ど）を保持するための基板ホルダを備えた第２のオブジ
ェクト・テーブル（基板テーブル）ＷＴ；基板Ｗの目標
部分Ｃ（ダイ）上にマスクＭＡの照射された部分を結像
するための投影システムＰＬ（レンズまたは反射屈折
（ｃａｔａｄｉｏｐｔｒｉｃ）システム、ミラー・グル
ープまたは電界デフレクタの列など）：ここに示すよう
に、装置は反射要素を備えている。しかしながら、別法
として１つまたは複数の反射要素をそなえてもよい。
るリソグラフィ投影装置の概略を示す。装置は以下のも
のを備えている。紫外線（例えば、３６５ｎｍ、２４８
ｎｍ、１９３ｎｍまたは１５７ｎｍの波長）ＥＵＶ、Ｘ
線、電子、イオンなどの放射投影ビームＰＢを供給する
放射システムＥｘ，ＩＮ，ＣＯ；マスクＭＡ（レチクル
など）を保持するためのマスク・ホルダを備えている第
１のオブジェクト・テーブル（マスク・テーブル）Ｍ
Ｔ；基板Ｗ（レジストを塗布されたシリコン・ウエハな
ど）を保持するための基板ホルダを備えた第２のオブジ
ェクト・テーブル（基板テーブル）ＷＴ；基板Ｗの目標
部分Ｃ（ダイ）上にマスクＭＡの照射された部分を結像
するための投影システムＰＬ（レンズまたは反射屈折
（ｃａｔａｄｉｏｐｔｒｉｃ）システム、ミラー・グル
ープまたは電界デフレクタの列など）：ここに示すよう
に、装置は反射要素を備えている。しかしながら、別法
として１つまたは複数の反射要素をそなえてもよい。
【００２８】別法として、装置は上述のタイプのプログ
ラマブル・ミラー・アレイなどの他の種類のパターニン
グ手段を採用してもよい。
ラマブル・ミラー・アレイなどの他の種類のパターニン
グ手段を採用してもよい。
【００２９】光源ＬＡ（水銀ランプ、エキシマ・レー
ザ、熱イオン銃、イオン光源、電子ビーム光源、または
ストレージ・リングまたはシンクロトロン内の電子ビー
ムの通過路まわりに位置する振動子／波動子など）は放
射ビームを供給する。このビームは、直接にまたは調節
手段（例えばビーム・エキスパンダＥｘなど）を横切っ
た後に照明システム（イルミネータ）に供給される。イ
ルミネータは、外部のおよび／または内部の放射範囲
（普通σアウタおよびσインナと呼ばれる）のビームの
強さ分布を設定する調節手段を備えてもよい。それに加
えて、一般に積分器ＩＮおよびコンデンサＣＯなどの様
々な他の要素を備えている。このようにして、マスクＭ
Ａ上に衝突するビームＰＢは、その断面における所望の
均一性および強さ分布を有する。
ザ、熱イオン銃、イオン光源、電子ビーム光源、または
ストレージ・リングまたはシンクロトロン内の電子ビー
ムの通過路まわりに位置する振動子／波動子など）は放
射ビームを供給する。このビームは、直接にまたは調節
手段（例えばビーム・エキスパンダＥｘなど）を横切っ
た後に照明システム（イルミネータ）に供給される。イ
ルミネータは、外部のおよび／または内部の放射範囲
（普通σアウタおよびσインナと呼ばれる）のビームの
強さ分布を設定する調節手段を備えてもよい。それに加
えて、一般に積分器ＩＮおよびコンデンサＣＯなどの様
々な他の要素を備えている。このようにして、マスクＭ
Ａ上に衝突するビームＰＢは、その断面における所望の
均一性および強さ分布を有する。
【００３０】図１に関して、光源ＬＡは、リソグラフ投
影装置のハウジング内にあるかもしれないが（例えば多
くの場合光源ＬＡが水銀ランプである）、リソグラフ投
影装置から離れていて、その発生する放射ビームが装置
内に導かれるかもしれない（適切に鏡を方向付けするた
めに）ということに注意するべきである；この後者のシ
ナリオは、多くの場合光源ＬＡがエキシマーレーザであ
る。本発明および請求の範囲はこれらのシナリオを両方
とも包含する。
影装置のハウジング内にあるかもしれないが（例えば多
くの場合光源ＬＡが水銀ランプである）、リソグラフ投
影装置から離れていて、その発生する放射ビームが装置
内に導かれるかもしれない（適切に鏡を方向付けするた
めに）ということに注意するべきである；この後者のシ
ナリオは、多くの場合光源ＬＡがエキシマーレーザであ
る。本発明および請求の範囲はこれらのシナリオを両方
とも包含する。
【００３１】ビームＰＢは、実質的にマスク・テーブル
ＭＴ上のマスク・ホルダーに保持されたマスクＭＡを遮
断する。ビームＰＢはマスクＭＡを通過して、基板Ｗの
目標領域Ｃ上にビームＰＢの焦点を合わせる投影システ
ムＰＬを通過する。干渉変位測定手段ＩＦの援助によ
り、正確に、すなわち異なる目標領域ＣをビームＰＢの
通り道に位置付けるように基板テーブルＷＴを動かすこ
とができる。同様に、マスク・テーブルＭＴをビームＰ
Ｂに関して極めて正確に位置付けることができる。一般
に、オブジェクト・テーブルＭＴ、ＷＴの移動は、図１
で図により説明されていない、長ストローク・モジュー
ル（コース位置決め）および短ストローク・モジュール
（ファイン位置決め）の援助により実現されることにな
る。図示された装置は異なる２つのモードで使用でき
る。ステップ・モードでは、マスク・テーブルＭＴは実
質的に静止しつづけ、次いで目標部分Ｃ上に１回の実行
（すなわち、単一の「フラッシュ）で全マスク・イメー
ジが投影される。基板テーブルＷＴはその後異なる目標
部分Ｃが（静止した）ビームＰＢにより照射されること
ができるようにＸおよび／またはＹ方向に移動される。
スキャン・モードでは、所与の目標部分Ｃが単一の「フ
ラッシュ」に露光される以外は実質的に同じシナリオが
あてはまる。代わりに、マスク・テーブルＭＴは投影ビ
ームＰＢがマスク・イメージ上のスキャンによるよう
に、所与の方向（いわゆる「スキャン方向」、すなわち
Ｘ方向に）速度νで移動できる。同時に、基板テーブル
ＷＴは同時に同じまたは反対の方向に速度Ｖ＝Ｍνで移
動する。ここで、Ｍは投影システムＰＬの大きさ（一般
にＭ＝１／４または１／５）である。この方法で、かな
り大きな目標部分Ｃが解像度を損なうことなしに露光さ
れることができる。
ＭＴ上のマスク・ホルダーに保持されたマスクＭＡを遮
断する。ビームＰＢはマスクＭＡを通過して、基板Ｗの
目標領域Ｃ上にビームＰＢの焦点を合わせる投影システ
ムＰＬを通過する。干渉変位測定手段ＩＦの援助によ
り、正確に、すなわち異なる目標領域ＣをビームＰＢの
通り道に位置付けるように基板テーブルＷＴを動かすこ
とができる。同様に、マスク・テーブルＭＴをビームＰ
Ｂに関して極めて正確に位置付けることができる。一般
に、オブジェクト・テーブルＭＴ、ＷＴの移動は、図１
で図により説明されていない、長ストローク・モジュー
ル（コース位置決め）および短ストローク・モジュール
（ファイン位置決め）の援助により実現されることにな
る。図示された装置は異なる２つのモードで使用でき
る。ステップ・モードでは、マスク・テーブルＭＴは実
質的に静止しつづけ、次いで目標部分Ｃ上に１回の実行
（すなわち、単一の「フラッシュ）で全マスク・イメー
ジが投影される。基板テーブルＷＴはその後異なる目標
部分Ｃが（静止した）ビームＰＢにより照射されること
ができるようにＸおよび／またはＹ方向に移動される。
スキャン・モードでは、所与の目標部分Ｃが単一の「フ
ラッシュ」に露光される以外は実質的に同じシナリオが
あてはまる。代わりに、マスク・テーブルＭＴは投影ビ
ームＰＢがマスク・イメージ上のスキャンによるよう
に、所与の方向（いわゆる「スキャン方向」、すなわち
Ｘ方向に）速度νで移動できる。同時に、基板テーブル
ＷＴは同時に同じまたは反対の方向に速度Ｖ＝Ｍνで移
動する。ここで、Ｍは投影システムＰＬの大きさ（一般
にＭ＝１／４または１／５）である。この方法で、かな
り大きな目標部分Ｃが解像度を損なうことなしに露光さ
れることができる。
【００３２】図５は、本発明によるオブジェクト・テー
ブルの好ましい一実施形態を示す。図から、次の項目を
見ることができる。 縁部２を有する基板（ウエハ）１ 真空隙間２４により境界１５を有する真空生成表面１３
に接続された真空チャンバ２１を備えている基板テーブ
ル５。アクチュエータ２７、中空チューブ２９および基
板１を配置し、保持し、取り上げる真空クランプ手段３
１を備えているハンドラ２５であって、テーブル隙間３
０を通り可動である前記ハンドラ２５。柔軟な真空チュ
ーブ２０によりハンドラ２５または真空チャンバ２１に
真空を適用するための真空源１７および真空配置手段１
９。およびテーブル５を動かすための、ベース・フレー
ム３５に接続されたテーブル・アクチュエータ３３。
ブルの好ましい一実施形態を示す。図から、次の項目を
見ることができる。 縁部２を有する基板（ウエハ）１ 真空隙間２４により境界１５を有する真空生成表面１３
に接続された真空チャンバ２１を備えている基板テーブ
ル５。アクチュエータ２７、中空チューブ２９および基
板１を配置し、保持し、取り上げる真空クランプ手段３
１を備えているハンドラ２５であって、テーブル隙間３
０を通り可動である前記ハンドラ２５。柔軟な真空チュ
ーブ２０によりハンドラ２５または真空チャンバ２１に
真空を適用するための真空源１７および真空配置手段１
９。およびテーブル５を動かすための、ベース・フレー
ム３５に接続されたテーブル・アクチュエータ３３。
【００３３】第１の配置ステップにおいて、基板１は基
板移動手段により（基板移動手段に関するより多くの情
報は欧州特許出願ＥＰ１０５２５４６から収集でき
る。）ハンドラ２５の真空クランプ手段３１上に置かれ
る。真空源１７と真空クランプ手段３１とを中空チュー
ブ２９および柔軟な真空チューブ２０で接続する真空分
配手段１９内のバルブを開けることにより、真空クラン
プ手段３１に真空が適用される。真空は、基板１を真空
クランプ手段３１に吸引し、そこで基板移動手段は基板
１から解放され、引きこまれる。アクチュエータ２７
は、ハンドラ２５および基板１を真空生成手段１３へと
低下させ、真空分配手段１９内のバルブを開けることに
より、真空隙間２４および真空チャンバ２１により前記
表面に真空が適用される。この真空は基板を基板テーブ
ル５上の真空生成手段１３に固定する基板１への真空力
を適用することになる。真空クランプ手段３１上の真空
は真空分配手段１９内で緩和され（圧力はテーブルの周
囲の圧力に上げられる）、ハンドラ２５は、アクチュエ
ータ２７によりさらに低下される。ハンドラ２５は、テ
ーブル５の外から全体に動くことができるか、またはハ
ンドラ２５はテーブル５の少し下に動き次いで内部に留
まる。
板移動手段により（基板移動手段に関するより多くの情
報は欧州特許出願ＥＰ１０５２５４６から収集でき
る。）ハンドラ２５の真空クランプ手段３１上に置かれ
る。真空源１７と真空クランプ手段３１とを中空チュー
ブ２９および柔軟な真空チューブ２０で接続する真空分
配手段１９内のバルブを開けることにより、真空クラン
プ手段３１に真空が適用される。真空は、基板１を真空
クランプ手段３１に吸引し、そこで基板移動手段は基板
１から解放され、引きこまれる。アクチュエータ２７
は、ハンドラ２５および基板１を真空生成手段１３へと
低下させ、真空分配手段１９内のバルブを開けることに
より、真空隙間２４および真空チャンバ２１により前記
表面に真空が適用される。この真空は基板を基板テーブ
ル５上の真空生成手段１３に固定する基板１への真空力
を適用することになる。真空クランプ手段３１上の真空
は真空分配手段１９内で緩和され（圧力はテーブルの周
囲の圧力に上げられる）、ハンドラ２５は、アクチュエ
ータ２７によりさらに低下される。ハンドラ２５は、テ
ーブル５の外から全体に動くことができるか、またはハ
ンドラ２５はテーブル５の少し下に動き次いで内部に留
まる。
【００３４】この第１の配置ステップの後に測定ステッ
プが続く。そのステップで、テーブル５上の基板１の位
置が測定され、この基板の第１の位置とテーブル５上の
基板１の要求された位置との間の変位が決定される。こ
れは、基板１上の１つ以上のマークのテーブル５上の１
つ以上の参照マークに対する位置を測定するオフアクシ
ス・アライメント・ユニット（オフアクシス・アライメ
ントに関するさらなる情報は、例えば国際特許出願ＷＯ
９８／３９６８９から収集できる。）で行われる。これ
は、テーブル５上の基板１の第１の位置に関する極めて
正確な情報を提供する。計算ユニット（示されていな
い）が基板１の前記第１の位置と基板１の要求された位
置との間の変位を計算できる。テーブル上の基板の要求
された位置は、あらかじめ測定され、メモリ・デバイス
に格納される。この要求された位置で、干渉計ビームは
基板テーブル５の側部につけられた鏡（示されていな
い）に垂直に向けられ、基板１は基板テーブル５の真空
生成手段上に正確に配置される。他の可能性は、基板１
上の１つ以上のマークがマスク上の１つ以上のマークに
整合させられることである。この手順、ならびにいわゆ
るオンアクシス・アライメント（オンアクシス・アライ
メントに関するさらなる情報は、例えばＵＳ４，７７
８，２７５を参照）の間、マスクを保持するテーブルを
回転しおよび／または基板テーブル５を回転してマスク
および基板を同じ回転方向に持っていくことが必要とな
る。干渉計はこの回転を極めて正確に測定し、計算ユニ
ットにマスクに関する基板の位置についての情報を提供
し、第１の位置と要求された位置との間の変位が決定さ
れることができる。オンアクシス・アライメント手段に
より、基板上のマークをマスク・テーブル上のマークに
整合し、マスク上のマークを基板テーブル上に位置する
マークに整合することもまた可能である。別法として、
カメラなどの結像手段がテーブル上の基板の第１の位置
に情報を計算ユニットに伝える。
プが続く。そのステップで、テーブル５上の基板１の位
置が測定され、この基板の第１の位置とテーブル５上の
基板１の要求された位置との間の変位が決定される。こ
れは、基板１上の１つ以上のマークのテーブル５上の１
つ以上の参照マークに対する位置を測定するオフアクシ
ス・アライメント・ユニット（オフアクシス・アライメ
ントに関するさらなる情報は、例えば国際特許出願ＷＯ
９８／３９６８９から収集できる。）で行われる。これ
は、テーブル５上の基板１の第１の位置に関する極めて
正確な情報を提供する。計算ユニット（示されていな
い）が基板１の前記第１の位置と基板１の要求された位
置との間の変位を計算できる。テーブル上の基板の要求
された位置は、あらかじめ測定され、メモリ・デバイス
に格納される。この要求された位置で、干渉計ビームは
基板テーブル５の側部につけられた鏡（示されていな
い）に垂直に向けられ、基板１は基板テーブル５の真空
生成手段上に正確に配置される。他の可能性は、基板１
上の１つ以上のマークがマスク上の１つ以上のマークに
整合させられることである。この手順、ならびにいわゆ
るオンアクシス・アライメント（オンアクシス・アライ
メントに関するさらなる情報は、例えばＵＳ４，７７
８，２７５を参照）の間、マスクを保持するテーブルを
回転しおよび／または基板テーブル５を回転してマスク
および基板を同じ回転方向に持っていくことが必要とな
る。干渉計はこの回転を極めて正確に測定し、計算ユニ
ットにマスクに関する基板の位置についての情報を提供
し、第１の位置と要求された位置との間の変位が決定さ
れることができる。オンアクシス・アライメント手段に
より、基板上のマークをマスク・テーブル上のマークに
整合し、マスク上のマークを基板テーブル上に位置する
マークに整合することもまた可能である。別法として、
カメラなどの結像手段がテーブル上の基板の第１の位置
に情報を計算ユニットに伝える。
【００３５】この測定ステップの後、除去ステップが基
板１を基板テーブル５から解放し除去するために適用さ
れることができる。ハンドラ２５は、真空クランプ手段
３１が基板１に接触するようにアクチュエータ２７によ
り上昇され、これを達成することになる。この後、真空
分配手段１９内のバルブを空けることにより、柔軟な真
空チューブおよび中空チューブ２９から真空クランプ手
段３１に真空源１７から真空が適用される。その後、真
空生成手段１３の真空が真空分配手段１９内の真空を開
放することにより解放され、アクチュエータ２７がハン
ドラ２５および基板１を上昇させる。
板１を基板テーブル５から解放し除去するために適用さ
れることができる。ハンドラ２５は、真空クランプ手段
３１が基板１に接触するようにアクチュエータ２７によ
り上昇され、これを達成することになる。この後、真空
分配手段１９内のバルブを空けることにより、柔軟な真
空チューブおよび中空チューブ２９から真空クランプ手
段３１に真空源１７から真空が適用される。その後、真
空生成手段１３の真空が真空分配手段１９内の真空を開
放することにより解放され、アクチュエータ２７がハン
ドラ２５および基板１を上昇させる。
【００３６】この除去ステップの後に、テーブル５は計
算された変位だけ移動されるが、ハンドラ２５により支
持された基板１は同じ位置に留まる。テーブル５が静止
させられ、ハンドラ２５が計算された変位だけ移動され
ることも可能である。代わりとして、テーブル５および
ハンドラ２５は互いに関して計算された同じ変位を達成
するために移動される。一般に、プリアライメント・ユ
ニットがテーブル５上の基板１の良好なコース配置を確
実にするために使用される。そのようにして、移動ステ
ップでの大きな変位を使用する必要を避け、ハンドラが
テーブルを通って移動するテーブル隙間３０はそれによ
りかなり小さく維持される。プリアライメント・ユニッ
トに関するさらなる情報は、例えば米国特許ＵＳ５，０
２６，１６６を参照されたい。
算された変位だけ移動されるが、ハンドラ２５により支
持された基板１は同じ位置に留まる。テーブル５が静止
させられ、ハンドラ２５が計算された変位だけ移動され
ることも可能である。代わりとして、テーブル５および
ハンドラ２５は互いに関して計算された同じ変位を達成
するために移動される。一般に、プリアライメント・ユ
ニットがテーブル５上の基板１の良好なコース配置を確
実にするために使用される。そのようにして、移動ステ
ップでの大きな変位を使用する必要を避け、ハンドラが
テーブルを通って移動するテーブル隙間３０はそれによ
りかなり小さく維持される。プリアライメント・ユニッ
トに関するさらなる情報は、例えば米国特許ＵＳ５，０
２６，１６６を参照されたい。
【００３７】この移動ステップの後、第２の配置ステッ
プが基板１をテーブル５上に再び置くために用いられ
る。これは第１の配置ステップについてと同じ方法で行
われる。基板１はテーブル５上の真空生成手段１３に吸
引され、現在要求された位置にある。
プが基板１をテーブル５上に再び置くために用いられ
る。これは第１の配置ステップについてと同じ方法で行
われる。基板１はテーブル５上の真空生成手段１３に吸
引され、現在要求された位置にある。
【００３８】「真空」により解放されたガス圧は、もち
ろん例えば５．５＊１０4Ｐａなどの、過度の外圧が基
板１および真空生成手段１３または真空クランプ手段３
１を互いに保持する通常力を提供する。真空生成手段の
平面内の基板とテーブルとの間の相対運動は、通常力の
増加により増加する２つの要素間の摩擦により妨害され
る。基板と真空生成手段間の摩擦係数は、もちろん接触
面の材料の選択により選択できる。
ろん例えば５．５＊１０4Ｐａなどの、過度の外圧が基
板１および真空生成手段１３または真空クランプ手段３
１を互いに保持する通常力を提供する。真空生成手段の
平面内の基板とテーブルとの間の相対運動は、通常力の
増加により増加する２つの要素間の摩擦により妨害され
る。基板と真空生成手段間の摩擦係数は、もちろん接触
面の材料の選択により選択できる。
【００３９】上記で説明し図示された本発明の実施形態
の特徴は、独立にあるいはどんな組み合わせででも使用
できる。図は単なる概略にすぎず、縮尺されておらず、
各図における要素の相対的な大きさは互いに縮尺される
必要はない。
の特徴は、独立にあるいはどんな組み合わせででも使用
できる。図は単なる概略にすぎず、縮尺されておらず、
各図における要素の相対的な大きさは互いに縮尺される
必要はない。
【００４０】以上、特定の実施形態について説明した
が、説明とは違って実施されることがありうることを理
解されたい。例えば、オブジェクトがマスクであり、本
発明がマスク・テーブル上のマスクを位置決めするため
に使用される場合、前記マスクのハンドラがマスクへの
損傷を避けるためにマスクを側部で支持することが好ま
しいことを除けば、方法はまったく同じである。
が、説明とは違って実施されることがありうることを理
解されたい。例えば、オブジェクトがマスクであり、本
発明がマスク・テーブル上のマスクを位置決めするため
に使用される場合、前記マスクのハンドラがマスクへの
損傷を避けるためにマスクを側部で支持することが好ま
しいことを除けば、方法はまったく同じである。
【図１】本発明によるリソグラフィ投影装置の概略図で
ある。
ある。
【図２】オブジェクト・テーブルの回転方向に対する、
オブジェクト・テーブル上でのオブジェクト位置決めに
おける回転誤差の影響の説明図である。
オブジェクト・テーブル上でのオブジェクト位置決めに
おける回転誤差の影響の説明図である。
【図３ａ】テーブルの干渉計ビームに関する回転による
ビーム・ポイント誤差の発生の説明図である。
ビーム・ポイント誤差の発生の説明図である。
【図３ｂ】テーブルの干渉計ビームに関する回転による
ビーム・ポイント誤差の発生の説明図である。
ビーム・ポイント誤差の発生の説明図である。
【図３ｃ】テーブルの干渉計ビームに関する回転による
ビーム・ポイント誤差の発生の説明図である。
ビーム・ポイント誤差の発生の説明図である。
【図４ａ】オブジェクト・テーブル上に様々に位置決め
されたオブジェクトの概略図である。
されたオブジェクトの概略図である。
【図４ｂ】オブジェクト・テーブル上に様々に位置決め
されたオブジェクトの概略図である。
されたオブジェクトの概略図である。
【図４ｃ】オブジェクト・テーブル上に様々に位置決め
されたオブジェクトの概略図である。
されたオブジェクトの概略図である。
【図５】本発明によるオブジェクト・テーブルの好まし
い実施形態を示す図である。
い実施形態を示す図である。
１ 基板 ２ 縁部 ３ テーブル隙間 ５ テーブル ７ センサシステム ９ 干渉計 １１ レーザ・ビーム １３ 真空生成表面 １５ 境界 １７ 真空源 １９ 真空分散手段 ２０ 真空チューブ ２１ 真空チャンバ ２４ 真空隙間 ２５ ハンドラ ２７ アクチュエータ ２９ 中空チューブ ３０ テーブル隙間 ３１ 真空クランプ手段 ３３ テーブル・アクチュエータ ３５ ベース・フレーム Ｂ 全長 Ｃ 目標部分 ＣＯ コンデンサ ｄＳ 回転 ｄＥ ビーム・ポイント誤差 ｄＥｍ 鏡の回転中の誤差 Ｅｘ ビーム・エキスパンダ Ｉ 干渉計 ＩＦ 干渉変位測定手段 ＩＮ 積分器 Ｌ 干渉計と鏡との距離 ＬＡ 光源 ＭＡ マスク ＭＴ マスク・テーブル ＰＢ ビーム ＰＬ 投影システム Ｔ 鏡 Ｗ 基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 エンゲルベルトウス アントニウス フラ ンシスクスファン デ パシュ オランダ国 オイルショット、ファン ヘ ーシュテルベークシュトラート ８ (72)発明者 トマス ヨゼフス マリア キャステンミ ラー オランダ国 エイントホーフェン、ソフィ ア ファンヴルテムベルクラーン 48 (72)発明者 アンドレアス ベルナルドウス ゲラルド ウス アリエンス オランダ国 ウトレヒト、フローレンス ナイチンゲールラーン 19 Ｆターム(参考） 5F031 CA02 CA07 FA01 FA07 FA12 HA13 HA33 HA53 JA02 JA04 JA06 JA28 JA36 JA38 JA51 KA15 KA18 MA27 PA04 5F046 BA03 CC01 CC03 CC06 CC08 CC10 CC16 EB01 EB03 ED02 FA20 FC04 FC05 FC08
Claims (13)
- 【請求項１】 オブジェクトをリソグラフィ投影装置内
のオブジェクト・テーブル上の要求された位置に位置決
めする方法であって、 放射投影ビームを供給するための放射システムと、 パターニング手段を保持するための第１のオブジェクト
・テーブルと、 基板を保持するための第２のオブジェクト・テーブル
と、 基板の目標部分上にパターニングビームを投影するため
の投影システムとを備えており、 オブジェクトをテーブル上の第１の位置に配置する第１
の配置ステップと、 オブジェクトの第１の位置とオブジェクトの要求された
位置との間の変位を決定する測定ステップと、 オブジェクトをテーブルから外し、除去する除去ステッ
プと、 テーブルの平面に実質的に平行な方向に、オブジェクト
とテーブルを互いに相対的に、実質的に前記変位だけ移
動する移動ステップと、 オブジェクトを実質的にテーブル上の要求された位置に
置く第２の配置ステップとを含んでいることを特徴とす
る方法。 - 【請求項２】 前記測定ステップが、オブジェクト上の
第１のマークを第２の参照マークに整合させることを備
えていることを特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 前記第２のマークが、第１または第２の
オブジェクト・テーブル上に位置することを特徴とする
請求項２に記載の方法。 - 【請求項４】 パターニング手段が、第１のオブジェク
ト・テーブルにより保持されたマスクを備えていること
を特徴とする請求項１または２に記載の方法。 - 【請求項５】 前記第２のマークが、マスクまたは基板
上にあることを特徴とする請求項４に記載の方法。 - 【請求項６】 前記測定ステップが、オブジェクトの第
１の位置と要求されたオブジェクトの位置との間の変位
を決定するための結像手段を使用して達成されることを
特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項７】 前記測定ステップが、オブジェクトの要
求された位置に関する情報とともにオブジェクトの第１
の位置に関する情報を計算手段で処理し、前記変位を決
定するステップを備えていることを特徴とする前記請求
項のいずれかに記載の方法。 - 【請求項８】 前記変位の偏差が、テーブルの平面に垂
直な軸周りに回転することを特徴とする請求項１に記載
の方法。 - 【請求項９】 前記オブジェクトが、真空生成表面を使
用して位置に保持されることを特徴とする請求項１に記
載の方法。 - 【請求項１０】 放射システムが、放射源を備えている
ことを特徴とする前記請求項のいずれかに記載の方法。 - 【請求項１１】 基板を基板テーブル上の要求された位
置に位置決めする方法であって、 基板をテーブル上の第１の位置に配置する第１の配置ス
テップと、 基板の第１の位置と基板の要求された位置との間の変位
を決定する測定ステップと、 基板をテーブルから外し、除去する除去ステップと、 テーブルの平面に実質的に平行な方向に、基板とテーブ
ルを互いに相対的に、実質的に前記変位だけ移動する移
動ステップと、 基板を実質的にテーブル上の要求された位置に置く第２
の配置ステップとを含んでいる位置決め方法。 - 【請求項１２】 （ａ）少なくとも部分的に放射感受性
材料の層に覆われた基板を有する第２のオブジェクト・
テーブルを備えているステップと、 （ｂ）投影ビームにその断面におけるパターンを与える
パターニング手段を使用するステップと、 （ｃ）放射感受性材料層の目標部分にパターニングビー
ムを投影するステップを含んでいるデバイス製造方法で
あって、ステップ（ｃ）の前に、 基板を第２のオブジェクト・テーブル上の第１の位置に
置く第１の配置ステップと、 基板の第１の位置と基板の要求された位置との間の変位
を決定する測定ステップと、 基板を第２のオブジェクト・テーブルから外し、除去す
る除去ステップと、 第２のオブジェクト・テーブルの平面に実質的に平行な
方向に、基板と第２のオブジェクト・テーブルを互いに
相対的に、実質的に前記変位だけ移動する移動ステップ
と、 基板を実質的に第２のオブジェクト・テーブル上の要求
された位置に置く第２の配置ステップとが実行されるデ
バイス製造方法。 - 【請求項１３】 請求項１２に記載の方法により製造さ
れるデバイス。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP00200431.5 | 2000-02-10 | ||
| EP00200431 | 2000-02-10 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| JP3983488B2 JP3983488B2 (ja) | 2007-09-26 |
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ID=8170995
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001075037A Expired - Fee Related JP3983488B2 (ja) | 2000-02-10 | 2001-02-08 | リソグラフィ投影装置のためのオブジェクト位置決め方法 |
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|---|---|
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| KR (1) | KR100610651B1 (ja) |
| DE (1) | DE60135937D1 (ja) |
| TW (1) | TWI240849B (ja) |
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| US8077291B2 (en) | 2004-12-10 | 2011-12-13 | Asml Netherlands B.V. | Substrate placement in immersion lithography |
| JP2012151478A (ja) * | 2011-01-20 | 2012-08-09 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
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| DE10317778B4 (de) * | 2003-04-16 | 2017-08-31 | Cascade Microtech, Inc. | Verfahren zur Erhöhung der Genauigkeit der Positionierung eines ersten Objektes relativ zu einem zweiten Objekt |
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| TWI462149B (zh) * | 2010-02-09 | 2014-11-21 | Source Photonics Taiwan Inc | 對位系統及其操作方法 |
| CN104749902B (zh) * | 2013-12-31 | 2017-02-15 | 上海微电子装备有限公司 | 掩模板面型整形装置 |
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| JP3254704B2 (ja) | 1991-12-18 | 2002-02-12 | 株式会社ニコン | 露光装置および露光方法 |
| JP3251362B2 (ja) * | 1993-01-11 | 2002-01-28 | 三菱電機株式会社 | 露光装置及び露光方法 |
| JP3360744B2 (ja) | 1993-04-13 | 2002-12-24 | 株式会社ニコン | アライメント方法、及び走査型露光装置 |
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-
2001
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- 2001-02-08 US US09/777,460 patent/US7397940B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-08 JP JP2001075037A patent/JP3983488B2/ja not_active Expired - Fee Related
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