JP3997068B2 - リトグラフ投影装置の較正方法およびそのような方法を適用できる装置 - Google Patents
リトグラフ投影装置の較正方法およびそのような方法を適用できる装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3997068B2 JP3997068B2 JP2001266012A JP2001266012A JP3997068B2 JP 3997068 B2 JP3997068 B2 JP 3997068B2 JP 2001266012 A JP2001266012 A JP 2001266012A JP 2001266012 A JP2001266012 A JP 2001266012A JP 3997068 B2 JP3997068 B2 JP 3997068B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- object table
- substrate
- mark
- position measurement
- measuring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7007—Alignment other than original with workpiece
- G03F9/7015—Reference, i.e. alignment of original or workpiece with respect to a reference not on the original or workpiece
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
- G03F7/7075—Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、リトグラフ投影装置の複数の処理ステーションにおいて物体テーブルの位置を測定するのに使用される複数の位置測定システムを関係づける方法に関する。特に、本発明は、
放射投影ビームを供給する放射システムと、
所望パターンに従って投影ビームのパターンを定めるように作用するパターン形成手段を保持するための第1の物体テーブルと、
基板を保持するための第2の物体テーブルと、
基板のターゲット部分にパターン形成したビームを投影する投影システムとを含んで構成されたリトグラフ装置の較正方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
本明細書で使用する用語「パターン形成手段」は、基板のターゲット部分に形成すべきパターンと一致するようにパターン形成された横断面を有する入射側の放射ビームを与えるために使用することのできる手段を意味すると広く解釈しなければならず、用語「光バルブ」もこれに関係して使用することができる。一般に、前記パターンはターゲット部分に形成されるデバイス、例えば集積回路または他のデバイス(以下を参照)における特定の機能層に一致する。そのようなパターン形成手段の例は以下のものを含む。すなわち、
・ マスク。マスクの概念はリトグラフにおいて周知であり、2値(バイナリー)、交互位相変移、および減衰位相変移のようなマスク形式、並びに各種のハイブリッド・マスク形式を含む。放射ビーム内にそれらのマスクを配置すると、マスクのパターンに従って、マスクに当たる放射光の選択的な透過(透過マスクの場合)、または反射(反射マスクの場合)を生じる。第1の物体テーブルは、入射する放射ビーム内の所望位置にマスクが保持できること、および望まれるならばビームに対してマスクを移動できることを保証する。
・ 第1の物体テーブルと称される構造部によって保持されたプログラム可能ミラー・アレー。そのような装置の例は、粘弾性制御層および反射面を有するマトリックス−アドレス可能面である。そのような装置の基本原理は、(例えば)反射面のアドレスされた面積部分が入射光を回折光として反射するのに対して、アドレスされていない面積部分は入射光を非回折光として反射するということである。適当なフィルタを使用して、反射ビームから前記非回折光を濾光して回折光のみ残すことができる。これにより、ビームはマトリックス−アドレス可能面のアドレス・パターンに従ってパターン形成される。必要とされるマトリックス・アドレス指定は、適当な電子手段を使用して遂行できる。このようなミラー・アレーに関する更なる情報は、例えば米国特許第5296891号および同第5523193号から収集することができ、これらの特許は本明細書で援用される。フレームすなわち第1の物体テーブルはプログラム可能ミラー・アレーを支持し、ミラー・アレーは必要に応じて固定または可動とされる。
・ 第1の物体テーブルと称される構造部によって保持されたプログラム可能液晶表示装置(LCD)アレー。このようなアレーの例は米国特許第5229872号に与えられており、本明細書で援用される。上述したように、この場合の支持構造部は例えばフレームすなわち第1の物体テーブルとして具現され、必要に応じて固定または可動とされる。
【0003】
簡明化とするために、本明細書の残りの部分は、ある箇所でマスクおよびマスクテーブルを要する例に特に向けられるが、そのような例で説明される一般原理は上述で説明したようなパターン形成手段の広い範囲において理解されねばならない。
【0004】
リトグラフ投影装置は、例えば集積回路(IC)の製造に使用できる。その場合、パターン形成手段はICの個々の層に一致した回路パターンを形成し、このパターンは放射光感応物質(レジスト)の層を被覆されている基板(シリコン・ウェーハ)のターゲット部分(例えば1以上のダイスを含む)に結像すなわち像形成される。一般に1つのウェーハは、投影システムによって1回に1つずつ連続して照射される隣接したターゲット部分のネットワーク全体を含む。マスク・テーブル上のマスクによるパターン形成を使用した現在の装置では、2つの異なる機械形式の間で区別することができる。1つの形式のリトグラフ投影装置においては、1回の動作でマーク・パターン全体をターゲット部分に露光させることで各ターゲット部分が照射される。このような装置はウェーハ・ステッパと一般に称される。これに代わる一般にステップ・アンド・スキャン装置と称される装置では、与えられた基準方向(「走査」方向)に順次に投影ビームの下でマーク・パターンを走査する一方、この方向と平行または非平行な方向に基板テーブルを同期して走査することで、各ターゲット部分が照射される。一般に投影システムは倍率M(一般に<1)を有しているので、基板テーブルを走査する速度Vはマスク・テーブルの走査速度のM倍となる。本明細書で記載されるようなリトグラフ装置に関するさらなる情報は、例えば米国特許第6046792号から収集することができ、その特許は本明細書で援用される。
【0005】
リトグラフ投影装置を使用した製造処理において、パターン(例えば、マスクに形成される)は、放射光感応物質(レジスト)の層で少なくとも一部覆われている基板上に像形成される。この像形成段階に先だって、基板は各種の処理、例えば下処理(プライミング)、放射光感応物質被覆、および軽焼付け(ソフト・ベイク)を施される。露光の後、基板は他の処理、例えば後露光焼付け(PEB)、現像、重焼付け(ハード・ベイク)、および像形成された姿(features)の測定/検査を実施される。この一連の処理はデバイス、例えばICの個々の層をパターン形成するための基本として使用される。このようなパターン形成された層は、その後、各種の処理、例えばエッチング、イオン注入すなイオン・インプランテーション(ドーピング)、金属被覆、酸化、化学−機械研磨などを施されが、その全ては個々の層を仕上げるために意図されている。幾つかの層を必要とするならば、各々の新しい層の形成のたびに、この全ての過程を、またはその変形過程を繰り返さなければならない。最終的に、基板(ウェーハ)上にデバイスのアレーが形成される。これらのデバイスは、その後、ダイシングまたはソーイングのような技術によって互いに分離され、そこから個々のデバイスはピンに連結されている担体に取り付けることができる。これらの処理に関するさらなる情報は、例えば「マイクロチップ製造:半導体処理の実際的なガイド」、第3版、著者ピーター・ファン・ツァント、マックグロー・ヒル出版カンパニー、1997年、ISBN0−07−067250−4の書籍から得ることができ、その書籍は本明細書で援用される。
【0006】
簡明化を図るために、投影システムは以下に「レンズ」と称するが、この用語は各種形式の投影システムを包含するものと広く解釈されねばならず、例えば回折光学装置、反射光学装置、および反射屈折光学系を含む。放射システムは、これらの設計形式のいずれかに応じて作動して放射投影ビームを指向、成形または制御する要素も含み、それらの要素も以下に集合的または単独に「レンズ」と称する。
【0007】
リトグラフ装置は2以上の基板テーブル(および(または)2以上のマスク・テーブル)を有することができる。そのような「複数ステージ」の装置では、付加されるテーブルは平行的に使用されるか、または1以上のテーブルが露光で使用されている間、1以上のテーブルに対して準備段階を実施することができる。2ステージのリトグラフ装置は、例えば米国特許第5969441号およびWO98/40791に記載されており、それらは本明細書で援用される。そのような複数ステーションの装置における基本的な作動原理は、第1の基板テーブルがその上に配置されている第1の基板の露光のために投影システムの下方の第1のステーションに位置する間、第2の基板テーブルは第2のステーションへ向かって移動し、露光済み基板を解放し、新しい基板を取り込み、その新しい基板に幾つかの初期計測段階を実行し、その後第1の基板の露光が完了するや否やこの新しい基板を投影システムの下方の第1のステーションへ送るために待機することができ、その完了からサイクルが繰り返されるということである。このようにして、実質的な機械処理量の増大を達成することができ、これは機械所有者の費用を改善する。装置の処理量を向上させるために基板に対する異なる処理段階を遂行する3以上のステーションを使用することですら有益である。
【0008】
同様にして、1以上のマスク・テーブルを有するリトグラフ投影装置も考えることができる。そのような機械は、例えばダイスの各層が複数マスクによる像で露光されるモデル(シナリオ)においても有用である。この場合、複数マスク・テーブルの存在が処理量の大きな改善を可能にする。以下の説明で本発明は、複数の基板テーブルを有する装置に関して一般に与えられる。しかしながら、この説明は複数のマスク・テーブルを有する装置に対して等しく適用されることが認識されるであろう。
【0009】
例示する複数ステーションの装置で、位置制御システムは装置内での基板テーブルの位置を制御するために使用される。このシステムは、第1のステーションで基板テーブルの位置を測定する第1の位置測定システムと、第2のステーションで基板テーブルの位置を測定する第2の位置測定システムと、その他のステーションの数と同じ数の基板テーブルの位置を測定する他の位置測定システムとを含む。これらの位置測定システムは高精度で関係づけられることが非常に重要である。何故なら、第2のステーションでの初期計測段階の間に基板の特定位置で測定されたデータは、第1のステーションでの露光時に前記特定の位置で使用されるからである。起こり得る問題の1つは、第1のステーションでの第1の位置測定システムのスケーリング・オフセット(scaling offset)は、環境の影響によって、第2のステーションでの第2の位置測定システムのスケーリング・オフセットと相違するということである。スケーリング・オフセットとは、基板テーブル上の2つの位置の間の実離隔距離と、各位置測定システムにより測定されて導き出された離隔距離との比である。スケーリング・オフセットが第1の位置測定システムと第2の位置測定システムとの間で異なる場合、この位置制御システムでは、1つのステーションで測定した位置を必要とされる精度で他のステーションで再現することは不可能である。単一ステーションの装置では、計測段階および露光が単一の位置測定システムによって同じステーションで実施されるために、スケーリング・オフセットは生じない。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、リトグラフ投影装置の少なくとも2つの異なるステーションで物体テーブルの位置を測定するのに使用された少なくとも2つの異なる位置測定システムを、互いに対して較正する方法を提供することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
これらの、および他の目的は、以下の段階、すなわち
前記第1および第2の物体テーブルの1つの組を成す2以上の基準位置を第1の検出システムで同定し、同時にそれらの基準位置を第1の位置測定システムで測定する段階と、
前記1つの物体テーブルの前記組を成す基準位置を第2の検出システムで同定(若しくは認識)し、同時にそれらの基準位置を第2の位置測定システムで測定する段階と、
前記基準位置の測定値を使用して前記第1および第2の位置測定システムを関係づける段階とを含むことを前記較正方法において特徴とする、冒頭に明記した装置において達成される。
【0012】
N個(N>2)の物体テーブルおよびそれぞれのステーションがある場合、同定(若しくは認識)段階はN回実行され、関係づけ段階はN個の位置測定システムを必要とする。前記物体テーブルの組を成す2以上の基準位置を検出し、同時に前記物体テーブルの位置を位置測定システムで測定することで、スケーリング・オフセットの決定が可能となる。位置測定システムの各々でこれを実行することにより、異なる位置測定システムの測定値を互いに関係づけることが可能になる。組を成す2以上の基準位置の検出は、第1の測定システムと関連する検出システムおよび第2の測定システムと関連する検出システムによって物体テーブルの面上に存在する組を成す2以上のマークを検出することで達成される。スケーリング・オフセット以外のオフセットが、測定システムの非線形の高次のエラーによって生じ得る。これらの高次のエラーは複数の基準位置からの測定値を使用する多項式(multi-digree polynomials)によって異なる位置測定システムを関係づけることで較正できる。この較正方法が行われる間、物体テーブルはその一連のマークが検出システムによって検出されるように移動し、それらの基準位置を同定(若しくは認識)できるようにする。このために、2以上のマークを物体テーブルに備えることができ、または2以上のマークを有する被加工物(すなわち、適当に基板またはマスク)を物体テーブルに備えることができる。各位置測定システムは、2以上のマスクの第1および第2の検出が行われる間の少なくともXおよびY方向における物体テーブルの変移(基準距離)を測定する。2以上の検出器が備えられている物体テーブルの平面上に投影された1つのマスクの空間像を検出することで2以上の基準位置も決定できる。その場合、両検出器の間隔距離が基準距離を与える。
【0013】
2つのマークまたは検出器の間の、それ故に2つの基準位置の間のX方向(符号DX)の基準距離を知ることで、相対スケーリング・オフセットを計算するために次式が使用できる。
【数1】
スケーリング・オフセット(X)=測定DX/基準DX
Y,Z方向における絶対スケーリング・オフセット、およびX,Y,Z方向のまわりの回転に関して同様なオフセットが計算できる。このように計算したスケーリング・オフセットは特定のステーションでの測定値の関数として特定の位置を計算するのに使用できることを理解しなければならない。各ステーションにおいてそのようにすることで、各位置測定システムは較正される。スケーリング・オフセットは或る程度のずれ、すなわちドリフトを示し、従って1回以上、例えば装置で処理される基板毎に、スケーリング・オフセットを計算することが必要となる。
【0014】
また、相対スケーリング・オフセットを得るために、次式によって第1のステーション(st.1)の位置測定システムを第2のステーション(st.2)の位置測定システムに対して較正できる。
【数2】
相対スケーリング・オフセットを使用する利点は、2つのマークの間隔距離を線形的に増大させる物体テーブルの熱膨張のようないずれの線形スケーリング効果が関係づけ処理において考慮できると言うことである。3以上のステーションがある場合、1つのステーションを「ホーリー(holly) 」として選択し、他の全てのステーションをそのステーションに対して関係づけることができ、またはいずれか2つのステーションを互いに関係づけることができる。
【0015】
本発明のさらに他の概念によれば、
放射投影ビームを供給する放射システムと、
所望パターンに従って投影ビームのパターンを定めるように作用するパターン形成手段を支持するための第1の物体テーブルと、
基板を保持するための第2の物体テーブルと、
基板のターゲット部分にパターン形成したビームを投影する投影システムと、
前記第1および第2の物体テーブルの1つの位置を測定する第1の位置測定システムと、
前記第1の位置測定システムの範囲内の前記1つの物体テーブルの基準位置を同定(若しくは認識)する第1の検出システムと、
前記1つの物体テーブルの位置を測定する第2の位置測定システムと、
前記第2の位置測定システムの範囲内の前記1つの物体テーブルの基準位置を同定する第2の検出システムとを含み、
前記第1および第2の位置測定システムの測定値を互いに関係づけるために、前記第1および第2の位置測定システムと、前記第1および第2の検出システムとに接続された計算手段を含むことを特徴とするリトグラフ投影装置が提供される。
【0016】
上述はIC製造において本発明による装置を使用することを特に引用したが、この装置は他の多くの可能とされる応用例を有することを明確に理解すべきである。例えば、一体化光学系の製造、磁気領域メモリー、液晶表示パネル、薄膜磁気ヘッドなどのガイドおよび検出パターンの形成に使用できる。当業者は、そのような代替応用例に関して、本明細書の用語「焦点板」、「ウェーハ」、または「ダイス」の使用はより一般的なそれぞれの用語「マスク」、「基板」、および「ターゲット部分」と置き換えられると考えなければならない。
【0017】
本発明およびその付随する利点は、例とする実施例および添付の概略図によってさらに明確にされるであろう。
【0018】
【発明の実施の形態】
例1
図1は本発明の第1の実施例による方法に使用することが適当であるリトグラフ投影装置を概略的に示す。この装置は、
放射(例えば紫外線または極紫外線、X線、イオンまたは電子)投影ビームPBを供給する放射システムLA,Ex,IN,COと、
マスクMA(例えば焦点板)を保持するマスク・ホルダーを備え、部材PLのような基準に対してマスクを正確に位置決めするための第1の位置決め手段に連結されたマスク・テーブル(第1の物体テーブル)MTと、
基板W(例えばレジスト被覆シリコン・ウェーハ)を保持する基板ホルダーを備え、部材PLのような基準に対して基板を正確に位置決めするための第2の位置決め手段に連結された第1の基板テーブル(第2の物体テーブル)WTaと、
基板Wを保持する基板ホルダーを備え、部材PLのような基準に対して基板を正確に位置決めするための第3の位置決め手段に連結された第2の基板テーブルWTbと、
第1の、すなわち露光ステーションSaにて第1または第2の基板テーブルに保持されている基板Wのターゲット部分Cの上に、マスクMAの照射部分を像形成する投影システム(「レンズ」)PL(例えば回折または反射屈折システム、ミラー群、またはフィールド・デフレクター・アレー)と、
第2の、すなわち計測ステーションSbにて第1または第2の基板テーブルに保持されている基板Wの上で初期計測段階を実行するためのレベリング・システムLSと、
第1の(露光)ステーションSaにて基板テーブルの1つの位置を測定するための第1の位置測定システムIFaと、第2の(計測)ステーションSbにて基板テーブルの他の1つの位置を測定するための第2の位置測定システムIFbとを備えた位置制御システムとを含む。
【0019】
本明細書で示すように、この装置は透過型(すなわち透過マスクを有する)のものである。しかしながら、一般に、例えば反射型とされることもできる。
【0020】
この放射システムは、放射ビームを発生させる放射源LA(例えば水銀ランプ、励起レーザー、ストレイジリングまたはシンクロトロンの電子ビーム路のまわりに備えられた波形形成器、プラズマ供給源、または電子またはイオン・ビーム供給源)を含む。このビームは照射システム、例えばビーム成形光学装置Ex、インテグレータIN、および集光器(コンデンサー)CO、に含まれる各種の光学要素を通過し、これにより得られるビームPBが所望の形状および横断面における強度分布を有するようになされる。
【0021】
ビームPBはマスク・テーブルMT上のマスク・ホルダー内に保持されたマスクMAで遮られる。マスクMAを横断したならば、ビームPBはレンズPLを通過し、レンズPLはビームPBを基板Wのターゲット部分C上に結像させる。例えばビームPBの光路に異なるターゲット部分Cを位置決めするために、干渉式変移測定手段IFa,IFbに助成されて、基板テーブルWTa,WTbは第2および第3の位置決め手段によって正確に移動できる。同様に、第1の位置決め手段は、例えばマスク保管場所からマスクMAを機械的に取り出した後、またはマスクの走査時に、ビームPBの光路に対してマスクMAを正確に位置決めするのに使用できる。一般に、マスク・テーブルMT,WTa,WTbの動きは、図1に明確に示されていない長いストロークのモジュール(コースの位置決め)および短いモジュール(微細な位置決め)に助成されて実現される。(ステップ・アンド・スキャン装置とは逆に)ウェーハ・ステッパの場合には、マスク・テーブルMTは短いストロークの位置決め装置にのみ連結されてマスクの配向および位置の微調整が行われるか、またはマスク・テーブルMTは固定されることができる。第2および第3の位置決め手段は、投影システムPLの下方の第1のステーションSa、およびレベリング・システムLSの下方の第2のステーションSbの両方に亘る範囲上で基板テーブルWTa,WTbを位置決めできるように構成される。適当な行きシステムは、とりわけ上述したWO98/28665およびWO98/40791に記載されている。リトグラフ装置は複数の露光ステーションおよび(または)複数の計測ステーションを有すること、また計測および露光ステーションの個数は互いに異なり、ステーションの全数は基板テーブルの個数と等しい必要はないことに留意すべきである。実際に、露光および計測ステーションが別々とされる原理は、1以上の基板テーブルで使用できる。
【0022】
図示装置は2つの異なるモードで使用できる。すなわち、
1.ステップ・アンド・リピート(ステップ)モードでは、マスク・テーブルMTは基本的に静止状態に保持され、マスク像の全体が1回の動作(すなわち1回の「フラッシュ」)でターゲット部分C上に投影される。次に関連する基板テーブルはXおよび(または)Y方向へ移動されて異なるターゲット部分CがビームPBで照射できるようになされる。
2.ステップ・アンド・スキャン(スキャン)モードでは、所定のターゲット部分Cが1回の「フラッシュ」で露光されないこと以外、本質的に同じ手順が適用される。その代わり、マスク・テーブルMTは速度vで所定の方向(いわゆる「走査方向」、例えばY方向)へ移動でき、従ってビームPBはマスク像の上を走査するようになされる。同時に、関連する基板テーブルWTaまたはWTbは速度V=Mvで同一方向または反対方向へ移動される。ここで、MはレンズPLの倍率(典型的にM=1/4または1/5)である。このようにして、解像度を低下させる必要なく比較的広いターゲット部分Cを露光できる。
【0023】
製造過程でリトグラフ投影装置を較正する本発明による方法を使用する場合、以下の段階が使用される。最初に、基板Wは第2のステーションSbで基板テーブルWTb上に載置される。この基板(図2でWTa,WTbを参照)はテーブル平面に2つの基準平面(例えば基底平面)RM1,RM2を有し、この基準面はそれぞれ基準マスクM1,M2および像センサーTIS1,TIS2を備えている。マスクM1,M2の位置はマーク検出システムRDのもとに検出され、同時に関連する基板テーブルの位置は6自由度までの一測定システムIFbによって測定される。
【0024】
基板テーブルの位置の測定は、例えば米国特許第6020964号(P−0077.010−US)またはWO99/32940(P−0079.010−WO)に記載されているようなシステムで実行される。これらの特許は本明細書で援用される。この位置測定システムでは、位置を測定するために、干渉ビームが関連する基板テーブルに当てられる。基板テーブルの位置を読み取るために光学的エンコーダも使用できる。一般に光学的エンコーダは読み取りヘッドを含み、この読み取りヘッドが基板テーブル上に取り付けられ得る目盛りの動きを読み取る。この位置測定システムは移動したときの基板テーブルの並進を測定し、これによりマーク検出システムRDは最初に第1のマーク、次に第2のマークを、例えばM1,M2を検出する。この手順により、位置測定システム(IFaまたはIFb)はマークM1,M2の基準間隔距離を測定する。前記距離は基板テーブルに関して固定されており、位置測定システムのスケーリングのための良好な基準を与える。基板テーブルが他の位置測定システムへ移動されると、前記他の位置測定システムのスケーリングのために両マークの間隔距離が再び使用される。
【0025】
マーク検出システムRDはWO98/39689(P−0070.010−WO)に記載されたようなシステムとされることができ、その特許は本明細書で援用される。またマークM1,M2に関して基板W上のマークの位置を測定するのにも使用できる。このようなマーク検出システムは反射回折格子(マーク)に当てられる放射整合ビームを使用する。マークは回折された整合ビームを検出器へ向けて反射し、検出器がマークの位置を測定する。
【0026】
第2のステーションSbでは、本明細書で援用されるヨーロッパ特許公報1037117(P−0128.010−EP)にさらに詳しく記載されているような基板テーブル上の基板Wの表面造作を測定するのに、レベリング・システムLSが使用できる。レベリング・システムLSは、例えば特定表面のZ方向の位置およびX,Y方向のまわりの回転を測定するのに使用できる。
【0027】
基板Wがレベリング・システムLSで走査され、基板テーブルのマークM1,M2の位置が決定されたならば、基板テーブルは基板Wを露光させるために第1のステーションSaへ移動される。その後、第1のステーションに存在する基板テーブルは第1のステーションSaから他の位置、例えば取り外しステーションへ移動されねばならない。第1のステーションSaでは、図3に示されるように、マスクM上のマークTIS−Mの空間像に対する基板テーブルの位置を決定するのに像センサーTIS1,TIS2が使用される。像センサーTIS1,TIS2は、例えば投影ビームPBの放射に感応する光検出器の上方に位置する表面に開口を含む。投影ビームPBでマークTIS−Mを照射することで、前記マークの空間像は投影システムにより基板テーブルの平面上に投影される。像センサーTIS1の開口上の前記空間像を走査し、またその開口が空間像のネガを形成するように開口を配置することで、検出器は、それが焦点面および空間像の中心に位置するときに最大照射を示す最大出力を与える。検出器TIS1,TIS2として使用するのに適した透過型の像センサーの例は、米国特許第4540277号に極めて詳細に記載され、(代替としての)反射型像センサーは米国特許第5144363号に記載されている。これらの特許は本明細書で援用される。TIS1およびM1は同一基準面RM1に含まれ、両者間に固定的な較正距離を有する。RM2上のTIS2およびM2にも同じことが適用される。基板テーブルを移動し、両像センサー(すなわちTIS1,TIS2)がその後マークTIS−Mの空間像を検出するようにすることで、第1のステーションSaでの位置測定システムIFaのために基準距離が与えられる。
【0028】
スケーリング・オフセットを決定するために、第2のステーションSbで使用されるようにマーク検出システムを、または本明細書で援用する米国特許第5481362(P−0032.010−US)号に記載されているようにレンズ通過整合式(スルー・ザ・レンズ(TTL))整合方法を使用することができる。レンズ通過整合式整合方法を使用することで、放射整合ビームは投影システムPLを通って、基板テーブル上に位置する反射回折格子へ当てられる。この格子はビームを投影システムPL内へ反射し、マスクMAのマークを通して検出器へ戻し、検出器は反射回折格子の位置を示すその像の反射強度を測定する。
【0029】
スケーリング・オフセットは、位置測定システム(IFaまたはIFb)の測定信号の関数として真の位置を計算するために計算手段で使用されるか、第1の位置測定システムで行われた測定を第2の位置測定システムで行われた測定にリンクさせるために使用できる。スケーリング・オフセットは装置で製造された各基板に関して決定できる。このように、スケーリング・オフセットは各基板に関して調整されて、ドリフトの影響は最小限に抑えられる。
【0030】
例2
本発明の第2の実施例による方法は図1の装置で使用できる。本発明の第2の実施例によれば、2つの位置測定システム(IFa,IFb)は基板Wに位置する2つのマーク(P1,P2)を使用することで互いに較正される。基板Wが基板テーブルWTa,WTb上に載置された後、基板Wの2以上のマークは第2のステーションSbの検出システム、例えば図1の検出システムRDで検出される。第1のマークP1から第2のマークP2へ移動する間、基板テーブル(WTaまたはWTb)の位置は位置測定システムIFbで測定される。このように、2つの基準位置が第2のステーションSbで測定され、2つのマーク(P1,P2)の基準間隔距離を知ることで特定の位置測定システムIFbに関するスケーリング・オフセットが計算できる。第1のステーションSaの位置測定システムIFaに関してこれを繰り返すことで、両位置測定システムを互いに関係づけることができる。第1のステーションSaにおいて、基板のマークを検出するために、第2のステーションSbで使用したマーク検出システムRDに似たマーク検出システムが使用でき、または上述したレンズ通過式(TTL)整合システムが使用できる。
【0031】
本発明の特定の実施例を上述したが、本発明は記載した以外の方法で実施できることが認識されるであろう。例えば、この方法は3以上の物体テーブルの位置を測定するために位置測定システムを較正するのに使用できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による方法で使用するのに適したリトグラフ投影装置を概略的に示す。
【図2】図1の装置に使用される物体テーブルを概略的に示す。
【図3】図1の装置の第1のステーションの一層詳細な図を概略的に示す。
【符号の説明】
C ターゲット部分
IFa,IFb 位置測定システム
LA,Ex,IN,CO 放射システム
LS レベリング・システム
M1,M2 マーク
MA マスク
MT マスク・テーブル
PB ビーム
PL 投影システムすなわちレンズ
RD マーク検出システム
Sa,Sb ステーション
TIS1,TIS2 検出器
TIS−M マーク
W 基板
WTa,WTb 基板テーブル
Claims (10)
- 放射投影ビームを供給する放射システムと、
所望パターンに従って投影ビームのパターンを定めるように作用するパターン形成手段を保持するための第1の物体テーブルと、
基板を保持するための第2の物体テーブルと、
基板のターゲット部分にパターン形成したビームを投影する投影システムと、
前記第2の物体テーブルに保持された基板に対して処理を促す第1及び第2の処理ステーションと、
前記第1の処理ステーションに位置する前記第2の物体テーブルの位置を測定する第1の位置測定システムと、
前記第2の処理ステーションに位置する前記第2の物体テーブルの位置を測定する第2の位置測定システムと、を含んで構成されたリトグラフ投影装置における、前記第1及び第2の位置測定システム間のスケーリング・オフセットの差を較正する方法であって、
前記第1及び第2の処理ステーションは、第2の物体テーブルの基準位置を少なくとも2つずつ有し、各基準位置の位置関係は、前記第1及び第2の処理ステーションで同じになるように定められており、
前記第1の処理ステーションにおいて、第1のマーク検出システムを用いて前記第2の物体テーブルを複数の基準位置にそれぞれ位置合わせするとともに、各基準位置にある前記第2の物体テーブルの位置を前記第1の位置測定システムで測定する段階と、
前記第2の処理ステーションにおいて、第2のマーク検出システムを用いて前記第2の物体テーブルを複数の基準位置にそれぞれ位置合わせするとともに、各前記基準位置にある前記第2の物体テーブルの位置を前記第2の位置測定システムで測定する段階と、
各基準位置における測定値を使用して前記第1及び第2の位置測定システム間のスケーリング・オフセットの差を較正する段階と、
を含むリトグラフ投影装置の較正方法。 - 前記第2の物体テーブルに与えられた少なくとも2つのマークを検出することで各前記基準位置に位置合わせする、
請求項1に記載された方法。 - 前記第2の物体テーブルに保持された前記基板上の少なくとも2つのマークを検出することで各前記基準位置に位置合わせする、
請求項1に記載された方法。 - 前記マークが回折マークであり、前記回折マークに対して放射線の検出ビームを当て、前記マークで回折された副次ビームの強度を強度検出器によって測定し、強度検出器による検出強度が検出器に対するマークの位置の指標を含むことでそれらのマークの位置が検出される、
請求項2または請求項3に記載された方法。 - 前記第2の物体テーブルに備えられてマークの空中像を検出する少なくとも2つの像センサーによってマークの空中像を検出することで、前記基準位置に位置合わせする、
請求項1に記載された方法。 - マークにより発生した特定パターンを有する前記空中像が光強度検出器の頂部に位置する同様パターンを有する像センサーで走査され、強度検出器で検出された強度が前記像センサーに対する空中像の位置の指標を含む、
請求項5に記載された方法。 - 前記位置測定システムが干渉システムを含む、
請求項1に記載された方法。 - 前記較正方法が装置によって処理されるあらゆる基板に対して適用される、
請求項1に記載された方法。 - 前記放射システムが放射源を含む、
請求項1から請求項8までのいずれか一項に記載された方法。 - 放射投影ビームを供給する放射システムと、
所望パターンに従って投影ビームのパターンを定めるように作用するパターン形成手段を保持するための第1の物体テーブルと、
基板を保持するための第2の物体テーブルと、
基板のターゲット部分にパターン形成したビームを投影する投影システムと、
前記第2の物体テーブルに保持された基板に対して処理を促す第1及び第2の処理ステーションと、
前記第1の処理ステーションに位置する前記第2の物体テーブルの位置を測定する第1の位置測定システムと、
前記第1の処理ステーションにおいて前記第2の物体テーブルまたは前記基板に設けられた、基準位置への位置合わせのための複数のマークを検出する第1のマーク検出システムと、
前記第2の処理ステーションに位置する前記第2の物体テーブルの位置を測定する第2の位置測定システムと、
前記第2の処理ステーションにおいて前記第2の物体テーブルまたは前記基板に設けられた、基準位置への位置合わせのための複数のマークを検出する第2のマーク検出システムと、
前記第1および第2の位置測定システムと、前記第1および第2のマーク検出システムとに接続された計算手段とを含み、
前記計算手段は、
前記第1の処理ステーションにおいて、前記第1のマーク検出システムを用いて前記第2の物体テーブルを複数の基準位置にそれぞれ位置合わせした際における、前記第1の位置測定システムにより得られる前記第2の物体テーブルの位置の測定値と、
前記第2の処理ステーションにおいて、前記第2のマーク検出システムを用いて前記第2の物体テーブルを複数の基準位置にそれぞれ位置合わせした際における、前記第2の位置測定システムにより得られる前記第2の物体テーブルの位置の測定値とを使用して、前記第1及び第2の位置測定システム間のスケーリング・オフセットの差を較正する、
リトグラフ投影装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP00203082.3 | 2000-09-07 | ||
EP00203082 | 2000-09-07 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002158168A JP2002158168A (ja) | 2002-05-31 |
JP3997068B2 true JP3997068B2 (ja) | 2007-10-24 |
Family
ID=8171985
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001266012A Expired - Lifetime JP3997068B2 (ja) | 2000-09-07 | 2001-09-03 | リトグラフ投影装置の較正方法およびそのような方法を適用できる装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6710849B2 (ja) |
JP (1) | JP3997068B2 (ja) |
KR (1) | KR100554258B1 (ja) |
DE (1) | DE60138987D1 (ja) |
TW (1) | TW497013B (ja) |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001160530A (ja) * | 1999-12-01 | 2001-06-12 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
US6842248B1 (en) | 2000-11-28 | 2005-01-11 | Nikon Corporation | System and method for calibrating mirrors of a stage assembly |
JP2002270494A (ja) * | 2001-03-13 | 2002-09-20 | Sony Corp | 位置検出方法および露光方法 |
US6674512B2 (en) | 2001-08-07 | 2004-01-06 | Nikon Corporation | Interferometer system for a semiconductor exposure system |
US6785005B2 (en) | 2001-09-21 | 2004-08-31 | Nikon Corporation | Switching type dual wafer stage |
US6665054B2 (en) | 2001-10-22 | 2003-12-16 | Nikon Corporation | Two stage method |
WO2003054693A1 (en) * | 2001-12-12 | 2003-07-03 | Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) | Collision handling apparatus and method |
EP1353233A3 (en) * | 2002-04-09 | 2007-10-03 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP3833148B2 (ja) * | 2002-06-25 | 2006-10-11 | キヤノン株式会社 | 位置決め装置及びその制御方法、露光装置、デバイスの製造方法、半導体製造工場、露光装置の保守方法 |
US7110081B2 (en) | 2002-11-12 | 2006-09-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG121822A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI251127B (en) | 2002-11-12 | 2006-03-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US10503084B2 (en) | 2002-11-12 | 2019-12-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9482966B2 (en) | 2002-11-12 | 2016-11-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP3977324B2 (ja) * | 2002-11-12 | 2007-09-19 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置 |
US7213963B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7256871B2 (en) * | 2004-07-27 | 2007-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for calibrating the same |
KR101506100B1 (ko) | 2004-09-17 | 2015-03-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
JP3962736B2 (ja) | 2004-10-08 | 2007-08-22 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
US7248334B2 (en) * | 2004-12-07 | 2007-07-24 | Asml Netherlands B.V. | Sensor shield |
US7453063B2 (en) * | 2004-12-08 | 2008-11-18 | Asml Netherlands B.V. | Calibration substrate and method for calibrating a lithographic apparatus |
US7355675B2 (en) * | 2004-12-29 | 2008-04-08 | Asml Netherlands B.V. | Method for measuring information about a substrate, and a substrate for use in a lithographic apparatus |
US7450217B2 (en) * | 2005-01-12 | 2008-11-11 | Asml Netherlands B.V. | Exposure apparatus, coatings for exposure apparatus, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
JP5055579B2 (ja) | 2005-09-09 | 2012-10-24 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
TW200719095A (en) | 2005-11-09 | 2007-05-16 | Nikon Corp | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
US7649611B2 (en) | 2005-12-30 | 2010-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7872730B2 (en) | 2006-09-15 | 2011-01-18 | Nikon Corporation | Immersion exposure apparatus and immersion exposure method, and device manufacturing method |
JP5120377B2 (ja) | 2006-09-29 | 2013-01-16 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
US20080158531A1 (en) | 2006-11-15 | 2008-07-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
US8164736B2 (en) * | 2007-05-29 | 2012-04-24 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device |
JP5055607B2 (ja) * | 2008-04-23 | 2012-10-24 | 日本電信電話株式会社 | 荷電粒子ビーム描画装置を用いた荷電粒子ビーム描画方法 |
US9000446B2 (en) * | 2009-05-22 | 2015-04-07 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for processing a substrate |
KR20150013570A (ko) | 2012-04-27 | 2015-02-05 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 |
US10444635B2 (en) * | 2016-05-04 | 2019-10-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic method and apparatus |
EP3396456A1 (en) * | 2017-04-25 | 2018-10-31 | ASML Netherlands B.V. | Method of monitoring and device manufacturing method |
WO2019012495A1 (ja) * | 2017-07-14 | 2019-01-17 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 計測装置 |
US11703771B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-07-18 | Asml Holding N.V. | Variable diffraction grating |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3203719B2 (ja) * | 1991-12-26 | 2001-08-27 | 株式会社ニコン | 露光装置、その露光装置により製造されるデバイス、露光方法、およびその露光方法を用いたデバイス製造方法 |
JPH0697036A (ja) * | 1992-09-17 | 1994-04-08 | Hitachi Ltd | 投影露光装置の焦点合わせ装置 |
US6151122A (en) * | 1995-02-21 | 2000-11-21 | Nikon Corporation | Inspection method and apparatus for projection optical systems |
AU5067898A (en) * | 1996-11-28 | 1998-06-22 | Nikon Corporation | Aligner and method for exposure |
JP4029182B2 (ja) * | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
-
2001
- 2001-08-23 TW TW090120745A patent/TW497013B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-09-03 JP JP2001266012A patent/JP3997068B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-09-03 KR KR1020010053822A patent/KR100554258B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-09-03 DE DE60138987T patent/DE60138987D1/de not_active Expired - Fee Related
- 2001-09-04 US US09/944,145 patent/US6710849B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW497013B (en) | 2002-08-01 |
KR20020019886A (ko) | 2002-03-13 |
DE60138987D1 (de) | 2009-07-30 |
US20020026878A1 (en) | 2002-03-07 |
US6710849B2 (en) | 2004-03-23 |
KR100554258B1 (ko) | 2006-02-24 |
JP2002158168A (ja) | 2002-05-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3997068B2 (ja) | リトグラフ投影装置の較正方法およびそのような方法を適用できる装置 | |
JP3637024B2 (ja) | リソグラフィ装置 | |
JP4463863B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
US10678152B2 (en) | Layout method, mark detection method, exposure method, measurement device, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
KR20010085449A (ko) | 광학 결상 시스템에서의 광행차 측정 방법 | |
KR101651447B1 (ko) | 정량적 레티클 왜곡 측정 시스템 | |
JP4058405B2 (ja) | デバイス製造方法およびこの方法により製造したデバイス | |
JP4405462B2 (ja) | 較正用基板およびリソグラフィ装置の較正方法 | |
CN113196177B (zh) | 量测传感器、照射系统、和产生具有能够配置的照射斑直径的测量照射的方法 | |
KR100609110B1 (ko) | 리소그래피 장치의 교정 방법, 정렬 방법, 컴퓨터프로그램, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 | |
JP2007251185A (ja) | リソグラフィ装置、アライメント方法、およびデバイス製造方法 | |
JP4409577B2 (ja) | リソグラフィ装置、較正方法、デバイス製造方法及び較正システム | |
JP2002231616A (ja) | 位置計測装置及び方法、露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法 | |
EP1186959B1 (en) | Method for calibrating a lithographic projection apparatus | |
JP2001358063A (ja) | リソグラフィ投影装置のためのオブジェクト位置決め方法およびデバイス | |
JP2002190439A (ja) | 位置計測方法及びその装置、露光方法及びその装置、並びにデバイス製造方法 | |
CN108292111B (zh) | 用于在光刻设备中处理衬底的方法和设备 | |
JPWO2003069276A1 (ja) | 位置計測方法、露光方法、並びにデバイス製造方法 | |
JP3940113B2 (ja) | 基板位置合せ方法、コンピュータ・プログラム、デバイス製造方法、およびそれにより製造されたデバイス | |
JP2001203147A (ja) | マーク検知装置、露光装置、デバイス、マーク検知方法及び露光方法 | |
JP2005116581A (ja) | 検出方法、露光方法、検出装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 | |
JPH11219897A (ja) | 検出方法、走査露光方法、走査型露光装置、及びデバイス製造方法 | |
JP2002043211A (ja) | アライメント装置及び露光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060821 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060901 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20061010 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20061201 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20061206 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070220 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070712 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070806 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100810 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3997068 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100810 Year of fee payment: 3 |
|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20070815 |
|
A072 | Dismissal of procedure [no reply to invitation to correct request for examination] |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A072 Effective date: 20071213 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100810 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110810 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120810 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130810 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |