KR100609110B1 - 리소그래피 장치의 교정 방법, 정렬 방법, 컴퓨터프로그램, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 - Google Patents

리소그래피 장치의 교정 방법, 정렬 방법, 컴퓨터프로그램, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명에 따른 전방-대-후방면 정렬 광학기의 왜곡을 보상하는 방법에 따르면, 기판 마크의 추정된 위치와 기판 마크의 실제 위치간의 변위 벡터가 계산된다. 광학 보정 어레이는 또한 정해진 양만큼 기준 기판을 이동시키고, 기준 기판의 후방면 상의 한 포인트의 이미지가 이동한 정도와 상기 기판의 전방면 상의 대응하는 포인트의 이동한 정도를 비교하여 계산된다. 그 후, 상기 변위 벡터 및 광학 보정 어레이는 추가 기판들의 위치를 정확하게 계산하는데 사용된다.
상기 전방-대-후방면 정렬 광학기는 충분히 커서 각각의 브랜치를 통해 복수의 마크들을 동시에 투영시킬 수 있다. 기준 마크는 상기 전방-대-후방면 정렬 광학기의 목표 윈도우에 이식되고, 상기 전방-대-후방면 정렬 광학기의 단 하나의 브랜치를 통해 투영된 기판 마크와 기준 마크의 이미지들의 위치의 상대 변화는 상기 전방-대-후방면 정렬 광학기의 광학 특성의 변화를 나타낼 수 있다.

Description

리소그래피 장치의 교정 방법, 정렬 방법, 컴퓨터 프로그램, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법{A Method of Calibrating a Lithographic Apparatus, an Alignment Method, a Computer Program, a Lithographic Apparatus and a Device Manufacturing Method}
이하, 본 발명의 실시예들을 첨부 도면을 참조하여 단지 예시를 통해 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 리소그래피 투영장치를 도시한 도면;
도 2는 전방-대-후방면 정렬 광학기(front-to-backside alignment optics)를 이용한, 리소그래피 투영장치내의 기판의 정렬을 보여주는 다이어그램;
도 3은 변위 벡터 및 광학적 보정 어레이의 계산에 관계된 장치를 보여주는 다이어그램;
도 4a는 보정 벡터를 계산하는 경우, 예시적인 그리드에 대한 기준 기판(reference substrate)의 전방면 상의 마크들의 이동을 도시한 도면;
도 4b는 보정 벡터를 계산하는 경우, 예시적인 그리드(이는 전방-대-후방면 정렬 광학기를 통해서도 투영됨)에 대한 기준 기판의 후방면 상의 마크들의 이동을 도시한 도면;
도 5는 기준 마크 및 기판 마크를 구비한 전방-대-후방면 정렬 광학기의 단 일 브랜치(single branch)를 도시한 도면;
도 6은 전방-대-후방면 정렬 광학기의 광학 브랜치에서의 시프트를 검출하는데 사용되는 전방-대-후방면 정렬 광학기의 브랜치를 도시한 도면;
도 7은 전방-대-후방면 정렬 광학기의 브랜치의 치수(dimension)의 변화를 검출하는데 사용되는 전방-대-후방면 정렬 광학기의 브랜치를 도시한 도면; 및
도 8은 전방-대-후방면 정렬 광학기의 브랜치의 광학 배율(magnification)의 변화를 검출하는데 사용되는 전방-대-후방면 정렬 광학기의 브랜치를 도시한 도면이다.
본 도면에서, 대응하는 참조 부호들은 대응하는 부분들을 나타낸다.
본 발명은,
- 방사선 투영빔을 공급하는 방사선시스템;
- 원하는 패턴에 따라 투영빔을 패터닝하는 역할을 하는 패터닝수단을 지지하는 지지구조체;
- 기판을 잡아주는 기판테이블; 및
- 패터닝된 빔을 기판의 타겟부상으로 투영하는 투영시스템; 및
- 전방-대-후방면 정렬 광학기(front-to-backside alignment optics) 및 방사선의 정렬빔을 이용하여 기준 마크와 기판 마크간의 정렬을 검출하는 정렬 시스 템을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치에 관한 것이다.
본 명세서에서 채용하고 있는 "패터닝수단(patterning means)"이라는 용어는 기판의 타겟부에 형성되어야 할 패턴에 대응하는 패터닝된 단면을 입사하는 방사빔에 부여하도록 사용될 수 있는 수단을 의미하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 하며, 본 명세서에서는 "광 밸브(light valve)"라는 용어로도 사용된다. 일반적으로, 상기 패턴은 집적회로 또는 기타 디바이스와 같이 타겟부에 형성될 디바이스 내의 특정기능층에 해당할 것이다(이하 참조). 그러한 패터닝수단의 예로는 다음과 같은 것들이 포함된다.
- 마스크. 이 마스크의 개념은 리소그래피분야에서 이미 잘 알려져 있고, 바이너리(binary)형, 교번위상-시프트(alternating phase-shift)형 및 감쇠위상-시프트형과 같은 마스크형식과 다양한 하이브리드 마스크형식을 포함한다. 방사빔내에 이러한 마스크가 놓이면, 마스크의 패턴에 따라 마스크로 입사되는 방사선의 선택적인 투과(투과형 마스크의 경우) 또는 반사(반사형 마스크의 경우)가 이루어진다. 마스크의 경우에는, 일반적으로 마스크테이블이 지지구조체가 되고, 상기 마스크테이블은 입사되는 투영빔내의 소정위치에 마스크가 고정될 수 있게 하며, 필요한 경우에는 마스크를 상기 빔에 대하여 상대적으로 이동시킬 수 있도록 한다.
- 프로그램가능한 거울배열. 이러한 장치의 예로는, 점탄성 제어층 (viscoelastic control layer)과 반사면을 구비한 매트릭스-어드레서블 표면이 있다. 이러한 장치의 기본원리는, (예를 들어) 반사면의 어드레스된 영역(addressed area)에서는 입사광이 회절광으로 반사되는 반면, 어드레스되지 않은 영역에서는 입사광이 비회절광으로 반사되는 것이다. 적절한 필터를 사용하면, 상기 비회절광을 필터링하여 회절광만 남게 할 수 있다. 이러한 방식으로, 상기 빔은 상기 매트릭스-어드레서블 표면의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝된다. 프로그램가능한 거울배열의 대안적인 실시예는 작은 거울의 매트릭스 배치를 채택하는 것인데, 상기 각각의 작은 거울은 적당하게 국부적으로 치우친 전기장을 가하거나 또는 압전작동수단(piezoelectric actuation means)을 채택하여 축에 대하여 개별적으로 기울어질 수 있다. 또한, 상기 거울은 매트릭스-어드레서블이고, 이러한 어드레싱된 거울은 입사하는 방사빔을 어드레싱되지 않은 거울에 대하여 다른 방향으로 반사할 것이다. 이러한 방식으로, 반사된 빔은 매트릭스-어드레서블 거울의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝된다. 이때 요구되는 매트릭스 어드레싱은 적당한 전자수단을 사용하여 수행될 수 있다. 상술된 두가지 상황 모두에 있어서, 패터닝수단은 1이상의 프로그램가능한 거울배열로 이루어질 수 있다. 이러한 거울배열에 관한 보다 상세한 정보는, 예를 들어 본 명세서에서 참고자료로 채택되고 있는 미국특허 US 5,296,891호 및 US 5,523,193호와 PCT 특허출원 WO 98/38597호 및 WO 98/33096호로부터 얻을 수 있다. 프로그램가능한 거울배열의 경우에, 상기 지지구조체는 필요에 따라 고정되거나 또는 이동할 수 있는, 예를 들어, 프레임 또는 테이블로 구현될 수 있다.
- 프로그램가능한 LCD 배열. 이러한 구조의 일례는 본 명세서에서 참고자료로 채택되고 있는 미국특허 US 5,229,872호에 개시되어 있다. 상술된 바와 같이, 이러한 경우에서의 지지구조체는 필요에 따라 고정되거나 또는 이동할 수 있는, 예를 들어, 프레임 또는 테이블로 구현될 수 있다.
설명을 간단히 하기 위하여, 본 명세서의 나머지 부분 중 어느 곳에서는 그 자체가 마스크와 마스크테이블을 포함하는 예시적인 용어로서 특정적으로 지칭될 수도 있다. 하지만, 그러한 예시에서 논의된 일반적인 원리는 상술한 바와 같은 패터닝수단의 광의의 개념으로 이해되어야 한다.
예를 들어, 리소그래피 투영장치는 집적회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다.이 경우에, 패터닝수단은 IC의 각각의 층에 대응되는 회로패턴을 형성할 수 있으며, 이 패턴은 이후에 방사선 감응재(레지스트)층으로 도포된 기판(실리콘 웨이퍼)상의 타겟부(1이상의 다이로 구성되는)상으로 묘화될 수 있다. 일반적으로, 단일 웨이퍼는 인접해 있는 타겟부들의 전체적인 네트워크를 포함하고, 이들 타겟부는 투영시스템에 의하여 한번에 하나씩 연속적으로 조사된다. 현재 통용되는 장치에 있어서, 마스크테이블상의 마스크에 의한 패터닝을 채택하는 데에는, 두 가지 상이한 형식의 기계로 구분이 가능하다. 어느 한 형식의 리소그래피 투영장치에서는 타겟부상으로 전체 마스크 패턴을 한번에 노광함으로써 각 타겟부가 조사되는데, 이러한 장치를 통상적으로 웨이퍼 스테퍼(wafer stepper)라고 한다. 통상, 스텝-앤드-스캔 장치(step-and-scan apparatus)라고 불리워지는 대체 장치에서는 소정의 기준 방향("스캐닝 방향")으로 투영빔 하의 마스크 패턴을 점진적으로 스캐닝하는 한편, 상기 스캐닝 방향과 같은 방향 또는 반대 방향으로 기판테이블을 동기적으로 스캐닝함으로써 각 타겟부가 조사된다. 일반적으로, 투영시스템은 배율인 자 M(일반적으로 < 1)을 가지므로 기판테이블이 스캐닝되는 속도 V는 마스크테이블이 스캐닝되는 속도의 인자 M배가 된다. 본 명세서에 참고자료로 채택되고, 여기서 서술된 리소그래피 장치에 관한 보다 상세한 정보는, 예를 들어 미국특허 US 6,046,792호에서 찾을 수 있다.
리소그래피 투영장치를 사용하는 제조공정에서, (예를 들어, 마스크의) 패턴은 방사선 감응재(레지스트)층에 의하여 적어도 부분적으로 도포되는 기판상으로 묘화된다. 이 묘화 단계(imaging step)에 앞서, 기판은 전처리(priming), 레지스트 코팅 및 소프트 베이크와 같은 여러가지 과정을 거칠 수 있다. 노광 후에는, 노광후 베이크(PEB), 현상, 하드 베이크 및 묘화된 피처(imaged feature)의 측정/검사와 같은 또 다른 과정을 거치게 된다. 이러한 일련의 과정은, 디바이스, 예를 들어 IC의 각각의 층을 패터닝하는 기초로서 사용된다. 이렇게 패터닝된 층은 에칭, 이온주입(도핑), 금속화, 산화, 화학-기계적 폴리싱 등과 같이, 모두가 각각의 층을 완성하기 위하여 의도된 여러 공정을 거친다. 여러 개의 층이 요구된다면, 새로운 층마다 전체공정 또는 그것의 변형된 공정이 반복되어져야만 할 것이다. 그 결과로, 기판(웨이퍼)상에는 집적회로 디바이스의 배열이 존재하게 될 것이다. 이들 집적회로 디바이스는 다이싱 또는 소잉 등의 기술에 의하여 서로 분리되고, 이들 각각의 집적회로 디바이스는 캐리어에 장착되고 핀 등에 접속될 수 있다. 본 명세서에서 참고자료로 채택되고 있는 이와 같은 공정에 관한 추가정보는 예를 들어, "Microchip Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor Processing" (3판, Peter van Zant 저, McGraw Hill출판사, 1997, ISBN 0-07-067250-4)으로부터 얻을 수 있다.
설명을 간단히 하기 위하여, 상기 투영시스템은 이후에 "렌즈"라고 언급 될 것이다. 하지만 이 용어는 예를 들어, 굴절광학기, 반사광학기, 카타디옵트릭 (catadioptric) 시스템을 포함하는 다양한 형태의 투영시스템을 내포하는 것으로서 폭 넓게 해석되어야 한다. 또한 상기 방사선시스템은 방사선투영빔의 지향, 성형 또는 제어하는 이들 설계형식 중의 어느 하나에 따라 동작하는 구성요소를 포함할 수 있고, 이후에 설명에서는 이러한 구성요소들을 집합적으로 또는 개별적으로 "렌즈"라고 언급할 것이다. 나아가, 상기 리소그래피 장치는 2이상의 기판테이블 (및/또는 2이상의 마스크테이블)을 구비하는 형태가 될 수도 있다. 이러한 "다중 스테이지" 장치에서, 추가테이블이 병행으로 사용될 수 있으며, 1이상의 스테이지가 노광에 사용되고 있는 동안, 1이상의 다른 스테이지에서는 준비작업단계가 수행될 수 있다. 예를 들어, 본 명세서에서 참고자료로 채택되는 미국특허 US 5,969,441호 및 국제특허출원 WO 98/40791호에는 듀얼스테이지 리소그래피 장치가 개시되어 있다.
기판을 노광시키기 이전에, 기능적인 피처들의 정확한 투영이 보장되도록 상기 기판이 정확하게 정렬되어야 한다. 마크는 기판상에 제공되고 정렬 시스템을 이용하여 검출된다. 정렬 시스템의 예시로는, 종래의 스루 더 렌즈 시스템(through the lens system) 및 함께 계류중인 출원 EP02251440 및 EP02250235에서 설명된 정렬 방법 및 장치가 있다. 상기 마크는 통상적으로 기판의 전방면에 있으나, 기판의 후방면에 있을 수도 있다. 기판의 후방면상의 마크들은, 특히 Micro Electro Mechanical System(MEMS) 또는 Micro Opto- Electro Mechanical Systems(MOEMS)의 제조에 사용된다. 기판의 후방면 상의 마크가 사용된다면, 전방-대-후방면 정렬 (front-to-backside alignment:FTBA) 광학기들이 기판의 후방면 상의 마크를 전방면에 투영시킨다. 대안적으로는, 예를 들어 화학적 기계적 폴리싱, 애피택셜 층 증착(epitaxial layer deposition) 또는 굵은 입자 금속층 증착(thick grainy metal layer deposition)으로 인하여 기판 전방면 상의 마크를 더 이상 사용할 수 없다면, 후방-대-후방면 정렬(BTBA) 광학기가 사용될 수 있다. FTBA 및 BTBA 광학기들을 위한 공간이 거의 없다면, 기판 테이블내에 매입되는 거울과 같은 단순한 광학기들이 사용된다. 이들 광학기는 저렴하다는 장점이 있는 반면, 정확도가 낮아서 일반적으로 마크 이미지의 왜곡(distortion) 및 변위(displacement)가 발생한다는 단점이 있다. 또한, 상기 왜곡 및 변위는 기판상의 마크의 위치에 따라 좌우된다. 상기 왜곡은, 예를 들어 기준 기판을 사용하여, 각 포인트에 대하여 측정된 마크의 위치와 기판의 실제 위치간의 변위 벡터(ITO)를 계산함으로써 보상될 수 있다. 상기 변위 벡터들을 계산하기 위해서는, 기준기판은 전방면과 후방면에 마크를 가져야 하며 상기 마크들이 직접적으로 대응될 필요는 없다. 하지만, 이 방법은 관련된 많은 수의 ITO 벡터로 인하여 구현에 어려움이 있다. 또한, 각각의 ITO를 정확하게 판정하기가 어렵다.
또한, 전방-대-후방면 정렬 광학기를 교정하는 현재의 방법들은 전방-대-후방면 정렬 광학기의 특성이 시간에 따라 크게 변하지 않는다는 것을 가정하고 있다. 예를 들어, 시간에 따라 기판테이블 내의 전방-대-후방면 정렬 광학기의 위치가 변하거나 상기 전방-대-후방면 정렬 광학기의 치수가 변한다면, 이것은 현재의 교정 방법에서는 고려되지 않아 부정확한 정렬 및 부정확한 노광을 초래한다. 나아가, 교정 기판의 이용은 기판의 스루풋에 장애가 된다.
본 발명의 목적은 기판 이미지의 왜곡을 계산하는 개선된 방법을 제공하는 것이다.
상기 및 기타 목적들은, 본 발명에 따른 기준 기판의 전방 및 후방면 상의 마크들을 이용하는 전방-대-후방면 정렬 광학기를 포함하는 리소그래피 장치를 교정하는 방법에 의해 달성되는데, 상기 교정 방법은,
- 전방-대-후방면 정렬 광학기를 통해 관측된 상기 기준 기판의 후방면 상의 마크의 위치와 상기 마크의 실제 위치간의 변위 벡터를 계산하는 단계;
- 상기 기준 기판을 상기 전방-대-후방면 정렬 광학기에 대하여 작은 거리만큼 이동시키고, 상기 기준 기판의 후방면 상의 한 포인트의 이미지가 이동한 정도와 상기 기준 기판의 전방면 상의 한 포인트가 이동한 정도를 비교하여 제1보정벡터를 생성하는 단계; 및
- 상기 기준 기판을 이동시키는 상기 단계를 상기 기준 기판 상의 상이한 포인트에 대하여 반복하여 제2보정벡터를 생성하는 단계를 포함하여 이루어지고,
상기 변위 벡터 및 상기 광학 보정 벡터들은 교정 정보(calibration information)인 것을 특징으로 한다.
그러므로, 상기 방법은 단 하나의 ITO 벡터의 계산만을 필요로 한다. 계산을 위해 단 하나의 변위 벡터가 필요함에 따라, 보다 정확하게 행해질 수 있다. 상기 기준 기판을 이동시키는 상기 단계를 반복하는 단계는, 복수의 제2보정벡터를 생성하도록 복수번 반복되는 것이 바람직하며, 이에 따라 광학 보정 어레이가 생성된다. 바람직하게는, 4개 이상의 광학 보정 벡터들이 계산되어야 한다.
보다 간단한 계산을 위하여, 상기 제1보정벡터가 각각의 제2보정벡터로부터 감산되어 상기 광학 보정 어레이를 정규화(normalize)한다. 부가적으로 또는 대안적으로, 상기 기준 기판을 이동시켜 보정벡터를 생성하는 상기 단계에서, 상기 기준 기판의 후방면 상의 한 포인트의 이미지와 상기 기준 기판의 전방면 상의 상기 포인트 사이의 변위 벡터는 상기 보정벡터로부터 감산된다. 바람직한 방법에서는, 상기 기준 기판을 이동시켜 보정벡터를 생성하는 상기 단계에서, 상기 기준 기판의 후방면 상의 포인트에 대응하는 상기 기준 기판의 전방면 상의 포인트의 위치가 사용된다.
상기 기준 기판의 후방면 상의 상기 마크의 실제 위치는 상기 기준 기판의 전방면 상의 마크의 측정된 위치를 이용하여 계산될 수 있다.
본 발명의 또 다른 형태에 따르면, 전방-대-후방면 정렬 광학기의 단 하나의 브랜치(branch)를 통해 관측되도록 배치된 복수의 마크를 이용하는 전방-대-후방면 정렬 광학기를 포함하는 리소그래피 장치를 교정하는 방법을 제공하는데, 상기 방법은,
- 상기 전방-대-후방면 정렬 광학기의 이미지 윈도우에서 관측된 이미지와 상기 복수의 마크 각각에 대한 각각의 상기 마크간의 변위 벡터를 계산하는 단계; 및
- 상기 전방-대-후방면 정렬 광학기의 이미지 윈도우에서 관측된 이미지와 상기 복수의 마크들 각각의 상기 마크들 사이의 변위 벡터를 추후(a later time)에 재계산하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 상기 변위 벡터의 재계산은 전방-대-후방면 정렬 광학기의 소정의 변화, 예컨대 전방-대-후방면 정렬 광학기의 장소, 치수 또는 배율의 변화를 검출할 것이다. 복수의 마크들은 상기 전방-대-후방면 정렬 광학기의 각각의 브랜치를 통해 투영되어, 상기 전방-대-후방면 정렬 광학기에 대한 보다 상세한 정보를 얻을 수 있다. 전방-대-후방면 정렬 광학기의 각각의 브랜치를 통해 투영되는 마크들이 많을 수록, 상기 정보가 보다 상세해진다. 또한, 전방-대-후방면 정렬 광학기 내에 마크가 이식(implant)되는 것이 바람직하다. 기판 상에 배치된 마크들의 (전방-대-후방면 정렬 광학기를 통해 투영된) 이미지와 상기 이식된 마크의 이미지의 상대 위치가 변할 수 있으며, 이는 기판에 대한 전방-대-후방면 정렬 광학기의 위치의 변화를 나타낸다. 대안적으로, 기판 마크들의 이미지와 이식된 마크의 이미지간의 상대 위치의 변화가 없다면, 전방-대-후방면 정렬 광학기의 치수 또는 배율의 변화가 있을 것이다. 후방면 상의 복수의 (기판) 마크들을 구비한 기준 기판이 계산을 위해 사용될 수도 있다.
본 발명의 또 다른 형태에 따르면,
- 상기 기판의 후방면 상의 기판 마크를 구비한 기판을 제공하는 단계;
- 방사선 정렬빔을 제공하는 단계; 및
- 상기 방사선 정렬빔을 상기 기판 마크 상에 투영시키고 상기 기판 마크를 검출하기 위한 정렬 시스템을 제공하는 단계를 포함하여 이루어지고,
상기 기판 마크의 위치는 변위 벡터 및 복수의 보정 벡터를 이용하여 계산되는 것을 특징으로 하는 정렬 방법이 제공된다.
상기 방법에서는 복수의 변위 벡터보다는 오히려 단 하나의 변위 벡터를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 방법은 상기 기판의 후방면 상의 상기 기판 마크의 이미지를 상기 기판의 전방면에 투영하기 위한 전방-대-후방면 정렬 광학기를 제공하는 단계를 더 포함할 수 있고, 상기 정렬 시스템은 상기 이미지를 사용하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 형태에 따르면,
- 상기 기판의 후방면 상의 기판 마크를 구비한 기판을 제공하는 단계;
- 상기 기판 마크의 이미지를 상기 기판의 전방면에 투영시키는 광학기를 제공하는 단계;
- 상기 광학기에 마크를 제공하는 단계;
- 방사선 정렬빔을 제공하는 단계; 및
- 상기 방사선 정렬빔을 상기 기판 마크 상에 투영시키고 상기 기판 마크를 검출하기 위한 정렬 시스템을 제공하는 단계를 포함하여 이루어지고,
상기 검출된 기판 마크 및 상기 마크의 위치의 변화는 상기 광학기의 변화를 나타내는 것을 특징으로 하는 정렬 방법이 제공된다.
복수의 기판 마크들이 있는 것이 바람직하다. 기판 마크들이 많을 수록, 광 학기의 보다 상세하고도 정확한 분석이 수행될 수 있다. 상기 방법은 또한 기준 기판 마크를 구비한 기준 기판을 제공하는 단계와, 정렬 시스템을 이용하여 상기 광학기를 통해 상기 기준 기판 마크 및 상기 마크의 위치를 검출하는 단계를 포함할 수도 있다. 이에 따라, 기준 기판은 초기 교정에 사용된다. 상기 광학기는, 상대 변화값을 측정하기 위한 기준으로서 사용되는 광학기의 목표 윈도우(object window)에 이식된 기준 마크를 포함하는 것이 바람직한다. 상기 광학기는 전방-대-후방면 정렬 광학기의 각각의 브랜치를 통해 투영되는 복수의 마크(복수의 기판 마크 또는 이식된 기준 마크 및 하나 이상의 기판 마크) 및 전방-대-후방면 정렬 광학기인 것이 바람직하다.
본 발명의 또 다른 형태에 따르면,
- 기판을 방사선감응재의 층으로 적어도 부분적으로 커버하는 단계;
- 방사선시스템을 사용하여 방사선의 투영빔을 제공하는 단계;
- 패터닝수단을 사용하여 상기 투영빔의 단면에 패턴을 부여하는 단계;
- 방사선감응재 층의 타겟부상으로 방사선의 패터닝된 빔을 투영시키는 단계; 및
- 상술된 정렬 방법을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법이 제공된다.
상기 발명은 또한, 컴퓨터 시스템 상에서 실행할 때, 상술된 단계들을 수행하도록 리소그래피 장치에 접속된 컴퓨터 시스템에 명령하는 프로그램 코드 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 프로그램도 제공한다.
본 발명의 또 다른 형태에 따르면,
- 변위 벡터 및 복수의 보정 벡터를 저장하는 저장 수단; 및
- 상기 기판의 정렬 에러를 보정하는 보정 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 서두에 언급된 리소그래피 투영장치가 제공된다.
본 발명의 또 다른 형태에 따르면, 상기 기판 마크의 이미지를 상기 기판의 전방면에 투영시키는 전방-대-후방면 정렬 광학기를 더 포함하고, 상기 전방-대-후방면 정렬 광학기는 상기 기판 마크를 포함하는 복수의 마크를 동시에 투영하도록 충분히 큰 것을 특징으로 하는 서두에 언급된 리소그래피 투영장치가 제공된다.
상기 전방-대-후방면 정렬 광학기는, 상기 전방-대-후방면 정렬 광학기를 통해, 상기 기판 마크와 함께, 투영되는 이식된 마크를 가지는 것이 바람직하다. 따라서, 상기 전방-대-후방면 정렬 광학기의 이미지 평면 내의 이미지는 기판 마크의 이미지 및 이식된 마크의 이미지를 포함한다. 이들 이미지들은 정렬에 사용된다.
상기 전방-대-후방면 정렬 광학기는 근사적으로 5mm2 의 면적을 투영하는 것이 바람직하다. 예컨대, 목표 윈도우는 1.2mm의 직경을 갖는 원형이거나 또는 1.4mm와 3mm의 변을 갖는 직사각형일 수도 있다.
본 명세서에서는 IC의 제조에 있어서의 본 발명에 따른 장치의 사용례에 대하여 언급하였으나, 이러한 장치가 다른 여러 가능한 응용례를 가지고 있음이 명백히 이해되어야 할 것이다. 예를 들어, 상기 장치는 집적 광학시스템, 자기영역메모리용 유도 및 검출패턴, 액정표시패널, 박막자기헤드 등의 제조에도 이용될 수 있다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용례와 관련하여, 본 명세서에서 사용된 "레티클", "웨이퍼" 또는, "다이"와 같은 용어가 각각 "마스크", "기판" 및 "타겟부" 등과 같은 좀 더 일반적인 용어로 대체되고 있음을 이해할 수 있다.
본 명세서에서, "방사선" 및 "빔"이란 용어는 (예를 들어, 파장이 365, 248, 193, 157 또는 126㎚ 인) 자외선과 이온빔 또는 전자빔과 같은 입자빔 및 (예를 들어, 파장이 5 내지 20㎚ 범위인 극자외선) EUV를 포함하는 모든 형태의 전자기방사선을 포괄하여 사용된다.
제1실시예
도 1은 본 발명의 특정 실시예에 따른 리소그래피 투영장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는,
ㆍ 방사선(예를 들어 UV방사선)의 투영빔(PB)을 공급하는 방사선 시스템(Ex, IL). 특별한 경우에, 상기 방사선시스템은 방사원(LA)도 포함한다;
ㆍ 마스크(MA)(예를 들어, 레티클)를 잡아주는 마스크 홀더가 제공되며, 아이템(PL)에 대하여 마스크를 정확히 위치시키는 제1위치설정수단에 연결되는 제1대물테이블(마스크테이블)(MT);
ㆍ기판(W)(예를 들어, 레지스트가 도포된 실리콘 웨이퍼)을 잡아주는 기판 홀더가 제공되며, 아이템(PL)에 대하여 기판을 정확히 위치시키는 제2위치설정수단에 연결되는 제2대물테이블(기판테이블)(WT);
ㆍ기판(W)의 타겟부(C)(예를 들어, 1이상의 다이를 포함)상으로 마스크(MA)의 조사된 부분을 묘화시키는 투영시스템("렌즈")(PL)(예를 들어, 굴절 렌즈 시스 템)을 포함하여 이루어진다.
도시된 바와 같이, 상기 장치는 (즉, 투과마스크를 구비한)투과형이다. 하지만, 일반적으로는, 예를 들어(반사마스크를 구비한)반사형일 수도 있다. 대안적으로, 상기 장치는 상술된 형식의 프로그래밍 가능한 거울배열과 같은, 다른 종류의 패터닝수단을 채택할 수도 있다.
상기 방사원(LA)(예를 들어, 레이저-생성 또는 방전 플라즈마원)은 방사빔을 생성한다. 이러한 빔은 직접적으로 조명시스템(일루미네이터)(IL)으로 들어가거나 또는 예를 들어 빔 익스펜더(Ex)와 같은 컨디셔닝 수단을 거친 후에 조명시스템으로 공급된다. 상기 일루미네이터(IL)는 빔 세기 분포의 외측 및/또는 내측 반지름 크기(통상 각각 σ-외측 및 σ-내측이라고 함)를 설정하는 조절수단(AM)을 포함할 수 있다. 또한, 그것은 일반적으로 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같은 다양한 기타 구성요소를 포함한다. 이러한 방식으로, 마스크(MA)에 입사되는 빔(PB)은 그 단면이 소정의 균일성과 세기 분포를 갖게 된다.
도 1과 관련하여, 상기 방사원(LA)은 리소그래피 투영장치의 하우징내에 놓이지만(예를 들어, 흔히 방사원(LA)이 수은 램프인 경우에서와 같이), 상기 방사원이 리소그래피 투영장치로부터 멀리 떨어질 수 있고, 방사원이 만들어낸 방사빔이 (예를 들어, 적당한 지향거울에 의하여) 장치내부로 들어오게 할 수 있다. 후자의 경우, 방사원(LA)이 엑시머 레이저인 경우가 흔히 있다. 본 발명과 청구범위는 이들 시나리오를 모두 포함하고 있다.
계속하여, 상기 빔(PB)은 마스크테이블(MT)상에 고정되는 마스크(MA)를 통과 한다. 마스크(MA)를 통과한 투영빔(PB)은 렌즈(PL)를 통과하여 기판(W)의 타겟부 (C)상에 빔(PB)의 초점을 맞춘다. 제2위치설정수단(및 간섭계 측정수단(IF))에 의하여, 기판테이블(WT)은, 예를 들어 빔(PB)의 경로내에 상이한 타겟부(C)를 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제1위치설정수단은 예를 들어, 마스크 라이브러리로부터 마스크(MA)를 기계적으로 회수한 후에, 또는 스캐닝하는 동안에 빔(PB)의 경로에 대하여 마스크(MA)를 정확히 위치시킬 수 있도록 사용될 수 있다. 일반적으로 대물테이블(MT, WT)의 이동은, 도 1에 명확히 도시되지는 않았지만, 긴 행정 모듈(long stroke module)(개략 위치설정) 및 짧은 행정 모듈(미세 위치설정)에 의하여 행해진다. 하지만, (스텝-앤드-스캔 장치와는 대조적으로)웨이퍼 스테퍼의 경우에서는, 마스크테이블(MT)이 다만 짧은 행정 액추에이터에 단지 연결되거나 고정될 수도 있다.
상술된 장치는 다음의 두 가지 상이한 모드로 사용될 수 있다.
1. 스텝 모드에서, 마스크테이블(MT)은 기본적으로 정지상태로 유지되며, 전체 마스크 이미지는 한번에(즉, 단일 "섬광"으로) 타겟부(C)로 투영된다. 이후 기판테이블(WT)이 x 및/또는 y 방향으로 쉬프트되어 다른 타겟부(C)가 투영빔(PB)에 의하여 조사될 수 있다.
2. 스캔 모드에서는, 소정의 타겟부(C)가 단일 "섬광"으로 노광되지 않는 것을 제외하고는, 실질적으로 스텝 모드와 동일한 시나리오가 적용된다. 그 대신에, 마스크테이블(MT)이 ν의 속도로 소정 방향(소위 "스캐닝 방향", 예를 들어 y 방향)으로 이동할 수 있어, 투영빔(PB)이 마스크 이미지의 모든 부분을 스캐닝하게 되고, 동시에, 기판테이블(WT)은 속도 V=Mν로 동일한 방향 또는 그 반대 방향으로 동시에 이동한다. 이때 M 은 렌즈(PL)의 배율(통상 M = 1/4 또는 1/5)이다. 이러한 방식으로, 해상도를 떨어뜨리지 않고 상대적으로 넓은 타겟부(C)가 노광될 수 있다.
기판의 노광에 앞서, 마스크(MA) 및 기판(W)의 정렬이 일어난다. 상보형 정렬 마크(M1, M2) 및 기판 마크(P1, P2)는 상기 마스크(MA) 및 기판 상에 각각 존재한다. 본 발명은 새로운 정렬 시스템을 요구하지 않으며, 도 2에서 정렬 빔(AB)은 상기 투영 시스템(PL)을 통해 투영된다. 도시된 바와 같이, 기판 마크(P1, P2)가 상기 기판의 후방면 상에 있으므로, 기판 마크(P2)가 상기 기판(W)의 측면에서 전방-대-후방면 정렬 광학기(22)에 의해 재묘화(re-image)되어 이미지(Pi)를 형성하게 된다. 도 4b에는, 상기 전방-대-후방면 정렬 광학기(22)를 통해 투영된 그리드의 왜곡(distortion)이 예시되어 있다.
도 3에는, 상기 왜곡을 기술(describe) 및 보상하는데 사용되는 (복수의 광학 보정 벡터로부터 만들어진) 광학 보정 어레이 및 변위 벡터를 계산하는 단계가 포함된 장치가 도시되어 있다. 이를 위해, 전방면 및 후방면 양자 모두의 위에 있는 기판 마크들을 갖는 특별히 설계된 기판(WR)이 사용된다. 상기 기준 기판(WR)의 후방면 상에 있는 특정 기판 마크(P2)의 위치(P 2 )는, 상기 기준 기판(WR)의 전방면 상의 기판 마크(Q2)의 위치(Q 2 )에 대하여 공지되어 있다. 상기 문단에 기술된 정렬 광학기는 위치(P 2i )에서 기판 마크(P2)의 이미지(Pi)를 투영하는데 사용되며, 정렬 마크(M2)를 이용하여 P2의 위치가 추정될 수 있다. 이미지 대 목표 벡터(ITO)는 상기 이미지(P2i)와 마크(P2)간의 거리이고, 광학 보정 벡터(OCO)는 기판의 상이한 부분에서의 상대 왜곡(즉, 변위)을 나타낸다. 따라서, 웨이퍼의 후방면 상의 기판 마크의 위치 P 2 는 다음과 같다:
P 2 = P 2i + OCO + ITO
만일 전방-대-후방면 정렬 광학기가 이미지를 반사하면, 이는 변환 행렬(transform matrix) IM 를 이용하여 간단히 통합될 수 있다.
기준 기판에 있어서, 전방면 Q 2 상의 마크의 위치와 기준 기판(WR)의 후방면 P 2 상의 마크의 위치간의 거리가 공지된 사실을 이용하면, (P 2i -Q 2 )가 측정될 수 있음에 따라, 이미지 대 목표 벡터 ITO가 주어진 포인트에 대해 계산될 수 있다:
ITO = (P 2i -Q 2 )*IM-(Q 2 -P 2 )
그 후, 기준 기판(WR)이 리프팅(lift)되는 리프팅 장치로 기판 테이블이 이동하는데, 상기 기판 테이블(WT)은 짧은 거리를 이동한 후, 상기 기준 기판(WR)은 기판 테이블(WT) 위에서 교체된다. 도 3, 도 4a 및 도 4b에 도시된 바와 같이, 기 판 테이블(WT)이 그 노광 스테이션으로 복귀하면, (기준 마크의 변위 Q2를 측정함으로써) 기준 기판(WR)의 변위 Q 2 가 확정된다. P2의 이미지의 변위 P 2i (및 이에 따른 P2의 위치의 추정값)도 측정되며, 다음의 수학식을 이용하여,
P 2 = Q 2 +ITO+(P 2i +OCO-Q 2 )*IM
OCO = (P 2 -ITO-Q 2 +(Q 2 -P 2i )*IM)*IM -1
상기 위치에 대한 광학 보정 벡터가 계산될 수 있다. 이는 기준 기판(WR) 상의 상이한 위치에 대해 반복된다. 이들 벡터들은 기판 이미지의 상이한 영역들의 상대 왜곡의 표시를 제공한다. 따라서, 보다 많은 광학 보정 벡터들이 발견될수록, 전체 기판 이미지의 왜곡의 추정값이 보다 정확해진다. 바람직하게는, 4개 이상의 광학 보정 벡터들이 계산되어야 한다. 광학 보정 어레이(OCA)를 형성하도록 상기 광학 보정 벡터 OCO가 조합된다. 변위 벡터 ITO 및 광학 보정 어레이 OCA 양자 모두가 리소그래피 투영장치에 특정되며, 미래에 상기 장치의 이용에 있어서 기계 상수(machine constants)로서 저장된다.
전방면 상의 기판 마크들이 더 이상 접근불가능하거나 사용불가능한 기판(W)을 위하여, 전방-대-후방면 정렬 광학기가 사용된다. 기판 마크(P2)의 이미지의 위치는, 상기 전방-대-후방면 정렬 광학기에 의하여 왜곡을 보상하도록, 변위 벡터 ITO 및 광학 보정 어레이 OCA를 이용하여, 기판 마크(P2)의 실제 위치를 찾기 위하여 처리된다. 이에 따라, 기판 마크(P2)의 정확한 위치가 확정될 수 있다.
설명의 간편성을 위하여, 첫번째 광학 보정 벡터 OCO가 두번째 후속 광학 보정 벡터 OCO로부터 감산되어, 광학 보정 어레이 OCA를 정규화(normalize)한다. 보다 작은 값으로 인하여, 기판 위치의 후속 계산의 속도를 높일 수 있음이 밝혀졌다.
특정 포인트를 이용하여 기판을 정렬하기 위하여 광학 보정 어레이를 이용하는 경우, 상기 포인트에 가장 근접한 보정 벡터가 사용된다. 대안적으로, 2개 이상, 바람직하게는 3개 또는 4개의 가장 근접한 광학 보정 벡터 OCO 사이에 내삽법(interpolation)이 사용될 수도 있다.
나아가, 본 발명은 소정 개수의 전방-대-후방면 정렬 광학 브랜치를 구비한 시스템과 연계하여 사용될 수 있다.
최적의 결과를 얻기 위하여, 바람직하게는 상기 교정이 주기적으로 수행되어야만 한다.
부가적으로, 본 발명은 정렬 마크들의 정렬 에러와 같은 다른 형태의 정렬에 있어서의 왜곡을 보상하는데 사용될 수 있다.
본 발명을 예시하는데 스루 더 렌즈 정렬 시스템이 사용될 수도 있지만, 오프-액시스 정렬 시스템도 동등하게 사용될 수 있다.
본 발명은 데카르트 좌표계를 이용하여 예시되었지만, 극좌표계와 같은 여타 의 것이 사용될 수도 있다.
제2실시예
본 실시예는 후술하는 상세한 내용을 제외하고는 상술된 실시예와 같다.
본 실시예는 상술된 광학 보정 벡터들과 결합되어, 또는 정렬을 측정하는 종래의 방법을 이용하여, 즉 복수의 이미지 대 목표 벡터(object vector)들과 결합되어 사용될 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 전방-대-후방면 정렬 광학기(20)의 각각의 브랜치는 충분히 커서 2개 이상의 마크들을 투영할 수 있다. 상기 전방-대-후방면 정렬 광학기의 각각의 브랜치의 목표 윈도우(21)에 기준 마크(25)가 이식된다. 기준 마크(25)는 전방-대-후방면 정렬 광학기(20)의 목표 윈도우 내에 에칭, 마킹 또는 접착된다. 상기 전방-대-후방면 정렬 광학기(20)의 목표 윈도우(21)에 나타나는 단 하나의 기판 마크(26) 대신에, 3개의 기판 마크(26, 27, 28)가 전방-대-후방면 정렬 광학기(25)의 목표 윈도우에 있다. 도시된 바와 같이, 마크(25, 26, 27, 28)의 이미지(35, 36, 37, 38)는 전방-대-후방면 정렬 광학기(20)의 이미지 윈도우(22)에 투영된다. 상기 이미지와 마크 사이의 거리를 나타내는 이미지 대 목표 벡터(45, 46, 47, 48)는 각각의 마크(25, 26, 27, 28)에 대해 계산된다. 이들 벡터들은 기준 벡터로서 사용되며, 전방-대-후방면 정렬 광학기의 특성의 변화값들이 이들에 대해 측정된다.
추후에, 기판 상의 같은 위치에 프린트된 기판 마크(26, 27, 28)도 구비한 또 다른 기판이 기판 테이블(WT) 상에 위치한다. 도 6에 도시된 바와 같이, 기판 마크(36, 37, 38)의 이미지 및 기준 마크(35)의 이미지의 상대 위치가 변경되었다. 그러므로, 기판(W)에 대한 광학 브랜치의 위치가 변경되어야만 한다. 따라서, 이를 보정하기 위한 단계들이 취해질 수 있다.
또 다른 시나리오가 도 7에 도시되어 있는데, 모든 이미지 대 목표 벡터들이 변경되었다. 이는 전방-대-후방면 정렬 광학기의 브랜치의 치수가 변경되었다는 것을 나타낸다.
세번째 시나리오가 도 8에 도시되어 있다. 다시, 모든 이미지 대 목표 벡터들이 변경되었다. 하지만, 그들은 모두 전방-대-후방면 정렬 광학기(20)의 상기 브랜치의 배율의 변화가 있었음을 나타내는 상이한 양만큼 변경되었다.
일단 이러한 변화들이 검출되면, 그들을 보상하기 위한 단계들이 취해질 수 있다.
상기 정렬 방법은 특히 보통 기판을 이용하여 수행될 수 있고, 특별한 교정 단계들이 필요없다는 장점이 있다. 여기서는 3개의 기판 마크들이 사용되었지만, 단 하나의 기판 마크로 충분할 수도 있다.
지금까지 본 발명의 특정 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 상술된 것 이외의 방법으로 실시될 수 있다는 것은 자명하다. 상기 상세한 설명은 본 발명을 제한하려는 것이 아니다.
본 발명에 따르면, 기판 이미지의 왜곡을 계산하는 개선된 방법을 제공할 수 있다.

Claims (22)

  1. 기준 기판의 전방 및 후방면 상의 마크들을 이용하는 전방-대-후방면 정렬 광학기를 포함하는 리소그래피 장치를 교정하는 방법에 있어서,
    - 전방-대-후방면 정렬 광학기를 통해 관측된 상기 기준 기판의 후방면 상의 마크의 위치와 상기 마크의 실제 위치간의 변위 벡터를 계산하는 단계;
    - 상기 기준 기판을 상기 전방-대-후방면 정렬 광학기에 대하여 작은 거리만큼 이동시키고, 상기 기준 기판의 후방면 상의 한 포인트의 이미지가 이동한 정도와 상기 기준 기판의 전방면 상의 한 포인트가 이동한 정도를 비교하여 제1보정벡터를 생성하는 단계; 및
    - 상기 기준 기판을 이동시키는 상기 단계를 상기 기준 기판 상의 상이한 포인트에 대하여 반복하여 제2보정벡터를 생성하는 단계를 포함하여 이루어지고,
    상기 변위 벡터 및 상기 광학 보정 벡터들은 교정 정보인 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치의 교정 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기준 기판을 이동시키는 상기 단계를 반복하는 단계는, 복수의 제2보정벡터를 생성하도록 여러번 반복되고, 광학 보정 어레이는 상기 보정벡터들로부터 생성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치의 교정 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1보정벡터는 각각의 제2보정벡터로부터 감산되어, 상기 광학 보정 어레이를 정규화시키는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치의 교정 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기준 기판을 이동시켜 보정벡터를 생성하는 상기 단계에서, 상기 기준 기판의 후방면 상의 한 포인트의 이미지와 상기 기준 기판의 전방면 상의 상기 포인트 사이의 변위 벡터는 상기 보정벡터로부터 감산되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치의 교정 방법.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기준 기판을 이동시켜 보정벡터를 생성하는 상기 단계에서, 상기 기준 기판의 후방면 상의 포인트에 대응하는 상기 기준 기판의 전방면 상의 포인트의 위치가 사용되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치의 교정 방법.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기준 기판의 후방면 상의 상기 마크의 실제 위치는, 상기 기준 기판의 전방면 상의 마크의 측정된 위치를 이용하여 계산되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치의 교정 방법.
  7. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    4개 이상의 광학 보정 벡터들이 생성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치의 교정 방법.
  8. 전방-대-후방면 정렬 광학기의 단 하나의 브랜치를 통해 관측되도록 배치된 복수의 마크를 이용하는 전방-대-후방면 정렬 광학기를 포함하는 리소그래피 장치를 교정하는 방법에 있어서,
    - 상기 전방-대-후방면 정렬 광학기의 이미지 윈도우에서 관측된 이미지와 상기 복수의 마크 각각에 대한 각각의 상기 마크간의 변위 벡터를 판정하는 단계; 및
    - 상기 판정하는 단계를 추후에 반복하고, 상기 첫번째 변위 벡터와 추후 판정된 변위 벡터를 비교하여, 상기 전방-대-후방면 정렬 광학기에서의 여하한의 변화라도 검출하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치의 교정 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 복수의 마크들 중 하나는 상기 전방-대-후방면 정렬 광학기 내에 고정되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치의 교정 방법.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서,
    상기 복수의 마크들 중 하나 이상은 기준 기판의 후방면 상에 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치의 교정 방법.
  11. 제8항 또는 제9항에 있어서,
    상기 계산값들이 상기 광학 브랜치의 시프트를 판정하도록 사용되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치의 교정 방법.
  12. 제8항 또는 제9항에 있어서,
    상기 계산값들이 상기 전방-대-후방면 정렬 광학기의 치수의 변화를 판정하도록 사용되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치의 교정 방법.
  13. 제8항 또는 제9항에 있어서,
    상기 계산값들이 상기 전방-대-후방면 정렬 광학기의 광학 배율의 변화를 판정하도록 사용되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치의 교정 방법.
  14. 정렬 방법에 있어서,
    - 기판의 후방면 상의 기판 마크를 구비한 기판을 제공하는 단계;
    - 방사선 정렬빔을 제공하는 단계; 및
    - 상기 방사선 정렬빔을 상기 기판 마크 상에 투영시키고 상기 기판 마크를 검출하기 위한 정렬 시스템을 제공하는 단계를 포함하여 이루어지고,
    상기 기판 마크의 위치는 변위 벡터 및 복수의 보정 벡터를 이용하여 계산되는 것을 특징으로 하는 정렬 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 기판의 후방면 상의 상기 기판 마크의 이미지를 상기 기판의 전방면에 투영하기 위한 전방-대-후방면 정렬 광학기를 제공하는 단계를 더 포함하여 이루어지고, 상기 정렬 시스템은 상기 이미지를 사용하는 것을 특징으로 하는 정렬 방법.
  16. 디바이스 제조방법에 있어서,
    - 기판을 방사선감응재의 층으로 적어도 부분적으로 커버하는 단계;
    - 방사선시스템을 사용하여 방사선의 투영빔을 제공하는 단계;
    - 패터닝수단을 사용하여 상기 투영빔의 단면에 패턴을 부여하는 단계;
    - 방사선감응재 층의 타겟부상으로 상기 방사선의 패터닝된 빔을 투영시키는 단계; 및
    - 제14항 또는 제15항에 따른 정렬 방법을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  17. 삭제
  18. 컴퓨터 시스템 상에서 실행할 때, 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따른 단계들을 수행하도록 리소그래피 장치에 접속된 컴퓨터 시스템에 명령하는 프로그램 코드 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체.
  19. 리소그래피 투영장치에 있어서,
    - 방사선 투영빔을 제공하는 방사선시스템;
    - 소정 패턴에 따라 상기 투영빔을 패터닝하는 역할을 하는 패터닝수단을 지지하는 지지구조체;
    - 기판을 잡아주는 기판테이블;
    - 상기 패터닝된 빔을 상기 기판의 타겟부상으로 투영시키는 투영시스템;
    - 전방-대-후방면 정렬 광학기 및 방사선 정렬빔을 이용하여 기준 마크와 기판 마크간의 정렬을 검출하는 정렬 시스템을 포함하여 이루어지고,
    - 변위 벡터 및 복수의 보정 벡터를 저장하는 저장 수단; 및
    - 상기 기판의 정렬 에러를 보정하는 보정 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  20. 리소그래피 투영장치에 있어서,
    - 방사선 투영빔을 제공하는 방사선시스템;
    - 소정 패턴에 따라 상기 투영빔을 패터닝하는 역할을 하는 패터닝수단을 지지하는 지지구조체;
    - 그 후방면 상의 기판 마크를 구비한 기판을 잡아주는 기판테이블;
    - 상기 패터닝된 빔을 상기 기판의 타겟부상으로 투영시키는 투영시스템;
    - 상기 기판 마크의 이미지를 상기 기판의 전방면에 투영시키는 전방-대-후방면 정렬 광학기; 및
    - 전방-대-후방면 정렬 광학기 및 방사선 정렬빔을 이용하여 기준 마크와 상기 기판 마크간의 정렬을 검출하는 정렬 시스템을 포함하여 이루어지고,
    상기 전방-대-후방면 정렬 광학기는, 상기 기판 마크를 포함하는 복수의 마크를 동시에 투영하도록 충분히 큰 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 전방-대-후방면 정렬 광학기는, 상기 기판 마크와 함께, 상기 전방-대-후방면 정렬 광학기를 통해 투영되는 이식된(implanted) 마크를 가지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
  22. 전방-대-후방면 정렬 광학기의 목표 윈도우가 1mm 이상의 직경을 가지는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
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