TWI242686B - A method of calibrating a lithographic apparatus, an alignment method, a computer program, a lithographic apparatus and a device manufacturing method - Google Patents

Description

Ϊ242686 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種微影投影裝置，其包括： -一用於提供投影輻射光束之輻射系統； —用於支撐圖案化構件之支擇結構，該圖案化構 於依照所要的圖案將投影光束圖案化； -一用於固定基板之基板台； -一用於將圖案化光束投影到基板之—目標部分 影系統；以及 〈才又 光 況 —對準系統， 學器件來偵測一 其用於使用料㈣光束與正反面對準 *考標記與該基板標記之間的對準情 【先前技術】 此處使用之術語”圖案化構件"應廣泛地解釋為指可用於 賦予入射光束以圖案化橫截面的裝置，該橫截面與欲創建 於基板的目標部分内的圖案相對應；術語，，光閥”亦可用於 此情形。-般而言’該圖案將對應於在目標部分中創建的 疋件（諸如，積體電路或其它元件（參看下文））中—特定功能 層。此等圖案化構件的實例包含： •一光罩。光罩的概念在微影技術領域已為人所孰知， 並且其包含多種光罩類型，諸如二進位、交互相移、及衰 減相矛夕卩及各種混合光罩類型。將該種光罩置於輻射光 束中^ $致射到光罩上的輻射光根據光罩上的圖案而發 生、擇&透射（在透射性光罩之情況下）或反射（在反射性光 93316.doc 1242686 罩之情況下）。在使用光罩之情況下，支撐結構一般為光罩 台，其確保光罩可固定於入射輻射光束中的所要的位置 處，並且若期望的話，可相對於該光束移動該光罩。 _ 一可程式化鏡面陣列。此類元件之一實例為具有黏彈 性控制層及反射性表面的矩陣可定址表面。此類裝置的基 本原理在於（例如）反射性表面的定址區域將入射光反射為 繞射光’而非定址區域則將入射光反射為非繞射光。使用 一恰當的濾光器，可將該非繞射光自反射光束中濾出，僅 留下繞射光；以此種方式，依照矩陣可定址表面之定址圖 案來將光束圖案化。可程式化鏡面陣列之替代實施例使用 微鏡面矩陣排列，藉由施加一合適之區域化電場或使用壓 電致動構件可使得其中每個微鏡面獨立地關於一軸線傾 斜。同樣，該等鏡面為矩陣可定址的，使得定址鏡面將入 射輻射光束反射到與非定址鏡面所反射方向不同的方向 上；以此方式，依照矩陣可定址鏡面的定址圖案而將反射 光束圖案化。可使用合適電子構件來執行所需矩陣定址。 在上述的兩種情況中，肖圖案化構件可包括一或多個可程 式化鏡面陣列。有關於如此處所提到的鏡面陣列的更多資 訊可獲取自（例如）美國專利us 5,296,8_us 5,523 193，、 及pct專利中請案wo 98/38597與购％⑽％，該等文獻 以引用的方式併人本文中。在可程式化鏡面陣列之情況 下，可將該支撐結構實施為一框架或台，例％，其可按要 求為固定的或可移動的。 -一可程式化LCD(液晶顯示器）陣列。美國專利仍 93316.doc 1242686 5 ’ 2 2 9，8 7 2中提供了此類構造的一實例 5亥案以引用方式併

形下，圖案化構件可產生對應於1(：的個別層的電路圖案， 且可使該圖案成像於一基板（矽晶圓）之目標部分（例如：'包 括-或多個晶粒)上，該基板上已塗覆有一層輻射敏感材料 (抗蝕劑）。一般而言，單個晶圓將含有藉由投影系統來一次 一個地連續加以照射之鄰近目標部分的整體網路。在目前 之裝置中，採用在光罩臺上藉由光罩之圖案化過程時，可 區分兩種不同類型的機器。在一種微影投影裝置中，藉由 將整個光罩圖案一次性曝露於目標部分上來照射每個目標 部分；通常將此類裝置稱為晶圓步進器。在另一通常稱為 步進掃描裝置的裝置中，藉由在一給定參考方向（，，掃描”方 向）上在4又影光束中漸進地知描光罩圖案，同時伽此方丨j平 行或逆平行地掃描基板台，來照射每個目標部分；由於， 一般而δ ’投影糸統具有放大係數Μ ( —般小於1)，婦f其 板台的速度V為掃描光罩台之速度的係數]v[倍。關於如此产 所述之微影元件的更多資訊可獲取（例如）自us 6,046,792，此案以引用方式併入本文中。 93316.doc 1242686 在使用微影投影裝置的製造過程中， 上）得赤德认 圖案（例如在光罩 、）糸成像於-至少部分地由一層輻射敏感 塗覆的基板上。在此成像步驟之前 - 序， ^基板可經歷各種程

… 底漆、抗蝕劑塗布及軟烘烤。曝光之後，A =受其它程序，諸如，後曝光烘培（peb)、 二 及量測/檢測所成像部件。將該一系列程序用作圖宰化一： 件（例如-IC)的個別層之基礎。而後，該種圖案化層可經歷 各種過程，諸如韻刻、離子植入（摻雜）' 金屬化、氧化、化 學機械研磨等等’所有該等過程皆用以完成對個別層的加 工。若要求幾個層，則將不得不針對每個新的層重複該整 個程序或其變體。最後，基板（晶圓）上將出現—元件陣列。 而後，藉由一諸如分割或鋸切之技術將該等元件彼此分 離，由此可將該等個別元件安裝於載體上，連接到引腳， 等等。關於此類過程的另外資訊可自（例如）Peter van zant 之” Microchip Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor Processing”，第三版，McGraw Hiu出版公 司，1997, ISBN 0-07-067250-4—書中獲得，此書以引用的 方式併入本文中。 為了 Μ單起見’可將投影系統在下文中稱為”透鏡"，然 而邊術語應廣義地解釋為涵蓋各種類型之投影系統，包括 (例如）折射光學器件、反射光學器件、及反射折射系統。該 輻射系統亦可包含依照用於引導 '成形或控制投影輻射光 束的該等設計類型來進行操作的組件，且該等組件亦可在 下文中統一地或單獨地稱作’’透鏡”。此外，該微影裝置可 93316.doc 1242686 為一種具有兩個或兩個以上基板台（及/或兩個或兩個以上 光罩台）的裝置。在該等”複數個台”的裝置中，可平行使用 額外的台，或可於一或多個臺上進行預備步驟而同時將一 或多個其它台用於曝光。例如，在us 5,969,441以及 98/40791中描述了雙平臺微影裝置，”文用方式 併入本文中。 在使基板曝光之前，必須對其進行正確對準以確保功能 性部件之精確投影。在基板上提供一標記並且藉由一對= 系統進行偵測。對準系統之實例為習知的經由透鏡對準系 統（through the lens alignment system)且還有如同在申請中 的專利申請案EP02251440以及EP02250235所描述之對準 方法及裝置。通常，該標記位於基板的正面上，但亦可位 於基板反面上。基板反面上的標記尤其被用於微機電系統 (MEMS)或微光機電系統（M〇EMS)的製造中。若使用基板反 面的標記，則正反面對準（171^入）光學器件將基板反面上的 払圮投影到基板正面。或者，若由於（例如）化學機械研磨、 磊晶層沈積或粗顆粒金屬層沈積而使得基板正面的標記不 能再用，則可使用反反面對準（BTBA)光學器件。當幾乎沒 有用於FTBA與BTBA的空間時，使用簡單光學器件，諸如 嵌入基板台的鏡面。雖然該等光學器件的優點在於廉價， 隨之而來的缺點為其具有低精確度且因此標記之影像的失 真與位移普遍存在。此失真與位移亦取決於基板上標記的 位置。可藉由使用（例如）一參考基板針對每一個點計算基板 標記之實際位置與估計位置之間的位移向量（IT〇)來補償 93316.doc -10- 1242686 匕失真Α α十开5亥等位移向量，參考基板應於正反面均具 有標記’儘管該等標記無需直接對應。然而，由於所涉及 的ITO向量之龐大數目，竽 °亥方法難以貫施。另外，很難精確 地確定每個ITO。 、…用於校正正反面對準光學时的當前方法亦假設正反面 對準光學器件的特性不會隨時間推移發生顯著變化。若（例 如）正反面對準光學器件在基板台中的位置發生變化或正 反面對準光學ϋ件的尺寸隨時間推移發生變化，則當前校 正方法將不會解決此情況，從而導致不精確對準及不精確 <1、光此外，使用权正基板會干擾基板產出量。 【發明内容】 本發明之-目的為提供—種計算基板影像失真的改良方 法〇 根據本發明，此目的及其它目的以—種使用參考基板正 面及反面上的標記之用於校正包括正反面對準光學器件的 微影裝置之方法而達成，該方法包括： -計算該參考基板反面上的一標記之經由正反面對準光 學器件觀察到的位置與該標記的實際位置之間的位移向 量； -將該參考基板相對於該正反面對準光學器件移動一段 短距離9且將該參考基板反面上一點的影像移動的距離與 該參考基板正面上一點移動的距離相比較，以產生第一校 正向量；且 -針對該參考基板上一不同點而重複該移動該參考基板 93316.doc -11 - 1242686 的步驟’以產生第二校正向量； 藉此該位移向量與該等光學校正向量即為校正資气 因此本方法僅需要計算單個IT〇向量。由於僅需要 個位移向量，所以其可以更高精確戶6 " 叙兮会本I ^ 止 又70成。較仏重複該移 動该夢考基板之步驟複數次，以產生複數個第二校正向旦 且因而產生一光學校正陣列。較 校正向量。 孕又仏應计异出至少四個光學 為了計算更簡單，自每個第二校正 正向量以使光學校正陣列正常化冰里中減去❹—校 該參考基板且產生校正向量的爷牛 在移動 板反面上一點的影像與其正面上該點之間的位 移向置。在-較佳方法中，在移動該參考基板 向量的該步驟中，使用了對應於泉 ^杈 考基板正面上一點之位置。…考基板反面上'點的參 板：：了ΐ板反面上的該標記之實際位置可使用該參考基 板正面上的一標記之量測到的位置而計算出來。 依照本發明之另一態樣， T ^ k供一種使用複數個標記來校 正包括正反㈣準光學器件的微料置之方法， 個標記排列成可藉由該正。寻稷數 而觀察到，該方法包括:對準先學器件的-單獨分枝 -針對該等複數個標記 準光學器件之影像窗計算在該正反面對 位移向量；並且 &“的影像與該標記之間的 經過-段時間後’針對該等複數個標記中每—標記， 93316.doc -12- 1242686 再5十异在該正反面對準本風w _ 旦 旱先予裔件之影像自口中所觀察到的 衫像與該標記之間的位移向量。 口而’位移向量的重新計算可偵測正反面對準光學器件 、^何夂化，例如，其位置、尺寸或放大率變化。藉由正 反面對準光學器件的每一分枝來投影複數個標記可得到關 2正反面對準光學器件之更詳細資訊。藉由正反面對準光 學器件的每個分枝來投影的標記越多，得到的資訊就越詳 細。亦較佳地於正反面對準光學器件中植入一標記。配置 於基板上的標記之影像（藉由正反面對準光學器件而投影） 與所植入標記之影像之間的相對位置可發生變化，其可顯 不正反面對準光學器件的位置相對於基板發生變化。另 外，若該基板標記的影像與所植入標記的影像之間的相對 位置’又有备生雙化’則該正反面對準光學器件的尺寸或放 大率可能發生變化。可將在反面具有複數個（基板）標記的參 考基板用於校正。 依照本發明之另-態樣，提供一種對準方法，其包括·· -提供一基板，其反面具有一基板標記； -提供一對準輻射光束； -提供-對準系統，以用於將該對準輻射光束投影到基 板標記上並偵測該基板標記； 其特徵為使用—位移向量與複數個校正向量來計算基板 才示§己的位置。 於該方法中’應較佳地使用單個位移向量，而非複數個 位移向量。該方法可進一步包括提供正反面對準光學器 93316.doc -13 - 1242686 件’以用於將該基板反面的該基板標記之影像投影到該基 板的正面，其中該對準系統使用該影像。 依照本發明之另一態樣，提供一種對準方法，其包括·· -提供一基板，其反面具有一基板標記； -提供光學器件以用於將該基板標記的影像投影到該基 板的正面； -於該光學器件中提供一標記； -提供一對準輻射光束； 提仏對準系統，以用於將該對準輻射光束投影到該 等標記上並偵測該等標記； 其中w亥等偵測到的基板標記與該標記之間的位置變化 顯示了該光學裝置的變化。 較佳地具有複數個基板標記。具有的基板標記越多，^ 光子衣置進订的分析越詳細且精確。該方法亦可包括：指 么、具有餐考基板標記的參考基板，使用對準系統經由光 學器件來❹]該標記與該參考基板標記的位置。因而，該 參考基板可用於初始校準。該光學器件較佳地於其物件窗 口中包含一植入之來者斤 ^ m >考払圮，其可用作藉以進行對照以量 測相對變化的參考。兮伞興口口从λ j 、乂里 ^ μ先于裔件較佳為正反面對準光學器 件且藉由正反面對準光聲 ° 尤予裔件的母一分枝來投影複數個桿 記(複數個基板標記5㈣兮姑λ ▲ 攸数 抑或该植入之參考標記及 標記）。 夕丞扳 依照本發明之另 括： 態樣，提供一種元件製造方法，其包 93316.doc 14- 1242686 猎由一輻射敏感材料層來至少部分地覆蓋一基板·， 使用幸田射系統來提供投影輕射光束； 使用圖案化構件以於該投 案 /仪如尤釆杈截面上賦予其圖 -將圖案化輕射光束投影到輕射敏感材料層 分；以及 1 -一如上述之對準方法。 本發明亦提供-種包括程式碼構件之電腦程式，告 與=裝置相連接的電腦系統上執行時，該電腦程:會指 示电月自系統執行上述步驟。 :::發明之另一態樣，提供一種如本文開頭段落 才曰疋的微影投影裝置，其特徵為其進一步包括： 、-用於儲存-位移向量及複數個校正向量的儲存構件； 以及 -用於校正基板之對準誤差的校正構件。 ，照树明之另—態樣，提供—種如本文開頭段落中所 二Γ㈣投影裝置’其進一步包括用於將基板標記之影 象投影到基板正面之正反面對準光學器件，其中，該正反 面對準光學器件足夠大而可同時投影包含基板標記：複數 個標記。 〜攸默 該正反面對準光學器件較佳地具有—植人於物件窗口中 之^己’藉由正反面對準光學器件來將該植入之標記與基 板‘。己-同投影。因而正反面對準光學器件的影像平面♦ 的影像包括植入之標記的影像以及基板標記的影像。該等 93316.doc -15- 1242686 影像用於對準。 正反面對準光學器件較佳地投影約5 mm2之面積。例如， 該物件窗口可為直徑机2 _的圓形或邊長為以讓與3 mm的矩形。 ia S在本文中可具體地提到了將根據本發明之裝置用 於製造1C過程’但是應明確地理解該種裝置具有衆多其它 可能的應用。例如，其可用於製造整合式光學系統 (mtegmed optica丨system)、磁域記憶體之導引及偵測圖 案 液日日顯不裔面板、薄减*涵望榮 寻腰玆頭專專。熟習此項技術者應 瞭解··在該等替代性應用的情形下，應認為本文中的術語" 主光罩"、"晶圓”或"晶粒”的任何使用可各自由更廣泛的術 語’’光罩”、”基板”及”目標部分”所替換。 在本文獻中，術語，，輻射"與"光束"用於涵蓋全部類型之電 磁輻射，包含紫外輻射（例如，具有波長為365、248、193、 157或丨26 nm)及EUV(極端紫外輻射，例如，具有波長在$ 至20 nm範圍内），以及粒子束，諸如離子束或電子束。 【實施方式】 實施例1 請意性地描緣了依照本發明之一特定實施例 投影裝置。該裝置包括： Μ -· -輻射系統Ex、IL’其用於提供一投影輻射(例如，w 輕射）光束PB，其在此特定狀況下亦包括輕射源la ; •第-載物台(光罩台)MT，其具備一光罩固持器 光罩MA(例如’主光罩）’錢接到第—定位構件以相對於 93316.doc -16- 1242686 項目PL而精確定位該光罩； •第二載物台（基板台）WT，其具備-基板固持器以固定 基板W(例如，塗覆有抗㈣的石夕晶圓），且連接到第二定位 構件以相對於項目PL而精確定位該基板； •投影系統透鏡，，）PL(例如，折射透鏡系統），其用於將 光罩MA的^照射部分投影到基板w的目標部分c(例如，包 括一或多個晶粒）上。 如此處所描繪，該裝置為透射型（例如’具有透射性光 罩）然而，一般而δ，其亦可為（例如）反射型（例如具有反 射性光罩)。另外，該裝置可使用另一種圖案化構件，諸如 上述類型之可程式化鏡面阵列。 源LA(例如雷射產生或放電電漿源）產生輻射光束。該光 束直接地抑或在已穿過（例如）諸如射束放大器以之調節構 件後饋送至一照明系統（照明器）IL。該照明器比可包括用於 設定光束中強度分佈的外部徑向範圍及/或内部徑向範圍 (通常各自被稱為σ-外部與〇·-内部）之調整構件入]^。另外， 一般而έ ’其包括各種其它組件，諸如積光器爪以及聚光 态C0。以此方式，照射到光罩ΜΑ上的光束ρΒ在其橫截面 上具有所要的均衡性及強度分佈。 應注意就圖1而言，源LA可位於微影投影裝置外殼的内 部（例如’當源L·A為汞燈時通常為如此），但其亦可遠離微 影投影裝置，並將其產生的輻射光束引導入該裝置中（例 如，借助於恰當的引導鏡面）；此後一情形通常在源la為准 分子雷射器時出現。本發明及申請專利範圍涵蓋該等兩種 93316.doc -17· 1242686 情形。 光束PB隨後照射固定於光罩台Μτ上的光罩MA。在穿過 光罩MA之後，光束PB穿過透鏡？乙，該透鏡？]^將光束1>]3聚 焦於基板W之目標部分C中。借助於第二定位構件（以及干 涉量測構件IF)，可將基板台％了精確移動，例如，使得可將 不同的目標部分C定位於光束1>]8的路徑中。類似地，第一 定位構件可用於（例如）當自光罩庫中以機械方式取得光罩 MA之後或在掃描過程中相對於光束pB的路徑而精確地定 位光罩MA。一般而言，載物台“丁、WT的移動可借助未在 圖1中明確描繪之長衝程模組（方向定位）以及短衝程模組 (精細定位）而實現。然而，在晶圓步進器（與步進掃描裝置 相反）之狀況下，光罩台MT可僅連接至一短衝程致動器， 或受到固定。 所描繪裝置可用於兩種不同的模式中：

1·在步進模式中，光罩台Μτ大體上保持靜止，且整個光 罩影像一次性地（意即單一的，，閃光”）投影到一目標部分C 上。而後，基板台WT在X及/或7方向上移位以使得光束pB 可照射到不同的目標部分c ; 2·在掃描模式中，除了給定目標部分c並非在單一的，，閃 光”下曝光外，大體上會發生相同的情形。實情為光罩台乂丁 可在一給定方向（所謂的”掃描方向”，例如，y方向）上以速 度v移動，從而使得投影光束PB掃描於光罩影像之上丨並行 地，基板台wt同時沿相同或相反的方向以速度v=Mv移 動，其中Μ為透鏡PL的放大率（通常，M = 1/4或1/5)。以此 93316.doc -18- 1242686 方式，可使相對大的目標部分c曝光，而無須損害解析率。 在基板曝光之前，對準光罩MA與基板w。互補的對準標 §己吣、Μ2與基板標記Ρι、ρ2分別位於光罩财與基板上。本 2明不要求新的對準系統且在圖2中藉由投影系訊來投 影一對準光束ΑΒ。如圖可見基板標記Ρι||ρ2位於基板反 面，且因而基板標記Pa由在基板w側面的正反面對準光學 器件22重新投影而形成影像P*。在圖4b中，圖解說明了: 由正反面對準光學器件22所投影的栅格的失真。 、—圖3中展示了涉及計算一位移向量與一光學校正陣歹“由 複數個光學校正向量組成）的裝置，其用於描述且補償失 真。為此，使用了 一特別設計的，於正反面均具有基板標 記的基板WR。參考基板戰反面的—特定基板標記^之位 置h已知相對於參考基板WR正面一基板標記匕的位置 Q”以上段落中描述的對準光學器件用於將基板標記匕的 影像投影到位置Ρ2ι，且使用對準標記％可估計出位置 卜影像到物件向量ΙΤ〇為影像p2i與標記p2之間的距離，且 光學校正向量（oco)顯示基板不同部分處的相對失真（即， 位移）。因此，晶圓反面的基板標記的位置p2為： P2-P2i+OCO+ITO ⑴ 右正反面對準光學H件反射影像，此可簡單地藉由使用 轉換矩陣IM而併入。 ;可使用以下事實：對於—參考基板，參考基板職之正召 標纪的位置q2與反面標記的位置p2之間的距離為已知，^ 針對一給定點計算出影像到物件向量JTO ·· 93316.doc -19- 1242686 ITO = (P2rQ2)*IM-(Q2-P2) (2) 由於（P2rQ2)可量測得。 而後，該基板台移動至一提升裝置，於此處將參考基板 WR提升同時基板台WT移動較小的距離且此後參考基板 WR再次置放於基板台…丁上。如圖3、乜、讣所示，當基板 〇WT返回到其曝光位置時，參考基板WR的位移I可確定 (猎由量測參考標記Q2的位移）。影像p2、p2i的位移（且因此 對位置P2的估計）亦可量測且使用方程式 P2=Q2+ITO+(p2i+OCO-Q2)*IM (3) 重新配置為 〇CO=(P2.iT〇.q2+(q^p2 ^ιμ^ιμ.! ⑷ 可计:rr出彼位置的光學校正向量。對於參考基板WR上不同 位置重複此計算。該等向量提供對基板影像之不同區域的 相對失真之指*。因此，獲得的光學校正向量越多，對整 個基板影像之失真的估算就越精確。較佳地應計算出至少 四個光學校正向量。將該等光學校正向量，〇cq，加以組 。以形成光學杈正陣列（〇CA)。位移向量17〇以及光學校正 陣列OCA特定地針對微影投影裝置，並且作為機器常數加 以儲存以用於該裝置的任何未來之用途。 對於其正面之基板標記無法接近或不可用之基板界而 "使用正反面對準光學器件。使用位移向量ΙΤΟ及光學校 正陣列OCA來處理基板標記之影像位置以找出基板標記 Ρ2的實際位置，以便補償由正反面對準光學器件所造成的 失真口而可確定基板標記ρ2的精確位置。 93316.doc -20- 1242686 為了簡便，可自第二及隨後的光學校正向量〇c〇減去第 一光學校正向量0C0以使得光學校正陣列〇ca正常化。由 於值更小，所以已發現其可加速隨後基板位置的計算。 當使用光學校正陣列以對準使用_料,點的基板時，使 用：離該點最近的校正向量。另夕卜，可在最近的光學校正 向里0C0中至4兩個、較佳為三或四個校正向量之 使用内插法。 s 此外’本發明可與具有任何數目的正反面對準光學分 的系統結合使用。 為達到最佳結果，該校準較佳應週期性進行。 另外，此項發明可用於補償對準之其它方面的失直，諸 如對準標記之對準過程中的誤差。 儘管已透過經由透鐘對進i β a + k 攻筑對羊糸統的方式闡釋本發明，但 樣可使用離軸對準系統。 儘管本發明使用笛卡兒座声 凡度铩糸付以闡釋，但可使用直它 座標系，諸如極座標系。 、 實施例2 該實施例與上述實施例相 除了下文指出的具體細節外 同。 该實施例可結合上述光墨士工 九予杈正向量來使用，或結合使用 一種量測對準之習知方法Μ , 來使用 （卩’错由複數個影像到物件向量 如圖5所示，正反面對進虫组 才旱先學器件20的每一分枝為 以投影至少兩個標記。參考 ^ ^圮25被植入於正反面對準另 93316.doc '21. 1242686 學器件的每一分枝之物件窗口 τ 〜將參考標記25蝕 刻、標記或黏合於正反面對準光學器件2〇的物件窗口上。 正反面對準光學器件2〇之物 初仵® 口 21上有三個基板標記 6 '27、。28而非出現於正反面對準光學器件之物件窗口 21上的單個基板標記26。如圖可見，該等標記Μ、％、”、 28之衫像35、36、37、38投影至正反面對準光學器件2〇之 影像窗口 22。對於每個標記25、％、27、28，計算出指示 影像與標記之間的距離之影像到物件向量45、46、:、: 該等向量用作參考向量並且相對於該等向量而量測該正反 面對準光學器件的特徵變化。 經過-段時間後，將亦具有印刷於基板之相同位置中之 基板標記26、27、28的另一基板置放於基板台WT上。自圖 中可見’基板標記之影像36、37、38以及參考標記之影像 Μ的相對位置已發生變化。因此，光學分枝相對於基板w 的位置—定已改變。因此可採取校正此變化之步驟。 圖7中“緣了另一情形，其中所有的影像到物件向量均發 生了變化。此指示了正反面對準光學器件之分枝的尺寸已 改變。 圖8中描繪第三種情形。再—次，所有的影像到物件向量 均已變化。然而，其均以不同的量而發生變化，顯示了正 反面對準光學器件2〇之此分枝的放大率已變化。 一旦已偵測出該等變化，則可採取步驟來補償其。 该對準方法尤其有利，因為其可使用通常基板來執行， 而不需要特定校正步驟。儘管此處使用3個基板標記以進行 93316.doc -22 - 1242686 闡釋，但單個基板標記就已夠用。 雖然上文描述了本發明之特定實施例，但是應瞭解本發 明可以所描述之外的方式進行實施。本說明書並非意欲限 定本發明。 【圖式簡單說明】 圖％ 了依照本發明之一實施例的微影投影裝置，· 圖2為展不使用正反面對準光學器件來於微影投影裝置 中對準一基板之圖； 圖3為展示涉及位移向量與光學校正陣列之計算的裝置 之圖； 圖4a展不了计异杈正向量時，參考基板正面上的標記相 對於說明性柵格的移動； 圖佩示了計算校正向量時，參考基板反面上的標記相 、寸於况明性柵格(其亦已藉由正反面對準光學器件而加以 投影）的移動； 圖展不了具有一參考標記與多個基板標記的單個分枝 正反面對準光學器件； Θ展τ 了用於偵測正反面對準光學器件的光學分枝中 移位之正反面對準光學器件的一分枝； =7展示了用於偵測正反面對準光學器件之—分枝的 寸.吏化之正反面對準光學器件的—分枝；並且 興=展/ 了用於偵測正反面對準光學器件之一分枝的 子放大率變化之正反 九學斋件的一分枝0 圖式中，對應的參考符號指示對應部分。 93316.doc -23 - 1242686 【主要元件符號說明】 20 正反面對準光學器件 21 物件窗口 22 影像窗口，正反面對準光學器件 25 爹考標記 26, 27, 28 基板標記 35, 36, 37, 38 影像 45, 46, 47, 48 影像到物件向量 AB 對準光束 AM 調整構件 C 基板W的目標部分 CO 聚光器 Ex, IL 幸畜射糸統 IF 干涉量測構件 IL 照明器 IN 積光器 LA 輻射源 Ml，M2 對準標記 MA 光罩 MT 光罩台 Pl，P2 基板標記 PB 投影輻射光束 Pi 影像 PL 投影系統 W 基板 WR 參考基板 WT 基板台

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Claims (1)

1. 十、申請專利範圍·· 種使用一苓考基板之正面及反面上的標記來校正一包 括正反面對準光學器件之微影裝置之方法，該方法包括·· 算該參考基板反面上的-標記之經由正反面對準 光學态件觀察到的位置與該標記的實際位置之間 移向量； 將该芩考基板相對於該正反面對準光學器件移動一 :㈣’且將該參考基板反面上—點的_影 :離與該參考基板正面上一點移動的距’ 生-第-校正向量；且 以產 -針對該參考基板上一不同點^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ 板:步驟，以產生一第二校正向量；—參考基 位移向量與該等光學校正向量即為校正資訊。 •口申Μ專利範圍第W之方法，其t重複該移動該 反之被重複複數次以產生複數個第二校正二 亥寺校正向量產生—光學校正陣列。 Hi專利乾圍第2項之方法，其中自每個第二校正向旦 4由第一校正向量以使得該光學校正陣列正常化里 4.如申請專利範圍第卜如項之方法， 吊化。 基板且產生一校正向量的該 ' #動該參考 去該參考基板反面卜_ L ^ 4 自§亥校正向量中減 "土 上一點之影像與該參考基板正而 點之間的位移向量。 面上該 5·如巾料、如項之方法， 基板且計算-校正向量的該步驟：：該參考 從用了對應於該參 93316.doc 1242686 6· 考基板反面上的點之該參考基板正面上一點的位置。 如申請專利範圍第卜2或3項之方法，其中該參考基板反 面亡該標記的實際位置係使用該參考基板正面上一標記 的量測到的位置來計算。 7· 如申請專利範圍第2項或第3項之方法’其中產生至少四 個光學校正向量。 8. 用複數個標記來校正包括正反面對準光學器件的 '’置之方法’ δ亥等複數個標記排列成可藉由該正反 面對準光學器件之一單個分枝而觀察到，該方法包括： 對準料複數個標記巾每—標記，衫在該正反面 俨弋之：Γ牛之影像窗口中所觀察到的影像與該每-個 ‘圮之間的一位移向量；且 二 =輪重複該判定過程並將該等第-位移向 时：的疋的位移向量相比較以偵測正反面對準光學 态件的任何變化。 尤干 9·如申請專利範圍第8 的-個固定；其中將該等複數個標記中 的们固疋於该正反面對準光學器件中。 10.如申請專利範圍第8 標記中至少—〜4;弟9項之方法，其中該等複數個 U如於—參考基板的反面。 •士申h專利範圍第8項或第9項之方法 … 用於判定光學分枝中的―浐位 '、 '-寺计异係 12.=:=:r 項…， 1…請專利範：:=:之:::變化。 貝之方法，其中該等計算係 93316.doc 1242686 用於判定一該正反面對準光學器件的光學放大率之變 化。 14· 一種對準方法，其包括： -提供一基板，該基板反面具有一基板標記； —提供一對準輻射光束； 提供一對準系統，以用於將該對準輻射光束投影到 該基板標記上且偵測該基板標記； 八特徵為使用一位移向量及複數個校正向量來計算該 基板標記的位置。 15.如申請專利範圍第14項之料方法，其進—步包括提供 正反面對準光學器件’以用於將該基板反面上的該基板 標記的-影像投影到該基板正面，且該對準系統使用該 影像。 16· 一種元件製造方法，其包括以下步驟·· 藉由一輻射敏感材料層來至少部分地覆蓋一基板，· 使用‘射系統來提供一投影輻射光束； -使用圖案化構件以於該投影光束橫截面上賦予盆一 圖案； ^ 將圖案化輻射光束投影到該輻射敏感材料層之一目 標部分上；及 •如申請專利範圍第14項或第15項中任一項之對準 方法。 、』卞 17· 一種凡件，其係、如中請專利範圍第16項之方法而製造。 18.種包括式碼構件的電腦程式，當其執行於一電腦系 93316.doc 1242686 統上時’會指示一連接至 申請專利範圍第丨、2、3、 一項之步驟。 微影裝置的電腦系統執行如 9、U、15、16及17項中任 19. 種微影投影裝置，其包括·· - 用於提供一投影如身十本击 又心輻射先束之輻射系統； -一用於支撐圖案化構件之支 田仏分π 文稼&構，該圖案化構件 用於依π-所要圖案將該投影光束圖案化； _ 一用於固定一基板之基板台丨' ， -一用於將該圖案化光束投 又〜到该基板之一目標部分 上之投影系統，· 刀 -一對準系統，其用於使用_對準輻射光束與正 對準光學器件來偵測-參考標記與該基板標記之間 準情況； 其特徵為其進一步包括·· -用於儲存-位移向量及複數個校正向量的儲存構 件；以及 -用於校正該基板之一對準誤差的校正構件。 20_ —種微影投影裝置，其包括： -一用於提供一投影輻射光束之輻射系統； _ 一用於支撐圖案化構件之支撐結構，該圖案化構件 用於依照一所要圖案將該投影光束圖案化； _ 一用於固定一其反面具有一基板標記的基板之基板 -一用於將該圖案化光束投影到該基板之一目標部分 93316.doc -4- 1242686 上之投影系統； -正反面對準光學器件，其用於將該基板標記之一影 像投影到該基板正面；及 -一對準系統’其用於使用一對準輻射光束與該正反 面對準光學裔件來偵測一參考標記與該基板標記之間的 對準情況， 其中’该正反面對準光學器件為足夠大以便可同時投 影包含該基板標記的複數個標記。 1 ·如申明專利範圍第20項之微影裝置，其中該正反面對準 光學器件植入有一標記，該植入之標記係藉由該正反面 對準光學器件來與該基板標記一同進行投影。 22· —種微影投影裝置，其中該正反面對準光學器件之物件 窗口具有至少為1 mm的一直徑。 93316.doc