KR20010085449A - 광학 결상 시스템에서의 광행차 측정 방법 - Google Patents

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Abstract

광학 결상 시스템의 광행차를 결정하는 방법은 결상 시스템에 의해 형성되는 이미지의 최적 초점 위치 및/또는 측방향 위치 등의 하나이상의 파라미터를 측정하는 단계를 포함한다. 이는 상기 결상 시스템의 복수의 다른 설정에 대하여 반복되고, 상기 결상 시스템의 광행차를 나타내는 하아 이상의 계수의 이들 측정으로부터 계산된다.

Description

광학 결상 시스템에서의 광행차 측정 방법{METHOD OF MEASURING ABERRATION IN AN OPTICAL IMAGING SYSTEM}
본 발명은 전사 투영 장치 등의 광학 결상 시스템에서의 광행차를 측정하는 방법에 관한 것이다. 투영 장치의 파라미터의 함수로서 관찰되고, 이것들로부터 다양한 형태의 광행차의 존재가 정량화될 수 있다. 상기 전사 투영 장치는
- 방사 투영빔을 제공하기 위한 방사 시스템;
- 투영빔을 소정의 패턴에 따라 패터닝시키는 역할을 하는 패터닝 수단을 지지하기 위한 지지 구조체;
- 기판을 고정하기 위한 기판 테이블; 및
- 기판의 타겟부상으로 패턴화된 빔을 투영하기 위한 투영 시스템으로 구성될 수 있다.
"패터닝 수단" 이라는 용어는 상기 기판의 목표영역에 생성될 패턴에 대응하는 패턴화된 단면을 포함하는 입사 방사선빔을 제공하기 위해 사용될 수 있는 수단을 가리키는 것으로 널리 해석되어야 한다; "광밸브" 라는 용어 역시 마찬가지 맥락으로 사용되었다. 일반적으로, 상기 패턴은 집적 회로 또는 다른 장치(아래의 설명을 참조)와 같은 목표영역에 생성되는 디바이스내의 특정 기능 층에 대응할 것이다. 이러한 패터닝 수단의 예시는 다음과 같은 것을 포함한다.
- 마스크를 고정시키는 마스크 테이블. 마스크의 개념은 리소그래피 기술에 잘 알려져 있고, 다양한 하이브리드 마스크 형태 뿐만 아니라 이진, 교번 위상 시프트, 및 감쇠 위상 시프트등의 마스크 형태를 포함한다. 방사선빔내의 마스크 배치는 마스크상의 패턴에 따라 마스크상에 부딪히는 방사선의 선택적 투과(투과형 마스크의 경우) 또는 반사(굴절형 마스크인 경우)를 일으킨다. 상기 마스크 테이블은 상기 마스크가 입사 방사선빔내의 소정 위치에 고정될 수 있고 원한다면 상기 빔에 대하여 이동할 수 있는 것이 보장된다.
- 제 1 대물 테이블이라 지칭되는 구조체에 의해 지지되는 프로그램가능한 미러 어레이. 이러한 장치의 예시는 점탄성 제어층을 갖는 매트릭스-어드레서블 표면과 반사 표면이다. 상기 장치의 기본 원리는, (예를 들어) 반사 표면의 어드레스된 영역이 입사 광선을 회절된 광선으로서 반사시키는 반면, 비어드레스된 영역은 입사된 광선을 비회절된 광선으로서 반사한다. 적절한 필터를 사용하면, 상기 비회절된 광선은 회절된 광선을 남기고 반사된 빔으로부터 필터링될 수 있다. 이러한방법으로 매트릭스-어드레서블 표면의 어드레싱 패턴에 의해 상기 빔이 패턴화된다. 적당한 전자 수단을 사용하여 필요한 매트릭스 어드레싱이 실시될 수 있다. 상기 미러 어레이에 관한 더 많은 정보는, 예를 들어 여기에 참고로 포함된 미합중국 특허 제 5,296,891호 및 제 5,523,193호로부터 얻어질 수 있다. 프로그램가능한 미러 어레이의 경우에 있어서, 상기 지지 구조체는 예를 들어, 필요시 고정되거나 또는 움직일 수 있는 프레임 또는 테이블로서 실시될 수 있다.
- 제 1 대물 테이블로 지칭되는 구조체에 의해 지지되는 프로그램가능한 LCD 어레이. 이러한 구성의 예시는 여기에 참고로 포함된 미합중국 특허 제 5,229,872호에 나타나있다.
간략화를 위해서, 본 명세서의 나머지 부분에서는 마스크 테이블과 마스크와 관련된 예시를 상세히 나타낼 것이다. 그러나, 본 예시에 나타난 일반적인 원리는, 상술된 바와 같은 패터닝 수단의 더 폭넓은 상황에서 이해되어야 한다.
전사 투영 장치는 예를 들어, 집적 회로(ICs)의 제조에서 사용될 수 있다. 이러한 경우에, 패터닝 수단은, 집적 회로의 각 층에 대응하는 회로 패턴을 발생시킬 수 있고, 이 패턴은, 감광 물질(레지스트)층으로 도포된 기판(실리콘 웨이퍼)상의 목표영역(하나 이상의 다이를 포함)상으로 결상될 수 있다. 일반적으로 단일 웨이퍼는 투영 시스템을 통해 한번에 하나씩 연속적으로 조사되는 인접 목표 영역들의 전체적인 연결망을 포함할 것이다. 마스크 테이블상의 마스크에 의한 패터닝을 이용하는 현행의 장치에서 두 개의 상이한 형태의 기계는 서로 구별된다. 일 형태의 전사 투영 장치에 있어서, 목표 영역상으로 전체 마스크 패턴을 한번에 노광시킴으로써 각각의 목표 영역이 조사된다. 상기 장치를 통상 웨이퍼 스테퍼라 칭한다. 통상 스텝-앤드-스캔 장치로 칭하는 대안의 장치에 있어서, 각각의 목표영역은 투영빔하에서 소정의 기준 방향("스캔 방향")으로 마스크 패턴을 점진적으로 스캐닝하면서 상기 스캔 방향에 평행하게 또는 팽행하지 않게 기판 테이블을 동기적으로 스캐닝함으로써 조사된다. 일반적으로 투영 시스템은, 배율 인자(M)(대개<1)를 가지므로, 기판 테이블이 스캐닝되는 속도(V)는 마스크 테이블이 스캐닝되는 속도의 M배가 된다. 여기서 설명된 전사 장치에 관한 더 많은 정보는 예를 들어 본 명세서에서 참조로 포함한 미합중국 특허 6,046,792호에서 얻을 수 있다.
본 발명에 따른 전사투영장치를 사용하는 제조 공정에서, 마스크의 패턴은 방사선 감지 재료(레지스트)층이 부분적으로나마 도포된 기판상에 결상된다. 이 결상단계에 앞서, 기판은 전처리(priming), 레지스트 도포 및 소프트 베이크와 같은 다양한 절차를 거친다. 노광후에, 기판은 후노광 베이크(PEB), 현상, 하드 베이크 및 결상된 형상의 측정/검사와 같은 또 다른 절차를 거칠 것이다. 이러한 일련의 절차는 예를 들어 IC 소자의 개별 층을 패터닝하는 기초로서 사용된다. 그렇게 패터닝된 층은 에칭, 이온 주입(도핑), 금속화, 산화, 화학-기계적 연마 등과 같이 개별 층을 마무리하기 위한 다양한 모든 공정을 거친다. 여러 층이 요구된다면, 전체 공정 또는 그 변형 공정은 새로운 층마다 반복되어질 것이다. 종국에는, 소자의 배열이 기판(웨이퍼) 상에 존재할 것이다. 이들 소자는 다이싱 또는 소잉 등의 기술에 의해 서로에 대해 분리되어, 각각의 소자가 운반 장치에 탑재되고 핀에 접속될 수 있다. 그와 같은 공정에 관한 추가 정보는 예를 들어, "MicrochipFabrication: A Practical Guide to Semiconductor Processing (3판, Peter van Zant 저, McGraw Hill 출판사, 1997, ISBN 0-07-067250-4)" 으로부터 얻을 수 있다.
간략화를 위해서, 이하에서 투영 시스템은 "렌즈"로 칭한다; 그러나, 상기 용어는 예를 들어, 굴절 광학 요소, 반사 광학 요소, 및 반사 굴절 시스템을 포함하여 다양한 형태의 투영 시스템을 모두 포함하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 상기 방사 시스템 역시, 방사 투영빔의 방향을 결정하거나 형상을 정하거나 또는 제어하도록 이들 설계 형태중 어느 것을 따라 작동하는 구성 요소를 포함하고, 이러한 구성 요소는 이하에서 집합적으로 또는 단독적으로 "렌즈"로 지칭될 것이다. 또한, 전사 장치는 2 개 이상의 기판 테이블(및/또는 2 개 이상의 마스크 테이블)을 가지는 형태일 수 있다. 이러한 "다단" 장치에 있어서는 부가적인 테이블이 병렬로 사용될 수 있거나, 또는 하나 이상의 다른 스테이지가 노광되고 있는 동안 하나 이상의 스테이지상에 예비단계가 수행될 수 있다. 이중 스테이지 전사 장치는 본 명세서에 참고로 포함된 미합중국 특허 제 5,969,441 호 및 WO98/40791 호에 기술되었다.
IC내에 집적되는 부품수를 끊임없이 증가시키고자 하는 바램이 있다. 이를 구현하기 위하여, IC의 표면면적을 증가시는 것 및/또는 부품의 크기를 줄이는 것이 필수적이다. 투영 시스템에 대하여, 이는 더욱 더 커지는 이미지 필드내에서 더욱 더 작아지는 세부요소, 또는 선폭이 윤곽이 뚜렷하게 결상될 수 있도록 이미지필드 및/또는 해상도 모두가 증가되어야 한다는 것을 의미한다. 이는 매우 엄격한 품질 요구조건에 부응해야만하는 투영 시스템을 필요로 한다. 이러한 투영 시스템이 아무리 주의하여 설계되고 고도로 정확하게 제작될지라도, 상기 시스템이 구면 수차, 코마, 비점수차 등의 광행차를 여전히 나타낼 수 있다. 따라서, 실제로, 투영 시스템("렌즈")은 이상적인 회절-제한 시스템이 아니라 광행차-제한 시스템이다. 광행차는 이미지 필드내의 위치에 따라 다르며 초점, 노광 관용도 등에 영향을 미칠 뿐 아니라 이미지 필드 전반에 걸쳐 결상된 선폭의 변화를 발생시키는 중요한 원인이다. 광행차는 또한 상이한 마스크 구조체 및/또는 상이한 투광 설정치간의 필드종속 중첩에러를 유발시킨다. 광행차의 영향으로 전사 투영 장치의 해상력을 강화시키기 위한, 위상-시프트 마스크 또는 축-이탈 투광 등의 더욱 새로운 기술의 응용이 더욱 더 중요하게 된다.
다른 문제점는 광행차가 현대식 전사 투영 시스템내에서 일정치 않다는 것이다. 왜곡, 필드의 곡률, 비점수차, 코마, 구면 수차 등의 저차원 광행차를 최소화하기 위하여, 상기 투영 장치는 일반적으로 하나 이상의 가동 요소를 포함한다. 상기와 동일한 목적을 위하여 투영빔의 파장 또는 마스크 테이블의 위치는 조절가능하다. 상기 조절 장치가 사용될 때, 다른, 더 작은 광행차가 유도될 수 있다. 또한, 투영빔의 강도는 가능한 커야하기 때문에, 투영 시스템의 구성요소는 노화되기 쉽고 장치의 유효수명동안에 광행차가 변화할 수 있다. 또한, 렌즈의 가열에 의해 유발되는 것 등의 가역 변화도 일시적으로 광행차를 변화시킬 수 있다.
결과적으로, 광행차를 신뢰성있고 정확하게 측정할 수 있어야 하는 다른 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 전사 시스템의 광행차를 결정하는 개선된 방법 및 장치를 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전사 투영 장치를 나타낸 도면.
도 2는 상이한 저차수 광행차 및 그들 각각의 제르니케 계수사이의 관계를 요약한 표.
도 3(a) 및 도 3(b)는 상이한 투광 설정에서의 (광행차가 없다는 가정에 대해)계산된 최적 초점 위치를 제르니케 계수(Z9 및 Z16)에 기인한 광행차의 함수로서 나타낸 표.
도 4는 측정된 최적 초점 위치 및 본 발명에 따라 측정된 제르니케 광행차 계수(Z9 및 Z16)에 기초하여 결정된 최적 초점사이의 상관관계를 나타내는 그래프로서, 이 때, 타점된 각 점은 도 3에서의 투광 설정치와 대응한다. 측정된 최적 초점 위치는 세로축을 따라 ㎚ 단위로 타점되며; 계산된 최적 초점 위치는 가로축을 따라 ㎚ 단위로 작도된다.
도 5(a) 및 도 5(b)는 본 발명에 따른 방법을 이용하여 측정된 제르니케 계수(세로축을 따라 ㎚ 단위로 타점됨) 및 각각의 Z9 및 Z16에 대하여 다른 방법을 이용하여 결정된제르니케 계수(가로축을 따라 ㎚ 단위로 타점됨)를 나타내는 그래프.
도 6(a) 및 도 6(b)는 스텝-앤드-스캔 장치(y 방향으로 슬릿이 스캔되는)에서의 투영 시스템의 슬릿을 따르는 x 방향의 함수로서, 본 발명의 방법 및 다른 방법에 따라 결정되는, 제르니케 계수(Z9 및 Z16)의 그래프. 두 개의 도면 6(a) 및 6(b)의 세로축은 광행차 계수의 값을 ㎚ 단위로 나타낸다. 가로축은 슬릿을 따른 x 위치를 ㎚ 단위로 나타낸다.
도 7은 본 발명의 방법 및 다른 방법을 이용하여 측정된, 투영 시스템의 슬릿을 따른 x 위치(가로축을 따라 ㎚ 단위로 나타낸)의 함수로서의 Z12(세로축을 따라 ㎚ 단위로 나타낸)를 나타내는 그래프.
도 8(a) 및 도 8(b)는 제로가 아닌 각각의 제르니케 계수(Z9 및 Z16)에 의한 광행차의 결과로서 투영 시스템의 외부 시그마 설정(가로축을 따라 나타낸) 및 숫자로 표시된 개구(세로축을 따라 나타낸)의 함수로서의 최적 초점 위치를 등고선 형식으로 타점된 그래프.
도 9는 투영 시스템의 외부 시그마 설정(가로축을 따라 나타낸) 및 숫자로 표시된 개구(세로축을 따라 나타낸)의 함수와 대조적인 이미지를 등고선 형식으로 타점된 그래프.
도 10은 투광 설정의 함수로서 코마형식의(코마) 광행차에 기인하여 이미지 위치내의 계산된 측방향 변위를 나타내는 표.
도 11은 코마형식의 광행차에 의한 측정된 x-변위(세로축을 따라 ㎚ 단위로 나타낸) 및 계산된 x-변위(가로축을 따라 ㎚ 단위로 나타낸)사이의 상관관계를 나타낸 그래프로서, 이 때 타점된 각 점은 도 10의 투광 설정의 하나에 대응한다.
도 12(a) 및 도 12(b) 는 외부 시그마 설정(가로축을 따라 나타낸) 및 결상 시스템의 숫자로 표시된 개구(세로축을 따라 나타낸)의 함수로서, 제로가 아닌 각각의 제르니카 계수(Z7 및 Z14)에 의한 x-시프트를 등고선 형식으로 타점된 그래프.
도 13(a) 및 13(b)는 본 발명의 방법 및 다른 방법을 이용해 측정된 결상 시스템의 슬릿에 따른 x 위치(가로축을 따라 ㎚ 단위로 나타낸)의 함수로서 각각의 제르니케 코마 계수(Z7 및 Z8)(세로축을 따라 ㎚ 단위로 나타낸)를 나타낸 그래프.
도 14는 본 발명의 데이터에 적용된 파장 보정을 가지는 것을 제외하고는 도 13(a)의 그림에 해당하는 그래프.
따라서, 본 발명은,
- 방사 투영빔을 공급하기 위한 방사 시스템;
- 투영빔을 소정의 패턴에 따라 패터닝시키는 역할을 하는 패터닝 수단을 지지하기 위한 지지 구조체;
- 기판을 고정하기 위한 기판 테이블; 및
- 기판의 타겟부상으로 패턴화된 빔을 투영하기 위한 투영 시스템으로 이루어지는 광학 결상 시스템의 광행차를 결정하는 방법으로서,
투영빔을 상기 패터닝 수단으로 패터닝하는 단계를 포함하며,
상기 방사 시스템 및/또는 상기 투영 시스템의 복수의 다른 설정에 대하여, 투영 시스템에 의해 형성되는 이미지중 하나 이상의 파라미터를 측정하는 단계; 및
상기 복수의 설정에서 측정되는 상기 하나 이상의 파라미터에 기초하여, 상기 결상 시스템의 광행차를 나타내는 하나 이상의 계수를 계산하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 방법을 제공한다.
바람직하게는, 상기 다수의 다른 설정은 상이한 수의 개구 설정 및/또는 시그마 설정, 투광 모드 또는 텔레센트릭 모드를 포함하며; 또한, 전사 시스템내에 다른 회절 효과를 생성하기 위하여, 예를 들어 하나 이상의 마스크 상에, 다양한형태 및 크기를 갖는 테스트 구조체를 사용할 수 있다. 이러한 모든 변화는 본 명세서에 사용된 "상이한 투광 설정"이란 어구의 의미 범위로 해석되어야 한다. "시그마(σ) 설정"이란 용어는 동공의 최대반경에 대하여 정규화되는, 방사가 관통하여 지나가는 결상 시스템내의 동공에서 빔의 강도분포의 방사상 확장을 나타낸다. 따라서, 1인 시그마값은 동공의 최대 반경과 동일한 동공에서의 반경을 갖는 투광 강도 분포를 나타낸다. "투광 모드"란 용어는 예를 들어 디스크형, 환형(시그마 내부 및 시그마 외부의 설정에 의해 특징지어 질 수 있는), 4극형, 2극형, 소프트-다중극형(극사이에 몇몇 방사 플럭스를 포함하는) 등이 될 수 있는 동공에서의 방사 공간 분포를 나타낸다. "텔레센트리시티 모드"란 용어는 예를 들어 투광 프로파일을 기울이도록 마스크의 상부에 있는 프리즘을 이용해 텔레센트릭적으로 및/또는 비텔레센트리시티의 정도의 변화에 따라 결상 시스템을 구성하는 것을 포함한다. 이들 상이한 설정은 전사 투영 장치에 용이하게 선택될 수 있다.
측정된 파라미터는 상기 이미지의 최적 초점 위치; 상기 이미지의 측면 위치; 상기 이미지의 변형; 및 상기 이미지를 전사하는 방식으로 노광시키는 선폭 및 형상, 및 인접 구조체간의 거리 등의 다른 성질 중 하나 이상일 수 있다.
바람직하게는, 상기 또는 각각의 하나 이상의 측정된 파라미터의 변화가 실질적으로 최대화되도록 복수의 상이한 설정이 선택된다. 이렇게 하여, 결정된 계수(들)의 정확성이 개선될 수 있을 것이다.
바람직하게는, 결정되어질 계수의 함수로서의 상기 하나 이상의 파라미터의 변화가 제로가 아닌 반면에, 상기 계수 중 하나 이상으로 나타나는 광행차로부터초래되는 상기 하나 이상의 측정된 파라미터의 변화가 실질적으로 제로로 되도록 복수의 다른 설정을 선택하는 것이다. 상기 기술은 제르니케 계수 등의 다른 광행차 계수가 서로 독립적으로 얻어지도록 한다.
본 발명은 또한 패턴화된 방사빔을 방사선 감지층이 제공된 기판상으로 투영시키는 전사 투영 장치로서,
- 방사 투영빔을 제공하기 위한 방사 시스템;
- 투영빔을 소정의 패턴에 따라 패터닝시키는 역할을 하는 패터닝 수단을 지지하기 위한 지지 구조체;
- 기판을 고정하기 위한 기판 테이블;
- 기판의 타겟부상으로 패턴화된 빔을 투영하기 위한 투영 시스템; 및
상기 방사 시스템 및/또는 상기 투영 시스템의 복수의 상이한 투광 설정을 제공하기 위한 투광 설정 수단을 포함하여 이루어지고;
투영 시스템에 의해 형성된 투영된 이미지의 하나 이상의 파라미터를 측정하기 위한 측정 수단;
상기 측정 수단이 측정을 수행할 복수의 상이한 투광 설정을 선택하기 위한 제어 수단; 및
상기 측정 수단에 의해 측정된 상기 하나 이상의 파라미터에 기초하여, 상기 투영 및/또는 방사 시스템에서의 광행차를 나타내는 하나 이상의 계수를 계산하기 위한 연산 수단을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 전사투영장치를 제공한다.
본 발명의 다른 형태에 따르면,
(a) 방사 감지 물질층에 의해 적어도 부분적으로 도포된 기판을 제공하는 단계;
(b) 방사 시스템을 이용하여 방사 투영빔을 제공하는 단계;
(c) 소정의 단면 패턴을 가지는 투영빔을 제공하기 위하여 패터닝 수단을 이용하는 단계;
(d) 방사선-감지물질 층의 타겟부상으로 패턴화된 방사빔을 투영하기 위하여 투영시스템을 이용하는 단계로 이루어지는 디바이스 제조방법으로서,
단계(d)이전에, 상기 방사 시스템 및/또는 상기 투영 시스템의 복수의 상이한 설정에 대하여, 투영 시스템에 의해 형성된 이미지의 하나 이상의 파라미터를 측정하는 단계;
상기 복수의 세팅에서 측정된 상기 하나 이상의 파라미터에 기초하여, 상기 투영 및/또는 방사 시스템의 광행차를 나타내는 하나 이상의 계수를 연산하는 단계;
상기 투영 시스템에 의해 투영된 이미지의 광행차를 줄이기 위하여, 상기 하나 이상의 계산된 계수에 기초한 상기 광행차를 보정하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법이 제공된다.
본 발명에 따른 장치를 사용함에 있어 상기에서는 집적회로의 제조에 대해서 언급될 수 있으나, 이러한 장치가 다른 여러 응용례를 가지고 있음이 명백히 이해될 것이다. 예를 들어, 상기 장치는 집적 광학 시스템, 자기영역 메모리용 유도 및 검출 패턴, 액정 표시 패널, 박막 자기헤드 등의 제조에도 이용될 수 있다. 당업자라면, 전술한 기타 응용분야들을 고려할 때, 본 명세서에서 사용된 "레티클", "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 용어가 "마스크", "기판" 및 "노광영역" 또는 "목표 영역" 등과 같은 좀 더 일반적인 용어로 각각 대체될 수 있음이 이해될 것이다.
본 명세서에서, "방사" 및 "빔" 같은 용어는 자외선(UV) 방사(예를 들어, 365, 248, 193, 157 또는 126 nm 의 파장을 갖는) 및 EUV 방사, X-선, 전자 및 이온을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사 또는 입자 유동을 포괄하여 사용된다.
제 1 실시예
도 1은 본 발명의 특정의 실시예에 다른 전사 투영 장치를 개략적으로 나타낸다. 상기 장치는,
방사(예를 들어 UV 또는 EUV 방사) 투영빔(PB)을 제공하기 위한 방사 시스템(Ex, IL)(상기 특정의 경우에 있어서, 방사 시스템은 방사선 공급원(LA)을 포함);
마스크(MA)(예를 들어 레티클)를 고정시키기 위한 마스크 홀더가 제공되며, 아이템(PL)에 대하여 마스크를 정확하게 위치시키기 위한 제 1 위치결정 수단에 연결되는 제 1 대물 테이블(마스크 테이블);
기판(W)(예를 들어 레지스트가 도포된 실리콘 웨이퍼)를 고정시키기 위한 기판 홀더가 제공되며, 아이템(PL)에 대하여 기판을 정확하게 위치시키기 위한 제 2 위치결정 수단에 연결되는 제 2 대물 테이블(기판 테이블)(MT);
기판(W)의 타겟부(C)(하나 이상의 다이를 포함)상으로 마스크(MA)의 조사된 부분을 결상시키기 위한 투영 시스템("렌즈")(PL)(예를 들어 회절 또는 케타디옵트릭 시스템 또는 미러 그룹)으로 구성된다.
도시된 바와 같이 본 장치는 투과형이다(즉, 투과 마스크를 구비함) 그러나, 일반적으로, 예를 들어 (반사 마스크를 갖는)반사형일 수도 있다. 대안적으로, 상기 장치는 상술된 바와 같은 형태의 프로그램가능한 미러 어레이 등의 다른 유형의 패터닝 수단을 채용할 수 있다.
공급원(LA)(예를 들면, Hg 램프 또는 엑시머 레이저)은 방사 빔을 생성한다. 상기 빔은 예를 들어 빔 확장기(Ex) 등의 투광 시스템(투광기)(IL)내로 공급된다.상기 투광기(IL)는 빔 강도 분포의 σ-외부값 및 σ-내부값을 설정하기 위한 조절 수단(AM)을 포함할 수 있다. 또한, 이것은 집적기(IN) 및 집광기(CO) 등의 다양한 구성요소를 포함할 것이다. 이러한 방식으로, 마스크(MA)상에 부딪치는 빔(PB)은 그 단면에 소정의 균일성 및 강도 분포를 가진다.
상기 공급원(LA)이 전사 투영 장치의 하우징내에 존재(예를 들면, 공급원(LA)이 수은 램프일 경우)할 수 있으나, 전사 투영 장치에서 떨어져 존재하여 생성된 빔이 장치내로 유도(예를 들면, 소정의 유도 미러의 도움으로)될 수 있는 것으로 도 1에 관하여 언급되어져야 하며; 후자는 대부분 공급원(LA)이 엑시머 레이저일 경우이다. 본 발명 및 청구항은 상기 시나리오 모두를 포괄한다.
그 다음 마스크 테이블(MT)상에 고정되는 마스크(MA)상에 빔(PB)이 닿는다. 마스크(MA)를 통과한 후에, 빔(PB)은 기판(W)의 타겟부(C)상으로 빔을 포커싱하는 렌즈(PL)를 관통하여 지나간다. 제 2 위치결정 수단(간섭식 측정수단(IF))의 도움으로, 예를 들어 빔(PB)의 경로내에의 서로 다른 타겟부(C)을 위치시키기 위하여기판 테이블(WT)이 정확하게 움직이게 될 수 있다. 유사하게는, 마스크 라이브러리로부터의 마스크(MA)를 기계적으로 회수한 후 포토 스캐닝 중, 제 1 위치결정 수단이 빔(PB)의 경로에 대해 마스크(MA)를 정확하게 위치시키는데 이용될 수 있다. 일반적으로, 도 1에 분명히 도시되진 않았지만, 장행정 모듈(long stroke module)(대략적 위치결정) 및 단행정 모듈(short stroke module)(미세 위치결정)에 의하여 대물 테이블(MT, WT)의 운동이 실현된다. 그러나, 웨이퍼 스테퍼(스텝 앤 스캔 장치와 대조적인)의 경우에 있어서, 마스크 테이블(MT)은 단행정 엑추에이터에 연결되거나 또는 고정될 수 있다.
도시된 장치는 두 가지 다른 모드로 이용될 수 있다.
1. 스텝 모드에 있어서는 마스크 테이블(MT)이 본질적으로 고정되어 있고, 전체 마스크 이미지가 목표 영역(C)상으로 한번(즉, 단일 "플래쉬")에 투영된다. 그 다음에 다른 목표 영역(C)이 빔(PB)에 의해 조사될 수 있도록 기판 테이블(WT)이 x 및/또는 y 방향으로 쉬프트된다;
2. 스캔 모드에 있어서는 주어진 목표영역(C)이 단일 "플래쉬"로 노광되지 않는 다는 것만 제외하고는 본질적으로 동일한 시나리오가 적용된다. 대신에, 투영 빔(PB)이 마스크 이미지에 걸쳐 스캔되도록, 마스크 테이블(MT)은 속도(ν)로 소정 방향(소위 "스캔 방향", 예를 들어 Y 방향)으로 이동가능하다. 동시에, 기판 테이블(WTa, WTb)은 속도(V = Mν)로 동일한 또는 반대 방향으로 이동하는데, 이 때 M은 렌즈(PL)(통상적으로 M = 1/4 또는 1/5)의 배율이다. 이러한 방식으로, 해상도를 떨어뜨리지 않고도 상대적으로 큰 목표영역(C)이 노광될 수 있다.
본 발명의 실시예에서 투영 렌즈의 광행차가 특히 고려된다. 투영 렌즈 파면 광행차는 각도 형태에 따라 급수로서 다음과 같이 표현될 수 있다.
이 때, r 및 θ는 각각 방사상 및 각 좌표이며(r은 정규화되었음), m 은 m 번째 광행차 기여도를 나타내는 표시이다. R 및 R'은 r 의 함수이다.
광행차는 또한 다음과 같이 제르니케 전개식으로 표현된다.
이 때, 각 Z는 제르니케 계수이며, 각 f는 대응 제르니케 다항식이다. 함수 f는 r 의 다항식과 sin mθ 또는 cos mθ 의 다항식과의 곱의 형태를 취한다. 예를 들면, 광행차(m=1)는 Z7, Z8, Z14, Z15, Z23, Z24, Z34, Z35 등의 제르니케 급수로 표현될 수 있으며, 예를 들면, Z7 계수에 관한 함수(상기 표시에서의 f7(r, θ))는 다음과 같다.
저차수 광행차에 대한 제르니케 전개식은 도 2에 제시된 표로 요약된다.
구면 광행차의 하나의 효과는 z 방향으로 최적 초점의 위치를 시프트하는 것이며, 이는 본 실시예에서 Z9 및 Z16을 결정하는데 이용된다. 우선, 광학 전사를 시뮬레이션하고 모델링하기 위하여 독일의 Sigma-C GmbH사에 의해 공급되는 상업용 소프트웨어 패키지인 "Solid C"로 알려진 프로그램같은 공지의 계산법을 사용하여 최적-초점 위치에서의 이론적인 시프트가 계산된다. "Prolith"로 알려진 다른 알맞는 소프트웨어 패키지가 대신 사용될 수도 있다. 도 3(a) 및 도 3(b) 는 2 개의 다른 전사 투영 장치에 대한 계산 결과를 나타낸 표이다. 첫번째 2 개의 열은 이미지측의 숫자로 표시된 개구(NA)에 관한 투광 모드의 설정 및 시그마(σ) 설정을 나타낸다. 도 3(a) 및 도 3(b)의 표에서 사용된 투광 모드는 환상 투광 모드이며, 시그마 열의 2개의 값은 각 환형의 내측반경 및 외측반경이며; 두 값의 차이는 동공의 최대 반경의 비로서 환형의 폭을 나타낸다. 종종 시그마 내부값은 시그마 외부값에 뒤따르며, 때로는 그 반대로도 된다; 시그마 값의 순서는 중요하지 않다. 동공에서의 빔의 방사상 위치의 범위는 기판상으로의 투영 빔의 입사각의 범위에 관련된다.
도 3(a) 및 도 3(b) 에서의 제 3 및 제 4 열은 소정의 데이터에 관련하여 계산된 최적-초점 위치를 ㎚단위로 나타낸다. 제 3 열은 렌즈가 1㎚의 제르니케 계수 Z9에 해당하는 광행차를 가지며 다른 제르니케 계수는 0로 가정하여 계산된다. 제 4 열은 1㎚의 제르니케 계수(Z16)의 광행차를 가지는 것을 제외하고는 동일한 상황이며, 다른 모든 제르니케 계수는 0인 상황이다. 제 3 및 제 4 열에서의 값(BFZ9=1㎚및 BFZ16=1㎚)은 각각의 제르니케 계수의 함수로서의 최적-초점 위치의 그래디언트(gradients) 또는 편미분방정식이며, 즉, Z16과 대응관계에서 Z9에서 1㎚가 작은 변화인 근사에서
이다.
다음으로, 최적-초점 위치는 동일한 6 개의 다른 투광 설정으로 도 3의 표의 각각에서처럼 실제 전사 투영 장치를 이용하여 측정된다. 최적-초점 위치는 원래대로 예를 들면 위치가 디포커스(defocus)로부터, 포커스(focus)를 통과하고 디포커스상으로 이동됨에 따라 콘트라스트-대-위치 곡선에 어울리는 6차 다항식의 최대값으로 정의된 최대 콘트라스트를 가지는 z-위치이다. 최적-초점은 "FOCAL"(아래에 기술됨)로 알려진 기술등의 공지의 기술을 이용하여 실험적으로 결정될 수 있으며, 대안적으로, 예를 들어, 투과 이미지 센서(TIS)(아래에 기술됨), 또는 중첩 현미경 또는 상용 초점 모니터를 이용하여 공간상의 이미지를 직접 측정할 수 있다.
FOCAL은FOcusCalibration by usingALignment의 약자이다. 이는 전사 장치의 정렬 시스템을 이용하는 초점면에 대한 정보를 완벽하게 결정하는 최적-초점 측정 기법이다. 비대칭으로 분할된 특수한 정렬 마크는 감광제가 코팅된 웨이퍼상으로 초점을 통하여 결상된다. 상기 결상된 마크(잠재된 또는 현상된)의 위치는 상기정렬 시스템에 의해 측정될 수 있다. 비대칭 분할때문에, 정렬 시스템에 의해 측정된 위치는 노광시 사용되는 초점이탈에 의존할 것이며, 이에 따라 최적-초점 위치를 결정하게 할 것이다. 전 이미지 영역에 걸쳐 상기 마크를 분배하고, 분할에 대한 상이한 배향을 이용함으로써, 몇몇 구조적 배향에 대한 완전한 초점면이 측정될 수 있다. 이러한 기술은 본 명세서에 참조로 포함된 미합중국 특허 제 5,674,650에 좀더 자세히 기술되었다.
하나 이상의 투과 이미지 센서(들)(TIS)는 투영 렌즈하에서, 투영된 이미지의 측방 위치 및 최적 초점 위치(즉, 수직 또는 수평 위치)를 결정하는데 이용될 수 있다. 투과 이미지 센서(TIS)는 기판 테이블(WT)에 관련된 물리적 기준표면내로 삽입된다. 소정의 실시예에 있어서, 두개의 센서는 웨이퍼(W)에 의해 덮히는 영역 바깥쪽으로 대각선으로 반대 위치에 기판 테이블(WT)의 상부표면에 장착된 기준판상에 장착된다. 기준판은 예를 들어 인바(Invar)등의 매우 낮은 열팽창계수를 가지는 안정성이 높은 재료로 만들어지며, 정렬 처리중에 다른 기준으로 이용되는 마크를 가질 수 있는 평반사 상부표면을 구비한다. 상기 TIS는 투영 렌즈에 의해 투영됨으로써, 마스크상의 TIS 패턴의 공간상의 이미지의 수직(및 수평) 위치를 직접 결정하는데 사용된다. 이는 노광 처리에 이용되는 방사선에 민감한 광검출기 바로 뒤에 위치하는 반사 표면내의 개구를 포함한다. 초점면의 위치를 결정하기 위하여, 투영 렌즈는 마스크(MA)상에 제공되는 패턴의 이미지를 공간내로 투영하며, 대비되는 밝고 어두운 영역을 가진다. 그 다음 TIS의 개구는 공간상의 이미지가 예상되는 공간을 관통하여 지나가도록 기판 스테이지는 수평(하나 또는 바람직하게는 두개의방향으로) 및 수직으로 스캔된다. TIS 개구는 TIS 패턴의 이미지의 밝고 어두운 영역을 관통하여 지나감에 따라, 광검출기의 출력이 변동할 것이다(므와르 효과). 광검출기 출력의 주파수변화 속도가 가장 높은 수직 레벨은 TIS 패턴의 이미지가 가장 큰 콘트라스트를 가지는 레벨을 나타내기 때문에 이것이 최적 초점 평면을 의미한다. 변화 속도가 가장 높은 수평 레벨은 공간상의 이미지의 측면 위치를 나타낸다. 이러한 종류의 TIS의 예시는 미합중국 특허 제 4,540,277에 좀더 자세히 기술된다. 레지스트의 노광을 개입시키지 않는 직접 측정 기술이기 때문에 TIS의 장점은 견고하고 속도가 빠르다는 것이다.
본 발명의 실시예가 다수의 다른 투광 설정에서 FOCAL 기술을 이용하여 이미지의 파라미터(이 경우에서는 최적-초점 위치)를 측정하는 경우에 있어서, 이는 Focal At Multiple Illumination Setting을 의미하는 약자 FAMIS로도 나타낼 것이다.
그 다음, 투영 렌즈 시스템의 실제 제르니케 계수는 소정의 중요한 제르니케 계수에 기인한 광행차로부터의 최적-초점 위치에 일차 보정을 하는 다음과 같은 관계를 이용하여 추출될 것이다.
이 때, BFmeas은 NA 및 σ의 함수로서 측정된 경험적인 최적-초점 위치이다.
계수 b 및 c는 제르니케 계수 Z9 및 Z16으로 각각 부르며; 계수 a는 Z4와 관계있으며, 본 명세서에서는 실질적으로 상수로 간주될 수 있다. 결과적으로, 상기 관계는 다음과 같은 방정식으로 다시 나타낼 수 있다.
상기 방정식은 필요시 고려될 수 있지만 Z9 및 Z16 등을 모두 포함하는 교차항, 고차 수정을 무시한 근사식이다.
상기 방정식은 각각의 투광 설정(NA 및 σ값), 도 3(a) 및 도 3(b) 각각에서의 데이터에 대한 전체 6 개의 방정식에 대하여 얻어진다. 상기 6 개의 연립 방정식으로부터, 3 개의 미지수(const, Z9, Z16)이 도출될 것이다. 미지수보다 더 많은 방정식이 존재하므로, 방정식 세트는 과잉 결정된다. 다중 회귀 또는 최소-제곱 적합이 제르니케 계수의 최적의 값을 결정하는데 이용될 수 있다. 행렬 표기에 있어서, 연립 방정식은 다음과 같이 나타낼 수 있다.
행열의 첫번째 두 열은 도 3(a) 및 도 3(b)에서의 표의 제 3 및 제 4 열이며 문제의 고유벡터이다.
이를 좀더 간결하게 표기하면 다음과 같다.
따라서, 제르니케 계수는 다음과 같이 산출된다.
제르니케 계수는 이러한 방식으로 산출될 수 있다. 그 (절대)값이 마이크로 전사기에 중요할 뿐아니라, 그것들이 최적-초점 위치상(및 특히, 제 2 실시예에 참조로 기술될 바와 같이 다른 제르니케 계수의 경우에서, 측면 시프트 또는 중첩 에러상)에 가지는 효과는 다른 투광 설정에서 결상시스템에 적절한 수정이 행해지도록 할 수 있다. 도 4는 실제로 측정된 최적-초점 위치 및 본 발명의 본 실시예에 의해 결정된 Z9 및 Z16에 기초하여 계산된 최적-초점 위치와의 상관 그래프를 나타낸 것이다. 각각의 사각형은 장치의 상이한 투광 설정을 나타낸다. 도시된 바와 같이, 적합선(fitted line)으로부터의 최대 초점 편차가 언제나 10 ㎚이하인, 우수한 상관관계이다. 상관 계수 R2= 0.972( R2= 0 는 아무 상관관계가 없음을 나타내며R2= 1 은 완벽한 상관관계를 나타낸다).
또한, 도 5(a) 및 도 5(b)에 의해 본 발명의 기술의 유용성이 확인된다. Z9의 값과 대조를 이루는 본 발명의 본 실시예에 따라 측정(FAMIS)된 바와 같이, 각각 이러한 그래프의 Z9 및 Z16의 값은 SIF(Shearing InterFerometry)로서 아래에 언급된 기술을 이용한 렌즈 제조업자에 의해 독립적으로 측정된다. SIF는 렌즈 제조업자에 의해 개발된 렌즈 관통(TTL) 간섭 기술이다. 각 사각형은 스텝 앤드 스캔 장치에서의 결상 시스템의 슬릿을 따른 소정의 x 위치에서의 측정치를 나타내며 각 그래프는 가장 적합한 직선을 나타낸다. 0.86 및 0.83 의 상관 계수 R2를 가지는 최상의 상관관계이다. 측정 기술의 정밀성에 관련될 수 있는 적합선으로부터의 최대 편차는 대략 1 ㎚ 제르니케이다. 이는 렌즈 시스템이 제조될 때 갖는 허용오차를 훨씬 밑돈다. 본 발명의 상기 기술은 전사 투영 장치에서 제위치의 결상 시스템으로 수행될 수 있는 장점을 가진다.
도 6(a) 및 도 6(b)는 즉, 상술된 스캔 모드에 사용된 장치에서 스캔 방향에 수직인 x-방향으로의 위치 함수로서 측정된 제르니케 계수 Z9 및 Z16의 그래프를 나타낸다. 광행차 데이터는 스텝 앤드 스캔 시스템상에서 측정되었지만, 스텝 모드에서 사용된다. 광행차 데이터는 (슬릿을 따라)각 x-위치에 대하여 그려지지만, 스캔 방향(y-방향)을 따라 균등하게 분배되어, 계수는 Z9 및 Z16의 적분값으로 나타난다. 각 그래프는 상기 FAMIS 기술에 의해 측정된 것과 그리고 SIF 기술에 의해 독립적으로 측정된 제르니케 계수를 나타난다. 도 6(a)의 그래프는 Z9 계수의 그래프이며 도 6(b)의 그래프는 Z16 계수의 그래프이다. 이들 그래프 또한 두 개의 측정 기술사이의 바람직한 상관관계를 나타낸다. 도 5(a) 및 도 5(b)의 상관 그래프는 상기 x-위치에 대하여, 도 6(a) 및 도 6(b)의 그래프의 데이터에 각각 해당한다.
도 7은 본 발명의 FAMIS 기술 및 SIF를 이용한 Z12 제르니케 계수의 측정 결과를 나타낸다. Z12(비점수차의 존재에 관련됨:도 2 참조)는 Z9 및 Z16에서와 동일한 방식으로 본 발명을 이용하여 계산될 수 있으며, 이는 예를 들어 1 ㎚의 Z12 계수에 의한 광행차의 고정된 량에 대한 비점수차 값의 변동(x-지향선 및 y-지향선사이의 최적-초점 위치에서의 차이)을 계산하는 것이다. 실제 비점수차값은 동일한 투광 설정에서 측정되며, 일련의 연립 방정식은 Z12에 대하여 형성되고 풀린다.
본 발명의 제 1 실시예의 FAMIS 기술은 도 3 내지 도 6에서와 같은 구면 수차 및 도 7에서와 같은 비점수차 등의 짝수 광행차(즉, 도 2에 도시된 m = 0 또는 짝수인 정수를 가지는 광행차)에 대응하는 제르니케 계수를 산출하는데 이용될 수 있는데, 이는 이러한 광행차가 최적-초점 위치에 영향을 미치기 때문이다. 홀수 광행차는 아래의 제 2 실시예에서 논의될 것이다.
측정의 정확성을 증가시키기 위하여 좀더 세밀한 고안이 채용될 수 있다. 도 8(a) 및 도 8(b)는 NA의 함수로서의 최적-초점 위치(BF)(연립방정식으로부터) 및 투광 설정의 외부 시그마값을 나타내는 등고선 그래프인데, 그 결과 광행차는 제르니케 계수 Z9 및 Z16(도 8(a) 및 도 8(b)에 각각 도시된)로 표시된다. 각 경우에 있어서 각각의 제르니케 계수의 값은 10㎚로 설정된다. 최적-초점 위치에서 최대변위를 초래하는 다른 투광 설정의 범위를 선택함으로써, 해당 제르니케 계수가 좀더 정확하게 유도될 것이다.
예를 들면, 도 8(a)에서, 일련의 측정이 NA = 0.5를 가진다면, 다른 외부 시그마 설정을 제외하고는, 최적-초점 위치에서 매우 적은 변동이 측정될 수 있을 것이며, 결과적으로 Z9는 상대적으로 오직 낮은 정확성을 갖고 측정될 수 있다. 반대로, 0.7의 고정된 외부 시그마 설정에서의 일련의 측정은 최적-초점 위치에서의 큰 범위 및 Z9의 좀더 정확한 결정을 가져올 것이다. 하나의 기술은 도 8(a)의 그래프에서 등고선에 실질적으로 수직인 선을 형성하는 투광 설정의 범위에서 일련의 측정을 실시하는 것이다. 도 8(b)에서의 등고선 그래프로부터 분명히 Z16을 결정하는데 동일하게 적용되며, 다른 투광 설정의 범위는 Z16의 결정을 최적화한다. Z9 및 Z16의 결정을 동시에 최적화하기 위하여, 투광 설정의 범위는 Z9 및 Z16의 함수로서 최적-초점 위치의 변동에 걸쳐야 한다.
서로 독립적으로 소정의 제르니케 계수를 결정하기 위하여 바람직하다면 본 발명에 따른 상기 기술은 강화될 수 있다. 예를 들어, 도 8(a)의 그래프의 등고선을 따르는 일련의 투광 설정에서의 측정을 실시함으로써, Z9 광행차에 의해 최적-초점 위치에서 실질적으로 아무런 변동이 야기되지 않을 것이며, 따라서 실질적으로 모든 최적-초점 위치 변동이 Z16(또는 다른) 제르니케 계수에 따를 것이다. 이러한 방식에 있어서, Z16은 Z9과 독립적으로 결정될 수 있다. 그 반대도 적용되며, Z9는 도 8(b)의 등고선에 대응하는 투광 설정에서 측정을 실시함으로써 Z16과 독립적으로 결정될 수 있다.
본 발명의 실시예를 좀더 고려하면, 가장 정확한 최적-초점 위치를 결정하는 FOCAL 기술에 대하여, 바람직하게는 콘트라스트가 가능한 높아야 한다. 콘트라스트는 투광 시스템의 NA 및 외부 시그마 값의 함수로서 도 9에 도시된다. 도 9에 도시된 바와 같이, 콘트라스트는 높은 NA 설정 및 낮은 외부 시그마 설정에서 최대가 된다.
측정될 파라미터는 결상될 구조, 예를 들면 구조의 형태 및 크기(예를 들어 격리선 및 짙은선, 격리 공간, 접촉공 등)를 최적화함으로써 또한 예를 들면 이원 마스크, 감쇠 마스크 및 교번위상-시프트 마스크의 마스크 유형의 선택에 의하여 최대화될 수 있다.
제 2 실시예
본 발명은 홀수 광행차에 대한 제르니케 계수를 산출하는 이용될 수도 있다. 본 실시예는 특히 제르니케 계수 Z7을 참조로 기술될 것이지만, m(도 2에 도시됨)의 홀수값을 갖는 광행차에 해당하는 제르니케 계수에 동일하게 적용될 수 있다. 홀수 광행차로 인하여 이미지의 측방향 시프트가 발생한다.
도 10은 8 개의 상이한 환상 투광 설정에서 x-방향으로의 계산된 측방향 시프트(x-시프트, dX 또는 ΔX로도 지칭)의 표를 나타내며; NA 및 시그마의 설정은 도 3에서와 같이 주어진다. dX값은 1 ㎚의 제르니케 계수 Z7에 기인한 광행차에 기초하여 계산된다.
다음 계산은 x-시프트를 유발하는 다음 고차수 제르니케 계수, 즉 Z14(도 2 참조)에 기인한 해당 시프트를 제시할 수 있다.
아래에 "DISTO"(아래에 기술됨)로 언급된 왜곡 측정 기술을 이용한 실제 전사 투영 장치에서 이미지 위치에서의 측방향 시프트가 측정될 수 있으며; 대안적으로, 공간상의 이미지의 위치를 예를 들면, 투과 이미지 센서(TIS)(상술됨) 또는 제 1 실시예와 연결하여 언급된 다른 기술을 이용하여 직접 측정할 수 있다.
DISTO는 이미지 평면(x,y 평면)의 측방향 위치 에러를 찾아내는 기술이다. 수평 및 수직 동일 선/공간(예를 들어, 결상된 마크에 대해 선폭이 8㎛인)으로 구성되는 표준 정렬 마크는 레지스트가 도포된 웨이퍼상으로 결상된다. 이러한 (내포된 또는 현상된)결상된 마크의 위치는 전사 장치의 정렬 시스템에 의해 측정될 수 있다. 예상 위치에 대한 편차가 왜곡이다. 전체 이미지 영역에 걸쳐 마크를 분배함으로써, 완전한 이미지 영역 왜곡이 측정될 수 있다.
본 발명의 제 2 실시예가 다중 투광 설정에서 DISTO 기술을 이용하는 경우, 이것은 Disto At Multiple Illumination Settings의 약자인 "DAMIS"로 언급될 것이다.
그 다음, Z7 및 Z14의 값은 0이 아닌 제르니케 계수 Z7 및 Z14에 의한 X-코마에 의해 유발되는 x-위치에서의 측정된 시프트에 1 차 보정을 하는 다음 관계로부터 결정될 수 있다.
이 때, 상수 b 및 c는 각각 제르니케 계수 Z7 및 Z14이며, 제 1 실시예에서 Z9 및 Z16을 참조로 상술한 바와 같이 동일 행열 조작 및 다중 회귀 또는 최소 제곱 적합법을 이용하여 얻어질 수 있다. 이러한 경우에 있어서, 항 a 는 Z2에 관련된 것이며, 실질적으로 상수이다.
도 11은 실험적으로 측정된 X-시프트(㎚단위로 세로축을 따라 그려짐) 및 1 ㎚의 제르니케 계수에 의해 유발되는 계산된 시프트(㎚단위로 가로축을 따라 타점됨)사이의 상관관계 그래프를 나타낸다. 그려진 지점 및 계산된 시프트는 도 10의 표에서의 투광 설정에 해당한다. 최적선(line of best-fit)의 기울기는 상기 장치에 대하여 상기 특정의 예시에서 Z7이 대략 7㎚인 산출된 Z7의 값을 제시한다.
도 12(a) 및 도 12(b)는 도 8(a) 및 도 8(b)에서와 유사한 투광 모드 평면에서의 x-위치에서의 시프트를 나타내는 등고선 그래프이다. 여기서, 투광 설정은 (시그마 외부)-(시그마 내부)=0.3의 고리폭을 가지는 환형이다. 또한, 측정을 실시하기 위한 투광 설정의 적절한 선택에 의해서, Z7 또는 Z14 각각의 결정의 정확성은 향상될 수 있거나 또는 Z7 및 Z14중 하나 또는 다른것에 기인한 변동은 감소되거나 또는 제거될 수 있어 도 8을 참조하여 Z9 및 Z16에 대하여 상술된 바와 같이, 다른 계수의 기여로부터의 광행차에의 그 기여를 분리시킨다.
도 13(a) 및 도 13(b)는 본 발명의 제 2 실시예의 기술의 다른 증명을 제시한다. 상기 도면은 노광 슬릿에 따른 x-위치의 함수로서 Z7(X-코마) 및 Z8(Y-코마)의 그래프를 나타낸다. 각 제르니케 계수의 값은 본 발명에 의해 얻어지거나 SIF를 이용해 독립적으로 측정된대로 타점되었다. 상관관계는 역시 좋다.
도 13(a)의 값사이의 차이는 슬릿을 따라 x-위치를 가지는 Z7에서의 변동을 제시하는 기울임 수정에 의해 거의 일치시킬 수 있다. 슬릿을 따라 x-위치로의 단위 ㎜당 0.39 ㎚로 수정되는 Z7의 DAMIS 측정인 것을 제외하고는, 도 14는 도 13(a)에서와 동일 데이터를 나타낸다. 상기 보정은 적당히 선택된 파장 시프트에 의해 얻어진다. 본 발명의 유용성의 설명에 의하면, 본 발명에 따라 측정된 도 13(a)의 Z7 값으로 나타낸 투영 시스템에서의 전체 코마 광행차는, (약간 더 긴)파장 시프트에 의해 보정될 수 있다.
상술된 실시예에 있어서, 다른 투광 설정에 대한 시뮬레이션을 이용한 최적-초점 위치 또는 x-위치 또는 y-위치에서의 예상 시프트를 계산한 다음, 그들 투광설정에서의 실제 시프트를 측정하는 작업 과정임에도 불구하고, 소정의 투광 설정에서 먼저 측정을 실시한 다음에 측정이 실시된 실제 투광 설정에서의 시뮬레이션을 이용하여 소정의 양을 계산하는 것이 당연히 좀더 실용적일 수 있다. 바람직하게는, 노광의 다른 모든 파라미터가 변경되지 않는 것을 제외하고는, 테스트 노광 과정은 각각 다른 NA 및 시그마 설정을 가지고 순차적으로 이루어진다.
기기 드리프트의 효과에 대하여 보정하기 위하여, 제 1 투광 설정을 이용한 측정이 마지막으로 반복될 수 있으며, 개입되는 측정 과정의 다른 투광 설정들사이에 한번 이상 여러번 반복될 수 있다.
웨이퍼상에 테스트 노광을 실시할 때, "마이크로-스텝핑" 또는 "다이-인-다이" 노광으로 알려진 기술을 채용하는 것이 유리한데, 이는 웨이퍼의 동일 부분이 모든 투광 설정에 대하여 사용되기 때문이며, 모든 노광은 실질적으로 동일한 레지스트 처리 및 계측 에러가 실질적으로 일치하게 되고, 따라서 테스트의 재현성이 증가된다.
상기 실시예에서는 제르니케 다항식에 관해서 렌즈 광행차를 기술하였지만, 이는 파면 광행차를 기술하는데 이용될 수 있는 수많은 가능한 함수 구성중 겨우 하나이며, 본 발명은 다른 제르니케 계수가 아닌 파라미터의 형태로 광행차를 측정하는 데 사용될 수 있다.
본 발명에 대한 특정 실시예가 상술되었으나, 본 발명은 앞서의 설명과 다르게도 실시되어 질 수 있는 것으로 이해될 것이다. 본 명세서가 본 발명을 제한하는 것은 아니다. 특히 본 발명이 전사 장치의 투영 시스템에 사용될 수 있으며 다른 임의의 형태의 결상 시스템내의 광행차가 서로 독립적으로 안정되고 정확하게 측정될 수 있다는 것이 이해될 것이다.
전사 시스템의 광행차를 결정하는 개선된 방법 및 장치를 제공하여 전사 투영 장치의 해상력을 강화시킬 수 있으며, IC의 집적도를 높일 수 있다.

Claims (18)

  1. - 방사 투영빔을 제공하기 위한 방사 시스템;
    - 투영빔을 소정의 패턴에 따라 패터닝시키는 역할을 하는 패터닝 수단을 지지하기 위한 지지 구조체;
    - 기판을 고정하기 위한 기판 테이블; 및
    - 기판의 타겟부상으로 패턴화된 빔을 투영하기 위한 투영 시스템으로 이루어지는 광학 결상 시스템의 광행차를 결정하는 방법으로서,
    상기 방법은,
    투영빔을 상기 패터닝 수단으로 패터닝하는 단계를 포함하고,
    상기 방사 시스템 및/또는 상기 투영 시스템의 복수의 상이한 설정에 대하여, 투영 시스템에 의해 형성되는 이미지중 하나 이상의 파라미터를 측정하는 단계; 및
    상기 복수의 설정에서 측정되는 상기 하나 이상의 파라미터에 기초하여, 상기 결상 시스템의 광행차를 나타내는 하나 이상의 계수를 계산하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 상이한 설정이 상이한 숫자로 표시된 개구 설정을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 복수의 상이한 설정이 결상 시스템내의 동공 평면에서 동공을 채우는 상이한 설정을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 상이한 설정이 디스크 형상, 환형, 4극형, 2극형 및 소프트-다중극형을 포함하는 그룹으로부터 선택되는 상이한 투광 모드를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 상이한 설정이 텔레센트릭 및 비텔레센트릭 투광 설정, 또는 복수의 비텔레센트릭 투광 설정을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 파라미터가 상기 이미지의 최적 초점의 위치인 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 파라미터가 상기 이미지의 측면 위치인 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 상이한 설정이 하나 이상의 측정된 파라미터에서의 변동이 실질적으로 최대가 되도록 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 상이한 설정이 소정 계수의 함수로서 상기 하나 이상의 파라미터에서의 변동이 0 이 아닌 반면, 상기 계수의 하나 이상에 의해 나타나는 광행차로 인한 상기 하나 이상의 측정된 파라미터에서의 변동이 실질적으로 0 이 되도록 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 상이한 투광 설정의 각각에 대하여, 상기 하나 이상의 계수에서의 작은 변동의 함수로서 각 측정된 파라미터의 이론적인 변동을 계산하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 계수가 한 세트의 연립 방정식의 다중 회귀 또는 최소 제곱 적합에 의해 계산되는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 계수가 제르니케 계수인 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 패턴화된 방사빔을 방사선 감지층이 제공되는 기판상으로 투영시키는 전사 투영 장치로서,
    - 방사 투영빔을 제공하기 위한 방사 시스템;
    - 투영빔을 소정의 패턴에 따라 패터닝시키는 역할을 하는 패터닝 수단을 지지하기 위한 지지 구조체;
    - 기판을 고정하기 위한 기판 테이블;
    - 기판의 타겟부상으로 패턴화된 빔을 투영하기 위한 투영 시스템; 및
    상기 방사 시스템 및/또는 상기 투영 시스템의 복수의 상이한 투광 설정을 제공하기 위한 투광 설정 수단을 포함하여 이루어지고,
    투영 시스템에 의해 형성된 투영된 이미지의 하나 이상의 파라미터를 측정하기 위한 측정 수단;
    상기 측정 수단이 측정을 수행하는 복수의 상이한 투광 설정을 선택하기 위한 제어 수단; 및
    상기 측정 수단에 의해 측정된 상기 하나 이상의 파라미터에 기초하여, 상기 투영 및/또는 방사 시스템의 광행차를 나타내는 하나 이상의 계수를 계산하기 위한 연산 수단을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 전사 투영 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 지지 구조체는 마스크를 고정하기 위한 마스크 테이블을 포함하는 것을 특징으로 하는 전사 투영 장치.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 방사 시스템은 방사선 공급원을 포함하는 것을 특징으로 하는 전사 투영 장치.
  16. (a) 방사선 감지 물질층에 의해 적어도 부분적으로 도포된 기판을 제공하는 단계;
    (b) 방사 시스템을 이용하여 방사 투영빔을 제공하는 단계;
    (c) 투영빔에 소정 단면 패턴을 부여하기 위하여 패터닝 수단을 이용하는 단계;
    (d) 방사선-감지물질 층의 타겟부상으로 패턴화된 방사빔을 투영하기 위하여 투영시스템을 이용하는 단계로 이루어지는 전사 투영 장치를 사용하여 디바이스를 제조하는 방법으로서,
    단계(d)이전에, 상기 방사 시스템 및/또는 상기 투영 시스템의 복수의 상이한 설정에 대하여, 투영 시스템에 의해 형성된 이미지의 하나 이상의 파라미터를 측정하는 단계;
    상기 복수의 설정에서 측정된 하나 이상의 파라미터에 기초하여, 상기 투영 및/또는 방사 시스템의 광행차를 나타내는 하나 이상의 계수를 연산하는 단계;
    상기 투영 시스템에 의해 투영된 이미지의 광행차를 줄이기 위하여, 상기 하나 이상의 계산된 계수에 기초하여 상기 광행차를 보정하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 보정 단계가 상이한 투광 설정사이에서 변경될 때 상기 이미지의 측방향 및/또는 최적 초점 위치에서의 변경에 대하여 보정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  18. 제 16 항 또는 제 17 항의 방법에 따라 제조된 디바이스.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100927560B1 (ko) * 2002-01-29 2009-11-23 가부시키가이샤 니콘 이미지 형성 상태 조정 시스템, 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 프로그램 및 정보 기록 매체

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002134396A (ja) * 2000-10-25 2002-05-10 Sony Corp 半導体装置の製造方法および半導体パターン自動調節装置
US7099011B2 (en) * 2000-12-08 2006-08-29 Litel Instruments Method and apparatus for self-referenced projection lens distortion mapping
EP1355140A4 (en) * 2000-12-28 2006-11-15 Nikon Corp "METHOD OF MEASURING PICTURE PROPERTIES, IMPROVING IMAGE PROCEDURES, EXPOSURE METHOD AND SYSTEM, PROGRAM AND RECORDING MEDIUM AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD"
TWI221000B (en) * 2001-02-13 2004-09-11 Nikon Corp Manufacturing method of exposure apparatus, adjustment method of exposure apparatus, and exposure method
US20060285100A1 (en) * 2001-02-13 2006-12-21 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
DE10146499B4 (de) * 2001-09-21 2006-11-09 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Optimierung der Abbildungseigenschaften von mindestens zwei optischen Elementen sowie Verfahren zur Optimierung der Abbildungseigenschaften von mindestens drei optischen Elementen
JP2003257812A (ja) 2002-02-27 2003-09-12 Nikon Corp 結像光学系の評価方法、結像光学系の調整方法、露光装置および露光方法
WO2003075328A1 (fr) * 2002-03-01 2003-09-12 Nikon Corporation Procede de reglage d'un systeme optique de projection, procede de prediction, procede d'evaluation, procede de reglage, procede d'exposition, dispositif d'exposition, programme et procede de fabrication dudit dispositif
DE10224363A1 (de) * 2002-05-24 2003-12-04 Zeiss Carl Smt Ag Verfahren zur Bestimmung von Wellenfrontaberrationen
US6817714B2 (en) * 2002-09-25 2004-11-16 Bausch And Lomb, Inc. Method and apparatus relating to the optical zone of an optical element
US7022443B2 (en) * 2003-02-12 2006-04-04 Intel Corporation Compensation of reflective mask effects in lithography systems
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10327019A1 (de) * 2003-06-12 2004-12-30 Carl Zeiss Sms Gmbh Verfahren zur Bestimmung der Abbildungsgüte eines optischen Abbildungssystems
US7318214B1 (en) 2003-06-19 2008-01-08 Invarium, Inc. System and method for reducing patterning variability in integrated circuit manufacturing through mask layout corrections
EP1496397A1 (en) * 2003-07-11 2005-01-12 ASML Netherlands B.V. Method and system for feedforward overlay correction of pattern induced distortion and displacement, and lithographic projection apparatus using such a method and system
US7198873B2 (en) * 2003-11-18 2007-04-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic processing optimization based on hypersampled correlations
US7266800B2 (en) * 2004-06-04 2007-09-04 Invarium, Inc. Method and system for designing manufacturable patterns that account for the pattern- and position-dependent nature of patterning processes
US7403264B2 (en) * 2004-07-08 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and a device manufacturing method using such lithographic projection apparatus
US7663741B2 (en) * 2004-08-31 2010-02-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, calibration method and computer program product
US7588868B2 (en) * 2004-10-06 2009-09-15 Cadence Design Systems, Inc. Method and system for reducing the impact of across-wafer variations on critical dimension measurements
US7528931B2 (en) 2004-12-20 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060194130A1 (en) * 2005-02-25 2006-08-31 William Roberts Run to run control for lens aberrations
US20060192931A1 (en) * 2005-02-25 2006-08-31 William Roberts Automated focus feedback for optical lithography tool
US20060193532A1 (en) * 2005-02-25 2006-08-31 William Roberts Optimizing focal plane fitting functions for an image field on a substrate
US20060193531A1 (en) * 2005-02-25 2006-08-31 William Roberts System for analyzing images of blazed phase grating samples
US20060192943A1 (en) * 2005-02-25 2006-08-31 William Roberts Optimizing focal plane fitting functions for an image field on a substrate
US7248351B2 (en) * 2005-02-25 2007-07-24 Infineon Technologies Ag Optimizing light path uniformity in inspection systems
CN101304842B (zh) * 2005-09-13 2011-11-16 古德曼·斯莱特芒 光学机械测位仪
US7643976B2 (en) * 2006-02-28 2010-01-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and system for identifying lens aberration sensitive patterns in an integrated circuit chip
CN100474115C (zh) * 2006-04-04 2009-04-01 上海微电子装备有限公司 光刻机成像光学系统像差现场测量方法
US7715952B2 (en) * 2007-09-20 2010-05-11 Tokyo Electron Limited Temperature setting of thermal processing plate using zernike coefficients
TWI383273B (zh) * 2007-11-20 2013-01-21 Asml Netherlands Bv 微影投射裝置之焦點測量方法及微影投射裝置之校準方法
JP2009152251A (ja) * 2007-12-18 2009-07-09 Canon Inc 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
CN103048894B (zh) * 2013-01-29 2014-10-15 中国科学院光电研究院 一种光刻机投影物镜波像差在线测量装置和方法
WO2022147625A1 (en) * 2021-01-08 2022-07-14 National Research Council Of Canada A method for correcting ray distortions in tomographic 3d printing

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4943733A (en) * 1987-05-15 1990-07-24 Nikon Corporation Projection optical apparatus capable of measurement and compensation of distortion affecting reticle/wafer alignment
US6078380A (en) * 1991-10-08 2000-06-20 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method involving variation and correction of light intensity distributions, detection and control of imaging characteristics, and control of exposure
US5754299A (en) * 1995-01-13 1998-05-19 Nikon Corporation Inspection apparatus and method for optical system, exposure apparatus provided with the inspection apparatus, and alignment apparatus and optical system thereof applicable to the exposure apparatus
JP2705609B2 (ja) * 1995-02-21 1998-01-28 日本電気株式会社 露光装置および露光方法
TW357262B (en) 1996-12-19 1999-05-01 Nikon Corp Method for the measurement of aberration of optical projection system, a mask and a exposure device for optical project system
US5821014A (en) 1997-02-28 1998-10-13 Microunity Systems Engineering, Inc. Optical proximity correction method for intermediate-pitch features using sub-resolution scattering bars on a mask
US5828455A (en) 1997-03-07 1998-10-27 Litel Instruments Apparatus, method of measurement, and method of data analysis for correction of optical system
US6356345B1 (en) * 1998-02-11 2002-03-12 Litel Instruments In-situ source metrology instrument and method of use
JP3256678B2 (ja) * 1998-02-19 2002-02-12 株式会社東芝 レンズの収差測定方法
US6248486B1 (en) 1998-11-23 2001-06-19 U.S. Philips Corporation Method of detecting aberrations of an optical imaging system
US6360012B1 (en) * 1999-06-25 2002-03-19 Svg Lithography Systems, Inc. In situ projection optic metrology method and apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100927560B1 (ko) * 2002-01-29 2009-11-23 가부시키가이샤 니콘 이미지 형성 상태 조정 시스템, 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 프로그램 및 정보 기록 매체

Also Published As

Publication number Publication date
DE60130160D1 (de) 2007-10-11
TWI256484B (en) 2006-07-01
JP3926570B2 (ja) 2007-06-06
US20020008869A1 (en) 2002-01-24
US6646729B2 (en) 2003-11-11
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KR100599932B1 (ko) 2006-07-12
DE60130160T2 (de) 2008-05-29

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