JP5055579B2 - 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 - Google Patents

露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5055579B2
JP5055579B2 JP2007534490A JP2007534490A JP5055579B2 JP 5055579 B2 JP5055579 B2 JP 5055579B2 JP 2007534490 A JP2007534490 A JP 2007534490A JP 2007534490 A JP2007534490 A JP 2007534490A JP 5055579 B2 JP5055579 B2 JP 5055579B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
moving body
substrate
area
liquid
predetermined
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2007534490A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2007029829A1 (ja
Inventor
徹 木内
剛之 水谷
正洋 根井
正人 濱谷
正彦 奥村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP2007534490A priority Critical patent/JP5055579B2/ja
Publication of JPWO2007029829A1 publication Critical patent/JPWO2007029829A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5055579B2 publication Critical patent/JP5055579B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • G03F7/2043—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means with the production of a chemical active agent from a fluid, e.g. an etching agent; with meterial deposition from the fluid phase, e.g. contamination resists
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70591—Testing optical components
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

本発明は、液体を介して基板を露光する露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法に関するものである。
本願は、２００５年９月９日に出願された特願２００５−２６１８８８号、及び２００５年９月３０日に出願された特願２００５−２８６４８７号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、下記特許文献１、２に開示されているような、露光光の光路空間を液体で満たし、その液体を介して基板を露光する液浸型の露光装置が知られている。また、下記特許文献３〜６に開示されているような、基板を保持する基板ステージを複数備えたマルチステージ型の露光装置が知られている。
特開２００４−２８９１２６号公報 特開２００４−２８９１２８号公報 特表２０００−５１１７０４号公報 特開２０００−３２３４０４号公報 特表２００１−５１３２６７号公報 特開２００２−１５８１６８号公報
フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置においては、液浸法を適用した場合にも、基板を効率良く露光処理することが求められる。また、マルチステージ型の露光装置においては、複数の基板ステージを露光ステーションに順次に配置する動作が行われるが、マルチステージ型の露光装置に液浸法を適用した場合にも、基板ステージを露光ステーションに配置する動作を素早く行い、基板を効率良く露光することが重要である。
本発明は、液体を介して基板を効率良く良好に露光することができる露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法を提供することを目的とする。
本発明は実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。
本発明の第１の態様に従えば、光学部材（ＦＬ）と液体（ＬＱ）とを介して基板（Ｐ）を露光する露光装置であって、前記液体（ＬＱ）の供給及び回収を行う液浸システム（１）と、第１領域（１０）で移動し、前記光学部材（ＦＬ）との間に前記液体（ＬＱ）が保持され得る第１移動体（４）と、前記光学部材（ＦＬ）の対向位置から前記第１移動体（４）が離れたときに前記第１移動体（４）から取り外され、前記光学部材（ＦＬ）との間に前記液体（ＬＱ）が保持され得る所定部材（３０）と、を備えた露光装置（ＥＸ）が提供される。
本発明の第１の態様によれば、光学部材から第１物体が離れたときにも、光学部材とキャップ部材との間に液体を満たし続けることができるので、露光装置の稼動率の低下を抑えることができる。
本発明の第２の態様に従えば、光学部材（ＦＬ）と液体（ＬＱ）とを介して基板（Ｐ）を露光する露光装置であって、第１領域（１０）で移動し、前記光学部材（ＦＬ）との間に前記液体（ＬＱ）が保持され得る第１移動体（４）と、前記第１移動体（４）が前記光学部材（ＦＬ）から離れたときに前記第１移動体（４）から取り外され、前記光学部材（ＦＬ）との間で前記液体（ＬＱ）が保持され得る所定部材（３０）と、前記所定部材（３０）に設けられ、所定の計測を行う計測装置（１００）と、を備えた露光装置（ＥＸ）が提供される。
本発明の第２の態様によれば、光学部材から第１物体が離れたときにも、光学部材とキャップ部材との間に液体を満たし続けることができ、その状態で所定の計測を行うことができるので、露光装置の稼動率の低下を抑えることができる。
本発明の第３の態様に従えば、光学部材（ＦＬ）と液体（ＬＱ）とを介して基板（Ｐ）を露光する露光装置であって、第１領域（１０）で移動し、前記光学部材（ＦＬ）との間に前記液体（ＬＱ）が保持され得る第１移動体（４）と、前記第１移動体（４）が前記光学部材（ＦＬ）から離れたときに前記第１移動体（４）から取り外され、前記光学部材（ＦＬ）との間で前記液体（ＬＱ）が保持され得る所定部材（３０）と、前記所定部材（３０）に設けられ、前記所定部材（３０）の近傍の物体（６）の温度及び前記液体（ＬＱ）の温度の少なくとも一方を調整する温度調整装置（１１０）とを備えた露光装置が提供される。
本発明の第３の態様によれば、光学部材から第１物体が離れたときにも、光学部材とキャップ部材との間に液体を満たし続けることができ、その状態で温度調整を行うことができるので、露光装置の稼動率の低下を抑えることができる。
本発明の第４の態様に従えば、光学部材（ＦＬ）と液体（ＬＱ）とを介して基板（Ｐ）を露光する露光装置であって、第１領域（１０、２０、６１）で移動し、前記光学部材（ＦＬ）との間で前記液体（ＬＱ）が保持され得る第１移動体（４）と、第２領域（１０、２０、６２）で移動し、前記光学部材（ＬＱ）との間で前記液体（ＬＱ）が保持され得る第２移動体（５）と、前記第１移動体（４）及び前記第２移動体（５）のそれぞれに対して着脱可能であり、前記第１移動体（４）及び前記第２移動体（５）から取り外された状態で前記光学部材（ＦＬ）との間で前記液体（ＬＱ）が保持され得る所定部材（３０）と、を備えた露光装置が提供される。
本発明の第４の態様によれば、光学部材から第１物体及び第２物体のそれぞれが離れたときにも、光学部材とキャップ部材との間に液体を満たし続けることができるので、露光装置の稼動率の低下を抑えることができる。
本発明の第５の態様に従えば、光学部材（ＦＬ）と液体（ＬＱ）とを介して基板（Ｐ）を露光する露光装置であって、第１領域（１０、２０、６１）で移動し、前記光学部材（ＦＬ）との間に前記液体（ＬＱ）が保持され得る第１移動体（４）と、第２領域（１０、２０、６２）で移動し、前記光学部材（ＦＬ）との間に前記液体（ＬＱ）が保持され得る第２移動体（５）と、補助体（５３）であり、前記補助体（５３）の表面と前記第１移動体（４）の表面との間又は前記補助体（５３）の前記表面と前記第２移動体（５）の表面との間を前記液体（ＬＱ）の液浸領域（ＬＲ）が移動する前記補助体（５３）と、を備えた露光装置（ＥＸ）が提供される。
本発明の第５の態様によれば、衝突防止部材の表面と第１物体の表面及び第２物体の表面のいずれか一方との間で液体の液浸領域を移動することで、光路を液体で満たし続けることができるので、露光装置の稼動率の低下を抑えることができる。
本発明の第６の態様に従えば、上記態様の露光装置（ＥＸ）を用いるデバイス製造方法が提供される。
本発明の第６の態様によれば、稼動率の低下を抑えられた露光装置を用いてデバイスを製造することができる。
本発明の第７の態様に従えば、光学部材（ＦＬ）と液体（ＬＱ）とを介して基板（Ｐ）を露光する露光方法であって、第１移動体（４）に保持された前記基板（Ｐ）を露光する動作であり、前記光学部材（ＦＬ）の対向位置に前記第１移動体（４）を配置すること、及び前記光学部材（ＦＬ）と前記基板（Ｐ）との間に前記液体（ＬＱ）を配置することを有する前記動作と、前記光学部材（ＦＬ）と所定部材（３０）との間に前記液体（ＬＱ）を保持する動作であり、前記第１移動体（４）から前記所定部材（３０）を取り外すこと、前記第１移動体（４）を前記光学部材（ＦＬ）の前記対向位置から離すこと、及び前記光学部材（ＦＬ）と前記所定部材（３０）との間の空間に前記液体（ＬＱ）の供給と回収とを行うことを有する前記動作と、を含む露光方法が提供される。
本発明の第７の態様によれば、光学部材から第１物体が離れたときにも、光学部材とキャップ部材との間に液体を満たし続けることができるので、稼動率の低下を抑えることができる。
本発明の第８の態様に従えば、光学部材（ＦＬ）と液体（ＬＱ）とを介して基板（Ｐ）を露光する露光方法であって、第１移動体（４）に保持された前記基板（Ｐ）を露光する動作であり、前記光学部材（ＦＬ）の対向位置に前記第１移動体（４）を配置すること、及び前記光学部材（ＦＬ）と前記基板（Ｐ）との間に前記液体（ＬＱ）を配置することを有する前記動作と、前記光学部材（ＦＬ）と所定部材（３０）との間に前記液体（ＬＱ）を保持する動作であり、前記第１移動体（４）から前記所定部材（３０）を取り外すこと、及び前記第１移動体（４）を前記光学部材（ＦＬ）の前記対向位置から離すことを有する前記動作と、前記所定部材（３０）に設けられた計測装置（１００）を用いて所定の計測を行う動作と、を含む露光方法が提供される。
本発明の第８の態様によれば、光学部材から第１物体が離れたときにも、光学部材とキャップ部材との間に液体を満たし続けることができ、その状態で所定の計測を行うことができるので、稼動率の低下を抑えることができる。
本発明の第９の態様に従えば、光学部材（ＦＬ）と液体（ＬＱ）とを介して基板（Ｐ）を露光する露光方法であって、第１移動体（４）に保持された前記基板（Ｐ）を露光する動作であり、前記光学部材（ＦＬ）の対向位置に前記第１移動体（４）を配置すること、及び前記光学部材（ＦＬ）と前記基板（Ｐ）との間に前記液体（ＬＱ）を配置することを有する前記動作と、前記光学部材（ＦＬ）と所定部材（３０）との間に前記液体（ＬＱ）を保持する動作であり、前記第１移動体（４）から前記所定部材（３０）を取り外すこと、及び前記第１移動体（４）を前記光学部材（ＦＬ）の前記対向位置から離すことを有する前記動作と、前記所定部材（３０）に設けられた温度調整装置（１１０）を用いて、前記所定部材（３０）の近傍の物体（６）の温度及び前記液体（ＬＱ）の温度の少なくとも一方を調整する動作と、を含む露光方法が提供される。
本発明の第９の態様によれば、光学部材から第１物体が離れたときにも、光学部材とキャップ部材との間に液体を満たし続けることができ、その状態で温度調整を行うことができるので、稼動率の低下を抑えることができる。
本発明の第１０の態様に従えば、光学部材（ＦＬ）と液体（ＬＱ）とを介して基板（Ｐ）を露光する露光方法であって、第１移動体（４）に保持された前記基板（Ｐ）を露光する動作であり、前記光学部材（ＦＬ）の対向位置に前記第１移動体（４）を配置すること、及び前記光学部材（ＦＬ）と前記基板（Ｐ）との間に前記液体（ＬＱ）を配置することを有する前記動作と、前記光学部材（ＦＬ）と所定部材（３０）との間に前記液体（ＬＱ）を保持する動作であり、前記第１移動体（４）から前記所定部材（３０）を取り外すこと、及び前記第１移動体（４）を前記光学部材（ＦＬ）の前記対向位置から離すことを有する前記動作と、第２移動体（５）に前記所定部材（３０）を取り付ける動作であり、前記第１移動体（４）を前記光学部材（ＦＬ）から離した後に前記第２移動体（５）を前記光学部材（ＦＬ）の前記対向位置に配置することを有する前記動作と、を含む露光方法が提供される。
本発明の第１０の態様によれば、光学部材から第１物体及び第２物体のそれぞれが離れたときにも、光学部材とキャップ部材との間に液体を満たし続けることができるので、稼動率の低下を抑えることができる。
本発明の第１１の態様に従えば、光学部材（ＦＬ）と液体（ＬＱ）とを介して基板（Ｐ）を露光する露光方法であって、第１移動体（４）に保持された前記基板（Ｐ）を露光する動作であり、前記光学部材（ＦＬ）の対向位置に前記第１移動体（４）を配置すること、及び前記光学部材（ＦＬ）と前記基板（Ｐ）との間に前記液体（ＬＱ）の液浸領域（ＬＲ）を形成することを有する前記動作と、前記基板（Ｐ）の表面から第３移動体（５３）の表面に前記液浸領域（ＬＲ）を移動させる動作であり、前記第１移動体（４）と前記第３移動体（５３）とを互いに接近又は接触させた状態で一緒に移動させることを有する前記動作と、前記第３移動体（５３）の表面から第２移動体（５）の表面に前記液浸領域（ＬＲ）を移動させる動作であり、前記第３移動体（５３）と前記第２移動体（５）とを互いに接近又は接触させた状態で一緒に移動させることを有する前記動作と、前記第２移動体（５）の前記表面に移動した前記液体（ＬＱ）を介して前記第２移動体（５）に保持された前記基板（Ｐ）を露光する動作と、を含む露光装置が提供される。
本発明の第１１の態様によれば、第３物体の表面と第１物体の表面及び第２物体の表面のいずれか一方との間で液体の液浸領域を移動することで、光路を液体で満たし続けることができるので、稼動率の低下を抑えることができる。
本発明の第１２の態様に従えば、上記態様の露光方法を用いるデバイス製造方法が提供される。
本発明の第１２の態様によれば、稼動率の低下を抑えられた露光方法を用いてデバイスを製造することができる。
本発明の第１３の態様に従えば、光学部材（ＦＬ）と液体（ＬＱ）とを介して基板（Ｐ）を露光する露光装置であって、前記光学部材（ＦＬ）と対向する第１領域（ＳＰ１）、前記第１領域（ＳＰ１）から離れた第２領域（ＳＰ２）、及び前記第１領域（ＳＰ１）と前記第２領域（ＳＰ２）との間の第３領域（ＳＰ３）を含む所定領域内で移動する第１移動体（４）と、前記所定領域内で前記第１移動体（４）から独立して移動する第２移動体（５）と、前記第１移動体（４）及び前記第２移動体（５）のいずれもが前記第１領域（ＳＰ１）から離れているときに、前記光学部材（ＦＬ）と対向するように所定部材（３０）をリリース可能に保持する第１保持装置（２１２）と、前記第１移動体（４）に設けられ、前記第１移動体（４）に保持された基板（Ｐ）の露光中に、前記所定部材（３０）をリリース可能に保持する第２保持装置（４Ｃ）と、前記第２移動体（５）に設けられ、前記第２移動体（５）に保持された基板（Ｐ）の露光中に、前記所定部材（３０）をリリース可能に保持する第３保持装置（５Ｃ）と、を備え、前記第１保持装置（２１２）から前記第２保持装置（４Ｃ）への前記所定部材（３０）の保持のシフトにおいて前記第３領域（ＳＰ３）から前記第１領域（ＳＰ１）への前記第１移動体（４）の移動距離が短くなるように、前記第２保持装置（４Ｃ）が前記第１移動体（４）に設けられ、前記第１保持装置（２１２）から前記第３保持装置（５Ｃ）への前記所定部材（３０）の保持のシフトにおいて前記第３領域（ＳＰ３）から前記第１領域（ＳＰ１）への前記第２移動体（５）の移動距離が短くなるように、前記第３保持装置（５Ｃ）が前記第２移動体（５）に設けられる露光装置（ＥＸ）が提供される。
本発明の第１３の態様によれば、基板を効率良く露光することができる。
本発明の第１４の態様に従えば、光学部材（ＦＬ）と液体（ＬＱ）とを介して基板（Ｐ）を露光する露光装置であって、前記光学部材（ＦＬ）と対向する第１領域（ＳＰ１）、前記第１領域（ＳＰ１）から離れた第２領域（ＳＰ２）、及び前記第１領域（ＳＰ１）と前記第２領域（ＳＰ２）との間の第３領域（ＳＰ３）を含む所定領域内で移動する第１移動体（４）と、前記所定領域内で前記第１移動体（４）から独立して移動する第２移動体（５）と、前記第１移動体（４）及び前記第２移動体（５）のいずれもが前記第１領域（ＳＰ１）から離れているときに、前記光学部材（ＦＬ）と対向するように所定部材（３０）をリリース可能に保持する第１保持装置（２１２）と、前記第１移動体（４）に設けられ、前記第１移動体（４）に保持された基板（Ｐ）の露光中に、前記所定部材（３０）をリリース可能に保持する第２保持装置（４Ｃ）と、前記第２移動体（５）に設けられ、前記第２移動体（５）に保持された基板（Ｐ）の露光中に、前記所定部材（３０）をリリース可能に保持する第３保持装置（５Ｃ）と、を備え、前記第１移動体（４）と前記第２移動体（５）とがほぼ同じ経路で、前記第２領域（ＳＰ１）から前記第１領域（ＳＰ２）へ移動し、前記第１移動体（４）における前記第２保持装置（４Ｃ）の位置は、前記第２移動体（５）における前記第３保持装置（５Ｃ）の位置とほぼ同じである露光装置（ＥＸ）が提供される。
本発明の第１４の態様によれば、基板を効率良く露光することができる。
本発明の第１５の態様に従えば、光学部材（ＦＬ）と液体（ＬＱ）とを介して基板（Ｐ）を露光する露光装置において、前記光学部材（ＦＬ）と対向する第１領域（ＳＰ１）、前記第１領域（ＳＰ１）から離れた第２領域（ＳＰ２）、及び前記第１領域（ＳＰ１）と前記第２領域（ＳＰ２）との間の第３領域（ＳＰ３）を含む所定領域内で移動可能な第１移動体（４）と、前記所定領域内で、前記第１移動体（４）から独立して移動する第２移動体（５）と、前記第１移動体（４）及び前記第２移動体（５）のいずれもが前記第１領域（ＳＰ１）から離れているときに、前記光学部材（ＦＬ）と対向するように所定部材（３０）をリリース可能に保持する第１保持装置（２１２）と、前記第１移動体（４）に設けられ、前記第１移動体（４）に保持された基板（Ｐ）の露光中に、前記所定部材（３０）をリリース可能に保持する第２保持装置（４Ｃ）と、前記第２移動体（５）に設けられ、前記第２移動体（５）に保持された基板（Ｐ）の露光中に、前記所定部材（３０）をリリース可能に保持する第３保持装置（５Ｃ）と、を備え、前記第１移動体（４）と前記第２移動体（５）とが異なる経路で、前記第２領域（ＳＰ２）から前記第１領域（ＳＰ１）へ移動し、前記第１移動体（４）における前記第２保持装置（４Ｃ）の位置は、前記第２移動体（５）における前記第３保持装置（５Ｃ）の位置とは異なる露光装置（ＥＸ）が提供される。
本発明の第１５の態様によれば、基板を効率良く露光することができる。
本発明の第１６の態様に従えば、光学部材（ＦＬ）と液体（ＬＱ）とを介して基板（Ｐ）を露光する露光装置において、前記光学部材（ＦＬ）と対向する第１領域（ＳＰ１）、前記第１領域（ＳＰ１）から離れた第２領域（ＳＰ２）、及び前記第１領域（ＳＰ１）と前記第２領域（ＳＰ２）との間の第３領域（ＳＰ３）を含む所定領域内で移動する第１移動体（４）と、前記所定領域内で、前記第１移動体（４）から独立して移動する第２移動体（５）と、前記第１移動体（４）及び前記第２移動体（５）のいずれもが前記第１領域（ＳＰ１）から離れているときに、前記光学部材（ＦＬ）と対向するように所定部材（３０）をリリース可能に保持する第１保持装置（２１２）と、前記第１移動体（４）に設けられ、前記第１移動体（４）に保持された基板（Ｐ）の露光中に、前記所定部材（３０）をリリース可能に保持する第２保持装置（４Ｃ）と、前記第２移動体（５）に設けられ、前記第２移動体（５）に保持された基板（Ｐ）の露光中に、前記所定部材（３０）をリリース可能に保持する第３保持装置（５Ｃ）とを備え、前記第１及び第２移動体（４、５）のそれぞれは、前記光学部材（ＦＬ）と対向可能な計測領域（２７４、２７５）を有し、前記第１保持装置（２１２）に保持されていた前記所定部材（３０）を前記第１移動体（４）の前記第２保持装置（４Ｃ）で保持した後に、前記所定部材（３０）上の液浸領域（ＬＲ）を前記計測領域（２７４）上へ移動するときに、前記液浸領域（ＬＲ）の液体（ＬＱ）が前記第１移動体（４）に保持された基板（Ｐ）と接触しないように、前記液浸領域（ＬＲ）と前記第１移動体（４）とを相対的に移動し、前記第１保持装置（２１２）に保持されていた前記所定部材（３０）を前記第２移動体（５）の前記第３保持装置（５Ｃ）で保持した後に、前記所定部材（３０）上の液浸領域（ＬＲ）を前記計測領域（２７５）上へ移動するときに、前記液浸領域（ＬＲ）の液体（ＬＱ）が前記第２移動体（５）に保持された基板（Ｐ）と接触しないように、前記液浸領域（ＬＲ）と前記第２移動体（５）とを相対的に移動する露光装置（ＥＸ）が提供される。
本発明の第１６の態様によれば、基板を効率良く露光することができる。
本発明の第１７の態様に従えば、光学部材（ＦＬ）と液体（ＬＱ）とを介して基板（Ｐ）を露光する露光装置において、前記光学部材（ＦＬ）と対向する第１領域（ＳＰ１）、前記第１領域（ＳＰ１）から離れた第２領域（ＳＰ２）、及び前記第１領域（ＳＰ１）と前記第２領域（ＳＰ２）との間の第３領域（ＳＰ３）を含む所定領域内で移動可能な第１移動体（４）と、前記所定領域内で、前記第１移動体（４）から独立して移動する第２移動体（５）と、前記第１移動体（４）及び前記第２移動体（５）のいずれもが前記第１領域（ＳＰ１）から離れているときに、前記光学部材（ＦＬ）と対向するように所定部材（３０）をリリース可能に保持する第１保持装置（２１２）と、前記第１移動体（４）に設けられ、前記第１移動体（４）に保持された基板（Ｐ）の露光中に、前記所定部材（３０）をリリース可能に保持する第２保持装置（４Ｃ）と、前記第２移動体（５）に設けられ、前記第２移動体（５）に保持された基板（Ｐ）の露光中に、前記所定部材（３０）をリリース可能に保持する第３保持装置（５Ｃ）とを備え、前記第１移動体（４）に保持された基板（Ｐ）上の複数のショット領域を順次露光するときに、前記複数のショット領域のうち前記第２保持装置（４Ｃ）に近いショット領域（Ｓｅ）で露光を終了し、前記第２移動体（５）に保持された基板（Ｐ）上の複数のショット領域を順次露光するときに、前記複数のショット領域のうち前記第３保持装置（５Ｃ）に近いショット領域（Ｓｅ）で露光を終了する露光装置（ＥＸ）が提供される。
本発明の第１７の態様によれば、基板を効率良く露光することができる。
本発明の第１８の態様に従えば、光学部材（ＦＬ）と液体（ＬＱ）とを介して基板（Ｐ）を露光する露光装置において、基板（Ｐ）を保持して二次元方向に移動可能であり、前記二次元方向においてほぼ矩形形状を有する移動体（４、５）と、前記移動体（４、５）が前記光学部材（ＦＬ）から離れているときに、前記光学部材（ＦＬ）と対向するように所定部材（３０）をリリース可能に保持する第１保持装置（２１２）と、前記移動体（４、５）に設けられ、前記移動体（４、５）に保持された基板（Ｐ）の露光中に、所定部材（３０）をリリース可能に保持する第２保持装置（４Ｃ、５Ｃ）と、前記移動体（４、５）の４つの側面のうちの３つの側面に設けられ、前記二次元方向に垂直な方向に関する前記移動体（４、５）の位置情報を計測するための反射面（２Ｋｂ）とを備え、前記移動体（４、５）は、前記光学部材（ＦＬ）と対向可能な４つのコーナー（Ｅ１〜Ｅ４）を有し、前記第２保持装置（４Ｃ、５Ｃ）が、前記移動体（４、５）の４つのコーナー（Ｅ１〜Ｅ４）のうち、隣り合う二つの側面の一方のみに前記反射面（２Ｋｂ）が形成されているコーナーに配置されている露光装置（ＥＸ）が提供される。
本発明の第１８の態様によれば、基板を効率良く露光することができる。
本発明の第１９の態様に従えば、上記態様の露光装置（ＥＸ）を用いるデバイス製造方法が提供される。
本発明の第１９の態様によれば、基板を効率良く露光できる露光装置を用いてデバイスを製造することができ、生産性を向上することができる。
本発明の第２０の態様に従えば、光学部材（ＦＬ）と液体（ＬＱ）とを介して移動体（４、５）に保持された基板（Ｐ）上の複数のショット領域を順次露光する露光方法において、前記移動体（４、５）に保持された基板（Ｐ）の露光を開始する前に、前記光学部材（ＦＬ）と対向するように第１保持装置（２１２）に保持された所定部材（３０）を前記第１保持装置（２１２）からリリースし、前記移動体（４、５）に配置された第２保持装置（４Ｃ、５Ｃ）で保持する第１工程と；前記第２保持装置（４Ｃ、５Ｃ）で前記所定部材（３０）を保持した後に、前記移動体（４、５）に前記光学部材（ＦＬ）と対向可能に配置された計測領域（２７４、２７５）でアライメント情報を取得する第２工程と；前記アライメント情報を取得した後に、前記複数のショット領域のうち前記計測領域（２７４、２７５）に近い最初のショット領域（Ｓｓ）から露光を開始する第３工程と；前記複数のショット領域のうち前記第２保持装置（４Ｃ）に近い最後のショット領域（Ｓｅ）で露光を終了する第４工程と；前記基板（Ｐ）の複数のショット領域の露光が終了した後に、前記光学部材（ＦＬ）と前記第２保持装置（４Ｃ、５Ｃ）とが対向するように前記移動体（４、５）を移動して、前記第２保持装置（４Ｃ、５Ｃ）から前記所定部材（３０）をリリースするとともに、前記光学部材（ＦＬ）と前記所定部材（３０）とが対向するように前記第１保持装置（２１２）で前記所定部材（３０）を保持する第５工程と；を含む露光方法が提供される。
本発明の第２０の態様によれば、基板を効率良く露光することができる。
本発明の第２１の態様に従えば、上記態様の露光方法を用いるデバイス製造方法が提供される。
本発明の第２１の態様によれば、基板を効率良く露光できる露光方法を用いてデバイスを製造することができ、生産性を向上することができる。
本発明の第２２の態様に従えば、光学系と液体とを介して基板を露光する露光装置であって、前記基板を載置する載置テーブルと、前記載置テーブルの上面と前記光学系の下面とが離れるときに、前記光学系の下面に液体を保持する所定部材と、前記所定部材を支持する支持部材とを備え、前記載置テーブルは、前記所定部材を一時的に係留する係留部と、前記光学系からの露光光を液体を介して受光する受光部材とを有し、前記所定部材が前記係留部に係留したのち、前記光学系の下面の液体が、前記載置テーブルに載置される基板に接触しないように、前記載置テーブルと前記光学系とを相対的に移動する制御部を備えたことを特徴とする露光装置が提供される。
本発明の第２３の態様に従えば、光学系と液体とを介して基板を露光する露光方法であって、載置テーブル上に前記基板を載置する載置ステップと、前記載置テーブルの上面と前記光学系の下面とが離れるときに、所定部材にて前記光学系の下面に液体を保持する保持ステップと、前記所定部材を支持部材にて支持するステップとを備え、前記載置テーブルは、前記所定部材を一時的に係留する係留部と、前記光学系からの露光光を液体を介して受光する受光部材とを有し、前記所定部材が前記係留部に係留したのち、前記光学系の下面の液体が、前記載置テーブルに載置される基板に接触しないように、前記載置テーブルと前記光学系とを相対的に移動する制御ステップを備えたことを特徴とする露光方法が提供される。
本発明の第２４の態様に従えば、投影光学系からのエネルギービームを受ける基板を載置して各々独立に２次元移動可能な２つの基板テーブルと、投影光学系の下部と基板との間の局所空間に液体を保持する液体保持機構と、を備え、一方の基板テーブル上の基板に液体を介してエネルギービームを照射した後、他方の基板テーブル上の基板に液体を介して露光光を照射するために、前記２つの基板テーブルの配置を交換する露光装置であって、前記２つの基板テーブルの配置を交換する際に、前記投影光学系の下部に液体が保持されるように、前記投影光学系の下部側に着脱可能に取り付けられる所定部材を備え、前記２つの基板テーブルの各々には前記投影光学系の下部から取り外された前記所定部材を一時的に係留する係留部が形成され、前記所定部材が、前記一方の基板テーブルの係留部に係留された状態、前記投影光学系の下部側に取り付けられた状態、前記他方の基板テーブルの係留部に係留された状態の順番で持ち替えられるように、前記２つの基板テーブルの移動を制御する制御部を備えることを特徴とする露光装置が提供される。
本発明の第２５の態様に従えば、２つの基板テーブルに、投影光学系からのエネルギービームを受ける基板を載置して各々独立に２次元移動するステップと、投影光学系の下部と基板との間の局所空間に液体を保持する液体保持ステップと、一方の基板テーブル上の基板に液体を介してエネルギービームを照射した後、他方の基板テーブル上に基板に液体を介して露光光を照射するために、前記２つの基板テーブル部の配置を交換する交換ステップとを有する露光方法であって、前記２つの基板テーブルの配置を交換する際に、前記投影光学系の下部に液体が保持されるように、前記投影光学系の下部側に着脱可能に所定部材が取り付けられ、前記２つの基板テーブルの各々には、前記投影光学系の下部から取り外された前記所定部材を一時的に係留する係留部が形成され、前記所定部材が、前記一方の基板テーブルの係留部に係留された状態、前記投影光学系の下部側に取り付けられた状態、前記他方の基板テーブルの係留部に係留された状態の順番で持ち替えられるように、前記２つの基板テーブルの移動を制御する制御ステップを備えることを特徴とする露光方法が提供される。
本発明によれば、基板を効率良く露光することができ、デバイスの生産性を向上することができる。
第１実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。 第１基板ステージ及び第２基板ステージを上方から見た平面図である。 液浸システムの要部を示す概略斜視図の一部破断図である。 図３のＹＺ平面と平行な側断面図である。 図３のＸＺ平面と平行な側断面図である。 露光装置の基本的な動作を説明するためのフローチャート図である。 第１実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第１実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第１実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第１実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第１実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第１実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第１実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第１実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第１実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第１実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第１実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第１実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 キャップ部材を保持した状態の動作の一例を説明するための図である。 補助体の一例を説明するための図である。 第１実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第１実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第１実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第１実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第２実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第２実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第３実施形態に係るキャップ部材を説明するための図である。 第４実施形態に係るキャップ部材を説明するための図である。 第５実施形態に係るキャップ部材を説明するための図である。 第６実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第６実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第６実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第６実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第６実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第６実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第６実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第６実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第６実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第６実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第６実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第７実施形態に係る補助体を説明するための図である。 第８実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第８実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第８実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第８実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第８実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第９実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第９実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第９実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第９実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第９実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第９実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第９実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第１０実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。 第１基板ステージ及び第２基板ステージを上方から見た平面図である。 露光装置の要部を示す図である。 露光装置の基本的な動作を説明するためのフローチャート図である。 第１０実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第１０実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第１０実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第１０実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第１０実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第１０実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第１０実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第１０実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第１０実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第１０実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第１０実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第１０実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第１０実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第１０実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第１０実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第１０実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第１０実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第１０実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第１０実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第１０実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第１０実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 シール部材に保持されたキャップ部材とキャップホルダとの位置関係を説明するための模式図である。 液浸領域の移動経路を説明するための模式図である。 第１１実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第１１実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第１１実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第１１実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第１１実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第１１実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 第１１実施形態に係る露光方法を説明するための図である。 シール部材に保持されたキャップ部材とキャップホルダとの位置関係を説明するための模式図である。 第１２実施形態に係る露光装置の要部を示す図である。 第１２実施形態に係る露光装置の要部を示す図である。 第１３実施形態に係る露光装置の要部を示す図である。 第１４実施形態に係る露光装置の要部を示す図である。 第１５実施形態に係る露光装置の要部を示す図である。 マイクロデバイスの製造工程の一例を説明するためのフローチャート図である。
符号の説明
１…液浸システム、２…干渉システム、２Ｋａ…反射面、２Ｋｂ…反射面、４…第１基板ステージ、４Ｃ…第１キャップホルダ、４Ｆ…上面、４Ｆａ…第４領域、４Ｆｂ…第５領域、５…第２基板ステージ、５Ｃ…第２キャップホルダ、５Ｆａ…第６領域、５Ｆｂ…第７領域、６…ノズル部材、７…制御装置、１２…供給口、１６…吸引口（回収口）、２２…回収口（吸着孔、保持機構）、３０…キャップ部材、５０…補助体、５１…第１規制部材、５２…第２規制部材、５３…第３ステージ（補助体）、７０…キャップ保持機構、７１…可動部材、７２…吸着孔、１００…計測装置、１０１…送信装置、１０３…記憶装置、１１０…温度調整装置、２１２…シール部材、２２０…ガスベアリング、２７４…計測領域、２７５…計測領域、Ｅ１…第１コーナー、Ｅ２…第２コーナー、Ｅ３…第３コーナー、Ｅ４…第４コーナー、ＥＸ…露光装置、ＦＬ…最終光学素子（光学部材）、Ｋ…光路、ＬＱ…液体、ＬＲ…液浸領域、Ｐ…基板、ＰＤ…基板ステージ駆動装置、ＳＫ…所定空間、ＳＰ１…第１領域、ＳＰ２…第２領域、ＳＰ３…第３領域、ＳＴ１…露光ステーション、ＳＴ２…計測ステーション
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。
＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は第１実施形態に係る露光装置ＥＸを示す概略構成図である。図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ３と、基板Ｐを保持して移動可能な第１基板ステージ４及び第２基板ステージ５と、各ステージの位置情報を計測するレーザ干渉システム２と、マスクステージ３に保持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターン像を基板Ｐ上に投影する投影光学系ＰＬと、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置７とを備えている。なお、ここでいう基板は半導体ウエハ等の基材上に感光材（フォトレジスト）を塗布したものを含み、マスクは基板上に縮小投影されるデバイスパターンを形成されたレチクルを含む。また、本実施形態においては、マスクとして透過型のマスクを用いるが、反射型のマスクを用いてもよい。
本実施形態では、露光装置ＥＸとしてマスクＭと基板Ｐとを走査方向に同期移動しつつマスクＭに形成されたパターンを基板Ｐに露光する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）を使用する場合を例にして説明する。以下の説明において、水平面内においてマスクＭと基板Ｐとの同期移動方向（走査方向）をＹ軸方向、水平面内においてＹ軸方向と直交する方向をＸ軸方向（非走査方向）、Ｘ軸及びＹ軸方向に垂直で投影光学系ＰＬの光軸ＡＸと一致する方向をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
本実施形態の露光装置ＥＸは、例えば特開平１０−１６３０９９号公報及び特開平１０−２１４７８３号公報（対応米国特許第６，５９０，６３４号）、特表２０００−５０５９５８号公報（対応米国特許第５，９６９，４４１号）、特表２０００−５１１７０４号公報、特開２０００−３２３４０４号公報、特表２００１−５１３２６７号公報、特開２００２−１５８１６８号公報などに開示されているような、基板Ｐを保持して移動可能な複数（２つ）の基板ステージ４、５を備えたツインステージ型の露光装置である。露光装置ＥＸは、基板Ｐに露光光ＥＬを照射する露光ステーションＳＴ１と、所定の計測及び交換を行う計測ステーションＳＴ２とを備えている。第１基板ステージ４及び第２基板ステージ５のそれぞれは、基板Ｐを保持した状態で、露光ステーションＳＴ１と計測ステーションＳＴ２との間で移動可能である。
本実施形態の露光装置ＥＸは、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であって、投影光学系ＰＬの像面近傍の露光光ＥＬの光路空間Ｋを液体ＬＱで満たす液浸システム１を備えている。液浸システム１の動作は制御装置７に制御される。液浸システム１は、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い最終光学素子ＦＬの下面と、投影光学系ＰＬの像面側に配置された基板ステージ４、５上の基板Ｐの表面との間の露光光ＥＬの光路空間Ｋを液体ＬＱで満たすように液浸領域ＬＲを形成する。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。
露光装置ＥＸは、少なくともマスクＭのパターン像を基板Ｐに露光している間、液浸システム１を用いて、露光光ＥＬの光路Ｋを液体ＬＱで満たす。露光装置ＥＸは、投影光学系ＰＬと光路空間Ｋに満たされた液体ＬＱとを介してマスクＭを通過した露光光ＥＬを基板Ｐ上に照射することによって、マスクＭのパターン像を基板Ｐに露光する。また、本実施形態の露光装置ＥＸは、最終光学素子ＦＬと基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路Ｋに満たされた液体ＬＱが、投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲを含む基板Ｐ上の一部の領域に、投影領域ＡＲよりも大きく且つ基板Ｐよりも小さい液体ＬＱの液浸領域ＬＲを局所的に形成する局所液浸方式を採用している。
なお、液浸領域ＬＲは、基板Ｐ上のみならず、投影光学系ＰＬの像面側において、最終光学素子ＦＬと対向する位置（直下の位置）ＥＰに配置された物体上、例えば第１基板ステージ４の上面４Ｆ及び第２基板ステージ５の上面５Ｆの少なくとも一方に形成可能である。
照明系ＩＬは、マスクＭ上の所定の照明領域ＩＡを均一な照度分布の露光光ＥＬで照明するものである。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）などが用いられる。本実施形態においてはＡｒＦエキシマレーザ光が用いられる。
マスクステージ３は、リニアモータ等のアクチュエータを含むマスクステージ駆動装置ＭＤの駆動により、マスクＭを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に移動可能である。マスクステージ３（ひいてはマスクＭ）の位置情報は、レーザ干渉システム２の一部を構成するレーザ干渉計２Ｍによって計測される。レーザ干渉計２Ｍはマスクステージ３上に設けられた移動鏡３Ｋを用いてマスクステージ３の位置情報を計測する。制御装置７は、レーザ干渉計２Ｍの計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置ＭＤを駆動し、マスクステージ３に保持されているマスクＭの位置制御を行う。
投影光学系ＰＬは、マスクＭのパターン像を所定の投影倍率で基板Ｐに投影するものであって、複数の光学素子を有しており、それら光学素子は鏡筒ＰＫで保持されている。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、１／８等の縮小系であり、前述の照明領域と共役な投影領域ＡＲにマスクパターンの縮小像を形成する。なお、投影光学系ＰＬは縮小系、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い最終光学素子ＦＬのみが光路Ｋの液体ＬＱと接触する。
次に、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ４、５について、図１及び図２を参照しながら説明する。図２は第１、第２基板ステージ４、５を上方から見た平面図である。
第１基板ステージ４と第２基板ステージ５とは、共通のベース部材ＢＰ上をそれぞれ独立して移動可能である。第１基板ステージ４及び第２基板ステージ５のそれぞれは、ベース部材ＢＰ上でＸＹ平面内を移動することによって、露光ステーションＳＴ１と計測ステーションＳＴ２との間で移動可能である。露光ステーションＳＴ１には、照明系ＩＬ、マスクステージ３、投影光学系ＰＬ、及び液浸システム１などが設けられており、露光ステーションＳＴ１では、投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介して基板Ｐが露光される。一方、計測ステーションＳＴ２には、基板Ｐの計測を行う計測系が設けられており、計測ステーションＳＴ２では、基板Ｐの計測及び交換が行われる。
第１基板ステージ４は、基板Ｐを保持する基板ホルダ４Ｈを有しており、リニアモータ等のアクチュエータを含む基板ステージ駆動装置ＰＤの駆動により、基板Ｐを保持した状態で、ベース部材ＢＰ上で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に移動可能である。基板ホルダ４Ｈは、第１基板ステージ４上に設けられた凹部４Ｒに配置されており、第１基板ステージ４のうち凹部４Ｒ以外の上面４Ｆは、基板ホルダ４Ｈに保持された基板Ｐの表面とほぼ同じ高さ（面一）になるような平坦面となっている。これは、例えば基板Ｐの露光動作時、液浸領域ＬＲの一部が基板Ｐの表面からはみ出して上面４Ｆに形成されるためである。なお、基板ステージ４の上面４Ｆの一部、例えば基板Ｐを囲む所定領域（液浸領域ＬＲがはみ出す範囲を含む）のみ、基板Ｐの表面とほぼ同じ高さとしてもよい。また、投影光学系ＰＬの像面側の光路空間Ｋを液体ＬＱで満たし続けることができる（即ち、液浸領域ＬＲを良好に保持できる）ならば、基板ホルダ４Ｈに保持された基板Ｐの表面と第１基板ステージ４の上面４Ｆとの間に段差があってもよい。さらに、基板ホルダ４Ｈを基板ステージ４の一部と一体に形成してもよいが、本実施形態では基板ホルダ４Ｈと基板ステージ４とを別々に構成し、例えば真空吸着などによって基板ホルダ４Ｈを凹部４Ｒに固定している。
第２基板ステージ５は、基板Ｐを保持する基板ホルダ５Ｈを有しており、リニアモータ等のアクチュエータを含む基板ステージ駆動装置ＰＤの駆動により、基板Ｐを保持した状態で、ベース部材ＢＰ上で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に移動可能である。基板ホルダ５Ｈは、第２基板ステージ５上に設けられた凹部５Ｒに配置されている。第２基板ステージ５のうち凹部５Ｒ以外の上面５Ｆは、基板ホルダ５Ｈに保持された基板Ｐの表面とほぼ同じ高さ（面一）になるような平坦面となっている。これは、例えば基板Ｐの露光動作時、液浸領域ＬＲの一部が基板Ｐの表面からはみ出して上面５Ｆに形成されるためである。なお、基板ステージ５の上面５Ｆの一部、例えば基板Ｐを囲む所定領域（液浸領域ＬＲがはみ出す範囲を含む）のみ、基板Ｐの表面とほぼ同じ高さとしてもよい。また、投影光学系ＰＬの像面側の光路空間Ｋを液体ＬＱで満たし続けることができる（即ち、液浸領域ＬＲを良好に保持できる）ならば、なお、基板ホルダ５Ｈに保持された基板Ｐの表面と第２基板ステージ５の上面５Ｆとの間に段差があってもよい。
第１基板ステージ４及び第２基板ステージ５の位置情報は、レーザ干渉システム２の一部を構成するレーザ干渉計２Ｐによって計測される。レーザ干渉計２Ｐは、露光ステーションＳＴ１及び計測ステーションＳＴ２のそれぞれに設けられている。露光ステーションＳＴ１に設けられたレーザ干渉計２Ｐは、露光ステーションＳＴ１に存在する第１基板ステージ４（又は第２基板ステージ５）の位置情報を計測する。計測ステーションＳＴ２に設けられたレーザ干渉計２Ｐは、計測ステーションＳＴ２に存在する第２基板ステージ５（又は第１基板ステージ４）の位置情報を計測する。第１基板ステージ４及び第２基板ステージ５のそれぞれの所定位置には移動鏡４Ｋ、５Ｋが設けられている。レーザ干渉計２Ｐは、移動鏡４Ｋ、５Ｋを用いて、第１基板ステージ４及び第２基板ステージ５のそれぞれのＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する位置情報、ひいては第１、第２基板ステージ４、５のそれぞれに保持されている基板Ｐの位置情報を計測する。
なお、レーザ干渉計２システムは基板ステージ４又は基板ステージ５のＺ軸方向の位置、及びθＸ、θＹ方向の回転情報をも計測可能としてよく、その詳細は、例えば特表２００１−５１０５７７号公報（対応国際公開第１９９９／２８７９０号パンフレット）に開示されている。さらに、移動鏡４Ｋ（５Ｋ）を基板ステージ４（基板ステージ５）に固設する代わりに、例えば基板ステージ４（基板ステージ５）の一部（側面など）を鏡面加工して形成される反射面を用いてもよい。
また、露光ステーショＳＴ１及び計測ステーションＳＴ２のそれぞれには、第１、第２基板ステージ４、５に保持されている基板Ｐの表面の面位置情報（Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する位置情報）を検出するフォーカス・レベリング検出系８が設けられている。フォーカス・レベリング検出系８は、基板Ｐの表面に斜め方向より検出光Ｌａを照射する投射系８Ａと、基板Ｐの表面に照射され、その基板Ｐの表面で反射した検出光Ｌａを受光可能な受光系８Ｂとを備えている。露光ステーションＳＴ１に設けられたフォーカス・レベリング検出系８は、露光ステーションＳＴ１に存在する第１基板ステージ４（又は第２基板ステージ５）に保持された基板Ｐの表面の面位置情報を検出する。計測ステーションＳＴ２に設けられたフォーカス・レベリング検出系８は、計測ステーションＳＴ２に存在する第２基板ステージ５（又は第１基板ステージ４）に保持された基板Ｐの表面の面位置情報を検出する。制御装置７は、レーザ干渉計２Ｐの計測結果及びフォーカス・レベリング検出系８の検出結果に基づいて、基板ステージ駆動装置ＰＤを駆動し、第１、第２基板ステージ４、５のそれぞれに保持されている基板Ｐの位置制御を行うことができる。
フォーカス・レベリング検出系はその複数の計測点でそれぞれ基板ＰのＺ軸方向の位置情報を計測することで、基板ＰのθＸ及びθＹ方向の傾斜情報（回転角）を検出する。露光ステーションＳＴ１において、この複数の計測点はその少なくとも一部が液浸領域ＬＲ（又は投影領域ＡＲ）内に設定されてもよいし、あるいはその全てが液浸領域ＬＲの外側に設定されてもよい。また、例えばレーザ干渉システム２が基板ＰのＺ軸、θＸ及びθＹ方向の位置情報を計測可能であるとき（図５３参照）は、基板Ｐの露光動作中にそのＺ軸方向の位置情報が計測可能となるようにフォーカス・レベリング検出系を設けなくてもよく、少なくとも露光動作中はレーザ干渉システム２の計測結果を用いてＺ軸、θＸ及びθＹ方向に関する基板Ｐの位置制御を行うようにしてもよい。
なお、不図示ではあるが、計測ステーションＳＴ２には、計測系として、上述のフォーカス・レベリング検出系８の他に、例えば特開平４−６５６０３号公報等に開示されているような、基板Ｐ上に設けられたアライメントマーク、あるいは基板ステージ上に設けられた基準マークを検出するアライメント系が設けられている。また、図２に示すように、計測ステーションＳＴ２の近傍には、基板Ｐの交換を行うための搬送系９が設けられている。制御装置７は、搬送系９を用いて、計測ステーションＳＴ２の基板交換位置（ローディングポジション）ＲＰに移動した第１基板ステージ４（又は第２基板ステージ５）上より露光処理済みの基板Ｐをアンロード（搬出）するとともに、露光処理されるべき基板Ｐを第１基板ステージ４（又は第２基板ステージ５）にロード（搬入）するといった基板交換作業を行うことができる。
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、最終光学素子ＦＬとの間で液体ＬＱを保持可能なキャップ部材３０を備えている。キャップ部材３０は、後述するノズル部材６の大きさ及び形状に応じて形成されており、本実施形態においては、平面視略円形状の板状部材によって構成されている。また、キャップ部材３０の表面は液体ＬＱに対して撥液性を有している。本実施形態では、キャップ部材３０は、例えばポリ四フッ化エチレンを含むフッ素系樹脂材料等の撥液性を有する材料によって形成されている。なお、キャップ部材３０をステンレス鋼やチタン等の所定の金属で形成し、その表面に撥液性を有する材料を被覆するようにしてもよい。
そして、第１基板ステージ４上には、キャップ部材３０を着脱可能に保持するキャップホルダ４Ｃが設けられている。同様に、第２基板ステージ５上には、キャップ部材３０を着脱可能に保持するキャップホルダ５Ｃが設けられている。すなわち、キャップ部材３０は、第１基板ステージ４及び第２基板ステージ５のそれぞれに対して着脱可能に設けられている。キャップホルダ４Ｃ、５Ｃは、例えば、真空チャック機構を有しており、キャップ部材３０を真空吸着保持する。なお、キャップ部材３０を磁性体（金属）で形成した場合には、キャップホルダ４Ｃ、５Ｃが、キャップ部材３０を磁力で保持する機構を有していてもよい。
本実施形態において、露光装置ＥＸは、キャップ部材３０を１つ備えている。したがって、キャップ部材３０が第１基板ステージ４のキャップホルダ４Ｃに保持されているときには、第２基板ステージ５のキャップホルダ５Ｃにはキャップ部材３０は保持されず、何も無い状態となる。同様に、キャップ部材３０が第２基板ステージ５のキャップホルダ５Ｃに保持されているときには、第１基板ステージ４のキャップホルダ４Ｃにはキャップ部材３０は保持されず、何も無い状態となる。
また、キャップホルダ４Ｃ（５Ｃ）に保持されたキャップ部材３０の表面（上面）と、第１基板ステージ４の上面４Ｆ（第２基板ステージ５の上面５Ｆ）とはほぼ面一となるように設けられている。
次に、図３〜図５を参照しながら液浸システム１について説明する。図３は液浸システム１の要部を示す概略斜視図の一部破断図、図４はＹＺ平面と平行な側断面図、図５はＸＺ平面と平行な側断面図である。
液浸システム１は、露光光ＥＬが通過する投影光学系ＰＬの最終光学素子ＦＬと、露光ステーションＳＴ１において最終光学素子ＦＬと対向する位置ＥＰに配置された第１基板ステージ４又は第２基板ステージ５上の基板Ｐとの間の光路空間Ｋを液体ＬＱで満たす。液浸システム１は、光路空間Ｋの近傍に設けられ、光路空間Ｋに対して液体ＬＱを供給する供給口１２及び液体ＬＱを回収する回収口２２を有するノズル部材６と、供給管１３、及びノズル部材６の供給口１２を介して液体ＬＱを供給する液体供給装置１１と、ノズル部材６の回収口２２、及び回収管２３を介して液体ＬＱを回収する液体回収装置２１とを備えている。ノズル部材６は、投影光学系ＰＬの像面側に配置される少なくとも１つの光学素子（本例では、最終光学素子ＦＬ）を囲むように設けられた環状部材である。また、ノズル部材６の内部には、供給口１２と供給管１３とを接続する供給流路１４、及び回収口２２と回収管２３とを接続する回収流路２４が形成されている。液体供給装置１１及び液体回収装置２１の動作は制御装置７に制御される。液体供給装置１１は清浄で温度調整された液体ＬＱを送出可能であり、真空系等を含む液体回収装置２１は液体ＬＱを回収可能である。
ノズル部材６は、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１と対向する上面１９を有する底板１８を有している。底板１８の一部は、Ｚ軸方向に関して、投影光学系ＰＬの最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１と基板Ｐ（基板ステージ）との間に配置されている。また、底板１８の中央部には、露光光ＥＬが通過する開口１８Ｋが形成されている。開口１８Ｋは、露光光ＥＬが照射される投影領域ＡＲよりも大きく形成されている。これにより、投影光学系ＰＬ（最終光学素子ＦＬ）を通過した露光光ＥＬは、底板１８に遮られることなく、基板Ｐ上に到達できる。本実施形態においては、開口１８Ｋは、露光光ＥＬの断面形状（すなわち投影領域ＡＲ）に応じた平面視略矩形状に形成されている。なお、底板１８の開口１８Ｋの形状は、露光光ＥＬを通過可能であれば、適宜変更可能である。
ノズル部材６のうち、基板ステージに保持された基板Ｐの表面と対向する下面は、ＸＹ平面と平行な平坦面となっている。ノズル部材６の下面とは、底板１８の下面１７を含むものである。基板ステージに保持された基板Ｐの表面はＸＹ平面とほぼ平行であるため、ノズル部材６の下面１７は、基板ステージに保持された基板Ｐの表面と対向するように、且つ基板Ｐの表面と略平行となるように設けられた構成となっている。以下の説明においては、ノズル部材６（底板１８）の下面１７を適宜、ランド面１７と称する。ランド面１７は、ノズル部材６のうち、基板ステージに保持された基板Ｐに最も近い位置に設けられた平坦面であり、投影光学系ＰＬの最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１と基板Ｐの表面との間において、露光光ＥＬの光路空間Ｋ（投影領域ＡＲ）を囲むように設けられている。
ランド面１７には光路空間Ｋに満たされた液体ＬＱが接触するようになっており、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１にも光路空間Ｋに満たされた液体ＬＱが接触するようになっている。すなわち、ノズル部材６のランド面１７及び最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１は、光路空間Ｋに満たされた液体ＬＱと接触する液体接触面となっている。
また、底板１８は、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１及び基板Ｐ（基板ステージ）とは接触しないように設けられている。最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１と底板１８の上面１９との間には所定のギャップを有する空間が設けられている。以下の説明においては、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１と底板１８の上面１９との間の空間を含むノズル部材６の内側の空間を適宜、内部空間ＳＰと称する。
ノズル部材６の内部には、供給口１２に接続する供給流路１４が形成されている。供給流路１４は、ノズル部材６の一部を貫通するスリット状の貫通孔によって形成されている。本実施形態においては、供給流路１４は、光路空間Ｋ（投影領域ＡＲ）に対してＹ軸方向両側のそれぞれに設けられている。供給流路１４の上端部と液体供給装置１１とが供給管１３を介して接続されている。一方、供給流路１４の下端部は、最終光学素子ＦＬと底板１８との間の内部空間ＳＰに接続されており、この供給流路１４の下端部が供給口１２となっている。したがって、供給口１２と液体供給装置１１とは、供給管１３及び供給流路１４を介して接続されている。本実施形態においては、供給口１２は、露光光ＥＬの光路空間Ｋの外側において、光路空間Ｋを挟んだＹ軸方向両側のそれぞれの所定位置に設けられている。供給管１３及び供給流路１４は、複数（２つ）の供給口１２に対応するように複数設けられている。
また、ノズル部材６は、内部空間ＳＰに接続され、内部空間ＳＰの流体を吸引する吸引口１６を備えている。吸引口１６は、内部空間ＳＰの液体ＬＱ及び気体を吸引可能である。本実施形態においては、吸引口１６は、露光光ＥＬの光路空間Ｋの外側において、光路空間Ｋを挟んだＸ軸方向両側のそれぞれの所定位置に設けられている。ノズル部材６の内部には、吸引口１６に接続する吸引流路１５が形成されている。吸引流路１５は、ノズル部材６の一部を貫通するスリット状の貫通孔によって形成されており、その吸引流路１５の下端部が吸引口１６となっている。吸引流路１５は、光路空間Ｋ（投影領域ＡＲ）に対してＸ軸方向両側のそれぞれに設けられている。また、吸引流路１５の上端部と真空系を含む吸引装置３１とが吸引管３３を介して接続されている。吸引管３３及び吸引流路１５は、複数（２つ）の吸引口１６に対応するように複数設けられている。吸引口１６は吸引流路１５及び吸引管３３を介して吸引装置３１に接続されている。内部空間ＳＰの流体は、吸引口１６を介して外部に排出可能となっている。
図５に示すように、吸引管３３の所定位置にはバルブ機構３３Ｂが設けられている。バルブ機構３３Ｂの動作は制御装置７に制御される。制御装置７は、バルブ機構３３Ｂを制御することにより、例えば、吸引装置３１と吸引口１６とを接続することができる。また、制御装置７は、バルブ機構３３Ｂを制御することにより、吸引口１６と外部空間（大気空間）ＳＧとを接続することができる。すなわち、制御装置７は、バルブ機構３３Ｂを制御することにより、吸引口１６、吸引流路１５、及び吸引管３３の一部を介して、内部空間ＳＰの気体を外部空間（大気空間）ＳＧに排出（排気）可能となっている。
ノズル部材６の内部には、回収口２２に接続する回収流路２４が形成されている。ノズル部材６には、下向きに開口する空間が形成されており、回収流路２４はその空間によって構成されている。回収口２２は、下向きに開口する空間の開口によって構成されている。回収流路２４は、光路空間Ｋに対して供給流路１４及び吸引流路１５の外側に設けられている。
回収口２２は、基板ステージに保持された基板Ｐの上方において、その基板Ｐの表面と対向する位置に設けられている。基板ステージに保持された基板Ｐの表面とノズル部材６に設けられた回収口２２とは所定距離だけ離れている。回収口２２は、投影光学系ＰＬの像面側の光路空間Ｋに対して供給口１２及び吸引口１６の外側に設けられており、光路空間Ｋ（投影領域ＡＲ）、ランド面１７、供給口１２、及び吸引口１６を囲むように環状に形成されている。本実施形態においては、回収口２２は平面視円環状に形成されている。回収流路２４と液体回収装置２１とが回収管２３を介して接続されている。したがって、回収口２２と液体回収装置２１とは、回収管２３及び回収流路２４を介して接続されている。
ノズル部材６は、回収口２２を覆うように配置され、複数の孔を有する多孔部材２５を備えている。多孔部材２５は、例えばチタン製またはステンレス製（例えばＳＵＳ３１６）製のメッシュ部材、あるいはセラミックス製の多孔体によって構成可能である。多孔部材２５は、基板ステージに保持された基板Ｐと対向する下面２６を有している。多孔部材２５の基板Ｐと対向する下面２６はほぼ平坦である。多孔部材２５は、その下面２６が基板ステージに保持された基板Ｐの表面（すなわちＸＹ平面）とほぼ平行になるように回収口２２に設けられている。液体ＬＱは、回収口２２に配置された多孔部材２５を介して回収される。また、回収口２２は、光路空間Ｋを囲むように環状に形成されているため、その回収口２２に配置される多孔部材２５は、回収口２２に対応するように、光路空間Ｋを囲むように環状に形成されている。また、多孔部材２５は、その下面２６とランド面１７とがＺ軸方向においてほぼ同じ位置（高さ）になるように、且つ下面２６とランド面１７とが連続するように、回収口２２に設けられている。すなわち、ランド面１７と多孔部材２５の下面２６とはほぼ面一に設けられている。
また、本実施形態においては、液浸システム１は、多孔部材２５の各孔の径、多孔部材２５と液体ＬＱとの接触角、及び液体ＬＱの表面張力などに応じて、回収流路２４の圧力と外部空間（大気空間）ＳＧの圧力との差を最適化することによって、回収口２２を介して液体ＬＱのみを回収するように設けられている。具体的には、液浸システム１は、液体回収装置２１による回収流路２４に対する吸引力を制御して、回収流路２４の圧力を最適化することによって、液体ＬＱのみを回収する。
なお、ノズル部材６の供給口、回収口、吸引口の数、位置、形状等は、図３〜図５で示したものに限られず、液浸領域ＬＲを良好に形成できるものであればよい。例えば、供給口１２を光路空間Ｋに対してＸ軸方向の両側に設け、吸引口１６をＹ軸方向の両側に設けてもよい。
露光光ＥＬの光路空間Ｋを液体ＬＱで満たすときには、投影光学系ＰＬの最終光学素子ＦＬと対向する位置ＥＰに、第１基板ステージ４及び第２基板ステージ５のいずれか一方を配置する。上述のように、第１、第２基板ステージ４、５のそれぞれは、露光ステーションＳＴ１と計測ステーションＳＴ２との間で移動可能である。第１、第２基板ステージ４、５のそれぞれは、基板Ｐを保持した状態で、露光ステーションＳＴ１に設けられた投影光学系ＰＬの最終光学素子ＦＬと対向する位置ＥＰを含むベース部材ＢＰ上の所定の領域内で移動可能に設けられており、最終光学素子ＦＬと対向しているときに、最終光学素子ＦＬ（ノズル部材６）との間で、液体ＬＱを保持可能となっている。
制御装置７は、投影光学系ＰＬの最終光学素子ＦＬと対向する位置ＥＰに、第１基板ステージ４及び第２基板ステージ５のいずれか一方を配置した状態で、液体供給装置１１及び液体回収装置２１のそれぞれを駆動する。液体供給装置１１から送出された液体ＬＱは、供給管１３を流れた後、ノズル部材６の供給流路１４を介して、供給口１２より内部空間ＳＰに供給される。供給口１２から内部空間ＳＰに供給された液体ＬＱは、内部空間ＳＰを満たした後、開口１８Ｋを介してランド面１７と基板Ｐ（基板ステージ）との間の空間に流入し、露光光ＥＬの光路空間Ｋを満たす。このように、液浸システム１は、供給口１２から最終光学素子ＦＬと底板１８との間の内部空間ＳＰに液体ＬＱを供給することによって、最終光学素子ＦＬ（投影光学系ＰＬ）と基板Ｐ（基板ステージ）との間の露光光ＥＬの光路空間Ｋを液体ＬＱで満たす。供給口１２より内部空間ＳＰに液体ＬＱを供給するとき、制御装置７は、吸引口１６と外部空間ＳＧとが接続されるように、バルブ機構３３Ｂを制御する。すなわち、供給口１２より内部空間ＳＰに液体ＬＱを供給するときにおいては、内部空間ＳＰが大気開放される。この状態で、内部空間ＳＰに液体ＬＱが供給されることにより、内部空間ＳＰに存在していた気体部分は吸引口１６及び／又は開口１８Ｋを介して外部空間ＳＧに排出される。したがって、内部空間ＳＰに対する液体ＬＱの供給開始時に、内部空間ＳＰに気体が留まってしまうといった不都合を防止することができ、光路空間Ｋの液体ＬＱ中に気体部分（気泡）が生成される不都合を防止することができる。
なお、供給口１２より内部空間ＳＰに液体ＬＱを供給するとき、制御装置７は、吸引口１６と吸引装置３１とが接続されるように、バルブ機構３３Ｂを制御するようにしてもよい。そして、吸引装置３１を駆動し、内部空間ＳＰの気体を吸引口１６を介して強制的に排気しつつ、供給口１２より内部空間ＳＰに液体ＬＱを供給するようにしてもよい。
ノズル部材６（回収口２２）と基板Ｐとの間に存在する液体ＬＱは、回収口２２を介して液体回収装置２１に回収される。液体回収装置２１は、単位時間当たり所定量の液体ＬＱを回収する。真空系を含む液体回収装置２１は、回収流路２４を負圧にすることにより、回収口２２（多孔部材２５）と基板Ｐとの間に存在する液体ＬＱを、回収口２２を介して回収することができる。露光光ＥＬの光路空間Ｋに満たされている液体ＬＱは、ノズル部材６の回収口２２を介して回収流路２４に流入し、回収管２３を流れた後、液体回収装置２１に回収される。制御装置７は、液浸システム１を制御して、液体供給装置１１による液体供給動作と液体回収装置２１による液体回収動作とを並行して行うことで、光路空間Ｋを液体ＬＱで満たし、基板Ｐ上の一部の領域に液体ＬＱの液浸領域ＬＲを局所的に形成する。
次に、露光装置ＥＸの基本的な動作について図６のフローチャート図を参照しながら説明する。本実施形態においては、制御装置７は、露光光ＥＬの光路空間Ｋを液体ＬＱで満たした状態で、第１基板ステージ４及び第２基板ステージ５のうち、露光ステーションＳＴ１に存在する一方のステージ４（又は５）の移動を制御しつつ、そのステージ４（又は５）に保持された基板Ｐを、投影光学系ＰＬと液体ＬＱとを介して露光する。一方、計測ステーションＳＴ２において、他方のステージ５（又は４）に保持された基板Ｐに対して液体ＬＱを介することなく所定の計測が行われる。
制御装置７は、計測ステーションＳＴ２において、基板Ｐの交換及び計測処理を開始する。例えば、計測ステーションＳＴ２の基板交換位置ＲＰに第２基板ステージ５が配置され、搬送系９を用いて、その第２基板ステージ５に露光処理されるべき基板Ｐがロードされる。制御装置７は、計測ステーションＳＴ２において、基板Ｐを保持した第２基板ステージ５に関する計測処理を開始する。一方、露光ステーションＳＴ１には、計測ステーションＳＴ２で計測処理済みの基板Ｐを保持した第１基板ステージ４が配置されている。
本実施形態において、計測ステーションＳＴ２における基板Ｐの計測は、フォーカス・レベリング検出系８による基板Ｐ表面の面位置情報の検出を含む。計測ステーションＳＴ２においては、基板Ｐ上には液体ＬＱは供給されない。フォーカス・レベリング検出系８は、液体ＬＱを介さずに、第２基板ステージ５に保持されている基板Ｐの表面の面位置情報を検出する（ステップＳＡ１）。本実施形態では、制御装置７は、第２基板ステージ５の移動を制御し、基板Ｐを保持した第２基板ステージ５をＸＹ平面内で移動しつつ、基板Ｐの表面の複数の検出点のＺ軸方向に関する位置を、フォーカス・レベリング検出系８を用いて、液体ＬＱを介さずに検出する。例えば制御装置７は、レーザ干渉計２Ｐの出力をモニタしつつ第２基板ステージ５を移動し、基板Ｐ表面の面内（ＸＹ平面内）における複数点でのＺ軸方向に関する位置情報をフォーカス・レベリング検出系８を用いて液体ＬＱを介さずに検出する。具体的には、フォーカス・レベリング検出系８の投射系８Ａから射出された検出光Ｌａが、基板Ｐ表面の複数の位置に照射されるように、第２基板ステージ５をＸＹ方向に移動させつつ、第２基板ステージ５のＺ軸、θＸ、及びθＹ方向の位置（姿勢）を調整して、所定の基準位置（基準面）に対する基板Ｐ表面の複数点のＺ軸方向に関する位置情報を検出する。フォーカス・レベリング検出系８の検出結果は基板Ｐ（第２基板ステージ５）のＸＹ平面内での位置に対応させて制御装置７に記憶される。
次に、制御装置７は、ステップＳＡ１で検出した基板Ｐの表面の複数の検出点の位置情報に基づいてマップデータを作成し、そのマップデータに基づいて基板Ｐの表面の近似平面（近似表面）を求める（ステップＳＡ２）。これにより、所定の基準位置（基準面）を基準とした基板Ｐ表面の近似平面が求められる。制御装置７は、計測ステーションＳＴ２において求めた基板Ｐの表面の近似平面を記憶する。
露光ステーションＳＴ１及び計測ステーションＳＴ２でのそれぞれの処理が終了すると、制御装置７は、第１基板ステージ４を計測ステーションＳＴ２に移動するとともに、第２基板ステージ５を露光ステーションＳＴ１に移動する。露光処理済みの基板Ｐを保持した第１基板ステージ４を計測ステーションＳＴ２に移動した後、搬送系９は、第１基板ステージ４上の基板Ｐをアンロードする。露光処理されるべき基板Ｐが計測ステーションＳＴ２の第１基板ステージ４にロードされ、上述の計測処理が行われる。
一方、計測ステーションＳＴ２において計測処理された基板Ｐを保持した第２基板ステージ５を露光ステーションＳＴ１に移動した後、露光ステーションＳＴ１に設けられたフォーカス・レベリング検出系８は、第２基板ステージ５上の基板Ｐ表面の１つの検出点、あるいは計測ステーションＳＴ２で検出した検出点よりも少ない数の検出点のＺ軸方向に関する位置情報を液体ＬＱを介さずに検出する（ステップＳＡ３）。基板Ｐ表面の近似平面はステップＳＡ２において求められている。そのため、露光ステーションＳＴ１において基板Ｐ表面の１つ（あるいは複数）の検出点におけるＺ軸方向の位置情報及びＸＹ平面内での位置情報を検出することにより、その検出結果に基づいて、露光ステーションＳＴ１における所定の基準位置（基準面）を基準とした基板Ｐ表面の近似平面を導出することができる。
また、制御装置７には、所定の基準位置（基準面）に対する投影光学系ＰＬの液体ＬＱを介した像面の位置情報が予め記憶されている。したがって、制御装置７は、所定の基準位置（基準面）を基準とした、投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介して形成される像面と基板Ｐ表面（近似表面）との位置関係を求めることができる（ステップＳＡ４）。
以上のような計測処理が終了すると、制御装置７は、第２基板ステージ５の移動を制御し、投影光学系ＰＬの最終光学素子ＦＬと対向する位置に基板Ｐを配置する。制御装置７は、計測ステーションＳＴ２のフォーカス・レベリング検出系８の検出結果に基づいて導出した基板Ｐの表面の面位置情報に基づいて、露光ステーションＳＴ１において、投影光学系ＰＬの液体ＬＱを介した像面に対して基板Ｐの表面を位置調整しつつ、光路空間Ｋに対して基板ＰをＹ軸方向に移動しながら、投影光学系ＰＬと液体ＬＱとを介して基板Ｐを露光する（ステップＳＡ５）。
第２基板ステージ５上の基板Ｐに対する液浸露光処理が終了した後、制御装置７は、露光ステーションＳＴ１の第２基板ステージ５を計測ステーションＳＴ２に移動する。これと並行して、露光ステーションＳＴ１で計測処理を終えた基板Ｐを保持した第１基板ステージ４が露光ステーションＳＴ１に移動する。搬送系９は、計測ステーションＳＴ２に移動した第２基板ステージ５に保持されている露光処理済みの基板Ｐをアンロードする。
次に、基板ステージ駆動装置ＰＤの一例について図７を参照しながら説明する。図７は第１、第２基板ステージ４、５及び基板ステージ駆動装置ＰＤを上方から見た図である。図７において、基板ステージ駆動装置ＰＤは、リニアモータ８０、８１、８２、８３、８４、８５を備えている。基板ステージ駆動装置ＰＤは、Ｙ軸方向に延びる一対のＹ軸リニアガイド９１、９３を備えている。Ｙ軸リニアガイド９１、９３のそれぞれは、Ｘ軸方向に所定間隔を隔てて配置されている。Ｙ軸リニアガイド９１、９３のそれぞれは、例えばＹ軸方向に沿って所定間隔で且つ交互に配置されたＮ極磁石及びＳ極磁石の複数の組からなる永久磁石群を内蔵する磁石ユニットによって構成されている。一方のＹ軸リニアガイド９１上には、２つのスライダ９０、９４が、非接触状態でＹ軸方向に移動可能に支持されている。同様に、他方のＹ軸リニアガイド９３上には、２つのスライダ９２、９５が、非接触状態でＹ軸方向に移動可能に支持されている。スライダ９０、９２、９４、９５のそれぞれは、例えばＹ軸に沿って所定間隔で配置された電機子コイルをそれぞれ内蔵するコイルユニットによって構成されている。すなわち、本実施形態では、コイルユニットからなるスライダ９０、９４と磁石ユニットからなるＹ軸リニアガイド９１とによって、ムービングコイル型のＹ軸リニアモータ８２、８４のそれぞれが構成されている。同様に、スライダ９２、９５とＹ軸リニアガイド９３とによって、ムービングコイル型のＹ軸リニアモータ８３、８５のそれぞれが構成されている。
Ｙ軸リニアモータ８２、８３を構成するスライダ９０、９２は、Ｘ軸方向に延びるＸ軸リニアガイド８７の長手方向の一端部及び他端部のそれぞれに固定されている。また、Ｙ軸リニアモータ８４、８５を構成するスライダ９４、９５は、Ｘ軸方向に延びるＸ軸リニアガイド８９の長手方向の一端部及び他端部のそれぞれに固定されている。したがって、Ｘ軸リニアガイド８７は、Ｙ軸リニアモータ８２、８３によってＹ軸方向に移動可能である。Ｘ軸リニアガイド８９は、Ｙ軸リニアモータ８４、８５によってＹ軸方向に移動可能である。
Ｘ軸リニアガイド８７、８９のそれぞれは、例えばＸ軸方向に沿って所定間隔で配置された電機子コイルを内蔵するコイルユニットによって構成されている。一方のＸ軸リニアガイド８７上には、スライダ８６が非接触状態でＸ軸方向に移動可能に支持されている。同様に、他方のＸ軸リニアガイド８９上には、スライダ８８が非接触状態でＸ軸方向に移動可能に支持されている。スライダ８６、８８は、例えばＸ軸方向に沿って所定間隔で且つ交互に配置されたＮ極磁石及びＳ極磁石の複数の組からなる永久磁石群を有する磁石ユニットによって構成されている。
また、図７において、第１、第２基板ステージ４、５のそれぞれは、例えば特開２００１−２２３１５９号公報に開示されているような、解放可能な継手４１、４２を介して、スライダ８６、８８に接続されている。継手４１、４２は、第１、第２基板ステージ４、５のそれぞれの側面に結合可能となっている。すなわち、スライダ８６に接続されている継手４１は、第１基板ステージ４の−Ｙ側の側面及び第２基板ステージ５の−Ｙ側の側面に結合可能である。スライダ８８に接続されている継手４２は、第２基板ステージ５の＋Ｙ側の側面及び第１基板ステージ４の＋Ｙ側の側面に結合可能である。スライダ８６とＸ軸リニアガイド８７とによって、スライダ８６に継手４１を介して接続された第１基板ステージ４（第２基板ステージ５）をＸ軸方向に駆動するムービングマグネット型のＸ軸リニアモータ８０が構成される。スライダ８８とＸ軸リニアガイド８９とによって、スライダ８８に継手４２を介して接続された第２基板ステージ５（第１基板ステージ４）をＸ軸方向に駆動するムービングマグネット型のＸ軸リニアモータ８１が構成されている。
そして、一対のＹ軸リニアモータ８２、８３（又は８４、８５）のそれぞれが発生する推力を僅かに異ならせることで、基板ステージのθＺ方向の制御が可能である。また、図では、基板ステージは単一のステージとして示されている。実際には、Ｙ軸リニアモータによってそれぞれ駆動されるＸＹステージと、そのＸＹステージの上部にＺレベリング駆動機構（例えばボイスコイルモータなど）を介して搭載され、ＸＹステージに対してＺ軸方向及びθＸ、θＹ方向に相対的に微小駆動されるＺチルトステージとを備えている。基板Ｐを保持する基板ホルダは、Ｚチルトステージに支持される。
また、ベース部材ＢＰ上には、第１基板ステージ４と第２基板ステージ５との衝突を防止する補助体５０が設けられている。補助体５０は、ベース部材ＢＰ上をＸＹ方向に移動する第１基板ステージ４と第２基板ステージ５との衝突を防止するためのものであって、露光ステーションＳＴ１を構成する第１作業領域１０と、計測ステーションＳＴ２を構成する第２作業領域２０との間に設けられている。
補助体５０は所定の大きさを有している。その補助体５０とＹリニアガイド９３を含む−Ｘ側の側壁４３との間には第１通路６１が形成される。補助体５０とＹリニアガイド９１を含む＋Ｘ側の側壁４４との間には第２通路６２が形成されている。そして、補助体５０は、第１基板ステージ４と第２基板ステージ５とが互いに異なる経路だけを移動するように規制する規制部材５１、５２を有している。第１基板ステージ４は、規制部材５１、５２を含む補助体５０によって、第１通路６１及び第２通路６２のうち第１通路６１だけを移動し、第２基板ステージ５は、第２通路６２だけを移動するようになっている。
次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸを用いて基板Ｐを露光する方法について、図７〜図１４の平面図、及び図１５〜図２４を参照しながら説明する。
図７及び図１５に示すように、露光ステーションＳＴ１の第１作業領域１０においては、第１基板ステージ４に保持された基板Ｐの液浸露光が行われる。計測ステーションＳＴ２においては、第２基板ステージ５に保持された基板Ｐの計測処理が行われる。制御装置７は、第１基板ステージ４上の基板Ｐを液浸露光するために、投影光学系ＰＬの最終光学素子ＦＬと対向する位置（最終光学素子ＦＬの直下の位置）ＥＰに第１基板ステージ４を配置する。そして、制御装置７は、最終光学素子ＦＬと第１基板ステージ４に保持されている基板Ｐとの間の光路空間Ｋを液浸システム１を用いて液体ＬＱで満たして基板Ｐを露光する。また、第１基板ステージ４上のキャップホルダ４Ｃにはキャップ部材３０が保持されている。また、上述のように、第１基板ステージ４が最終光学素子ＦＬと対向する位置ＥＰに配置されているときには、第２基板ステージ５は、基板交換位置ＲＰを含む計測ステーションＳＴ２の第２作業領域２０で、計測処理、基板交換作業等の所定の処理を行っている。
図８及び図１６に示すように、第１基板ステージ４上の基板Ｐの液浸露光が終了した後、制御装置７は、投影光学系ＰＬの最終光学素子ＦＬと第１基板ステージ４に保持された基板Ｐとの間で液体ＬＱを保持した状態で、第１基板ステージ４をＸＹ方向に移動して、基板Ｐ上に形成された液体ＬＱの液浸領域ＬＲを第１基板ステージ４上のキャップホルダ４Ｃに保持されたキャップ部材３０上に移動する。第１基板ステージ４のキャップホルダ４Ｃに保持されたキャップ部材３０の上面と、第１基板ステージ４の基板ホルダ４Ｈに保持された基板Ｐの上面と、第１基板ステージ４の上面４Ｆとはほぼ面一である。供給口１２からの液体ＬＱの供給と回収口２２を介した液体ＬＱの回収とを並行して行いつつ、第１基板ステージ４が最終光学素子ＦＬと対向する位置ＥＰを含む所定の領域内でＸＹ方向に移動することにより、基板Ｐ上に形成されている液浸領域ＬＲをキャップ部材３０上に円滑に移動することができる。
液浸領域ＬＲをキャップ部材３０上に移動した後、図１７に示すように、制御装置７は、ノズル部材６とキャップ部材３０とのＺ軸方向における位置関係を調整し、ノズル部材６の下面（１７、２６）とキャップ部材３０の上面とを接触させる。具体的には、キャップ部材３０を保持した第１基板ステージ４を＋Ｚ方向に上昇し、ノズル部材６の下面とキャップ部材３０の上面とを接触させる。また、第１基板ステージ４のＸＹ方向の位置情報は、レーザ干渉計２Ｐによって計測されている。レーザ干渉計２Ｐの計測結果に基づいて、ノズル部材６に対して第１基板ステージ４上のキャップ部材３０を位置決めすることができる。ノズル部材６のうち、キャップ部材３０の上面と対向する下面には回収口２２が設けられている。回収口２２を介した回収動作（吸引動作）により、キャップ部材３０をノズル部材６の下面に吸着保持することができる。制御装置７は、ノズル部材６とキャップ部材３０とが所定の位置関係になるように、回収口２２を用いてキャップ部材３０をノズル部材６の下面に保持する。
本実施形態においては、回収口２２に配置された多孔部材２５の下面２６はほぼ平坦であり、ノズル部材６のランド面１７とほぼ面一である。ノズル部材６の回収口２２を用いてキャップ部材３０を吸着保持することにより、開口１８Ｋを塞ぐことができる。開口１８Ｋを塞ぐように、キャップ部材３０をノズル部材６の下面で保持することで、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１とキャップ部材３０との間で液体ＬＱを保持することができる。また、最終光学素子ＦＬとノズル部材６に保持されたキャップ部材３０との間には、内部空間ＳＰを含む液体ＬＱを保持可能な所定空間ＳＫが形成される。
制御装置７は、ノズル部材６の下面にキャップ部材３０を保持した後、第１基板ステージ４のキャップホルダ４Ｃによるキャップ部材３０の保持を解除する。図９及び図１８に示すように、制御装置７は、第１基板ステージ４を最終光学素子ＦＬと対向する位置（直下の位置）ＥＰから退避させる。このように、ノズル部材６の下面に保持されたキャップ部材３０は、第１基板ステージ４が最終光学素子ＦＬから離れたときに、第１基板ステージ４から取り外されて、最終光学素子ＦＬとの間で液体ＬＱを保持することができる。
図１９はノズル部材６の回収口２２を用いてキャップ部材３０を保持している状態を示す図である。なお、上述したように、供給口１２は光路空間Ｋに対してＹ軸方向に設けられ、吸引口１６は光路空間Ｋに対してＸ軸方向に設けられている。図１９においては、図面を見やすくするとともに説明を簡略化するため、光路空間Ｋに対して−Ｙ側に供給口１２及びその供給口１２に接続する供給管１３を図示し、光路空間Ｋに対して＋Ｙ側に吸引口１６及びその吸引口１６に接続する吸引管３３を図示してある。
図１９に示すように、ノズル部材６の下面にキャップ部材３０を保持した状態で、内部空間ＳＰを含む最終光学素子ＦＬとキャップ部材３０との所定空間ＳＫに対して、供給口１２からの液体ＬＱの供給と、吸引口１６を介した液体ＬＱの回収とを並行して行う。上述のように、制御装置７は、バルブ機構３３Ｂを制御することで、吸引口１６と真空系を含む吸引装置３１とを吸引流路１５及び吸引管３３を介して接続可能である。したがって、制御装置７は、吸引装置３１を駆動することによって、内部空間ＳＰを含む最終光学素子ＦＬとキャップ部材３０との間の所定空間ＳＫの流体（液体ＬＱ、気体）を吸引回収可能である。制御装置７は、真空系を含む液体回収装置２１を駆動して回収流路２４を負圧にし、回収口２２によるキャップ部材３０の吸着保持を維持し、開口１８Ｋを塞いだ状態で、液体供給装置１１と吸引装置３１とのそれぞれを駆動する。これにより、供給口１２より最終光学素子ＦＬとキャップ部材３０との間の所定空間ＳＫに清浄な液体ＬＱを供給するとともに、その所定空間ＳＫの液体ＬＱを吸引口１６より回収することができる。こうすることにより、液体供給装置１１の液体供給動作を停止することなく、投影光学系ＰＬの像面側に液体ＬＱを満たし続けることができる。
また、所定空間ＳＫに液体ＬＱを供給する供給口１２及び液体ＬＱを回収する吸引口１６は、キャップ部材３０を吸着保持するための回収口２２よりも最終光学素子ＦＬに近い位置に設けられている。したがって、ノズル部材６の下面に設けられた回収口２２を用いてキャップ部材３０を保持することにより、最終光学素子ＦＬとキャップ部材３０との間に、供給口１２及び吸引口１６に接続される所定空間ＳＫを形成することができる。
次に、制御装置７は、レーザ干渉計２Ｐを用いて第１、第２基板ステージ４、５のＸＹ方向の位置を計測しつつ、基板ステージ駆動装置ＰＤを制御し、第１基板ステージ４を計測ステーションＳＴ２（第２作業領域２０）に移動するとともに、第２基板ステージ５を露光ステーションＳＴ１（第１作業領域１０）に移動する。図１０に示すように、制御装置７は、第１基板ステージ４が第１通路６１を移動するように、且つ第２基板ステージ５が第２通路６２を移動するように、基板ステージ駆動装置ＰＤを制御する。
図２０は補助体５０と第１、第２通路６１、６２を通過している第１、第２基板ステージ４、５との関係を示す模式図である。図２０に示すように、補助体５０は、第１基板ステージ４と第２基板ステージ５とが互いに異なる経路だけを移動するように規制する第１、第２規制部材５１、５２を有している。本実施形態においては、第１規制部材５１は、補助体５０の−Ｘ側の側面に設けられ、−Ｘ側に突出する凸状部材によって構成されている。第１規制部材５１を構成する凸状部材は、補助体５０の−Ｘ側の側面において、Ｙ軸方向に延びるように形成されている。第２規制部材５２は、補助体５０の＋Ｘ側の側面に設けられ、＋Ｘ側に突出する凸状部材によって構成されている。第２規制部材５２を構成する凸状部材は、補助体５０の＋Ｘ側の側面において、Ｙ軸方向に延びるように形成されている。
第１規制部材５１と第２規制部材５２とはＺ軸方向に関して互い異なる位置（高さ）に設けられている。第１基板ステージ４の＋Ｘ側の側面には、第１規制部材５１に応じた第１溝５１Ｍが形成されている。第２基板ステージ５の−Ｘ側の側面には、第２規制部材５２に応じた第２溝５２Ｍが形成されている。第１基板ステージ４が第１通路６１を通過するとき、第１規制部材５１は第１溝５１Ｍの内側に配置され、第１基板ステージ４の第１通路６１での移動は、第１規制部材５１によって妨げられないようになっている。換言すれば、第１基板ステージ４が第１通路６１を通過するとき、第１基板ステージ４は、第１規制部材５１に当たらない。もしくは、第１基板ステージ４は、第１通路６１を通過するとき、第１規制部材５１でその移動をガイドされる。また、第２基板ステージ５が第２通路６２を通過するとき、第２規制部材５２は第２溝５２Ｍの内側に配置され、第２基板ステージ５の第２通路６２での移動は、第２規制部材５２によって妨げられない。換言すれば、第２基板ステージ５が第２通路６２を通過するとき、第２基板ステージ５は、第２規制部材５２に当たらない。もしくは、第２基板ステージ５は、第２通路６２を通過するとき、第２規制部材５２でその移動をガイドされる。
一方、第１基板ステージ４が、露光ステーションＳＴ１及び計測ステーションＳＴ２の一方から他方へ移動するときに、第２通路６２を通過しようとしても、第１基板ステージ４は、第２通路６２の第２規制部材５２に当たる。すなわち、第２規制部材５２は、第１基板ステージ４の第２通路６２での移動を妨げるようになっている。したがって、例えば、計測ステーションＳＴ２の第２通路６２近傍に第２基板ステージ５が存在していても、第１基板ステージ４と第２基板ステージ５との衝突が防止される。同様に、第２基板ステージ５が第１通路６１を通過しようとしても、第２基板ステージ５の第１通路６１での移動は、第１規制部材５１に妨げられる。
なお、補助体５０は、例えば第１、第２基板ステージ４、５よりも軟らかい材料等によって形成されている。補助体５０が第１、第２基板ステージ４、５に当たっても、第１、第２基板ステージ４、５に大きなダメージを与えない。あるいは、補助体５０に、物体（基板ステージ）が当たったときの衝撃を吸収する緩衝機構を設けておくことも可能である。これにより、補助体５０に第１、第２基板ステージ４、５が当たっても、第１、第２基板ステージ４、５に大きなダメージを与えないようにすることができる。このような補助体５０を設けることにより、第１基板ステージ４と第２基板ステージ５とが直接的に衝突することを防止し、被害の拡大を抑えることができる。
次に、図１１に示すように、継手４１と第１基板ステージ４との結合、及び継手４２と第２基板ステージ５との結合が解除される。第１基板ステージ４が、継手４２を介して、リニアモータ８１の一部を構成するスライダ８８に結合されるとともに、第２基板ステージ５が、継手４１を介して、リニアモータ８０の一部を構成するスライダ８６に結合される。制御装置７は、基板ステージ駆動装置ＰＤを制御して、図１２に示すように、第２基板ステージ５を露光ステーションＳＴ１に移動するとともに、第１基板ステージ４を計測ステーションＳＴ２に移動する。
図１３及び図２１に示すように、制御装置７は、露光ステーションＳＴ１に存在する第２基板ステージ５を、最終光学素子ＦＬと対向する位置（直下の位置）ＥＰに移動し、ノズル部材６に保持されているキャップ部材３０の下面と、第２基板ステージ５上のキャップホルダ５Ｃとを対向させる。
図２２に示すように、制御装置７は、ノズル部材６に保持されているキャップ部材３０と第２基板ステージ５上のキャップホルダ５ＣとのＺ軸方向における位置関係を調整し、ノズル部材６に保持されているキャップ部材３０を第２基板ステージ５上のキャップホルダ５Ｃに載せる。具体的には、第２基板ステージ５が＋Ｚ方向に上昇し、ノズル部材６に保持されているキャップ部材３０の下面とキャップホルダ５Ｃとが接触する。このとき、第２基板ステージ５のＸＹ方向の位置情報は、レーザ干渉計２Ｐによって計測されている。レーザ干渉計２Ｐの計測結果に基づいて、ノズル部材６に保持されているキャップ部材３０に対して第２基板ステージ５のキャップホルダ５Ｃを位置決めすることができる。
制御装置７は、ノズル部材６に保持されているキャップ部材３０をキャップホルダ５Ｃに接触させた後、そのキャップホルダ５Ｃでキャップ部材３０を保持する。制御装置７は、回収口２２によるキャップ部材３０に対する吸着保持を解除する。図２３に示すように、第２基板ステージ５が−Ｚ方向に下降し、ノズル部材６の下面と、キャップホルダ５Ｃに保持されたキャップ部材３０とが離れる。これにより、キャップ部材３０が第２基板ステージ５のキャップホルダ５Ｃに取り付けられる。ここで、供給口１２からの液体供給動作は継続されている。ノズル部材６の下面からキャップ部材３０が離れることによって、供給口１２から内部空間ＳＰに供給された液体ＬＱは、開口１８Ｋを介して、ノズル部材６とキャップ部材３０との間の空間に流入する。供給口１２からの液体ＬＱの供給を継続したまま、開口１８Ｋを介してノズル部材６とキャップ部材３０との間の空間に流入した液体ＬＱを、回収口２２より回収する。これにより、第２基板ステージ５に取り付けられたキャップ部材３０上に液体ＬＱの液浸領域ＬＲが形成される。また、制御装置７は、所定のタイミングで、バルブ機構３３Ｂを制御し、吸引口１６と吸引装置３１とを接続する流路を閉じるとともに、吸引口１６と外部空間（大気空間）ＳＧとを接続する流路を開ける。すなわち、吸引口１６を介して、内部空間ＳＰが大気開放される。
図１４及び図２４に示すように、制御装置７は、投影光学系ＰＬの最終光学素子ＦＬと第２基板ステージ５のキャップホルダ５Ｃに保持されたキャップ部材３０との間で液体ＬＱを保持した状態で、第２基板ステージ５をＸＹ方向に移動して、キャップ部材３０上に形成された液体ＬＱの液浸領域ＬＲを第２基板ステージ５の基板ホルダ５Ｈに保持されている基板Ｐ上に移動する。第２基板ステージ５のキャップホルダ５Ｃに保持されたキャップ部材３０の上面と、第２基板ステージ５の基板ホルダ５Ｈに保持された基板Ｐの上面と、第２基板ステージ５の上面５Ｆとはほぼ面一である。供給口１２からの液体ＬＱの供給と回収口２２を介した液体ＬＱの回収とを並行して行いつつ、第２基板ステージ５を最終光学素子ＦＬと対向する位置を含む領域でＸＹ方向に移動することにより、基板Ｐ上に形成されている液浸領域ＬＲを基板Ｐ上に円滑に移動することができる。制御装置７は、最終光学素子ＦＬと第２基板ステージ５に保持されている基板Ｐとの間を液体ＬＱで満たしてその基板Ｐを露光する。
第２基板ステージ５に保持されている基板Ｐの露光を終了した後、上述と同様、第２基板ステージ５を最終光学素子ＦＬから離すときに、キャップ部材３０が第２基板ステージ５から取り外され、ノズル部材６の下面に回収口２２を用いてキャップ部材３０が吸着保持され、最終光学素子ＦＬとキャップ部材３０との間の所定空間ＳＫに液体ＬＱが保持される。
以上説明したように、本実施形態では、第１基板ステージ４及び第２基板ステージ５のそれぞれに対して着脱可能なキャップ部材３０を設けられている。そのため、最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１と対向する位置ＥＰを含む所定領域内（最終光学素子ＦＬとの間で液体ＬＱを保持可能な領域内）から、第１基板ステージ４及び第２基板ステージ５のそれぞれが離れたときにも、ノズル部材６の回収口２２を用いてキャップ部材３０を保持することで、最終光学素子ＦＬとキャップ部材３０との間に液体ＬＱを満たし続けることができる。したがって、露光光ＥＬの光路空間Ｋを液体ＬＱで満たすための液体ＬＱの供給動作を停止することなく、光路空間Ｋ及び内部空間ＳＰを含む所定空間ＳＫを液体ＬＱで満たし続けることができる。キャップ部材３０が無い場合、第１基板ステージ４及び第２基板ステージ５のそれぞれが最終光学素子ＦＬから離れたとき、液体ＬＱを保持することができない。この場合、一旦、液体ＬＱの供給を停止し、液体ＬＱを全て回収する必要がある。液体ＬＱを全て回収する動作には、ある程度の時間を要する。また、液体ＬＱの供給を再開する場合にも、液体ＬＱの状態、例えば温度、あるいは液体ＬＱ中の気泡の量又は大きさが所望状態となるまで、待ち時間を設定する必要がある。その場合、露光装置ＥＸの稼動率の低下を招く。本実施形態では、光路空間Ｋを含む所定空間ＳＫを液体ＬＱで満たし続けることができるため、露光装置ＥＸの稼動率の低下を抑えることができる。
また、最終光学素子ＦＬとキャップ部材３０との間に液体ＬＱを満たし続けることによって、最終光学素子ＦＬを常に濡らしておくことができる。したがって、例えば最終光学素子ＦＬに付着した液体ＬＱが気化することで最終光学素子ＦＬに付着跡（所謂ウォーターマーク）が形成される不都合を防止することができる。したがって、露光装置ＥＸの性能の劣化を防止できる。
また、液浸システム１は、ノズル部材６でキャップ部材３０を保持した状態で、最終光学素子ＦＬとキャップ部材３０との間の所定空間ＳＫに対する液体ＬＱの供給と回収とを並行して行うので、所定空間ＳＫは清浄な液体ＬＱで満たされる。したがって、最終光学素子ＦＬの汚染を防止できるとともに、その最終光学素子ＦＬを洗浄することができる。特に、基板Ｐ上に液浸領域ＬＲを形成する液体ＬＱには、基板Ｐから発生する物質（例えば感光材を構成する材料など）が混入する可能性がある。そのため、基板Ｐとの間で液体ＬＱを保持する最終光学素子ＦＬの下面（液体接触面）Ｔ１には、上述の物質が付着する可能性がある。本実施形態では、第１基板ステージ４上の基板Ｐの露光と、第２基板ステージ５上の基板Ｐの露光との間で、最終光学素子ＦＬを洗浄することができる。
また、本実施形態では、第１基板ステージ４と第２基板ステージ５との衝突を防止する補助体５０を備えているので、第１基板ステージ４と第２基板ステージ５とが衝突することを防止できる。したがって、衝突に起因する第１基板ステージ４及び第２基板ステージ５の損傷を防止することができる。
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について図２５Ａ及び２５Ｂを参照しながら説明する。上述の第１実施形態では、最終光学素子ＦＬとの間で所定空間ＳＫが形成されるように、キャップ部材３０をノズル部材６の下面に設けられた回収口２２で吸着保持している。本実施形態の特徴的な部分は、ノズル部材６とは別の保持機構７０でキャップ部材３０を保持する点にある。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
図２５Ａ及び２５Ｂにおいて、露光装置ＥＸは、最終光学素子ＦＬとの間で所定空間ＳＫが形成されるようにキャップ部材３０を保持するキャップ保持機構７０を備えている。キャップ保持機構７０は、ノズル部材６に対して移動する可動部材７１と、可動部材７１のうちキャップ部材３０の上面と対向する下面に設けられ、キャップ部材３０を吸着保持する吸着孔７２とを有している。可動部材７１は、光路空間Ｋに対して回収口２２よりも外側に設けられている。本実施形態では、可動部材７１は、ノズル部材６の外側に複数（例えば３つ）設けられている。ノズル部材６の上面には、可動部材７１に対応する支持部材７３が設けられている。支持部材７３と可動部材７１との間には、支持部材７３に対して可動部材７１をＺ軸方向に駆動する駆動機構７４が設けられている。制御装置７は、駆動機構７４を駆動することによって、ノズル部材６の外側で、可動部材７１を上下方向に移動することができる。
図２５Ａに示すように、基板Ｐを露光しているときには、駆動機構７４は、可動部材７１の下面がノズル部材６の下面よりも上方に位置するように、すなわち、可動部材７１が基板Ｐに当たらないように、可動部材７１を上昇する。
キャップ保持機構７０を用いてキャップ部材３０を保持する場合には、図２５Ｂに示すように、駆動機構７４は、可動部材７１の下面をノズル部材６の下面よりも下げる。その可動部材７１の下面に設けられた吸着孔７２は、キャップ部材３０の上面を吸着保持する。ノズル部材６の下面とキャップ部材３０の上面との距離が、例えば基板Ｐを露光するときのノズル部材６の下面と基板Ｐの表面との距離とほぼ等しくなるように、キャップ保持機構７０によってキャップ部材３０が保持される。
第１基板ステージ４及び第２基板ステージ５が最終光学素子ＦＬから離れたときに、キャップ保持機構７０は、キャップ部材３０を保持する。キャップ保持機構７０でキャップ部材３０を保持しているときには、基板Ｐを液浸露光しているときと同様、液浸システム１は、最終光学素子ＦＬとキャップ部材３０との間の所定空間ＳＫに対して、供給口１２からの液体ＬＱの供給と回収口２２を介した液体ＬＱの回収とを並行して行う。これにより、最終光学素子ＦＬとキャップ部材３０との間の所定空間ＳＫを液体ＬＱで満たし続けることができる。
最終光学素子ＦＬとキャップ部材３０との間の所定空間ＳＫに液体ＬＱを供給する供給口１２及び液体ＬＱを回収する回収口２２は、キャップ部材３０を吸着保持するための可動部材７１に設けられた吸着孔７２よりも最終光学素子ＦＬに近い位置に設けられている。可動部材７１の下面に設けられた吸着孔７２を用いてキャップ部材３０を保持することにより、最終光学素子ＦＬとキャップ部材３０との間に、供給口１２及び回収口２２が接続される所定空間ＳＫを形成することができる。
なお、第２実施形態において、可動部材７１は駆動機構７４及び支持部材７３を介してノズル部材６に接続されているが、例えば投影光学系ＰＬの鏡筒ＰＫ及び／又は鏡筒ＰＫを支持する露光装置ＥＸのボディ（コラム）に接続されてもよい。
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について図２６を参照しながら説明する。本実施形態の特徴的な部分は、キャップ部材３０に所定の計測を行う計測装置１００を設けた点にある。以下の説明において、上記各実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
図２６において、キャップ部材３０には所定の計測を行う計測装置１００が設けられている。本実施形態において、計測装置１００は、露光光ＥＬに関する情報を計測するものである。なお、本実施形態においては、上述の第１実施形態同様、キャップ部材３０は、ノズル部材６の下面の回収口２２により吸着保持されている。最終光学素子ＦＬとキャップ部材３０との間には液体ＬＱが満たされている。
計測装置１００としては、例えば特開昭５７−１１７２３８号公報に開示されているような照度ムラセンサ、例えば特開２００２−１４００５号公報に開示されているような空間像計測センサ、及び例えば特開平１１−１６８１６号公報に開示されているような照射量センサ（照度センサ）など、各種光計測器が挙げられる。計測装置１００の受光面がキャップ部材３０の上面に設けられ、キャップ部材３０の内部に受光素子が設けられている。計測装置１００の受光素子は、最終光学素子ＦＬの下面から射出され、液体ＬＱを通過した露光光ＥＬを受光面を介して受光する。
また、本実施形態においては、キャップ部材３０には、計測装置１００の計測結果を無線送信する送信装置１０１が設けられている。送信装置１０１は、計測装置１００に接続されている。
また、露光装置ＥＸは、送信装置１０１から送信された計測結果を含む無線信号を受信する受信装置１０２を備えている。受信装置１０２で受信された計測結果は制御装置７に出力される。なお、計測装置１００の計測結果を表示装置で表示するようにしてもよい。
第１基板ステージ４上の基板Ｐの露光と第２基板ステージ５上の基板Ｐの露光との間など、第１基板ステージ４及び第２基板ステージ５のそれぞれが最終光学素子ＦＬから離れたときに、キャップ保持機構（回収口２２）はキャップ部材３０を保持する。制御装置７は、最終光学素子ＦＬとキャップ部材３０との間を液体ＬＱで満たした状態で、キャップ部材３０に設けられた計測装置１００に露光光ＥＬを照射する。計測装置１００を用いて露光光ＥＬを計測するときには、液浸システム１を用いて、最終光学素子ＦＬとキャップ部材３０との間の所定空間ＳＫに対する液体ＬＱの供給と回収とが並行して行われる。計測装置１００の計測結果は送信装置１０１により送信され、受信装置１０２に受信される。制御装置７は、受信装置１０２の受信信号、すなわち計測装置１００の計測結果に基づいて、例えば露光光ＥＬの照度等、露光光ＥＬの照射条件を調整することができる。
このように、キャップ部材３０に、露光処理に関する所定の計測を行う計測装置１００を設けることにより、第１基板ステージ４上の基板Ｐの露光と第２基板ステージ５上の基板Ｐの露光との間など、第１基板ステージ４及び第２基板ステージ５のそれぞれが最終光学素子ＦＬから離れたときに、計測装置１００を用いた計測を行うことができる。したがって、露光装置ＥＸの稼動率（スループット）の低下を抑えることができる。
また、計測装置１００としては、液体ＬＱの温度を計測する温度センサであってもよい。キャップ部材３０に温度センサを設けることにより、供給口１２より光路空間Ｋに供給される液体ＬＱの温度を計測することができる。液体ＬＱの温度を計測するとき、最終光学素子ＦＬとキャップ部材３０との間の所定空間ＳＫに対する液体ＬＱの供給と回収とが並行して行われる。制御装置７は、温度センサの計測結果に基づいて、供給口１２から光路空間Ｋに供給される液体ＬＱの温度を調整することができる。供給口１２から光路空間Ｋに供給される液体ＬＱの温度を調整する場合には、例えば、液浸システム１の液体供給装置１１に設けられ、供給口１２に供給する液体ＬＱの温度を調整可能な温度調整装置を用いて、供給口１２から光路空間Ｋに供給される液体ＬＱの温度を調整する。
また、計測装置１００としては、最終光学素子ＦＬの表面状態、及び液体ＬＱの状態の少なくとも一方を計測する観察装置であってもよい。観察装置としては、例えばＣＣＤ等の撮像素子を備えたものを用いることができる。キャップ部材３０に設けられた観察装置は、例えば所定空間ＳＫの液体ＬＱ、あるいは最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１を撮像し、その結果を制御装置７に出力する。制御装置７は、観察装置の計測結果（観察結果）に基づいて、例えば液体ＬＱの汚染状態、具体的には液体ＬＱ中に異物が有るか否か、あるいは液体ＬＱ中に気泡が有るか否かなどといった、液体ＬＱの状態を求めることができる。制御装置７は、観察装置の観察結果に基づいて、供給口１２から光路空間Ｋに供給される液体ＬＱの状態を調整することができる。供給口１２から光路空間Ｋに供給される液体ＬＱの状態を調整する場合には、制御装置７は、例えば、液浸システム１の液体供給装置１１に設けられ、供給口１２に供給する液体ＬＱを清浄化するフィルタ装置、及び／又は液体ＬＱを脱気する脱気装置を用いて、供給口１２から光路空間Ｋに供給される液体ＬＱの状態を調整する。
また、制御装置７は、観察装置の計測結果（観察結果）に基づいて、例えば最終光学素子ＦＬの下面Ｔ１の汚染状態、具体的には下面Ｔ１に異物が付着しているか否か、あるいは下面Ｔ１に気泡が付着しているか否かなどといった、最終光学素子ＦＬの表面状態を求めることができる。制御装置７は、観察装置の観察結果に基づいて、例えば最終光学素子ＦＬを洗浄する等、所定の処置を講ずることができる。
以上のように、制御装置７は、キャップ部材３０に設けられた計測装置１００の計測結果に基づいて、露光光ＥＬの照射条件、及び供給する液体ＬＱの条件を含む露光条件を調整することができる。
＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態について図２７を参照しながら説明する。本実施形態の特徴的な部分は、キャップ部材３０に計測装置１００の計測結果を記憶する記憶装置１０３を設けた点にある。以下の説明において、上記各実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
図２７に示すように、キャップ部材３０には、計測装置１００の計測結果を記憶する記憶装置１０３が設けられている。記憶装置１０３は、計測装置１００に接続されており、計測装置１００の結果を記憶することができる。
第１基板ステージ４上の基板Ｐの露光と第２基板ステージ５上の基板Ｐの露光との間など、第１基板ステージ４及び第２基板ステージ５のそれぞれが最終光学素子ＦＬから離れたときに、キャップ保持機構（回収口２２）は、キャップ部材３０を保持する。制御装置７は、最終光学素子ＦＬとキャップ部材３０との間を液体ＬＱで満たした状態で、キャップ部材３０に設けられた計測装置１００に露光光ＥＬを照射する。計測装置１００の計測結果は記憶装置１０３に記憶される。記憶装置１０３に記憶されている情報は、所定のタイミングで抽出（読み出し）される。制御装置７は、計測装置１００の計測結果に基づいて、例えば露光光ＥＬの照度等、露光条件を調整することができる。
第４実施形態においても、計測装置１００としては、露光光ＥＬに関する情報を計測する計測装置、最終光学素子ＦＬの表面状態及び液体ＬＱの状態の少なくとも一方を計測する計測装置（観察装置）、及び液体ＬＱの温度を計測する計測装置（温度センサ）などが挙げられる。
＜第５実施形態＞
次に、第５実施形態について図２８を参照しながら説明する。本実施形態の特徴的な部分は、キャップ部材３０に、キャップ部材３０近傍の所定の部材の温度、及び液体ＬＱの温度の少なくとも一方を調整する温度調整装置１１０を設けた点にある。以下の説明において、上記各実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
図２８に示すように、キャップ部材３０の上面には温度調整装置１１０が設けられている。温度調整装置１１０は、ノズル部材６に接触する位置に設けられており、ノズル部材６の温度を調整可能である。
第１基板ステージ４上の基板Ｐの露光と第２基板ステージ５上の基板Ｐの露光との間など、第１基板ステージ４及び第２基板ステージ５のそれぞれが最終光学素子ＦＬから離れたときに、キャップ保持機構（回収口２２）はキャップ部材３０を保持する。制御装置７は、最終光学素子ＦＬとキャップ部材３０との間を液体ＬＱで満たした状態で、キャップ部材３０に設けられた温度調整装置１１０を用いて、ノズル部材６を温度調整することができる。例えば、ノズル部材６に接触した液体ＬＱが気化することで生じる気化熱により、ノズル部材６が温度低下する可能性がある。制御装置７は、温度調整装置１１０を用いて、ノズル部材６の温度低下を補償することができる。また、キャップ部材３０に、ノズル部材６の温度を検出可能な温度センサを設けておくことにより、その温度センサの検出結果に基づいて、温度調整装置１１０を制御し、ノズル部材６の温度を調整することができる。
温度調整装置１１０は、最終光学素子ＦＬとキャップ部材３０との間の所定空間ＳＫを満たす液体ＬＱの温度を調整することができる。さらに温度調整装置１１０は、所定空間ＳＫの液体ＬＱの温度を調整することによって、その液体ＬＱに接触しているノズル部材６及び最終光学素子ＦＬの温度を調整することもできる。
なお、上述の第３〜第５実施形態では、ノズル部材６の回収口２２を用いてキャップ部材３０を保持している。第３〜第５実施形態において、第２実施形態で説明したようなキャップ保持機構７０を用いて、ノズル部材６に対してキャップ部材３０を離した状態で保持しつつ、所定の処理を行うことができる。
なお、上述の第１〜第５実施形態のように、基板ステージを２つ備えた露光装置ＥＸの場合において、最終光学素子ＦＬとキャップ部材３０との間で液体ＬＱを保持したとき、最終光学素子ＦＬとキャップ部材３０との間の所定空間ＳＫに対する液体ＬＱの供給と回収とを行わないようにしてもよい。
なお、上述の第１〜第５実施形態においては、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージを２つ備えたツインステージ型の露光装置を例にして説明したが、基板ステージを１つ備えた露光装置にも適用可能である。例えば、その１つの基板ステージが投影光学系ＰＬの最終光学素子ＦＬから離れたときに、キャップ保持機構によってキャップ部材３０を保持し、最終光学素子ＦＬとキャップ部材３０との間の所定空間ＳＫに対して、液浸システム１を用いて、液体ＬＱの供給と回収とを並行して行うようにしてもよい。
あるいは、１つの基板ステージが投影光学系ＰＬの最終光学素子ＦＬから離れたときに、キャップ保持機構によってキャップ部材３０を保持し、上述の第３、第４実施形態で説明したような、キャップ部材３０に設けられた計測装置を用いて、所定の計測を行うようにしてもよい。あるいは、上述の第５実施形態で説明したような、キャップ部材３０に設けられた温度調整装置を用いて温度調整をするようにしてもよい。
また、上述の各実施形態では、キャップ部材３０に設けられた計測装置を用いて所定の計測を行うとき、最終光学素子ＦＬとキャップ部材３０との間の所定空間ＳＫに対する液体ＬＱの供給と回収とを並行して行っているが、液体ＬＱの供給と回収とを停止した状態で計測してもよい。
また、上述の各実施形態では、キャップ部材３０に設けられた計測装置を用いて所定の計測を行うとき、最終光学素子ＦＬとキャップ部材３０との間の所定空間ＳＫを液体ＬＱで満たしている。しかしながら、最終光学素子ＦＬとキャップ部材３０との間の所定空間ＳＫを液体ＬＱで満たさずに、キャップ部材３０に設けられた計測装置を用いて、所定の計測を行うようにしてもよい。
なお、上述の実施形態において、キャップ部材３０に計測装置を設けた場合、そのキャップ部材３０をキャップホルダ４Ｃ（５Ｃ）に保持した状態で、計測処理を行うようにしてもよい。また、キャップ部材３０に温度調整装置を設けた場合には、そのキャップ部材３０をキャップホルダ４Ｃ（５Ｃ）に保持した状態で、温度調整を行うようにしてもよい。
なお、キャップ部材３０の上面を平坦面にしておき、そのキャップ部材３０の上面に、フォーカス・レベリング検出系８の検出光Ｌａを照射することによって、そのフォーカス・レベリング検出系８のキャリブレーションを行うようにしてもよい。このように、キャップ部材３０の上面をフォーカス・レベリング検出系８の基準面として用いることもできる。
なお、上述の第１〜第５実施形態において、キャップ部材３０の位置を検出する位置検出装置を設けてもよい。キャップホルダ４Ｃ（５Ｃ）にキャップ部材３０を取り付けるとき、あるいはキャップ保持機構でキャップ部材３０を保持するとき、位置検出装置でキャップ部材３０の位置を検出することにより、その検出結果に基づいて、キャップ部材３０を所望の位置に位置決めすることができる。位置検出装置は、例えばキャップ部材３０のエッジの位置を光学的に検出することで、キャップ部材３０の位置情報を求めることができる。
＜第６実施形態＞
次に、第６実施形態について図２９〜図３９を参照しながら説明する。本実施形態の特徴的な部分は、第１基板ステージ４と第２基板ステージ５との衝突を防止するための第３ステージ５３が、ベース部材ＢＰ上で移動可能に設けられている点にある。なお、第１基板ステージ４、第２基板ステージ５、及び第３ステージ５３は、リニアモータ等を含む駆動装置によって駆動されるが、以下の説明に用いる図面においては、その駆動装置の図示を省略してある。また、上記各実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
ベース部材ＢＰ上には、第１基板ステージ４と第２基板ステージ５との衝突を防止する補助体５０が設けられている。上述の実施形態同様、補助体５０は、露光ステーションＳＴ１を構成する第１作業領域１０と、計測ステーションＳＴ２を構成する第２作業領域２０との間の所定位置に固定されている。また、補助体５０と−Ｘ側の側壁４３との間には第１通路６１が形成され、補助体５０と＋Ｘ側の側壁４４との間には第２通路６２が形成されている。また、補助体５０は、第１基板ステージ４と第２基板ステージ５とが互いに異なる経路だけを移動するように規制する規制部材５１、５２を有している。
本実施形態では、ベース部材ＢＰ上でＸＹ平面内を移動可能に設けられた第３ステージ５３を有している。第３ステージ５３は基板Ｐを保持しておらず、第３ステージ５３の上面５３Ｆは平坦面となっている。第３ステージ５３は、第１基板ステージ４と第２基板ステージ５との衝突を防止するためのものであって、第１基板ステージ４及び第２基板ステージ５とは独立して移動可能に設けられている。第１、第２基板ステージ４、５同様、第３ステージ５３は、最終光学素子ＦＬと対向しているときに、最終光学素子ＦＬとの間で液体ＬＱを保持することができる。また、第３ステージ５３の位置情報は、レーザ干渉計２Ｐにより計測される。
本実施形態において、補助体５０は、第３ステージ５３を収容可能な内部空間５０Ｈを有している。補助体５０はトンネル状に形成されており、＋Ｙ側及び−Ｙ側のそれぞれには内部空間５０Ｈに対して第３ステージ５３を出し入れするための第１、第２出入口５４、５５が設けられている。したがって、補助体５０の内部空間５０Ｈに収容されている第３ステージ５３は、第１出入口５４から第２作業領域２０に出た後、第２通路６２を通過して第１作業領域１０に移動し、第２出入口５５から補助体５０の内部空間５０Ｈに入ることができる。また、第３ステージ５３は、補助体５０の内部空間５０Ｈ、第１出入口５４、第２作業領域２０、第１通路６１、第１作業領域１０、及び第２出入口５５の順で移動することができるし、補助体５０の内部空間５０Ｈ、第２出入口５５、第１作業領域１０、第１通路６１、第２作業領域２０、及び第１出入口５４の順で移動することができるし、補助体５０の内部空間５０Ｈ、第２出入口５５、第１作業領域１０、第２通路６２、第２作業領域２０、及び第１出入口５４の順で移動することもできる。
また、制御装置７は、第１基板ステージ４、第２基板ステージ５、及び第３ステージ５３の互いの位置関係を調整可能である。例えば、図３９に示すように、第１基板ステージ４と、第３ステージ５３と、第２基板ステージ５とを互いに接近又は接触させることができ、第１基板ステージ４の上面４Ｆと、第３ステージ５３の上面５３Ｆと、第２基板ステージ５の上面５Ｆとをほぼ同じ高さ（面一）にすることができる。
また、制御装置７は、液浸システム１による液体ＬＱの供給と回収とを行いつつ、投影光学系ＰＬと対向する位置（直下の位置）ＥＰを含む所定領域内で第３ステージ５３と第２基板ステージ５とを接近又は接触させた状態で一緒に移動することによって、液体ＬＱの液浸領域ＬＲを、第３ステージ５３の上面５３Ｆと第２基板ステージ５の上面５Ｆとの間で移動可能である。同様に、制御装置７は、液浸システム１による液体ＬＱの供給と回収とを行いつつ、投影光学系ＰＬと対向する位置（直下の位置）ＥＰを含む所定領域内で第３ステージ５３と第１基板ステージ４とを接近又は接触させた状態で一緒に移動することによって、液体ＬＱの液浸領域ＬＲを、第３ステージ５３の上面５３Ｆと第１基板ステージ４の上面４Ｆとの間で移動可能である。
次に、基板Ｐを露光する方法について説明する。図２９に示すように、露光ステーションＳＴ１においては、第１基板ステージ４に保持された基板Ｐの液浸露光が行われ、計測ステーションＳＴ２においては、第２基板ステージ５に保持された基板Ｐの計測処理が行われる。第３ステージ５３は、補助体５０の内部空間５０Ｈに配置されている。基板Ｐの露光中、図３０に示すように、第３ステージ５３が第１出入口５４から計測ステーションＳＴ２の第２作業領域２０に出た後、第２通路６２を通過して露光ステーションＳＴ１の第１作業領域１０に移動する。また、計測ステーションＳＴ２で計測処理を終えた第２基板ステージ５が第２通路６２を通過して露光ステーションＳＴ１に移動する。
第１基板ステージ４上の基板Ｐの露光処理が終了した後、制御装置７は、露光ステーションＳＴ１の第１作業領域１０において、第１基板ステージ４の＋Ｘ側の側面と第３ステージ５３の−Ｘ側の側面とを接近（又は接触）させるとともに、第３ステージ５３の＋Ｘ側の側面と第２基板ステージ５の−Ｘ側の側面とを接近（又は接触）させる。制御装置７は、第１基板ステージ４、第３ステージ５３、及び第２基板ステージ５を、−Ｘ方向に一緒に移動する。すなわち、図３１に示すように、投影光学系ＰＬと対向する位置（直下の位置）ＥＰを含む所定領域内で第１基板ステージ４と第３ステージ５３とを接近（又は接触）させた状態で−Ｘ方向に一緒に移動することによって、第１基板ステージ４の上面４Ｆに形成された液体ＬＱの液浸領域ＬＲを第３ステージ５３の上面５３Ｆに移動することができる。図３２に示すように、制御装置７は、投影光学系ＰＬと対向する位置（直下の位置）ＥＰを含む所定領域内で第３ステージ５３と第２基板ステージ５とを接近（又は接触）させた状態で−Ｘ方向に一緒に移動することによって、第３ステージ５３の上面５３Ｆに形成された液体ＬＱの液浸領域ＬＲを第２基板ステージ５の上面５Ｆに移動することができる。
図３３に示すように、液浸領域ＬＲが、第２基板ステージ５に保持されている基板Ｐ上に移動される。制御装置７は、最終光学素子ＦＬと第２基板ステージ５に保持されている基板Ｐとの間を液体ＬＱで満たしてその基板Ｐを露光する。露光処理を終えた基板Ｐを保持する第１基板ステージ４は、第１通路６１を通過した後、図３４に示すように、計測ステーションＳＴ２に移動する。また、第３ステージ５３は、第２基板ステージ５の露光動作を妨げないように、第２基板ステージ５から離れる。
制御装置７は、計測ステーションＳＴ２に移動した第１基板ステージ４上の露光処理済みの基板Ｐを基板交換位置ＲＰにおいてアンロードするとともに、露光処理されるべき基板Ｐを第１基板ステージ４にロードする。そして、制御装置７は、第１基板ステージ４にロードした基板Ｐの計測を行う。図３５に示すように、制御装置７は、計測ステーションＳＴ２で計測処理を終えた第１基板ステージ４を、第１通路６１を通過させ、露光ステーションＳＴ１に移動する。
第２基板ステージ５上の基板Ｐの露光処理が終了した後、制御装置７は、第２基板ステージ５の−Ｘ側の側面と第３ステージ５３の＋Ｘ側の側面とを接近（又は接触）させるとともに、第３ステージ５３の−Ｘ側の側面と第１基板ステージ４の＋Ｘ側の側面とを接近（又は接触）させる。そして、制御装置７は、第１基板ステージ４、第３ステージ５３、及び第２基板ステージ５を、＋Ｘ方向に一緒に移動する。すなわち、図３６に示すように、投影光学系ＰＬと対向する位置（直下の位置）ＥＰを含む所定領域内で第２基板ステージ４と第３ステージ５３とを接近（又は接触）させた状態で＋Ｘ方向に一緒に移動することによって、第２基板ステージ５の上面５Ｆに形成された液体ＬＱの液浸領域ＬＲを第３ステージ５３の上面５３Ｆに移動することができる。図３７に示すように、制御装置７は、投影光学系ＰＬと対向する位置（直下の位置）ＥＰを含む所定領域内で第３ステージ５３と第１基板ステージ４とを接近（又は接触）させた状態で＋Ｘ方向に一緒に移動することによって、第３ステージ５３の上面５３Ｆに形成された液体ＬＱの液浸領域ＬＲを第１基板ステージ４の上面４Ｆに移動することができる。
図３８に示すように、液浸領域ＬＲが第１基板ステージ４に保持されている基板Ｐ上に移動される。制御装置７は、最終光学素子ＦＬと第１基板ステージ４に保持されている基板Ｐとの間を液体ＬＱで満たしてその基板Ｐを露光する。露光処理を終えた基板Ｐを保持する第２基板ステージ５は、第２通路６２を通過した後、計測ステーションＳＴ２に移動する。また、第３ステージ５３は、第１基板ステージ４の露光動作を妨げないように、第１基板ステージ４から離れる。
そして、制御装置７は、上述の動作を繰り返し、第１基板ステージ４上の基板Ｐの露光と第２基板ステージ５上の基板Ｐの露光とを交互に繰り返す。
以上説明したように、本実施形態においても、規制部材５１、５２によって、第１基板ステージ４は第１通路６１のみを通過するように設けられ、第２基板ステージ５は第２通路６２のみを通過するように設けられており、その規制部材５１、５２を含む補助体５０によって、第１基板ステージ４と第２基板ステージ５との衝突が防止される。
そして、第３ステージ５３を介して、第１基板ステージ４の上面４Ｆと第２基板ステージ５の上面５Ｆとの間で、液体ＬＱの液浸領域ＬＲを移動することができるので、液浸システム１による液体ＬＱの供給を停止することなく、光路空間Ｋを液体ＬＱで満たし続けることができる。したがって、液体ＬＱの供給の停止等に伴う露光装置ＥＸの稼動率の低下を抑えることができる。
第１基板ステージ４の上面４Ｆと第２基板ステージ５の上面５Ｆとの間での液浸領域ＬＲの移動は、第３ステージ５３を介して行われ、第１基板ステージ４と第２基板ステージ５との間には第３ステージ５３が介在されるので、第１基板ステージ４と第２基板ステージ５が衝突することが防止される。第３ステージ５３を、例えば第１、第２基板ステージ４、５よりも軟らかい材料等によって形成したり、あるいは第３ステージ５３に、物体に当たったときの衝撃を吸収する緩衝機構を設けておくことにより、第３ステージ５３に第１、第２基板ステージ４、５が当たっても、第１、第２基板ステージ４、５に大きなダメージを与えないようにすることができる。
＜第７実施形態＞
次に、第７実施形態について図４０を参照しながら説明する。図４０に示すように、第３ステージ５３に、露光処理に関する所定の計測を行う計測装置１００’を設けることができる。以下の説明において、上記各実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
計測装置１００’としては、上述の第３実施形態等と同様、露光光ＥＬに関する情報を計測する照度ムラセンサ、空間像計測センサ、及び照射量センサ（照度センサ）など、各種光計測器が挙げられる。また、計測装置１００’としては、液体ＬＱの温度を計測する温度センサであってもよいし、最終光学素子ＦＬの表面状態、及び液体ＬＱの状態の少なくとも一方を計測する観察装置であってもよい。
第３ステージ５３上の計測装置１００’を用いた計測動作は、露光処理を終えた第１基板ステージ４の上面４Ｆ又は第２基板ステージ５の上面５Ｆから液浸領域ＬＲが移動されたときに行われる。制御装置７は、第３ステージ５３に設けられた計測装置１００’の計測結果に基づいて、露光条件を調整することができる。
なお、第３ステージ５３上の計測装置１００’にも、この計測装置１００’の計測結果を無線送信する送信装置を設けることができるし、記憶するための記憶装置を設けることもできる。
また、第３ステージ５３に、上述の第５実施形態で説明したような、ノズル部材６、液体ＬＱ、及び最終光学素子ＦＬの少なくとも一部の温度を調整する温度調整装置を設けることができる。
また、第３ステージ５３の上面５３Ｆを平坦面にしておき、その第３ステージ５３の上面５３Ｆに、フォーカス・レベリング検出系８の検出光Ｌａを照射することによって、そのフォーカス・レベリング検出系８のキャリブレーションを行うようにしてもよい。このように、第３ステージ５３の上面５３Ｆをフォーカス・レベリング検出系８の基準面として用いることもできる。
＜第８実施形態＞
次に、第８実施形態について図４１〜図４５を参照しながら説明する。以下の説明において、上記各実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
本実施形態において、ベース部材ＢＰ上には、第１基板ステージ４と第２基板ステージ５との衝突を防止する補助体５０が設けられている。上述の実施形態同様、補助体５０は、露光ステーションＳＴ１を構成する第１作業領域１０と、計測ステーションＳＴ２を構成する第２作業領域２０との間の所定位置に固定されている。また、補助体５０と−Ｘ側の側壁４３との間には第１通路６１が形成され、補助体５０と＋Ｘ側の側壁４４との間には第２通路６２が形成されている。本実施形態においては、第１基板ステージ４は第１通路６１及び第２通路６２のそれぞれを通過可能であり、第２基板ステージ５も第１通路６１及び第２通路６２のそれぞれを通過可能となっている。
また、上述の第６、第７実施形態同様、露光装置ＥＸは、ベース部材ＢＰ上でＸＹ平面内を移動可能に設けられた第３ステージ５３を有している。第３ステージ５３の位置情報は、レーザ干渉計２Ｐにより計測される。
補助体５０は、第３ステージ５３を収容可能な内部空間５０Ｈを有している。補助体５０はトンネル状に形成されており、本実施形態においては、＋Ｘ側及び−Ｘ側のそれぞれに、内部空間に対して第３ステージ５３を出し入れするための第１、第２出入口５４、５５が設けられている。
図４１に示すように、露光ステーションＳＴ１においては、第１基板ステージ４に保持された基板Ｐの液浸露光が行われる。計測ステーションＳＴ２においては、第２基板ステージ５に保持された基板Ｐの計測処理が行われる。第３ステージ５３は、補助体５０の内部空間５０Ｈに配置されている。基板Ｐの露光中、図４２に示すように、第３ステージ５３が第１出入口５４から第２通路６２に出た後、露光ステーションＳＴ１の第１作業領域１０に移動する。また、計測ステーションＳＴ２で計測処理を終えた第２基板ステージ５が第２通路６２を通過して露光ステーションＳＴ１に移動する。
第１基板ステージ４上の基板Ｐの露光処理が終了した後、図４３に示すように、制御装置７は、第１基板ステージ４の＋Ｘ側の側面と第３ステージ５３の−Ｘ側の側面とを接近（又は接触）させるとともに、第３ステージ５３の＋Ｘ側の側面と第２基板ステージ５の−Ｘ側の側面とを接近（又は接触）させ、第１基板ステージ４、第３ステージ５３、及び第２基板ステージ５を、−Ｘ方向に一緒に移動する。これにより、第１基板ステージ４の上面４Ｆに形成されている液浸領域ＬＲは、第３ステージ５３の上面５３Ｆを通過した後、第２基板ステージ５の上面５Ｆに移動する。
図４４に示すように、液浸領域ＬＲが第２基板ステージ５に保持されている基板Ｐ上に移動され、第２基板ステージ５上の基板Ｐが液浸露光される。また、露光処理を終えた基板Ｐを保持する第１基板ステージ４は、第１通路６１を通過した後、計測ステーションＳＴ２に移動する。また、第３ステージ５３は、第２基板ステージ５の露光動作を妨げないように、第２基板ステージ５から離れる。
制御装置７は、計測ステーションＳＴ２に移動した第１基板ステージ４上の露光処理済みの基板Ｐをアンロードするとともに、露光処理されるべき基板Ｐを第１基板ステージ４にロードする。制御装置７は、第１基板ステージ４にロードした基板Ｐの計測を行う。また、図４５に示すように、第３ステージ５３は、第２出入口５５より、補助体５０の内部空間５０Ｈに入る。
露光ステーションＳＴ１での第２基板ステージ５上の基板Ｐの露光中、補助体５０の内部空間５０Ｈに配置されていた第３ステージ５３は、第１出入口５４から第２通路６２に出た後、第１作業領域１０に移動する。また、計測ステーションＳＴ２で計測処理を終えた第１基板ステージ４は、第２通路６２を通過して露光ステーションＳＴ１に移動する。
第２基板ステージ５上の基板Ｐの露光処理が終了した後、制御装置７は、第２基板ステージ５の＋Ｘ側の側面と第３ステージ５３の−Ｘ側の側面とを接近（又は接触）させるとともに、第３ステージ５３の＋Ｘ側の側面と第１基板ステージ４の−Ｘ側の側面とを接近（又は接触）させ、第１基板ステージ４、第３ステージ５３、及び第２基板ステージ５を、−Ｘ方向に一緒に移動する。これにより、第２基板ステージ５の上面５Ｆに形成されている液浸領域ＬＲは、第３ステージ５３の上面５３Ｆを通過した後、第１基板ステージ４の上面４Ｆに移動する。そして、第１基板ステージ４上の基板Ｐが液浸露光される。
制御装置７は、上述の動作を繰り返し、第１基板ステージ４上の基板Ｐの露光と第２基板ステージ５上の基板Ｐの露光とを交互に繰り返す。本実施形態では、第１基板ステージ４と第２基板ステージ５とは、同一の経路で、露光ステーションＳＴ１と計測ステーションＳＴ２との間を移動するようになっている。
以上説明したように、本実施形態においても、第３ステージ５３を介して、第１基板ステージ４の上面４Ｆと第２基板ステージ５の上面５Ｆとの間で、液体ＬＱの液浸領域ＬＲを移動することができるので、液浸システム１による液体ＬＱの供給を停止することなく、光路空間Ｋを液体ＬＱで満たし続けることができる。したがって、液体ＬＱの供給の停止等に伴う露光装置ＥＸの稼動率の低下を抑えることができる。また、第１基板ステージ４の上面４Ｆと第２基板ステージ５の上面５Ｆとの間での液浸領域ＬＲの移動は、第３ステージ５３を介して行われ、第１基板ステージ４と第２基板ステージ５との間には第３ステージ５３が介在されるので、第１基板ステージ４と第２基板ステージ５が衝突することが防止される。
＜第９実施形態＞
次に、第９実施形態について図４６〜図５２を参照しながら説明する。以下の説明において、上記各実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
本実施形態においては、ベース部材ＢＰ上には、固定された補助体は設けられておらず、第１基板ステージ４と第２基板ステージ５との衝突を防止する補助体として、ベース部材ＢＰ上で移動可能な第３ステージ５３のみが設けられている。第３ステージ５３は、ほぼＹ軸方向に沿ってのみ移動するように設けられている。第３ステージ５３の位置情報は、レーザ干渉計２Ｐにより計測される。
図４６に示すように、露光ステーションＳＴ１においては、第１基板ステージ４に保持された基板Ｐの液浸露光が行われ、計測ステーションＳＴ２においては、第２基板ステージ５に保持された基板Ｐの計測処理が行われる。第３ステージ５３は、第１基板ステージ４と第２基板ステージ５との間に配置されている。
第１基板ステージ４上の基板Ｐの露光処理が終了した後、制御装置７は、第１基板ステージ４の＋Ｙ側の側面と第３ステージ５３の−Ｙ側の側面とを接近（又は接触）させ、第１基板ステージ４及び第３ステージ５３−Ｙ方向に一緒に移動する。これにより、図４７に示すように、第１基板ステージ４の上面４Ｆに形成されている液浸領域ＬＲは、第３ステージ５３の上面５３Ｆに移動する。また、本実施形態では、制御装置７は、液浸領域ＬＲを第１基板ステージ４上から第３ステージ５３上に移動するとき、第３ステージ５３の＋Ｙ側の側面と第２基板ステージ５の−Ｙ側の側面とを接近（又は接触）させており、第２基板ステージ５を第１基板ステージ４及び第３ステージ５３と一緒に−Ｙ方向に移動している。
次に、図４８に示すように、制御装置７は、投影光学系ＰＬの最終光学素子ＦＬと第３ステージ５３との間に液体ＬＱを保持した状態で、第１基板ステージ４を−Ｘ方向に移動し、第２基板ステージ５を＋Ｙ方向に移動する。次いで、図４９に示すように、制御装置７は、第１基板ステージ４を＋Ｙ方向に移動し、第２基板ステージ５を−Ｙ方向に移動することによって、第１基板ステージ４を第３ステージ５３の−Ｘ側に移動し、第２基板ステージ５を第３ステージ５３の＋Ｘ側に移動する。更に、制御装置７は、図５０に示すように、第１基板ステージ４を＋Ｙ方向に移動し、第２基板ステージ５を−Ｙ方向に移動する。
図５１に示すように、制御装置７は、第２基板ステージ５の＋Ｙ側の側面と第３ステージ５３の−Ｙ側の側面とを接近（又は接触）させ、第２基板ステージ５及び第３ステージ５３＋Ｙ方向に一緒に移動する。これにより、図５２に示すように、第３ステージ５３の上面５３Ｆに形成されている液浸領域ＬＲは、第２基板ステージ５の上面５Ｆに移動する。また、本実施形態では、制御装置７は、液浸領域ＬＲを第３ステージ５３上から第２基板ステージ５上に移動するとき、第３ステージ５３の＋Ｙ側の側面と第１基板ステージ４の−Ｙ側の側面とを接近（又は接触）させており、第１基板ステージ４を第２基板ステージ５及び第３ステージ５３と一緒に＋Ｙ方向に移動している。
以上により、本実施形態では、液浸領域ＬＲが第２基板ステージ５に保持されている基板Ｐ上に移動され、第２基板ステージ５上の基板Ｐが液浸露光される。また、露光処理を終えた基板Ｐを保持する第１基板ステージ４は、計測ステーションＳＴ２に移動される。制御装置７は、計測ステーションＳＴ２に移動した第１基板ステージ４上の露光処理済みの基板Ｐをアンロードするとともに、露光処理されるべき基板Ｐを第１基板ステージ４にロードする。そして、制御装置７は、第１基板ステージ４にロードした基板Ｐの計測を行う。
第２基板ステージ５上の基板Ｐの露光処理が終了した後、上述と同様の動作で、第２基板ステージ５の上面５Ｆに形成されている液浸領域ＬＲが第３ステージ５３の上面５３Ｆに移動した後、第１基板ステージ４の上面４Ｆに移動する。制御装置７は、上述の動作を繰り返し、第１基板ステージ４上の基板Ｐの露光と第２基板ステージ５上の基板Ｐの露光とを交互に繰り返す。
以上説明したように、本実施形態においても、第３ステージ５３を介して、第１基板ステージ４の上面４Ｆと第２基板ステージ５の上面５Ｆとの間で、液体ＬＱの液浸領域ＬＲを移動することができるので、液浸システム１による液体ＬＱの供給を停止することなく、光路空間Ｋを液体ＬＱで満たし続けることができる。したがって、液体ＬＱの供給の停止等に伴う露光装置ＥＸの稼動率の低下を抑えることができる。また、第１基板ステージ４の上面４Ｆと第２基板ステージ５の上面５Ｆとの間での液浸領域ＬＲの移動は、第３ステージ５３を介して行われ、第１基板ステージ４と第２基板ステージ５との間には第３ステージ５３が介在されるので、第１基板ステージ４と第２基板ステージ５が衝突することが防止される。
＜第１０実施形態＞
次に、第１０実施形態について図５３〜図７９を参照して説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
本実施形態において、マスクステージ３は、リニアモータ等のアクチュエータを含むマスクステージ駆動装置ＭＤの駆動により、マスクＭを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に移動可能である。マスクステージ３（ひいてはマスクＭ）の位置情報は、レーザ干渉システム２によって計測される。レーザ干渉システム２は、マスクステージ３上に設けられた移動鏡３Ｋを用いてマスクステージ３の位置情報を計測するレーザ干渉計２Ｍｘ、２Ｍｙを有している。レーザ干渉計２Ｍｘは、Ｘ軸方向を計測軸とする計測光を移動鏡３Ｋに照射可能であり、マスクステージ３のＸ軸方向に関する位置を計測する。レーザ干渉計２Ｍｙは、Ｙ軸方向を計測軸とする計測光を移動鏡３Ｋに照射可能であり、マスクステージ３のＹ軸方向に関する位置を計測する。また、レーザ干渉計２Ｍｘ及びレーザ干渉計２Ｍｙの少なくとも一方を複数設け、Ｘ軸方向を計測軸とする計測光及びＹ軸方向を計測軸とする計測光の少なくとも一方を複数照射することにより、レーザ干渉システム２は、その複数の計測光を用いて、マスクステージ３のθＺ方向の位置情報を計測可能である。制御装置７は、レーザ干渉システム２の計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置ＭＤを駆動し、マスクステージ３に保持されているマスクＭの位置制御を行う。
次に、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ４、５について、図５３及び図５４を参照しながら説明する。図５４は基板ステージ４、５を上方から見た平面図である。
図５３及び図５４において、第１基板ステージ４は、ステージ本体４Ｂと、ステージ本体４Ｂ上に搭載された第１基板テーブル４Ｔと、第１基板テーブル４Ｔに設けられ、基板Ｐを保持する基板ホルダ４Ｈとを備えている。基板ホルダ４Ｈは、第１基板テーブル４Ｔ上に設けられた凹部４Ｒに配置されている。第１基板テーブル４Ｔの凹部４Ｒの周囲の上面４Ｆは、基板ホルダ４Ｈに保持された基板Ｐの表面とほぼ同じ高さ（面一）になるような平坦面となっている。なお、基板ホルダ４Ｈに保持された基板Ｐの表面と第１基板テーブル４Ｔの上面４Ｆとの間に段差があってもよい。
第２基板ステージ５は、第１基板ステージ４と同等の構成を有し、ステージ本体５Ｂと、ステージ本体５Ｂ上に搭載された第２基板テーブル５Ｔと、第２基板テーブル５Ｔに設けられ、基板Ｐを保持する基板ホルダ５Ｈとを備えている。基板ホルダ５Ｈは、第２基板テーブル５Ｔ上に設けられた凹部５Ｒに配置されている。第２基板テーブル５Ｔの凹部５Ｒの周囲の上面５Ｆは、基板ホルダ５Ｈに保持された基板Ｐの表面とほぼ同じ高さ（面一）になるような平坦面となっている。なお、基板ホルダ５Ｈに保持された基板Ｐの表面と第２基板テーブル５Ｔの上面５Ｆとの間に段差があってもよい。
また、ステージ本体４Ｂ、基板テーブル４Ｔ、及び基板ホルダ４Ｈを含む第１基板ステージ４と、ステージ本体５Ｂ、基板テーブル５Ｔ、及び基板ホルダ５Ｈを含む第２基板ステージ５とは、ほぼ同じ形状及び大きさを有している。図５４に示すように、本実施形態においては、第１、第２基板ステージ４、５の基板テーブル４Ｔ、５Ｔのそれぞれは、ＸＹ方向において（平面視において）ほぼ矩形状である。基板テーブル４Ｔ、５Ｔのそれぞれの上面４Ｆ、５Ｆには、４つのコーナーＥ１〜Ｅ４が設けられている。これら４つのコーナーＥ１〜Ｅ４は、基板ホルダ４Ｈ、５Ｈに保持された基板Ｐの周囲に設けられており、最終光学素子ＦＬと対向可能である。すなわち、第１、第２基板ステージ４、５は、基板ホルダ４Ｈ、５Ｈに保持された基板Ｐの周囲に、最終光学素子ＦＬと対向可能な４つのコーナーＥ１〜Ｅ４をそれぞれ有している。
以下の説明においては、基板テーブル４Ｔ、５Ｔの上面４Ｆ、５Ｆのそれぞれの４つのコーナーのうち、−Ｘ側であって−Ｙ側のコーナーを第１コーナーＥ１、−Ｘ側であって＋Ｙ側のコーナーを第２コーナーＥ２、＋Ｘ側であって＋Ｙ側のコーナーを第３コーナーＥ３、＋Ｘ側であって−Ｙ側のコーナーを第４コーナーＥ４、と適宜称する。
露光装置ＥＸは、第１、第２基板ステージ４、５を駆動する基板ステージ駆動装置ＰＤを備えている。基板ステージ駆動装置ＰＤは、第１駆動系ＰＤ１と第２駆動系ＰＤ２とを備える。第１駆動系ＰＤ１は、ステージ本体４Ｂ、５Ｂのそれぞれを、ベース部材ＢＰ上でＸ軸方向、Ｙ軸方向、及びθＺ方向に移動することによって、そのステージ本体４Ｂ、５Ｂ上に搭載されている基板テーブル４Ｔ、５ＴをＸ軸方向、Ｙ軸方向、及びθＺ方向に移動可能である。第２駆動系ＰＤ２は、ステージ本体４Ｂ、５Ｂに対して基板テーブル４Ｔ、５ＴをＺ軸方向、θＸ方向、及びθＹ方向に移動可能である。
図５３に示すように、第１、第２基板ステージ４、５のステージ本体４Ｂ、５Ｂのそれぞれは、エアベアリング４Ａ、５Ａにより、ベース部材ＢＰの上面（ガイド面）に対して非接触支持されている。ベース部材ＢＰの上面はＸＹ平面とほぼ平行である。第１基板ステージ４と第２基板ステージ５とは、ベース部材ＢＰ上をＸＹ平面に沿ってそれぞれ独立して移動可能である。
基板ステージ駆動装置ＰＤの第１駆動系ＰＤ１は、リニアモータ等のアクチュエータを含み、ベース部材ＢＰ上に非接触支持されているステージ本体４Ｂ、５ＢをＸ軸方向、Ｙ軸方向、及びθＺ方向に駆動可能である。図５４において、第１駆動系ＰＤ１は、リニアモータ８０、８１、８２、８３、８４、８５を備えている。第１駆動系ＰＤ１は、Ｙ軸方向に延びる一対のＹ軸リニアガイド９１、９３を備えている。Ｙ軸リニアガイド９１、９３のそれぞれは、Ｘ軸方向に所定間隔を隔てて配置されている。Ｙ軸リニアガイド９１、９３のそれぞれは、例えばＹ軸方向に沿って所定間隔で且つ交互に配置されたＮ極磁石及びＳ極磁石の複数の組からなる永久磁石群を内蔵する磁石ユニットを含む。一方のＹ軸リニアガイド９１上には、２つのスライダ９０、９４が、非接触状態でＹ軸方向に移動可能に支持されている。同様に、他方のＹ軸リニアガイド９３上には、２つのスライダ９２、９５が、非接触状態でＹ軸方向に移動可能に支持されている。スライダ９０、９２、９４、９５のそれぞれは、例えばＹ軸に沿って所定間隔で配置された電機子コイルをそれぞれ内蔵するコイルユニットを含む。すなわち、本実施形態では、コイルユニットからなるスライダ９０、９４と磁石ユニットからなるＹ軸リニアガイド９１とによって、ムービングコイル型のＹ軸リニアモータ８２、８４のそれぞれの少なくとも一部が構成されている。同様に、スライダ９２、９５とＹ軸リニアガイド９３とによって、ムービングコイル型のＹ軸リニアモータ８３、８５のそれぞれの少なくとも一部が構成されている。
Ｙ軸リニアモータ８２、８３のスライダ９０、９２は、Ｘ軸方向に延びるＸ軸リニアガイド８７の長手方向の一端及び他端のそれぞれに固定されている。また、Ｙ軸リニアモータ８４、８５のスライダ９４、９５は、Ｘ軸方向に延びるＸ軸リニアガイド８９の長手方向の一端及び他端のそれぞれに固定されている。したがって、Ｘ軸リニアガイド８７は、Ｙ軸リニアモータ８２、８３によってＹ軸方向に移動可能であり、Ｘ軸リニアガイド８９は、Ｙ軸リニアモータ８４、８５によってＹ軸方向に移動可能である。
Ｘ軸リニアガイド８７、８９のそれぞれは、例えばＸ軸方向に沿って所定間隔で配置された電機子コイルを内蔵するコイルユニットを含む。一方のＸ軸リニアガイド８７上には、スライダ８６が非接触状態でＸ軸方向に移動可能に支持されている。同様に、他方のＸ軸リニアガイド８９上には、スライダ８８が非接触状態でＸ軸方向に移動可能に支持されている。スライダ８６、８８は、例えばＸ軸方向に沿って所定間隔で且つ交互に配置されたＮ極磁石及びＳ極磁石の複数の組からなる永久磁石群を有する磁石ユニットを含む。
また、図５４において、第１、第２基板ステージ４、５のそれぞれは、例えば特表２０００−５１１７０４号公報、特開２００１−２２３１５９号公報に開示されているような継手部材９６、９８を介して、スライダ８６、８８にリリース可能に接続されている。第１基板ステージ４は、ステージ本体４Ｂの−Ｙ側の側面に設けられた第１継手部材２４１と、＋Ｙ側の側面に設けられた第２継手部材２４２とを備えている。同様に、第２基板ステージ５は、ステージ本体５Ｂの−Ｙ側の側面に設けられた第３継手部材５１と、＋Ｙ側の側面に設けられた第４継手部材２５２とを備えている。スライダ８６に設けられた継手部材９６は、ステージ本体４Ｂ、５Ｂの第１、第３継手部材２４１、２５１のそれぞれと交互に接続される。スライダ８８に設けられた継手部材９８は、ステージ本体４Ｂ、５Ｂの第２、第４継手部材２４２、２５２のそれぞれと交互に接続される。これら継手部材により、スライダ８６は、第１、第２基板ステージ４、５と交互に接続され、スライダ８８は、第１、第２基板ステージ４、５と交互に接続される。
スライダ８６とＸ軸リニアガイド８７とによって、スライダ８６に継手部材９６を介して接続された第１基板ステージ４のステージ本体４Ｂ又は第２基板ステージ５のステージ本体５ＢをＸ軸方向に駆動するムービングマグネット型のＸ軸リニアモータ８０の少なくとも一部が構成される。スライダ８８とＸ軸リニアガイド８９とによって、スライダ８８に継手部材９８を介して接続された第２基板ステージ５のステージ本体５Ｂ又は第１基板ステージ４のステージ本体４ＢをＸ軸方向に駆動するムービングマグネット型のＸ軸リニアモータ８１の少なくとも一部が構成されている。制御装置７は、Ｘ軸リニアモータ８０、８１を駆動することによって、第１、第２基板ステージ４、５のＸ軸方向の位置を制御可能である。
また、制御装置７は、一対のＹ軸リニアモータ８２、８３を用いて、Ｘ軸リニアガイド８７を駆動することによって、スライダ８６に継手部材９６を介して接続された第１基板ステージ４又は第２基板ステージ５のＹ軸方向の位置を制御可能である。同様に、制御装置７は、一対のＹ軸リニアモータ８４、８５を用いて、Ｘ軸リニアガイド８９を駆動することによって、スライダ８８に継手部材９８を介して接続された第１基板ステージ４又は第２基板ステージ５のＹ軸方向の位置を制御可能である。また、制御装置７は、一対のＹ軸リニアモータ８２、８３のそれぞれの駆動量（推力）を僅かに異ならせることで、スライダ８６に接続された第１、第２基板ステージ４、５のθＺ方向の位置を制御可能である。同様に、制御装置７は、一対のＹ軸リニアモータ８４、８５のそれぞれの駆動量（推力）を僅かに異ならせることで、スライダ８８に接続された第１、第２基板ステージ４、５のθＺ方向の位置を制御可能である。
図５３に示すように、基板ステージ駆動装置ＰＤの第２駆動系ＰＤ２は、ステージ本体４Ｂ、５Ｂと基板テーブル４Ｔ、５Ｔとの間に介在された、例えばボイスコイルモータ等のアクチュエータ４Ｖ、５Ｖと、各アクチュエータの駆動量を計測する不図示の計測装置（エンコーダなど）とを含む。図５３に示すように、基板テーブル４Ｔは、少なくとも３つのアクチュエータ４Ｖによってステージ本体４Ｂ上に支持されている。アクチュエータ４Ｖのそれぞれは、ステージ本体４Ｂに対して基板テーブル４ＴをＺ軸方向に独立して駆動可能である。制御装置７は、３つのアクチュエータ４Ｖそれぞれの駆動量を調整することによって、ステージ本体４Ｂに対して基板テーブル４Ｔを、Ｚ軸方向、θＸ方向、及びθＹ方向に駆動する。同様に、基板テーブル５Ｔは、少なくとも３つのアクチュエータ５Ｖによってステージ本体５Ｂ上に支持されている。制御装置７は、３つのアクチュエータ５Ｖのそれぞれの駆動量を調整することによって、ステージ本体５Ｂに対して基板テーブル５Ｔを、Ｚ軸方向、θＸ方向、及びθＹ方向に駆動する。
このように、第１、第２駆動系ＰＤ１、ＰＤ２を含む基板ステージ駆動装置ＰＤは、第１、第２基板ステージ４、５の基板テーブル４Ｔ、５Ｔのそれぞれを、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に移動可能である。制御装置７は、基板ステージ駆動装置ＰＤを制御することにより、基板テーブル４Ｔ、５Ｔの基板ホルダ４Ｈ、５Ｈに保持された基板Ｐの表面のＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に関する位置を制御可能である。
また、図５４に示すように、露光装置ＥＸは、ベース部材ＢＰ上に設定された第１領域ＳＰ１、第２領域ＳＰ２、及び第３領域ＳＰ３を備えている。第１領域ＳＰ１は、投影光学系ＰＬの最終光学素子ＦＬと対向する領域を含み、露光ステーションＳＴ１の少なくとも一部を構成する領域である。第２領域ＳＰ２は、第１領域ＳＰ１とは異なる領域であって、計測ステーションＳＴ２の少なくとも一部を構成する領域である。第３領域ＳＰ３は、第１領域ＳＰ１と第２領域ＳＰ２との間の領域であって、例えば特表２０００−５１１７０４号公報、特開２００１−２２３１５９号公報などに開示されているような、スライダ８６と基板ステージ４（又は５）との接続解除、及びスライダ８８と基板ステージ５（又は４）との接続解除と、スライダ８６と基板ステージ５（又は４）との接続、及びスライダ８８と基板ステージ４（又は５）との接続とが行われる領域である。
制御装置７は、基板ステージ駆動装置ＰＤ（第１駆動系ＰＤ１）を用いて、第１基板ステージ４を、第１領域ＳＰ１、第２領域ＳＰ２、及び第３領域ＳＰ３を含むベース部材ＢＰ上の所定領域内で移動可能である。同様に、制御装置７は、基板ステージ駆動装置ＰＤ（第１駆動系ＰＤ１）を用いて、第２基板ステージ５を、第１領域ＳＰ１、第２領域ＳＰ２、及び第３領域ＳＰ３を含むベース部材ＢＰ上の所定領域内で、第１基板ステージ４とは独立して移動可能である。
次に、図５３を参照しながら、第１、第２基板ステージ４、５の位置情報を計測するレーザ干渉システム２の一例について説明する。レーザ干渉システム２は、第１、第２基板ステージ４、５の基板テーブル４Ｔ、５Ｔの所定位置に設けられた反射面２Ｋａ、２Ｋｂを用いて、基板テーブル４Ｔ、５ＴのＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に関する位置情報を計測可能である。
レーザ干渉システム２は、第１、第２基板ステージ４、５の基板テーブル４Ｔ、５Ｔのそれぞれの所定位置に設けられた反射面２Ｋａ、２Ｋｂを用いて、第１、第２基板ステージ４、５（基板テーブル４Ｔ、５Ｔ）の位置情報を計測するレーザ干渉計２Ｐｘ、２Ｐｙ、２Ｐｚを有している。レーザ干渉計２Ｐｘ、２Ｐｙ、２Ｐｚは、露光ステーションＳＴ１及び計測ステーションＳＴ２のそれぞれに設けられている。露光ステーションＳＴ１に設けられたレーザ干渉計２Ｐｘ、２Ｐｙ、２Ｐｚは、露光ステーションＳＴ１に存在する第１基板ステージ４（又は第２基板ステージ５）の位置情報を計測する。計測ステーションＳＴ２に設けられたレーザ干渉計２Ｐｘ、２Ｐｙ、２Ｐｚは、計測ステーションＳＴ２に存在する第２基板ステージ５（又は第１基板ステージ４）の位置情報を計測する。
レーザ干渉計２Ｐｘは、Ｘ軸方向を計測軸とする計測光を反射面２Ｋａに照射可能であり、第１、第２基板ステージ４、５のＸ軸方向に関する位置を計測する。レーザ干渉計２Ｐｙは、Ｙ軸方向を計測軸とする計測光を反射面２Ｋａに照射可能であり、第１、第２基板ステージ４、５のＹ軸方向に関する位置を計測する。
レーザ干渉計２Ｐｚは、Ｚ軸方向を計測軸とする計測光を反射面２Ｋｂに照射可能であり、第１、第２基板ステージ４、５のＺ軸方向に関する位置を計測する。反射面２Ｋｂは、上方を向くように所定角度（例えば４５度）傾斜しており、レーザ干渉計２Ｐｚから射出され、反射面２Ｋｂに照射された計測光は、反射面２Ｋｂで反射し、所定の支持フレームＦＣに設けられた反射面２Ｋｃに照射される。その反射面２Ｋｃで反射した計測光は、基板テーブル４Ｔ、５Ｔの反射面２Ｋｂを通過した後、レーザ干渉計２Ｐｚに受光される。レーザ干渉計２Ｐｚは、その受光した計測光を用いて、第１、第２基板ステージ４、５のＺ軸方向の位置情報を計測可能である。なお、基板テーブル（基板ステージ）のＺ軸方向の位置情報を計測可能なレーザ干渉計（Ｚ干渉計）に関する技術は、例えば特開２０００−３２３４０４号公報、特表２００１−５１３２６７号公報などに開示されている。
また、レーザ干渉計２Ｐｘ及びレーザ干渉計２Ｐｙの少なくとも一方を複数設け、Ｘ軸方向を計測軸とする計測光及びＹ軸方向を計測軸とする計測光の少なくとも一方を複数照射することにより、レーザ干渉システム２は、その複数の計測光を用いて、第１、第２基板ステージ４、５のθＺ方向の位置情報を計測可能である。また、レーザ干渉計２Ｐｚを複数設け、Ｚ軸方向を計測軸とする計測光を複数照射することにより、レーザ干渉システム２は、その複数の計測光を用いて、第１、第２基板ステージ４、５のθＸ、θＹ方向の位置情報を計測可能である。
制御装置７は、レーザ干渉システム２の計測結果に基づいて基板ステージ駆動装置ＰＤを駆動し、第１、第２基板ステージ４、５の基板テーブル４Ｔ、５Ｔの位置制御、ひいては基板テーブル４Ｔ、５Ｔの基板ホルダ４Ｈ、５Ｈに保持されている基板Ｐの位置制御を行う。
以下の説明においては、レーザ干渉計２Ｐｘ、２Ｐｙ、２Ｐｚのそれぞれを、Ｘ干渉計２Ｐｘ、Ｙ干渉計２Ｐｙ、Ｚ干渉計２Ｐｚ、と適宜称する。
露光ステーションＳＴ１には、投影光学系ＰＬ、及び液浸システム１などが設けられている。露光ステーションＳＴ１では、投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介して基板Ｐが露光される。計測ステーションＳＴ２には、基板Ｐの露光に関する計測を行う計測系（８、９）が設けられている。計測ステーションＳＴ２では、露光に関する計測及び基板Ｐの交換が行われる。第１基板ステージ４及び第２基板ステージ５のそれぞれは、基板Ｐを保持した状態で、露光ステーションＳＴ１の投影光学系ＰＬの下の第１領域ＳＰ１と、計測ステーションＳＴ２の計測系（８、９）の下の第２領域ＳＰ２との間で移動可能である。
計測ステーションＳＴ２には、第１、第２基板ステージ４、５に保持されている基板Ｐの表面の面位置情報（Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する面位置情報）を検出するフォーカス・レベリング検出系８が設けられている。フォーカス・レベリング検出系８は、基板Ｐの表面に斜め方向より検出光Ｌａを照射する投射系８Ａと、基板Ｐの表面に照射され、その基板Ｐの表面で反射した検出光Ｌａを受光可能な受光系８Ｂとを備えている。本実施形態においては、投射系８Ａ、及び受光系８Ｂは、支持機構８Ｆを介して支持フレームＦＣに支持されている。フォーカス・レベリング検出系８は、計測ステーションＳＴ２で、第１基板ステージ４に保持された基板Ｐの表面の面位置情報と、第２基板ステージ５に保持された基板Ｐの表面の面位置情報とを交互に検出する。
また、第１、第２基板ステージ４、５の基板テーブル４Ｔ、５Ｔのそれぞれには、最終光学素子ＦＬと対向可能な、露光に関する計測を行う計測領域２７４、２７５が設けられている。計測ステーションＳＴ２には、計測領域２７４、２７５に設けられた基準マーク２７２、及び第１、第２基板ステージ４、５に保持された基板Ｐ上に設けられたアライメントマークを検出するためのマーク検出系２０９が設けられている。
また、図５４に示すように、計測ステーションＳＴ２の近傍には、基板Ｐの交換を行うための搬送系Ｈが設けられている。制御装置７は、搬送系Ｈを用いて、計測ステーションＳＴ２の基板交換位置（ローディングポジション）ＲＰに移動した第１基板ステージ４（又は第２基板ステージ５）上より露光処理済みの基板Ｐをアンロード（搬出）するとともに、露光処理されるべき基板Ｐを第１基板ステージ４（又は第２基板ステージ５）にロード（搬入）するといった基板交換作業を行うことができる。
図５４に示すように、第１、第２基板ステージ４、５の基板テーブル４Ｔ、５Ｔのそれぞれには、最終光学素子ＦＬと対向可能な、露光に関する計測を行う計測領域２７４、２７５が設けられている。計測領域２７４（２７４Ａ、２７５Ｂ）は、第１基板ステージ４の基板テーブル４Ｔ上の所定位置に設けられている。基板テーブル４Ｔは２つの計測領域２７４Ａ、２７４Ｂを有している。第１計測領域２７４Ａは、基板テーブル４Ｔの上面４Ｆのうち、第２コーナーＥ２に設けられている。第２計測領域２７４Ｂは、第３コーナーＥ３に設けられている。また、計測領域２７５（２７５Ａ、２７５Ｂ）は、第２基板ステージ５の基板テーブル５Ｔ上の所定位置に設けられている。基板テーブル５Ｔも、基板テーブル４Ｔと同様、２つの計測領域２７５Ａ、２７５Ｂを有している。第１計測領域２７５Ａは、基板テーブル５Ｔの上面５Ｆのうち、第２コーナーＥ２に設けられている。第２計測領域２７５Ｂは、第３コーナーＥ３に設けられている。
第１基板ステージ４上の第１、第２計測領域２７４Ａ、２７４Ｂ、及び第２基板ステージ５上の第１、第２計測領域２７５Ａ、２７５Ｂのそれぞれには、例えば特開２００２−１５８１６８号公報に開示されているような、基準面２７１、基準マーク（基準マスク）２７２、及び開口２７３が設けられている。開口２７３の下（基板テーブル４Ｔ、５Ｔの内部）には、開口２７３を通過した光を受光可能な光センサ２７０が設けられている。
次に、図５５を参照しながら液浸システム１について説明する。上述のように、本実施形態の露光装置ＥＸは、最終光学素子ＦＬの光射出側の光路空間Ｋを液体ＬＱで満たした状態で露光を行う液浸露光装置であり、光路空間Ｋを液体ＬＱで満たすための液浸システム１を備えている。液浸システム１は、例えば例えば特開２００４−２８９１２６号公報、特開２００４−２８９１２８号公報に開示されているような、最終光学素子ＦＬを囲むように設けられ、最終光学素子ＦＬの光射出側の光路空間Ｋを含む所定空間を液体ＬＱで満たすためのシール部材２１２を備えている。
本実施形態のシール部材２１２は、光路空間Ｋに対して液体ＬＱの供給及び回収を行う流路２１３を備えている。液浸システム１は、流路２１３を介して光路空間Ｋに液体ＬＱを供給する液体供給装置及び液体ＬＱを回収する液体回収装置を備えている。液体供給装置は、流路２１３を介して光路空間Ｋに液体ＬＱを供給可能であり、液体回収装置は、流路２１３を介して光路空間Ｋの液体ＬＱを回収可能である。
また、本実施形態のシール部材２１２は、シール部材２１２の下面と基板Ｐの表面との間で、液体ＬＱを閉じこめるためのガスシール２１６を形成するガス導入口１５及びガス導出口２１４を備えている。シール部材２１２の下面には、ガス導入口１５に接続され、光路空間Ｋを囲むように環状に形成された第１溝２１８と、ガス導出口２１４に接続され、光路空間Ｋを囲むように環状に形成された第２溝２１９とが形成されている。第１溝２１８は、光路空間Ｋに対して第２溝２１９よりも外側に形成されている。
制御装置７は、ガス導入口１５を介したガス導入（供給）動作、及びガス導出口２１４を介したガス導出（吸引）動作により、シール部材２１２の下面と基板Ｐの表面との間に、流体ベアリング（ガスベアリング）２２０を形成可能である。シール部材２１２の下面と基板Ｐの表面との間には、与圧真空型のガスベアリング２２０が形成される。ガスベアリング２２０により、シール部材２１２の下面と基板Ｐの表面とのギャップＧ（例えば、０．１〜１．０ｍｍ）が維持される。
また、シール部材２１２は、支持機構２１２Ｆを介して支持フレームＦＣに支持されている。支持機構２１２Ｆは、例えばばね部材、フレクシャ等の弾性部材あるいは可撓性部材を含み、シール部材２１２を柔らかく（揺動可能に）に支持する。シール部材２１２の下面と基板Ｐの表面との間にはガスベアリング２２０が形成され、シール部材２１２は支持機構２１２Ｆによって柔らかく支持されている。シール部材２１２の下面と対向している基板Ｐの位置及び姿勢が変化しても、その基板Ｐの位置及び姿勢の変化に追従するように、シール部材２１２の位置及び姿勢が変化する。したがって、基板Ｐの位置及び姿勢が変化しても、シール部材２１２の下面と基板Ｐの表面との間のギャップＧは維持される。
基板ホルダ４Ｈは、基板テーブル４Ｔの上面４Ｆの所定位置に形成された凹部４Ｒの内側に設けられている。図５５に示すように、凹部４Ｒの内側には、その凹部４Ｒの内側に配置された基板Ｐの下面と対向可能な上面２５０が設けられている。その上面２５０には、基板Ｐの下面を支持する複数のピン状部材からなる支持部２８１と、基板Ｐの下面と対向する上面を有し、支持部２８１を囲むように設けられた周壁２８２とが設けられている。また、上面２５０には、不図示の真空系と接続された吸気口２５３が設けられている。制御装置７は、真空系を駆動し、上面２５０と周壁２８２と支持部２８１に支持された基板Ｐの下面との間で形成される空間２５４の気体を吸気口２５３を介して吸引することによってその空間２５４を負圧にすることにより、基板Ｐの下面を支持部２８１で吸着保持する。すなわち、本実施形態の基板ホルダ４Ｈは、所謂ピンチャック機構を備えており、基板Ｐを吸着保持可能である。また、制御装置７は、吸気口２５３を介した吸引動作を解除することにより、基板ホルダ４Ｈに対して基板Ｐを離すことができる。このように、基板ホルダ４Ｈは、基板Ｐをリリース可能に保持する。
基板ホルダ５Ｈも、基板ホルダ４Ｈと同等の構成を有しており、基板テーブル５Ｔの上面５Ｆの所定位置に形成された凹部５Ｒの内側に設けられている。そして、基板ホルダ５Ｈも、基板Ｐをリリース可能に保持する。
また、第１基板ステージ４の基板ホルダ４Ｈに保持された基板Ｐの上面の周囲には、第１基板ステージ４の上面４Ｆが配置される。基板ホルダ４Ｈに保持された基板Ｐの上面と第１基板ステージ４の上面４Ｆとはほぼ面一となる。同様に、第２基板ステージ５の基板ホルダ５Ｈに保持された基板Ｐの上面の周囲には、第２基板ステージ５の上面５Ｆが配置される。基板ホルダ５Ｈに保持された基板Ｐの上面と第２基板ステージ５の上面５Ｆとはほぼ面一となる。
また、基板ホルダ４Ｈ、５Ｈに保持された基板Ｐの側面と対向するように、基板ステージ４の凹部４Ｒ、５Ｒの内側面が配置される。基板Ｐの側面と基板ステージ４、５の内側面との間には所定のギャップが形成される。基板ホルダ４Ｈ、５Ｈに保持された基板Ｐの側面と基板ステージ４、５の内側面との間に形成されるギャップは、例えば０．１〜１ｍｍ程度と僅かである。したがって、基板Ｐの上面と基板ステージ４、５の上面４Ｆ、５Ｆとの間から液体ＬＱが基板ステージ４、５の内部及び基板Ｐの下面側に浸入することが抑制されている。
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、例えば特開２００４−２８９１２８号公報に開示されているような、最終光学素子ＦＬとの間で液体ＬＱを保持可能なキャップ部材３０を備えている。キャップ部材３０は、シール部材２１２によって形成される液浸領域ＬＲの大きさ及び形状に応じて形成されている。本実施形態においては、キャップ部材３０は、基板Ｐとほぼ同じ厚さで、平面視略円形状の板状部材である。また、キャップ部材３０の表面は液体ＬＱに対して撥液性を有している。本実施形態では、キャップ部材３０は、例えばポリ四フッ化エチレンを含むフッ素系樹脂材料等の撥液性を有する材料によって形成されている。なお、キャップ部材３０をステンレス鋼、チタン等の所定の金属で形成し、その表面に撥液性を有する材料を被覆するようにしてもよい。
シール部材２１２は、最終光学素子ＦＬと対向するようにキャップ部材３０をリリース可能に保持することができる。シール部材２１２は、キャップ部材３０とシール部材２１２との間にガスベアリング２２０を形成することによって生じる吸着作用を利用して、シール部材２１２の下面とキャップ部材３０の上面との間に所定のギャップを維持した状態で、キャップ部材３０を保持する。
また、第１基板ステージ４の基板テーブル４Ｔは、キャップ部材３０をリリース可能に保持する第１キャップホルダ４Ｃを備えている。同様に、第２基板ステージ５の基板テーブル５Ｔは、キャップ部材３０をリリース可能に保持する第２キャップホルダ５Ｃを備えている。
第１キャップホルダ４Ｃは、基板テーブル４Ｔ上の所定位置に設けられ、第２キャップホルダ５Ｃは、基板テーブル５Ｔ上の所定位置に設けられている。上述のように、第１基板ステージ４の基板テーブル４Ｔ及び第２基板ステージ５の基板テーブル５Ｔは、ほぼ同じ形状及び大きさである。本実施形態においては、第１キャップホルダ４Ｃと第２キャップホルダ５Ｃとは、基板テーブル４Ｔ、５Ｔ上でほぼ同じ位置に設けられている。具体的には、図５４に示すように、第１、第２キャップホルダ４Ｃ、５Ｃは、基板テーブル４Ｔ、５Ｔのそれぞれの第１コーナーＥ１に設けられている。
図５５に示すように、第１キャップホルダ４Ｃは、基板テーブル４Ｔの上面４Ｆの所定位置に形成された凹部４Ｄの内側に設けられている。凹部４Ｄの内側には、その凹部４Ｄの内側に配置されたキャップ部材３０の下面と対向可能な上面２６０が設けられている。その上面２６０には、キャップ部材３０の下面の周縁領域と対向する上面を有する周壁２６２が設けられている。また、上面２６０には、不図示の真空系と接続された吸気口２６３が設けられている。制御装置７は、真空系を駆動し、上面２６０と周壁２６２とその周壁２６２に支持されたキャップ部材３０の下面との間で形成される空間２６４の気体を吸気口２６３を介して吸引することによってその空間２６４を負圧にすることにより、キャップ部材３０の下面を吸着保持する。すなわち、本実施形態の第１キャップホルダ４Ｃは、所謂真空チャック機構を備えており、キャップ部材３０を吸着保持可能である。また、制御装置７は、吸気口２６３を介した吸引動作を解除することにより、第１キャップホルダ４Ｃの上面２６０からキャップ部材３０を離すことができる。このように、第１キャップホルダ４Ｃは、キャップ部材３０をリリース可能に保持する。
第２キャップホルダ５Ｃも、第１キャップホルダ４Ｃと同等の構成を有しており、基板テーブル５Ｔの上面５Ｆの所定位置に形成された凹部５Ｄの内側に設けられている。第２キャップホルダ５Ｃも、キャップ部材３０をリリース可能に保持する。
また、第１キャップホルダ４Ｃに保持されたキャップ部材３０の上面の周囲には、第１基板ステージ４の上面４Ｆが配置される。第１キャップホルダ４Ｃに保持されたキャップ部材３０の上面と第１基板ステージ４の上面４Ｆとはほぼ面一となる。同様に、第２キャップホルダ５Ｃに保持されたキャップ部材３０の上面の周囲には、第２基板ステージ５の上面５Ｆが配置される。第２キャップホルダ５Ｃに保持されたキャップ部材３０の上面と第２基板ステージ５の上面５Ｆとはほぼ面一となる。
また、第１、第２キャップホルダ４Ｃ、５Ｃに保持されたキャップ部材３０の側面と対向する位置には、基板ステージ４の凹部４Ｄ、５Ｄの内側面が配置される。キャップ部材３０の側面と基板ステージ４、５の内側面との間には所定のギャップが形成される。第１、第２キャップホルダ４Ｃ、５Ｃに保持されたキャップ部材３０の側面と第１、第２基板ステージ４、５の内側面との間に形成されるギャップは、例えば０．１〜１ｍｍ程度と僅かである。したがって、キャップ部材３０の上面と第１、第２基板ステージ４、５の上面４Ｆ、５Ｆとの間から液体ＬＱが第１、第２基板ステージ４、５の内部及びキャップ部材３０の下面側に浸入することが抑制されている。
本実施形態において、露光装置ＥＸは、キャップ部材３０を１つ備えている。したがって、キャップ部材３０が第１基板ステージ４の第１キャップホルダ４Ｃに保持されているときには、第２基板ステージ５の第２キャップホルダ５Ｃにはキャップ部材３０は保持されず、何も無い状態となる。同様に、キャップ部材３０が第２基板ステージ５の第２キャップホルダ５Ｃに保持されているときには、第１基板ステージ４の第１キャップホルダ４Ｃにはキャップ部材３０は保持されず、何も無い状態となる。
次に、露光装置ＥＸの基本的な動作について図５６のフローチャート図を参照しながら説明する。
本実施形態においては、第１、第２基板ステージ４、５の一方のステージ４（又は５）が露光ステーションＳＴ１の第１領域ＳＰ１に位置するときに、他方のステージ５（又は４）は、計測ステーションＳＴ２の第２領域ＳＰ２で所定の処理を行う。具体的には、制御装置７は、露光光ＥＬの光路空間Ｋを液体ＬＱで満たした状態で、第１基板ステージ４及び第２基板ステージ５のうち、露光ステーションＳＴ１に存在する一方のステージ４（又は５）の移動を制御しつつ、そのステージ４（又は５）に保持された基板Ｐを、投影光学系ＰＬと液体ＬＱとを介して露光する。一方、制御装置７は、計測ステーションＳＴ２に存在する他方のステージ５（又は４）に保持された未露光の基板Ｐの位置情報を、液体ＬＱを介さずに計測する。ここで、基板Ｐの位置情報とは、投影光学系ＰＬの像面など所定の基準面に対する基板Ｐの面位置情報（Ｚ、θＸ、θＹ方向の位置情報）、及び所定の基準位置に対する基板Ｐのアライメント情報（基板Ｐ上の複数のショット領域のＸ、Ｙ、θＺ方向の位置情報）の少なくとも一方を含む。
以下の説明においては、光路空間Ｋに液体ＬＱを満たさない状態を、ドライ状態、と適宜称し、光路空間Ｋに液体ＬＱを満たした状態を、ウエット状態、と適宜称する。また、投影光学系ＰＬと液体ＬＱとを介して形成される像面を、ウエット状態で形成される像面、と適宜称する。
制御装置７は、計測ステーションＳＴ２において、基板Ｐの交換、及び所定の計測処理を開始する。例えば、制御装置７は、計測ステーションＳＴ２の基板交換位置ＲＰに第２基板ステージ５を配置し、搬送系Ｈを用いて、その第２基板ステージ５に露光処理されるべき基板Ｐをロードする。そして、制御装置７は、計測ステーションＳＴ２において、基板Ｐを保持した第２基板ステージ５に関する計測処理を開始する。一方、露光ステーションＳＴ１には、第１基板ステージ４が配置されており、計測ステーションＳＴ２で計測処理済みの基板Ｐの露光が開始される。
本実施形態において、計測ステーションＳＴ２における計測には、マーク検出系２０９及びフォーカス・レベリング検出系８を用いた検出動作が含まれる。制御装置７は、計測ステーションＳＴ２において、第２基板ステージ５をＸＹ方向に移動し、マーク検出系２０９の検出領域に、第２基板ステージ５上の第１計測領域２７５Ａを配置する。計測ステーションＳＴ２において、Ｘ干渉計２Ｐｘ及びＹ干渉計２Ｐｙは、第２基板ステージ５のＸ軸方向及びＹ軸方向の位置情報を計測し、マーク検出系２０９は、第２基板ステージ５上の第１計測領域２７５Ａに設けられた基準マーク２７２を、液体を使わずに検出する（ステップＳＡ１）。
これにより、制御装置７は、レーザ干渉システム２（Ｘ、Ｙ干渉計２Ｐｘ、２Ｐｙ）によって規定される座標系内における第１計測領域２７５Ａ上の基準マーク２７２のＸ軸方向及びＹ軸方向に関する位置情報を求めることができる。
また、計測ステーションＳＴ２において、Ｚ干渉計２Ｐｚは、第２基板ステージ５のＺ軸方向の位置情報を計測し、フォーカス・レベリング検出系８は、第２基板ステージ５上の第１計測領域２７５Ａに設けられた基準面２７１を、液体を使わずに検出する（ステップＳＡ２）。
これにより、制御装置７は、レーザ干渉システム２（Ｚ干渉計２Ｐｚ）によって規定される座標系内における第１計測領域２７５Ａ上の基準面２７１のＺ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する面位置情報を求めることができる。
次に、制御装置７は、計測ステーションＳＴ２において、第２基板ステージ５をＸＹ方向に移動し、マーク検出系２０９の検出領域に、第２基板ステージ５上の第２計測領域２７５Ｂを配置する。計測ステーションＳＴ２において、Ｘ干渉計２Ｐｘ及びＹ干渉計２Ｐｙは、第２基板ステージ５のＸ軸方向及びＹ軸方向の位置情報を計測し、マーク検出系２０９は、第２基板ステージ５上の第２計測領域２７５Ｂに設けられた基準マーク２７２を、液体を使わずに検出する（ステップＳＡ３）。
これにより、制御装置７は、レーザ干渉システム２（Ｘ、Ｙ干渉計２Ｐｘ、２Ｐｙ）によって規定される座標系内における第２計測領域２７５Ｂ上の基準マーク２７２のＸ軸方向及びＹ軸方向に関する位置情報を求めることができる。
また、計測ステーションＳＴ２において、Ｘ干渉計２Ｐｘ及びＹ干渉計２Ｐｙは、基板Ｐを保持した第２基板ステージ５のＸ軸方向及びＹ軸方向の位置情報を計測し、マーク検出系２０９は、基板Ｐ上の複数のショット領域に付随してその基板Ｐ上に設けられたアライメントマークを、液体を使わずに検出する（ステップＳＡ４）。
これにより、制御装置７は、レーザ干渉システム２（Ｘ、Ｙ干渉計２Ｐｘ、２Ｐｙ）によって規定される座標系内における各アライメントマークのＸ軸方向及びＹ軸方向に関する位置情報を求めることができる。
また、計測ステーションＳＴ２において、Ｚ干渉計２Ｐｚは、第２基板ステージ５のＺ軸方向の位置情報を計測し、フォーカス・レベリング検出系８は、第２基板ステージ５に保持されている基板Ｐの表面の面位置情報を、液体を使わずに検出する（ステップＳＡ５）。
本実施形態では、制御装置７は、第２基板ステージ５の移動を制御し、基板Ｐを保持した第２基板ステージ５をＸＹ平面内で移動しつつ、基板Ｐの表面の複数の検出点での面位置を、フォーカス・レベリング検出系８を用いて検出する。例えば、制御装置７は、Ｘ、Ｙ干渉計２Ｐｘ、Ｐｙの出力をモニタしつつ、第２基板ステージ５を移動し、基板Ｐ表面の面内（ＸＹ平面内）における複数点での面位置情報を、フォーカス・レベリング検出系８を用いて検出する。これにより、制御装置７は、レーザ干渉システム２（Ｚ干渉計２Ｐｚ）によって規定される座標系内における基板Ｐの表面の複数の検出点における面位置情報を求めることができる。フォーカス・レベリング検出系８の検出結果は、基板ＰのＸＹ平面内での位置に対応させて、制御装置７に記憶される。
制御装置７は、ステップＳＡ４で求めた、基板Ｐ上の各アライメントマークの位置情報に基づいて、ステップＳＡ１での計測結果とステップＳＡ３での計測結果とから規定される基準位置に対する、基板Ｐ上の複数のショット領域のそれぞれの位置情報を演算処理によって求める（ステップＳＡ６）。
また、制御装置７は、ステップＳＡ５で検出した、基板Ｐの表面の複数の検出点の位置情報に基づいて、マップデータを作成し、そのマップデータに基づいて、基準面２７１を基準とした、基板Ｐの表面の各ショット領域の近似平面（近似表面）を求める（ステップＳＡ７）。
制御装置７は、計測ステーションＳＴ２において求めた基板Ｐの表面の近似平面を記憶する。
露光ステーションＳＴ１における処理、及び計測ステーションＳＴ２における処理のそれぞれが終了すると、制御装置７は、第１基板ステージ４を計測ステーションＳＴ２に移動するとともに、第２基板ステージ５を露光ステーションＳＴ１に移動する。露光処理済みの基板Ｐを保持した第１基板ステージ４を計測ステーションＳＴ２に移動した後、搬送系Ｈは、第１基板ステージ４上の基板Ｐをアンロードする。そして、露光処理されるべき基板Ｐが計測ステーションＳＴ２の第１基板ステージ４にロードされ、上述の計測処理が行われる。
一方、制御装置７は、計測ステーションＳＴ２において計測処理された基板Ｐを保持した第２基板ステージ５を、露光ステーションＳＴ１に移動した後、その露光ステーションＳＴ１において、第２基板ステージ５を移動し、投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲに、第２基板ステージ５上の第１計測領域２７５Ａを配置する。
このとき、ウエット状態で形成される像面と基準面２７１とがほぼ一致するように基板テーブル５Ｔの位置及び姿勢が制御される。これにより、Ｚ干渉計２Ｐｚの計測値とウエット状態で形成される像面と基準面２７１との関係が規定されるため、制御装置７は、ステップＳＡ７で求められた基板Ｐの表面の近似平面とＺ干渉計２Ｐｚの計測値とウエット状態で形成される像面との関係を決定する（ステップＳＡ８）。
そして、制御装置７は、レーザ干渉システム２で、第２基板ステージ５の位置情報を計測しつつ、第１計測領域２７５Ａに設けられた光センサ２７０を用いて、マスクＭに設けられているアライメントマークの空間像を、ウエット状態で検出する（ステップＳＡ９）。
すなわち、制御装置７は、投影光学系ＰＬと第１計測領域２７５Ａとを対向させ、投影光学系ＰＬの最終光学素子ＦＬと第１計測領域２７５Ａとの間の光路空間Ｋを液体ＬＱで満たした状態で、マスクＭに設けられているアライメントマークを露光光ＥＬで照明する。これにより、マスクＭに設けられているアライメントマークの空間像は、投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介して第１計測領域２７５Ａに投影され、第２基板ステージ５の第１計測領域２７５Ａに設けられている光センサ２７０は、マスクＭに設けられているアライメントマークの空間像を、ウエット状態で計測することができる。
次に、制御装置７は、計測ステーションＳＴ２において、第２基板ステージ５をＸＹ方向に移動し、投影光学系ＰＬの投影領域に、第２基板ステージ５上の第２計測領域２７５Ｂを配置する。そして、制御装置７は、上述のステップＳＡ９と同様の手順で、レーザ干渉システム２で、第２基板ステージ５の位置情報を計測しつつ、第２計測領域２７５Ｂに設けられた光センサ２７０を用いて、マスクＭに設けられているアライメントマークの空間像を、ウエット状態で検出する（ステップＳＡ１０）。
これにより、制御装置７は、レーザ干渉システム２（Ｘ、Ｙ干渉計２Ｐｘ、２Ｐｙ）によって規定される座標系内における空間像（投影像）のＸ軸方向及びＹ軸方向の位置を、第１計測領域２７５Ａ及び第２計測領域２７５Ｂに設けられた光センサ２７０（開口２７３）を用いて求めることができる。
マスクＭ上のパターンとアライメントマークとは、所定の位置関係で形成されており、第１計測領域２７５Ａ、第２計測領域２７５Ｂにおける基準マーク２７２と開口２７３（光センサ）との位置関係も既知である。制御装置７は、ステップＳＡ９の計測結果とステップＳＡ１０の計測結果とに基づいて、レーザ干渉システム２によって規定される座標系内での所定基準位置とマスクＭのパターン投影位置との関係を導出する（ステップＳＡ１１）。
制御装置７は、ステップＳＡ６で求めた、レーザ干渉システム２によって規定される座標系内での所定基準位置と基板Ｐ上の各ショット領域との位置関係（所定基準位置に対するショット領域の配列情報）、及びステップＳＡ１１で求めた、レーザ干渉システム２によって規定される座標系内での所定基準位置とマスクＭのパターン投影位置との関係に基づいて、レーザ干渉システム２によって規定される座標系内での基板Ｐ上の各ショット領域とマスクＭのパターン投影位置との関係を導出する（ステップＳＡ１２）。
また、制御装置７は、ステップＳＡ８で求めた、基板Ｐの表面の近似平面、及びウエット状態で形成される像面に関連付けされているＺ干渉計２Ｐｚの計測値に基づいて、第２駆動系ＰＤ２を制御して、基板Ｐの表面（露光面）の位置を調整しつつ、ステップＳＡ１２で求めた、基板Ｐ上の各ショット領域とマスクＭのパターン投影位置との関係に基づいて、第１駆動系ＰＤ１を制御して、基板ＰのＸ軸方向、Ｙ軸方向、θＺ方向の位置を制御し、基板Ｐ上の複数のショット領域を順次露光する（ステップＳＡ１３）。
第２基板ステージ５上の基板Ｐに対する液浸露光処理が終了した後、制御装置７は、露光ステーションＳＴ１の第２基板ステージ５を計測ステーションＳＴ２に移動する。これと並行して、露光ステーションＳＴ１で計測処理を終えた基板Ｐを保持した第１基板ステージ４が露光ステーションＳＴ１に移動する。搬送系Ｈは、計測ステーションＳＴ２に移動した第２基板ステージ５に保持されている露光処理済みの基板Ｐを、アンロードする。
このようにして、第１基板ステージ４と第２基板ステージ５とが交互に露光ステーションＳＴ１に投入され、複数の基板Ｐが順次露光される。
なお、露光ステーションＳＴ１にもフォーカス・レベリング検出系を設けておき、前述のステップＳＡ８において、ウエット状態で形成される像面と基準面２７１との位置関係を、そのフォーカス・レベリング検出系を用いて検出することによって、Ｚ干渉計２Ｐｚの計測値とウエット状態で形成される像面と基準面２７１との関係を規定するようにしてもよい。あるいは、ステップＳＡ８において、Ｚ干渉計２Ｐｚで第２基板ステージ５（第２基板テーブル５Ｔ）の位置を計測しながら、第１計測領域２７５Ａの光センサ２７０を用いて、ウエット状態で形成される像面の位置を検出することによって、Ｚ干渉計２Ｐｚの計測値とウエット状態で形成される像面と基準面２７１との関係を規定するようにしてもよい。
また、第２基板ステージ５の計測領域２７５に設けられた光センサ２７０は、ウエット状態で、露光光ＥＬに関する計測を行うことができる。制御装置７は、投影光学系ＰＬと液体ＬＱとを介して光センサ２７０に露光光ＥＬを照射する。光センサ２７０が、例えば露光光ＥＬの照度、照度ムラなどを計測可能である場合、制御装置７は、その光センサ２７０の計測結果に基づいて、露光光ＥＬの照射状態の調整等を行うことができる。
次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸを用いて基板Ｐを露光する方法について、特にキャップ部材３０を用いるシーケンスについて、図５７〜図６９の平面図、及び図７０〜図７７を参照しながら説明する。
図５７及び図７０に示すように、露光ステーションＳＴ１の第１領域ＳＰ１においては、第１基板ステージ４に保持された基板Ｐの液浸露光が行われる。計測ステーションＳＴ２においては、基板Ｐを保持した第２基板ステージ５の計測処理等が行われる。
制御装置７は、最終光学素子ＦＬと第１基板ステージ４に保持されている基板Ｐとの間の光路空間Ｋを液浸システム１を用いて液体ＬＱで満たして基板Ｐを露光する。基板Ｐの露光中において、液浸システム１は、流路２１３を介して、最終光学素子ＦＬと基板Ｐとの間の光路空間Ｋを含む空間に対して液体ＬＱの供給と回収とを行うことができる。なお、最終光学素子ＦＬと基板Ｐとの間の光路空間Ｋを含む空間に液体ＬＱが満たされていれば、液浸システム１は、基板Ｐの露光中において、液体ＬＱの供給と回収とを停止してもよい。
また、図５７及び図７０に示すように、第１基板ステージ４の基板ホルダ４Ｈに保持された基板Ｐの露光中に、第１基板ステージ４上の第１コーナーＥ１に設けられている第１キャップホルダ４Ｃには、キャップ部材３０が保持されている。
図５８及び図７１に示すように、第１基板ステージ４上の基板Ｐの液浸露光が終了した後、制御装置７は、第１基板ステージ４の基板ホルダ４Ｈに保持されている基板Ｐ上に形成されている液体ＬＱの液浸領域ＬＲを、第１基板ステージ４の第１キャップホルダ４Ｃに保持されているキャップ部材３０上に移動するために、最終光学素子ＦＬ及びシール部材２１２に対して、第１基板ステージ４をＸＹ方向に移動する。制御装置７は、投影光学系ＰＬの最終光学素子ＦＬと第１基板ステージ４との間で液体ＬＱを保持した状態で、第１キャップホルダ４Ｃに保持されたキャップ部材３０と最終光学素子ＦＬとが対向するように、基板ステージ駆動装置ＰＤを用いて、第１基板ステージ４をＸＹ方向に移動する。これにより、制御装置７は、基板Ｐ上に形成された液体ＬＱの液浸領域ＬＲを第１キャップホルダ４Ｃに保持されたキャップ部材３０上に移動することができる。
なお、キャップ部材３０の上面の面積は、シール部材２１２のガスベアリング機構で規定される液浸領域ＬＲの面積よりも十分に大きい。そのため、キャップ部材３０の上面からはみ出すことなく、キャップ部材３０の上面に液浸領域ＬＲを安定的に維持することができる。
第１キャップホルダ４Ｃに保持されたキャップ部材３０の上面と、第１基板ステージ４の基板ホルダ４Ｈに保持された基板Ｐの上面と、第１基板ステージ４の上面４Ｆとはほぼ面一である。制御装置７は、液浸システム１を用いて、流路２１３を介した液体ＬＱの供給と回収とを並行して行いつつ、第１基板ステージ４を最終光学素子ＦＬと対向する位置を含む所定の領域内でＸＹ方向に移動することにより、基板Ｐ上に形成されている液浸領域ＬＲをキャップ部材３０上に円滑に移動することができる。
なお、基板Ｐ上に形成されている液浸領域ＬＲをキャップ部材３０上に移動するときに、液浸システム１による液体ＬＱの供給動作と回収動作とを停止してもよい。
上述のように、シール部材２１２は、そのシール部材２１２の下面と基板Ｐの表面との間にガスベアリング２２０を形成することができる。シール部材２１２とキャップ部材３０とを対向させることにより、シール部材２１２とキャップ部材３０との間にガスベアリング２２０を形成することができる。図７１に示すように、シール部材２１２の下面とキャップ部材３０の上面と間には所定のギャップＧが形成される。
次いで、制御装置７は、第１キャップホルダ４Ｃによるキャップ部材３０の保持を解除する。これにより、第１キャップホルダ４Ｃは、キャップ部材３０をリリース可能となる。すなわち、キャップ部材３０がギャップＧを介してシール部材２１２の下面に吸着された状態となる。図７２に示すように、制御装置７は、キャップ部材３０の上面とシール部材２１２の下面との間にガスベアリング２２０を形成した状態で、第１基板テーブル４Ｔを下方（−Ｚ方向）に移動する。シール部材２１２の下面とキャップ部材３０の上面との間にガスベアリング２２０が形成されているので、シール部材２１２の下面とキャップ部材３０の上面との間のギャップＧを維持した状態で、そのシール部材２１２の下面でキャップ部材３０を保持することができる。
シール部材２１２は、キャップ部材３０と最終光学素子ＦＬとが対向するように、キャップ部材３０を保持することができる。シール部材２１２に保持されたキャップ部材３０は、第１基板テーブル４Ｔが下方（−Ｚ方向）に移動することで、第１基板ステージ４の第１キャップホルダ４Ｃから取り外される。第１基板ステージ４から取り外され、シール部材２１２に保持されたキャップ部材３０は、シール部材２１２及び最終光学素子ＦＬとの間で液体ＬＱを保持することができる。
シール部材２１２でキャップ部材３０を保持した状態で、第１基板テーブル４Ｔの上面がキャップ部材３０の下面よりも下方（−Ｚ方向）に移動した後、制御装置７は、図７３に示すように、最終光学素子ＦＬと対向する位置を含む第１領域ＳＰ１から第３領域ＳＰ３へ向かって第１基板ステージ４を水平に移動する。
このように、第１基板ステージ４及び第２基板ステージ５のいずれもが、第１領域ＳＰ１から離れているときには、シール部材２１２が、最終光学素子ＦＬと対向するように、キャップ部材３０を保持する。
シール部材２１２に保持されたキャップ部材３０は、最終光学素子ＦＬとの間で液体ＬＱを保持することができ、液浸システム１は、シール部材２１２がキャップ部材３０を保持しているときに、最終光学素子ＦＬとキャップ部材３０との間の光路空間Ｋを含む空間を液体ＬＱで満たすことができる。例えば、シール部材２１２がキャップ部材３０を保持しているときに、液浸システム１は、流路２１３を介して、シール部材２１２に保持されたキャップ部材３０と最終光学素子ＦＬとの間の光路空間Ｋを含む空間に対して液体ＬＱの供給と回収とを行うことができる。シール部材２１２は、ガスベアリング２２０を形成するために、ガス導入口１５を介したガスの導入とガス導出口２１４を介したガスの導出とを行っているため、シール部材２１２の下面とキャップ部材３０の表面との間で、液体ＬＱを閉じこめるためのガスシール２１６を形成することができる。なお、シール部材２１２に保持されたキャップ部材３０と最終光学素子ＦＬとの間の光路空間Ｋを含む空間に液体ＬＱが満たされていれば、液浸システム１は、液体ＬＱの供給と回収とを停止してもよい。
次に、制御装置７は、レーザ干渉システム２を用いて、第１、第２基板ステージ４、５の位置を計測しつつ、基板ステージ駆動装置ＰＤを制御し、図５９に示すように、第１基板ステージ４及び第２基板ステージ５のそれぞれを、第３領域ＳＰ３に移動する。本実施形態においては、第１領域ＳＰ１から第３領域ＳＰ３に移動した第１基板ステージ４は、第３領域ＳＰ３のうち、図中、−Ｘ側の領域に配置され、第２領域ＳＰ２から第３領域ＳＰ３に移動した第２基板ステージ５は、第３領域ＳＰ３のうち、図中、＋Ｘ側の領域に配置される。第１基板ステージ４は、第１領域ＳＰ１から第３領域ＳＰ３に移動するとき、図５９中、矢印Ｒ１ａで示す経路に沿って移動し、第２基板ステージ５は、第２領域ＳＰ２から第３領域ＳＰ３に移動するとき、図５９中、矢印Ｒ１ｂで示す経路に沿って移動する。
次に、図６０に示すように、第３領域ＳＰ３において、スライダ８６の継手部材９６と第１基板ステージ４の第１継手部材２４１との接続、及びスライダ８８の継手部材９８と第２基板ステージ５の第４継手部材２５２との接続が解除される。第１基板ステージ４が、第２継手部材２４２及び継手部材９８を介して、リニアモータ８１のスライダ８８に接続されるとともに、第２基板ステージ５が、第３継手部材５１及び継手部材９６を介して、リニアモータ８０のスライダ８６に接続される。
このように、第３領域ＳＰ３において、第１基板ステージ４に接続されていたリニアモータ８０のスライダ８６が第２基板ステージ５に接続され、第２基板ステージ５に接続されていたリニアモータ８１のスライダ８８が第１基板ステージ４に接続される。
以下の説明において、スライダ８６と基板ステージ４（又は５）との接続解除、及びスライダ８８と基板ステージ５（又は４）との接続解除と、スライダ８６と基板ステージ５（又は４）との接続、及びスライダ８８と基板ステージ４（又は５）との接続とを行う動作を、２つのスライダに対する２つの基板ステージの切り換え動作、と適宜称する。
次に、制御装置７は、基板ステージ駆動装置ＰＤを制御して、第２基板ステージ５を露光ステーションＳＴ１の第１領域ＳＰ１に移動するとともに、第１基板ステージ４を計測ステーションＳＴ２の第２領域ＳＰ２に移動する。第１基板ステージ４は、第３領域ＳＰ３から第２領域ＳＰ２に移動するとき、図６０中、矢印Ｒ１ｃで示す経路に沿って移動する。第２基板ステージ５は、第３領域ＳＰ３から第１領域ＳＰ１に移動するとき、図６０中、矢印Ｒ１ｄで示す経路に沿って移動する。
このとき、制御装置７は、シール部材２１２に保持されたキャップ部材３０と第２基板ステージ５に設けられた第２キャップホルダ５Ｃとが対向するように、第２基板ステージ５を、第３領域ＳＰ３から第１領域ＳＰ１へ移動する。ここで、図６０に示したように、第２基板ステージ５（基板テーブル５Ｔ）の上面５Ｆの第１〜第４コーナーＥ１〜Ｅ４のうち、第２基板ステージ５が第３領域ＳＰ３に位置するときに、最終光学素子ＦＬに最も近い第１コーナーＥ１に、第２基板ステージ５の第２キャップホルダ５Ｃが配置されている。具体的には、未露光の基板Ｐを保持する第２基板ステージ５が第３領域ＳＰ３の＋Ｘ側の領域に位置するときに、第２キャップホルダ５Ｃは、基板テーブル５Ｔの上面５Ｆの第１〜第４コーナーＥ１〜Ｅ４のうち、第１領域ＳＰ１内の最終光学素子ＦＬの直下の位置（シール部材２１２に保持されたキャップ部材３０の直下の位置）に最も近い第１コーナーＥ１に配置されている。
第２基板ステージ５に保持されている基板Ｐを露光する前に、シール部材２１２からキャップ部材３０をリリースして、第２基板ステージ５の第２キャップホルダ５Ｃで保持する場合にも、第２基板ステージ５上の第２キャップホルダ５Ｃを、第２基板ステージ５が第３領域ＳＰ３に位置するときに、上面５Ｆの第１〜第４コーナーＥ１〜Ｅ４のうち、最終光学素子ＦＬに最も近い第１コーナーＥ１に配置することで、シール部材２１２に保持されたキャップ部材３０を第２キャップホルダ５Ｃと対向させるために第２基板ステージ５を第３領域ＳＰ３から第１領域ＳＰ１で移動するときの移動距離を短くすることができる。すなわち、シール部材２１２に保持されたキャップ部材３０を第２キャップホルダ５Ｃで保持するために第２基板ステージ５を第３領域ＳＰ３から第１領域ＳＰ１で移動するときの第２基板ステージ５の移動距離が短くなるように、第２キャップホルダ５Ｃが第２基板ステージ５の所定の位置に設けられている。
図６１に示すように、制御装置７は、シール部材２１２に保持されているキャップ部材３０と、第２基板ステージ５上の第２キャップホルダ５Ｃとが対向するように、第２基板ステージ５を移動する。第２キャップホルダ５Ｃをキャップ部材３０の下に配置する際、制御装置７は、図７４に示すように、シール部材２１２及び／又はそのシール部材２１２に保持されているキャップ部材３０と第２基板ステージ５とが当たらないように、シール部材２１２に保持されたキャップ部材３０に対して、第２基板テーブル５Ｔを−Ｚ方向に所定距離下げた状態で、第２基板ステージ５を水平方向に移動する。
上述したように、第２基板ステージ５を第３領域ＳＰ３から第１領域ＳＰ１で移動するときの第２基板ステージ５の移動距離が短くなるように、第２キャップホルダ５Ｃが第２基板ステージ５の所定位置に設けられているので、図７５に示すように、第２基板ステージ５の第２キャップホルダ５Ｃを、シール部材２１２に保持されているキャップ部材３０の下に短時間で配置することができる。
制御装置７は、シール部材２１２に保持されているキャップ部材３０と第２基板ステージ５上の第２キャップホルダ５ＣとのＺ軸方向における位置関係を調整し、シール部材２１２に保持されているキャップ部材３０を第２キャップホルダ５Ｃに載せる。具体的には、制御装置７は、第２駆動系ＰＤ２を制御して、第２基板テーブル５Ｔを上方（＋Ｚ方向）に移動し、シール部材２１２に保持されているキャップ部材３０の下面と第２キャップホルダ５Ｃの上面とを接触させる。このとき、第２基板テーブル５ＴのＸＹ方向の位置情報は、レーザ干渉システム２によって計測されており、Ｚ軸方向の位置情報は第２駆動系ＰＤ２の計測装置で計測されている。制御装置７は、シール部材２１２に保持されているキャップ部材３０に対して第２基板ステージ５の第２キャップホルダ５Ｃを所望の位置に制御することができる。
制御装置７は、シール部材２１２に保持されているキャップ部材３０を第２キャップホルダ５Ｃに接触させた後、第２キャップホルダ５Ｃの吸気口２６３に接続された真空系を制御して、その第２キャップホルダ５Ｃでキャップ部材３０を吸着保持する。これにより、図６１及び図７６に示すように、第２キャップホルダ５Ｃに保持されたキャップ部材３０上に液体ＬＱの液浸領域ＬＲが形成される。また、シール部材２１２の下面とキャップ部材３０の上面との間にはガスベアリング２２０が形成されており、シール部材２１２の下面と、第２キャップホルダ５Ｃに保持されたキャップ部材３０の上面とのギャップＧは維持される。
そして、図６２に示すように、制御装置７は、第２キャップホルダ５Ｃに保持されているキャップ部材３０上に形成されている液体ＬＱの液浸領域ＬＲを、キャップ部材３０上から、第２基板ステージ５の第１計測領域２７５Ａ上に移動する。このように、シール部材２１２に保持されたキャップ部材３０は、第２基板ステージ５に保持された基板Ｐの露光が開始される前に、シール部材２１２からリリースされ、第２基板ステージ５に配置された第２キャップホルダ５Ｃに保持される。
制御装置７は、第２キャップホルダ５Ｃに保持されているキャップ部材３０上に形成されている液体ＬＱの液浸領域ＬＲを、第２基板ステージ５の第１計測領域２７５Ａ上に移動するために、最終光学素子ＦＬ及びシール部材２１２に対して、第２基板ステージ５をＸＹ方向に移動する。制御装置７は、投影光学系ＰＬの最終光学素子ＦＬと第２基板ステージ５との間で液体ＬＱを保持した状態で、第２基板ステージ５上の第１計測領域２７５Ａと最終光学素子ＦＬとが対向するように、基板ステージ駆動装置ＰＤを用いて、第２基板ステージ５をＸＹ方向に移動する。これにより、キャップ部材３０上に形成された液体ＬＱの液浸領域ＬＲを第２基板ステージ５上の第１計測領域２７５Ａ上に移動することができる。
ここで、制御装置７は、シール部材２１２に保持されていたキャップ部材３０を第２基板ステージ５の第２キャップホルダ５Ｃで保持した後、キャップ部材３０上の液浸領域ＬＲを第１計測領域２７５Ａ上へ移動するときに、液浸領域ＬＲの液体ＬＱが、第２基板ステージ５に保持された基板Ｐと接触しないように、液浸領域ＬＲと第２基板ステージ５とを相対的に移動する。制御装置７は、第１計測領域２７５Ａ上に液体ＬＱの液浸領域ＬＲを形成した状態で、第１計測領域２７５Ａを用いて、図５６のフローチャートを参照して説明したような、例えばアライメント情報を取得するための所定の計測を行う。
第１計測領域２７５Ａを用いた計測が終了した後、制御装置７は、図６３に示すように、第２基板ステージ５の第１計測領域２７５Ａ上に形成されている液体ＬＱの液浸領域ＬＲを、第２基板ステージ５の第２計測領域２７５Ｂ上に移動するために、最終光学素子ＦＬ及びシール部材２１２に対して、第２基板ステージ５をＸＹ方向に移動する。制御装置７は、投影光学系ＰＬの最終光学素子ＦＬと第２基板ステージ５との間で液体ＬＱを保持した状態で、第２基板ステージ５上の第２計測領域２７５Ｂと最終光学素子ＦＬとが対向するように、基板ステージ駆動装置ＰＤを用いて、第２基板ステージ５をＸＹ方向に移動する。これにより、制御装置７は、第１計測領域２７５Ａに形成された液体ＬＱの液浸領域ＬＲを第２計測領域２７５Ｂ上に移動することができる。
制御装置７は、第１計測領域２７５Ａ上の液浸領域ＬＲを第２計測領域２７５Ｂ上へ移動するときにおいても、液浸領域ＬＲの液体ＬＱが、第２基板ステージ５に保持された基板Ｐと接触しないように、液浸領域ＬＲと第２基板ステージ５とを相対的に移動する。そして、制御装置７は、第２計測領域２７５Ｂ上に液体ＬＱの液浸領域ＬＲを形成した状態で、第２計測領域２７５Ｂを用いて、図５６を参照して説明したような、例えばアライメント情報を取得するための所定の計測を行う。
第２計測領域２７５Ｂを用いた計測が終了した後、制御装置７は、図６４に示すように、第２基板ステージ５の第２計測領域２７５Ｂ上に形成されている液体ＬＱの液浸領域ＬＲを、第２基板ステージ５の基板ホルダ５Ｈに保持されている基板Ｐ上に移動するために、最終光学素子ＦＬ及びシール部材２１２に対して、第２基板ステージ５をＸＹ方向に移動する。制御装置７は、投影光学系ＰＬの最終光学素子ＦＬと第２基板ステージ５との間で液体ＬＱを保持した状態で、第２基板ステージ５上の基板Ｐと最終光学素子ＦＬとが対向するように、基板ステージ駆動装置ＰＤを用いて、第２基板ステージ５をＸＹ方向に移動する。これにより、図６４及び図７７に示すように、制御装置７は、第２基板ステージ５上の第２計測領域２７５Ｂに形成された液体ＬＱの液浸領域ＬＲを基板Ｐ上に移動することができる。
制御装置７は、図５６のフローチャートを参照して説明したように、計測ステーションＳＴ２での計測結果、及び露光ステーションＳＴ１での第１、第２計測領域２７５Ａ、２７５Ｂを用いた計測結果に基づいて、第２基板ステージ５に保持された基板Ｐの位置を調整しつつ、投影光学系ＰＬと液体ＬＱとを介して、基板Ｐを露光する。基板Ｐ上には複数のショット領域が設定されており、制御装置７は、第２計測領域２７５Ｂ上に液浸領域ＬＲを形成して所定の計測を行った後、図６４に示すように、基板Ｐ上の複数のショット領域のうち、第２計測領域２７５Ａに近いショット領域から露光を開始する。
また、第２基板ステージ５上の第１コーナーＥ１に設けられている第２キャップホルダ５Ｃは、第２基板ステージ５の基板ホルダ５Ｈに保持された基板Ｐの露光中に、キャップ部材３０を保持している。また、第２基板ステージ５が第１領域ＳＰ１に位置するときには、第１基板ステージ４は、基板交換位置ＲＰを含む計測ステーションＳＴ２の第２領域ＳＰ２で、計測処理、基板交換作業等の所定の処理を行っている。
制御装置７は、基板Ｐ上に設定された複数のショット領域を順次露光する。そして、図６５に示すように、制御装置７は、第２基板ステージ５上に保持された基板Ｐ上の複数のショット領域を順次露光するときに、それら複数のショット領域のうち、第２キャップホルダ５Ｃに近いショット領域で露光を終了する。
図６６に示すように、第２基板ステージ５上の基板Ｐの複数のショット領域の液浸露光が終了した後、制御装置７は、基板ホルダ５Ｈに保持されている基板Ｐ上に形成されている液体ＬＱの液浸領域ＬＲを、第２キャップホルダ５Ｃに保持されているキャップ部材３０上に移動するために、最終光学素子ＦＬ及びシール部材２１２に対して、第２基板ステージ５をＸＹ方向に移動する。制御装置７は、投影光学系ＰＬの最終光学素子ＦＬと第２基板ステージ５との間で液体ＬＱを保持した状態で、第２キャップホルダ５Ｃに保持されたキャップ部材３０と最終光学素子ＦＬとが対向するように、基板ステージ駆動装置ＰＤを用いて、第２基板ステージ５をＸＹ方向に移動する。これにより、基板Ｐ上に形成された液体ＬＱの液浸領域ＬＲを第２キャップホルダ５Ｃに保持されたキャップ部材３０上に移動することができる。
次いで、制御装置７は、第２キャップホルダ５Ｃによるキャップ部材３０の保持を解除する。これにより、第２キャップホルダ５Ｃは、キャップ部材３０をリリース可能となる。キャップ部材３０の上面とシール部材２１２の下面との間にガスベアリング２２０を形成した状態で、図７２及び図７３を参照して説明した第１基板ステージ４の動作と同様に、第２基板テーブル５Ｔを−Ｚ方向に所定距離だけ下げて、キャップ部材３０を第２キャップホルダ５Ｃの上面からリリースした後、第２基板ステージ５を第１領域ＳＰ１から第３領域ＳＰ３へ向かって移動する。シール部材２１２の下面とキャップ部材３０の上面との間にガスベアリング２２０が形成されている。シール部材２１２の下面とキャップ部材３０の上面との間のギャップＧを維持した状態で、そのシール部材２１２の下面でキャップ部材３０を保持することができる。
このように、第２キャップホルダ５Ｃに保持されていたキャップ部材３０は、第２キャップホルダ５Ｃからリリースされ、最終光学素子ＦＬと対向するように、シール部材２１２に保持される。
次に、制御装置７は、レーザ干渉システム２を用いて、第１、第２基板ステージ４、５の位置を計測しつつ、基板ステージ駆動装置ＰＤを制御し、図６７に示すように、第１基板ステージ４及び第２基板ステージ５のそれぞれを、第３領域ＳＰ３に移動する。本実施形態においては、第１領域ＳＰ１から第３領域ＳＰ３に移動した第２基板ステージ５は、第３領域ＳＰ３のうち、図中、−Ｘ側の領域に配置される。第１領域ＳＰ１から第３領域ＳＰ３に移動した第１基板ステージ４は、第３領域ＳＰ３のうち、図中、＋Ｘ側の領域に配置される。第２基板ステージ５は、第１領域ＳＰ１から第３領域ＳＰ３に移動するとき、図６７中、矢印Ｒ１ａで示す経路に沿って移動し、第１基板ステージ４は、第２領域ＳＰ２から第３領域ＳＰ３に移動するとき、図６７中、矢印Ｒ１ｂで示す経路に沿って移動する。
次に、図６８に示すように、第３領域ＳＰ３において、２つのスライダ８６、８８に対する２つの基板ステージ４、５の切り換え動作が行われる。つまり、第２基板ステージ５がリニアモータ８１のスライダ８８に接続されるとともに、第１基板ステージ４がリニアモータ８０のスライダ８６に接続される。
制御装置７は、基板ステージ駆動装置ＰＤを制御して、第１基板ステージ４を露光ステーションＳＴ１の第１領域ＳＰ１に移動するとともに、第２基板ステージ５を計測ステーションＳＴ２の第２領域ＳＰ２に移動する。第２基板ステージ５は、第３領域ＳＰ３から第２領域ＳＰ２に移動するとき、図６８中、矢印Ｒ１ｃで示す経路に沿って移動し、第１基板ステージ４は、第３領域ＳＰ３から第１領域ＳＰ１に移動するとき、図６８中、矢印Ｒ１ｄで示す経路に沿って移動する。
制御装置７は、シール部材２１２に保持されたキャップ部材３０と、第１基板ステージ４に設けられた第１キャップホルダ４Ｃとが対向するように、第１基板ステージ４を、第３領域ＳＰ３から第１領域ＳＰ１へ移動する。ここで、図６８に示したように、第１基板ステージ４（基板テーブル４Ｔ）の上面４Ｆの第１〜第４コーナーＥ１〜Ｅ４のうち、第１基板ステージ４が第３領域ＳＰ３に位置するときに、最終光学素子ＦＬに最も近い第１コーナーＥ１に、第１キャップホルダ４Ｃが配置されている。具体的には、未露光の基板Ｐを保持する第１基板ステージ４が第３領域ＳＰ３の＋Ｘ側の領域に位置するときに、第１キャップホルダ４Ｃは、基板テーブル４Ｔの上面４Ｆの第１〜第４コーナーＥ１〜Ｅ４のうち、第１領域ＳＰ１内の最終光学素子ＦＬの直下の位置（シール部材２１２に保持されたキャップ部材３０の直下の位置）に最も近い第１コーナーＥ１に配置されている。
このように、第１キャップホルダ４Ｃを、第１基板ステージ４が第３領域ＳＰ３に位置するときに、上面４Ｆの第１〜第４コーナーＥ１〜Ｅ４のうち、最終光学素子ＦＬに最も近い第１コーナーＥ１に配置することで、シール部材２１２に保持されたキャップ部材３０を第１キャップホルダ４Ｃに対向させるために第１基板ステージ４を第３領域ＳＰ３から第１領域ＳＰ１で移動するときの移動距離を短くすることができる。すなわち、シール部材２１２に保持されたキャップ部材３０を第１キャップホルダ４Ｃで保持するために第１基板ステージ４を第３領域ＳＰ３から第１領域ＳＰ１で移動するときの第１基板ステージ４の移動距離が短くなるように、第１キャップホルダ４Ｃが第１基板ステージ４上の所定位置に設けられている。
図６９に示すように、制御装置７は、シール部材２１２に保持されているキャップ部材３０の下面と、第１基板ステージ４上の第１キャップホルダ４Ｃとを対向させる。シール部材２１２に保持されたキャップ部材３０を第１キャップホルダ４Ｃで保持するために第１基板ステージ４を第３領域ＳＰ３から第１領域ＳＰ１で移動するときの第１基板ステージ４の移動距離が短くなるように、第１キャップホルダ４Ｃが第１基板ステージ４に設けられているので、第１キャップホルダ４Ｃを、シール部材２１２に保持されているキャップ部材３０の下に短時間で配置することができる。
次に、制御装置７は、図７５を参照して説明した第２基板ステージ５の動作と同様に、第１基板テーブル４Ｔを＋Ｚ方向に所定距離移動するとともに、第１キャップホルダ４Ｃに接続されている真空系を駆動して、シール部材２１２に保持されているキャップ部材３０を第１キャップホルダ４Ｃの上面で保持する。これにより、第１キャップホルダ４Ｃに保持されたキャップ部材３０上に液体ＬＱの液浸領域ＬＲが形成される。
そして、制御装置７は、第１基板ステージ４上の第１計測領域２７４Ａと最終光学素子ＦＬとが対向するように、基板ステージ駆動装置ＰＤを用いて、第１基板ステージ４をＸＹ方向に移動し、キャップ部材３０をシール部材２１２からリリースするとともに、キャップ部材３０上に形成された液体ＬＱの液浸領域ＬＲを第１基板ステージ４上の第１計測領域２７４Ａ上に移動する。制御装置７は、キャップ部材３０上の液浸領域ＬＲを第１計測領域２７４Ａ上へ移動するときに、液浸領域ＬＲの液体ＬＱが、第１基板ステージ４に保持された基板Ｐと接触しないように、液浸領域ＬＲと第１基板ステージ４とを相対的に移動する。そして、制御装置７は、第１計測領域２７４Ａ上に液体ＬＱの液浸領域ＬＲを形成した状態で、図５６のフローチャートを参照して説明した動作と同様に、第１計測領域２７４Ａを用いた所定の計測を行う。
第１計測領域２７４Ａを用いた計測が終了した後、制御装置７は、第１基板ステージ４上の第２計測領域２７４Ｂと、最終光学素子ＦＬとが対向するように、基板ステージ駆動装置ＰＤを用いて、第１基板ステージ４をＸＹ方向に移動し、第１計測領域２７４Ａ上に形成された液体ＬＱの液浸領域ＬＲを第１基板ステージ４上の第２計測領域２７４Ｂ上に移動する。制御装置７は、第１計測領域２７４Ａ上の液浸領域ＬＲを第２計測領域２７４Ｂ上へ移動するときにおいても、液浸領域ＬＲの液体ＬＱが、第１基板ステージ４に保持された基板Ｐと接触しないように、液浸領域ＬＲと第１基板ステージ４とを相対的に移動する。そして、制御装置７は、第２計測領域２７４Ｂ上に液体ＬＱの液浸領域ＬＲを形成した状態で、図５６のフローチャートを参照して説明した動作と同様に、第２計測領域２７４Ｂを用いた所定の計測を行う。
第２計測領域２７４Ｂを用いた計測が終了した後、制御装置７は、第１基板ステージ４の第２計測領域２７４Ｂ上に形成されている液体ＬＱの液浸領域ＬＲを、第１基板ステージ４の基板ホルダ４Ｈに保持されている基板Ｐ上に移動するために、最終光学素子ＦＬ及びシール部材２１２に対して、第１基板ステージ４をＸＹ方向に移動する。制御装置７は、投影光学系ＰＬの最終光学素子ＦＬと第１基板ステージ４との間で液体ＬＱを保持した状態で、第１基板ステージ４上の基板Ｐと最終光学素子ＦＬとが対向するように、基板ステージ駆動装置ＰＤを用いて、第１基板ステージ４をＸＹ方向に移動する。これにより、制御装置７は、第１基板ステージ４上の第２計測領域２７４Ｂに形成された液体ＬＱの液浸領域ＬＲを基板Ｐ上に移動することができる。
制御装置７は、計測ステーションＳＴ２での計測結果、及び露光ステーションＳＴ１での第１、第２計測領域２７４Ａ、２７４Ｂを用いた計測結果に基づいて、第１基板ステージ４に保持された基板Ｐの位置を調整しつつ、投影光学系ＰＬと液体ＬＱとを介して、基板Ｐを露光する。基板Ｐ上には複数のショット領域が設定されており、制御装置７は、第２計測領域２７４Ａ上に液浸領域ＬＲを形成して所定の計測を行った後、基板Ｐ上の複数のショット領域のうち、第２計測領域２７４Ｂに近いショット領域から露光を開始する。
制御装置７は、基板Ｐ上に設定された複数のショット領域を順次露光する。そして、制御装置７は、第１基板ステージ４上に保持された基板Ｐ上の複数のショット領域を順次露光するときに、それら複数のショット領域のうち、第１キャップホルダ４Ｃに近いショット領域で露光を終了する。
以下、図５７〜図７７を参照して説明した処理が繰り返される。すなわち、第２領域ＳＰ２で所定の処理が行われた基板ステージ４（又は５）は、スライダ８８に接続された状態で、矢印Ｒ１ｂで示したような移動経路で第３領域ＳＰ３の＋Ｘ側の領域に移動した後、第３領域ＳＰ３において、スライダ８６に接続され、矢印Ｒ１ｄで示したような移動経路で第１領域ＳＰ１に移動される。そして、第１領域ＳＰ１で所定の処理が行われた基板ステージ４（又は５）は、スライダ８６に接続された状態で、矢印Ｒ１ａで示したような移動経路で第３領域ＳＰ３の−Ｘ側の領域に移動した後、第３領域ＳＰ３において、スライダ８８に接続され、矢印Ｒ１ｃで示したような移動経路で第２領域ＳＰ２に移動される。スライダ８６は、第１、第２基板ステージ４、５と交互に接続され、第１領域ＳＰ１と第３領域ＳＰ３との間で移動し、スライダ８８は、第１、第２基板ステージ４、５と交互に接続され、第２領域ＳＰ２と第３領域ＳＰ３との間で移動する。
本実施形態においては、第１基板ステージ４と、第２基板ステージ５とが、ほぼ同じ経路で、第２領域ＳＰ２から第３領域ＳＰ３を経て第１領域ＳＰ１へ移動し、第１領域ＳＰ１から第３領域ＳＰ３を経て第２領域ＳＰ２へ移動する。具体的には、第１、第２基板ステージ４、５のそれぞれは、ＸＹ平面とほぼ平行なベース部材ＢＰ上において、矢印Ｒ１ａ〜Ｒ１ｄで示したように、時計周りに、第１領域ＳＰ１と第２領域ＳＰ２との間を移動する。
このような移動経路において、第１キャップホルダ４Ｃと、第２キャップホルダ５Ｃとを、第１、第２基板ステージ４、５上で、ほぼ同じ位置、すなわち第１コーナーＥ１に設けることにより、図７８の模式図に示すように、シール部材２１２に保持されたキャップ部材３０と第１、第２キャップホルダ４Ｃ、５Ｃとを対向させるために、第１、第２基板ステージ４、５を第３領域ＳＰ３から第１領域ＳＰ１へ移動するときの移動距離を短くすることができる。
以上説明したように、本実施形態では、シール部材２１２に保持されたキャップ部材３０を第１、第２キャップホルダ４Ｃ、５Ｃで保持するために第１、第２基板ステージ４、５を第３領域ＳＰ３から第１領域ＳＰ１へ移動するときの基板ステージ４、５の移動距離が短くなるように、第１、第２キャップホルダ４Ｃ、５Ｃが第１、第２基板ステージ４、５上の所定位置に設けられている。そのため、シール部材２１２に保持されているキャップ部材３０を、シール部材２１２から第１、第２キャップホルダ４Ｃ、５Ｃに受け渡すときの時間を短縮することができる。したがって、第３領域ＳＰ３において２つのスライダ８６、８８に対する２つの基板ステージ４、５の切り換え動作を行ってから次の基板Ｐの露光を短時間で開始することができる。したがって、スループット（露光装置ＥＸの稼動率）の低下を抑え、基板Ｐを効率良く良好に露光することができる。
上述のように、本実施形態では、基板ステージ４（５）に保持された基板Ｐを露光する前に、基板ステージ４（５）に配置されたキャップホルダ４Ｃ（５Ｃ）で保持した後、シール部材２１２に保持されたキャップ部材３０をシール部材２１２からリリースし、キャップ部材３０上の液浸領域ＬＲを第１、第２計測領域２７４Ａ、２７４Ｂ（２７５Ａ、２７５Ｂ）上へ移動するときに、液浸領域ＬＲの液体ＬＱが基板ステージ４（５）に保持された基板Ｐと接触しないように、液浸領域ＬＲと基板ステージ４（５）とを相対的に移動している。すなわち、投影光学系ＰＬの像面側に形成される液浸領域ＬＲは、図７９の模式図の矢印ＲＬで示す経路に沿って移動する。基板Ｐと液体ＬＱとが接触すると、例えば基板Ｐ上に形成されている感光材からなる膜及び／又はその上に形成されるトップコート膜と呼ばれる膜の特性が変化したり、その膜から液体ＬＱ中に所定の物質が溶出する不具合が発生する可能性がある。そのため、基板Ｐを露光する前には、基板Ｐと液体ＬＱとが接触することをなるべく抑えることが望ましい。本実施形態では、図７９の模式図に示すように、キャップホルダ４Ｃ（５Ｃ）に保持されたキャップ部材３０上の液浸領域ＬＲを、計測領域２７４（２７５）上へ移動する間、基板ステージ４（５）に保持された基板Ｐに液浸領域ＬＲの液体ＬＱが接触しないように、すなわち、液浸領域ＬＲが、基板ステージ４（５）の上面４Ｆ（５Ｆ）を通過するように、基板ステージ４（５）の移動を制御するので、上述の不具合の発生を抑えることができる。
また、本実施形態では、基板Ｐ上に設定された複数のショット領域を順次露光する際、第２計測領域２７４Ｂ（２７５Ｂ）上に液浸領域ＬＲを形成して所定の計測を行った後、複数のショット領域のうち第２計測領域２７４Ｂ（２７５Ｂ）に近いショット領域から露光を開始するので、計測終了後、直ちに基板Ｐの露光を開始することができる。したがって、スループットを向上することができる。
例えば、図７９の模式図に示すように、基板ステージ４（５）に保持された基板Ｐ上の複数のショット領域のうち、最初に露光されるショット領域Ｓｓと計測領域２７４（２７５）との距離を、基板Ｐの中心と計測領域２７４（２７５）との距離よりも短く設定することで、計測領域２７４（２７５）を用いた計測動作終了後、直ちに最初のショット領域を露光することができる。
また、本実施形態では、基板Ｐ上に設定された複数のショット領域を順次露光する際、複数のショット領域のうちキャップホルダ４Ｃ（５Ｃ）に近いショット領域で露光を終了するので、基板Ｐの露光終了後、直ちにキャップ部材３０上に液浸領域ＬＲを移動し、シール部材２１２でキャップ部材３０を保持する動作を実行することができる。したがって、スループットを向上することができる。
例えば、図７９の模式図に示すように、基板ステージ４（５）に保持された基板Ｐ上の複数のショット領域のうち、最後に露光されるショット領域Ｓｅとキャップホルダ４Ｃ（５Ｃ）との距離を、基板Ｐの中心とキャップホルダ４Ｃ（５Ｃ）との距離よりも短く設定することで、基板Ｐの露光後、直ちに液浸領域ＬＲをキャップ部材３０上に移動することができる。
また、本実施形態においては、第１、第２基板ステージ４、５のいずれか一方が第１領域ＳＰ１に配置されているときに、最終光学素子ＦＬと第１、第２基板ステージ４、５との間で液体ＬＱを保持することができる。第１基板ステージ４及び第２基板ステージ５のいずれもが第１領域ＳＰ１から離れているときにおいては、最終光学素子ＦＬとキャップ部材３０との間で液体ＬＱを保持することができる。このように、本実施形態においては、最終光学素子ＦＬの光射出面側の光路空間Ｋを含む空間を液体ＬＱで満たし続けることができる。したがって、最終光学素子ＦＬの乾燥を防止することができ、液体ＬＱの付着跡（本実施形態ではウォーターマーク）が最終光学素子ＦＬなどに形成されることを抑制することができる。
なお、本実施形態においては、第１、第２基板ステージ４、５のそれぞれは、ベース部材ＢＰ上で、時計周りに、第１領域ＳＰ１と、第２領域ＳＰ２との間を移動しているが、反時計周りに移動してもよい。その場合には、第１キャップホルダ４Ｃを第１基板ステージ４上の第４コーナーＥ４に設けるとともに、第２キャップホルダ５Ｃを第２基板ステージ５上の第４コーナーＥ４に設けるようにするとよい。
＜第１１実施形態＞
次に、第１１実施形態について説明する。第１１実施形態において、第１０実施形態と異なる特徴的な部分は、第１基板ステージ４と第２基板ステージ５とが異なる経路で、第２領域ＳＰ２から第１領域ＳＰ１へ移動し、第１キャップホルダ４Ｃと第２キャップホルダ５Ｃとが、第１、第２基板ステージ４、５上で異なる位置に設けられている点にある。以下の説明において、第１０実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
図８０において、露光ステーションＳＴ１の第１領域ＳＰ１においては、第１基板ステージ４に保持された基板Ｐの液浸露光が行われる。計測ステーションＳＴ２においては、基板Ｐを保持した第２基板ステージ５の計測処理等が行われる。第１キャップホルダ４Ｃは、第１基板ステージ４の上面４Ｆのうち、第４コーナーＥ４に配置される。第２キャップホルダ５Ｃは、第２基板ステージ５の上面５Ｆのうち、第１コーナーＥ１に配置されている。
第１基板ステージ４上の基板Ｐの液浸露光が終了した後、制御装置７は、最終光学素子ＦＬと第１キャップホルダ４Ｃに保持されているキャップ部材３０とが対向するように第１基板ステージ４を移動して、第１基板ステージ４の基板ホルダ４Ｈに保持されている基板Ｐ上に形成されている液体ＬＱの液浸領域ＬＲを、キャップ部材３０上に移動する。そして、制御装置７は、第１キャップホルダ４Ｃからキャップ部材３０をリリースするとともに、最終光学素子ＦＬとキャップ部材３０とが対向する状態で、シール部材２１２でキャップ部材３０を保持する。
次に、制御装置７は、レーザ干渉システム２を用いて、第１、第２基板ステージ４、５の位置を計測しつつ、基板ステージ駆動装置ＰＤを制御し、図８１に示すように、第１基板ステージ４及び第２基板ステージ５のそれぞれを、第３領域ＳＰ３に移動する。本実施形態においては、第１領域ＳＰ１から第３領域ＳＰ３に移動した第１基板ステージ４は、第３領域ＳＰ３のうち、図中、−Ｘ側の領域に配置され、第２領域ＳＰ２から第３領域ＳＰ３に移動した第２基板ステージ５は、第３領域ＳＰ３のうち、図中、＋Ｘ側の領域に配置される。すなわち、第１基板ステージ４は、第１領域ＳＰ１から第３領域ＳＰ３に移動するとき、図８１中、矢印Ｒ１ａで示す経路に沿って移動し、第２基板ステージ５は、第２領域ＳＰ２から第３領域ＳＰ３に移動するとき、図８１中、矢印Ｒ１ｂで示す経路に沿って移動する。
次に、図８２に示すように、制御装置７は、第３領域ＳＰ３において、２つのスライダ８６、８８に対する２つの基板ステージ４、５の切り換え動作を行う。
制御装置７は、基板ステージ駆動装置ＰＤを制御して、第２基板ステージ５を露光ステーションＳＴ１の第１領域ＳＰ１に移動するとともに、第１基板ステージ４を計測ステーションＳＴ２の第２領域ＳＰ２に移動する。第１基板ステージ４は、第３領域ＳＰ３から第２領域ＳＰ２に移動するとき、図８２中、矢印Ｒ１ｃで示す経路に沿って移動し、第２基板ステージ５は、第３領域ＳＰ３から第１領域ＳＰ１に移動するとき、図８２中、矢印Ｒ１ｄで示す経路に沿って移動する。
制御装置７は、図８３に示すように、シール部材２１２に保持されたキャップ部材３０と、第２基板ステージ５に設けられた第２キャップホルダ５Ｃとが対向するように、第２基板ステージ５を移動する。ここで、図８２に示したように、第２基板ステージ５（基板テーブル５Ｔ）の上面５Ｆの第１〜第４コーナーＥ１〜Ｅ４のうち、第２基板ステージ５が第３領域ＳＰ３に位置するときに、最終光学素子ＦＬに最も近い第１コーナーＥ１に、第２基板ステージ５の第２キャップホルダ５Ｃが配置されている。したがって、シール部材２１２に保持されたキャップ部材３０を第２キャップホルダ５Ｃで保持するために第２基板ステージ５を第３領域ＳＰ３から第１領域ＳＰ１で移動するときの移動距離を短くすることができる。
制御装置７は、第２基板ステージ５に保持された基板Ｐを露光する前に、第２基板ステージ５に配置された第２キャップホルダ５Ｃで保持した後、キャップ部材３０をシール部材２１２からリリースする。すなわち、制御装置７は、第２キャップホルダ５Ｃでキャップ部材３０を保持した後に、第２基板ステージ５をＸＹ方向に移動して、第２基板ステージ５上に最終光学素子ＦＬと対向可能に配置された計測領域２７５（２７５Ａ、２７５Ｂ）で、第１０実施形態と同様に、所定の計測処理等を実行する。制御装置７は、その計測処理等が終了した後に、基板Ｐ上に設定された複数のショット領域を順次露光する。基板Ｐ上に設定された複数のショット領域を順次露光するときには、上述の第１０実施形態同様、制御装置７は、第２計測領域２７５Ｂに近い最初のショット領域から露光を開始し、第２キャップホルダ５Ｃに近い最後のショット領域で露光を終了する。基板Ｐの複数のショット領域の露光を終了した後に、制御装置７は、最終光学素子ＦＬと第２キャップホルダ５Ｃとが対向するように第２基板ステージ５を移動して、第２キャップホルダ５Ｃからキャップ部材３０をリリースするとともに、最終光学素子ＦＬキャップ部材３０とが対向するように、シール部材２１２でキャップ部材３０を保持する。
次に、制御装置７は、レーザ干渉システム２を用いて、第１、第２基板ステージ４、５の位置を計測しつつ、基板ステージ駆動装置ＰＤを制御し、図８４に示すように、第１基板ステージ４及び第２基板ステージ５のそれぞれを、第３領域ＳＰ３に移動する。本実施形態においては、第１領域ＳＰ１から第３領域ＳＰ３に移動した第２基板ステージ５は、第３領域ＳＰ３のうち、図中、＋Ｘ側の領域に配置され、第２領域ＳＰ２から第３領域ＳＰ３に移動した第１基板ステージ４は、第３領域ＳＰ３のうち、図中、−Ｘ側の領域に配置される。第２基板ステージ５は、第１領域ＳＰ１から第３領域ＳＰ３に移動するとき、図８４中、矢印Ｒ２ｄで示す経路に沿って移動し、第１基板ステージ４は、第２領域ＳＰ２から第３領域ＳＰ３に移動するとき、図８４中、矢印Ｒ２ｃで示す経路に沿って移動する。
次に、図８５に示すように、制御装置７は、第３領域ＳＰ３において、２つのスライダ８６、８８に対する２つの基板ステージ４、５の切り換え動作を行う。
そして、制御装置７は、基板ステージ駆動装置ＰＤを制御して、第１基板ステージ４を露光ステーションＳＴ１の第１領域ＳＰ１に移動するとともに、第２基板ステージ５を計測ステーションＳＴ２の第２領域ＳＰ２に移動する。第１基板ステージ４は、第３領域ＳＰ３から第１領域ＳＰ１に移動するとき、図８５中、矢印Ｒ２ａで示す経路に沿って移動し、第２基板ステージ５は、第３領域ＳＰ３から第２領域ＳＰ２に移動するとき、図８５中、矢印Ｒ２ｂで示す経路に沿って移動する。
制御装置７は、シール部材２１２に保持されたキャップ部材３０を、第１基板ステージ４に設けられた第１キャップホルダ４Ｃで保持するために、図８６に示すように、キャップ部材３０と第１キャップホルダ４Ｃとが対向するように、第１基板ステージ４を移動する。ここで、図８５に示したように、第１基板ステージ４（基板テーブル４Ｔ）の上面４Ｆの第１〜第４コーナーＥ１〜Ｅ４のうち、第１基板ステージ４が第３領域ＳＰ３に位置するときに、第１領域ＳＰ１に最も近い第４コーナーＥ４に、第１キャップホルダ４Ｃが配置されている。したがって、シール部材２１２に保持されたキャップ部材３０を第１キャップホルダ４Ｃで保持するために第１基板ステージ４を第３領域ＳＰ３から第１領域ＳＰ１で移動するときの移動距離を短くすることができる。
制御装置７は、第１基板ステージ４に保持された基板Ｐを露光する前に、第１基板ステージ４に配置された第１キャップホルダ４Ｃで保持した後、キャップ部材３０をシール部材２１２からリリースする。すなわち、制御装置７は、第１キャップホルダ４Ｃでキャップ部材３０を保持した後に、第１基板ステージ４をＸＹ方向に移動し、第１基板ステージ４上に最終光学素子ＦＬと対向可能に配置された計測領域２７４（２７４Ａ、２７４Ｂ）で、第１０実施形態と同様に、所定の計測処理等を実行する。制御装置７は、所定の計測処理等を終了した後に、基板Ｐ上に設定された複数のショット領域を順次露光する。基板Ｐ上に設定された複数のショット領域を順次露光するときには、上述同様、制御装置７は、第２計測領域２７４Ｂに近い最初のショット領域から露光を開始し、第１キャップホルダ４Ｃに近い最後のショット領域で露光を終了する。基板Ｐの複数のショット領域の露光が終了した後に、制御装置７は、最終光学素子ＦＬと第１キャップホルダ４Ｃとが対向するように第１基板ステージ４を移動して、第１キャップホルダ４Ｃからキャップ部材３０をリリースするとともに、最終光学素子ＦＬとキャップ部材３０とが対向するように、シール部材２１２でキャップ部材３０を保持する。
以下、図８０〜図８６を参照して説明した処理が繰り返される。すなわち、第２領域ＳＰ２で所定の処理が行われた第２基板ステージ５は、スライダ８８に接続された状態で、矢印Ｒ１ｂで示したような移動経路で第３領域ＳＰ３の＋Ｘ側の領域に移動した後、第３領域ＳＰ３において、スライダ８６に接続され、矢印Ｒ１ｄで示したような移動経路で第１領域ＳＰ１に移動される。第１領域ＳＰ１で所定の処理が行われた第２基板ステージ５は、スライダ８６に接続された状態で、矢印Ｒ２ｄで示したような移動経路で第３領域ＳＰ３の＋Ｘ側の領域に移動した後、第３領域ＳＰ３において、スライダ８８に接続され、矢印Ｒ２ｂで示したような移動経路で第２領域ＳＰ２に移動される。
一方、第２領域ＳＰ２で所定の処理が行われた第１基板ステージ４は、スライダ８８に接続された状態で、矢印Ｒ２ｃで示したような移動経路で第３領域ＳＰ３の−Ｘ側の領域に移動した後、第３領域ＳＰ３において、スライダ８６に接続され、矢印Ｒ２ａで示したような移動経路で第１領域ＳＰ１に移動される。第１領域ＳＰ１で所定の処理が行われた第１基板ステージ４は、スライダ８６に接続された状態で、矢印Ｒ１ａで示したような移動経路で第３領域ＳＰ３の−Ｘ側の領域に移動した後、第３領域ＳＰ３において、スライダ８８に接続され、矢印Ｒ１ｃで示したような移動経路で第２領域ＳＰ２に移動される。
このように、本実施形態においては、第１基板ステージ４は、第３領域ＳＰ３において常に−Ｘ側の領域に配置され、第２基板ステージ５は、第３領域ＳＰ３において常に＋Ｘ側の領域に配置される。すなわち、本実施形態においては、第１基板ステージ４と、第２基板ステージ５とが、異なる経路で、第２領域ＳＰ２から第３領域ＳＰ３を経て第１領域ＳＰ１へ移動し、第１領域ＳＰ１から第３領域ＳＰ３を経て第２領域ＳＰ２へ移動する。そして、第１基板ステージ４及び第２基板ステージ５のそれぞれは、ＸＹ平面とほぼ平行なベース部材ＢＰ上において、時計周りに第１領域ＳＰ１と第２領域ＳＰ２との間を移動するとともに、反時計周りに第１領域ＳＰ１と第２領域ＳＰ２との間を移動する。
このような移動経路において、第１キャップホルダ４Ｃと、第２キャップホルダ５Ｃとを、第１、第２基板ステージ４、５上で、異なる位置、すなわち第１基板ステージ４においては第１キャップホルダ４Ｃを第４コーナーＥ４に設け、第２基板ステージ５においては第２キャップホルダ５Ｃを第１コーナーＥ１に設けることにより、図８７の模式図に示すように、シール部材２１２に保持されたキャップ部材３０をキャップホルダ４Ｃ（５Ｃ）で保持するために基板ステージ４（５）を第３領域ＳＰ３から第１領域ＳＰ１へ移動するときの移動距離を短くすることができる。これにより、第３領域ＳＰ３において、２つのスライダ８６、８８に対する２つの基板ステージ４、５の切り換え動作を行ってから次の基板Ｐの露光を開始するまでの時間を短縮することができ、スループット（露光装置ＥＸの稼動率）の低下を抑えることができる。
また、本実施形態においても、基板ステージ４（５）に配置されたキャップホルダ４Ｃ（５Ｃ）で保持した後、シール部材２１２に保持されたキャップ部材３０をシール部材２１２からリリースし、キャップ部材３０上の液浸領域ＬＲを計測領域２７４（２７５）上へ移動するときに、液浸領域ＬＲの液体ＬＱが基板ステージ４（５）に保持された基板Ｐと接触しないように、液浸領域ＬＲと基板ステージ４（５）とを相対的に移動することができる。
なお、基板Ｐの周縁に所定幅の非有効領域が規定されている場合には、基板Ｐの非有効領域と液浸領域ＬＲの液体ＬＱとの接触を許容して、液浸領域ＬＲの液体ＬＱと基板Ｐとが接触していないとみなすようにしてもよい。
なお、上述の第１０、第１１実施形態で説明した、第１、第２基板ステージ４、５の移動経路、及び第１、第２基板ステージ４、５上における第１、第２キャップホルダ４Ｃ、５Ｃの配置は、一例であり、これに限定されるものではない。第１基板ステージ４における第１キャップホルダ４Ｃの配置、及び第２基板ステージ５における第２キャップホルダ５Ｃの配置は、第２領域ＳＰ２から第３領域ＳＰ３を経て第１領域ＳＰ１へ移動するときの、第１、第２基板ステージ４、５の各移動経路に応じて定めることができる。要は、シール部材２１２に保持されたキャップ部材３０を第１、第２キャップホルダ４Ｃ、５Ｃで保持するために第１、第２基板ステージ４、５が第３領域ＳＰ３から第１領域ＳＰ１へ移動するときの移動距離が短くなるように、第１、第２基板ステージ４、５上での第１、第２キャップホルダ４Ｃ、５Ｃの配置が、基板ステージ４、５の移動経路に応じて、最適化されていればよい。
＜第１２実施形態＞
次に、第１２実施形態について図８８及び図８９を参照して説明する。本実施形態の特徴的な部分は、基板ステージ４（５）のキャップホルダ４Ｃ（５Ｃ）に保持されたキャップ部材３０の周囲に、基板ホルダ４Ｈ（５Ｈ）に保持された基板Ｐの表面とほぼ面一の領域４Ｆａ（５Ｆａ）と、その領域４Ｆａ（５Ｆａ）よりも最終光学素子ＦＬとの距離が長くなるように形成された領域４Ｆｂ（５Ｆｂ）とが形成されている点にある。以下の説明において、第１０及び１１実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
図８８、図８９において、第１基板ステージ４の第１キャップホルダ４Ｃに保持されたキャップ部材３０の周囲には、基板ホルダ４Ｈに保持された基板Ｐの表面とほぼ面一の第４領域４Ｆａと、その第４領域４Ｆａよりも最終光学素子ＦＬとの距離が長くなるように形成された第５領域４Ｆｂとが形成されている。すなわち、第１基板ステージ４の上面４Ｆのうち、キャップホルダ４Ｃの近傍には段差が設けられており、第５領域４Ｆｂは、キャップホルダ４Ｃに保持されたキャップ部材３０の上面よりも低くなるように形成されている。キャップ部材３０の上面よりも低い第５領域４Ｆｂは、第１キャップホルダ４Ｃと基板テーブル４Ｔの側面とを接続するように形成されている。
同様に、第２基板ステージ５の第２キャップホルダ５Ｃに保持されたキャップ部材３０の周囲には、基板ホルダ５Ｈに保持された基板Ｐの表面とほぼ面一の第６領域５Ｆａと、その第６領域５Ｆａよりも最終光学素子ＦＬとの距離が長くなるように形成された第７領域５Ｆｂとが形成されている。
例えばシール部材２１２に保持されているキャップ部材３０を第１キャップホルダ４Ｃで保持するために、第３領域ＳＰ３に位置している第１基板ステージ４を第３領域ＳＰ３から第１領域ＳＰ１へ移動するときに、制御装置７は、シール部材２１２に保持されたキャップ部材３０の下を、第５領域４Ｆｂが通過するように、第１基板ステージ４の移動を制御する。
キャップホルダ４Ｃに保持されたキャップ部材３０の周囲に、第４領域４Ｆａよりも低い第５領域４Ｆｂを設け、シール部材２１２に保持されたキャップ部材３０の下を、第５領域４Ｆｂが通過するように、第１基板ステージ４を移動することにより、シール部材２１２に保持されているキャップ部材３０を第１キャップホルダ４Ｃに受け渡す動作を短時間で行うことができる。これにより、例えば、第３領域ＳＰ３において、２つのスライダ８６、８８に対する２つの基板ステージ４、５の切り換え動作を行ってから第１基板ステージ４上の基板Ｐの露光を開始するまでの時間を短縮することができ、スループット（露光装置ＥＸの稼動率）の低下を抑えることができる。
すなわち、シール部材２１２に保持されているキャップ部材３０を第１キャップホルダ４Ｃで保持するために、シール部材２１２に保持されているキャップ部材３０と第１基板ステージ４上の第１キャップホルダ４Ｃとを対向させる際、図７４等を参照して説明したように、制御装置７は、シール部材２１２及び／又はそのシール部材２１２に保持されているキャップ部材３０と第１基板ステージ４とが当たらないように、シール部材２１２及びそのシール部材２１２に保持されたキャップ部材３０に対して、第１基板テーブル４Ｔを−Ｚ方向に所定距離離した状態で、第１基板ステージ４を水平方向に移動する。そして、図７５等を参照して説明したように、制御装置７は、第１基板テーブル４Ｔを上方（＋Ｚ方向）に移動し、シール部材２１２に保持されているキャップ部材３０を第１キャップホルダ４Ｃで保持する。このような動作において、シール部材２１２に保持されたキャップ部材３０の下を、第１基板ステージ４上に設けられた第５領域４Ｆｂが通過するように、第１基板ステージ４の移動を制御することで、第１基板テーブル４Ｔの−Ｚ方向への移動量を小さくすることができる。すなわち、第１キャップホルダ４Ｃの上面がシール部材２１２に保持されたキャップ部材３０の下面より下側（−Ｚ側）に位置していれば、基板テーブル４Ｔの上面（第４領域４Ｆａ）がシール部材２１２に保持されたキャップ部材３０の下面より上側（＋Ｚ側）に位置していても、シール部材２１２に保持されているキャップ部材３０と第１基板ステージ４とを衝突させることなく、シール部材２１２に保持されているキャップ部材３０と第１キャップホルダ４Ｃとを対向させるための第１基板ステージ４の水平方向への移動を行うことができる。したがって、キャップ部材３０と第１キャップホルダ４Ｃとを対向させた後、キャップ部材３０と第１キャップホルダ４Ｃとを接触させるための、第１基板ステージ４の上方（＋Ｚ方向）への移動量を小さくすることができる。
図８９は上述の第１１実施形態の基板ステージ４、５のキャップホルダ４Ｃ、５Ｃの近傍に、図８８に示すような段差を形成した場合の一例を示すものである。本実施形態においては、シール部材２１２に保持されているキャップ部材３０と第１キャップホルダ４Ｃとを対向させるために、図８９中、矢印Ｙ１で示す移動経路で、第１基板ステージ４を第３領域ＳＰ３から第１領域ＳＰ１に移動する場合、第５領域４Ｆｂは、矢印Ｙ１に沿うように形成されている。具体的には、第５領域４Ｆｂは、第３領域ＳＰ３に位置している第１基板ステージ４上の第１キャップホルダ４Ｃとシール部材２１２に保持されているキャップ部材３０とを結ぶラインに沿うように形成されている。こうすることにより、より一層、シール部材２１２に保持されているキャップ部材３０を第１キャップホルダ４Ｃに素早く渡すことができる。
同様に、シール部材２１２に保持されているキャップ部材３０を第２キャップホルダ５Ｃで保持するために、第３領域ＳＰ３に位置している第２基板ステージ５を、第３領域ＳＰ３から第１領域ＳＰ１へ移動するときに、制御装置７は、シール部材２１２に保持されたキャップ部材３０の下を、第７領域５Ｆｂが通過するように、第２基板ステージ５の移動を制御することができる。また、シール部材２１２に保持されているキャップ部材３０と第２キャップホルダ５Ｃとを対向させるために、図８９中、矢印Ｙ２で示す移動経路で、第２基板ステージ５を第３領域ＳＰ３から第１領域ＳＰ１に移動する場合、第７領域５Ｆｂを、矢印Ｙ２に沿うように形成することで、シール部材２１２に保持されているキャップ部材３０を第２キャップホルダ５Ｃに素早く渡すことができる。
また、第１基板ステージ４（第２基板ステージ５）上の基板Ｐの露光が終了し、第１キャップホルダ４Ｃ（５Ｃ）に保持されていたキャップ部材３０をその第１キャップホルダ４Ｃ（５Ｃ）からリリースし、シール部材２１２で保持した後、第１基板ステージ４（第２基板ステージ５）を第１領域ＳＰ１から第３領域ＳＰ３へ移動するときにも、制御装置７は、シール部材２１２に保持されたキャップ部材３０の下を、第５領域４Ｆｂ（第７領域５Ｆｂ）が通過するように、第１基板ステージ４（第２基板ステージ５）の移動を制御することができる。
＜第１３実施形態＞
次に、第１３実施形態について図９０を参照しながら説明する。以下の説明において、第１０〜１２実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
図９０において、第１基板ステージ４の基板テーブル４Ｔの側面には、反射面２Ｋｂが設けられている。第１０実施形態同様、反射面２Ｋｂには、Ｚ軸方向に関する第１基板ステージ４（基板テーブル４Ｔ）の位置情報を計測するための計測光が、Ｚ干渉計２Ｐｚより照射される。反射面２Ｋｂは、ほぼ矩形状に形成された基板テーブル４Ｔの４つの側面のうち、３つの側面に設けられている。そして、第１キャップホルダ４Ｃは、基板テーブル４Ｔの上面４Ｆの第１〜第４コーナーＥ１〜Ｅ４のうち、隣り合う二つの側面の一方のみに反射面２Ｋｂが形成されているコーナーに配置されている。図９０においては、反射面２Ｋｂは、基板テーブル４Ｔの４つの側面のうち、−Ｘ側の側面以外の３つの側面（＋Ｘ側、＋Ｙ側、及び−Ｙ側の側面）に設けられており、第１キャップホルダ４Ｃは、第１コーナーＥ１に設けられている。第１コーナーＥ１は、隣り合う二つの側面（−Ｘ側、−Ｙ側の側面）の一方（−Ｙ側）のみに反射面２Ｋｂが形成されているコーナーである。
また、図９０においては、基板テーブル４Ｔの上面４Ｆには、第５領域４Ｆｂが設けられている。第５領域４Ｆｂは、第１キャップホルダ４Ｃと、基板テーブル４Ｔの側面のうち反射面２Ｋｂが設けられていない側面（−Ｘ側の側面）とを接続するように形成されている。
例えばシール部材２１２に保持されているキャップ部材３０を第１キャップホルダ４Ｃで保持するために、第３領域ＳＰ３に位置している第１基板ステージ４を第３領域ＳＰ３から第１領域ＳＰ１へ移動するときに、制御装置７は、シール部材２１２に保持されたキャップ部材３０の下を、反射面２Ｋｂが通過しないように、第１基板ステージ４の移動を制御する。図９０には、最終光学素子ＦＬの像面側に形成された液浸領域ＬＲと第１基板ステージ４との位置関係（移動経路）が、矢印Ｙ３によって示されている。
こうすることにより、仮に、最終光学素子ＦＬとシール部材２１２で保持されているキャップ部材３０との間に保持されている液体ＬＱが漏出しても、第３領域ＳＰ３から第１領域ＳＰ１へ移動するときに、シール部材２１２に保持されたキャップ部材３０の下を反射面２Ｋｂが通過しないように第１基板ステージ４の移動を制御することで、その漏出した液体ＬＱが反射面２Ｋｂに付着する等の不具合の発生を抑えることができる。
同様に、第１領域ＳＰ１から第３領域ＳＰ３へ移動するときに、シール部材２１２に保持されたキャップ部材３０の下を反射面２Ｋｂが通過しないように第１基板ステージ４の移動を制御することで、仮に、最終光学素子ＦＬとシール部材２１２で保持されているキャップ部材３０との間に保持されている液体ＬＱが漏出しても、その漏出した液体ＬＱが反射面２Ｋｂに付着する等の不具合の発生を抑えることができる。
なお、第１キャップホルダ４Ｃが第１コーナーＥ１に設けられている場合、反射面２Ｋｂを、基板テーブル４Ｔの４つの側面のうち、−Ｙ側の側面以外の３つの側面（＋Ｘ側、−Ｘ側、及び＋Ｙ側の側面）に設けるようにしてもよい。
同様に、第２基板ステージ５においては、基板テーブル５Ｔの４つの側面のうち、３つの側面に反射面２Ｋｂが設けられ、第２キャップホルダ５Ｃは、基板テーブル５Ｔの上面５Ｆの第１〜第４コーナーＥ１〜Ｅ４のうち、隣り合う二つの側面の一方のみに反射面２Ｋｂが形成されているコーナーに配置されている。例えば、上述の第１０実施形態のように、第２キャップホルダ５Ｃが基板テーブル５Ｔの上面５Ｆの第１コーナーＥ１に配置されている場合には、反射面２Ｋｂは、基板テーブル５Ｔの４つの側面のうち、＋Ｘ側、＋Ｙ側、及び−Ｙ側の側面、あるいは＋Ｘ側、−Ｘ側、及び＋Ｙ側の側面に設けられ、上述の第１１実施形態のように、第２キャップホルダ５Ｃが基板テーブル５Ｔの上面５Ｆの第４コーナーＥ４に配置されている場合には、反射面２Ｋｂは、基板テーブル５Ｔの４つの側面のうち、−Ｘ側、＋Ｙ側、及び−Ｙ側の側面、あるいは＋Ｘ側、−Ｘ側、及び＋Ｙ側の側面に設けられる。
第３領域ＳＰ３及び第１領域ＳＰ１の一方から他方へ第２基板ステージ５を移動するときに、シール部材２１２に保持されたキャップ部材３０の下を、反射面２Ｋｂが通過しないように、第２基板ステージ５の移動を制御することで、最終光学素子ＦＬとシール部材２１２で保持されているキャップ部材３０との間に保持されている液体ＬＱが漏出しても、その漏出した液体ＬＱが反射面２Ｋｂに付着する等の不具合の発生を抑えることができる。
なお、本実施形態においては、上方を向くように所定角度傾斜した反射面２Ｋｂに液体ＬＱが付着することを抑制するために基板ステージ４、５の移動を制御しているが、基板ステージ４、５のＸＹ方向の位置情報を計測するための計測光が照射される反射面２Ｋａに液体ＬＱが付着するとこを抑制するために、反射面２Ｋａの配置を最適化したり、基板ステージ４、５の移動を制御することができる。例えば、反射面２Ｋａを、第１基板ステージ４の基板テーブル４Ｔの４つの側面のうち、−Ｘ側の側面以外の３つの側面に設けるとともに、その第１基板ステージ４を第３領域ＳＰ３及び第１領域ＳＰ１の一方から他方へ移動するときに、シール部材２１２で保持されたキャップ部材３０の下を、反射面２Ｋａが通過しないように、第１基板ステージ４の移動を制御することができる。
＜第１４実施形態＞
次に、第１４実施形態について説明する。以下の説明において、第１０〜１３実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
第１０〜１３の各実施形態において、シール部材２１２でキャップ部材３０を保持するとき、シール部材２１２は、キャップ部材３０とシール部材２１２との間に、ガスベアリング２２０を形成することによって、キャップ部材３０を保持している。この場合、シール部材２１２の下面とキャップ部材３０の上面との間のギャップＧ、すなわち、シール部材２１２とキャップ部材３０とのＺ軸方向に関する相対位置は維持されるが、シール部材２１２とキャップ部材３０とのＸＹ方向に関する相対位置が変動する可能性がある。そこで、シール部材２１２の下面で保持されたキャップ部材３０の、シール部材２１２の下面に沿う方向（ＸＹ方向）への移動を抑える規制部材を設けることで、シール部材２１２とそのシール部材２１２に保持されたキャップ部材３０とのＸＹ方向に関する相対位置の変動を抑えることができる。例えば図９１に示すように、規制部材として、シール部材２１２の下面にピン状部材１２０を設けることができる。ピン状部材１２０は、シール部材２１２の下面において、シール部材２１２の下面に保持されたキャップ部材３０を囲むように設けられている。ピン状部材１２０は、シール部材２１２の下面に対して出没可能に設けられており、シール部材２１２の下面でキャップ部材３０を保持しているときには、シール部材２１２の下面より突出し、シール部材２１２の下面と基板Ｐ、第１、第２基板ステージ４、５とが対向しているときには、シール部材２１２の内部に収容される。このようなピン状部材１２０を含む規制部材を設けることで、シール部材２１２の下面で保持されたキャップ部材３０のＸＹ方向への移動を規制することができる。
なお、上述のピン状部材１２０に加えて、あるいはピン状部材１２０の代わりに、キャップ部材３０の上面に凹凸を設けておき、キャップ部材３０のＸＹ方向への移動（変動）を抑制するようにしてもよい。
＜第１５実施形態＞
次に、第１５実施形態について説明する。以下の説明において、第１０〜１４実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
第１０〜第１４の各実施形態においては、キャップ部材３０は、シール部材２１２の下面との間に形成されたガスベアリング２２０によって、シール部材２１２に対して所定の位置関係で保持されている。しかしながら、シール部材２１２とキャップ部材３０とを所定の位置関係で保持する保持装置としては、最終光学素子ＦＬとキャップ部材３０との間で液体ＬＱを保持するための空間が形成されるようにキャップ部材３０を保持することができるのであれば、任意の構成を採用することができる。例えば、図９２に示す保持装置１７０は、シール部材２１２に対して移動する可動部材１７１と、可動部材１７１のうちキャップ部材３０の上面と対向する下面に設けられ、キャップ部材３０を吸着保持する吸着孔１７２とを有している。可動部材１７１は、シール部材２１２の外側に複数（例えば３つ）設けられている。シール部材２１２の側面には、可動部材１７１に対応する支持部材１７３が設けられており、支持部材１７３と可動部材１７１との間には、支持部材１７３に対して可動部材１７１をＺ軸方向に駆動する駆動装置１７４が設けられている。制御装置７は、駆動装置１７４を駆動することによって、シール部材２１２の外側で、可動部材１７１を上下方向に移動することができる。
基板Ｐを露光しているときには、制御装置７は、駆動装置１７４を用いて、可動部材１７１の下面がシール部材２１２の下面よりも上方に位置するように、すなわち、可動部材１７１が基板Ｐに当たらないように、可動部材１７１を上昇する。保持装置１７０を用いてキャップ部材３０を保持する場合には、図９２に示すように、制御装置７は、駆動装置１７４を用いて、可動部材１７１の下面をシール部材２１２の下面よりも下げ、その可動部材１７１の下面に設けられた吸着孔１７２を用いて、キャップ部材３０の上面を吸着保持する。
なお、可動部材１７１は駆動装置１７４及び支持部材１７３を介してシール部材２１２に接続されているが、例えば投影光学系ＰＬの鏡筒ＰＫ、支持フレームＦＣなど、鏡筒ＰＫを支持する支持部材（露光装置ＥＸのボディ、コラム）に接続されてもよい。
また、保持装置１７０でキャップ部材３０を保持する場合、シール部材２１２とキャップ部材３０との間にガスベアリング２２０を形成してもよいし、形成しなくてもよい。ガスベアリング２２０をシール部材２１２とキャップ部材３０との間に形成しない場合、シール部材２１２の下面とキャップ部材３０の上面とを接触させてもよい。
また、例えばキャップ部材３０を磁性体（金属）で形成した場合には、シール部材２１２に対してキャップ部材３０を所定の位置関係で保持するための保持装置としては、キャップ部材３０を磁力（電磁石など）で保持する装置であってもよい。
なお、上述の第１０〜１５の各各実施形態においては、第１キャップホルダ４Ｃ、５Ｃは、真空チャック機構を有した構成であるが、キャップ部材３０をリリース可能に保持することができるのであれば、任意の構成を採用することができる。例えば、キャップ部材３０を磁性体（金属）で形成した場合には、第１キャップホルダ４Ｃ、５Ｃが、キャップ部材３０を磁力（電磁石など）で保持する機構を有していてもよい。
なお、上述の第１０〜１５の各実施形態において、シール部材２１２に保持されたキャップ部材３０を基板ステージ４（５）から取り外すために、図９２に示したように、基板テーブル４Ｔ（５Ｔ）を下方（−Ｚ方向）に移動した後、図９３に示したように、基板ステージ４（５）を水平方向に移動させているが、上述のように、シール部材２１２が、支持機構２１２Ｆによって柔らかく支持されている場合には、シール部材２１２の自重及び／又はそのシール部材２１２に保持されたキャップ部材３０の自重により、キャップ部材３０を保持したシール部材２１２が下方に所定量移動する（下がる）可能性がある。そのような状況が生じる場合には、シール部材２１２に保持されたキャップ部材３０と基板ステージ４（５）とが当たらないように、シール部材２１２及びキャップ部材３０の自重を考慮して、基板テーブル４Ｔ（５Ｔ）を−Ｚ方向に移動するときの移動量を最適化することが好ましい。
なお、上述の第１０〜１５の各実施形態において、シール部材２１２を支持する支持機構２１２Ｆに、特開２００４−３４３１１４号公報に開示されているように、シール部材２１２を駆動する駆動装置（アクチュエータ）を設けるようにしてもよい。
上述の第１０〜１５の各実施形態においては、シール部材２１２に保持されたキャップ部材３０と、基板ステージ４、５のキャップホルダ４Ｃ、５Ｃとを接触させるために、基板テーブル４Ｔ、５Ｔを上方（＋Ｚ方向）に移動しているが（図７５参照）、シール部材２１２を支持する支持機構２１２Ｆに、特開２００４−３４３１１４号公報に開示されているように、シール部材２１２をＺ軸方向に駆動する駆動装置を設けた場合には、シール部材２１２を下方（−Ｚ方向）に移動するようにしてもよい。もちろん、基板テーブル４Ｔ、５Ｔとシール部材２１２との双方をＺ軸方向に移動するようにしてもよい。同様に、シール部材２１２に保持されたキャップ部材３０と基板ステージ４、５上のキャップホルダ４Ｃ、５Ｃとを離すときにも、基板ステージ４、５及びシール部材２１２の少なくとも一方をＺ軸方向に移動することができる。
なお、上述の第１０〜１５の各実施形態においては、シール部材２１２（あるいは保持装置１７０）で保持されているキャップ部材３０を、キャップホルダ４Ｃ（５Ｃ）に保持させる場合、及びキャップホルダ４Ｃ（５Ｃ）に保持されているキャップ部材３０をシール部材２１２（あるいは保持装置１７０）で保持する場合に、レーザ干渉システム２、及び第２駆動系ＰＤ２の計測装置を用いて、キャップ部材３０が所望の位置で保持されるように、基板ステージ４（５）の位置、基板テーブル４Ｔ（５Ｔ）の位置などが制御されているが、特開２００４−２８９１２８号公報に開示されているように、キャップ部材３０をキャップホルダ４Ｃ（５Ｃ）の所定位置に保持するために、あるいはキャップ部材３０をシール部材２１２（保持装置１７０）の所定位置に保持するために、キャップ部材の位置をモニタするセンサなどを設けてもよい。
また、キャップ部材３０の上面に、露光光ＥＬ（あるいは露光光ＥＬと同じ波長の光）が照射されるセンサ、及び／又は計測部材（計測マークなど）を配置しておき、キャップ部材３０がシール部材２１２（保持装置１７０）に保持されているときに、所定の計測を実行するようにしてもよい。
上記各実施形態における液体ＬＱは純水により構成されている。純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、基板Ｐ上のフォトレジスト及び光学素子（レンズ）等に対する悪影響がない利点がある。また、純水は環境に対する悪影響がないとともに、不純物の含有量が極めて低いため、基板Ｐの表面、及び投影光学系ＰＬの先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期待できる。
そして、波長が１９３ｎｍ程度の露光光ＥＬに対する純水（水）の屈折率ｎはほぼ１．４４と言われており、露光光ＥＬの光源としてＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）を用いた場合、基板Ｐ上では１／ｎ、すなわち約１３４ｎｍに短波長化されて高い解像度が得られる。更に、焦点深度は空気中に比べて約ｎ倍、すなわち約１．４４倍に拡大されるため、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、投影光学系ＰＬの開口数をより増加させることができ、この点でも解像度が向上する。
上記各実施形態では、投影光学系ＰＬの先端に光学素子ＦＬが取り付けられており、この光学素子により投影光学系ＰＬの光学特性、例えば収差（球面収差、コマ収差等）の調整を行うことができる。なお、投影光学系ＰＬの先端に取り付ける光学素子としては、投影光学系ＰＬの光学特性の調整に用いる光学プレートであってもよい。あるいは露光光ＥＬを透過可能な平行平面板（カバーガラスなど）であってもよい。
なお、液体ＬＱの流れによって生じる投影光学系ＰＬの先端の光学素子と基板Ｐとの間の圧力が大きい場合には、その光学素子を交換可能とするのではなく、その圧力によって光学素子が動かないように堅固に固定してもよい。
なお、上記各実施形態では、投影光学系ＰＬと基板Ｐ表面との間は液体ＬＱで満たされている構成であるが、例えば基板Ｐの表面に平行平面板からなるカバーガラスを取り付けた状態で液体ＬＱを満たす構成であってもよい。
また、上記各実施形態の投影光学系は、先端の光学素子の像面側の光路空間を液体で満たしているが、国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、先端の光学素子の物体面側の光路空間も液体で満たす投影光学系を採用することもできる。
なお、上記各実施形態の液体ＬＱは水（純水）であるが、水以外の液体であってもよい、例えば、露光光ＥＬの光源がＦ２レーザである場合、このＦ２レーザ光は水を透過しないので、液体ＬＱとしてはＦ２レーザ光を透過可能な例えば、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。この場合、液体ＬＱと接触する部分には、例えばフッ素を含む極性の小さい分子構造の物質で薄膜を形成することで親液化処理する。また、液体ＬＱとしては、その他にも、露光光ＥＬに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系ＰＬ及び基板Ｐ表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの（例えばセダー油）を用いることも可能である。
また、液体ＬＱとしては、屈折率が１．６〜１．８程度のものを使用してもよい。更に、石英あるいは蛍石よりも屈折率が高い（例えば１．６以上）材料で光学素子ＦＬを形成してもよい。
なお、上記各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
また、露光装置ＥＸとしては、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で第１パターンの縮小像を投影光学系（例えば１／８縮小倍率で反射素子を含まない屈折型投影光学系）を用いて基板Ｐ上に一括露光する方式の露光装置にも適用できる。この場合、更にその後に、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で第２パターンの縮小像をその投影光学系を用いて、第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光するスティッチ方式の一括露光装置にも適用できる。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
更に、上記各実施形態の一部は、１つの基板ステージのみを備える露光装置、あるいは特開平１１−１３５４００号公報（対応国際公開１９９９／２３６９２）、及び特開２０００−１６４５０４号公報（対応米国特許第６，８９７，９６３号）等に開示されているように、基板を保持する基板ステージと、基準マークが形成された基準部材及び各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
なお、上記各実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６，７７８，２５７号公報に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスク（可変成形マスクとも呼ばれ、例えば非発光型画像表示素子（空間光変調器）の一種であるＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）などを含む）を用いてもよい。
また、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。
なお、上記各実施形態では干渉計システム（２）を用いてマスクステージ３、及び基板ステージ４、５の各位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージに設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。この場合、干渉計システムとエンコーダシステムの両方を備えるハイブリッドシステムとし、干渉計システムの計測結果を用いてエンコーダシステムの計測結果の較正（キャリブレーション）を行うことが好ましい。また、干渉計システムとエンコーダシステムとを切り替えて用いる、あるいはその両方を用いて、ステージの位置制御を行うようにしてもよい。
さらに、例えば特表２００４−５１９８５０号公報（対応米国特許第６，６１１，３１６号）に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回のスキャン露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置にも本発明を適用することができる。
なお、本国際出願で指定又は選択された国の法令で許容される限りにおいて、上記各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
以上のように、上記各実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図９３に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、前述した実施形態の露光装置ＥＸによりマスクのパターンを基板に露光する工程、露光した基板を現像する工程、現像した基板の加熱（キュア）及びエッチング工程などの基板処理プロセスを含むステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。

Claims (90)

  1. 光学部材と液体とを介して基板を露光する露光装置であって、
    前記液体の供給及び回収を行う液浸システムと、
    第１領域で移動し、前記光学部材との間に前記液体が保持され得る第１移動体と、
    前記光学部材の対向位置から前記第１移動体が離れたときに前記第１移動体から取り外され、前記光学部材との間に前記液体が保持され得る所定部材と、
    前記所定部材に設けられ、所定の計測を行う計測装置と、を備えた露光装置。
  2. 前記所定部材に設けられ、前記所定部材の近傍の物体の温度及び前記液体の温度の少なくとも一方を調整する温度調整装置をさらに備えた請求項１記載の露光装置。
  3. 光学部材と液体とを介して基板を露光する露光装置であって、
    前記液体の供給及び回収を行う液浸システムと、
    第１領域で移動し、前記光学部材との間に前記液体が保持され得る第１移動体と、
    前記光学部材の対向位置から前記第１移動体が離れたときに前記第１移動体から取り外され、前記光学部材との間に前記液体が保持され得る所定部材と、
    前記所定部材に設けられ、前記所定部材の近傍の物体の温度及び前記液体の温度の少なくとも一方を調整する温度調整装置と、を備えた露光装置。
  4. 前記第１移動体は、前記基板を保持して移動可能である請求項１〜３のいずれか一項記載の露光装置。
  5. 前記所定部材を保持する保持機構をさらに備えた請求項１〜４のいずれか一項記載の露光装置。
  6. 前記液浸システムは、供給口及び回収口を有するノズル部材を有し、
    前記保持機構は、前記ノズル部材と前記所定部材とが所定の位置関係になるように前記所定部材を保持する請求項５記載の露光装置。
  7. 前記保持機構は、前記ノズル部材に設けられ、前記所定部材を吸着する吸着孔を有する請求項６記載の露光装置。
  8. 前記保持機構は、前記ノズル部材に対して移動する可動部材と、前記可動部材に設けられ、前記所定部材を吸着する吸着孔とを有する請求項６記載の露光装置。
  9. 前記供給口及び前記回収口は、前記吸着孔よりも前記光学部材の近くに設けられている請求項７又は８記載の露光装置。
  10. 第２領域で移動し、前記光学部材との間で前記液体が保持され得る第２移動体をさらに備え、
    前記所定部材は前記第２移動体に対して着脱可能である請求項１〜９のいずれか一項記載の露光装置。
  11. 光学部材と液体とを介して基板を露光する露光装置であって、
    第１領域で移動し、前記光学部材との間に前記液体が保持され得る第１移動体と、
    前記第１移動体が前記光学部材から離れたときに前記第１移動体から取り外され、前記光学部材との間で前記液体が保持され得る所定部材と、
    前記所定部材に設けられ、所定の計測を行う計測装置と、を備えた露光装置。
  12. 前記計測装置は、露光光に関する情報を計測する請求項１１記載の露光装置。
  13. 前記計測装置は、前記光学部材の表面状態を計測する請求項１１又は１２記載の露光装置。
  14. 前記計測装置は、前記液体の状態を計測する請求項１１〜１３のいずれか一項記載の露光装置。
  15. 前記所定部材に設けられ、前記計測装置の計測結果を無線送信する送信装置をさらに備えた請求項１１〜１４のいずれか一項記載の露光装置。
  16. 前記所定部材に設けられ、前記計測装置の計測結果を記憶する記憶装置をさらに備えた請求項１１〜１５のいずれか一項記載の露光装置。
  17. 前記計測装置の計測結果に基づいて露光条件を調整する制御装置をさらに備えた請求項１１〜１６のいずれか一項記載の露光装置。
  18. 前記所定部材に設けられ、前記所定部材の近傍の物体の温度及び前記液体の温度の少なくとも一方を調整する温度調整装置をさらに備えた請求項１１〜１７のいずれか一項記載の露光装置。
  19. 光学部材と液体とを介して基板を露光する露光装置であって、
    第１領域で移動し、前記光学部材との間に前記液体が保持され得る第１移動体と、
    前記第１移動体が前記光学部材から離れたときに前記第１移動体から取り外され、前記光学部材との間で前記液体が保持され得る所定部材と、
    前記所定部材に設けられ、前記所定部材の近傍の物体の温度及び前記液体の温度の少なくとも一方を調整する温度調整装置とを備えた露光装置。
  20. 光学部材と液体とを介して基板を露光する露光装置であって、
    第１領域で移動し、前記光学部材との間で前記液体が保持され得る第１移動体と、
    第２領域で移動し、前記光学部材との間で前記液体が保持され得る第２移動体と、
    前記第１移動体及び前記第２移動体のそれぞれに対して着脱可能であり、前記第１移動体及び前記第２移動体から取り外された状態で前記光学部材との間で前記液体が保持され得る所定部材と、を備え、
    前記第１移動体が前記光学部材の対向位置に配置されているとき、前記光学部材の前記対向位置から離れた位置に配置された前記第２移動体において、液体を介さずに前記第２移動体に保持されている前記基板の面位置情報を計測する処理が行われる露光装置。
  21. 前記所定部材は、前記第１移動体が前記光学部材の対向位置から離れたときに前記第１移動体から取り外され、又は前記第２移動体の前記対向位置から前記光学部材が離れたときに前記第２移動体から取り外される請求項２０記載の露光装置。
  22. 前記第１移動体が前記光学部材の対向位置から離れるときに、前記所定部材が前記第１移動体から取り外されかつ前記光学部材と前記所定部材との間に前記液体が保持され、その後に前記第２移動体が前記光学部材の前記対向位置に配置されるときに、前記所定部材が前記第２移動体に取り付けられる請求項２０又は２１記載の露光装置。
  23. 前記第１移動体及び前記第２移動体のそれぞれは、前記基板を保持して移動可能である請求項２０〜２２のいずれか一項記載の露光装置。
  24. 前記光学部材と前記第１移動体に保持された前記基板との間に形成された液浸が前記第１移動体の移動によって前記光学部材と前記所定部材との間に移動し、その後に前記光学部材の対向位置に前記第１移動体に代えて前記第２移動体が配置されるときに、前記所定部材が前記第１移動体から取り外されかつ前記第２移動体に取り付けられ、その後に前記第２移動体の移動によって前記光学部材と前記所定部材との間から前記光学部材と前記基板との間に前記液浸が移動する請求項２３記載の露光装置。
  25. 前記光学部材の前記対向位置に前記第２移動体が配置されたとき、前記第２移動体に保持された前記基板の位置が前記面位置情報に基づいて調整される請求項２０〜２４のいずれか一項記載の露光装置。
  26. 前記光学部材と前記所定部材との間の所定空間に前記液体を供給する液浸システムをさらに備えた請求項２０〜２５のいずれか一項記載の露光装置。
  27. 前記光学部材と前記所定部材との間に前記所定空間が形成されるように前記所定部材を保持する保持機構をさらに備えた請求項２６記載の露光装置。
  28. 前記第１移動体と前記第２移動体との衝突を防止する補助体をさらに備えた請求項２０〜２７のいずれか一項記載の露光装置。
  29. 光学部材と液体とを介して基板を露光する露光装置であって、
    第１領域で移動し、前記光学部材との間に前記液体が保持され得る第１移動体と、
    第２領域で移動し、前記光学部材との間に前記液体が保持され得る第２移動体と、
    補助体であり、前記補助体の表面と前記第１移動体の表面との間又は前記補助体の前記表面と前記第２移動体の表面との間を前記液体の液浸領域が移動する前記補助体と、を備え、
    前記補助体は、前記第１移動体と前記第２移動体とが互いに異なる経路だけを移動するように規制する規制部材を有する露光装置。
  30. 前記補助体は、前記第１移動体及び前記第２移動体から独立して移動する第３移動体であり、前記光学部材との間で前記液体が保持され得る前記第３移動体を含み、
    前記第３移動体と前記第１移動体とが互いに接近又は接触した状態で一緒に移動することによって前記第３移動体の前記表面と前記第１移動体の前記表面との間を前記液浸領域が移動する、又は、前記第３移動体と前記第２移動体とが互いに接近又は接触した状態で一緒に移動することによって前記第３移動体の前記表面と前記第２移動体の前記表面との間を前記液浸領域が移動する請求項２９記載の露光装置。
  31. 前記補助体は、所定位置に固定された物体を含む請求項２９又は３０記載の露光装置。
  32. 前記第１移動体及び前記第２移動体は前記基板を保持して移動可能である請求項２９〜３１のいずれか一項記載の露光装置。
  33. 前記補助体に設けられ、所定の計測を行う計測装置をさらに備えた請求項２９〜３２のいずれか一項記載の露光装置。
  34. 請求項１〜請求項３３のいずれか一項記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。
  35. 光学部材と液体とを介して基板を露光する露光方法であって、
    第１移動体に保持された前記基板を露光する動作であり、前記光学部材の対向位置に前記第１移動体を配置すること、及び前記光学部材と前記基板との間に前記液体を配置することを有する前記動作と、
    前記光学部材と所定の計測を行う計測装置を有する所定部材との間に前記液体を保持する動作であり、前記第１移動体から前記所定部材を取り外すこと、前記第１移動体を前記光学部材の前記対向位置から離すこと、及び前記光学部材と前記所定部材との間の空間に前記液体の供給と回収とを行うことを有する前記動作と、を含む露光方法。
  36. 光学部材と液体とを介して基板を露光する露光方法であって、
    第１移動体に保持された前記基板を露光する動作であり、前記光学部材の対向位置に前記第１移動体を配置すること、及び前記光学部材と前記基板との間に前記液体を配置することを有する前記動作と、
    前記光学部材と所定部材との間に前記液体を保持する動作であり、前記第１移動体から前記所定部材を取り外すこと、及び前記第１移動体を前記光学部材の前記対向位置から離すことを有する前記動作と、
    前記所定部材に設けられた計測装置を用いて所定の計測を行う動作と、を含む露光方法。
  37. 光学部材と液体とを介して基板を露光する露光方法であって、
    第１移動体に保持された前記基板を露光する動作であり、前記光学部材の対向位置に前記第１移動体を配置すること、及び前記光学部材と前記基板との間に前記液体を配置することを有する前記動作と、
    前記光学部材と所定部材との間に前記液体を保持する動作であり、前記第１移動体から前記所定部材を取り外すこと、及び前記第１移動体を前記光学部材の前記対向位置から離すことを有する前記動作と、
    前記所定部材に設けられた温度調整装置を用いて、前記所定部材の近傍の物体の温度及び前記液体の温度の少なくとも一方を調整する動作と、を含む露光方法。
  38. 光学部材と液体とを介して基板を露光する露光方法であって、
    第１移動体に保持された前記基板を露光する動作であり、前記光学部材の対向位置に前記第１移動体を配置すること、及び前記光学部材と前記基板との間に前記液体を配置することを有する前記動作と、
    前記光学部材と所定部材との間に前記液体を保持する動作であり、前記第１移動体から前記所定部材を取り外すこと、及び前記第１移動体を前記光学部材の前記対向位置から離すことを有する前記動作と、
    第２移動体に前記所定部材を取り付ける動作であり、前記第１移動体を前記光学部材から離した後に前記第２移動体を前記光学部材の前記対向位置に配置することを有する前記動作と、
    前記第１移動体が前記光学部材の対向位置に配置されているとき、前記光学部材の前記対向位置から離れた位置に配置された前記第２移動体において、液体を介さずに前記第２移動体に保持されている前記基板の面位置情報を計測する動作と、を含む露光方法。
  39. 前記第２移動体に前記所定部材を取り付けた後に前記第２移動体に保持された前記基板を露光する動作であり、前記光学部材と前記第２移動体に保持された前記基板との間に前記液体を配置することを有する前記動作、をさらに含む請求項３８記載の露光方法。
  40. 光学部材と液体とを介して基板を露光する露光方法であって、
    第１移動体に保持された前記基板を露光する動作であり、前記光学部材の対向位置に前記第１移動体を配置すること、及び前記光学部材と前記基板との間に前記液体の液浸領域を形成することを有する前記動作と、
    前記基板の表面から第３移動体の表面に前記液浸領域を移動させる動作であり、前記第１移動体と前記第３移動体とを互いに接近又は接触させた状態で一緒に移動させることを有する前記動作と、
    前記第３移動体の表面から第２移動体の表面に前記液浸領域を移動させる動作であり、前記第３移動体と前記第２移動体とを互いに接近又は接触させた状態で一緒に移動させることを有する前記動作と、
    前記第２移動体の前記表面に移動した前記液体を介して前記第２移動体に保持された前記基板を露光する動作と、を含む露光方法。
  41. 前記第３物体は、前記第１物体と前記第２物体との衝突を防止する請求項４０記載の露光方法。
  42. 請求項３５〜４１のいずれか一項記載の露光方法を用いるデバイス製造方法。
  43. 光学部材と液体とを介して基板を露光する露光装置であって、
    前記光学部材と対向する第１領域、前記第１領域から離れた第２領域、及び前記第１領域と前記第２領域との間の第３領域を含む所定領域内で移動する第１移動体と、
    前記所定領域内で前記第１移動体から独立して移動する第２移動体と、
    前記第１移動体及び前記第２移動体のいずれもが前記第１領域から離れているときに、前記光学部材と対向するように所定部材をリリース可能に保持する第１保持装置と、
    前記第１移動体に設けられ、前記第１移動体に保持された基板の露光中に、前記所定部材をリリース可能に保持する第２保持装置と、
    前記第２移動体に設けられ、前記第２移動体に保持された基板の露光中に、前記所定部材をリリース可能に保持する第３保持装置と、を備え、
    前記第１保持装置から前記第２保持装置への前記所定部材の保持のシフトにおいて前記第３領域から前記第１領域への前記第１移動体の移動距離が短くなるように、前記第２保持装置が前記第１移動体に設けられ、
    前記第１保持装置から前記第３保持装置への前記所定部材の保持のシフトにおいて前記第３領域から前記第１領域への前記第２移動体の移動距離が短くなるように、前記第３保持装置が前記第２移動体に設けられ、
    前記第１移動体における前記第２保持装置の配置、及び前記第２移動体における前記第３保持装置の配置は、前記第２領域から前記第３領域を経て前記第１領域へ移動するときの前記第１及び第２移動体の各移動経路に応じて定められ、
    前記第１移動体及び前記第２移動体は、ほぼ同じ形状及び大きさを有し、
    前記第１移動体と前記第２移動体とがほぼ同じ経路で、前記第２領域から前記第１領域へ移動し、
    前記第１移動体における前記第２保持装置の位置は、前記第２移動体における前記第３保持装置の位置とほぼ同じである露光装置。
  44. 光学部材と液体とを介して基板を露光する露光装置であって、
    前記光学部材と対向する第１領域、前記第１領域から離れた第２領域、及び前記第１領域と前記第２領域との間の第３領域を含む所定領域内で移動する第１移動体と、
    前記所定領域内で前記第１移動体から独立して移動する第２移動体と、
    前記第１移動体及び前記第２移動体のいずれもが前記第１領域から離れているときに、前記光学部材と対向するように所定部材をリリース可能に保持する第１保持装置と、
    前記第１移動体に設けられ、前記第１移動体に保持された基板の露光中に、前記所定部材をリリース可能に保持する第２保持装置と、
    前記第２移動体に設けられ、前記第２移動体に保持された基板の露光中に、前記所定部材をリリース可能に保持する第３保持装置と、を備え、
    前記第１保持装置から前記第２保持装置への前記所定部材の保持のシフトにおいて前記第３領域から前記第１領域への前記第１移動体の移動距離が短くなるように、前記第２保持装置が前記第１移動体に設けられ、
    前記第１保持装置から前記第３保持装置への前記所定部材の保持のシフトにおいて前記第３領域から前記第１領域への前記第２移動体の移動距離が短くなるように、前記第３保持装置が前記第２移動体に設けられ、
    前記第１移動体における前記第２保持装置の配置、及び前記第２移動体における前記第３保持装置の配置は、前記第２領域から前記第３領域を経て前記第１領域へ移動するときの前記第１及び第２移動体の各移動経路に応じて定められ、
    前記第１移動体及び前記第２移動体は、ほぼ同じ形状及び大きさであって、
    前記第１移動体と前記第２移動体とが異なる経路で、前記第２領域から前記第１領域へ移動し、
    前記第１移動体における前記第２保持装置の位置は、前記第２移動体における前記第３保持装置の位置とは異なる露光装置。
  45. 前記第１移動体及び前記第２移動体のそれぞれは、時計周り及び反時計周りに、前記第１領域と前記第２領域との間を移動する請求項４４記載の露光装置。
  46. 前記第１移動体は、前記第１移動体に保持された基板の周囲に位置する４つのコーナーを有し、
    前記４つのコーナーのうち、前記第１移動体が前記第３領域に位置するときに前記光学部材に最も近いコーナーに前記第２保持装置が配置され、
    前記第２移動体は、前記第２移動体に保持された基板の周囲に位置する４つのコーナーを有し、
    前記４つのコーナーのうち、前記第２移動体が前記第３領域に位置するときに前記光学部材に最も近いコーナーに前記第３保持装置が配置されている請求項４３〜４５のいずれか一項記載の露光装置。
  47. 光学部材と液体とを介して基板を露光する露光装置であって、
    前記光学部材と対向する第１領域、前記第１領域から離れた第２領域、及び前記第１領域と前記第２領域との間の第３領域を含む所定領域内で移動する第１移動体と、
    前記所定領域内で前記第１移動体から独立して移動する第２移動体と、
    前記第１移動体及び前記第２移動体のいずれもが前記第１領域から離れているときに、前記光学部材と対向するように所定部材をリリース可能に保持する第１保持装置と、
    前記第１移動体に設けられ、前記第１移動体に保持された基板の露光中に、前記所定部材をリリース可能に保持する第２保持装置と、
    前記第２移動体に設けられ、前記第２移動体に保持された基板の露光中に、前記所定部材をリリース可能に保持する第３保持装置と、を備え、
    前記第１移動体と前記第２移動体とがほぼ同じ経路で、前記第２領域から前記第１領域へ移動し、
    前記第１移動体における前記第２保持装置の位置は、前記第２移動体における前記第３保持装置の位置とほぼ同じであり、
    前記第１移動体及び前記第２移動体は、時計周り、又は反時計周りに、前記第１領域と前記第２領域との間を移動する露光装置。
  48. 光学部材と液体とを介して基板を露光する露光装置において、
    前記光学部材と対向する第１領域、前記第１領域から離れた第２領域、及び前記第１領域と前記第２領域との間の第３領域を含む所定領域内で移動可能な第１移動体と、
    前記所定領域内で、前記第１移動体から独立して移動する第２移動体と、
    前記第１移動体及び前記第２移動体のいずれもが前記第１領域から離れているときに、前記光学部材と対向するように所定部材をリリース可能に保持する第１保持装置と、
    前記第１移動体に設けられ、前記第１移動体に保持された基板の露光中に、前記所定部材をリリース可能に保持する第２保持装置と、
    前記第２移動体に設けられ、前記第２移動体に保持された基板の露光中に、前記所定部材をリリース可能に保持する第３保持装置と、を備え、
    前記第１移動体と前記第２移動体とが異なる経路で、前記第２領域から前記第１領域へ移動し、
    前記第１移動体における前記第２保持装置の位置は、前記第２移動体における前記第３保持装置の位置とは異なる露光装置。
  49. 前記第１移動体及び前記第２移動体のそれぞれは、時計周り及び反時計周りに、前記第１領域と前記第２領域との間を移動する請求項４８記載の露光装置。
  50. 少なくとも一部が前記光学部材を囲み、前記光学部材の光射出側の光路を含む空間に満たされる前記液体をシールするシール部材を更に備え、
    前記第１保持装置は、前記所定部材と前記シール部材との間に形成される流体ベアリングを有する請求項４３〜４９のいずれか一項記載の露光装置。
  51. 光学部材と液体とを介して基板を露光する露光装置であって、
    前記光学部材と対向する第１領域、前記第１領域から離れた第２領域、及び前記第１領域と前記第２領域との間の第３領域を含む所定領域内で移動する第１移動体と、
    前記所定領域内で前記第１移動体から独立して移動する第２移動体と、
    前記第１移動体及び前記第２移動体のいずれもが前記第１領域から離れているときに、前記光学部材と対向するように所定部材をリリース可能に保持する第１保持装置と、
    前記第１移動体に設けられ、前記第１移動体に保持された基板の露光中に、前記所定部材をリリース可能に保持する第２保持装置と、
    前記第２移動体に設けられ、前記第２移動体に保持された基板の露光中に、前記所定部材をリリース可能に保持する第３保持装置と、を備え、
    前記第１保持装置から前記第２保持装置への前記所定部材の保持のシフトにおいて前記第３領域から前記第１領域への前記第１移動体の移動距離が短くなるように、前記第２保持装置が前記第１移動体に設けられ、
    前記第１保持装置から前記第３保持装置への前記所定部材の保持のシフトにおいて前記第３領域から前記第１領域への前記第２移動体の移動距離が短くなるように、前記第３保持装置が前記第２移動体に設けられ、
    少なくとも一部が前記光学部材を囲み、前記光学部材の光射出側の光路を含む空間に満たされる前記液体をシールするシール部材を更に備え、
    前記第１保持装置は、前記所定部材と前記シール部材との間に形成される流体ベアリングを有する露光装置。
  52. 光学部材と液体とを介して基板を露光する露光装置であって、
    前記光学部材と対向する第１領域、前記第１領域から離れた第２領域、及び前記第１領域と前記第２領域との間の第３領域を含む所定領域内で移動する第１移動体と、
    前記所定領域内で前記第１移動体から独立して移動する第２移動体と、
    前記第１移動体及び前記第２移動体のいずれもが前記第１領域から離れているときに、前記光学部材と対向するように所定部材をリリース可能に保持する第１保持装置と、
    前記第１移動体に設けられ、前記第１移動体に保持された基板の露光中に、前記所定部材をリリース可能に保持する第２保持装置と、
    前記第２移動体に設けられ、前記第２移動体に保持された基板の露光中に、前記所定部材をリリース可能に保持する第３保持装置と、を備え、
    前記第１移動体と前記第２移動体とがほぼ同じ経路で、前記第２領域から前記第１領域へ移動し、
    前記第１移動体における前記第２保持装置の位置は、前記第２移動体における前記第３保持装置の位置とほぼ同じであり、
    少なくとも一部が前記光学部材を囲み、前記光学部材の光射出側の光路を含む空間に満たされる前記液体をシールするシール部材を更に備え、
    前記第１保持装置は、前記所定部材と前記シール部材との間に形成される流体ベアリングを有する露光装置。
  53. 前記第１保持装置が前記所定部材を保持しているときに、前記光学部材と前記所定部材との間の所定空間を液体で満たすための液浸装置を更に備える請求項４３〜５２のいずれか一項記載の露光装置。
  54. 前記第１保持装置が前記所定部材を保持しているときに、前記液浸装置は、前記所定空間に対する液体の供給と回収とを行う請求項５３記載の露光装置。
  55. 前記第１又は第２移動体に選択的に接続され、前記第１領域と前記第３領域との間で移動する第１移動装置と、
    前記第１又は第２移動体に選択的に接続され、前記第２領域と前記第３領域との間で移動する第２移動装置とを更に備える請求項４３〜５４のいずれか一項記載の露光装置。
  56. 光学部材と液体とを介して基板を露光する露光装置であって、
    前記光学部材と対向する第１領域、前記第１領域から離れた第２領域、及び前記第１領域と前記第２領域との間の第３領域を含む所定領域内で移動する第１移動体と、
    前記所定領域内で前記第１移動体から独立して移動する第２移動体と、
    前記第１移動体及び前記第２移動体のいずれもが前記第１領域から離れているときに、前記光学部材と対向するように所定部材をリリース可能に保持する第１保持装置と、
    前記第１移動体に設けられ、前記第１移動体に保持された基板の露光中に、前記所定部材をリリース可能に保持する第２保持装置と、
    前記第２移動体に設けられ、前記第２移動体に保持された基板の露光中に、前記所定部材をリリース可能に保持する第３保持装置と、を備え、
    前記第１保持装置から前記第２保持装置への前記所定部材の保持のシフトにおいて前記第３領域から前記第１領域への前記第１移動体の移動距離が短くなるように、前記第２保持装置が前記第１移動体に設けられ、
    前記第１保持装置から前記第３保持装置への前記所定部材の保持のシフトにおいて前記第３領域から前記第１領域への前記第２移動体の移動距離が短くなるように、前記第３保持装置が前記第２移動体に設けられ、
    前記第１又は第２移動体に選択的に接続され、前記第１領域と前記第３領域との間で移動する第１移動装置と、
    前記第１又は第２移動体に選択的に接続され、前記第２領域と前記第３領域との間で移動する第２移動装置とを更に備える露光装置。
  57. 光学部材と液体とを介して基板を露光する露光装置であって、
    前記光学部材と対向する第１領域、前記第１領域から離れた第２領域、及び前記第１領域と前記第２領域との間の第３領域を含む所定領域内で移動する第１移動体と、
    前記所定領域内で前記第１移動体から独立して移動する第２移動体と、
    前記第１移動体及び前記第２移動体のいずれもが前記第１領域から離れているときに、前記光学部材と対向するように所定部材をリリース可能に保持する第１保持装置と、
    前記第１移動体に設けられ、前記第１移動体に保持された基板の露光中に、前記所定部材をリリース可能に保持する第２保持装置と、
    前記第２移動体に設けられ、前記第２移動体に保持された基板の露光中に、前記所定部材をリリース可能に保持する第３保持装置と、を備え、
    前記第１移動体と前記第２移動体とがほぼ同じ経路で、前記第２領域から前記第１領域へ移動し、
    前記第１移動体における前記第２保持装置の位置は、前記第２移動体における前記第３保持装置の位置とほぼ同じであり、
    前記第１又は第２移動体に選択的に接続され、前記第１領域と前記第３領域との間で移動する第１移動装置と、
    前記第１又は第２移動体に選択的に接続され、前記第２領域と前記第３領域との間で移動する第２移動装置とを更に備える露光装置。
  58. 前記第３領域において、前記第１及び第２移動装置の各接続先が前記第１及び第２移動体の間でシフトされる請求項５５〜５７のいずれか一項記載の露光装置。
  59. 前記第１及び第２移動体のうちの一方が前記第１領域に位置するときに、前記第２領域に位置する他方において所定の処理が行われる請求項４３〜５８のいずれか一項記載の露光装置。
  60. 前記第２領域に位置する前記第１又は第２移動体に保持された前記基板の位置情報が液体を介さずに計測され、
    前記第２領域から前記第３領域を経て前記第１領域に配置された前記第１又は第２移動体に保持された前記基板の位置が前記位置情報に基づいて調整される請求項５９記載の露光装置。
  61. 前記第１及び第２移動体のそれぞれは、前記光学部材と対向可能な計測領域を有し、
    前記第１保持装置に保持されていた前記所定部材を前記第１移動体の前記第２保持装置で保持した後に、前記所定部材上の液浸領域を前記計測領域上へ移動するときに、前記液浸領域が前記第１移動体に保持された基板と接触しないように、前記液浸領域と前記第１移動体とを相対的に移動し、
    前記第１保持装置に保持されていた前記所定部材を前記第２移動体の前記第３保持装置で保持した後に、前記所定部材上の液浸領域を前記計測領域上へ移動するときに、前記液浸領域の液体が前記第２移動体に保持された基板と接触しないように、前記液浸領域と前記第２移動体とを相対的に移動する請求項４３〜６０のいずれか一項記載の露光装置。
  62. 光学部材と液体とを介して基板を露光する露光装置であって、
    前記光学部材と対向する第１領域、前記第１領域から離れた第２領域、及び前記第１領域と前記第２領域との間の第３領域を含む所定領域内で移動する第１移動体と、
    前記所定領域内で前記第１移動体から独立して移動する第２移動体と、
    前記第１移動体及び前記第２移動体のいずれもが前記第１領域から離れているときに、前記光学部材と対向するように所定部材をリリース可能に保持する第１保持装置と、
    前記第１移動体に設けられ、前記第１移動体に保持された基板の露光中に、前記所定部材をリリース可能に保持する第２保持装置と、
    前記第２移動体に設けられ、前記第２移動体に保持された基板の露光中に、前記所定部材をリリース可能に保持する第３保持装置と、を備え、
    前記第１保持装置から前記第２保持装置への前記所定部材の保持のシフトにおいて前記第３領域から前記第１領域への前記第１移動体の移動距離が短くなるように、前記第２保持装置が前記第１移動体に設けられ、
    前記第１保持装置から前記第３保持装置への前記所定部材の保持のシフトにおいて前記第３領域から前記第１領域への前記第２移動体の移動距離が短くなるように、前記第３保持装置が前記第２移動体に設けられ、
    前記第１及び第２移動体のそれぞれは、前記光学部材と対向可能な計測領域を有し、
    前記第１保持装置に保持されていた前記所定部材を前記第１移動体の前記第２保持装置で保持した後に、前記所定部材上の液浸領域を前記計測領域上へ移動するときに、前記液浸領域が前記第１移動体に保持された基板と接触しないように、前記液浸領域と前記第１移動体とを相対的に移動し、
    前記第１保持装置に保持されていた前記所定部材を前記第２移動体の前記第３保持装置で保持した後に、前記所定部材上の液浸領域を前記計測領域上へ移動するときに、前記液浸領域の液体が前記第２移動体に保持された基板と接触しないように、前記液浸領域と前記第２移動体とを相対的に移動する露光装置。
  63. 光学部材と液体とを介して基板を露光する露光装置であって、
    前記光学部材と対向する第１領域、前記第１領域から離れた第２領域、及び前記第１領域と前記第２領域との間の第３領域を含む所定領域内で移動する第１移動体と、
    前記所定領域内で前記第１移動体から独立して移動する第２移動体と、
    前記第１移動体及び前記第２移動体のいずれもが前記第１領域から離れているときに、前記光学部材と対向するように所定部材をリリース可能に保持する第１保持装置と、
    前記第１移動体に設けられ、前記第１移動体に保持された基板の露光中に、前記所定部材をリリース可能に保持する第２保持装置と、
    前記第２移動体に設けられ、前記第２移動体に保持された基板の露光中に、前記所定部材をリリース可能に保持する第３保持装置と、を備え、
    前記第１移動体と前記第２移動体とがほぼ同じ経路で、前記第２領域から前記第１領域へ移動し、
    前記第１移動体における前記第２保持装置の位置は、前記第２移動体における前記第３保持装置の位置とほぼ同じであり、
    前記第１及び第２移動体のそれぞれは、前記光学部材と対向可能な計測領域を有し、
    前記第１保持装置に保持されていた前記所定部材を前記第１移動体の前記第２保持装置で保持した後に、前記所定部材上の液浸領域を前記計測領域上へ移動するときに、前記液浸領域が前記第１移動体に保持された基板と接触しないように、前記液浸領域と前記第１移動体とを相対的に移動し、
    前記第１保持装置に保持されていた前記所定部材を前記第２移動体の前記第３保持装置で保持した後に、前記所定部材上の液浸領域を前記計測領域上へ移動するときに、前記液浸領域の液体が前記第２移動体に保持された基板と接触しないように、前記液浸領域と前記第２移動体とを相対的に移動する露光装置。
  64. 光学部材と液体とを介して基板を露光する露光装置において、
    前記光学部材と対向する第１領域、前記第１領域から離れた第２領域、及び前記第１領域と前記第２領域との間の第３領域を含む所定領域内で移動する第１移動体と、
    前記所定領域内で、前記第１移動体から独立して移動する第２移動体と、
    前記第１移動体及び前記第２移動体のいずれもが前記第１領域から離れているときに、前記光学部材と対向するように所定部材をリリース可能に保持する第１保持装置と、
    前記第１移動体に設けられ、前記第１移動体に保持された基板の露光中に、前記所定部材をリリース可能に保持する第２保持装置と、
    前記第２移動体に設けられ、前記第２移動体に保持された基板の露光中に、前記所定部材をリリース可能に保持する第３保持装置とを備え、
    前記第１及び第２移動体のそれぞれは、前記光学部材と対向可能な計測領域を有し、
    前記第１保持装置に保持されていた前記所定部材を前記第１移動体の前記第２保持装置で保持した後に、前記所定部材上の液浸領域を前記計測領域上へ移動するときに、前記液浸領域の液体が前記第１移動体に保持された基板と接触しないように、前記液浸領域と前記第１移動体とを相対的に移動し、
    前記第１保持装置に保持されていた前記所定部材を前記第２移動体の前記第３保持装置で保持した後に、前記所定部材上の液浸領域を前記計測領域上へ移動するときに、前記液浸領域の液体が前記第２移動体に保持された基板と接触しないように、前記液浸領域と前記第２移動体とを相対的に移動する露光装置。
  65. 前記基板上には複数のショット領域が設定され、
    前記計測領域上に液浸領域を形成して所定の計測を行った後、前記複数のショット領域のうち前記計測領域に近いショット領域から露光を開始する請求項６１〜６４のいずれか一項記載の露光装置。
  66. 前記第１移動体に保持された基板上の複数のショット領域を順次露光するときに、前記複数のショット領域のうち前記第２保持装置に近いショット領域で露光を終了し、
    前記第２移動体に保持された基板上の複数のショット領域を順次露光するときに、前記複数のショット領域のうち前記第３保持装置に近いショット領域で露光を終了する請求項４３〜６５のいずれか一項記載の露光装置。
  67. 光学部材と液体とを介して基板を露光する露光装置において、
    前記光学部材と対向する第１領域、前記第１領域から離れた第２領域、及び前記第１領域と前記第２領域との間の第３領域を含む所定領域内で移動可能な第１移動体と、
    前記所定領域内で、前記第１移動体から独立して移動する第２移動体と、
    前記第１移動体及び前記第２移動体のいずれもが前記第１領域から離れているときに、前記光学部材と対向するように所定部材をリリース可能に保持する第１保持装置と、
    前記第１移動体に設けられ、前記第１移動体に保持された基板の露光中に、前記所定部材をリリース可能に保持する第２保持装置と、
    前記第２移動体に設けられ、前記第２移動体に保持された基板の露光中に、前記所定部材をリリース可能に保持する第３保持装置とを備え、
    前記第１移動体に保持された基板上の複数のショット領域を順次露光するときに、前記複数のショット領域のうち前記第２保持装置に近いショット領域で露光を終了し、
    前記第２移動体に保持された基板上の複数のショット領域を順次露光するときに、前記複数のショット領域のうち前記第３保持装置に近いショット領域で露光を終了する露光装置。
  68. 前記第１移動体に保持された基板上の最後に露光されるショット領域と前記第２保持装置との距離は、前記基板の中心と前記第２保持装置との距離よりも短く、
    前記第２移動体に保持された基板上の最後に露光されるショット領域と前記第３保持装置との距離は、前記基板の中心と前記第３保持装置との距離よりも短い請求項６６又は６７記載の露光装置。
  69. 前記第１及び第２移動体のそれぞれは、前記第１及び第２移動体の位置情報を計測するための計測光が照射される反射面を有し、
    前記第３領域から前記第１領域へ、及び／又は前記第１領域から前記第３領域へ移動するときに、前記第１保持装置に保持された前記所定部材の下を、前記反射面が通過しないように、前記第１及び第２移動体の移動が制御される請求項４３〜６８のいずれか一項記載の露光装置。
  70. 前記第１移動体の前記第２保持装置に保持された所定部材の周囲には、前記第１移動体に保持された基板の表面とほぼ面一の第４領域と、該第４領域よりも前記光学部材との距離が長くなるように形成された第５領域とが形成され、
    前記第２移動体の前記第３保持装置に保持された所定部材の周囲には、前記第２移動体に保持された基板の表面とほぼ面一の第６領域と、該第６領域よりも前記光学部材との距離が長くなるように形成された第７領域とが形成され、
    前記第３領域から前記第１領域へ、及び／又は前記第１領域から前記第３領域へ移動するときに、前記第１保持装置に保持された所定部材の下を、前記第５及び第７領域が通過するように、前記第１及び第２移動体の移動が制御される請求項４３〜６９のいずれか一項記載の露光装置。
  71. 光学部材と液体とを介して基板を露光する露光装置において、
    基板を保持して二次元方向に移動可能であり、前記二次元方向においてほぼ矩形形状を有する移動体と、
    前記移動体が前記光学部材から離れているときに、前記光学部材と対向するように所定部材をリリース可能に保持する第１保持装置と、
    前記移動体に設けられ、前記移動体に保持された基板の露光中に、所定部材をリリース可能に保持する第２保持装置と、
    前記移動体の４つの側面のうちの３つの側面に設けられ、前記二次元方向に垂直な方向に関する前記移動体の位置情報を計測するための反射面とを備え、
    前記移動体は、前記光学部材と対向可能な４つのコーナーを有し、
    前記第２保持装置が、前記移動体の４つのコーナーのうち、隣り合う二つの側面の一方のみに前記反射面が形成されているコーナーに配置されている露光装置。
  72. 前記第１保持装置に保持された前記所定部材の下を、前記移動体の前記反射面が形成されている側面が通過しないように、前記移動体の移動が制御される請求項７１記載の露光装置。
  73. 請求項４３〜請求項７１のいずれか一項記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。
  74. 光学部材と液体とを介して移動体に保持された基板上の複数のショット領域を順次露光する露光方法において、
    前記移動体に保持された基板の露光を開始する前に、前記光学部材と対向するように第１保持装置に保持された所定部材を前記第１保持装置からリリースし、前記移動体に配置された第２保持装置で保持する第１工程と；
    前記第２保持装置で前記所定部材を保持した後に、前記移動体に前記光学部材と対向可能に配置された計測領域でアライメント情報を取得する第２工程と；
    前記アライメント情報を取得した後に、前記複数のショット領域のうち前記計測領域に近い最初のショット領域から露光を開始する第３工程と；
    前記複数のショット領域のうち前記第２保持装置に近い最後のショット領域で露光を終了する第４工程と；
    前記基板の複数のショット領域の露光が終了した後に、前記光学部材と前記第２保持装置とが対向するように前記移動体を移動して、前記第２保持装置から前記所定部材をリリースするとともに、前記光学部材と前記所定部材とが対向するように前記第１保持装置で前記所定部材を保持する第５工程と；を含む露光方法。
  75. 前記第１〜第５工程は、前記光学部材の光射出面側の空間を液体で満たした状態で実行される請求項７４記載の露光方法。
  76. 前記第２工程において、前記第２保持装置に保持された所定部材上の液浸領域を前記計測領域上へ移動する間、前記移動体に保持された基板に前記液浸領域の液体が接触しないように、前記移動体の移動が制御される請求項７５記載の露光方法。
  77. 前記計測領域と前記最初のショット領域との距離は、前記計測領域と前記基板の中心との距離よりも短い請求項７４〜７６のいずれか一項記載の露光方法。
  78. 前記第２保持装置と前記最後のショット領域との距離は、前記第２保持装置と前記第基板の中心との距離よりも短い請求項７４〜７７のいずれか一項記載の露光方法。
  79. 請求項７４〜請求項７８のいずれか一項記載の露光方法を用いるデバイス製造方法。
  80. 光学系と液体とを介して基板を露光する露光装置であって、
    前記基板を載置する載置テーブルと、
    前記載置テーブルの上面と前記光学系の下面とが離れるときに、前記光学系の下面に液体を保持する所定部材と、
    前記所定部材を支持する支持部材とを備え、
    前記載置テーブルは、前記所定部材を一時的に係留する係留部と、前記光学系からの露光光を液体を介して受光する受光部材とを有し、
    前記所定部材が前記係留部に係留したのち、前記光学系の下面の液体が、前記載置テーブルに載置される基板に接触しないように、前記載置テーブルと前記光学系とを相対的に移動する制御部を備えたことを特徴とする露光装置。
  81. 前記基板に非有効領域が設定されている場合、前記非有効領域と液体との接触は許容することを特徴とする請求項８０に記載の露光装置。
  82. 光学系と液体とを介して基板を露光する露光方法であって、
    載置テーブル上に前記基板を載置する載置ステップと、
    前記載置テーブルの上面と前記光学系の下面とが離れるときに、所定部材にて前記光学系の下面に液体を保持する保持ステップと、
    前記所定部材を支持部材にて支持するステップとを備え、
    前記載置テーブルは、前記所定部材を一時的に係留する係留部と、前記光学系からの露光光を液体を介して受光する受光部材とを有し、
    前記所定部材が前記係留部に係留したのち、前記光学系の下面の液体が、前記載置テーブルに載置される基板に接触しないように、前記載置テーブルと前記光学系とを相対的に移動する制御ステップを備えたことを特徴とする露光方法。
  83. 前記基板に非有効領域が設定されている場合、前記非有効領域と液体との接触は許容することを特徴とする請求項８２に記載の露光方法。
  84. 投影光学系からのエネルギービームを受ける基板を載置して各々独立に２次元移動可能な２つの基板テーブルと、
    投影光学系の下部と基板との間の局所空間に液体を保持する液体保持機構と、を備え、
    一方の基板テーブル上の基板に液体を介してエネルギービームを照射した後、他方の基板テーブル上の基板に液体を介して露光光を照射するために、前記２つの基板テーブルの配置を交換する露光装置であって、
    前記２つの基板テーブルの配置を交換する際に、前記投影光学系の下部に液体が保持されるように、前記投影光学系の下部側に着脱可能に取り付けられる所定部材を備え、
    前記２つの基板テーブルの各々には前記投影光学系の下部から取り外された前記所定部材を一時的に係留する係留部が形成され、
    前記所定部材が、前記一方の基板テーブルの係留部に係留された状態、前記投影光学系の下部側に取り付けられた状態、前記他方の基板テーブルの係留部に係留された状態の順番で持ち替えられるように、前記２つの基板テーブルの移動を制御する制御部を備え、
    前記２つの基板テーブルの各々は基板を吸着保持する基板保持部を備え、前記２つの基板テーブルの各々の係留部の配置を基板テーブル毎に異ならせた露光装置。
  85. 前記制御部は、前記所定部材が、前記他方の基板テーブルの係留部に係留された状態の後に、さらに前記投影光学系の下部側に取り付けられた状態の順番で持ち替えることを特徴とする請求項８４に記載の露光装置。
  86. 前記投影光学系から所定位置だけ離れた位置に設けられ、前記基板上のアライメントマークを検出するアライメント光学系を有し、前記制御系は、前記２つの基板テーブルが前記投影光学系の位置と前記アライメント光学系の位置との中間付近ですれ違うように、一方の基板テーブルを第一経路に沿って前記投影光学系の位置から前記アライメント光学系の位置まで移動させつつ、他方の基板テーブルを第二経路に沿って前記アライメント光学系の位置から前記投影光学系の位置まで移動させる交換制御を行い、前記一方の基板テーブルは前記第一経路を往復路として占有し、前記他方の基板テーブルは前記第二経路を往復路として占有することを特徴とする請求項８４又は８５に記載の露光装置。
  87. 前記２つの基板テーブルを前記中間付近に位置させたとき、前記一方の基板テーブル上の係留部が前記他方の基板テーブルに近い側に位置し、前記他方の基板テーブル上の係留部が前記一方の基板テーブルに近い側に位置するように、各係留部を設けたことを特徴とする請求項８６に記載の露光装置。
  88. ２つの基板テーブルに、投影光学系からのエネルギービームを受ける基板を載置して各々独立に２次元移動するステップと、
    投影光学系の下部と基板との間の局所空間に液体を保持する液体保持ステップと、
    一方の基板テーブル上の基板に液体を介してエネルギービームを照射した後、他方の基板テーブル上に基板に液体を介して露光光を照射するために、前記２つの基板テーブル部の配置を交換する交換ステップとを有する露光方法であって、
    前記２つの基板テーブルの配置を交換する際に、前記投影光学系の下部に液体が保持されるように、前記投影光学系の下部側に着脱可能に所定部材が取り付けられ、
    前記２つの基板テーブルの各々には、前記投影光学系の下部から取り外された前記所定部材を一時的に係留する係留部が形成され、
    前記所定部材が、前記一方の基板テーブルの係留部に係留された状態、前記投影光学系の下部側に取り付けられた状態、前記他方の基板テーブルの係留部に係留された状態の順番で持ち替えられるように、前記２つの基板テーブルの移動を制御する制御ステップを備え、
    前記２つの基板テーブルの各々は基板を吸着保持する基板保持部を備え、前記２つの基板テーブルの各々の係留部の配置を基板テーブル毎に異ならせたことを特徴とする露光方法。
  89. 前記制御ステップは、前記所定部材が、前記他方の基板テーブルの係留部に係留された状態の後に、さらに前記投影光学系の下部側に取り付けられた状態の順番で持ち替えることを特徴とする請求項８８に記載の露光方法。
  90. 前記投影光学系から所定位置だけ離れた位置に設けられ、前記基板上のアライメントマークを検出するアライメント光学系を有し、前記制御ステップは、前記２つの基板テーブルが前記投影光学系の位置と前記アライメント光学系の位置との中間付近ですれ違うように、一方の基板テーブルを第一経路に沿って前記投影光学系の位置から前記アライメント光学系の位置まで移動させつつ、他方の基板テーブルを第二経路に沿って前記アライメント光学系の位置から前記投影光学系の位置まで移動させる交換制御を行い、前記一方の基板テーブルは前記第一経路を往復路として占有し、前記他方の基板テーブルは前記第二経路を往復路として占有することを特徴とする請求項８８又は８９に記載の露光方法。
JP2007534490A 2005-09-09 2006-09-08 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 Expired - Fee Related JP5055579B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007534490A JP5055579B2 (ja) 2005-09-09 2006-09-08 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005261888 2005-09-09
JP2005261888 2005-09-09
JP2005286487 2005-09-30
JP2005286487 2005-09-30
PCT/JP2006/317902 WO2007029829A1 (ja) 2005-09-09 2006-09-08 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2007534490A JP5055579B2 (ja) 2005-09-09 2006-09-08 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2007029829A1 JPWO2007029829A1 (ja) 2009-03-19
JP5055579B2 true JP5055579B2 (ja) 2012-10-24

Family

ID=37835943

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007534490A Expired - Fee Related JP5055579B2 (ja) 2005-09-09 2006-09-08 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8780326B2 (ja)
EP (1) EP1933371A1 (ja)
JP (1) JP5055579B2 (ja)
KR (1) KR101388345B1 (ja)
CN (1) CN101258581B (ja)
SG (1) SG170060A1 (ja)
WO (1) WO2007029829A1 (ja)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7804577B2 (en) 2005-11-16 2010-09-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7864292B2 (en) 2005-11-16 2011-01-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101634894B1 (ko) * 2006-01-19 2016-06-29 가부시키가이샤 니콘 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 패턴 형성 장치, 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
US7310132B2 (en) * 2006-03-17 2007-12-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP5089143B2 (ja) * 2006-11-20 2012-12-05 キヤノン株式会社 液浸露光装置
US8013975B2 (en) * 2006-12-01 2011-09-06 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8040490B2 (en) 2006-12-01 2011-10-18 Nikon Corporation Liquid immersion exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8711327B2 (en) * 2007-12-14 2014-04-29 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8629970B2 (en) 2008-01-23 2014-01-14 Asml Netherlands B.V. Immersion lithographic apparatus with immersion fluid re-circulating system
JP5311331B2 (ja) * 2008-06-25 2013-10-09 ルネサスエレクトロニクス株式会社 液浸リソグラフィの現像処理方法および該現像処理方法を用いた電子デバイス
EP2189849B1 (en) 2008-11-21 2015-12-16 ASML Netherlands B.V. A lithographic apparatus provided with a swap bridge
TWI438577B (zh) 2008-12-08 2014-05-21 Asml Netherlands Bv 微影裝置及器件製造方法
JP2013095930A (ja) 2011-10-28 2013-05-20 Hitachi High-Technologies Corp マスクアラインメント光学システム
JP6017134B2 (ja) * 2011-12-13 2016-10-26 東京エレクトロン株式会社 生産効率化システム、生産効率化装置および生産効率化方法
JP5598524B2 (ja) * 2012-10-26 2014-10-01 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
US9085049B2 (en) * 2012-11-30 2015-07-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and system for manufacturing semiconductor device
CN104570613B (zh) * 2013-10-25 2018-01-19 上海微电子装备（集团）股份有限公司 浸没头、浸没流场初始化和维持方法及光刻设备
KR101801957B1 (ko) * 2015-07-23 2017-11-27 가부시키가이샤 다이와 노광될 프린트 배선판의 이동 방법 및 이동 장치
TWI596449B (zh) * 2016-05-30 2017-08-21 志聖工業股份有限公司 工件曝光方法、曝光設備及其置件機構
KR102383298B1 (ko) * 2016-11-09 2022-04-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 접합 장치, 접합 시스템, 접합 방법 및 컴퓨터 기억 매체
CN108732870B (zh) * 2018-04-26 2020-12-25 上海华力微电子有限公司 一种量测硅片投入再现性的方法
US11720032B2 (en) 2018-09-24 2023-08-08 Asml Netherlands B.V. Process tool and an inspection method

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004289128A (ja) * 2002-11-12 2004-10-14 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2005019864A (ja) * 2003-06-27 2005-01-20 Canon Inc 露光装置及び露光方法
JP2005150734A (ja) * 2003-11-14 2005-06-09 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及び装置製造方法
WO2005074014A1 (ja) * 2004-02-02 2005-08-11 Nikon Corporation ステージ駆動方法及びステージ装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
WO2005093792A1 (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Nikon Corporation 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2006100686A (ja) * 2004-09-30 2006-04-13 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP2006121077A (ja) * 2004-10-18 2006-05-11 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2006140498A (ja) * 2004-11-12 2006-06-01 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2006179906A (ja) * 2004-12-20 2006-07-06 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法

Family Cites Families (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4346164A (en) 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
JPS57117238A (en) 1981-01-14 1982-07-21 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
JPS5919912A (ja) 1982-07-26 1984-02-01 Hitachi Ltd 液浸距離保持装置
DD221563A1 (de) 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
JP2897355B2 (ja) 1990-07-05 1999-05-31 株式会社ニコン アライメント方法，露光装置，並びに位置検出方法及び装置
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH0562877A (ja) 1991-09-02 1993-03-12 Yasuko Shinohara 光によるｌｓｉ製造縮小投影露光装置の光学系
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2753930B2 (ja) 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
JPH08316124A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JPH08316125A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
US5825043A (en) 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JP4029183B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
CN1244021C (zh) 1996-11-28 2006-03-01 株式会社尼康 光刻装置和曝光方法
JP4029182B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 露光方法
DE69717975T2 (de) 1996-12-24 2003-05-28 Asml Netherlands B.V., Veldhoven In zwei richtungen ausgewogenes positioniergerät, sowie lithographisches gerät mit einem solchen positioniergerät
USRE40043E1 (en) 1997-03-10 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Positioning device having two object holders
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
JPH1116816A (ja) 1997-06-25 1999-01-22 Nikon Corp 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法
JP4210871B2 (ja) 1997-10-31 2009-01-21 株式会社ニコン 露光装置
US6020964A (en) 1997-12-02 2000-02-01 Asm Lithography B.V. Interferometer system and lithograph apparatus including an interferometer system
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
JP4264676B2 (ja) 1998-11-30 2009-05-20 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
US6897963B1 (en) 1997-12-18 2005-05-24 Nikon Corporation Stage device and exposure apparatus
US6208407B1 (en) 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
WO1999049504A1 (fr) 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
TW490596B (en) 1999-03-08 2002-06-11 Asm Lithography Bv Lithographic projection apparatus, method of manufacturing a device using the lithographic projection apparatus, device manufactured according to the method and method of calibrating the lithographic projection apparatus
WO2001035168A1 (en) 1999-11-10 2001-05-17 Massachusetts Institute Of Technology Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams
JP2001160530A (ja) * 1999-12-01 2001-06-12 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
TWI223734B (en) 1999-12-21 2004-11-11 Asml Netherlands Bv Crash prevention in positioning apparatus for use in lithographic projection apparatus
JP2001308003A (ja) * 2000-02-15 2001-11-02 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2002014005A (ja) 2000-04-25 2002-01-18 Nikon Corp 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置
TW497013B (en) 2000-09-07 2002-08-01 Asm Lithography Bv Method for calibrating a lithographic projection apparatus and apparatus capable of applying such a method
US6842248B1 (en) * 2000-11-28 2005-01-11 Nikon Corporation System and method for calibrating mirrors of a stage assembly
KR100815222B1 (ko) 2001-02-27 2008-03-19 에이에스엠엘 유에스, 인크. 리소그래피 장치 및 적어도 하나의 레티클 상에 형성된 적어도 두 개의 패턴으로부터의 이미지로 기판 스테이지 상의 필드를 노출시키는 방법
JP2002280283A (ja) * 2001-03-16 2002-09-27 Canon Inc 基板処理装置
TW529172B (en) 2001-07-24 2003-04-21 Asml Netherlands Bv Imaging apparatus
JP2005536775A (ja) 2002-08-23 2005-12-02 株式会社ニコン 投影光学系、フォトリソグラフィ方法および露光装置、並びに露光装置を用いた方法
US7110081B2 (en) * 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1420299B1 (en) 2002-11-12 2011-01-05 ASML Netherlands B.V. Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101470360B (zh) 2002-11-12 2013-07-24 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
SG121818A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG10201404132YA (en) * 2003-04-11 2014-09-26 Nippon Kogaku Kk Apparatus having an immersion fluid system configured to maintain immersion fluid in a gap adjacent an optical assembly
TWI295414B (en) 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TW200509205A (en) * 2003-05-23 2005-03-01 Nippon Kogaku Kk Exposure method and device-manufacturing method
EP1500982A1 (en) * 2003-07-24 2005-01-26 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101915921B1 (ko) * 2003-08-21 2019-01-07 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
WO2005048325A1 (ja) * 2003-11-17 2005-05-26 Nikon Corporation ステージ駆動方法及びステージ装置並びに露光装置
US7898642B2 (en) * 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1801853A4 (en) * 2004-08-18 2008-06-04 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
US20090213357A1 (en) 2004-10-08 2009-08-27 Dai Arai Exposure apparatus and device manufacturing method
US7450217B2 (en) * 2005-01-12 2008-11-11 Asml Netherlands B.V. Exposure apparatus, coatings for exposure apparatus, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7161659B2 (en) * 2005-04-08 2007-01-09 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
US8013975B2 (en) * 2006-12-01 2011-09-06 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8040490B2 (en) * 2006-12-01 2011-10-18 Nikon Corporation Liquid immersion exposure apparatus, exposure method, and method for producing device

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004289128A (ja) * 2002-11-12 2004-10-14 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2005019864A (ja) * 2003-06-27 2005-01-20 Canon Inc 露光装置及び露光方法
JP2005150734A (ja) * 2003-11-14 2005-06-09 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及び装置製造方法
WO2005074014A1 (ja) * 2004-02-02 2005-08-11 Nikon Corporation ステージ駆動方法及びステージ装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
WO2005093792A1 (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Nikon Corporation 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2006100686A (ja) * 2004-09-30 2006-04-13 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP2006121077A (ja) * 2004-10-18 2006-05-11 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2006140498A (ja) * 2004-11-12 2006-06-01 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2006179906A (ja) * 2004-12-20 2006-07-06 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
SG170060A1 (en) 2011-04-29
JPWO2007029829A1 (ja) 2009-03-19
EP1933371A1 (en) 2008-06-18
CN101258581A (zh) 2008-09-03
CN101258581B (zh) 2011-05-11
US20110222037A1 (en) 2011-09-15
US8780326B2 (en) 2014-07-15
KR101388345B1 (ko) 2014-04-22
WO2007029829A1 (ja) 2007-03-15
KR20080042799A (ko) 2008-05-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5055579B2 (ja) 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US8477283B2 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
EP1670039B1 (en) Exposure apparatus and device producing method
JP5321722B2 (ja) 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP4802604B2 (ja) 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
EP1947683A1 (en) Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
JP5194799B2 (ja) 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
KR101499265B1 (ko) 액침 노광 장치 및 액침 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
JP5447086B2 (ja) 露光装置、制御方法、及びデバイス製造方法
KR20070115863A (ko) 노광 방법, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US20080137045A1 (en) Liguid immersion exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US20070127135A1 (en) Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
JPWO2006137440A1 (ja) 計測装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP4565271B2 (ja) 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
US20080212047A1 (en) Exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method
JP4572539B2 (ja) 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
EP1950795A1 (en) Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
JP5375843B2 (ja) 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JPWO2008075742A1 (ja) メンテナンス方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
EP1950612A1 (en) Exposure apparatus and method, and method for manufacturing device
JP2008124379A (ja) 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US20070127002A1 (en) Exposure apparatus and method, and device manufacturing method
JP2009182110A (ja) 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090805

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100324

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120228

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120418

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120626

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120709

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150810

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5055579

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150810

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees