JPH01101629A - マスクとウェハのプリアライメント方法 - Google Patents
マスクとウェハのプリアライメント方法Info
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- JPH01101629A JPH01101629A JP62260224A JP26022487A JPH01101629A JP H01101629 A JPH01101629 A JP H01101629A JP 62260224 A JP62260224 A JP 62260224A JP 26022487 A JP26022487 A JP 26022487A JP H01101629 A JPH01101629 A JP H01101629A
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- 230000002518 glial effect Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔麹業上の利用分野」
本発明はマスクとウェハのグリアライメント方法、特に
、Ｘ線露光装置に適用しうるマスクとウェハの１リアラ
イメント方法に関する。
、Ｘ線露光装置に適用しうるマスクとウェハの１リアラ
イメント方法に関する。
近年の半導体はＤｉｌ、ＡＭＫ代表されるように高集積
化が進む傾向にあシ、超ＬＳＩのパターンの最小線幅も
ミクロンからサブミクロンの領域へ突入しようとしてい
る。このような伏況において、従来の紫外線のｇ線、ｉ
線を用いた光学式の半導体露光装置では、光の波長によ
令解像度の限界が０．５μｍ程度と言われてお、ｅｌ＋
、０．５μｍ以下のノ（ターンに対応できる次世代の露
光装置が強く望まれている。この次世代の露光装置とし
て、現在、Ｘ線露光装置が有望視されておシ、研究・開
発が進められている。
化が進む傾向にあシ、超ＬＳＩのパターンの最小線幅も
ミクロンからサブミクロンの領域へ突入しようとしてい
る。このような伏況において、従来の紫外線のｇ線、ｉ
線を用いた光学式の半導体露光装置では、光の波長によ
令解像度の限界が０．５μｍ程度と言われてお、ｅｌ＋
、０．５μｍ以下のノ（ターンに対応できる次世代の露
光装置が強く望まれている。この次世代の露光装置とし
て、現在、Ｘ線露光装置が有望視されておシ、研究・開
発が進められている。
一般に、Ｘ線露光装置では発散Ｘ線が用いられ、投影レ
ンズなどの光学系を構成することができないため、露光
方式はグロキシミティ露光である。
ンズなどの光学系を構成することができないため、露光
方式はグロキシミティ露光である。
マスクとウェハのグロキシミティギャッグは半影ぼけを
小さくするために１０〜５０μｍと小ざぐ、ランナウト
誤差を小さくするためにギヤ、グ設定を厳しく制御する
必要がある。したがって、Ｘ線露光装置におけるアライ
メントは、マスクとウェハの横方向の位置合わせに加え
、ギヤ、グとあお・りを正確に設定しなければならず、
そのためのアライメント方法が各種提案されている。
小さくするために１０〜５０μｍと小ざぐ、ランナウト
誤差を小さくするためにギヤ、グ設定を厳しく制御する
必要がある。したがって、Ｘ線露光装置におけるアライ
メントは、マスクとウェハの横方向の位置合わせに加え
、ギヤ、グとあお・りを正確に設定しなければならず、
そのためのアライメント方法が各種提案されている。
〔従来の技術〕
従来の技術としては、例えば、日経マイクロデバイス１
９８６年４月号等に紹介されている米マイクロニクス社
のＸ線ステ、パ［ＭＸ−１６００Ｊがある。「ＭＸ−１
６００Ｊにおけるマスクとウェハのアライメントは、マ
スク用マークとしてリニア番フレネル・ゾーン・グレー
ト（ＬＦＺＰ）と呼ばれる光の回折を利用した集光レン
ズを用い、ウェハ用マークとして線状回折格子を用いて
行う。このアライメント方法についてはＢ、Ｆａｙ
らによ１） Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｖａｃｕｕｍ ５
ｃｉｅｎｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ■ｏ１．１６（６
）ｐｐ、 １９５４−１９５８ 、Ｎ’ｏｖ／Ｄｅｃ。
９８６年４月号等に紹介されている米マイクロニクス社
のＸ線ステ、パ［ＭＸ−１６００Ｊがある。「ＭＸ−１
６００Ｊにおけるマスクとウェハのアライメントは、マ
スク用マークとしてリニア番フレネル・ゾーン・グレー
ト（ＬＦＺＰ）と呼ばれる光の回折を利用した集光レン
ズを用い、ウェハ用マークとして線状回折格子を用いて
行う。このアライメント方法についてはＢ、Ｆａｙ
らによ１） Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｖａｃｕｕｍ ５
ｃｉｅｎｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ■ｏ１．１６（６
）ｐｐ、 １９５４−１９５８ 、Ｎ’ｏｖ／Ｄｅｃ。
１９７９の”’０ｐｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ
Ｓｙｓｔｅｍｆｏｒ Ｓｕｂｍｉｃｒｏｎ Ｘ −ｒａ
ｙ Ｌｉ ｔｈｏｇｒａｐｈｙ ”に報告されている。
Ｓｙｓｔｅｍｆｏｒ Ｓｕｂｍｉｃｒｏｎ Ｘ −ｒａ
ｙ Ｌｉ ｔｈｏｇｒａｐｈｙ ”に報告されている。
ここでその原理について図面を参照して説明する。
第３図はＬＦＺＰを用いたアライメント方法を示す説明
図である。フェノ・２１には回折格子２２が刻印されて
おり、フェノ・２１の上には所定のギヤ、プだけ離れて
マスク２３が対向している。マスク２３には焦点距離が
マスクとウェハのギャップ量に等しｚＬＦＺＰ２４が描
かれている０第４図はマスク用マークのＬＦＺＰの構造
を示す説明図である０ＬＦＺＰはいろいろな幅や間隔の
縞はマーク２λ２ の中心からの距離をｒｎとするとｒｎ＝ｎｆλ＋Ｉ’ｌ
７で表わされる。ここで、ｆは焦点距離、λはアライ
メントに用いるレーザの波長である。また、第５図はウ
ェハ用マークの回折格子を示す説明図である。回折格子
は大きさの等しい長方形が等間隔に並んだ構造になって
おシ、回折格子のピッチｄによって回折角度が決まる。
図である。フェノ・２１には回折格子２２が刻印されて
おり、フェノ・２１の上には所定のギヤ、プだけ離れて
マスク２３が対向している。マスク２３には焦点距離が
マスクとウェハのギャップ量に等しｚＬＦＺＰ２４が描
かれている０第４図はマスク用マークのＬＦＺＰの構造
を示す説明図である０ＬＦＺＰはいろいろな幅や間隔の
縞はマーク２λ２ の中心からの距離をｒｎとするとｒｎ＝ｎｆλ＋Ｉ’ｌ
７で表わされる。ここで、ｆは焦点距離、λはアライ
メントに用いるレーザの波長である。また、第５図はウ
ェハ用マークの回折格子を示す説明図である。回折格子
は大きさの等しい長方形が等間隔に並んだ構造になって
おシ、回折格子のピッチｄによって回折角度が決まる。
第３図においてマスク２３の上方から入射された平行レ
ーザビーム２５はＬＦＺＰ２４により集光され、ウェハ
２１面上で焦点を結びスリ、ト吠の像をつくる。この結
像したスリ、トとウェハ２１面上の回折格子２２が一直
線上に重なると、レーザビームは回折し再びＬＦＺＰ２
４を通シ平行光となって位置決め信号として検出される
。
ーザビーム２５はＬＦＺＰ２４により集光され、ウェハ
２１面上で焦点を結びスリ、ト吠の像をつくる。この結
像したスリ、トとウェハ２１面上の回折格子２２が一直
線上に重なると、レーザビームは回折し再びＬＦＺＰ２
４を通シ平行光となって位置決め信号として検出される
。
前述のＸ線ステ、バ「ＭＸ１６００Ｊでは、閉ルーズ自
動位置合わせな行うために、マスク用マークのＬＦＺＰ
２４へのレーザビーム２５の横方向の入射角を変化させ
る。これによって、結像したスリ、トは直線状の回折格
子２２を走査し、アライメントマークのずれ童を電気的
に検出することができる。このとき、ウェハ２１面上で
のスリットの走査範囲は約２μｍなので、アライメント
マークのずれ量の検出範囲も約２μｍである。
動位置合わせな行うために、マスク用マークのＬＦＺＰ
２４へのレーザビーム２５の横方向の入射角を変化させ
る。これによって、結像したスリ、トは直線状の回折格
子２２を走査し、アライメントマークのずれ童を電気的
に検出することができる。このとき、ウェハ２１面上で
のスリットの走査範囲は約２μｍなので、アライメント
マークのずれ量の検出範囲も約２μｍである。
上述した従来の１ライメント方法は、位置ずれの検出範
囲が約２μｍと狭いため、マスクとウニハラステージに
装着する際には、ある程度の重ね合わせ精度をもつよう
にグリアライメントを行う必要がある０従来のマスクと
フェノ・リグリア２イメントは、それぞれの外形を基準
に機械的に突き当てて位置決めすることによって行って
いるので、グリアライメントの重ね合わせ精度はマスク
とウェハの外形とパターンの位ｔａ度に大きく左右され
る。そのため、マスクの製作にあたり、マスクのパター
ンを外形に対して位置精度を良くしなければならないの
で、マスクの製作が困難になるという欠点があった。
囲が約２μｍと狭いため、マスクとウニハラステージに
装着する際には、ある程度の重ね合わせ精度をもつよう
にグリアライメントを行う必要がある０従来のマスクと
フェノ・リグリア２イメントは、それぞれの外形を基準
に機械的に突き当てて位置決めすることによって行って
いるので、グリアライメントの重ね合わせ精度はマスク
とウェハの外形とパターンの位ｔａ度に大きく左右され
る。そのため、マスクの製作にあたり、マスクのパター
ンを外形に対して位置精度を良くしなければならないの
で、マスクの製作が困難になるという欠点があった。
したがって、プリアライメントの重ね合わせ精度が２μ
ｍ以上になる場合には、位置ずれ信号は検出できず、位
置ずれ信号の検出範囲内にマスクとウェハを重ね合わせ
るようにステージを動かし、位置ずれ信号を探し出す工
程が必要になシアライメントに長い時間がかかるという
欠点があった。
ｍ以上になる場合には、位置ずれ信号は検出できず、位
置ずれ信号の検出範囲内にマスクとウェハを重ね合わせ
るようにステージを動かし、位置ずれ信号を探し出す工
程が必要になシアライメントに長い時間がかかるという
欠点があった。
本発明のマスクとウェハのダリアライメント力法は、ｘ
ｙステージ上のＺθステージに搭載されたマスク移替え
チャックにプリアライメントマークを有するマスクを真
空吸着する第１の吸着工程と、前記ｘｙＸステージ駆動
し℃マスクのプリアライメントマークをテレビカメラの
前に移動する第１の移動工程と、テレビカメラでマスク
のプリアライメントマークを観察し″Ｃｘｙθ方向のず
れを合わせ込む第１の合わせ込み工程と、２，２゜２、
ステージとマスクチャックからなるマスクステージの前
にマスクを第２の移動する工程と、前り移替えチャック
とマスクチャックの真空状態を切換えてマスクをマスク
移替えチャックからマスクチャックに移替える移替え工
程と、前記ｘｙステージ上のθステージに搭載されたウ
エノ・チャックにプリアライメントマークを有するウェ
ハを真空吸着する第２の吸着工程と、ｘｙＸステージ駆
動してウェハのプリアライメントマークをテレビカメラ
の前に移動する第３の移動工程と、テレビカメラでウェ
ハプリアライメントマークを観察してｘｙθ方向のずれ
を合わせ込む第２の合わせ込み工程と、マスクステージ
の前にウェハを移動する第３の移動工程とを含んで構成
される。
ｙステージ上のＺθステージに搭載されたマスク移替え
チャックにプリアライメントマークを有するマスクを真
空吸着する第１の吸着工程と、前記ｘｙＸステージ駆動
し℃マスクのプリアライメントマークをテレビカメラの
前に移動する第１の移動工程と、テレビカメラでマスク
のプリアライメントマークを観察し″Ｃｘｙθ方向のず
れを合わせ込む第１の合わせ込み工程と、２，２゜２、
ステージとマスクチャックからなるマスクステージの前
にマスクを第２の移動する工程と、前り移替えチャック
とマスクチャックの真空状態を切換えてマスクをマスク
移替えチャックからマスクチャックに移替える移替え工
程と、前記ｘｙステージ上のθステージに搭載されたウ
エノ・チャックにプリアライメントマークを有するウェ
ハを真空吸着する第２の吸着工程と、ｘｙＸステージ駆
動してウェハのプリアライメントマークをテレビカメラ
の前に移動する第３の移動工程と、テレビカメラでウェ
ハプリアライメントマークを観察してｘｙθ方向のずれ
を合わせ込む第２の合わせ込み工程と、マスクステージ
の前にウェハを移動する第３の移動工程とを含んで構成
される。
次に１本発明の実施例について、図面を参照して詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図である。
第１図に示すＸ線露光装置は、ベース１と、ベースＩＫ
搭載されＸ軸方向に移動できるＸステージ２と、Ｘステ
ージ２に搭載されＸ軸方向に移動できるＹスデ−５くと
、Ｘステージ３に搭載され２軸方向の移動と２軸を中心
とした回転ができるｚＯＸステージ４、Ｚθステージ４
に搭載されたマスク移替えチャック５と、マスク移替え
チャック５に真空吸着されたマスク６と、Ｘステージ３
に搭ａされたθステージ７と、θステージ７上のウェハ
チャック８と、クエハテヤ、り８に真空チャックされた
ウェハ９とＸａ源ｌＯの下方ＫＩ４１シ付けられＸ線源
１０からのＸ線を導くへりクムチャンバｌｌと、ヘリク
ムチャンバｌｌの下方Ｋｍシ付けられあおりと高ざｖｇ
１４整できるＺ、Ｚ、Ｚ。
搭載されＸ軸方向に移動できるＸステージ２と、Ｘステ
ージ２に搭載されＸ軸方向に移動できるＹスデ−５くと
、Ｘステージ３に搭載され２軸方向の移動と２軸を中心
とした回転ができるｚＯＸステージ４、Ｚθステージ４
に搭載されたマスク移替えチャック５と、マスク移替え
チャック５に真空吸着されたマスク６と、Ｘステージ３
に搭ａされたθステージ７と、θステージ７上のウェハ
チャック８と、クエハテヤ、り８に真空チャックされた
ウェハ９とＸａ源ｌＯの下方ＫＩ４１シ付けられＸ線源
１０からのＸ線を導くへりクムチャンバｌｌと、ヘリク
ムチャンバｌｌの下方Ｋｍシ付けられあおりと高ざｖｇ
１４整できるＺ、Ｚ、Ｚ。
ステージ１２と、ＺｌＺ、Ｚ、Ｘ７−−ジ１２に取シ付
ゆられたマスクチャック１３と、ヘリツムチャンバ１１
０側面に取シ付けられ最終的なファインアライメントを
行うためのアライメント元学系１４とマスクチャック１
３の近傍にあシマスフ移替えチャック５に装着されたマ
スク６およびウェハチャック８に装着されたウェハ９の
プリアライメントマークを観察できる２個のテレビカメ
ラ１５と、Ｘステージ３に搭載された直角ミラー１６と
、とを含んで構成される。
ゆられたマスクチャック１３と、ヘリツムチャンバ１１
０側面に取シ付けられ最終的なファインアライメントを
行うためのアライメント元学系１４とマスクチャック１
３の近傍にあシマスフ移替えチャック５に装着されたマ
スク６およびウェハチャック８に装着されたウェハ９の
プリアライメントマークを観察できる２個のテレビカメ
ラ１５と、Ｘステージ３に搭載された直角ミラー１６と
、とを含んで構成される。
ｇ ２図ｔａ）〜（ｈ）ハ第１図に示すｘｍｍ光装ＲＶ
ｃおケルマスクとウェハのグリアライメントの工程を示
す説明図である。
ｃおケルマスクとウェハのグリアライメントの工程を示
す説明図である。
第２図（ａ）は、マスク６をマスク移替えチャック５に
真空吸着し、テレビカメラ１２で２個のプリアライメン
トマーク１８ａ、１９ｂを観察してプリアライメントを
行う位置ＫＸステージ２とＸステージ３を移動したとこ
ろを示している。２個のテレビカメラ１５の間隔は、プ
リアライメントマーク１８ａ、１８ｂの間隔りに等しい
。
真空吸着し、テレビカメラ１２で２個のプリアライメン
トマーク１８ａ、１９ｂを観察してプリアライメントを
行う位置ＫＸステージ２とＸステージ３を移動したとこ
ろを示している。２個のテレビカメラ１５の間隔は、プ
リアライメントマーク１８ａ、１８ｂの間隔りに等しい
。
第２図（ｂ）は、プリアライメントマーク１８ａ。
１９ｂをテレビカメラ１５で観察したときのテレビモニ
タの状態を示している。観察されたプリアライメントマ
ーク１８ａとモニタ上の基準マーク１９ａとのＸ方向の
ずれ量をΔｘａ％Ｙ刀向のずれ量をΔｙａとし、プリア
ライメントマーク１８ｂと基準マーク１８ｂとのｘ７３
向のずれ童をΔｘｂ、Ｘ方向のずれ量をΔｙｂとすると
、マスク６のＸＹθ方向のずれ量Δｘ ｍ 、−、’７
７ｙｍ 、 Ｊ ａ ｍはΔＸ＝１−噂− （Ｊｘａ＋Δｘｂ）／２、 Δｙ＝（Δｙａ＋Δｙｂ）
／２、Δθ＝（Δｙａ−Δｙｂ）／Ｄで表わされる。た
だし、Ｄはプリアライメントマーク１６ａ、１６ｂの間
隔である。このΔＸ、Δｙ、Δθをもとに、Ｘステージ
２、Ｘステージ３、Ｚθステージ４を動かし、モニタ上
でプリアライメントマーク１８ａ、１８ｂと基準マーク
１９ａ、１９ｂを友ね合わせてマスクのグリアライメン
トを行う。
タの状態を示している。観察されたプリアライメントマ
ーク１８ａとモニタ上の基準マーク１９ａとのＸ方向の
ずれ量をΔｘａ％Ｙ刀向のずれ量をΔｙａとし、プリア
ライメントマーク１８ｂと基準マーク１８ｂとのｘ７３
向のずれ童をΔｘｂ、Ｘ方向のずれ量をΔｙｂとすると
、マスク６のＸＹθ方向のずれ量Δｘ ｍ 、−、’７
７ｙｍ 、 Ｊ ａ ｍはΔＸ＝１−噂− （Ｊｘａ＋Δｘｂ）／２、 Δｙ＝（Δｙａ＋Δｙｂ）
／２、Δθ＝（Δｙａ−Δｙｂ）／Ｄで表わされる。た
だし、Ｄはプリアライメントマーク１６ａ、１６ｂの間
隔である。このΔＸ、Δｙ、Δθをもとに、Ｘステージ
２、Ｘステージ３、Ｚθステージ４を動かし、モニタ上
でプリアライメントマーク１８ａ、１８ｂと基準マーク
１９ａ、１９ｂを友ね合わせてマスクのグリアライメン
トを行う。
第２図ｔｃ）は、マスクのグリアライメント完了後、Ｘ
ステージ２とＸステージ３をマスクチャック１３の下刃
に移動させたときの状態を示している。ステージの位置
の計測は、グリアライメント完了した位置を原点とし、
その位置からの変位をレーザ測長器１７で計測すること
によって行う。
ステージ２とＸステージ３をマスクチャック１３の下刃
に移動させたときの状態を示している。ステージの位置
の計測は、グリアライメント完了した位置を原点とし、
その位置からの変位をレーザ測長器１７で計測すること
によって行う。
第２図ｆｄｌは、マスク６をマスク移替、ｔチャック５
からマスクチャック１３に移し替えるときの状態を示し
ている。２θステージ４がマスク６を装着したマスク移
替えチャック５を２方向に押し上げマスク６をマスクチ
ャック１３に密着させると、マスクチャック１３に＝’
）スフ６を真空吸着する。
からマスクチャック１３に移し替えるときの状態を示し
ている。２θステージ４がマスク６を装着したマスク移
替えチャック５を２方向に押し上げマスク６をマスクチ
ャック１３に密着させると、マスクチャック１３に＝’
）スフ６を真空吸着する。
マスク６がマスクチャック１３に真空吸着されたのち、
マスク移替えチャック５の真空を切シ、マスク６の移し
替えを行う。
マスク移替えチャック５の真空を切シ、マスク６の移し
替えを行う。
第２図（ｅ）は、マスク６の移し替えが完了し、２θス
テージ４が通常の位置にもどったときの状態を示してい
る。このとき、マスク６はテレビカメラ１５に対して正
確（位置決めされた状態でマスクチャック１３に真空吸
着されている。
テージ４が通常の位置にもどったときの状態を示してい
る。このとき、マスク６はテレビカメラ１５に対して正
確（位置決めされた状態でマスクチャック１３に真空吸
着されている。
第２図げ）は、ウェハ９をθステージ７上のウェハチャ
ック８に真空吸着し、テレビカメラ１５で２個のプリア
ライメントマークＺθａ、Ｚθｂを観察してグリアライ
メントを行う位置にＸステージ２とＸステージ３を移動
したところを示している。ウェハ９上のプリアライメン
トマークＺθａ。
ック８に真空吸着し、テレビカメラ１５で２個のプリア
ライメントマークＺθａ、Ｚθｂを観察してグリアライ
メントを行う位置にＸステージ２とＸステージ３を移動
したところを示している。ウェハ９上のプリアライメン
トマークＺθａ。
Ｚθｂの間隔もマスク６上のプリアライメントマーク１
８ａ、１９ｂの間隔に等しくしておく。
８ａ、１９ｂの間隔に等しくしておく。
第２図（―は、プリアライメントマークＺθａ。
Ｚθｂをテレビカメラ１５で観察したときのテレビモニ
タのｆｋＮを示している。前述のマスクの場２′＼ 合と同様に、ウェハ９のＸ−γθ方向のずれ量Δｘｗ。
タのｆｋＮを示している。前述のマスクの場２′＼ 合と同様に、ウェハ９のＸ−γθ方向のずれ量Δｘｗ。
−ｆ″
４１ｗ１ΔθＷを求め、Ｘステージ２、Ｘステージ３、
Ｚθステージ４を動かし、モニタ上でプリアライメント
マークＺθａ、Ｚθｂと基準マーク１９ａ、１９ｂを重
ね合わせグリアライメントを行う。
Ｚθステージ４を動かし、モニタ上でプリアライメント
マークＺθａ、Ｚθｂと基準マーク１９ａ、１９ｂを重
ね合わせグリアライメントを行う。
第２図（ｈｌは、ウェハ９のグリアライメント完了後、
Ｘステージ２とＸステージ３を最初の露光位置に移動さ
せたときの状態を示している。テレビカメラ１２に対す
るウェハ９の位置は、マスク６の場合と同様に、レーザ
測長器で正確に計測することができる。マスク６はすで
にテレビカメラ１５に対して正確（位置決めされている
ので、マスク ′６とウェハ９を高い重ね合わせ精度で
グリアライメントすることが可能となる。
Ｘステージ２とＸステージ３を最初の露光位置に移動さ
せたときの状態を示している。テレビカメラ１２に対す
るウェハ９の位置は、マスク６の場合と同様に、レーザ
測長器で正確に計測することができる。マスク６はすで
にテレビカメラ１５に対して正確（位置決めされている
ので、マスク ′６とウェハ９を高い重ね合わせ精度で
グリアライメントすることが可能となる。
マスクとウェハの１リアライメントが完了したら、アラ
イメント光学系１４により最終的なファインアライメン
トを行い露光を開始する。
イメント光学系１４により最終的なファインアライメン
トを行い露光を開始する。
本発明のマスクとウェハのプリアライメント方法は、真
空吸着したマスクをマスクステージに移し替えることの
できるウニ八ステージを設けることによシ、マスクとウ
ェハをウェハステージ上でプリアライメントできるため
、重ね合わせ精度の良いプリアライメントができるとい
う効果がある。
空吸着したマスクをマスクステージに移し替えることの
できるウニ八ステージを設けることによシ、マスクとウ
ェハをウェハステージ上でプリアライメントできるため
、重ね合わせ精度の良いプリアライメントができるとい
う効果がある。
その結果、最終的なファインアライメントの負担が軽く
なるという効果がある。
なるという効果がある。
また、マスクの外形を基準としてグリアライメントを行
うかわシに、マスクをウェハステージに装着しウェハス
テージを動かして合わせ込みを行うため、マスクの外形
とマスクパターンの位置精度を出す必要がなく、マスク
の製作が比較的容易になるという効果がある。
うかわシに、マスクをウェハステージに装着しウェハス
テージを動かして合わせ込みを行うため、マスクの外形
とマスクパターンの位置精度を出す必要がなく、マスク
の製作が比較的容易になるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図、第２図（ａ）
〜（ｈ）は本発明のマスクとウエノ・のグリアライメン
トの工程を示す説明図、第３図は従来のアライメント方
法を示す説明図、第４図は第３図に示すアライメント方
法におけるマスク用マークであルリニア・フレネル−・
ヅーン・グレートを示す平面図、第５図は第３図に示す
アライメント方法におけるウェハ用マークである回折格
子を示す平面図。 １・・・・・・ベース、２・・・・・・Ｘステージ、３
・・・・・・Ｘステージ、４・・・・・・２θステージ
、５・・・・・・マスクＳ替えチャック、６・・・・・
・マスク、７・・・・・・θステージ、８・−・・・・
ウェハチャック、９・・・・・・ウェハ、１０・・・・
・・Ｘ線源、１１・・・・・・ヘリクムチャンバ、１２
・・・・・・Ｚ１Ｚ２Ｚ．ステージ、１３・・・・・・
マスクチャック、１４・−・・・・アライメント光学系
、１５・−・・・・テレビカメラ、１６・・−・・・直
角ミラー、１７・・−・・・レーザ測長器、１８ａ、１
８ｂ・−・・・・マスクのクリアライメントマーク、１
９ａ、１９ｂ−−−−−・基準マーク、Ｚθａ。 Ｚθｂ・−・・・・ウェハのクリアライメントマーク、
２１・・・・・・ウェハ、２２・・・・・・回折格子、
２３・・・・−・マスク、２４・・・・・・リニア・フ
レネル・ゾーン拳クレート、２５・・・・・・レーザビ
ーム、 ΔＸａ、Δｘｂ・・・・−・プリアライメントマークと
基準マークのＸ方向のずれ量、Δｙａ、Δｙａ・・・・
・・クリアライメントマー７＼基準マークのＹ方向のず
れ量、ｄ・・・・−・回折格子のど、チ。 代理人 弁理士 内 原 音 生２ 図 ａｂ
〜（ｈ）は本発明のマスクとウエノ・のグリアライメン
トの工程を示す説明図、第３図は従来のアライメント方
法を示す説明図、第４図は第３図に示すアライメント方
法におけるマスク用マークであルリニア・フレネル−・
ヅーン・グレートを示す平面図、第５図は第３図に示す
アライメント方法におけるウェハ用マークである回折格
子を示す平面図。 １・・・・・・ベース、２・・・・・・Ｘステージ、３
・・・・・・Ｘステージ、４・・・・・・２θステージ
、５・・・・・・マスクＳ替えチャック、６・・・・・
・マスク、７・・・・・・θステージ、８・−・・・・
ウェハチャック、９・・・・・・ウェハ、１０・・・・
・・Ｘ線源、１１・・・・・・ヘリクムチャンバ、１２
・・・・・・Ｚ１Ｚ２Ｚ．ステージ、１３・・・・・・
マスクチャック、１４・−・・・・アライメント光学系
、１５・−・・・・テレビカメラ、１６・・−・・・直
角ミラー、１７・・−・・・レーザ測長器、１８ａ、１
８ｂ・−・・・・マスクのクリアライメントマーク、１
９ａ、１９ｂ−−−−−・基準マーク、Ｚθａ。 Ｚθｂ・−・・・・ウェハのクリアライメントマーク、
２１・・・・・・ウェハ、２２・・・・・・回折格子、
２３・・・・−・マスク、２４・・・・・・リニア・フ
レネル・ゾーン拳クレート、２５・・・・・・レーザビ
ーム、 ΔＸａ、Δｘｂ・・・・−・プリアライメントマークと
基準マークのＸ方向のずれ量、Δｙａ、Δｙａ・・・・
・・クリアライメントマー７＼基準マークのＹ方向のず
れ量、ｄ・・・・−・回折格子のど、チ。 代理人 弁理士 内 原 音 生２ 図 ａｂ
Claims (1)
- ｘｙステージ上のＺθステージに搭載されたマスク移
替えチャックにプリアライメントマークを有するマスク
を真空吸着する第一の吸着工程と、前記ｘｙステージを
駆動してマスクのプリアライメントマークをテレビカメ
ラの前に移動する第１の移動工程と、テレビカメラでマ
スクのプリアライメントマークを観察してｘｙθ方向の
ずれを合わせ込む第１の合わせ込み工程と、Ｚ＿１Ｚ＿
２Ｚ＿３ステージとマスクチャックからなるマスクステ
ージの前にマスクを第２の移動する工程と、前記Ｚθス
テージのＺステージを移動し同時にマスク移替えチャッ
クとマスクチャックの真空状態を切換えてマスクをマス
ク移替えチャックからマスクチャックに移替える移替え
工程と、前記ｘｙステージ上のθステージに搭載された
ウェハチャックにプリアライメントマークを有するウエ
ハを真空吸着する第２の吸着工程と、ｘｙステージを駆
動してウェハのプリアライメントマークをテレビカメラ
の前に移動する第３の移動工程と、テレビカメラでウエ
ハプリアライメントマークを観察してｘｙθ方向のずれ
を合わせ込む第２の合わせ込み工程と、マスクステージ
の前にウエハを移動する第３の移動工程とを含むことを
特徴とするマスクとウエハのプリアライメント方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62260224A JPH01101629A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | マスクとウェハのプリアライメント方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62260224A JPH01101629A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | マスクとウェハのプリアライメント方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01101629A true JPH01101629A (ja) | 1989-04-19 |
| JPH055368B2 JPH055368B2 (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=17345075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62260224A Granted JPH01101629A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | マスクとウェハのプリアライメント方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01101629A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005340315A (ja) * | 2004-05-25 | 2005-12-08 | Nikon Corp | 位置合わせ装置、露光装置、位置合わせ方法及び露光方法、並びにデバイス製造方法及び較正用（工具）レチクル |
| KR100530676B1 (ko) * | 1995-06-19 | 2006-04-20 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영노광방법 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0683276U (ja) * | 1993-05-12 | 1994-11-29 | 株式会社日立ビルシステムサービス | プリント板取外し治具 |
-
1987
- 1987-10-14 JP JP62260224A patent/JPH01101629A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100530676B1 (ko) * | 1995-06-19 | 2006-04-20 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영노광방법 |
| JP2005340315A (ja) * | 2004-05-25 | 2005-12-08 | Nikon Corp | 位置合わせ装置、露光装置、位置合わせ方法及び露光方法、並びにデバイス製造方法及び較正用（工具）レチクル |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH055368B2 (ja) | 1993-01-22 |
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