JPH055369B2 - - Google Patents
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- JPH055369B2 JPH055369B2 JP62264601A JP26460187A JPH055369B2 JP H055369 B2 JPH055369 B2 JP H055369B2 JP 62264601 A JP62264601 A JP 62264601A JP 26460187 A JP26460187 A JP 26460187A JP H055369 B2 JPH055369 B2 JP H055369B2
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- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 21
- 238000011900 installation process Methods 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 51
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 4
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
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- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 description 1
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はマスクとウエハのプリアライメント方
法、特に、Ｘ線露光装置に適用しうるマスクとウ
エハのプリアライメント方法に関する。
法、特に、Ｘ線露光装置に適用しうるマスクとウ
エハのプリアライメント方法に関する。
近年の半導体はDRAMに代表されるように高
集積化が進む傾向にあり、超LSIのパターンの最
小線幅もミクロンからサブミクロンの領域へ突入
しようとしている。このような状況において、従
来の紫外線のｇ線、ｉ線を用いた光学式の半導体
露光装置では、光の波長により解像度の限界が
0.5μｍ程度と言われており、0.5μｍ発下のパター
ンに対応できる次世代の露光装置として、現在、
Ｘ線露光装置が有望視されており、研究・開発が
進められている。
集積化が進む傾向にあり、超LSIのパターンの最
小線幅もミクロンからサブミクロンの領域へ突入
しようとしている。このような状況において、従
来の紫外線のｇ線、ｉ線を用いた光学式の半導体
露光装置では、光の波長により解像度の限界が
0.5μｍ程度と言われており、0.5μｍ発下のパター
ンに対応できる次世代の露光装置として、現在、
Ｘ線露光装置が有望視されており、研究・開発が
進められている。
一般に、Ｘ線露光装置では発散Ｘ線が用いら
れ、投影レンズなどの光学系を構成することがで
きないため、露光方式はプロキシミテイ露光であ
る。マスクとウエハのプロキシミテイギヤツプは
半影ぼけを小さくするために10〜50μｍと小さ
く、ランナウト誤差を小さくするためにギヤツプ
設定を厳しく制御する必要がある。したがつて、
Ｘ線露光装置におけるアライメントはマスクとウ
エハの横方向の位置合わせに加え、ギヤツプとあ
おりを正確に設定しなければならず、そのための
アライメント方法が各種提案されている。
れ、投影レンズなどの光学系を構成することがで
きないため、露光方式はプロキシミテイ露光であ
る。マスクとウエハのプロキシミテイギヤツプは
半影ぼけを小さくするために10〜50μｍと小さ
く、ランナウト誤差を小さくするためにギヤツプ
設定を厳しく制御する必要がある。したがつて、
Ｘ線露光装置におけるアライメントはマスクとウ
エハの横方向の位置合わせに加え、ギヤツプとあ
おりを正確に設定しなければならず、そのための
アライメント方法が各種提案されている。
従来の技術としては、例えば、日経マイクロデ
バイス1986年４月号等に紹介されている米マイク
ロニクス社のＸ線ステツパ「MX−1600」があ
る。「MX−1600」におけるマスクとウエハのア
ライメントは、マスク用マークとしてリニア・フ
レネル・ゾーン・プレート（LFZP）と呼ばれる
光の回折を利用した集光レンズを用い、ウエハ用
マークとして線状回折格子を用いて行う。このア
ライメント方法についてはB.Fayらにより
Journal of Vacuum Science Tehnology
Vol.16(6)pp.1954−1958、Nov／Dec.1979の
“Optical Alignment System for Submicron
Ｘ−ray Lithography”に報告されている。ここ
でその原理について図面を参照して説明する。
バイス1986年４月号等に紹介されている米マイク
ロニクス社のＸ線ステツパ「MX−1600」があ
る。「MX−1600」におけるマスクとウエハのア
ライメントは、マスク用マークとしてリニア・フ
レネル・ゾーン・プレート（LFZP）と呼ばれる
光の回折を利用した集光レンズを用い、ウエハ用
マークとして線状回折格子を用いて行う。このア
ライメント方法についてはB.Fayらにより
Journal of Vacuum Science Tehnology
Vol.16(6)pp.1954−1958、Nov／Dec.1979の
“Optical Alignment System for Submicron
Ｘ−ray Lithography”に報告されている。ここ
でその原理について図面を参照して説明する。
第４図はLFZPを用いたアライメント方法を示
す説明図である。ウエハ１９には回折格子２０が
刻印されており、ウエハ１９の上には所定のギヤ
ツプだけ離れてマスク２１が対向している。マス
ク２１には焦点距離がマスクとウエハのギヤツプ
量に等しいLFZP２２が描かれている。
す説明図である。ウエハ１９には回折格子２０が
刻印されており、ウエハ１９の上には所定のギヤ
ツプだけ離れてマスク２１が対向している。マス
ク２１には焦点距離がマスクとウエハのギヤツプ
量に等しいLFZP２２が描かれている。
第５図はマスク用マークのLFZPの構造を示す
説明図である。LFZPはいろいろな幅や間隔の縞
が並んだ構造になつており、縞はマークの中心か
らの距離をγnとするとγo 2＝nfλ＋n2λ2／４で表わさ れる。ここで、ｆは焦点距離、λはアライメント
に用いるレーザの波長である。
説明図である。LFZPはいろいろな幅や間隔の縞
が並んだ構造になつており、縞はマークの中心か
らの距離をγnとするとγo 2＝nfλ＋n2λ2／４で表わさ れる。ここで、ｆは焦点距離、λはアライメント
に用いるレーザの波長である。
また、第６図はウエハ用マークの回折格子を示
す説明図である。回折格子は大きさの等しい長方
形が等間隔に並んだ構造になつており、回折格子
のピツチｄによつて回折角度が決まる。
す説明図である。回折格子は大きさの等しい長方
形が等間隔に並んだ構造になつており、回折格子
のピツチｄによつて回折角度が決まる。
第４図においてマスク２１の上方から入射され
た平行レーザビーム２３はLFZP２２により集光
され、ウエハ１９面上で焦点を結びスリツト状の
像をつくる。この結像したスリツトとウエハ１９
面上の回折格子２０が一直線上に重なると、レー
ザビームは回折し再びLFZP２２を通り平行光と
なつて位置決め信号として検出される。
た平行レーザビーム２３はLFZP２２により集光
され、ウエハ１９面上で焦点を結びスリツト状の
像をつくる。この結像したスリツトとウエハ１９
面上の回折格子２０が一直線上に重なると、レー
ザビームは回折し再びLFZP２２を通り平行光と
なつて位置決め信号として検出される。
前述のＸ線ステツパ「MX1600」では、閉ルー
プ自動位置合わせを行うために、マスク用マーク
のLFZP２２へのレーザビーム２３の横方向の入
射角を変化させる。これによつて、結像したスリ
ツトは直線状の回折格子２０を走査し、アライメ
ントマークのずれ量を電気的に検出することがで
きる。このとき、ウエハ１９面上でのスリツトの
走査範囲は約2μｍなので、アライメントマーク
のずれ量の検出範囲も約2μｍである。
プ自動位置合わせを行うために、マスク用マーク
のLFZP２２へのレーザビーム２３の横方向の入
射角を変化させる。これによつて、結像したスリ
ツトは直線状の回折格子２０を走査し、アライメ
ントマークのずれ量を電気的に検出することがで
きる。このとき、ウエハ１９面上でのスリツトの
走査範囲は約2μｍなので、アライメントマーク
のずれ量の検出範囲も約2μｍである。
上述した従来のアライメント方法は、位置ずれ
の検出範囲が約2μｍと狭いため、マスクとウエ
ハをステージに装着する際には、ある程度の重ね
合わせ精度をもつようにプリアライメントを行う
必要がある。従来のマスクとウエハのプリアライ
メントは、それぞれの外形を基準に機械的に突き
当てて位置決めすることによつて行つているの
で、プリアライメントの重ね合わせ精度はマスク
とウエハの外形とパターンの位置精度に大きく左
右される。
の検出範囲が約2μｍと狭いため、マスクとウエ
ハをステージに装着する際には、ある程度の重ね
合わせ精度をもつようにプリアライメントを行う
必要がある。従来のマスクとウエハのプリアライ
メントは、それぞれの外形を基準に機械的に突き
当てて位置決めすることによつて行つているの
で、プリアライメントの重ね合わせ精度はマスク
とウエハの外形とパターンの位置精度に大きく左
右される。
そのため、マスクの製作にあたり、マスクのパ
ターンを外形に対して位置精度を良くしなければ
ならないので、マスクの製作が困難になるという
欠点があつた。
ターンを外形に対して位置精度を良くしなければ
ならないので、マスクの製作が困難になるという
欠点があつた。
したがつて、プリアライメントの重ね合わせ精
度が2μｍ以上になる場合には、位置ずれ信号は
検出できず、位置ずれ信号の検出範囲内にマスク
とウエハを重ね合わせるようにステージを動か
し、位置ずれ信号を探し出す工程が必要になりア
ライメントに長い時間がかかるという欠点があつ
た。
度が2μｍ以上になる場合には、位置ずれ信号は
検出できず、位置ずれ信号の検出範囲内にマスク
とウエハを重ね合わせるようにステージを動か
し、位置ずれ信号を探し出す工程が必要になりア
ライメントに長い時間がかかるという欠点があつ
た。
本発明のマスクとウエハのプリアライメント方
法は、xyステージとZθ微動ステージからなるウ
エハステージにマスク移替えチヤツクを取付ける
第１の取付け工程と、マスク移替えチヤツクにプ
リアライメントマークを有するマスクを装着する
マスク装着工程と、ウエハステージをテレビカメ
ラの前に移動する第１の移動工程と、テレビカメ
ラでマスクのプリアライメントマークを観察して
ウエハステージを駆動してxyθ方向の合わせ込み
を行う第１の合わせ込み工程と、あおりと高さを
調整できるZ1Z2Z3微動ステージとマスクを真空吸
着できるマスクチヤツクからなるマスクステージ
の前にウエハステージを移動する第２の移動工程
と、ウエハステージのＺステージとマスク移替え
チヤツクとマスクチヤツクの真空状態を制御して
マスクをウエハステージからマスクステージへ移
し替える移し替え工程と、マスク移替えチヤツク
を取りはずしてウエハチヤツクを取付ける第２の
取付け工程と、ウエハチヤツクにプリアライメン
トマークを有するウエハを装着する装着工程と、
ウエハステージをテレビカメラの前に移動する第
３の移動工程と、テレビカメラでウエハのプリア
ライメントマークを観察してxyθ方向の合わせ込
みを行う第２の合わせ込み工程と、マスクステー
ジにウエハステージを移動する第４の移動工程と
を含んで構成される。
法は、xyステージとZθ微動ステージからなるウ
エハステージにマスク移替えチヤツクを取付ける
第１の取付け工程と、マスク移替えチヤツクにプ
リアライメントマークを有するマスクを装着する
マスク装着工程と、ウエハステージをテレビカメ
ラの前に移動する第１の移動工程と、テレビカメ
ラでマスクのプリアライメントマークを観察して
ウエハステージを駆動してxyθ方向の合わせ込み
を行う第１の合わせ込み工程と、あおりと高さを
調整できるZ1Z2Z3微動ステージとマスクを真空吸
着できるマスクチヤツクからなるマスクステージ
の前にウエハステージを移動する第２の移動工程
と、ウエハステージのＺステージとマスク移替え
チヤツクとマスクチヤツクの真空状態を制御して
マスクをウエハステージからマスクステージへ移
し替える移し替え工程と、マスク移替えチヤツク
を取りはずしてウエハチヤツクを取付ける第２の
取付け工程と、ウエハチヤツクにプリアライメン
トマークを有するウエハを装着する装着工程と、
ウエハステージをテレビカメラの前に移動する第
３の移動工程と、テレビカメラでウエハのプリア
ライメントマークを観察してxyθ方向の合わせ込
みを行う第２の合わせ込み工程と、マスクステー
ジにウエハステージを移動する第４の移動工程と
を含んで構成される。
次に、本発明の実施例について、図面を参照し
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図であ
る。
る。
第１図に示すＸ線露光装置は、ベース１と、ベ
ース１に搭載されＸ軸方向に移動できるＸステー
ジ２と、Ｘステージ２に搭載されＹ軸方向に移動
できるＹステージ３と、Ｙステージ３に搭載され
Ｚ軸方向の移動とＺ軸を中心とした回転ができる
Zθステージ４と、Zθステージ４に搭載されマス
ク５を真空吸着できるマスク移替えチヤツク７ａ
と、Ｘ線源８の下方に取り付けられＸ線源８から
のＸ線を導くヘリウムチヤンバ９と、ヘリウムチ
ヤンバ９の下方に取り付けられあおりと高さを調
整できるZ1Z2Z3微動ステージ１０と、Z1Z2Z3微動
ステージ１０に取り付けられたマスクチヤツク１
１と、ヘリウムチヤンバ９の側面に取り付けられ
最終的なフアインラインメイトを行うためのアラ
イメント光学系１２とマスクチヤツク１１の近傍
にありマスク５のプリアライメントマークを観察
できる２個のテレビカメラ１３、Ｙステージ３に
搭載された直角ミラー１４と、Ｙステージ３の位
置を計測するレーザ測長器１５とを含んで構成さ
れる。
ース１に搭載されＸ軸方向に移動できるＸステー
ジ２と、Ｘステージ２に搭載されＹ軸方向に移動
できるＹステージ３と、Ｙステージ３に搭載され
Ｚ軸方向の移動とＺ軸を中心とした回転ができる
Zθステージ４と、Zθステージ４に搭載されマス
ク５を真空吸着できるマスク移替えチヤツク７ａ
と、Ｘ線源８の下方に取り付けられＸ線源８から
のＸ線を導くヘリウムチヤンバ９と、ヘリウムチ
ヤンバ９の下方に取り付けられあおりと高さを調
整できるZ1Z2Z3微動ステージ１０と、Z1Z2Z3微動
ステージ１０に取り付けられたマスクチヤツク１
１と、ヘリウムチヤンバ９の側面に取り付けられ
最終的なフアインラインメイトを行うためのアラ
イメント光学系１２とマスクチヤツク１１の近傍
にありマスク５のプリアライメントマークを観察
できる２個のテレビカメラ１３、Ｙステージ３に
搭載された直角ミラー１４と、Ｙステージ３の位
置を計測するレーザ測長器１５とを含んで構成さ
れる。
第２図ａ〜ｈは第１図に示すＸ線露光装置にお
けるマスクとウエハのプリアライメントの工程を
示す説明図である。
けるマスクとウエハのプリアライメントの工程を
示す説明図である。
第２図ａは、マスク５をマスク移替えチヤツク
７ａに真空吸着し、テレビカメラ１２で２個のプ
リアライメントマーク１６ａ，１６ｂを観察して
プリアライメントを行う位置にＸステージ２とＹ
ステージ３を移動したところを示している。２個
のテレビカメラ１３の間隔は、プリアライメント
マーク１６ａ，１６ｂの間隔Ｄに等しい。
７ａに真空吸着し、テレビカメラ１２で２個のプ
リアライメントマーク１６ａ，１６ｂを観察して
プリアライメントを行う位置にＸステージ２とＹ
ステージ３を移動したところを示している。２個
のテレビカメラ１３の間隔は、プリアライメント
マーク１６ａ，１６ｂの間隔Ｄに等しい。
第２図ｂは、プリアライメントマーク１６ａ，
１６ｂをテレビカメラ１３で観察したときのテレ
ビモニタの状態を示している。観察されたプリア
ライメントマーク１６ａとモニタ上の基準マーク
１７ａとのＸ方向のずれ量をΔxa、Ｙ方向のずれ
量をΔyaとし、プリアライメントマーク１６ｂと
基準マーク１７ｂとのＸ方向のずれ量をΔxb、Ｙ
方向のずれ量をΔybとすると、マスク５のXYθ
方向のずれ量Δxm、Δym、ΔθmはΔx＝（Δxa＋
Δxb）／２、Δy＝（Δya＋Δyb）／２、Δθ＝
（Δya−Δyb）／Ｄで表わされる。ただし、Ｄは
プリアライメントマーク１６ａ，１６ｂの間隔で
ある。このΔx、Δy、Δθをもとに、Ｘステージ
２、Ｙステージ３、Zθステージ４を動かし、モ
ニタ上でプリアライメントマーク１６ａ，１６ｂ
と基準マーク１７ａ，１７ｂを重ね合わせてマス
クのプリアライメントを行う。
１６ｂをテレビカメラ１３で観察したときのテレ
ビモニタの状態を示している。観察されたプリア
ライメントマーク１６ａとモニタ上の基準マーク
１７ａとのＸ方向のずれ量をΔxa、Ｙ方向のずれ
量をΔyaとし、プリアライメントマーク１６ｂと
基準マーク１７ｂとのＸ方向のずれ量をΔxb、Ｙ
方向のずれ量をΔybとすると、マスク５のXYθ
方向のずれ量Δxm、Δym、ΔθmはΔx＝（Δxa＋
Δxb）／２、Δy＝（Δya＋Δyb）／２、Δθ＝
（Δya−Δyb）／Ｄで表わされる。ただし、Ｄは
プリアライメントマーク１６ａ，１６ｂの間隔で
ある。このΔx、Δy、Δθをもとに、Ｘステージ
２、Ｙステージ３、Zθステージ４を動かし、モ
ニタ上でプリアライメントマーク１６ａ，１６ｂ
と基準マーク１７ａ，１７ｂを重ね合わせてマス
クのプリアライメントを行う。
第２図ｃは、マスクのプリアライメント完了
後、Ｘステージ２とＹステージ３をマスクチヤツ
ク１１の下方に移動させたときの状態を示してい
る。ステージの位置の計測は、プリアライメト完
了した位置を原点とし、その位置からの変位をレ
ーザ波長器１５で計測することによつて行う。
後、Ｘステージ２とＹステージ３をマスクチヤツ
ク１１の下方に移動させたときの状態を示してい
る。ステージの位置の計測は、プリアライメト完
了した位置を原点とし、その位置からの変位をレ
ーザ波長器１５で計測することによつて行う。
第２図ｄは、マスク５をマスク移替えチヤツク
７ａからマスクチヤツク１１に移し替えるときの
状態を示している。Zθステージ４がマスク５を
装着したマスク移替えチヤツク７ａをＺ方向に押
し上げマスク５をマスクチヤツク１１に密着させ
ると、マスクチヤツク１１はマスク５を真空吸着
する。マスク５がマスクチヤツク１１に真空吸着
されたのち、マスク移替えチヤツク７ａの真空を
切り、マスク５の移し替えを行う。
７ａからマスクチヤツク１１に移し替えるときの
状態を示している。Zθステージ４がマスク５を
装着したマスク移替えチヤツク７ａをＺ方向に押
し上げマスク５をマスクチヤツク１１に密着させ
ると、マスクチヤツク１１はマスク５を真空吸着
する。マスク５がマスクチヤツク１１に真空吸着
されたのち、マスク移替えチヤツク７ａの真空を
切り、マスク５の移し替えを行う。
第２図ｅは、マスク５の移し替えが完了し、
Zθステージ４が通常の位置にもどつたきの状態
を示している。このとき、マスク５はテレビカメ
ラ１２に対して正確に位置決めされた状態でマス
クチヤツク１１に真空吸着されている。
Zθステージ４が通常の位置にもどつたきの状態
を示している。このとき、マスク５はテレビカメ
ラ１２に対して正確に位置決めされた状態でマス
クチヤツク１１に真空吸着されている。
ここで第１図のマスク移替えチヤツク７ａを取
りはずす。第３図は取りはずした部分にウエハチ
ヤツク７ａを取付けた状態を示している。
りはずす。第３図は取りはずした部分にウエハチ
ヤツク７ａを取付けた状態を示している。
第２図ｆは、ウエハ６をウエハチヤツク７ｂに
真空吸着し、テレビカメラ１３で２個のプリアラ
イメントマーク１８ａ，１８ｂを観察してプリア
ライメントを行う位置にＸステージ２とＹステー
ジ３を移動したところを示している。ウエハ６上
のプリアライメントマーク１８ａ，１８ｂの間隔
もマスク５上のプリアライメントマーク１６ａ，
１６ｂの間隔に等しくしておく。
真空吸着し、テレビカメラ１３で２個のプリアラ
イメントマーク１８ａ，１８ｂを観察してプリア
ライメントを行う位置にＸステージ２とＹステー
ジ３を移動したところを示している。ウエハ６上
のプリアライメントマーク１８ａ，１８ｂの間隔
もマスク５上のプリアライメントマーク１６ａ，
１６ｂの間隔に等しくしておく。
第２図ｇは、プリアライメントマーク１８ａ，
１８ｂをテレビカメラ１３観察したときのテレビ
モニタの状態を示している。前述のマスクの場合
と同様に、ウエハ６のXYθ方向のずれ量Δxw、
Δyw、Δθwを求め、Ｘステージ２、Ｙステージ
３、Zθステージ４を動かし、モニタ上でプリア
ライメントマーク１８ａ，１８ｂと基準マーク１
７ａ，１７ｂを重ね合わせプリアライメントを行
う。
１８ｂをテレビカメラ１３観察したときのテレビ
モニタの状態を示している。前述のマスクの場合
と同様に、ウエハ６のXYθ方向のずれ量Δxw、
Δyw、Δθwを求め、Ｘステージ２、Ｙステージ
３、Zθステージ４を動かし、モニタ上でプリア
ライメントマーク１８ａ，１８ｂと基準マーク１
７ａ，１７ｂを重ね合わせプリアライメントを行
う。
第２図ｈは、ウエハ６のプリアライメント完了
後、Ｘステージ２とＹステージ３を最初の露光位
置に移動させたときの状態を示している。テレビ
カメラ１２に対するウエハ６の位置は、マスク５
の場合と同様に、レーザ測長器で正確に計測する
ことができる。マスク５はすでにテレビカメラ１
３に対して正確に位置決めされているので、マス
ク５とウエハ６を高い重ね合わせ精度でプリアラ
イメントすることが可能となる。
後、Ｘステージ２とＹステージ３を最初の露光位
置に移動させたときの状態を示している。テレビ
カメラ１２に対するウエハ６の位置は、マスク５
の場合と同様に、レーザ測長器で正確に計測する
ことができる。マスク５はすでにテレビカメラ１
３に対して正確に位置決めされているので、マス
ク５とウエハ６を高い重ね合わせ精度でプリアラ
イメントすることが可能となる。
マスクとウエハのプリアライメントが完了した
ら、アライメント光学系１２により最終的なフア
インアライメントを行い露光を開始する。
ら、アライメント光学系１２により最終的なフア
インアライメントを行い露光を開始する。
本発明のマスクとウエハのプリアライメント方
法は、真空吸着したマスクをマスクステージに移
し替えることのできるウエハステージを設けるこ
とにより、マスクとウエハをウエハステージ上で
プリアライメントできるため、重ね合わせ精度の
良いプリアライメントができるという効果があ
る。その結果、最終的なフアインアライメントの
負担が軽くなるという効果がある。
法は、真空吸着したマスクをマスクステージに移
し替えることのできるウエハステージを設けるこ
とにより、マスクとウエハをウエハステージ上で
プリアライメントできるため、重ね合わせ精度の
良いプリアライメントができるという効果があ
る。その結果、最終的なフアインアライメントの
負担が軽くなるという効果がある。
また、マスクの外形を基準としてプリアライメ
ントを行うかわりに、マスクをウエハステージに
装着しウエハステージを動かし合わせ込みを行う
ため、マスクの外形とマスクパターンの位置精度
を出す必要がなく、マスクの製作が比較的容易に
なるという効果がある。
ントを行うかわりに、マスクをウエハステージに
装着しウエハステージを動かし合わせ込みを行う
ため、マスクの外形とマスクパターンの位置精度
を出す必要がなく、マスクの製作が比較的容易に
なるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図、第２
図ａ〜ｈは本発明のマスクとウエハのプリアライ
メントの工程を示す説明図、第３図はチヤツク交
換の状態の説明図、第４図は従来のアライメント
方法を示す説明図、第５図は第４図に示すアライ
メント方法におけるマスク用マークであるリニア
フレネル・ゾーン・プレートを示す平面図、第６
図は第４図に示すアライメント方法におけるウエ
ハ用マークである回折格子を示す平面図。 １……ベース、２……Ｘステージ、３……Ｙス
テージ、４……Zθステージ、５……マスク、６
……ウエハ、７ａ……マスク移替チヤツク、７ｂ
……ウエハチヤツク、８……Ｘ線源、９……ヘリ
ウムチヤンバ、１０……Z1Z2Z3微動ステージ、１
１……マスクチヤツク、１２……アライメント光
学系、１３……テレビカメラ、１４……直角ミラ
ー、１５……レーザ測長器、１６ａ，１６ｂ……
マスクのプリアライメントマーク、１７ａ，１７
ｂ……基準マーク、１８ａ，１８ｂ……ウエハの
プリアライメントマーク、１９……ウエハ、２０
……回折格子、２１……マスク、２２……リニ
ア・フレネル・ゾーン・プレート、２３……レー
ザビーム、Δxa，Δxb……プリアライメントマー
クと基準マークのＸ方向のずれ量、Δya，Δyb…
…プリアライメントマークと基準マークのＹ方向
のずれ量、ｄ……回折格子のピツチ。
図ａ〜ｈは本発明のマスクとウエハのプリアライ
メントの工程を示す説明図、第３図はチヤツク交
換の状態の説明図、第４図は従来のアライメント
方法を示す説明図、第５図は第４図に示すアライ
メント方法におけるマスク用マークであるリニア
フレネル・ゾーン・プレートを示す平面図、第６
図は第４図に示すアライメント方法におけるウエ
ハ用マークである回折格子を示す平面図。 １……ベース、２……Ｘステージ、３……Ｙス
テージ、４……Zθステージ、５……マスク、６
……ウエハ、７ａ……マスク移替チヤツク、７ｂ
……ウエハチヤツク、８……Ｘ線源、９……ヘリ
ウムチヤンバ、１０……Z1Z2Z3微動ステージ、１
１……マスクチヤツク、１２……アライメント光
学系、１３……テレビカメラ、１４……直角ミラ
ー、１５……レーザ測長器、１６ａ，１６ｂ……
マスクのプリアライメントマーク、１７ａ，１７
ｂ……基準マーク、１８ａ，１８ｂ……ウエハの
プリアライメントマーク、１９……ウエハ、２０
……回折格子、２１……マスク、２２……リニ
ア・フレネル・ゾーン・プレート、２３……レー
ザビーム、Δxa，Δxb……プリアライメントマー
クと基準マークのＸ方向のずれ量、Δya，Δyb…
…プリアライメントマークと基準マークのＹ方向
のずれ量、ｄ……回折格子のピツチ。
Claims (1)
- １ xyステージとZθ微動ステージからなるウエ
ハステージにマスク移替えチヤツクを取付ける第
１の取付け工程と、マスク移替えチヤツクにプリ
アライメントマークを有するマスクを装着するマ
スク装着工程と、ウエハステージをテレビカメラ
の前に移動する第１の移動工程と、テレビカメラ
でマスクのプリアライメントマークを観察してウ
エハステージを駆動してxyθ方向の合わせ込みを
行う第１の合わせ込み工程と、あおりと高さを調
整できるZ1Z2Z3微動ステージとマスクを真空吸着
できるマスクチヤツクからなるマスクステージの
前にウエハステージを移動する第２の移動工程
と、ウエハステージのＺステージとマスク移替え
チヤツクとマスクチヤツクの真空状態を制御して
マスクをウエハステージからマスクステージへ移
し替える移し替え工程と、マスク移替えチヤツク
を取はずしてウエハチヤツクを取付ける第２の取
付け工程と、ウエハチヤツクにプリアライメント
マークを有するウエハを装着する装着工程と、ウ
エハステージをテレビカメラの前に移動する第３
の移動工程と、テレビカメラでウエハのプリアラ
イメントマークを観察してxyθ方向の合わせ込み
を行う第２の合わせ込み工程と、マスクステージ
にウエハステージを移動する第４の移動工程とを
含むことを特徴とするマスクとウエハのプリアラ
イメント方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62264601A JPH01106428A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | マスクとウエハのプリアライメント方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62264601A JPH01106428A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | マスクとウエハのプリアライメント方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01106428A JPH01106428A (ja) | 1989-04-24 |
| JPH055369B2 true JPH055369B2 (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=17405581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62264601A Granted JPH01106428A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | マスクとウエハのプリアライメント方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01106428A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4764201B2 (ja) * | 2006-02-21 | 2011-08-31 | 株式会社オーク製作所 | 基板露光装置および基板露光方法 |
-
1987
- 1987-10-19 JP JP62264601A patent/JPH01106428A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01106428A (ja) | 1989-04-24 |
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