JPH03123338A - 密着プリンティング・プロセスにおけるフォトレジスト層内パターン明確化方法 - Google Patents
密着プリンティング・プロセスにおけるフォトレジスト層内パターン明確化方法Info
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- JPH03123338A JPH03123338A JP2249032A JP24903290A JPH03123338A JP H03123338 A JPH03123338 A JP H03123338A JP 2249032 A JP2249032 A JP 2249032A JP 24903290 A JP24903290 A JP 24903290A JP H03123338 A JPH03123338 A JP H03123338A
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- 238000002508 contact lithography Methods 0.000 title abstract description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/2014—Contact or film exposure of light sensitive plates such as lithographic plates or circuit boards, e.g. in a vacuum frame
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H05K3/0073—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces
- H05K3/0082—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces characterised by the exposure method of radiation-sensitive masks
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は密着プリンティング・プロセスに関する。
［従来の技術］
プリント回路基板のような部品の製造に際しては、一般
に、密着プリンティング処理を行っている。この処理に
おいては、マスクが基板上のフォトレジスト層に直に密
着するように配置され、その構造は平行光線に露光され
、フォトレジストは現像されて、次の処理のために正確
なパターンを形成する。−膜内な従来の技術においては
、エンベロープ内に部品を配置し、その後取り出し、外
圧によってマスクとフォトレジストを強制的に密着させ
ていた。この製造方法では、機械的な位置合わせ技術が
用いられる際に、位置決め（ｒｅｇｉｓｔｒａｔ ｔｏ
ｎ）が困難になることがある。機械的な位置合わせビン
により適合している代替方法として、軟密着”方法が知
られており、これはマスクとフォトレジストの間を密着
させておくためにマスクを固定するガラスのフレームの
重さを単純に用いる方法である。
に、密着プリンティング処理を行っている。この処理に
おいては、マスクが基板上のフォトレジスト層に直に密
着するように配置され、その構造は平行光線に露光され
、フォトレジストは現像されて、次の処理のために正確
なパターンを形成する。−膜内な従来の技術においては
、エンベロープ内に部品を配置し、その後取り出し、外
圧によってマスクとフォトレジストを強制的に密着させ
ていた。この製造方法では、機械的な位置合わせ技術が
用いられる際に、位置決め（ｒｅｇｉｓｔｒａｔ ｔｏ
ｎ）が困難になることがある。機械的な位置合わせビン
により適合している代替方法として、軟密着”方法が知
られており、これはマスクとフォトレジストの間を密着
させておくためにマスクを固定するガラスのフレームの
重さを単純に用いる方法である。
しかし、残念ながら、マスクは次第に表面摩滅を生じ、
また回路基板も完全には平面でないため、マスクとの不
完全密着を生じる。こうした現象は、平行光線の拡散の
結果として、現像された描画を不鮮明化する傾向がある
。即ち、従来の技術においては新世代の回路基板（例え
ば、５０．８から７６．２ミクロンの線幅）において、
許容し得る歩留りで求められるより細い線のために必要
な解像度能力を達成することは困難である。
また回路基板も完全には平面でないため、マスクとの不
完全密着を生じる。こうした現象は、平行光線の拡散の
結果として、現像された描画を不鮮明化する傾向がある
。即ち、従来の技術においては新世代の回路基板（例え
ば、５０．８から７６．２ミクロンの線幅）において、
許容し得る歩留りで求められるより細い線のために必要
な解像度能力を達成することは困難である。
よって本発明の目的は、密着プリンティング処理の解像
度能力と歩留りの改善にある。
度能力と歩留りの改善にある。
［発明の概要］
上記及びその他の種々の目的は、本発明の方法、すなわ
ち、基板の第一主要表面上に形成されたフォトレジスト
層におけるパターンの明確化（ｄｅｆ’１ｎｉｎｇ）方
法によって達成される。マスクはフォトレジスト層に密
着して配置される。ガス流は前記第一表面と反対側の基
板の第二主要表面に供給される。ガス流が供給される間
、フォトレジスト層はマスクを通して光源に露光される
。
ち、基板の第一主要表面上に形成されたフォトレジスト
層におけるパターンの明確化（ｄｅｆ’１ｎｉｎｇ）方
法によって達成される。マスクはフォトレジスト層に密
着して配置される。ガス流は前記第一表面と反対側の基
板の第二主要表面に供給される。ガス流が供給される間
、フォトレジスト層はマスクを通して光源に露光される
。
［実施例］
以下、図面を参照しながら本発明をさらに詳細に説明す
る。なお、図面は、本発明の一実施例に用いられる密着
プリンティング・ステーションを示す概略図である。プ
リント回路基板パネル１０は一般にエポキシ参ガラスで
つくられており、２つの主要表面１１．１２を持つ。少
なくとも一方の主要表面（１１）において、フォトレジ
スト層１３が形成される。例えば、フォトレジストはお
よそ５０μの薄さの薄板状に蒸着されたポリマーΦフィ
ルムである。普通、フォトレジストは一般的に４５ｃｍ
Ｘ６１ｃｍのパネルの表面をほぼ完全に覆う。パネルは
、図中の２３に示すような部分である、搬送用マニホル
ドによってつくられる空気クツション上のステーション
に搬送される。
る。なお、図面は、本発明の一実施例に用いられる密着
プリンティング・ステーションを示す概略図である。プ
リント回路基板パネル１０は一般にエポキシ参ガラスで
つくられており、２つの主要表面１１．１２を持つ。少
なくとも一方の主要表面（１１）において、フォトレジ
スト層１３が形成される。例えば、フォトレジストはお
よそ５０μの薄さの薄板状に蒸着されたポリマーΦフィ
ルムである。普通、フォトレジストは一般的に４５ｃｍ
Ｘ６１ｃｍのパネルの表面をほぼ完全に覆う。パネルは
、図中の２３に示すような部分である、搬送用マニホル
ドによってつくられる空気クツション上のステーション
に搬送される。
空気クツションはマニホルドを通して空気流を生み出す
標準的な遠心ブロワのような圧力源１４によって生成さ
れる。−旦バネル１０がステーションに搬送されると、
パネルは位置合わせビン（ここでは示されていない）に
より位置決めされる。
標準的な遠心ブロワのような圧力源１４によって生成さ
れる。−旦バネル１０がステーションに搬送されると、
パネルは位置合わせビン（ここでは示されていない）に
より位置決めされる。
パネルはシャトル・バルブ１６を用いて圧力源１４から
真空源１５に切換えることで固定される。
真空源１５に切換えることで固定される。
真空源としては、一般に、搬送用マニホルドの上にパネ
ルの表面１２を保持するために、約０，３４ＡＴＭＳ
（２６０，４ｍｍＨｇ）の真空を実現する標準遠心真空
ファンを用いる。
ルの表面１２を保持するために、約０，３４ＡＴＭＳ
（２６０，４ｍｍＨｇ）の真空を実現する標準遠心真空
ファンを用いる。
−旦パネルが固定されたら、形成されるパターンを含ん
だマスク１７がフォトレジスト層上に下降させられる。
だマスク１７がフォトレジスト層上に下降させられる。
マスクは、一般に、約０．２ｍｍの薄さのシートであり
、ガラス枠１８の中にはめ込まれたガラス板２２に固定
されている。なお、図中において、ガラス枠の一部は説
明のために切取られている。標準的な技術によりガラス
枠内の真空チャネル（ここでは示されていない）によっ
て、ガラス板は枠に固定されており、マスクはガラス板
の下表面に固定されている。こうしてマスクが下げられ
、一般に約２０ｋｇの枠の重さは、いわゆる”軟密着°
技術により、マスクとフォトレジストの密着を確保する
。
、ガラス枠１８の中にはめ込まれたガラス板２２に固定
されている。なお、図中において、ガラス枠の一部は説
明のために切取られている。標準的な技術によりガラス
枠内の真空チャネル（ここでは示されていない）によっ
て、ガラス板は枠に固定されており、マスクはガラス板
の下表面に固定されている。こうしてマスクが下げられ
、一般に約２０ｋｇの枠の重さは、いわゆる”軟密着°
技術により、マスクとフォトレジストの密着を確保する
。
本発明の主な特徴により、シャトル・バルブ１６は、空
気流が直に表面１２、すなわち、その上にマスク１７を
のせられたフォトレジスト層を含む表面（１１）の反対
の表面１２に当たるように、再度圧力源１４に切換えら
れる。この空気流はマスク１７に対してパネル１０を押
圧し、マスクとフォトレジスト層１３をさらに密着させ
、それによって、プリンティング・プロセスに”圧力ブ
ーストを与える。生成された特定の圧力は、約６．８ｘ
ｌＯ−３ＡＴＭ （０，１ｐｓ ｉ）である。
気流が直に表面１２、すなわち、その上にマスク１７を
のせられたフォトレジスト層を含む表面（１１）の反対
の表面１２に当たるように、再度圧力源１４に切換えら
れる。この空気流はマスク１７に対してパネル１０を押
圧し、マスクとフォトレジスト層１３をさらに密着させ
、それによって、プリンティング・プロセスに”圧力ブ
ーストを与える。生成された特定の圧力は、約６．８ｘ
ｌＯ−３ＡＴＭ （０，１ｐｓ ｉ）である。
３
３．５Ｘ１０ から９．５Ｘ１０−３ＡＴＭ （０゜
０５−０．１４ｐｓ ｉ）の範囲内の圧力であれば、２
０ｋｇの枠に対して有効であることは明らかである。こ
の範囲より上の圧力は、パネルとマスクを持上げ、過度
にマニホルドから離してしまう。
０５−０．１４ｐｓ ｉ）の範囲内の圧力であれば、２
０ｋｇの枠に対して有効であることは明らかである。こ
の範囲より上の圧力は、パネルとマスクを持上げ、過度
にマニホルドから離してしまう。
一方、この範囲より下の圧力ではマスクとフォトレジス
トが十分に密着しない。一般に、枠と基板の全体がマニ
ホルドから離れて持上げられないことが望ましいが、部
分的には、ガスの出口を許容する程度に持上げられる。
トが十分に密着しない。一般に、枠と基板の全体がマニ
ホルドから離れて持上げられないことが望ましいが、部
分的には、ガスの出口を許容する程度に持上げられる。
従って、圧力は枠の重さに基いて調整される必要がある
。
。
空気流が直にパネル１０の下側に当たっている間、フォ
トレジスト層１３はシャッター２０を開けることによっ
て紫外線光源１９に露光される。
トレジスト層１３はシャッター２０を開けることによっ
て紫外線光源１９に露光される。
光線はレンズ２１としてに示されるような適当な光学機
器により平行化される。露光は一般に１０秒間である。
器により平行化される。露光は一般に１０秒間である。
露光が完結した後、シャッターはしまり、バルブ１６は
再度真空源１５に切換えられ、パネルがマニホルド２３
の表面に固定される。マスク１７はフォトレジストの表
面から持上げられ、マニホルドはプリンティングΦステ
ーションからのパネルの退出の為の空気クツションを形
成するために再度圧力源１４に切換わる。パネルはフォ
トレジスト層１３内にマスク・パターンを形成するため
に別のステーションで標準技術により現像される。
再度真空源１５に切換えられ、パネルがマニホルド２３
の表面に固定される。マスク１７はフォトレジストの表
面から持上げられ、マニホルドはプリンティングΦステ
ーションからのパネルの退出の為の空気クツションを形
成するために再度圧力源１４に切換わる。パネルはフォ
トレジスト層１３内にマスク・パターンを形成するため
に別のステーションで標準技術により現像される。
前述したプロセスは、タマラック サイエンティフィッ
ク社（ＴａｌＩａｒａｃｋ ５ｃｉｅｎｔｉｆｉｃ ）
より、１７０ＤＳ−Ａ フォトプリンターの名称で販
売されている機械のような、市販の装置を用いて実行で
きることは明らかである。
ク社（ＴａｌＩａｒａｃｋ ５ｃｉｅｎｔｉｆｉｃ ）
より、１７０ＤＳ−Ａ フォトプリンターの名称で販
売されている機械のような、市販の装置を用いて実行で
きることは明らかである。
密着プリンティング処理中の圧力ブーストの利用により
、使用しているプリンターの種類に応じて、５０．８か
ら２０３．２ミクロンの範囲の線幅を持ったパネルの解
像度を改善できることが確認されている。本発明は、特
に、従来技術のプロセスでは一般に歩留りが低かった５
０．８から１０１．６ミクロンの線幅を生成する際に有
利である。さらに、マスクとフォトレジストの間の密着
性を光線の平行化の必要がなくなる程かなり高くできる
ため、それによって、密着プリンティング装置のコスト
を低下できる。
、使用しているプリンターの種類に応じて、５０．８か
ら２０３．２ミクロンの範囲の線幅を持ったパネルの解
像度を改善できることが確認されている。本発明は、特
に、従来技術のプロセスでは一般に歩留りが低かった５
０．８から１０１．６ミクロンの線幅を生成する際に有
利である。さらに、マスクとフォトレジストの間の密着
性を光線の平行化の必要がなくなる程かなり高くできる
ため、それによって、密着プリンティング装置のコスト
を低下できる。
本発明はプリント回路基板に関して言及してきたが、フ
ォトレジスト層をもったどの様な基板でもここで述べた
原理から効果が得られることは明らかである。
ォトレジスト層をもったどの様な基板でもここで述べた
原理から効果が得られることは明らかである。
この技術分野の当業者であれば、様々な付加的修正が考
えられる。本発明がそれによって技術を進歩させたとこ
ろの原理に基く全ての種類の変形例は、本発明の範囲に
包含される。
えられる。本発明がそれによって技術を進歩させたとこ
ろの原理に基く全ての種類の変形例は、本発明の範囲に
包含される。
なお、特許請求の範囲に記載された参照番号は、発明の
容易なる理解のためで、その範囲を制限するよう解釈さ
れるべきではない。
容易なる理解のためで、その範囲を制限するよう解釈さ
れるべきではない。
図面は、本発明の一実施例に用いられる装置を示す概略
分解斜視図である。 なお、この図面は説明図であるため、必ずしも一定の比
率で描かれてはいない。
分解斜視図である。 なお、この図面は説明図であるため、必ずしも一定の比
率で描かれてはいない。
Claims (9)
- （１）フォトレジスト層に密着してマスク（１７）を配
置するステップを有し、基板（１０）の第一主要表面（
１１）上に形成されたフォトレジスト層内でパターンを
明確化（ｄｅｆｉｎｉｎｇ）する方法において、 前記第一表面の反対側の、基板の第二主要表面（１２）
にガス流を供給するステップ、 前記ガス流の供給中に、前記マスクを用いて光源（１９
）にフォトレジスト層を露光するステップ、を有するこ
とを特徴とする密着プリンティングプロセスにおけるフ
ォトレジスト層内パターン明確化方法。 - （２）前記基板は、プリント回路基板材料からなること
を特徴とする請求項１記載の方法。 - （３）パターンは、５０．８から２０３．２ミクロンの
範囲の線幅を持つことを特徴とする請求項２記載の方法
。 - （４）パターンは、５０．８から１０１．６ミクロンの
線幅を持つことを特徴とする請求項２記載の方法。 - （５）第二主要表面に供給されるガス圧は、３．５×１
０＾−＾３から９．５×１０＾−＾３ＡＴＭＳの範囲に
あることを特徴とする請求項１記載の方法。 - （６）前記ガス流の供給に先だって、前記基板に真空を
供給し、マスクがフォトレジスト層に密着している間に
前記基板を適当な場所に固定することを特徴とする請求
項１記載の方法。 - （７）光源は、紫外線を発生することを特徴とする請求
項１記載の方法。 - （８）ガス流と真空は同じマニホルド（２３）を通して
供給されることを特徴とする請求項６記載の方法。 - （９）ガスは、空気からなることを特徴とする請求項１
記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US41403589A | 1989-09-28 | 1989-09-28 | |
| US414035 | 1989-09-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03123338A true JPH03123338A (ja) | 1991-05-27 |
Family
ID=23639690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2249032A Pending JPH03123338A (ja) | 1989-09-28 | 1990-09-20 | 密着プリンティング・プロセスにおけるフォトレジスト層内パターン明確化方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0420526A3 (ja) |
| JP (1) | JPH03123338A (ja) |
| KR (1) | KR910007071A (ja) |
| CA (1) | CA2021612C (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11312635A (ja) * | 1998-04-28 | 1999-11-09 | Ushio Inc | コンタクト露光方法 |
| FR2831765B1 (fr) | 2001-10-31 | 2004-02-13 | Automa Tech Sa | Dispositif pour insoler une face d'un panneau |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57147624A (en) * | 1981-03-09 | 1982-09-11 | Canon Inc | Contact exposure device |
| JPS591211U (ja) * | 1982-06-24 | 1984-01-06 | オンキヨー株式会社 | 周波数変調回路 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1511332A (en) * | 1974-04-30 | 1978-05-17 | Hoechst Ag | Printing frame |
| JPS55144230A (en) * | 1979-04-27 | 1980-11-11 | Fujitsu Ltd | Exposure device |
| JPS55144229A (en) * | 1979-04-27 | 1980-11-11 | Fujitsu Ltd | Exposure device |
-
1990
- 1990-07-24 CA CA002021612A patent/CA2021612C/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-09-20 JP JP2249032A patent/JPH03123338A/ja active Pending
- 1990-09-21 EP EP19900310379 patent/EP0420526A3/en not_active Withdrawn
- 1990-09-25 KR KR1019900015183A patent/KR910007071A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57147624A (en) * | 1981-03-09 | 1982-09-11 | Canon Inc | Contact exposure device |
| JPS591211U (ja) * | 1982-06-24 | 1984-01-06 | オンキヨー株式会社 | 周波数変調回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2021612C (en) | 1993-11-30 |
| EP0420526A3 (en) | 1992-02-26 |
| EP0420526A2 (en) | 1991-04-03 |
| CA2021612A1 (en) | 1991-03-29 |
| KR910007071A (ko) | 1991-04-30 |
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