JP2000122264A - 露光用マスク、位置合わせ基準ウェハおよび露光位置合わせ方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】露光用マスクとウェハとの露光位置合わせを高
精度に行うことができる露光用マスク、位置合わせ基準
ウェハおよび露光位置合わせ方法を提供する。 【解決手段】マスク基材の中心位置と、他の少なくとも
１つの位置に、露光位置合わせのためのマークが設けら
れている露光用マスク。パターンが転写される半導体基
板と同一の寸法を有する位置合わせ基準ウェハにおい
て、位置合わせ基準ウェハの中心を通りオリエンテーシ
ョンフラットに垂直な直線状の位置合わせマークと、位
置合わせ基準ウェハの中心を示す位置合わせマークとを
有する位置合わせ基準ウェハ。露光用マスクのマークの
露光投影像を、位置合わせ基準ウェハの位置合わせマー
クに重ね合わせてから、位置合わせ基準ウェハと半導体
基板を交換する露光位置合わせ方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
過程でリソグラフィ工程に用いられる露光用マスク、露
光用マスクと半導体基板との位置合わせに用いられる位
置合わせ基準ウェハ、およびこれらを用いた露光位置合
わせ方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体の製造において、ウェハ上にマス
クパターンを転写するフォトリソグラフィ工程は不可欠
であり、半導体装置の微細化に伴い、高精度なフォトリ
ソグラフィ技術が要求されている。フォトリソグラフィ
工程においては、露光装置に取り付けられた露光用マス
クに紫外光などを照射し、露光用マスクの透過光をウェ
ハに照射する。

【０００３】従来、露光用マスクとウェハとの位置合わ
せは、露光用マスクのパターンが転写された、各露光用
マスクに専用の位置合わせ基準ウェハを用い、位置合わ
せ基準ウェハ上のパターンと露光用マスクの露光投影像
とを重ね合わせることにより行われていた。位置合わせ
基準ウェハを用いてウェハの位置および露光装置の焦点
を調整してから、位置合わせ基準ウェハを半導体チップ
製造用の鏡面ウェハに交換し、マスクパターンの転写を
行っていた。

【０００４】上記のような基準ウェハの作製するには、
図６（Ａ）に示すように、別の露光用マスクのパターン
があらかじめ形成されている、別の露光用マスク専用の
仮基準ウェハＡを用いる。ウェハには仮基準ウェハＡに
限らず、結晶方位を表すオリエンテーションフラット１
がある。図６（Ｂ）に示すように、新規に基準ウェハの
作製を必要とする露光用マスクをマスクＢとする。露光
用マスクＢには、透明なガラス基板等からなるマスクブ
ランク２上に、クロム等の金属あるいは金属酸化物から
なる遮光性のマスクパターン３が形成されている。通
常、１回の露光により複数のチップにパターンの転写を
行うため、マスクブランク２上のマスクパターン３には
同一パターンが二次元的に繰り返し配列されている。

【０００５】まず、図６（Ｃ）に示すように、仮基準ウ
ェハＡと露光用マスクＢの位置合わせを行う。図６
（Ｃ）は上方から、図６（Ｃ’）は側方から眺めた図で
ある。露光装置のウェハステージ４上に、吸着等の方法
により仮基準ウェハＡを固定し、光源と仮基準ウェハＡ
の間に露光用マスクＢを設置する。露光用マスクＢはレ
チクルステージ５に載せられ、水平方向あるいは垂直方
向に可動となっている。仮基準ウェハＡのオリエンテー
ションフラット１に対して垂直な線と、露光用マスクの
マスクパターン中心線との回転ずれ（θずれ、図７参
照。）がなくなるように、露光用マスクＢの位置を微調
整する。

【０００６】露光用マスクＢと仮基準ウェハＡとのθず
れを補正した後、図６（Ｄ）に示すように、仮基準ウェ
ハＡを露光装置から搬出し、露光用マスクＢ専用の基準
ウェハとなる鏡面ウェハを、露光装置のウェハステージ
４に設置する。図６（Ｄ）は上方から、図６（Ｄ’）は
側方から眺めた図である。鏡面ウェハに投影露光を行う
ことにより、露光用マスクＢ専用の基準ウェハＢ’が形
成される。基準ウェハＢ’は、露光用マスクＢを用いて
露光を行う際の位置合わせ（ファーストマスク合わせ）
に使用される。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の位置合わせ基準ウェハ、あるいは、露光位置合わ
せ方法によれば、露光用マスクのマスクパターンと、ウ
ェハステージ上の基準ウェハ（仮基準ウェハＡ）のパタ
ーンが異なる状態で、露光位置合わせを行う。露光位置
合わせはオリエンテーションフラットあるいは仮基準ウ
ェハＡのパターンを利用して、通常、目視で行われる。
したがって、作業者によって位置合わせの基準が異な
り、±３ｍｍ程度の誤差（ばらつき）が生じて、高精度
な加工が行えないという問題があった。

【０００８】図８に、露光用マスクに形成されるパター
ン数と、投影露光装置によりウェハ上に形成されるチッ
プ数との関係を模式的に示す。露光用マスクには同一の
パターンが複数形成されているが、投影露光装置を用い
て露光を行う場合、露光用マスクにはウェハサイズに対
応するチップ数よりも多くのパターンが形成される。上
記のような精度の低い方法で位置合わせを行っているた
め、露光範囲の変動が大きく、露光用マスクのパターン
数にはあらかじめ変動分の余裕が設けられている。

【０００９】図８に示すように、ウェハ６よりも広い範
囲に、マスクパターンの投影像７が重ね合わせられる。
ウェハはフォトリソグラフィ工程によりパターニングさ
れた後、ダイシングにより複数の半導体チップに分割さ
れる。Ｉは製品となるチップ、ＩＩはチップの一部（主
にコーナー部分）が欠損した不良チップ、ＩＩＩはあら
かじめ多く形成されたマスクパターンがウェハエッジ近
傍、あるいはウェハサイズ外の領域に投影された像であ
る。従来の位置合わせ方法によれば、露光部分の変動が
大きいため、１回の露光につき得られる、欠損がなく製
品化が可能なチップＩの数がばらつき、一定の収量が得
られないという問題があった。

【００１０】露光部分の変動が大きいことに起因して、
別の問題も発生する。半導体装置の製造におけるフォト
リソグラフィ工程では、レジスト等の感光性樹脂が塗布
されたウェハに光を照射し、パターンの転写を行う。し
たがって、最終的には不要となるウェハエッジ近傍のチ
ップＩＩＩの上にも一様にレジストが塗布される。ウェ
ハエッジ近傍の不要なレジストは、レジストに露光・現
像を行った後、エッジリンス作業により除去するが、こ
のときに発生するダストが半導体チップに付着すると、
不良の原因となる。特に、ウェハエッジはウェハの搬送
時にウェハ保持部（爪部）が接触する部分であるため、
不要なレジストがウェハ保持部（爪部）により剥離され
て、ダストが発生しやすくなる。また、不要なレジスト
を除去するための薬液も必要である。

【００１１】さらに、図８のチップＩＩを目視選別しな
ければならないという問題もある。図８のチップＩＩ
は、ウェハエッジと重なってチップの角が一部削れてい
る。このようなチップはデバイス測定では不良を検出で
きないが、製品化して使用すると半導体装置の内部欠陥
の原因となりやすい。したがって、目視による選別・除
去作業が必要となり、コストの低減の妨げとなってい
る。この他にも、上記の従来の露光用マスクと位置合わ
せ基準ウェハを用いた露光位置合わせ方法によれば、露
光用マスク毎に位置合わせ基準ウェハが必要となるた
め、位置合わせ基準ウェハの保管スペースを確保した
り、多数の位置合わせ基準ウェハを管理しなければなら
ないという問題があった。

【００１２】露光用マスクとウェハとの位置合わせを高
精度に行う目的で、露光用マスクに位置合わせマークを
設け、位置合わせマークをオリエンテーションフラット
に合わせる方法が特開平５−３２３５７５号公報に記載
されている。この方法によれば、好適には直線状、ある
いは２つ以上の点状のパターンを位置合わせマークとし
て露光用マスクに設けるため、露光用マスクのパターン
とオリエンテーションフラットとの回転ずれ（θずれ）
の解消に有効である。

【００１３】しかしながら、特開平５−３２３５７５号
公報記載の方法によれば、ウェハのオリエンテーション
フラットを基準にして位置合わせを行うために、オリエ
ンテーションフラット近傍の位置ずれは解消されるが、
ウェハのオリエンテーションフラットに対向する側で
は、位置ずれが大きくなりやすいという問題がある。

【００１４】本発明は上記の問題点を鑑みてなされたも
のであり、したがって本発明は、露光用マスクとウェハ
との露光位置合わせを高精度に行うことができる露光用
マスク、位置合わせ基準ウェハおよびこれらを用いた露
光位置合わせ方法を提供することを目的とする。また、
本発明は、異なるパターンの露光用マスクにも共用が可
能であり、フォトリソグラフィ工程のコストを低減でき
る位置合わせ基準ウェハを提供することを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の露光用マスクは、マスク基材上に遮光部分
を有し、露光により前記遮光部分のパターンを半導体基
板上に転写するための露光用マスクにおいて、前記マス
ク基材の中心位置と、他の少なくとも１つの位置に、前
記半導体基板との露光位置合わせのためのマークが設け
られていることを特徴とする。

【００１６】本発明の露光用マスクは、好適には、前記
マークは、前記マスク基材面の中心位置と、前記マスク
基材面の中心を通り前記マスク基材の表面に沿った前記
マスク基材の中心線の両端とに設けられていることを特
徴とする。本発明の露光用マスクは、好適には、前記マ
ークは、前記マスク基材上の前記遮光部分と同質の材料
からなることを特徴とする。本発明の露光用マスクは、
さらに好適には、前記マークおよび前記遮光部分は、ク
ロムまたはクロム酸化物からなることを特徴とする。

【００１７】さらに、上記の目的を達成するため、本発
明の位置合わせ基準ウェハは、露光用マスクに形成され
たパターンが露光により転写され、ダイシングにより複
数の半導体チップに分割される半導体基板と同一の寸法
を有し、前記露光用マスクと前記半導体基板との露光位
置の調整に用いられる位置合わせ基準ウェハにおいて、
前記位置合わせ基準ウェハの中心を通り、オリエンテー
ションフラットに垂直な直線状の位置合わせマークと、
前記位置合わせ基準ウェハの中心を示す位置合わせマー
クとを有することを特徴とする。

【００１８】本発明の位置合わせ基準ウェハは、好適に
は、前記位置合わせ基準ウェハの中心を通り、オリエン
テーションフラットに平行な直線状の第２の位置合わせ
マークを有し、前記位置合わせ基準ウェハの中心を示す
位置合わせマークは、前記位置合わせマークと、前記第
２の位置合わせマークとの交点であることを特徴とす
る。本発明の位置合わせ基準ウェハは、好適には、前記
位置合わせマークは、ダイヤモンドペン（ダイヤモンド
カッター）により前記位置合わせ基準ウェハの表面に設
けられた、微細な溝であることを特徴とする。あるい
は、本発明の位置合わせ基準ウェハは、好適には、前記
位置合わせマークは、レーザービームにより前記位置合
わせ基準ウェハの表面に設けられた、微細な溝であるこ
とを特徴とする。

【００１９】上記の目的を達成するため、本発明の露光
位置合わせ方法は、照射光源から出射される光を、マス
ク基材の中心位置と、他の少なくとも１つの位置にマー
クが設けられた露光用マスクに照射する工程と、前記露
光用マスクを透過した光を、パターンの転写を行う半導
体基板と同一の寸法を有し、少なくとも中心位置に位置
合わせマークが設けられた、位置合わせ基準ウェハに照
射する工程と、前記露光用マスクあるいは前記位置合わ
せ基準ウェハの位置を調整し、前記露光用マスクのマー
クと、前記位置合わせ基準ウェハの位置合わせマークを
重ね合わせながら、前記露光用マスクの透過光を前記位
置合わせ基準ウェハ上に結像させる工程と、前記半導体
基板を前記位置合わせ基準ウェハと交換し、露光を行う
工程とを有することを特徴とする。

【００２０】これにより、露光用マスクとウェハとの露
光位置合わせを高精度に行うことができるため、露光後
のウェハをダイシングして得られる半導体チップ数を一
定とすることができる。また、ウェハエッジ近傍の半導
体チップが一部（特にコーナー部分）、欠損するのを防
止することができる。したがって、不良チップを目視選
別する必要がなくなる。

【００２１】従来の露光用マスクおよび位置合わせ基準
ウェハを用いて露光位置合わせを行う場合には、位置合
わせ精度が低いため、露光用マスクにはウェハサイズに
対応するチップ数よりも多くのパターンを形成する必要
があった。本発明の露光用マスクおよび位置合わせ基準
ウェハによれば、高精度な露光位置合わせが可能とな
り、ウェハエッジ近傍に余分なパターンを転写する必要
がない。したがって、フォトリソグラフィ工程におい
て、ウェハエッジ近傍およびウェハサイズ外の領域のレ
ジストを、レジスト現像工程において除去することが可
能となる。これにより、ウェハエッジ近傍に接触するウ
ェハ保持部に、レジストが付着してダストが発生するの
を防止することができる。

【００２２】また、本発明の位置合わせ基準ウェハは、
異なるパターンの露光用マスクにも共用させて露光位置
合わせを行うことが可能である。これにより、露光用マ
スクのパターンに合わせて、位置合わせ基準ウェハを形
成する必要がなくなり、コストを低減することができ
る。また、複数の位置合わせ基準ウェハを保管するスペ
ース等も不要となる。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の露光用マスク、
位置合わせ基準ウェハおよびこれらを用いた露光位置合
わせ方法の実施の形態について、図面を参照して説明す
る。図１に本実施形態の露光用マスクの平面図を示す。
本実施形態の露光用マスクは、異なるマスクパターンが
形成された露光用マスクにも共通の位置合わせマークを
設けたものである。

【００２４】図１の露光用マスクにおいては、透明なガ
ラス基板等からなるマスクブランク２上にクロム等の金
属あるいは金属酸化物からなる遮光性のマスクパターン
が形成されている。マスクパターンと同質の材料を用い
て、露光用マスクの中央部に中心位置決めパターン１１
が、中心線に沿って両端にθずれ補正用パターン１２、
１２’が形成されている。

【００２５】図２（Ａ）に、図１の中心位置決めパター
ン１１の拡大図を示す。中心位置決めパターン１１は一
辺が例えば２ｍｍである４個の正方形とする。本実施形
態の露光用マスクを投影露光装置に用いる場合、マスク
パターンの中心部は周辺部に比較して低倍率で見ること
しか出来ないため、微調整の余地が少ない。したがっ
て、パターン要素の間隔（正方形の間隔）を周辺部に比
較して大きくしても、誤差の変動は少ない。正方形の間
隔は例えば、オリエンテーションフラットに平行な方向
に２００μｍ、オリエンテーションフラットに垂直な方
向に４００μｍとする。

【００２６】図２（Ｂ）に、図１のθずれ補正用パター
ン１２、１２’の拡大図を示す。θずれ補正用パターン
１２、１２’はそれぞれ、オリエンテーションフラット
に垂直な方向に長い２個の長方形からなり、各長方形は
例えば、長辺を４ｍｍ、短辺を２ｍｍとする。本実施形
態の露光用マスクを投影露光装置に用いる場合、マスク
パターンの周辺部は中心部に比較して高倍率で見ること
ができ、微調整が可能であるため、パターン要素の間隔
（長方形の間隔）は中心部に比較して小さくする。長方
形の間隔は例えば、オリエンテーションフラットに垂直
な方向に２００μｍとする。

【００２７】図３に本実施形態の位置合わせ基準ウェハ
の平面図を示す。本実施形態の位置合わせ基準ウェハに
は、ウェハの中心を通り、オリエンテーションフラット
１に垂直あるいは平行な、２本の位置合わせライン１３
が形成されている。各位置合わせライン１３は、例え
ば、ダイヤモンドペン（ダイヤモンドカッター）を用い
て鏡面ウェハを研削することにより形成される。位置合
わせライン１３の幅は、例えば１５０μｍとする。

【００２８】位置合わせライン１３の形成は、上記のダ
イヤモンドペンを用いる他に、レーザー光を照射する方
法、あるいは、イオンビームを照射する方法によっても
形成することができる。特開昭５５−４１７２６号公報
に、半導体ウェハの表面にレーザー光を集光照射して、
印字を行う方法が開示されている。この印字技術を利用
して、基準ウェハに位置合わせライン３を形成してもよ
い。例えば、数１０μｍ径に収束させたＹＡＧレーザー
光をウェハ表面に照射すると、レーザー光の吸収により
照射部分の基板温度が局所的に上昇し、溶融または蒸発
して基板が研削される。レーザー光により削られる深さ
は、通常、数μｍ〜数１０μｍである。

【００２９】また、特開平２−１３２８１６号公報に
は、イオンビームを用いて半導体ウェハ上に印字する方
法が記載されている。この方法によれば、あらかじめ、
ウェハ上の印字を行う領域にガリウム、ゲルマニウム、
金等をイオン注入しておき、そこにイオンビームを収束
させて照射する。この方法により、電子顕微鏡を用いて
検出可能な位置合わせライン１３を形成することができ
る。

【００３０】図４に、図１および図２に示す本実施形態
の露光用マスク、図３に示す本実施形態の位置合わせ基
準ウェハを組み合わせて、露光位置合わせを行う場合の
模式図を示す。露光位置合わせを行うには、まず、露光
用マスクの中心位置決めパターン１１の投影像を、位置
合わせ基準ウェハの中心位置、すなわち、位置合わせラ
イン１３の交叉する点に重ね合わせる。

【００３１】次に、露光用マスクが設置されたレチクル
ステージ、あるいは位置合わせ基準ウェハが設置された
ウェハステージを微調整し、露光用マスクのθずれ補正
用パターン１２、１２’と、位置合わせ基準ウェハ上の
オリエンテーションフラットに垂直な方向の位置合わせ
ライン１３を重ね合わせる。中心位置決めパターン１１
あるいはθずれ補正用パターン１２、１２’の投影像
は、それぞれウェハ上で１チップ分のサイズ以内となる
ため、投影像の一部がチップに重なり、不良チップが発
生するのを防ぐことができる。

【００３２】図５に、本実施形態の露光用マスクに形成
されるパターン数と、投影露光装置によりウェハ上に形
成されるチップ数との関係を模式的に示す。Ｉは製品と
なるチップを表す。本実施形態の露光位置合わせ方法に
よれば、高精度に位置合わせを行うことができるため、
露光用マスクに、ウェハサイズに対応するチップ数より
も多くのパターンを形成する必要がない。したがって、
フォトリソグラフィ工程において、レジストが塗布され
たウェハに露光を行う際には、レジストの現像時にウェ
ハエッジ近傍のレジストを除去することが可能になる。
これにより、ウェハ保持部（爪部）によるレジストの剥
離を防止することができ、ダストの発生・付着を低減さ
せることができる。

【００３３】上記の本発明の実施形態の露光用マスク、
位置合わせ基準ウェハおよびこれらを用いた露光位置合
わせ方法によれば、露光用マスクとウェハとの露光位置
合わせを高精度に行うことができるため、露光後のウェ
ハをダイシングして得られる半導体チップ数を一定とす
ることができる。また、ウェハエッジ近傍の半導体チッ
プが一部、欠損するのを防止することができるため、不
良チップを目視選別する必要がなくなる。さらに、異な
るパターンの露光用マスクにも、位置合わせ基準ウェハ
を共用させることができるため、フォトリソグラフィ工
程のコストを低減させることができる。

【００３４】本発明の露光用マスク、位置合わせ基準ウ
ェハおよび露光位置合わせ方法は、上記の実施の形態に
限定されない。例えば、露光用マスク上の中心位置決め
パターン、θずれ補正用パターン、あるいは、位置合わ
せ基準ウェハ上の位置合わせラインは、適宜、形状を変
更することができる。その他、本発明の要旨を逸脱しな
い範囲で、種々の変更が可能である。

【００３５】

【発明の効果】本発明の露光用マスク、位置合わせ基準
ウェハおよびこれらを用いた露光位置合わせ方法によれ
ば、露光用マスクとウェハとの露光位置合わせを高精度
に行うことができる。また、本発明の位置合わせ基準ウ
ェハによれば、異なるパターンの露光用マスクに共用で
き、フォトリソグラフィ工程のコストを低減することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態に係る露光用マスクの平面図
である。

【図２】（Ａ）は、図１の中心位置決めパターン１１の
拡大図であり、（Ｂ）は、図１のθずれ補正用パターン
１２、１２’の拡大図である。

【図３】本発明の実施形態に係る位置合わせ基準ウェハ
の平面図である。

【図４】本発明の実施形態に係る露光位置合わせ方法の
模式図である。

【図５】本発明の実施形態に係る露光位置合わせ方法に
おいて、露光用マスク上のパターン数と、ウェハ上に形
成されるチップ数との関係を示す模式図である。

【図６】（Ａ）は従来の露光位置合わせに用いられる仮
基準ウェハの平面図、（Ｂ）は従来の露光用マスクの平
面図、（Ｃ）、（Ｃ’）、（Ｄ）および（Ｄ’）は従来
の露光位置合わせ方法を表す概略図である。

【図７】ウェハのオリエンテーションフラットと、マス
クパターン投影像との回転ずれ（θずれ）を表す図であ
る。

【図８】従来の露光位置合わせ方法において、露光用マ
スク上のパターン数と、ウェハ上に形成されるチップ数
との関係を示す模式図である。

【符号の説明】

１…オリエンテーションフラット、２…マスクブラン
ク、３…マスクパターン、４…ウェハステージ、５…レ
チクルステージ、６…ウェハ、７…マスクパターンの投
影像、１１…中心位置決めパターン、１２、１２’…θ
ずれ補正用パターン、１３…位置合わせライン。

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】マスク基材上に遮光部分を有し、露光によ
   り前記遮光部分のパターンを半導体基板上に転写するた
   めの露光用マスクにおいて、 前記マスク基材の中心位置と、他の少なくとも１つの位
   置に、前記半導体基板との露光位置合わせのためのマー
   クが設けられている露光用マスク。
2. 【請求項２】前記マークは、前記マスク基材面の中心位
   置と、前記マスク基材面の中心を通り前記マスク基材の
   表面に沿った前記マスク基材の中心線の両端とに設けら
   れている請求項１記載の露光用マスク。
3. 【請求項３】前記マークは、前記マスク基材上の前記遮
   光部分と同質の材料からなる請求項１記載の露光用マス
   ク。
4. 【請求項４】前記マークおよび前記遮光部分は、クロム
   またはクロム酸化物からなる請求項１記載の露光用マス
   ク。
5. 【請求項５】露光用マスクに形成されたパターンが露光
   により転写され、ダイシングにより複数の半導体チップ
   に分割される半導体基板と同一の寸法を有し、 前記露光用マスクと前記半導体基板との露光位置の調整
   に用いられる位置合わせ基準ウェハにおいて、 前記位置合わせ基準ウェハの中心を通り、オリエンテー
   ションフラットに垂直な直線状の位置合わせマークと、 前記位置合わせ基準ウェハの中心を示す位置合わせマー
   クとを有する位置合わせ基準ウェハ。
6. 【請求項６】前記位置合わせ基準ウェハの中心を通り、
   オリエンテーションフラットに平行な直線状の第２の位
   置合わせマークを有し、 前記位置合わせ基準ウェハの中心を示す位置合わせマー
   クは、前記位置合わせマークと、前記第２の位置合わせ
   マークとの交点である請求項５記載の位置合わせ基準ウ
   ェハ。
7. 【請求項７】前記位置合わせマークは、ダイヤモンドペ
   ン（ダイヤモンドカッター）により前記位置合わせ基準
   ウェハの表面に設けられた、微細な溝である請求項５記
   載の位置合わせ基準ウェハ。
8. 【請求項８】前記位置合わせマークは、レーザービーム
   により前記位置合わせ基準ウェハの表面に設けられた、
   微細な溝である請求項５記載の位置合わせ基準ウェハ。
9. 【請求項９】照射光源から出射される光を、マスク基材
   の中心位置と、他の少なくとも１つの位置にマークが設
   けられた露光用マスクに照射する工程と、 前記露光用マスクを透過した光を、パターンの転写を行
   う半導体基板と同一の寸法を有し、少なくとも中心位置
   に位置合わせマークが設けられた、位置合わせ基準ウェ
   ハに照射する工程と、 前記露光用マスクあるいは前記位置合わせ基準ウェハの
   位置を調整し、前記露光用マスクのマークと、前記位置
   合わせ基準ウェハの位置合わせマークを重ね合わせなが
   ら、前記露光用マスクの透過光を前記位置合わせ基準ウ
   ェハ上に結像させる工程と、 前記半導体基板を前記位置合わせ基準ウェハと交換し、
   露光を行う工程とを有する露光位置合わせ方法。