JP2003158067A - 半導体装置の製造方法および露光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 製品取得数の減少を抑えつつ不完全なパター
ンの形成を防止する。 【解決手段】 ステッパのマスキングブレード装置４０
は平面視がＬ字形状の一対の第一ブレード４３および第
二ブレード４４と、両ブレード４３、４４とは独立して
移動される第三ブレード４７とを備えている。ウエハ１
のエッジ部２にかかる場所を露光する際には、第一ブレ
ード４３、第二ブレード４４および第三ブレード４７が
ＸＹ方向に適宜に移動されて、透光窓４５がレチクル５
０のワンショットパターン５２の正方形の一部を切り欠
いた多角形に設定され、もって、チップ部５３がウエハ
のエッジ部にかからない変形露光像６２が形成される。 【効果】 ウエハのエッジにかかるチップ部の形成を避
けることで、不完全なチップ部の剥離等の発生を防止で
きる。形成されないチップ部の個数を最小限度に抑える
ことで、製品の取得数の減少を最小限度に抑制できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関し、特に、半導体素子を含む集積回路が形成さ
れる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）にホトマス
クに形成された原画である半導体素子を含む集積回路パ
ターン（以下、回路パターンという。）を転写する露光
技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造方法はウエハに互いに
関連する複数種類の回路パターンを順次重ね合わせ露光
することにより製造する方法であり、ホトマスクに描画
された原画である回路パターンをウエハのレジスト膜に
繰り返し投影露光する露光工程を備えている。一般に、
半導体装置の製造方法の露光工程には、回路パターンが
拡大して描画された拡大ホトマスク（以下、レチクルと
いう。）の原画である回路パターンを縮小してウエハの
上に投影して露光するステップを繰り返すステップ・ア
ンド・リピート方式による縮小投影露光装置（以下、ス
テッパという。）が、広く使用されている。

【０００３】最近のステッパの広画角化に伴って、ステ
ッパにおいては一個の半導体装置（以下、製品とい
う。）の素になるチップの回路パターン（以下、チップ
部という。）を複数ずつ、一回の縮小投影（以下、ワン
ショットという。）によって一括して露光することが実
施されている。

【０００４】一方、ステッパが使用される縮小投影露光
工程においては縮小された回路パターンであるチップ部
がウエハの上に繰り返し投影露光されるため、ウエハ一
枚当たりの製品の取得数はワンショットの繰り返し回数
に依存する。このため、ウエハの露光面内のチップ部の
レイアウトによっては、ウエハのエッジ部にかかった状
態でワンショットパターンが投影露光されている。

【０００５】なお、露光装置を述べてある例としては、
株式会社工業調査会１９９８年１１月２５日発行の「電
子材料１９９８年１１月号別冊」Ｐ７６〜Ｐ８１、があ
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ウエハ
のエッジ部にかかったチップ部は必然的に良品とはなら
ない。しかも、ウエハのエッジ部にかかったチップ部の
レジスト膜や薄膜等は不完全に形成されているため、剥
離等を引起し易く、ウエハの有効チップ領域を汚染する
異物を発生する源となる可能性がある。

【０００７】そこで、ウエハのエッジ部にはチップ部を
投影露光しないことが考えられるが、ウエハのエッジ部
にチップ部を投影露光しない方法如何によっては、ウエ
ハ一枚当たりの製品取得数が大幅に減少してしまう。

【０００８】本発明の目的は、製品取得数の減少を抑制
しつつ不完全な回路パターンの形成を防止することがで
きる半導体装置の製造技術を提供することにある。

【０００９】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。

【００１１】すなわち、ホトマスクに描画された原画が
半導体ウエハのレジスト膜に繰り返し投影露光される露
光工程を備えている半導体装置の製造方法において、前
記ホトマスクの原画の前記半導体ウエハへの投影範囲が
透光窓によって正方形、長方形、正方形または長方形の
一部が切り欠かれた形状に画成されることを特徴とす
る。

【００１２】前記した手段によれば、ホトマスクの原画
の投影範囲が半導体ウエハのエッジ部にかかる場所にお
いては透光窓を正方形または長方形の一部が切り欠かれ
た形状に形成することにより、不完全なパターンが形成
されるのを回避することができるため、不完全なパター
ンの剥離現象が発生するのを防止することができる。し
かも、切り欠く部分の形状を適宜に設定することによ
り、半導体ウエハのエッジ部においてパターンが形成さ
れない範囲を最小限度に抑制することができるため、製
品の取得数の減少を最小限度に抑制することができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を図
面に即して説明する。

【００１４】本実施の形態に係る半導体装置の製造方法
は、レチクルに描画された回路パターンをウエハに被着
されたレジスト膜にステップ・アンド・リピート方式で
露光させる縮小投影露光工程を備えており、この縮小投
影露光工程はステッパが使用されて実施される。まず、
縮小投影露光工程の実施に使用されるステッパ１０を図
１について説明する。

【００１５】図１に示されているように、ステッパ１０
は拡大した回路パターンの原画が描画されたホトマスク
であるレチクル５０を保持するレチクルステージ１４を
備えている。ステッパ１０が使用される縮小投影露光工
程においては、レチクル５０の拡大した回路パターンで
ある原画がステッパ１０の縮小投影レンズ１５を介して
ウエハ１に被着されたレジスト膜に縮小投影露光され
る。縮小投影レンズ１５はウエハ側はテレセントリック
系になるように構成されている。ウエハ１はカセット１
６からローディングテーブル１７の上に自動搬送され、
プリアライメント装置１８によって粗位置決めが行われ
た後に、移送アーム１１によってＸＹステージ１２上の
チャック１３に真空吸着される。ちなみに、露光を施さ
れたチャック１３の上のウエハ１は移送アーム１１によ
ってアンローディングテーブル２５の上に移送される。
アンローディングテーブル２５の上に移送されたウエハ
１はアンローディングテーブル２５に構成されたエアー
ベアリング機構等によって回収用カセット２６に順次収
容される。

【００１６】レチクル５０はレチクルアライメント光学
系２０によって縮小投影レンズ１５の中心にその中心が
一致するように位置決めされる。このステッパ１０にお
いては、レチクル５０とウエハ１との位置決めのため
に、スルーザレンズ方式の位置検出Ｘ系２１および位置
検出Ｙ系２２が装備されている。両検出系２１、２２に
は照明光学装置およびハーフミラー２４が設置されてお
り、照明光学装置はレジストが感光しない波長の光をハ
ーフミラー２４を透過してアライメントマークに照射す
るように構成されている。ハーフミラー２４は照明光学
装置の照明光を透過するとともに、アライメントマーク
からの正反射像を位置検出Ｘ系２１および位置検出Ｙ系
２２に反射するように構成されている。位置検出Ｘ系２
１および位置検出Ｙ系２２は、アライメントマークから
の正反射像をスリットを走査して光電子増倍管で検出す
るとともに、レチクル５０の窓パターンを検出するよう
に構成されている。

【００１７】ＸＹステージ１２の外側にはレーザ光３１
によってウエハ１の位置を測定するレーザ干渉測長計３
０が設置されており、レーザ干渉測長計３０から発光さ
れたレーザ光３１は分光器３２で二系統に分けられるよ
うになっている。一方のレーザ光３１はＸＹステージ１
２に取り付けられたＸ軸用ミラー３３に照射される。こ
の照射光はＸ軸用ミラー３３で反射されてレーザ干渉測
長計３０に戻り、ＸＹステージ１２のＸ座標が検出され
る。他方のレーザ光３１は第一のミラー３４と第二のミ
ラー３５とを介してＸＹステージ１２に取り付けられた
Ｙ軸用ミラー３６にそれぞれ照射される。Ｙ軸用ミラー
３６に照射されて反射したレーザ光３１は両ミラー３
４、３５および分光器３２を通ってレーザ干渉測長計３
０に至る。これにより、ＸＹステージ１２のＹ座標が検
出されることになる。レーザ干渉測長計３０の測長に基
づいて、ＸＹステージ１２はＸ軸用モータ３７によって
Ｘ軸方向に高精度に移動制御されるとともに、Ｙ軸用モ
ータ３８によってＹ軸方向に高精度に移動制御されるよ
うに構成されている。

【００１８】図１に示されているように、レチクル５０
を保持するレチクルステージ１４の近傍にはマスキング
ブレード装置４０が設置されている。図２に示されてい
るように、マスキングブレード装置４０は一対のメイン
マスキングブレードとしてのいずれも平面視がＬ字形の
平板形状にそれぞれ形成された第一マスキングブレード
（以下、第一ブレードという。）４３および第二マスキ
ングブレード（以下、第二ブレードという。）４４を備
えており、第一ブレード４３および第二ブレード４４は
第一アクチュエータ４１および第二アクチュエータ４２
によって水平面内においてＸＹ方向にそれぞれ移動され
るようになっている。第一ブレード４３および第二ブレ
ード４４は水平面内でＸＹ方向に適宜に移動されて正方
形または長方形の透光窓４５を構成することにより、露
光ショットに合わせて露光領域の大きさを制限するよう
になっている。

【００１９】本実施の形態に係るマスキングブレード装
置４０は平面視が正方形の平板形状に形成されたサブマ
スキングブレード（以下、第三ブレードという。）４７
を備えており、第三ブレード４７は第三アクチュエータ
４６によって水平面内においてＸＹ方向に第一ブレード
４３および第二ブレード４４に対して独立して移動され
るようになっている。第三ブレード４７は水平面内でＸ
Ｙ方向に適宜に移動されて透光窓４５の一部を遮蔽する
ことにより、透光窓４５の正方形または長方形の一部を
切り欠いてなる所望の多角形に変更するようになってい
る。

【００２０】次に、縮小投影露光工程を図３に示された
レチクルが使用されて実施される場合について説明す
る。

【００２１】本実施の形態に係る縮小投影露光工程はＤ
ＲＡＭのパターンを転写するものとして構成されてお
り、図３に示されたレチクル５０が使用される。図３に
示されているように、レチクル５０は石英ガラス等の透
明材料が使用されて正方形の平板形状に形成された本体
５１を備えており、本体５１の一主面には転写すべきＤ
ＲＡＭの回路パターン（図示せず）が、本体５１の一主
面に被着されたクロム被膜等の非透光膜がリソグラフィ
ー処理およびエッチング処理によって選択的にパターニ
ングされることにより形成されている。すなわち、本体
５１の一主面には一回のショット（投影露光）によって
転写すべき転写パターン（以下、ワンショットパターン
という。）５２が形成されており、ワンショットパター
ン５２には六個のチップ部５３ａ〜５３ｆがスクライブ
ライン５４によって画成されている。六個のチップ部５
３ａ〜５３ｆはスクライブライン５４によって長方形に
画成されており、六個のチップ部５３ａ〜５３ｆが組み
合わされてなるワンショットパターン５２は略正方形
（以下、正方形とする。）に形成されている。六個のチ
ップ部５３ａ〜５３ｆにはＤＲＡＭのチップを製造する
ための同一の回路パターンが繰り返してそれぞれ形成さ
れている。

【００２２】図１に示されているように、縮小投影露光
工程がステッパ１０によって実施されるに際して、レチ
クルステージ１４にはレチクル５０が光軸を一致されて
位置決めされた状態に装着される。そして、マスキング
ブレード装置４０においては第一ブレード４３および第
二ブレード４４が第一アクチュエータ４１および第二ア
クチュエータ４２によって水平面内でＸＹ方向に移動さ
れることにより、透光窓４５の形状（正方形）がレチク
ル５０のワンショットパターン５２の形状（正方形）に
対応するように調整される。

【００２３】他方、縮小投影露光工程の前処理工程で下
層パターンおよびウエハ側マーク（例えば、基準マー
ク）の上にレジスト膜が被着されたウエハ１は、ステッ
パ１０のプリアライメント装置１８によってウエハ１内
の二点のアライメントマークを用いられて、ＸＹ方向お
よび回転方向の粗位置合わせ（プリアライメント）を実
施される。この際、このステッパ１０の場合には、ＸＹ
ステージ１２の上に回転機構がないため、プリアライメ
ント装置１８の上に回転誤差が最小になるように位置決
めされる。プリアライメントされたウエハ１は移送アー
ム１１によってチャック１３の上に移送される。

【００２４】チャック１３の上に搬送吸着されたウエハ
１はウエハ１内の複数のアライメントマークを用いられ
てファインアライメントを実行される。すなわち、レチ
クルアライメント光学系２０やレーザ干渉測長計３０お
よびＸＹステージ１２のＸ軸用モータ３７、Ｙ軸用モー
タ３８が使用された複数のアライメントマークに対する
位置計測結果から、ウエハ１における回転やＸＹ方向の
オフセット、ＸＹ方向の伸縮等の成分に対する統計処理
によってウエハの伸縮誤差、回転誤差、倍率誤差等の各
種の誤差が算出され、これらの誤差に対する補正値が算
出される。

【００２５】その後、図４に示されているように、レチ
クル５０のワンショットパターン５２を縮小した露光像
６０がウエハ１の予め指定され複数箇所に、ステップ・
アンド・リピート方式の移動によって次々に露光されて
行く。

【００２６】この際、ウエハ１のエッジ部２にかからな
い大多数の露光像（以下、正規の露光像という。）６１
は、レチクル５０のワンショットパターン５２を縮小し
た正方形に形成される。すなわち、正規の露光像６１が
形成されるに際しては、図２で参照されるように、マス
キングブレード装置４０において第三ブレード４７が第
三アクチュエータ４６によって透光窓４５にかからない
場所に設置されることにより、透光窓４５の形状がレチ
クル５０のワンショットパターン５２に対応した正方形
に設定される。このようにして透光窓４５がレチクル５
０のワンショットパターン５２に対応した正方形に形成
されると、この透光窓４５を透過する露光の形状が正方
形に設定されるため、レチクル５０のワンショットパタ
ーン５２を縮小した正方形の正規の露光像６１がウエハ
１の上に形成されることになる。

【００２７】これに対して、ウエハ１のエッジ部２にか
かる場所に露光される複数個の露光像（以下、変形露光
像という。）６２は、正規の露光像６１の正方形の図４
に斜線で示された部分を切り欠いてなる多角形に形成さ
れる。すなわち、マスキングブレード装置４０におい
て、第一ブレード４３、第二ブレード４４および第三ブ
レード４７が第一アクチュエータ４１、第二アクチュエ
ータ４２および第三アクチュエータ４６によって水平面
内でＸＹ方向にそれぞれ適宜に移動されることにより、
透光窓４５の形状がレチクル５０のワンショットパター
ン５２の正方形の一部を切り欠いた多角形に設定され
る。透光窓４５がレチクル５０のワンショットパターン
５２に対応した正方形の一部を切り欠いた多角形に形成
されると、この透光窓４５を透過する露光の形状が多角
形に設定されるため、レチクル５０のワンショットパタ
ーン５２を縮小した正方形の正規の露光像６１の一部を
切り欠いた多角形の変形露光像６２がウエハ１の上にお
けるエッジ部２にかかる部分に形成されることになる。

【００２８】例えば、図４における下から二段目で左端
の変形露光像６２ａが露光される場合には、図５（ａ）
に示されているように、第二ブレード４４および第三ブ
レード４７が移動される。すなわち、ワンショットパタ
ーン５２の六個のチップ部５３のうち左端の上下二段の
チップ部５３ａ、５３ｄを遮蔽するように、第二ブレー
ド４４がチップ部５３の一個の分だけ右方向に移動され
る。同時に、ワンショットパターン５２の六個のチップ
部５３のうち中央の下段のチップ部５３ｅを遮蔽するよ
うに、第三ブレード４７が右方向および紙面上方に移動
される。

【００２９】また、図４における下から一段目で左端の
変形露光像６２ｂが露光される場合には、図５（ｂ）に
示されているように、第三ブレード４７が移動される。
すなわち、ワンショットパターン５２の六つのチップ部
５３のうち下段の左二列のチップ部５３ｄ、５３ｅを遮
蔽するように、第三ブレード４７が右方向および紙面上
方に移動される。

【００３０】本実施の形態においては、ウエハ１のエッ
ジ部２にかかる場所に露光される変形露光像６２がレチ
クル５０のワンショットパターン５２を縮小した正方形
の一部を切り欠いた多角形に形成されていることによ
り、ウエハ１のエッジ部２にかかるチップ部は形成され
ないため、ウエハ１のエッジ部２にはチップ部５３が不
完全に形成されることがない。このため、不完全なチッ
プ部５３がレジスト膜の剥離等を引き起こす不良の発生
は未然に回避されることになる。

【００３１】ところで、第三ブレード４７が設置されて
いない場合においては、図６に示されているように、剥
離を起こす不完全なチップ部の形成を防止する目的でウ
エハ１のエッジ部２にかかる場所に露光される変形露光
像６２’は、正規の露光像６１の正方形よりも小さい正
方形または長方形にしか設定することができない。

【００３２】例えば、図６における下から二段目で左端
の変形露光像６２’ａが露光される場合には、図７
（ａ）に示されているように、ワンショットパターン５
２の六個のチップ部５３ａ〜５３ｆのうち左二列上下二
段の四個のチップ部５３ａ、５３ｂ、５３ｄ、５３ｅを
遮蔽するように、第一ブレード４３がチップ部５３の二
個の分だけ右方向に移動される。

【００３３】また、図６における下から一段目で左端の
変形露光像６２’ｂが露光される場合には、図７（ｂ）
に示されているように、ワンショットパターン５２の六
個のチップ部５３のうち下段の三個のチップ部５３ｄ、
５３ｅ、５３ｆを遮蔽するように、第二ブレード４４が
紙面上方に移動される。

【００３４】このようにウエハ１のエッジ部２にかかる
場所に露光される変形露光像６２’が正方形または長方
形にしか設定することができない場合には、図６と本実
施の形態の場合の図４との対比から明らかな通り、図８
に斜線で示されたチップ部５３の個数（図示例では八
個）の分だけ、ウエハ一枚当たりのチップ（製品）の取
得数が本実施の形態の場合に比べて減少してしまう。換
言すれば、本実施の形態の場合には、ウエハ一枚当たり
のチップ（製品）の取得数を増加することができる。な
お、図示例では、製品取得数の増加は八個であるが、実
際の生産においては数百〜数千個単位の増加となる。

【００３５】前記実施の形態によれば、次の効果が得ら
れる。

【００３６】1) マスキングブレード装置のワンショッ
トパターンの透光窓をウエハのエッジ部にかかる場所に
おいては正方形の一部が切り欠かれた多角形に形成する
ことにより、ウエハのエッジ部にかかるチップ部の形成
を回避することができるため、不完全なパターンが形成
されるのを回避することができ、その結果、不完全なパ
ターンの剥離等の現象が発生するのを未然に防止するこ
とができる。

【００３７】2) ウエハのエッジ部にかかった部分にお
ける不完全なパターンの剥離現象の発生を未然に防止す
ることにより、ウエハのエッジ部に形成されるチップ部
がウエハの有効チップ領域を汚染する異物を発生する源
となるのを回避することができるため、縮小投影露光工
程ひいては半導体装置の品質や信頼性および製造歩留り
を高めることができる。

【００３８】3) 透光窓の切り欠く部分の形状を一対の
メインマスクブレードと独立して移動するサブブレード
によって適宜に設定することにより、ウエハのエッジ部
においてパターンが形成されない範囲を最小限度に抑制
することができるため、製品の取得数の減少を最小限度
に抑制することができる。

【００３９】4) 製品の取得数の減少を最小限度に抑制
することにより、前記2)とあいまって半導体装置の製造
方法のスループットを高めることができる。

【００４０】以上本発明者によってなされた発明を実施
の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施
の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

【００４１】例えば、サブマスキングブレードは図９
（ａ）および（ｂ）に示されているように構成してもよ
い。

【００４２】図９（ａ）に示された実施の形態において
は、サブマスキングブレード４７Ａは四枚が、透光窓４
５の四隅にそれぞれ配設されている。本実施の形態によ
れば、透光窓４５の形状をあらゆる種類の多角形に形成
することができるため、不完全なパターンの発生個数を
より一層低減することができるとともに、不完全なパタ
ーンの外縁をウエハのエッジ部に倣わせることにより、
剥離等の発生をより一層確実に防止することができる。

【００４３】図９（ｂ）に示された実施の形態において
は、サブマスキングブレード４７Ｂは一辺に弯曲部を備
えている。本実施の形態によれば、透光窓４５の一部の
形状を弯曲させることができるため、不完全なパターン
の外縁をウエハのエッジ部の円弧形状に倣わせることに
より、剥離等の発生をより一層確実に防止することがで
きる。

【００４４】前記実施の形態においては、ステップ・ア
ンド・リピート方式の縮小投影露光装置に適用した場合
について説明したが、本発明は、ステップ・アンド・ス
キャン方式の縮小投影露光装置にも適用することができ
る。

【００４５】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。

【００４６】ホトマスクの原画の投影範囲が半導体ウエ
ハのエッジ部にかかる場所においては透光窓を正方形ま
たは長方形の一部が切り欠かれた形状に形成することに
より、不完全なパターンが形成されるのを回避すること
ができるため、不完全なパターンの剥離等の現象が発生
するのを防止することができる。しかも、切り欠く部分
の形状を適宜に設定することにより、半導体ウエハのエ
ッジ部においてパターンが形成されない範囲を最小限度
に抑制することができるため、製品の取得数の減少を最
小限度に抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造
方法における縮小投影露光工程に使用されるステッパを
示す斜視図である。

【図２】そのマスキングブレード装置を示す平面図であ
る。

【図３】縮小投影露光工程に使用されるレチクルを示す
平面図である。

【図４】本実施の形態に係る露光工程の作用を説明する
ための露光後のウエハを示す平面図である。

【図５】そのマスキングブレード装置の作用を説明する
ための各平面図であり、（ａ）は図４の６２ａの部分の
場合を、（ｂ）は同じく６２ｂの部分の場合をそれぞれ
示している。

【図６】比較例に係る露光工程の作用を説明するための
露光後のウエハを示す平面図である。

【図７】そのマスキングブレード装置の作用を説明する
ための各平面図であり、（ａ）は図６の６２’ａの部分
の場合を、（ｂ）は同じく６２’ｂの部分の場合をそれ
ぞれ示している。

【図８】本実施の形態に係る露光工程の露光後のウエハ
を示す平面図である。

【図９】（ａ）は本発明の他の実施の形態に係るサブマ
スキングブレードを示す平面図であり、（ｂ）は本発明
の別の他の実施の形態に係るサブマスキングブレードを
示す平面図である。

【符号の説明】

１…ウエハ、２…エッジ部、１０…ステッパ（縮小投影
露光装置）、１１…移送アーム、１２…ＸＹステージ、
１３…チャック、１４…レチクルステージ、１５…縮小
投影レンズ、１６…カセット、１７…ローディングテー
ブル、１８…プリアライメント装置、２０…レチクルア
ライメント光学系、２１…位置検出Ｘ系、２２…位置検
出Ｙ系、２４…ハーフミラー、２５…アンローディング
テーブル、２６…回収用カセット、３０…レーザ干渉測
長計、３１…レーザ光、３２…分光器、３３…Ｘ軸用ミ
ラー、３４、３５…ミラー、３６…Ｙ軸用ミラー、３７
…Ｘ軸用モータ、３８…Ｙ軸用モータ、４０…マスキン
グブレード装置、４１…第一アクチュエータ、４２…第
二アクチュエータ、４３…第一ブレード（メインマスキ
ングブレード）、４４…第二ブレード（メインマスキン
グブレード）、４５…透光窓、４６…第三アクチュエー
タ、４７、４７Ａ、４７Ｂ…第三ブレード（サブマスキ
ングブレード）、５０…レチクル（拡大ホトマスク）、
５１…本体、５２…ワンショットパターン（一回のショ
ット分の転写パターン）、５３、５３ａ〜５３ｆ…チッ
プ部、５４…スクライブライン、６０…露光像、６１…
正規の露光像、６２…変形露光像。

フロントページの続き (72)発明者 根本 章次 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体グループ内 (72)発明者 梁取 秀一 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体グループ内 Ｆターム(参考） 5F046 BA04 CB05 CB23 DA07

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ホトマスクに描画された原画が半導体ウ
   エハのレジスト膜に繰り返し投影露光される露光工程を
   備えている半導体装置の製造方法において、前記ホトマ
   スクの原画の前記半導体ウエハへの投影範囲が透光窓に
   よって正方形、長方形、正方形または長方形の一部が切
   り欠かれた形状に画成されることを特徴とする半導体装
   置の製造方法。
2. 【請求項２】 ホトマスクに描画された原画を半導体ウ
   エハのレジスト膜に繰り返し露光する露光装置におい
   て、前記ホトマスクの原画の前記半導体ウエハへの投影
   範囲を画成する透光窓が、正方形、長方形、正方形また
   は長方形の一部が切り欠かれた形状に複数枚のマスキン
   グブレードによって設定されるように構成されているこ
   とを特徴とする露光装置。
3. 【請求項３】 互いに腹合せに配置された一対のＬ字形
   状のメインマスキングブレードと、この両メインマスキ
   ングブレードに対して移動するサブマスキングブレード
   とを備えていることを特徴とする請求項２に記載の露光
   装置。
4. 【請求項４】 前記サブマスキングブレードが複数枚設
   けられていることを特徴とする請求項３に記載の露光装
   置。
5. 【請求項５】 前記サブマスキングブレードが一部に弯
   曲部を備えていることを特徴とする請求項３または４に
   記載の露光装置。