JP4299262B2 - リソグラフィ装置、デバイス製造方法 - Google Patents
リソグラフィ装置、デバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4299262B2 JP4299262B2 JP2005114624A JP2005114624A JP4299262B2 JP 4299262 B2 JP4299262 B2 JP 4299262B2 JP 2005114624 A JP2005114624 A JP 2005114624A JP 2005114624 A JP2005114624 A JP 2005114624A JP 4299262 B2 JP4299262 B2 JP 4299262B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- intensity
- projection
- radiation
- edge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 133
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 74
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 18
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 15
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 10
- 239000011324 bead Substances 0.000 claims description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 6
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 87
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 101710095827 Cyclopropane mycolic acid synthase 1 Proteins 0.000 description 1
- 101710095826 Cyclopropane mycolic acid synthase 2 Proteins 0.000 description 1
- 101710095828 Cyclopropane mycolic acid synthase 3 Proteins 0.000 description 1
- 101710110342 Cyclopropane mycolic acid synthase MmaA2 Proteins 0.000 description 1
- 101710177638 Hydroxymycolate synthase MmaA4 Proteins 0.000 description 1
- 101710174850 Methoxy mycolic acid synthase MmaA3 Proteins 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 238000011143 downstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 238000012886 linear function Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 238000012887 quadratic function Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
−投影放射(たとえばUV放射若しくはEUV放射)ビームPBを提供するための照明システム(イルミネータ)ILと、
−パターン化機器(たとえばマスク)MAを支持するための、パターン化機器をアイテムPLに対して正確に位置決めするための第1の位置決め手段PMに接続された第1の支持構造(たとえばマスク・テーブル)MTと、
−基板(たとえばレジスト被覆ウェハ)Wを保持するための、基板をアイテムPLに対して正確に位置決めするための第2の位置決め手段PWに接続された基板テーブル(たとえばウェハ・テーブル)WTと、
−パターン化機器MAによって投影ビームPBに付与されたパターンを基板Wの目標部分C(たとえば1つ又は複数のダイからなる)に画像化するための投影システム(たとえば反射型投影レンズ)PLと
を備えている。
マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTが基本的に静止状態に維持され、投影ビームに付与されたパターン全体が目標部分Cに1回で投影される(つまり単一静止露光)。次に、基板テーブルWTがX及び/又はY方向に動かされ、異なる目標部分Cが露光される。ステップ・モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一静止露光で画像化される目標部分Cのサイズが制限される。
投影ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影されている間、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTが同期走査される(つまり単一動的露光)。マスク・テーブルMTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPLの倍率(縮小率)及び画像反転特性によって決定される。走査モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一動的露光における目標部分の幅(非走査方向の)が制限され、また、走査運動の長さによって目標部分の高さ(走査方向の)が左右される。
プログラム可能パターン化機器を保持するべくマスク・テーブルMTが基本的に静止状態に維持され、投影ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影されている間、基板テーブルWTが移動若しくは走査される。このモードでは、通常、パルス放射源が使用され、走査中、基板テーブルWTが移動する毎に、或いは連続する放射パルスと放射パルスの間に、必要に応じてプログラム可能パターン化機器が更新される。この動作モードは、上で参照したタイプのプログラム可能ミラー・アレイなどのプログラム可能パターン化機器を利用しているマスクレス・リソグラフィに容易に適用することができる。
BD ビーム引渡しシステム
C 目標部分
CO コンデンサ
IF1、IF2 位置センサ
IL 照明システム(イルミネータ)
IN インテグレータ
M1、M2 マスク位置合せマーク
MA パターン化機器(マスク)
MT 第1の支持構造(マスク・テーブル)
P1、P2 基板位置合せマーク
PB 投影放射ビーム(投影ビーム)
PL 投影システム(レンズ)
PM 第1の位置決め手段
PW 第2の位置決め手段
SO 放射源
W、8、11、20 基板(ウェハ)
WT 基板テーブル
9、13 一様な幅の線
10、12 非一様な幅の線(光のブロック、補償ビーム)
15 ウェハのエッジ領域
30 OEBRツール
40 光ビーム
Claims (20)
- 投影放射ビームを提供するための第1の照明システムと、
前記投影ビームの断面にパターンを付与するべく機能するパターン化機器を支持するための支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
パターン化されたビームを前記基板の目標部分に投射するための投影システムとを備えたリソグラフィ装置であって、
前記投影ビームの前記基板の前記目標部分への投射に先立って、前記基板の所定の領域に、前記所定の領域全体に渡って強度が変化する補償放射ビームを提供するための第2の照明システムをさらに備え、それにより、さもなければ前記基板の前記所定の領域に形成される複数のデバイスに生じることになる所定のデバイス性能特性の変化が実質的に修正されることを特徴とするリソグラフィ装置。 - 投影放射ビームを提供するための第1の照明システムと、
前記投影ビームの断面にパターンを付与するべく機能するパターン化機器を支持するための支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
パターン化されたビームを前記基板の目標部分に投射するための投影システムとを備えたリソグラフィ装置であって、
前記投影ビームの前記基板の前記目標部分への投射に先立って、前記基板の所定の領域に、前記所定の領域全体に渡って強度が変化する補償放射ビームを提供するための第2の照明システムをさらに備え、それにより、さもなければ前記基板の前記所定の領域全体に渡って生じることになるCDプロファイルの変化が実質的に修正されることを特徴とするリソグラフィ装置。 - 前記強度が前記所定の領域全体に渡って実質的に直線的に変化する、請求項1または2に記載の装置。
- 前記所定の領域が前記基板のエッジ領域であり、前記補償ビームの強度が前記基板の前記エッジに向かって増加する、請求項1または2に記載の装置。
- 前記所定の領域が前記基板のエッジ領域であり、前記強度分布の強度が前記基板の前記エッジに向かって減少する、請求項1または2に記載の装置。
- 前記基板の形状が実質的に円形であり、前記強度が好ましくは前記基板に対して半径方向に実質的に直線的に変化し、それにより前記基板の前記エッジに向かって増加する、請求項4に記載の装置。
- 前記基板の形状が実質的に円形であり、前記強度が好ましくは前記基板に対して半径方向に実質的に直線的に変化し、それにより前記基板の前記エッジに向かって減少する、請求項5に記載の装置。
- 前記基板の環状領域が前記補償ビームで露光されるよう、前記補償ビームで露光している間、前記基板を回転させるように前記基板テーブルが形成され、且つ、配置された、請求項1または2に記載の装置。
- 前記補償ビームで前記基板の前記所定の領域を露光している間、前記基板を保持するべく第2の基板テーブルが提供された、請求項1または2に記載の装置。
- 前記第2の照明システム及び前記第2の基板テーブルが、前記リソグラフィ装置の個別部分の前記第1の照明システム、前記支持構造及び前記投影システムに提供された、請求項9に記載の装置。
- 前記第2の照明システムが前記補償ビームを提供するようになされた光エッジ・ビード除去(OEBR)システムの形態で提供された、請求項1または2に記載の装置。
- 投影放射ビームを提供する段階と、
前記投影ビームの断面をパターンでパターン化する段階と、
パターン化された放射ビームを基板の目標部分に投射する段階とを含むデバイス製造方法であって、前記パターン化された放射ビームの前記基板の前記目標部分への投射に先立って、前記基板の所定の領域に、前記所定の領域全体に渡って強度が変化する補償放射ビームが照射され、それにより、さもなければ前記基板の前記所定の領域に形成される複数のデバイスに生じることになる所定のデバイス性能特性の変化が実質的に修正される、デバイス製造方法。 - 投影放射ビームを提供する段階と、
前記投影ビームの断面をパターンでパターン化する段階と、
パターン化された放射ビームを基板の目標部分に投射する段階とを含むデバイス製造方法であって、前記パターン化された放射ビームの前記基板の前記目標部分への投射に先立って、前記基板の所定の領域に、前記所定の領域全体に渡って強度が変化する補償放射ビームが照射され、それにより、さもなければ前記基板の前記所定の領域全体に渡って生じることになるCDプロファイルの変化が実質的に修正される、デバイス製造方法。 - 前記補償放射ビームの強度が、前記所定の領域全体に渡って実質的に直線的に変化する、請求項12または13に記載のデバイス製造方法。
- 前記所定の領域が前記基板のエッジ部分である、請求項12または13に記載のデバイス製造方法。
- 前記基板の形状が実質的に円形であり、前記補償ビームの強度が前記基板に対して半径方向に増加し、それにより前記基板の前記エッジに向かって増加する、請求項12または13に記載のデバイス製造方法。
- 前記基板の形状が実質的に円形であり、前記補償ビームの強度が前記基板に対して半径方向に減少し、それにより前記基板の前記エッジに向かって減少する、請求項12または13に記載のデバイス製造方法。
- 前記方法が、前記基板の環状エッジ領域が前記補償ビームで照射されるよう、前記補償ビームで照射している間、前記基板を回転させる段階をさらに含む、請求項12または13に記載のデバイス製造方法。
- 前記補償放射ビームが、断面の強度が変化する放射ビームを提供するようになされた光エッジ・ビード除去(OEBR)システムによって提供される、請求項12または13に記載のデバイス製造方法。
- 請求項12または13に記載のデバイス製造方法に従って製造されたデバイス。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/822,865 US6960775B1 (en) | 2004-04-13 | 2004-04-13 | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005303312A JP2005303312A (ja) | 2005-10-27 |
JP4299262B2 true JP4299262B2 (ja) | 2009-07-22 |
Family
ID=35059633
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005114624A Expired - Fee Related JP4299262B2 (ja) | 2004-04-13 | 2005-04-12 | リソグラフィ装置、デバイス製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6960775B1 (ja) |
JP (1) | JP4299262B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004020737A1 (de) * | 2004-04-27 | 2005-11-24 | Lzh Laserzentrum Hannover E.V. | Vorrichtung zum Durchtrennen von Bauteilen aus sprödbrüchigen Materialien mit spannungsfreier Bauteillagerung |
US7291285B2 (en) * | 2005-05-10 | 2007-11-06 | International Business Machines Corporation | Method and system for line-dimension control of an etch process |
US8273523B2 (en) * | 2006-12-28 | 2012-09-25 | Texas Instruments Incorporated | By-die-exposure for patterning of holes in edge die |
US8860802B2 (en) * | 2008-10-09 | 2014-10-14 | Youri N. Djachiachvili | Method and apparatus for detecting defects and embedded objects in sealed sterilized packaging |
DE102011006189A1 (de) * | 2011-03-28 | 2012-06-06 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Belichten einer lichtempfindlichen Schicht |
KR101878578B1 (ko) * | 2013-11-27 | 2018-07-13 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 광학 프로젝션을 이용한 기판 튜닝 시스템 및 방법 |
JP6337757B2 (ja) * | 2014-01-20 | 2018-06-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 露光装置、レジストパターン形成方法及び記憶媒体 |
KR101888287B1 (ko) * | 2014-01-27 | 2018-08-13 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 패터닝된 필름의 임계 치수를 시프팅하기 위한 시스템 및 방법 |
TWI640837B (zh) * | 2015-12-18 | 2018-11-11 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 使用光學投影之基板調整系統及方法 |
JP6885031B2 (ja) * | 2016-11-18 | 2021-06-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 露光装置、露光方法及び記憶媒体 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5965306A (en) * | 1997-10-15 | 1999-10-12 | International Business Machines Corporation | Method of determining the printability of photomask defects |
US6534221B2 (en) * | 1998-03-28 | 2003-03-18 | Gray Scale Technologies, Inc. | Method for fabricating continuous space variant attenuating lithography mask for fabrication of devices with three-dimensional structures and microelectronics |
US6404499B1 (en) * | 1998-04-21 | 2002-06-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithography apparatus with filters for optimizing uniformity of an image |
US6132940A (en) * | 1998-12-16 | 2000-10-17 | International Business Machines Corporation | Method for producing constant profile sidewalls |
US6526164B1 (en) * | 1999-05-27 | 2003-02-25 | International Business Machines Corporation | Intelligent photomask disposition |
KR100474544B1 (ko) * | 1999-11-12 | 2005-03-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | Tips 공정용 포토레지스트 조성물 |
JP2001319871A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-11-16 | Nikon Corp | 露光方法、濃度フィルタの製造方法、及び露光装置 |
US6819450B1 (en) * | 2000-03-28 | 2004-11-16 | Applied Materials, Inc. | Enhanced edge resolution and critical dimension linearity in lithography |
TW575771B (en) * | 2000-07-13 | 2004-02-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US6809809B2 (en) * | 2000-11-15 | 2004-10-26 | Real Time Metrology, Inc. | Optical method and apparatus for inspecting large area planar objects |
US6864041B2 (en) * | 2001-05-02 | 2005-03-08 | International Business Machines Corporation | Gate linewidth tailoring and critical dimension control for sub-100 nm devices using plasma etching |
US6553562B2 (en) * | 2001-05-04 | 2003-04-22 | Asml Masktools B.V. | Method and apparatus for generating masks utilized in conjunction with dipole illumination techniques |
EP1260861A1 (en) * | 2001-05-21 | 2002-11-27 | ASML Netherlands B.V. | Method of manufacturing a reflector, reflector manufactured thereby, phase shift mask and lithographic apparatus making use of them |
EP1319982A1 (en) * | 2001-12-12 | 2003-06-18 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus , device manufacturing method, and computer program |
AU2002324868A1 (en) * | 2002-03-04 | 2003-09-29 | Massachusetts Institute Of Technology | A method and system of lithography using masks having gray-tone features |
US6934007B2 (en) * | 2002-05-29 | 2005-08-23 | Massachusetts Institute Of Technology | Method for photolithography using multiple illuminations and a single fine feature mask |
US7241539B2 (en) * | 2002-10-07 | 2007-07-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photomasks including shadowing elements therein and related methods and systems |
-
2004
- 2004-04-13 US US10/822,865 patent/US6960775B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-04-12 JP JP2005114624A patent/JP4299262B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005303312A (ja) | 2005-10-27 |
US6960775B1 (en) | 2005-11-01 |
US20050224724A1 (en) | 2005-10-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4299262B2 (ja) | リソグラフィ装置、デバイス製造方法 | |
JP4463843B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
US8896809B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP4955028B2 (ja) | デバイス製造方法、リソグラフィ装置及びそれによって製造されたデバイス | |
JP4004461B2 (ja) | デバイス製造方法、コンピュータ・プログラム、及びリソグラフィ投影装置 | |
JP4399391B2 (ja) | リソグラフィック装置、物品サポート部材及び方法 | |
JP5068844B2 (ja) | リソグラフィ方法及びリソグラフィ装置 | |
JP2007258707A (ja) | リソグラフィ装置および二重露光オーバレイ制御を用いたデバイス製造方法 | |
JP2006165576A (ja) | 較正用基板およびリソグラフィ装置の較正方法 | |
JP4141984B2 (ja) | リソグラフィック装置較正方法、整列方法、コンピュータ・プログラム、リソグラフィック装置及びデバイス製造方法 | |
JP2003203861A (ja) | プロセス・ラチチュードを改善するために利用した補助形態を除去する方法 | |
JP4303192B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP4057998B2 (ja) | リソグラフ装置、デバイス製造方法、および基板ホルダー | |
JP4567658B2 (ja) | デバイス製造方法およびコンピュータプログラム製品 | |
JP2006186368A (ja) | 露光装置、傾斜機器、傾斜集束試験を実行するための方法及びそれによって製造されたデバイス | |
JP2005347749A (ja) | リソグラフィ装置、デバイス製造方法、及びパターン形成装置形成方法 | |
JP2004165670A (ja) | デバイスの製造方法およびそれによって製造されたデバイス | |
JP4848229B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP5033175B2 (ja) | リソグラフィ装置及びパターニングデバイス | |
JP5127684B2 (ja) | 露光スリットの形状が調整された、基板トポロジーによる焦点誤差の抑制を可能にするリソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP4658004B2 (ja) | デバイス製造方法 | |
JPWO2004066371A1 (ja) | 露光装置 | |
JP2007251133A (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20060904 |
|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20070615 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080522 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080528 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080812 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090407 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090416 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120424 Year of fee payment: 3 |
|
S802 | Written request for registration of partial abandonment of right |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R311802 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120424 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130424 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140424 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |