JP2009252818A - 反射型マスクおよびその検査方法ならびに半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】反射型マスクは、マスク表面に対して斜め入射する露光光を所定の露光エリアで照射し、マスク表面で反射した光をウエハへ投影してスキャン露光を行うものであって、同一のマスクパターンを含む複数の矩形状のチップ領域11a〜11fがスキャン方向12に沿って配置される。露光エリア21の中心線からの距離(アジマス角θ)に応じて形状補正を施した場合、2個のチップ領域11a,11bは、形状補正後のマスクパターンが互いに同一となり、レイアウト上で同一パターン同士を比較してマスクパターンの欠陥検査を行うダイツーダイ検査が実施できる。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明に係る反射型マスクのチップレイアウトの一例を示す平面図である。反射型マスクのマスク露光エリア10の中に、同一のレイアウトパターンを含む複数(図1の例では6個)の矩形状のチップ領域11a〜11fが配置されている。そのうち2個のチップ領域11a,11bは、矩形の長手方向がスキャン方向12に対して平行な向きで、それぞれスキャン方向12に沿って並ぶように配置されている。一方、4個のチップ領域11c〜11fは、矩形の長手方向がスキャン方向12に対して垂直な向きで、それぞれスキャン方向12に沿って並ぶように配置されている。このようにチップ領域を配置することにより、マスク欠陥検査の対象となるマスクパターンがスキャン方向12に沿って並ぶようになる。
図10は、複数種類のチップ領域を混載した従来の反射型マスクのチップレイアウト例を示す平面図である。図11は、複数種類のチップ領域を混載した本発明に係る反射型マスクのチップレイアウト例を示す平面図である。
13a〜13f 場所、 21 露光エリア、 22a〜22c 位置、
23a〜23c 転写パターン、 24a〜24c マスクパターン、
25a〜25c 転写パターン、
31a〜31c,31A〜31C 第1チップ領域、
32a〜32g,32A〜32F 第2チップ領域、 41 マスク露光エリア、
100 EUV光源、 101 露光光、 102 反射光学系、
103 反射マスク、 104 光学系ボックス、 105 反射投影光学系、
106 ウエハ、 112 露光光、
201 拡散層、 202 ゲート配線、 203 コンタクト。
Claims (6)
- マスク表面に対して斜め入射する露光光を所定の露光エリアで照射し、マスク表面で反射した光をウエハへ投影してスキャン露光を行うための反射型マスクであって、
同一のマスクパターンを含む少なくとも2つのチップ領域が、スキャン方向に沿ってマスク上に配置されていることを特徴とする反射型マスク。 - マスク表面に対して斜め入射する露光光を所定の露光エリアで照射し、マスク表面で反射した光をウエハへ投影してスキャン露光を行うための反射型マスクであって、
同一のマスクパターンを含む少なくとも2つの第1チップ領域および、第1チップ領域とは異なる同一のマスクパターンを含む少なくとも2つの第2チップ領域が、スキャン方向に沿ってマスク上に配置されていることを特徴とする反射型マスク。 - マスクパターンは、斜め入射に起因した誤差を軽減するために、露光エリアの中心線からの距離に応じて形状補正が施されていることを特徴とする請求項1または2記載の反射型マスク。
- 露光光は、EUV光を含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の反射型マスク。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の反射型マスクの検査方法であって、
スキャン方向に沿って配置された、同一のマスクパターンを含むチップ領域同士を比較することによってマスク検査を行う工程を含むことを特徴とする反射型マスクの検査方法。 - 請求項1〜4のいずれかに記載の反射型マスクを反射型露光装置に載置して、マスクパターンを半導体基板に投影してスキャン露光を行う工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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