JP2024016068A - Ｅｕｖマスクのパターン検査装置及びｅｕｖマスクのパターン検査方法 - Google Patents

Abstract

【課題】リソグラフィの際に静電チャックで吸着される面を汚さないＥＵＶマスクのパターン検査装置を提供する。【解決手段】ＥＵＶ光源２と、ＥＵＶ光源からのＥＵＶ光が照射される第１のミラーと、第１のミラーで光路が変更されたＥＵＶ光が照射される第２のミラーと、露光装置の静電チャックが必要とする導電膜を有する第１領域と、第１領域の周囲に設けられた第２領域と、を有する第１面と、第１面の反対側に設けられパターン８９を有する第２面と、を有し、第１のミラーと第２のミラーを調整することにより、予め設定された入射角度でＥＵＶ光が照射されるＥＵＶマスク８０の、第１領域に接することなく第２領域を着脱可能に支持する支持機構を有し、かつＥＵＶマスクの第２面と平行に走査することが可能なステージと、反射されたＥＵＶ光を検出する受光面を有する検出器２０と、を備え、検出器は、支持機構が第２領域を支持した状態でＥＵＶ光を検出する。【選択図】図１

Description

本発明は、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｉｏｌｅｔ）マスクのパターン検査装置及びＥＵＶマスクのパターン検査方法に関する。

近年、大規模集積回路（ＬＳＩ）の高集積化及び大容量化に伴い、半導体素子に要求される回路線幅はますます狭くなってきている。これらの半導体素子は、回路パターンが形成された原画パターン（マスク或いはレチクルともいう。以下、マスクと総称する）を用いて、いわゆるステッパと呼ばれる縮小投影露光装置でウェハ上にパターンを露光転写して回路形成することにより製造される。

そして、多大な製造コストのかかるＬＳＩの製造にとって、歩留まりの向上は欠かせない。しかし、ギガビット級のＤＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）に代表されるように、ＬＳＩを構成するパターンは、サブミクロンからナノメータのオーダーになっている。近年、半導体ウェハ上に形成されるＬＳＩパターン寸法の微細化に伴って、パターン欠陥として検出しなければならない寸法も極めて小さいものとなっている。よって、半導体ウェハ上に転写された超微細パターンの欠陥を検査する検査装置の高精度化が必要とされている。歩留まりを低下させる大きな要因の一つとして、半導体ウェハ上に超微細パターンをフォトリソグラフィ技術で露光、転写する際に使用されるマスクのパターン欠陥があげられる。このため、ＬＳＩ製造に使用される転写用マスクの欠陥を検査する検査装置の高精度化が必要とされている。

検査手法としては、投影光学系を用いて半導体ウェハ等のウェハやリソグラフィマスク等のマスクといった試料の上に形成されているパターンを所定の倍率で撮像した光学画像と、設計データ、あるいは試料上の同一パターンを撮像した光学画像と比較することにより検査を行う方法が知られている。例えば、検査方法として、同一マスク上の異なる場所の同一パターンを撮像した光学画像データ同士を比較する「ｄｉｅ ｔｏ ｄｉｅ（ダイ－ダイ）検査」や、パターン設計されたＣＡＤデータをマスクにパターン描画する時に描画装置が入力するための装置入力フォーマットに変換した描画データ（設計パターンデータ）を検査装置に入力して、これをベースに設計画像データ（参照画像）を生成して、この設計データと、パターンを撮像した測定データとなる光学画像とを比較する「ｄｉｅ ｔｏ ｄａｔａｂａｓｅ（ダイ－データベース）検査」がある。かかる検査装置における検査方法では、検査対象基板はステージ（試料台）上に載置され、ステージが動くことによって光束が試料上を走査し、検査が行われる。検査対象基板には、光源及び照明光学系によって光束が照射される。検査対象基板を透過あるいは反射した光は結像光学系を介して、センサ上に結像される。センサで撮像された画像は測定データとして比較回路へ送られる。比較回路では、画像同士の位置合わせの後、測定データと参照データとを適切なアルゴリズムに従って比較し、一致しない場合には、パターン欠陥有りと判定する。

上述した検査装置では、レーザ光を検査対象基板に照射して、この透過像或いは反射像を撮像することにより、光学画像を取得する。一方、近年、露光波長が１３．５ｎｍであるＥＵＶ光源を用いたリソグラフィ（ＥＵＶリソグラフィ）が注目されている。露光波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザーを用いたＡｒＦ液浸リソグラフィと比較すると、露光波長／（ＮＡ）で１／４～１／５程度となるため、ＥＵＶリソグラフィでは大幅な解像力の向上が期待できる。そのため、ＥＵＶリソグラフィに用いられるＥＵＶマスクの欠陥検査を行う装置の開発が求められている。

ＥＵＶマスクは、例えばマスク基板として用いられる低熱膨張ガラスの表面に、ＥＵＶ光の反射膜となるＳｉ（シリコン）／Ｍｏ（モリブデン）多層膜、Ｒｕ（ルテニウム）などからなるバッファ層、及び所定のパターンを有する吸収体を形成することで得られる。また、吸収体は例えばＴａ（タンタル）を含む合金が提案されている。ここで、ＥＵＶ光の波長領域は容易に材料に吸収されてしまい、光の屈折を利用したレンズを利用することが出来ない。このため、投影光学系はすべて反射光学系で構成されている。よって、ＥＵＶマスクも上述のような反射型のマスクとなる。

ＥＵＶマスクの面は完全に平坦であることが望ましい。しかし現実には、基板初期形状や、多層膜の形成や吸収体膜の形成に伴う応力により、ＥＵＶマスクは例えば基板の形状や基板変形に起因するフラットネスの誤差を有している。そのため、ＥＵＶ光を反射する反射面の凹凸が、ウェハ上でのパターン歪となって形成されることとなる。これを抑制するために、多層膜の蒸着装置や露光装置ではＥＵＶマスクの固定に静電チャックが導入されている。マスクパターンが形成されていないマスクの裏面に形成された導電膜を用いて、かかる静電チャックにマスクの固定を行う。ここでかかる導電膜には、例えばＣｒＮ（窒化クロム）が用いられる。これにより、ＥＵＶマスクを静電気力で保持できるため、パターン面のフラットネスが維持される。

しかし、静電チャックで固定する際に、かかる金属膜が汚れてしまうという問題があった。また、かかる金属膜よりも堅い物質と接触することにより、金属膜がダメージを受け傷が発生し、パーティクルの発生源となるおそれがあった。また、本来金属膜はＥＵＶ露光の際に静電チャックで固定するときに用いるものであるため、マスク検査の段階でかかる金属膜に何らかの接触がなされることは好ましくない。そのため、かかる金属膜との接触を避けつつ検査装置にマスクを固定できることが求められていた。

特許文献１にはＥＵＶＬ（ＥＵＶ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）のマスクブランクが３点で支持されることが開示されている。

特開２０１３－１９１７３３号公報

本発明が解決しようとする課題は、リソグラフィの際に静電チャックで吸着される面を汚さないＥＵＶマスクのパターン検査装置及びＥＵＶマスクのパターン検査方法を提供することである。

本発明の一態様のＥＵＶマスクのパターン検査装置は、コヒーレントなＥＵＶ光を照射するＥＵＶ光源と、ＥＵＶ光源から照射されたＥＵＶ光が照射される第１のミラーと、第１のミラーで光路が変更されたＥＵＶ光が照射される第２のミラーと、露光装置の静電チャックが必要とする導電膜を有する第１領域と、第１領域の周囲に設けられた第２領域と、を有する第１面と、第１面の反対側に設けられパターンを有する第２面と、を有し、第１のミラーと第２のミラーを調整することにより、予め設定された入射角度でＥＵＶ光が照射されるＥＵＶマスクの、第１領域に接することなく第２領域を着脱可能に支持する支持機構を有し、かつＥＵＶマスクの第２面と平行に走査することが可能なステージと、第２面により反射されたＥＵＶ光を検出する受光面を有する検出器と、を備え、検出器は、支持機構が第２領域を支持した状態でＥＵＶ光を検出することを特徴とする。

上述のＥＵＶマスクのパターン検査装置において、支持機構は、第２領域を３箇所で支持する第１支持部、第２支持部及び第３支持部を有することが好ましい。

上述のＥＵＶマスクのパターン検査装置において、検出器の受光面は、ＥＵＶ光を検出するための複数のピクセルを有し、ＥＵＶマスクのパターン検査装置は、複数のピクセルの配列情報を保存するピクセル情報保存部と、ＥＵＶ光を検出する際に、配列情報の少なくとも一部の補正を行う補正回路と、を有することが好ましい。

上述のＥＵＶマスクのパターン検査装置において、補正は、ピクセルのサイズよりも小さいサイズで行われることが好ましい。

本発明の一態様のＥＵＶマスクのパターン検査方法は、コヒーレントなＥＵＶ光をＥＵＶ光源から照射し、ＥＵＶ光源から照射されたＥＵＶ光を第１のミラーに照射し、第１のミラーで光路が変更されたＥＵＶ光を第２のミラーに照射し、露光装置の静電チャックが必要とする導電膜を有する第１領域と、第１領域の周囲に設けられた第２領域と、を有する第１面と、第１面の反対側に設けられパターンを有する第２面と、を有し、第１領域に接することなく第２領域を着脱可能に支持する支持機構を有するステージに支持されたマスクに、第２のミラーにより反射されたＥＵＶ光を照射し、第２面により反射されたＥＵＶ光を、受光面を有する検出器によって検出するＥＵＶマスクのパターン検査方法であって、支持機構が第２領域を支持した状態でＥＵＶ光を検出することを特徴とする。

本発明の一態様によれば、リソグラフィの際に静電チャックで吸着される面を汚さないマスクの検査装置及び検査方法の提供が可能となる。

実施形態の検査装置の模式構成図である。 実施形態のＥＵＶマスクの第１面を示す模式図である。 実施形態の、受光面２２におけるピクセルの配列を示す模式図である。 実施形態の、ＥＵＶ光入射時のＥＵＶマスク露光領域形状と検出器上でのＥＵＶマスク露光領域形状を示す模式図である。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ説明する。

（実施形態）
実施形態のＥＵＶマスクのパターン検査装置は、コヒーレントなＥＵＶ光を照射するＥＵＶ光源と、ＥＵＶ光源から照射されたＥＵＶ光が照射される第１のミラーと、第１のミラーで光路が変更されたＥＵＶ光が照射される第２のミラーと、露光装置の静電チャックが必要とする導電膜を有する第１領域と、第１領域の周囲に設けられた第２領域と、を有する第１面と、第１面の反対側に設けられパターンを有する第２面と、を有し、第１のミラーと第２のミラーを調整することにより、予め設定された入射角度でＥＵＶ光が照射されるＥＵＶマスクの、第１領域に接することなく第２領域を着脱可能に支持する支持機構を有し、かつＥＵＶマスクの第２面と平行に走査することが可能なステージと、第２面により反射されたＥＵＶ光を検出する受光面を有する検出器と、を備え、検出器は、支持機構が第２領域を支持した状態でＥＵＶ光を検出することを特徴とする。

実施形態の検査方法は、コヒーレントなＥＵＶ光をＥＵＶ光源から照射し、ＥＵＶ光源から照射されたＥＵＶ光を第１のミラーに照射し、第１のミラーで光路が変更されたＥＵＶ光を第２のミラーに照射し、露光装置の静電チャックが必要とする導電膜を有する第１領域と、第１領域の周囲に設けられた第２領域と、を有する第１面と、第１面の反対側に設けられパターンを有する第２面と、を有し、第１領域に接することなく第２領域を着脱可能に支持する支持部を有するステージに支持されたマスクに、第２のミラーにより反射されたＥＵＶ光を照射し、第２面により反射されたＥＵＶ光を、受光面を有する検出器によって検出するＥＵＶマスクのパターン検査方法であって、支持機構が第２領域を支持した状態でＥＵＶ光を検出することを特徴とする。

図１は、実施形態の検査装置１００の模式構成図である。実施形態の検査装置１００は、ＥＵＶ光を用いてＥＵＶリソグラフィに用いられるＥＵＶマスク（マスク）８０を検査する、ＥＵＶマスクの検査装置である。

検査装置１００は、ＥＵＶ光源２と、フォーカシングミラー４と、アライメントミラー６と、ステージ１０と、検出器２０と、制御計算機５０と、真空チャンバ６０と、を備える。

図１（ａ）及び図１（ｂ）を用いて、実施形態の検査装置１００の説明をする。

ＥＵＶ光８は光にも空気にも容易に吸収されてしまうため、検査装置１００において、ＥＵＶ光路を形成するＥＵＶ光源２、図示されていない６軸の自由度を有するステージに搭載されたフォーカシングミラー４、図示されていない６軸の自由度を有するステージに搭載されたアライメントミラー６、ＥＵＶマスク８０が載置されるステージ１０及び検出器２０は、真空チャンバ６０の中に配置されている。なお、図１（ｂ）では光学系チャンバ６２及びステージチャンバ６４が図示されているが、光学系チャンバ６２及びステージチャンバ６４をあわせたチャンバが図１（ａ）の真空チャンバ６０に相当する。

ＥＵＶ光源２は、コヒーレントなＥＵＶ光８を照射する光源である。「コヒーレントな光」とは、干渉性を有する光のことである。ＥＵＶ露光装置では、微細なパターンをウェハ上に転写するために、可干渉性の小さいプラズマ光源を利用している。しかし、実施形態の検査装置では回折による結像を得るために、可干渉性の強いシンクロトロン光源であることが好ましい。また、ＥＵＶ光源２から照射されるＥＵＶ光８の中心波長は、例えば１３．５ｎｍであるが、これに限定されるものではない。

フォーカシングミラー４は、ＥＵＶ光源２から照射されたＥＵＶ光８が照射されるミラーである。フォーカシングミラー４は、図示されていない６軸の自由度を有するステージに搭載されており、光軸に対して平行に動かすことで、ＥＵＶ光源２から照射されたＥＵＶ光８を、ＥＵＶマスク８０の表面に描かれたパターン８９の表面に集光する働きを有する。集光面が定まると、フォーカシングミラー４の図示されていないステージによる調整が終了する。なお、フォーカシングミラー４は、第１のミラーの一例である。

アライメントミラー６は、フォーカシングミラー４によって反射されたＥＵＶ光８が照射されるミラーである。図示されていない６軸の自由度を有するステージに搭載されたアライメントミラー６は、ＥＵＶ光８をＥＵＶマスク８０の所定の位置に照射するためのあおり機構を有する。ＥＵＶマスクに対して、６度の角度で入射するようにＥＵＶ光８を導くことで、アライメントミラー６の図示されていないステージによる調整が終了する。なお、アライメントミラー６は、第２のミラーの一例である。

フォーカシングミラー４及びアライメントミラー６のいずれも、ＥＵＶ光８を反射する面には、反射率向上のため、例えばＳｉ／Ｍｏ多層膜が形成されていることが好ましい。

アライメントミラー６によって反射されたＥＵＶ光８は、ＥＵＶマスク８０のパターン８９に照射される。ＥＵＶマスク８０によって反射されたＥＵＶ光８は、検出器２０に照射される。図示されていないステージに搭載された検出器２０は、ＥＵＶ光８を検出する受光面２２を有している。受光面２２を、フォーカシングミラー４の調整分だけ光軸方向に微調整移動することで、結像面のフォーカスを合わせ、調整が終了する。ここで、ＥＵＶマスク８０によって反射されたＥＵＶ光８は、パターン８９に関する情報を有している。そのため、検出器２０によって、パターン８９の情報を有するＥＵＶ光８が検出されることとなる。さらに、ＥＵＶマスク８０が搭載されたステージ１０を、パターン面に平行にステップ＆スキャンさせることで、パターン面全体の検出が可能となる。

制御計算機５０は、ピクセル情報保存部５２と、歪補正回路５４を有する。また、制御計算機５０は、ＥＵＶ光源２のオンオフや光量調整、フォーカシングミラー４とアライメントミラー６の角度調整、ステージ１０のＸ方向及びＸ方向に直交するＹ方向への移動、及び検出器２０によって検出されたＥＵＶ光８の情報抽出等がさらに可能であっても良い。

ステージ１０は、可動機構１４と、可動機構１４の上に設けられた第１支持部１２ａ、第２支持部１２ｂ及び第３支持部１２ｃを有する。可動機構１４により、第１支持部１２ａ、第２支持部１２ｂ及び第３支持部１２ｃは、真空チャンバ６０内のＸ方向及びＹ方向に移動可能である（なお図１（ａ）ではＹ方向にも動かすためのローラー等の構造の図示は省略している）。第１支持部１２ａ、第２支持部１２ｂ及び第３支持部１２ｃは、例えば支持ピンであるが、これに限定されるものではない。また、本発明は３点支持に限定するものではない。なお、図１（ｂ）においてはステージ１０の図示を省略している。

ＥＵＶマスク８０は、第１面８２と、第２面８８と、を有している。ここで、検査対象となるパターン８９は、第２面８８に形成されており、第１面８２には形成されていない。このため、真空チャンバ６０内においてＥＵＶマスク８０は、第２面８８にＥＵＶ光８が照射可能なように、第１支持部１２ａ、第２支持部１２ｂ及び第３支持部１２ｃにより、支持され載置される。そして、ＥＵＶマスク８０は第１面８２を用いて真空チャンバ６０内に固定されることになる。

図２は、実施形態のＥＵＶマスク８０の第１面８２を示す模式図である。第１面８２は、露光装置の静電チャックが必要とする導電膜を有する第１領域８４と、第１領域８４の周囲に設けられた第２領域８６と、を有する。具体的には、例えば、第１領域８４は、第１面８２において一辺が１４６ｍｍの正方形の形状を有する導電膜が形成された領域である。ＥＵＶマスク８０の基板の大きさは、例えば１５１ｍｍ角である。このため、第１領域８４が第１面８２の中央に設けられている場合には、第２領域の幅は第１領域８４の周囲に２．５ｍｍずつ設けられていることになる。

図２には、第１支持部１２ａ、第２支持部１２ｂ及び第３支持部１２ｃの３点が第２領域８６を支持する部分を破線で併せて記載した。このように、第１支持部１２ａ、第２支持部１２ｂ及び第３支持部１２ｃの３点で第２領域８６を支持することにより、ステージ１０が露光装置の静電チャックが必要とする導電膜を有する第１領域８４に接することなしにＥＵＶマスク８０を支持することが出来る。なお、第１支持部１２ａ、第２支持部１２ｂ及び第３支持部１２ｃの３点が支持する部分は、図２記載のものに限定されない。

図３は、実施形態の、受光面２２におけるピクセルの配列を示す模式図である。受光面２２の形状は、例えば、Ｘ方向及び、Ｘ方向に直交するＹ方向において、長さが等しい正方形の形状を有している。そして、受光面２２において、複数のピクセル２４が格子状に配列されている。ピクセル２４の大きさは、例えばＸ方向にＰｘ、Ｙ方向にＰｙである。なお図３においてはＰｘ＝Ｐｙとなっているが、ＰｘとＰｙは等しくなくても良い。また、複数のピクセル２４が配列されている間隔は、例えばＸ方向にＰｘ、Ｙ方向にＰｙである。受光面２２におけるピクセル２４の数は、例えばＸ方向に２０４８個、Ｙ方向に２０４８個である。なお図３に示した受光面２２におけるＸ方向及びＹ方向は、一般に、図１のステージ１０の移動方向について示したＸ方向及びＹ方向と等しくない。

図４は、実施形態の、ＥＵＶ光入射時のＥＵＶマスク露光領域形状と、検出器２０の受光面２２上でのＥＵＶマスク露光領域形状を示したものである。図４（ａ）は、比較形態となる、ＥＵＶマスク８０が静電チャック２００上に載置されている場合を示している。静電チャック２００上に載置されたＥＵＶマスク８０はより平坦性が保たれる。このため、ＥＵＶ光が入射する時の露光領域の形状が正方形である場合には、検出器２０の受光面２２上での露光領域の形状も同様に正方形となる。

図４（ｂ）は、実施形態の、ＥＵＶマスク８０が第１支持部１２ａ、第２支持部１２ｂ及び第３支持部１２ｃの３点により支持されている場合を示している。なお第２支持部１２ｂの図示は省略している。３箇所でＥＵＶマスク８０が支持される場合には、図４（ｂ）で示したように、ＥＵＶマスク８０の中央部が撓んでしまう。このために、検出器２０の受光面２２上では図４（ｂ）の点線で示したような正方形の領域でＥＵＶ光を受光していても、ＥＵＶ光が入射されるＥＵＶマスクの領域は歪んでしまう。このため、露光領域の形状は例えば図４（ｂ）の実線で示したような台形となる。なお、このことは、例えばＥＵＶマスク８０上の歪んだ台形に光を入射すると、検出器２０の受光面２２上で正方形に結像することを示している。

そこで、実施形態においては、制御計算機５０が、複数のピクセル２４の配列情報を保存するピクセル情報保存部５２と、配列情報の少なくとも一部の補正を行う歪補正回路５４と、を有する。ここで複数のピクセル２４の配列情報とは、例えば受光面２２において、Ｘ方向の長さＰｘ、Ｙ方向の長さＰｙのピクセルが、Ｘ方向の間隔Ｐｘ、Ｙ方向の間隔Ｐｙで、Ｘ方向に２０４８個、Ｙ方向に２０４８個配列されているという情報である。歪補正回路５４は、上述のようにＥＵＶマスク８０が撓むことを考慮して、例えば少なくとも一部のピクセル２４で検知している領域を、ピクセル情報保存部５２に保存されている情報のものからずらす。ステージ１０をＥＵＶマスク８０に平行かつ２次元的に走査して、ＥＵＶ光の照射領域を、前記ＥＵＶマスク８０表面に設けられたパターン８９の画像を得ることができる。さらに、ＥＵＶマスク８０の撓み形状から表面形状の歪を予め計算しておき、ＥＵＶマスク８０表面（第２面８８）の場所に応じて検出器に入射するパターン情報領域の歪を考慮することで、検出器２０で検出したＥＵＶマスクの露光領域形状を正しく再現することができる。

なお、より精密に検出器２０の受光面２２上での露光領域形状を再現するために、検出しているＥＵＶマスクの領域の補正は、ピクセルのサイズよりも小さいサイズで行われることが好ましい。

本実施形態によれば、リソグラフィの際に静電チャックで吸着される面を汚さないマスクの検査装置及び検査方法の提供が可能となる。

以上の説明において、一連の「～回路」は、処理回路を含み、この処理回路には、電気回路、コンピュータ、プロセッサ、回路基板、量子回路、或いは、半導体装置等が含まれる。また、各「～回路」は、共通する処理回路（同じ処理回路）を用いてもよい。或いは、異なる処理回路（別々の処理回路）を用いても良い。プロセッサ等を実行させるプログラムは、磁気ディスク装置、磁気テープ装置、ＦＤ、或いはＲＯＭ（リードオンリメモリ）等の記録媒体に記録されればよい。また、「～記憶部」、「～保存部」又は記憶装置は、たとえば磁気ディスク装置、磁気テープ装置、ＦＤ、ＲＯＭ（リードオンリメモリ）、ＳＳＤ（ソリッドステートドライブ）などの記録媒体を含む。

以上、具体例を参照しつつ本発明の実施形態について説明した。上述の実施形態はあくまで、例として挙げられているだけであり、本発明を限定するものではない。また、各実施形態の構成要素を適宜組み合わせてもかまわない。

実施形態では、検査装置及び検査方法の構成やその製造方法等、本発明の説明に直接必要としない部分等については記載を省略したが、必要とされる検査装置及び検査方法の構成を適宜選択して用いることが出来る。その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての検査装置及び検査方法は、本発明の範囲に包含される。本発明の範囲は、特許請求の範囲及びその均等物の範囲によって定義されるものである。

２ ＥＵＶ光源
４ フォーカシングミラー
６ アライメントミラー
８ ＥＵＶ光
１０ ステージ
１２ａ 第１支持部
１２ｂ 第２支持部
１２ｃ 第３支持部
１４ 可動機構
２０ 検出器
２２ 受光面
２４ ピクセル
５０ 制御計算機
５２ ピクセル情報保存部
５４ 歪補正回路
６０ 真空チャンバ
８０ ＥＵＶマスク
８２ 第１面
８４ 第１領域
８６ 第２領域
８８ 第２面
８９ パターン
１００ 検査装置
２００ 静電チャック

Claims (5)

1. コヒーレントなＥＵＶ光を照射するＥＵＶ光源と、
   前記ＥＵＶ光源から照射された前記ＥＵＶ光が照射される第１のミラーと、
   前記第１のミラーで光路が変更された前記ＥＵＶ光が照射される第２のミラーと、
   露光装置の静電チャックが必要とする導電膜を有する第１領域と、前記第１領域の周囲に設けられた第２領域と、を有する第１面と、前記第１面の反対側に設けられパターンを有する第２面と、を有し、前記第１のミラーと前記第２のミラーを調整することにより、予め設定された入射角度で前記ＥＵＶ光が照射されるＥＵＶマスクの、前記第１領域に接することなく前記第２領域を着脱可能に支持する支持機構を有し、かつ前記ＥＵＶマスクの前記第２面と平行に走査することが可能なステージと、
   前記第２面により反射された前記ＥＵＶ光を検出する受光面を有する検出器と、
   を備え、
   前記検出器は、前記支持機構が前記第２領域を支持した状態で前記ＥＵＶ光を検出することを特徴とするＥＵＶマスクのパターン検査装置。
2. 前記支持機構は、前記第２領域を３箇所で支持する第１支持部、第２支持部及び第３支持部を有する請求項１記載のＥＵＶマスクのパターン検査装置。
3. 前記検出器の前記受光面は、前記ＥＵＶ光を検出するための複数のピクセルを有し、
   前記ＥＵＶマスクのパターン検査装置は、前記複数のピクセルの配列情報を保存するピクセル情報保存部と、前記ＥＵＶ光を検出する際に、前記配列情報の少なくとも一部の補正を行う歪補正回路と、を有する請求項１又は請求項２記載のＥＵＶマスクのパターン検査装置。
4. 前記補正は、前記ピクセルのサイズよりも小さいサイズで行われる請求項３記載のＥＵＶマスクのパターン検査装置。
5. コヒーレントなＥＵＶ光をＥＵＶ光源から照射し、
   前記ＥＵＶ光源から照射された前記ＥＵＶ光を第１のミラーに照射し、
   前記第１のミラーで光路が変更された前記ＥＵＶ光を第２のミラーに照射し、
   露光装置の静電チャックが必要とする導電膜を有する第１領域と、前記第１領域の周囲に設けられた第２領域と、を有する第１面と、前記第１面の反対側に設けられパターンを有する第２面と、を有し、前記第１領域に接することなく前記第２領域を着脱可能に支持する支持機構を有するステージに支持されたマスクに、前記第２のミラーにより反射された前記ＥＵＶ光を照射し、
   前記第２面により反射された前記ＥＵＶ光を、受光面を有する検出器によって検出する、
   ＥＵＶマスクのパターン検査方法であって、
   前記支持機構が前記第２領域を支持した状態で前記ＥＵＶ光を検出することを特徴とする、
   ＥＵＶマスクのパターン検査方法。

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