JP6277645B2 - パターン位置計測方法、パターン位置計測装置、及びフォトマスク - Google Patents
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Description
20…反射多層膜
30…吸収膜
40…レジスト膜
50…導電性膜
70…基板支持点の一例
80…基板支持点の一例
90…基板支持点の一例
100…EUVマスクブランク
101…基板
Claims (4)
- 基板上に形成されたパターンの位置を計測するパターン位置計測方法において、
同じ高さ位置で前記基板を支持する3つの支持点を有する3点支持部であって、前記支持点の高さが互いに異なり、且つ、前記3つの支持点により形成される三角形の面積が互いに異なる2組の3点支持部を備えた保持具を用いて、各3点支持部により前記基板を支持した状態で、前記パターンの位置を計測する計測ステップと、
一方の3点支持部で前記基板を支持した状態でのパターンの計測位置と、他方の3点支持部で前記基板を支持した状態でパターンの計測位置との差分を用いて、前記基板上の膜に生じる膜応力を算出する算出ステップと、
前記基板の自重によるたわみに、前記算出ステップで算出した膜応力を反映させて、前記計測位置を補正する処理を行う補正ステップとを有することを特徴とするパターン位置計測方法。 - 基板上に形成されたパターンの位置を計測するパターン位置計測方法において、
同じ高さ位置で前記基板を支持する3つの支持点を有する3点支持部であって、前記支持点の高さが互いに異なり、且つ、前記3つの支持点により形成される三角形の面積が互いに異なる2組の3点支持部を備えた保持具を用いて、各3点支持部により前記基板を支持した状態において、前記基板を所定の基準位置で支持した第1状態、前記基準位置から前記基板を+90度水平回転させた第2状態、前記基準位置から前記基板を−90度水平回転させた第3状態、及び、前記基準位置から前記基板を+180度水平回転させた第4状態のそれぞれで、前記パターンの位置を計測する計測ステップと、
前記第1状態、前記第2状態、前記第3状態、及び前記第4状態のそれぞれの計測で得られたパターンの計測位置について、一方の3点支持部で前記基板を支持した状態でのパターンの計測位置と、他方の3点支持部で前記基板を支持した状態でパターンの計測位置との差分を用いて、前記基板上の膜に生じる膜応力を算出する算出ステップと、
前記基板の自重によるたわみに、前記算出ステップで算出した膜応力を反映させて、前記計測位置を補正する処理を行う補正ステップとを有することを特徴とするパターン位置計測方法。 - 基板上に形成されたパターンの位置計測に用いるパターン位置計測装置において、
同じ高さ位置で前記基板を支持する3つの支持点を有する3点支持部であって、前記支持点の高さが互いに異なり、且つ、前記3つの支持点により形成される三角形の面積が互いに異なる、同一サイズの前記基板を支持可能な2組の3点支持部を備えた保持具を備えることを特徴とするパターン位置計測装置。 - 半導体装置のパターンをウェハ上に転写する際に使用するフォトマスクであって、
同じ高さ位置で前記フォトマスクを支持する3つの支持点を有する3点支持部であって、前記支持点の高さが互いに異なり、且つ、前記3つの支持点により形成される三角形の面積が互いに異なる2組の3点支持部の間において、前記フォトマスクを支持したときの前記フォトマスクの面内方向における変位量の差が、前記フォトマスクの全領域において相対的に大きい領域に位置計測用のパターンが形成されていることを特徴とするフォトマスク。
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