JP7492456B2 - 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法に関する。

近年における超ＬＳＩデバイスの高密度化、高精度化の更なる要求に伴い、極紫外（Extreme Ultra Violet、以下、ＥＵＶと称す）光を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィーが有望視されている。ここで、ＥＵＶ光とは、軟Ｘ線領域又は真空紫外線領域の波長帯の光を指し、具体的には波長が０．２～１００ｎｍ程度の光のことである。ＥＵＶリソグラフィーにおいて用いられるマスクとして、反射型マスクが提案されている。反射型マスクは、ガラスやシリコンなどの基板上に、露光光を反射する多層反射膜が形成され、その多層反射膜の上に露光光を吸収する吸収体膜パターンが形成されたものである。パターン転写を行う露光機において、それに搭載された反射型マスクに入射した光は、吸収体膜パターンのある部分では吸収され、吸収体膜パターンのない部分では多層反射膜により反射される。そして反射された光像が、反射光学系を介してシリコンウエハ等の半導体基板上に転写される。

リソグラフィー工程での微細化に対する要求が高まることにより、リソグラフィー工程における課題が顕著になりつつある。その課題の１つが、リソグラフィー工程で用いられるマスクブランク用基板等の欠陥情報に関する問題である。

従来は、ブランクス検査等において、基板の欠陥の存在位置を、基板センターを原点（０，０）とし、欠陥検査装置が管理する座標系を用いて、その原点からの距離で特定していた。このため、絶対値座標の基準が明確でなく、位置精度が低く、装置間でも検出のばらつきがあった。また、パターン描画時に、欠陥を避けてパターン形成用薄膜にパターニングする場合でも、μｍオーダーでの欠陥の回避は困難であった。このため、パターンを転写する方向を変えたり、転写する位置をｍｍオーダーでラフにずらしたりして、欠陥を回避していた。

このような状況下、例えばマスクブランク用基板に基準マークを形成し、基準マークを基準として欠陥の位置を特定することが提案されている。マスクブランク用基板に基準マークを形成することにより、装置毎に欠陥の位置を特定するための基準がずれることが防止される。

露光光としてＥＵＶ光を使用する反射型マスクにおいては、多層反射膜上の欠陥の位置を正確に特定することが特に重要である。なぜなら、多層反射膜に存在する欠陥は、修正がほとんど不可能である上に、転写パターン上で重大な位相欠陥となり得るためである。

多層反射膜上の欠陥の位置を正確に特定するためには、多層反射膜を形成した後に欠陥検査を行うことで、欠陥の位置情報を取得することが好ましい。そのためには、基板上に形成された多層反射膜に、基準マークを形成することが好ましい。

特許文献１には、球相当直径で３０ｎｍ程度の微小な欠陥の位置を正確に特定できるように、ＥＵＶリソグラフィー用反射型マスクブランク用基板等に、大きさが球相当直径で３０～１００ｎｍの少なくとも３つのマークを形成することが開示されている。

国際公開ＷＯ２００８／１２９９１４号

マスクブランクの欠陥データとデバイスパターンデータとを元に、欠陥が存在している箇所に吸収体膜パターンが形成されるように描画データを補正して、欠陥を軽減させる技術（Ｄｅｆｅｃｔ ｍｉｔｉｇａｔｉｏｎ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）が提案されている。このような技術を実現するために、例えば、多層反射膜上に吸収体膜が形成された反射型マスクブランクにおいて、吸収体膜上に形成されたレジスト膜に電子線描画機を用いてパターンを描画する際に、電子線描画機においても電子線で基準マークを検出し、検出した基準点に基づいて、補正・修正した描画データを元にパターンを描画することが行われる。

マスクブランクの欠陥データを取得するための欠陥検査装置の座標系は、電子線描画機の座標系と異なっている。このため、欠陥検査装置で取得した基準マーク及び欠陥のデータを用いて電子線描画を行う際には、当該データを電子線描画機の座標系に変換する必要がある。

しかし、欠陥検査装置の座標系から電子線描画機の座標系への変換精度が悪いと、上述のＤｅｆｅｃｔ ｍｉｔｉｇａｔｉｏｎ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙを実施したときに、描画データの補正・修正を高精度で行うことができないという問題が生じる。

そこで、本発明は、多層反射膜上の欠陥を検出する欠陥検査装置の座標系から、それ以外の装置の座標系への変換精度を向上させることのできる多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

本発明者らは、多層反射膜上の欠陥を検出する欠陥検査装置の座標系から、それ以外の装置の座標系への変換精度を向上させることについて鋭意研究を行った。その結果、欠陥位置の基準となる基準マークの個数と、座標変換精度との間に相関があることを見出し、本発明を完成させた。

上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。
（構成１）
基板と、該基板上に形成されたＥＵＶ光を反射する多層反射膜とを有する多層反射膜付き基板であって、
前記多層反射膜付き基板における欠陥の位置の基準となる基準マークを備えており、
前記基準マークの個数は、以下の手順（１）～（７）によって予め求められた個数であることを特徴とする、多層反射膜付き基板。
（１）第１の座標系を有する欠陥検査装置によって、複数の基準マークを有する別の多層反射膜付き基板における欠陥の第１の欠陥座標、及び、基準マークの第１の基準マーク座標を取得する。
（２）第２の座標系を有する座標計測器によって、前記別の多層反射膜付き基板における前記欠陥の第２の欠陥座標、及び、前記基準マークの第２の基準マーク座標を取得する。
（３）前記第１の基準マーク座標及び前記第２の基準マーク座標に基づいて、前記第１の座標系から前記第２の座標系へ座標を変換するための変換係数を算出する。
（４）上記（３）で算出された変換係数を用いて、上記（１）において前記欠陥検査装置によって取得された前記第１の欠陥座標を、前記第２の座標系を基準とした第３の欠陥座標へ変換する。
（５）上記（２）において前記座標計測器によって取得された前記第２の欠陥座標と、上記（４）で変換された第３の欠陥座標との間の差について、３σの値を求める。
（６）基準マークの個数と３σとの対応関係を取得する。
（７）３σの値が、５０ｎｍ未満となる基準マークの個数を決定する。

（構成２）
前記基準マークの個数は、８個以上である、構成１に記載の多層反射膜付き基板。

（構成３）
前記基準マークの個数は、１６個以上である、構成１または構成２に記載の多層反射膜付き基板。

（構成４）
構成１から構成３のうちいずれかに記載の多層反射膜付き基板と、該多層反射膜付き基板上に形成された積層膜とを有する反射型マスクブランク。

（構成５）
基板及び該基板上に形成されたＥＵＶ光を反射する多層反射膜を有する多層反射膜付き基板と、該多層反射膜付き基板上に形成された積層膜とを有する反射型マスクブランクであって、
前記多層反射膜付き基板は、該多層反射膜付き基板における欠陥の位置の基準となる基準マークを備えており、
前記積層膜は、前記基準マークが転写された転写基準マークを備えており、
前記基準マークの個数は、以下の手順（１）～（７）によって予め求められた個数であることを特徴とする、反射型マスクブランク。
（１）第１の座標系を有する欠陥検査装置によって、複数の基準マークを有する別の多層反射膜付き基板における欠陥の第１の欠陥座標、及び、基準マークの第１の基準マーク座標を取得する。
（２）第２の座標系を有する座標計測器によって、前記別の多層反射膜付き基板上に形成された積層膜を有する反射型マスクブランクにおける欠陥の第２の欠陥座標、及び、転写基準マークの第２の基準マーク座標を取得する。
（３）前記第１の基準マーク座標及び前記第２の基準マーク座標に基づいて、前記第１の座標系から前記第２の座標系へ座標を変換するための変換係数を算出する。
（４）上記（３）で算出された変換係数を用いて、上記（１）において前記欠陥検査装置によって取得された前記第１の欠陥座標を、前記第２の座標系を基準とした第３の欠陥座標へ変換する。
（５）上記（２）において前記座標計測器によって取得された前記第２の欠陥座標と、上記（４）で変換された第３の欠陥座標との間の差について、３σの値を求める。
（６）基準マークの個数と３σとの対応関係を取得する。
（７）３σの値が、５０ｎｍ未満となる基準マークの個数を決定する。

（構成６）
前記基準マークの個数は、８個以上である、構成５に記載の反射型マスクブランク。

（構成７）
前記基準マークの個数は、１６個以上である、構成５または構成６に記載の反射型マスクブランク。

（構成８）
前記積層膜は、ＥＵＶ光を吸収する吸収体膜を含む、構成４から構成７のうちいずれかに記載の反射型マスクブランク。

（構成９）
構成４または構成８に記載の反射型マスクブランクにおける前記積層膜に積層膜パターンを形成する工程を有する、反射型マスクの製造方法。

（構成１０）
構成９に記載の反射型マスクの製造方法によって製造された反射型マスクを使用して、半導体基板上に転写パターンを形成する工程を有する、半導体装置の製造方法。

本発明によれば、多層反射膜上の欠陥を検出するための欠陥検査装置の座標系から、それ以外の装置の座標系への変換精度を向上させることのできる多層反射膜付き基板及び反射型マスクブランクを提供することができる。また、本発明によれば、これら多層反射膜付き基板又は反射型マスクブランクを使用し、これらの欠陥情報に基づき、描画データの修正を行なうことで欠陥を低減させた反射型マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法を提供することができる。

多層反射膜付き基板の断面を示す模式図である。 多層反射膜付き基板の平面図、及び、基準マークの拡大図である。 反射型マスクブランクの断面を示す模式図である。 反射型マスクの製造方法を示す模式図である。 パターン転写装置を示している。 ＦＭの個数が８個の場合における、ＦＭの形成箇所を示す。 ＦＭの個数が３～８の場合における、３σの値を示すグラフである。 基準マークの個数Ｎを２００まで増加させたときの３σの計算結果を示すグラフである。 ＦＭの個数が１６個の場合における、ＦＭの形成箇所を示す。 ＡＭの個数が２８個、ＦＭの個数が４個の場合における、ＡＭ及びＦＭの形成箇所を示す。 ＦＭの個数が３個の場合における、ＦＭの形成箇所を示す。

（第１の実施形態）
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
［多層反射膜付き基板］
図１は、本実施形態の多層反射膜付き基板の断面を示す模式図である。
図１に示すように、多層反射膜付き基板１０は、基板１２と、露光光であるＥＵＶ光を反射する多層反射膜１４とを備えている。さらに、多層反射膜付き基板１０は、多層反射膜１４を保護するための保護膜１８を備えてもよい。本実施形態では、基板１２の上に多層反射膜１４が形成されており、多層反射膜１４の上に保護膜１８が形成されている。後述するように、多層反射膜付き基板１０は、欠陥位置の基準となる４個以上の基準マークを備えている。

なお、本明細書において、基板や膜の「上に」とは、その基板や膜の上面に接触する場合だけでなく、その基板や膜の上面に接触しない場合も含む。すなわち、基板や膜の「上に」とは、その基板や膜の上方に新たな膜が形成される場合や、その基板や膜との間に他の膜が介在している場合等を含む。また、「上に」とは、必ずしも鉛直方向における上側を意味するものではない。「上に」とは、基板や膜などの相対的な位置関係を示しているに過ぎない。

＜基板＞
本実施形態の多層反射膜付き基板１０に使用される基板１２としては、ＥＵＶ露光の場合、露光時の熱による吸収体膜パターンの歪みを防止するため、０±５ｐｐｂ／℃の範囲内の低熱膨張係数を有するものが好ましく用いられる。この範囲の低熱膨張係数を有する素材としては、例えば、ＳｉＯ₂－ＴｉＯ₂系ガラス、多成分系ガラスセラミックス等を用いることができる。

基板１２の転写パターン（後述の吸収体膜パターンがこれに対応する）が形成される側の主表面は、平坦度を高めるために加工されることが好ましい。基板１２の主表面の平坦度を高めることによって、パターンの位置精度や転写精度を高めることができる。例えば、ＥＵＶ露光の場合、基板１２の転写パターンが形成される側の主表面の１３２ｍｍ×１３２ｍｍの領域において、平坦度が０．１μｍ以下であることが好ましく、更に好ましくは０．０５μｍ以下、特に好ましくは０．０３μｍ以下である。また、転写パターンが形成される側と反対側の主表面は、露光装置に静電チャックによって固定される面であって、その１４２ｍｍ×１４２ｍｍの領域において、平坦度が１μｍ以下、更に好ましくは０．５μｍ以下、特に好ましくは０．０３μｍ以下である。なお、本明細書において平坦度は、ＴＩＲ（Ｔｏｔａｌ Ｉｎｄｉｃａｔｅｄ Ｒｅａｄｉｎｇ）で示される表面の反り（変形量）を表す値で、基板表面を基準として最小二乗法で定められる平面を焦平面とし、この焦平面より上にある基板表面の最も高い位置と、焦平面より下にある基板表面の最も低い位置との高低差の絶対値である。

ＥＵＶ露光の場合、基板１２の転写パターンが形成される側の主表面の表面粗さは、二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．１ｎｍ以下であることが好ましい。なお表面粗さは、原子間力顕微鏡で測定することができる。

基板１２は、その上に形成される膜（多層反射膜１４など）の膜応力による変形を防止するために、高い剛性を有していることが好ましい。特に、基板１２は、６５ＧＰａ以上の高いヤング率を有していることが好ましい。

＜多層反射膜＞
多層反射膜付き基板１０は、基板１２と、基板１２の上に形成された多層反射膜１４とを備えている。多層反射膜１４は、例えば、屈折率の異なる元素が周期的に積層された多層膜からなる。多層反射膜１４は、ＥＵＶ光を反射する機能を有している。

一般的には、多層反射膜１４は、高屈折率材料である軽元素又はその化合物の薄膜（高屈折率層）と、低屈折率材料である重元素又はその化合物の薄膜（低屈折率層）とが交互に４０～６０周期程度積層された多層膜からなる。
多層反射膜１４を形成するために、基板１２側から高屈折率層と低屈折率層をこの順に複数周期積層してもよい。この場合、１つの（高屈折率層／低屈折率層）の積層構造が、１周期となる。
多層反射膜１４を形成するために、基板１２側から低屈折率層と高屈折率層をこの順に複数周期積層してもよい。この場合、１つの（低屈折率層／高屈折率層）の積層構造が、１周期となる。

なお、多層反射膜１４の最上層、すなわち多層反射膜１４の基板１２と反対側の表面層は、高屈折率層であることが好ましい。基板１２側から高屈折率層と低屈折率層をこの順に積層する場合は、最上層が低屈折率層となる。しかし、低屈折率層が多層反射膜１４の表面である場合、低屈折率層が容易に酸化されることで多層反射膜の反射率が減少してしまうので、その低屈折率層の上に高屈折率層を形成する。一方、基板１２側から低屈折率層と高屈折率層をこの順に積層する場合は、最上層が高屈折率層となる。その場合は、最上層の高屈折率層が、多層反射膜１４の表面となる。

本実施形態において、高屈折率層は、Ｓｉを含む層であってもよい。高屈折率層は、Ｓｉ単体を含んでもよく、Ｓｉ化合物を含んでもよい。Ｓｉ化合物は、Ｓｉと、Ｂ、Ｃ、Ｎ、及びＯからなる群から選択される少なくとも１つの元素を含んでもよい。Ｓｉを含む層を高屈折率層として使用することによって、ＥＵＶ光の反射率に優れた多層反射膜が得られる。

本実施形態において、低屈折率材料としては、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、及びＰｔからなる群から選択される少なくとも１つの元素、あるいは、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、及びＰｔからなる群から選択される少なくとも１つの元素を含む合金を使用することができる。

例えば、波長１３～１４ｎｍのＥＵＶ光のための多層反射膜１４としては、好ましくは、Ｍｏ膜とＳｉ膜を交互に４０～６０周期程度積層したＭｏ／Ｓｉ多層膜を用いることができる。その他に、ＥＵＶ光の領域で使用される多層反射膜として、例えば、Ｒｕ／Ｓｉ周期多層膜、Ｍｏ／Ｂｅ周期多層膜、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物周期多層膜、Ｓｉ／Ｎｂ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ周期多層膜、Ｓｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜などを用いることができる。露光波長を考慮して、多層反射膜の材料を選択することができる。

このような多層反射膜１４の単独での反射率は、例えば６５％以上である。多層反射膜１４の反射率の上限は、例えば７３％である。なお、多層反射膜１４に含まれる層の厚み及び周期は、ブラッグの法則を満たすように選択することができる。

多層反射膜１４は、公知の方法によって形成できる。多層反射膜１４は、例えば、イオンビームスパッタ法により形成できる。

例えば、多層反射膜１４がＭｏ／Ｓｉ多層膜である場合、イオンビームスパッタ法により、Ｍｏターゲットを用いて、厚さ３ｎｍ程度のＭｏ膜を基板１２の上に形成する。次に、Ｓｉターゲットを用いて、厚さ４ｎｍ程度のＳｉ膜を形成する。このような操作を繰り返すことによって、Ｍｏ／Ｓｉ膜が４０～６０周期積層した多層反射膜１４を形成することができる。このとき、多層反射膜１４の基板１２と反対側の表面層は、Ｓｉを含む層（Ｓｉ膜）である。１周期のＭｏ／Ｓｉ膜の厚みは、７ｎｍとなる。

＜保護膜＞
本実施形態の多層反射膜付き基板１０は、多層反射膜１４の上に形成された保護膜１８を備えてもよい。保護膜１８は、後述の吸収体膜のパターニングあるいはパターン修正の際に、多層反射膜１４を保護する機能を有している。保護膜１８は、例えば、多層反射膜１４と吸収体膜との間に設けられる。

保護膜１８の材料としては、例えば、Ｒｕ、Ｒｕ－（Ｎｂ、Ｚｒ、Ｙ、Ｂ、Ｔｉ、Ｌａ、Ｍｏ、Ｃｏ又はＲｅ）化合物、Ｓｉ－（Ｒｕ、Ｒｈ、Ｃｒ又はＢ）化合物、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｌａ、Ｂ等の材料を使用することができる。また、これらに窒素、酸素又は炭素を添加した化合物を用いることができる。これらのうち、ルテニウム（Ｒｕ）を含む材料を適用すると、多層反射膜の反射率特性がより良好となる。具体的には、保護膜１８の材料は、Ｒｕ、又は、Ｒｕ－（Ｎｂ、Ｚｒ、Ｙ、Ｂ、Ｔｉ、Ｌａ、Ｍｏ、Ｃｏ又はＲｅ）化合物であることが好ましい。保護膜１８の厚みは、例えば、１ｎｍ～５ｎｍである。保護膜１８は、公知の方法によって形成できる。保護膜１８は、例えば、マグネトロンスパッタリング法やイオンビームスパッタ法によって形成できる。

多層反射膜付き基板１０は、さらに、基板１２の多層反射膜１４が形成されている側とは反対側の主表面上に、裏面導電膜を有してもよい。裏面導電膜は、静電チャックによって多層反射膜付き基板１０あるいは反射型マスクブランクを吸着する際に使用される。

多層反射膜付き基板１０は、基板１２と多層反射膜１４との間に形成された下地膜を備えてもよい。下地膜は、例えば、基板１２の表面の平滑性向上の目的で形成される。下地膜は、例えば、欠陥低減、多層反射膜の反射率向上、多層反射膜の応力補正等の目的で形成される。

＜基準マーク＞
図２は、本実施形態の多層反射膜付き基板１０の平面図である。
図２に示すように、略矩形状の多層反射膜付き基板１０の４つの角部の近傍には、基準マーク２０がそれぞれ形成されている。基準マーク２０は、欠陥情報における欠陥位置の基準として使用されるマークである。図２では、基準マーク２０が４個形成されている例を示しているが、基準マーク２０の個数は４個以上であってもよい。また、４個以上の基準マーク２０は、少なくとも２軸上に配置されればよい。

図２に示す多層反射膜付き基板１０において、破線Ａの内側の領域（１３２ｍｍ×１３２ｍｍの領域）には、反射型マスクを製造するときに吸収体膜パターンが形成される。破線Ａの外側の領域には、反射型マスクを製造するときに吸収体膜パターンが形成されない。基準マーク２０は、好ましくは、吸収体膜パターンが形成されない領域、すなわち、破線Ａの上、あるいは、破線Ａの外側の領域に形成される。

図２に示すように、基準マーク２０は、略十字型形状を有している。略十字型形状を有する基準マーク２０の幅Ｗ１、Ｗ２は、例えば、２００ｎｍ以上１０μｍ以下である。基準マーク２０の長さＬは、例えば、１００μｍ以上１５００μｍ以下である。図２では、略十字型形状を有する基準マーク２０の例を示しているが、基準マーク２０の形状はこれに限定されない。基準マーク２０の形状は、例えば、平面視で略Ｌ字型、円形、三角形又は四角形等であってもよい。

基準マーク２０の断面形状は、例えば凹状である。ここでいう「凹状」とは、多層反射膜付き基板１０の断面（多層反射膜付き基板１０の主表面に垂直な断面）を見たときに、基準マーク２０が下方に向けて例えば段差状あるいは湾曲状に凹むようにして形成されていることを意味する。凹状に形成された基準マーク２０の深さＤは、好ましくは、３０ｎｍ以上である。基準マーク２０の深さＤは、基板１２が露出する深さとしてもよいが、１００ｎｍ以下が好ましく、５０ｎｍ以下であることがより好ましい。深さＤが小さい場合には、本発明の効果がより顕著に得られる。深さＤとは、多層反射膜付き基板１０の表面から、基準マーク２０の底部の最も深い位置までの垂直方向の距離のことを意味する。

基準マーク２０の形成方法は、特に制限されない。基準マーク２０は、例えば、多層反射膜付き基板１０の表面にレーザ加工によって形成することができる。このとき、多層反射膜１４を成膜した後に基準マーク２０を形成し、その後保護膜１８を成膜してもよいし、多層反射膜１４及び保護膜１８を成膜し、その後基準マーク２０を形成してもよい。レーザ加工の条件は、例えば、以下の通りである。
レーザの種類（波長）：紫外線～可視光領域。例えば、波長４０５ｎｍの半導体レーザ。
レーザ出力：１～１２０ ｍＷ
スキャン速度：０．１～２０ ｍｍ／ｓ
パルス周波数：１～１００ ＭＨｚ
パルス幅：３ｎｓ～１０００ｓ

基準マーク２０をレーザ加工する際に使用するレーザは、連続波でもよく、パルス波でもよい。パルス波を用いた場合、連続波と比較して、基準マーク２０の深さＤが同程度であっても、基準マーク２０の幅Ｗをより小さくすることが可能である。このため、パルス波を用いた場合、連続波と比較して、よりコントラストが大きく、欠陥検査装置や電子線描画装置によって検出し易い基準マーク２０を形成することができる。

基準マーク２０の形成方法は、レーザに限定されない。基準マーク２０は、例えば、フォトリソ法、ＦＩＢ（集束イオンビーム）、ダイヤモンド針を走査しての加工痕、微小圧子によるインデンション、インプリント法による型押しなどで形成することができる。

基準マーク２０の断面形状は、凹状に限定されない。例えば、基準マーク２０の断面形状は、上方に突出する凸状であってもよい。基準マーク２０の断面形状が凸状の場合、ＦＩＢやスパッタリング法などによる部分成膜などで形成することができる。凸状に形成された基準マーク２０の高さＨは、好ましくは、３０ｎｍ以上である。基準マーク２０の高さＨは、１００ｎｍ以下が好ましく、５０ｎｍ以下であることがより好ましい。高さＨが小さい場合には、本発明の効果がより顕著に得られる。高さＨとは、多層反射膜付き基板１０の表面から、基準マーク２０の最も高い位置までの垂直方向の距離のことを意味する。

多層反射膜付き基板１０に基準マーク２０を形成した場合には、欠陥検査装置によって、基準マーク２０及び欠陥の座標を高精度に取得する。次に、多層反射膜付き基板１０の保護膜１８の上に、吸収体膜を形成する。次に、吸収体膜の上に、レジスト膜を形成する。吸収体膜とレジスト膜との間には、ハードマスク膜（あるいはエッチングマスク膜）が形成されてもよい。

多層反射膜付き基板１０に形成された凹状の基準マーク２０は、吸収体膜及びレジスト膜に転写される。吸収体膜とレジスト膜との間にハードマスク膜が形成される場合、多層反射膜付き基板１０に形成された凹状の基準マーク２０は、吸収体膜、ハードマスク膜及びレジスト膜に転写される。

したがって、多層反射膜付き基板１０に形成された基準マーク２０は、欠陥検査装置によって検出可能な程度に高いコントラストを有している必要がある。欠陥検査装置としては、例えば、検査光源波長が２６６ｎｍであるレーザーテック社製のＥＵＶ露光用のマスク・サブストレート／ブランク欠陥検査装置「MAGICSM7360」、検査光源波長が１９３ｎｍであるＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社製のＥＵＶ・マスク／ブランク欠陥検査装置「Teron600シリーズ、例えばTeron610」、あるいは、検査光源波長が露光光源波長の１３．５ｎｍと同じであるＡＢＩ（Actinic Blank Inspection）装置を用いることができる。

また、吸収体膜及び／又はその上のレジスト膜に転写された基準マーク２０は、座標計測器及び／又は電子線描画装置によって検出可能な程度に高いコントラストを有している必要がある。座標計測器としては、例えば、波長３６５ｎｍのレーザで座標計測を行うＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社製の「ＬＭＳ－ＩＰＲＯ４」、波長１９３ｎｍのレーザで座標計測を行うＣａｒｌ Ｚｅｉｓｓ社製の「ＰＲＯＶＥ」及び／又は、電子線描画装置に搭載されている座標計測器を用いることができる。座標計測器は、上記の欠陥検査装置と波長が異なる方が本発明の効果がより顕著に得られる。

基準マーク２０は、例えば、ＦＭ（フィデュシャルマーク）として使用できる。ＦＭとは、電子線描画装置によってパターンを描画する際に、欠陥座標の基準として使用されるマークである。ＦＭは、通常、図２に示すような十字型形状である。

基準マーク２０をＦＭとして使用することにより、欠陥座標を高精度に管理することができる。電子線描画装置によってレジスト膜にパターンを描画する際、レジスト膜に転写された基準マーク２０は、欠陥位置の基準であるＦＭとして使用される。例えば、電子線描画装置によってＦＭを検出することにより、欠陥検査装置で取得した欠陥座標を、電子線描画装置の座標系に変換することができる。これにより、例えば、欠陥が吸収体膜パターンの下に配置するように、電子線描画装置によって描画されるパターンの描画データを補正することができる。描画データを補正することによって、最終的に製造される反射型マスクへの欠陥による影響を低減することができる。

基準マーク２０は、ＡＭ（アライメントマーク）としても使用できる。ＡＭは、欠陥検査装置で多層反射膜付き基板１０上の欠陥を検査した際に、欠陥座標の基準として使用できるマークである。しかし、ＡＭは、電子線描画装置によってパターンを描画する際には、直接使用されない。ＡＭの平面視における形状は、例えば、円形、四角形、又は十字型である。

多層反射膜付き基板１０上にＡＭを形成した場合には、多層反射膜付き基板１０上の後述の積層膜にＦＭを形成する。ＡＭは、積層膜に転写されるが、ＡＭ上の積層膜を一部除去することにより、ＡＭの検出精度を上げることもできる。ＡＭは、欠陥検査装置及び座標計測器で検出可能である。ＦＭは、座標計測器及び電子線描画装置で検出可能である。ＡＭとＦＭは共に座標計測器で検出することが可能であるため、これらの相対的な位置関係を高精度に管理することができる。したがって、欠陥検査装置によって取得されたＡＭを基準とする欠陥座標を、電子線描画装置で使用するＦＭを基準とする欠陥座標に高精度に変換することができる。なお、ＡＭの個数は、ＦＭの個数よりも多い。

本実施形態の多層反射膜付き基板１０は、該多層反射膜付き基板１０における欠陥の位置の基準となる４個以上（例えばＮ個）の基準マーク２０（図２では４個の基準マーク）を備えており、以下の手順（１）～（５）によって求められる３σの値が、５０ｎｍ未満である。
（１）第１の座標系を有する欠陥検査装置によって、多層反射膜付き基板１０における欠陥の第１の欠陥座標、及び、基準マーク２０の第１の基準マーク座標を取得する。
（２）第２の座標系を有する座標計測器によって、多層反射膜付き基板１０における前記欠陥の第２の欠陥座標、及び、前記基準マーク２０の第２の基準マーク座標を取得する。
（３）前記第１の基準マーク座標、及び、前記第２の基準マーク座標に基づいて、欠陥検査装置の第１の座標系から座標計測器の第２の座標系へ座標を変換するための変換係数を算出する。
（４）上記（３）で算出された変換係数を用いて、上記（１）において欠陥検査装置によって取得された第１の欠陥座標を、座標計測器の第２の座標系を基準とした第３の欠陥座標へ変換する。
（５）上記（２）において座標計測器によって取得された第２の欠陥座標と、上記（４）で変換された第３の欠陥座標との間の差について、３σの値を求める。

上記手順（１）では、欠陥検査装置によって、多層反射膜付き基板１０における欠陥の第１の欠陥座標、及び、Ｎ個の基準マーク２０の第１の基準マーク座標（x, y）を取得する。欠陥検査装置としては、例えば、上述した欠陥検査装置を用いることができる。また、３σの値を求めるための欠陥の個数は、３個以上が好ましく、９個以上がより好ましく、１５個以上がさらに好ましい。また、Ｎ個の基準マークの大きさのばらつきは、小さい方が好ましい。例えば、Ｎ個の基準マークの大きさは、それらの平均値から±５％以内であることが好ましく、より好ましくは±３％以内である。ここでいう「大きさ」は、例えば、基準マークの平面視における面積を意味する。

上記手順（２）では、座標計測器によって、多層反射膜付き基板１０における欠陥の第２の欠陥座標、及び、Ｎ個の基準マーク２０の第２の基準マーク座標（u, v）を取得する。座標計測器としては、例えば、上述した座標計測器を用いることができる。

上記手順（１）及び（２）において座標を検出する際には、例えば、基板の中心に原点を設定することができる。あるいは、基板の四辺の８箇所（一辺につき２箇所）のエッジ座標を取得し、適切なチルト補正を行った後、基板の任意の角部に原点を設定してもよい。

図２に示すように、基準マーク２０の形状が十字型である場合、基準マーク２０の座標は、基準マーク２０のエッジを検出することにより、該エッジ間の幅Ｗ１の中心線と、幅Ｗ２の中心線との交点に設定することができる。

上記手順（３）では、手順（１）で取得したＮ個の基準マーク２０の第１の基準マーク座標（x, y）、及び、手順（２）で取得したＮ個の基準マーク２０の第２の基準マーク座標（u, v）に基づいて、欠陥検査装置の第１の座標系から座標計測器の第２の座標系へ座標を変換するための変換係数を算出する。変換係数の算出には、例えば、線形変換（アフィン変換）を用いることができる。以下、アフィン変換を用いた変換係数の算出方法の一例について説明する。

欠陥検査装置で取得したn個の座標データ(x₁, y₁), (x₂, y₂), ・ ・ ・ , (x_n, y_n) と、それに対応する座標計測器で取得したn個の座標データ(u₁, v₁), (u₂, v₂), ・ ・ ・ , (u_n, v_n) があるとき、欠陥検査装置の第１の座標系から座標計測器の第２の座標系への変換には、アフィン変換を用いることができる。

アフィン変換は、xとyに関する変換係数が独立なので、xとyは別々に解くことができる。xに関する式を例に挙げると、i番目の座標データをアフィン変換の式に代入すると、x_i = au_i+bv_i +c となるが、導かれる変換式には誤差が存在するために、この式は成立しない。その誤差量δ_iは、単純に右辺から左辺を引いたものとなり、δ_i = au_i + bv_i + c - x_i となる。

ここで、n 個の座標データがある場合、n 個の誤差量に関する式をたてることができる。最小二乗法を使って、それらの誤差量が最小となるa, b, cを求める。ここで、二乗和の誤差関数φは、以下の式で表すことができる。

この関数φは二次関数なので、この関数が最小となるa, b, cを求めるために、この式をa, b, c で偏微分する。偏微分すると、誤差関数の勾配を表す関数となるので、偏微分した関数が0となるところが極小値であり、それは最小値でもある。これを式で表すと、以下のとおりとなる。

これらの式は、連立一次方程式なので、行列を用いて整理すると、以下の行列式を得ることができる。この連立方程式を解けば、誤差が最小となるa, b, c、すなわち変換係数を求めることができる。xについて説明したが、yについても同様に解くことができる。

上記手順（４）では、上記（３）で算出された変換係数を用いて、上記（１）において欠陥検査装置によって取得された第１の欠陥座標を、座標計測器の第２の座標系へ変換する。座標の変換には、例えば、アフィン変換の式 x_i = au_i +bv_i +cを用いることができる。

上記手順（５）では、上記（２）において座標計測器によって取得された第２の欠陥座標と、上記（４）で変換された第３の欠陥座標との間の差について、３σの値を求める。つまり、座標計測器によって「実際に」取得された第２の欠陥座標と、変換係数を用いて座標計測器の第２の座標系へ変換された第３の欠陥座標との差について、３σの値を求める。３σは、標準偏差σの３倍である。３σが小さいということは、欠陥検査装置の第１の座標系から座標計測器の第２の座標系への変換精度が高いことを意味する。

例えば、上記（２）において座標計測器によって取得された第２の欠陥座標が（s_j, t_j）であり、上記（４）において座標計測器の第２の座標系へ変換された第３の欠陥座標が（S_j, T_j）である場合、それらの座標の差は、（s_j - S_j, t_j - T_j）である。この場合、ｘ座標とｙ座標のそれぞれについて、例えばｊ個分のデータの標準偏差σを計算することによって、３σの値を求めることができる。

本発明者らは、後述するように、基準マーク２０の個数をＮとしたときに、３σがＮ^１／２に反比例する傾向があることを見出した。すなわち、比例定数をαとしたとき、以下の式が成立することを見出した。

３σ＝α／Ｎ^１／２ ・・・（１）

αの値は、実際に基準マーク２０の個数を変えて３σを測定した結果を上記式（１）に適用し、最小二乗法によって求めることができる。

これによると、基準マーク２０の個数が多い程、欠陥の座標の変換精度を向上させることができ、所望の３σに基づいて基準マーク２０の個数を決定することができる。基準マーク２０の個数は４個以上が好ましく、３σを５０ｎｍ未満とすることができる。また、基準マーク２０の個数は８個以上がより好ましく、３σを２５ｎｍ未満とすることができる。また、基準マーク２０の個数は１６個以上がさらに好ましく、３σを２０ｎｍ未満とすることができる。また、基準マーク２０を形成するための工数が増えること、及び、基準マーク２０が多すぎると欠陥が増加する観点から、基準マーク２０の個数は、１００個以下が好ましい。さらに、基準マーク２０が６０個を超える場合、３σの減少幅が小さくなる傾向があることから、基準マーク２０の個数は、６０個以下がより好ましい。

本実施形態の多層反射膜付き基板１０は、上記の手順（１）～（５）によって求められる３σの値が、５０ｎｍ未満である。好ましくは、ｘ座標及びｙ座標の両方のデータについて、３σの値が５０ｎｍ未満である。３σの値が５０ｎｍ未満であることにより、欠陥検査装置の第１の座標系から、座標計測器の第２の座標系への変換精度を向上させることができる。

これにより、多層反射膜付き基板１０を提供されたユーザーは、欠陥検査装置により特定した欠陥位置と、描画データとを高精度に照合することが可能となり、最終的に製造される反射型マスクにおいて欠陥を確実に低減させることができる。

（第２の実施形態）
第２の実施形態は、別の多層反射膜付き基板を使用して、基準マークの個数と３σとの対応関係を取得し、該対応関係に基づいて決定された個数の基準マークを有する多層反射膜付き基板である点が、第１の実施形態とは異なる。それ以外は、第１の実施形態と同様である。
すなわち、本実施形態の多層反射膜付き基板１０は、該多層反射膜付き基板１０における欠陥の位置の基準となる基準マーク２０を備えており、該基準マーク２０の個数は、以下の手順（１）～（７）によって予め求められた個数である。
（１）第１の座標系を有する欠陥検査装置によって、複数の基準マークを有する別の多層反射膜付き基板における欠陥の第１の欠陥座標、及び、基準マークの第１の基準マーク座標を取得する。
（２）第２の座標系を有する座標計測器によって、前記別の多層反射膜付き基板における前記欠陥の第２の欠陥座標、及び、前記基準マークの第２の基準マーク座標を取得する。
（３）前記第１の基準マーク座標及び前記第２の基準マーク座標に基づいて、前記第１の座標系から前記第２の座標系へ座標を変換するための変換係数を算出する。
（４）上記（３）で算出された変換係数を用いて、上記（１）において前記欠陥検査装置によって取得された前記第１の欠陥座標を、前記第２の座標系を基準とした第３の欠陥座標へ変換する。
（５）上記（２）において前記座標計測器によって取得された前記第２の欠陥座標と、上記（４）で変換された第３の欠陥座標との間の差について、３σの値を求める。
（６）基準マークの個数と３σとの対応関係を取得する。
（７）所望の３σの値（例えば、５０ｎｍ未満）となる基準マークの個数を決定する。

上記手順（１）～（５）は、別の多層反射膜付き基板を用いる点が異なるだけで、第１の実施形態の手順（１）～（５）と同様である。

別の多層反射膜付き基板における欠陥は、実欠陥でもよいし、プログラム欠陥でもよい。
また、別の多層反射膜付き基板は、Ｎ個の基準マークが形成された１つの多層反射膜付き基板であってもよい。この場合には、１つの多層反射膜付き基板に対して、上記手順（１）～（６）を行って基準マークの個数と３σとの対応関係を取得し、手順（７）にて前記対応関係に基づいて基準マークの個数を決定する。

別の多層反射膜付き基板は、互いに異なる４個～Ｎ個の基準マークが形成された複数の多層反射膜付き基板であってもよい。この場合には、各々の多層反射膜付き基板に対して上記手順（１）～（５）を行い、手順（６）で基準マークの個数と３σとの対応関係を取得し、手順（７）にて前記対応関係に基づいて基準マークの個数を決定する。
本実施形態では、別の多層反射膜付き基板を用いて基準マークの個数を求めるため、基準マークの形状、欠陥検査装置及び／又は座標計測器に応じて、最適な個数の基準マーク２０を有する多層反射膜付き基板１０を得ることができる。

（第３の実施形態）
［反射型マスクブランク］
図３は、本実施形態の反射型マスクブランク３０の断面を示す模式図である。上述の多層反射膜付き基板１０の保護膜１８上に積層膜２８を形成することにより、本実施形態の反射型マスクブランク３０を製造できる。特に制限するものではないが、積層膜２８は、ＥＵＶ光を吸収する吸収体膜であってもよい。以下、積層膜２８が吸収体膜である例について説明する。

吸収体膜は、露光光であるＥＵＶ光を吸収する機能を有する。すなわち、多層反射膜１４（保護膜１８がある場合には保護膜１８を含む）のＥＵＶ光に対する反射率と、吸収体膜のＥＵＶ光に対する反射率との差は、所定値以上となっている。例えば、吸収体膜のＥＵＶ光に対する反射率は、０．１％以上４０％以下である。多層反射膜１４で反射された光と、吸収体膜で反射された光との間には、所定の位相差があってもよい。なお、この場合、反射型マスクブランク３０における吸収体膜は、位相シフト膜と呼ばれることがある。

吸収体膜は、ＥＵＶ光を吸収する機能を有し、かつ、エッチング等により除去可能であることが好ましい。吸収体膜は、塩素（Ｃｌ）系ガスやフッ素（Ｆ）系ガスによるドライエッチングでエッチング可能であることが好ましい。このような機能を吸収体膜が有する限り、吸収体膜の材料は、特に制限されない。

吸収体膜は、単層でもよく、積層構造を有してもよい。吸収体膜が積層構造を有する場合、同一材料からなる複数の膜が積層されてもよく、異なる材料からなる複数の膜が積層されてもよい。吸収体膜が積層構造を有する場合、材料や組成が膜の厚み方向に段階的及び／又は連続的に変化してもよい。

吸収体膜の材料は、例えば、タンタル（Ｔａ）単体、又は、Ｔａを含む材料が好ましい。Ｔａを含む材料は、例えば、ＴａとＢを含む材料、ＴａとＮを含む材料、ＴａとＢと、Ｏ及びＮのうち少なくとも１つとを含む材料、ＴａとＳｉを含む材料、ＴａとＳｉとＮを含む材料、ＴａとＧｅを含む材料、ＴａとＧｅとＮを含む材料、ＴａとＰｄを含む材料、ＴａとＲｕを含む材料、ＴａとＴｉを含む材料等である。

吸収体膜は、例えば、Ｎｉ単体、Ｎｉを含む材料、Ｃｒ単体、Ｃｒを含む材料、Ｒｕ単体、Ｒｕを含む材料、Ｐｄ単体、Ｐｄを含む材料、Ｍｏ単体、及び、Ｍｏを含む材料からなる群から選択される少なくとも１つを含んでもよい。

吸収体膜の厚みは、好ましくは、３０ｎｍ～１００ｎｍである。
吸収体膜は、公知の方法、例えば、マグネトロンスパッタリング法や、イオンビームスパッタリング法などによって形成することができる。

本実施形態の反射型マスクブランク３０において、吸収体膜（積層膜２８）の上に、レジスト膜３２が形成されてもよい。図３にはこの態様が示されている。レジスト膜３２に電子線描画装置によってパターンを描画及び露光した後、現像工程を経ることによって、レジストパターンを形成することができる。このレジストパターンをマスクとして吸収体膜にドライエッチングを行うことによって、吸収体膜にパターンを形成することができる。

本実施形態の反射型マスクブランク３０において、積層膜２８は、吸収体膜と、該吸収体膜上に形成されたハードマスク膜とを含んでもよい。ハードマスク膜は、吸収体膜をパターニングする際のマスクとして使用される。ハードマスク膜と吸収体膜は、エッチング選択性が互いに異なる材料によって形成される。吸収体膜の材料がタンタルあるいはタンタル化合物を含む場合、ハードマスク膜の材料は、クロム又はクロム化合物を含むことが好ましい。クロム化合物は、好ましくは、Ｃｒと、Ｎ、Ｏ、Ｃ、及びＨからなる群から選択される少なくとも一つを含む。

本実施形態の反射型マスクブランク３０は、多層反射膜付き基板１０における欠陥の位置の基準となる４個以上（例えばＮ個）の基準マーク２０を備えている。多層反射膜付き基板１０上に形成された吸収体膜（積層膜２８）は、基準マーク２０の形状が転写された転写基準マークを備えてもよい。例えば、基準マーク２０が凹状である場合、その上に形成された吸収体膜（積層膜２８）には、凹状の転写基準マークが形成される。また、基準マーク２０が凸状である場合、その上に形成された吸収体膜（積層膜２８）には、凸状の転写基準マークが形成される。

本実施形態の基準マーク２０は、第１の実施形態の基準マーク２０と同様である。例えば、基準マーク２０が略十字型形状の場合には、転写基準マークも略十字型形状となる。略十字型形状を有する転写基準マークの幅Ｗ１’、Ｗ２’は、例えば、２００ｎｍ以上１０μｍ以下である。転写基準マークの幅Ｗ１’（Ｗ２’）の、基準マーク２０の幅Ｗ１（Ｗ２）からのずれΔＷ（＝（｜Ｗ１－Ｗ１’｜／Ｗ１）×１００）は、１０％以下であることが好ましい。また、ずれΔＷが１％以上、さらにはΔＷが３％以上である場合には、本発明の効果がより顕著に得られる。転写基準マークの長さＬ’は、例えば、１００μｍ以上１５００μｍ以下である。転写基準マークの長さＬ’の基準マーク２０の長さＬからのずれΔＬ（＝（｜Ｌ－Ｌ’｜／Ｌ）×１００）は、１％以下であることが好ましい。また、ずれΔＬが０．０５％以上である場合には、本発明の効果がより顕著に得られる。

また、例えば、基準マーク２０が略円形形状の場合には、転写基準マークも略円形形状となる。転写基準マークの直径の、基準マーク２０の直径からのずれ（絶対値）は、１０％以下であることが好ましい。また、ずれが１％以上、さらにはずれが３％以上である場合には、本発明の効果がより顕著に得られる。

基準マーク２０が凹状（凸状）である場合、転写基準マークも凹状（凸状）となる。転写基準マークの深さＤ’（高さＨ’）は、好ましくは、３０ｎｍ以上である。深さＤ’（高さＨ’）は、１００ｎｍ以下が好ましく、５０ｎｍ以下であることがより好ましい。転写基準マークの深さＤ’（高さＨ’）の、基準マーク２０の深さＤ（高さＨ）からのずれΔＤ（ΔＨ）は、１０％以下であることが好ましい。また、ずれΔＤ（ΔＨ）が０．０５％以上、さらにはΔＤ（ΔＨ）が１％以上である場合には、本発明の効果がより顕著に得られる。

吸収体膜(積層膜２８)が転写基準マークを備える場合、以下の手順（１）～（５）によって求められる３σの値が、５０ｎｍ未満であってもよい。
（１）第１の座標系を有する欠陥検査装置によって、多層反射膜付き基板１０における欠陥の第１の欠陥座標、及び、基準マーク２０の第１の基準マーク座標を取得する。
（２）第２の座標系を有する座標計測器によって、反射型マスクブランク３０における欠陥の第２の欠陥座標、及び、転写基準マークの第２の基準マーク座標を取得する。
（３）前記第１の基準マーク座標、及び、前記第２の基準マーク座標に基づいて、欠陥検査装置の第１の座標系から座標計測器の第２の座標系へ座標を変換するための変換係数を算出する。
（４）上記（３）で算出された変換係数を用いて、上記（１）において欠陥検査装置によって取得された第１の欠陥座標を、座標計測器の第２の座標系を基準とした第３の欠陥座標へ変換する。
（５）上記（２）において座標計測器によって取得された第２の欠陥座標と、上記（４）で変換された第３の欠陥座標との間の差について、３σの値を求める。

上記手順（１）～（５）は、上述した第１の実施形態の多層反射膜付き基板１０における手順（１）～（５）と同様であるが、手順（２）において、座標計測器によって反射型マスクブランク３０における欠陥の第２の欠陥座標、及び、転写基準マークの第２の基準マーク座標を取得している点が異なる。

本発明者らは、後述の実施例１の表１及び図７に示されるように、基準マーク２０の個数をＮとしたときに、３σがＮ^１／２に反比例する傾向があることを見出した。すなわち、比例定数をαとしたとき、以下の式が成立することを見出した。

３σ＝α／Ｎ^１／２ ・・・（１）

例えば、表１に示す結果を上記式（１）に適用し、最小二乗法により、αの値を求めることができる。αは装置によって異なる係数であり、この場合、α＝７０である。

図８に、α＝７０を代入した上記式（１）のグラフを示す。
このグラフより、基準マーク２０の個数が多い程、欠陥の座標の変換精度が向上することが分かる。基準マーク２０の個数は、所望の３σに基づいて決定することができる。基準マーク２０の個数は４個以上が好ましく、３σを５０ｎｍ未満とすることができる。また、基準マーク２０の個数は８個以上がより好ましく、３σを２５ｎｍ未満とすることができる。また、基準マーク２０の個数は１６個以上がさらに好ましく、３σを２０ｎｍ未満とすることができる。また、基準マーク２０を形成するための工数が増えること、及び、基準マーク２０が多すぎると欠陥が増加する観点から、基準マーク２０の個数は、１００個以下が好ましい。さらに、基準マーク２０が６０個を超える場合、３σの減少幅が小さくなる傾向があることから、基準マーク２０の個数は、６０個以下がより好ましい。

本実施形態の反射型マスクブランク３０において、上記の手順（１）～（５）によって求められる３σの値が、５０ｎｍ未満である。好ましくは、ｘ座標及びｙ座標の両方のデータについて、３σの値が５０ｎｍ未満である。３σの値が５０ｎｍ未満であることにより、欠陥検査装置の第１の座標系から、座標計測器の第２の座標系への変換精度を向上させることができる。

これにより、反射型マスクブランク３０を提供されたユーザーは、欠陥検査装置により特定した欠陥位置と、描画データとを高精度に照合することが可能となり、最終的に製造される反射型マスクにおいて欠陥を確実に低減させることができる。

本実施形態の反射型マスクブランク３０では、上記手順（２）において、吸収体膜（積層膜２８）に転写された転写基準マークの第２の基準マーク座標を取得している。電子線描画装置によってレジスト膜にパターンを描画する際には、吸収体膜上のＦＭを基準として用いるため、吸収体膜に転写された転写基準マークの第２の基準マーク座標を使用することにより、座標の変換精度をより向上させることができる。すなわち、基準マークの上に吸収体膜（積層膜２８）が形成されると、吸収体膜に転写された転写基準マークの幅や深さが変わることによって、検出される基準マークの位置が変わる場合がある。吸収体膜に転写された転写基準マークの第２の基準マーク座標を取得し、この取得した第２の基準マーク座標に基づいて変換係数を算出することによって、基準マークの位置ずれの影響を考慮した変換係数を算出することが可能となる。その結果、上記手順（４）における座標の変換精度をより向上させることが可能となる。

（第４の実施形態）
第４の実施形態は、別の多層反射膜付き基板と、該別の多層反射膜付き基板上に積層膜を有する別の反射型マスクブランクとを使用して、基準マークの個数と３σとの対応関係を取得し、該対応関係に基づいて決定された個数の基準マークを有する反射型マスクブランク３０である点が、第３の実施形態とは異なる。それ以外は、第３の実施形態と同様である。

すなわち、本実施形態の反射型マスクブランク３０は、多層反射膜付き基板１０における欠陥の位置の基準となる基準マーク２０を備えている。多層反射膜付き基板１０上に形成された吸収体膜（積層膜２８）は、基準マーク２０の形状が転写された転写基準マークを備える。前記基準マーク２０の個数は、以下の手順（１）～（７）によって予め求められた個数である。
（１）第１の座標系を有する欠陥検査装置によって、複数の基準マークを有する別の多層反射膜付き基板における欠陥の第１の欠陥座標、及び、基準マークの第１の基準マーク座標を取得する。
（２）第２の座標系を有する座標計測器によって、前記別の多層反射膜付き基板上に形成された積層膜を有する別の反射型マスクブランクにおける欠陥の第２の欠陥座標、及び、転写基準マークの第２の基準マーク座標を取得する。
（３）前記第１の基準マーク座標及び前記第２の基準マーク座標に基づいて、前記第１の座標系から前記第２の座標系へ座標を変換するための変換係数を算出する。
（４）上記（３）で算出された変換係数を用いて、上記（１）において前記欠陥検査装置によって取得された前記第１の欠陥座標を、前記第２の座標系を基準とした第３の欠陥座標へ変換する。
（５）上記（２）において前記座標計測器によって取得された前記第２の欠陥座標と、上記（４）で変換された第３の欠陥座標との間の差について、３σの値を求める。
（６）基準マークの個数と３σとの対応関係を取得する。
（７）所望の３σの値（例えば、５０ｎｍ未満）となる基準マークの個数を決定する。
上記手順（１）～（５）は、別の多層反射膜付き基板及び別の反射型マスクブランクを用いる点が異なるだけで、第３の実施形態の手順（１）～（５）と同様である。
別の多層反射膜付き基板は、第３の実施形態と同様である。別の反射型マスクブランクは、別の多層反射膜付き基板に形成された基準マークが転写された複数の転写基準マークを有する。

本実施形態では、別の多層反射膜付き基板及び別の反射型マスクブランクを用いて基準マークの個数を求めるため、基準マークの形状、転写基準マークの形状、欠陥検査装置及び／又は座標計測器に応じて、最適な個数の基準マーク２０を有する多層反射膜付き基板１０を得ることができる。

［反射型マスクの製造方法］
本実施形態の反射型マスクブランク３０を使用して、本実施形態の反射型マスク４０を製造することができる。以下、反射型マスク４０の製造方法について説明する。

図４は、反射型マスク４０の製造方法を示す模式図である。
図４に示すように、まず、基板１２と、基板１２の上に形成された多層反射膜１４と、多層反射膜１４の上に形成された保護膜１８と、保護膜１８の上に形成された吸収体膜（積層膜２８）とを有する反射型マスクブランク３０を準備する（図４（ａ））。つぎに、吸収体膜の上に、レジスト膜３２を形成する（図４（ｂ））。レジスト膜３２に、電子線描画装置によってパターンを描画し、さらに現像・リンス工程を経ることによって、レジストパターン３２ａを形成する（図４（ｃ））。

レジストパターン３２ａをマスクとして、吸収体膜（積層膜２８）をドライエッチングする。これにより、吸収体膜のレジストパターン３２ａによって被覆されていない部分がエッチングされ、吸収体膜パターン２８ａが形成される（図４（ｄ））。

なお、エッチングガスとしては、例えば、Ｃｌ_２，ＳｉＣｌ_４，ＣＨＣｌ_３，ＣＣｌ_４等の塩素系ガス、これら塩素系ガス及びＯ_２を所定の割合で含む混合ガス、塩素系ガス及びＨｅを所定の割合で含む混合ガス、塩素系ガス及びＡｒを所定の割合で含む混合ガス、ＣＦ_４，ＣＨＦ_３，Ｃ_２Ｆ_６，Ｃ_３Ｆ_６，Ｃ_４Ｆ_６，Ｃ_４Ｆ_８，ＣＨ_２Ｆ_２，ＣＨ_３Ｆ，Ｃ_３Ｆ_８，ＳＦ_６，Ｆ等のフッ素系ガス、これらフッ素系ガス及びＯ_２を所定の割合で含む混合ガス、フッ素系ガス及びＨｅを所定の割合で含む混合ガス、フッ素系ガス及びＡｒを所定の割合で含む混合ガス等を使用することができる。

吸収体膜パターン２８ａが形成された後、例えば、レジスト剥離液によりレジストパターン３２ａを除去する。レジストパターン３２ａを除去した後、酸性やアルカリ性の水溶液を用いたウェット洗浄工程を経ることによって、本実施形態の反射型マスク４０が得られる（図４（ｅ））。

［半導体装置の製造方法］
本実施形態の反射型マスク４０を使用したリソグラフィーにより、半導体基板上に転写パターンを形成することができる。この転写パターンは、反射型マスク４０の吸収体膜パターン２８ａが転写された形状を有している。半導体基板上に反射型マスク４０によって転写パターンを形成することによって、半導体装置を製造することができる。

図５を用いて、レジスト付き半導体基板５６にＥＵＶ光によってパターンを転写する方法について説明する。

図５は、パターン転写装置５０を示している。パターン転写装置５０は、レーザープラズマＸ線源５２、反射型マスク４０、及び、縮小光学系５４等を備えている。縮小光学系５４としては、Ｘ線反射ミラーが用いられている。

反射型マスク４０で反射されたパターンは、縮小光学系５４により、通常１／４程度に縮小される。例えば、露光波長として１３～１４ｎｍの波長帯を使用し、光路が真空中になるように予め設定する。このような条件で、レーザープラズマＸ線源５２で発生したＥＵＶ光を、反射型マスク４０に入射させる。反射型マスク４０によって反射された光を、縮小光学系５４を介して、レジスト付き半導体基板５６上に転写する。

反射型マスク４０に入射した光は、吸収体膜パターン２８ａのある部分では、吸収体膜に吸収されて反射されない。一方、吸収体膜パターン２８ａのない部分に入射した光は、多層反射膜１４により反射される。

反射型マスク４０によって反射された光は、縮小光学系５４に入射する。縮小光学系５４に入射した光は、レジスト付き半導体基板５６上のレジスト層に転写パターンを形成する。露光されたレジスト層を現像することによって、レジスト付き半導体基板５６上にレジストパターンを形成することができる。レジストパターンをマスクとして半導体基板５６をエッチングすることにより、半導体基板上に例えば所定の配線パターンを形成することができる。このような工程及びその他の必要な工程を経ることで、半導体装置が製造される。

多層反射膜付き基板上に形成された基準マークがＦＭである場合、本実施形態の反射型マスクブランクは、例えば、上述の第２の実施形態又は第４の実施形態によって、ＦＭの個数を決定し、以下の方法によって製造することができる。
反射型マスクブランクの製造方法であって、
基板上に、多層反射膜を成膜して、多層反射膜付き基板を形成する工程と、
前記多層反射膜付き基板の表面に、所望の３σに基づいて決定された個数のＦＭを形成する工程と、
欠陥検査装置を用いて、前記多層反射膜付き基板の表面の欠陥の第１の欠陥座標、及び、前記ＦＭの第１のＦＭ座標を取得することにより、前記第１のＦＭ座標を基準とした第１の欠陥座標を示す欠陥マップを取得する工程と、
前記多層反射膜付き基板の上に、前記ＦＭが転写された転写ＦＭを有する積層膜を成膜する工程と、を備える反射型マスクブランクの製造方法。

上記反射型マスクブランク及び欠陥マップを提供されたユーザーは、転写ＦＭに基づいて、欠陥検査装置により特定した欠陥位置と、描画データとを高精度に照合することが可能となり、最終的に製造される反射型マスクにおいて欠陥を確実に低減させることができる。

多層反射膜付き基板上に形成された基準マークがＡＭである場合、本実施形態の反射型マスクブランクは、例えば、上述の第２の実施形態又は第４の実施形態によって、ＡＭの個数を決定し、以下の方法によって製造することができる。
反射型マスクブランクの製造方法であって、
基板上に、多層反射膜を成膜して、多層反射膜付き基板を形成する工程と、
前記多層反射膜付き基板の表面に、所望の３σに基づいて決定された個数のＡＭを形成する工程と、
欠陥検査装置を用いて、前記多層反射膜付き基板の表面の欠陥の第１の欠陥座標、及び、前記ＡＭの第１のＡＭ座標を取得することにより、第１のＡＭ座標を基準とした第１の欠陥座標を示す第１の欠陥マップを取得する工程と、
前記多層反射膜付き基板の上に、前記ＡＭが転写された転写ＡＭを有する積層膜を成膜する工程と、
前記積層膜の表面に、ＦＭを形成する工程と、
座標計測器を用いて、前記転写ＡＭの第２のＡＭ座標及び前記ＦＭのＦＭ座標を取得することにより、前記第１の欠陥マップを、前記ＦＭ座標を基準とする第１の欠陥座標を示す第２の欠陥マップに変換する工程と、を備える反射型マスクブランクの製造方法。

上記反射型マスクブランク及び第２の欠陥マップを提供されたユーザーは、ＦＭに基づいて、欠陥検査装置により特定した欠陥位置と、描画データとを高精度に照合することが可能となり、最終的に製造される反射型マスクにおいて欠陥を確実に低減させることができる。

以下、本発明のさらに具体的な実施例について説明する。
＜実施例１＞
ＳｉＯ_２－ＴｉＯ_２系のガラス基板（６インチ角、厚さが６．３５ｍｍ）を準備した。このガラス基板の端面を面取り加工、及び研削加工し、更に酸化セリウム砥粒を含む研磨液で粗研磨処理した。これらの処理を終えたガラス基板を両面研磨装置のキャリアにセットし、研磨液にコロイダルシリカ砥粒を含むアルカリ水溶液を用い、所定の研磨条件で精密研磨を行った。精密研磨終了後、ガラス基板に対し洗浄処理を行った。得られたガラス基板の主表面の表面粗さは、二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で、０．１０ｎｍ以下であった。得られたガラス基板の主表面の平坦度は、測定領域１３２ｍｍ×１３２ｍｍにおいて、３０ｎｍ以下であった。

上記のガラス基板の裏面に、以下の条件で、ＣｒＮからなる裏面導電膜をマグネトロンスパッタリング法により形成した。
（条件）：Ｃｒターゲット、Ａｒ＋Ｎ_２ガス雰囲気（Ａｒ：Ｎ_２＝９０％：１０％）、膜組成（Ｃｒ：９０原子％、Ｎ：１０原子％）、膜厚２０ｎｍ

ガラス基板の裏面導電膜が形成された側と反対側の主表面上に、Ｍｏ膜／Ｓｉ膜を周期的に積層することで多層反射膜を形成した。

具体的には、ＭｏターゲットとＳｉターゲットを使用し、イオンビームスパッタリング（Ａｒを使用）により、基板上に、Ｍｏ膜及びＳｉ膜を交互に積層した。Ｍｏ膜の厚みは、２．８ｎｍである。Ｓｉ膜の厚みは、４．２ｎｍである。１周期のＭｏ／Ｓｉ膜の厚みは、７．０ｎｍである。このようなＭｏ／Ｓｉ膜を、４０周期積層し、最後にＳｉ膜を４．０ｎｍの膜厚で成膜し、多層反射膜を形成した。

多層反射膜の上に、Ｒｕ化合物を含む保護膜を形成した。具体的には、ＲｕＮｂターゲット（Ｒｕ：８０原子％、Ｎｂ：２０原子％）を使用し、Ａｒガス雰囲気にて、ＤＣマグネトロンスパッタリングにより、多層反射膜の上に、ＲｕＮｂ膜からなる保護膜を形成した。保護膜の厚みは、２．５ｎｍであった。

保護膜の上に、レーザ加工によって、ＦＭを形成した。
レーザ加工の条件は、以下の通りであった。
レーザの種類：波長４０５ｎｍの半導体レーザ
レーザの出力：２０ｍＷ（連続波）
スポットサイズ：４３０ｎｍφ

ＦＭの形状及び寸法は、以下の通りであった。
形状：略十字型
深さＤ：４０ｎｍ
幅Ｗ１，Ｗ２：１μｍ
長さＬ：１ｍｍ

ＦＭは、８個形成した。
ＦＭの形成箇所は、図６に示す通りであり、132mm×132mmの有効領域（破線で示す領域）の外側であった。

欠陥検査装置（レーザーテック株式会社製、ABI）を用いて、多層反射膜付き基板における欠陥の第１の欠陥座標、及び、ＦＭの第１のＦＭ座標を取得した。欠陥の個数は、４個だった。

多層反射膜付き基板の保護膜の上に吸収体膜を形成し、反射型マスクブランクを製造した。具体的には、ＴａＢＮ（厚み５６ｎｍ）とＴａＢＯ（厚み１４ｎｍ）の積層膜からなる吸収体膜を、ＤＣマグネトロンスパッタリングにより形成した。ＴａＢＮ膜は、ＴａＢターゲットを使用し、ＡｒガスとＮ_２ガスの混合ガス雰囲気における反応性スパッタリングにより形成した。ＴａＢＯ膜は、ＴａＢターゲットを使用し、ＡｒガスとＯ_２ガスの混合ガス雰囲気における反応性スパッタリングにより形成した。積層膜には、ＦＭが転写された転写ＦＭが形成されていた。

座標計測器（ＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社製ＬＭＳ－ＩＰＲＯ４）を用いて、反射型マスクブランクにおける欠陥の第２の欠陥座標、及び、転写ＦＭの第２のＦＭ座標を取得した。

取得した第１のＦＭ座標、及び、第２のＦＭ座標を用いて、欠陥検査装置の第１の座標系から座標計測器の第２の座標系へ座標を変換するための変換係数を算出した。変換係数の算出には、上述のアフィン変換の式を用いた。

算出した変換係数を用いて、欠陥検査装置によって取得された第１の欠陥座標を、座標計測器の第２の座標系へ変換して第３の欠陥座標を取得した。

変換によって求められた第３の欠陥座標と、座標計測器によって取得された第２の欠陥座標との差を、Ｘ座標及びＹ座標それぞれについて求めた。すべての欠陥データについてこのような「差」（絶対値）を計算し、この「差」についての標準偏差σ、及び、３σを計算した。この結果、ＦＭが８個の場合の３σは、Ｘ座標が２４．２ｎｍ、Ｙ座標が２３．３ｎｍであり、いずれも５０ｎｍ未満であった。

また、ＦＭの個数を３～７の間で変化させて、上述のＦＭの個数が８個の場合と同様に、３σの値を計算した。ＦＭの個数が３～８の場合の３σの計算結果を、以下の表１、及び、図７のグラフに示す。

表１及び図７に示す通り、ＦＭの個数が４個以上の場合、３σがＸ座標及びＹ座標ともに５０ｎｍ未満であり、欠陥検査装置の第１の座標系から座標計測器の第２の座標系への変換精度が高かった。

上記で製造した反射型マスクブランクの吸収体膜上に、レジスト膜を形成した。電子線描画装置を用いて、レジスト膜にパターンを描画した。パターンを描画する際には、４個の転写ＦＭを欠陥座標の基準として使用した。パターンを描画した後、所定の現像処理を行い、吸収体膜上にレジストパターンを形成した。

レジストパターンをマスクとして、吸収体膜にパターンを形成した。具体的には、フッ素系ガス（ＣＦ_４ガス）により、上層のＴａＢＯ膜をドライエッチングした後、塩素系ガス（Ｃｌ_２ガス）により、下層のＴａＢＮ膜をドライエッチングした。

吸収体膜パターン上に残ったレジストパターンを、熱硫酸で除去することで、実施例１に係る反射型マスクが得られた。この得られたＥＵＶ反射型マスクについてマスク欠陥検査装置（ＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）により検査したところ、吸収体膜パターンの多層反射膜の露出領域に欠陥は確認されなかった。

＜実施例２＞
ＦＭの個数を８個から１６個に変更した以外は、上記実施例１と同様に、多層反射膜付き基板及び反射型マスクブランクを製造した。
ＦＭの形成箇所は、図９に示す通りであり、132mm×132mmの有効領域（破線で示す領域）の外側であった。

実施例１と同様にして３σを計算した。この結果、ＦＭが１６個の場合の３σは、Ｘ座標が１８．２ｎｍ、Ｙ座標が１８．０ｎｍであり、いずれも５０ｎｍ未満であった。

実施例１と同様に、転写ＦＭを基準とする欠陥の位置情報に基づき、電子線描画装置によって、レジスト膜にパターンを描画することにより、実施例２の反射型マスクを得た。この得られたＥＵＶ反射型マスクについてマスク欠陥検査装置（ＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）により検査したところ、吸収体膜パターンの多層反射膜の露出領域に欠陥は確認されなかった。

＜実施例３＞
実施例１の８個のＦＭが形成された多層反射膜付き基板及び反射型マスクブランクを別の多層反射膜付き基板及び別の反射型マスクブランクとして用いて、実施例３の多層反射膜付き基板及び反射型マスクブランクを作製した。
実施例１で求められたＦＭの個数と３σとの対応関係から、３σが３０ｎｍ未満となるＦＭの個数を算出し、ＦＭの個数を７個とした。
実施例１と同様にして、ガラス基板の裏面導電膜が形成された側と反対側の主表面上に多層反射膜及び保護膜を形成した。保護膜の上にレーザ加工によってＦＭを形成し、７個のＦＭを有する多層反射膜付き基板を作製した。
ＦＭの形状及び寸法は、以下の通りであった。
形状：略十字型
深さＤ：４０ｎｍ
幅Ｗ１，Ｗ２：１μｍ
長さＬ：１ｍ

実施例１と同様にして、欠陥検査装置（レーザーテック株式会社製、ABI）を用いて、多層反射膜付き基板における欠陥の第１の欠陥座標、及び、ＦＭの第１のＦＭ座標を取得し、第１のＦＭ座標に対する第１の欠陥座標を示す欠陥マップを得た。欠陥の個数は、５個だった。

実施例１と同様にして、保護膜の上に転写ＦＭが形成された積層膜を成膜し、反射型マスクブランクを作製した。転写ＦＭの深さＤ’の、ＦＭの深さＤからのずれΔＤは、ほぼ０であった。転写ＦＭの幅Ｗ１’，Ｗ２’の、ＦＭの幅Ｗ１，Ｗ２からのずれΔＷ１、ΔＷ２は、各々７％であった。転写ＦＭの長さＬ’の、ＦＭの長さＬからのずれΔＬは、０．１％であった。

座標計測器（ＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社製ＬＭＳ－ＩＰＲＯ４）を用いて、反射型マスクブランクにおける欠陥の第２の欠陥座標、及び、転写ＦＭの第２のＦＭ座標を取得した。実施例１と同様にして、第１の欠陥座標を、座標計測器の第２の座標系に変換し、変換によって求められた第３の欠陥座標と、座標計測器によって取得された第２の欠陥座標との差を、Ｘ座標及びＹ座標それぞれについて求めた。この結果、３σは３０ｎｍ未満を満たしていた。

上記で製造した反射型マスクブランクを用いて、実施例１と同様にして反射型マスクを作製した。この得られた反射型マスクについて、マスク欠陥検査装置（ＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）により検査したところ、吸収体膜パターンの多層反射膜の露出領域に欠陥は確認されなかった。

＜実施例４＞
上述の図８の結果に基づいて、３σが２０ｎｍ未満となるＡＭの個数として２８個を算出し、実施例４の多層反射膜付き基板及び反射型マスクブランクを作製した。
実施例１と同様にして、ガラス基板の裏面導電膜が形成された側と反対側の主表面上に多層反射膜及び保護膜を形成した。

保護膜の上に、レーザ加工によって、ＡＭを形成した。
レーザ加工の条件は、以下の通りであった。
レーザの種類：波長４０５ｎｍの半導体レーザ
レーザの出力：２０ｍＷ（連続波）
スポットサイズ：４３０ｎｍφ

ＡＭの形状及び寸法は、以下の通りであった。
形状：略円形
深さ：４０ｎｍ
直径：０．９μｍ

ＡＭは、２８個形成した。
ＡＭの形成箇所は、図１０に示す通りであり、132mm×132mmの有効領域（破線で示す領域）の外側であった。

欠陥検査装置（レーザーテック株式会社製、ABI）を用いて、多層反射膜付き基板における欠陥の第１の欠陥座標、及び、２８個のＡＭの第１のＡＭ座標を取得した。

多層反射膜付き基板の保護膜の上に吸収体膜を形成し、反射型マスクブランクを製造した。具体的には、ＴａＢＮ（厚み５６ｎｍ）とＴａＢＯ（厚み１４ｎｍ）の積層膜からなる吸収体膜を、ＤＣマグネトロンスパッタリングにより形成した。ＴａＢＮ膜は、ＴａＢターゲットを使用し、ＡｒガスとＮ_２ガスの混合ガス雰囲気における反応性スパッタリングにより形成した。ＴａＢＯ膜は、ＴａＢターゲットを使用し、ＡｒガスとＯ_２ガスの混合ガス雰囲気における反応性スパッタリングにより形成した。吸収体膜（積層膜）には、ＡＭが転写された２８個の転写ＡＭが形成されていた。転写ＡＭの深さＤ’の、ＡＭの深さＤからのずれΔＤは、ほぼ０であった。転写ＡＭの直径の、ＡＭの直径からのずれは、６％であった。

吸収体膜の表面に、ＦＩＢ加工によって、ＦＭを形成した。
ＦＩＢ加工の条件は、以下の通りであった。
加速電圧：５０ｋＶ
ビーム電流値：２０ｐＡ

ＦＭの形状及び寸法は、以下の通りであった。
形状：略十字型
深さＤ：７０ｎｍ
幅Ｗ１，Ｗ２：５μｍ
長さＬ：１ｍｍ

ＦＭは、４個形成した。
ＦＭの形成箇所は、図１０に示す通りであり、132mm×132mmの有効領域（破線で示す領域）の外側であった。

座標計測器（ＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社製ＬＭＳ－ＩＰＲＯ４）を用いて、反射型マスクブランクにおける欠陥の第２の欠陥座標、及び、２８個の転写ＡＭの第２のＡＭ座標を取得した。

取得したＡＭの第１のＡＭ座標、及び、転写ＡＭの第２のＡＭ座標を用いて、欠陥検査装置の第１の座標系から座標計測器の第２の座標系へ座標を変換するための変換係数を算出した。変換係数の算出には、上述のアフィン変換の式を用いた。

算出した変換係数を用いて、欠陥検査装置によって取得された第１の欠陥座標を、座標計測器の第２の座標系へ変換し、第３の欠陥座標を取得した。

変換によって求められた第３の欠陥座標と、座標計測器によって取得された第２の欠陥座標との差を、Ｘ座標及びＹ座標それぞれについて求めた。すべての欠陥データについてこのような「差」（絶対値）を計算し、この「差」についての標準偏差σ、及び、３σを計算した。この結果、ＡＭの個数が２８個の場合の３σは、Ｘ座標が１４．９ｎｍ、Ｙ座標が１４．１ｎｍであり、いずれも５０ｎｍ未満であった。

上記で製造した反射型マスクブランクの吸収体膜上に、レジスト膜を形成した。電子線描画装置を用いて、レジスト膜にパターンを描画した。パターンを描画する際には、ＦＭを欠陥座標の基準として使用した。具体的には、転写ＡＭとＦＭの相対的な位置関係を、座標計測器によって取得した。この位置関係を用いて、ＡＭを基準とする欠陥の位置情報を、ＦＭを基準とする欠陥の位置情報に変換した。ＦＭを基準とする欠陥の位置情報に基づき、電子線描画装置によって、レジスト膜にパターンを描画した。

レジストパターンをマスクとして、吸収体膜にパターンを形成した。具体的には、フッ素系ガス（ＣＦ_４ガス）により、上層のＴａＢＯ膜をドライエッチングした後、塩素系ガス（Ｃｌ_２ガス）により、下層のＴａＢＮ膜をドライエッチングした。

吸収体膜パターン上に残ったレジストパターンを、熱硫酸で除去することで、実施例４に係る反射型マスクが得られた。この得られたＥＵＶ反射型マスクについてマスク欠陥検査装置（ＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）により検査したところ、吸収体膜パターンの多層反射膜の露出領域に欠陥は確認されなかった。

＜比較例１＞
ＦＭの個数を８個から３個に変更した以外は、上記実施例１と同様に、多層反射膜付き基板及び反射型マスクブランクを製造した。
ＦＭの形成箇所は、図１１に示す通りであり、132mm×132mmの有効領域（破線で示す領域）の外側であった。

実施例１と同様にして、３σを計算した。この結果、ＦＭが３個の場合の３σは、Ｘ座標が６２．７ｎｍ、Ｙ座標が５７．３ｎｍであり、いずれも５０ｎｍ以上であった。

実施例１と同様に、転写ＦＭを基準とする欠陥の位置情報に基づき、電子線描画装置によって、レジスト膜にパターンを描画することにより、比較例１の反射型マスクを得た。この得られたＥＵＶ反射型マスクについてマスク欠陥検査装置（ＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）により検査したところ、座標変換の精度が悪いため、吸収体膜パターンの下に欠陥を隠すことができず、多層反射膜の露出領域に欠陥が確認された。

１０ 多層反射膜付き基板
１２ 基板
１４ 多層反射膜
１８ 保護膜
２０ 基準マーク
２８ 積層膜
３０ 反射型マスクブランク
４０ 反射型マスク
５０ パターン転写装置
５６ 半導体基板

Claims (3)

1. 基板及び該基板上に形成されたＥＵＶ光を反射する多層反射膜を有する多層反射膜付き基板と、該多層反射膜付き基板上に形成された積層膜とを有する反射型マスクブランクの製造方法であって、
   前記多層反射膜付き基板は、該多層反射膜付き基板における欠陥の位置の基準となる基準マークを備えており、
   前記積層膜は、前記基準マークが転写された転写基準マークを備えており、
   前記基準マークの個数Ｎは、以下の手順（１）～（７）によって予め求められた個数であることを特徴とする、反射型マスクブランクの製造方法。
   （１）第１の座標系を有する欠陥検査装置によって、複数の基準マークを有する別の多層反射膜付き基板における欠陥の第１の欠陥座標、及び、基準マークの第１の基準マーク座標を取得する。
   （２）第２の座標系を有する座標計測器によって、前記別の多層反射膜付き基板上に形成された積層膜を有する反射型マスクブランクにおける欠陥の第２の欠陥座標、及び、転写基準マークの第２の基準マーク座標を取得する。
   （３）前記第１の基準マーク座標及び前記第２の基準マーク座標に基づいて、前記第１の座標系から前記第２の座標系へ座標を変換するための変換係数を算出する。
   （４）上記（３）で算出された変換係数を用いて、上記（１）において前記欠陥検査装置によって取得された前記第１の欠陥座標を、前記第２の座標系を基準とした第３の欠陥座標へ変換する。
   （５）上記（２）において前記座標計測器によって取得された前記第２の欠陥座標と、上記（４）で変換された第３の欠陥座標との間の差について、σを標準偏差として、３σの値を求める。
   （６）基準マークの個数と３σとの対応関係を取得する。
   （７）３σの値が、５０ｎｍ未満となる基準マークの個数を決定する。
2. 前記基準マークの個数Ｎは、９個以上１００個以下である、請求項１に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
3. 前記積層膜は、ＥＵＶ光を吸収する吸収体膜を含む、請求項１または請求項２に記載の反射型マスクブランクの製造方法。