JP6561099B2 - 多層反射膜付き基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法及び反射型マスクの製造方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 186
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 63
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 336
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 116
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 95
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 77
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 47
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 14
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 319
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 40
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 39
- 239000000463 material Substances 0.000 description 38
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 37
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 30
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 17
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 16
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 14
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 12
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 12
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 11
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 9
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 6
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 5
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004535 TaBN Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 3
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- -1 molybdenum silicide compound Chemical class 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910021350 transition metal silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- ITWBWJFEJCHKSN-UHFFFAOYSA-N 1,4,7-triazonane Chemical compound C1CNCCNCCN1 ITWBWJFEJCHKSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003071 TaON Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 description 1
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 150000003304 ruthenium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
本発明は、半導体装置等の製造に用いられる多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、マスクブランク及びマスク、多層反射膜付き基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、並びにマスクブランクの製造方法に関する。
一般に、半導体装置の製造工程では、フォトリソグラフィ法を用いて微細パターンの形成が行われている。また、この微細パターンの形成には通常何枚ものフォトマスクと呼ばれている転写用マスクが使用される。この転写用マスクは、一般に透光性のガラス基板上に、金属薄膜等からなる微細パターンを設けたものであり、この転写用マスクの製造においてもフォトリソグラフィ法が用いられている。
フォトリソグラフィ法による転写用マスクの製造には、ガラス基板等の透光性基板上に転写パターン（マスクパターン）を形成するための薄膜（例えば遮光膜など）を有するマスクブランクが用いられる。このマスクブランクを用いた転写用マスクの製造は、マスクブランク上に形成されたレジスト膜に対し、所望のパターン描画を施す描画工程と、描画後、前記レジスト膜を現像して所望のレジストパターンを形成する現像工程と、このレジストパターンをマスクとして前記薄膜をエッチングするエッチング工程と、残存するレジストパターンを剥離除去する工程とを有して行われている。上記現像工程では、マスクブランク上に形成されたレジスト膜に対し所望のパターン描画を施した後に現像液を供給して、現像液に可溶なレジスト膜の部位を溶解し、レジストパターンを形成する。また、上記エッチング工程では、このレジストパターンをマスクとして、ドライエッチング又はウェットエッチングによって、レジストパターンの形成されていない薄膜が露出した部位を除去し、これにより所望のマスクパターンを透光性基板上に形成する。こうして、転写用マスクが出来上がる。
また、転写用マスクの種類としては、従来の透光性基板上にクロム系材料からなる遮光膜パターンを有するバイナリ型マスクのほかに、位相シフト型マスクが知られている。この位相シフト型マスクは、透光性基板上に位相シフト膜を有する構造のもので、この位相シフト膜は、所定の位相差を有するものであり、例えばモリブデンシリサイド化合物を含む材料等が用いられる。また、モリブデン等の金属のシリサイド化合物を含む材料を遮光膜として用いるバイナリ型マスクも用いられるようになってきている。
また、近年、半導体産業において、半導体デバイスの高集積化に伴い、従来の紫外光を用いたフォトリソグラフィ法の転写限界を上回る微細パターンが必要とされてきている。このような微細パターン形成を可能とするため、極紫外（Extreme Ultra Violet：以下、「EUV」と呼ぶ。）光を用いた露光技術であるEUVリソグラフィが有望視されている。ここで、EUV光とは、軟X線領域又は真空紫外線領域の波長帯の光を指し、具体的には波長が０．２〜１００ｎｍ程度の光のことである。このEUVリソグラフィにおいて用いられるマスクとして反射型マスクが提案されている。このような反射型マスクは、基板上に露光光を反射する多層反射膜が形成され、該多層反射膜上に露光光を吸収する吸収体膜がパターン状に形成されたものである。
以上のように、リソグラフィ工程での微細化に対する要求が高まることにより、そのリソグラフィ工程での課題が顕著になりつつある。その１つが、リソグラフィ工程で用いられるマスクブランク用基板等の欠陥情報に関する問題である。
従来は、ブランクス検査等において、基板の欠陥の存在位置を、基板センターを原点(0,0)とし、その位置からの距離で特定していた。このため、位置精度が低く、装置間でも検出のばらつきがあり、パターン描画時に、欠陥を避けてパターン形成用薄膜にパターニングする場合でもμｍオーダーでの回避は困難であった。このため、パターンを転写する方向を変えたり、転写する位置をｍｍオーダーでラフにずらして欠陥を回避していた。
従来は、ブランクス検査等において、基板の欠陥の存在位置を、基板センターを原点(0,0)とし、その位置からの距離で特定していた。このため、位置精度が低く、装置間でも検出のばらつきがあり、パターン描画時に、欠陥を避けてパターン形成用薄膜にパターニングする場合でもμｍオーダーでの回避は困難であった。このため、パターンを転写する方向を変えたり、転写する位置をｍｍオーダーでラフにずらして欠陥を回避していた。
このような状況下、欠陥位置の検査精度を上げることを目的に、例えばマスクブランク用基板に基準マークを形成し、これを基準位置として欠陥の位置を特定する提案がなされている。
特許文献１には、球相当直径で３０ｎｍ程度の微小な欠陥の位置を正確に特定できるように、EUVリソグラフィ用反射型マスクブランク用基板の成膜面に、大きさが球相当直径で３０〜１００ｎｍの少なくとも３つのマークを形成することが開示されている。
特許文献１には、球相当直径で３０ｎｍ程度の微小な欠陥の位置を正確に特定できるように、EUVリソグラフィ用反射型マスクブランク用基板の成膜面に、大きさが球相当直径で３０〜１００ｎｍの少なくとも３つのマークを形成することが開示されている。
上記特許文献１に開示されている方法によりマスクブランクの欠陥位置の検査精度を上げることは理論的には可能である。しかし、マークの大きさが球相当直径で３０〜１００ｎｍと小さいため、例えば、通常使用されている欠陥検査装置等では検出し難く、また検出の再現性が悪いという問題があり、欠陥の位置を特定するための基準位置の決定が困難である。特許文献１には、上記マークの周囲に、該マークを識別するための補助マークを形成することが開示されているが、この補助マークを用いて上記マークが形成されている位置を大まかに特定することができたとしても、検出精度の極めて高い特別な検査装置を用いないと上記マーク自体の存在を容易に認識できないため、正確な基準点の特定が困難である。
また最近では、マスクブランクの欠陥データとデバイスパターンデータとを元に、欠陥が存在している箇所に吸収体パターンが形成されるように描画データを補正して、欠陥を軽減させる試み（Ｄｅｆｅｃｔ ｍｉｔｉｇａｔｉｏｎ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）が提案されている。上述の技術を実現するためには、多層反射膜上に吸収体膜が形成され、さらに吸収体パターンを形成するためのレジスト膜が形成されたレジスト膜付きマスクブランクの状態で、電子線描画機においても電子線で基準マークを検出し、検出した基準点に基づいて、補正・修正した描画データを元に電子線描画が行われるが、基準マークについても、電子線走査に対して一定のコントラストが必要で、上記特許文献１に開示されている大きさのマークでは、電子線走査に対するコントラストが十分に得られないという問題がある。
また最近では、マスクブランクの欠陥データとデバイスパターンデータとを元に、欠陥が存在している箇所に吸収体パターンが形成されるように描画データを補正して、欠陥を軽減させる試み（Ｄｅｆｅｃｔ ｍｉｔｉｇａｔｉｏｎ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）が提案されている。上述の技術を実現するためには、多層反射膜上に吸収体膜が形成され、さらに吸収体パターンを形成するためのレジスト膜が形成されたレジスト膜付きマスクブランクの状態で、電子線描画機においても電子線で基準マークを検出し、検出した基準点に基づいて、補正・修正した描画データを元に電子線描画が行われるが、基準マークについても、電子線走査に対して一定のコントラストが必要で、上記特許文献１に開示されている大きさのマークでは、電子線走査に対するコントラストが十分に得られないという問題がある。
マスクブランク用基板等に基準マークを形成し、この基準マークと欠陥の相対位置を高い精度で管理（座標管理）するためには、基準マークが検出し易く、換言すれば確実に検出することができ、しかも基準マークを元にした欠陥検出位置のばらつきが小さい（例えば、上述のＤｅｆｅｃｔ ｍｉｔｉｇａｔｉｏｎ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙを実現するには、基準マークを基準点にした時の欠陥検出位置のばらつきを１００ｎｍ以下にする）ことが要求されるが、上記特許文献１等で開示されている従来技術では、このような要求を満たすのには未だ不十分である。
そこで本発明は、このような従来の問題に鑑みなされたものであり、その目的とするところは、第一に、欠陥の座標管理を高精度で行うための基準マークを形成した多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及びマスクブランクを提供することであり、第二に、これらマスクブランク等を使用し、欠陥を低減させた反射型マスク及びマスクを提供することであり、第三に、エッジ基準で基準マークを形成したり、或いは基準マークの形成後、座標計測器で基準マーク形成位置を特定した多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及びマスクブランクと、これらの基準マークの形成位置情報とを対応付けした多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及びマスクブランクの製造方法を提供することである。
本発明者は、上記課題を解決するため、特に基準マークの大きさと形状に着目し、鋭意検討した結果、形状が点対称の形状であって、大きさが特定範囲のメインマークと、該メインマークの周囲に配置された補助マークとから構成される基準マークを形成することにより、装置に関わらず、電子線描画機、光学式の欠陥検査装置のいずれでも基準マークを確実に検出でき、しかも電子線、欠陥検査光の走査によって決定される欠陥位置の基準点のずれを小さくすることができるので、基準マークを元に検査した欠陥検出位置のばらつきを１００ｎｍ以下に抑えることが可能であることを見出した。また、エッジ基準で基準マークを形成したり、基準マークを任意の位置に形成後、座標計測器で基準マーク形成位置を特定することにより、基準マークのサイズをより小さくすることが可能であり、その場合、基準マークをメインマークのみとすることが可能であることも見出した。
本発明者は、以上の解明事実に基づき、さらに鋭意研究を続けた結果、本発明を完成したものである。
すなわち、上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。
（構成１）
基板上にEUV光を反射する多層反射膜が形成されている多層反射膜付き基板であって、該多層反射膜付き基板に、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、前記基準マークは、前記欠陥位置の基準点を決定するためのメインマークを有し、前記メインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有することを特徴とする多層反射膜付き基板。
すなわち、上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。
（構成１）
基板上にEUV光を反射する多層反射膜が形成されている多層反射膜付き基板であって、該多層反射膜付き基板に、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、前記基準マークは、前記欠陥位置の基準点を決定するためのメインマークを有し、前記メインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有することを特徴とする多層反射膜付き基板。
構成１にあるように、本発明に係る多層反射膜付き基板は、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、この基準マークは、前記欠陥位置の基準点を決定するためのメインマークを有している。そして、このメインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有するものとなっている。このように構成された基準マークは、電子線描画機、光学式あるいはEUV光、電子線の欠陥検査装置のいずれでも容易に検出でき、言い換えれば確実に検出することができる。しかも、点対称の形状をしているので、電子線、欠陥検査光の走査によって決定される基準点のずれを小さくすることができる。また、エッジ基準で基準マークを形成したり、基準マークを任意の位置に形成後、座標計測器で基準マーク形成位置を特定することにより、基準マークのサイズをより小さくすることが可能であり、その場合、基準マークをメインマークのみとすることが可能である。このように基準マークのサイズを小さくできると、基準マークの形成手段として例えばＦＩＢ（集束イオンビーム）を使用した場合、加工時間が短縮でき、また基準マークの検出時間についても短縮できる。従って、基準マークを元に検査した欠陥検出位置のばらつきが小さい。また、これによって、欠陥検査においては、欠陥位置の基準点を決定し、欠陥位置（基準点と欠陥の相対位置）情報を含む精度の良い欠陥情報（欠陥マップ）を取得することができる。さらに、マスクの製造においては、この欠陥情報に基づいて、予め設計しておいた描画データ（マスクパターンデータ）と照合し、欠陥による影響が低減するように描画データを高い精度で修正（補正）することが可能になり、その結果として、最終的に製造される反射型マスクにおいて欠陥を低減させることができる。
（構成２）
基板上にEUV光を反射する多層反射膜が形成されている多層反射膜付き基板であって、該多層反射膜付き基板に、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、前記基準マークは、前記欠陥位置の基準点を決定するためのメインマークと、該メインマークの周囲に配置された補助マークとから構成され、前記メインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有することを特徴とする多層反射膜付き基板。
基板上にEUV光を反射する多層反射膜が形成されている多層反射膜付き基板であって、該多層反射膜付き基板に、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、前記基準マークは、前記欠陥位置の基準点を決定するためのメインマークと、該メインマークの周囲に配置された補助マークとから構成され、前記メインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有することを特徴とする多層反射膜付き基板。
構成２にあるように、本発明に係る多層反射膜付き基板は、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、この基準マークは、前記欠陥位置の基準点を決定するためのメインマークと、該メインマークの周囲に配置された補助マークとから構成されている。そして、このメインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有するものとなっている。このように構成された基準マークは、電子線描画機、光学式の欠陥検査装置のいずれでも容易に検出でき、言い換えれば確実に検出することができる。しかも、点対称の形状をしているので、電子線、欠陥検査光の走査によって決定される基準点のずれを小さくすることができる。従って、基準マークを元に検査した欠陥検出位置のばらつきが小さい。これによって、欠陥検査においては、欠陥位置の基準点を決定し、欠陥位置（基準点と欠陥の相対位置）情報を含む精度の良い欠陥情報（欠陥マップ）を取得することができる。さらに、マスクの製造においては、この欠陥情報に基づいて、予め設計しておいた描画データ（マスクパターンデータ）と照合し、欠陥による影響が低減するように描画データを高い精度で修正（補正）することが可能になり、その結果として、最終的に製造される反射型マスクにおいて欠陥を低減させることができる。
（構成３）
前記メインマークは、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して垂直で且つ平行な辺を少なくとも２組有する多角形状であることを特徴とする構成１又は２に記載の多層反射膜付き基板。
構成３にあるように、前記メインマークは、電子線描画機又は欠陥検査光の走査方向に対して垂直で且つ平行な辺を少なくとも２組有する多角形状（例えば、四角形状、八角形状等）であることにより、電子線描画機、欠陥検査装置による検出の容易性（確実性）を向上させ、また、欠陥検出位置のばらつきを更に抑えることができる。
前記メインマークは、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して垂直で且つ平行な辺を少なくとも２組有する多角形状であることを特徴とする構成１又は２に記載の多層反射膜付き基板。
構成３にあるように、前記メインマークは、電子線描画機又は欠陥検査光の走査方向に対して垂直で且つ平行な辺を少なくとも２組有する多角形状（例えば、四角形状、八角形状等）であることにより、電子線描画機、欠陥検査装置による検出の容易性（確実性）を向上させ、また、欠陥検出位置のばらつきを更に抑えることができる。
（構成４）
前記補助マークは、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して垂直な長辺と平行な短辺を有する矩形状であることを特徴とする構成１乃至３のいずれかに記載の多層反射膜付き基板。
構成４にあるように、前記補助マークは、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して垂直な長辺と平行な短辺を有する矩形状であることにより、電子線描画機、欠陥検査装置の走査により確実に検出できるため、メインマークの位置を容易に特定することができる。
前記補助マークは、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して垂直な長辺と平行な短辺を有する矩形状であることを特徴とする構成１乃至３のいずれかに記載の多層反射膜付き基板。
構成４にあるように、前記補助マークは、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して垂直な長辺と平行な短辺を有する矩形状であることにより、電子線描画機、欠陥検査装置の走査により確実に検出できるため、メインマークの位置を容易に特定することができる。
（構成５）
前記基準マークは、前記多層反射膜に形成されていることを特徴とする構成１乃至４のいずれかに記載の多層反射膜付き基板。
構成５にあるように、前記基準マークを多層反射膜付き基板における多層反射膜に形成することにより、多層反射膜成膜後の欠陥検査において、電子線、及び欠陥検査光の走査で基準マークを検出し易くなる。また、描画データの補正・修正等によっても回避できない欠陥が発見された多層反射膜付き基板を廃棄せずに、多層反射膜を剥離除去してガラス基板を再生（再利用）することも可能である。
前記基準マークは、前記多層反射膜に形成されていることを特徴とする構成１乃至４のいずれかに記載の多層反射膜付き基板。
構成５にあるように、前記基準マークを多層反射膜付き基板における多層反射膜に形成することにより、多層反射膜成膜後の欠陥検査において、電子線、及び欠陥検査光の走査で基準マークを検出し易くなる。また、描画データの補正・修正等によっても回避できない欠陥が発見された多層反射膜付き基板を廃棄せずに、多層反射膜を剥離除去してガラス基板を再生（再利用）することも可能である。
（構成６）
構成１乃至５のいずれかに記載の多層反射膜付き基板における前記多層反射膜上に、EUV光を吸収する吸収体膜が形成されていることを特徴とする反射型マスクブランク。
上記構成の多層反射膜付き基板における多層反射膜上に、転写パターンとなるEUV光を吸収する吸収体膜が形成されていることにより、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されている反射型マスクブランクが得られる。
構成１乃至５のいずれかに記載の多層反射膜付き基板における前記多層反射膜上に、EUV光を吸収する吸収体膜が形成されていることを特徴とする反射型マスクブランク。
上記構成の多層反射膜付き基板における多層反射膜上に、転写パターンとなるEUV光を吸収する吸収体膜が形成されていることにより、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されている反射型マスクブランクが得られる。
（構成７）
基板上にEUV光を反射する多層反射膜と、前記多層反射膜上に、EUV光を吸収する吸収体膜が形成されている反射型マスクブランクであって、該反射型マスクブランクに、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、前記基準マークは、前記欠陥位置の基準点を決定するためのメインマークを有し、前記メインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有することを特徴とする反射型マスクブランク。
構成７にあるように、本発明に係る反射型マスクブランクは、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが吸収体膜に形成されており、この基準マークは、前記欠陥位置の基準点を決定するためのメインマークを有している。そして、このメインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有するものとなっている。このように構成された基準マークは、電子線描画機、光学式あるいはEUV光、電子線の欠陥検査装置のいずれでも容易に検出でき、言い換えれば確実に検出することができる。しかも、点対称の形状をしているので、電子線、欠陥検査光の走査によって決定される基準点のずれを小さくすることができる。また、エッジ基準で基準マークを形成したり、基準マークを任意の位置に形成後、座標計測器で基準マーク形成位置を特定することにより、基準マークのサイズをより小さくすることが可能であり、その場合、基準マークをメインマークのみとすることが可能である。このように基準マークのサイズを小さくできると、基準マークの形成手段として例えばＦＩＢ（集束イオンビーム）を使用した場合、加工時間が短縮でき、また基準マークの検出時間についても短縮できる。従って、基準マークを元に検査した欠陥検出位置のばらつきが小さい。また、これによって、欠陥検査においては、欠陥位置の基準点を決定し、欠陥位置（基準点と欠陥の相対位置）情報を含む精度の良い欠陥情報（欠陥マップ）を取得することができる。さらに、マスクの製造においては、この欠陥情報に基づいて、予め設計しておいた描画データ（マスクパターンデータ）と照合し、欠陥による影響が低減するように描画データを高い精度で修正（補正）することが可能になり、その結果として、最終的に製造される反射型マスクにおいて欠陥を低減させることができる。
基板上にEUV光を反射する多層反射膜と、前記多層反射膜上に、EUV光を吸収する吸収体膜が形成されている反射型マスクブランクであって、該反射型マスクブランクに、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、前記基準マークは、前記欠陥位置の基準点を決定するためのメインマークを有し、前記メインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有することを特徴とする反射型マスクブランク。
構成７にあるように、本発明に係る反射型マスクブランクは、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが吸収体膜に形成されており、この基準マークは、前記欠陥位置の基準点を決定するためのメインマークを有している。そして、このメインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有するものとなっている。このように構成された基準マークは、電子線描画機、光学式あるいはEUV光、電子線の欠陥検査装置のいずれでも容易に検出でき、言い換えれば確実に検出することができる。しかも、点対称の形状をしているので、電子線、欠陥検査光の走査によって決定される基準点のずれを小さくすることができる。また、エッジ基準で基準マークを形成したり、基準マークを任意の位置に形成後、座標計測器で基準マーク形成位置を特定することにより、基準マークのサイズをより小さくすることが可能であり、その場合、基準マークをメインマークのみとすることが可能である。このように基準マークのサイズを小さくできると、基準マークの形成手段として例えばＦＩＢ（集束イオンビーム）を使用した場合、加工時間が短縮でき、また基準マークの検出時間についても短縮できる。従って、基準マークを元に検査した欠陥検出位置のばらつきが小さい。また、これによって、欠陥検査においては、欠陥位置の基準点を決定し、欠陥位置（基準点と欠陥の相対位置）情報を含む精度の良い欠陥情報（欠陥マップ）を取得することができる。さらに、マスクの製造においては、この欠陥情報に基づいて、予め設計しておいた描画データ（マスクパターンデータ）と照合し、欠陥による影響が低減するように描画データを高い精度で修正（補正）することが可能になり、その結果として、最終的に製造される反射型マスクにおいて欠陥を低減させることができる。
（構成８）
前記基準マークは、前記吸収体膜に形成されていることを特徴とする構成７記載の反射型マスクブランク。
構成８にあるように、前記吸収体膜に基準マークを形成する過程で、多層反射膜への欠陥発生のリスクが少ないこと、反射型マスクを作成する際には吸収体膜パターンとして加工する材料なので、ＦＩＢやエッチングで加工がしやすいこと、多層反射膜の膜厚に比べて吸収体膜の膜厚は薄いので、加工時間が短縮できること、等の利点を有するので好ましい。
（構成９）
前記基準マークは、前記メインマークと、該メインマークの周囲に配置された補助マークとから構成されていることを特徴とする構成７又は８記載の反射型マスクブランク。
構成９にあるように、基準マークは、メインマークと該メインマークの周囲に配置された補助マークとから構成されているので、電子描画機、光学式あるいはＥＵＶ光、電子線の欠陥検査装置でメインマークを検出しやすくなる。
前記基準マークは、前記吸収体膜に形成されていることを特徴とする構成７記載の反射型マスクブランク。
構成８にあるように、前記吸収体膜に基準マークを形成する過程で、多層反射膜への欠陥発生のリスクが少ないこと、反射型マスクを作成する際には吸収体膜パターンとして加工する材料なので、ＦＩＢやエッチングで加工がしやすいこと、多層反射膜の膜厚に比べて吸収体膜の膜厚は薄いので、加工時間が短縮できること、等の利点を有するので好ましい。
（構成９）
前記基準マークは、前記メインマークと、該メインマークの周囲に配置された補助マークとから構成されていることを特徴とする構成７又は８記載の反射型マスクブランク。
構成９にあるように、基準マークは、メインマークと該メインマークの周囲に配置された補助マークとから構成されているので、電子描画機、光学式あるいはＥＵＶ光、電子線の欠陥検査装置でメインマークを検出しやすくなる。
（構成１０）
前記メインマークは、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して垂直で且つ平行な辺を少なくとも２組有する多角形状であることを特徴とする構成７乃至９のいずれかに記載の反射型マスクブランク。
構成１０にあるように、前記メインマークは、電子線描画機又は欠陥検査光の走査方向に対して垂直で且つ平行な辺を少なくとも２組有する多角形状（例えば、四角形状、八角形状等）であることにより、電子線描画機、欠陥検査装置による検出の容易性（確実性）を向上させ、また、欠陥検出位置のばらつきを更に抑えることができる。
前記メインマークは、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して垂直で且つ平行な辺を少なくとも２組有する多角形状であることを特徴とする構成７乃至９のいずれかに記載の反射型マスクブランク。
構成１０にあるように、前記メインマークは、電子線描画機又は欠陥検査光の走査方向に対して垂直で且つ平行な辺を少なくとも２組有する多角形状（例えば、四角形状、八角形状等）であることにより、電子線描画機、欠陥検査装置による検出の容易性（確実性）を向上させ、また、欠陥検出位置のばらつきを更に抑えることができる。
（構成１１）
前記補助マークは、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して垂直な長辺と平行な短辺を有する矩形状であることを特徴とする構成９記載の反射型マスクブランク。
構成１１にあるように、前記補助マークは、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して垂直な長辺と平行な短辺を有する矩形状であることにより、電子線描画機、欠陥検査装置の走査により確実に検出できるため、メインマークの位置を容易に特定することができる。
（構成１２）
構成６乃至１１のいずれかに記載の反射型マスクブランクにおける前記吸収体膜がパターニングされていることを特徴とする反射型マスク。
上記構成の反射型マスクブランクにおける吸収体膜がパターニングされて得られる反射型マスクは、多層反射膜付き基板又は反射型マスクブランクにおける欠陥情報に基づく描画データの補正・修正によって、欠陥を低減させたものが得られる。
前記補助マークは、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して垂直な長辺と平行な短辺を有する矩形状であることを特徴とする構成９記載の反射型マスクブランク。
構成１１にあるように、前記補助マークは、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して垂直な長辺と平行な短辺を有する矩形状であることにより、電子線描画機、欠陥検査装置の走査により確実に検出できるため、メインマークの位置を容易に特定することができる。
（構成１２）
構成６乃至１１のいずれかに記載の反射型マスクブランクにおける前記吸収体膜がパターニングされていることを特徴とする反射型マスク。
上記構成の反射型マスクブランクにおける吸収体膜がパターニングされて得られる反射型マスクは、多層反射膜付き基板又は反射型マスクブランクにおける欠陥情報に基づく描画データの補正・修正によって、欠陥を低減させたものが得られる。
（構成１３）
基板上に転写パターンとなる薄膜が形成されているマスクブランクであって、該マスクブランクに、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、前記基準マークは、前記欠陥位置の基準点を決定するためのメインマークを有し、前記メインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有することを特徴とするマスクブランク。
基板上に転写パターンとなる薄膜が形成されているマスクブランクであって、該マスクブランクに、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、前記基準マークは、前記欠陥位置の基準点を決定するためのメインマークを有し、前記メインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有することを特徴とするマスクブランク。
構成１３にあるように、本発明に係るマスクブランクは、上記構成１と同様、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、この基準マークは、前記欠陥位置の基準点を決定するためのメインマークを有している。そして、このメインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有するものとなっている。このように構成された基準マークは、電子線描画機、光学式あるいはEUV光、電子線の欠陥検査装置のいずれでも容易に検出でき、言い換えれば確実に検出することができる。しかも、点対称の形状をしているので、電子線、又は欠陥検査光の走査によって決定される欠陥位置の基準点のずれを小さくすることができる。また、エッジ基準で基準マークを形成したり、基準マークを任意の位置に形成後、座標計測器で基準マーク形成位置を特定することにより、基準マークのサイズをより小さくすることが可能であり、その場合、基準マークをメインマークのみとすることが可能である。このように基準マークのサイズを小さくできると、基準マークの形成手段として例えばＦＩＢ（集束イオンビーム）を使用した場合、加工時間が短縮でき、また基準マークの検出時間についても短縮できる。従って、基準マークを元に検査した欠陥検出位置のばらつきが小さい。これによって、欠陥検査においては、欠陥位置の基準点を決定し、欠陥位置（基準点と欠陥の相対位置）情報を含む精度の良い欠陥情報（欠陥マップ）を取得することができる。さらに、マスクの製造においては、この欠陥情報に基づいて、予め設計しておいた描画データ（マスクパターンデータ）と照合し、欠陥による影響が低減するように描画データを高い精度で修正（補正）することが可能になり、その結果として、最終的に製造されるマスクにおいて欠陥を低減させることができる。
（構成１４）
基板上に転写パターンとなる薄膜が形成されているマスクブランクであって、該マスクブランクに、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、前記基準マークは、前記欠陥位置の基準点を決定するためのメインマークと、該メインマークの周囲に配置された補助マークとから構成され、前記メインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有することを特徴とするマスクブランク。
基板上に転写パターンとなる薄膜が形成されているマスクブランクであって、該マスクブランクに、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、前記基準マークは、前記欠陥位置の基準点を決定するためのメインマークと、該メインマークの周囲に配置された補助マークとから構成され、前記メインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有することを特徴とするマスクブランク。
構成１４にあるように、本発明に係るマスクブランクは、上記構成２と同様、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、この基準マークは、前記欠陥位置の基準点を決定するためのメインマークと、該メインマークの周囲に配置された補助マークとから構成されている。そして、このメインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有するものとなっている。このように構成された基準マークは、電子線描画機、光学式の欠陥検査装置のいずれでも容易に検出でき、言い換えれば確実に検出することができる。しかも、点対称の形状をしているので、電子線、又は欠陥検査光の走査によって決定される欠陥位置の基準点のずれを小さくすることができる。従って、基準マークを元に検査した欠陥検出位置のばらつきが小さい。これによって、欠陥検査においては、欠陥位置の基準点を決定し、欠陥位置（基準点と欠陥の相対位置）情報を含む精度の良い欠陥情報（欠陥マップ）を取得することができる。さらに、マスクの製造においては、この欠陥情報に基づいて、予め設計しておいた描画データ（マスクパターンデータ）と照合し、欠陥による影響が低減するように描画データを高い精度で修正（補正）することが可能になり、その結果として、最終的に製造されるマスクにおいて欠陥を低減させることができる。
（構成１５）
構成１３又は１４に記載のマスクブランクにおける前記薄膜がパターニングされていることを特徴とするマスク。
上記構成のマスクブランクにおける薄膜がパターニングされて得られるマスクは、マスクブランクにおける欠陥情報に基づく描画データの修正によって、欠陥を低減させたものが得られる。
構成１３又は１４に記載のマスクブランクにおける前記薄膜がパターニングされていることを特徴とするマスク。
上記構成のマスクブランクにおける薄膜がパターニングされて得られるマスクは、マスクブランクにおける欠陥情報に基づく描画データの修正によって、欠陥を低減させたものが得られる。
（構成１６）
構成１乃至５のいずれかに記載の多層反射膜付き基板の製造方法であって、前記基準マークを、前記基板のエッジ座標を基準に設定した原点からの所定の位置に形成し、前記基準マークを形成した前記多層反射膜付き基板と、前記基準マークの形成位置情報とを対応付けることを特徴とする多層反射膜付き基板の製造方法。
このように、基板のエッジ座標を基準に設定した原点からの所定の位置に前記基準マークを形成した多層反射膜付き基板と、前記基準マークの形成位置情報とを対応付けて多層反射膜付き基板を製造することにより、この多層反射膜付き基板を提供されたユーザーは、この基準マークの形成位置情報を利用して基準マークを短時間で確実に検出することができる。
構成１乃至５のいずれかに記載の多層反射膜付き基板の製造方法であって、前記基準マークを、前記基板のエッジ座標を基準に設定した原点からの所定の位置に形成し、前記基準マークを形成した前記多層反射膜付き基板と、前記基準マークの形成位置情報とを対応付けることを特徴とする多層反射膜付き基板の製造方法。
このように、基板のエッジ座標を基準に設定した原点からの所定の位置に前記基準マークを形成した多層反射膜付き基板と、前記基準マークの形成位置情報とを対応付けて多層反射膜付き基板を製造することにより、この多層反射膜付き基板を提供されたユーザーは、この基準マークの形成位置情報を利用して基準マークを短時間で確実に検出することができる。
（構成１７）
構成１乃至５のいずれかに記載の多層反射膜付き基板の製造方法であって、前記基準マークを形成した後、座標計測器で前記基準マークの形成位置を特定し、前記基準マークを形成した前記多層反射膜付き基板と、前記基準マークの形成位置情報とを対応付けることを特徴とする多層反射膜付き基板の製造方法。
このように、多層反射膜付き基板に基準マークを形成した後、座標計測器で前記基準マークの形成位置を特定し、前記基準マークを形成した多層反射膜付き基板と、前記基準マークの形成位置情報とを対応付けて多層反射膜付き基板を製造することにより、この多層反射膜付き基板を提供されたユーザーは、この基準マークの形成位置情報を利用して基準マークを短時間で確実に検出することができる。また、基準マークの形成位置を座標計測器で特定することにより、電子線描画機の基準座標の変換が可能となる。したがって、多層反射膜付き基板を提供されたユーザーは、容易に基準マークに基づき欠陥検査装置により特定した欠陥位置と、描画データとを高精度に照合することが可能となり、最終的に製造されるマスクにおいて欠陥を確実に低減させることができる。
構成１乃至５のいずれかに記載の多層反射膜付き基板の製造方法であって、前記基準マークを形成した後、座標計測器で前記基準マークの形成位置を特定し、前記基準マークを形成した前記多層反射膜付き基板と、前記基準マークの形成位置情報とを対応付けることを特徴とする多層反射膜付き基板の製造方法。
このように、多層反射膜付き基板に基準マークを形成した後、座標計測器で前記基準マークの形成位置を特定し、前記基準マークを形成した多層反射膜付き基板と、前記基準マークの形成位置情報とを対応付けて多層反射膜付き基板を製造することにより、この多層反射膜付き基板を提供されたユーザーは、この基準マークの形成位置情報を利用して基準マークを短時間で確実に検出することができる。また、基準マークの形成位置を座標計測器で特定することにより、電子線描画機の基準座標の変換が可能となる。したがって、多層反射膜付き基板を提供されたユーザーは、容易に基準マークに基づき欠陥検査装置により特定した欠陥位置と、描画データとを高精度に照合することが可能となり、最終的に製造されるマスクにおいて欠陥を確実に低減させることができる。
（構成１８）
前記基準マークの形成位置情報に、さらに前記基準マークを基準とした欠陥情報を加えることを特徴とする構成１６又は１７に記載の多層反射膜付き基板の製造方法。
構成１８にあるように、前記基準マークの形成位置情報に、さらに前記基準マークを基準とした欠陥情報を加えて多層反射膜付き基板を製造することにより、この多層反射膜付き基板を提供されたユーザーはこの基準マークの形成位置情報を利用して基準マークを短時間で確実に検出することができるとともに、マスクの製造においては、この欠陥情報に基づいて、欠陥による影響が低減するように描画データを高い精度で修正（補正）し、最終的に製造されるマスクにおいて欠陥を低減させることができる。
前記基準マークの形成位置情報に、さらに前記基準マークを基準とした欠陥情報を加えることを特徴とする構成１６又は１７に記載の多層反射膜付き基板の製造方法。
構成１８にあるように、前記基準マークの形成位置情報に、さらに前記基準マークを基準とした欠陥情報を加えて多層反射膜付き基板を製造することにより、この多層反射膜付き基板を提供されたユーザーはこの基準マークの形成位置情報を利用して基準マークを短時間で確実に検出することができるとともに、マスクの製造においては、この欠陥情報に基づいて、欠陥による影響が低減するように描画データを高い精度で修正（補正）し、最終的に製造されるマスクにおいて欠陥を低減させることができる。
（構成１９）
構成１６乃至１８のいずれかに記載の前記基準マークを形成した前記多層反射膜付き基板における前記多層反射膜上に、EUV光を吸収する吸収体膜が形成されている反射型マスクブランクと、前記基準マークの形成位置情報とを対応付けることを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
構成１９のように、構成１６乃至１８のいずれかに記載の前記基準マークを形成した多層反射膜付き基板における多層反射膜上に、EUV光を吸収する吸収体膜が形成された反射型マスクブランクと、前記基準マークの形成位置情報とを対応付けてユーザーに提供することにより、ユーザーは、この反射型マスクブランクを用いるマスク製造において、この基準マークの形成位置情報を利用して基準マークを短時間で確実に検出することができる。
構成１６乃至１８のいずれかに記載の前記基準マークを形成した前記多層反射膜付き基板における前記多層反射膜上に、EUV光を吸収する吸収体膜が形成されている反射型マスクブランクと、前記基準マークの形成位置情報とを対応付けることを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
構成１９のように、構成１６乃至１８のいずれかに記載の前記基準マークを形成した多層反射膜付き基板における多層反射膜上に、EUV光を吸収する吸収体膜が形成された反射型マスクブランクと、前記基準マークの形成位置情報とを対応付けてユーザーに提供することにより、ユーザーは、この反射型マスクブランクを用いるマスク製造において、この基準マークの形成位置情報を利用して基準マークを短時間で確実に検出することができる。
（構成２０）
構成６乃至１１のいずれかに記載の反射型マスクブランクの製造方法であって、前記基準マークを、前記基板のエッジ座標を基準に設定した原点からの所定の位置に形成し、前記基準マークを形成した前記反射型マスクブランクと、前記基準マークの形成位置情報とを対応付けることを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
このように、基板のエッジ座標を基準に設定した原点からの所定の位置に前記基準マークを形成した反射型マスクブランクと、前記基準マークの形成位置座標とを対応付けて反射型マスクブランクを製造することにより、この反射型マスクブランクを提供されたユーザーは、この基準マークの形成位置情報を利用して基準マークを短時間で確実に検出することができる。
構成６乃至１１のいずれかに記載の反射型マスクブランクの製造方法であって、前記基準マークを、前記基板のエッジ座標を基準に設定した原点からの所定の位置に形成し、前記基準マークを形成した前記反射型マスクブランクと、前記基準マークの形成位置情報とを対応付けることを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
このように、基板のエッジ座標を基準に設定した原点からの所定の位置に前記基準マークを形成した反射型マスクブランクと、前記基準マークの形成位置座標とを対応付けて反射型マスクブランクを製造することにより、この反射型マスクブランクを提供されたユーザーは、この基準マークの形成位置情報を利用して基準マークを短時間で確実に検出することができる。
（構成２１）
請求項６乃至１１のいずれかに記載の反射型マスクブランクの製造方法であって、前記基準マークを形成した後、座標計測器で前記基準マークの形成位置を特定し、前記基準マークを形成した前記反射型マスクブランクと、前記基準マークの形成位置情報とを対応付けることを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
このように、反射型マスクブランクに基準マークを形成した後、座標計測器で前記基準マークの形成位置を特定し、前記基準マークを形成した反射型マスクブランクと、前記基準マークの形成位置情報とを対応付けて反射型マスクブランクを製造することにより、この反射型マスクブランクを提供されたユーザーは、この基準マークの形成位置情報を利用して基準マークを短時間で確実に検出することができる。また、基準マークの形成位置を座標計測器で特定することにより、電子線描画機の基準座標の変換が可能となる。したがって、多層反射膜付き基板を提供されたユーザーは、容易に基準マークに基づき欠陥検査装置により特定した欠陥位置と、描画データとを高精度に照合することが可能となり、最終的に製造されるマスクにおいて欠陥を確実に低減させることができる。
請求項６乃至１１のいずれかに記載の反射型マスクブランクの製造方法であって、前記基準マークを形成した後、座標計測器で前記基準マークの形成位置を特定し、前記基準マークを形成した前記反射型マスクブランクと、前記基準マークの形成位置情報とを対応付けることを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
このように、反射型マスクブランクに基準マークを形成した後、座標計測器で前記基準マークの形成位置を特定し、前記基準マークを形成した反射型マスクブランクと、前記基準マークの形成位置情報とを対応付けて反射型マスクブランクを製造することにより、この反射型マスクブランクを提供されたユーザーは、この基準マークの形成位置情報を利用して基準マークを短時間で確実に検出することができる。また、基準マークの形成位置を座標計測器で特定することにより、電子線描画機の基準座標の変換が可能となる。したがって、多層反射膜付き基板を提供されたユーザーは、容易に基準マークに基づき欠陥検査装置により特定した欠陥位置と、描画データとを高精度に照合することが可能となり、最終的に製造されるマスクにおいて欠陥を確実に低減させることができる。
（構成２２）
構成１３又は１４に記載のマスクブランクの製造方法であって、前記基準マークを、前記基板のエッジ座標を基準に設定した原点からの所定の位置に形成し、前記基準マークを形成した前記マスクブランクと、前記基準マークの形成位置情報とを対応付けることを特徴とするマスクブランクの製造方法。
構成２２にあるように、基板のエッジ座標を基準に設定した原点からの所定の位置に前記基準マークを形成したマスクブランクと、前記基準マークの形成位置情報とを対応付けてマスクブランクを製造することにより、このマスクブランクを提供されたユーザーは、この基準マークの形成位置情報を利用して基準マークを短時間で確実に検出することができる。
構成１３又は１４に記載のマスクブランクの製造方法であって、前記基準マークを、前記基板のエッジ座標を基準に設定した原点からの所定の位置に形成し、前記基準マークを形成した前記マスクブランクと、前記基準マークの形成位置情報とを対応付けることを特徴とするマスクブランクの製造方法。
構成２２にあるように、基板のエッジ座標を基準に設定した原点からの所定の位置に前記基準マークを形成したマスクブランクと、前記基準マークの形成位置情報とを対応付けてマスクブランクを製造することにより、このマスクブランクを提供されたユーザーは、この基準マークの形成位置情報を利用して基準マークを短時間で確実に検出することができる。
（構成２３）
構成１３又は１４に記載のマスクブランクの製造方法であって、前記基準マークを形成した後、座標計測器で前記基準マークの形成位置を特定し、前記基準マークを形成した前記マスクブランクと、前記基準マークの形成位置情報とを対応付けることを特徴とするマスクブランクの製造方法。
構成２３のように、マスクブランクに基準マークを形成した後、座標計測器で前記基準マークの形成位置を特定し、前記基準マークを形成したマスクブランクと、前記基準マークの形成位置情報とを対応付けてマスクブランクを製造することによりマスクブランクを提供されたユーザーは、この基準マークの形成位置情報を利用して基準マークを短時間で確実に検出することができる。また、基準マークの形成位置を座標計測器で特定することにより、電子線描画機の基準座標の変換が可能となる。したがって、マスクブランクを提供されたユーザーは、容易に基準マークに基づき欠陥検査装置により特定した欠陥位置と、描画データとを高精度に照合することが可能となり、最終的に製造されるマスクにおいて欠陥を確実に低減させることができる。
構成１３又は１４に記載のマスクブランクの製造方法であって、前記基準マークを形成した後、座標計測器で前記基準マークの形成位置を特定し、前記基準マークを形成した前記マスクブランクと、前記基準マークの形成位置情報とを対応付けることを特徴とするマスクブランクの製造方法。
構成２３のように、マスクブランクに基準マークを形成した後、座標計測器で前記基準マークの形成位置を特定し、前記基準マークを形成したマスクブランクと、前記基準マークの形成位置情報とを対応付けてマスクブランクを製造することによりマスクブランクを提供されたユーザーは、この基準マークの形成位置情報を利用して基準マークを短時間で確実に検出することができる。また、基準マークの形成位置を座標計測器で特定することにより、電子線描画機の基準座標の変換が可能となる。したがって、マスクブランクを提供されたユーザーは、容易に基準マークに基づき欠陥検査装置により特定した欠陥位置と、描画データとを高精度に照合することが可能となり、最終的に製造されるマスクにおいて欠陥を確実に低減させることができる。
（構成２４）
前記基準マークの形成位置情報に、さらに前記基準マークを基準とした欠陥情報を加えることを特徴とする構成２２又は２３に記載のマスクブランクの製造方法。
構成２４にあるように、前記基準マークの形成位置情報に、さらに前記基準マークを基準とした欠陥情報を加えてユーザーに提供することにより、ユーザーはこの基準マークの形成位置情報を利用して基準マークを短時間で確実に検出することができるとともに、マスクの製造においては、この欠陥情報に基づいて、欠陥による影響が低減するように描画データを高い精度で修正（補正）し、最終的に製造されるマスクにおいて欠陥を低減させることができる。
前記基準マークの形成位置情報に、さらに前記基準マークを基準とした欠陥情報を加えることを特徴とする構成２２又は２３に記載のマスクブランクの製造方法。
構成２４にあるように、前記基準マークの形成位置情報に、さらに前記基準マークを基準とした欠陥情報を加えてユーザーに提供することにより、ユーザーはこの基準マークの形成位置情報を利用して基準マークを短時間で確実に検出することができるとともに、マスクの製造においては、この欠陥情報に基づいて、欠陥による影響が低減するように描画データを高い精度で修正（補正）し、最終的に製造されるマスクにおいて欠陥を低減させることができる。
本発明によれば、電子線描画機、欠陥検査装置のいずれでも確実に検出することができ、しかも電子線、欠陥検査光の走査によって決定される欠陥位置の基準点のずれが小さい基準マークを形成することにより、欠陥の座標管理（基準マークと欠陥の相対位置管理）を高精度で行うことが可能な多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及びマスクブランクを提供することができる。
また、本発明によれば、これら多層反射膜付き基板、マスクブランクを使用し、これらの欠陥情報に基づき、描画データの修正を行なうことで欠陥を低減させた反射型マスク及びマスクを提供することができる。
また、本発明によれば、エッジ基準で基準マークを形成したり、或いは基準マークの形成後、座標計測器で基準マーク形成位置を特定した多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及びマスクブランクと、これらの基準マークの形成位置情報とを対応付けした多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及びマスクブランクの製造方法を提供することができる。
また、本発明によれば、これら多層反射膜付き基板、マスクブランクを使用し、これらの欠陥情報に基づき、描画データの修正を行なうことで欠陥を低減させた反射型マスク及びマスクを提供することができる。
また、本発明によれば、エッジ基準で基準マークを形成したり、或いは基準マークの形成後、座標計測器で基準マーク形成位置を特定した多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及びマスクブランクと、これらの基準マークの形成位置情報とを対応付けした多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及びマスクブランクの製造方法を提供することができる。
以下、本発明の実施の形態を詳述する。
［基準マーク］
まず、本発明における基準マーク（以下、「本発明の基準マーク」とも呼ぶ。）について詳しく説明する。
図１は、基準マークの配置例を示すマスクブランク用ガラス基板の平面図である。
図１では、相対的に大きさの大きなラフアライメントマーク１２と小さなファインマークである本発明の基準マーク１３の２種類のマークを形成している。なお、図１では、ガラス基板１１の表面にこれら基準マークを示しているが、図１はあくまでもガラス基板主表面上での基準マークの配置例を示すものであり、本発明をこれら基準マークがガラス基板に直接形成されている態様に限定する趣旨ではないことは勿論である。
［基準マーク］
まず、本発明における基準マーク（以下、「本発明の基準マーク」とも呼ぶ。）について詳しく説明する。
図１は、基準マークの配置例を示すマスクブランク用ガラス基板の平面図である。
図１では、相対的に大きさの大きなラフアライメントマーク１２と小さなファインマークである本発明の基準マーク１３の２種類のマークを形成している。なお、図１では、ガラス基板１１の表面にこれら基準マークを示しているが、図１はあくまでもガラス基板主表面上での基準マークの配置例を示すものであり、本発明をこれら基準マークがガラス基板に直接形成されている態様に限定する趣旨ではないことは勿論である。
上記ラフアライメントマーク１２は、それ自体は基準マークの役割は有していないが、上記基準マーク１３の位置を検出し易くするための役割を有している。上記基準マーク１３は大きさが小さく、目視で位置の目安を付けることは困難である。また、検査光や電子線で最初から基準マーク１３を検出しようとすると、検出に時間が掛かり、レジスト膜が形成されている場合、不要なレジスト感光を発生させてしまう恐れがあるので好ましくない。上記基準マーク１３との位置関係が予め決められている上記ラフアライメントマーク１２を設けることで、基準マーク１３の検出が迅速かつ容易に行える。
図１においては、上記ラフアライメントマーク１２を矩形状のガラス基板１１の主表面上のコーナー近傍の４箇所に、上記基準マーク１３を各ラフアライメントマーク１２の近傍に２箇所ずつ配置した例を示している。上記ラフアライメントマーク１２と基準マーク１３はいずれも基板主表面上の破線Ａで示すパターン形成領域の境界線上、あるいはパターン形成領域より外周縁側に形成することが好適である。但し、基板外周縁にあまり近いと、基板主表面の平坦度があまり良好でない領域であったり、他の種類の認識マークと交差する可能性があるので好ましくない。
基準マーク、ラフアライメントマークの個数は特に限定されない。基準マークについては、最低３個必要であるが、３個以上であっても構わない。
基準マーク、ラフアライメントマークの個数は特に限定されない。基準マークについては、最低３個必要であるが、３個以上であっても構わない。
なお、以下に説明するように、本発明の基準マーク１３においては、欠陥位置の基準となる位置（基準点）を決定するためのメインマークの周囲に、該メインマークを大まかに特定するための補助マークを配置しているため、検査光や電子線で最初から本発明の基準マーク１３を検出するのに特に不都合がなければ、上記ラフアライメントマーク１２は設けなくてもよい。
すなわち、本発明においては、図１５に示すように、上記ラフアライメントマークは設けずに、例えば一例としてガラス基板１１の主表面上のコーナー近傍の４箇所に本発明の基準マーク１３を配置するようにしてもよい。これによって、相対的に大きさの大きなラフアライメントマークの形成工程を省くことができ、マークの加工時間を大幅に短縮できる。
すなわち、本発明においては、図１５に示すように、上記ラフアライメントマークは設けずに、例えば一例としてガラス基板１１の主表面上のコーナー近傍の４箇所に本発明の基準マーク１３を配置するようにしてもよい。これによって、相対的に大きさの大きなラフアライメントマークの形成工程を省くことができ、マークの加工時間を大幅に短縮できる。
図２は、本発明の基準マークを構成するメインマーク及び補助マークの形状例及び配置例を示す図である。また、図３は、本発明の基準マークを用いた基準点を決定する方法を説明するための図である。
上記基準マークは、欠陥情報における欠陥位置の基準となるものであるが、本発明の基準マーク１３は、欠陥位置の基準となる位置（基準点）を決定するためのメインマークと、該メインマークの周囲に配置された補助マークとから構成される。そして、本発明の基準マークにおける特徴の一つは、上記メインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有することである。
上記基準マークは、欠陥情報における欠陥位置の基準となるものであるが、本発明の基準マーク１３は、欠陥位置の基準となる位置（基準点）を決定するためのメインマークと、該メインマークの周囲に配置された補助マークとから構成される。そして、本発明の基準マークにおける特徴の一つは、上記メインマークは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有することである。
図２及び図３には、上記メインマーク１３ａと、その周囲に配置された２つの補助マーク１３ｂ，１３ｃとから構成される基準マーク１３を一例として示している。
本発明において、上記メインマーク１３ａは、電子線描画機又は欠陥検査光の走査方向（図３におけるＸ方向及びＹ方向）に対して垂直で且つ平行な辺を少なくとも２組有する多角形状であることが好適である。このように、上記メインマーク１３ａは、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して垂直で且つ平行な辺を少なくとも２組有する多角形状であることにより、電子線描画機、欠陥検査装置による検出の容易性（確実性）を向上させ、また、欠陥検出位置のばらつきを更に抑えることができる。図２及び図３では、具体例として、上記メインマーク１３ａが、縦横（Ｘ及びＹ方向）が同じ長さの正方形である場合を示している。この場合、縦横の長さ（Ｌ）がそれぞれ２００ｎｍ以上１０μｍ以下である。
本発明において、上記メインマーク１３ａは、電子線描画機又は欠陥検査光の走査方向（図３におけるＸ方向及びＹ方向）に対して垂直で且つ平行な辺を少なくとも２組有する多角形状であることが好適である。このように、上記メインマーク１３ａは、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して垂直で且つ平行な辺を少なくとも２組有する多角形状であることにより、電子線描画機、欠陥検査装置による検出の容易性（確実性）を向上させ、また、欠陥検出位置のばらつきを更に抑えることができる。図２及び図３では、具体例として、上記メインマーク１３ａが、縦横（Ｘ及びＹ方向）が同じ長さの正方形である場合を示している。この場合、縦横の長さ（Ｌ）がそれぞれ２００ｎｍ以上１０μｍ以下である。
上記メインマーク１３ａは、点対称の形状であれば良い。上記の正方形に限らず、例えば図４の（ａ）に示すように、正方形の角部が丸みを帯びた形状や、同図（ｂ）のように、八角形の形状や、同図（ｃ）のように、十字形状であってもよい。この場合においても、メインマーク１３ａの大きさ（縦横の長さ）Ｌ）は、２００ｎｍ以上１０μｍ以下とする。具体例として、メインマーク１３ａが十字形状の場合、その大きさ（縦横の長さ）は、５μｍ以上１０μｍ以下とすることができる。また、図示していないが、上記メインマーク１３ａは、直径が２００ｎｍ以上１０μｍ以下の正円形とすることもできる。
また、上記２つの補助マーク１３ｂ，１３ｃは、上記メインマーク１３ａの周囲に、電子線又は欠陥検査光の走査方向（図３におけるＸ方向及びＹ方向）に沿って配置されている。本発明においては、上記補助マーク１３ｂ，１３ｃは、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して垂直な長辺と平行な短辺を有する矩形状であることが好適である。補助マークが、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して垂直な長辺と平行な短辺を有する矩形状であることにより、電子線描画機、欠陥検査装置の走査により確実に検出できるため、メインマークの位置を容易に特定することができる。この場合、長辺は、電子線描画機、欠陥検査装置のできるだけ最小回数の走査により検出可能な長さであることが望ましい。例えば、２５μｍ以上６００μｍ以下の長さを有することが望ましい。一方、長辺の長さが短いと、例えば２５μｍ未満であると、電子線描画機、欠陥検査装置の走査により補助マークをなかなか検出できない恐れがある。また、長辺の長さが長いと、例えば、６００μｍを超えると、基準マークの形成方法によっては加工時間に１時間／箇所を超えることになるので好ましくない。より好ましくは、長辺の長さは、２５μｍ以上４００μｍ以下、さらに好ましくは、２５μｍ以上２００μｍ以下が望ましい。
また、上記補助マーク１３ｂ，１３ｃとメインマーク１３ａは、所定の間隔離間させても良いし、離間させなくても良い。補助マークとメインマークを離間させる場合、間隔は特に制約されないが、本発明においては例えば２５μｍ〜５０μｍ程度の範囲とすることが好適である。
なお、上記メインマーク１３ａ、補助マーク１３ｂ、１３ｃはいずれも断面形状を凹形状とし、基準マークの高さ方向に所望の深さを設けることで認識し得る基準マークとしている。電子線や欠陥検査光による検出精度を向上させる観点から、凹形状の底部から表面側へ向かって広がるように形成された断面形状であることが好ましく、この場合の基準マークの側壁の傾斜角度は７５°以上であることが好ましい。さらに好ましくは、８０°以上、さらに好ましくは、８５°以上とすることが望ましい。
なお、上記メインマーク１３ａ、補助マーク１３ｂ、１３ｃはいずれも断面形状を凹形状とし、基準マークの高さ方向に所望の深さを設けることで認識し得る基準マークとしている。電子線や欠陥検査光による検出精度を向上させる観点から、凹形状の底部から表面側へ向かって広がるように形成された断面形状であることが好ましく、この場合の基準マークの側壁の傾斜角度は７５°以上であることが好ましい。さらに好ましくは、８０°以上、さらに好ましくは、８５°以上とすることが望ましい。
上記基準マークを用いて、欠陥位置の基準となる基準点は次のようにして決定される（図３を参照）。
上記補助マーク１３ｂ，１３ｃ上を電子線、あるいは欠陥検査光がＸ方向、Ｙ方向に走査し、これら補助マークを検出することにより、メインマーク１３ａの位置を大まかに特定することができる。位置が特定された上記メインマーク１３ａ上を電子線、あるいは検査光がＸ方向及びＹ方向に走査後、（上記補助マークの走査により検出された）メインマーク１３ａ上の交点Ｐ（通常、メインマークの略中心）をもって基準点を決定する。
上記補助マーク１３ｂ，１３ｃ上を電子線、あるいは欠陥検査光がＸ方向、Ｙ方向に走査し、これら補助マークを検出することにより、メインマーク１３ａの位置を大まかに特定することができる。位置が特定された上記メインマーク１３ａ上を電子線、あるいは検査光がＸ方向及びＹ方向に走査後、（上記補助マークの走査により検出された）メインマーク１３ａ上の交点Ｐ（通常、メインマークの略中心）をもって基準点を決定する。
上記のように、本発明においては上記メインマーク１３ａは、点対称の形状であって、且つ、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有する。本発明者は、メインマーク１３ａの幅と電子線に対するコントラストとの関係、メインマーク１３ａの幅と欠陥検出位置のばらつきとの関係について検討した。図１３は、メインマークの幅と電子線コントラストとの関係を示す図であり、図１４は、メインマークの幅と欠陥検出位置の最大ばらつきとの関係を示す図である。図１３は、ＳｉＯ２−ＴｉＯ２系ガラス基板上に、Ｓｉ膜（膜厚：４．２ｎｍ）とＭｏ膜（膜厚：２．８ｎｍ）を１周期として４０周期積層した多層反射膜（総膜厚２８０ｎｍ）の所定位置に、正方形状のメインマークを形成（ＦＩＢにより多層反射膜全層除去）し、該多層反射膜上に、Ｒｕ保護膜（膜厚：２．５ｎｍ）、吸収体膜（総膜厚：７０ｎｍ）、レジスト膜（膜厚：１００ｎｍ）を形成したレジスト膜付き反射型マスクブランクに対して、メインマークにＥＢ（電子線）を走査したときに検出されるＥＢ反射強度を測定して、メインマークの幅とＥＢ（電子線）コントラストの関係を示した図である。なお、電子線コントラストは、各種サイズのマークを形成し、マークの底部（ガラス）のEB（電子線）強度を Imin、多層膜部のEB（電子線）強度をImaxとし、コントラスト＝（Imax - Imin）/（Imax + Imin）で求めた。また、図１４は、ＳｉＯ２−ＴｉＯ２系ガラス基板上に、Ｓｉ膜（膜厚：４．２ｎｍ）とＭｏ膜（膜厚：２．８ｎｍ）を１周期として４０周期積層した多層反射膜（総膜厚２８０ｎｍ）の所定位置に、正方形状のメインマークを形成（ＦＩＢにより多層反射膜全層除去）した多層反射膜付き基板に対して、欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）にて、メインマークを検出し、欠陥検出位置のばらつきを測定した結果である。なお、欠陥検出位置のばらつきは、５回欠陥検査をおこない、検出した基準座標をもとにした欠陥位置のばらつきを求めた。
図１３に示すように、メインマーク１３ａの幅が２００ｎｍ未満になると、ＥＢコントラストが大きく低下する結果となった。つまり、ＥＢ（電子線）走査でのメインマークの検出が難しくなるので、高精度の描画データの補正・修正が行えないことになる。メインマーク１３ａの幅が１００ｎｍの時のコントラストは、０．００６、２００ｎｍの時のコントラストは、０．０１６であり、コントラストの差は、２．７５倍であった。また、図１４に示すように、メインマーク１３ａの幅が１０μｍを超えると、欠陥検出位置のばらつきが１００ｎｍを超えることになる。これは、上述のＤｅｆｅｃｔ ｍｉｔｉｇａｔｉｏｎ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙを実現・可能にするための基準マークを基準点にした時の欠陥検出位置のばらつき１００ｎｍ以下を満たすことができない。従って、コントラストと欠陥検出位置のばらつきの両方を満足するためには、上記メインマーク１３ａは、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上１０μｍ以下の幅の部分を有することが重要である。
また、たとえば基準マークを多層反射膜に形成した場合、その幅が狭いと（具体的には、特許文献１に記載されているような３０〜１００ｎｍであると）、その上に吸収体膜等を成膜すると、基準マークの凹部が埋まってしまい、基準マークを検出することが困難になるという不都合も生じる。
また、たとえば基準マークを多層反射膜に形成した場合、その幅が狭いと（具体的には、特許文献１に記載されているような３０〜１００ｎｍであると）、その上に吸収体膜等を成膜すると、基準マークの凹部が埋まってしまい、基準マークを検出することが困難になるという不都合も生じる。
ところで、上記したように、上記補助マーク１３ｂ、１３ｃは、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して垂直な長辺と平行な短辺を有する矩形状であることが好ましく、この場合、長辺は、電子線描画機、欠陥検査装置のできるだけ最小回数の走査により検出可能な長さ、例えば２５μｍ以上６００μｍ以下の長さを有することが好適である。但し、例えば集束イオンビームでこの数百μｍ程度の長さを形成するとなると、加工時間が長時間必要となる。
そこで、上記補助マークを、図５に示すように、いくつかの矩形に分割することができる。図６は、このような態様を具体的に示した例であり、５μｍ×５μｍの大きさのメインマーク１３ａの一方（Ｙ方向）に、５０μｍ×１μｍの大きさの矩形状の補助マーク１３ｂ１〜１３ｂ６を等間隔で配置し、各補助マーク間の間隔（スペース）は５０μｍとする。
そこで、上記補助マークを、図５に示すように、いくつかの矩形に分割することができる。図６は、このような態様を具体的に示した例であり、５μｍ×５μｍの大きさのメインマーク１３ａの一方（Ｙ方向）に、５０μｍ×１μｍの大きさの矩形状の補助マーク１３ｂ１〜１３ｂ６を等間隔で配置し、各補助マーク間の間隔（スペース）は５０μｍとする。
この場合、例えば第１スキャン（１回目のスキャン）では補助マークを外し、上（Ｙ方向）に６０μｍシフトさせた第２スキャン（２回目のスキャン）でも補助マークを外し、さらに上に６０μｍシフトさせた第３スキャン（３回目のスキャン）で補助マーク１３ｂ５を検出することができる。
このように補助マークを分割し、分割した個々の補助マークの長辺の長さを短くしても、走査ルールを決めて、出来るだけ少ない走査回数で補助マークを確実に検出することが可能である。また、このように補助マークを分割することで、全体の加工時間の短縮が図れる。
このように補助マークを分割し、分割した個々の補助マークの長辺の長さを短くしても、走査ルールを決めて、出来るだけ少ない走査回数で補助マークを確実に検出することが可能である。また、このように補助マークを分割することで、全体の加工時間の短縮が図れる。
本発明の基準マーク１３を構成する上記メインマーク１３ａおよび補助マーク１３ｂ、１３ｃを形成する位置は特に限定されない。例えば反射型マスクブランクの場合、多層反射膜の成膜面であれば、どの位置に形成してもよい。例えば、基板、下地層（後述）、多層反射膜、保護膜（キャッピング層、バッファ層）、吸収体膜、吸収体膜上に形成されるエッチングマスク膜のいずれの位置でもよい。
なお、ＥＵＶ光を露光光として使用する反射型マスクにおいては、特に多層反射膜に存在する欠陥は、修正が殆ど不可能である上に、転写パターン上で重大な位相欠陥となり得るので、転写パターン欠陥を低減させるためには多層反射膜上の欠陥情報が重要である。従って、少なくとも多層反射膜成膜後に欠陥検査を行い、欠陥情報を取得することが望ましい。そのためには、多層反射膜付き基板に本発明の基準マークを形成することが好ましい。特に、検出のし易さ、基板の再生等の観点からは、多層反射膜に本発明の基準マークを形成することが好ましい。
また、基準マーク形成後、洗浄による光学特性（たとえば、反射率）の変化を抑制する観点からは、反射型マスクブランクにおける吸収体膜に基準マークを形成することが好ましい。この場合、多層反射膜付き基板の段階では基準マークが形成されていないので、反射型マスクブランクにおける欠陥検査と、基準マークを基準にした欠陥の座標管理は以下のようにして行うことができる。
また、基準マーク形成後、洗浄による光学特性（たとえば、反射率）の変化を抑制する観点からは、反射型マスクブランクにおける吸収体膜に基準マークを形成することが好ましい。この場合、多層反射膜付き基板の段階では基準マークが形成されていないので、反射型マスクブランクにおける欠陥検査と、基準マークを基準にした欠陥の座標管理は以下のようにして行うことができる。
まず、基板上に多層反射膜が形成された多層反射膜付き基板に対して、欠陥検査装置により、基板主表面の中心を基準点として欠陥検査を行い、欠陥検査により検出された欠陥と位置情報とを取得する。次に、多層反射膜上に保護膜と吸収体膜を形成した後、吸収体膜の所定位置に、本発明の基準マークを形成して、基準マークが形成された反射型マスクブランクを得る。
上記の基準マークを基準にして欠陥検査装置により欠陥検査を行う。上記の通り吸収体膜は多層反射膜上に形成するので、この欠陥検査データは、上記で取得した多層反射膜付き基板の欠陥検査も反映されている。従って、多層反射膜付き基板の欠陥と反射型マスクブランクの欠陥が一致している欠陥を元に、多層反射膜付き基板の欠陥検査データと、反射型マスクブランクの欠陥検査データを照合することにより、上記基準マークを基準にした多層反射膜付き基板の欠陥検査データと、反射型マスクブランクの欠陥検査データを得ることができる。
上記の基準マークを基準にして欠陥検査装置により欠陥検査を行う。上記の通り吸収体膜は多層反射膜上に形成するので、この欠陥検査データは、上記で取得した多層反射膜付き基板の欠陥検査も反映されている。従って、多層反射膜付き基板の欠陥と反射型マスクブランクの欠陥が一致している欠陥を元に、多層反射膜付き基板の欠陥検査データと、反射型マスクブランクの欠陥検査データを照合することにより、上記基準マークを基準にした多層反射膜付き基板の欠陥検査データと、反射型マスクブランクの欠陥検査データを得ることができる。
本発明の基準マーク１３を構成する上記メインマーク１３ａおよび補助マーク１３ｂ、１３ｃを形成する方法は特に限定されない。例えば前述の基準マークの断面形状が凹形状の場合、フォトリソ法、レーザー光やイオンビームによる凹部形成、ダイヤモンド針を走査しての加工痕、微小圧子によるインデンション、インプリント法による型押しなどで形成することができる。
以上説明したように、多層反射膜付き基板等に本発明の基準マークを形成することにより、本発明の基準マークは、電子線描画機、光学式の欠陥検査装置のいずれでも容易に検出でき、言い換えれば確実に検出することができる。しかも、点対称の形状をしているので、電子線、又は欠陥検査光の走査によって決定される欠陥位置の基準点のずれを小さくすることができる。従って、基準マークを元に検査した欠陥検出位置のばらつきが小さい。これによって、欠陥検査においては、欠陥位置の基準点を決定し、欠陥位置（基準点と欠陥の相対位置）情報を含む精度の良い欠陥情報（欠陥マップ）を取得することができる。さらに、マスクの製造においては、この欠陥情報に基づいて、予め設計しておいた描画データ（マスクパターンデータ）と照合し、欠陥による影響が低減するように描画データを高い精度で修正（補正）することが可能になり、その結果として、最終的に製造される反射型マスクにおいて欠陥を低減させることができる。
なお、以上の実施の形態では、上記メインマーク１３ａの周囲に、電子線描画機や欠陥検査装置の走査方向（Ｘ方向、Ｙ方向）に沿って２つの補助マーク１３ｂ、１３ｃを配置した例について説明したが、本発明はこのような実施の形態に限定されるわけではない。例えば欠陥の検出が検査光の走査によらない方式においては、メインマークと補助マークとの位置関係が特定されていれば、メインマークに対する補助マークの配置位置は任意である。また、この場合、メインマークの中心ではなく、エッジを基準点とすることもできる。
ところで、本発明の基準マーク１３は、上述のとおり、基板主表面上の破線Ａで示すパターン形成領域の境界線上、あるいはパターン形成領域より外周縁側の任意の位置に形成されるが（図１、図１５参照）、この場合、エッジ基準で基準マークを形成したり、或いは基準マークを形成後、座標計測器で基準マーク形成位置を特定することが好適である。
まず、上記のエッジ基準で基準マークを形成する方法について説明する。
図１７及び図１８はそれぞれエッジ基準で基準マークを形成する方法を説明するための図である。
例えば、基準マーク形成手段としてＦＩＢ（集束イオンビーム）を採用し、多層反射膜付き基板に基準マークを形成する場合、多層反射膜付き基板のエッジの検出を行う。基準マークをＦＩＢで加工する場合、多層反射膜付き基板のガラス基板１１のエッジは、２次電子像、２次イオン像、あるいは光学像で認識することができる。また、基準マークをその他の方法（例えば圧痕）で加工する場合は、光学像で認識することができる。図１７に示すように、例えばガラス基板１１（図示の便宜上多層反射膜の図示は省略している）の四辺の８箇所（丸印を付した箇所）のエッジ座標を確認し、チルト補正して、原点（0,0）出しを行う。この場合の原点は任意に設定可能であり、基板の角部でも中心でもよい。
図１７及び図１８はそれぞれエッジ基準で基準マークを形成する方法を説明するための図である。
例えば、基準マーク形成手段としてＦＩＢ（集束イオンビーム）を採用し、多層反射膜付き基板に基準マークを形成する場合、多層反射膜付き基板のエッジの検出を行う。基準マークをＦＩＢで加工する場合、多層反射膜付き基板のガラス基板１１のエッジは、２次電子像、２次イオン像、あるいは光学像で認識することができる。また、基準マークをその他の方法（例えば圧痕）で加工する場合は、光学像で認識することができる。図１７に示すように、例えばガラス基板１１（図示の便宜上多層反射膜の図示は省略している）の四辺の８箇所（丸印を付した箇所）のエッジ座標を確認し、チルト補正して、原点（0,0）出しを行う。この場合の原点は任意に設定可能であり、基板の角部でも中心でもよい。
このようにエッジ基準で設定した原点からの所定の位置にＦＩＢで基準マークを形成する。図１８には、エッジ基準で基板の任意の角部に設定した原点O（0,0）からの所定の位置、具体的には原点Oの両隣の端面１１ＡのエッジからＸの距離、端面１１ＢのエッジからＹの距離に基準マーク１３を形成する場合を示している。この場合、原点O（0,0）を基準とする基準マーク形成座標（X,Y）が基準マークの形成位置情報となる。他の位置に形成する基準マークについても同様である。
このようなエッジ基準で形成した多層反射膜付き基板（あるいは反射型マスクブランク、マスクブランク）の基準マークを欠陥検査装置や電子線描画装置で検出する際、基準マークの形成位置情報、つまりエッジからの距離がわかっているため、基準マーク形成位置を容易に特定することが可能である。
また、多層反射膜付き基板の任意の位置に基準マークを形成後、座標計測器で基準マーク形成位置を特定する方法を適用することもできる。この座標計測器は、基準マークの形成座標をエッジ基準で計測するものであり、例えば高精度パターン位置測定装置（KLA-Tencor社製ＬＭＳ−ＩＰＲＯ４）を使用することができ、特定した基準マーク形成座標が基準マークの形成位置情報となる。また、座標計測器は、電子線描画機の基準座標に変換する役割もあるので、多層反射膜付き基板を提供されたユーザーは、容易に基準マークに基づき欠陥検査装置により特定した欠陥位置と、描画データとを高精度に照合することが可能となり、最終的に製造されるマスクにおいて欠陥を確実に低減させることができる。
以上説明したように、基準マークをエッジ基準で形成したり、或いは基準マークを任意の位置に形成後、座標計測器で基準マーク形成位置を特定する方法によれば、欠陥検査装置や電子線描画装置で多層反射膜付き基板等の基準マークの形成位置を容易に特定することが可能であるため、基準マークのサイズを小さくすることが可能である。具体的には、本発明の基準マーク１３が、前述のメインマークと補助マークとから構成される場合、メインマークの幅は２００ｎｍ以上１０μｍ以下、補助マークの長辺は例えば２５μｍ以上２５０μｍ以下のサイズにすることが可能である。このように基準マークのサイズを小さくした場合、基準マークの形成手段として例えば前記のＦＩＢを採用した場合には、基準マークの加工時間が短縮できるので好ましい。また、基準マークの検出時間についても短縮できるので好ましい。
図１６には、以上で説明したようなエッジ基準で形成する場合の基準マークの形状例及び配置例を示しているが、同図（ａ）のようなメインマーク１３ａと補助マーク１３ｂ，１３ｃから構成される基準マークが代表的な例である。また、上記のとおり、基準マークのサイズを小さくすることができるので、必ずしも補助マークを必要とせず、例えば同図（ｂ）に示すようなメインマーク１３ａのみとすることが可能である。さらに、同図（ｃ）に示すようなメインマーク１３ａの周囲に４つの補助マーク１３ｂ〜１３ｅを配置したものや、同図（ｄ）に示すような十字形の基準マークとすることもできる。
また、基板のエッジ座標を基準に設定した原点からの所定の位置に前記基準マークを形成した例えば多層反射膜付き基板と、この場合の基準マークの形成位置情報（基準マーク形成座標）とを対応付けてユーザーに提供することにより、ユーザーは、例えばマスク製造工程において、この基準マークの形成位置情報を利用して基準マークを短時間で確実に検出することができる。
また、例えば多層反射膜付き基板に基準マークを形成した後、座標計測器で前記基準マークの形成位置を特定し、前記基準マークを形成した多層反射膜付き基板と、この場合の基準マークの形成位置情報（特定した基準マークの位置座標）とを対応付けてユーザーに提供することにより、ユーザーは、この基準マークの形成位置情報を利用して基準マークを短時間で確実に検出することができる。また、基準マークの形成位置を座標計測器で特定することにより、電子線描画機の基準座標の変換が可能となる。したがって、多層反射膜付き基板を提供されたユーザーは、容易に基準マークに基づき欠陥検査装置により特定した欠陥位置と、描画データとを高精度に照合することが可能となり、最終的に製造されるマスクにおいて欠陥を確実に低減させることができる。
また、例えば多層反射膜付き基板に基準マークを形成した後、座標計測器で前記基準マークの形成位置を特定し、前記基準マークを形成した多層反射膜付き基板と、この場合の基準マークの形成位置情報（特定した基準マークの位置座標）とを対応付けてユーザーに提供することにより、ユーザーは、この基準マークの形成位置情報を利用して基準マークを短時間で確実に検出することができる。また、基準マークの形成位置を座標計測器で特定することにより、電子線描画機の基準座標の変換が可能となる。したがって、多層反射膜付き基板を提供されたユーザーは、容易に基準マークに基づき欠陥検査装置により特定した欠陥位置と、描画データとを高精度に照合することが可能となり、最終的に製造されるマスクにおいて欠陥を確実に低減させることができる。
また、上記基準マークの形成位置情報に、さらに基準マークを基準とした欠陥情報（位置情報、サイズ等）を加えてユーザーに提供することにより、ユーザーはこの基準マークの形成位置情報を利用して基準マークを短時間で確実に検出することができるとともに、この欠陥情報に基づいて、欠陥による影響が低減するように描画データを高い精度で修正（補正）し、最終的に製造されるマスクにおいて欠陥を低減させることができる。
また、上記基準マークを形成した多層反射膜付き基板における多層反射膜上に、EUV光を吸収する吸収体膜が形成された反射型マスクブランクと、基準マークの形成位置情報とを対応付けてユーザーに提供することにより、ユーザーは、この反射型マスクブランクを用いるマスク製造において、この基準マークの形成位置情報を利用して基準マークを短時間で確実に検出することができる。
また、基板上に転写パターンとなる薄膜が形成されているマスクブランクにおいても、基板のエッジ座標を基準に設定した原点からの所定の位置に前記基準マークを形成したマスクブランクと、この場合の基準マークの形成位置情報とを対応付けてユーザーに提供することにより、或いはマスクブランクに基準マークを形成した後、座標計測器で前記基準マークの形成位置を特定し、前記基準マークを形成したマスクブランクと、この場合の基準マークの形成位置情報とを対応付けてユーザーに提供することにより、ユーザーは、この基準マークの形成位置情報を利用して基準マークを短時間で確実に検出することができる。
また、マスクブランクにおいても、基準マークの形成位置情報に、さらに前記基準マークを基準とした欠陥情報を加えてユーザーに提供することにより、ユーザーはこの欠陥情報に基づいて、欠陥による影響が低減するように描画データを高い精度で修正（補正）し、最終的に製造されるマスクにおいて欠陥を低減させることができる。
また、マスクブランクにおいても、基準マークの形成位置情報に、さらに前記基準マークを基準とした欠陥情報を加えてユーザーに提供することにより、ユーザーはこの欠陥情報に基づいて、欠陥による影響が低減するように描画データを高い精度で修正（補正）し、最終的に製造されるマスクにおいて欠陥を低減させることができる。
［多層反射膜付き基板］
本発明は、図７に示すように、EUV光を反射する多層反射膜３１に本発明の基準マーク１３が形成されている多層反射膜付き基板３０についても提供する。
図７においては、多層反射膜３１を構成する一部の膜を除去して基準マーク１３が形成されている例を示すが、多層反射膜３１を構成する全ての層を除去して基準マーク１３を形成しても良い。
上記多層反射膜は、低屈折率層と高屈折率層を交互に積層させた多層膜であり、一般的には、重元素又はその化合物の薄膜と、軽元素又はその化合物の薄膜とが交互に４０〜６０周期程度積層された多層膜が用いられる。
本発明は、図７に示すように、EUV光を反射する多層反射膜３１に本発明の基準マーク１３が形成されている多層反射膜付き基板３０についても提供する。
図７においては、多層反射膜３１を構成する一部の膜を除去して基準マーク１３が形成されている例を示すが、多層反射膜３１を構成する全ての層を除去して基準マーク１３を形成しても良い。
上記多層反射膜は、低屈折率層と高屈折率層を交互に積層させた多層膜であり、一般的には、重元素又はその化合物の薄膜と、軽元素又はその化合物の薄膜とが交互に４０〜６０周期程度積層された多層膜が用いられる。
例えば、波長１３〜１４ｎｍのＥＵＶ光に対する多層反射膜としては、Ｍｏ膜とＳｉ膜を交互に４０周期程度積層したＭｏ／Ｓｉ周期積層膜が好ましく用いられる。その他に、ＥＵＶ光の領域で使用される多層反射膜として、Ｒｕ／Ｓｉ周期多層膜、Ｍｏ／Ｂｅ周期多層膜、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物周期多層膜、Ｓｉ／Ｎｂ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ周期多層膜、Ｓｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜などがある。露光波長により、材質を適宜選択すればよい。
EUV露光用の場合、ガラス基板１１としては、露光時の熱によるパターンの歪みを防止するため、０±１．０×１０−７／℃の範囲内、より好ましくは０±０．３×１０−７／℃の範囲内の低熱膨張係数を有するものが好ましく用いられ、この範囲の低熱膨張係数を有する素材としては、例えば、ＳｉＯ２−ＴｉＯ２系ガラス、多成分系ガラスセラミックス等を用いることが出来る。
上記ガラス基板１１の転写パターンが形成される側の主表面は、少なくともパターン転写精度、位置精度を得る観点から高平坦度となるように表面加工されている。EUV露光用の場合、ガラス基板１１の転写パターンが形成される側の主表面１４２ｍｍ×１４２ｍｍの領域において、平坦度が０．１μｍ以下であることが好ましく、特に好ましくは０．０５μｍ以下である。また、転写パターンが形成される側と反対側の主表面は、露光装置にセットする時に静電チャックされる面であって、１４２ｍｍ×１４２ｍｍの領域において、平坦度が１μｍ以下、好ましくは０．５μｍ以下である。
また、上記多層反射膜付き基板のガラス基板１１としては、上記のとおり、ＳｉＯ２−ＴｉＯ２系ガラスなどの低熱膨張係数を有する素材が用いられるが、このようなガラス素材は、精密研磨により、表面粗さとして例えばＲＭＳで０．１ｎｍ以下の高平滑性を実現することが困難である。そのため、図７に示すように、ガラス基板１１の表面粗さの低減、若しくはガラス基板１１表面の欠陥を低減する目的で、ガラス基板１１の表面に下地層２１を形成することが好適である。このような下地層２１の材料としては、露光光に対して透光性を有する必要はなく、下地層表面を精密研磨した時に高い平滑性が得られ、欠陥品質が良好となる材料が好ましく選択される。例えば、Si又はSiを含有するケイ素化合物（例えばSiO2、SiONなど）は、精密研磨した時に高い平滑性が得られ、欠陥品質が良好なため、好ましく用いられる。特にSiが好ましい。
下地層２１の表面は、マスクブランク用基板として要求される平滑度となるように精密研磨された表面とすることが好適である。下地層２１の表面は、二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．１５ｎｍ以下、特に好ましくは０．１ｎｍ以下となるように精密研磨されることが望ましい。また、下地層２１の表面は、下地層２１上に形成する多層反射膜の表面への影響を考慮すると、最大表面粗さ（Ｒｍａｘ）との関係において、Ｒｍａｘ／ＲＭＳが２〜１０であることが良く、特に好ましくは、２〜８となるように精密研磨されることが望ましい。
下地層２１の膜厚は、例えば７５ｎｍ〜３００ｎｍの範囲が好ましい。
下地層２１の膜厚は、例えば７５ｎｍ〜３００ｎｍの範囲が好ましい。
［マスクブランク］
本発明は、上記構成の多層反射膜付き基板における前記多層反射膜上に、転写パターンとなる吸収体膜が形成されている反射型マスクブランク、マスクブランク用ガラス基板上に、転写パターンとなる薄膜が形成されているマスクブランクについても提供する。
上記多層反射膜付き基板は、反射型マスクを製造するための反射型マスクブランク、すなわち、基板上に露光光（ＥＵＶ光）を反射する多層反射膜と、露光光（ＥＵＶ光）を吸収するパターン形成用の吸収体膜とを順に備える反射型マスクブランク用の基板として用いることができる。
図８は、図７の基準マーク１３が形成された多層反射膜付き基板３０における多層反射膜３１上に、保護層（キャッピング層）３２及びEUV光を吸収するパターン形成用の吸収体膜４１が形成されている反射型マスクブランク４０を示す。なお、ガラス基板１１の多層反射膜等が形成されている側とは反対側に裏面導電膜４２が設けられている。
本発明は、上記構成の多層反射膜付き基板における前記多層反射膜上に、転写パターンとなる吸収体膜が形成されている反射型マスクブランク、マスクブランク用ガラス基板上に、転写パターンとなる薄膜が形成されているマスクブランクについても提供する。
上記多層反射膜付き基板は、反射型マスクを製造するための反射型マスクブランク、すなわち、基板上に露光光（ＥＵＶ光）を反射する多層反射膜と、露光光（ＥＵＶ光）を吸収するパターン形成用の吸収体膜とを順に備える反射型マスクブランク用の基板として用いることができる。
図８は、図７の基準マーク１３が形成された多層反射膜付き基板３０における多層反射膜３１上に、保護層（キャッピング層）３２及びEUV光を吸収するパターン形成用の吸収体膜４１が形成されている反射型マスクブランク４０を示す。なお、ガラス基板１１の多層反射膜等が形成されている側とは反対側に裏面導電膜４２が設けられている。
上記吸収体膜４１は、露光光である例えばＥＵＶ光を吸収する機能を有するもので、例えばタンタル（Ｔａ）単体又はＴａを主成分とする材料が好ましく用いられる。Ｔａを主成分とする材料としては、ＴａとＢを含む材料、ＴａとＮを含む材料、ＴａとＢを含み、更にＯとＮの少なくとも何れかを含む材料、ＴａとＳｉを含む材料、ＴａとＳｉとＮを含む材料、ＴａとＧｅを含む材料、ＴａとＧｅとＮを含む材料、等が用いられる。
また、通常、上記吸収体膜４１のパターニング或いはパターン修正の際に多層反射膜を保護する目的で、多層反射膜と吸収体膜との間に上記保護膜３２やバッファ膜を設ける。保護膜の材料としては、ケイ素のほか、ルテニウムや、ルテニウムにニオブ、ジルコニウム、ロジウムのうち１以上の元素を含有するルテニウム化合物が用いられ、バッファ膜の材料としては、主に前記のクロム系材料が用いられる。
また、本発明は、図１９に示すように、EUV光を吸収する吸収体膜４１に本発明の基準マーク１３が形成されている反射型マスクブランク４５についても提供する。なお、図１９において、図８と同等箇所には同一符号を付した。
図１９においては、保護膜３２が露出するように吸収体膜４１を除去して基準マーク１３が形成されている例を示すが、吸収体膜４１の途中まで除去して基準マーク１３を形成したり、吸収体膜４１と保護膜３２を除去して多層反射膜３１が露出するように基準マーク１３を形成したり、吸収体膜４１、保護膜３２、多層反射膜３１を除去して基板１１が露出するように基準マーク１３を形成してもよい。
また、本発明は、図１９に示すように、EUV光を吸収する吸収体膜４１に本発明の基準マーク１３が形成されている反射型マスクブランク４５についても提供する。なお、図１９において、図８と同等箇所には同一符号を付した。
図１９においては、保護膜３２が露出するように吸収体膜４１を除去して基準マーク１３が形成されている例を示すが、吸収体膜４１の途中まで除去して基準マーク１３を形成したり、吸収体膜４１と保護膜３２を除去して多層反射膜３１が露出するように基準マーク１３を形成したり、吸収体膜４１、保護膜３２、多層反射膜３１を除去して基板１１が露出するように基準マーク１３を形成してもよい。
図９は、ガラス基板１１上に、遮光膜５１が形成されているバイナリマスクブランク５０を示す。本発明の基準マーク１３は遮光膜５１に形成されている。
また、図示していないが、ガラス基板１１上に、位相シフト膜、あるいは位相シフト膜及び遮光膜を備えることにより、位相シフト型マスクブランクが得られる。また、ガラス基板１１の表面に必要に応じて前記下地層２１を設ける構成としてもよい。
この遮光膜は、単層でも複数層（例えば遮光層と反射防止層との積層構造）としてもよい。また、遮光膜を遮光層と反射防止層との積層構造とする場合、この遮光層を複数層からなる構造としてもよい。また、上記位相シフト膜についても、単層でも複数層としてもよい。
また、図示していないが、ガラス基板１１上に、位相シフト膜、あるいは位相シフト膜及び遮光膜を備えることにより、位相シフト型マスクブランクが得られる。また、ガラス基板１１の表面に必要に応じて前記下地層２１を設ける構成としてもよい。
この遮光膜は、単層でも複数層（例えば遮光層と反射防止層との積層構造）としてもよい。また、遮光膜を遮光層と反射防止層との積層構造とする場合、この遮光層を複数層からなる構造としてもよい。また、上記位相シフト膜についても、単層でも複数層としてもよい。
このようなマスクブランクとしては、例えば、クロム（Ｃｒ）を含有する材料により形成されている遮光膜を備えるバイナリマスクブランク、遷移金属とケイ素（Ｓｉ）を含有する材料により形成されている遮光膜を備えるバイナリマスクブランク、タンタル（Ｔａ）を含有する材料により形成されている遮光膜を備えるバイナリ型マスクブランク、ケイ素（Ｓｉ）を含有する材料、あるいは遷移金属とケイ素（Ｓｉ）を含有する材料により形成されている位相シフト膜を備える位相シフト型マスクブランクなどが挙げられる。
上記クロム（Ｃｒ）を含有する材料としては、クロム単体、クロム系材料（CrO，CrN，CrC，CrON，CrCN，CrOC，CrOCN等）が挙げられる。
上記タンタル（Ｔａ）を含有する材料としては、タンタル単体のほかに、タンタルと他の金属元素（例えば、Ｈｆ、Ｚｒ等）との化合物、タンタルにさらに窒素、酸素、炭素及びホウ素のうち少なくとも１つの元素を含む材料、具体的には、TaN、TaO，TaC，TaB，TaON，TaCN，TaBN，TaCO，TaBO，TaBC，TaCON，TaBON，TaBCN，TaBCONを含む材料などが挙げられる。
上記タンタル（Ｔａ）を含有する材料としては、タンタル単体のほかに、タンタルと他の金属元素（例えば、Ｈｆ、Ｚｒ等）との化合物、タンタルにさらに窒素、酸素、炭素及びホウ素のうち少なくとも１つの元素を含む材料、具体的には、TaN、TaO，TaC，TaB，TaON，TaCN，TaBN，TaCO，TaBO，TaBC，TaCON，TaBON，TaBCN，TaBCONを含む材料などが挙げられる。
上記ケイ素（Ｓｉ）を含有する材料としては、ケイ素に、さらに窒素、酸素及び炭素のうち少なくとも１つの元素を含む材料、具体的には、ケイ素の窒化物、酸化物、炭化物、酸窒化物、炭酸化物、あるいは炭酸窒化物を含む材料が好適である。
また、上記遷移金属とケイ素（Ｓｉ）を含有する材料としては、遷移金属とケイ素を含有する材料のほかに、遷移金属及びケイ素に、さらに窒素、酸素及び炭素のうち少なくとも１つの元素を含む材料が挙げられる。具体的には、遷移金属シリサイド、または遷移金属シリサイドの窒化物、酸化物、炭化物、酸窒化物、炭酸化物、あるいは炭酸窒化物を含む材料が好適である。遷移金属には、モリブデン、タンタル、タングステン、チタン、クロム、ハフニウム、ニッケル、バナジウム、ジルコニウム、ルテニウム、ロジウム、ニオブ等が適用可能である。この中でも特にモリブデンが好適である。
また、上記遷移金属とケイ素（Ｓｉ）を含有する材料としては、遷移金属とケイ素を含有する材料のほかに、遷移金属及びケイ素に、さらに窒素、酸素及び炭素のうち少なくとも１つの元素を含む材料が挙げられる。具体的には、遷移金属シリサイド、または遷移金属シリサイドの窒化物、酸化物、炭化物、酸窒化物、炭酸化物、あるいは炭酸窒化物を含む材料が好適である。遷移金属には、モリブデン、タンタル、タングステン、チタン、クロム、ハフニウム、ニッケル、バナジウム、ジルコニウム、ルテニウム、ロジウム、ニオブ等が適用可能である。この中でも特にモリブデンが好適である。
［マスク］
本発明は、上記構成の反射型マスクブランクにおける前記吸収体膜がパターニングされている反射型マスク、上記構成のマスクブランクにおける前記薄膜がパターニングされているマスクについても提供する。
図１０は、図８の反射型マスクブランク４０における吸収体膜４１がパターニングされた吸収体膜パターン４１ａを備える反射型マスク６０を示す。
本発明は、上記構成の反射型マスクブランクにおける前記吸収体膜がパターニングされている反射型マスク、上記構成のマスクブランクにおける前記薄膜がパターニングされているマスクについても提供する。
図１０は、図８の反射型マスクブランク４０における吸収体膜４１がパターニングされた吸収体膜パターン４１ａを備える反射型マスク６０を示す。
また、図１１は、図９のバイナリマスクブランク５０における遮光膜５１がパターニングされた遮光膜パターン５１ａを備えるバイナリマスク７０を示す。
マスクブランクにおける転写パターンとなる上記吸収体膜または上記遮光膜等の薄膜をパターニングする方法は、フォトリソグラフィー法が最も好適である。
なお、図示していないが、上述のマスクブランク用ガラス基板上に、位相シフト膜、あるいは位相シフト膜及び遮光膜を備える構造の位相シフト型マスクブランクにおいても、転写パターンとなる薄膜をパターニングすることにより、位相シフト型マスクが得られる。
マスクブランクにおける転写パターンとなる上記吸収体膜または上記遮光膜等の薄膜をパターニングする方法は、フォトリソグラフィー法が最も好適である。
なお、図示していないが、上述のマスクブランク用ガラス基板上に、位相シフト膜、あるいは位相シフト膜及び遮光膜を備える構造の位相シフト型マスクブランクにおいても、転写パターンとなる薄膜をパターニングすることにより、位相シフト型マスクが得られる。
以下、実施例により、本発明の実施の形態を更に具体的に説明する。
（実施例１）
両面研磨装置を用い、酸化セリウム砥粒やコロイダルシリカ砥粒により段階的に研磨し、低濃度のケイフッ酸で基板表面を表面処理したＳｉＯ２−ＴｉＯ２系のガラス基板（大きさが約１５２．４ｍｍ×約１５２．４ｍｍ、厚さが約６．３５ｍｍ）を準備した。得られたガラス基板の表面粗さは、二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．２５ｎｍであった（原子間力顕微鏡にて測定した。測定領域は１μｍ×１μｍ。）。
（実施例１）
両面研磨装置を用い、酸化セリウム砥粒やコロイダルシリカ砥粒により段階的に研磨し、低濃度のケイフッ酸で基板表面を表面処理したＳｉＯ２−ＴｉＯ２系のガラス基板（大きさが約１５２．４ｍｍ×約１５２．４ｍｍ、厚さが約６．３５ｍｍ）を準備した。得られたガラス基板の表面粗さは、二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．２５ｎｍであった（原子間力顕微鏡にて測定した。測定領域は１μｍ×１μｍ。）。
このガラス基板の表裏両面の表面形状（表面形態、平坦度）を平坦度測定装置（トロッペル社製UltraFlat）で測定（ 測定領域１４８ｍｍ×１４８ｍｍ）した結果、ガラス基板表面及び裏面の平坦度は約２９０ｎｍであった。
次に、ガラス基板表面に局所表面加工を施し表面形状を調整した。
得られたガラス基板表面の表面形状（ 表面形態、平坦度）と表面粗さを測定したところ、１４２ｍｍ×１４２ｍｍの測定領域において、表裏面の平坦度は８０ｎｍで、１００ｎｍ以下 となっており良好であった。
次に、ガラス基板表面に局所表面加工を施し表面形状を調整した。
得られたガラス基板表面の表面形状（ 表面形態、平坦度）と表面粗さを測定したところ、１４２ｍｍ×１４２ｍｍの測定領域において、表裏面の平坦度は８０ｎｍで、１００ｎｍ以下 となっており良好であった。
次に、ＢドープＳｉターゲットを使用し、スパッタリングガスとしてＡｒガスとＨｅガスの混合ガスを使用し、ＤＣマグネトロンスパッタリングにより、１００ｎｍのＳｉ下地層を成膜した後、Ｓｉ膜に熱エネルギーを付与して応力低減処理を行った。
その後、Ｓｉ下地層表面について、表面形状を維持し、表面粗さを低減するため、片面研磨装置を用いた精密研磨を行った。
得られたＳｉ下地層表面の表面形状（表面形態、平坦度）と表面粗さを測定したところ、１４２ｍｍ×１４２ｍｍの測定領域において、８０ｎｍで、１００ｎｍ以下となっており良好であった。また、表面粗さは、１μｍ×１μｍの測定領域において、二乗平均平方根粗さＲＭＳで０．０８ｎｍとなっており極めて良好であった。ＲＭＳで０．１ｎｍ以下と極めて高い平滑性を有しているので、高感度の欠陥検査装置におけるバックグランドノイズが低減し、擬似欠陥検出抑制の点でも効果がある。
また、最大表面粗さ（Ｒｍａｘ）は、１μｍ×１μｍの測定領域において、０．６０ｎｍで、Ｒｍａｘ／ＲＭＳは７．５となっており、表面粗さのばらつきは小さく良好であった。
得られたＳｉ下地層表面の表面形状（表面形態、平坦度）と表面粗さを測定したところ、１４２ｍｍ×１４２ｍｍの測定領域において、８０ｎｍで、１００ｎｍ以下となっており良好であった。また、表面粗さは、１μｍ×１μｍの測定領域において、二乗平均平方根粗さＲＭＳで０．０８ｎｍとなっており極めて良好であった。ＲＭＳで０．１ｎｍ以下と極めて高い平滑性を有しているので、高感度の欠陥検査装置におけるバックグランドノイズが低減し、擬似欠陥検出抑制の点でも効果がある。
また、最大表面粗さ（Ｒｍａｘ）は、１μｍ×１μｍの測定領域において、０．６０ｎｍで、Ｒｍａｘ／ＲＭＳは７．５となっており、表面粗さのばらつきは小さく良好であった。
次に、Ｓｉ下地層上に、イオンビームスパッタリング装置を用いて、Ｓｉ膜（膜厚：４．２ｎｍ）とＭｏ膜（膜厚：２．８ｎｍ）を一周期として、４０周期積層して多層反射膜（総膜厚２８０ｎｍ）を形成し、多層反射膜付き基板を得た。
次に、上記多層反射膜の表面の所定の箇所に以下の表面形状で断面形状が凹形状の基準マークを形成した。基準マークの形成は集束イオンビームを用いて行った。この時の条件は加速電圧５０ｋV、ビーム電流値２０ｐAとした。
なお、本実施例では、基準マークとして、前述のメインマークと補助マークを図２に示すような配置関係となるように形成した。メインマーク１３ａは、大きさが５μｍ×５μｍの矩形、深さは多層反射膜を構成する全ての層を除去したので、約２８０ｎｍとした。また、補助マーク１３ｂ，１３ｃはいずれも、大きさが１μｍ×２００μｍの矩形、深さは多層反射膜を構成する全ての層を除去したので、約２８０ｎｍとした。
なお、本実施例では、基準マークとして、前述のメインマークと補助マークを図２に示すような配置関係となるように形成した。メインマーク１３ａは、大きさが５μｍ×５μｍの矩形、深さは多層反射膜を構成する全ての層を除去したので、約２８０ｎｍとした。また、補助マーク１３ｂ，１３ｃはいずれも、大きさが１μｍ×２００μｍの矩形、深さは多層反射膜を構成する全ての層を除去したので、約２８０ｎｍとした。
基準マークの断面形状を原子間力顕微鏡（AFM）により観察したところ、図１２に示すように、側壁の傾斜角度が８５度、多層反射膜表面と側壁との間の稜線部の曲率半径が約２５０ｎｍと良好な断面形状であった。
多層反射膜に形成したこの基準マークは、電子線描画装置やブランクス検査装置で、コントラストが０．０２５と高く、精度良く検出でき、しかも欠陥検出位置のばらつきも８３ｎｍで１００ｎｍ以下となり再現性良く検出できることを確認した。
多層反射膜に形成したこの基準マークは、電子線描画装置やブランクス検査装置で、コントラストが０．０２５と高く、精度良く検出でき、しかも欠陥検出位置のばらつきも８３ｎｍで１００ｎｍ以下となり再現性良く検出できることを確認した。
次に、多層反射膜表面をブランクス欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）で欠陥検査を行った。この欠陥検査では、上述の基準マークを基準として、基準点を決定し、決定した基準点との相対位置に基づく凸、凹の欠陥位置情報と、欠陥サイズ情報を取得し、欠陥マップを作成した。多層反射膜付き基板と、これら欠陥位置情報、欠陥サイズ情報とを対応させた欠陥情報（欠陥マップ）付き多層反射膜付き基板を得た。この多層反射膜付き基板の多層反射膜表面の反射率を、EUV反射率計により評価したところ、下地層表面粗さばらつきが抑えられたことにより、６７％±０．２％と良好であった。
次に、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置を用いて、多層反射膜上にＲｕＮｂからなるキャッピング層（膜厚：２．５ｎｍ）と、ＴａＢＮ膜（膜厚：５６ｎｍ）とＴａＢＯ膜（膜厚：１４ｎｍ）の積層膜からなる吸収体層を形成し、また、裏面にＣｒＮ導電膜（膜厚：２０ｎｍ）を形成してＥＵＶ反射型マスクブランクを得た。
得られたＥＵＶ反射型マスクブランクについて、ブランクス欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｃｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）で欠陥検査を行った。上述と同様に上述の基準マークを基準として、凸、凹の欠陥位置情報と、欠陥サイズ情報を取得し、ＥＵＶ反射型マスクブランクと、これら欠陥位置情報、欠陥サイズ情報とを対応させた欠陥情報付きＥＵＶ反射型マスクブランクを得た。
次に、この欠陥情報付きのＥＵＶ反射型マスクブランクを用いて、ＥＵＶ反射型マスクを作製した。
まず、ＥＵＶ反射型マスクブランク上に電子線描画用レジストをスピンコーティング法により塗布、ベーキングしてレジスト膜を形成した。
次に、ＥＵＶ反射型マスクブランクの欠陥情報に基づいて、予め設計しておいたマスクパターンデータと照合し、露光装置を用いたパターン転写に影響のないマスクパターンデータに修正するか、パターン転写に影響があると判断した場合には、例えば欠陥をパターンの下に隠すように修正パターンデータを追加したマスクパターンデータに修正するか、修正パターンデータでも対応ができない欠陥については、マスク作製後の欠陥修正の負荷が低減できるマスクパターンデータに修正し、この修正されたマスクパターンデータに基づいて、上述のレジスト膜に対して電子線によりマスクパターンを描画、現像を行い、レジストパターンを形成した。本実施例では、上記基準マークと欠陥との相対位置関係が高い精度で管理できたので、マスクパターンデータの修正を高精度で行うことができた。
まず、ＥＵＶ反射型マスクブランク上に電子線描画用レジストをスピンコーティング法により塗布、ベーキングしてレジスト膜を形成した。
次に、ＥＵＶ反射型マスクブランクの欠陥情報に基づいて、予め設計しておいたマスクパターンデータと照合し、露光装置を用いたパターン転写に影響のないマスクパターンデータに修正するか、パターン転写に影響があると判断した場合には、例えば欠陥をパターンの下に隠すように修正パターンデータを追加したマスクパターンデータに修正するか、修正パターンデータでも対応ができない欠陥については、マスク作製後の欠陥修正の負荷が低減できるマスクパターンデータに修正し、この修正されたマスクパターンデータに基づいて、上述のレジスト膜に対して電子線によりマスクパターンを描画、現像を行い、レジストパターンを形成した。本実施例では、上記基準マークと欠陥との相対位置関係が高い精度で管理できたので、マスクパターンデータの修正を高精度で行うことができた。
このレジストパターンをマスクとし、吸収体層をフッ素系ガス（ＣＦ４ガス）によりＴａＢＯ膜を、塩素系ガス（Ｃｌ２ガス）によりＴａＢＮ膜をエッチング除去して、キャッピング層上に吸収体層パターンを形成した。
さらに、吸収体層パターン上に残ったレジストパターンを熱硫酸で除去し、ＥＵＶ反射型マスクを得た。
この得られたＥＵＶ反射型マスクについてマスク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）により検査したところ、多層反射膜上に凸欠陥は確認されなかった。
こうして得られた反射型マスクを露光装置にセットし、レジスト膜を形成した半導体基板上へのパターン転写を行う場合、反射型マスク起因の転写パターンの欠陥も無く、良好なパターン転写を行うことができる。
さらに、吸収体層パターン上に残ったレジストパターンを熱硫酸で除去し、ＥＵＶ反射型マスクを得た。
この得られたＥＵＶ反射型マスクについてマスク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）により検査したところ、多層反射膜上に凸欠陥は確認されなかった。
こうして得られた反射型マスクを露光装置にセットし、レジスト膜を形成した半導体基板上へのパターン転写を行う場合、反射型マスク起因の転写パターンの欠陥も無く、良好なパターン転写を行うことができる。
（実施例２）
上記実施例１における基準マークを多層反射膜に形成せず、吸収体膜に形成した以外は実施例１と同様にして反射型マスクブランクを作製した。
基準マークの断面形状を原子間力顕微鏡（AFM）により観察したところ、実施例１と同様、側壁の傾斜角度が８７度、吸収体膜表面の側壁との間の稜線部の曲率半径が約１２０ｎｍと良好な断面形状であった。
また、吸収体膜に形成したこの基準マークは、電子線描画装置やブランクス欠陥検査装置で、コントラストが０．０２０と高く、精度良く検出でき、しかも欠陥検出位置のばらつきも８１ｎｍとなり、再現性よく検出できることを確認した。
上記実施例１における基準マークを多層反射膜に形成せず、吸収体膜に形成した以外は実施例１と同様にして反射型マスクブランクを作製した。
基準マークの断面形状を原子間力顕微鏡（AFM）により観察したところ、実施例１と同様、側壁の傾斜角度が８７度、吸収体膜表面の側壁との間の稜線部の曲率半径が約１２０ｎｍと良好な断面形状であった。
また、吸収体膜に形成したこの基準マークは、電子線描画装置やブランクス欠陥検査装置で、コントラストが０．０２０と高く、精度良く検出でき、しかも欠陥検出位置のばらつきも８１ｎｍとなり、再現性よく検出できることを確認した。
本実施例においては、基板上に多層反射膜が形成された多層反射膜付き基板の多層反射膜表面を、ブランクス欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）で、基板主表面の中心を基準にして欠陥検査を行い、吸収体膜が形成された反射型マスクブランクについて、上述と同様のブランクス欠陥検査装置を用いて基準マークを基準として、凸、凹の欠陥位置情報と、欠陥サイズ情報を取得し、最後に、多層反射膜付き基板の欠陥情報と反射型マスクブランクの欠陥情報において、欠陥が一致している複数の欠陥を元に照合することにより、反射型マスクブランクと、これら欠陥位置情報、欠陥サイズ情報とを対応させた欠陥情報付きＥＵＶ反射型マスクブランクを得た。
実施例１と同様に、ＥＵＶ反射型マスクを作製した。この得られたＥＵＶ反射型マスクについてマスク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）により検査したところ、多層反射膜上に凸欠陥は確認されなかった。
こうして得られた反射型マスクを露光装置にセットし、レジスト膜を形成した半導体基板上へのパターン転写を行う場合、反射型マスク起因の転写パターンの欠陥も無く、良好なパターン転写を行うことができる。
実施例１と同様に、ＥＵＶ反射型マスクを作製した。この得られたＥＵＶ反射型マスクについてマスク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）により検査したところ、多層反射膜上に凸欠陥は確認されなかった。
こうして得られた反射型マスクを露光装置にセットし、レジスト膜を形成した半導体基板上へのパターン転写を行う場合、反射型マスク起因の転写パターンの欠陥も無く、良好なパターン転写を行うことができる。
（実施例３）
両面研磨装置を用い、酸化セリウム砥粒やコロイダルシリカ砥粒により段階的に研磨し、低濃度のケイフッ酸で基板表面を表面処理した合成石英基板（大きさが約１５２．４ｍｍ×約１５２．４ｍｍ、厚さが約６．３５ｍｍ）を準備した。得られたガラス基板の表面粗さは、二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．２ｎｍであった。また、ガラス基板表面及び裏面の平坦度は約２９０ｎｍであった。
両面研磨装置を用い、酸化セリウム砥粒やコロイダルシリカ砥粒により段階的に研磨し、低濃度のケイフッ酸で基板表面を表面処理した合成石英基板（大きさが約１５２．４ｍｍ×約１５２．４ｍｍ、厚さが約６．３５ｍｍ）を準備した。得られたガラス基板の表面粗さは、二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．２ｎｍであった。また、ガラス基板表面及び裏面の平坦度は約２９０ｎｍであった。
次に、上記ガラス基板上に、以下のようにしてＴａＮ膜とＴａＯ膜の積層からなる遮光膜を形成した。
ターゲットにタンタル（Ｔａ）ターゲットを用い、キセノン（Ｘｅ）と窒素（Ｎ２）の混合ガス雰囲気（ガス圧０．０７６Ｐａ、ガス流量比 Ｘｅ：Ｎ２＝１１sccm：１５sccm）で、ＤＣ電源の電力を１．５ｋＷとし、反応性スパッタリング（ＤＣスパッタリング）により、ＴａＮ膜を膜厚４４．９ｎｍで成膜し、引き続いて、Ｔａターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）と酸素（Ｏ２）の混合ガス雰囲気（ガス圧０．３Ｐａ、ガス流量比 Ａｒ：Ｏ２＝５８sccm：３２．５sccm）で、ＤＣ電源の電力を０．７ｋＷとし、ＴａＯ膜を膜厚１３ｎｍで成膜することにより、ＴａＮ膜とＴａＯ膜の積層からなるＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）用遮光膜を形成して、バイナリマスクブランクを作製した。なお、ＡｒＦエキシマレーザーに対する遮光膜の光学濃度は３．０、表面反射率は１９．５％であった。
ターゲットにタンタル（Ｔａ）ターゲットを用い、キセノン（Ｘｅ）と窒素（Ｎ２）の混合ガス雰囲気（ガス圧０．０７６Ｐａ、ガス流量比 Ｘｅ：Ｎ２＝１１sccm：１５sccm）で、ＤＣ電源の電力を１．５ｋＷとし、反応性スパッタリング（ＤＣスパッタリング）により、ＴａＮ膜を膜厚４４．９ｎｍで成膜し、引き続いて、Ｔａターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）と酸素（Ｏ２）の混合ガス雰囲気（ガス圧０．３Ｐａ、ガス流量比 Ａｒ：Ｏ２＝５８sccm：３２．５sccm）で、ＤＣ電源の電力を０．７ｋＷとし、ＴａＯ膜を膜厚１３ｎｍで成膜することにより、ＴａＮ膜とＴａＯ膜の積層からなるＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）用遮光膜を形成して、バイナリマスクブランクを作製した。なお、ＡｒＦエキシマレーザーに対する遮光膜の光学濃度は３．０、表面反射率は１９．５％であった。
次に、上記遮光膜の表面の所定の箇所に、実施例１と同様の基準マークを形成した。基準マークの形成は集束イオンビームを用いて行った。この時の条件は加速電圧５０ｋV、ビーム電流値２０ｐAとした。
基準マークの断面形状を原子間力顕微鏡（AFM）により観察したところ、実施例１と同様、側壁の傾斜角度が８３度、遮光膜表面と側壁との間の稜線部の曲率半径が約３００ｎｍと良好な断面形状であった。
遮光膜に形成したこの基準マークは、電子線描画装置やブランクス検査装置で、コントラストが０．０２と高く、精度良く検出でき、しかも欠陥検出位置のばらつきも８０ｎｍとなり再現性良く検出できることを確認した。
基準マークの断面形状を原子間力顕微鏡（AFM）により観察したところ、実施例１と同様、側壁の傾斜角度が８３度、遮光膜表面と側壁との間の稜線部の曲率半径が約３００ｎｍと良好な断面形状であった。
遮光膜に形成したこの基準マークは、電子線描画装置やブランクス検査装置で、コントラストが０．０２と高く、精度良く検出でき、しかも欠陥検出位置のばらつきも８０ｎｍとなり再現性良く検出できることを確認した。
得られたバイナリマスクブランクについて、ブランクス欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｃｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）で欠陥検査を行った。上述の遮光膜に形成した基準マークを基準として、凸、凹の欠陥位置情報と、欠陥サイズ情報を取得し、バイナリマスクブランクと、これら欠陥位置情報、欠陥サイズ情報とを対応させた欠陥情報付きバイナリマスクブランクを得た。
次に、この欠陥情報付きのバイナリマスクブランクを用いて、バイナリマスクを作製した。
まず、バイナリマスクブランク上に電子線描画用レジストをスピンコーティング法により塗布、ベーキングしてレジスト膜を形成した。
次に、実施例１と同様、バイナリマスクブランクの欠陥情報に基づいて、予め設計しておいたマスクパターンデータと照合し、露光装置を用いたパターン転写に影響のないマスクパターンデータに修正するか、パターン転写に影響があると判断した場合には、修正パターンデータを追加したマスクパターンデータに修正するか、修正パターンデータでも対応ができない欠陥については、マスク作製後の欠陥修正の負荷が低減できるマスクパターンデータに修正し、この修正されたマスクパターンデータに基づいて、上述のレジスト膜に対して電子線によりマスクパターンを描画、現像を行い、レジストパターンを形成した。本実施例においても、上記基準マークと欠陥との相対位置関係が高い精度で管理できたので、マスクパターンデータの修正を高精度で行うことができた。
まず、バイナリマスクブランク上に電子線描画用レジストをスピンコーティング法により塗布、ベーキングしてレジスト膜を形成した。
次に、実施例１と同様、バイナリマスクブランクの欠陥情報に基づいて、予め設計しておいたマスクパターンデータと照合し、露光装置を用いたパターン転写に影響のないマスクパターンデータに修正するか、パターン転写に影響があると判断した場合には、修正パターンデータを追加したマスクパターンデータに修正するか、修正パターンデータでも対応ができない欠陥については、マスク作製後の欠陥修正の負荷が低減できるマスクパターンデータに修正し、この修正されたマスクパターンデータに基づいて、上述のレジスト膜に対して電子線によりマスクパターンを描画、現像を行い、レジストパターンを形成した。本実施例においても、上記基準マークと欠陥との相対位置関係が高い精度で管理できたので、マスクパターンデータの修正を高精度で行うことができた。
このレジストパターンをマスクとし、フッ素系ガス（ＣＦ４ガス）によりＴａＯ膜を、塩素系ガス（Ｃｌ２ガス）によりＴａＮ膜をエッチング除去して、遮光膜パターンを形成した。
さらに、遮光膜パターン上に残ったレジストパターンを熱硫酸で除去し、バイナリマスクを得た。
この得られたバイナリマスクについてマスク欠陥検査装置（（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）により検査したところ、ガラス基板上に凸欠陥は確認されなかった。
こうして得られたバイナリマスクを露光装置にセットし、レジスト膜を形成した半導体基板上へのパターン転写を行ったところ、転写パターンの欠陥も無く、良好なパターン転写を行えた。
さらに、遮光膜パターン上に残ったレジストパターンを熱硫酸で除去し、バイナリマスクを得た。
この得られたバイナリマスクについてマスク欠陥検査装置（（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）により検査したところ、ガラス基板上に凸欠陥は確認されなかった。
こうして得られたバイナリマスクを露光装置にセットし、レジスト膜を形成した半導体基板上へのパターン転写を行ったところ、転写パターンの欠陥も無く、良好なパターン転写を行えた。
（比較例）
上記実施例１における基準マークのうちのメインマークの大きさを１００ｎｍ×１００ｎｍの矩形としたこと以外は、実施例１と同様に、基準マークを形成した多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスクを順に作製した。
この得られたＥＵＶ反射型マスクについてマスク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）により検査したところ、多層反射膜上に数十個の凸欠陥が確認された。
多層反射膜上に数十個の凸欠陥が確認された原因を詳細に検討したところ、本比較例で作製した基準マークの検出再現性が悪く（特に欠陥欠陥検査装置において）、その欠陥情報に基づくマスクパターンデータの補正・修正を高精度で行うことができなかったためであることが判明した。
上記実施例１における基準マークのうちのメインマークの大きさを１００ｎｍ×１００ｎｍの矩形としたこと以外は、実施例１と同様に、基準マークを形成した多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスクを順に作製した。
この得られたＥＵＶ反射型マスクについてマスク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）により検査したところ、多層反射膜上に数十個の凸欠陥が確認された。
多層反射膜上に数十個の凸欠陥が確認された原因を詳細に検討したところ、本比較例で作製した基準マークの検出再現性が悪く（特に欠陥欠陥検査装置において）、その欠陥情報に基づくマスクパターンデータの補正・修正を高精度で行うことができなかったためであることが判明した。
（実施例４）
実施例１の多層反射膜付き基板の上記多層反射膜の表面の所定の箇所に断面形状が凹形状の基準マークを形成した。基準マークの形成は実施例１と同じくＦＩＢ（集束イオンビーム）を用いて行った。この時の条件は加速電圧５０ｋV、ビーム電流値２０ｐAとした。
本実施例では、上記基板の四辺の８箇所のエッジ座標を確認し、チルト補正して、基板の任意の角部に原点を設定した。そして、このようにエッジ基準で設定した原点からの所定の位置にＦＩＢで基準マークを形成した。具体的には、エッジ基準で基板の任意の角部に設定した原点の両隣の端面のそれぞれのエッジから８０００μｍ、８０００μｍの位置に基準マークを形成し、同様にして基板面内に全部で４箇所に形成した。
基準マークは前述のメインマークと補助マークとを図１６（ａ）に示すような配置関係となるように形成した。メインマーク１３ａは、大きさが５μｍ×５μｍの矩形、深さは多層反射膜を構成する全ての層を除去したので、約２８０ｎｍとした。また、補助マーク１３ｂ，１３ｃはいずれも、大きさが１μｍ×１２０μｍの矩形、深さは多層反射膜を構成する全ての層を除去したので、約２８０ｎｍとした。
多層反射膜に形成したこの基準マークは、電子線描画装置やブランクス検査装置で、コントラストが実施例１と同程度に高く、上記基準マークの形成位置情報（基準マーク形成座標）を利用して、精度良く短時間で検出できることを確認した。
また、実施例１と対比して、基準マークの加工時間を約３割短縮することができた。
実施例１の多層反射膜付き基板の上記多層反射膜の表面の所定の箇所に断面形状が凹形状の基準マークを形成した。基準マークの形成は実施例１と同じくＦＩＢ（集束イオンビーム）を用いて行った。この時の条件は加速電圧５０ｋV、ビーム電流値２０ｐAとした。
本実施例では、上記基板の四辺の８箇所のエッジ座標を確認し、チルト補正して、基板の任意の角部に原点を設定した。そして、このようにエッジ基準で設定した原点からの所定の位置にＦＩＢで基準マークを形成した。具体的には、エッジ基準で基板の任意の角部に設定した原点の両隣の端面のそれぞれのエッジから８０００μｍ、８０００μｍの位置に基準マークを形成し、同様にして基板面内に全部で４箇所に形成した。
基準マークは前述のメインマークと補助マークとを図１６（ａ）に示すような配置関係となるように形成した。メインマーク１３ａは、大きさが５μｍ×５μｍの矩形、深さは多層反射膜を構成する全ての層を除去したので、約２８０ｎｍとした。また、補助マーク１３ｂ，１３ｃはいずれも、大きさが１μｍ×１２０μｍの矩形、深さは多層反射膜を構成する全ての層を除去したので、約２８０ｎｍとした。
多層反射膜に形成したこの基準マークは、電子線描画装置やブランクス検査装置で、コントラストが実施例１と同程度に高く、上記基準マークの形成位置情報（基準マーク形成座標）を利用して、精度良く短時間で検出できることを確認した。
また、実施例１と対比して、基準マークの加工時間を約３割短縮することができた。
（実施例５）
基準マークとして、大きさが５μｍ×５μｍの矩形のメインマークのみとしたこと以外は、実施例３と同様にして多層反射膜付き基板に基準マークを形成した。
多層反射膜付き基板に形成したこの基準マークは、電子線描画装置やブランクス検査装置で、コントラストが実施例１と同程度に高く、上記基準マークの形成位置情報（基準マーク形成座標）を利用して、精度良く短時間で検出できることを確認した。
また、実施例１と比較して、基準マークの加工時間を、約６割短縮することができた。
基準マークとして、大きさが５μｍ×５μｍの矩形のメインマークのみとしたこと以外は、実施例３と同様にして多層反射膜付き基板に基準マークを形成した。
多層反射膜付き基板に形成したこの基準マークは、電子線描画装置やブランクス検査装置で、コントラストが実施例１と同程度に高く、上記基準マークの形成位置情報（基準マーク形成座標）を利用して、精度良く短時間で検出できることを確認した。
また、実施例１と比較して、基準マークの加工時間を、約６割短縮することができた。
（実施例６）
基準マークとして、大きさが５μｍ×５μｍの矩形のメインマークのみを、任意の位置に形成した。具体的には、基準マークは実施例１の多層反射膜付き基板の上記多層反射膜の表面の所定の箇所に断面形状が凹形状の基準マークとした。基準マークの形成は実施例１と同じくＦＩＢ（集束イオンビーム）を用いて行った。この時の条件は加速電圧５０ｋＶ、ビーム電流値２０ｐＡとした。その後、高精度パターン位置測定装置（KLA-Tencor社製ＬＭＳ−ＩＰＲＯ４）で基準マークの中心座標を計測した。その結果、 基板の左上コーナーを原点として、それぞれ、（８０２２μｍ、８０１１μｍ）、（７９９９μｍ、１４４００５μｍ）、（１４４００４μｍ、８０１７μｍ）、（１４３９８２μｍ、１４４０１０μｍ）の位置に形成されていることを確認した。
多層反射膜付き基板に形成したこの基準マークは、電子線描画装置やブランクス検査装置で、コントラストが実施例１と同程度に高く、上記基準マークの形成位置情報（基準マーク形成座標）を利用して、精度良く短時間で検出できることを確認した。
基準マークとして、大きさが５μｍ×５μｍの矩形のメインマークのみを、任意の位置に形成した。具体的には、基準マークは実施例１の多層反射膜付き基板の上記多層反射膜の表面の所定の箇所に断面形状が凹形状の基準マークとした。基準マークの形成は実施例１と同じくＦＩＢ（集束イオンビーム）を用いて行った。この時の条件は加速電圧５０ｋＶ、ビーム電流値２０ｐＡとした。その後、高精度パターン位置測定装置（KLA-Tencor社製ＬＭＳ−ＩＰＲＯ４）で基準マークの中心座標を計測した。その結果、 基板の左上コーナーを原点として、それぞれ、（８０２２μｍ、８０１１μｍ）、（７９９９μｍ、１４４００５μｍ）、（１４４００４μｍ、８０１７μｍ）、（１４３９８２μｍ、１４４０１０μｍ）の位置に形成されていることを確認した。
多層反射膜付き基板に形成したこの基準マークは、電子線描画装置やブランクス検査装置で、コントラストが実施例１と同程度に高く、上記基準マークの形成位置情報（基準マーク形成座標）を利用して、精度良く短時間で検出できることを確認した。
なお、上述の実施例では、いずれも基準マークを集束イオンビームにより形成した例を挙げて説明したが、これに限定されない。前にも説明したとおり、フォトリソ法、レーザー光等による凹部形成、ダイヤモンド針を走査しての加工痕、微小圧子によるインデンション、インプリント法による型押しなどで形成することができる。
また、上述の実施例では、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランクともに、下地層を形成した例を挙げて説明したが、これに限られない。下地層が形成されていない多層反射膜付き基板、反射型マスクブランクであっても構わない。
また、上述の実施例では、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランクともに、下地層を形成した例を挙げて説明したが、これに限られない。下地層が形成されていない多層反射膜付き基板、反射型マスクブランクであっても構わない。
１１ ガラス基板
１２ ラフアライメントマーク
１３ 基準マーク（ファインマーク）
１３ａ メインマーク
１３ｂ、１３ｃ 補助マーク
２１ 下地層
３０ 多層反射膜付き基板
３１ 多層反射膜
３２ 保護層
４０ 反射型マスクブランク
４１ 吸収体膜
５０ バイナリマスクブランク
５１ 遮光膜
６０ 反射型マスク
７０ バイナリマスク
１２ ラフアライメントマーク
１３ 基準マーク（ファインマーク）
１３ａ メインマーク
１３ｂ、１３ｃ 補助マーク
２１ 下地層
３０ 多層反射膜付き基板
３１ 多層反射膜
３２ 保護層
４０ 反射型マスクブランク
４１ 吸収体膜
５０ バイナリマスクブランク
５１ 遮光膜
６０ 反射型マスク
７０ バイナリマスク
Claims (14)
- 基板上にEUV光を反射する多層反射膜が形成されている多層反射膜付き基板の製造方法であって、
前記多層反射膜付き基板に、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、
前記多層反射膜付き基板に対して欠陥検査を行い、前記基準マークを基準とした欠陥情報を取得し、
電子線描画機の基準座標に変換可能な座標計測器で前記基準マークの形成位置を特定し、
前記基準マークを形成した前記多層反射膜付き基板と、前記基準マークの形成位置情報及び前記欠陥情報とを対応付けてユーザーに提供することを特徴とする多層反射膜付き基板の製造方法。 - 前記多層反射膜上に保護膜が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の多層反射膜付き基板の製造方法。
- 前記基準マークは、前記多層反射膜に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の多層反射膜付き基板の製造方法。
- 前記基準マークは、前記保護膜に形成されていることを特徴とする請求項２又は３に記載の多層反射膜付き基板の製造方法。
- 請求項１乃至４のいずれかに記載の多層反射膜付き基板の製造方法によって製造された前記基準マークを形成した前記多層反射膜付き基板における前記多層反射膜上に、EUV光を吸収する吸収体膜が形成されている反射型マスクブランクと、前記基準マークの形成位置情報とを対応付けることを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
- 基板上にEUV光を反射する多層反射膜と、前記多層反射膜上にEUV光を吸収する吸収体膜が形成されている反射型マスクブランクの製造方法であって、
前記反射型マスクブランクに、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、
前記反射型マスクブランクに対して欠陥検査を行い、前記基準マークを基準とした欠陥情報を取得し、
電子線描画機の基準座標に変換可能な座標計測器で前記基準マークの形成位置を特定し、
前記基準マークを形成した前記反射型マスクブランクと、前記基準マークの形成位置情報及び前記欠陥情報とを対応付けてユーザーに提供することを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。 - 前記多層反射膜と吸収体膜の間に保護膜が形成されていることを特徴とする請求項６に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
- 前記基準マークは、前記多層反射膜に形成されていることを特徴とする請求項６又は７に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
- 前記基準マークは、前記保護膜に形成されていることを特徴とする請求項７又は８に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
- 前記基準マークは、前記吸収体膜に形成されていることを特徴とする請求項６又は７に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
- 前記基準マークは、前記保護膜が露出するように前記吸収体膜を除去して形成されていることを特徴とする請求項１０に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
- 前記基準マークは、前記吸収体膜を途中まで除去して形成されていることを特徴とする請求項１０に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
- 前記基準マークは、前記吸収体膜及び前記保護膜を除去して前記多層反射膜が露出するように形成されていることを特徴とする請求項１０に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
- 請求項５乃至１３のいずれかに記載の反射型マスクブランクの製造方法によって製造された反射型マスクブランクにおける前記吸収体膜を前記欠陥情報に基づいてパターニングすることを特徴とする反射型マスクの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012027638 | 2012-02-10 | ||
| JP2012027638 | 2012-02-10 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012289264A Division JP6460617B2 (ja) | 2012-02-10 | 2012-12-30 | 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017227936A JP2017227936A (ja) | 2017-12-28 |
| JP2017227936A5 JP2017227936A5 (ja) | 2018-02-15 |
| JP6561099B2 true JP6561099B2 (ja) | 2019-08-14 |
Family
ID=60891708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017194485A Active JP6561099B2 (ja) | 2012-02-10 | 2017-10-04 | 多層反射膜付き基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法及び反射型マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6561099B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7361027B2 (ja) * | 2018-05-25 | 2023-10-13 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7171637B2 (en) * | 2005-01-14 | 2007-01-30 | Intel Corporation | Translation generation for a mask pattern |
| JP2010219445A (ja) * | 2009-03-18 | 2010-09-30 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画方法、荷電粒子ビーム描画用の基準マークの位置検出方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
| JP2010272553A (ja) * | 2009-05-19 | 2010-12-02 | Renesas Electronics Corp | マスクブランクの欠陥検査装置および欠陥検査方法、ならびに半導体装置の製造方法 |
| JP5425593B2 (ja) * | 2009-11-13 | 2014-02-26 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | Ｅｕｖマスクの欠陥検査方法、ｅｕｖマスクの製造方法、ｅｕｖマスク検査装置、および、半導体装置の製造方法 |
| JP5502450B2 (ja) * | 2009-12-21 | 2014-05-28 | 株式会社東芝 | 反射型露光用マスク、反射型露光用マスクの検査方法、及び反射型露光用マスクの洗浄方法 |
| JP5841710B2 (ja) * | 2010-03-17 | 2016-01-13 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
| JP5471835B2 (ja) * | 2010-05-26 | 2014-04-16 | 大日本印刷株式会社 | 反射型マスクの位相欠陥補正方法および反射型マスクの製造方法 |
| JP6460617B2 (ja) * | 2012-02-10 | 2019-01-30 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法 |
-
2017
- 2017-10-04 JP JP2017194485A patent/JP6561099B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2017227936A (ja) | 2017-12-28 |
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|
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| A977 | Report on retrieval |
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