JP6713251B2 - 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びにそれらの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置等の製造に用いられる多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びにそれらの製造方法に関する。

一般に、半導体装置の製造工程では、フォトリソグラフィ法を用いて微細パターンの形成が行われている。また、この微細パターンの形成には通常何枚ものフォトマスクと呼ばれている転写用マスクが使用される。この転写用マスクは、一般に透光性のガラス基板上に、金属薄膜等からなる微細パターンを設けたものであり、この転写用マスクの製造においてもフォトリソグラフィ法が用いられている。

フォトリソグラフィ法による転写用マスクの製造には、ガラス基板等の透光性基板上に転写パターン（マスクパターン）を形成するための薄膜（例えば遮光膜など）を有するマスクブランクが用いられる。このマスクブランクを用いた転写用マスクの製造は、マスクブランク上に形成されたレジスト膜に対し、所望のパターン描画を施す描画工程と、描画後、前記レジスト膜を現像して所望のレジストパターンを形成する現像工程と、このレジストパターンをマスクとして前記薄膜をエッチングするエッチング工程と、残存するレジストパターンを剥離除去する工程とを有して行われている。上記現像工程では、マスクブランク上に形成されたレジスト膜に対し所望のパターン描画を施した後に現像液を供給して、現像液に可溶なレジスト膜の部位を溶解し、レジストパターンを形成する。また、上記エッチング工程では、このレジストパターンをマスクとして、ドライエッチング又はウェットエッチングによって、レジストパターンの形成されていない薄膜が露出した部位を除去し、これにより所望のマスクパターンを透光性基板上に形成する。こうして、転写用マスクが出来上がる。

また、転写用マスクの種類としては、従来の透光性基板上にクロム系材料からなる遮光膜パターンを有するバイナリマスクのほかに、位相シフト型マスクが知られている。この位相シフト型マスクは、透光性基板上に位相シフト膜を有する構造のものである。この位相シフト膜は、所定の位相差を有するものであり、例えばモリブデンシリサイド化合物を含む材料等が用いられる。また、モリブデン等の金属のシリサイド化合物を含む材料を遮光膜として用いるバイナリマスクも用いられるようになってきている。

また、近年、半導体産業において、半導体デバイスの高集積化に伴い、従来の紫外光を用いたフォトリソグラフィ法の転写限界を上回る微細パターンが必要とされてきている。このような微細パターン形成を可能とするため、極紫外（Extreme Ultra Violet：以下、「ＥＵＶ」と呼ぶ。）光を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィが有望視されている。ここで、ＥＵＶ光とは、軟Ｘ線領域又は真空紫外線領域の波長帯の光を指し、具体的には波長が０．２〜１００ｎｍ程度の光のことである。このＥＵＶリソグラフィにおいて用いられるマスクとして反射型マスクが提案されている。このような反射型マスクは、基板上に露光光を反射する多層反射膜が形成され、その多層反射膜上に露光光を吸収する吸収体膜がパターン状に形成されたものである。

以上のように、リソグラフィ工程での微細化に対する要求が高まることにより、そのリソグラフィ工程での課題が顕著になりつつある。その１つが、リソグラフィ工程で用いられるマスクブランク用基板等の欠陥情報に関する問題である。

従来は、ブランクス検査等において、基板の欠陥の存在位置を、基板センターを原点（０，０）とし、その位置からの距離で特定していた。このため、位置精度が低く、装置間でも検出のばらつきがあり、パターン描画時に、欠陥を避けてパターン形成用薄膜にパターニングする場合でもμｍオーダーでの回避は困難であった。このため、パターンを転写する方向を変えたり、転写する位置をｍｍオーダーでラフにずらして欠陥を回避していた。

このような状況下、欠陥位置の検査精度を上げることを目的に、例えばマスクブランク用基板に基準マークを形成し、これを基準位置として欠陥の位置を特定する提案がなされている。

特許文献１には、球相当直径で３０ｎｍ程度の微小な欠陥の位置を正確に特定できるように、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用基板の成膜面に、大きさが球相当直径で３０〜１００ｎｍの少なくとも３つのマークを形成することが開示されている。

特許文献２には、基板と、前記基板上に設けられた多層膜と、前記多層膜の表面の凹凸によって形成された点状の第１のアライメントマークと、前記多層膜の表面の凹凸によって形成され、前記第１のアライメントマークの位置から第１の方向に延びた第１のパターンと、前記第１のアライメントマークの位置から第２の方向に延びた第２のパターンと、を有する第２のアライメントマークとを備えたＥＵＶマスクブランクが開示されている。

国際公開第２００８／１２９９１４号 特開２０１３−２２２８１１号公報

特許文献１には、基準マークを形成する方法として、基板の成膜面の所望の位置にレーザ光を照射して、照射部位の昇華、融解、若しくは体積収縮、又はこれら２以上の組み合わせにより、基板の成膜面から凹状に変形した部位を有する基準マークを形成する方法、リソグラフィプロセスにより基準マークを形成する方法、及び微小圧子によるインデンテーションにより基準マークを形成する方法が挙げられる。また、特許文献２には、基準マークを、ＦＩＢ（集束イオンビーム）法又は基板のエッチングにより形成することが記載されている。

しかしながら、ＦＩＢ法による基準マークの形成は、非常に長時間を必要とするため、十分な大きさの基準マークを形成することが困難である。リソグラフィプロセスによる基準マークの形成も、多くの工程を必要とするためコストが高く、長時間を必要とする。また、レーザ光の照射による基準マークの形成は、欠陥発生リスクが高くなる。微小圧子によるインデンテーションよる基準マークの形成の場合には、形状精度が悪く、また位置精度も悪いという問題がある。

そこで本発明は、このような従来の問題に鑑み、なされたものである。本発明は、低コストで高精度の基準マークを形成することのできる、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、低コストで高精度の基準マークを形成した、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスクを提供することを目的とする。

本発明者は、上記課題を解決するため、基準マークは、欠陥情報の基準点を決定するためのメインマークと、メインマークの周囲に配置された補助マークとから構成される場合があることに着目した。本発明者は、鋭意検討した結果、メインマークと補助マークとを異なる形成方法で形成することにより、低コストで高精度の基準マークを形成することができることを見出した。本発明者は、以上の解明事実に基づき、さらに鋭意研究を続けた結果、本発明を完成したものである。

上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。本発明は、下記の構成１〜３である多層反射膜付き基板の製造方法、下記の構成４〜７の反射型マスクブランクの製造方法、下記の構成１１〜１４の多層反射膜付き基板、下記の構成８及び１５〜１９の反射型マスクブランク、下記の構成９及び２１〜２５の反射型マスク、及び下記の構成１０及び２０の反射型マスクの製造方法である。

（構成１）
本発明の構成１は、基板上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜が形成されている多層反射膜付き基板の製造方法であって、
前記多層反射膜付き基板に、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークを形成する工程を有し、
前記基準マークは、前記欠陥情報の基準点を決定するためのメインマークと、前記メインマークの周囲に配置された補助マークとから構成され、
前記メインマークと前記補助マークとは異なる形成方法で形成されることを特徴とする多層反射膜付き基板の製造方法である。

本発明の構成１の多層反射膜付き基板の製造方法によれば、メインマークと補助マークとを異なる最適な形成方法で形成することができるので、低コストで高精度の基準マークを形成することができる。

（構成２）
本発明の構成２は、前記補助マークが、ダイヤモンド針を走査しての加工痕、又は微小圧子によるインデンテーションで形成され、前記メインマークは、集束イオンビームで形成されることを特徴とする、構成１に記載の多層反射膜付き基板の製造方法である。

高い精度が要求されない補助マークを、ダイヤモンド針を走査しての加工痕、又は微小圧子によるインデンテーションで形成することにより、短時間で補助マークを形成することができる。また、高い精度が要求されるメインマークは、集束イオンビームで形成することにより、高精度のメインマークを形成することができる。このため、本発明の構成２によれば、多層反射膜付き基板に対して、低コストで高精度の基準マークを形成することができる。

（構成３）
本発明の構成３は、前記メインマークが、前記多層反射膜に形成され、前記補助マークが、前記基板又は前記多層反射膜に形成される、構成１又は２に記載の多層反射膜付き基板の製造方法である。

メインマークは、精度の高い加工法により形成されるため、補助マークが形成された後にメインマークを形成することが好ましい。本発明の構成３によれば、メインマークを基板に形成しないため、補助マークの形成後に、精度の高いメインマークを形成することができる。

本発明は、下記の構成４〜７であることを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法である。

（構成４）
本発明の構成４は、基板上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、前記多層反射膜上にＥＵＶ光を吸収する吸収体膜とが形成されている反射型マスクブランクの製造方法であって、
前記反射型マスクブランクに、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークを形成する工程を有し、
前記基準マークは、前記欠陥情報の基準点を決定するためのメインマークと、前記メインマークの周囲に配置された補助マークとから構成され、
前記メインマークと前記補助マークとは異なる形成方法で形成されることを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法である。

本発明の構成４の反射型マスクブランクの製造方法によれば、メインマークと補助マークとを異なる最適な形成することができるので、低コストで高精度の基準マークを形成することができる。

（構成５）
本発明の構成５は、前記補助マークが、ダイヤモンド針を走査しての加工痕、又は微小圧子によるインデンテーションで形成され、前記メインマークが、集束イオンビームで形成されることを特徴とする、構成４に記載の反射型マスクブランクの製造方法である。

高い精度が要求されない補助マークを、ダイヤモンド針を走査しての加工痕、又は微小圧子によるインデンテーションで形成することにより、短時間で補助マークを形成することができる。また、高い精度が要求されるメインマークは、集束イオンビームで形成することにより、高精度のメインマークを形成することができる。このため、本発明の構成５によれば、反射型マスクブランクに対して、低コストで高精度の基準マークを形成することができる。

（構成６）
本発明の構成６は、前記メインマーク及び前記補助マークが共に、前記吸収体膜及び前記多層反射膜の一方又は両方に形成されることを特徴とする、構成４又は５に記載の反射型マスクブランクの製造方法である。

本発明の構成６によれば、メインマーク及び補助マークを共に、吸収体膜及び多層反射膜の一方又は両方に形成することによって、多層反射膜の欠陥発生リスクを小さくすることができる。また、反射型マスクブランクの基板部分にはメインマーク及び補助マークを形成しないため、反射型マスクブランクから基板を再生して利用する場合に、欠陥のない基板を回収することができる。

（構成７）
本発明の構成７は、前記補助マークが、前記基板若しくは前記多層反射膜に形成され、前記メインマークは前記吸収体膜に形成されるか、
前記補助マークが、前記基板に形成され、前記メインマークは前記多層反射膜に形成されるか、又は
前記補助マークが、前記吸収体膜に形成され、前記メインマークは前記多層反射膜に形成されることを特徴とする、構成４又は５に記載の反射型マスクブランクの製造方法である。

本発明の構成７によれば、補助マーク及びメインマークを、基板、多層反射膜、及び吸収体膜のいずれかに形成することにより、低コストで高精度の基準マークの形成を、適切に行うことができる。

（構成８）
本発明の構成８は、構成１〜７のいずれかに記載の製造方法によって製造されたことを特徴とする反射型マスクブランクである。本発明の構成８によれば、低コストで高精度の基準マークを形成した、反射型マスクブランクを得ることができる。

（構成９）
本発明の構成９は、構成８に記載の反射型マスクブランクの前記吸収体膜をパターニングした吸収体パターンを有することを特徴とする反射型マスクである。本発明の構成９によれば、低コストで高精度の基準マークを形成した、反射型マスクを得ることができる。

（構成１０）
本発明の構成１０は、構成８に記載の反射型マスクブランクを用意する工程と、
前記反射型マスクブランクの前記吸収体膜をパターニングすることによって、吸収体パターンを形成する工程と
を有することを特徴とする反射型マスクの製造方法である。

本発明の構成１０によれば、低コストで高精度の基準マークを形成した、反射型マスクを製造することができる。

本発明は、下記の構成１１〜１４であることを特徴とする多層反射膜付き基板である。

（構成１１）
本発明の構成１１は、基板上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜が形成されている多層反射膜付き基板であって、
前記多層反射膜付き基板に、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、
前記基準マークは、前記欠陥情報の基準点を決定するためのメインマークと、前記メインマークの周囲に配置された補助マークとから構成され、
前記メインマークの断面の形状と、前記補助マークの断面の形状とが異なることを特徴とする多層反射膜付き基板である。

本発明の構成１１によれば、メインマークと補助マークとを異なる最適な方法で形成することができるので、メインマークの断面の形状と、補助マークの断面の形状とは異なっている。このような多層反射膜付き基板には、低コストで高精度の基準マークが形成されている。

（構成１２）
本発明の構成１２は、前記メインマークの断面の形状が矩形であり、前記補助マークの断面の形状が略三角形である、構成１１に記載の多層反射膜付き基板である。

本発明の構成１２によれば、メインマークの断面の形状が矩形であるため、メインマークの底の部分が平坦となり、メインマークの検出が容易である。また、断面の形状が矩形のメインマークは、高い精度の集束イオンビームにより形成することができる。一方、補助マークの断面の形状が略三角形であるため、補助マークの形成は、ダイヤモンド針を走査しての加工痕、又は微小圧子によるインデンテーションなどで形成することできる。そのため、補助マークを短時間で形成することができる。

（構成１３）
本発明の構成１３は、前記メインマークの深さが、前記補助マークの深さよりも深い、構成１１又は１２に記載の多層反射膜付き基板である。

本発明の構成１３によれば、メインマークの深さが、補助マークの深さよりも深いので、メインマークの検出が容易になる。

（構成１４）
本発明の構成１４は、前記メインマークが、前記多層反射膜に形成され、前記補助マークが、前記基板又は前記多層反射膜に形成される、構成１１〜１３のいずれかに記載の多層反射膜付き基板である。

本発明の構成１４によれば、メインマークが多層反射膜に形成され、補助マークが基板又は多層反射膜に形成されることにより、多層反射膜付き基板に対する低コストで高精度の基準マークの形成を、適切に行うことができる。

本発明は、下記の構成１５〜１９であることを特徴とする反射型マスクブランクである。

（構成１５）
本発明の構成１５は、基板上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、前記多層反射膜上にＥＵＶ光を吸収する吸収体膜とが形成されている反射型マスクブランクであって、
前記反射型マスクブランクに、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、
前記基準マークは、前記欠陥情報の基準点を決定するためのメインマークと、前記メインマークの周囲に配置された補助マークとから構成され、
前記メインマークの断面の形状と、前記補助マークの断面の形状とが異なることを特徴とする反射型マスクブランクである。

本発明の構成１５によれば、メインマークと補助マークとを異なる最適な方法で形成することができるので、メインマークの断面の形状と、補助マークの断面の形状とは異なっている。このような反射型マスクブランクには、低コストで高精度の基準マークが形成されている。

（構成１６）
本発明の構成１６は、前記メインマークの断面の形状が矩形であり、前記補助マーク断面の形状が略三角形である、構成１５に記載の反射型マスクブランクである。

本発明の構成１６によれば、メインマークの断面の形状が矩形であるため、メインマークの底の部分が平坦となり、メインマークの検出が容易である。一方、補助マークの断面の形状が略三角形であるため、補助マークの形成は、ダイヤモンド針を走査しての加工痕、又は微小圧子によるインデンテーションなどで形成することできる。そのため、補助マークを短時間で形成することができる。

（構成１７）
本発明の構成１７は、前記メインマークの深さが、前記補助マークの深さよりも深い、構成１５又は１６に記載の反射型マスクブランクである。

本発明の構成１７によれば、メインマークの深さが、補助マークの深さよりも深いので、メインマークの検出が容易になる。

（構成１８）
本発明の構成１８は、前記メインマーク及び前記補助マークが共に、前記吸収体膜及び前記多層反射膜の一方又は両方に形成されることを特徴とする、構成１５〜１７のいずれかに記載の反射型マスクブランクである。

本発明の構成１８によれば、メインマーク及び補助マークが共に、吸収体膜及び多層反射膜の一方又は両方に形成されることにより、反射型マスクブランクに対する低コストで高精度の基準マークの形成を、適切に行うことができる。

（構成１９）
本発明の構成１９は、前記補助マークが、前記基板若しくは前記多層反射膜に形成され、前記メインマークは前記吸収体膜に形成されるか、
前記補助マークが、前記基板に形成され、前記メインマークは前記多層反射膜に形成されるか、又は
前記補助マークが、前記吸収体膜に形成され、前記メインマークは前記多層反射膜に形成されることを特徴とする、構成１５〜１７のいずれかに記載の反射型マスクブランクである。

本発明の構成１９によれば、補助マーク及びメインマークを、基板、多層反射膜、及び吸収体膜のいずれかに形成することにより、反射型マスクブランクに対する低コストで高精度の基準マークの形成を、適切に行うことができる。

（構成２０）
本発明の構成２０は、構成１１〜１９のいずれかに記載の反射型マスクブランクを用意する工程と、
前記反射型マスクブランクの前記吸収体膜をパターニングすることによって、吸収体パターンを形成する工程と
を有することを特徴とする反射型マスクの製造方法である。

本発明の構成２０によれば、低コストで高精度の基準マークを形成した、反射型マスクを製造することができる。

本発明は、下記の構成２１〜２５であることを特徴とする反射型マスクである。

（構成２１）
本発明の構成２１は、基板上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、前記多層反射膜上にＥＵＶ光を吸収する吸収体膜とが形成され、前記吸収体膜が転写用パターンを有する反射型マスクであって、
前記反射型マスクに、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、
前記基準マークは、前記欠陥情報の基準点を決定するためのメインマークと、前記メインマークの周囲に配置された補助マークとから構成され、
前記メインマークの断面の形状と、前記補助マークの断面の形状とが異なることを特徴とする反射型マスクである。

本発明の構成２１によれば、メインマークと補助マークとを異なる最適な方法で形成することができるので、メインマークの断面の形状と、補助マークの断面の形状とは異なっている。このような反射型マスクには、低コストで高精度の基準マークが形成されている。

（構成２２）
本発明の構成２２は、前記メインマークの断面の形状が矩形であり、前記補助マーク断面の形状が略三角形である、構成２１に記載の反射型マスクである。

本発明の構成２２によれば、メインマークの断面の形状が矩形であるため、メインマークの底の部分が平坦となり、メインマークの検出が容易である。一方、補助マークの断面の形状が略三角形であるため、補助マークの形成は、ダイヤモンド針を走査しての加工痕、又は微小圧子によるインデンテーションなどで形成することできる。そのため、補助マークを短時間で形成することができる。

（構成２３）
本発明の構成２３は、前記メインマークの深さが、前記補助マークの深さよりも深い、構成２１又は２２に記載の反射型マスクである。メインマークの深さが、補助マークの深さよりも深いので、メインマークの検出が容易になる。

（構成２４）
本発明の構成２４は、前記メインマーク及び前記補助マークが共に、前記吸収体膜及び前記多層反射膜の一方又は両方に形成されることを特徴とする、構成２１〜２３のいずれかに記載の反射型マスクである。

本発明の構成２４によれば、メインマーク及び補助マークが共に、吸収体膜及び多層反射膜の一方又は両方に形成されることにより、反射型マスクに対する低コストで高精度の基準マークの形成を、適切に行うことができる。

（構成２５）
本発明の構成２５は、前記補助マークが、前記基板若しくは前記多層反射膜に形成され、前記メインマークは前記吸収体膜に形成されるか、
前記補助マークが、前記基板に形成され、前記メインマークは前記多層反射膜に形成されるか、又は
前記補助マークが、前記吸収体膜に形成され、前記メインマークは前記多層反射膜に形成されることを特徴とする、構成２１〜２３のいずれかに記載の反射型マスクである。

本発明の構成２５によれば、補助マーク及びメインマークを、基板、多層反射膜、及び吸収体膜のいずれかに形成することにより、反射型マスクに対する低コストで高精度の基準マークの形成を、適切に行うことができる。

本発明により、低コストで高精度の基準マークを形成することのできる、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造方法を提供することができる。また、本発明により、低コストで高精度の基準マークを形成した、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスクを提供することができる。

本発明における基準マークの配置例を示す平面模式図である。 本発明における基準マークを構成するメインマーク及び補助マークの形状例及び配置例を示す図である。 本発明における基準マークを用いた基準点を決定する方法を説明するための図である。 メインマークの他の形状例を示す図である。 本発明における基準マークの別の配置例を示す平面模式図である。 本発明における基準マークを構成するメインマーク及び補助マークの形状例を示す模式図である。 本発明に係る多層反射膜付き基板の断面模式図である。 本発明に係る反射型マスクブランクの断面模式図である。 本発明に係るバイナリマスクブランクの断面模式図である。 本発明に係る反射型マスクの断面模式図である。 本発明に係るバイナリマスクの断面模式図である。 エッジ基準で形成する場合の基準マークの形状例及び配置例を示す図である。 エッジ基準で基準マークを形成する方法を説明するための図である。 エッジ基準で基準マークを形成する方法を説明するための図である。 本発明の他の実施形態に係る反射型マスクブランクの断面模式図である。 補助マークを形成するための微小圧子の形状の一例を示す図面であり、（a）は平面図、（ｂ）は正面図である。 図１６に示す微小圧子の先端（図１６の左端）の形状を示す図面であり、（a）は平面図、（ｂ）は正面図である。

図７及び図８に、多層反射膜付き基板３０及び反射型マスクブランク４０の模式図を示す。本発明は、ガラス基板１１等の基板上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜３１が形成されている多層反射膜付き基板３０及び反射型マスクブランク４０の製造方法である。本発明の製造方法は、多層反射膜付き基板３０又は反射型マスクブランク４０に、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マーク１３を形成する工程を有する。図６に基準マーク１３の例を示すように、基準マーク１３は、欠陥情報の基準点を決定するためのメインマーク１３ａと、メインマークの周囲に配置された補助マーク１３ｂとから構成される。本発明の製造方法は、メインマーク１３ａと補助マーク１３ｂとを、異なる形成方法で形成することに特徴がある。本発明の製造方法によれば、メインマーク１３ａと補助マーク１３ｂとを異なる最適な形成方法で形成することができるので、多層反射膜付き基板３０及び反射型マスクブランク４０に対して低コストで高精度の基準マーク１３を形成することができる。

本発明の製造方法は、ガラス基板１１上に遮光膜５１が配置されているバイナリマスクブランク５０に基準マーク１３を形成する際にも適用することができる。図９に、バイナリマスクブランク５０の一例を示す。

本発明の多層反射膜付き基板３０及び反射型マスクブランク４０の製造方法では、補助マーク１３ｂは、ダイヤモンド針を走査しての加工痕、又は微小圧子によるインデンテーションで形成され、メインマーク１３ａは、集束イオンビームで形成されることを特徴とすることが好ましい。高い精度が要求されない補助マーク１３ｂを、ダイヤモンド針を走査しての加工痕、又は微小圧子によるインデンテーションで形成することにより、短時間で補助マーク１３ｂを形成することができる。また、高い精度が要求されるメインマーク１３ａを集束イオンビームで形成することにより、高精度のメインマーク１３ａを形成することができる。

補助マーク１３ｂを、微小圧子によるインデンテーションで形成する場合、深さが所定の深さ（例えば約１５０ｎｍ）となるように、微小圧子を所定の圧力で、例えば多層反射膜３１等に押し付けることにより、補助マーク１３ｂを形成することができる。

なお、ダイヤモンド針を走査しての加工痕により補助マーク１３ｂを形成する場合には、残渣等により欠陥発生の原因となる場合がある。また、補助マーク１３ａの形成は、レーザアブレーションにより形成することができる。しかしながら、この場合も残渣等により欠陥発生の原因となる場合がある。したがって、補助マーク１３ａの形成は、微小圧子によるインデンテーションにより形成することが好ましい。

本発明は、多層反射膜付き基板３０及び反射型マスクブランク４０に関する。本発明の多層反射膜付き基板３０及び反射型マスクブランク４０は、本発明の製造方法によって製造することができる。

以下、本発明の実施の形態を具体的に説明する。

［基準マーク］
まず、本発明における基準マーク１３（以下、「本発明の基準マーク１３」とも呼ぶ。）について詳しく説明する。

図１は、基準マーク１３の配置例を示すマスクブランク用ガラス基板１１の平面図である。図１では、相対的に大きさの大きなラフアライメントマーク１２と小さなファインマークである本発明の基準マーク１３の２種類のマークを形成している。なお、図１では、ガラス基板１１の表面にこれら基準マーク１３を示しているが、図１はあくまでもガラス基板１１の主表面上での基準マーク１３の配置例を示すものである。本発明をこれら基準マーク１３がガラス基板１１に直接形成されている態様に限定する趣旨ではないことは勿論である。

上記ラフアライメントマーク１２は、それ自体は基準マーク１３の役割は有していないが、上記基準マーク１３の位置を検出し易くするための役割を有している。上記基準マーク１３は大きさが小さく、目視で位置の目安を付けることは困難である。また、検査光や電子線で最初から基準マーク１３を検出しようとすると、検出に時間が掛かり、レジスト膜が形成されている場合、不要なレジスト感光を発生させてしまう恐れがあるので好ましくない。上記基準マーク１３との位置関係が予め決められている上記ラフアライメントマーク１２を設けることで、基準マーク１３の検出が迅速かつ容易に行える。

図１においては、上記ラフアライメントマーク１２を矩形状のガラス基板１１の主表面上のコーナー近傍の４箇所に、上記基準マーク１３を各ラフアライメントマーク１２の近傍に２箇所ずつ配置した例を示している。上記ラフアライメントマーク１２と基準マーク１３はいずれも基板主表面上の破線Ａで示すパターン形成領域の境界線上、あるいはパターン形成領域より外周縁側に形成することが好適である。ただし、基板１１の外周縁にあまり近いと、基板１１の主表面の平坦度があまり良好でない領域であったり、他の種類の認識マークと交差する可能性があるので好ましくない。

基準マーク１３、ラフアライメントマーク１２の個数は特に限定されない。基準マーク１３については、最低３個必要であるが、３個以上であっても構わない。

なお、以下に説明するように、本発明の基準マーク１３においては、欠陥位置の基準となる位置（基準点）を決定するためのメインマーク１３ａの周囲に、そのメインマーク１３ａを大まかに特定するための補助マーク１３ｂを配置している。そのため、検査光や電子線で最初から本発明の基準マーク１３を検出するのに特に不都合がなければ、上記ラフアライメントマーク１２は設けなくてもよい。すなわち、本発明においては、図５に示すように、上記ラフアライメントマーク１２は設けずに、例えば一例としてガラス基板１１の主表面上のコーナー近傍の４箇所に本発明の基準マーク１３を配置するようにしてもよい。これによって、相対的に大きさの大きなラフアライメントマーク１２の形成工程を省くことができ、マークの加工時間を大幅に短縮できる。なお、図５では、ガラス基板１１の表面にこれら基準マーク１３を示しているが、図５はあくまでもガラス基板１１の主表面上での基準マーク１３の配置例を示すものである。本発明をこれら基準マーク１３がガラス基板１１に直接形成されている態様に限定する趣旨ではないことは勿論である。

図２は、本発明の基準マーク１３を構成するメインマーク１３ａ及び補助マーク１３ｂの形状例及び配置例を示す図である。また、図３は、本発明の基準マーク１３を用いた基準点を決定する方法を説明するための図である。

上記基準マーク１３は、欠陥情報における欠陥位置の基準となるものである。本発明の基準マーク１３は、欠陥位置の基準となる位置（基準点）を決定するためのメインマーク１３ａと、そのメインマーク１３ａの周囲に配置された補助マーク１３ｂとから構成される。

本発明の多層反射膜付き基板３０及び反射型マスクブランク４０の製造方法は、メインマーク１３ａと補助マーク１３ｂとを、異なる形成方法で形成することに特徴がある。例えば、メインマーク１３ａは、精度の高い集束イオンビームで形成することができる。また、補助マーク１３ｂは、高い精度が要求されないので、加工速度の速いダイヤモンド針を走査しての加工痕、又は微小圧子によるインデンテーションで形成することができる。そのため、本発明によれば、多層反射膜付き基板３０及び反射型マスクブランク４０に対して、低コストで高精度の基準マーク１３を形成することができる。

図２及び図３には、上記メインマーク１３ａと、その周囲に配置された２つの補助マーク１３ｂ、１３ｃとから構成される基準マーク１３を一例として示している。

本発明において、上記メインマーク１３ａは、電子線描画装置又は欠陥検査光の走査方向（図３におけるＸ方向及びＹ方向）に対して垂直で且つ平行な辺を少なくとも２組有する多角形状であることが好適である。このように、上記メインマーク１３ａは、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して垂直で且つ平行な辺を少なくとも２組有する多角形状であることにより、電子線描画装置、欠陥検査装置による検出の容易性（確実性）を向上させ、また、欠陥検出位置のばらつきをさらに抑えることができる。図２及び図３では、具体例として、上記メインマーク１３ａが、縦横（Ｘ及びＹ方向）が同じ長さの正方形である場合を示している。この場合、縦横の長さ（Ｌ）がそれぞれ２００ｎｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。

上記メインマーク１３ａは、点対称の形状であれば良い。上記の正方形に限らず、例えば図４の（ａ）に示すように、正方形の角部が丸みを帯びた形状や、同図（ｂ）のように、八角形の形状や、同図（ｃ）のように、十字形状であってもよい。この場合においても、メインマーク１３ａの大きさ（縦横の長さ）Ｌは、２００ｎｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。具体例として、メインマーク１３ａが十字形状の場合、その大きさ（縦横の長さ）Ｌは、５μｍ以上２０μｍ以下とすることができる。また、図示していないが、上記メインマーク１３ａは、直径が２００ｎｍ以上５μｍ以下の正円形とすることもできる。

コントラストと欠陥検出位置のばらつきの両方を満足するためには、上記メインマーク１３ａは、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して２００ｎｍ以上２０μｍ以下の幅の部分を有することが重要である。

また、例えば基準マーク１３を多層反射膜３１に形成した場合、その幅が狭いと（例えば、３０〜１００ｎｍであると）、その上に吸収体膜４１等を成膜すると、基準マーク１３の凹部が埋まってしまい、基準マーク１３を検出することが困難になるという不都合も生じる。

また、図２及び図３に示す２つの補助マーク１３ｂ、１３ｃは、メインマーク１３ａの周囲に、電子線又は欠陥検査光の走査方向（図３におけるＸ方向及びＹ方向）に沿って配置されている。本発明においては、上記補助マーク１３ｂ、１３ｃは、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して垂直な長辺と平行な短辺を有する矩形状であることが好適である。補助マーク１３ｂ、１３ｃが、電子線又は欠陥検査光の走査方向に対して垂直な長辺と平行な短辺を有する矩形状であることにより、電子線描画装置、欠陥検査装置の走査により確実に検出できるため、メインマーク１３ａの位置を容易に特定することができる。この場合、長辺は、電子線描画装置、欠陥検査装置のできるだけ最小回数の走査により検出可能な長さであることが望ましい。例えば、２００μｍ以上６００μｍ以下の長さを有することが望ましい。一方、長辺の長さが短いと、例えば２００μｍ未満であると、電子線描画装置、欠陥検査装置の走査により補助マーク１３ｂ、１３ｃをなかなか検出できない恐れがある。なお、本発明の場合、補助マーク１３ｂ、１３ｃを、ダイヤモンド針を走査しての加工痕、又は微小圧子によるインデンテーションで形成することができる。そのため、補助マーク１３ｂ、１３ｃの長さは、従来技術と比べて長くすることができる。実用的な観点から、補助マーク１３ｂ、１３ｃの長さの上限は、６００μｍ以下である。

また、上記補助マーク１３ｂ、１３ｃとメインマーク１３ａは、所定の間隔を離間させても良いし、離間させなくても良い。補助マーク１３ｂ、１３ｃとメインマーク１３ａを離間させる場合、間隔は特に制約されないが、本発明においては例えば１５μｍ〜５０μｍ程度の範囲とすることが好適である。

また、基準マーク１３として、図６に示す形状のものを好ましく用いることができる。図６に示す基準マーク１３の場合、メインマーク１３ａと、補助マーク１３ｂは、共に十字形状であり、十字形状の中心が共通している。メインマーク１３ａの十字形状の寸法Ｌ１は、メインマーク１３ａの中心の座標を正確に求める点から、好ましくは５〜３０μｍ、より好ましくは１０〜２０μｍ、具体的には１５μｍとすることができる。また、補助マーク１３ｂの十字形状の寸法Ｌ２は、補助マーク１３ｂを短時間で検出する点から、好ましくは３００〜２０００μｍ、より好ましくは４００〜８００μｍ、さらに好ましくは５００〜６００μｍ、具体的には５５０μｍとすることができる。

図６に示す形状の基準マーク１３は、図５に示すような配置にすることが好ましい。図５において、４つの基準マーク１３が、主表面上のコーナー近傍（パターン形成領域Ａの境界線上のコーナー）に配置されている。

上記基準マーク１３を用いて、欠陥位置の基準となる基準点は次のようにして決定される（図３を参照）。

補助マーク１３ｂ、１３ｃ上を電子線、あるいは欠陥検査光がＸ方向、Ｙ方向に走査し、これら補助マーク１３ｂを検出することにより、メインマーク１３ａの位置を大まかに特定することができる。位置が特定された上記メインマーク１３ａ上を電子線、あるいは検査光がＸ方向及びＹ方向に走査後、（上記補助マーク１３ｂの走査により検出された）メインマーク１３ａ上の交点Ｐ（通常、メインマーク１３ａの略中心）をもって基準点を決定する。

［多層反射膜付き基板３０］
次に、本発明の多層反射膜付き基板３０及びその製造方法について説明する。本発明の多層反射膜付き基板３０は、基板１１の上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜３１が形成されている。図７に、多層反射膜付き基板３０の断面模式図を示す。

図７においては、多層反射膜３１を構成する一部の膜を除去して基準マーク１３が形成されている例を示すが、多層反射膜３１を構成する全ての層を除去して基準マーク１３を形成しても良い。

上記多層反射膜３１は、低屈折率層と高屈折率層とを交互に積層させた多層膜である。一般的には、多層反射膜３１として、重元素又はその化合物の薄膜と、軽元素又はその化合物の薄膜とが交互に４０〜６０周期程度積層された多層膜が用いられる。

例えば、波長１３〜１４ｎｍのＥＵＶ光に対する多層反射膜３１としては、Ｍｏ膜とＳｉ膜を交互に４０周期程度積層したＭｏ／Ｓｉ周期積層膜が好ましく用いられる。その他に、ＥＵＶ光の領域で使用される多層反射膜３１として、Ｒｕ／Ｓｉ周期多層膜、Ｍｏ／Ｂｅ周期多層膜、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物周期多層膜、Ｓｉ／Ｎｂ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ周期多層膜、Ｓｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜などがある。露光波長により、材質を適宜選択すればよい。

ＥＵＶ露光用の場合、ガラス基板１１としては、露光時の熱によるパターンの歪みを防止するため、０±１．０×１０^−７／℃の範囲内、より好ましくは０±０．３×１０^−７／℃の範囲内の低熱膨張係数を有するものが好ましく用いられる。この範囲の低熱膨張係数を有する素材としては、例えば、ＳｉＯ_２−ＴｉＯ_２系ガラス、多成分系ガラスセラミックス等を用いることができる。

上記ガラス基板１１の転写パターンが形成される側の主表面は、少なくともパターン転写精度、位置精度を得る観点から高平坦度となるように表面加工されている。ＥＵＶ露光用の場合、ガラス基板１１の転写パターンが形成される側の主表面１４２ｍｍ×１４２ｍｍの領域において、平坦度が０．１μｍ以下であることが好ましく、特に好ましくは０．０５μｍ以下である。また、転写パターンが形成される側と反対側の主表面は、露光装置にセットする時に静電チャックされる面であって、１４２ｍｍ×１４２ｍｍの領域において、平坦度が１μｍ以下、好ましくは０．５μｍ以下である。

また、極めて小さいサイズのマスクパターン欠陥を低減するためには、超微細パターンに対して極めて高い検査感度を有する電子線によるパターン欠陥検査が必要になってきている。この欠陥検査では、チャージアップを起こすと検査感度の低下や誤検出を起こすおそれがあるので、チャージアップを防止することが重要となる。しかしながら、多層反射膜をエッチングすることにより遮光帯を形成する反射型マスクでは、導電体である吸収体膜や多層反射膜が遮光帯によって分断され、回路パターン形成部が電気的に孤立してしまいアースを確保できなくなるため、欠陥検査時の電子線照射によってチャージアップを起こすおそれがある。

さらに、多層反射膜の欠陥を低減するためには、多層反射膜直下の下地表面の平滑性を極めて高くする必要がある。その理由は、反射型マスクには位相欠陥という透過型光マスクにはなかった問題があるためである。多層反射膜直下の下地表面に微小な凹凸があると、それが源になってその上に形成される多層反射膜層に乱れ（うねり）が生じ、部分的に位相差が発生する。それに伴ってＥＵＶ光の反射率が部分的に変わって致命欠陥源となるおそれがあるからである。又、多層反射膜の欠陥低減のためには、多層反射膜の欠陥を極めて高い感度で検査する必要がある。このためには、検査時のノイズや疑似欠陥を低減する必要があり、多層反射膜表面の平滑性も高いものが要求される。

そのため、図７に示すように、電子線によるマスクパターン欠陥検査時のチャージアップを防止するとともに、多層反射膜の位相欠陥が少なく、高い表面平滑性を得ることを目的で、ガラス基板１１の表面に下地膜２１を形成することが好適である。このような下地膜２１の材料として、ルテニウム又はタンタルを主成分として含む材料が好ましく用いられる。例えば、Ｒｕ金属単体、Ｔａ金属単体でも良いし、Ｒｕ又はＴａにチタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、イットリウム（Ｙ）、ホウ素（Ｂ）、ランタン（Ｌａ）、コバルト（Ｃｏ）、レニウム（Ｒｅ）等の金属を含有したＲｕ合金又はＴａ合金であっても良い。下地膜２１の膜厚は、例えば１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲が好ましい。

本発明の多層反射膜付き基板３０には、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マーク１３が形成されている。基準マーク１３は、欠陥情報の基準点を決定するためのメインマーク１３ａと、メインマーク１３ａの周囲に配置された補助マーク１３ｂとから構成される。本発明の多層反射膜付き基板３０は、メインマーク１３ａの断面の形状と、補助マーク１３ｂの断面の形状とが異なることを特徴とする。上述のように、本発明の多層反射膜付き基板３０の製造方法では、メインマーク１３ａと補助マーク１３ｂとを異なる最適な方法で形成することができる。そのため、メインマーク１３ａの断面の形状と、補助マーク１３ｂの断面の形状とは異なっている。

例えば、補助マーク１３ｂの断面形状が凹形状であり、メインマーク１３ａの断面形状が補助マーク１３ｂとは異なる凹形状であることができる。また、補助マーク１３ｂの断面形状が、例えばプリンタなどで形成された凸形状であり、メインマーク１３ａの断面形状が凹形状であることができる。また、補助マーク１３ｂの断面形状が凸形状であり、メインマーク１３ａの断面形状が補助マーク１３ｂとは異なる凸形状であることができる。

図６に示すように、本発明の多層反射膜付き基板３０では、電子線又は欠陥検査光の走査方向８０のメインマーク１３ａの幅Ｌ１が、補助マーク１３ｂの幅Ｌ２よりも小さく、電子線又は欠陥検査光の走査方向８０に対して直交する方向のメインマーク１３ａの幅Ｗ１が、補助マーク１３ｂの幅Ｗ２よりも大きいことが好ましい。メインマーク１３ａ及び補助マーク１３ｂが、上述の形状であることにより、補助マーク１３ｂの検出及びメインマーク１３ａによる基準点の検出が容易になる。また、メインマーク１３ａの幅Ｗ１と、補助マーク１３ｂの幅Ｗ２との差は、電子線のスポット幅よりも大きいことが好ましい。後述する本発明の反射型マスクブランク４０及び反射型マスク６０においても同様である。

図６に示す補助マーク１３ｂの幅Ｗ２は１μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。補助マーク１３ｂの幅Ｗ２は１μｍ未満であると、補助マーク１３ｂの検出が困難になる。また。補助マーク１３ｂの幅Ｗ２が広すぎると、メインマーク１３ａの幅Ｗ１を広くする必要が生じ、メインマーク１３ａの加工時間が長くなるため好ましくない。

本発明の多層反射膜付き基板３０は、前記メインマーク１３ａの断面の形状が矩形であり、前記補助マーク１３ｂの断面の形状が略三角形であることが好ましい。

メインマーク１３ａの断面の形状が矩形であるため、メインマーク１３ａの底の部分が平坦となり、メインマーク１３ａの検出が容易である。また、断面の形状が矩形のメインマーク１３ａは、高い精度の集束イオンビームにより形成することができる。一方、補助マーク１３ｂの断面の形状が略三角形であるため、補助マーク１３ｂの形成は、ダイヤモンド針を走査しての加工痕、又は微小圧子によるインデンテーションなどで形成することできる。そのため、補助マーク１３ｂを短時間で形成することができる。

なお、メインマーク１３ａの断面形状を凹形状とし、メインマーク１３ａの高さ方向に所望の深さを設けることで認識し得るメインマーク１３ａとすることが好ましい。電子線や欠陥検査光による検出精度を向上させる観点から、メインマーク１３ａの凹形状は、その底部から表面側へ向かって広がるように形成された断面形状であることが好ましい。この場合のメインマーク１３ａの側壁の傾斜角度は７５°以上であることが好ましい。さらに好ましくは、８０°以上、さらに好ましくは、８５°以上とすることが望ましい。

また、補助マーク１３ｂの断面形状をＶ字型の谷形状とすることが好ましい。このような断面形状の補助マーク１３ｂは、ダイヤモンド針を走査しての加工痕、又は微小圧子によるインデンテーションにより、短時間で形成することができる。この場合、補助マーク１３ｂの断面形状の、Ｖ字型の谷形状の底の開口部分の角度は、３０度以上１７５度以下であることが好ましく、１２０度以下であることがより好ましく、９０度以下であることがさらに好ましい。補助マーク１３ｂの断面形状としてＶ字型の谷形状を形成するための微小圧子の先端の角度は、３０度以上１７５度以下であることが好ましく、１２０度以下であることがより好ましく、９０度以下であることがさらに好ましい。Ｖ字型の谷形状の底の開口部分の角度が小さく、鋭角となっている方が電子線や欠陥検査光による検出精度を向上させることができるため好ましい。

本発明の多層反射膜付き基板３０は、前記メインマーク１３ａの深さは、前記補助マーク１３ｂの深さよりも深いことが好ましい。メインマーク１３ａの深さを補助マーク１３ｂの深さよりも深くすることで、メインマーク１３ａの底の部分を平坦にすることができ、メインマーク１３ａの検出が容易になる。メインマーク１３ａの検出を容易にするために、メインマーク１３ａの深さは１００ｎｍ以上であることが好ましく、２００〜３００ｎｍであることがより好ましい。

本発明の基準マーク１３を構成する上記メインマーク１３ａ及び補助マーク１３ｂ、１３ｃを形成する位置は特に限定されない。多層反射膜付き基板３０の場合、多層反射膜３１の成膜面であれば、どの位置に形成してもよい。例えば、基板１１、下地膜２１、多層反射膜３１、及び保護膜３２（キャッピング層、バッファ層）から選択されるいずれの位置でもよい。

なお、ＥＵＶ光を露光光として使用する反射型マスク６０においては、特に多層反射膜３１に存在する欠陥は、修正がほとんど不可能である上に、転写パターン上で重大な位相欠陥となり得るので、転写パターン欠陥を低減させるためには多層反射膜３１上の欠陥情報が重要である。したがって、少なくとも多層反射膜３１成膜後に欠陥検査を行い、欠陥情報を取得することが望ましい。そのためには、多層反射膜付き基板３０に本発明の基準マーク１３を形成することが好ましい。特に、検出のし易さ、基板１１の再生等の観点からは、多層反射膜３１に本発明の基準マーク１３を形成することが好ましい。

本発明の多層反射膜付き基板３０及びその製造方法では、メインマーク１３ａは、多層反射膜３１に形成され、補助マーク１３ｂは、基板１１又は多層反射膜３１に形成されることが好ましい。メインマーク１３ａは、精度の高い加工法により形成されるため、補助マーク１３ｂが形成された後にメインマーク１３ａを形成することが好ましい。メインマーク１３ａを、基板１１に形成しないことにより、補助マーク１３ｂの形成後に、精度の高いメインマーク１３ａを多層反射膜３１に形成することができる。

メインマーク１３ａ及び補助マーク１３ｂは、共に多層反射膜３１に形成されることが好ましい。基板部分にメインマーク１３ａ及び補助マーク１３ｂを形成しないため、多層反射膜付き基板３０から基板１１を再生して利用する場合に、欠陥のない基板を回収することができる。

多層反射膜付き基板３０の基板１１と多層反射膜３１との間に下地膜２１等が配置されている場合には、メインマーク１３ａ及び／又は補助マーク１３ｂを、下地膜２１等に形成することもできる。

［マスクブランク］
次に、本発明の反射型マスクブランク４０及びその製造方法について、説明する。

本発明は、上記構成の多層反射膜付き基板３０における前記多層反射膜３１上に、転写パターンとなる吸収体膜４１が形成されている反射型マスクブランク４０、マスクブランク用ガラス基板１１上に、転写パターンとなる薄膜が形成されているマスクブランクについても提供する。上記多層反射膜付き基板３０は、反射型マスク６０を製造するための反射型マスクブランク４０、すなわち、基板１１上に露光光（ＥＵＶ光）を反射する多層反射膜３１と、露光光（ＥＵＶ光）を吸収するパターン形成用の吸収体膜４１とを順に備える反射型マスクブランク４０用の基板として用いることができる。

図８は、図７の基準マーク１３が形成された多層反射膜付き基板３０における多層反射膜３１上に、保護膜３２（キャッピング層）３２及びＥＵＶ光を吸収するパターン形成用の吸収体膜４１が形成されている反射型マスクブランク４０を示す。なお、ガラス基板１１の多層反射膜３１等が形成されている側とは反対側の表面には、裏面導電膜４２が設けられている。

上記吸収体膜４１は、露光光である例えばＥＵＶ光を吸収する機能を有するもので、例えばタンタル（Ｔａ）単体又はＴａを主成分とする材料が好ましく用いられる。Ｔａを主成分とする材料としては、ＴａとＢを含む材料、ＴａとＮを含む材料、ＴａとＢを含み、さらにＯとＮの少なくともいずれかを含む材料、ＴａとＳｉを含む材料、ＴａとＳｉとＮを含む材料、ＴａとＧｅを含む材料、ＴａとＧｅとＮを含む材料、等が用いられる。

また、通常、上記吸収体膜４１のパターニングあるいはパターン修正の際に多層反射膜３１を保護する目的で、多層反射膜３１と吸収体膜４１との間に上記保護膜３２やバッファ膜を設ける。保護膜３２の材料としては、ケイ素のほか、ルテニウムや、ルテニウムにニオブ、ジルコニウム、ロジウムのうち１以上の元素を含有するルテニウム化合物が用いられ、バッファ膜の材料としては、主に前記のクロム系材料が用いられる。

また、本発明は、図１５に示すように、ＥＵＶ光を吸収する吸収体膜４１に本発明の基準マーク１３が形成されている反射型マスクブランク４０についても提供する。なお、図１５において、図８と同等箇所には同一符号を付した。

図１５においては、保護膜３２が露出するように吸収体膜４１を除去して基準マーク１３が形成されている例を示すが、吸収体膜４１の途中まで除去して基準マーク１３を形成したり、吸収体膜４１と保護膜３２を除去して多層反射膜３１が露出するように基準マーク１３を形成したり、吸収体膜４１、保護膜３２、多層反射膜３１を除去して基板１１が露出するように基準マーク１３を形成してもよい。

本発明の反射型マスクブランク４０には、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マーク１３が形成されている。基準マーク１３は、欠陥情報の基準点を決定するためのメインマーク１３ａと、メインマーク１３ａの周囲に配置された補助マーク１３ｂとから構成される。本発明の反射型マスクブランク４０は、メインマーク１３ａの断面の形状と、補助マーク１３ｂの断面の形状とが異なることを特徴とする。上述のように、本発明の反射型マスクブランク４０の製造方法では、メインマーク１３ａと補助マーク１３ｂとを異なる最適な方法で形成することができる。そのため、メインマーク１３ａの断面の形状と、補助マーク１３ｂの断面の形状とは異なっている。

本発明の反射型マスクブランク４０は、メインマーク１３ａの断面の形状が矩形であり、補助マーク１３ｂの断面の形状が略三角形であることが好ましい。メインマーク１３ａ及び補助マーク１３ｂの断面の形状については、上述の多層反射膜付き基板３０について述べたことと同様である。

本発明の反射型マスクブランク４０では、メインマーク１３ａの深さは、補助マーク１３ｂの深さよりも深いことが好ましい。メインマーク１３ａの深さを補助マーク１３ｂの深さよりも深くすることで、メインマーク１３ａの底の部分を平坦にすることができ、メインマーク１３ａの検出が容易になる。メインマーク１３ａの検出を容易にするために、メインマーク１３ａの深さは１００ｎｍ以上であることが好ましく、２００〜３００ｎｍであることがより好ましい。

本発明の基準マーク１３を構成する上記メインマーク１３ａ及び補助マーク１３ｂ、１３ｃを形成する位置は特に限定されない。反射型マスクブランク４０の場合、成膜面であれば、どの位置に形成してもよい。例えば、基板１１、下地膜２１（後述）、多層反射膜３１、保護膜３２（キャッピング層、バッファ層）、吸収体膜４１、吸収体膜４１上に形成されるエッチングマスク膜のいずれの位置でもよい。

本発明の反射型マスクブランク４０の製造方法は、メインマーク１３ａ及び補助マーク１３ｂは共に、吸収体膜４１及び多層反射膜３１の一方又は両方に形成されることが好ましい。

メインマーク１３ａ及び補助マーク１３ｂを共に、吸収体膜４１及び多層反射膜３１の一方又は両方に形成することによって、多層反射膜３１の欠陥発生リスクを小さくすることができる。メインマーク１３ａを吸収体膜４１に形成すると、ＦＩＢを用いることによって生じる欠陥発生リスクをより小さくすることが可能となる。また、反射型マスクブランク４０の基板部分にはメインマーク１３ａ及び補助マーク１３ｂを形成しないため、反射型マスクブランク４０から基板を再生して利用する場合に、欠陥のない基板を回収することができる。

本発明の反射型マスクブランク４０及びその製造方法では、補助マーク１３ｂは、基板１１若しくは多層反射膜３１に形成され、メインマーク１３ａは吸収体膜４１に形成されることが好ましい。メインマーク１３ａは、精度の高い加工法により形成されるため、補助マーク１３ｂが形成された後にメインマーク１３ａを形成することが好ましい。メインマーク１３ａを、補助マーク１３ｂを基板又は多層反射膜３１に形成した後に、精度の高いメインマーク１３ａを吸収体膜４１に形成することにより、精度の高いメインマーク１３ａを形成したマスクブランクを得ることができる。また、メインマーク１３ａを吸収体膜４１に形成すると、ＦＩＢを用いることによって生じる欠陥発生リスクをより小さくすることが可能となる。

本発明の反射型マスクブランク４０及びその製造方法では、補助マーク１３ｂは、基板１１に形成され、メインマーク１３ａは多層反射膜３１に形成されることが好ましい。メインマーク１３ａを、補助マーク１３ｂを基板に形成した後に、精度の高いメインマーク１３ａを多層反射膜３１に形成することにより、精度の高いメインマーク１３ａを形成したマスクブランクを得ることができる。

本発明の反射型マスクブランク４０及びその製造方法では、補助マーク１３ｂは、吸収体膜４１に形成され、メインマーク１３ａは多層反射膜３１に形成されることが好ましい。基板部分にメインマーク１３ａ及び補助マーク１３ｂを形成しないため、多層反射膜付き基板３０から基板を再生して利用する場合に、欠陥のない基板を回収することができる。

また、本発明の反射型マスクブランク４０及びその製造方法では、補助マーク１３ｂを多層反射膜３１に形成し、メインマーク１３ａをエッチングマスク膜に形成することもできる。また、補助マーク１３ｂを保護膜３２に形成し、メインマーク１３ａを吸収体膜４１又はエッチングマスク膜に形成することもできる。ただし、エッチングマスク膜は、反射型マスク６０を製造する際に除去されるので、エッチングマスク膜に補助マーク１３ｂ又はメインマーク１３ａを形成することは、あまり好ましくない。

基準マーク１３形成後、洗浄による光学特性（たとえば、反射率）の変化を抑制する観点からは、反射型マスクブランク４０における吸収体膜４１に基準マーク１３を形成することが好ましい。この場合、多層反射膜付き基板３０の段階では基準マーク１３が形成されていないので、反射型マスクブランク４０における欠陥検査と、基準マーク１３を基準にした欠陥の座標管理は以下のようにして行うことができる。

まず、基板１１上に多層反射膜３１が形成された多層反射膜付き基板３０に対して、欠陥検査装置により、基板１１の主表面の中心を基準点として欠陥検査を行い、欠陥検査により検出された欠陥と位置情報とを取得する。次に、多層反射膜３１上に保護膜３２と吸収体膜４１を形成した後、吸収体膜４１の所定位置に、本発明の基準マーク１３を形成して、基準マーク１３が形成された反射型マスクブランク４０を得る。

上記の基準マーク１３を基準にして欠陥検査装置により欠陥検査を行う。上記のとおり吸収体膜４１は多層反射膜３１上に形成するので、この欠陥検査データは、上記で取得した多層反射膜付き基板３０の欠陥検査も反映されている。したがって、多層反射膜付き基板３０の欠陥と反射型マスクブランク４０の欠陥が一致している欠陥を元に、多層反射膜付き基板３０の欠陥検査データと、反射型マスクブランク４０の欠陥検査データを照合することにより、上記基準マーク１３を基準にした多層反射膜付き基板３０の欠陥検査データと、反射型マスクブランク４０の欠陥検査データを得ることができる。

なお、以上の実施の形態では、上記メインマーク１３ａの周囲に、電子線描画装置や欠陥検査装置の走査方向（Ｘ方向、Ｙ方向）に沿って２つの補助マーク１３ｂ、１３ｃを配置した例について説明したが、本発明はこのような実施の形態に限定されるわけではない。例えば欠陥の検出が検査光の走査によらない方式においては、メインマーク１３ａと補助マーク１３ｂとの位置関係が特定されていれば、メインマーク１３ａに対する補助マーク１３ｂの配置位置は任意である。また、この場合、メインマーク１３ａの中心ではなく、エッジを基準点とすることもできる。

ところで、本発明の基準マーク１３は、上述のとおり、基板１１の主表面上の破線Ａで示すパターン形成領域の境界線上、あるいはパターン形成領域より外周縁側の任意の位置に形成される（図１、図５参照）。この場合、エッジ基準で基準マーク１３を形成したり、あるいは基準マーク１３を形成後、座標計測器で基準マーク形成位置を特定することが好適である。

まず、上記のエッジ基準で基準マーク１３を形成する方法について説明する。図１３及び図１４はそれぞれエッジ基準で基準マーク１３を形成する方法を説明するための図である。

例えば、基準マーク１３のメインマーク１３ａをＦＩＢ（集束イオンビーム）で形成する場合、多層反射膜付き基板３０のエッジの検出を行う。メインマーク１３ａをＦＩＢで加工する場合、多層反射膜付き基板３０のガラス基板１１のエッジは、２次電子像、２次イオン像、あるいは光学像で認識することができる。また、基準マーク１３の補助マーク１３ｂ、１３ｃを、ダイヤモンド針を走査しての加工痕又は微小圧子によるインデンテーションで加工する場合は、光学像で認識することができる。図１３に示すように、例えばガラス基板１１（図示の便宜上多層反射膜３１の図示は省略している）の四辺の８箇所（丸印を付した箇所）のエッジ座標を確認し、チルト補正して、原点（０，０）出しを行う。この場合の原点は任意に設定可能であり、基板１１の角部でも中心でもよい。

このようにエッジ基準で設定した原点からの所定の位置にＦＩＢで基準マーク１３を形成する。図１４には、エッジ基準で基板の任意の角部に設定した原点Ｏ（０，０）からの所定の位置、具体的には原点Ｏの両隣の端面１１ＡのエッジからＸの距離、端面１１ＢのエッジからＹの距離に基準マーク１３を形成する場合を示している。この場合、原点Ｏ（０，０）を基準とする基準マーク形成座標（Ｘ，Ｙ）が基準マーク１３の形成位置情報となる。他の位置に形成する基準マーク１３についても同様である。

このようなエッジ基準で形成した多層反射膜付き基板３０（あるいは反射型マスクブランク４０、反射型マスク６０）の基準マーク１３を欠陥検査装置や電子線描画装置で検出する際、基準マーク１３の形成位置情報、つまりエッジからの距離がわかっているため、基準マーク形成位置を容易に特定することが可能である。

また、多層反射膜付き基板３０の任意の位置に基準マーク１３を形成後、座標計測器で基準マーク形成位置を特定する方法を適用することもできる。この座標計測器は、基準マーク１３の形成座標をエッジ基準で計測するものであり、例えば高精度パターン位置測定装置（KLA-Tencor社製ＬＭＳ−ＩＰＲＯ４）を使用することができ、特定した基準マーク形成座標が基準マーク１３の形成位置情報となる。また、座標計測器は、電子線描画装置の基準座標に変換する役割もあるので、多層反射膜付き基板３０を提供されたユーザーは、容易に基準マーク１３に基づき欠陥検査装置により特定した欠陥位置と、描画データとを高精度に照合することが可能となり、最終的に製造されるマスクにおいて欠陥を確実に低減させることができる。

以上説明したように、基準マーク１３をエッジ基準で形成したり、あるいは基準マーク１３を任意の位置に形成後、座標計測器で基準マーク形成位置を特定する方法によれば、欠陥検査装置や電子線描画装置で多層反射膜付き基板３０等の基準マーク１３の形成位置を容易に特定することが可能である。そのため、この方法によれば、基準マーク１３のサイズを小さくすることが可能である。具体的には、本発明の基準マーク１３が、前述のメインマーク１３ａと補助マーク１３ｂとから構成される場合、メインマーク１３ａの幅は２００ｎｍ以上５μｍ以下、補助マーク１３ｂの長辺は例えば２５μｍ以上３００μｍ以下のサイズにすることが可能である。このように基準マーク１３のサイズを小さくした場合、基準マーク１３のうち、例えばメインマーク１３ａの形成手段として、例えば前記のＦＩＢを採用した場合には、基準マーク１３の加工時間が短縮できるので好ましい。また、基準マーク１３の検出時間についても短縮できるので好ましい。

図１２には、以上で説明したようなエッジ基準で形成する場合の基準マーク１３の形状例及び配置例を示している。エッジ基準で形成する場合の基準マーク１３としては、同図（ａ）のようなメインマーク１３ａと補助マーク１３ｂ、１３ｃから構成される基準マーク１３が代表的な例である。さらに、同図（ｃ）に示すようなメインマーク１３ａの周囲に４つの補助マーク１３ｂ〜１３ｅを配置したものや、同図（ｄ）に示すような十字形の基準マーク１３とすることもできる。なお、参考のため、同図（ｂ）には、メインマーク１３ａのみの基準マーク１３を示している。

また、基板１１のエッジ座標を基準に設定した原点からの所定の位置に前記基準マーク１３を形成した例えば多層反射膜付き基板３０と、この場合の基準マーク１３の形成位置情報（基準マーク形成座標）とを対応付けてユーザーに提供することにより、ユーザーは、例えばマスク製造工程において、この基準マーク１３の形成位置情報を利用して基準マーク１３を短時間で確実に検出することができる。

また、例えば多層反射膜付き基板３０に基準マーク１３を形成した後、座標計測器で前記基準マーク１３の形成位置を特定し、前記基準マーク１３を形成した多層反射膜付き基板３０と、この場合の基準マーク１３の形成位置情報（特定した基準マーク１３の位置座標）とを対応付けてユーザーに提供することにより、ユーザーは、この基準マーク１３の形成位置情報を利用して基準マーク１３を短時間で確実に検出することができる。また、基準マーク１３の形成位置を座標計測器で特定することにより、電子線描画装置の基準座標の変換が可能となる。したがって、多層反射膜付き基板３０を提供されたユーザーは、容易に基準マーク１３に基づき欠陥検査装置により特定した欠陥位置と、描画データとを高精度に照合することが可能となり、最終的に製造される反射型マスク６０において、欠陥を確実に低減させることができる。

また、上記基準マーク１３の形成位置情報に、さらに基準マーク１３を基準とした欠陥情報（位置情報、サイズ等）を加えてユーザーに提供することにより、ユーザーはこの基準マーク１３の形成位置情報を利用して基準マーク１３を短時間で確実に検出することができると共に、この欠陥情報に基づいて、欠陥による影響が低減するように描画データを高い精度で修正（補正）し、最終的に製造されるマスクにおいて欠陥を低減させることができる。

また、上記基準マーク１３を形成した多層反射膜付き基板３０における多層反射膜３１上に、ＥＵＶ光を吸収する吸収体膜４１が形成された反射型マスクブランク４０と、基準マーク１３の形成位置情報とを対応付けてユーザーに提供することにより、ユーザーは、この反射型マスクブランク４０を用いるマスク製造において、この基準マーク１３の形成位置情報を利用して基準マーク１３を短時間で確実に検出することができる。

また、基板１１上に転写パターンとなる薄膜が形成されているマスクブランクにおいても、基板１１のエッジ座標を基準に設定した原点からの所定の位置に前記基準マーク１３を形成したマスクブランクと、この場合の基準マーク１３の形成位置情報とを対応付けてユーザーに提供することにより、あるいはマスクブランクに基準マーク１３を形成した後、座標計測器で前記基準マーク１３の形成位置を特定し、前記基準マーク１３を形成したマスクブランクと、この場合の基準マーク１３の形成位置情報とを対応付けてユーザーに提供することにより、ユーザーはこの基準マーク１３の形成位置情報を利用して基準マーク１３を短時間で確実に検出することができる。

また、マスクブランクにおいても、基準マーク１３の形成位置情報に、さらに前記基準マーク１３を基準とした欠陥情報を加えてユーザーに提供することにより、ユーザーはこの欠陥情報に基づいて、欠陥による影響が低減するように描画データを高い精度で修正（補正）し、最終的に製造されるマスクにおいて欠陥を低減させることができる。

［マスク］
次に、本発明の反射型マスク６０及びその製造方法について説明する。

本発明の反射型マスク６０は、上述の反射型マスクブランク４０の吸収体膜４１をパターニングした吸収体パターンを有する。図１０は、図８の反射型マスクブランク４０における吸収体膜４１がパターニングされた吸収体膜パターン４１ａを備える反射型マスク６０を示す。

本発明の反射型マスク６０の製造方法は、上述のようにして形成した基準マーク１３を有する反射型マスクブランク４０を用意する工程と、反射型マスクブランク４０の吸収体膜４１をパターニングすることによって、吸収体パターンを形成する工程とを有する。

本発明の反射型マスク６０は、基板１１上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜３１と、多層反射膜３１上にＥＵＶ光を吸収する吸収体膜４１とが形成され、吸収体膜４１が転写用パターンを有する。本発明の反射型マスク６０には、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マーク１３が形成されている。基準マーク１３は、欠陥情報の基準点を決定するためのメインマーク１３ａと、メインマーク１３ａの周囲に配置された補助マーク１３ｂとから構成される。本発明の反射型マスク６０は、メインマーク１３ａの断面の形状と、補助マーク１３ｂの断面の形状とが異なることを特徴とする。上述のように、本発明の反射型マスクブランク４０及び多層反射膜付き基板３０の製造方法では、メインマーク１３ａと補助マーク１３ｂとを異なる最適な方法で形成することができる。そのため、メインマーク１３ａの断面の形状と、補助マーク１３ｂの断面の形状とは異なっている。

本発明の反射型マスク６０は、メインマーク１３ａの断面の形状が矩形であり、補助マーク１３ｂ断面の形状が略三角形であることが好ましい。メインマーク１３ａ及び補助マーク１３ｂの断面の形状については、上述の多層反射膜付き基板３０について述べたことと同様である。

本発明の反射型マスク６０は、前記メインマーク１３ａの深さは、前記補助マーク１３ｂの深さよりも深いことが好ましい。メインマーク１３ａの深さを補助マーク１３ｂの深さよりも深くすることで、メインマーク１３ａの底の部分を平坦にすることができ、メインマーク１３ａの検出が容易になる。メインマーク１３ａの検出を容易にするために、メインマーク１３ａの深さは１００ｎｍ以上であることが好ましく、２００〜３００ｎｍであることがより好ましい。

本発明の基準マーク１３を構成する上記メインマーク１３ａ及び補助マーク１３ｂ、１３ｃを形成する位置は特に限定されない。反射型マスク６０の場合、多層反射膜３１の成膜面であれば、どの位置に形成してもよい。例えば、基板１１、下地膜２１（後述）、多層反射膜３１、保護膜３２（キャッピング層、バッファ層）、吸収体膜４１、吸収体膜４１上に形成されるエッチングマスク膜のいずれの位置でもよい。

本発明の反射型マスク６０は、前記メインマーク１３ａ及び前記補助マーク１３ｂは共に、前記吸収体膜４１及び前記多層反射膜３１の一方又は両方に形成されることを特徴とすることが好ましい。

メインマーク１３ａ及び補助マーク１３ｂを共に、吸収体膜４１及び多層反射膜３１の一方又は両方に形成することによって、多層反射膜３１の欠陥発生リスクを小さくすることができる。また、反射型マスクブランク４０の基板部分にはメインマーク１３ａ及び補助マーク１３ｂを形成しないため、反射型マスクブランク４０から基板を再生して利用する場合に、欠陥のない基板を回収することができる。

本発明の反射型マスク６０では、補助マーク１３ｂは、基板１１若しくは多層反射膜３１に形成され、メインマーク１３ａは吸収体膜４１に形成されることが好ましい。メインマーク１３ａは、精度の高い加工法により形成されるため、補助マーク１３ｂが形成された後にメインマーク１３ａを形成することが好ましい。メインマーク１３ａを、補助マーク１３ｂを基板又は多層反射膜３１に形成した後に、精度の高いメインマーク１３ａを吸収体膜４１に形成することにより、精度の高いメインマーク１３ａを形成したマスクブランクを得ることができる。

本発明の反射型マスク６０では、補助マーク１３ｂは、基板１１に形成され、メインマーク１３ａは多層反射膜に形成されることが好ましい。メインマーク１３ａを、補助マーク１３ｂを基板に形成した後に、精度の高いメインマーク１３ａを多層反射膜３１に形成することにより、精度の高いメインマーク１３ａを形成したマスクブランクを得ることができる。

本発明の反射型マスク６０では、補助マーク１３ｂは、吸収体膜４１に形成され、メインマーク１３ａは多層反射膜３１に形成されることが好ましい。基板部分にメインマーク１３ａ及び補助マーク１３ｂを形成しないため、多層反射膜付き基板３０から基板を再生して利用する場合に、欠陥のない基板を回収することができる。

また、本発明の反射型マスク６０及びその製造方法では、補助マーク１３ｂを多層反射膜３１に形成し、メインマーク１３ａをエッチングマスク膜に形成することもできる。また、補助マーク１３ｂを保護膜３２に形成し、メインマーク１３ａを吸収体膜４１又はエッチングマスク膜に形成することもできる。ただし、エッチングマスク膜は、反射型マスク６０を製造する際に除去されるので、エッチングマスク膜に補助マーク１３ｂ又はメインマーク１３ａを形成することは、あまり好ましくない。

［バイナリマスクブランク］
図９は、ガラス基板１１上に、遮光膜５１が形成されているバイナリマスクブランク５０を示す。本発明の基準マーク１３（メインマーク１３ａ及び補助マーク１３ｂ）は、ガラス基板１１及び／又は遮光膜５１に形成することができる。

図示していないが、ガラス基板１１上に、位相シフト膜、あるいは位相シフト膜及び遮光膜５１を備えることにより、位相シフト型マスクブランクが得られる。この遮光膜５１は、単層でも複数層（例えば遮光層と反射防止層との積層構造）としてもよい。また、遮光膜５１を遮光層と反射防止層との積層構造とする場合、この遮光層を複数層からなる構造としてもよい。また、上記位相シフト膜についても、単層でも複数層としてもよい。

このようなマスクブランクとしては、例えば、クロム（Ｃｒ）を含有する材料により形成されている遮光膜５１を備えるバイナリマスクブランク５０、遷移金属とケイ素（Ｓｉ）を含有する材料により形成されている遮光膜５１を備えるバイナリマスクブランク５０、タンタル（Ｔａ）を含有する材料により形成されている遮光膜５１を備えるバイナリマスクブランク、ケイ素（Ｓｉ）を含有する材料、あるいは遷移金属とケイ素（Ｓｉ）を含有する材料により形成されている位相シフト膜を備える位相シフト型マスクブランクなどが挙げられる。

上記クロム（Ｃｒ）を含有する材料としては、クロム単体、クロム系材料（ＣｒＯ、ＣｒＮ、ＣｒＣ、ＣｒＯＮ、ＣｒＣＮ、ＣｒＯＣ、及びＣｒＯＣＮ等）が挙げられる。

上記タンタル（Ｔａ）を含有する材料としては、タンタル単体のほかに、タンタルと他の金属元素（例えば、Ｈｆ、Ｚｒ等）との化合物、タンタルにさらに窒素、酸素、炭素及びホウ素のうち少なくとも１つの元素を含む材料、具体的には、ＴａＮ、ＴａＯ、ＴａＣ、ＴａＢ、ＴａＯＮ、ＴａＣＮ、ＴａＢＮ、ＴａＣＯ、ＴａＢＯ、ＴａＢＣ、ＴａＣＯＮ、ＴａＢＯＮ、ＴａＢＣＮ、及びＴａＢＣＯＮを含む材料などが挙げられる。

上記ケイ素（Ｓｉ）を含有する材料としては、ケイ素に、さらに窒素、酸素及び炭素のうち少なくとも１つの元素を含む材料、具体的には、ケイ素の窒化物、酸化物、炭化物、酸窒化物、炭酸化物、あるいは炭酸窒化物を含む材料が好適である。また、上記遷移金属とケイ素（Ｓｉ）を含有する材料としては、遷移金属とケイ素を含有する材料のほかに、遷移金属及びケイ素に、さらに窒素、酸素及び炭素のうち少なくとも１つの元素を含む材料が挙げられる。具体的には、遷移金属シリサイド、又は遷移金属シリサイドの窒化物、酸化物、炭化物、酸窒化物、炭酸化物、あるいは炭酸窒化物を含む材料が好適である。遷移金属には、モリブデン、タンタル、タングステン、チタン、クロム、ハフニウム、ニッケル、バナジウム、ジルコニウム、ルテニウム、ロジウム、及びニオブ等が適用可能である。この中でも特にモリブデンが好適である。

本発明による基準マーク１３の形成方法は、バイナリマスクブランク５０に基準マーク１３を形成する際にも適用することができる。この場合、メインマーク１３ａ及び補助マーク１３ｂを、ガラス基板１１並びに遮光膜５１及び位相シフト膜等の薄膜のいずれかに形成することができる。

［バイナリマスク］
図１１は、図９のバイナリマスクブランク５０における遮光膜５１がパターニングされた遮光膜パターン５１ａを備えるバイナリマスク７０を示す。マスクブランクにおける転写パターンとなる上記遮光膜５１等の薄膜をパターニングする方法は、フォトリソグラフィ法が最も好適である。

なお、図示していないが、上述のマスクブランク用ガラス基板１１上に、位相シフト膜、あるいは位相シフト膜及び遮光膜５１を備える構造の位相シフト型マスクブランクにおいても、転写パターンとなる薄膜をパターニングすることにより、位相シフト型マスクが得られる。

本発明による基準マーク１３の形成方法は、バイナリマスク７０に基準マーク１３を形成する際にも適用することができる。この場合、メインマーク１３ａ及び補助マーク１３ｂを、ガラス基板１１並びに遮光膜５１及び位相シフト膜等の薄膜のいずれかに形成することができる。

以下、実施例により、本発明の実施の形態をさらに具体的に説明する。

（実施例１）
両面研磨装置を用い、酸化セリウム砥粒やコロイダルシリカ砥粒により段階的に研磨し、低濃度のケイフッ酸で基板表面を表面処理したＳｉＯ_２−ＴｉＯ_２系のガラス基板１１（大きさが約１５２．４ｍｍ×約１５２．４ｍｍ、厚さが約６．３５ｍｍ）を準備した。

次に、Ａｒガス雰囲気中でＲｕターゲットを使用したイオンビームスパッタリングを行って、ガラス基板１１の主表面上に、膜厚３ｎｍのＲｕ膜からなる下地膜２１を形成した。ここで、Ｒｕのスパッタ粒子は、基板１の主表面の法線に対して３０度の角度で入射させた。

次に、Ｒｕ下地膜２１上に、ＭｏターゲットとＳｉターゲットを使用し、Ａｒガス雰囲気中でイオンビームスパッタリングにより、Ｓｉ膜（膜厚：４．２ｎｍ）とＭｏ膜（膜厚：２．８ｎｍ）を１周期として、４０周期積層し、最後にＳｉ膜を４．０ｎｍの厚みで成膜して多層反射膜３１（総膜厚２８４ｎｍ）を形成した。以上のようにして、多層反射膜付き基板３０を得た。

次に、多層反射膜３１の表面の所定の箇所に、以下の表面形状で基準マーク１３を形成した。本実施例では、基準マーク１３として、前述のメインマーク１３ａと補助マーク１３ｂを図６に示すような配置関係となるように形成した。補助マーク１３ｂは、図６に示すようにメインマーク１３ａの部分が抜けた十字形であり、Ｌ２が５５０μｍ、幅Ｗ２が１μｍの十字形である。また、メインマーク１３ａは、図６に示すＬ１が１５μｍ、幅Ｗ１が３μｍの十字形である。補助マーク１３ｂの十字形の中心と、メインマーク１３ａの十字形の中心とが同じ点になるように配置した。また、図５に示すように、基準マーク１３は多層反射膜付き基板３０に４カ所形成した。補助マーク１３ｂを形成した後に、メインマーク１３ａを形成した。

本実施例の補助マーク１３ｂは、図１６及び図１７に示す微小圧子によるインデンテーション（パンチ）により形成した。図１６は、微小圧子の形状をｍｍ単位で示す図面であり、図１７は、図１６に示す微小圧子の先端部（図１６の左端）の形状の拡大図である。図１７に示すように、微小圧子の先端は、０．５ｍｍの長さで、１６６．１８度の角度の付いた寄棟屋根のような形状である。補助マーク１３ｂの深さ方向の断面は微小圧子の先端の形状と同じである。深さが約１５０ｎｍとなるように、微小圧子を多層反射膜３１に所定の圧力で押し付けることにより、補助マーク１３ｂを形成した。なお、補助マーク１３ｂの形成の際、図１６及び図１７に示す微小圧子を多層反射膜３１に１回押し付けた後、微小圧子を回転中心に対して９０度回転させて、再度、多層反射膜３１に押し付けることにより、十字形の補助マーク１３ｂを形成した。

本実施例のメインマーク１３ａは、集束イオンビーム（ＦＩＢ）により形成した。メインマーク１３ａの形成は集束イオンビームを用いて行った。この時の条件は加速電圧５０ｋＶ、ビーム電流値２０ｐＡとした。メインマーク１３ａの形成のために多層反射膜３１を構成する全ての層を除去したので、メインマーク１３ａの深さは、約２８４ｎｍとした。

表１に、上述のように形成した、実施例１の補助マーク１３ｂ及びメインマーク１３ａを形成するために要した加工時間を示す。表１に示す加工時間は、多層反射膜付き基板３０の１枚あたりの加工時間であり、図５に示す４カ所の基準マーク１３の加工時間である。微小圧子によるインデンテーション（パンチ）によって多層反射膜３１に補助マーク１３ｂを形成するための加工時間は、１６分という短時間であった。この結果、実施例１の補助マーク１３ｂ及びメインマーク１３ａの形成のための加工時間の合計は１２０分だった。

基準マーク１３のメインマーク１３ａが形成されている部分の断面形状を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により観察したところ、側壁の傾斜角度が８６度であり、底部も平坦であり、良好な矩形形状であった。

多層反射膜３１に形成したこの基準マーク１３は、電子線描画装置やブランクス検査装置で、コントラストが０．０２５と高く、精度良く検出でき、しかも欠陥検出位置のばらつきも８３ｎｍで１００ｎｍ以下となり再現性良く検出できることを確認した。

次に、多層反射膜３１表面をブランクス欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）で欠陥検査を行った。この欠陥検査では、上述の基準マーク１３を基準として、基準点を決定し、決定した基準点との相対位置に基づく凸、凹の欠陥位置情報と、欠陥サイズ情報を取得し、欠陥マップを作成した。多層反射膜付き基板３０と、これら欠陥位置情報、欠陥サイズ情報とを対応させた欠陥情報（欠陥マップ）付き多層反射膜付き基板３０を得た。

次に、Ａｒガス雰囲気中で、Ｒｕターゲットを使用したイオンビームスパッタリングによりＲｕからなる保護膜６を２．５ｎｍの厚みで成膜した。ここで、Ｒｕのスパッタ粒子は、基板１の主表面の法線に対して３０度の角度で入射させた。その後、大気中で１３０℃のアニールを行った。

次に、ＤＣスパッタリング法により、ＴａＢＮ膜（膜厚：５６ｎｍ）とＴａＢＯ膜（膜厚：１４ｎｍ）の積層膜からなる吸収体層を形成した。ＴａＢＮ膜は、ＴａＢをターゲットに用いて、ＡｒガスとＮ_２ガスの混合ガス雰囲気にて反応性スパッタリング法で形成した。ＴａＢＯ膜は、ＴａＢをターゲットに用いて、ＡｒガスとＯ_２ガスの混合ガス雰囲気にて反応性スパッタリング法により形成した。

また、ガラス基板１１の裏面に、Ｃｒターゲットを用いてＡｒガスとＮ_２ガスの混合ガス雰囲気にて反応性スパッタリング法でＣｒＮ導電膜（膜厚：２０ｎｍ）を形成した。これにより、ＥＵＶ反射型マスクブランク４０を得た。

得られたＥＵＶ反射型マスクブランク４０について、ブランクス欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）で欠陥検査を行った。上述と同様に上述の基準マーク１３を基準として、凸、凹の欠陥位置情報と、欠陥サイズ情報を取得し、ＥＵＶ反射型マスクブランク４０と、これら欠陥位置情報、欠陥サイズ情報とを対応させた欠陥情報付きＥＵＶ反射型マスクブランク４０を得た。

次に、この欠陥情報付きのＥＵＶ反射型マスクブランク４０を用いて、ＥＵＶ反射型マスク６０を作製した。

まず、ＥＵＶ反射型マスクブランク４０上に電子線描画用レジストをスピンコーティング法により塗布、ベーキングしてレジスト膜を形成した。

次に、ＥＵＶ反射型マスクブランク４０の欠陥情報に基づいて、予め設計しておいたマスクパターンデータと照合し、露光装置を用いたパターン転写に影響のないマスクパターンデータに修正するか、パターン転写に影響があると判断した場合には、例えば欠陥をパターンの下に隠すように修正パターンデータを追加したマスクパターンデータに修正するか、修正パターンデータでも対応ができない欠陥については、マスク作製後の欠陥修正の負荷が低減できるマスクパターンデータに修正し、この修正されたマスクパターンデータに基づいて、上述のレジスト膜に対して電子線によりマスクパターンを描画、現像を行い、レジストパターンを形成した。本実施例では、上記基準マーク１３と欠陥との相対位置関係が高い精度で管理できたので、マスクパターンデータの修正を高精度で行うことができた。

このレジストパターンをマスクとし、吸収体層をフッ素系ガス（ＣＦ_４ガス）によりＴａＢＯ膜を、塩素系ガス（Ｃｌ_２ガス）によりＴａＢＮ膜をエッチング除去して、キャッピング層上に吸収体パターン４１ａを形成した。

さらに、吸収体パターン４１ａ上に残ったレジストパターンを熱硫酸で除去し、ＥＵＶ反射型マスク６０を得た。

この得られたＥＵＶ反射型マスク６０についてマスク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）により検査したところ、多層反射膜３１上に凸欠陥は確認されなかった。

こうして得られた反射型マスク６０を露光装置にセットし、レジスト膜を形成した半導体基板上へのパターン転写を行う場合、反射型マスク６０に起因する転写パターンの欠陥もなく、良好なパターン転写を行うことができる。

（実施例２）
実施例２として、上記実施例１における補助マーク１３ｂ及びメインマーク１３ａを多層反射膜３１に形成せず、吸収体膜４１に形成した以外は実施例１と同様にして反射型マスクブランク４０を作製した。

表１に、上述のように形成した、実施例２の補助マーク１３ｂ及びメインマーク１３ａを形成するために要した加工時間を示す。表１に示す加工時間は、反射型マスクブランク４０の１枚あたりの加工時間であり、図５に示す４カ所の基準マーク１３の加工時間である。微小圧子によるインデンテーション（パンチ）によって吸収体膜４１に補助マーク１３ｂを形成するための加工時間は、１６分という短時間であった。この結果、実施例２の補助マーク１３ｂ及びメインマーク１３ａの形成のための加工時間の合計は４１分だった。

基準マーク１３のメインマーク１３ａが形成されている部分の断面形状を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により観察したところ、実施例１と同様、側壁の傾斜角度が８８度であり、底部も平坦であり、良好な矩形形状であった。

また、吸収体膜４１に形成したこの基準マーク１３は、電子線描画装置やブランクス欠陥検査装置で、コントラストが０．０２０と高く、精度良く検出でき、しかも欠陥検出位置のばらつきも８１ｎｍとなり、再現性よく検出できることを確認した。

本実施例においては、基板１１上に多層反射膜３１が形成された多層反射膜付き基板３０の多層反射膜３１表面を、ブランクス欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）で、基板１１の主表面の中心を基準にして欠陥検査を行い、吸収体膜４１が形成された反射型マスクブランク４０について、上述と同様のブランクス欠陥検査装置を用いて基準マーク１３を基準として、凸、凹の欠陥位置情報と、欠陥サイズ情報を取得し、最後に、多層反射膜付き基板３０の欠陥情報と反射型マスクブランク４０の欠陥情報において、欠陥が一致している複数の欠陥を元に照合することにより、反射型マスクブランク４０と、これら欠陥位置情報、欠陥サイズ情報とを対応させた欠陥情報付きＥＵＶ反射型マスクブランク４０を得た。

実施例１と同様に、ＥＵＶ反射型マスク６０を作製した。この得られたＥＵＶ反射型マスク６０についてマスク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）により検査したところ、多層反射膜３１上に凸欠陥は確認されなかった。

こうして得られた反射型マスク６０を露光装置にセットし、レジスト膜を形成した半導体基板上へのパターン転写を行う場合、反射型マスク６０起因の転写パターンの欠陥もなく、良好なパターン転写を行うことができる。

（実施例３）
実施例３として、上記実施例１におけるメインマーク１３ａを多層反射膜３１に形成せず、吸収体膜４１に形成した以外は実施例１と同様にして反射型マスクブランク４０を作製した。補助マーク１３ｂは、上記実施例１と同様に、多層反射膜３１に形成した。

表１に、上述のように形成した、実施例３の補助マーク１３ｂ及びメインマーク１３ａを形成するために要した加工時間を示す。表１に示す加工時間は、反射型マスクブランク４０の１枚あたりの加工時間であり、図５に示す４カ所の基準マーク１３の加工時間である。微小圧子によるインデンテーション（パンチ）によって多層反射膜３１に補助マーク１３ｂを形成するための加工時間は、１６分という短時間であった。この結果、実施例３の補助マーク１３ｂ及びメインマーク１３ａの形成のための加工時間の合計は４１分だった。

基準マーク１３のメインマーク１３ａが形成されている部分の断面形状を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により観察したところ、実施例１と同様、側壁の傾斜角度が８８度であり、底部も平坦であり、良好な矩形形状であった。

また、吸収体膜４１に形成したこの基準マーク１３は、電子線描画装置やブランクス欠陥検査装置で、コントラストが０．０２０と高く、精度良く検出でき、しかも欠陥検出位置のばらつきも８１ｎｍとなり、再現性よく検出できることを確認した。

本実施例においては、基板１１上に多層反射膜３１が形成された多層反射膜付き基板３０の多層反射膜３１表面を、ブランクス欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）で、基板１１の主表面の中心を基準にして欠陥検査を行い、吸収体膜４１が形成された反射型マスクブランク４０について、上述と同様のブランクス欠陥検査装置を用いて基準マーク１３を基準として、凸、凹の欠陥位置情報と、欠陥サイズ情報を取得し、最後に、多層反射膜付き基板３０の欠陥情報と反射型マスクブランク４０の欠陥情報において、欠陥が一致している複数の欠陥を元に照合することにより、反射型マスクブランク４０と、これら欠陥位置情報、欠陥サイズ情報とを対応させた欠陥情報付きＥＵＶ反射型マスクブランク４０を得た。

実施例１と同様に、ＥＵＶ反射型マスク６０を作製した。この得られたＥＵＶ反射型マスク６０についてマスク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００シリーズ）により検査したところ、多層反射膜３１上に凸欠陥は確認されなかった。

こうして得られた反射型マスク６０を露光装置にセットし、レジスト膜を形成した半導体基板上へのパターン転写を行う場合、反射型マスク６０起因の転写パターンの欠陥もなく、良好なパターン転写を行うことができる。

（比較例１）
比較例１として、上記実施例１における補助マーク１３ｂを、微小圧子によるインデンテーション（パンチ）により形成せず、集束イオンビーム（ＦＩＢ）により多層反射膜３１に形成した以外は実施例１と同様にして、比較例１の反射型マスクブランク４０を作製した。

表１に、上述のように形成した、比較例１の補助マーク１３ｂ及びメインマーク１３ａを形成するために要した加工時間を示す。表１に示す加工時間は、反射型マスクブランク４０の１枚あたりの加工時間であり、図５に示す４カ所の基準マーク１３の加工時間である。集束イオンビームによって多層反射膜３１に補助マーク１３ｂを形成するための加工時間は、５５２分という長時間であった。この結果、比較例１の補助マーク１３ｂ及びメインマーク１３ａの形成のための加工時間の合計は６５６分だった。

以上の実施例１〜３及び比較例１から明らかなように、補助マーク１３ｂを微小圧子によるインデンテーション（パンチ）により形成することにより、基準マーク１３を形成するための加工時間を大幅に短縮することができた。また、実施例１〜３により得られた基準マーク１３と、欠陥との相対位置関係を高い精度で管理することができた。したがって、本発明の方法により、多層反射膜付き基板３０、反射型マスクブランク４０及び反射型マスク６０に対して、低コストで高精度の基準マーク１３を形成することができることが明らかである。

なお、上述の実施例では、多層反射膜付き基板３０、反射型マスクブランク４０ともに、下地膜２１を形成した例を挙げて説明したが、これに限られない。下地膜２１が形成されていない多層反射膜付き基板３０、反射型マスクブランク４０であっても構わない。

１１ 基板（ガラス基板）
１２ ラフアライメントマーク
１３ 基準マーク（ファインマーク）
１３ａ メインマーク
１３ｂ、１３ｃ 補助マーク
２１ 下地膜
３０ 多層反射膜付き基板
３１ 多層反射膜
３２ 保護膜
４０ 反射型マスクブランク
４１ 吸収体膜
４１ａ 吸収体膜パターン
４２ 裏面導電膜
５０ バイナリマスクブランク
５１ 遮光膜
５１ａ 遮光膜パターン
６０ 反射型マスク
７０ バイナリマスク
８０ 電子線又は欠陥検査光の走査方向

Claims (26)

1. 基板上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜が形成されている多層反射膜付き基板の製造方法であって、
   前記多層反射膜付き基板に、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークを形成する工程を有し、
   前記基準マークは、前記欠陥情報の基準点を決定するためのメインマークと、前記メインマークの周囲に配置された補助マークとから構成され、
   前記メインマークと前記補助マークとは異なる形成方法で形成され、
   前記メインマークは点対称の形状であり、前記補助マークは長辺及び短辺を有する矩形であり、
   前記メインマークの縦横の長さである大きさが、２００ｎｍ以上２０μｍ以下であり、かつ前記補助マークを構成する矩形の長辺の長さが２００μｍ以上６００μｍ以下であるか、または
   前記メインマーク及び前記補助マークは中心が共通する十字形状であり、前記十字形状を構成する二つの矩形が短辺及び長辺を有し、前記メインマークの前記十字形状を構成する前記矩形の前記長辺の長さが、前記補助マークの前記十字形状を構成する前記矩形の前記長辺の長さよりも小さい
   ことを特徴とする多層反射膜付き基板の製造方法。
2. 前記補助マークは、ダイヤモンド針を走査しての加工痕、又は微小圧子によるインデンテーションで形成され、前記メインマークは、集束イオンビームで形成されることを特徴とする、請求項１に記載の多層反射膜付き基板の製造方法。
3. 前記メインマークは、前記多層反射膜に形成され、前記補助マークは、前記基板又は前記多層反射膜に形成される、請求項１又は２に記載の多層反射膜付き基板の製造方法。
4. 基板上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、前記多層反射膜上にＥＵＶ光を吸収する吸収体膜とが形成されている反射型マスクブランクの製造方法であって、
   前記反射型マスクブランクに、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークを形成する工程を有し、
   前記基準マークは、前記欠陥情報の基準点を決定するためのメインマークと、前記メインマークの周囲に配置された補助マークとから構成され、
   前記メインマークと前記補助マークとは異なる形成方法で形成され、
   前記メインマークは点対称の形状であり、前記補助マークは長辺及び短辺を有する矩形であり、
   前記メインマークの縦横の長さである大きさが、２００ｎｍ以上２０μｍ以下であり、かつ前記補助マークを構成する矩形の長辺の長さが２００μｍ以上６００μｍ以下であるか、または
   前記メインマーク及び前記補助マークは中心が共通する十字形状であり、前記十字形状を構成する二つの矩形が短辺及び長辺を有し、前記メインマークの前記十字形状を構成する前記矩形の前記長辺の長さが、前記補助マークの前記十字形状を構成する前記矩形の前記長辺の長さよりも小さい
   ことを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
5. 前記補助マークは、ダイヤモンド針を走査しての加工痕、又は微小圧子によるインデンテーションで形成され、前記メインマークは、集束イオンビームで形成されることを特徴とする、請求項４に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
6. 前記メインマーク及び前記補助マークは共に、前記吸収体膜及び前記多層反射膜の一方又は両方に形成されることを特徴とする、請求項４又は５に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
7. 前記補助マークは、前記基板若しくは前記多層反射膜に形成され、前記メインマークは前記吸収体膜に形成されるか、
   前記補助マークは、前記基板に形成され、前記メインマークは前記多層反射膜に形成されるか、又は
   前記補助マークは、前記吸収体膜に形成され、前記メインマークは前記多層反射膜に形成される、
   ことを特徴とする、請求項４又は５に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
8. 請求項４〜７のいずれか１項に記載の製造方法によって製造された反射型マスクブランクを用意する工程と、
   前記反射型マスクブランクの前記吸収体膜をパターニングすることによって、吸収体パターンを形成する工程と
   を有することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
9. 基板上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜が形成されている多層反射膜付き基板であって、
   前記多層反射膜付き基板に、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、
   前記基準マークは、前記欠陥情報の基準点を決定するためのメインマークと、前記メインマークの周囲に配置され、メインマークを特定するための補助マークとから構成され、
   前記メインマークの断面の形状と、前記補助マークの断面の形状とが異なり、
   前記メインマークは点対称の形状であり、前記補助マークは長辺及び短辺を有する矩形であり、
   前記メインマークの縦横の長さである大きさが、２００ｎｍ以上２０μｍ以下であり、かつ前記補助マークを構成する矩形の長辺の長さが２００μｍ以上６００μｍ以下であるか、または
   前記メインマーク及び前記補助マークは中心が共通する十字形状であり、前記十字形状を構成する二つの矩形が短辺及び長辺を有し、前記メインマークの前記十字形状を構成する前記矩形の前記長辺の長さが、前記補助マークの前記十字形状を構成する前記矩形の前記長辺の長さよりも小さい
   ことを特徴とする多層反射膜付き基板。
10. 前記メインマークの断面の形状が矩形であり、前記補助マークの断面の形状が略三角形である、請求項９に記載の多層反射膜付き基板。
11. 前記メインマークの深さは、前記補助マークの深さよりも深い、請求項９又は１０に記載の多層反射膜付き基板。
12. 前記メインマークの形状が前記十字形状であり、前記十字形状を構成する二つの前記矩形が前記短辺及び前記長辺を有し、前記メインマークの前記短辺の長さと、前記補助マークの前記短辺との差が電子線スポットの幅よりも大きいことを特徴とする請求項９〜１１のいずれか１項に記載の多層反射膜付き基板。
13. 前記メインマークは、前記多層反射膜に形成され、前記補助マークは、前記基板又は前記多層反射膜に形成される、請求項９〜１２のいずれか１項に記載の多層反射膜付き基板。
14. 基板上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、前記多層反射膜上にＥＵＶ光を吸収する吸収体膜とが形成されている反射型マスクブランクであって、
    前記反射型マスクブランクに、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、
    前記基準マークは、前記欠陥情報の基準点を決定するためのメインマークと、前記メインマークの周囲に配置され、メインマークを特定するための補助マークとから構成され、
    前記メインマークの断面の形状と、前記補助マークの断面の形状とが異なり、
    前記メインマークは点対称の形状であり、前記補助マークは長辺及び短辺を有する矩形であり、
    前記メインマークの縦横の長さである大きさが、２００ｎｍ以上２０μｍ以下であり、かつ前記補助マークを構成する矩形の長辺の長さが２００μｍ以上６００μｍ以下であるか、または
    前記メインマーク及び前記補助マークは中心が共通する十字形状であり、前記十字形状を構成する二つの矩形が短辺及び長辺を有し、前記メインマークの前記十字形状を構成する前記矩形の前記長辺の長さが、前記補助マークの前記十字形状を構成する前記矩形の前記長辺の長さよりも小さい
    ことを特徴とする反射型マスクブランク。
15. 前記メインマークの断面の形状が矩形であり、前記補助マーク断面の形状が略三角形である、請求項１４に記載の反射型マスクブランク。
16. 前記メインマークの深さは、前記補助マークの深さよりも深い、請求項１４又は１５に記載の反射型マスクブランク。
17. 前記メインマークの形状が前記十字形状であり、前記十字形状を構成する二つの前記矩形が前記短辺及び前記長辺を有し、前記メインマークの前記短辺の長さと、前記補助マークの前記短辺との差が電子線スポットの幅よりも大きいことを特徴とする請求項１４〜１６のいずれか１項に記載の反射型マスクブランク。
18. 前記メインマーク及び前記補助マークは共に、前記吸収体膜及び前記多層反射膜の一方又は両方に形成されることを特徴とする、請求項１４〜１７のいずれか１項に記載の反射型マスクブランク。
19. 前記補助マークは、前記基板若しくは前記多層反射膜に形成され、前記メインマークは前記吸収体膜に形成されるか、
    前記補助マークは、前記基板に形成され、前記メインマークは前記多層反射膜に形成されるか、又は
    前記補助マークは、前記吸収体膜に形成され、前記メインマークは前記多層反射膜に形成される、
    ことを特徴とする、請求項１４〜１７のいずれか１項に記載の反射型マスクブランク。
20. 請求項１４〜１９のいずれか１項に記載の反射型マスクブランクを用意する工程と、
    前記反射型マスクブランクの前記吸収体膜をパターニングすることによって、吸収体パターンを形成する工程と
    を有することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
21. 基板上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、前記多層反射膜上にＥＵＶ光を吸収する吸収体膜とが形成され、前記吸収体膜が転写用パターンを有する反射型マスクであって、
    前記反射型マスクに、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、
    前記基準マークは、前記欠陥情報の基準点を決定するためのメインマークと、前記メインマークの周囲に配置され、メインマークを特定するための補助マークとから構成され、
    前記メインマークの断面の形状と、前記補助マークの断面の形状とが異なり、
    前記メインマークは点対称の形状であり、前記補助マークは長辺及び短辺を有する矩形であり、
    前記メインマークの縦横の長さである大きさが、２００ｎｍ以上２０μｍ以下であり、かつ前記補助マークを構成する矩形の長辺の長さが２００μｍ以上６００μｍ以下であるか、または
    前記メインマーク及び前記補助マークは中心が共通する十字形状であり、前記十字形状を構成する二つの矩形が短辺及び長辺を有し、前記メインマークの前記十字形状を構成する前記矩形の前記長辺の長さが、前記補助マークの前記十字形状を構成する前記矩形の前記長辺の長さよりも小さい
    ことを特徴とする反射型マスク。
22. 前記メインマークの断面の形状が矩形であり、前記補助マーク断面の形状が略三角形である、請求項２１に記載の反射型マスク。
23. 前記メインマークの深さは、前記補助マークの深さよりも深い、請求項２１又は２２に記載の反射型マスク。
24. 前記メインマークの形状が前記十字形状であり、前記十字形状を構成する二つの前記矩形が前記短辺及び前記長辺を有し、前記メインマークの前記短辺の長さと、前記補助マークの前記短辺との差が電子線スポットの幅よりも大きいことを特徴とする請求項２１〜２３のいずれか１項に記載の反射型マスク。
25. 前記メインマーク及び前記補助マークは共に、前記吸収体膜及び前記多層反射膜の一方又は両方に形成されることを特徴とする、請求項２１〜２４のいずれか１項に記載の反射型マスク。
26. 前記補助マークは、前記基板若しくは前記多層反射膜に形成され、前記メインマークは前記吸収体膜に形成されるか、
    前記補助マークは、前記基板に形成され、前記メインマークは前記多層反射膜に形成されるか、又は
    前記補助マークは、前記吸収体膜に形成され、前記メインマークは前記多層反射膜に形成される、
    ことを特徴とする、請求項２１〜２４のいずれか１項に記載の反射型マスク。