WO2014050891A1 - Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法、ならびにｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクおよびその製造方法 - Google Patents

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生田　順亮
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旭硝子株式会社
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    • G03F1/78—Patterning of masks by imaging by charged particle beam [CPB], e.g. electron beam patterning of masks

Definitions

  • the present invention relates to a reflective mask for EUV lithography mainly used in the manufacture of semiconductor devices using EUV (Extreme Ultra-Violet) exposure technology, and EUV lithography that is a precursor of a reflective mask for EUV lithography.
  • the present invention relates to a reflective mask blank for use.
  • the reflective mask blank for EUV lithography is also referred to as “EUV mask blank” in this specification.
  • the resolution limit is determined according to the wavelength of light irradiated to a semiconductor substrate such as a Si substrate.
  • a transmission optical system exposure technique using a KrF excimer laser with a wavelength of 248 nm, an ArF excimer laser with a wavelength of 193 nm, or the like has been put into practical use.
  • a transmissive mask is used which has a predetermined pattern formed by a portion that transmits the irradiated light and a portion that absorbs the irradiated light. Transcription is performed.
  • an exposure technique using EUV light is attracting attention as an exposure technique using light having a shorter wavelength than an ArF excimer laser.
  • the EUV light is light in the wavelength region of soft X-rays or vacuum ultraviolet rays, and specifically, light having a wavelength of about 10 nm to 20 nm, particularly 13.2 nm to 13.8 nm (13 nm centered on 13.5 nm) (13 .5 nm ⁇ 0.3 nm).
  • a reflection optical system exposure system is applied.
  • a reflective mask for EUV lithography or a reflective mirror for EUV is used. Note that the reflective mask for EUV lithography is also referred to as an “EUV mask” in this specification.
  • the EUV mask blank is a patterned EUV mask precursor and includes a layer that reflects EUV light.
  • the EUV mask blank has at least a reflective layer that reflects EUV light on a flat substrate such as glass, and has an absorption layer that absorbs EUV light on the reflective layer.
  • the EUV mask has a predetermined pattern formed on the absorption layer of the EUV mask blank, and absorbs EUV light that is irradiated in a portion where the absorption layer is present and is irradiated in a portion where there is no absorption layer.
  • the predetermined pattern can be transferred to a semiconductor substrate or the like by reflecting the light.
  • the reflective layer is usually a multilayer reflective film having a structure in which a high refractive index layer showing a high refractive index with respect to EUV light and a low refractive index layer showing a low refractive index with respect to EUV light are alternately laminated.
  • the multilayer reflective film include a Mo / Si multilayer reflective film composed of a silicon (Si) layer as a high refractive index layer and a molybdenum (Mo) layer as a low refractive index layer. Reflectivity can be realized.
  • the absorption layer is made of a material having a low reflectance with respect to EUV light, that is, a material having a high absorption coefficient with respect to EUV light, and examples thereof include a material mainly composed of Ta or Cr.
  • a technique for adjusting the position and direction of the pattern of the absorption layer when manufacturing the EUV mask by grasping the positions of these defects in the EUV mask blank and avoiding the defects has been studied. Specifically, it is described that a reference mark (also referred to as “Fiducial Mark”) is formed on a reflective layer of an EUV mask blank (for example, see Non-Patent Document 2).
  • the reference mark is formed in a concave or convex shape on the multilayer reflective film, on the substrate, or on the absorption layer in a region outside the actual mask pattern region (for example, a 132 mm ⁇ 132 mm region).
  • a cross-shaped mark is typically used as the reference mark in plan view, and the position of the intersection of the reference marks is often used as the reference position. Then, based on the reference position, information for specifying the position (coordinates) of the defect existing in the actual mask pattern area is obtained.
  • the number of reference marks has at least three points in the area outside the mask pattern area, and the coordinates of the plane are such that the intersections of the crosses of these reference marks are not on the same virtual straight line. Can be identified.
  • cross reference marks are often formed at three to four corners outside the mask pattern area.
  • FIG. 16 is a schematic plan view showing the EUV mask blank 100 with reference marks, and is an example having reference marks 101, 102, 103, and 104 at four corners that are regions outside the mask pattern region 105.
  • the position of these reference marks is determined by scanning the vicinity of the reference mark positions with an electron beam or ultraviolet rays at regular intervals, and detecting the difference in reflection intensity or scattered light intensity caused by the unevenness of the reference marks. It is possible to accurately identify the intersection of the crosses.
  • the ultraviolet rays referred to in this specification indicate light included in a wavelength range of 170 nm to 400 nm.
  • the reference mark is a reference position for accurately grasping the coordinates of the defect position in the EUV mask blank, it is an apparatus used in a process (for example, an inspection process) for producing the EUV mask blank and EUV mask. It is important that the reference position can be specified with high accuracy.
  • a method for detecting the reference mark a method of scanning and detecting the vicinity of the reference mark with an electron beam from the resist film even after the resist film is formed on the EUV mask blank in the process of manufacturing the EUV mask has been reported. (For example, refer to Patent Document 1).
  • FIG. 17A is a schematic view illustrating a state in which an electron beam or ultraviolet rays 110 are scanned in order to detect the position of the concave reference mark 101 and the intersection of the crosses.
  • the cross reference mark 101 is often detected by scanning the electron beam or the ultraviolet ray 110 in a direction substantially parallel to the two axes forming the cross. In many cases, scanning is performed at regular intervals so as to be discrete.
  • FIG. 17B is a schematic plan view illustrating the reference mark 101 and the scan marks 111, 112, 113, and 114 due to the electron beam or the ultraviolet ray 110.
  • the “scan mark” may be either a mark made by a coarse scan or a mark made by a fine scan, or both.
  • the scan marks 112 and 113 are straight lines parallel to the X-axis direction and intersect the straight lines parallel to the Y-axis of the reference mark 101. Both ends in the width direction of the straight line parallel to the Y axis of the reference mark 101 intersect with the scan mark 112 at the intersection points X1a and X1b, respectively, and intersect with another scan mark 113 at the intersection points X2a and X2b.
  • the scan marks 111 and 114 are straight lines parallel to the Y-axis direction, and intersect the straight lines parallel to the X-axis of the reference mark 101. Both ends in the width direction of the straight line parallel to the X axis of the reference mark 101 intersect with the scan mark 111 at the intersections Y1a and Y1b, respectively, and intersect with another scan mark 114 at the intersections Y2a and Y2b.
  • the position in the Y direction is changed and scanning along the X axis direction is performed N times (N is an integer of 2 or more), and the position in the X axis direction is changed to Y. Scanning along the axial direction is performed M times (M is an integer of 2 or more).
  • the positions of both ends in the width direction of the straight line of the reference mark 101 are detected by each scanning.
  • the positions of both ends in the width direction of the straight line parallel to the Y-axis direction of the reference mark 101 when the i-th scanning (1 ⁇ i ⁇ N) is performed along the X-axis direction are denoted by Xia, Xib, respectively.
  • the average center position Yc of a straight line can be calculated by the following equations (3a) and (3b), respectively.
  • the coordinates (Xc, Yc) obtained here are the reference points (reference positions) of the reference marks.
  • the detection of the intersection of the reference mark 101 and the cross by the electron beam or the ultraviolet ray 110 is performed also on the EUV mask blank with a resist film whose surface is coated with a chemically amplified resist or the like.
  • the irradiated portion that is, the (chemically amplified) resist in the portions of the scan marks 111, 112, 113, and 114 in FIG. .
  • a predetermined mask pattern is drawn with an electron beam or the like in the mask pattern region of the EUV mask blank with a resist film (chemical amplification type), the resist is developed, the absorption layer is etched, the residual resist is peeled off, and the EUV is peeled off.
  • the vicinity of the reference mark 101 has a complicated structure. For example, in the reference mark 101, there is a step between a portion where the reference mark 101 and the scan marks 111, 112, 113, and 114 overlap and a portion that does not overlap.
  • the position of the reference mark formed on the EUV mask and the intersection of the crosses are scanned with EUV light, ultraviolet light, electron beam, etc.
  • the detection sensitivity of the reference mark is lowered due to the influence of the step based on the scan mark, and the accuracy of the mask pattern inspection may be lowered.
  • the present invention is particularly suitable for EUVL with a resist film, which can increase the detection sensitivity of a reference mark indicating a reference position for specifying the position of a defect existing in a mask pattern region in inspection of a mask pattern of an EUV mask. It is an object of the present invention to provide a reflective mask blank and a manufacturing method thereof, and a reflective mask for EUVL and a manufacturing method thereof.
  • Three or more concave or convex fiducial marks to be formed are formed, and each line forming the fiducial mark is arranged along any one of a plurality of virtual lines that intersect at one intersection point.
  • Three or more concave or convex fiducial marks to be formed are formed, and each line forming the fiducial mark is arranged along any one of a plurality of virtual lines that intersect at one intersection point.
  • EUV lithography having a reflective layer that reflects EUV light on a substrate, an absorbing layer that absorbs EUV light on the reflective layer, and a concave or convex fiducial mark that identifies a defect position in a mask pattern region.
  • the reference marks are located at three or more locations outside the mask pattern region, and are formed by at least two lines in plan view. Each line forming the reference mark is a plurality of lines that intersect at one intersection.
  • At least one line is arranged along each virtual line, When the maximum value of the line width of the reference mark is W, an area of the resist film including a circular area having a radius of 1.5 W with the reference position corresponding to the intersection as a center point in plan view is exposed.
  • a reflective mask blank for EUV lithography with a resist film is provided.
  • a reflective mask for EUV lithography having a protective layer for protection and a concave fiducial mark for identifying a defect depression position in a mask pattern region, The reference marks are located at three or more locations outside the mask pattern region, and are formed by at least two lines in plan view. Each line forming the reference mark is a plurality of lines that intersect at one intersection.
  • At least one line is arranged along each virtual line, Assuming that the maximum value of the line width of the reference mark is W, the surface of the reference mark that is concave in the circular area with a radius of 1.5 W centering on the reference position corresponding to the intersection in plan view is the above-described surface.
  • a reflective mask for EUV lithography which is a reflective layer and the surface other than the reference mark is the protective layer.
  • the reflective mask blank for EUVL with a resist film according to the present invention and the method for manufacturing the same, and the reflective mask for EUVL and the method for manufacturing the EUV mask are particularly highly accurate in the EUV mask inspection process after manufacturing the EUV mask. The position can be detected, and it is possible to realize the inspection of the EUV mask manufactured with high accuracy.
  • the cross-sectional schematic diagram of one Example of EUV mask blank The plane schematic diagram of one Example of EUV mask blank.
  • the flowchart which shows one Example of the manufacturing method of EUV mask blank with a resist film, and EUV mask.
  • the plane schematic diagram of one Example of the reference mark part in the EUV mask blank with a resist film (comparative example).
  • (A) The cross-sectional schematic diagram of the reference mark part after exposure (comparative example).
  • the plane schematic diagram which shows the positional relationship of an EUV mask blank and a reference mark.
  • A The schematic diagram which shows the electron beam or ultraviolet-ray which scans on the reference
  • B A schematic plan view showing a scan mark on a reference mark.
  • A The perspective schematic diagram (1) which shows the reference mark of another aspect.
  • B The cross-sectional schematic diagram (1) which shows the reference mark of another aspect.
  • A The perspective schematic diagram (2) which shows the reference mark of another aspect.
  • B The cross-sectional schematic diagram (3) which shows the reference mark of another aspect.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the structure of the EUV mask blank 10.
  • the EUV mask blank 10 has a configuration in which a reflective layer 12 that reflects EUV light and an absorption layer 14 that absorbs EUV light are laminated on the substrate 11 in this order.
  • a protective layer 13 may be formed between the reflective layer 12 and the absorbing layer 14 to protect the reflective layer 12 against etching of the absorbing layer 14.
  • a low reflection layer 15 that exhibits low reflection characteristics with respect to inspection light (for example, light of 257 nm) used for inspection of a mask pattern may be formed on the absorption layer 14.
  • the EUV mask blank 10 may have a functional layer known in the field of EUV mask blanks.
  • a conductive coating layer having a sheet resistance of 100 ⁇ / ⁇ or less may be provided on the back side of the substrate 11 in order to promote electrostatic chucking of the EUV mask blank.
  • the conductive coating layer may be formed by a known method such as a magnetron sputtering method or an ion beam sputtering method.
  • the substrate 11 As a substrate used for an EUV mask blank, the substrate 11 is required to have a low coefficient of thermal expansion, excellent smoothness and flatness, and have as few surface defects as possible.
  • the thermal expansion coefficient at around room temperature is preferably be in the range of -0.05 ⁇ 10 -7 /°C ⁇ +0.05 ⁇ 10 -7 / °C , -0.03 it is in the range of ⁇ 10 -7 /°C ⁇ +0.03 ⁇ 10 -7 / °C more preferred.
  • SiO 2 —TiO 2 glass can be preferably used, but is not limited thereto, and is not limited to this, crystallized glass, quartz glass, silicon, metal, etc. in which ⁇ quartz solid solution is precipitated. Can also be used.
  • the smoothness and flatness required for the substrate 11 are specifically that the surface roughness is 0.15 nm rms or less and the flatness is 100 nm or less in the Japanese Industrial Standard of JIS-B0601. Satisfying these ranges is preferable because the pattern transfer accuracy by EUV light when an EUV mask is manufactured can be improved.
  • the size and thickness of the substrate 11 are appropriately determined according to the design value of the EUV mask blank. For example, the outer shape is about 6 inches (152 mm) square and the thickness is about 0.25 inches (6.35 mm). ).
  • the substrate 11 on which the reflective layer 12 is formed (sometimes referred to as “main surface”), but even when it exists, the phase defect is present. It only needs to be small enough not to occur.
  • the surface state in which the depth of the concave defect and the height of the convex defect on the main surface are 2 nm or less, and the half width of the concave defect and the convex defect is 60 nm or less.
  • the substrate 11 is not limited to the main surface, but also has defects on the surface opposite to the main surface (sometimes referred to as “back surface”) and side surfaces due to particles or the like when forming a reflective layer or the like. It is required to ensure flatness and smoothness as much as possible.
  • the reflective layer 12 is required to have a characteristic that exhibits high reflectance when irradiated with EUV light.
  • the maximum value of the reflectance obtained when the EUV light having a wavelength of about 13.5 nm is irradiated is preferably 60% or more, more preferably 63% or more, and further preferably 65% or more.
  • the reflectance is obtained as the reflectance intensity when EUV light is incident on the surface of the reflective layer 12 from a direction inclined by 6 degrees from the normal direction. This angle condition is based on the fact that EUV light is incident mainly from a direction inclined by 6 degrees from the normal direction of the EUV mask surface in an exposure system of a reflective optical system using EUV light.
  • the reflective layer 12 includes a high refractive index layer that exhibits a high refractive index for EUV light and a low refractive index that exhibits a low refractive index for EUV light.
  • a multilayer reflective film in which a rate layer is alternately laminated a plurality of times is preferably used.
  • a Mo / Si multilayer reflective film comprising a Si layer as a high refractive index layer and a Mo layer as a low refractive index layer is preferably used.
  • the reflective layer 12 is not limited to the Mo / Si multilayer reflective film, but is a Ru / Si multilayer reflective film, a Mo / Be multilayer reflective film, a Mo compound / Si compound multilayer reflective film, a Si / Mo / Ru multilayer reflective film, Si / Mo / Ru / Mo multilayer reflective films and Si / Ru / Mo / Ru multilayer reflective films can also be used.
  • the uppermost layer of the multilayer reflective film constituting the reflective layer 12 a material that does not oxidize the reflective film may be selected, and a specific example of the cap layer having this function is an Si layer.
  • the reflective layer 12 is a Mo / Si multilayer reflective film
  • the uppermost layer is preferably a Si layer.
  • a film forming method such as an ion beam sputtering method or a magnetron sputtering method can be used as a known film forming method.
  • a sputtering gas, a gas pressure, a film forming speed, a sputtering target, and the like are appropriately selected, and the Mo layer and the Si layer may be alternately formed by a predetermined number of repetitions.
  • the “reflective layer 12” may be expressed as the “multilayer reflective film 12”.
  • the protective layer 13 is provided in order to prevent damage to the reflective layer 12 in the etching process when forming a pattern for the absorbing layer 14 or the absorbing layer 14 and the low reflective layer 15. Therefore, the protective layer 13 is preferably made of a material that is slower than the etching rate with respect to the absorbing layer 14 and is not easily damaged in the etching process when the absorbing layer 14 is etched.
  • the protective layer 13 include Si, Cr, Al, Ta and nitrides thereof, Ru and Ru compounds, SiO 2 , Al 2 O 3 , a mixture thereof, and a laminate of these compounds. Among these, Ru and Ru compounds, CrN and SiO 2 are preferable, and Ru and Ru compounds are more preferable.
  • the Ru compound include RuB and RuSi.
  • the maximum value of the reflectance obtained when the EUV light having a wavelength of about 13.5 nm is irradiated is preferably 60% or more, more preferably 63% or more, and further preferably 65% or more.
  • the protective layer 13 is preferably Ru or a Ru compound, and the thickness at that time may be in the range of 1 nm to 10 nm, and may be in the range of 1 nm to 5 nm. The range of 1.5 nm to 4 nm is more preferable.
  • the protective layer 13 can be formed by a known film forming method such as an ion beam sputtering method or a magnetron sputtering method.
  • a sputtering gas, a gas pressure, a film forming speed, a sputtering target, and the like may be appropriately selected to form a film having a predetermined thickness.
  • the absorption layer 14 is required to exhibit high light absorption characteristics (low reflectance) when irradiated with EUV light. That is, when the EUV mask is used, high contrast (60% or more) can be obtained by irradiating EUV light and the reflective layer 12 can obtain a high reflectance, while the reflective layer 12 can obtain a low reflectance. Can be realized. Specifically, the reflectance on the surface of the absorption layer 14 when irradiated with EUV light is about 0.1% to 15%. For example, the reflectance on the surface of the absorption layer 14 is relatively about 15%.
  • phase difference between the reflected light on the surface of the reflecting layer 12 and the reflected light on the surface of the absorbing layer 14 is designed to be about 175 to 185 degrees with respect to EUV light, the phase effect can be used. High contrast can be achieved.
  • the absorption layer 14 may be made of a material exhibiting a high absorption coefficient for EUV light.
  • a material containing tantalum (Ta) as a main component a material containing chrome (Cr) as a main component, palladium (Pd) It is preferable to use a material containing as a main component.
  • the material containing tantalum (Ta) as a main component refers to a material having a Ta content of 40 at% or more in the absorption layer 14.
  • the content rate of Ta is preferable 50 at% or more, and 55 at% or more is more preferable.
  • the material which has chromium (Cr) as a main component refers to the material from which the Cr content rate in the absorption layer 14 becomes 40 at% or more, In this case, the Cr content rate in the absorption layer 14 is 50 at% or more. Preferably, 55 at% or more is more preferable.
  • the material having palladium (Pd) as a main component refers to a material in which the Pd content in the absorption layer 14 is 40 at% or more. In this case, the Pd content in the absorption layer 14 is 50 at% or more. Preferably, 55 at% or more is more preferable.
  • the material constituting the absorption layer 14 is mainly hafnium (Hf), silicon (Si), zirconium (Zr), germanium (Ge), boron (B), palladium (Pd), chromium. It is preferable to contain at least one component among (Cr), hydrogen (H) and nitrogen (N).
  • Specific examples of materials containing the above elements other than Ta include TaN, TaNH, TaHf, TaHfN, TaBSi, TaBSiN, TaB, TaBN, TaSi, TaSiN, TaGe, TaGeN, TaZr, TaZrN, TaPd, TaPdN, TaCr, TaCrN etc. are mentioned.
  • the material that constitutes the absorption layer 14 is mainly composed of hafnium (Hf), silicon (Si), zirconium (Zr), germanium (Ge), boron (B), palladium (Pd). ), Tantalum (Ta), hydrogen (H) and nitrogen (N).
  • specific examples of the material containing the above-described elements other than Cr include CrN, CrNH, CrHf, CrHfN, CrBSi, CrBSiN, CrB, CrBN, CrSi, CrSiN, CrGe, CrGeN, CrZr, CrZrN, CrPd, CrPdN, CrTa, CrTaN etc. are mentioned.
  • the material that constitutes the absorption layer 14 is mainly composed of Pd.
  • Pd hafnium (Hf), silicon (Si), zirconium (Zr), germanium (Ge), boron (B), chromium ( It is preferable to contain at least one component of Cr), tantalum (Ta), hydrogen (H), and nitrogen (N).
  • the material containing the above elements other than Pd include PdN, PdNH, PdHf, PdHfN, PdBSi, PdBSiN, PdB, PdBN, PdSi, PdSiN, PdGe, PdGeN, PdZr, PdZrN, PdCr, PdCrN, PdCr, PdTaN etc. are mentioned.
  • the thickness of the absorption layer 14 may be in the range of 20 nm to 100 nm. If the thickness of the absorption layer 14 is less than 20 nm, sufficient absorption characteristics for EUV light cannot be obtained, and sufficient contrast cannot be obtained even when the phase effect is used. Further, if the thickness of the absorption layer 14 is more than 100 nm, the pattern accuracy at the time of manufacturing the EUV mask is deteriorated, and the pattern is used to irradiate the EUV mask with an oblique incidence (6 degrees) in the reflective exposure system. There is a risk that the transfer accuracy will deteriorate.
  • the thickness of the absorption layer 14 is preferably in the range of 20 nm to 95 nm, and more preferably in the range of 20 nm to 90 nm.
  • the absorption layer 14 can use a film forming method such as an ion beam sputtering method or a magnetron sputtering method as a known film forming method.
  • a sputtering gas, a gas pressure, a film forming speed, a sputtering target, and the like may be appropriately selected to form a film having a predetermined thickness.
  • the surface of the absorbing layer 14 has a large surface roughness, the edge roughness of the pattern formed on the absorbing layer 14 increases and the dimensional accuracy of the pattern deteriorates, so that smoothness is required.
  • the surface roughness may be 0.5 nm rms or less, preferably 0.4 nm rms or less, and more preferably 0.3 nm rms.
  • the crystal structure of the absorption layer 14 is preferably amorphous.
  • the low reflection layer 15 is a layer that exhibits lower reflectance characteristics than the absorption layer 14 with respect to inspection light for inspecting the pattern of the absorption layer 14.
  • inspection light for example, light having a wavelength of 257 nm is often used.
  • the inspection of the mask pattern shape and the like of the absorption layer 14 is performed using the fact that the reflectance of the inspection light is different between the portion where the absorption layer 14 is present and the portion where the absorption layer 14 is not present. In many cases, the protective layer 13 is exposed.
  • the difference in reflectance with respect to the inspection light becomes large between the portion where the absorption layer 14 is present and the portion where the absorption layer 14 is not present. Since the contrast is improved, high inspection accuracy can be obtained. Note that the wavelength of the inspection light tends to shift to the short wavelength side as the pattern size becomes smaller, and it is conceivable that it will shift to 193 nm and further to 13.5 nm in the future. When the wavelength of the inspection light is 13.5 nm, it is considered unnecessary to form the low reflection layer 15 on the absorption layer 14.
  • the low reflection layer 15 is made of a material whose refractive index with respect to the wavelength of the inspection light is lower than that of the absorption layer 14. Specifically, a material mainly containing Ta can be used. In addition to Ta, at least one element selected from Hf, Ge, Si, B, N, H, and O is contained. Specific examples include TaO, TaON, TaONH, TaBO, TaHfO, TaHfON, TaBSiO, TaBSiON, SiN, and SiON.
  • the total thickness of the absorption layer 14 and the low reflection layer 15 is preferably 20 nm to 100 nm, more preferably 20 nm to 95 nm, and even more preferably 20 nm to 90 nm. . Further, if the thickness of the low reflection layer 15 is larger than the thickness of the absorption layer 14, the EUV light absorption characteristics in the absorption layer 14 may be deteriorated. Therefore, the thickness of the low reflection layer 15 is the thickness of the absorption layer 14. It is preferable that the thickness is smaller.
  • the thickness of the low reflection layer 15 is preferably 1 nm to 20 nm, more preferably 2 nm to 15 nm, and even more preferably 2 nm to 10 nm.
  • the low reflection layer 15 can be formed by a known film formation method such as an ion beam sputtering method or a magnetron sputtering method. In each film forming method, a sputtering gas, a gas pressure, a film forming speed, a sputtering target, and the like may be appropriately selected to form a film having a predetermined thickness. Further, a natural oxide film that can be naturally formed on the surface of the absorption layer 14 may be used.
  • reference marks formed on the EUV mask blank 10 will be described.
  • the reference mark may be formed in a concave or convex shape on the surface of the substrate 11.
  • the cross-sectional shape may be formed in a concave or convex shape on the surface of one layer formed between the low reflective layer 15. In the present embodiment, a case where a reference mark having a concave cross-sectional shape is mainly formed in the reflective layer 12 will be described.
  • FIG. 2 is a schematic plan view of the EUV mask blank 10 illustrating the position of the reference mark 16 formed on the reflective layer 12 made of a multilayer reflective film and the shape in plan view. Is located outside the mask pattern area 18 (for example, a 132 mm ⁇ 132 mm area).
  • a part of the reflective layer 12 may be deleted on the outermost surface of the reflective layer 12 to form the concave reference mark 16, and
  • the reference mark 16 may be formed so as to remove a part of the reflective layer 12 from the surface of the protective layer 13 (through the protective layer 13).
  • the four reference marks 16 will be described as reference marks 16a, 16b, 16c, and 16d when the positional relationship is specifically shown.
  • the four reference marks 16 have the same cross shape, but at least one of the reference marks 16 a, 16 b, 16 c and 16 d located at the four corners of the EUV mask blank 10.
  • the reference mark may have a shape different from the shape of other reference marks.
  • the four reference marks 16 are rotationally symmetric with respect to the center of the substrate.
  • the four reference marks 16 have the same shape, and at least one reference mark is provided. Alternatively, it may be formed at a position shifted from a position symmetrical to other reference marks. In this case, the reference mark can be used not only for specifying the defect position of the EUV mask blank but also for checking the rotational position of the EUV mask blank and the EUV mask itself.
  • the reference marks 16a, 16b, 16c and 16d shown in FIG. 2 are all shown in the same cross shape.
  • the reference mark 16d has a different shape from the others, and the reference position of the EUV mask blank 10 is the reference position.
  • the state in which the mark 16d is located in the upper right may be confirmed as a normal state.
  • the reference mark 16d preferably has a shape having an intersection, for example, a shape in which two straight lines have different lengths and intersect.
  • the reference mark of the present embodiment has a cross shape, but the shape of the reference mark is not particularly limited.
  • the fiducial mark is formed by at least two lines in plan view, and each line forming the fiducial mark is arranged along any one of a plurality of virtual lines that intersect at one intersection, and at least one line along each virtual line The line may be arranged.
  • the reference mark is not limited to one having an explicit intersection point in plan view, such as the reference mark 16 shown in FIG. 2 or the reference mark 101 shown in FIG.
  • the reference mark 201 of the modification shown in FIGS. 18A and 18B includes linear auxiliary marks 201a, 201b, 201c, and 201d that are independent of each other.
  • auxiliary mark A and “virtual line B” are given as two virtual lines that intersect with each other
  • the auxiliary mark 201a and the auxiliary mark 201c are arranged along the virtual line A
  • the mark 201d is arranged along the virtual line B.
  • the virtual line can also be said to be a line extending along the auxiliary mark.
  • the imaginary line is preferably a straight line in plan view.
  • the reference mark 201 is formed of a group of auxiliary marks that do not cross each other in plan view. A plurality of imaginary lines along these auxiliary mark groups intersect at one intersection. In this case, it is preferable that the widths of the plurality of auxiliary marks arranged along one virtual line are equal to each other.
  • the reference mark 301 of the modification shown in FIGS. 19A and 19B includes linear auxiliary marks 301a, 301b and 301c.
  • virtual line A when “virtual line A” is given as another virtual line that intersects the auxiliary mark 301 a arranged along one virtual line, the auxiliary mark 301 b and the auxiliary mark 301 c are along the virtual line A. Be placed.
  • 19 (a) and 19 (b) indicate a virtual line A that is a virtual line along the auxiliary mark 301b and the auxiliary mark 301c.
  • the reference mark 301 is formed of a group of auxiliary marks that do not cross each other in plan view. An imaginary line along the group of auxiliary marks and one line (auxiliary mark 301a) intersect at one intersection. In this case, it is preferable that the widths of the plurality of auxiliary marks arranged along one virtual line are equal to each other.
  • the reference mark 401 of the modification shown in FIGS. 20A and 20B is connected to the linear auxiliary marks 401a, 401b, 401c, and 401d and these auxiliary marks in plan view. And a wide area mark 402 provided. The width of the wide area mark 402 is wider than the width of these auxiliary marks.
  • the auxiliary mark 401a and the auxiliary mark 401c are arranged along the virtual line A, and the auxiliary mark 401b.
  • the auxiliary mark 401d is arranged along the virtual line B.
  • the virtual line in the reference mark 401 is also a line extending along the auxiliary mark, and the virtual line is preferably a straight line in plan view.
  • FIGS. 20 (a) and 20 (b) indicate two imaginary lines along these auxiliary marks.
  • the reference mark 401 does not have an explicit intersection point in plan view.
  • a plurality of virtual lines along these auxiliary mark groups intersect at one intersection, and the intersection is located in the wide area mark 402. In this case, it is preferable that the widths of the plurality of auxiliary marks arranged along one line are equal to each other.
  • the reference marks of the modifications shown in FIGS. 18 to 20 do not have an explicit intersection point in plan view, but like a reference mark having an explicit intersection point in plan view (for example, a cross-shaped reference mark), In the EUV mask inspection process after manufacturing the EUV mask, the reference position can be detected with high accuracy.
  • a description will be given based on a cross-shaped reference mark as a representative.
  • the reference mark includes any one of a mark formed in the process of manufacturing the EUV mask blank 10, a mark on the EUV mask blank 10, and a mark on the EUV mask 30 described later. This will be described as “mark”.
  • a reference mark formed on the reflective layer 12 is transferred to a layer (for example, the absorption layer 14 and the low reflective layer 15) formed on the reference mark, This becomes a reference mark for specifying the reference position of the reflective mask blank 10.
  • the transferred reference mark has substantially the same size and shape as the reference mark formed first. Then, the position of the defect of the reflective layer (multilayer reflective film) 12 can be identified by detecting the standard position from the standard mark and referring to information recorded in advance on the recording medium.
  • the reference mark can be formed in a shape according to the application.
  • the reference marks 16a, 16b, 16c and 16d are formed in a cross shape in a plan view (viewed from a direction orthogonal to the formation surface of the reference marks 16a, 16b, 16c and 16d). ing. In this case, the intersection of the center line of one linear portion and the center lines of the remaining linear portions becomes an actual reference point (reference position).
  • the cross shape typically includes a shape in which the angles of two intersecting lines are substantially orthogonal and have substantially the same length. include.
  • the reference mark can specify the reference position from its shape, and a shape that can specify the intersection of two or more lines as the reference position, such as a cross shape, is preferable. Further, it may be L-shaped.
  • the shape of the reference mark that specifies the intersection of the lines as the reference position includes a shape in which the intersection angle of the two lines intersects at an angle that is not orthogonal, or three or more lines intersect.
  • a shape that includes one intersection (including a shape such as an “asterisk”) or a shape that includes a line other than a straight line (a curved line, a wavy line, or the like) among the intersecting lines may be used.
  • the reference mark preferably has a size that can be detected in low-magnification observation, and the size is set according to the dimensional tolerance of the EUV mask blank 10 or the like.
  • the dimensional tolerance of one side (152.0 mm) of a standard square EUV mask blank is ⁇ 0.1 mm.
  • a predetermined apparatus for example, an electron beam drawing apparatus
  • positioning is performed by pressing two sides of the EUV mask blank against a pin, for example.
  • the position of the reference mark can be shifted by ⁇ 0.1 mm for each EUV mask blank. Therefore, it is preferable that the reference mark has a size that can be detected in low-magnification observation so that the position can be detected in a short time.
  • the area of the reference mark in plan view is preferably 1 ⁇ m 2 to 1.5 mm 2 .
  • Each linear portion of the cross-shaped reference mark has, for example, a width W of 0.2 ⁇ m to 10 ⁇ m and a length L of 10 ⁇ m to 550 ⁇ m. In this case, the area of the reference mark in plan view is 3. 96 ⁇ m 2 to 10900 ⁇ m 2 .
  • each line forming the reference mark of the present embodiment has the same width, but may have different widths. Further, each line forming the reference mark of the present embodiment has a constant line width, but the line width may be changed in the middle.
  • the width W represents the maximum value of the width of the line forming the reference mark.
  • three reference marks 16 are arranged so that they are not arranged on the same straight line on the reference mark forming surface in an area outside the actual mask pattern area 18 (for example, a 132 mm ⁇ 132 mm area) shown in FIG. It is formed as described above.
  • one reference point is the origin
  • a straight line connecting the origin and another reference point is the X axis
  • a straight line connecting the origin and the remaining one reference point is Y It becomes an axis.
  • the X axis and the Y axis may be orthogonal to each other. In this way, the position of the defect is specified using the XY coordinate system.
  • the deletion method includes a laser ablation method, a FIB (Focused Ion Beam) method, a lithography method using resist patterning and etching, A nanoindentation method, a micromachining method (for example, a mechanical micromachining method using nm450 manufactured by Rave) or the like is used.
  • the FIB method and the lithography method are preferably used.
  • the processing is performed by the FIB method, the material of the bottom of the reflective layer (multilayer reflective film) 12 is changed by metal ions used for processing, which is preferable because the contrast due to the material is improved.
  • the cross-sectional shape of the reference mark 16 is concave, a step surface having a predetermined angle (50 ° to 90 °) with respect to the reference mark forming surface and an offset surface substantially parallel to the reference mark forming surface. It is preferable to have (inner bottom surface).
  • the edge can be sharpened.
  • the concave reference mark has a reflectance different from that around the reference mark with respect to light of a predetermined wavelength (inspection light of the reflective layer 12).
  • the inspection light EUV light, ultraviolet light, visible light, or the like can be used. Among these, EUV light is preferable because it can reach the inside of the reflective layer 12 made of a multilayer reflective film and can inspect the inside.
  • the reference mark 16 of the present embodiment is formed by removing a part of the reflective layer 12 made of a multilayer reflective film when the cross-sectional shape is concave, the reference mark 16 is used when EUV light is used as inspection light. Compared with the surrounding multilayer reflective film 12, the reflectance with respect to EUV light becomes low. As a result, the contrast between the reference mark and its periphery increases.
  • the difference (absolute value) between the reflectance of the reference mark with respect to the inspection light and the reflectance with respect to the inspection light around the reference mark is preferably 0.2% or more, more preferably 0.5% or more, and 1.0. % Or more is more preferable.
  • FIG. 3 is a characteristic diagram showing the relationship between the EUV light reflectance and the number of Mo / Si pairs in the Mo / Si multilayer reflective film.
  • the thickness of the Mo layer is 2.3 nm ⁇ 0.1 nm
  • the thickness of the Si layer is 4.5 nm ⁇ 0.1 nm
  • the wavelength of EUV light is 13.5 nm.
  • the reflectance of EUV light decreases.
  • the reference mark is formed by deleting a part of the Mo / Si multilayer reflective film, two or more pairs of reference marks are deleted with the Mo layer / Si layer as one pair in order to increase the contrast with the periphery.
  • the number of pairs to be finally deleted is the (Mo / Si) multilayer reflective film that is deleted when the reflective layer 12 is etched together with the absorbent layer 14 in the step of absorbing layer etching (S6) described later.
  • the number of pairs may also be controlled.
  • the material at the bottom of the reference mark may be a MoSi compound formed by the reaction of both the Mo layer and the Si layer when processing the reference mark.
  • EUV light reflection is caused by the difference in refractive index between the Mo layer and the Si layer.
  • the MoSi compound is formed by reacting both the Mo layer and the Si layer, the difference in refractive index is eliminated. The EUV light reflectance can be further reduced.
  • the reflectance of ultraviolet light or visible light mainly varies depending on the surface material on the light incident side of the Mo / Si multilayer reflective film. Therefore, when the formation surface of the reference mark is the surface of the Mo / Si multilayer reflective film, the material at the bottom of the reference mark is the top layer of the Mo / Si multilayer reflective film (opposite to the substrate side) in order to increase the contrast with the periphery. It is preferable that it is different from the material of the side layer).
  • the material at the bottom of the reference mark may be a MoSi compound formed by reacting both the Mo layer and the Si layer when processing the reference mark.
  • the reference mark has a lower ultraviolet light reflectance or visible light reflectance than the periphery thereof.
  • the material of the bottom of the fiducial mark is formed by oxidizing, nitriding or oxynitriding the Mo layer or Si layer when processing the fiducial mark.
  • the oxide, nitride or oxynitride of Mo, Si or MoSi compound It may be.
  • the reference mark has a lower ultraviolet light reflectance or visible light reflectance than the periphery thereof.
  • the reference mark when the number of pairs is 5 or less, the reflectance with respect to visible light becomes high, so a reference mark with 5 or less pairs may be formed. In this case, the reference mark has a higher visible light reflectance than the surrounding area. Moreover, the reflectance of ultraviolet light or visible light also changes depending on the presence or absence of the protective layer 13 (for example, Ru). Therefore, when forming a reference mark on the surface of the protective layer 13, it is preferable to form a concave reference mark penetrating the protective layer 13 in order to increase the contrast between the reference mark and its periphery. In this case, since the material at the bottom of the reference mark is different from the material of the protective layer 13, the reference mark has a higher or lower light reflectance than the surrounding area.
  • the protective layer 13 for example, Ru
  • the reference mark when the reference mark is formed after the reflective layer 12 is formed, it is transferred to the absorbing layer 14 which is thinner (about 1 ⁇ 4) than the reflective layer 12. Then, since the transferred reference mark has substantially the same shape as the reference mark formed first, the reproducibility of the detection position by the inspection light (electron beam, ultraviolet light, visible light, EUV light) is good, and the following (1 ) To (2) are obtained.
  • the inspection light electron beam, ultraviolet light, visible light, EUV light
  • an electron beam drawing apparatus for example, Nuflare EBM8000
  • a laser drawing apparatus for example, a laser drawing apparatus
  • a mask pattern coordinate measuring apparatus for example, KLA Tencor IPRO5
  • a mask pattern inspection apparatus for example, KLA Tencor Teron 610 and the like
  • these apparatuses can accurately detect the position of a defect such as the reflective layer 12 based on information provided from the supplier of the reflective mask blank 10.
  • the position of the reference mark can be detected with high reproducibility by ultraviolet light or visible light.
  • the reference mark 16 has been described as being formed in a concave shape on the reflective layer 12 and transferred, but not limited thereto, the reference mark 16 may be formed on the absorption layer 14 and the substrate 11 and transferred. Furthermore, it may be formed in a concave shape from above the low reflection layer 15. Furthermore, a predetermined material may be laminated on the surface of the substrate 11 and the surface of one layer formed between the reflective layer 12 and the low reflective layer 15 to form a convex shape.
  • the material that is the basis of the reference mark is selected so that the reference mark and its surroundings exhibit different light reflectivities.
  • the material that becomes the basis of the reference mark is not particularly limited.
  • Si, Mo, and absorption layer 14 used for the reflective layer (multilayer reflective film) 12 are used as a material that can be formed by using an existing apparatus.
  • Ta, Cr, Pt, W, C used, or oxides or nitrides thereof are used as a material that can be formed by using an existing apparatus.
  • Ta, Cr, Pt, W, C used, or oxides or nitrides thereof are used.
  • a fiducial mark formed by laminating materials selected from these materials has a lower EUV light reflectance than the surrounding area.
  • the difference (absolute value) between the reflectance of the reference mark with respect to the inspection light and the reflectance with respect to the inspection light around the reference mark is preferably 0.2% or more, more preferably 0.5% or more. 0% or more is more preferable.
  • the material that becomes the basis of the fiducial mark may be formed on the formation surface, and then the unnecessary material may be removed by lithography, or the fiducial mark may be removed.
  • a material that becomes the basis of the reference mark may be locally deposited on the formation surface of the substrate.
  • an appropriate gas is selected according to the material to be deposited, and an ion beam or electron beam is applied in an atmosphere containing a metal compound such as platinum or tungsten (for example, hexacarbonyltungsten) or a hydrocarbon compound (such as naphthalene or phenanthrene).
  • a metal compound such as platinum or tungsten (for example, hexacarbonyltungsten) or a hydrocarbon compound (such as naphthalene or phenanthrene).
  • the cross-sectional shape of the reference mark 16 is convex
  • a shape according to the application can be adopted.
  • the intersection can be specified as the reference position.
  • the shape, number, size, area, and position of each reference mark in the EUV mask blank 10 can be considered in the same manner as in the case of the concave reference mark described above.
  • the height of the convex reference mark is, for example, 2 nm to 300 nm, preferably 7 nm to 150 nm, and more preferably 15 nm to 120 nm.
  • the cross-sectional shape of the reference mark 16 is convex and the base material of the reference mark is formed after the reflective layer 12 made of a multilayer reflective film is formed, the convex reference mark is reflected around the reference mark.
  • EUV light when EUV light is used as inspection light, the reflectance with respect to the EUV light is low.
  • the defect of the reflective layer 12 is inspected using EUV light, the contrast between the reference mark and its periphery is increased, and the reproducibility of the detection position of the reference mark is improved. Therefore, the position of the defect of the reflective layer 12 can be accurately identified based on the reference position of the reference mark. Further, by selecting a material having different reflectivities for ultraviolet light to visible light, a reference mark with good reproducibility of the detection position for ultraviolet light to visible light inspection may be produced.
  • the reference mark 16 has a convex cross-sectional shape and a reflective layer 12 made of a multilayer reflective film is formed, the reference mark 16 is thinner than the reflective layer 12 (about 1 ⁇ 4).
  • the transferred reference mark has substantially the same shape as the first formed reference mark, and the reproducibility of the detection position by inspection light (for example, electron beam, EUV light, ultraviolet light or visible light) is good, and the following (1 ) To (2) are obtained.
  • inspection light for example, electron beam, EUV light, ultraviolet light or visible light
  • the electron beam drawing device, the coordinate measuring device, and the mask appearance inspection device can detect the position of the reference mark with an electron beam or ultraviolet light with good reproducibility.
  • these apparatuses can accurately detect the position of the defect such as the reflective layer 12 based on the information provided from the supplier of the EUV mask blank 10.
  • the position of the reference mark can be detected with high reproducibility by ultraviolet light or visible light.
  • the EUV mask blank manufacturing process with a resist film includes an EUV mask blank preparation process with a reference mark (S1), a resist film formation process (S2), a reference position detection process (S3), and a reference mark center area exposure process (S4).
  • S1 an EUV mask blank preparation process with a reference mark
  • S2 a resist film formation process
  • S3 a reference position detection process
  • S4 a reference mark center area exposure process
  • S4 a reference mark center area exposure process
  • the product that has undergone the reference mark center region exposure step (S4) is the EUV mask blank with a resist film according to the present embodiment.
  • the EUV mask blank with a resist film according to the present embodiment is irrelevant as to the front-rear relationship of electron beam drawing in the mask pattern region, and is interpreted as including both states.
  • resist film development (S5), absorption layer etching (S6), and resist film peeling (S7) are performed on the EUV mask blank with a resist film on which an electron beam (pattern) is drawn in the mask pattern region. Based on the flow to be implemented.
  • a product obtained after the resist film peeling (S7) is an EUV mask.
  • FIG. 5A is a schematic plan view showing an enlarged portion of the cross reference mark 16 having a length L and a width W in the EUV mask blank 10.
  • the reference position strictly corresponds to a point where the center line of one straight line portion (a line passing through the position of W / 2) and the center line of the other straight line portion intersect, but in this specification, It is simply expressed as “the intersection of two lines”.
  • FIG. 5B is a schematic cross-sectional view of the EUV mask blank 10 including the reference mark 16 developed along the line AA ′ in the schematic plan view of FIG. In FIG. 5B and FIG.
  • the width of the reference mark formed concavely on the reflective layer 12 is indicated as W, and the absorbing layer 14 and the low reflective layer 15 transferred onto the reflective layer 12 in substantially the same shape.
  • the width of the reference mark is indicated as W.
  • a reflective layer 12 made of a multilayer reflective film (Mo / Si multilayer reflective film) in which Mo layers and Si layers are alternately stacked is formed, and on the reflective layer 12, it is made of Ru or the like.
  • a protective layer 13 is formed. Thereafter, the concave cross mark is etched using the FIB method or the like from the surface of the protective layer 13 to a depth at which a part of the reflective layer 12 is deleted.
  • the part of the reflective layer 12 made of the multilayer reflective film is a part from the outermost surface to the depth of 2 pairs or more from the Mo layer / Si layer. Point to.
  • a reference mark having a width W in which is drawn is obtained.
  • an absorption layer 14 such as TaN is formed, and further, a low reflection layer 15 such as TaON is formed on the absorption layer 14 so that a cross-sectional reference mark having a cross shape is concave on the low reflection layer 15. 16 is transferred.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing an EUV mask blank 20 with a resist film having a resist film 21 with respect to the EUV mask blank 10.
  • a chemically amplified resist having high sensitivity even with a small amount of light is preferably used as the resist.
  • the resist is constant.
  • an EUV mask blank 20 with a resist film is obtained. Note that the groove portion of the reference mark 16 (concave) transferred to the low reflection layer 15 is covered with the resist film 21 after the resist film forming step, and the surface thereof is flattened to some extent.
  • the groove portion of the reference mark 16 is covered with a resist film, and the surface of the resist film is flattened to some extent.
  • the convex portion is covered with the resist film, and the surface of the resist film is flattened to some extent.
  • the shift (in the X direction) may be detected with a narrower interval (precise detection). Thereafter, the position of the cross intersection can be detected by shifting the electron beam or the ultraviolet ray scanned in the X direction at a constant interval in the Y direction.
  • the scanning direction is not limited to these, and in FIG. 7, scanning may be performed in an arbitrary direction other than the X direction and the Y direction, and the detection may be performed by shifting in a predetermined direction at a constant interval.
  • the scanning interval (corresponding to the Y direction in the case of X direction scanning) may be appropriately adjusted within a range of 0.1 ⁇ m to 100 ⁇ m.
  • FIG. 7 shows a part of scan marks 23a, 23b, 23c and a part of the scan marks 23a, 23b, 23c formed on the resist film 21 when the electron beam or the ultraviolet ray is scanned by the reference position detection process for specifying the reference position by detecting the reference mark 16. It is also a schematic plan view showing a state including 23d.
  • a thick broken line D is a circular region centered on an intersection of a plurality of virtual lines set in the reference mark (intersection of two straight lines forming a cross-shaped reference mark in FIG. 7). , A circular region having a radius 1.5 times the maximum value W of the reference mark line width.
  • the electron beam or ultraviolet light scanned for the purpose of detecting the reference mark 16 exposes the resist film 21 on the surface to some extent. Then, if the EUV mask is obtained through the process of developing the resist film 21 as it is, the structure near the reference mark 16 becomes complicated, and the detection accuracy of the reference mark 16 may be lowered.
  • the following reference mark center region exposure step is performed.
  • the scan marks 23a, 23b, 23c, and 23d are exposed in this reference mark center region exposure step.
  • 23c and 23d, and an exposure region 24 that is indistinguishable from those portions may be exposed by a certain amount or more.
  • the optimum exposure amount varies depending on the type of resist, development conditions, and the like.
  • the exposure amount per unit area of the exposure region 24 may be 3 ⁇ C / cm 2 or more. preferably if / cm 2 or more, more preferably as long as 10 [mu] C / cm 2 or more, further preferably equal to 20 [mu] C / cm 2 or more.
  • the optimum exposure amount varies depending on the type of resist, development conditions, and the like.
  • the exposure amount per unit area of the exposure region 24 may be 5 mJ / cm 2 or more.
  • the method of irradiating the exposure region 24 with the electron beam or the ultraviolet ray may be realized by a method of scanning the electron beam or the ultraviolet ray two-dimensionally, and the region corresponding to the exposure region 24 is irradiated with the electron beam or the ultraviolet ray. It may be realized by a block exposure (partial batch exposure) method.
  • a block exposure partial batch exposure
  • the exposure area 24 is an area including at least intersections of a plurality of virtual lines set on the reference mark 16 (intersections of two straight lines forming a cross-shaped reference mark in FIG. 7). Any region including a circular region indicated by a thick broken line D may be used. If the exposure area 24 coincides with the circular area, exposed portions having a width approximately the same as the width of the line are formed on both the left and right sides of the line of the reference mark 16. Therefore, when scanning is performed in the direction orthogonal to the reference mark 16 line using an electron beam or the like, the contrast (reflectance difference) between the reference mark 16 line and its periphery is conspicuous, and the reference mark 16 line and the reference mark. The reference position of the mark 16 can be easily detected.
  • the exposure area 24 may include the circular area and does not have to coincide with the circular area. For example, as shown in FIG. 7, the exposure region 24 may be a region including a square region whose side is three times the width W and whose center is the intersection point.
  • the exposure area 24 is preferably an area including a circular area whose center is the intersection point and whose radius is twice the width W of the line of the reference mark 16, and whose radius is 3 of the line width W of the reference mark 16.
  • a region including a double circle region is more preferable.
  • the exposure region 24 may be a region including a square region whose side is four times as long as the width W with the intersection point as the center, and a square region whose side is six times as long as the width W. It is more preferable if it is a region including the same.
  • the shape of the outer edge of the exposure region 24 in plan view is not limited to a circle or a rectangle, and may be any shape.
  • the exposure area 24 is narrower than the circular area having a radius about 1.5 times the width W of the line of the reference mark 16, the reference position may not be sufficiently detected in this step (S4). Further, the exposure area 24 may include a circular area or a square area that covers the entire reference mark 16. On the other hand, the area of the exposure area 24 is not particularly limited as long as it is an area outside the pattern area and does not overlap the pattern area.
  • a mask pattern drawing process is performed in which an actual pattern is drawn (exposed) on the mask pattern region of the resist-coated EUV mask blank 20 with an electron beam drawing apparatus or the like.
  • the drawing process may be before or after the reference mark center area exposure process. That is, if the mask pattern drawing process is after the reference position detection process (S3) and before the process of developing the applied resist film (S5), the order of these processes is not limited. Therefore, the EUV mask blank 20 with a resist film according to the present embodiment is not in a state in which a pattern is drawn (exposed) in the actual mask pattern region as long as the exposure region 24 is exposed. Interpreted to include both states.
  • FIGS. 8 and FIG. 9 are a schematic cross-sectional view in which the BB ′ straight line is developed and a cross-sectional schematic diagram in which the CC ′ straight line is developed in the plane of FIG. 7, respectively.
  • the resist film-attached EUV mask blank 20 that has undergone the fiducial mark center region exposure step has a structure shown in the schematic cross-sectional views of FIGS. 8A and 9A. That is, in FIGS. 8A and 9A, the portion irradiated with the electron beam or the ultraviolet ray by the reference mark center region exposure step becomes the photosensitive portion 24a, whereas the portion not irradiated with the electron beam or the ultraviolet ray. Becomes the non-photosensitive portion 25.
  • the photosensitive portion 24a is exposed to the extent that it is completely dissolved in the development process.
  • the resist film 21 is a negative resist
  • the photosensitive portion 24a is exposed to the extent that it is not dissolved in the development process.
  • FIG. 8 and FIG. 9 are also schematic diagrams showing a process for producing an EUV mask from an EUV mask blank with a resist film.
  • FIG. 8A and FIG. 9A are the EUV mask blanks 20 with a resist film that have undergone the reference mark center region exposure step
  • FIG. 8B and FIG. FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing a state after undergoing resist film development (S5) in which the photosensitive portion 24a is dissolved by a developer.
  • 8C and 9C are subjected to absorption layer etching (S6) for removing the low reflection layer 15 exposed on the surface and the absorption layer 14 under the low reflection layer 15 after developing the resist film.
  • FIG. 8D and FIG. 9D are schematic cross-sectional views showing a state after the resist film peeling (S7) for removing the remaining resist film 21 (non-photosensitive portion 25) after the absorption layer etching. This corresponds to the EUV mask 30.
  • FIG. 8D and FIG. 9D are schematic two cross-sectional views of the EUV mask 30.
  • the cross portion of the cross portion in plan view corresponding to the reference mark 16 has a concave cross-sectional shape with respect to the periphery thereof, and specifically, a portion of the reflective layer 12 that has been cut is exposed on the surface. It becomes a state.
  • region 24 will be in the state which the surface of the protective layer 13 exposed.
  • FIG. 10 is a schematic perspective view showing the vicinity of the reference mark of the EUV mask 30.
  • the material exposed on the surface in a specific region where the reference mark can be recognized when the intersection of the cross corresponding to the reference mark is the center is, in this case, the reflective layer 12 and the protective layer 13. And two types. For this reason, when the EUV mask 30 is used, for example, a method of scanning and detecting a reference mark by scanning EUV light, ultraviolet light, an electron beam, or the like, or a method of detecting a reference mark by image recognition, may be used. Since the detection noise can be reduced, the reference position can be easily specified.
  • the concave reference mark 16 is formed by penetrating the protective layer 13 from the surface of the protective layer 13 and deleting a part of the reflective layer 12, and the exposure region 24 is set by a positive resist.
  • the EUV mask 30 having the reference mark is obtained.
  • the present invention is not limited to this form.
  • Table 1 shows a portion where the reference mark overlaps the exposure area when divided into four conditions based on the combination of the shape of the reference mark (concave or convex) and the type of resist (positive resist or negative resist). It is an example of a list indicating the position of the surface of the (cross) and the position of the surface of the exposure area that does not overlap the reference mark (other than the cross).
  • each EUV mask has a different height and can be recognized as a reference mark by forming a step at the boundary.
  • a layer means a layer of convex reference marks.
  • Example 1 In Example 1, the EUV mask blank 10 shown in FIG. As the substrate 11, a SiO 2 —TiO 2 glass substrate having an outer shape of 6 inches (152 mm) square and a thickness of 0.25 inches (6.35 mm) was used. This glass substrate has a thermal expansion coefficient at 20 ° C. of 0.05 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C., a Young's modulus of 67 GPa, a Poisson's ratio of 0.17, and a specific rigidity of 3.07 ⁇ 10 7 m 2 / s. 2 . This glass substrate was polished, and it was confirmed that the surface roughness of the main surface was 0.15 nm rms or less and the flatness was 100 nm or less.
  • a CrN film having a thickness of about 200 nm is formed on the back surface of the glass substrate (substrate 11) by magnetron sputtering, and the sheet resistance becomes 100 ⁇ / ⁇ or less (not shown in FIG. 5B).
  • a coating layer was obtained.
  • a reflective layer 12 made of a Mo / Si multilayer reflective film was formed on the main surface of the substrate 11 by ion beam sputtering. Specifically, a 4.5 nm thick Si layer and a 2.3 nm thick Mo layer were alternately formed by ion beam sputtering so that the number of repetitions was 40 (40 cycles).
  • the thickness of the reflective layer (Mo / Si multilayer reflective film) was 272 nm ((4.5 nm + 2.3 nm) ⁇ 40).
  • a protective layer 13 made of a Ru layer was formed to a thickness of 2.5 nm on the reflective layer 12 by ion beam sputtering. Specific conditions for forming the reflective layer 12 and the protective layer 13 are as shown in Table 2.
  • the fiducial mark is formed by FIB processing.
  • a position is set such that one side of the outer edge becomes a square parallel to the end face of the substrate.
  • the Ga + ion beam converged by the FIB apparatus so that the length L is 500 ⁇ m and the width W is 1 ⁇ m is formed on the surface of the Ru layer.
  • processing until the depth reaches about 100 nm to form a concave groove.
  • the Ru layer irradiated with the ion beam is completely deleted, and about 14 pairs of Mo layers / Si layers are deleted from the outermost surface of the Mo / Si multilayer reflective film in that portion.
  • a TaN film containing Ta and N is formed to a thickness of 60 nm as the absorption layer 14 on the protective layer 13 made of the Ru layer by using a magnetron sputtering method. Further, a TaON film containing Ta, O, and N is formed as a low reflection layer 15 with a thickness of 8 nm on the absorbing layer 14 made of TaN using a magnetron sputtering method. Specific film forming conditions for the absorption layer 14 and the low reflection layer 15 are as shown in Table 3. In this way, an EUV mask blank is obtained.
  • a positive chemically amplified resist (manufactured by Fuji Film Electronics Materials, product number: PRL009) is dropped on an EUV mask blank whose surface is covered with TaON, and a uniform thickness of about 150 nm is formed by spin coating. After baking to a thickness, a resist film is formed. Thereafter, this EUV mask blank with a resist film is introduced into an electron beam lithography apparatus (manufactured by New Flare Technology, product number: EBM8000), and the reference mark vicinity is parallel to the end face of the substrate (X direction, A change in reflectance is detected along (Y direction). Based on this change in reflectance, the reference positions corresponding to the intersections of the reference marks at the four corners are specified.
  • the width of the electron beam is about 300 nm, the length is about 5 ⁇ m, and scanning is performed while shifting in the direction orthogonal to the scanning direction at intervals of about 2 ⁇ m.
  • the electron dose (exposure density) irradiated to the resist film during scanning is 30 ⁇ C / cm 2 or more.
  • the electron beam is scanned so as to form a square exposure area of about 10 ⁇ m square with the intersection of the identified reference marks as the center.
  • the electron dose (exposure density) to be irradiated is 30 ⁇ C / cm 2 or more.
  • a developing solution is immersed, and the photosensitive portion irradiated with the electron beam in the resist film is dissolved and removed and washed.
  • TaON is exposed in the portion where the resist film is removed.
  • the low reflection layer (TaON) and the absorption layer (TaN) are etched by a fluorine-based gas process using an RF plasma etching apparatus. Etching conditions are bias RF: 50 W, etching time: 120 seconds, trigger pressure: 3 Pa, etching pressure: 0.3 Pa, etching gas: CF 4 / He, gas flow rate (CF 4 / He): 4/16 sccm, electrode substrate The distance between them is 55 mm. At this time, Ru is exposed in the portion where the low reflection layer and the absorption layer are etched except for the reference mark portion.
  • the remaining resist is stripped by immersing the stripping solution. In this way, an EUV mask is formed.
  • a square concave area of about 10 ⁇ m square is formed in the vicinity of the reference mark, and a concave cross area is exposed in the square area.
  • the surface of the Mo / Si multilayer reflective film that is deleted by about 14 pairs is exposed, and in other regions, Ru is exposed.
  • the Mo / Si multilayer which has a reflectance of about 62% on the Ru surface and is partially deleted.
  • the reflectance is approximately 50% on the surface of the reflective film, and the reference mark can be detected by the difference in reflectance.
  • the intersection of the reference marks can be specified with high detection accuracy.
  • Example 2 In this example, the process is performed under the same conditions as in Example 1 until a mask blank 10 with a resist film as shown in FIG. Next, the processes from the reference position detection step, resist film development, absorption layer etching, and resist film peeling will be described with reference to FIGS. In particular, in this example, the reference mark center region exposure step performed in Example 1 is not performed.
  • FIG. 11 is a schematic plan view showing a reference mark 16 portion in an EUV mask blank 50 with a resist film manufactured by the same manufacturing method as in Example 1.
  • FIG. FIG. 11 also shows that the EUV mask blank 50 with a resist film is introduced into an electron beam lithography apparatus (manufactured by New Flare Technology, product number: EBM8000), and the vicinity of the reference mark is parallel to the end face of the substrate by the electron beam.
  • EBM8000 electron beam lithography apparatus
  • some scan marks 53a, 53b, 53c and 53d on the resist film when a change in reflectance is detected are also shown.
  • an electron beam having a length of about 2 ⁇ m and a width of about 300 nm is scanned while being shifted at an interval of about 2 ⁇ m in the X direction and the Y direction.
  • the scan marks 53a, 53b, 53c and 53d are each formed at a position about 1 ⁇ m away from the intersection (center) of the reference marks.
  • FIG. 11 representatively shows only the scan mark closest to the intersection.
  • the amount of electrons to be irradiated is 30 ⁇ C / cm 2 or more.
  • FIG. 11 a schematic cross-sectional view developed along the line DD ′ is shown in FIG. 12
  • a schematic cross-sectional view developed along the line EE ′ is shown in FIG. 13, and FF ′.
  • FIG. 14 shows cross-sectional schematic diagrams developed along the straight line. 12 (a), 13 (a) and 14 (a) are schematic cross-sectional views after the reference position detection step of this example.
  • the portion corresponding to the scan mark formed by the electron beam is a chemically amplified resist. It becomes the photosensitive part 54 which exposed the film
  • the portion not irradiated with the electron beam is a non-photosensitive portion 55.
  • FIGS. 12B, 13B, and 14B are schematic cross-sectional views showing the state after the development process, and the portion where the photosensitive portion 54 is removed is the surface of the TaON (low reflection layer). Is exposed.
  • TaON (low reflection layer) and TaN (absorption layer) are etched under the same conditions as in Example 1.
  • FIGS. 12 (c), 13 (c) and 14 (c) are schematic cross-sectional views showing the state after this etching process. The portion where TaON and TaN are removed is the Mo / Si multilayer reflective film. Exposed.
  • FIGS. 12D, 13D, and 14D are schematic cross-sectional views showing the state after the peeling step, and this corresponds to the EUV mask 60 of this example.
  • FIG. 15 is a schematic perspective view showing the vicinity of the reference mark of the EUV mask 60 in this example.
  • a groove is formed at a position corresponding to the scan marks 53a, 53b, 53c and 53d in the square plane area of about 10 ⁇ m square centering on the intersection of the cross corresponding to the reference mark.
  • a deeper groove is formed in a portion where the reference mark and the reference mark overlap.
  • the bottom surface of the former groove is a Mo / Si multilayer reflective film, and the latter groove is a Ru layer surface.
  • the reference marks are formed of TaON in portions other than the scan marks 53a, 53b, 53c and 53d.
  • the material exposed on the surface includes TaON having a step in addition to the Mo / Si multilayer reflective film and the Ru film. For this reason, there are many regions having different reflectivities with respect to EUV light, and noise of reference mark detection increases due to a complicated structure even in electron beam and image recognition. Therefore, when the EUV mask 60 is used, the reference position is high. May not be detected with accuracy.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiment and the like. Various modifications and improvements are possible within the scope of the spirit described in the above.

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Abstract

【解決手段】凹状または凸状の基準マークを３ヶ所以上形成してなり、前記基準マークを形成する各線は１つの交点において交わる複数本の仮想線のいずれかに沿って配置され、各仮想線に沿って少なくとも１本の線が配置されたＥＵＶマスクブランクを準備する、基準マーク付きＥＵＶマスクブランク準備工程と、レジスト膜形成工程と、レジスト膜上から、電子線または紫外線を走査して前記交点に相当する基準位置を検出する、基準位置検出工程と、基準マークの線の幅の最大値をＷとすると、レジスト膜のうち、平面視で基準位置を中心点とした半径１．５Ｗの円領域を含む領域を電子線または紫外線で露光する、基準マーク中心領域露光工程とを有する、レジスト膜付きＥＵＶマスクブランクの製造方法。

Description

ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法、ならびにＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクおよびその製造方法
　本発明は、主としてＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ－Ｖｉｏｌｅｔ：極端紫外）露光技術を利用した半導体デバイスの製造において使用されるＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクおよび、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクの前駆体である、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクに関する。なお、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクは、本明細書において、「ＥＵＶマスクブランク」ともいう。
　露光システムは、Ｓｉ基板をはじめとする半導体基板等へ照射する光の波長に応じてその解像度の限界が決められている。そして、該露光システムにおいて、波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザや、波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザ等を用いた透過光学系の露光技術が実用化されている。この露光システムでは、照射される光を透過する部分と照射される光を吸収する部分により所定のパターニングがなされた透過型マスクが用いられ、該透過型マスクによって、半導体基板等へ所定のパターンの転写が行われる。
　一方、半導体基板等へ転写するパターンのさらなる高解像度を実現するため、ＡｒＦエキシマレーザよりもさらに短波長の光を用いた露光技術として、ＥＵＶ光を用いた露光技術が注目されている。ＥＵＶ光は、軟Ｘ線や真空紫外線の波長領域の光であって、具体的には１０ｎｍ～２０ｎｍ程度の波長の光、とくに、１３．５ｎｍを中心とした１３．２ｎｍ～１３．８ｎｍ（１３．５ｎｍ±０．３ｎｍ）程度の波長の光をいう。
　ＥＵＶ光を用いた露光技術は、ＥＵＶ光の性質上、ＫｒＦエキシマレーザ光源やＡｒＦエキシマレーザ光源等を用いた透過光学系の露光システムを適用できないため、反射光学系の露光システムを適用する。そして、該反射光学系の露光システムにおいて、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクや、ＥＵＶ用反射型ミラーが用いられる。なお、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクは、本明細書において、「ＥＵＶマスク」ともいう。
　ＥＵＶマスクブランクは、前述のように、パターニングされたＥＵＶマスクの前駆体であって、ＥＵＶ光を反射する層を含む構成である。具体的に、ＥＵＶマスクブランクは、少なくとも、ガラス等の平坦な基板上にＥＵＶ光を反射する反射層を有し、該反射層上には、ＥＵＶ光を吸収する吸収層を有する。また、ＥＵＶマスクは、ＥＵＶマスクブランクの吸収層に所定のパターンが形成されたものであり、吸収層がある部分では照射されるＥＵＶ光を吸収し、吸収層がない部分では照射されるＥＵＶ光を反射することで、所定のパターンを半導体基板等に転写できる。
　反射層は、通常、ＥＵＶ光に対して高い屈折率を示す高屈折率層と、ＥＵＶ光に対して低い屈折率を示す低屈折率層と、が交互に積層された構造をなす多層反射膜が使用される。多層反射膜として、例えば、高屈折率層としてシリコン（Ｓｉ）層、低屈折率層としてモリブデン（Ｍｏ）層からなる、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜が挙げられ、ＥＵＶ光に対して６０％以上の反射率を実現できる。また、吸収層は、ＥＵＶ光に対して低い反射率となる材料、つまり、ＥＵＶ光に対する吸収係数が高い材料が使用され、例えば、ＴａやＣｒを主成分とした材料が挙げられる。
　ここで、ガラス等の基板表面に欠陥（例えば、異物、傷やピット）が存在したり、多層反射膜を形成する途中で異物が混入したりすると、多層反射膜の周期構造が乱れ、多層反射膜に欠陥（所謂、位相欠陥）が生じる。このような欠陥が生じると、ＥＵＶマスク上のパターンが半導体ウェハ上に忠実に転写されない、という問題が生じる。ところが、多層反射膜の欠陥を皆無とすることは、実際のところ、技術的に極めて難しい（例えば、非特許文献１参照）。
　そこで、ＥＵＶマスクブランクにおいてこれらの欠陥の位置を把握し、該欠陥を避けるようにして、ＥＵＶマスクを作製する際、吸収層のパターンの位置や方向を調整する技術が検討されている。具体的には、ＥＵＶマスクブランクの反射層に、基準マーク（「Ｆｉｄｕｃｉａｌ　Ｍａｒｋ」ともいう。）を形成することが記載されている（例えば、非特許文献２参照）。
　また、基準マークは、実際のマスクパターン領域（例えば、１３２ｍｍ×１３２ｍｍの領域）よりも外側の領域において、多層反射膜上、基板上あるいは吸収層上に、凹状または凸状に形成される。なお、基準マークは、平面視で十字形状のマークが典型的に用いられ、該基準マークの十字の交点の位置を基準位置とすることが多い。そして、基準位置に基づいて、実際のマスクパターン領域内に存在する欠陥の位置（座標）を特定するための情報が得られる。なお、基準マークの数は、マスクパターン領域よりも外側の領域において少なくとも３点有し、これらの基準マークの十字の交点が、同一の仮想直線に載らないような位置であると、平面の座標が特定できる。典型的には、マスクパターン領域外となる３隅乃至４隅に、十字の基準マークを形成することが多い。
　図１６は、基準マーク付きのＥＵＶマスクブランク１００を示す平面模式図であって、マスクパターン領域１０５の外側の領域となる４隅に、基準マーク１０１、１０２、１０３および１０４を有する例である。そして、これらの基準マークの位置は、電子線または紫外線によって基準マーク位置付近を一定の間隔で走査して、基準マークの凹凸によって生じる反射強度の差分或いは散乱光強度を検出することで、基準位置である十字の交点を正確に特定できる。なお、本明細書でいう紫外線は、１７０ｎｍ～４００ｎｍの波長範囲に含まれる光を指す。
　このように、基準マークは、ＥＵＶマスクブランクにおける欠陥位置の座標を正確に把握するための基準位置であるので、ＥＵＶマスクブランク、ＥＵＶマスクを作製する工程（例えば、検査工程）において使用する装置で、その基準位置を高精度で特定できることが重要である。また、基準マークの検出方法として、ＥＵＶマスクを作製する工程において、ＥＵＶマスクブランクにレジスト膜を形成した後でも、該レジスト膜上から電子線で基準マーク付近を走査して検出する方法等が報告されている（例えば、特許文献１参照）。
国際公開第２０１０／１１０２３７号パンフレット
２０１０　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ　ｏｎ　Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ　Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ，Ｓ．Ｈｕｈ　ｅｔ．ａｌ．"Ｐｒｉｎｔａｂｉｌｉｔｙ　ａｎｄ　Ｉｎｓｐｅｃｔａｂｉｌｉｔｙ　ｏｆ　Ｐｒｏｇｒａｍｍｅｄ　ａｎｄ　Ｒｅａｌ　Ｄｅｆｅｃｔｓ　ｏｎ　ｔｈｅ　Ｒｅｔｉｃｌｅ　ｉｎ　ＥＵＶ　Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ" ＥＵＶＬ　ｍａｓｋ　ｆｉｄｕｃｉａｌ　ＳＥＭＩ　Ｓｔａｎｄａｒｄ　Ｄｉｓｃｕｓｓｉｏｎ　Ｊａｎ．２００６，Ｐ．Ｓｅｉｄｅｌ　ａｎｄ　Ｐ．Ｙ．Ｙａｎ
　このように、基準マークは、とくに、マスクパターン領域内にある欠陥（欠点）位置を正確に特定する目的で形成されるため、高い検出精度が要求される。図１７（ａ）は、凹状の基準マーク１０１の位置および十字の交点を検出するために、電子線または紫外線１１０を走査する様子を例示した模式図である。十字の基準マーク１０１は、電子線または紫外線１１０を、十字を形成する２つの軸と略平行な方向に走査することで、その位置が検出される場合が多く、走査によりできた痕（以下、「スキャン痕」という。）が離散的になるように一定の間隔をもって走査される場合が多い。図１７（ｂ）は、基準マーク１０１と、電子線または紫外線１１０によるスキャン痕１１１、１１２、１１３および１１４を例示した平面模式図である。なお、基準マークを検出する工程として、そもそもの基準マークの存在を検出するための粗検出（粗スキャン）と、粗検出の後に基準マークの基準点を検出するための精密検出（精密スキャン）とがある。ここでいう、「スキャン痕」とは、粗スキャンによりできた痕および精密スキャンによりできた痕のいずれでもよく両方でもよい。
　スキャン痕１１２、１１３は、Ｘ軸方向に平行な直線であり、基準マーク１０１のＹ軸に平行な直線と交わる。基準マーク１０１のＹ軸に平行な直線の幅方向両端は、それぞれ、スキャン痕１１２と交点Ｘ１ａ、Ｘ１ｂで交わり、別のスキャン痕１１３と交点Ｘ２ａ、Ｘ２ｂで交わる。
　また、スキャン痕１１１、１１４は、Ｙ軸方向に平行な直線であり、基準マーク１０１のＸ軸に平行な直線と交わる。基準マーク１０１のＸ軸に平行な直線の幅方向両端は、それぞれ、スキャン痕１１１と交点Ｙ１ａ、Ｙ１ｂで交わり、別のスキャン痕１１４と交点Ｙ２ａ、Ｙ２ｂで交わる。
　このように、電子線または紫外線１１０を用いて、Ｙ方向の位置を変えてＸ軸方向に沿う走査をＮ回（Ｎは、２以上の整数）行うと共に、Ｘ軸方向の位置を変えてＹ軸方向に沿う走査をＭ回（Ｍは、２以上の整数）行う。各走査により、基準マーク１０１の直線の幅方向両端の位置を検出する。ここで、Ｘ軸方向に沿ってｉ回目の走査（１≦ｉ≦Ｎ）を実施したときの、基準マーク１０１のＹ軸方向に平行な直線の幅方向両端の位置をそれぞれ、Ｘｉａ，Ｘｉｂとすると、ｉ回目の走査における基準マーク１０１のＹ軸方向に平行な直線の中心位置Ｘｉｃは、
  Ｘｉｃ＝（Ｘｉａ＋Ｘｉｂ）／２　・・・　（１）
で表される。
　また、Ｙ軸方向に沿ってｊ回目の走査（１≦ｊ≦Ｍ）を実施したときの、基準マーク１０１のＸ軸方向に平行な直線の幅方向両端の位置をそれぞれ、Ｙｊａ，Ｙｊｂとすると、ｊ回目の走査における基準マーク１０１のＸ軸方向に平行な直線の中心位置Ｙｊｃは、
  Ｙｊｃ＝（Ｙｊａ＋Ｙｊｂ）／２　・・・　（２）
で表される。
　ここで、Ｘ軸方向に沿ってＮ回走査をしたときの、Ｙ軸方向に平行な直線の平均中心位置Ｘｃと、Ｙ軸方向に沿ってＭ回走査をしたときの、Ｘ軸方向に平行な直線の平均中心位置Ｙｃは、それぞれ、下記の式（３ａ）、式（３ｂ）で計算できる。そして、ここで求められる、座標（Ｘｃ，Ｙｃ）が、基準マークの基準点（基準位置）となる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
 　このように、電子線または紫外線１１０による基準マーク１０１および十字の交点の検出は、表面が化学増幅型レジスト等で被覆されるレジスト膜付きＥＵＶマスクブランクにおいても、実施される。ところが、電子線または紫外線１１０がレジストの表面を走査すると、照射部分、つまり、図１７（ｂ）におけるスキャン痕１１１、１１２、１１３および１１４の部分の（化学増幅型）レジストが感光するおそれがある。
　この場合、レジスト膜付きＥＵＶマスクブランクのマスクパターン領域内において所定のマスクパターンを電子線等で描画して（化学増幅型）レジストを現像し、吸収層をエッチングし、残留レジストを剥離してＥＵＶマスクを作製すると、基準マーク１０１付近が複雑な構造となる。例えば、基準マーク１０１のうち、基準マーク１０１とスキャン痕１１１、１１２、１１３および１１４と、が重なる部分と、重ならない部分と、の間に段差ができる。そうすると、作製したＥＵＶマスクのマスクパターン検査（照合）をする検査機で、ＥＵＶマスク上に形成された基準マークの位置および十字の交点を、ＥＵＶ光、紫外光、電子線等の走査または、画像認識によって検出する際に、スキャン痕に基づく段差の影響により基準マークの検出感度が低下してしまい、マスクパターン検査の精度が低下するおそれがある。
　本発明は、とくに、ＥＵＶマスクのマスクパターンの検査において、マスクパターン領域内に存在する欠点の位置を特定するための基準位置を示す基準マークの検出感度を高めることができる、レジスト膜付きＥＵＶＬ用反射型マスクブランクおよびその製造方法、ならびにＥＵＶＬ用反射型マスクおよびその製造方法の提供を目的とする。
　上記課題を解決するため、本発明の第１の態様によれば、
　基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、前記反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層と、を有し、マスクパターン領域よりも外側の領域に、平面視で少なくとも２本の線によって形成される凹状または凸状の基準マークを３ヶ所以上形成してなり、前記基準マークを形成する各線は１つの交点において交わる複数本の仮想線のいずれかに沿って配置され、各仮想線に沿って少なくとも１本の線が配置されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクを準備する、基準マーク付きＥＵＶマスクブランク準備工程と、
　前記基準マークを有するＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク上にレジスト膜を形成する、レジスト膜形成工程と、
　前記レジスト膜上から、電子線または紫外線を走査して前記交点に相当する基準位置を検出する、基準位置検出工程と、
　前記基準マークの線の幅の最大値をＷとすると、前記レジスト膜のうち、平面視で前記基準位置を中心点とした半径１．５Ｗの円領域を含む領域を電子線または紫外線で露光する、基準マーク中心領域露光工程と、
を有する、レジスト膜付きＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法が提供される。
　また、本発明の第２の態様によれば、
　基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、前記反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層と、を有し、マスクパターン領域よりも外側の領域に、平面視で少なくとも２本の線によって形成される凹状または凸状の基準マークを３ヶ所以上形成してなり、前記基準マークを形成する各線は１つの交点において交わる複数本の仮想線のいずれかに沿って配置され、各仮想線に沿って少なくとも１本の線が配置されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクを準備する、基準マーク付きＥＵＶマスクブランク準備工程と、
　前記基準マークを有するＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク上にレジスト膜を形成する、レジスト膜形成工程と、
　前記レジスト膜上から、電子線または紫外線を走査して前記交点に相当する基準位置を検出する、基準位置検出工程と、
　前記基準マークの線の幅の最大値をＷとすると、前記レジスト膜のうち、平面視で前記基準位置を中心点とした半径１．５Ｗの円領域を含む領域を電子線または紫外線で露光する、基準マーク中心領域露光工程と、
　前記レジスト膜を現像し、前記吸収層をエッチングし、前記レジスト膜のうち残留したレジストを剥離する工程を含む、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクの製造方法が提供される。
　また、本発明の第３の態様によれば、
　基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、前記反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層と、マスクパターン領域の欠点位置を特定する、凹状または凸状の基準マークと、を有するＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの上にレジスト膜を有する、レジスト膜付きＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、
　前記基準マークは、前記マスクパターン領域よりも外側の領域の３ヶ所以上に位置し、平面視で少なくとも２本の線によって形成され、前記基準マークを形成する各線は１つの交点において交わる複数本の仮想線のいずれかに沿って配置され、各仮想線に沿って少なくとも１本の線が配置され、
　前記基準マークの線の幅の最大値をＷとすると、前記レジスト膜のうち、平面視で前記交点に相当する基準位置を中心点とした半径１．５Ｗの円領域を含む領域が、露光されてなる感光部である、レジスト膜付きＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクが提供される。
　また、本発明の第４の態様によれば、
　基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、前記反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層と、前記反射層と前記吸収層との間に前記吸収層へのパターン形成時に前記反射層を保護する保護層と、マスクパターン領域の欠点陥位置を特定するための、凹状の基準マークと、を有する、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクであって、
　前記基準マークは、前記マスクパターン領域よりも外側の領域の３ヶ所以上に位置し、平面視で少なくとも２本の線によって形成され、前記基準マークを形成する各線は１つの交点において交わる複数本の仮想線のいずれかに沿って配置され、各仮想線に沿って少なくとも１本の線が配置され、
　前記基準マークの線の幅の最大値をＷとすると、平面視で前記交点に相当する基準位置を中心点とした半径１．５Ｗの円領域のうち、凹状となる前記基準マークの表面が前記反射層であり、前記基準マーク以外の表面が前記保護層である、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクが提供される。
　本発明に係るレジスト膜付きＥＵＶＬ用反射型マスクブランクおよびその製造方法、ならびにＥＵＶＬ用反射型マスクおよびその製造方法は、とくに、ＥＵＶマスクを作製後のＥＵＶマスク検査工程において、高い精度で基準マークの位置を検出でき、高い精度で作製したＥＵＶマスクの検査が実現できる効果を奏する。
ＥＵＶマスクブランクの一実施例の断面模式図。 ＥＵＶマスクブランクの一実施例の平面模式図。 Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜におけるＥＵＶ光反射率とＭｏ／Ｓｉペア数との関係の一実施例を示す図。 レジスト膜付きＥＵＶマスクブランクおよびＥＵＶマスクの製造方法の一実施例を示すフローチャート。 （ａ）基準マークの一実施例の平面模式図。（ｂ）基準マークの一実施例の断面模式図。 レジスト膜付きＥＵＶマスクブランクにおける基準マーク部分の一実施例の断面模式図。 レジスト膜付きＥＵＶマスクブランクにおける基準マーク部分の一実施例の平面模式図。 （ａ）露光後の基準マーク部分の一実施例の断面模式図。（ｂ）現像後の基準マーク部分の一実施例の断面模式図。（ｃ）エッチング後の基準マーク部分の一実施例の断面模式図。（ｄ）剥離後の基準マーク部分の一実施例の断面模式図。 （ａ）露光後の基準マーク部分の一実施例の断面模式図。（ｂ）現像後の基準マーク部分の一実施例の断面模式図。（ｃ）エッチング後の基準マーク部分の一実施例の断面模式図。（ｄ）剥離後の基準マーク部分の一実施例の断面模式図。 ＥＵＶマスクにおける基準マーク部分の一実施例の斜視模式図。 レジスト膜付きＥＵＶマスクブランクにおける基準マーク部分の一実施例の平面模式図（比較例）。 （ａ）露光後の基準マーク部分の断面模式図（比較例）。（ｂ）現像後の基準マーク部分の断面模式図（比較例）。（ｃ）エッチング後の基準マーク部分の断面模式図（比較例）。（ｄ）剥離後の基準マーク部分の断面模式図（比較例）。 （ａ）露光後の基準マーク部分の断面模式図（比較例）。（ｂ）現像後の基準マーク部分の断面模式図（比較例）。（ｃ）エッチング後の基準マーク部分の断面模式図（比較例）。（ｄ）剥離後の基準マーク部分の断面模式図（比較例）。 （ａ）露光後の基準マーク部分の断面模式図（比較例）。（ｂ）現像後の基準マーク部分の断面模式図（比較例）。（ｃ）エッチング後の基準マーク部分の断面模式図（比較例）。（ｄ）剥離後の基準マーク部分の断面模式図（比較例）。 ＥＵＶマスクにおける基準マーク部分の斜視模式図（比較例）。 ＥＵＶマスクブランクと基準マークの位置関係を示す平面模式図。 （ａ）基準マーク上を走査する電子線または紫外線を示す模式図。（ｂ）基準マーク上のスキャン痕を示す平面模式図。 （ａ）他の態様の基準マークを示す斜視模式図（１）。（ｂ）他の態様の基準マークを示す断面模式図（１）。 （ａ）他の態様の基準マークを示す斜視模式図（２）。（ｂ）他の態様の基準マークを示す断面模式図（２）。 （ａ）他の態様の基準マークを示す斜視模式図（３）。（ｂ）他の態様の基準マークを示す断面模式図（３）。
　（ＥＵＶマスクブランクの構造）
　図１は、ＥＵＶマスクブランク１０の構造を示す断面模式図である。ＥＵＶマスクブランク１０は、基板１１上に、ＥＵＶ光を反射する反射層１２、反射層１２上にＥＵＶ光を吸収する吸収層１４がこの順に積層された構成をなす。また、反射層１２と吸収層１４との間に、吸収層１４のエッチングに対して反射層１２を保護するための保護層１３が形成されてもよい。さらに、吸収層１４上にマスクパターンの検査に使用する検査光（例えば、２５７ｎｍの光）に対して低反射特性を示す低反射層１５が形成されてもよい。
　なお、本明細書において、例えば「反射層上の吸収層」のように「Ａ上のＢ」という表現をする場合、ＡとＢとが隣接してなる構成に限らず、ＡとＢとの間に別の機能層を有する構成も含まれる。つまり、「反射層上の吸収層」を例とする場合、反射層の上に吸収層が隣接して積層された構成だけでなく、反射層と吸収層との間に別の機能層を有する構成も含まれることを意味する。また、ＥＵＶマスクブランク１０は、ＥＵＶマスクブランクの分野において公知の機能層を有してもよい。例えば、基板１１の裏面側に、ＥＵＶマスクブランクの静電チャッキングを促すために、シート抵抗が１００Ω／□以下となる導電性コーティング層を設けてもよい。この場合、導電性コーティング層は、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法等の公知の方法で形成すればよい。以下、ＥＵＶマスクブランク１０を構成する各要素について説明する。
　（基板）
　基板１１は、ＥＵＶマスクブランクに用いられる基板として、熱膨張係数が低く、平滑性、平坦性に優れ、さらに、表面の欠点ができるだけ存在しないことが要求される。具体的に、常温付近（２３℃～２５℃）における熱膨張係数は、－０．０５×１０－７／℃～＋０．０５×１０－７／℃の範囲であれば好ましく、－０．０３×１０－７／℃～＋０．０３×１０－７／℃の範囲であればより好ましい。上記の熱膨張係数を有する材料としては、例えば、ＳｉＯ２－ＴｉＯ２系ガラス等が好ましく使用できるが、これに限定されず、β石英固溶体を析出した結晶化ガラスや石英ガラスやシリコンや金属等も使用できる。
　また、基板１１に求められる平滑性および平坦性は、具体的に、表面粗さが、ＪＩＳ－Ｂ０６０１の日本工業規格において０．１５ｎｍ　ｒｍｓ以下であって、平坦度が１００ｎｍ以下である。これらの範囲を満足することで、ＥＵＶマスクを作製したときのＥＵＶ光によるパターンの転写精度が高められるので好ましい。また、基板１１の大きさや厚さ等はＥＵＶマスクブランクの設計値等により適宜決定されるが、一例を挙げると外形約６インチ（１５２ｍｍ）角で、厚さ約０．２５インチ（６．３５ｍｍ）である。
　とくに、基板１１のうち、反射層１２が形成される側の面（「主表面」という場合もある。）には、欠点が存在しないことが好ましいが、存在している場合でも、位相欠点が生じない程度の大きさに収まればよい。具体的には、主表面における凹状の欠点の深さおよび凸状の欠点の高さが２ｎｍ以下であって、かつ、該凹状の欠点および該凸状の欠点の半値幅が６０ｎｍ以下の表面状態が好ましい。また、基板１１は、主表面に限らず、主表面とは反対側の面（「裏面」という場合もある。）や側面等の表面にも、反射層等の形成時にパーティクル等が原因による欠点を発生させないように、できるだけ平坦性、平滑性の確保が要求される。
　（反射層）
　反射層１２は、ＥＵＶ光が照射されたときに高い反射率を示す特性が要求される。具体的な特性として、波長が１３．５ｎｍ程度のＥＵＶ光を照射したときに得られる反射率の最大値は、６０％以上が好ましく、６３％以上がより好ましく、６５％以上がさらに好ましい。なお、ここでいう反射率とは、ＥＵＶ光を反射層１２の表面に対して法線方向から６度傾斜させた方向から入射させたときの反射率強度として求められる。この角度の条件は、ＥＵＶ光を用いる反射光学系の露光システムにおいて、ＥＵＶ光がＥＵＶマスク表面の法線方向から６度傾斜させた方向から主に入射されることに基づく。
　このように、ＥＵＶ光に対して高い反射率を得るために、反射層１２は、ＥＵＶ光に対して高い屈折率を示す高屈折率層と、ＥＵＶ光に対して低い屈折率を示す低屈折率層と、を交互に複数回積層させた多層反射膜が好ましく用いられる。とくに、高屈折率層としてＳｉ層、低屈折率層としてＭｏ層からなる、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜が好ましく用いられる。また、反射層１２は、このＭｏ／Ｓｉ多層反射膜に限らず、Ｒｕ／Ｓｉ多層反射膜、Ｍｏ／Ｂｅ多層反射膜、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物多層反射膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ多層反射膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ多層反射膜、Ｓｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ多層反射膜も使用できる。
　また、反射層１２を構成する多層反射膜の最上層は、反射膜が酸化されないような材料を選択するとよく、この機能を有するキャップ層としては、具体的にＳｉ層が挙げられる。そして、反射層１２がＭｏ／Ｓｉ多層反射膜の場合、最上層をＳｉ層とすることが好ましい。なお、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜は、周知の成膜方法として、例えば、イオンビームスパッタリング法やマグネトロンスパッタリング法等の成膜方法を利用できる。各成膜方法においては、スパッタリングガス、ガス圧、成膜速度やスパッタリングターゲット等を適宜選択して、Ｍｏ層およびＳｉ層の各層を交互に、所定の繰り返し数だけ成膜すればよい。なお、本明細書において、「反射層１２」は、「多層反射膜１２」と表現する場合もある。
　（保護層）
　保護層１３は、吸収層１４または、吸収層１４および低反射層１５に対してパターンを形成する際のエッチングプロセスにおいて、反射層１２の損傷を防ぐために設けられる。そのため、保護層１３は、吸収層１４をエッチングするときに、吸収層１４に対するエッチング速度よりも遅く、かつ、エッチングプロセスにおいて損傷しにくい材料が好ましく用いられる。保護層１３としては、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔａおよびこれらの窒化物、ＲｕおよびＲｕ化合物、ならびにＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３やこれらの混合物およびこれら各化合物を積層したものが例示できる。これらの中でも、ＲｕおよびＲｕ化合物、ＣｒＮおよびＳｉＯ２が好ましく、ＲｕおよびＲｕ化合物がより好ましい。なお、Ｒｕ化合物としては、ＲｕＢ、ＲｕＳｉ等が例示できる。
　また、保護層１３を有するＥＵＶマスクブランクの場合、保護層１３表面でのＥＵＶ光の反射率が高いことが要求される。具体的な特性として、波長が１３．５ｎｍ程度のＥＵＶ光を照射したときに得られる反射率の最大値は、６０％以上が好ましく、６３％以上がより好ましく、６５％以上がさらに好ましい。このようなＥＵＶ光に対する反射率を実現する上で、保護層１３は、ＲｕまたはＲｕ化合物が好ましく、そのときの厚さが１ｎｍ～１０ｎｍの範囲であればよく、１ｎｍ～５ｎｍの範囲であれば好ましく、１．５ｎｍ～４ｎｍの範囲であればより好ましい。なお、保護層１３は、周知の成膜方法として、例えば、イオンビームスパッタリング法やマグネトロンスパッタリング法等の成膜方法を利用できる。各成膜方法においては、スパッタリングガス、ガス圧、成膜速度やスパッタリングターゲット等を適宜選択して、所定の厚さになるよう成膜すればよい。
　（吸収層）
　吸収層１４は、ＥＵＶ光が照射されたときに、高い光吸収特性（低い反射率）を示すことが要求される。つまり、ＥＵＶマスクとしたとき、ＥＵＶ光を照射して、反射層１２で高い反射率（６０％以上）が得られるのに対して、吸収層１４で低い反射率が得られることで、高いコントラストが実現できる。具体的に、ＥＵＶ光を照射したときの吸収層１４表面での反射率は、０．１％～１５％程度であるが、例えば、吸収層１４表面での反射率が１５％程度と比較的高めであっても、ＥＵＶ光に対する、反射層１２表面での反射光と吸収層１４表面での反射光と、の位相差を１７５度～１８５度程度に設計すれば、位相効果を利用して高いコントラストが実現できる。
　吸収層１４は、ＥＵＶ光に対して高い吸収係数を示す材料で構成すればよく、例えば、タンタル（Ｔａ）を主成分とする材料、クロム（Ｃｒ）を主成分とする材料、パラジウム（Ｐｄ）を主成分とする材料を用いることが好ましい。ここで、タンタル（Ｔａ）を主成分とする材料とは、吸収層１４におけるＴａの含有率が４０ａｔ％以上となる材料を指す。また、吸収層１４が、Ｔａを主成分とする材料で構成される場合、Ｔａの含有率は、５０ａｔ％以上が好ましく、５５ａｔ％以上がより好ましい。
　また、クロム（Ｃｒ）を主成分とする材料とは、吸収層１４におけるＣｒの含有率が４０ａｔ％以上となる材料を指し、この場合、吸収層１４のＣｒの含有率は、５０ａｔ％以上が好ましく、５５ａｔ％以上がより好ましい。さらに、パラジウム（Ｐｄ）を主成分とする材料とは、吸収層１４におけるＰｄの含有率が４０ａｔ％以上となる材料を指し、この場合、吸収層１４のＰｄの含有率は、５０ａｔ％以上が好ましく、５５ａｔ％以上がより好ましい。
　吸収層１４を構成する、Ｔａを主成分とする材料は、Ｔａ以外にハフニウム（Ｈｆ）、ケイ素（Ｓｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ホウ素（Ｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、クロム（Ｃｒ）、水素（Ｈ）および窒素（Ｎ）のうち少なくとも１成分を含有することが好ましい。Ｔａ以外の上記の元素を含有する材料の具体例としては、ＴａＮ、ＴａＮＨ、ＴａＨｆ、ＴａＨｆＮ、ＴａＢＳｉ、ＴａＢＳｉＮ、ＴａＢ、ＴａＢＮ、ＴａＳｉ、ＴａＳｉＮ、ＴａＧｅ、ＴａＧｅＮ、ＴａＺｒ、ＴａＺｒＮ、ＴａＰｄ、ＴａＰｄＮ、ＴａＣｒ、ＴａＣｒＮなどが挙げられる。
　また、吸収層１４を構成する、Ｃｒを主成分とする材料は、Ｃｒ以外に、ハフニウム（Ｈｆ）、ケイ素（Ｓｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ホウ素（Ｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、水素（Ｈ）および窒素（Ｎ）のうち少なくとも１成分を含有することが好ましい。Ｃｒ以外の上記の元素を含有する材料の具体例としては、ＣｒＮ、ＣｒＮＨ、ＣｒＨｆ、ＣｒＨｆＮ、ＣｒＢＳｉ、ＣｒＢＳｉＮ、ＣｒＢ、ＣｒＢＮ、ＣｒＳｉ、ＣｒＳｉＮ、ＣｒＧｅ、ＣｒＧｅＮ、ＣｒＺｒ、ＣｒＺｒＮ、ＣｒＰｄ、ＣｒＰｄＮ、ＣｒＴａ、ＣｒＴａＮなどが挙げられる。
　さらに、吸収層１４を構成する、Ｐｄを主成分とする材料には、Ｐｄ以外に、ハフニウム（Ｈｆ）、ケイ素（Ｓｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ホウ素（Ｂ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、水素（Ｈ）および窒素（Ｎ）のうち少なくとも１成分を含有することが好ましい。Ｐｄ以外の上記の元素を含有する材料の具体例としては、ＰｄＮ、ＰｄＮＨ、ＰｄＨｆ、ＰｄＨｆＮ、ＰｄＢＳｉ、ＰｄＢＳｉＮ、ＰｄＢ、ＰｄＢＮ、ＰｄＳｉ、ＰｄＳｉＮ、ＰｄＧｅ、ＰｄＧｅＮ、ＰｄＺｒ、ＰｄＺｒＮ、ＰｄＣｒ、ＰｄＣｒＮ、ＰｄＴａ、ＰｄＴａＮなどが挙げられる。
　また、吸収層１４の厚さは、２０ｎｍ～１００ｎｍの範囲であればよい。吸収層１４の厚さが２０ｎｍ未満であると、ＥＵＶ光に対して十分な吸収特性が得られず、位相効果を利用した場合であっても十分なコントラストが得られない。また、吸収層１４の厚さが１００ｎｍ超であると、ＥＵＶマスク作製時のパターン精度が悪化するとともに、反射系の露光システムにおいてＥＵＶマスクに斜入射（６度）のＥＵＶ光を照射するためパターンの転写精度が悪化するおそれがある。また、吸収層１４の厚さは、２０ｎｍ～９５ｎｍの範囲が好ましく、２０ｎｍ～９０ｎｍの範囲がより好ましい。なお、吸収層１４は、周知の成膜方法として、例えば、イオンビームスパッタリング法やマグネトロンスパッタリング法等の成膜方法を利用できる。各成膜方法においては、スパッタリングガス、ガス圧、成膜速度やスパッタリングターゲット等を適宜選択して、所定の厚さになるよう成膜すればよい。
　吸収層１４の表面は、その表面粗さが大きいと、吸収層１４に形成するパターンのエッジラフネスが大きくなって、パターンの寸法精度が劣化するため、平滑性が要求される。具体的には、表面粗さが、０．５ｎｍ　ｒｍｓ以下であればよく、０．４ｎｍ　ｒｍｓ以下が好ましく、０．３ｎｍ　ｒｍｓがより好ましい。このような平滑な表面を得るため、吸収層１４の結晶構造は、アモルファスであることが好ましい。
　（低反射層）
　低反射層１５は、吸収層１４のパターンを検査する検査光に対して、吸収層１４よりも低い反射率特性を示す層である。検査光としては、例えば、２５７ｎｍの波長の光が用いられることが多い。吸収層１４のマスクパターン形状等の検査は、吸収層１４がある部分と、吸収層１４がない部分とで検査光の反射率が異なることを利用して行われ、吸収層１４がない部分には、保護層１３が露出している場合が多い。また、吸収層１４がある部分に、低反射層１５が積層されていると、吸収層１４のある部分と、吸収層１４のない部分とで、検査光に対する反射率の差が大きくなるので、コントラストが向上するため、高い検査精度が得られる。なお、検査光の波長は、パターン寸法が小さくなるに伴い短波長側にシフトする傾向があり、将来的には１９３ｎｍ、さらには１３．５ｎｍにシフトすることも考えられる。検査光の波長が１３．５ｎｍである場合、吸収層１４上に低反射層１５を形成する必要はないと考えられる。
　低反射層１５は、検査光の波長に対する屈折率が、吸収層１４よりも低い材料で構成される。具体的には、Ｔａを主成分とする材料が挙げられる。また、Ｔａ以外にＨｆ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｂ、Ｎ、Ｈ、及びＯのうち少なくとも１種以上の元素を含有する。具体例としては、ＴａＯ、ＴａＯＮ、ＴａＯＮＨ、ＴａＢＯ、ＴａＨｆＯ、ＴａＨｆＯＮ、ＴａＢＳｉＯ、ＴａＢＳｉＯＮ、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等が挙げられる。
　また、吸収層１４上に低反射層１５を成膜する場合、吸収層１４及び低反射層１５の厚さの合計は２０ｎｍ～１００ｎｍが好ましく、２０ｎｍ～９５ｎｍがより好ましく、２０ｎｍ～９０ｎｍがさらに好ましい。また、低反射層１５の厚さが吸収層１４の厚さよりも厚いと、吸収層１４でのＥＵＶ光吸収特性が低下するおそれがあるので、低反射層１５の厚さは吸収層１４の厚さよりも薄いことが好ましい。このため、低反射層１５の厚さは１ｎｍ～２０ｎｍが好ましく、２ｎｍ～１５ｎｍがより好ましく、２ｎｍ～１０ｎｍがさらに好ましい。なお、低反射層１５は、周知の成膜方法として、例えば、イオンビームスパッタリング法やマグネトロンスパッタリング法等の成膜方法を利用できる。各成膜方法においては、スパッタリングガス、ガス圧、成膜速度やスパッタリングターゲット等を適宜選択して、所定の厚さになるよう成膜すればよい。また、吸収層１４の表面に自然にできる自然酸化膜を利用してもよい。
　（基準マーク）
　次に、ＥＵＶマスクブランク１０に形成する基準マークについて説明する。前述のように、主に、反射層（多層反射膜）１２を形成する途中で異物が混入したり、基板１１表面に欠点が存在したりすると、反射層１２にも欠点が生じるが、基準マークはこれら欠点の位置を特定するための基準位置を決める目的で用いられる。基準マークは、基板１１表面に凹状または凸状に形成してもよく、反射層１２と吸収層１４との間に形成される一の層または、低反射層１５を有する場合、反射層１２と低反射層１５との間に形成される一の層の表面に断面形状が凹状または凸状に形成してもよい。なお、本実施形態では、主に、反射層１２に断面形状が凹状の基準マークを形成する場合について説明する。
　図２は、多層反射膜からなる反射層１２上に形成された基準マーク１６の位置および平面視での形状を例示した、ＥＵＶマスクブランク１０の平面模式図であって、基準マーク１６は、実際のマスクパターン領域１８（例えば、１３２ｍｍ×１３２ｍｍの領域）より外側の領域に位置する。また、反射層１２に凹状の基準マークを形成するときは、反射層１２の最表面に反射層１２の一部を削除して凹状の基準マーク１６を形成してもよく、反射層１２上に保護層１３を有する場合、保護層１３表面から（保護層１３を貫通して）反射層１２の一部を削除するように基準マーク１６を形成してもよい。なお、図２において、４点の基準マーク１６は、それぞれの位置関係を具体的に示す場合、基準マーク１６ａ、１６ｂ、１６ｃおよび１６ｄ、と表現して説明する。
　また、図２では、４点の基準マーク１６は同じ十字の形状を示しているが、ＥＵＶマスクブランク１０の４隅に位置する、基準マーク１６ａ、１６ｂ、１６ｃおよび１６ｄのうち、少なくとも１ヶ所の基準マークを、他の基準マークの形状と異なる形状にしてもよい。また、図２では、４点の基準マーク１６は、基板の中央に対して回転対称な位置としているが、４点の基準マーク１６がいずれも同じ形状であって、少なくとも１ヶ所の基準マークを、他の基準マークと対称な位置からずらした位置に形成させてもよい。この場合、基準マークは、ＥＵＶマスクブランクの欠点位置を特定するために活用できるだけでなく、ＥＵＶマスクブランク、ＥＵＶマスクそのものの回転位置の確認としても併せて活用できる。図２に示す基準マーク１６ａ、１６ｂ、１６ｃおよび１６ｄは、いずれも、同じ十字形状で示したが、例えば、基準マーク１６ｄの形状を他と異なる形状とし、ＥＵＶマスクブランク１０の回転位置として、基準マーク１６ｄが右上に位置する状態が正常な状態として確認してもよい。この場合も、基準マーク１６ｄは、交点を有する形状が好ましく、例えば、２つの直線の長さが異なって交差するような形状等が挙げられる。
　尚、本実施形態の基準マークは十字形状であるが、基準マークの形状は特に限定されない。基準マークは平面視で少なくとも２本の線によって形成され、基準マークを形成する各線は１つの交点において交わる複数本の仮想線のいずれかに沿って配置され、各仮想線に沿って少なくとも１本の線が配置されればよい。基準マークは、図２に示す基準マーク１６や図１７に示す基準マーク１０１のように、平面視にて明示的な交点を有するものに限らない。
　例えば図１８（ａ）および図１８（ｂ）に示す変形例の基準マーク２０１は、それぞれ独立した、線状の補助マーク２０１ａ、２０１ｂ、２０１ｃおよび２０１ｄを含む。平面視において、互いに交わる２つの仮想線として「仮想線Ａ」と「仮想線Ｂ」とを与えたとき、補助マーク２０１ａおよび補助マーク２０１ｃが仮想線Ａに沿って配置され、補助マーク２０１ｂおよび補助マーク２０１ｄが仮想線Ｂに沿って配置される。また、仮想線は、補助マークに沿って延長した線とも言える。なお、仮想線は、平面視において直線が好ましい。
　図１８（ａ）および図１８（ｂ）中の破線は、これらの補助マークに沿った、２本の仮想線を示したものである。基準マーク２０１は、平面視で互いに交わらない補助マークの群で形成される。これら補助マークの群に沿った複数の仮想線は、１つの交点において交わる。この場合、１つの仮想線上に沿って配置される複数の補助マークの幅は、互いに等しいことが好ましい。
　また、図１９（ａ）および図１９（ｂ）に示す変形例の基準マーク３０１は、線状の補助マーク３０１ａ、３０１ｂおよび３０１ｃを含む。平面視において、１つの仮想線に沿って配置される補助マーク３０１ａと交わる他の１つの仮想線として「仮想線Ａ」を与えたとき、補助マーク３０１ｂおよび補助マーク３０１ｃが仮想線Ａに沿って配置される。
　図１９（ａ）および図１９（ｂ）中の破線は、補助マーク３０１ｂと補助マーク３０１ｃに沿った仮想線である仮想線Ａを示したものである。基準マーク３０１は、平面視で互いに交わらない補助マークの群で形成される。これら補助マークの群に沿った仮想線と、１つの線（補助マーク３０１ａ）とは、１つの交点において交わる。この場合、１つの仮想線上に沿って配置される複数の補助マークの幅は、互いに等しいことが好ましい。
　さらに、図２０（ａ）および図２０（ｂ）に示す変形例の基準マーク４０１は、線状の補助マーク４０１ａ、４０１ｂ、４０１ｃおよび４０１ｄと、平面視にてこれらの補助マークと接続するように備えられた広域マーク４０２と、を含む。広域マーク４０２の幅は、これら補助マークの幅よりも広い。そして、平面視において、互いに交わる２つの仮想線として「仮想線Ａ」と「仮想線Ｂ」とを与えたとき、補助マーク４０１ａおよび補助マーク４０１ｃが仮想線Ａに沿って配置され、補助マーク４０１ｂおよび補助マーク４０１ｄが仮想線Ｂに沿って配置される。基準マーク４０１における仮想線は補助マークに沿って延長した線でもあり、仮想線は平面視において直線が好ましい。
　図２０（ａ）および図２０（ｂ）中の破線は、これらの補助マークに沿った、２本の仮想線を示したものである。基準マーク４０１は平面視で明示的な交点を有さない。これら補助マークの群に沿った複数の仮想線は１つの交点において交わり、その交点は広域マーク４０２の中に位置する。この場合、１つの線上に沿って配置される複数の補助マークの幅は、互いに等しいことが好ましい。
　図１８～図２０に示す変形例の基準マークは、平面視で明示的な交点を有さないが、平面視で明示的な交点を有する基準マーク（例えば十字形状の基準マーク）と同様に、ＥＵＶマスク作製後のＥＵＶマスク検査工程において、高い精度で基準位置を検出できる。以降、代表的に、十字形状の基準マークに基づいて説明する。
　なお、本明細書では、基準マークについて、ＥＵＶマスクブランク１０を作製する過程で形成されるマーク、ＥＵＶマスクブランク１０におけるマーク、そして、後述するＥＵＶマスク３０におけるマークのいずれの場合についても、「基準マーク」として説明する。そして、ＥＵＶマスクブランク１０の作製過程で、例えば、反射層１２に形成される基準マークは、該基準マーク上に成膜される層（例えば、吸収層１４、低反射層１５）に転写され、反射型マスクブランク１０の基準位置を特定する基準マークとなる。なお、転写された基準マークは、最初に形成される基準マークと略同じ寸法形状を有する。そして、基準マークから基準位置を検出し、記録媒体に予め記録された情報を参照することで、反射層（多層反射膜）１２の欠点の位置を特定できる。
　基準マークは、用途に応じた形状に形成できる。例えば、図２に示すように、基準マーク１６ａ、１６ｂ、１６ｃおよび１６ｄは、平面視にて（基準マーク１６ａ、１６ｂ、１６ｃおよび１６ｄの形成面と直交する方向から見て）十字形状に形成されている。この場合、１つの直線状部分の中心線と、残りの直線状部分の中心線との交点が、実際の基準点（基準位置）となる。なお、十字形状は、典型的に交差する２つの線の角度が略直交であって長さが略等しい形状が挙げられるが、これに限らず、２つの線の長さが異なってできる形状も含める。また、基準マークはとくに、その形状から基準位置を特定できることが重要であり、十字形状のように、２本以上の線の交点を基準位置として特定できる形状が好ましい。また、Ｌ字形状であってもよい。このように、線の交点を基準位置として特定する基準マークの形状としては、この他に、２本の線の交差角度が直交ではない角度で交差する形状や、３本以上の線が交差して１つの交点を作る形状（「アスタリスク」のような形状を含む。）、交差する線のうち直線以外の線（曲線や波線等）が含まれる形状であってもよい。
　基準マークは、低倍率の観察において検出可能なサイズが好ましく、そのサイズは、ＥＵＶマスクブランク１０の寸法公差等に応じて設定される。標準的な正方形状のＥＵＶマスクブランクの一辺（１５２．０ｍｍ）の寸法公差は±０．１ｍｍである。このＥＵＶマスクブランクを所定の装置（例えば電子線描画装置）にセットする際、例えばＥＵＶマスクブランクの二辺をピンに押し当てて位置決めを行う。このとき、ＥＵＶマスクブランク毎に基準マークの位置が±０．１ｍｍずれうる。そのため、位置を短時間で検出できるように、基準マークは低倍率の観察において検出可能なサイズが好ましい。寸法公差が±０．１ｍｍの場合、基準マークの平面視での面積は１μｍ２～１．５ｍｍ２であることが好ましい。十字状の基準マークの各直線状部分は、例えば、０．２μｍ～１０μｍの幅Ｗ、及び１０μｍ～５５０μｍの長さＬを有し、この場合、基準マークの平面視での面積は、３．９６μｍ２～１０９００μｍ２である。
　尚、本実施形態の基準マークを形成する複数の線は、同じ幅を有するが、異なる幅を有してもよい。また、本実施形態の基準マークを形成する各線は、一定の線幅を有するが、途中で線幅を変えてもよい。本明細書において、幅Ｗは、基準マークを形成する線の幅の最大値を表す。
　また、基準マーク１６は、図２に示す実際のマスクパターン領域１８（例えば、１３２ｍｍ×１３２ｍｍの領域）より外側の領域において、基準マークの形成面上に、同一直線上に配置されないように３つ以上形成される。そして、３つ以上の基準点のうち、１つの基準点が原点となり、原点と他の１つの基準点とを結ぶ直線がＸ軸となり、原点と残りの１つの基準点とを結ぶ直線がＹ軸となる。Ｘ軸及びＹ軸は、互いに直交していてよい。このようにして、ＸＹ座標系を用いて欠点の位置が特定される。
　また、基準マークを、層の一部を削除して凹状の形状とする場合、その削除方法としては、レーザアブレーション法、ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ　Ｉｏｎ　Ｂｅａｍ）法、レジストのパターニングとエッチングを用いたリソグラフィ法、ナノインデンテーション法、マイクロマシーニング法（例えば、Ｒａｖｅ社製ｎｍ４５０を用いた機械的な微細加工法）などが用いられる。とくに、ＦＩＢ法やリソグラフィ法が好適に用いられる。この中でもＦＩＢ法で加工を行った場合、加工に用いる金属イオンにより反射層（多層反射膜）１２の底部の材質が変質し、材質によるコントラストが向上するために好適である。
　さらに、基準マーク１６は、その断面形状を凹状とするとき、基準マークの形成面に対して所定の角度（５０°～９０°）の段差面と、基準マークの形成面と略平行なオフセット面（内底面）を有することが好ましい。また、このとき、（凹状の）基準マークが、反射層（多層反射膜）１２の成膜後に形成される場合、エッジを鋭くできる。これに加えて、凹状の基準マークは、基準マークの周辺とは所定波長の光（反射層１２の検査光）に対する反射率が異なる。なお、検査光としては、ＥＵＶ光、紫外線光、可視光等が使用でき、これらの中でも、ＥＵＶ光は、多層反射膜からなる反射層１２の内部まで到達でき、内部まで検査できるので好ましい。
　本実施形態の基準マーク１６は、その断面形状を凹状とするとき、多層反射膜からなる反射層１２の一部を削除して形成されるので、検査光としてＥＵＶ光を利用する場合、基準マーク周辺の多層反射膜１２に比べて、ＥＵＶ光に対する反射率が低くなる。その結果、基準マークとその周辺とのコントラストが高くなる。なお、基準マークの検査光に対する反射率と、基準マークの周辺の検査光に対する反射率の差（絶対値）は、０．２％以上が好ましく、０．５％以上がより好ましく、１．０％以上がさらに好ましい。
　図３は、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜におけるＥＵＶ光反射率とＭｏ／Ｓｉペア数との関係を示す特性図である。図３において、Ｍｏ層の厚さは２．３ｎｍ±０．１ｎｍ、Ｓｉ層の厚さは４．５ｎｍ±０．１ｎｍ、ＥＵＶ光の波長は１３．５ｎｍである。図３に示すように、Ｍｏ層及びＳｉ層のペア数が少なくなるほど、ＥＵＶ光の反射率が低くなる。ここで、基準マークが、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の一部を削除して形成する場合、周辺とのコントラストを高めるため、基準マークは、Ｍｏ層／Ｓｉ層を１ペアとして２ペア以上削除して形成することが好ましく、５ペア以上削除して形成することがより好ましい。Ｍｏ層／Ｓｉ層のペアは約７ｎｍであるため、このとき形成される基準マークの深さは、前者の場合約１４ｎｍ以上、後者の場合約３５ｎｍ以上となる。この場合、基準マークはその周辺に比べてＥＵＶ光反射率が低くなる。なお、最終的に削除するペア数は、後述する、吸収層エッチング（Ｓ６）の工程において吸収層１４とともに反射層１２もエッチングする場合、その際に削除される（Ｍｏ／Ｓｉ）多層反射膜のペア数も併せて制御してもよい。
　また、基準マークの形成面の種類に関係なく、基準マークの底部の材料は、基準マークを加工する際にＭｏ層とＳｉ層の両者が反応して形成されるＭｏＳｉ化合物でもよい。ＥＵＶ光の反射はＭｏ層とＳｉ層との間の屈折率の差によって生じるが、Ｍｏ層とＳｉ層の両者を反応してＭｏＳｉ化合物を形成すると、屈折率の差がなくなるので、基準マークのＥＵＶ光反射率をさらに低くできる。
　また、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜において、ペア数が１０以上の場合、紫外線光や可視光の反射率は、主にＭｏ／Ｓｉ多層反射膜の光入射側の表面材料によって変わる。そのため、基準マークの形成面がＭｏ／Ｓｉ多層反射膜の表面の場合、周辺とのコントラストを高めるため、基準マークの底部の材料は、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層（基板側とは反対側の層）の材料と異なることが好ましい。例えば、多層反射膜の最上層がＳｉの場合、基準マークの底部の材料は、基準マークを加工する際にＭｏ層とＳｉ層の両者が反応して形成されるＭｏＳｉ化合物であってもよい。この場合、基準マークはその周辺に比べて紫外線光反射率や可視光反射率が低くなる。また基準マークの底部の材料は、基準マークを加工する際にＭｏ層あるいはＳｉ層が酸化、窒化、酸窒化して形成される、Ｍｏ、ＳｉあるいはＭｏＳｉ化合物の酸化物、窒化物、酸窒化物であってもよい。この場合、基準マークはその周辺に比べて紫外線光反射率や可視光反射率が低くなる。
　また、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜において、ペア数が５以下の場合、可視光に対する反射率が高くなるので、ペア数が５以下の基準マークを形成してもよい。この場合、基準マークはその周辺に比べて可視光反射率が高くなる。また、紫外線光や可視光の反射率は、保護層１３（たとえばＲｕ）の有無によっても変わる。そのため、保護層１３の表面に基準マークを形成する場合、基準マークとその周辺とコントラストを高めるため、保護層１３を貫通する凹状の基準マークを形成することが好ましい。この場合、基準マークの底部の材料は保護層１３の材料と異なるため、基準マークはその周辺に比べて光反射率が高くなったり、低くなったりする。
　ところで、基準マークは、反射層１２の成膜後に形成される場合、反射層１２よりも薄い（約１／４程度）吸収層１４などに転写される。そうすると、転写された基準マークは、最初に形成した基準マークと略同じ形状となるので、検査光（電子線や紫外線光、可視光、ＥＵＶ光）による検出位置の再現性がよく、下記（１）～（２）の効果が得られる。（１）ＥＵＶマスク３０の製造工程において、電子線描画装置（たとえばＮｕｆｌａｒｅ社ＥＢＭ８０００など）やレーザ描画装置、マスクパターン座標測定装置（たとえばＫＬＡテンコール社ＩＰＲＯ５など）、マスクパターン検査装置（たとえばＫＬＡテンコール社Ｔｅｒｏｎ６１０など）は、電子線や紫外線光によって基準マークの位置を再現性よく検出できる。よって、これらの装置は、反射型マスクブランク１０の供給元から提供される情報に基づいて反射層１２などの欠点の位置を精度よく検知できる。（２）吸収層１４及び低反射層１５の検査時に、紫外線光や可視光よって基準マークの位置を再現性よく検出できる。
　なお、これまで、基準マーク１６は、反射層１２上に凹状に形成されて転写される形態について説明したが、これに限らず、吸収層１４上、基板１１上に形成されて転写されたり、さらには低反射層１５上から凹状に形成されたりしてもよい。さらには、基板１１の表面、反射層１２と低反射層１５との間に形成される一の層の表面に所定の材料を積層して凸状に形成してもよい。
　そして、基準マークの断面形状を凸状に形成する場合、基準マークの基となる材料は、基準マークとその周辺とが異なる光反射率を示すように選定される。基準マークの基となる材料としては、とくに限定されないが、例えば、既存の装置を流用して成膜可能な材料として、反射層（多層反射膜）１２に用いられるＳｉ、Ｍｏ、吸収層１４に用いられるＴａ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｗ、Ｃ、又はこれらの酸化物、窒化物などが用いられる。これらの中から選ばれる材料を積層して凸状に形成した基準マークは、その周辺に比べて低いＥＵＶ光反射率を示す。ここで、基準マークの検査光に対する反射率と、基準マークの周辺の検査光に対する反射率の差（絶対値）は、０．２％以上が好ましく、０．５％以上がより好ましく、１．０％以上がさらに好ましい。
　基準マークの断面形状を凸状に形成する場合、その形成面上に基準マークの基となる材料を成膜した後、不要部の材料をリソグラフィ法で除去してもよいし、また、基準マークの形成面上に局所的に基準マークの基となる材料を堆積してもよい。後者の場合、堆積したい材料に応じて適当なガスを選び、白金やタングステンなどの金属化合物（例えばヘキサカルボニルタングステン）や炭化水素化合物（ナフタレンやフェナントレンなど）を含有する雰囲気でイオンビームや電子線を照射することで、金属化合物の分解反応を促進し、局所的に白金やタングステンなどの金属膜を堆積する方法がある。
　基準マーク１６の断面形状が凸状の場合、用途に応じた形状が採用でき、例えば、平面視にて十字状に形成されると、その交点を基準位置として特定できる。また、凸状の場合も、基準マークの形状や数、寸法、面積、そして、ＥＵＶマスクブランク１０における各基準マークの位置は、前述の凹状の基準マークの場合と同様に考えることができる。なお、基準マーク１６の断面形状が凸状の場合、その高さは、基準マーク上に成膜される層の種類や厚さに応じて適宜設定される。このとき、凸状の基準マークの高さは、例えば２ｎｍ～３００ｎｍ、好ましくは７ｎｍ～１５０ｎｍ、より好ましくは１５ｎｍ～１２０ｎｍである。
　また、基準マーク１６の断面形状が凸状で基準マークの基となる材料が多層反射膜からなる反射層１２の成膜後に形成される場合、凸状の基準マークは、基準マークの周辺の反射層１２に比べると、ＥＵＶ光を検査光とするとき、ＥＵＶ光に対する反射率が低い。このため、ＥＵＶ光を用いて反射層１２の欠点を検査するとき、基準マークとその周辺とのコントラストが高くなり、基準マークの検出位置の再現性がよくなる。よって、基準マークの基準位置に基づき、反射層１２の欠点の位置を精度よく特定できる。また、紫外線光～可視光に対する反射率が異なるような材料を選ぶことにより、紫外線光～可視光の検査に対しても検出位置の再現性がよい基準マークを作製してもよい。
　さらに、基準マーク１６の断面形状が凸状で多層反射膜からなる反射層１２の成膜後に、基準マークの基となる材料が形成される場合、反射層１２よりも薄い（約１／４程度）吸収層１４などに転写される。そのため、転写された基準マークは、最初に形成した基準マークと略同じ形状であり、検査光（例えば電子線、ＥＵＶ光、紫外線光又は可視光）による検出位置の再現性がよく、下記（１）～（２）の効果が得られる。（１）ＥＵＶマスク３０の製造工程において、電子線描画装置、座標測定装置、マスク外観検査装置は、電子線や紫外線光によって基準マークの位置を再現性よく検出できる。よって、これらの装置は、ＥＵＶマスクブランク１０の供給元から提供される情報に基づいて反射層１２などの欠点の位置を精度よく検知できる。（２）吸収層１４及び低反射層１５の検査時に、紫外線光や可視光によって基準マークの位置を再現性よく検出できる。
　（レジスト膜付きＥＵＶマスクブランクおよびＥＵＶマスクの作製）
　次に、図４のフローチャートに基づき、レジスト膜付きＥＵＶマスクブランク作製工程、ＥＵＶマスク作製工程について説明する。まず、レジスト膜付きＥＵＶマスクブランク作製工程は、基準マーク付きＥＵＶマスクブランク準備工程（Ｓ１）、レジスト膜形成工程（Ｓ２）、基準位置検出工程（Ｓ３）そして、基準マーク中心領域露光工程（Ｓ４）の流れに基づく。なお、基準マーク中心領域露光工程（Ｓ４）を経た成果物が、本実施形態に係るレジスト膜付きＥＵＶマスクブランクである。なお、後述するが、本実施形態に係るレジスト膜付きＥＵＶマスクブランクは、マスクパターン領域への電子線描画の前後関係については、不問であり、両方の状態を含むものとして解釈する。
　そして、ＥＵＶマスク作製工程は、マスクパターン領域へ電子線（パターン）描画がなされたレジスト膜付きＥＵＶマスクブランクについて、レジスト膜現像（Ｓ５）、吸収層エッチング（Ｓ６）そしてレジスト膜剥離（Ｓ７）を実施する流れに基づく。なお、レジスト膜剥離（Ｓ７）を経た成果物が、ＥＵＶマスクである。次に、図４のフローチャートに基づき、本実施形態に係るレジスト膜付きＥＵＶマスクブランクの製造方法、ＥＵＶマスクの製造方法について詳細に説明する。
　（Ｓ１：基準マーク付きＥＵＶマスクブランク準備工程）
　まず、レジスト膜付きＥＵＶマスクブランク作製工程前の、（レジスト膜無しの）ＥＵＶマスクブランク１０について説明する。図５（ａ）は、ＥＵＶマスクブランク１０において、長さがＬで幅がＷとなる十字の基準マーク１６の部分を拡大して示した平面模式図である。なお、基準位置は、厳密に、一方の直線部分の中心線（Ｗ／２の位置を通る線）と他方の直線部分の中心線と、が交差する点に相当するが、本明細書では、簡略的に「２つの線の交点」と表現する。図５（ｂ）は、図５（ａ）の平面模式図において、Ａ－Ａ´の直線に沿って展開した、基準マーク１６を含むＥＵＶマスクブランク１０の断面模式図である。なお、図５（ｂ）および図６では、反射層１２に凹状に形成した基準マークの幅をＷとして表示し、反射層１２上に略同一形状で転写される吸収層１４、低反射層１５における基準マークの幅も同様にＷとして表示している。なお、溝の壁面に堆積する材料によって基準マークの幅が狭まったりして、略同一の形状から逸脱するとき、Ｗの値は、各層に形成された基準マークの中で最も広い幅を表すものとする。以下、図５（ｂ）のＥＵＶマスクブランク１０の断面模式図に基づき、図４のフローチャートを説明する。
　まず、基板１１上に、例えば、Ｍｏ層とＳｉ層とを交互に積層した多層反射膜（Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜）からなる反射層１２を成膜し、反射層１２上にＲｕ等からなる保護層１３を成膜する。その後、保護層１３の表面から、反射層１２の一部を削除する深さまで、ＦＩＢ法等を用いて凹状の十字マークをエッチング加工する。なお、多層反射膜からなる反射層１２の一部とは、前述のように、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の場合、それの最表面からＭｏ層／Ｓｉ層を２ペア以上の深さまでの部分を指す。ここで、ＦＩＢ法等を用いる加工により、保護層１３が露出している部分と、反射層１２を構成する多層反射膜の一部が削除された部分により、断面形状が凹状となる十字のマークが描かれた幅Ｗの基準マークが得られる。次に、ＴａＮ等の吸収層１４を成膜し、さらに、吸収層１４上にＴａＯＮ等の低反射層１５を成膜することで、低反射層１５上に十字で断面形状が凹状の基準マーク１６が転写される。
　（Ｓ２：レジスト膜形成工程）
　基準マーク１６を有するＥＵＶマスクブランク１０に対して、ＥＵＶマスク用のパターンを電子線描画する前段階として、レジストを塗布する。図６は、ＥＵＶマスクブランク１０に対してレジスト膜２１を有する、レジスト膜付きＥＵＶマスクブランク２０を示した断面模式図である。レジストは、とくに、少量の光でも高い感度を有する化学増幅型レジストが好ましく用いられ、（化学増幅型）レジストを滴下し、スピンコート等で均一の厚さのレジスト膜２１を形成した後、一定時間焼成することで、レジスト膜付きＥＵＶマスクブランク２０を得る。なお、低反射層１５に転写された（凹状の）基準マーク１６は、レジスト膜形成工程を経ると、その溝部分がレジスト膜２１で覆われて、表面がある程度平坦化される。
　なお、ＥＵＶマスクブランク１０のような反射層１２、とは異なる場所、例えば、基板１１上や吸収層１４上に凹状の基準マークが形成された場合でも、ＥＵＶマスクブランク１０表面に表れた凹状の基準マーク１６は、その溝部分がレジスト膜で覆われて、レジスト膜の表面はある程度平坦化される。さらに、凸状の基準マークを形成した場合でも、その凸状の部分がレジスト膜で覆われて、レジスト膜の表面はある程度平坦化される。
　（Ｓ３：基準位置検出工程）
　次に、レジスト膜２１で覆われた、レジスト膜付きＥＵＶマスクブランク２０のレジスト膜２１表面に、集束した電子線または紫外線を走査しながら照射し、レジスト膜２１下にある（凹状の）基準マーク１６を検出する。例えば、図７に示すＸ方向、Ｙ方向に基づき、Ｙ方向に走査した電子線を、Ｘ方向に一定の間隔でずらし、基準マーク１６の溝で変化する反射率の変化を検出することで、それを確認できる。また、（Ｙ方向の）走査によって、基準マーク１６を最初に検出（粗検出）したあとは、（Ｘ方向に）ずらす間隔を狭くして検出（精密検出）してもよい。その後、Ｘ方向に走査した電子線または紫外線を、Ｙ方向に一定の間隔でずらすことで、十字の交点の位置を検出できる。なお、走査方向は、これらに限らず、図７において、Ｘ方向、Ｙ方向以外の任意方向に走査させて、任意の方向に一定の間隔でずらして検出してもよい。例えば、走査の間隔（Ｘ方向走査の場合、Ｙ方向に相当）は、０．１μｍ～１００μｍの範囲で適宜調整するとよい。
　図７は、この基準マーク１６の検出により基準位置を特定する基準位置検出工程によって、電子線または紫外線を走査したときにレジスト膜２１上にできた、一部のスキャン痕２３ａ、２３ｂ、２３ｃおよび２３ｄを含む様子を示した平面模式図でもある。図７において、太い破線Ｄは、基準マークに設定される複数の仮想線の交点（図７においては十字形状の基準マークを形成する２本の直線の交点）を中心とする円領域であって、基準マークの線の幅の最大値Ｗの１．５倍の半径を有する円領域を示す。
　基準マーク１６を検出する目的で走査される電子線または紫外線は、表面のレジスト膜２１を少なからず感光してしまう。そうすると、このまま、レジスト膜２１を現像する工程を経てＥＵＶマスクを得ると、基準マーク１６付近の構造が複雑になり、基準マーク１６の検出精度が低下するおそれがある。ここで、検出精度の低下を抑制するために、本実施形態では、次の、基準マーク中心領域露光工程を実施する。
　（Ｓ４：基準マーク中心領域露光工程）
　基準位置検出工程により、十字の基準マーク１６を形成する２本の直線の交点に相当する基準位置を検出した後、基準マーク中心領域露光工程において、交点を含む特定の領域のレジスト膜２１を露光する。レジスト膜２１は、基準位置検出工程において、電子線または紫外線の露光量に応じて感光するが、この露光量が一定量以上になると、ポジレジストの場合、現像液で完全に溶解する。基準マーク中心領域露光工程では、ポジレジストを使用したとき、露光した領域に対して、少なくとも現像液で完全に溶解する程度に露光する（一定の露光量を与える）とよい。このとき、露光目的ではないものの、スキャン痕２３ａ、２３ｂ、２３ｃおよび２３ｄに相当する部分のレジスト膜２１が、一部感光されたとしても、この基準マーク中心領域露光工程において、スキャン痕２３ａ、２３ｂ、２３ｃおよび２３ｄを含み、それらの部分と区別がつかない程度の露光領域２４に、一定量以上露光するとよい。
　露光領域２４に電子線を照射する場合、レジストの種類や現像条件等により最適な露光量は異なるが、例えば露光領域２４の単位面積あたりの露光量は３μＣ／ｃｍ２以上であればよく、５μＣ／ｃｍ２以上であれば好ましく、１０μＣ／ｃｍ２以上であればより好ましく、２０μＣ／ｃｍ２以上であればさらに好ましい。また、紫外線を照射する場合も、レジストの種類や現像条件等により最適な露光量は異なるが、例えば露光領域２４の単位面積あたりの露光量は５ｍＪ／ｃｍ２以上であればよく、１０ｍＪ／ｃｍ２以上であれば好ましく、２０ｍＪ／ｃｍ２以上であればより好ましい。また、露光領域２４への電子線または紫外線の照射方法は、電子線または紫外線を２次元的に走査する方法で実現してもよく、露光領域２４に相当する領域に電子線または紫外線を照射するブロック露光（部分一括露光）方法により実現してもよい。なお、露光領域２４を、電子線を２次元的に走査する方法を用いて実現する場合、ＥＵＶマスク用のパターン描画を行う電子線描画装置をそのまま利用できる場合が多いので、製造工程が短縮されるなど効率的である。
　露光領域２４は、前述のように少なくとも基準マーク１６に設定される複数の仮想線の交点（図７においては十字形状の基準マークを形成する２本の直線の交点）を含む領域とし、図７に太い破線Ｄで示す円領域を含む領域であればよい。仮に露光領域２４が上記円領域と一致する場合、基準マーク１６の線を挟んだ左右両側に、その線の幅と同程度の幅の露光部分ができる。よって、電子線等を用いて基準マーク１６の線と直交する方向に走査を行うとき、基準マーク１６の線とその周辺とのコントラスト（反射率の違い）が際立ち、基準マーク１６の線および基準マーク１６の基準位置の検出が容易となる。露光領域２４は、上記円領域を含めばよく、上記円領域と一致しなくてよい。例えば図７に示すように、露光領域２４は、上記交点を中心とする、一辺が幅Ｗの３倍の長さの正方形領域を含む領域であってもよい。
　また、露光領域２４は、上記交点を中心とする、半径が基準マーク１６の線の幅Ｗの２倍の円領域を含む領域であれば好ましく、半径が基準マーク１６の線の幅Ｗの３倍の円領域を含む領域であればより好ましい。また、露光領域２４は、上記交点を中心とする、一辺が幅Ｗの４倍の長さの正方形領域を含む領域であってもよく、一辺が幅Ｗの６倍の長さの正方形領域を含む領域であればより好ましい。なお、この場合、平面視における露光領域２４の外縁の形状は、円や四角形に限定されず任意の形状であってもよい。露光領域２４が、上記交点を中心とする半径が基準マーク１６の線の幅Ｗの１．５倍の円領域より狭い場合、本工程（Ｓ４）において基準位置を十分に検出できないおそれがある。また、露光領域２４は、基準マーク１６を全て覆う円領域、正方形領域を含んでもよい。一方、露光領域２４は、パターン領域に対して外側の領域であって、パターン領域と重ならない領域であれば、とくに領域の広さの制限はない。
　また、ＥＵＶマスクを作製するにあたり、電子線描画装置等で、レジスト膜付きＥＵＶマスクブランク２０のマスクパターン領域に実際のパターンを描画（露光）する、マスクパターン描画工程を実施するが、該マスクパターン描画工程は、この基準マーク中心領域露光工程よりも前であっても後であってもよい。つまり、マスクパターン描画工程は、基準位置検出工程（Ｓ３）後であって、塗布したレジスト膜を現像する工程（Ｓ５）の前であれば、これらの工程の順番は不問である。そのため、本実施形態に係るレジスト膜付きＥＵＶマスクブランク２０は、露光領域２４に露光がされた状態であれば、実際のマスクパターン領域へのパターンの描画（露光）がされた状態、されていない状態の両方を含むものと解釈する。
　図８および図９は、それぞれ、図７の平面において、Ｂ－Ｂ´直線を展開した断面模式図、Ｃ－Ｃ´直線を展開した断面模式図である。ここで、基準マーク中心領域露光工程を経たレジスト膜付きＥＵＶマスクブランク２０は、図８（ａ）および図９（ａ）の断面模式図に示す構造となる。つまり、図８（ａ）および図９（ａ）において、基準マーク中心領域露光工程によって電子線または紫外線が照射された部分は、感光部２４ａとなり、一方、電子線または紫外線が照射されなかった部分は、非感光部２５となる。なお、感光部２４ａは、レジスト膜２１がポジレジストの場合、現像工程で完全に溶解する程度まで露光された状態である。一方、レジスト膜２１がネガレジストの場合、感光部２４ａは、現像工程で溶解しない程度まで露光された状態である。
　（Ｓ５～Ｓ７：ＥＵＶマスク作製工程）
　図８および図９は、レジスト膜付きＥＵＶマスクブランクからＥＵＶマスクの作製工程を示す模式図でもある。前述のように、図８（ａ）および図９（ａ）は、基準マーク中心領域露光工程を経た、レジスト膜付きＥＵＶマスクブランク２０であって、図８（ｂ）および図９（ｂ）は、現像液により感光部２４ａを溶解するレジスト膜現像（Ｓ５）を経た後の状態を示す断面模式図である。そして、図８（ｃ）および図９（ｃ）は、レジスト膜現像後、表面に露出した低反射層１５および低反射層１５の下層にある吸収層１４を取り除く吸収層エッチング（Ｓ６）を経た後の状態を示す断面模式図である。さらに、図８（ｄ）および図９（ｄ）は、吸収層エッチング後、残ったレジスト膜２１（非感光部２５）を除去するレジスト膜剥離（Ｓ７）後の状態を示す断面模式図であって、これがＥＵＶマスク３０に相当する。
　図８（ｄ）および図９（ｄ）は、ＥＵＶマスク３０のうち、特徴的な２つの断面模式図である。とくに、基準マーク１６に相当する平面視において十字の部分は、その周辺に対して断面形状が凹状となっており、具体的に、反射層１２の一部が削られた部分が表面に露出した状態となる。また、露光領域２４のうち十字の部分を除く領域は、保護層１３の表面が露出した状態となる。また、図１０は、ＥＵＶマスク３０の基準マーク付近を示した斜視模式図である。このように、基準マークに相当する十字の交点を中心としたとき、該基準マークを認識できる程度の特定の領域において、表面に露出している材料が、この場合、反射層１２と保護層１３と、の２種である。このため、ＥＵＶマスク３０としたとき、例えば、ＥＵＶ光、紫外光、電子線等の走査により基準マークを走査して検出する方法、画像認識によって基準マークを検出する方法によっても、基準位置周辺の検出ノイズを低減できるので、基準位置を特定しやすくなる。
　これまで、ＥＵＶマスクブランク１０において、保護層１３表面から保護層１３を貫通して反射層１２の一部を削除してなる凹状の基準マーク１６を形成し、ポジレジストによって露光領域２４を設定して基準マークを有するＥＵＶマスク３０を得た例を示したが、この形態だけに限らない。保護層１３表面以外に凹状の基準マークを形成する場合や、凸状の基準マークを形成する場合、そして、それぞれの基準マークの形成面や基準マークの形状に対して使用するレジストの種類、つまり、ポジレジストまたはネガレジストの選択により、ＥＵＶマスクを作製したときにできる基準マークの凹凸面がそれぞれ異なる。
　表１は、基準マークの形状（凹状または凸状）、レジストの種類（ポジレジストまたはネガレジスト）それぞれの組合せに基づき、大きく４つの条件に分けたとき、基準マークと露光領域とが重なる部分（十字）の面の位置と、露光領域のうち基準マークと重ならない部分（十字以外）の面の位置とを示すリストの例である。なお、「十字」の表面、「十字以外」の表面が同じ材料の場合、ＥＵＶマスクにおいて、それぞれの高さが異なり、これらの境界で段差ができることで、基準マークとして認識できる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
 　表１において、「Ａ層」は、凸状の基準マークの層を意味する。
　（実施例１）
　実施例１では、図５（ｂ）に示すＥＵＶマスクブランク１０を作製した。基板１１としては、外形６インチ（１５２ｍｍ）角で、厚さ０．２５インチ（６．３５ｍｍ）のＳｉＯ２－ＴｉＯ２系のガラス基板を使用した。このガラス基板は、２０℃における熱膨張率が０．０５×１０－７／℃であって、ヤング率が６７ＧＰａ、ポアソン比が０．１７、比剛性が３．０７×１０７ｍ２／ｓ２であった。そして、このガラス基板は研磨されたものであって、主表面の表面粗さが０．１５ｎｍ　ｒｍｓ以下であるとともに、平坦度が１００ｎｍ以下であることを確認した。
　次に、ガラス基板（基板１１）の裏面に、マグネトロンスパッタリング法により約２００ｎｍの厚さのＣｒＮ膜を形成し、シート抵抗が１００Ω／□以下となる（図５（ｂ）に不図示の）導電性コーティング層を得た。その後、導電性コーティング層側を静電チャックに固定した状態で、基板１１の主表面に、イオンビームスパッタリング法を用いて、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜からなる反射層１２を形成した。具体的には、イオンビームスパッタリング法により厚さ４．５ｎｍのＳｉ層と厚さ２．３ｎｍのＭｏ層を交互に、繰り返し数が４０（４０周期）となるように形成した。このときの、反射層（Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜）の厚さは、２７２ｎｍ（（４．５ｎｍ＋２．３ｎｍ）×４０）であった。さらに、反射層１２上にイオンビームスパッタリング法を用いて、Ｒｕ層からなる保護層１３を２．５ｎｍの厚さで形成した。なお、反射層１２および保護層１３の具体的な成膜条件は、表２に示すとおりである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
 　次に、表面がＲｕ層である反射層付き基板の平面において、マスクパターン領域に相当する１３２ｍｍ角の領域よりも外側の領域であって、該反射層付き基板の４隅の位置に、十字の基準マークをＦＩＢ加工して形成する。このとき、基準マークとなる十字の交点を結ぶと、その外縁の一辺が基板の端面と平行な正方形となるような位置とする。このとき、平面視において十字形状を形成する２本の線はいずれも、長さＬが５００μｍ、幅Ｗが１μｍとなるように、ＦＩＢ装置によって、収束させたＧａ＋イオンビームを、Ｒｕ層表面に照射して、深さが約１００ｎｍとなるまで加工して、凹状の溝を形成する。そうすると、イオンビームが照射された部分のＲｕ層が完全に削除されるとともに、その部分のＭｏ／Ｓｉ多層反射膜のうち、最表面から約１４ペアのＭｏ層／Ｓｉ層が削除される。
　次に、Ｒｕ層からなる保護層１３上に、マグネトロンスパッタリング法を用いて、吸収層１４としてＴａ、Ｎを含むＴａＮ膜を６０ｎｍの厚さで形成する。さらに、ＴａＮからなる吸収層１４上に、マグネトロンスパッタリング法を用いて、低反射層１５としてＴａ、ＯおよびＮを含むＴａＯＮ膜を８ｎｍの厚さで形成する。なお、吸収層１４および低反射層１５の具体的な成膜条件は、表３に示すとおりである。このようにしてＥＵＶマスクブランクを得る。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
 　次に、表面がＴａＯＮで覆われたＥＵＶマスクブランクに、ポジ型の化学増幅型レジスト（富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製、品番：ＰＲＬ００９）を滴下して、スピンコート法により、約１５０ｎｍの均一な厚さにして焼成し、レジスト膜を形成する。その後、このレジスト膜付きＥＵＶマスクブランクを電子線描画装置（ニューフレアテクノロジー社製、品番：ＥＢＭ８０００）に投入して、電子線により、基準マーク付近を、基板の端面に平行な方向（Ｘ方向、Ｙ方向）に沿って、反射率の変化を検出する。この反射率の変化によって、４隅の基準マークの交点に相当するそれぞれの、基準位置を特定する。このとき、電子線の幅は約３００ｎｍであり、約５μｍの長さで、約２μｍの間隔で走査方向と直交する方向にずらしながら走査する。このとき、走査時にレジスト膜に照射される電子線量（露光密度）は３０μＣ／ｃｍ２以上である。次に、特定した各基準マークの交点を中心として、約１０μｍ角の正方形の露光領域を形成するように、電子線を走査する。このとき、照射する電子線量（露光密度）は、３０μＣ／ｃｍ２以上である。
　次に、現像液を浸漬して、レジスト膜のうち、電子線を照射した感光部を溶解させて除去し、洗浄する。このとき、レジスト膜が除去された部分には、ＴａＯＮが露出する。次に、ＲＦプラズマエッチング装置によるフッ素系ガスプロセスで、低反射層（ＴａＯＮ）および吸収層（ＴａＮ）をエッチングする。エッチング条件は、バイアスＲＦ：５０Ｗ、エッチング時間：１２０秒、トリガー圧力：３Ｐａ、エッチング圧力：０．３Ｐａ、エッチングガス：ＣＦ4／Ｈｅ、ガス流量（ＣＦ4／Ｈｅ）：４／１６ｓｃｃｍ、電極基板間距離：５５ｍｍ、である。このとき、低反射層および吸収層がエッチングされた部分のうち、基準マークの部分以外の部分には、Ｒｕが露出する。
　その後、剥離液を浸漬して、残留レジストを剥離する。このようにして、ＥＵＶマスクを形成する。このとき、基準マーク付近には、約１０μｍ角の正方形の凹状の領域ができ、この正方形の領域の中に、さらに凹状の十字の領域が露出する。そして、この正方形の領域の中の十字の部分は、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜のうち、約１４ペア分削除された面が露出し、それ以外の領域は、Ｒｕが露出する。
　次に、作製したＥＵＶマスクのうち、この基準マーク付近をＥＵＶ光で、約１０μｍの長さで走査すると、Ｒｕ表面で約６２％の反射率であって、一部削除されたＭｏ／Ｓｉ多層反射膜表面で約５０％の反射率であり、これらの反射率の差によって、基準マークを検出できる。また、約１０μｍ角の正方形領域において、Ｒｕと多層反射膜の２種の表面のみ露出されているので、高い検出精度で、基準マークの交点を特定できる。
　（比較例）
　本例では、図６に示すような、レジスト膜付きマスクブランク１０を作製するところまで、実施例１と同じ条件で実施する。次に、基準位置検出工程、レジスト膜現像、吸収層エッチング、そして、レジスト膜剥離に至るまでのプロセスについて、図１１～図１５と関連付けて説明する。とくに、本例では、実施例１で実施した、基準マーク中心領域露光工程は実施しない。
　図１１は、実施例１と同じ製法で作製した、レジスト膜付きＥＵＶマスクブランク５０において、基準マーク１６部分を示した平面模式図である。図１１はまた、レジスト膜付きＥＵＶマスクブランク５０を、電子線描画装置（ニューフレアテクノロジー社製、品番：ＥＢＭ８０００）に投入して、電子線により、基準マーク付近を、基板の端面に平行な方向（Ｘ方向、Ｙ方向）に沿って、反射率の変化を検出したときのレジスト膜上の一部のスキャン痕５３ａ、５３ｂ、５３ｃおよび５３ｄも併せて示した。このとき、長さ約２μｍ、幅約３００ｎｍの電子線を、Ｘ方向およびＹ方向について、約２μｍの間隔でずらしながら走査する。その結果、スキャン痕５３ａ、５３ｂ、５３ｃおよび５３ｄは、それぞれ、基準マークの交点（中心）から、約１μｍ離れた位置に形成されている。また、図１１は、交点に最も近いスキャン痕のみを代表的に示している。なお、このとき、照射する電子量（露光密度）は、３０μＣ／ｃｍ２以上である。
　また、図１１において、Ｄ－Ｄ´の直線に沿って展開した断面模式図を図１２に、Ｅ－Ｅ´の直線に沿って展開した断面模式図を図１３に、さらに、Ｆ－Ｆ´の直線に沿って展開した断面模式図を図１４に、それぞれ示す。図１２（ａ）、図１３（ａ）および図１４（ａ）は、本例の基準位置検出工程後の断面模式図であり、電子線によってできるスキャン痕に相当する部分は、化学増幅型レジスト膜を露光した感光部５４となる。一方、電子線で照射されなかった部分は、非感光部５５である。
　次に、実施例１と同様に、現像液で感光部５４に相当する部分のレジスト膜を溶解、除去する。図１２（ｂ）、図１３（ｂ）および図１４（ｂ）は、この現像工程を経た状態を示す断面模式図であり、感光部５４が除去された部分はＴａＯＮ（低反射層）の表面が露出する。次に、実施例１と同様の条件で、ＴａＯＮ（低反射層）、ＴａＮ（吸収層）をエッチングする。図１２（ｃ）、図１３（ｃ）および図１４（ｃ）は、このエッチング工程を経た状態を示す断面模式図であり、ＴａＯＮおよびＴａＮが除去された部分は、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜が露出する。
　次に、実施例１と同様に、剥離液で、残ったレジスト膜（非感光部５５）を剥離する。図１２（ｄ）、図１３（ｄ）および図１４（ｄ）は、この剥離工程後の状態を示す断面模式図であって、これが本例のＥＵＶマスク６０に相当する。また、図１５は、本例におけるＥＵＶマスク６０の基準マーク付近を示した斜視模式図である。このように、基準マークに相当する十字の交点を中心とし、約１０μｍ角の正方形の平面領域には、スキャン痕５３ａ、５３ｂ、５３ｃおよび５３ｄに相当する位置に溝が形成され、さらに、スキャン痕と基準マークとが重なる部分には、さらに深い溝が形成される。ここで、前者の溝の底面は、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜である、後者の溝はＲｕ層表面である。さらに、スキャン痕５３ａ、５３ｂ、５３ｃおよび５３ｄ以外の部分は、ＴａＯＮで基準マークが形成される。
　ここで、該基準マークを認識できる程度の特定の領域において、表面に露出している材料が、この場合、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜とＲｕ膜に加え、段差を有するＴａＯＮがある。そのため、ＥＵＶ光に対して異なる反射率となる領域が多くなったり、電子線や画像認識でも複雑な構造により基準マーク検出のノイズが増えたりするため、ＥＵＶマスク６０としたとき、基準位置を高い精度で検出できないおそれがある。
　以上、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法、ならびにＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクおよびその製造方法の実施形態などを説明したが、本発明は上記実施形態などに限定されず、特許請求の範囲に記載された趣旨の範囲内で種々の変形、および改良が可能である。
　本出願は、２０１２年９月２８日に日本国特許庁に出願された特願２０１２－２１８１２９号および２０１３年７月５日に日本国特許庁に出願された特願２０１３－１４１３７５号に基づく優先権を主張するものであり、特願２０１２－２１８１２９号および特願２０１３－１４１３７５号の全内容を本出願に援用する。
　１０、１００　ＥＵＶマスクブランク
　１１　基板
　１２　反射層（多層反射膜）
　１３　保護層
　１４　吸収層
　１５　低反射層
　１６、２２、１０１、１０２、１０３、１０４、２０１、３０１、４０１　基準マーク
　１８、１０５　マスクパターン領域
　２０、５０　レジスト膜付きＥＵＶマスクブランク
　２１　レジスト膜
　２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄ、５３ａ、５３ｂ、５３ｃ、５３ｄ、１１１、１１２、１１３、１１４　スキャン痕
　２４　露光領域
　２４ａ、５４　感光部
　２５、５５　非感光部
　３０、６０　ＥＵＶマスク
　１１０　電子線または紫外線
　２０１ａ、２０１ｂ、２０１ｃ、２０１ｄ、３０１ａ、３０１ｂ、３０１ｃ、４０１ａ、４０１ｂ、４０１ｃ、４０１ｄ　補助マーク
　４０２　広域マーク

Claims (28)

  1. 　基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、前記反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層と、を有し、マスクパターン領域よりも外側の領域に、平面視で少なくとも２本の線によって形成される凹状または凸状の基準マークを３ヶ所以上形成してなり、前記基準マークを形成する各線は１つの交点において交わる複数本の仮想線のいずれかに沿って配置され、各仮想線に沿って少なくとも１本の線が配置されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクを準備する、基準マーク付きＥＵＶマスクブランク準備工程と、
    　前記基準マークを有するＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク上にレジスト膜を形成する、レジスト膜形成工程と、
    　前記レジスト膜上から、電子線または紫外線を走査して前記交点に相当する基準位置を検出する、基準位置検出工程と、
    　前記基準マークの線の幅の最大値をＷとすると、前記レジスト膜のうち、平面視で前記基準位置を中心点とした半径１．５Ｗの円領域を含む領域を電子線または紫外線で露光する、基準マーク中心領域露光工程と、
    を有する、レジスト膜付きＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法。
  2. 　前記基準マークを形成する各線は互いに直交する２本の直線状の仮想線のいずれかに沿って配置され、各仮想線に沿って少なくとも１本の線が配置される請求項１に記載のレジスト膜付きＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法。
  3. 　前記電子線で露光する領域の単位面積あたりの露光量が、３μＣ／ｃｍ２以上である請求項１または請求項２に記載のレジスト膜付きＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法。
  4. 　前記紫外線で露光する領域の単位面積あたりの露光量が、５ｍＪ／ｃｍ２以上である請求項１または請求項２に記載のレジスト膜付きＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法。
  5. 　前記電子線または紫外線で露光する領域に、集束した電子線または紫外線を走査して露光する請求項１～４いずれか１項に記載のレジスト膜付きＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法。
  6. 　前記電子線または紫外線で露光する領域に、電子線または紫外線を一括露光する請求項１～４いずれか１項に記載のレジスト膜付きＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法。
  7. 　前記基準マークは、前記反射層の一部を削除することで凹状に形成される請求項１～６いずれか１項に記載のレジスト膜付きＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法。
  8. 　前記基準マークは、前記ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの平面視で４隅に位置し、４つの基準マークのうち、少なくとも１つの基準マークが、残りの基準マークと異なる形状で形成される、請求項１～７いずれか１項に記載のレジスト膜付きＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法。
  9. 　前記レジスト膜は、ポジレジストである請求項１～８いずれか１項に記載のレジスト膜付きＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法。
  10. 　基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、前記反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層と、を有し、マスクパターン領域よりも外側の領域に、平面視で少なくとも２本の線によって形成される凹状または凸状の基準マークを３ヶ所以上形成してなり、前記基準マークを形成する各線は１つの交点において交わる複数本の仮想線のいずれかに沿って配置され、各仮想線に沿って少なくとも１本の線が配置されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクを準備する、基準マーク付きＥＵＶマスクブランク準備工程と、
    　前記基準マークを有するＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク上にレジスト膜を形成する、レジスト膜形成工程と、
    　前記レジスト膜上から、電子線または紫外線を走査して前記交点に相当する基準位置を検出する、基準位置検出工程と、
    　前記基準マークの線の幅の最大値をＷとすると、前記レジスト膜のうち、平面視で前記基準位置を中心点とした半径１．５Ｗの円領域を含む領域を電子線または紫外線で露光する、基準マーク中心領域露光工程と、
    　前記レジスト膜を現像し、前記吸収層をエッチングし、前記レジスト膜のうち残留したレジストを剥離する工程を含む、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクの製造方法。
  11. 　前記基準マークを形成する各線は互いに直交する２本の直線状の仮想線のいずれかに沿って配置され、各仮想線に沿って少なくとも１本の線が配置される請求項１０に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクの製造方法。
  12. 　前記電子線で露光する領域の単位面積あたりの露光量が、３μＣ／ｃｍ２以上である請求項１０または請求項１１に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクの製造方法。
  13. 　前記紫外線で露光する領域の単位面積あたりの露光量が、５ｍＪ／ｃｍ２以上である請求項１０または請求項１１に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクの製造方法。
  14. 　前記電子線または紫外線で露光する領域に、集束した電子線または紫外線を走査して露光する請求項１０～１３いずれか１項に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクの製造方法。
  15. 　前記電子線または紫外線で露光する領域に、電子線または紫外線を一括露光する請求項１０～１３いずれか１項に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクの製造方法。
  16. 　前記基準マークは、前記反射層の一部を削除することで凹状に形成される請求項１０～１５いずれか１項に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクの製造方法。
  17. 　前記基準マークは、前記ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの平面視で４隅に位置し、４つの基準マークのうち、少なくとも１つの基準マークが、残りの基準マークと異なる形状で形成される、請求項１０～１６いずれか１項に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクの製造方法。
  18. 　前記レジストは、ポジレジストである請求項１０～１７いずれか１項に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクの製造方法。
  19. 　基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、前記反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層と、マスクパターン領域の欠点位置を特定する、凹状または凸状の基準マークと、を有するＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの上にレジスト膜を有する、レジスト膜付きＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、
    　前記基準マークは、前記マスクパターン領域よりも外側の領域の３ヶ所以上に位置し、平面視で少なくとも２本の線によって形成され、前記基準マークを形成する各線は１つの交点において交わる複数本の仮想線のいずれかに沿って配置され、各仮想線に沿って少なくとも１本の線が配置され、
    　前記基準マークの線の幅の最大値をＷとすると、前記レジスト膜のうち、平面視で前記交点に相当する基準位置を中心点とした半径１．５Ｗの円領域を含む領域が、露光されてなる感光部である、レジスト膜付きＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
  20. 　前記基準マークを形成する各線は互いに直交する２本の直線状の仮想線のいずれかに沿って配置され、各仮想線に沿って少なくとも１本の線が配置される、請求項１９に記載のレジスト膜付きＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
  21. 　前記反射層と前記吸収層との間に、前記吸収層へのパターン形成時に前記反射層を保護するための保護層を有する、請求項１９または請求項２０に記載のレジスト膜付きＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
  22. 　前記基準マークは凹状であり、前記反射層に形成された溝が転写されてなる、請求項１９～２１いずれか１項に記載のレジスト膜付きＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
  23. 　前記基準マークは、前記ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの平面視で４隅に位置し、４つの基準マークのうち、少なくとも１つの基準マークが、残りの基準マークと異なる形状である、請求項１９～２２いずれか１項に記載のレジスト膜付きＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
  24. 　前記レジスト膜は、ポジレジストである請求項１９～２３いずれか１項に記載のレジスト膜付きＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
  25. 　基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、前記反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層と、前記反射層と前記吸収層との間に前記吸収層へのパターン形成時に前記反射層を保護する保護層と、マスクパターン領域の欠点陥位置を特定するための、凹状の基準マークと、を有する、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクであって、
    　前記基準マークは、前記マスクパターン領域よりも外側の領域の３ヶ所以上に位置し、平面視で少なくとも２本の線によって形成され、前記基準マークを形成する各線は１つの交点において交わる複数本の仮想線のいずれかに沿って配置され、各仮想線に沿って少なくとも１本の線が配置され、
    　前記基準マークの線の幅の最大値をＷとすると、平面視で前記交点に相当する基準位置を中心点とした半径１．５Ｗの円領域のうち、凹状となる前記基準マークの表面が前記反射層であり、前記基準マーク以外の表面が前記保護層である、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスク。
  26. 　前記基準マークを形成する各線は互いに直交する２本の直線状の仮想線のいずれかに沿って配置され、各仮想線に沿って少なくとも１本の線が配置される、請求項２５に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスク。
  27. 　前記基準マークは、平面視で４隅に位置し、４つの基準マークのうち、少なくとも１つの基準マークが、残りの基準マークと異なる形状である、請求項２５または請求項２６に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスク。
  28. 　前記保護層は、ＲｕまたはＲｕ化合物である、請求項２５～２７いずれか１項に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスク。
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