JPWO2014050891A1 - Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法、ならびにｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクおよびその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 title claims description 65
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 83
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 68
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 32
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 300
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 72
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 47
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 35
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 35
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 22
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 13
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 claims description 7
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 claims description 7
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 7
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 52
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 42
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 32
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 14
- 238000011161 development Methods 0.000 description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 229910003071 TaON Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 8
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 4
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 TaSi Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 101100442776 Mus musculus Decr2 gene Proteins 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 2
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 101150013999 CRBN gene Proteins 0.000 description 1
- 229910019974 CrSi Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100116973 Mus musculus Dmbt1 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910021140 PdSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019895 RuSi Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004535 TaBN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004525 TaCr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004162 TaHf Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004228 TaPd Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004200 TaSiN Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 1
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 101150016677 ohgt gene Proteins 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013518 transcription Methods 0.000 description 1
- 230000035897 transcription Effects 0.000 description 1
- 229910000500 β-quartz Inorganic materials 0.000 description 1
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/76—Patterning of masks by imaging
- G03F1/78—Patterning of masks by imaging by charged particle beam [CPB], e.g. electron beam patterning of masks
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】凹状または凸状の基準マークを３ヶ所以上形成してなり、前記基準マークを形成する各線は１つの交点において交わる複数本の仮想線のいずれかに沿って配置され、各仮想線に沿って少なくとも１本の線が配置されたＥＵＶマスクブランクを準備する、基準マーク付きＥＵＶマスクブランク準備工程と、レジスト膜形成工程と、レジスト膜上から、電子線または紫外線を走査して前記交点に相当する基準位置を検出する、基準位置検出工程と、基準マークの線の幅の最大値をＷとすると、レジスト膜のうち、平面視で基準位置を中心点とした半径１．５Ｗの円領域を含む領域を電子線または紫外線で露光する、基準マーク中心領域露光工程とを有する、レジスト膜付きＥＵＶマスクブランクの製造方法。
Description
本発明は、主としてＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ−Ｖｉｏｌｅｔ：極端紫外）露光技術を利用した半導体デバイスの製造において使用されるＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクおよび、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクの前駆体である、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクに関する。なお、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクは、本明細書において、「ＥＵＶマスクブランク」ともいう。
露光システムは、Ｓｉ基板をはじめとする半導体基板等へ照射する光の波長に応じてその解像度の限界が決められている。そして、該露光システムにおいて、波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザや、波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザ等を用いた透過光学系の露光技術が実用化されている。この露光システムでは、照射される光を透過する部分と照射される光を吸収する部分により所定のパターニングがなされた透過型マスクが用いられ、該透過型マスクによって、半導体基板等へ所定のパターンの転写が行われる。
一方、半導体基板等へ転写するパターンのさらなる高解像度を実現するため、ＡｒＦエキシマレーザよりもさらに短波長の光を用いた露光技術として、ＥＵＶ光を用いた露光技術が注目されている。ＥＵＶ光は、軟Ｘ線や真空紫外線の波長領域の光であって、具体的には１０ｎｍ〜２０ｎｍ程度の波長の光、とくに、１３．５ｎｍを中心とした１３．２ｎｍ〜１３．８ｎｍ（１３．５ｎｍ±０．３ｎｍ）程度の波長の光をいう。
ＥＵＶ光を用いた露光技術は、ＥＵＶ光の性質上、ＫｒＦエキシマレーザ光源やＡｒＦエキシマレーザ光源等を用いた透過光学系の露光システムを適用できないため、反射光学系の露光システムを適用する。そして、該反射光学系の露光システムにおいて、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクや、ＥＵＶ用反射型ミラーが用いられる。なお、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクは、本明細書において、「ＥＵＶマスク」ともいう。
ＥＵＶマスクブランクは、前述のように、パターニングされたＥＵＶマスクの前駆体であって、ＥＵＶ光を反射する層を含む構成である。具体的に、ＥＵＶマスクブランクは、少なくとも、ガラス等の平坦な基板上にＥＵＶ光を反射する反射層を有し、該反射層上には、ＥＵＶ光を吸収する吸収層を有する。また、ＥＵＶマスクは、ＥＵＶマスクブランクの吸収層に所定のパターンが形成されたものであり、吸収層がある部分では照射されるＥＵＶ光を吸収し、吸収層がない部分では照射されるＥＵＶ光を反射することで、所定のパターンを半導体基板等に転写できる。
反射層は、通常、ＥＵＶ光に対して高い屈折率を示す高屈折率層と、ＥＵＶ光に対して低い屈折率を示す低屈折率層と、が交互に積層された構造をなす多層反射膜が使用される。多層反射膜として、例えば、高屈折率層としてシリコン（Ｓｉ）層、低屈折率層としてモリブデン（Ｍｏ）層からなる、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜が挙げられ、ＥＵＶ光に対して６０％以上の反射率を実現できる。また、吸収層は、ＥＵＶ光に対して低い反射率となる材料、つまり、ＥＵＶ光に対する吸収係数が高い材料が使用され、例えば、ＴａやＣｒを主成分とした材料が挙げられる。
ここで、ガラス等の基板表面に欠陥（例えば、異物、傷やピット）が存在したり、多層反射膜を形成する途中で異物が混入したりすると、多層反射膜の周期構造が乱れ、多層反射膜に欠陥（所謂、位相欠陥）が生じる。このような欠陥が生じると、ＥＵＶマスク上のパターンが半導体ウェハ上に忠実に転写されない、という問題が生じる。ところが、多層反射膜の欠陥を皆無とすることは、実際のところ、技術的に極めて難しい（例えば、非特許文献１参照）。
そこで、ＥＵＶマスクブランクにおいてこれらの欠陥の位置を把握し、該欠陥を避けるようにして、ＥＵＶマスクを作製する際、吸収層のパターンの位置や方向を調整する技術が検討されている。具体的には、ＥＵＶマスクブランクの反射層に、基準マーク（「Ｆｉｄｕｃｉａｌ Ｍａｒｋ」ともいう。）を形成することが記載されている（例えば、非特許文献２参照）。
また、基準マークは、実際のマスクパターン領域（例えば、１３２ｍｍ×１３２ｍｍの領域）よりも外側の領域において、多層反射膜上、基板上あるいは吸収層上に、凹状または凸状に形成される。なお、基準マークは、平面視で十字形状のマークが典型的に用いられ、該基準マークの十字の交点の位置を基準位置とすることが多い。そして、基準位置に基づいて、実際のマスクパターン領域内に存在する欠陥の位置（座標）を特定するための情報が得られる。なお、基準マークの数は、マスクパターン領域よりも外側の領域において少なくとも３点有し、これらの基準マークの十字の交点が、同一の仮想直線に載らないような位置であると、平面の座標が特定できる。典型的には、マスクパターン領域外となる３隅乃至４隅に、十字の基準マークを形成することが多い。
図１６は、基準マーク付きのＥＵＶマスクブランク１００を示す平面模式図であって、マスクパターン領域１０５の外側の領域となる４隅に、基準マーク１０１、１０２、１０３および１０４を有する例である。そして、これらの基準マークの位置は、電子線または紫外線によって基準マーク位置付近を一定の間隔で走査して、基準マークの凹凸によって生じる反射強度の差分或いは散乱光強度を検出することで、基準位置である十字の交点を正確に特定できる。なお、本明細書でいう紫外線は、１７０ｎｍ〜４００ｎｍの波長範囲に含まれる光を指す。
このように、基準マークは、ＥＵＶマスクブランクにおける欠陥位置の座標を正確に把握するための基準位置であるので、ＥＵＶマスクブランク、ＥＵＶマスクを作製する工程（例えば、検査工程）において使用する装置で、その基準位置を高精度で特定できることが重要である。また、基準マークの検出方法として、ＥＵＶマスクを作製する工程において、ＥＵＶマスクブランクにレジスト膜を形成した後でも、該レジスト膜上から電子線で基準マーク付近を走査して検出する方法等が報告されている（例えば、特許文献１参照）。
２０１０ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ，Ｓ．Ｈｕｈ ｅｔ．ａｌ．"Ｐｒｉｎｔａｂｉｌｉｔｙ ａｎｄ Ｉｎｓｐｅｃｔａｂｉｌｉｔｙ ｏｆ Ｐｒｏｇｒａｍｍｅｄ ａｎｄ Ｒｅａｌ Ｄｅｆｅｃｔｓ ｏｎ ｔｈｅ Ｒｅｔｉｃｌｅ ｉｎ ＥＵＶ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ"
ＥＵＶＬ ｍａｓｋ ｆｉｄｕｃｉａｌ ＳＥＭＩ Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｄｉｓｃｕｓｓｉｏｎ Ｊａｎ．２００６，Ｐ．Ｓｅｉｄｅｌ ａｎｄ Ｐ．Ｙ．Ｙａｎ
このように、基準マークは、とくに、マスクパターン領域内にある欠陥（欠点）位置を正確に特定する目的で形成されるため、高い検出精度が要求される。図１７（ａ）は、凹状の基準マーク１０１の位置および十字の交点を検出するために、電子線または紫外線１１０を走査する様子を例示した模式図である。十字の基準マーク１０１は、電子線または紫外線１１０を、十字を形成する２つの軸と略平行な方向に走査することで、その位置が検出される場合が多く、走査によりできた痕（以下、「スキャン痕」という。）が離散的になるように一定の間隔をもって走査される場合が多い。図１７（ｂ）は、基準マーク１０１と、電子線または紫外線１１０によるスキャン痕１１１、１１２、１１３および１１４を例示した平面模式図である。なお、基準マークを検出する工程として、そもそもの基準マークの存在を検出するための粗検出（粗スキャン）と、粗検出の後に基準マークの基準点を検出するための精密検出（精密スキャン）とがある。ここでいう、「スキャン痕」とは、粗スキャンによりできた痕および精密スキャンによりできた痕のいずれでもよく両方でもよい。
スキャン痕１１２、１１３は、Ｘ軸方向に平行な直線であり、基準マーク１０１のＹ軸に平行な直線と交わる。基準マーク１０１のＹ軸に平行な直線の幅方向両端は、それぞれ、スキャン痕１１２と交点Ｘ１ａ、Ｘ１ｂで交わり、別のスキャン痕１１３と交点Ｘ２ａ、Ｘ２ｂで交わる。
また、スキャン痕１１１、１１４は、Ｙ軸方向に平行な直線であり、基準マーク１０１のＸ軸に平行な直線と交わる。基準マーク１０１のＸ軸に平行な直線の幅方向両端は、それぞれ、スキャン痕１１１と交点Ｙ１ａ、Ｙ１ｂで交わり、別のスキャン痕１１４と交点Ｙ２ａ、Ｙ２ｂで交わる。
このように、電子線または紫外線１１０を用いて、Ｙ方向の位置を変えてＸ軸方向に沿う走査をＮ回（Ｎは、２以上の整数）行うと共に、Ｘ軸方向の位置を変えてＹ軸方向に沿う走査をＭ回（Ｍは、２以上の整数）行う。各走査により、基準マーク１０１の直線の幅方向両端の位置を検出する。ここで、Ｘ軸方向に沿ってｉ回目の走査（１≦ｉ≦Ｎ）を実施したときの、基準マーク１０１のＹ軸方向に平行な直線の幅方向両端の位置をそれぞれ、Ｘｉａ，Ｘｉｂとすると、ｉ回目の走査における基準マーク１０１のＹ軸方向に平行な直線の中心位置Ｘｉｃは、
Ｘｉｃ＝（Ｘｉａ＋Ｘｉｂ）／２ ・・・ （１）
で表される。
Ｘｉｃ＝（Ｘｉａ＋Ｘｉｂ）／２ ・・・ （１）
で表される。
また、Ｙ軸方向に沿ってｊ回目の走査（１≦ｊ≦Ｍ）を実施したときの、基準マーク１０１のＸ軸方向に平行な直線の幅方向両端の位置をそれぞれ、Ｙｊａ，Ｙｊｂとすると、ｊ回目の走査における基準マーク１０１のＸ軸方向に平行な直線の中心位置Ｙｊｃは、
Ｙｊｃ＝（Ｙｊａ＋Ｙｊｂ）／２ ・・・ （２）
で表される。
Ｙｊｃ＝（Ｙｊａ＋Ｙｊｂ）／２ ・・・ （２）
で表される。
ここで、Ｘ軸方向に沿ってＮ回走査をしたときの、Ｙ軸方向に平行な直線の平均中心位置Ｘｃと、Ｙ軸方向に沿ってＭ回走査をしたときの、Ｘ軸方向に平行な直線の平均中心位置Ｙｃは、それぞれ、下記の式（３ａ）、式（３ｂ）で計算できる。そして、ここで求められる、座標（Ｘｃ，Ｙｃ）が、基準マークの基準点（基準位置）となる。
この場合、レジスト膜付きＥＵＶマスクブランクのマスクパターン領域内において所定のマスクパターンを電子線等で描画して（化学増幅型）レジストを現像し、吸収層をエッチングし、残留レジストを剥離してＥＵＶマスクを作製すると、基準マーク１０１付近が複雑な構造となる。例えば、基準マーク１０１のうち、基準マーク１０１とスキャン痕１１１、１１２、１１３および１１４と、が重なる部分と、重ならない部分と、の間に段差ができる。そうすると、作製したＥＵＶマスクのマスクパターン検査（照合）をする検査機で、ＥＵＶマスク上に形成された基準マークの位置および十字の交点を、ＥＵＶ光、紫外光、電子線等の走査または、画像認識によって検出する際に、スキャン痕に基づく段差の影響により基準マークの検出感度が低下してしまい、マスクパターン検査の精度が低下するおそれがある。
本発明は、とくに、ＥＵＶマスクのマスクパターンの検査において、マスクパターン領域内に存在する欠点の位置を特定するための基準位置を示す基準マークの検出感度を高めることができる、レジスト膜付きＥＵＶＬ用反射型マスクブランクおよびその製造方法、ならびにＥＵＶＬ用反射型マスクおよびその製造方法の提供を目的とする。
上記課題を解決するため、本発明の第１の態様によれば、
基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、前記反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層と、を有し、マスクパターン領域よりも外側の領域に、平面視で少なくとも２本の線によって形成される凹状または凸状の基準マークを３ヶ所以上形成してなり、前記基準マークを形成する各線は１つの交点において交わる複数本の仮想線のいずれかに沿って配置され、各仮想線に沿って少なくとも１本の線が配置されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクを準備する、基準マーク付きＥＵＶマスクブランク準備工程と、
前記基準マークを有するＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク上にレジスト膜を形成する、レジスト膜形成工程と、
前記レジスト膜上から、電子線または紫外線を走査して前記交点に相当する基準位置を検出する、基準位置検出工程と、
前記基準マークの線の幅の最大値をＷとすると、前記レジスト膜のうち、平面視で前記基準位置を中心点とした半径１．５Ｗの円領域を含む領域を電子線または紫外線で露光する、基準マーク中心領域露光工程と、
を有する、レジスト膜付きＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法が提供される。
基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、前記反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層と、を有し、マスクパターン領域よりも外側の領域に、平面視で少なくとも２本の線によって形成される凹状または凸状の基準マークを３ヶ所以上形成してなり、前記基準マークを形成する各線は１つの交点において交わる複数本の仮想線のいずれかに沿って配置され、各仮想線に沿って少なくとも１本の線が配置されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクを準備する、基準マーク付きＥＵＶマスクブランク準備工程と、
前記基準マークを有するＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク上にレジスト膜を形成する、レジスト膜形成工程と、
前記レジスト膜上から、電子線または紫外線を走査して前記交点に相当する基準位置を検出する、基準位置検出工程と、
前記基準マークの線の幅の最大値をＷとすると、前記レジスト膜のうち、平面視で前記基準位置を中心点とした半径１．５Ｗの円領域を含む領域を電子線または紫外線で露光する、基準マーク中心領域露光工程と、
を有する、レジスト膜付きＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法が提供される。
また、本発明の第２の態様によれば、
基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、前記反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層と、を有し、マスクパターン領域よりも外側の領域に、平面視で少なくとも２本の線によって形成される凹状または凸状の基準マークを３ヶ所以上形成してなり、前記基準マークを形成する各線は１つの交点において交わる複数本の仮想線のいずれかに沿って配置され、各仮想線に沿って少なくとも１本の線が配置されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクを準備する、基準マーク付きＥＵＶマスクブランク準備工程と、
前記基準マークを有するＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク上にレジスト膜を形成する、レジスト膜形成工程と、
前記レジスト膜上から、電子線または紫外線を走査して前記交点に相当する基準位置を検出する、基準位置検出工程と、
前記基準マークの線の幅の最大値をＷとすると、前記レジスト膜のうち、平面視で前記基準位置を中心点とした半径１．５Ｗの円領域を含む領域を電子線または紫外線で露光する、基準マーク中心領域露光工程と、
前記レジスト膜を現像し、前記吸収層をエッチングし、前記レジスト膜のうち残留したレジストを剥離する工程を含む、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクの製造方法が提供される。
基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、前記反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層と、を有し、マスクパターン領域よりも外側の領域に、平面視で少なくとも２本の線によって形成される凹状または凸状の基準マークを３ヶ所以上形成してなり、前記基準マークを形成する各線は１つの交点において交わる複数本の仮想線のいずれかに沿って配置され、各仮想線に沿って少なくとも１本の線が配置されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクを準備する、基準マーク付きＥＵＶマスクブランク準備工程と、
前記基準マークを有するＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク上にレジスト膜を形成する、レジスト膜形成工程と、
前記レジスト膜上から、電子線または紫外線を走査して前記交点に相当する基準位置を検出する、基準位置検出工程と、
前記基準マークの線の幅の最大値をＷとすると、前記レジスト膜のうち、平面視で前記基準位置を中心点とした半径１．５Ｗの円領域を含む領域を電子線または紫外線で露光する、基準マーク中心領域露光工程と、
前記レジスト膜を現像し、前記吸収層をエッチングし、前記レジスト膜のうち残留したレジストを剥離する工程を含む、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクの製造方法が提供される。
また、本発明の第３の態様によれば、
基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、前記反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層と、マスクパターン領域の欠点位置を特定する、凹状または凸状の基準マークと、を有するＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの上にレジスト膜を有する、レジスト膜付きＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、
前記基準マークは、前記マスクパターン領域よりも外側の領域の３ヶ所以上に位置し、平面視で少なくとも２本の線によって形成され、前記基準マークを形成する各線は１つの交点において交わる複数本の仮想線のいずれかに沿って配置され、各仮想線に沿って少なくとも１本の線が配置され、
前記基準マークの線の幅の最大値をＷとすると、前記レジスト膜のうち、平面視で前記交点に相当する基準位置を中心点とした半径１．５Ｗの円領域を含む領域が、露光されてなる感光部である、レジスト膜付きＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクが提供される。
基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、前記反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層と、マスクパターン領域の欠点位置を特定する、凹状または凸状の基準マークと、を有するＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの上にレジスト膜を有する、レジスト膜付きＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、
前記基準マークは、前記マスクパターン領域よりも外側の領域の３ヶ所以上に位置し、平面視で少なくとも２本の線によって形成され、前記基準マークを形成する各線は１つの交点において交わる複数本の仮想線のいずれかに沿って配置され、各仮想線に沿って少なくとも１本の線が配置され、
前記基準マークの線の幅の最大値をＷとすると、前記レジスト膜のうち、平面視で前記交点に相当する基準位置を中心点とした半径１．５Ｗの円領域を含む領域が、露光されてなる感光部である、レジスト膜付きＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクが提供される。
また、本発明の第４の態様によれば、
基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、前記反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層と、前記反射層と前記吸収層との間に前記吸収層へのパターン形成時に前記反射層を保護する保護層と、マスクパターン領域の欠点陥位置を特定するための、凹状の基準マークと、を有する、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクであって、
前記基準マークは、前記マスクパターン領域よりも外側の領域の３ヶ所以上に位置し、平面視で少なくとも２本の線によって形成され、前記基準マークを形成する各線は１つの交点において交わる複数本の仮想線のいずれかに沿って配置され、各仮想線に沿って少なくとも１本の線が配置され、
前記基準マークの線の幅の最大値をＷとすると、平面視で前記交点に相当する基準位置を中心点とした半径１．５Ｗの円領域のうち、凹状となる前記基準マークの表面が前記反射層であり、前記基準マーク以外の表面が前記保護層である、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクが提供される。
基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、前記反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層と、前記反射層と前記吸収層との間に前記吸収層へのパターン形成時に前記反射層を保護する保護層と、マスクパターン領域の欠点陥位置を特定するための、凹状の基準マークと、を有する、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクであって、
前記基準マークは、前記マスクパターン領域よりも外側の領域の３ヶ所以上に位置し、平面視で少なくとも２本の線によって形成され、前記基準マークを形成する各線は１つの交点において交わる複数本の仮想線のいずれかに沿って配置され、各仮想線に沿って少なくとも１本の線が配置され、
前記基準マークの線の幅の最大値をＷとすると、平面視で前記交点に相当する基準位置を中心点とした半径１．５Ｗの円領域のうち、凹状となる前記基準マークの表面が前記反射層であり、前記基準マーク以外の表面が前記保護層である、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクが提供される。
本発明に係るレジスト膜付きＥＵＶＬ用反射型マスクブランクおよびその製造方法、ならびにＥＵＶＬ用反射型マスクおよびその製造方法は、とくに、ＥＵＶマスクを作製後のＥＵＶマスク検査工程において、高い精度で基準マークの位置を検出でき、高い精度で作製したＥＵＶマスクの検査が実現できる効果を奏する。
（ＥＵＶマスクブランクの構造）
図１は、ＥＵＶマスクブランク１０の構造を示す断面模式図である。ＥＵＶマスクブランク１０は、基板１１上に、ＥＵＶ光を反射する反射層１２、反射層１２上にＥＵＶ光を吸収する吸収層１４がこの順に積層された構成をなす。また、反射層１２と吸収層１４との間に、吸収層１４のエッチングに対して反射層１２を保護するための保護層１３が形成されてもよい。さらに、吸収層１４上にマスクパターンの検査に使用する検査光（例えば、２５７ｎｍの光）に対して低反射特性を示す低反射層１５が形成されてもよい。
図１は、ＥＵＶマスクブランク１０の構造を示す断面模式図である。ＥＵＶマスクブランク１０は、基板１１上に、ＥＵＶ光を反射する反射層１２、反射層１２上にＥＵＶ光を吸収する吸収層１４がこの順に積層された構成をなす。また、反射層１２と吸収層１４との間に、吸収層１４のエッチングに対して反射層１２を保護するための保護層１３が形成されてもよい。さらに、吸収層１４上にマスクパターンの検査に使用する検査光（例えば、２５７ｎｍの光）に対して低反射特性を示す低反射層１５が形成されてもよい。
なお、本明細書において、例えば「反射層上の吸収層」のように「Ａ上のＢ」という表現をする場合、ＡとＢとが隣接してなる構成に限らず、ＡとＢとの間に別の機能層を有する構成も含まれる。つまり、「反射層上の吸収層」を例とする場合、反射層の上に吸収層が隣接して積層された構成だけでなく、反射層と吸収層との間に別の機能層を有する構成も含まれることを意味する。また、ＥＵＶマスクブランク１０は、ＥＵＶマスクブランクの分野において公知の機能層を有してもよい。例えば、基板１１の裏面側に、ＥＵＶマスクブランクの静電チャッキングを促すために、シート抵抗が１００Ω／□以下となる導電性コーティング層を設けてもよい。この場合、導電性コーティング層は、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法等の公知の方法で形成すればよい。以下、ＥＵＶマスクブランク１０を構成する各要素について説明する。
（基板）
基板１１は、ＥＵＶマスクブランクに用いられる基板として、熱膨張係数が低く、平滑性、平坦性に優れ、さらに、表面の欠点ができるだけ存在しないことが要求される。具体的に、常温付近（２３℃〜２５℃）における熱膨張係数は、−０．０５×１０−７／℃〜＋０．０５×１０−７／℃の範囲であれば好ましく、−０．０３×１０−７／℃〜＋０．０３×１０−７／℃の範囲であればより好ましい。上記の熱膨張係数を有する材料としては、例えば、ＳｉＯ２−ＴｉＯ２系ガラス等が好ましく使用できるが、これに限定されず、β石英固溶体を析出した結晶化ガラスや石英ガラスやシリコンや金属等も使用できる。
基板１１は、ＥＵＶマスクブランクに用いられる基板として、熱膨張係数が低く、平滑性、平坦性に優れ、さらに、表面の欠点ができるだけ存在しないことが要求される。具体的に、常温付近（２３℃〜２５℃）における熱膨張係数は、−０．０５×１０−７／℃〜＋０．０５×１０−７／℃の範囲であれば好ましく、−０．０３×１０−７／℃〜＋０．０３×１０−７／℃の範囲であればより好ましい。上記の熱膨張係数を有する材料としては、例えば、ＳｉＯ２−ＴｉＯ２系ガラス等が好ましく使用できるが、これに限定されず、β石英固溶体を析出した結晶化ガラスや石英ガラスやシリコンや金属等も使用できる。
また、基板１１に求められる平滑性および平坦性は、具体的に、表面粗さが、ＪＩＳ−Ｂ０６０１の日本工業規格において０．１５ｎｍ ｒｍｓ以下であって、平坦度が１００ｎｍ以下である。これらの範囲を満足することで、ＥＵＶマスクを作製したときのＥＵＶ光によるパターンの転写精度が高められるので好ましい。また、基板１１の大きさや厚さ等はＥＵＶマスクブランクの設計値等により適宜決定されるが、一例を挙げると外形約６インチ（１５２ｍｍ）角で、厚さ約０．２５インチ（６．３５ｍｍ）である。
とくに、基板１１のうち、反射層１２が形成される側の面（「主表面」という場合もある。）には、欠点が存在しないことが好ましいが、存在している場合でも、位相欠点が生じない程度の大きさに収まればよい。具体的には、主表面における凹状の欠点の深さおよび凸状の欠点の高さが２ｎｍ以下であって、かつ、該凹状の欠点および該凸状の欠点の半値幅が６０ｎｍ以下の表面状態が好ましい。また、基板１１は、主表面に限らず、主表面とは反対側の面（「裏面」という場合もある。）や側面等の表面にも、反射層等の形成時にパーティクル等が原因による欠点を発生させないように、できるだけ平坦性、平滑性の確保が要求される。
（反射層）
反射層１２は、ＥＵＶ光が照射されたときに高い反射率を示す特性が要求される。具体的な特性として、波長が１３．５ｎｍ程度のＥＵＶ光を照射したときに得られる反射率の最大値は、６０％以上が好ましく、６３％以上がより好ましく、６５％以上がさらに好ましい。なお、ここでいう反射率とは、ＥＵＶ光を反射層１２の表面に対して法線方向から６度傾斜させた方向から入射させたときの反射率強度として求められる。この角度の条件は、ＥＵＶ光を用いる反射光学系の露光システムにおいて、ＥＵＶ光がＥＵＶマスク表面の法線方向から６度傾斜させた方向から主に入射されることに基づく。
反射層１２は、ＥＵＶ光が照射されたときに高い反射率を示す特性が要求される。具体的な特性として、波長が１３．５ｎｍ程度のＥＵＶ光を照射したときに得られる反射率の最大値は、６０％以上が好ましく、６３％以上がより好ましく、６５％以上がさらに好ましい。なお、ここでいう反射率とは、ＥＵＶ光を反射層１２の表面に対して法線方向から６度傾斜させた方向から入射させたときの反射率強度として求められる。この角度の条件は、ＥＵＶ光を用いる反射光学系の露光システムにおいて、ＥＵＶ光がＥＵＶマスク表面の法線方向から６度傾斜させた方向から主に入射されることに基づく。
このように、ＥＵＶ光に対して高い反射率を得るために、反射層１２は、ＥＵＶ光に対して高い屈折率を示す高屈折率層と、ＥＵＶ光に対して低い屈折率を示す低屈折率層と、を交互に複数回積層させた多層反射膜が好ましく用いられる。とくに、高屈折率層としてＳｉ層、低屈折率層としてＭｏ層からなる、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜が好ましく用いられる。また、反射層１２は、このＭｏ／Ｓｉ多層反射膜に限らず、Ｒｕ／Ｓｉ多層反射膜、Ｍｏ／Ｂｅ多層反射膜、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物多層反射膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ多層反射膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ多層反射膜、Ｓｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ多層反射膜も使用できる。
また、反射層１２を構成する多層反射膜の最上層は、反射膜が酸化されないような材料を選択するとよく、この機能を有するキャップ層としては、具体的にＳｉ層が挙げられる。そして、反射層１２がＭｏ／Ｓｉ多層反射膜の場合、最上層をＳｉ層とすることが好ましい。なお、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜は、周知の成膜方法として、例えば、イオンビームスパッタリング法やマグネトロンスパッタリング法等の成膜方法を利用できる。各成膜方法においては、スパッタリングガス、ガス圧、成膜速度やスパッタリングターゲット等を適宜選択して、Ｍｏ層およびＳｉ層の各層を交互に、所定の繰り返し数だけ成膜すればよい。なお、本明細書において、「反射層１２」は、「多層反射膜１２」と表現する場合もある。
（保護層）
保護層１３は、吸収層１４または、吸収層１４および低反射層１５に対してパターンを形成する際のエッチングプロセスにおいて、反射層１２の損傷を防ぐために設けられる。そのため、保護層１３は、吸収層１４をエッチングするときに、吸収層１４に対するエッチング速度よりも遅く、かつ、エッチングプロセスにおいて損傷しにくい材料が好ましく用いられる。保護層１３としては、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔａおよびこれらの窒化物、ＲｕおよびＲｕ化合物、ならびにＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３やこれらの混合物およびこれら各化合物を積層したものが例示できる。これらの中でも、ＲｕおよびＲｕ化合物、ＣｒＮおよびＳｉＯ２が好ましく、ＲｕおよびＲｕ化合物がより好ましい。なお、Ｒｕ化合物としては、ＲｕＢ、ＲｕＳｉ等が例示できる。
保護層１３は、吸収層１４または、吸収層１４および低反射層１５に対してパターンを形成する際のエッチングプロセスにおいて、反射層１２の損傷を防ぐために設けられる。そのため、保護層１３は、吸収層１４をエッチングするときに、吸収層１４に対するエッチング速度よりも遅く、かつ、エッチングプロセスにおいて損傷しにくい材料が好ましく用いられる。保護層１３としては、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔａおよびこれらの窒化物、ＲｕおよびＲｕ化合物、ならびにＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３やこれらの混合物およびこれら各化合物を積層したものが例示できる。これらの中でも、ＲｕおよびＲｕ化合物、ＣｒＮおよびＳｉＯ２が好ましく、ＲｕおよびＲｕ化合物がより好ましい。なお、Ｒｕ化合物としては、ＲｕＢ、ＲｕＳｉ等が例示できる。
また、保護層１３を有するＥＵＶマスクブランクの場合、保護層１３表面でのＥＵＶ光の反射率が高いことが要求される。具体的な特性として、波長が１３．５ｎｍ程度のＥＵＶ光を照射したときに得られる反射率の最大値は、６０％以上が好ましく、６３％以上がより好ましく、６５％以上がさらに好ましい。このようなＥＵＶ光に対する反射率を実現する上で、保護層１３は、ＲｕまたはＲｕ化合物が好ましく、そのときの厚さが１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲であればよく、１ｎｍ〜５ｎｍの範囲であれば好ましく、１．５ｎｍ〜４ｎｍの範囲であればより好ましい。なお、保護層１３は、周知の成膜方法として、例えば、イオンビームスパッタリング法やマグネトロンスパッタリング法等の成膜方法を利用できる。各成膜方法においては、スパッタリングガス、ガス圧、成膜速度やスパッタリングターゲット等を適宜選択して、所定の厚さになるよう成膜すればよい。
（吸収層）
吸収層１４は、ＥＵＶ光が照射されたときに、高い光吸収特性（低い反射率）を示すことが要求される。つまり、ＥＵＶマスクとしたとき、ＥＵＶ光を照射して、反射層１２で高い反射率（６０％以上）が得られるのに対して、吸収層１４で低い反射率が得られることで、高いコントラストが実現できる。具体的に、ＥＵＶ光を照射したときの吸収層１４表面での反射率は、０．１％〜１５％程度であるが、例えば、吸収層１４表面での反射率が１５％程度と比較的高めであっても、ＥＵＶ光に対する、反射層１２表面での反射光と吸収層１４表面での反射光と、の位相差を１７５度〜１８５度程度に設計すれば、位相効果を利用して高いコントラストが実現できる。
吸収層１４は、ＥＵＶ光が照射されたときに、高い光吸収特性（低い反射率）を示すことが要求される。つまり、ＥＵＶマスクとしたとき、ＥＵＶ光を照射して、反射層１２で高い反射率（６０％以上）が得られるのに対して、吸収層１４で低い反射率が得られることで、高いコントラストが実現できる。具体的に、ＥＵＶ光を照射したときの吸収層１４表面での反射率は、０．１％〜１５％程度であるが、例えば、吸収層１４表面での反射率が１５％程度と比較的高めであっても、ＥＵＶ光に対する、反射層１２表面での反射光と吸収層１４表面での反射光と、の位相差を１７５度〜１８５度程度に設計すれば、位相効果を利用して高いコントラストが実現できる。
吸収層１４は、ＥＵＶ光に対して高い吸収係数を示す材料で構成すればよく、例えば、タンタル（Ｔａ）を主成分とする材料、クロム（Ｃｒ）を主成分とする材料、パラジウム（Ｐｄ）を主成分とする材料を用いることが好ましい。ここで、タンタル（Ｔａ）を主成分とする材料とは、吸収層１４におけるＴａの含有率が４０ａｔ％以上となる材料を指す。また、吸収層１４が、Ｔａを主成分とする材料で構成される場合、Ｔａの含有率は、５０ａｔ％以上が好ましく、５５ａｔ％以上がより好ましい。
また、クロム（Ｃｒ）を主成分とする材料とは、吸収層１４におけるＣｒの含有率が４０ａｔ％以上となる材料を指し、この場合、吸収層１４のＣｒの含有率は、５０ａｔ％以上が好ましく、５５ａｔ％以上がより好ましい。さらに、パラジウム（Ｐｄ）を主成分とする材料とは、吸収層１４におけるＰｄの含有率が４０ａｔ％以上となる材料を指し、この場合、吸収層１４のＰｄの含有率は、５０ａｔ％以上が好ましく、５５ａｔ％以上がより好ましい。
吸収層１４を構成する、Ｔａを主成分とする材料は、Ｔａ以外にハフニウム（Ｈｆ）、ケイ素（Ｓｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ホウ素（Ｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、クロム（Ｃｒ）、水素（Ｈ）および窒素（Ｎ）のうち少なくとも１成分を含有することが好ましい。Ｔａ以外の上記の元素を含有する材料の具体例としては、ＴａＮ、ＴａＮＨ、ＴａＨｆ、ＴａＨｆＮ、ＴａＢＳｉ、ＴａＢＳｉＮ、ＴａＢ、ＴａＢＮ、ＴａＳｉ、ＴａＳｉＮ、ＴａＧｅ、ＴａＧｅＮ、ＴａＺｒ、ＴａＺｒＮ、ＴａＰｄ、ＴａＰｄＮ、ＴａＣｒ、ＴａＣｒＮなどが挙げられる。
また、吸収層１４を構成する、Ｃｒを主成分とする材料は、Ｃｒ以外に、ハフニウム（Ｈｆ）、ケイ素（Ｓｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ホウ素（Ｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、水素（Ｈ）および窒素（Ｎ）のうち少なくとも１成分を含有することが好ましい。Ｃｒ以外の上記の元素を含有する材料の具体例としては、ＣｒＮ、ＣｒＮＨ、ＣｒＨｆ、ＣｒＨｆＮ、ＣｒＢＳｉ、ＣｒＢＳｉＮ、ＣｒＢ、ＣｒＢＮ、ＣｒＳｉ、ＣｒＳｉＮ、ＣｒＧｅ、ＣｒＧｅＮ、ＣｒＺｒ、ＣｒＺｒＮ、ＣｒＰｄ、ＣｒＰｄＮ、ＣｒＴａ、ＣｒＴａＮなどが挙げられる。
さらに、吸収層１４を構成する、Ｐｄを主成分とする材料には、Ｐｄ以外に、ハフニウム（Ｈｆ）、ケイ素（Ｓｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ホウ素（Ｂ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、水素（Ｈ）および窒素（Ｎ）のうち少なくとも１成分を含有することが好ましい。Ｐｄ以外の上記の元素を含有する材料の具体例としては、ＰｄＮ、ＰｄＮＨ、ＰｄＨｆ、ＰｄＨｆＮ、ＰｄＢＳｉ、ＰｄＢＳｉＮ、ＰｄＢ、ＰｄＢＮ、ＰｄＳｉ、ＰｄＳｉＮ、ＰｄＧｅ、ＰｄＧｅＮ、ＰｄＺｒ、ＰｄＺｒＮ、ＰｄＣｒ、ＰｄＣｒＮ、ＰｄＴａ、ＰｄＴａＮなどが挙げられる。
また、吸収層１４の厚さは、２０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲であればよい。吸収層１４の厚さが２０ｎｍ未満であると、ＥＵＶ光に対して十分な吸収特性が得られず、位相効果を利用した場合であっても十分なコントラストが得られない。また、吸収層１４の厚さが１００ｎｍ超であると、ＥＵＶマスク作製時のパターン精度が悪化するとともに、反射系の露光システムにおいてＥＵＶマスクに斜入射（６度）のＥＵＶ光を照射するためパターンの転写精度が悪化するおそれがある。また、吸収層１４の厚さは、２０ｎｍ〜９５ｎｍの範囲が好ましく、２０ｎｍ〜９０ｎｍの範囲がより好ましい。なお、吸収層１４は、周知の成膜方法として、例えば、イオンビームスパッタリング法やマグネトロンスパッタリング法等の成膜方法を利用できる。各成膜方法においては、スパッタリングガス、ガス圧、成膜速度やスパッタリングターゲット等を適宜選択して、所定の厚さになるよう成膜すればよい。
吸収層１４の表面は、その表面粗さが大きいと、吸収層１４に形成するパターンのエッジラフネスが大きくなって、パターンの寸法精度が劣化するため、平滑性が要求される。具体的には、表面粗さが、０．５ｎｍ ｒｍｓ以下であればよく、０．４ｎｍ ｒｍｓ以下が好ましく、０．３ｎｍ ｒｍｓがより好ましい。このような平滑な表面を得るため、吸収層１４の結晶構造は、アモルファスであることが好ましい。
（低反射層）
低反射層１５は、吸収層１４のパターンを検査する検査光に対して、吸収層１４よりも低い反射率特性を示す層である。検査光としては、例えば、２５７ｎｍの波長の光が用いられることが多い。吸収層１４のマスクパターン形状等の検査は、吸収層１４がある部分と、吸収層１４がない部分とで検査光の反射率が異なることを利用して行われ、吸収層１４がない部分には、保護層１３が露出している場合が多い。また、吸収層１４がある部分に、低反射層１５が積層されていると、吸収層１４のある部分と、吸収層１４のない部分とで、検査光に対する反射率の差が大きくなるので、コントラストが向上するため、高い検査精度が得られる。なお、検査光の波長は、パターン寸法が小さくなるに伴い短波長側にシフトする傾向があり、将来的には１９３ｎｍ、さらには１３．５ｎｍにシフトすることも考えられる。検査光の波長が１３．５ｎｍである場合、吸収層１４上に低反射層１５を形成する必要はないと考えられる。
低反射層１５は、吸収層１４のパターンを検査する検査光に対して、吸収層１４よりも低い反射率特性を示す層である。検査光としては、例えば、２５７ｎｍの波長の光が用いられることが多い。吸収層１４のマスクパターン形状等の検査は、吸収層１４がある部分と、吸収層１４がない部分とで検査光の反射率が異なることを利用して行われ、吸収層１４がない部分には、保護層１３が露出している場合が多い。また、吸収層１４がある部分に、低反射層１５が積層されていると、吸収層１４のある部分と、吸収層１４のない部分とで、検査光に対する反射率の差が大きくなるので、コントラストが向上するため、高い検査精度が得られる。なお、検査光の波長は、パターン寸法が小さくなるに伴い短波長側にシフトする傾向があり、将来的には１９３ｎｍ、さらには１３．５ｎｍにシフトすることも考えられる。検査光の波長が１３．５ｎｍである場合、吸収層１４上に低反射層１５を形成する必要はないと考えられる。
低反射層１５は、検査光の波長に対する屈折率が、吸収層１４よりも低い材料で構成される。具体的には、Ｔａを主成分とする材料が挙げられる。また、Ｔａ以外にＨｆ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｂ、Ｎ、Ｈ、及びＯのうち少なくとも１種以上の元素を含有する。具体例としては、ＴａＯ、ＴａＯＮ、ＴａＯＮＨ、ＴａＢＯ、ＴａＨｆＯ、ＴａＨｆＯＮ、ＴａＢＳｉＯ、ＴａＢＳｉＯＮ、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等が挙げられる。
また、吸収層１４上に低反射層１５を成膜する場合、吸収層１４及び低反射層１５の厚さの合計は２０ｎｍ〜１００ｎｍが好ましく、２０ｎｍ〜９５ｎｍがより好ましく、２０ｎｍ〜９０ｎｍがさらに好ましい。また、低反射層１５の厚さが吸収層１４の厚さよりも厚いと、吸収層１４でのＥＵＶ光吸収特性が低下するおそれがあるので、低反射層１５の厚さは吸収層１４の厚さよりも薄いことが好ましい。このため、低反射層１５の厚さは１ｎｍ〜２０ｎｍが好ましく、２ｎｍ〜１５ｎｍがより好ましく、２ｎｍ〜１０ｎｍがさらに好ましい。なお、低反射層１５は、周知の成膜方法として、例えば、イオンビームスパッタリング法やマグネトロンスパッタリング法等の成膜方法を利用できる。各成膜方法においては、スパッタリングガス、ガス圧、成膜速度やスパッタリングターゲット等を適宜選択して、所定の厚さになるよう成膜すればよい。また、吸収層１４の表面に自然にできる自然酸化膜を利用してもよい。
（基準マーク）
次に、ＥＵＶマスクブランク１０に形成する基準マークについて説明する。前述のように、主に、反射層（多層反射膜）１２を形成する途中で異物が混入したり、基板１１表面に欠点が存在したりすると、反射層１２にも欠点が生じるが、基準マークはこれら欠点の位置を特定するための基準位置を決める目的で用いられる。基準マークは、基板１１表面に凹状または凸状に形成してもよく、反射層１２と吸収層１４との間に形成される一の層または、低反射層１５を有する場合、反射層１２と低反射層１５との間に形成される一の層の表面に断面形状が凹状または凸状に形成してもよい。なお、本実施形態では、主に、反射層１２に断面形状が凹状の基準マークを形成する場合について説明する。
次に、ＥＵＶマスクブランク１０に形成する基準マークについて説明する。前述のように、主に、反射層（多層反射膜）１２を形成する途中で異物が混入したり、基板１１表面に欠点が存在したりすると、反射層１２にも欠点が生じるが、基準マークはこれら欠点の位置を特定するための基準位置を決める目的で用いられる。基準マークは、基板１１表面に凹状または凸状に形成してもよく、反射層１２と吸収層１４との間に形成される一の層または、低反射層１５を有する場合、反射層１２と低反射層１５との間に形成される一の層の表面に断面形状が凹状または凸状に形成してもよい。なお、本実施形態では、主に、反射層１２に断面形状が凹状の基準マークを形成する場合について説明する。
図２は、多層反射膜からなる反射層１２上に形成された基準マーク１６の位置および平面視での形状を例示した、ＥＵＶマスクブランク１０の平面模式図であって、基準マーク１６は、実際のマスクパターン領域１８（例えば、１３２ｍｍ×１３２ｍｍの領域）より外側の領域に位置する。また、反射層１２に凹状の基準マークを形成するときは、反射層１２の最表面に反射層１２の一部を削除して凹状の基準マーク１６を形成してもよく、反射層１２上に保護層１３を有する場合、保護層１３表面から（保護層１３を貫通して）反射層１２の一部を削除するように基準マーク１６を形成してもよい。なお、図２において、４点の基準マーク１６は、それぞれの位置関係を具体的に示す場合、基準マーク１６ａ、１６ｂ、１６ｃおよび１６ｄ、と表現して説明する。
また、図２では、４点の基準マーク１６は同じ十字の形状を示しているが、ＥＵＶマスクブランク１０の４隅に位置する、基準マーク１６ａ、１６ｂ、１６ｃおよび１６ｄのうち、少なくとも１ヶ所の基準マークを、他の基準マークの形状と異なる形状にしてもよい。また、図２では、４点の基準マーク１６は、基板の中央に対して回転対称な位置としているが、４点の基準マーク１６がいずれも同じ形状であって、少なくとも１ヶ所の基準マークを、他の基準マークと対称な位置からずらした位置に形成させてもよい。この場合、基準マークは、ＥＵＶマスクブランクの欠点位置を特定するために活用できるだけでなく、ＥＵＶマスクブランク、ＥＵＶマスクそのものの回転位置の確認としても併せて活用できる。図２に示す基準マーク１６ａ、１６ｂ、１６ｃおよび１６ｄは、いずれも、同じ十字形状で示したが、例えば、基準マーク１６ｄの形状を他と異なる形状とし、ＥＵＶマスクブランク１０の回転位置として、基準マーク１６ｄが右上に位置する状態が正常な状態として確認してもよい。この場合も、基準マーク１６ｄは、交点を有する形状が好ましく、例えば、２つの直線の長さが異なって交差するような形状等が挙げられる。
尚、本実施形態の基準マークは十字形状であるが、基準マークの形状は特に限定されない。基準マークは平面視で少なくとも２本の線によって形成され、基準マークを形成する各線は１つの交点において交わる複数本の仮想線のいずれかに沿って配置され、各仮想線に沿って少なくとも１本の線が配置されればよい。基準マークは、図２に示す基準マーク１６や図１７に示す基準マーク１０１のように、平面視にて明示的な交点を有するものに限らない。
例えば図１８（ａ）および図１８（ｂ）に示す変形例の基準マーク２０１は、それぞれ独立した、線状の補助マーク２０１ａ、２０１ｂ、２０１ｃおよび２０１ｄを含む。平面視において、互いに交わる２つの仮想線として「仮想線Ａ」と「仮想線Ｂ」とを与えたとき、補助マーク２０１ａおよび補助マーク２０１ｃが仮想線Ａに沿って配置され、補助マーク２０１ｂおよび補助マーク２０１ｄが仮想線Ｂに沿って配置される。また、仮想線は、補助マークに沿って延長した線とも言える。なお、仮想線は、平面視において直線が好ましい。
図１８（ａ）および図１８（ｂ）中の破線は、これらの補助マークに沿った、２本の仮想線を示したものである。基準マーク２０１は、平面視で互いに交わらない補助マークの群で形成される。これら補助マークの群に沿った複数の仮想線は、１つの交点において交わる。この場合、１つの仮想線上に沿って配置される複数の補助マークの幅は、互いに等しいことが好ましい。
また、図１９（ａ）および図１９（ｂ）に示す変形例の基準マーク３０１は、線状の補助マーク３０１ａ、３０１ｂおよび３０１ｃを含む。平面視において、１つの仮想線に沿って配置される補助マーク３０１ａと交わる他の１つの仮想線として「仮想線Ａ」を与えたとき、補助マーク３０１ｂおよび補助マーク３０１ｃが仮想線Ａに沿って配置される。
図１９（ａ）および図１９（ｂ）中の破線は、補助マーク３０１ｂと補助マーク３０１ｃに沿った仮想線である仮想線Ａを示したものである。基準マーク３０１は、平面視で互いに交わらない補助マークの群で形成される。これら補助マークの群に沿った仮想線と、１つの線（補助マーク３０１ａ）とは、１つの交点において交わる。この場合、１つの仮想線上に沿って配置される複数の補助マークの幅は、互いに等しいことが好ましい。
さらに、図２０（ａ）および図２０（ｂ）に示す変形例の基準マーク４０１は、線状の補助マーク４０１ａ、４０１ｂ、４０１ｃおよび４０１ｄと、平面視にてこれらの補助マークと接続するように備えられた広域マーク４０２と、を含む。広域マーク４０２の幅は、これら補助マークの幅よりも広い。そして、平面視において、互いに交わる２つの仮想線として「仮想線Ａ」と「仮想線Ｂ」とを与えたとき、補助マーク４０１ａおよび補助マーク４０１ｃが仮想線Ａに沿って配置され、補助マーク４０１ｂおよび補助マーク４０１ｄが仮想線Ｂに沿って配置される。基準マーク４０１における仮想線は補助マークに沿って延長した線でもあり、仮想線は平面視において直線が好ましい。
図２０（ａ）および図２０（ｂ）中の破線は、これらの補助マークに沿った、２本の仮想線を示したものである。基準マーク４０１は平面視で明示的な交点を有さない。これら補助マークの群に沿った複数の仮想線は１つの交点において交わり、その交点は広域マーク４０２の中に位置する。この場合、１つの線上に沿って配置される複数の補助マークの幅は、互いに等しいことが好ましい。
図１８〜図２０に示す変形例の基準マークは、平面視で明示的な交点を有さないが、平面視で明示的な交点を有する基準マーク（例えば十字形状の基準マーク）と同様に、ＥＵＶマスク作製後のＥＵＶマスク検査工程において、高い精度で基準位置を検出できる。以降、代表的に、十字形状の基準マークに基づいて説明する。
なお、本明細書では、基準マークについて、ＥＵＶマスクブランク１０を作製する過程で形成されるマーク、ＥＵＶマスクブランク１０におけるマーク、そして、後述するＥＵＶマスク３０におけるマークのいずれの場合についても、「基準マーク」として説明する。そして、ＥＵＶマスクブランク１０の作製過程で、例えば、反射層１２に形成される基準マークは、該基準マーク上に成膜される層（例えば、吸収層１４、低反射層１５）に転写され、反射型マスクブランク１０の基準位置を特定する基準マークとなる。なお、転写された基準マークは、最初に形成される基準マークと略同じ寸法形状を有する。そして、基準マークから基準位置を検出し、記録媒体に予め記録された情報を参照することで、反射層（多層反射膜）１２の欠点の位置を特定できる。
基準マークは、用途に応じた形状に形成できる。例えば、図２に示すように、基準マーク１６ａ、１６ｂ、１６ｃおよび１６ｄは、平面視にて（基準マーク１６ａ、１６ｂ、１６ｃおよび１６ｄの形成面と直交する方向から見て）十字形状に形成されている。この場合、１つの直線状部分の中心線と、残りの直線状部分の中心線との交点が、実際の基準点（基準位置）となる。なお、十字形状は、典型的に交差する２つの線の角度が略直交であって長さが略等しい形状が挙げられるが、これに限らず、２つの線の長さが異なってできる形状も含める。また、基準マークはとくに、その形状から基準位置を特定できることが重要であり、十字形状のように、２本以上の線の交点を基準位置として特定できる形状が好ましい。また、Ｌ字形状であってもよい。このように、線の交点を基準位置として特定する基準マークの形状としては、この他に、２本の線の交差角度が直交ではない角度で交差する形状や、３本以上の線が交差して１つの交点を作る形状（「アスタリスク」のような形状を含む。）、交差する線のうち直線以外の線（曲線や波線等）が含まれる形状であってもよい。
基準マークは、低倍率の観察において検出可能なサイズが好ましく、そのサイズは、ＥＵＶマスクブランク１０の寸法公差等に応じて設定される。標準的な正方形状のＥＵＶマスクブランクの一辺（１５２．０ｍｍ）の寸法公差は±０．１ｍｍである。このＥＵＶマスクブランクを所定の装置（例えば電子線描画装置）にセットする際、例えばＥＵＶマスクブランクの二辺をピンに押し当てて位置決めを行う。このとき、ＥＵＶマスクブランク毎に基準マークの位置が±０．１ｍｍずれうる。そのため、位置を短時間で検出できるように、基準マークは低倍率の観察において検出可能なサイズが好ましい。寸法公差が±０．１ｍｍの場合、基準マークの平面視での面積は１μｍ２〜１．５ｍｍ２であることが好ましい。十字状の基準マークの各直線状部分は、例えば、０．２μｍ〜１０μｍの幅Ｗ、及び１０μｍ〜５５０μｍの長さＬを有し、この場合、基準マークの平面視での面積は、３．９６μｍ２〜１０９００μｍ２である。
尚、本実施形態の基準マークを形成する複数の線は、同じ幅を有するが、異なる幅を有してもよい。また、本実施形態の基準マークを形成する各線は、一定の線幅を有するが、途中で線幅を変えてもよい。本明細書において、幅Ｗは、基準マークを形成する線の幅の最大値を表す。
また、基準マーク１６は、図２に示す実際のマスクパターン領域１８（例えば、１３２ｍｍ×１３２ｍｍの領域）より外側の領域において、基準マークの形成面上に、同一直線上に配置されないように３つ以上形成される。そして、３つ以上の基準点のうち、１つの基準点が原点となり、原点と他の１つの基準点とを結ぶ直線がＸ軸となり、原点と残りの１つの基準点とを結ぶ直線がＹ軸となる。Ｘ軸及びＹ軸は、互いに直交していてよい。このようにして、ＸＹ座標系を用いて欠点の位置が特定される。
また、基準マークを、層の一部を削除して凹状の形状とする場合、その削除方法としては、レーザアブレーション法、ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）法、レジストのパターニングとエッチングを用いたリソグラフィ法、ナノインデンテーション法、マイクロマシーニング法（例えば、Ｒａｖｅ社製ｎｍ４５０を用いた機械的な微細加工法）などが用いられる。とくに、ＦＩＢ法やリソグラフィ法が好適に用いられる。この中でもＦＩＢ法で加工を行った場合、加工に用いる金属イオンにより反射層（多層反射膜）１２の底部の材質が変質し、材質によるコントラストが向上するために好適である。
さらに、基準マーク１６は、その断面形状を凹状とするとき、基準マークの形成面に対して所定の角度（５０°〜９０°）の段差面と、基準マークの形成面と略平行なオフセット面（内底面）を有することが好ましい。また、このとき、（凹状の）基準マークが、反射層（多層反射膜）１２の成膜後に形成される場合、エッジを鋭くできる。これに加えて、凹状の基準マークは、基準マークの周辺とは所定波長の光（反射層１２の検査光）に対する反射率が異なる。なお、検査光としては、ＥＵＶ光、紫外線光、可視光等が使用でき、これらの中でも、ＥＵＶ光は、多層反射膜からなる反射層１２の内部まで到達でき、内部まで検査できるので好ましい。
本実施形態の基準マーク１６は、その断面形状を凹状とするとき、多層反射膜からなる反射層１２の一部を削除して形成されるので、検査光としてＥＵＶ光を利用する場合、基準マーク周辺の多層反射膜１２に比べて、ＥＵＶ光に対する反射率が低くなる。その結果、基準マークとその周辺とのコントラストが高くなる。なお、基準マークの検査光に対する反射率と、基準マークの周辺の検査光に対する反射率の差（絶対値）は、０．２％以上が好ましく、０．５％以上がより好ましく、１．０％以上がさらに好ましい。
図３は、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜におけるＥＵＶ光反射率とＭｏ／Ｓｉペア数との関係を示す特性図である。図３において、Ｍｏ層の厚さは２．３ｎｍ±０．１ｎｍ、Ｓｉ層の厚さは４．５ｎｍ±０．１ｎｍ、ＥＵＶ光の波長は１３．５ｎｍである。図３に示すように、Ｍｏ層及びＳｉ層のペア数が少なくなるほど、ＥＵＶ光の反射率が低くなる。ここで、基準マークが、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の一部を削除して形成する場合、周辺とのコントラストを高めるため、基準マークは、Ｍｏ層／Ｓｉ層を１ペアとして２ペア以上削除して形成することが好ましく、５ペア以上削除して形成することがより好ましい。Ｍｏ層／Ｓｉ層のペアは約７ｎｍであるため、このとき形成される基準マークの深さは、前者の場合約１４ｎｍ以上、後者の場合約３５ｎｍ以上となる。この場合、基準マークはその周辺に比べてＥＵＶ光反射率が低くなる。なお、最終的に削除するペア数は、後述する、吸収層エッチング（Ｓ６）の工程において吸収層１４とともに反射層１２もエッチングする場合、その際に削除される（Ｍｏ／Ｓｉ）多層反射膜のペア数も併せて制御してもよい。
また、基準マークの形成面の種類に関係なく、基準マークの底部の材料は、基準マークを加工する際にＭｏ層とＳｉ層の両者が反応して形成されるＭｏＳｉ化合物でもよい。ＥＵＶ光の反射はＭｏ層とＳｉ層との間の屈折率の差によって生じるが、Ｍｏ層とＳｉ層の両者を反応してＭｏＳｉ化合物を形成すると、屈折率の差がなくなるので、基準マークのＥＵＶ光反射率をさらに低くできる。
また、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜において、ペア数が１０以上の場合、紫外線光や可視光の反射率は、主にＭｏ／Ｓｉ多層反射膜の光入射側の表面材料によって変わる。そのため、基準マークの形成面がＭｏ／Ｓｉ多層反射膜の表面の場合、周辺とのコントラストを高めるため、基準マークの底部の材料は、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層（基板側とは反対側の層）の材料と異なることが好ましい。例えば、多層反射膜の最上層がＳｉの場合、基準マークの底部の材料は、基準マークを加工する際にＭｏ層とＳｉ層の両者が反応して形成されるＭｏＳｉ化合物であってもよい。この場合、基準マークはその周辺に比べて紫外線光反射率や可視光反射率が低くなる。また基準マークの底部の材料は、基準マークを加工する際にＭｏ層あるいはＳｉ層が酸化、窒化、酸窒化して形成される、Ｍｏ、ＳｉあるいはＭｏＳｉ化合物の酸化物、窒化物、酸窒化物であってもよい。この場合、基準マークはその周辺に比べて紫外線光反射率や可視光反射率が低くなる。
また、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜において、ペア数が５以下の場合、可視光に対する反射率が高くなるので、ペア数が５以下の基準マークを形成してもよい。この場合、基準マークはその周辺に比べて可視光反射率が高くなる。また、紫外線光や可視光の反射率は、保護層１３（たとえばＲｕ）の有無によっても変わる。そのため、保護層１３の表面に基準マークを形成する場合、基準マークとその周辺とコントラストを高めるため、保護層１３を貫通する凹状の基準マークを形成することが好ましい。この場合、基準マークの底部の材料は保護層１３の材料と異なるため、基準マークはその周辺に比べて光反射率が高くなったり、低くなったりする。
ところで、基準マークは、反射層１２の成膜後に形成される場合、反射層１２よりも薄い（約１／４程度）吸収層１４などに転写される。そうすると、転写された基準マークは、最初に形成した基準マークと略同じ形状となるので、検査光（電子線や紫外線光、可視光、ＥＵＶ光）による検出位置の再現性がよく、下記（１）〜（２）の効果が得られる。（１）ＥＵＶマスク３０の製造工程において、電子線描画装置（たとえばＮｕｆｌａｒｅ社ＥＢＭ８０００など）やレーザ描画装置、マスクパターン座標測定装置（たとえばＫＬＡテンコール社ＩＰＲＯ５など）、マスクパターン検査装置（たとえばＫＬＡテンコール社Ｔｅｒｏｎ６１０など）は、電子線や紫外線光によって基準マークの位置を再現性よく検出できる。よって、これらの装置は、反射型マスクブランク１０の供給元から提供される情報に基づいて反射層１２などの欠点の位置を精度よく検知できる。（２）吸収層１４及び低反射層１５の検査時に、紫外線光や可視光よって基準マークの位置を再現性よく検出できる。
なお、これまで、基準マーク１６は、反射層１２上に凹状に形成されて転写される形態について説明したが、これに限らず、吸収層１４上、基板１１上に形成されて転写されたり、さらには低反射層１５上から凹状に形成されたりしてもよい。さらには、基板１１の表面、反射層１２と低反射層１５との間に形成される一の層の表面に所定の材料を積層して凸状に形成してもよい。
そして、基準マークの断面形状を凸状に形成する場合、基準マークの基となる材料は、基準マークとその周辺とが異なる光反射率を示すように選定される。基準マークの基となる材料としては、とくに限定されないが、例えば、既存の装置を流用して成膜可能な材料として、反射層（多層反射膜）１２に用いられるＳｉ、Ｍｏ、吸収層１４に用いられるＴａ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｗ、Ｃ、又はこれらの酸化物、窒化物などが用いられる。これらの中から選ばれる材料を積層して凸状に形成した基準マークは、その周辺に比べて低いＥＵＶ光反射率を示す。ここで、基準マークの検査光に対する反射率と、基準マークの周辺の検査光に対する反射率の差（絶対値）は、０．２％以上が好ましく、０．５％以上がより好ましく、１．０％以上がさらに好ましい。
基準マークの断面形状を凸状に形成する場合、その形成面上に基準マークの基となる材料を成膜した後、不要部の材料をリソグラフィ法で除去してもよいし、また、基準マークの形成面上に局所的に基準マークの基となる材料を堆積してもよい。後者の場合、堆積したい材料に応じて適当なガスを選び、白金やタングステンなどの金属化合物（例えばヘキサカルボニルタングステン）や炭化水素化合物（ナフタレンやフェナントレンなど）を含有する雰囲気でイオンビームや電子線を照射することで、金属化合物の分解反応を促進し、局所的に白金やタングステンなどの金属膜を堆積する方法がある。
基準マーク１６の断面形状が凸状の場合、用途に応じた形状が採用でき、例えば、平面視にて十字状に形成されると、その交点を基準位置として特定できる。また、凸状の場合も、基準マークの形状や数、寸法、面積、そして、ＥＵＶマスクブランク１０における各基準マークの位置は、前述の凹状の基準マークの場合と同様に考えることができる。なお、基準マーク１６の断面形状が凸状の場合、その高さは、基準マーク上に成膜される層の種類や厚さに応じて適宜設定される。このとき、凸状の基準マークの高さは、例えば２ｎｍ〜３００ｎｍ、好ましくは７ｎｍ〜１５０ｎｍ、より好ましくは１５ｎｍ〜１２０ｎｍである。
また、基準マーク１６の断面形状が凸状で基準マークの基となる材料が多層反射膜からなる反射層１２の成膜後に形成される場合、凸状の基準マークは、基準マークの周辺の反射層１２に比べると、ＥＵＶ光を検査光とするとき、ＥＵＶ光に対する反射率が低い。このため、ＥＵＶ光を用いて反射層１２の欠点を検査するとき、基準マークとその周辺とのコントラストが高くなり、基準マークの検出位置の再現性がよくなる。よって、基準マークの基準位置に基づき、反射層１２の欠点の位置を精度よく特定できる。また、紫外線光〜可視光に対する反射率が異なるような材料を選ぶことにより、紫外線光〜可視光の検査に対しても検出位置の再現性がよい基準マークを作製してもよい。
さらに、基準マーク１６の断面形状が凸状で多層反射膜からなる反射層１２の成膜後に、基準マークの基となる材料が形成される場合、反射層１２よりも薄い（約１／４程度）吸収層１４などに転写される。そのため、転写された基準マークは、最初に形成した基準マークと略同じ形状であり、検査光（例えば電子線、ＥＵＶ光、紫外線光又は可視光）による検出位置の再現性がよく、下記（１）〜（２）の効果が得られる。（１）ＥＵＶマスク３０の製造工程において、電子線描画装置、座標測定装置、マスク外観検査装置は、電子線や紫外線光によって基準マークの位置を再現性よく検出できる。よって、これらの装置は、ＥＵＶマスクブランク１０の供給元から提供される情報に基づいて反射層１２などの欠点の位置を精度よく検知できる。（２）吸収層１４及び低反射層１５の検査時に、紫外線光や可視光によって基準マークの位置を再現性よく検出できる。
（レジスト膜付きＥＵＶマスクブランクおよびＥＵＶマスクの作製）
次に、図４のフローチャートに基づき、レジスト膜付きＥＵＶマスクブランク作製工程、ＥＵＶマスク作製工程について説明する。まず、レジスト膜付きＥＵＶマスクブランク作製工程は、基準マーク付きＥＵＶマスクブランク準備工程（Ｓ１）、レジスト膜形成工程（Ｓ２）、基準位置検出工程（Ｓ３）そして、基準マーク中心領域露光工程（Ｓ４）の流れに基づく。なお、基準マーク中心領域露光工程（Ｓ４）を経た成果物が、本実施形態に係るレジスト膜付きＥＵＶマスクブランクである。なお、後述するが、本実施形態に係るレジスト膜付きＥＵＶマスクブランクは、マスクパターン領域への電子線描画の前後関係については、不問であり、両方の状態を含むものとして解釈する。
次に、図４のフローチャートに基づき、レジスト膜付きＥＵＶマスクブランク作製工程、ＥＵＶマスク作製工程について説明する。まず、レジスト膜付きＥＵＶマスクブランク作製工程は、基準マーク付きＥＵＶマスクブランク準備工程（Ｓ１）、レジスト膜形成工程（Ｓ２）、基準位置検出工程（Ｓ３）そして、基準マーク中心領域露光工程（Ｓ４）の流れに基づく。なお、基準マーク中心領域露光工程（Ｓ４）を経た成果物が、本実施形態に係るレジスト膜付きＥＵＶマスクブランクである。なお、後述するが、本実施形態に係るレジスト膜付きＥＵＶマスクブランクは、マスクパターン領域への電子線描画の前後関係については、不問であり、両方の状態を含むものとして解釈する。
そして、ＥＵＶマスク作製工程は、マスクパターン領域へ電子線（パターン）描画がなされたレジスト膜付きＥＵＶマスクブランクについて、レジスト膜現像（Ｓ５）、吸収層エッチング（Ｓ６）そしてレジスト膜剥離（Ｓ７）を実施する流れに基づく。なお、レジスト膜剥離（Ｓ７）を経た成果物が、ＥＵＶマスクである。次に、図４のフローチャートに基づき、本実施形態に係るレジスト膜付きＥＵＶマスクブランクの製造方法、ＥＵＶマスクの製造方法について詳細に説明する。
（Ｓ１：基準マーク付きＥＵＶマスクブランク準備工程）
まず、レジスト膜付きＥＵＶマスクブランク作製工程前の、（レジスト膜無しの）ＥＵＶマスクブランク１０について説明する。図５（ａ）は、ＥＵＶマスクブランク１０において、長さがＬで幅がＷとなる十字の基準マーク１６の部分を拡大して示した平面模式図である。なお、基準位置は、厳密に、一方の直線部分の中心線（Ｗ／２の位置を通る線）と他方の直線部分の中心線と、が交差する点に相当するが、本明細書では、簡略的に「２つの線の交点」と表現する。図５（ｂ）は、図５（ａ）の平面模式図において、Ａ−Ａ´の直線に沿って展開した、基準マーク１６を含むＥＵＶマスクブランク１０の断面模式図である。なお、図５（ｂ）および図６では、反射層１２に凹状に形成した基準マークの幅をＷとして表示し、反射層１２上に略同一形状で転写される吸収層１４、低反射層１５における基準マークの幅も同様にＷとして表示している。なお、溝の壁面に堆積する材料によって基準マークの幅が狭まったりして、略同一の形状から逸脱するとき、Ｗの値は、各層に形成された基準マークの中で最も広い幅を表すものとする。以下、図５（ｂ）のＥＵＶマスクブランク１０の断面模式図に基づき、図４のフローチャートを説明する。
まず、レジスト膜付きＥＵＶマスクブランク作製工程前の、（レジスト膜無しの）ＥＵＶマスクブランク１０について説明する。図５（ａ）は、ＥＵＶマスクブランク１０において、長さがＬで幅がＷとなる十字の基準マーク１６の部分を拡大して示した平面模式図である。なお、基準位置は、厳密に、一方の直線部分の中心線（Ｗ／２の位置を通る線）と他方の直線部分の中心線と、が交差する点に相当するが、本明細書では、簡略的に「２つの線の交点」と表現する。図５（ｂ）は、図５（ａ）の平面模式図において、Ａ−Ａ´の直線に沿って展開した、基準マーク１６を含むＥＵＶマスクブランク１０の断面模式図である。なお、図５（ｂ）および図６では、反射層１２に凹状に形成した基準マークの幅をＷとして表示し、反射層１２上に略同一形状で転写される吸収層１４、低反射層１５における基準マークの幅も同様にＷとして表示している。なお、溝の壁面に堆積する材料によって基準マークの幅が狭まったりして、略同一の形状から逸脱するとき、Ｗの値は、各層に形成された基準マークの中で最も広い幅を表すものとする。以下、図５（ｂ）のＥＵＶマスクブランク１０の断面模式図に基づき、図４のフローチャートを説明する。
まず、基板１１上に、例えば、Ｍｏ層とＳｉ層とを交互に積層した多層反射膜（Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜）からなる反射層１２を成膜し、反射層１２上にＲｕ等からなる保護層１３を成膜する。その後、保護層１３の表面から、反射層１２の一部を削除する深さまで、ＦＩＢ法等を用いて凹状の十字マークをエッチング加工する。なお、多層反射膜からなる反射層１２の一部とは、前述のように、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の場合、それの最表面からＭｏ層／Ｓｉ層を２ペア以上の深さまでの部分を指す。ここで、ＦＩＢ法等を用いる加工により、保護層１３が露出している部分と、反射層１２を構成する多層反射膜の一部が削除された部分により、断面形状が凹状となる十字のマークが描かれた幅Ｗの基準マークが得られる。次に、ＴａＮ等の吸収層１４を成膜し、さらに、吸収層１４上にＴａＯＮ等の低反射層１５を成膜することで、低反射層１５上に十字で断面形状が凹状の基準マーク１６が転写される。
（Ｓ２：レジスト膜形成工程）
基準マーク１６を有するＥＵＶマスクブランク１０に対して、ＥＵＶマスク用のパターンを電子線描画する前段階として、レジストを塗布する。図６は、ＥＵＶマスクブランク１０に対してレジスト膜２１を有する、レジスト膜付きＥＵＶマスクブランク２０を示した断面模式図である。レジストは、とくに、少量の光でも高い感度を有する化学増幅型レジストが好ましく用いられ、（化学増幅型）レジストを滴下し、スピンコート等で均一の厚さのレジスト膜２１を形成した後、一定時間焼成することで、レジスト膜付きＥＵＶマスクブランク２０を得る。なお、低反射層１５に転写された（凹状の）基準マーク１６は、レジスト膜形成工程を経ると、その溝部分がレジスト膜２１で覆われて、表面がある程度平坦化される。
基準マーク１６を有するＥＵＶマスクブランク１０に対して、ＥＵＶマスク用のパターンを電子線描画する前段階として、レジストを塗布する。図６は、ＥＵＶマスクブランク１０に対してレジスト膜２１を有する、レジスト膜付きＥＵＶマスクブランク２０を示した断面模式図である。レジストは、とくに、少量の光でも高い感度を有する化学増幅型レジストが好ましく用いられ、（化学増幅型）レジストを滴下し、スピンコート等で均一の厚さのレジスト膜２１を形成した後、一定時間焼成することで、レジスト膜付きＥＵＶマスクブランク２０を得る。なお、低反射層１５に転写された（凹状の）基準マーク１６は、レジスト膜形成工程を経ると、その溝部分がレジスト膜２１で覆われて、表面がある程度平坦化される。
なお、ＥＵＶマスクブランク１０のような反射層１２、とは異なる場所、例えば、基板１１上や吸収層１４上に凹状の基準マークが形成された場合でも、ＥＵＶマスクブランク１０表面に表れた凹状の基準マーク１６は、その溝部分がレジスト膜で覆われて、レジスト膜の表面はある程度平坦化される。さらに、凸状の基準マークを形成した場合でも、その凸状の部分がレジスト膜で覆われて、レジスト膜の表面はある程度平坦化される。
（Ｓ３：基準位置検出工程）
次に、レジスト膜２１で覆われた、レジスト膜付きＥＵＶマスクブランク２０のレジスト膜２１表面に、集束した電子線または紫外線を走査しながら照射し、レジスト膜２１下にある（凹状の）基準マーク１６を検出する。例えば、図７に示すＸ方向、Ｙ方向に基づき、Ｙ方向に走査した電子線を、Ｘ方向に一定の間隔でずらし、基準マーク１６の溝で変化する反射率の変化を検出することで、それを確認できる。また、（Ｙ方向の）走査によって、基準マーク１６を最初に検出（粗検出）したあとは、（Ｘ方向に）ずらす間隔を狭くして検出（精密検出）してもよい。その後、Ｘ方向に走査した電子線または紫外線を、Ｙ方向に一定の間隔でずらすことで、十字の交点の位置を検出できる。なお、走査方向は、これらに限らず、図７において、Ｘ方向、Ｙ方向以外の任意方向に走査させて、任意の方向に一定の間隔でずらして検出してもよい。例えば、走査の間隔（Ｘ方向走査の場合、Ｙ方向に相当）は、０．１μｍ〜１００μｍの範囲で適宜調整するとよい。
次に、レジスト膜２１で覆われた、レジスト膜付きＥＵＶマスクブランク２０のレジスト膜２１表面に、集束した電子線または紫外線を走査しながら照射し、レジスト膜２１下にある（凹状の）基準マーク１６を検出する。例えば、図７に示すＸ方向、Ｙ方向に基づき、Ｙ方向に走査した電子線を、Ｘ方向に一定の間隔でずらし、基準マーク１６の溝で変化する反射率の変化を検出することで、それを確認できる。また、（Ｙ方向の）走査によって、基準マーク１６を最初に検出（粗検出）したあとは、（Ｘ方向に）ずらす間隔を狭くして検出（精密検出）してもよい。その後、Ｘ方向に走査した電子線または紫外線を、Ｙ方向に一定の間隔でずらすことで、十字の交点の位置を検出できる。なお、走査方向は、これらに限らず、図７において、Ｘ方向、Ｙ方向以外の任意方向に走査させて、任意の方向に一定の間隔でずらして検出してもよい。例えば、走査の間隔（Ｘ方向走査の場合、Ｙ方向に相当）は、０．１μｍ〜１００μｍの範囲で適宜調整するとよい。
図７は、この基準マーク１６の検出により基準位置を特定する基準位置検出工程によって、電子線または紫外線を走査したときにレジスト膜２１上にできた、一部のスキャン痕２３ａ、２３ｂ、２３ｃおよび２３ｄを含む様子を示した平面模式図でもある。図７において、太い破線Ｄは、基準マークに設定される複数の仮想線の交点（図７においては十字形状の基準マークを形成する２本の直線の交点）を中心とする円領域であって、基準マークの線の幅の最大値Ｗの１．５倍の半径を有する円領域を示す。
基準マーク１６を検出する目的で走査される電子線または紫外線は、表面のレジスト膜２１を少なからず感光してしまう。そうすると、このまま、レジスト膜２１を現像する工程を経てＥＵＶマスクを得ると、基準マーク１６付近の構造が複雑になり、基準マーク１６の検出精度が低下するおそれがある。ここで、検出精度の低下を抑制するために、本実施形態では、次の、基準マーク中心領域露光工程を実施する。
（Ｓ４：基準マーク中心領域露光工程）
基準位置検出工程により、十字の基準マーク１６を形成する２本の直線の交点に相当する基準位置を検出した後、基準マーク中心領域露光工程において、交点を含む特定の領域のレジスト膜２１を露光する。レジスト膜２１は、基準位置検出工程において、電子線または紫外線の露光量に応じて感光するが、この露光量が一定量以上になると、ポジレジストの場合、現像液で完全に溶解する。基準マーク中心領域露光工程では、ポジレジストを使用したとき、露光した領域に対して、少なくとも現像液で完全に溶解する程度に露光する（一定の露光量を与える）とよい。このとき、露光目的ではないものの、スキャン痕２３ａ、２３ｂ、２３ｃおよび２３ｄに相当する部分のレジスト膜２１が、一部感光されたとしても、この基準マーク中心領域露光工程において、スキャン痕２３ａ、２３ｂ、２３ｃおよび２３ｄを含み、それらの部分と区別がつかない程度の露光領域２４に、一定量以上露光するとよい。
基準位置検出工程により、十字の基準マーク１６を形成する２本の直線の交点に相当する基準位置を検出した後、基準マーク中心領域露光工程において、交点を含む特定の領域のレジスト膜２１を露光する。レジスト膜２１は、基準位置検出工程において、電子線または紫外線の露光量に応じて感光するが、この露光量が一定量以上になると、ポジレジストの場合、現像液で完全に溶解する。基準マーク中心領域露光工程では、ポジレジストを使用したとき、露光した領域に対して、少なくとも現像液で完全に溶解する程度に露光する（一定の露光量を与える）とよい。このとき、露光目的ではないものの、スキャン痕２３ａ、２３ｂ、２３ｃおよび２３ｄに相当する部分のレジスト膜２１が、一部感光されたとしても、この基準マーク中心領域露光工程において、スキャン痕２３ａ、２３ｂ、２３ｃおよび２３ｄを含み、それらの部分と区別がつかない程度の露光領域２４に、一定量以上露光するとよい。
露光領域２４に電子線を照射する場合、レジストの種類や現像条件等により最適な露光量は異なるが、例えば露光領域２４の単位面積あたりの露光量は３μＣ／ｃｍ２以上であればよく、５μＣ／ｃｍ２以上であれば好ましく、１０μＣ／ｃｍ２以上であればより好ましく、２０μＣ／ｃｍ２以上であればさらに好ましい。また、紫外線を照射する場合も、レジストの種類や現像条件等により最適な露光量は異なるが、例えば露光領域２４の単位面積あたりの露光量は５ｍＪ／ｃｍ２以上であればよく、１０ｍＪ／ｃｍ２以上であれば好ましく、２０ｍＪ／ｃｍ２以上であればより好ましい。また、露光領域２４への電子線または紫外線の照射方法は、電子線または紫外線を２次元的に走査する方法で実現してもよく、露光領域２４に相当する領域に電子線または紫外線を照射するブロック露光（部分一括露光）方法により実現してもよい。なお、露光領域２４を、電子線を２次元的に走査する方法を用いて実現する場合、ＥＵＶマスク用のパターン描画を行う電子線描画装置をそのまま利用できる場合が多いので、製造工程が短縮されるなど効率的である。
露光領域２４は、前述のように少なくとも基準マーク１６に設定される複数の仮想線の交点（図７においては十字形状の基準マークを形成する２本の直線の交点）を含む領域とし、図７に太い破線Ｄで示す円領域を含む領域であればよい。仮に露光領域２４が上記円領域と一致する場合、基準マーク１６の線を挟んだ左右両側に、その線の幅と同程度の幅の露光部分ができる。よって、電子線等を用いて基準マーク１６の線と直交する方向に走査を行うとき、基準マーク１６の線とその周辺とのコントラスト（反射率の違い）が際立ち、基準マーク１６の線および基準マーク１６の基準位置の検出が容易となる。露光領域２４は、上記円領域を含めばよく、上記円領域と一致しなくてよい。例えば図７に示すように、露光領域２４は、上記交点を中心とする、一辺が幅Ｗの３倍の長さの正方形領域を含む領域であってもよい。
また、露光領域２４は、上記交点を中心とする、半径が基準マーク１６の線の幅Ｗの２倍の円領域を含む領域であれば好ましく、半径が基準マーク１６の線の幅Ｗの３倍の円領域を含む領域であればより好ましい。また、露光領域２４は、上記交点を中心とする、一辺が幅Ｗの４倍の長さの正方形領域を含む領域であってもよく、一辺が幅Ｗの６倍の長さの正方形領域を含む領域であればより好ましい。なお、この場合、平面視における露光領域２４の外縁の形状は、円や四角形に限定されず任意の形状であってもよい。露光領域２４が、上記交点を中心とする半径が基準マーク１６の線の幅Ｗの１．５倍の円領域より狭い場合、本工程（Ｓ４）において基準位置を十分に検出できないおそれがある。また、露光領域２４は、基準マーク１６を全て覆う円領域、正方形領域を含んでもよい。一方、露光領域２４は、パターン領域に対して外側の領域であって、パターン領域と重ならない領域であれば、とくに領域の広さの制限はない。
また、ＥＵＶマスクを作製するにあたり、電子線描画装置等で、レジスト膜付きＥＵＶマスクブランク２０のマスクパターン領域に実際のパターンを描画（露光）する、マスクパターン描画工程を実施するが、該マスクパターン描画工程は、この基準マーク中心領域露光工程よりも前であっても後であってもよい。つまり、マスクパターン描画工程は、基準位置検出工程（Ｓ３）後であって、塗布したレジスト膜を現像する工程（Ｓ５）の前であれば、これらの工程の順番は不問である。そのため、本実施形態に係るレジスト膜付きＥＵＶマスクブランク２０は、露光領域２４に露光がされた状態であれば、実際のマスクパターン領域へのパターンの描画（露光）がされた状態、されていない状態の両方を含むものと解釈する。
図８および図９は、それぞれ、図７の平面において、Ｂ−Ｂ´直線を展開した断面模式図、Ｃ−Ｃ´直線を展開した断面模式図である。ここで、基準マーク中心領域露光工程を経たレジスト膜付きＥＵＶマスクブランク２０は、図８（ａ）および図９（ａ）の断面模式図に示す構造となる。つまり、図８（ａ）および図９（ａ）において、基準マーク中心領域露光工程によって電子線または紫外線が照射された部分は、感光部２４ａとなり、一方、電子線または紫外線が照射されなかった部分は、非感光部２５となる。なお、感光部２４ａは、レジスト膜２１がポジレジストの場合、現像工程で完全に溶解する程度まで露光された状態である。一方、レジスト膜２１がネガレジストの場合、感光部２４ａは、現像工程で溶解しない程度まで露光された状態である。
（Ｓ５〜Ｓ７：ＥＵＶマスク作製工程）
図８および図９は、レジスト膜付きＥＵＶマスクブランクからＥＵＶマスクの作製工程を示す模式図でもある。前述のように、図８（ａ）および図９（ａ）は、基準マーク中心領域露光工程を経た、レジスト膜付きＥＵＶマスクブランク２０であって、図８（ｂ）および図９（ｂ）は、現像液により感光部２４ａを溶解するレジスト膜現像（Ｓ５）を経た後の状態を示す断面模式図である。そして、図８（ｃ）および図９（ｃ）は、レジスト膜現像後、表面に露出した低反射層１５および低反射層１５の下層にある吸収層１４を取り除く吸収層エッチング（Ｓ６）を経た後の状態を示す断面模式図である。さらに、図８（ｄ）および図９（ｄ）は、吸収層エッチング後、残ったレジスト膜２１（非感光部２５）を除去するレジスト膜剥離（Ｓ７）後の状態を示す断面模式図であって、これがＥＵＶマスク３０に相当する。
図８および図９は、レジスト膜付きＥＵＶマスクブランクからＥＵＶマスクの作製工程を示す模式図でもある。前述のように、図８（ａ）および図９（ａ）は、基準マーク中心領域露光工程を経た、レジスト膜付きＥＵＶマスクブランク２０であって、図８（ｂ）および図９（ｂ）は、現像液により感光部２４ａを溶解するレジスト膜現像（Ｓ５）を経た後の状態を示す断面模式図である。そして、図８（ｃ）および図９（ｃ）は、レジスト膜現像後、表面に露出した低反射層１５および低反射層１５の下層にある吸収層１４を取り除く吸収層エッチング（Ｓ６）を経た後の状態を示す断面模式図である。さらに、図８（ｄ）および図９（ｄ）は、吸収層エッチング後、残ったレジスト膜２１（非感光部２５）を除去するレジスト膜剥離（Ｓ７）後の状態を示す断面模式図であって、これがＥＵＶマスク３０に相当する。
図８（ｄ）および図９（ｄ）は、ＥＵＶマスク３０のうち、特徴的な２つの断面模式図である。とくに、基準マーク１６に相当する平面視において十字の部分は、その周辺に対して断面形状が凹状となっており、具体的に、反射層１２の一部が削られた部分が表面に露出した状態となる。また、露光領域２４のうち十字の部分を除く領域は、保護層１３の表面が露出した状態となる。また、図１０は、ＥＵＶマスク３０の基準マーク付近を示した斜視模式図である。このように、基準マークに相当する十字の交点を中心としたとき、該基準マークを認識できる程度の特定の領域において、表面に露出している材料が、この場合、反射層１２と保護層１３と、の２種である。このため、ＥＵＶマスク３０としたとき、例えば、ＥＵＶ光、紫外光、電子線等の走査により基準マークを走査して検出する方法、画像認識によって基準マークを検出する方法によっても、基準位置周辺の検出ノイズを低減できるので、基準位置を特定しやすくなる。
これまで、ＥＵＶマスクブランク１０において、保護層１３表面から保護層１３を貫通して反射層１２の一部を削除してなる凹状の基準マーク１６を形成し、ポジレジストによって露光領域２４を設定して基準マークを有するＥＵＶマスク３０を得た例を示したが、この形態だけに限らない。保護層１３表面以外に凹状の基準マークを形成する場合や、凸状の基準マークを形成する場合、そして、それぞれの基準マークの形成面や基準マークの形状に対して使用するレジストの種類、つまり、ポジレジストまたはネガレジストの選択により、ＥＵＶマスクを作製したときにできる基準マークの凹凸面がそれぞれ異なる。
表１は、基準マークの形状（凹状または凸状）、レジストの種類（ポジレジストまたはネガレジスト）それぞれの組合せに基づき、大きく４つの条件に分けたとき、基準マークと露光領域とが重なる部分（十字）の面の位置と、露光領域のうち基準マークと重ならない部分（十字以外）の面の位置とを示すリストの例である。なお、「十字」の表面、「十字以外」の表面が同じ材料の場合、ＥＵＶマスクにおいて、それぞれの高さが異なり、これらの境界で段差ができることで、基準マークとして認識できる。
（実施例１）
実施例１では、図５（ｂ）に示すＥＵＶマスクブランク１０を作製した。基板１１としては、外形６インチ（１５２ｍｍ）角で、厚さ０．２５インチ（６．３５ｍｍ）のＳｉＯ２−ＴｉＯ２系のガラス基板を使用した。このガラス基板は、２０℃における熱膨張率が０．０５×１０−７／℃であって、ヤング率が６７ＧＰａ、ポアソン比が０．１７、比剛性が３．０７×１０７ｍ２／ｓ２であった。そして、このガラス基板は研磨されたものであって、主表面の表面粗さが０．１５ｎｍ ｒｍｓ以下であるとともに、平坦度が１００ｎｍ以下であることを確認した。
実施例１では、図５（ｂ）に示すＥＵＶマスクブランク１０を作製した。基板１１としては、外形６インチ（１５２ｍｍ）角で、厚さ０．２５インチ（６．３５ｍｍ）のＳｉＯ２−ＴｉＯ２系のガラス基板を使用した。このガラス基板は、２０℃における熱膨張率が０．０５×１０−７／℃であって、ヤング率が６７ＧＰａ、ポアソン比が０．１７、比剛性が３．０７×１０７ｍ２／ｓ２であった。そして、このガラス基板は研磨されたものであって、主表面の表面粗さが０．１５ｎｍ ｒｍｓ以下であるとともに、平坦度が１００ｎｍ以下であることを確認した。
次に、ガラス基板（基板１１）の裏面に、マグネトロンスパッタリング法により約２００ｎｍの厚さのＣｒＮ膜を形成し、シート抵抗が１００Ω／□以下となる（図５（ｂ）に不図示の）導電性コーティング層を得た。その後、導電性コーティング層側を静電チャックに固定した状態で、基板１１の主表面に、イオンビームスパッタリング法を用いて、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜からなる反射層１２を形成した。具体的には、イオンビームスパッタリング法により厚さ４．５ｎｍのＳｉ層と厚さ２．３ｎｍのＭｏ層を交互に、繰り返し数が４０（４０周期）となるように形成した。このときの、反射層（Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜）の厚さは、２７２ｎｍ（（４．５ｎｍ＋２．３ｎｍ）×４０）であった。さらに、反射層１２上にイオンビームスパッタリング法を用いて、Ｒｕ層からなる保護層１３を２．５ｎｍの厚さで形成した。なお、反射層１２および保護層１３の具体的な成膜条件は、表２に示すとおりである。
次に、Ｒｕ層からなる保護層１３上に、マグネトロンスパッタリング法を用いて、吸収層１４としてＴａ、Ｎを含むＴａＮ膜を６０ｎｍの厚さで形成する。さらに、ＴａＮからなる吸収層１４上に、マグネトロンスパッタリング法を用いて、低反射層１５としてＴａ、ＯおよびＮを含むＴａＯＮ膜を８ｎｍの厚さで形成する。なお、吸収層１４および低反射層１５の具体的な成膜条件は、表３に示すとおりである。このようにしてＥＵＶマスクブランクを得る。
次に、現像液を浸漬して、レジスト膜のうち、電子線を照射した感光部を溶解させて除去し、洗浄する。このとき、レジスト膜が除去された部分には、ＴａＯＮが露出する。次に、ＲＦプラズマエッチング装置によるフッ素系ガスプロセスで、低反射層（ＴａＯＮ）および吸収層（ＴａＮ）をエッチングする。エッチング条件は、バイアスＲＦ：５０Ｗ、エッチング時間：１２０秒、トリガー圧力：３Ｐａ、エッチング圧力：０．３Ｐａ、エッチングガス：ＣＦ4／Ｈｅ、ガス流量（ＣＦ4／Ｈｅ）：４／１６ｓｃｃｍ、電極基板間距離：５５ｍｍ、である。このとき、低反射層および吸収層がエッチングされた部分のうち、基準マークの部分以外の部分には、Ｒｕが露出する。
その後、剥離液を浸漬して、残留レジストを剥離する。このようにして、ＥＵＶマスクを形成する。このとき、基準マーク付近には、約１０μｍ角の正方形の凹状の領域ができ、この正方形の領域の中に、さらに凹状の十字の領域が露出する。そして、この正方形の領域の中の十字の部分は、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜のうち、約１４ペア分削除された面が露出し、それ以外の領域は、Ｒｕが露出する。
次に、作製したＥＵＶマスクのうち、この基準マーク付近をＥＵＶ光で、約１０μｍの長さで走査すると、Ｒｕ表面で約６２％の反射率であって、一部削除されたＭｏ／Ｓｉ多層反射膜表面で約５０％の反射率であり、これらの反射率の差によって、基準マークを検出できる。また、約１０μｍ角の正方形領域において、Ｒｕと多層反射膜の２種の表面のみ露出されているので、高い検出精度で、基準マークの交点を特定できる。
（比較例）
本例では、図６に示すような、レジスト膜付きマスクブランク１０を作製するところまで、実施例１と同じ条件で実施する。次に、基準位置検出工程、レジスト膜現像、吸収層エッチング、そして、レジスト膜剥離に至るまでのプロセスについて、図１１〜図１５と関連付けて説明する。とくに、本例では、実施例１で実施した、基準マーク中心領域露光工程は実施しない。
本例では、図６に示すような、レジスト膜付きマスクブランク１０を作製するところまで、実施例１と同じ条件で実施する。次に、基準位置検出工程、レジスト膜現像、吸収層エッチング、そして、レジスト膜剥離に至るまでのプロセスについて、図１１〜図１５と関連付けて説明する。とくに、本例では、実施例１で実施した、基準マーク中心領域露光工程は実施しない。
図１１は、実施例１と同じ製法で作製した、レジスト膜付きＥＵＶマスクブランク５０において、基準マーク１６部分を示した平面模式図である。図１１はまた、レジスト膜付きＥＵＶマスクブランク５０を、電子線描画装置（ニューフレアテクノロジー社製、品番：ＥＢＭ８０００）に投入して、電子線により、基準マーク付近を、基板の端面に平行な方向（Ｘ方向、Ｙ方向）に沿って、反射率の変化を検出したときのレジスト膜上の一部のスキャン痕５３ａ、５３ｂ、５３ｃおよび５３ｄも併せて示した。このとき、長さ約２μｍ、幅約３００ｎｍの電子線を、Ｘ方向およびＹ方向について、約２μｍの間隔でずらしながら走査する。その結果、スキャン痕５３ａ、５３ｂ、５３ｃおよび５３ｄは、それぞれ、基準マークの交点（中心）から、約１μｍ離れた位置に形成されている。また、図１１は、交点に最も近いスキャン痕のみを代表的に示している。なお、このとき、照射する電子量（露光密度）は、３０μＣ／ｃｍ２以上である。
また、図１１において、Ｄ−Ｄ´の直線に沿って展開した断面模式図を図１２に、Ｅ−Ｅ´の直線に沿って展開した断面模式図を図１３に、さらに、Ｆ−Ｆ´の直線に沿って展開した断面模式図を図１４に、それぞれ示す。図１２（ａ）、図１３（ａ）および図１４（ａ）は、本例の基準位置検出工程後の断面模式図であり、電子線によってできるスキャン痕に相当する部分は、化学増幅型レジスト膜を露光した感光部５４となる。一方、電子線で照射されなかった部分は、非感光部５５である。
次に、実施例１と同様に、現像液で感光部５４に相当する部分のレジスト膜を溶解、除去する。図１２（ｂ）、図１３（ｂ）および図１４（ｂ）は、この現像工程を経た状態を示す断面模式図であり、感光部５４が除去された部分はＴａＯＮ（低反射層）の表面が露出する。次に、実施例１と同様の条件で、ＴａＯＮ（低反射層）、ＴａＮ（吸収層）をエッチングする。図１２（ｃ）、図１３（ｃ）および図１４（ｃ）は、このエッチング工程を経た状態を示す断面模式図であり、ＴａＯＮおよびＴａＮが除去された部分は、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜が露出する。
次に、実施例１と同様に、剥離液で、残ったレジスト膜（非感光部５５）を剥離する。図１２（ｄ）、図１３（ｄ）および図１４（ｄ）は、この剥離工程後の状態を示す断面模式図であって、これが本例のＥＵＶマスク６０に相当する。また、図１５は、本例におけるＥＵＶマスク６０の基準マーク付近を示した斜視模式図である。このように、基準マークに相当する十字の交点を中心とし、約１０μｍ角の正方形の平面領域には、スキャン痕５３ａ、５３ｂ、５３ｃおよび５３ｄに相当する位置に溝が形成され、さらに、スキャン痕と基準マークとが重なる部分には、さらに深い溝が形成される。ここで、前者の溝の底面は、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜である、後者の溝はＲｕ層表面である。さらに、スキャン痕５３ａ、５３ｂ、５３ｃおよび５３ｄ以外の部分は、ＴａＯＮで基準マークが形成される。
ここで、該基準マークを認識できる程度の特定の領域において、表面に露出している材料が、この場合、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜とＲｕ膜に加え、段差を有するＴａＯＮがある。そのため、ＥＵＶ光に対して異なる反射率となる領域が多くなったり、電子線や画像認識でも複雑な構造により基準マーク検出のノイズが増えたりするため、ＥＵＶマスク６０としたとき、基準位置を高い精度で検出できないおそれがある。
以上、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法、ならびにＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクおよびその製造方法の実施形態などを説明したが、本発明は上記実施形態などに限定されず、特許請求の範囲に記載された趣旨の範囲内で種々の変形、および改良が可能である。
本出願は、２０１２年９月２８日に日本国特許庁に出願された特願２０１２−２１８１２９号および２０１３年７月５日に日本国特許庁に出願された特願２０１３−１４１３７５号に基づく優先権を主張するものであり、特願２０１２−２１８１２９号および特願２０１３−１４１３７５号の全内容を本出願に援用する。
１０、１００ ＥＵＶマスクブランク
１１ 基板
１２ 反射層（多層反射膜）
１３ 保護層
１４ 吸収層
１５ 低反射層
１６、２２、１０１、１０２、１０３、１０４、２０１、３０１、４０１ 基準マーク
１８、１０５ マスクパターン領域
２０、５０ レジスト膜付きＥＵＶマスクブランク
２１ レジスト膜
２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄ、５３ａ、５３ｂ、５３ｃ、５３ｄ、１１１、１１２、１１３、１１４ スキャン痕
２４ 露光領域
２４ａ、５４ 感光部
２５、５５ 非感光部
３０、６０ ＥＵＶマスク
１１０ 電子線または紫外線
２０１ａ、２０１ｂ、２０１ｃ、２０１ｄ、３０１ａ、３０１ｂ、３０１ｃ、４０１ａ、４０１ｂ、４０１ｃ、４０１ｄ 補助マーク
４０２ 広域マーク
１１ 基板
１２ 反射層（多層反射膜）
１３ 保護層
１４ 吸収層
１５ 低反射層
１６、２２、１０１、１０２、１０３、１０４、２０１、３０１、４０１ 基準マーク
１８、１０５ マスクパターン領域
２０、５０ レジスト膜付きＥＵＶマスクブランク
２１ レジスト膜
２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄ、５３ａ、５３ｂ、５３ｃ、５３ｄ、１１１、１１２、１１３、１１４ スキャン痕
２４ 露光領域
２４ａ、５４ 感光部
２５、５５ 非感光部
３０、６０ ＥＵＶマスク
１１０ 電子線または紫外線
２０１ａ、２０１ｂ、２０１ｃ、２０１ｄ、３０１ａ、３０１ｂ、３０１ｃ、４０１ａ、４０１ｂ、４０１ｃ、４０１ｄ 補助マーク
４０２ 広域マーク
Claims (28)
- 基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、前記反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層と、を有し、マスクパターン領域よりも外側の領域に、平面視で少なくとも２本の線によって形成される凹状または凸状の基準マークを３ヶ所以上形成してなり、前記基準マークを形成する各線は１つの交点において交わる複数本の仮想線のいずれかに沿って配置され、各仮想線に沿って少なくとも１本の線が配置されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクを準備する、基準マーク付きＥＵＶマスクブランク準備工程と、
前記基準マークを有するＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク上にレジスト膜を形成する、レジスト膜形成工程と、
前記レジスト膜上から、電子線または紫外線を走査して前記交点に相当する基準位置を検出する、基準位置検出工程と、
前記基準マークの線の幅の最大値をＷとすると、前記レジスト膜のうち、平面視で前記基準位置を中心点とした半径１．５Ｗの円領域を含む領域を電子線または紫外線で露光する、基準マーク中心領域露光工程と、
を有する、レジスト膜付きＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法。 - 前記基準マークを形成する各線は互いに直交する２本の直線状の仮想線のいずれかに沿って配置され、各仮想線に沿って少なくとも１本の線が配置される請求項１に記載のレジスト膜付きＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法。
- 前記電子線で露光する領域の単位面積あたりの露光量が、３μＣ／ｃｍ２以上である請求項１または請求項２に記載のレジスト膜付きＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法。
- 前記紫外線で露光する領域の単位面積あたりの露光量が、５ｍＪ／ｃｍ２以上である請求項１または請求項２に記載のレジスト膜付きＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法。
- 前記電子線または紫外線で露光する領域に、集束した電子線または紫外線を走査して露光する請求項１〜４いずれか１項に記載のレジスト膜付きＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法。
- 前記電子線または紫外線で露光する領域に、電子線または紫外線を一括露光する請求項１〜４いずれか１項に記載のレジスト膜付きＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法。
- 前記基準マークは、前記反射層の一部を削除することで凹状に形成される請求項１〜６いずれか１項に記載のレジスト膜付きＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法。
- 前記基準マークは、前記ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの平面視で４隅に位置し、４つの基準マークのうち、少なくとも１つの基準マークが、残りの基準マークと異なる形状で形成される、請求項１〜７いずれか１項に記載のレジスト膜付きＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法。
- 前記レジスト膜は、ポジレジストである請求項１〜８いずれか１項に記載のレジスト膜付きＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法。
- 基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、前記反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層と、を有し、マスクパターン領域よりも外側の領域に、平面視で少なくとも２本の線によって形成される凹状または凸状の基準マークを３ヶ所以上形成してなり、前記基準マークを形成する各線は１つの交点において交わる複数本の仮想線のいずれかに沿って配置され、各仮想線に沿って少なくとも１本の線が配置されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクを準備する、基準マーク付きＥＵＶマスクブランク準備工程と、
前記基準マークを有するＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク上にレジスト膜を形成する、レジスト膜形成工程と、
前記レジスト膜上から、電子線または紫外線を走査して前記交点に相当する基準位置を検出する、基準位置検出工程と、
前記基準マークの線の幅の最大値をＷとすると、前記レジスト膜のうち、平面視で前記基準位置を中心点とした半径１．５Ｗの円領域を含む領域を電子線または紫外線で露光する、基準マーク中心領域露光工程と、
前記レジスト膜を現像し、前記吸収層をエッチングし、前記レジスト膜のうち残留したレジストを剥離する工程を含む、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクの製造方法。 - 前記基準マークを形成する各線は互いに直交する２本の直線状の仮想線のいずれかに沿って配置され、各仮想線に沿って少なくとも１本の線が配置される請求項１０に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクの製造方法。
- 前記電子線で露光する領域の単位面積あたりの露光量が、３μＣ／ｃｍ２以上である請求項１０または請求項１１に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクの製造方法。
- 前記紫外線で露光する領域の単位面積あたりの露光量が、５ｍＪ／ｃｍ２以上である請求項１０または請求項１１に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクの製造方法。
- 前記電子線または紫外線で露光する領域に、集束した電子線または紫外線を走査して露光する請求項１０〜１３いずれか１項に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクの製造方法。
- 前記電子線または紫外線で露光する領域に、電子線または紫外線を一括露光する請求項１０〜１３いずれか１項に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクの製造方法。
- 前記基準マークは、前記反射層の一部を削除することで凹状に形成される請求項１０〜１５いずれか１項に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクの製造方法。
- 前記基準マークは、前記ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの平面視で４隅に位置し、４つの基準マークのうち、少なくとも１つの基準マークが、残りの基準マークと異なる形状で形成される、請求項１０〜１６いずれか１項に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクの製造方法。
- 前記レジストは、ポジレジストである請求項１０〜１７いずれか１項に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクの製造方法。
- 基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、前記反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層と、マスクパターン領域の欠点位置を特定する、凹状または凸状の基準マークと、を有するＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの上にレジスト膜を有する、レジスト膜付きＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、
前記基準マークは、前記マスクパターン領域よりも外側の領域の３ヶ所以上に位置し、平面視で少なくとも２本の線によって形成され、前記基準マークを形成する各線は１つの交点において交わる複数本の仮想線のいずれかに沿って配置され、各仮想線に沿って少なくとも１本の線が配置され、
前記基準マークの線の幅の最大値をＷとすると、前記レジスト膜のうち、平面視で前記交点に相当する基準位置を中心点とした半径１．５Ｗの円領域を含む領域が、露光されてなる感光部である、レジスト膜付きＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。 - 前記基準マークを形成する各線は互いに直交する２本の直線状の仮想線のいずれかに沿って配置され、各仮想線に沿って少なくとも１本の線が配置される、請求項１９に記載のレジスト膜付きＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
- 前記反射層と前記吸収層との間に、前記吸収層へのパターン形成時に前記反射層を保護するための保護層を有する、請求項１９または請求項２０に記載のレジスト膜付きＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
- 前記基準マークは凹状であり、前記反射層に形成された溝が転写されてなる、請求項１９〜２１いずれか１項に記載のレジスト膜付きＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
- 前記基準マークは、前記ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの平面視で４隅に位置し、４つの基準マークのうち、少なくとも１つの基準マークが、残りの基準マークと異なる形状である、請求項１９〜２２いずれか１項に記載のレジスト膜付きＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
- 前記レジスト膜は、ポジレジストである請求項１９〜２３いずれか１項に記載のレジスト膜付きＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
- 基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、前記反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層と、前記反射層と前記吸収層との間に前記吸収層へのパターン形成時に前記反射層を保護する保護層と、マスクパターン領域の欠点陥位置を特定するための、凹状の基準マークと、を有する、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクであって、
前記基準マークは、前記マスクパターン領域よりも外側の領域の３ヶ所以上に位置し、平面視で少なくとも２本の線によって形成され、前記基準マークを形成する各線は１つの交点において交わる複数本の仮想線のいずれかに沿って配置され、各仮想線に沿って少なくとも１本の線が配置され、
前記基準マークの線の幅の最大値をＷとすると、平面視で前記交点に相当する基準位置を中心点とした半径１．５Ｗの円領域のうち、凹状となる前記基準マークの表面が前記反射層であり、前記基準マーク以外の表面が前記保護層である、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスク。 - 前記基準マークを形成する各線は互いに直交する２本の直線状の仮想線のいずれかに沿って配置され、各仮想線に沿って少なくとも１本の線が配置される、請求項２５に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスク。
- 前記基準マークは、平面視で４隅に位置し、４つの基準マークのうち、少なくとも１つの基準マークが、残りの基準マークと異なる形状である、請求項２５または請求項２６に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスク。
- 前記保護層は、ＲｕまたはＲｕ化合物である、請求項２５〜２７いずれか１項に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスク。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012218129 | 2012-09-28 | ||
| JP2012218129 | 2012-09-28 | ||
| JP2013141375 | 2013-07-05 | ||
| JP2013141375 | 2013-07-05 | ||
| PCT/JP2013/075915 WO2014050891A1 (ja) | 2012-09-28 | 2013-09-25 | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法、ならびにｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2014050891A1 true JPWO2014050891A1 (ja) | 2016-08-22 |
Family
ID=50388286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014538531A Withdrawn JPWO2014050891A1 (ja) | 2012-09-28 | 2013-09-25 | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法、ならびにｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクおよびその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9268207B2 (ja) |
| JP (1) | JPWO2014050891A1 (ja) |
| KR (1) | KR20150058254A (ja) |
| TW (1) | TW201418869A (ja) |
| WO (1) | WO2014050891A1 (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160002332A (ko) * | 2014-06-30 | 2016-01-07 | 주식회사 에스앤에스텍 | 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
| JP6601118B2 (ja) * | 2014-10-20 | 2019-11-06 | Ａｇｃ株式会社 | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、ならびに、その検査方法および製造方法 |
| JP6713251B2 (ja) * | 2015-03-30 | 2020-06-24 | Hoya株式会社 | 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びにそれらの製造方法 |
| TWI623805B (zh) * | 2015-08-17 | 2018-05-11 | Ｓ＆Ｓ技術股份有限公司 | 用於極紫外線微影之空白遮罩及使用其之光罩 |
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| KR20180072036A (ko) | 2016-12-20 | 2018-06-29 | 삼성전자주식회사 | 마스크 처리 장치 및 방법 |
| TWI712849B (zh) * | 2017-02-17 | 2020-12-11 | 聯華電子股份有限公司 | 一種極紫外線光罩 |
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- 2013-09-25 JP JP2014538531A patent/JPWO2014050891A1/ja not_active Withdrawn
- 2013-09-25 WO PCT/JP2013/075915 patent/WO2014050891A1/ja active Application Filing
- 2013-09-25 KR KR1020157007532A patent/KR20150058254A/ko not_active Application Discontinuation
- 2013-09-27 TW TW102135126A patent/TW201418869A/zh unknown
-
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| WO2010110237A1 (ja) * | 2009-03-26 | 2010-09-30 | Hoya株式会社 | 反射型マスク用多層反射膜付基板及び反射型マスクブランク並びにそれらの製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2014050891A1 (ja) | 2014-04-03 |
| TW201418869A (zh) | 2014-05-16 |
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