KR20180072036A - 마스크 처리 장치 및 방법 - Google Patents

마스크 처리 장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20180072036A
KR20180072036A KR1020160174834A KR20160174834A KR20180072036A KR 20180072036 A KR20180072036 A KR 20180072036A KR 1020160174834 A KR1020160174834 A KR 1020160174834A KR 20160174834 A KR20160174834 A KR 20160174834A KR 20180072036 A KR20180072036 A KR 20180072036A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
blank mask
mask
unit
laser
laser marking
Prior art date
Application number
KR1020160174834A
Other languages
English (en)
Inventor
정윤송
엄현석
이선표
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020160174834A priority Critical patent/KR20180072036A/ko
Priority to US15/837,512 priority patent/US10613432B2/en
Publication of KR20180072036A publication Critical patent/KR20180072036A/ko
Priority to US16/801,328 priority patent/US11454879B2/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/42—Alignment or registration features, e.g. alignment marks on the mask substrates
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/60—Substrates
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/66—Containers specially adapted for masks, mask blanks or pellicles; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70025—Production of exposure light, i.e. light sources by lasers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70681—Metrology strategies
    • G03F7/70683—Mark designs
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 처리 장치는, 블랭크 마스크를 포함하는 블랭크 마스크 패키지가 유입되고, 상기 블랭크 마스크 패키지를 언패킹하여 상기 블랭크 마스크에 대해 공정을 진행하는 공정 챔버, 상기 공정 챔버 내 배치되고, 상기 블랭크 마스크 패키지를 언패킹하는 언패킹 유닛 및 상기 공정 챔버 내 배치되고, 상기 블랭크 마스크에 대해 레이저를 조사하여 기준 마크를 형성하는 레이저 마킹 유닛을 포함한다.

Description

마스크 처리 장치 및 방법{MASK TREATING APPARATUS AND MASK TREATING METHOD}
본 발명은 마스크 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 블랭크 마스크에 기준 마크를 형성하는 장치에 관한 것이다.
반도체 소자의 제조 공정에서, 포토 리소그래피법을 이용하여 미세 패턴을 형성한다. 이 때, 미세 패턴을 형성할 때에는 전사용 마스크(일 예로, 포토 마스크)가 사용될 수 있다. 이러한 전사용 마스크의 제조에는 투광성 기판 상에 전사 패턴(마스크 패턴)을 형성하기 위한 박막을 갖는 블랭크 마스크가 이용될 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 별도의 공정 및/또는 설비를 필요로 하지 않고 기준 마크를 형성할 수 있는 마스크 처리 장치를 제공하는데 있다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 처리 장치는, 블랭크 마스크를 포함하는 블랭크 마스크 패키지가 유입되고, 상기 블랭크 마스크 패키지를 언패킹하여 상기 블랭크 마스크에 대해 공정을 진행하는 공정 챔버, 상기 공정 챔버 내 배치되고, 상기 블랭크 마스크 패키지를 언패킹하는 언패킹 유닛 및 상기 공정 챔버 내 배치되고, 상기 블랭크 마스크에 대해 레이저를 조사하여 기준 마크를 형성하는 레이저 마킹 유닛을 포함한다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 실시예에 따른 마스크 처리 장치는, 공정 챔버, 상기 공정 챔버 내 배치되고, 블랭크 마스크에 레이저를 조사하여 기준 마크를 형성하는 레이저 마킹 유닛 및 상기 레이저 마킹 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 레이저 마킹 유닛은 상기 블랭크 마스크가 놓이는 지지 부재, 상기 블랭크 마스크를 반전시키는 반전 부재 및 상기 블랭크 마스크에 상기 기준 마크를 형성하는 레이저 마킹 부재를 포함하되, 상기 제어기는 상기 블랭크 마스크의 최상면의 막질에 따라 제1 및 제2 모드들 중 어느 하나를 선택하고, 상기 제1 모드일 때 상기 제어기는 상기 지지 부재에 놓인 상기 블랭크 마스크의 상면에 상기 기준 마크를 형성하도록 상기 지지 부재 및 상기 레이저 마킹 부재를 제어하고, 상기 제2 모드일 때 상기 제어기는 상기 지지 부재에 놓인 상기 블랭크 마스크를 상기 반전 부재로 반전시킨 후, 상기 블랭크 마스크의 후면으로 상기 기준 마크를 형성하도록 상기 지지 부재, 상기 반전 부재, 및 상기 레이저 마킹 부재를 제어한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 블랭크 마스크의 결함 위치 정보를 확인할 수 있는 기준 마크를 형성할 수 있다. 블랭크 마스크 패키지의 언패킹 장치 내에 레이저로 기준 마크를 형성하는 레이저 마킹 유닛을 제공함으로써, 별도의 공정 및/또는 설비를 필요로 하지 않을 수 있다. 이로 인해, 양산 설비의 부하 및 공정 단가 증가를 방지할 수 있다. 레이저를 포토 레지스트막으로 직접 공급하지 않아, 포토 레지스트막의 손상을 방지하고 표면 막질 특성의 변화를 방지할 수 있다. 세정 가스를 공급함으로써, 기준 마크 및 레이저 마킹 유닛의 오염 및 데브리스 발생을 방지할 수 있다.
본 발명의 효과는 상술한 효과들로 제한되지 않는다. 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 2a는 도 1의 지지 부재, 반전 부재, 및 레이저 마킹 부재의 확대도이다.
도 2b는 도 1의 레이저 마킹 부재의 확대도이다.
도 3은 본 발명의 마스크 처리 장치가 블랭크 마스크에 대해 공정을 처리하는 과정을 보여주는 플로우차트이다.
도 4a 내지 도 4c는 제1 모드일 때, 레이저 마킹 유닛이 블랭크 마스크에 기준 마크를 형성하는 것을 보여주는 도면들이다.
도 5a 내지 도 5e는 제2 모드일 때, 레이저 마킹 유닛이 블랭크 마스크에 기준 마크를 형성하는 것을 보여주는 도면들이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 처리 장치(1)를 보여주는 도면이다. 마스크 처리 장치(1)는 공정 챔버(10), 언패킹 유닛(20), 이송 로봇(30), 레이저 마킹 유닛(40), 및 제어기(50)를 포함할 수 있다.
마스크 처리 장치(1)는 블랭크 마스크(BM: Blank Mask)에 대해 공정을 수행할 수 있다. 블랭크 마스크(BM)는 반도체, TFT-LCD, 컬러 필터 등을 제조하는 포토 마스크를 생산하기 위한 재료로서, 패턴이 노광되기 전의 마스크를 의미할 수 있다. 블랭크 마스크(BM)는 일반적으로, 석영(Quartz) 기판 상에 금속막 및 포토 레지스트막 중 적어도 하나가 도포될 수 있다. 블랭크 마스크(BM)를 보호하기 위해, 블랭크 마스크(BM)를 감싸는 블랭크 마스크 패키지(BMP)로 운반될 수 있다.
블랭크 마스크 패키지(BMP)는 케이스(12) 및 케이스(12)의 내부 공간에 배치된 블랭크 마스크(BM)를 포함할 수 있다. 일 예로, 케이스(12)는 서로 결합되는 상부 하우징(12a) 및 하부 하우징(12b)을 포함할 수 있다. 블랭크 마스크 패키지(BMP) 내에는 블랭크 마스크(BM)를 지지하는 받침대(14)가 포함될 수 있다. 케이스(12)는 블랭크 마스크(BM)를 외부 오염으로부터 보호할 수 있다. 본 명세서에 기재된 블랭크 마스크 패키지(BMP)는 일 예에 불과할 뿐, 이의 구성 및 형상에는 제한되지 않는다.
블랭크 마스크 패키지(BMP)가 공정 챔버(10)에 유입될 수 있다. 공정 챔버(10) 내에서는 블랭크 마스크 패키지(BMP)를 언패킹(unpacking)하여, 블랭크 마스크(BM)에 대해 공정을 진행할 수 있다. 공정은 일 예로, 블랭크 마스크(BM)에 기준 마크(Fiducial Mark)를 형성하는 공정일 수 있다. 이하에서, 제 1 방향(X), 제 1 방향(X)과 수직하는 방향을 제 2 방향(Y), 제 1 방향(X) 및 제 2 방향(Y)과 수직하는 방향을 제 3 방향(Z)으로 정의한다.
언패킹 유닛(20)은 공정 챔버(10) 내에 배치될 수 있다. 언패킹 유닛(20)은 제1 스테이지(210) 및 언패킹 부재(220)를 포함할 수 있다. 제1 스테이지(210) 상에는 블랭크 마스크 패키지(BMP)가 놓일 수 있다. 언패킹 부재(220)는 블랭크 마스크 패키지(BMP)를 언패킹할 수 있다.
언패킹 부재(220)는 언패킹 부, 아암, 제1 지지축, 및 제1 구동부를 포함할 수 있다. 언패킹 부는 블랭크 마스크 패키지의 일부와 결합하여, 블랭크 마스크 패키지를 언패킹할 수 있다. 일 예로, 언패킹 부는 블랭크 마스크 패키지의 상부 하우징을 흡착하여 오픈할 수 있으나, 언패킹 방법 및 언패킹 부의 형상은 이에 제한되지 않는다. 아암은 언패킹 부와 제1 지지축을 연결할 수 있다. 제1 지지축은 그 길이방향이 상하 방향(제3 방향)으로 제공되는 로드 형상을 가질 수 있다. 제1 지지축은 제1 구동부에 의해 스윙 및 승강될 수 있다. 이와 달리 제1 지지축은 제1 구동부에 의해 수평 방향(X-Y 평면 내)으로 직선 이동 및 승강할 수 있다. 본 명세서에 기재된 언패킹 부재(220)의 구성 및 형상은 예시적인 것일 뿐, 이에 제한되지 않는다.
이송 로봇(30)은 언패킹 유닛(20)과 레이저 마킹 유닛(40) 간에 블랭크 마스크(BM)를 이송할 수 있다. 일 예로, 언패킹 유닛(20)에서 블랭크 마스크 패키지(BMP)가 언패킹되면, 이송 로봇(30)은 블랭크 마스크(BM)를 언로딩하여 레이저 마킹 유닛(40)으로 블랭크 마스크(BM)를 로딩할 수 있다.
이송 로봇(30)은 그립퍼(Gripper), 제2 지지축, 및 제2 구동부를 포함할 수 있다. 그립퍼는 블랭크 마스크(BM)를 지지 및 이송할 수 있다. 제2 지지축은 그 길이방향이 상하 방향으로 제공되는 로드 형상을 가질 수 있다. 제2 지지축은 제2 구동부에 의해 스윙 및 승강될 수 있다. 이와 달리 제2 지지축은 제2 구동부에 의해 수평 방향으로 직선 이동 및 승강할 수 있다. 본 명세서에 기재된 이송 로봇(30)의 구성 및 형상은 예시적인 것일 뿐, 이에 제한되지 않는다.
레이저 마킹 유닛(40)은 제2 스테이지(410), 지지 부재(420), 반전 부재(430), 및 레이저 마킹 부재(450)를 포함할 수 있다. 제2 스테이지(410) 상에는 블랭크 마스크(BM)가 놓일 수 있다.
도 2a는 도 1의 지지 부재(420), 반전 부재(430), 및 레이저 마킹 부재(450)의 확대도이다.
도 1 및 도 2a를 참조하면, 지지 부재(420)는 지지부(422), 제1 고정부(424), 및 결합부(426)를 포함할 수 있다. 지지부(422)는 십자 형상으로 제공될 수 있다. 지지부(422)의 끝단에 제1 고정부(424)가 제공될 수 있다. 제1 고정부(424)는 지지부(422)로부터 수직하게 연장될 수 있다. 지지부(422)가 블랭크 마스크(BM)와 동일한 폭을 갖도록 제공되어, 제1 고정부(424)가 블랭크 마스크(BM)의 측면들을 지지할 수 있다. 지지부(422)는 블랭크 마스크(BM)를 지지하고, 블랭크 마스크(BM)를 회전시킬 수 있다. 결합부(426)는 지지부(422)와 제2 스테이지(410)를 연결할 수 있다.
반전 부재(430)는 프레임(432), 폭 조절부(436), 제2 고정부(438), 및 수직 가이드(442)를 포함할 수 있다. 반전 부재(430)는 지지 부재(420)의 위(over)에, 지지 부재(420)와 대향되게 배치될 수 있다. 프레임(432)의 내측에는 제1 가이드 레일(433)이 제공될 수 있다. 폭 조절부(436)는 바(Bar) 형상을 갖고, 한 쌍으로 제공될 수 있다. 폭 조절부(436)의 끝단들은 제1 가이드 레일(433)에 결합될 수 있다. 폭 조절부(436)는 제1 가이드 레일(433) 상에서 이동되어, 폭(W)을 조절할 수 있다. 일 예로, 폭 조절부(436)는 블랭크 마스크(BM)의 폭과 동일하게 조절될 수 있다. 폭 조절부(436)에 제2 고정부(438)가 결합될 수 있다. 제2 고정부(438)는 블랭크 마스크(BM)를 고정할 수 있다. 제2 고정부(438)는 블랭크 마스크(BM)의 측면을 지지할 수 있다.
프레임(432)은 수직 가이드(442)와 결합될 수 있다. 일 예로, 프레임(432)은 회전축(434)에 의해 수직 가이드(442)와 결합되고, 회전축(434)을 기준으로 회전될 수 있다. 수직 가이드(442)는 프레임(432)과 지지 부재(420)를 연결할 수 있다. 수직 가이드(442)는 제3 방향(Z)을 따라 연장된 제2 가이드 레일(444)을 포함할 수 있다.
도 2b는 도 1의 레이저 마킹 부재(450)의 확대도이다. 본 명세서에 기재된 레이저 마킹 부재(450)는 도면의 명확화를 위해 일부 과장 및/또는 생략하여 도시된 것으로, 실제 비율과 상이할 수 있다.
도 1, 도 2a, 및 도 2b를 참조하면, 레이저 마킹 부재(450)는 바디(452), 레이저 헤드(454), 세정 가스 공급부(456), 및 광 감지부(458)를 포함할 수 있다. 레이저 마킹 부재(450)는 바디(452), 제3 지지축(453), 및 제3 구동부를 포함할 수 있다. 제3 지지축(453)은 그 길이방향이 상하방향으로 제공되는 로드 형상을 가질 수 있다. 제3 지지축(453)은 제3 구동부에 의해 스윙 및 승강될 수 있다. 이와 달리 제3 지지축(453)은 제3 구동부에 의해 수평 방향으로 직선 이동 및 승강할 수 있다.
레이저 헤드(454)는 바디(452)의 하면에 배치될 수 있다. 레이저 헤드(454)는 블랭크 마스크(BM)에 레이저를 조사하여, 블랭크 마스크(BM)에 기준 마크를 형성할 수 있다. 기준 마크는 블랭크 마스크(BM)의 결함 위치 정보를 파악하는 기준이 될 수 있다. 레이저 헤드(454)는 약 100 nm 내지 700 nm의 파장을 갖는 레이저를 이용하여 약 100 mW 내지 1000 mW의 전력으로 기준 마크를 형성할 수 있다. 레이저 헤드(454)는 일 예로, 약 350 nm의 파장을 갖는 레이저를 이용하여 약 500 mW 이하의 낮은 전력으로 기준 마크를 형성할 수 있다.
세정 가스 공급부(456)는 바디(452)의 하면에 배치될 수 있다. 세정 가스 공급부(456)는 레이저 헤드(454)보다 블랭크 마스크(BM)의 중심에 인접하게 배치될 수 있다. 세정 가스 공급부(456)는 레이저 헤드(454)를 향해 하향 경사지게 형성된 분사 홀(457)을 포함할 수 있다. 다시 말해서, 세정 가스 공급부(456)의 분사 홀(457)은 블랭크 마스크(BM)의 에지 영역을 향해 세정 가스를 공급할 수 있다. 분사 홀(457)은 슬릿 형태로 제공될 수 있으나, 이와 달리 복수의 토출 홀들을 가질 수 있다. 도시하지 않았으나, 바디(452) 내에는 세정 가스를 저장하는 세정 가스 저장부가 제공될 수 있다.
세정 가스 공급부(456)는 블랭크 마스크(BM)로 세정 가스를 공급할 수 있다. 세정 가스는 일 예로, 건조 압축 공기(Clean dry air) 또는 질소 가스를 포함할 수 있다. 세정 가스는 레이저 헤드(454)가 블랭크 마스크(BM)에 기준 마크를 형성할 때 공급되고, 블랭크 마스크(BM)의 에지 영역을 향해 분사되어 블랭크 마스크(BM) 표면의 데미지를 방지할 수 있다. 본 명세서에서, 세정 가스 공급부(456)가 레이저 헤드(454)와 단일 바디에 결합된 것을 예로 들어 도시하였으나, 이와 달리, 세정 가스 공급부는 레이저 헤드와 별도의 바디를 갖도록 제공될 수 있다.
광 감지부(458)는 바디(452)의 하면에 배치될 수 있다. 광 감지부(458)는 레이저 헤드(454)보다 블랭크 마스크(BM)의 중심으로부터 멀게 배치될 수 있다. 광 감지부(458)는 블랭크 마스크(BM)로 광을 조사하여, 블랭크 마스크(BM)의 표면을 오토 포커싱할 수 있다. 다시 말해서, 광 감지부(458)는 블랭크 마스크(BM)로부터 제3 방향(Z)의 거리를 조절하여 기준 마크(FM)가 형성될 블랭크 마스크(BM)의 표면을 포커싱할 수 있다. 광 감지부(458)는 블랭크 마스크(BM)로 광을 조사하여, 블랭크 마스크(BM)의 에지 영역을 감지할 수 있다. 광 감지부(458)는 블랭크 마스크(BM)의 에지 영역을 감지하여 기준 마크가 형성될 영역을 설정할 수 있다. 본 명세서에 기재된 레이저 마킹 부재(450)의 구성 및 형상은 예시적인 것일 뿐, 이에 제한되지 않는다.
제어기(50)는 언패킹 유닛(20), 이송 로봇(30), 및 레이저 마킹 유닛(40)을 제어할 수 있다. 제어기(50)는 언패킹 유닛(20), 이송 로봇(30), 및 레이저 마킹 유닛(40)의 동작 시기 및 동작 순서 등을 제어할 수 있다. 제어기(50)는 레이저 마킹 유닛(40)을 제어하여, 마크 형성 모드를 선택할 수 있다. 마크 형성 모드는 제1 모드 및 제2 모드를 포함할 수 있다. 마크 형성 모드에 대해서는 이하 후술한다.
도 3은 본 발명의 마스크 처리 장치(1)가 블랭크 마스크(BM)에 대해 공정을 처리하는 과정을 보여주는 플로우차트이다. 도 4a 내지 도 4c는 제1 모드일 때, 레이저 마킹 유닛(40)이 블랭크 마스크(BM1)에 기준 마크를 형성하는 것을 보여주는 도면들이다. 도 5a 내지 도 5e는 제2 모드일 때, 레이저 마킹 유닛(40)이 블랭크 마스크(BM2)에 기준 마크를 형성하는 것을 보여주는 도면들이다.
도 3을 참조하면, 언패킹 유닛(20)에 블랭크 마스크 패키지(BMP)가 로딩될 수 있다(S100). 제1 스테이지(210) 상에 블랭크 마스크 패키지(BMP)가 제공되면, 언패킹 유닛(20)은 블랭크 마스크 패키지(BMP)를 언패킹할 수 있다(S200). 일 예로, 언패킹 부재(220)가 블랭크 마스크 패키지(BMP)의 상부 하우징(12a)을 오픈할 수 있다. 이후, 이송 로봇(30)이 언패킹 유닛(20)으로부터 블랭크 마스크(BM)를 언로딩하여, 레이저 마킹 유닛(40)으로 블랭크 마스크(BM)를 로딩할 수 있다(S300). 레이저 마킹 유닛(40)에 블랭크 마스크(BM)가 제공될 수 있다.
레이저 마킹 유닛(40)에서 블랭크 마스크(BM)에 기준 마크를 형성할 수 있다(S400). 기준 마크는 블랭크 마스크(BM)의 결함 위치를 확보하는 기준이 될 수 있다. 제어기(50)는 블랭크 마스크(BM)의 정보에 따라, 마크 형성 모드를 선택할 수 있다(S410). 제어기(50)는 외부 장치로부터, 블랭크 마스크(BM)의 정보를 제공받을 수 있다. 블랭크 마스크(BM)의 정보는 블랭크 마스크(BM)의 최상면에 형성된 막질의 성분일 수 있다.
도 3 및 도 4a를 참조하면, 제어기(50)는 블랭크 마스크(BM1)의 최상면의 막이 금속을 포함할 때, 제1 모드를 선택할 수 있다(S422). 제어기(50)는 블랭크 마스크(BM1)의 최상면의 막이 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 또는 EUV 반사막 등을 포함할 때, 제1 모드를 선택할 수 있다. 블랭크 마스크(BM1)는 석영 기판(11) 상에 금속막(11m)을 포함할 수 있고, 일 예로 금속막(11m)은 CrON을 포함할 수 있다. 제1 모드일 경우, 제어기(50)는 지지 부재(420)에 로딩된 블랭크 마스크(BM1)의 상면으로 광 감지부(458)로 광을 조사하여, 기준 마크의 형성 위치를 감지할 수 있다.
도 3, 도 4b, 및 도 4c를 참조하면, 기준 마크의 형성 위치를 감지한 이후, 제어기(50)는 레이저 헤드(454)로 블랭크 마스크(BM1)에 기준 마크(FM)를 형성할 수 있다(S424). 레이저 헤드(454)는 블랭크 마스크(BM1) 상으로 레이저(L)를 조사하여, 금속막(11m)에 기준 마크(FM)를 형성할 수 있다. 기준 마크(FM)는 블랭크 마스크(BM1)의 결함 위치 정보를 파악하는 기준이 될 수 있다.
제어기(50)는 세정 가스 공급부(456)로 세정 가스(G)를 공급하도록 세정 가스 공급부(456)를 제어할 수 있다(S426). 제어기(50)는 기준 마크(FM)의 형성과 세정 가스(G) 공급을 동시에 수행할 수 있다. 세정 가스(G)는 일 예로, 건조 압축 공기(Clean dry air) 또는 질소 가스를 포함할 수 있다. 세정 가스 공급부(456)의 분사 홀(457)은 블랭크 마스크(BM1)의 에지 영역을 향해 하향 경사지게 형성되어, 블랭크 마스크(BM1)의 에지 영역을 향해 세정 가스(G)를 분사함으로써, 블랭크 마스크(BM1) 표면의 데미지를 방지할 수 있다. 또한, 파티클의 비산을 방지하고, 레이저 헤드(454)의 오염을 방지할 수 있다. 제어기(50)는 지지 부재(420)를 회전시켜 블랭크 마스크(BM1)의 에지 영역들에 기준 마크(FM)를 형성할 수 있다.
이후에, 제어기(50)는 블랭크 마스크(BM1)의 기준 마크(FM)를 기준으로 하여, 블랭크 마스크(BM1)의 결함 위치 정보를 확보할 수 있다. 제어기(50)는 결함 위치 정보를 노광기 및/또는 검사기 등에 전달하여, 기준 마크(FM)를 기준으로 블랭크 마스크(BM1)를 정렬하고 결함 위치를 회피하여 패터닝할 수 있다. 제어기(FM)는 블랭크 마스크(BM1) 상에 포토 레지스트를 도포한 후, 결함 위치 정보를 다시 확보할 수 있다.
도 3 및 도 5a를 참조하면, 제어기(50)는 블랭크 마스크(BM2)의 최상면의 막이 포토 레지스트를 포함할 때, 제2 모드를 선택할 수 있다(S432). 블랭크 마스크(BM2)는 석영 기판(11), 석영 기판(11) 상의 포토 레지스트막(11p), 및 석영 기판(11)과 포토 레지스트막(11p) 사이의 금속막(11m)을 포함할 수 있다. 제2 모드일 경우, 제어기(50)는 지지 부재(420)에 로딩된 블랭크 마스크(BM2)의 상면으로 광 감지부(458)로 광을 조사하여, 기준 마크(FM)의 형성 위치를 감지할 수 있다.
도 3, 도 5b, 및 도 5c를 참조하면, 기준 마크의 형성 위치를 감지한 이후, 제어기(50)는 블랭크 마스크(BM2)의 상하 방향을 반전시키도록 반전 부재(430)를 제어할 수 있다(S434). 블랭크 마스크(BM2)가 반전되어, 석영 기판(11)이 레이저 마킹 유닛(450)과 대향되도록 노출될 수 있다. 제어기(50)는 프레임(432)을 수직 가이드(442)를 따라 이동시키고, 블랭크 마스크(BM2)의 폭에 맞추어 폭 조절부(436)를 조절하여 제2 고정부(438)로 블랭크 마스크(BM2)를 고정할 수 있다.
도 3, 도 5d, 및 도 5e를 참조하면, 기준 마크의 형성 위치를 감지한 이후, 제어기(50)는 레이저 헤드(454)로 블랭크 마스크(BM2)에 기준 마크(FM)를 형성할 수 있다(S436). 제어기(50)는 블랭크 마스크(BM2)의 후면, 즉, 석영 기판(11)으로 광 감지부(458)로 광을 조사하여, 기준 마크의 형성 위치를 감지할 수 있다. 제어기(50)가 석영 기판(11)으로 레이저(L)를 조사하면, 레이저(L)가 석영 기판(11)을 투과하여 금속막(11m)에 기준 마크(FM)를 형성할 수 있다. 레이저(L)가 포토 레지스트막(11p)으로 직접 공급되지 않으므로, 포토 레지스트막(11p)의 손상을 방지할 수 있다. 제어기(50)는 지지 부재(420)를 회전시켜 블랭크 마스크(BM2)의 에지 영역들에 기준 마크(FM)를 형성할 수 있다.
이후에, 제어기(50)는 블랭크 마스크(BM2)를 다시 반전시키도록 반전 부재(430)를 제어하고, 블랭크 마스크(BM2)의 기준 마크(FM)를 기준으로 하여 블랭크 마스크(BM2)의 결함 위치 정보를 확보할 수 있다. 제어기(50)는 결함 위치 정보를 노광기 및/또는 검사기 등에 전달하여, 기준 마크(FM)를 기준으로 블랭크 마스크(BM2)를 정렬하고 결함 위치를 회피하여 패터닝할 수 있다.
본 발명의 개념에 따르면, 블랭크 마스크의 결함 위치 정보를 확인할 수 있는 기준 마크를 형성할 수 있다. 블랭크 마스크 패키지의 언패킹 장치 내에 레이저 마킹 유닛을 제공함으로써, 별도의 공정 및/또는 설비를 필요로 하지 않을 수 있다. 블랭크 마스크 패키지의 언패킹 공정은 포토 마스크 제작의 개시 공정이므로, 기존 공정 및/또는 설비 내에서 기준 마크 형성 공정이 진행될 수 있다. 이로 인해, 양산 설비의 부하 및 공정 단가 증가를 방지할 수 있다. 또한, 블랭크 마스크 내의 금속층에 레이저 마킹할 수 있어, 표면 막질 특성의 변화를 방지할 수 있다. 세정 가스를 공급함으로써, 기준 마크 및 레이저 마킹 유닛의 오염 및 데브리스 발생을 방지할 수 있다.
이상의 실시 예들은 본 발명의 이해를 돕기 위하여 제시된 것으로, 본 발명의 범위를 제한하지 않으며, 이로부터 다양한 변형 가능한 실시 예들도 본 발명의 범위에 속하는 것임을 이해하여야 한다. 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이며, 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 문언적 기재 그 자체로 한정되는 것이 아니라 실질적으로는 기술적 가치가 균등한 범주의 발명에 대하여까지 미치는 것임을 이해하여야 한다.

Claims (10)

  1. 블랭크 마스크를 포함하는 블랭크 마스크 패키지가 유입되고, 상기 블랭크 마스크 패키지를 언패킹하여 상기 블랭크 마스크에 대해 공정을 진행하는 공정 챔버;
    상기 공정 챔버 내에 배치되고, 상기 블랭크 마스크 패키지를 언패킹하는 언패킹 유닛; 및
    상기 공정 챔버 내에 배치되고, 상기 블랭크 마스크에 레이저를 조사하여 기준 마크를 형성하는 레이저 마킹 유닛을 포함하는 마스크 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 레이저 마킹 유닛은:
    상기 블랭크 마스크가 놓이고, 상기 블랭크 마스크를 회전시키는 지지 부재; 및
    상기 블랭크 마스크에 상기 기준 마크를 형성하는 레이저 헤드를 갖는 레이저 마킹 부재를 포함하는 마스크 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 레이저 마킹 유닛은 상기 블랭크 마스크로 세정 가스를 공급하는 세정 가스 공급부를 더 포함하는 마스크 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 세정 가스 공급부는 상기 레이저 마킹 부재에 배치되고, 상기 세정 가스 공급부는 상기 레이저 헤드보다 상기 블랭크 마스크의 중심에 인접하게 배치된 마스크 처리 장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 세정 가스 공급부는 상기 레이저 헤드를 향해 하향 경사지게 형성된 분사 홀을 포함하는 마스크 처리 장치.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 세정 가스는 압축 건조 공기 또는 질소 가스를 포함하는 마스크 처리 장치.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 레이저 마킹 유닛은 상기 블랭크 마스크를 상하 방향으로 반전시키는 반전 부재를 더 포함하는 마스크 처리 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 언패킹 유닛 및 상기 레이저 마킹 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하되,
    상기 제어기는 상기 블랭크 마스크에 상기 기준 마크를 형성할 때, 상기 블랭크 마스크의 정보에 따라 마크 형성 모드를 선택하는 마스크 처리 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 마크 형성 모드는:
    상기 지지 부재에 상기 블랭크 마스크가 놓이면 상기 블랭크 마스크의 상면에 상기 레이저를 조사하여 상기 기준 마크를 형성하는 제1 모드; 및
    상기 지지 부재에 상기 블랭크 마스크가 놓이면 상기 반전 유닛으로 상기 블랭크 마스크를 상하 방향으로 반전시킨 후, 상기 블랭크 마스크의 후면으로 상기 레이저를 조사하여 상기 기준 마크를 형성하는 제2 모드를 포함하는 마스크 처리 장치.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 블랭크 마스크의 정보는 상기 블랭크 마스크의 최상면에 형성된 막질의 성분에 대한 정보이고,
    상기 제어기는 상기 최상면의 막질이 금속을 포함하는 경우 상기 제1 모드를 선택하고, 상기 최상면의 막질이 포토 레지스트를 포함하는 경우 상기 제2 모드를 선택하는 마스크 처리 장치.
KR1020160174834A 2016-12-20 2016-12-20 마스크 처리 장치 및 방법 KR20180072036A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160174834A KR20180072036A (ko) 2016-12-20 2016-12-20 마스크 처리 장치 및 방법
US15/837,512 US10613432B2 (en) 2016-12-20 2017-12-11 Mask treating apparatus
US16/801,328 US11454879B2 (en) 2016-12-20 2020-02-26 Mask treating method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160174834A KR20180072036A (ko) 2016-12-20 2016-12-20 마스크 처리 장치 및 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20180072036A true KR20180072036A (ko) 2018-06-29

Family

ID=62556307

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160174834A KR20180072036A (ko) 2016-12-20 2016-12-20 마스크 처리 장치 및 방법

Country Status (2)

Country Link
US (2) US10613432B2 (ko)
KR (1) KR20180072036A (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10871722B2 (en) * 2018-07-16 2020-12-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photomask purging system and method
WO2022201138A1 (en) 2021-03-24 2022-09-29 Carl Zeiss Sms Ltd. Method for generating a local surface modification of an optical element used in a lithographic system

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6198527B1 (en) * 1992-09-14 2001-03-06 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and exposure method
JPH09283904A (ja) * 1996-04-18 1997-10-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 樹脂スクリーンマスクの認識マーク作成方法
US5966307A (en) * 1997-06-10 1999-10-12 Behavior Tech Computer Corporation Laser marker control system
JP2000019717A (ja) * 1998-07-06 2000-01-21 Mitsubishi Electric Corp マスク検査装置および半導体デバイスの製造方法
US6417484B1 (en) * 1998-12-21 2002-07-09 Micron Electronics, Inc. Laser marking system for dice carried in trays and method of operation
JP2001033941A (ja) 1999-07-16 2001-02-09 Toshiba Corp パターン形成方法及び露光装置
WO2003071358A1 (en) * 2002-02-20 2003-08-28 U.C.Laser Ltd. Method and system for repairing defected photomasks
US6716723B2 (en) * 2002-06-05 2004-04-06 Intel Corporation Wafer cutting using laser marking
US6829035B2 (en) * 2002-11-12 2004-12-07 Applied Materials Israel, Ltd. Advanced mask cleaning and handling
US7463338B2 (en) * 2003-07-08 2008-12-09 Hoya Corporation Container for housing a mask blank, method of housing a mask blank, and mask blank package
TWI222186B (en) * 2003-09-04 2004-10-11 Advanced Semiconductor Eng Method for manufacturing package substrate strip and structure from the same
JP4520263B2 (ja) * 2004-09-16 2010-08-04 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランク提供システム、マスクブランク提供方法、マスクブランク用透明基板の製造方法、マスクブランクの製造方法及びマスクの製造方法
DE102005014911B4 (de) * 2005-04-01 2018-01-25 Zf Friedrichshafen Ag Fertigungszelle zur Schleifbearbeitung und Radsatzprüfung und Verfahren zum Betreiben der Fertigungszelle
JP2009151109A (ja) 2007-12-20 2009-07-09 Toshiba Corp フォトマスクおよびその作成方法ならびに半導体装置の製造方法
US7927766B2 (en) 2008-03-03 2011-04-19 International Business Machines Corporation Pre-alignment marking and inspection to improve mask substrate defect tolerance
JP4536804B2 (ja) 2008-06-27 2010-09-01 Ｈｏｙａ株式会社 フォトマスクの製造方法
KR20100037799A (ko) 2008-10-02 2010-04-12 삼성전자주식회사 극자외선 블랭크 마스크 제작 시 기준 마크를 삽입하고, 마스크 패턴 전 기준 마크를 오픈함으로써, 마스크 패턴 시결함을 피해가는 반사형 포토마스크 제작방법
KR101650370B1 (ko) 2009-03-26 2016-08-23 호야 가부시키가이샤 반사형 마스크용 다층 반사막 부착 기판 및 반사형 마스크블랭크 그리고 그것들의 제조방법
TW201246559A (en) * 2011-05-12 2012-11-16 Topcell Solar Internat Co Ltd Manufacturing method of electrode of solar cell and manufacturing apparatus thereof
KR101993322B1 (ko) 2011-09-28 2019-06-26 호야 가부시키가이샤 마스크블랭크용 유리기판, 다층 반사막 부착 기판, 마스크블랭크 및 마스크, 그리고 그것들의 제조방법
US8962222B2 (en) 2012-06-13 2015-02-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photomask and method for forming the same
KR20150058254A (ko) * 2012-09-28 2015-05-28 아사히 가라스 가부시키가이샤 Euv 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법, 그리고 euv 리소그래피용 반사형 마스크 및 그 제조 방법
WO2014129527A1 (ja) * 2013-02-22 2014-08-28 Hoya株式会社 反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法
EP2883647B1 (de) * 2013-12-12 2019-05-29 Bystronic Laser AG Verfahren zur Konfiguration einer Laserbearbeitungsvorrichtung

Also Published As

Publication number Publication date
US10613432B2 (en) 2020-04-07
US20200192214A1 (en) 2020-06-18
US11454879B2 (en) 2022-09-27
US20180173091A1 (en) 2018-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4938424B2 (ja) 液浸型投影装置の汚染を防止または低減する方法および液浸型リソグラフィ装置
JP4825510B2 (ja) リソグラフィ装置
JP4843212B2 (ja) レーザー処理装置及びレーザー処理方法
JP3711083B2 (ja) パターン形成方法
JP6262866B2 (ja) リソグラフィのための支持テーブル、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法
JP5189035B2 (ja) 基板ハンドラ
KR20180072036A (ko) 마스크 처리 장치 및 방법
JP2006165577A (ja) センサー・シールド
WO2015098596A1 (ja) 基板処理システム
JP4870425B2 (ja) 基板ハンドラ
KR20120120670A (ko) 레이저 분할빔을 이용한 선택적 박막 제거장치
JP2007316561A (ja) 露光装置及び露光方法
TW201013303A (en) Apparatus and method for repairing a mask
JP7425176B2 (ja) マスク処理装置及び基板処理装置
KR20230103937A (ko) 마스크 처리 장치 및 기판 처리 장치
JP7308087B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
TWI770570B (zh) 描繪方法及描繪裝置
JP5294678B2 (ja) 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
KR100781458B1 (ko) 웨이퍼 에지 노광장치
JP2008191404A (ja) 基板搬送装置、ステージ装置、及びパターン形成装置
JPH0342825A (ja) アッシング方法
JP2005352070A (ja) 基板交換装置及び露光装置
KR100614115B1 (ko) 기판용 에싱시스템 및 이 에싱시스템을 이용하여 기판을제조하는 방법
KR20230033926A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20180025594A (ko) 반송 로봇의 자세 보정 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal