TWI770570B - 描繪方法及描繪裝置 - Google Patents

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TWI770570B
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日商斯庫林集團股份有限公司
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Abstract

本發明之課題在於一面抑制焦點深度降低等，一面實現所形成之圖案形狀之微細化。 本發明的描繪方法，係具備有如下步驟：對感光材料，利用至少一部分具有第1位移圖案的第2描繪圖案，照射描繪光的步驟；將感光材料施行顯影的步驟；以及在基板上表面形成第1圖案形狀的步驟；第1位移圖案係，以至少一部分重疊於第1描繪圖案中對應的單位圖案，且自所對應之單位圖案偏移的單位圖案。

Description

描繪方法及描繪裝置
本案說明書所揭示的技術係關於描繪方法及描繪裝置。
習知揭示有一種曝光裝置(即，描繪裝置)，其當將為了在基板上表面形成之感光材料上形成電路等的描繪圖案施行曝光時，不使用遮罩等，而是藉由配合描述描繪圖案之資料來進行調變的光(即，描繪光)，而在基板上表面的感光材料進行掃描，藉此而直接對該感光材料曝光描繪圖案(例如參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2014-066954號公報
(發明所欲解決之問題)
根據利用如上述般之描繪裝置描繪之描繪圖案而形成的圖案形狀，隨近年半導體裝置的微細化與高機能化，期待更加微細化。
然而，在圖案形狀微細化時，會伴隨有焦點深度(depth of focus、即DOF)降低等，且會有用於實現微細化的裝置之製造成本亦增加的問題。
本案說明書所揭示的技術係有鑑於以上所記載之問題而完成，其目的在於提供一種技術，其用於一面抑制焦點深度降低等，一面實現所形成之圖案形狀之微細化。 (解決問題之技術手段)
本案說明書所揭示技術的第1態樣，係具備有如下步驟：對配置在基板之上表面之感光材料，利用第1描繪圖案照射描繪光的步驟；對上述感光材料，利用至少一部分具有第1位移圖案的第2描繪圖案，照射上述描繪光的步驟；在利用上述第1描繪圖案及上述第2描繪圖案的上述描繪光之照射後，將上述感光材料施行顯影的步驟；以及根據所顯影的上述感光材料，在上述基板之上表面形成第1圖案形狀的步驟；上述第1位移圖案係，以至少一部分重疊於上述第1描繪圖案中對應的單位圖案，且自所對應之上述單位圖案偏移的上述單位圖案。
本案說明書所揭示技術的第2態樣，係關聯於第1態樣，其中，上述單位圖案係線形狀，上述第1位移圖案係，自對應的上述單位圖案，朝與上述線形狀延伸方向交叉之方向偏移之上述單位圖案。
本案說明書所揭示技術的第3態樣，係關聯於第1或2態樣，其中，經上述描繪光照射的上述感光材料之至少一部分係在顯影後被除去。
本案說明書所揭示技術的第4態樣，係關聯第3態樣，其中，上述感光材料係於僅由利用上述第1描繪圖案的上述描繪光、及利用上述第2描繪圖案的上述描繪光中之任一者照射後施行顯影時，在顯影後不被除去，且於由利用上述第1描繪圖案的上述描繪光及利用上述第2描繪圖案的上述描繪光雙方照射後施行顯影時，在顯影後被除去。
本案說明書所揭示技術的第5態樣，係關聯第1或2態樣，其中，經上述描繪光照射的上述感光材料係在顯影後殘存。
本案說明書所揭示技術的第6態樣，係關聯第1至5中之任一態樣，其中，更進一步具備有如下步驟：在鄰接於形成有上述第1圖案形狀之區域的區域即鄰接區域中，對上述感光材料利用第3描繪圖案照射上述描繪光的步驟；在上述鄰接區域中，對上述感光材料，利用至少一部分具有第2位移圖案的第4描繪圖案，照射上述描繪光的步驟；在利用上述第3描繪圖案及上述第4描繪圖案的上述描繪光之照射後，將上述感光材料施行顯影的步驟；以及根據已顯影的上述感光材料，於上述基板之上表面形成第2圖案形狀的步驟；上述第2位移圖案係，以至少一部分重疊於上述第3描繪圖案中對應的上述單位圖案，且自所對應之上述單位圖案偏移的上述單位圖案。
本案說明書所揭示技術的第7態樣，係關聯第6態樣，其中，上述單位圖案係線形狀，上述第2位移圖案係，自對應的上述單位圖案，朝與上述線形狀延伸方向交叉之方向偏移之上述單位圖案。
本案說明書所揭示技術的第8態樣，係關聯第6或7態樣，其中，上述鄰接區域中，經上述描繪光照射的上述感光材料之至少一部分係在顯影後被除去。
本案說明書所揭示技術的第9態樣，係關聯第8態樣，其中，上述鄰接區域的上述感光材料係於僅由利用上述第3描繪圖案的上述描繪光、及利用上述第4描繪圖案的上述描繪光中之任一者照射後施行顯影時，在顯影後不被除去，且於由利用上述第3描繪圖案的上述描繪光及利用上述第4描繪圖案的上述描繪光雙方照射後施行顯影時，在顯影後被除去。
本案說明書所揭示技術的第10態樣，係關聯第6或7態樣，其中，上述鄰接區域中，經上述描繪光照射的上述感光材料係在顯影後殘存。
本案說明書所揭示技術的第11態樣，係關聯第1至10中之任一態樣，其中，上述基板係玻璃基板，且上述第1圖案形狀的材料係銅。
本案說明書所揭示技術的第12態樣，係具備有：照射部，其係對配置在基板之上表面之感光材料照射描繪光；以及控制部，其係對上述照射部的動作進行控制；上述控制部係，使上述照射部對上述感光材料利用第1描繪圖案照射上述描繪光，使上述照射部對上述感光材料利用至少一部分具有第1位移圖案的第2描繪圖案，照射上述描繪光，而上述第1位移圖案係，以至少一部分重疊於上述第1描繪圖案中對應的單位圖案，且自所對應之上述單位圖案偏移的上述單位圖案。 (對照先前技術之功效)
根據本案說明書所揭示技術的第1至12態樣，可一面抑制焦點深度降低等，一面實現所形成之圖案形狀的微細化。
再者，與本案說明書所揭示技術關聯之目的、特徵、局面以及優點係利用以下所示詳細說明與所附圖式便可更加明瞭。
以下，參照所附圖式，針對實施形態進行說明。以下實施形態中，為求技術說明而亦例示詳細特徵等，惟，該等僅止於例示而已，為了能實施該等實施形態，該等特徵全部並未一定均為必需特徵。
另外，圖式係概略顯示者，為求說明上的便利，而於圖式中，適宜地省略構成、或將構成簡略化。又，不同圖式各自所示之構成等的大小及位置之相互關係未必正確地記載，而是經適當變更而得者。又，非為剖視圖的俯視圖等圖式中，為求容易理解實施形態的內容，會有附加陰影線的情況。
再者，以下所示說明中，針對同樣的構成要素賦予相同符號而加以圖示，對於該等的名稱與機能亦同。所以，針對該等的詳細說明會有為避免重複而省略之情況。
再者，以下所記載的說明中，將某構成要素記載為「具備」、「含有」或「具有」等情況，在無特別聲明之前提下，並非排除其他構成要素存在的排他表現。
再者，以下所記載的說明中，使用「第1」或「第2」等序數的情況，亦是為求容易理解實施形態之內容，而簡便地使用該等用詞，並不僅侷限於由該等序數所代表的順序等。
再者，以下所記載之說明中，使用「上」、「下」、「左」、「右」、「側」、「底」、「表」或「背」等意指特定位置與方向的用語時，亦是為求容易理解實施形態之內容，而簡便地使用該等用詞，與實際實施時的方向並無關係。
再者，以下所記載的說明中，記載為「…上面」或「…下面」等的情況，除成為對象之構成要素的上表面本身之外，尚亦涵蓋在成為對象之構成要素的上表面形成其他構成要素的狀態。即，例如記載為「在甲之上表面設置的乙」時，亦不妨礙在甲與乙之間介設另一構成要素「丙」。
＜實施形態＞ 以下，針對與本實施形態相關的描繪方法、及描繪裝置進行說明。
＜描繪裝置之構成＞ 圖1所示係概略地表示與本實施形態相關的描繪裝置之構成例之側視圖。又，圖2係概略地表示與本實施形態相關的描繪裝置之構成例之俯視圖。
如圖1與圖2所例示，描繪裝置1係在已形成有光阻等感光材料層的基板W之上表面，不使用遮罩等地，利用經配合記載描繪圖案之資料(CAD資料等)而經調變過的光(即描繪光)，對基板W之上表面的光阻等感光材料施行掃描，藉此而曝光(描繪)圖案形狀(例如電路圖案)的裝置。
另外，成為處理對象之基板W係包含有例如：半導體基板、液晶顯示裝置用基板、有機EL(electroluminescence，電致發光)顯示裝置等flat panel display(FPD，平板顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、或太陽電池用基板等。
基板W的形狀係例如：直徑300mm或450mm的圓形、或600mm×600mm、510mm×510mm、或510mm×415mm的方形。又，基板W的厚度較佳係2mm以下。
再者，基板W係包含矽、玻璃、石英、或樹脂等材質，亦可在基板W的表面上利用電鍍、濺鍍或蒸鍍等形成金屬薄膜。
圖1及圖2所示之例中，顯示方形的半導體基板而作為基板W。
描繪裝置1係在本體內部與本體外部配置各種構成要素，該本體內部係藉由在由本體框101所構成之骨架的頂板面及周圍面安裝蓋板(省略圖示)而形成，該本體外部係位於本體框101的外側。
描繪裝置1的本體內部係區分為處理區域102與交接區域103。
在處理區域102中主要配置有：保持基板W的平台10、使平台10移動的平台驅動機構20、測量平台10位置的平台位置測量部30、對基板W之上表面照射光的2個光學單元40、以及拍攝基板W之上表面之對準標記的攝像部50。
另一方面，在交接區域103中配置有：對處理區域102進行基板W搬出搬入的搬送裝置60、以及預對準部70。
再者，描繪裝置1係具備有：控制部80，其與描繪裝置1所具備之各構成要素電性連接，且控制該等構成要素之動作。以下，針對描繪裝置1所具備之各構成要素的構成進行說明。
＜平台10＞ 平台10係具有平板狀之外形且於其上表面呈水平姿勢地載置並保持基板W的保持部。在平台10的上表面形成複數個抽吸孔(省略圖示)，藉由使該抽吸孔產生負壓(抽吸壓)，便可將平台10上表面所載置的基板W固定保持。
＜平台驅動機構20＞ 平台驅動機構20係使平台10對基台105進行移動的機構，使平台10在主掃描方向(Y軸方向)、副掃描方向(X軸方向)及旋轉方向(圍繞Z軸的旋轉方向(θ軸方向))上移動。
平台驅動機構20具體係具備有：使平台10旋轉的旋轉機構21、經由旋轉機構21而支撐著平台10的支撐板22、以及使支撐板22在副掃描方向上移動的副掃描機構23。平台驅動機構20係更進一步具備有：經由副掃描機構23而支撐著支撐板22的底板24、以及使底板24在主掃描方向上移動的主掃描機構25。
旋轉機構21係使平台10以通過平台10之上表面(基板W之載置面)之中心、且垂直該載置面的旋轉軸A為中心進行旋轉。旋轉機構21係例如可為包含旋轉軸部211與旋轉驅動部212(例如旋轉馬達)之構成，該旋轉軸部211係上端固接於載置面的背面側，且沿鉛直軸延伸，該旋轉驅動部212係設置於旋轉軸部211的下端，使旋轉軸部211旋轉。
於此種構成中，藉由旋轉驅動部212使旋轉軸部211進行旋轉，平台10便在水平面內以旋轉軸A為中心進行旋轉。
副掃描機構23係具備有：安裝於支撐板22之下表面的動子、及由在底板24上表面鋪設之定子構成的線性馬達231(參照圖2)。
再者，在底板24上鋪設有朝副掃描方向延伸的一對導引構件232，在各導引構件232與支撐板22之間，設置可在導引構件232中滑動且能沿該導引構件232移動的滾珠軸承。即，支撐板22係經由該滾珠軸承而被支撐於一對導引構件232上。
於此種構成中，若使線性馬達231產生動作，支撐板22便在被導引構件232引導之狀態下沿副掃描方向平滑地移動。
主掃描機構25係具備有：線性馬達251，其由安裝於底板24下表面的動子、及在描繪裝置1的基台105上表面鋪設之定子構成(參照圖2)。
再者，在基台105上鋪設朝主掃描方向延伸的一對導引構件252，在各導引構件252與底板24之間，設置例如空氣軸承。從功能設備經常地對空氣軸承供給空氣，底板24便利用空氣軸承而非接觸地被浮起支撐於導引構件252上。
於此種構成中，若使線性馬達251產生動作，底板24便在被導引構件252引導之狀態下，沿主掃描方向無摩擦地平滑移動。
＜平台位置測量部30＞ 平台位置測量部30係測量平台10位置的機構。平台位置測量部30具體係例如由干涉式雷射測長器構成，該雷射測長器係從平台10外朝向平台10射出雷射光，且接受該反射光，根據該反射光與射出光的干涉，測量平台10的位置(具體而言，沿主掃描方向的Y位置、及沿旋轉方向的θ位置)。
＜光學單元40＞ 光學單元40係藉由對平台10上表面所保持之基板W的上表面照射描繪光，而用於在基板W上描繪圖案的機構。
如上述，描繪裝置1係具備有2個光學單元40。例如其中一光學單元40負責基板W靠+X側之一半的曝光，另一光學單元40則負責基板W靠-X側之一半的曝光。
該等2個光學單元40係在設為於副掃描方向(X軸方向)跨過平台10及平台驅動機構20而在基台105上架設的支撐框107上，沿副掃描方向(X軸方向)隔開間隔地固接設置。
另外，2個光學單元40間的間隔未必一定要固定，亦可設置可變更2個光學單元40中之其中一者或雙方位置的機構，而可調整二者之間隔。原本光學單元40的搭載個數未必一定要2個，亦可為1個，亦可為3個以上。
2個光學單元40可均具備相同構成。即，各光學單元40均具備有：配置於形成頂板之箱體之內部的光源部401、以及安裝於支撐框107之+Y側之附設箱的內部所收容的頭部402。
光源部401主要係具備有：雷射驅動部41、雷射振盪器42、及照明光學系統43。又，頭部402主要係具備有：空間光調變單元44、投影光學系統45。
雷射振盪器42係接受來自雷射驅動部41的驅動，從輸出反射鏡(省略圖示)射出雷射光。照明光學系統43係將從雷射振盪器42射出的光(點波束)作為強度分佈均勻的線狀光(即，光束截面呈帶狀之光即線光束)。
從雷射振盪器42射出且進而在照明光學系統43中成為線光束的光係射入於頭部402。另外，亦可設為如下構成：在從雷射振盪器42射出的光入射於頭部402前之階段，將該光集束，而調整入射於頭部402的光之光量。
入射於頭部402的光係於此因應圖案資料PD而施行空間調變，並再照射至基板W。此處，所謂使光進行空間調變係指，使光的空間分佈(振幅、相位及偏光等)變化。又，所謂「圖案資料PD」係依像素單位記錄應照射光之基板W上的位置資訊之資料，例如藉由柵格化而生成使用computer aided design(CAD，電腦輔助設計)生成的圖案之設計資料。
圖案資料PD係例如藉由從經由網路等而連接的外部終端裝置接收，或藉由從記錄媒體讀取等而取得，再儲存於控制部80的記憶裝置84等(參照圖3)。
更具體而言，入射於頭部402的光係經由反射鏡46而依預定角度入射於空間光調變單元44。
空間光調變單元44係具備有空間光調變器441，該空間光調變器441係利用電性控制使入射光進行空間調變，而使有助於圖案描繪的必要光、及無助於圖案描繪的不必要光相互地朝不同方向反射。
空間光調變器441係例如利用調變元件即將固定帶與可動帶呈一維配設的繞射光柵型之空間調變器(例如光柵閥(grating light valve，即GLV：註冊商標))等而構成。
繞射光柵型之空間調變器係可變更光柵深度的繞射光柵，例如使用半導體裝置之製造技術而製造。
針對空間光調變器441的構成例，進行以下具體說明。空間光調變器441係複數個調變單位呈一維排列之構成。各調變單位的動作係例如利用有無施加電壓而進行控制，空間光調變器441係具備有可對複數個調變單位各者獨立性施加電壓的驅動電路單元(省略圖示)。藉此，各調變單位的電壓成為可獨立切換。
若調變單位處於第1電壓狀態(例如未施加電壓的狀態)，調變單位的表面便會例如成為平面。若光朝表面成為平面的調變單位入射，該入射光便不會繞射而會正反射。藉此便產生正反射光(0次繞射光)。該正反射光係作為應貢獻於圖案描繪的必要光，經由後述投影光學系統45而被導引於基板W的表面。
另一方面，若調變單位處於第2電壓狀態(例如施加電壓的狀態)，便在調變單位的表面上，周期性地排列形成1條以上之預定深度(最大深度)的平行溝。若光在該狀態下朝調變單位入射，正反射光(0次繞射光)便相抵消而消滅，產生其他次數的繞射光(±1次繞射光、±2次繞射光、及更高次的繞射光)。該0次以外次數的繞射光係作為不應貢獻於圖案描繪的不必要光，在後述投影光學系統45中會被阻隔，而不會到達基板W。
以下，將成為第1電壓狀態的調變單位亦稱為「開啟狀態」，將成為第2電壓狀態的調變單位亦稱為「關閉狀態」。
空間光調變器441亦可更進一步具備有：可對一群調變單位各者之開啟狀態的射出率個別地進行調整的機構(射出率調整部)。
此處所謂調變單位的「射出率」係指調變單位中之射出光量相對於入射光量的比(射出光量/入射光量)。然而，此處所謂「射出光量」係指必要光(即，朝到達基板W方向射出的光)的光量，在此係指正反射光(0次繞射光)的光量。
調變單位的射出率係若調變單位的表面成為平面便成為100%。而，若調變單位的表面形成有溝則射出率會降低，該溝的深度越深，則射出率越小。射出率調整部係針對各調變單位，將於使該調變單位成為開啟狀態時形成於表面之溝的深度在零以上且上述最大溝深度(即，在關閉狀態之調變單位的表面形成之溝的深度，賦予0百分比的射出率)以下之範圍內進行調整，藉此可將開啟狀態之調變單位的射出率調整為0%至100%的任意值。
投影光學系統45係在從空間光調變器441入射的光中，阻隔不必要光且將必要光導引於基板W上表面，使必要光在基板W上表面成像。即，從空間光調變器441射出的必要光沿Z軸朝-Z方向行進，而從空間光調變器441射出的不必要光沿著從Z軸些微朝±X方向傾斜的軸，而朝-Z方向行進，且投影光學系統45係例如具備有依僅使必要光通過之方式在正中央處形成貫通孔的阻隔板，利用該阻隔板阻隔不必要光。
投影光學系統45係亦可為如下構成，其除該阻隔板之外，更進一步具備有：構成放大(或縮小)必要光之寬度之變焦部的複數個透鏡、以及使必要光依預定倍率在基板W上表面成像的物鏡。
使光學單元40執行描繪動作時，控制部80便驅動雷射驅動部41，從雷射振盪器42射出光。所射出的光在照明光學系統43中成為線束，經由反射鏡46而入射於空間光調變單元44的空間光調變器441中。然而，空間光調變器441係依複數個調變單位之反射面的法線相對於經由反射鏡46入射之入射光的光軸而傾斜的姿勢配置。
如上述，在空間光調變器441中，複數個調變單位沿副掃描方向(X軸方向)排列配置，而入射光係使該線狀之光束截面的長寬度方向沿調變單位之排列方向，入射於呈一列地排列的複數個調變單位。
控制部80根據圖案資料PD而對驅動電路單元賦予指示，驅動電路單元便依照該指示而對既定調變單位施加電壓。
藉此，於各調變單位中個別也形成有包含經空間調變過的光之截面呈帶狀的描繪光，然後該描繪光朝向基板W射出。
1個調變單位中經空間調變過的光便成為1像素份的描繪光，從空間光調變器441射出的描繪光成為沿副掃描方向的複數個像素份之描繪光。
從空間光調變器441射出的描繪光入射於投影光學系統45。然後，在投影光學系統45中，入射光中的不必要光被阻隔，且僅有必要光被導引於基板W上表面，成為預定倍率，並在基板W上表面成像。
各光學單元40係一邊沿主掃描方向(Y軸方向)對於基板W而相對地移動，一邊持續間歇地照射沿副掃描方向之複數像素份的描繪光(即，持續在基板W上表面重複投影脈衝光)。所以，若光學單元40沿主掃描方向橫跨基板W，便在基板W上表面，於沿主掃描方向延伸、且沿副掃描方向具有複數個像素份寬度(以下亦稱「描繪寬度M」)的1條帶狀區域中，描繪圖案群組。
光學單元40係在進行隨著描繪光之照射的主掃描後，再沿與主掃描方向正交的副掃描方向(X軸方向)，對基板W僅相對移動既定距離(副掃描)後，再度進行隨著描繪光之照射的主掃描。藉此，在由先前之主掃描描繪的帶狀區域之旁邊描繪有圖案群組。
依此，藉由夾著副掃描，並反覆進行隨著描繪光之照射的主掃描，便在描繪對象區域全體上描繪圖案群組。
＜攝像部50＞ 攝像部50係固定設置於支撐框107上，拍攝在由平台10所保持之基板W上表面形成的對準標記。攝像部50係具備有例如鏡筒、物鏡、以及例如由區域影像感測器(二維影像感測器)構成的CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合元件)影像感測器。
再者，攝像部50係經由光纖等而與供給被用於攝像之照明光的照明單元501連接。但，該照明光係採用不會使基板W上表面的光阻等感光之波長的光源。
從照明單元501射出的光係經由光纖等而被導引於鏡筒，再經由鏡筒而被導引於基板W的上表面。然後，其反射光便經由物鏡而由CCD影像感測器受光。
藉此，於攝像部50中，可取得基板W上表面的攝像資料。CCD影像感測器因應來自控制部80的指示而取得攝像資料，且將所取得的攝像資料傳送給控制部80。另外，攝像部50亦可更進一步具備有可自動對焦的自動對焦單元。
＜搬送裝置60＞ 搬送裝置60係搬送基板W的裝置，具體係例如具備有：用於支撐基板W的2支機械手61及機械手61、以及使機械手61及機械手61分別獨立移動(進退移動及升降移動)的機械手驅動機構62。
在描繪裝置1的本體外部、且鄰接於交接區域103的位置處，配置有用於載置晶圓盒C的晶圓盒載置部104，搬送裝置60係取出晶圓盒載置部104中所載置之晶圓盒C中收容的未處理基板W，並搬入於處理區域102中。在此之同時，搬送裝置60從處理區域102中搬出處理完畢之基板W，並收容於晶圓盒C中。另外，晶圓盒C對晶圓盒載置部104的交接係由外部搬送裝置(省略圖示)進行。
＜預對準部70＞ 預對準部70(參照圖2)係將基板W的旋轉位置進行粗略補正的裝置。預對準部70係例如具備有：可旋轉地構成之載置台、對在載置台上所載置之基板W的外周緣一部分形成之缺口部(例如凹口或定向平面等)位置進行檢測的感測器、以及使載置台旋轉的旋轉機構。此情況下，預對準部70的預對準處理係藉由如下方式而進行：首先，利用感測器檢測載置台上所載置之基板W的缺口部位置，接著，旋轉機構依該缺口部位置成為預定位置之方式使載置台旋轉。
＜控制部80＞ 控制部80係與描繪裝置1所具備的各構成要素電性連耦接，執行各種運算處理，且對描繪裝置1的各構成要素之動作進行控制。
圖3係表示控制部80的硬體構成例之圖。如圖3所例示，控制部80係例如將中央運算處理裝置(central processing unit、即CPU)81、唯讀記憶體(read only memory、即ROM)82、隨機存取記憶體(random access memory、即RAM)83、及記憶裝置84等，利用匯流排線85而相互連接的一般電腦。
ROM 82係儲存基本程式等，RAM 83係提供當作CPU 81執行既定處理時的作業區域。
記憶裝置84係由快閃記憶體、或硬碟裝置等非揮發性記憶裝置構成。其構成為：在記憶裝置84中儲存著程式P，依照該程式P所記述的程序，由作為主控制部的CPU 81執行運算處理，而實現各種機能。
程式P通常係預先儲存於記憶裝置84等記憶體中而加以使用者，但亦可依記錄於CD-ROM、DVD-ROM或外部快閃記憶體等記錄媒體中的形態(程式產品)來提供(或藉由來自經由網路之外部伺服器的下載等而提供)，而追加性或交換性地儲存於記憶裝置84等記憶體中。另外，在控制部80中實現的一部分或全部機能，亦可利用專用邏輯電路等而於硬體上實現。
再者，控制部80中，輸入部86、顯示部87及通信部88亦連接於匯流排線85。
輸入部86係例如由鍵盤及滑鼠構成的輸入裝置，受理來自操作員的各種操作(指令或各種資料的輸入等操作)。另外，輸入部86亦可由各種開關、觸控板等構成。
顯示部87係由液晶顯示裝置或燈等構成的顯示裝置，在由CPU 81進行控制下顯示各種資訊。
通訊部88係具有經由網路而在與外部裝置之間執行指令或資料等之傳送接收的資料通信機能。
＜描繪裝置之動作＞ 針對於描繪裝置1中所執行之對基板W的一連串處理全體流程，參照圖4進行說明。此處，圖4係表示與本實施形態相關的描繪裝置之動作例之流程圖。又，以下所說明的一連串動作均係在控制部80控制下進行。
此處，控制部80係在以下所說明的一連串動作之前，便先由記憶裝置84等讀取記述有處理條件的配方，再因應該配方所指定的處理條件而調整各種參數等。
於此情況下，控制部80亦可從記憶裝置84所記憶的資料庫D等之中，讀出與該配方中所指定之處理條件(或該配方的配方號碼)等建立對應而記憶之資訊。
然後，搬送裝置60從晶圓盒載置部104所載置的晶圓盒C中取出未處理之基板W，並搬入於描繪裝置1(步驟ST1)。
接著，搬送裝置60將已搬入的基板W搬入於預對準部70。然後，在預對準部70中進行對該基板W之預對準處理(步驟ST2)。
預對準處理係藉由如下方式進行：例如利用感測器檢測載置台上所載置之基板W的缺口部位置，依該缺口部位置成為預定位置的方式使載置台旋轉。依此，載置台所載置的基板W處於大致對位於預定之旋轉位置的狀態。
接著，搬送裝置60從預對準部70中搬出預對準處理完畢之基板W，進而將該基板W載置於平台10上(步驟ST3)。然後，若在平台10上表面載置基板W，平台10便吸附基板W並加以保持。
若基板W處於由平台10吸附保持之狀態，接著，便依使該基板W配置於適當位置之方式，進行精密對位的處理(精細對準處理)(步驟ST4)。
具體而言，首先由平台驅動機構20使平台10移動至攝像部50的下方位置。然後，若平台10配置於攝像部50的下方，攝像部50便拍攝基板W上表面的對準標記，並取得該攝像資料。
接著，控制部80對由攝像部50取得的攝像資料施行影像解析，再根據該解析結果而檢測對準標記的位置。然後，控制部80根據該檢測位置，計算出基板W偏離適當位置的偏移量。
若計算出上述偏移量，平台驅動機構20便使平台10僅移動所計算出的偏移量。藉此，便依基板W配置於適當位置之方式進行對位。
若基板W配置於適當位置，接著便進行圖案的描繪處理(步驟ST5)。
圖案的描繪處理係藉由如下方式進行：在控制部80之控制下，平台驅動機構20使平台10上所載置之基板W對於2個光學單元40而相對地移動，並從2個光學單元40各者朝基板W上表面照射經空間調變過的光。
具體而言，平台驅動機構20係首先藉由使配置於攝像部50之下方位置處的平台10沿主掃描方向(Y軸方向)朝+Y方向移動，而使基板W對於2個光學單元40沿主掃描方向相對地移動(主掃描)。
若從基板W觀看該主掃描，各光學單元40成為沿主掃描方向朝-Y方向橫跨於基板W上。
進行主掃描之期間，各光學單元40將已進行對應於圖案資料PD之空間調變過的描繪光朝向基板W間歇地持續照射(即，朝基板W上表面反覆持續投影脈衝光)。即，各光學單元40一邊將沿副掃描方向之複數個像素份之含有經空間調變過之光的描繪光間歇地持續照射，一邊沿主掃描方向橫跨基板W上。
所以，若光學單元40沿主掃描方向橫跨基板W1次，便在1條帶狀區域(沿主掃描方向延伸、且沿副掃描方向的寬度相當於描繪寬度M的區域)中描繪圖案群組。本實施形態中，因為2個光學單元40同時沿主掃描方向橫跨基板W，因而利用一次的主掃描，而在2條帶狀區域各者中描繪圖案群組。
若結束1次的主掃描，平台驅動機構20便使平台10沿副掃描方向(X軸方向)朝-X方向僅移動預定距離。依此，使基板W對於各光學單元40而沿副掃描方向相對地移動(副掃描)。
若從基板W觀看該副掃描，則各光學單元40沿副掃描方向朝+X方向僅移動預定距離量。
若完成副掃描，便再度進行主掃描。即，平台驅動機構20藉由使平台10沿主掃描方向朝-Y方向移動，便使基板W對於2個光學單元40而沿主掃描方向相對地移動。
若從基板W觀看該主掃描，則各光學單元40係沿著主掃描方向而朝+Y方向移動並橫跨在基板W上之先前的主掃描中描繪之帶狀區域的旁邊。
此處亦是，各光學單元40一邊將已進行對應於圖案資料PD之空間調變過的描繪光朝向基板W間歇地持續照射，一邊沿主掃描方向橫跨基板W上。藉此，於在先前之主掃描中所描繪之帶狀區域的旁邊之帶狀區域中描繪圖案群組。
以後，同樣地重複進行主掃描與副掃描，若於描繪對象區域全域描繪有圖案，便結束描繪處理。
然後，若結束描繪處理，搬送裝置60便搬出處理完畢之基板W(步驟ST6)。藉此，便完成對該基板W的一連串處理。
＜雙重照射處理＞ 以下，作為使用與本實施形態相關之描繪裝置的描繪處理，以雙重曝光處理進行說明。
此處所謂雙重照射處理係指對光所照射之區域，再度照射光的處理。
本實施形態的情況下，第2次的光照射係假設在結束基板W全體的主掃描後才對基板W全體進行，但例如亦可在針對基板W一部分區域完成主掃描的時間點，於進行剩餘區域之主掃描之前，便對已完成主掃描的區域進行第2次的光照射。
再者，第2次的光照射亦可不與完成主掃描之區域完全一致地進行，只要進行第2次之光照射的區域之至少一部分重疊於完成主掃描之區域便可。
＜使用負型感光材料的雙重照射處理＞ 首先，參照圖5至圖17，針對使用負型感光材料之雙重照射處理進行說明。另外，圖5至圖17係用於說明與本實施形態相關的，使用負型感光材料之雙重照射處理的基板上部的剖視圖。
首先，如圖5所例示，在玻璃基板等即基板W上表面形成晶種層600，進而在晶種層600上表面形成負型之光阻601。
此處，晶種層600係為了電鍍形成後述之包含Cu等之金屬圖案形狀而使用的層。又，負型之光阻601係例如厚度為3μm的JSR公司製之THB系列(商品名)。
其次，如圖6所例示，對負型之光阻601的一部分區域照射經空間調變過的光1000。即，對在基板W上表面形成之感光材料即光阻601，依照描繪圖案照射描繪光。圖6中，被光1000照射到之區域的光阻係標示為光阻601A。
此處，光阻601A所形成的寬度係依照光學單元40的解析度之限度決定。本實施形態中，光學單元40的解析度係依2/2μm[L/S]表示，光阻601A的寬度D1及光阻601的寬度D2係設為光學單元40可形成的最小寬度即2μm。另外，[L/S]係指線與/線距，表示所形成圖案形狀之寬度、與圖案形狀間的寬度。
另外，圖6中雖光阻601A的寬度D1及光阻601的寬度D2均設為2μm，但該等亦可為大於2μm的寬度，又，光阻601A的寬度D1與光阻601的寬度D2亦可為不同大小的寬度。
其次，如圖7所例示，對跨越光阻601與光阻601A之區域(即，圖6中之自光1000所照射之區域偏移的區域)，照射經空間調變過的光1000A。即，對基板W上表面所形成之感光材料即光阻601及光阻601A，依照至少一部分自圖6中之描繪圖案偏移的描繪圖案照射描繪光。圖7中，光1000A所照射之區域中，將圖6中未被光1000照射到之區域的光阻標示為光阻601A，將圖6中被光1000照射到之區域(即，被光1000及光1000A照射到之區域)的光阻標示為光阻601B。
另外，圖7亦是與圖6的情況同樣，光學單元40的解析度依2/2μm[L/S]表示。又，被光1000A照射到之區域係自被光1000照射之區域偏移1μm的區域。
於此情況下，因為光阻601B的寬度D3係對應於光1000所照射到之區域、與光1000A所照射到之區域重疊之區域的寬度，故成為1μm。
再者，因為光1000A所照射到之區域係自光1000所照射之區域偏1μm的區域，因而光阻601的寬度D4較圖6的光阻601之寬度D2僅窄1μm，成為1μm。
另外，光1000A所照射之區域與光1000所照射之區域的偏移寬度，並不僅侷限於圖7所示之1μm的情況，於存在有光1000A所照射之區域與光1000所照射之區域相重疊之區域的範圍內均可變更。即，本實施形態的情況下，被光1000A照射之區域與被光1000照射之區域的偏移寬度，係可在未滿2μm之範圍內變更。
其次，如圖8所例示，將光1000及光1000A任一者均未照射到的光阻601，藉由使用由未圖示之顯影液供給裝置所供給的顯影液的顯影處理而加以除去。另一方面，被至少一描繪光照射到的光阻601A及光阻601B則在顯影後殘存。
其次，如圖9所例示，在經除去光阻601的寬度D4之區域中，電鍍形成有厚度例如為2μm的金屬圖案700。另外，金屬圖案700係包含例如銅等金屬。
其次，依如圖10所例示，利用例如濕式蝕刻而除去光阻601A及光阻601B。藉此，形成寬度1μm的金屬圖案700，且金屬圖案700間的距離成為3μm(自寬度D1與寬度D2的總和扣掉寬度D4後的距離)。
其次，如圖11所例示，形成覆蓋晶種層600上表面、以及金屬圖案700上表面及側面的負型之光阻602。此處，光阻602係依例如狹縫塗佈方式形成。
其次，如圖12所例示，對負型之光阻602一部分區域、且與形成有金屬圖案700的區域呈部分重疊的區域，照射經空間調變過的光1001。即，對基板W上表面所形成之感光材料即光阻602，依照描繪圖案照射描繪光。圖12中，光1001所照射到之區域的光阻標示為光阻602A。
此處，光阻602A的寬度E1及光阻602的寬度E2係光學單元40可形成之最小寬度2μm。
另外，圖12中，雖光阻602A的寬度E1及光阻602的寬度E2均設為2μm，但該等亦可為大於2μm的寬度，又，光阻602A的寬度E1與光阻602的寬度E2亦可為不同大小的寬度。
其次，如圖13所例示，對橫跨光阻602與光阻602A的區域(即，圖12中之自被光1001所照射之區域偏移的區域)、且與形成有金屬圖案700的區域呈部分重疊的區域，照射經空間調變過的光1001A。即，對基板W上表面所形成之感光材料即光阻602及光阻602A，依照至少一部分自圖12中之描繪圖案偏移的描繪圖案照射描繪光(偏移的描繪圖案係相當於後述的位移圖案)。圖13中，被光1001A所照射到之區域中，將圖12中未被光1001照射到之區域的光阻標示為光阻602A，將圖12中被光1001照射到之區域(即，被光1001及光1001A照射到之區域)的光阻標示為光阻602B。
另外，圖13亦是與圖12的情況同樣，光學單元40的解析度依2/2μm[L/S]表示。又，被光1001A照射到之區域係設為自光1001所照射到之區域偏移1μm的區域。
於此情況下，因為光阻602B的寬度E3係對應於光1001所照射到之區域、與光1001A所照射到之區域重疊之區域的寬度，故成為1μm。
再者，因為光1000A所照射到之區域係自光1001所照射之區域偏1μm的區域，因而光阻602的寬度E4較圖12的光阻602之寬度E2僅窄1μm，成為1μm。
另外，光1001A所照射之區域與光1001所照射之區域的偏移寬度，並不僅侷限於圖13所示之1μm的情況，於存在有光1001A所照射之區域與光1001所照射之區域相重疊之區域的範圍內均可變更。即，本實施形態的情況下，被光1001A照射之區域與被光1001照射之區域的偏移寬度，係可在未滿2μm之範圍內變更。
其次，如圖14所例示，將光1001及光1001A任一者均未照射到的光阻602，藉由使用由未圖示之顯影液供給裝置所供給的顯影液的顯影處理而加以除去。另一方面，被光1001或光1001A中至少一者照射到的光阻即光阻602A及602B則在顯影後亦殘存。
其次，如圖15所例示，在經除去光阻602的寬度E4之區域中，電鍍形成有厚度例如為2μm的金屬圖案701。
其次，如圖16所例示，將光阻602A及光阻602B利用例如濕式蝕刻而除去。藉此，在金屬圖案700之間(即，鄰接於金屬圖案700的區域)進一步形成寬度1μm的金屬圖案701。又，金屬圖案700與金屬圖案701間的距離成為1μm。
然後，藉由對晶種層600進行濕式蝕刻，便可形成如圖17所示之1/1μm[L/S]的圖案形狀(金屬圖案)。
＜負型之雙重照射處理的具體例＞ 圖18係表示由雙重照射處理形成之圖案形狀的例之俯視圖。圖18中，1個網格的1邊對應於1μm。
根據本實施形態，當光學單元40的解析度為2/2μm[L/S]的情況，可形成含有寬度為1μm之線形狀之金屬圖案與圖案間距離為1μm之部分的圖案形狀900。此處，所謂線形狀係指包含線段、直線、曲線的形狀。
圖19係表示雙重照射處理所使用之描繪圖案例的俯視圖。
圖19所示之狀態係例如對應於例如圖6所示之狀態，對所形成之光阻601一部分區域，依照描繪圖案而照射經空間調變過之光。然後，經光照射到之區域的光阻便成為光阻601A。
圖20係表示雙重照射處理所使用之描繪圖案例的俯視圖。
圖20所示之狀態係例如對應於例如圖7所示之狀態，對圖19中橫跨光阻601與光阻601A的區域(即，自圖19中被光所照射到之區域偏移的區域)，依照描繪圖案照射經空間調變過之光。
此處，圖20中，為求簡單，僅著眼於圖20的光照射，對所形成之光阻801一部分區域照射經空間調變過的光，而被光照射到之區域的光阻便成為光阻801A(即，未考慮與圖19中被照射之光重疊)。
如圖20所示，光阻801及光阻801A各自形成的範圍，係自圖19中光阻601及光阻601A各自形成的範圍偏移。
其中，詳言之，光阻801對於所對應之光阻601而偏移的態樣，係於與線形狀即描繪圖案之線形狀延伸方向交叉之方向(圖20中的正交方向)上偏移之態樣。作為使光阻801對於光阻601而偏移的方法，例如有設置1或複數個基準點，再以該基準點為中心使描繪圖案移動的方法等。另外，當光阻801對於光阻601而偏移時，光阻801亦可部分放大或縮小。
另一方面，圓形狀即部分的光阻801並不會對於光阻601而偏移。即，光阻801對於光阻601而偏移的範圍係只要光阻801至少一部分便可。
圖20中與照射之描繪光對應之描繪圖案係對於圖19中與照射之描繪光對應的描繪圖案而偏移，詳言之，在圖19與圖20之間，形成線形狀即部分的光阻801之單位圖案係朝與線形狀延伸方向交叉之方向偏移。此處，將相對於圖19之描繪圖案中的對應單位圖案而偏移之圖20之描繪圖案中的單位圖案，稱為位移圖案。
若比較圖19與圖20，圖20的上述位移圖案一面以一部分重疊於圖19之描繪圖案中的對應單位圖案，一面偏移。即，未被描繪光照射到之區域即光阻601與光阻801係一面在一部分重疊，一面偏移。
另一方面，對於圖19中之被描繪光照射到之區域即光阻601A之線形狀的部分(例如夾在光阻601間的部分)、與圖20中被描繪光照射到之區域即光阻801A之線形狀的部分(例如夾在光阻801間的部分)，亦是一面在一部分重疊，一面偏移。
圖21係表示由雙重照射處理形成之圖案形狀之在形成途中的狀態之俯視圖。
於圖21中表示，在使用圖19及圖20所示之光阻進行光照射時，所形成的圖案形狀901。
如圖21所示，藉由使用圖19及圖20所示之光阻，便可形成與超過光學單元40之解析度的解析度對應之寬度1μm的圖案形狀(金屬圖案)。
圖22係表示雙重照射處理所使用之描繪圖案例的俯視圖。
圖22所示之狀態係例如對應於圖12所示之狀態，對所形成之光阻602一部分區域照射經空間調變過的光。接著，經光照射之區域的光阻便成為光阻602A。另外，對於已形成的圖案形狀，為求簡單而省略圖示。
圖23係表示雙重照射處理所使用之描繪圖案例的俯視圖。
圖23所示之狀態係例如對應於圖13所示之狀態，對圖22中之橫跨光阻602與光阻602A的區域(即，圖22中之自光照射的區域偏移之區域)，照射經空間調變過的光。
此處，圖23中，為求簡單，僅著眼於圖23的光照射，對所形成之光阻802一部分區域照射經空間調變過的光，而被光照射到之區域的光阻便成為光阻802A(即，未考慮與圖22中被照射之光重疊)。
如圖23所示，光阻802及光阻802A各自形成的範圍，係自圖22中光阻602及光阻602A各自形成的範圍偏移。
惟，詳言之，光阻802對於光阻602而偏移的態樣，係於與線形狀即描繪圖案之線形狀延伸方向交叉之方向(圖23中的正交方向)上偏移之態樣。另外，當光阻802對光阻602偏移時，光阻802亦可部分放大或縮小。
另一方面，圓形狀即部分的光阻802並不會對於光阻602而偏移。即，光阻802對於光阻602而偏移的範圍係只要光阻802至少一部分便可。
圖24係表示由雙重照射處理形成之圖案形狀例的俯視圖。於圖24表示，藉由使用圖19及圖20所示之光阻的雙重照射處理、與使用圖22及圖23所示之光阻的雙重照射處理，而獲得的圖案形狀900。
藉由分開為使用圖19及圖20所示之光阻的雙重照射處理、與使用圖22及圖23所示之光阻的雙重照射處理而進行描繪，即使於圖案形狀間之距離例如為1μm等的描繪，即，於相鄰接區域的描繪中，仍可形成與超越光學單元40之解析度之解析度對應之寬度1μm的圖案形狀。
＜使用正型之感光材料的雙重照射處理＞ 其次，參照圖25至圖38，針對使用正型之感光材料的雙重照射處理進行說明。另外，圖25係表示正型之感光材料的感光特性例的圖。圖25中，縱軸係表示殘膜厚，橫軸係表示曝光量[mJ/cm2 ]。又，圖26至圖38係用於說明與本實施形態相關的使用正型感光材料的雙重照射處理之基板上部的剖視圖。
如圖25所示，本實施形態所使用的正型之感光材料較佳為化學增幅型光阻。較佳為如下光阻：於進行雙重照射處理時，由1次份之照射所造成的曝光量較利用顯影處理而開始減少膜厚的曝光量Einit 更小，且由2次份之照射所造成的曝光量Eopt 較利用顯影處理而使膜厚成為0的曝光量E0 更大。即，較佳為如下光阻：1次份的光照射中並未到達利用顯影處理而被除去的曝光量，而在2次份的光照射時會到達利用顯影處理而能除去之曝光量，而被除去。
其次，針對使用正型之感光材料的雙重照射處理的程序進行說明。首先，如圖26所例示，在基板W上表面形成晶種層600，進而在晶種層600上表面形成正型之光阻611。
此處，正型之光阻611係例如厚度為3μm的正型化學增幅型光阻。
其次，如圖27所例示，對正型之光阻611一部分區域照射經空間調變過的光1000。圖27中，光1000所照射到之區域的光阻標示為光阻611A。
此處，光阻611A所形成的寬度係依照光學單元40的解析度之限度決定。在本實施形態中，光阻611A的寬度D1及光阻611的寬度D2係設為光學單元40可形成的最小寬度即2μm。
另外，圖27中雖光阻611A的寬度D1及光阻611的寬度D2均設為2μm，但該等亦可為大於2μm的寬度，又，光阻611A的寬度D1與光阻611的寬度D2亦可為不同大小的寬度。
其次，如圖28所例示，對跨越光阻611與光阻611A之區域(即，圖27中之自光1000所照射之區域偏移的區域)，照射經空間調變過的光1000A。圖28中，光1000A所照射之區域中，將圖27中未被光1000照射到之區域的光阻標示為光阻611A，將圖27中被光1000照射到之區域(即，被光1000及光1000A照射到之區域)的光阻標示為光阻611B。
另外，圖28亦是與圖27的情況同樣，光學單元40的解析度依2/2μm[L/S]表示。又，被光1000A照射到之區域係自被光1000照射之區域偏移1μm的區域。
於此情況下，因為光阻611B的寬度D3係對應於光1000所照射到之區域、與光1000A所照射到之區域重疊之區域的寬度，故成為1μm。
再者，因為光1000A所照射到之區域係自光1000所照射之區域偏移1μm的區域，因而光阻611的寬度D4較圖27的光阻611之寬度D2僅窄1μm，成為1μm。
另外，光1000A所照射之區域與光1000所照射之區域的偏移寬度，並不僅侷限於圖28所示之1μm的情況，於存在有光1000A所照射之區域與光1000所照射之區域相重疊之區域的範圍內均可變更。即，本實施形態的情況下，被光1000A照射之區域與被光1000照射之區域的偏移寬度，係可在未滿2μm之範圍內變更。
其次，如圖29所例示，將經光1000及光1000A雙方照射過的光阻611B，藉由使用從未圖示之顯影液供給裝置所供給的顯影液的顯影處理而加以除去。
其次，如圖30所例示，在經除去光阻611B的寬度D3之區域中，電鍍形成有厚度例如為2μm的金屬圖案700。
其次，依如圖31所例示，利用例如濕式蝕刻而除去光阻611及光阻611A。藉此，形成寬度1μm的金屬圖案700，且金屬圖案700間的距離成為3μm(自寬度D1與寬度D2的總和扣掉寬度D3後的距離)。
其次，如圖32所例示，形成覆蓋晶種層600上表面、以及金屬圖案700上表面及側面的正型之光阻612。此處，光阻612係依例如狹縫塗佈方式形成。
其次，如圖33所例示，對正型之光阻612一部分區域、且與形成有金屬圖案700的區域未重疊而相鄰接的區域，照射經空間調變過的光1001。圖33中，光1001所照射到之區域的光阻標示為光阻612A。
此處，光阻612A的寬度E1及光阻612的寬度E2係光學單元40可形成之最小寬度2μm。
另外，圖33中，雖光阻612A的寬度E1及光阻612的寬度E2均設為2μm，但該等亦可為大於2μm的寬度，又，光阻612A的寬度E1與光阻612的寬度E2亦可為不同大小的寬度。
其次，如圖34所例示，對橫跨光阻612與光阻612A的區域(即，圖33中之自被光1001所照射之區域偏移的區域)、且沒有與形成金屬圖案700的區域重疊之區域，照射經空間調變過的光1001A。圖34中，被光1001A照射到之區域中，將圖33中未被光1001照射到之區域的光阻標示為光阻612A，將圖33中被光1001照射到之區域(即，被光1001及光1001A照射到之區域)的光阻標示為光阻612B。
另外，圖34亦是與圖33的情況同樣，光學單元40的解析度依2/2μm[L/S]表示。又，被光1001A照射到之區域係設為自光1001所照射到之區域偏移1μm的區域。
於此情況下，因為光阻612B的寬度E3係對應於光1001所照射到之區域、與光1001A所照射到之區域重疊之區域的寬度，故成為1μm。
再者，因為光1001A所照射到之區域係自光1001所照射之區域偏移1μm的區域，因而光阻612的寬度E4較圖33的光阻612之寬度E2僅窄1μm，成為1μm。
另外，光1001A所照射之區域與光1001所照射之區域的偏移寬度，並不僅侷限於圖34所示之1μm的情況，於存在有光1001A所照射之區域與光1001所照射之區域的相重疊區域範圍內均可變更。即，本實施形態的情況下，被光1001A照射之區域與被光1001照射之區域的偏移寬度，係可在未滿2μm之範圍內變更。
其次，如圖35所例示，將被光1001及光1001A二者均照射到的光阻612B，藉由使用由未圖示之顯影液供給裝置所供給的顯影液的顯影處理而加以除去。
其次，如圖36所例示，在經除去光阻612B的寬度E3之區域中，電鍍形成有厚度例如為2μm的金屬圖案701。
其次，如圖37所例示，將光阻612及光阻612A利用例如濕式蝕刻而除去。藉此，在金屬圖案700之間(即，鄰接於金屬圖案700的區域)進一步形成寬度1μm的金屬圖案701。又，金屬圖案700與金屬圖案701間的距離成為1μm。
然後，藉由對晶種層600進行濕式蝕刻，便可形成如圖38所示之1/1μm[L/S]的圖案形狀(金屬圖案)。
＜關於由以上所記載之實施形態而產生的效果＞ 其次，例示由以上所記載之實施形態產生的效果。另外，以下說明中，根據以上所記載之實施形態所例示的具體構成而記載該效果，但在產生同樣效果的範圍內，亦可與本案說明書所例示之其他的具體構成進行置換。
根據以上所記載的實施形態，描繪方法係具備有如下步驟：對配置在基板W之上表面的感光材料，利用第1描繪圖案照射描繪光的步驟；對感光材料，利用至少一部分具有第1位移圖案的第2描繪圖案，照射描繪光之步驟；在利用第1描繪圖案及第2描繪圖案的描繪光之照射後，將感光材料施行顯影的步驟；以及根據經顯影的感光材料，在基板W之上表面形成第1圖案形狀的步驟。此處，感光材料係例如對應於光阻601等。又，描繪光係例如對應於光1000等。又，第1圖案形狀例如對應於金屬圖案700等。接著，第1位移圖案係，以至少一部分重疊於第1描繪圖案中對應的單位圖案，且自對應之單位圖案偏移的單位圖案。
根據此種構成，便可一面抑制焦點深度降低等，一面實現所形成之圖案形狀的微細化。
一般而言，曝光裝置的解析度係與曝光所使用之波長成正比，且透鏡的開口度(numerical aperture，即NA)係與解析度成反比。另外，NA係折射率與sinθ的乘積(θ係曝光所使用之光對於基板而且有的入射角)。所以，若將NA設為較大，則能提升曝光裝置的解析度。
另一方面，焦點深度(DOF)係與NA的平方成反比。所以，若增加NA，則焦點深度(DOF)會急遽降低。
所以，若欲藉由增加NA而提高解析度，便會導致對焦裕度(聚焦邊際)急遽變小，即使基板上表面出現些微凹凸的情況，仍難以進行適當的曝光。
另一方面，根據本實施形態，可不使NA變更地，將圖案形狀微細化。所以，可抑制焦點深度降低等。
另外，在無特別限制之情況下，各項處理進行之順序可變更。
再者，即便當對上述構成適當追加本案說明書所例示的其他構成時，即，適當追加上述構成所未提及之本案說明書中的其他構成時)，仍可產生同樣的效果。
再者，根據以上所記載的實施形態，單位圖案係直線形狀。而且，第1位移圖案係從所對應之單位圖案，朝與線形狀延伸方向交叉之方向偏移之單位圖案。若依此構成，在與線形狀延伸方向交叉之方向上，因為描繪圖案之曝光部分相重疊的寬度(或非曝光部分重疊的寬度)成為超過光學單元40解析度的微細寬度，因而藉由該描繪圖案的重疊，便可將所形成的圖案形狀微細化。
再者，根據以上所記載的實施形態，描繪光所照射到之感光材料之至少一部分在顯影後被除去。若依此構成，可在經光照射過的光阻611B被除去之寬度D3區域中，電鍍形成寬度1μm的金屬圖案700。
再者，根據以上所記載的實施形態，光阻611B係於僅由利用第1描繪圖案的光1000，及利用第2描繪圖案的光1000A中之任一者照射後施行顯影時，在顯影後不被除去，且於由利用第1描繪圖案的光1000及利用第2描繪圖案的光1000A雙方照射後施行顯影時，在顯影後被除去。根據此種構成，可在已被除去經光1000及光1000A雙方照射過的光阻611B之寬度D3的區域中，電鍍形成寬度1μm的金屬圖案700。
再者，根據以上所記載的實施形態，經描繪光照射過的光阻601A及光阻601B，在顯影後會殘存。根據此種構成，藉由除去光1000及光1000A任一者均未照射過的光阻601，便可在經除去光阻601的寬度D4之區域中，電鍍形成寬度1μm的金屬圖案700。
再者，根據以上所記載之實施形態，具備有如下步驟：在鄰接於已形成有金屬圖案700之區域的區域即鄰接區域中，利用第3描繪圖案對感光材料照射光1001的步驟；在鄰接區域中，利用至少一部分具有第2位移圖案的第4描繪圖案，對感光材料照射光1001A的步驟；在利用第3描繪圖案及第4描繪圖案的描繪光照射後，對感光材料施行顯影的步驟；以及根據經顯影的感光材料，在基板W之上表面形成第2圖案形狀的步驟。此處，第2圖案形狀係對應於例如金屬圖案701等。而且，第2位移圖案係，以至少一部分重疊於第3描繪圖案中對應的單位圖案，且自所對應之單位圖案偏移的單位圖案。根據此種構成，藉由與用於形成金屬圖案700的雙重照射處理分別地，進行用於形成金屬圖案701的雙重照射處理，即使圖案形狀間之距離例如為1μm等的描繪，即鄰接之區域中的描繪)，仍可形成與超過光學單元40解析度之解析度對應之寬度1μm的圖案形狀。
再者，根據以上所記載的實施形態，單位圖案係線形狀。而，第2位移圖案係自對應的單位圖案，朝與線形狀延伸方向交叉之方向偏移之單位圖案。根據此種構成，在與線形狀延伸方向交叉之方向上，因為描繪圖案之曝光部分重疊的寬度(或非曝光部分重疊的寬度)成為超越光學單元40解析度的微細寬度，因而藉由該描繪圖案之重疊，便可使所形成的圖案形狀微細化。
再者，根據以上所記載的實施形態，在鄰接區域中，描繪光所照射到之感光材料的至少一部分，經顯影後會被除去。根據此種構成，可在將光所照射到之光阻612B除去的寬度E3之區域中，電鍍形成寬1μm的金屬圖案701。
再者，根據以上所記載的實施形態，鄰接區域的光阻612B係於僅由利用第3描繪圖案的光1001、及利用第4描繪圖案的光1001中之任一者照射後施行顯影時，在顯影後不被除去，且於由利用第3描繪圖案的光1001及利用第4描繪圖案的光1001A雙方照射後施行顯影時，在顯影後被除去。根據此種構成，可在除去經光1001與光1001A雙方照射過之光阻612B的寬度E3之區域中，電鍍形成寬1μm的金屬圖案701。
再者，根據以上所記載的實施形態，在鄰接區域中，經描繪光照射過的光阻602A及光阻602B係在顯影後會殘存。根據此種構成，藉由除去光1001及光1001A任一者均未照射到的光阻602，便可在經除去光阻602的寬度E4區域中，電鍍形成寬1μm的金屬圖案701。
再者，根據以上所記載的實施形態，基板W係玻璃基板，且金屬圖案700的材料係銅。根據此種構成，可在玻璃基板上形成微細的銅線圖案。
根據以上所記載的實施形態，描繪裝置係具備有：照射部，其係對配置在基板W之上表面之感光材料照射描繪光；以及控制部80，其控制照射部之動作。此處，照明部係對應於例如光學單元40等。控制部80係使光學單元40對感光材料利用第1描繪圖案照射描繪光。又，控制部80係使光學單元40對感光材料，利用至少一部分具有第1位移圖案的第2描繪圖案照射描繪光。此處，第1位移圖案係，以至少一部分重疊於第1描繪圖案中對應的單位圖案，且自所對應之單位圖案偏移的單位圖案。
根據此種構成，可一面抑制焦點深度降低等，一面實現所形成之圖案形狀的微細化。
另外，當對上述構成適當追加本案說明書所例示之其他構成時，即，適當追加上述構成所未提及之本案說明書中的其他構成時，仍可產生同樣的效果。
＜關於以上所記載之實施形態的變形例＞ 在上述實施形態中，分別針對使用負型之感光材料的雙重照射處理、與使用正型之感光材料的雙重照射處理進行說明，惟在雙重照射處理中，亦可於第1次光照射時使用負型(或正型)之感光材料，進而於第2次光照射時則使用正型(或負型)之感光材料。即，第1次光照射、與第2次光照射亦可使用不同種類的感光材料。
再者，在上述實施形態中，用於進行雙重照射處理的第1次光照射、與第2次光照射係依不同時間點進行，但雙方的光照射亦可同時進行。即，例如亦可同時使用圖19所示之描繪圖案與圖20所示之描繪圖案，同時朝雙方照射光。
以上所記載的實施形態中，亦記載有各構成要素的材質、材料、尺寸、形狀、相對配置關係或實施條件等，但該等僅為所有態樣中之一例而已，並不侷限於本案說明書所記載之內容。
所以，推定未例示的無數變化例及均等物，均涵蓋於本案說明書所揭示之技術範圍內。例如包含有將至少1個構成要素加以變形之情況，追加之情況或省略之情況。
1:描繪裝置 10:平台 20:平台驅動機構 21:旋轉機構 22:支撐板 23:副掃描機構 24:底板 25:主掃描機構 30:平台位置測量部 40:光學單元 41:雷射驅動部 42:雷射振盪器 43:照明光學系統 44:空間光調變單元 45:投影光學系統 46:反射鏡 50:攝像部 60:搬送裝置 61:機械手 62:機械臂驅動機構 70:預對準部 80:控制部 81:CPU 82:ROM 83:RAM 84:記憶裝置 85:匯流排線 86:輸入部 87:顯示部 88:通信部 101:本體框 102:處理區域 103:交接區域 104:晶圓盒載置部 105:基台 107:支撐框 211:旋轉軸部 212:旋轉驅動部 231,251:線性馬達 232,252:導引構件 401:光源部 402:頭部 441:空間光調變器 501:照明單元 600:晶種層 601,601A,601B,602,602A,602B,611,611A,611B,612,612A,612B,801,801A,802,802A:光阻 700,701:金屬圖案 900,901:圖案形狀 1000,1000A,1001,1001A:光 A:旋轉軸 C:晶圓盒 D:資料庫 D1,D2,D3,D4,E1,E2,E3,E4:寬度 Einit ,Eopt ,Eo :曝光量 M:描繪寬度 P:程式 PD:圖案資料 W:基板
圖1係與實施形態相關的概略地表示描繪裝置之構成例之側視圖。 圖2係與實施形態相關的概略地表示描繪裝置之構成例之俯視圖。 圖3係表示控制部的硬體構成例之圖。 圖4係與實施形態相關的表示描繪裝置之動作例之流程圖。 圖5係用於說明與實施形態相關的使用負型感光材料的雙重照射處理之基板上部的剖視圖。 圖6係用於說明與實施形態相關的使用負型感光材料的雙重照射處理之基板上部的剖視圖。 圖7係用於說明與實施形態相關的使用負型感光材料的雙重照射處理之基板上部的剖視圖。 圖8係用於說明與實施形態相關的使用負型感光材料的雙重照射處理之基板上部的剖視圖。 圖9係用於說明與實施形態相關的使用負型感光材料的雙重照射處理之基板上部的剖視圖。 圖10係用於說明與實施形態相關的使用負型感光材料的雙重照射處理之基板上部的剖視圖。 圖11係用於說明與實施形態相關的使用負型感光材料的雙重照射處理之基板上部的剖視圖。 圖12係用於說明與實施形態相關的使用負型感光材料的雙重照射處理之基板上部的剖視圖。 圖13係用於說明與實施形態相關的使用負型感光材料的雙重照射處理之基板上部的剖視圖。 圖14係用於說明與實施形態相關的使用負型感光材料的雙重照射處理之基板上部的剖視圖。 圖15係用於說明與實施形態相關的使用負型感光材料的雙重照射處理之基板上部的剖視圖。 圖16係用於說明與實施形態相關的使用負型感光材料的雙重照射處理之基板上部的剖視圖。 圖17係用於說明與實施形態相關的使用負型感光材料的雙重照射處理之基板上部的剖視圖。 圖18係表示由雙重照射處理形成的圖案形狀例之俯視圖。 圖19係表示雙重照射處理所使用之描繪圖案例的俯視圖。 圖20係表示雙重照射處理所使用之描繪圖案例的俯視圖。 圖21係表示由雙重照射處理形成之圖案形狀之在形成途中的狀態之俯視圖。 圖22係表示雙重照射處理所使用之描繪圖案例的俯視圖。 圖23係表示雙重照射處理所使用之描繪圖案例的俯視圖。 圖24係表示由雙重照射處理形成之圖案形狀例的俯視圖。 圖25係表示正型感光材料的感光特性例之圖。 圖26係用於說明與實施形態相關的使用正型感光材料的雙重照射處理之基板上部的剖視圖。 圖27係用於說明與實施形態相關的使用正型感光材料的雙重照射處理之基板上部的剖視圖。 圖28係用於說明與實施形態相關的使用正型感光材料的雙重照射處理之基板上部的剖視圖。 圖29係用於說明與實施形態相關的使用正型感光材料的雙重照射處理之基板上部的剖視圖。 圖30係用於說明與實施形態相關的使用正型感光材料的雙重照射處理之基板上部的剖視圖。 圖31係用於說明與實施形態相關的使用正型感光材料的雙重照射處理之基板上部的剖視圖。 圖32係用於說明與實施形態相關的使用正型感光材料的雙重照射處理之基板上部的剖視圖。 圖33係用於說明與實施形態相關的使用正型感光材料的雙重照射處理之基板上部的剖視圖。 圖34係用於說明與實施形態相關的使用正型感光材料的雙重照射處理之基板上部的剖視圖。 圖35係用於說明與實施形態相關的使用正型感光材料的雙重照射處理之基板上部的剖視圖。 圖36係用於說明與實施形態相關的使用正型感光材料的雙重照射處理之基板上部的剖視圖。 圖37係用於說明與實施形態相關的使用正型感光材料的雙重照射處理之基板上部的剖視圖。 圖38係用於說明與實施形態相關的使用正型感光材料的雙重照射處理之基板上部的剖視圖。
600:晶種層
601:光阻
601A:光阻
601B:光阻
1000A:光
D1,D2,D3,D4:寬度
W:基板

Claims (17)

  1. 一種描繪方法，其係具備有如下步驟：對配置在基板之上表面之感光材料，利用第1描繪圖案照射描繪光的步驟；對上述感光材料，利用至少一部分具有第1位移圖案的第2描繪圖案，照射上述描繪光的步驟；在利用上述第1描繪圖案及上述第2描繪圖案的上述描繪光之照射後，將上述感光材料施行顯影的步驟；以及根據所顯影的上述感光材料，在上述基板之上表面形成第1圖案形狀的步驟；上述第1位移圖案係，以一部分重疊於上述第1描繪圖案中對應的單位圖案，且自所對應之上述單位圖案偏移的上述單位圖案，上述感光材料係，於利用上述第1描繪圖案的上述描繪光及利用上述第2描繪圖案的上述描繪光中之僅一者的照射後顯影之情況下，於顯影後殘存，而且，於利用上述第1描繪圖案的上述描繪光及利用上述第2描繪圖案的上述描繪光之兩者的照射後顯影之情況下，藉由顯影處理而被除去。
  2. 一種描繪方法，其係具備有如下步驟：對配置在基板之上表面之感光材料，利用第1描繪圖案照射描繪光的步驟；對上述感光材料，利用至少一部分具有第1位移圖案的第2描繪圖案，照射上述描繪光的步驟；在利用上述第1描繪圖案及上述第2描繪圖案的上述描繪光之照射後， 將上述感光材料施行顯影的步驟；以及根據所顯影的上述感光材料，在上述基板之上表面形成第1圖案形狀的步驟；上述第1位移圖案係，以一部分重疊於上述第1描繪圖案中對應的單位圖案，且自所對應之上述單位圖案偏移的上述單位圖案，上述感光材料係，於利用上述第1描繪圖案的上述描繪光及利用上述第2描繪圖案的上述描繪光之至少一者的照射後顯影之情況下，於顯影後殘存，而且，於利用上述第1描繪圖案的上述描繪光及利用上述第2描繪圖案的上述描繪光均未照射之情況下，藉由顯影處理而被除去。
  3. 一種描繪方法，其係具備有如下步驟：對配置在基板之上表面之感光材料，利用第1描繪圖案照射描繪光的步驟；對上述感光材料，利用至少一部分具有第1位移圖案的第2描繪圖案，照射上述描繪光的步驟；在利用上述第1描繪圖案及上述第2描繪圖案的上述描繪光之照射後，將上述感光材料施行顯影的步驟；以及根據所顯影的上述感光材料，在上述基板之上表面形成第1圖案形狀的步驟；上述第1位移圖案係，以一部分重疊於上述第1描繪圖案中對應的單位圖案，且自所對應之上述單位圖案偏移的上述單位圖案，上述描繪方法更進一步具備有如下步驟：在鄰接於形成有上述第1圖案形狀之區域的區域即鄰接區域中，對上述 感光材料利用第3描繪圖案照射上述描繪光的步驟；在上述鄰接區域中，對上述感光材料，利用至少一部分具有第2位移圖案的第4描繪圖案，照射上述描繪光的步驟；在利用上述第3描繪圖案及上述第4描繪圖案的上述描繪光之照射後，將上述感光材料施行顯影的步驟；以及根據已顯影的上述感光材料，於上述基板之上表面形成第2圖案形狀的步驟；上述第2位移圖案係，以至少一部分重疊於上述第3描繪圖案中對應的上述單位圖案，且自所對應之上述單位圖案偏移的上述單位圖案。
  4. 如請求項1至3中任一項之描繪方法，其中，上述單位圖案係線形狀，上述第1位移圖案係，自對應的上述單位圖案，朝與上述線形狀延伸方向交叉之方向偏移之上述單位圖案。
  5. 如請求項3之描繪方法，其中，經上述描繪光照射的上述感光材料之至少一部分係在顯影後被除去。
  6. 如請求項3之描繪方法，其中，上述感光材料於僅由利用上述第1描繪圖案的上述描繪光、及利用上述第2描繪圖案的上述描繪光中之任一者照射後施行顯影時，在顯影後不被除去，且，於由利用上述第1描繪圖案的上述描繪光及利用上述第2描繪圖案的上述描繪光雙方照射後施行顯影時，在顯影後被除去。
  7. 如請求項3之描繪方法，其中，經上述描繪光照射的上述感光材料係在顯影後殘存。
  8. 如請求項1之描繪方法，其中，更進一步具備有如下步驟：在鄰接於形成有上述第1圖案形狀之區域的區域即鄰接區域中，對上述感光材料利用第3描繪圖案照射上述描繪光的步驟；在上述鄰接區域中，對上述感光材料，利用至少一部分具有第2位移圖案的第4描繪圖案，照射上述描繪光的步驟；在利用上述第3描繪圖案及上述第4描繪圖案的上述描繪光之照射後，將上述感光材料施行顯影的步驟；以及根據已顯影的上述感光材料，於上述基板之上表面形成第2圖案形狀的步驟；上述第2位移圖案係，以至少一部分重疊於上述第3描繪圖案中對應的上述單位圖案，且自所對應之上述單位圖案偏移的上述單位圖案。
  9. 如請求項2之描繪方法，其中，更進一步具備有如下步驟：在鄰接於形成有上述第1圖案形狀之區域的區域即鄰接區域中，對上述感光材料利用第3描繪圖案照射上述描繪光的步驟；在上述鄰接區域中，對上述感光材料，利用至少一部分具有第2位移圖案的第4描繪圖案，照射上述描繪光的步驟；在利用上述第3描繪圖案及上述第4描繪圖案的上述描繪光之照射後，將上述感光材料施行顯影的步驟；以及根據已顯影的上述感光材料，於上述基板之上表面形成第2圖案形狀的步驟；上述第2位移圖案係，以至少一部分重疊於上述第3描繪圖案中對應的上述單位圖案，且自所對應之上述單位圖案偏移的上述單位圖案。
  10. 如請求項3、8及9中任一項之描繪方法，其中，上述單位圖案係線形狀，上述第2位移圖案係，自對應的上述單位圖案，朝與上述線形狀延伸方向交叉之方向偏移之上述單位圖案。
  11. 如請求項3、8及9中任一項之描繪方法，其中，上述鄰接區域中，經上述描繪光照射的上述感光材料之至少一部分係在顯影後被除去。
  12. 如請求項11之描繪方法，其中，上述鄰接區域的上述感光材料於僅由利用上述第3描繪圖案的上述描繪光、及利用上述第4描繪圖案的上述描繪光中之任一者照射後施行顯影時，在顯影後不被除去，且，於由利用上述第3描繪圖案的上述描繪光及利用上述第4描繪圖案的上述描繪光雙方照射後施行顯影時，在顯影後被除去。
  13. 如請求項3、8及9中任一項之描繪方法，其中，上述鄰接區域中，經上述描繪光照射的上述感光材料係在顯影後殘存。
  14. 如請求項1或2之描繪方法，其中，上述基板係玻璃基板，且上述第1圖案形狀的材料係銅。
  15. 一種描繪裝置，其係具備有：照射部，其係對配置在基板之上表面之感光材料照射描繪光；以及控制部，其係對上述照射部的動作進行控制；上述控制部係，使上述照射部對上述感光材料利用第1描繪圖案照射上述描繪光，使上述照射部對上述感光材料利用至少一部分具有第1位移圖案的第 2描繪圖案，照射上述描繪光，而上述第1位移圖案係，以一部分重疊於上述第1描繪圖案中對應的單位圖案，且自所對應之上述單位圖案偏移的上述單位圖案，上述感光材料係，於利用上述第1描繪圖案的上述描繪光及利用上述第2描繪圖案的上述描繪光中之僅一者的照射後顯影之情況下，於顯影後殘存，而且，於利用上述第1描繪圖案的上述描繪光及利用上述第2描繪圖案的上述描繪光之兩者的照射後顯影之情況下，藉由顯影處理而被除去。
  16. 一種描繪裝置，其係具備有：照射部，其係對配置在基板之上表面之感光材料照射描繪光；以及控制部，其係對上述照射部的動作進行控制；上述控制部係，使上述照射部對上述感光材料利用第1描繪圖案照射上述描繪光，使上述照射部對上述感光材料利用至少一部分具有第1位移圖案的第2描繪圖案，照射上述描繪光，而上述第1位移圖案係，以一部分重疊於上述第1描繪圖案中對應的單位圖案，且自所對應之上述單位圖案偏移的上述單位圖案，上述感光材料係，於利用上述第1描繪圖案的上述描繪光及利用上述第2描繪圖案的上述描繪光之至少一者的照射後顯影之情況下，於顯影後殘存，而且，於利用上述第1描繪圖案的上述描繪光及利用上述第2描繪圖案的上述描繪光均未照射之情況下，藉由顯影處理而被除去。
  17. 一種描繪裝置，其係具備有：照射部，其係對配置在基板之上表面之感光材料照射描繪光；以及 控制部，其係對上述照射部的動作進行控制；上述控制部係，使上述照射部對上述感光材料利用第1描繪圖案照射上述描繪光，使上述照射部對上述感光材料利用至少一部分具有第1位移圖案的第2描繪圖案，照射上述描繪光，而上述第1位移圖案係，以一部分重疊於上述第1描繪圖案中對應的單位圖案，且自所對應之上述單位圖案偏移的上述單位圖案，且上述控制部係，使上述照射部，在鄰接於形成有上述第1圖案形狀之區域的區域即鄰接區域中，對上述感光材料利用第3描繪圖案照射上述描繪光，使上述照射部，在上述鄰接區域中，對上述感光材料，利用至少一部分具有第2位移圖案的第4描繪圖案，照射上述描繪光，在利用上述第3描繪圖案及上述第4描繪圖案的上述描繪光之照射後，將上述感光材料施行顯影，根據已顯影的上述感光材料，於上述基板之上表面形成第2圖案形狀，上述第2位移圖案係，以至少一部分重疊於上述第3描繪圖案中對應的上述單位圖案，且自所對應之上述單位圖案偏移的上述單位圖案。
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