JP2021032978A - 描画方法、および、描画装置 - Google Patents

Abstract

【課題】焦点深度の低下などを抑制しつつ、形成されるパターン形状の微細化を実現する。【解決手段】描画方法は、感光材料に対し、第１のシフトパターンを少なくとも一部に有する第２の描画パターンで、描画光を照射する工程と、感光材料を現像する工程と、基板の上面に第１のパターン形状を形成する工程とを備え、第１のシフトパターンは、第１の描画パターンにおける対応する単位パターンに少なくとも一部で重なり、かつ、対応する単位パターンからずれる単位パターンである。【選択図】図７

Description

本願明細書に開示される技術は、描画方法、および、描画装置に関するものである。

基板の上面に形成された感光材料に回路などを形成するための描画パターンを露光する際に、マスクなどを用いずに、描画パターンを記述するデータに応じて変調された光（すなわち、描画光）によって基板の上面における感光材料を走査することによって、当該感光材料に直接描画パターンを露光する露光装置（すなわち、描画装置）が従来から開示されている（たとえば、特許文献１を参照）。

特開２０１４−０６６９５４号公報

上記のような描画装置によって描画された描画パターンに基づいて形成されるパターン形状は、近年の半導体デバイスの微細化および高機能化に伴って、さらなる微細化が望まれている。

しかしながら、パターン形状の微細化には、焦点深度（ｄｅｐｔｈ ｏｆ ｆｏｃｕｓ、すなわち、ＤＯＦ）の低下などが伴い、また、微細化を実現するための装置の製造コストも増大するという問題があった。

本願明細書に開示される技術は、以上に記載されたような問題を鑑みてなされたものであり、焦点深度の低下などを抑制しつつ、形成されるパターン形状の微細化を実現するための技術を提供することを目的とするものである。

本願明細書に開示される技術の第１の態様は、基板の上面に配置された感光材料に対し、第１の描画パターンで描画光を照射する工程と、前記感光材料に対し、第１のシフトパターンを少なくとも一部に有する第２の描画パターンで、前記描画光を照射する工程と、前記第１の描画パターンおよび前記第２の描画パターンでの前記描画光の照射後に、前記感光材料を現像する工程と、現像された前記感光材料に基づいて、前記基板の上面に第１のパターン形状を形成する工程とを備え、前記第１のシフトパターンは、前記第１の描画パターンにおける対応する単位パターンに少なくとも一部で重なり、かつ、対応する前記単位パターンからずれる前記単位パターンである。

本願明細書に開示される技術の第２の態様は、第１の態様に関連し、前記単位パターンはライン形状であり、前記第１のシフトパターンは、対応する前記単位パターンから、前記ライン形状が延びる方向とは交差する方向にずれる前記単位パターンである。

本願明細書に開示される技術の第３の態様は、第１または２の態様に関連し、前記描画光が照射された前記感光材料の少なくとも一部は、現像後に除去される。

本願明細書に開示される技術の第４の態様は、第３の態様に関連し、前記感光材料は、前記第１の描画パターンでの前記描画光および前記第２の描画パターンでの前記描画光のうちのどちらか一方のみの照射後に現像された場合には現像後に除去されず、かつ、前記第１の描画パターンでの前記描画光および前記第２の描画パターンでの前記描画光の双方の照射後に現像された場合には現像後に除去される。

本願明細書に開示される技術の第５の態様は、第１または２の態様に関連し、前記描画光が照射された前記感光材料は、現像後に残存する。

本願明細書に開示される技術の第６の態様は、第１から５のうちのいずれか１つの態様に関連し、前記第１のパターン形状が形成された領域に隣接する領域である隣接領域において、前記感光材料に対し、第３の描画パターンで前記描画光を照射する工程と、前記隣接領域において、前記感光材料に対し、第２のシフトパターンを少なくとも一部に有する第４の描画パターンで、前記描画光を照射する工程と、前記第３の描画パターンおよび前記第４の描画パターンでの前記描画光の照射後に、前記感光材料を現像する工程と、現像された前記感光材料に基づいて、前記基板の上面に第２のパターン形状を形成する工程とをさらに備え、前記第２のシフトパターンは、前記第３の描画パターンにおける対応する前記単位パターンに少なくとも一部で重なり、かつ、対応する前記単位パターンからずれる前記単位パターンである。

本願明細書に開示される技術の第７の態様は、第６の態様に関連し、前記単位パターンはライン形状であり、前記第２のシフトパターンは、対応する前記単位パターンから、前記ライン形状が延びる方向とは交差する方向にずれる前記単位パターンである。

本願明細書に開示される技術の第８の態様は、第６または７の態様に関連し、前記隣接領域において、前記描画光が照射された前記感光材料の少なくとも一部は、現像後に除去される。

本願明細書に開示される技術の第９の態様は、第８の態様に関連し、前記隣接領域における前記感光材料は、前記第３の描画パターンでの前記描画光および前記第４の描画パターンでの前記描画光のうちのどちらか一方のみの照射後に現像された場合には現像後に除去されず、かつ、前記第３の描画パターンでの前記描画光および前記第４の描画パターンでの前記描画光の双方の照射後に現像された場合には現像後に除去される。

本願明細書に開示される技術の第１０の態様は、第６または７の態様に関連し、前記隣接領域において、前記描画光が照射された前記感光材料は、現像後に残存する。

本願明細書に開示される技術の第１１の態様は、第１から１０のうちのいずれか１つの態様に関連し、前記基板はガラス基板であり、かつ、前記第１のパターン形状の材料は銅である。

本願明細書に開示される技術の第１２の態様は、基板の上面に配置された感光材料に対し、描画光を照射する照射部と、前記照射部の動作を制御する制御部とを備え、前記制御部は、前記照射部に、前記感光材料に対し、第１の描画パターンで前記描画光を照射させ、前記照射部に、前記感光材料に対し、第１のシフトパターンを少なくとも一部に有する第２の描画パターンで、前記描画光を照射させ、前記第１のシフトパターンは、前記第１の描画パターンにおける対応する単位パターンに少なくとも一部で重なり、かつ、対応する前記単位パターンからずれる前記単位パターンである。

本願明細書に開示される技術の第１から１２の態様によれば、焦点深度の低下などを抑制しつつ、形成されるパターン形状の微細化を実現することができる。

また、本願明細書に開示される技術に関連する目的と、特徴と、局面と、利点とは、以下に示される詳細な説明と添付図面とによって、さらに明白となる。

実施の形態に関する、描画装置の構成の例を概略的に示す側面図である。 実施の形態に関する、描画装置の構成の例を概略的に示す平面図である。 制御部のハードウェア構成の例を示す図である。 実施の形態に関する、描画装置の動作の例を示すフローチャートである。 実施の形態に関する、ネガ型の感光材料を用いる２重照射処理を説明するための基板上部の断面図である。 実施の形態に関する、ネガ型の感光材料を用いる２重照射処理を説明するための基板上部の断面図である。 実施の形態に関する、ネガ型の感光材料を用いる２重照射処理を説明するための基板上部の断面図である。 実施の形態に関する、ネガ型の感光材料を用いる２重照射処理を説明するための基板上部の断面図である。 実施の形態に関する、ネガ型の感光材料を用いる２重照射処理を説明するための基板上部の断面図である。 実施の形態に関する、ネガ型の感光材料を用いる２重照射処理を説明するための基板上部の断面図である。 実施の形態に関する、ネガ型の感光材料を用いる２重照射処理を説明するための基板上部の断面図である。 実施の形態に関する、ネガ型の感光材料を用いる２重照射処理を説明するための基板上部の断面図である。 実施の形態に関する、ネガ型の感光材料を用いる２重照射処理を説明するための基板上部の断面図である。 実施の形態に関する、ネガ型の感光材料を用いる２重照射処理を説明するための基板上部の断面図である。 実施の形態に関する、ネガ型の感光材料を用いる２重照射処理を説明するための基板上部の断面図である。 実施の形態に関する、ネガ型の感光材料を用いる２重照射処理を説明するための基板上部の断面図である。 実施の形態に関する、ネガ型の感光材料を用いる２重照射処理を説明するための基板上部の断面図である。 ２重照射処理によって形成されるパターン形状の例を示す平面図である。 ２重照射処理に用いられる描画パターンの例を示す平面図である。 ２重照射処理に用いられる描画パターンの例を示す平面図である。 ２重照射処理によって形成されるパターン形状の、形成途中の状態を示す平面図である。 ２重照射処理に用いられる描画パターンの例を示す平面図である。 ２重照射処理に用いられる描画パターンの例を示す平面図である。 ２重照射処理によって形成されるパターン形状の例を示す平面図である。 ポジ型の感光材料の感光特性の例を示す図である。 実施の形態に関する、ポジ型の感光材料を用いる２重照射処理を説明するための基板上部の断面図である。 実施の形態に関する、ポジ型の感光材料を用いる２重照射処理を説明するための基板上部の断面図である。 実施の形態に関する、ポジ型の感光材料を用いる２重照射処理を説明するための基板上部の断面図である。 実施の形態に関する、ポジ型の感光材料を用いる２重照射処理を説明するための基板上部の断面図である。 実施の形態に関する、ポジ型の感光材料を用いる２重照射処理を説明するための基板上部の断面図である。 実施の形態に関する、ポジ型の感光材料を用いる２重照射処理を説明するための基板上部の断面図である。 実施の形態に関する、ポジ型の感光材料を用いる２重照射処理を説明するための基板上部の断面図である。 実施の形態に関する、ポジ型の感光材料を用いる２重照射処理を説明するための基板上部の断面図である。 実施の形態に関する、ポジ型の感光材料を用いる２重照射処理を説明するための基板上部の断面図である。 実施の形態に関する、ポジ型の感光材料を用いる２重照射処理を説明するための基板上部の断面図である。 実施の形態に関する、ポジ型の感光材料を用いる２重照射処理を説明するための基板上部の断面図である。 実施の形態に関する、ポジ型の感光材料を用いる２重照射処理を説明するための基板上部の断面図である。 実施の形態に関する、ポジ型の感光材料を用いる２重照射処理を説明するための基板上部の断面図である。

以下、添付される図面を参照しながら実施の形態について説明する。以下の実施の形態では、技術の説明のために詳細な特徴なども示されるが、それらは例示であり、実施の形態が実施可能となるためにそれらすべてが必ずしも必須の特徴ではない。

なお、図面は概略的に示されるものであり、説明の便宜のため、適宜、構成の省略、または、構成の簡略化が図面においてなされるものである。また、異なる図面にそれぞれ示される構成などの大きさおよび位置の相互関係は、必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。また、断面図ではない平面図などの図面においても、実施の形態の内容を理解することを容易にするために、ハッチングが付される場合がある。

また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。

また、以下に記載される説明において、ある構成要素を「備える」、「含む」または「有する」などと記載される場合、特に断らない限りは、他の構成要素の存在を除外する排他的な表現ではない。

また、以下に記載される説明において、「第１の」または「第２の」などの序数が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、これらの序数によって生じ得る順序などに限定されるものではない。

また、以下に記載される説明において、「上」、「下」、「左」、「右」、「側」、「底」、「表」または「裏」などの特定の位置と方向とを意味する用語が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、実際に実施される際の方向とは関係しないものである。

また、以下に記載される説明において、「…の上面」または「…の下面」などと記載される場合、対象となる構成要素の上面自体に加えて、対象となる構成要素の上面に他の構成要素が形成された状態も含むものとする。すなわち、たとえば、「甲の上面に設けられる乙」と記載される場合、甲と乙との間に別の構成要素「丙」が介在することを妨げるものではない。

＜実施の形態＞
以下、本実施の形態に関する描画方法、および、描画装置について説明する。

＜描画装置の構成＞
図１は、本実施の形態に関する描画装置の構成の例を概略的に示す側面図である。また、図２は、本実施の形態に関する描画装置の構成の例を概略的に示す平面図である。

図１および図２に例が示されるように、描画装置１は、レジストなどの感光材料の層が形成された基板Ｗの上面に、マスクなどを用いずに、描画パターンを記述するデータ（ＣＡＤデータなど）に応じて変調された光（すなわち、描画光）によって基板Ｗの上面におけるレジストなどの感光材料を走査することによって、パターン形状（たとえば、回路パターン）を露光（描画）する装置である。

なお、処理対象となる基板Ｗには、たとえば、半導体基板、液晶表示装置用基板、有機ＥＬ(ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ)表示装置などのｆｌａｔ ｐａｎｅｌ ｄｉｓｐｌａｙ（ＦＰＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、または、太陽電池用基板などが含まれる。

基板Ｗの形状は、たとえば、直径が３００ｍｍまたは４５０ｍｍの円形、または、６００ｍｍ×６００ｍｍ、５１０ｍｍ×５１０ｍｍ、または、５１０ｍｍ×４１５ｍｍの角形である。また、基板Ｗの厚みは、２ｍｍ以下であることが好ましい。

また、基板Ｗは、シリコン、ガラス、石英、または樹脂などの材質からなり、基板Ｗの表面には、メッキ、スパッタリングまたは蒸着などによって金属の薄膜が形成されていてもよい。

図１および図２に示される例では、基板Ｗとして、角形の半導体基板が示されている。

描画装置１は、本体フレーム１０１で構成される骨格の天井面および周囲面にカバーパネル（図示省略）が取り付けられることによって形成される本体内部と、本体フレーム１０１の外側である本体外部とに、各種の構成要素が配置されている。

描画装置１の本体内部は、処理領域１０２と受け渡し領域１０３とに区分されている。

処理領域１０２には、主として、基板Ｗを保持するステージ１０と、ステージ１０を移動させるステージ駆動機構２０と、ステージ１０の位置を計測するステージ位置計測部３０と、基板Ｗの上面に光を照射する２個の光学ユニット４０と、基板Ｗの上面におけるアライメントマークを撮像する撮像部５０とが配置される。

一方で、受け渡し領域１０３には、処理領域１０２に対して基板Ｗの搬出入を行う搬送装置６０と、プリアライメント部７０とが配置される。

また、描画装置１は、描画装置１が備えるそれぞれの構成要素と電気的に接続され、かつ、これらの構成要素の動作を制御する制御部８０を備える。以下において、描画装置１が備えるそれぞれの構成要素の構成について説明する。

＜ステージ１０＞
ステージ１０は、平板状の外形を有し、その上面に基板Ｗを水平姿勢に載置して保持する保持部である。ステージ１０の上面には、複数の吸引孔（図示省略）が形成されており、この吸引孔に負圧（吸引圧）を生じさせることによって、ステージ１０の上面に載置された基板Ｗを固定し保持することができる。

＜ステージ駆動機構２０＞
ステージ駆動機構２０は、ステージ１０を基台１０５に対して移動させる機構であり、ステージ１０を主走査方向（Ｙ軸方向）、副走査方向（Ｘ軸方向）および回転方向（Ｚ軸周りの回転方向（θ軸方向））に移動させる。

ステージ駆動機構２０は、具体的には、ステージ１０を回転させる回転機構２１と、回転機構２１を介してステージ１０を支持する支持プレート２２と、支持プレート２２を副走査方向に移動させる副走査機構２３とを備える。ステージ駆動機構２０は、さらに、副走査機構２３を介して支持プレート２２を支持するベースプレート２４と、ベースプレート２４を主走査方向に移動させる主走査機構２５とを備える。

回転機構２１は、ステージ１０の上面（基板Ｗの載置面）の中心を通り、当該載置面に垂直な回転軸Ａを中心としてステージ１０を回転させる。回転機構２１は、たとえば、上端が載置面の裏面側に固着され、鉛直軸に沿って延在する回転軸部２１１と、回転軸部２１１の下端に設けられ、回転軸部２１１を回転させる回転駆動部２１２（たとえば、回転モータ）とを含む構成とすることができる。

このような構成においては、回転駆動部２１２が回転軸部２１１を回転させることによって、ステージ１０が水平面内で回転軸Ａを中心として回転することになる。

副走査機構２３は、支持プレート２２の下面に取り付けられた移動子と、ベースプレート２４の上面に敷設された固定子とによって構成されるリニアモータ２３１を有している（図２参照）。

また、ベースプレート２４には、副走査方向に延びる一対のガイド部材２３２が敷設されており、それぞれのガイド部材２３２と支持プレート２２との間には、ガイド部材２３２に摺動しながら当該ガイド部材２３２に沿って移動可能なボールベアリングが設置されている。すなわち、支持プレート２２は、当該ボールベアリングを介して一対のガイド部材２３２上に支持される。

このような構成において、リニアモータ２３１を動作させると、支持プレート２２はガイド部材２３２に案内された状態で副走査方向に沿って滑らかに移動する。

主走査機構２５は、ベースプレート２４の下面に取り付けられた移動子と描画装置１の基台１０５の上面に敷設された固定子とによって構成されるリニアモータ２５１を有している（図２参照）。

また、基台１０５には、主走査方向に延びる一対のガイド部材２５２が敷設されており、それぞれのガイド部材２５２とベースプレート２４との間には、たとえば、エアベアリングが設置されている。エアベアリングには、ユーティリティ設備から常時エアが供給されており、ベースプレート２４は、エアベアリングによってガイド部材２５２上に非接触で浮上支持される。

このような構成において、リニアモータ２５１を動作させると、ベースプレート２４はガイド部材２５２に案内された状態で主走査方向に沿って摩擦なしで滑らかに移動する。

＜ステージ位置計測部３０＞
ステージ位置計測部３０は、ステージ１０の位置を計測する機構である。ステージ位置計測部３０は、具体的には、たとえば、ステージ１０外からステージ１０に向けてレーザー光を出射するとともにその反射光を受光し、当該反射光と出射光との干渉に基づいて、ステージ１０の位置（具体的には、主走査方向に沿うＹ位置、および、回転方向に沿うθ位置）を計測する、干渉式のレーザー測長器によって構成される。

＜光学ユニット４０＞
光学ユニット４０は、ステージ１０の上面に保持された基板Ｗの上面に描画光を照射することによって、基板Ｗにパターンを描画するための機構である。

上述されたとおり、描画装置１は、２個の光学ユニット４０を備える。たとえば、一方の光学ユニット４０が基板Ｗの＋Ｘ側半分の露光を担当し、他方の光学ユニット４０が基板Ｗの−Ｘ側半分の露光を担当する。

これら２個の光学ユニット４０は、ステージ１０およびステージ駆動機構２０を副走査方向（Ｘ軸方向）に跨ぐようにして基台１０５上に架設された支持フレーム１０７に、副走査方向（Ｘ軸方向）に沿って間隔をあけて固設される。

なお、２個の光学ユニット４０間の間隔は必ずしも一定に固定されている必要はなく、２個の光学ユニット４０のうちの一方または両方の位置を変更可能とする機構を設け、両者の間隔を調整可能としてもよい。もっとも、光学ユニット４０の搭載個数は、必ずしも２個である必要はなく、１個であってもよいし、３個以上であってもよい。

２個の光学ユニット４０は、いずれも同じ構成を備える。すなわち、それぞれの光学ユニット４０は、天板を形成するボックスの内部に配置された光源部４０１と、支持フレーム１０７の＋Ｙ側に取り付けられた付設ボックスの内部に収容されたヘッド部４０２とを備える。

光源部４０１は、主として、レーザー駆動部４１と、レーザー発振器４２と、照明光学系４３とを備える。また、ヘッド部４０２は、主として、空間光変調ユニット４４と、投影光学系４５とを備える。

レーザー発振器４２は、レーザー駆動部４１からの駆動を受けて、出力ミラー（図示省略）からレーザー光を出射する。照明光学系４３は、レーザー発振器４２から出射された光（スポットビーム）を、強度分布が均一な線状の光（すなわち、光束断面が帯状の光であるラインビーム）とする。

レーザー発振器４２から出射され、さらに、照明光学系４３においてラインビームとされた光は、ヘッド部４０２に入射する。なお、レーザー発振器４２から出射された光がヘッド部４０２に入射する前の段階で、当該光に絞りをかけて、ヘッド部４０２に入射する光の光量を調整する構成としてもよい。

ヘッド部４０２に入射した光は、ここで、パターンデータＰＤに応じて空間変調を施された上で、基板Ｗに照射される。ただし、光を空間変調させるとは、光の空間分布（振幅、位相および偏光など）を変化させることを意味する。また、「パターンデータＰＤ」とは、光を照射すべき基板Ｗ上の位置情報が画素単位で記録されたデータであり、たとえば、ｃｏｍｐｕｔｅｒ ａｉｄｅｄ ｄｅｓｉｇｎ（ＣＡＤ）を用いて生成されたパターンの設計データを、ラスタライズすることによって生成される。

パターンデータＰＤは、たとえば、ネットワークなどを介して接続された外部端末装置から受信することによって、または、記録媒体から読み取ることなどによって取得され、さらに、制御部８０の記憶装置８４などに格納される（図３を参照）。

ヘッド部４０２に入射された光は、より具体的には、ミラー４６を介して、定められた角度で空間光変調ユニット４４に入射する。

空間光変調ユニット４４は、電気的な制御によって入射光を空間変調させて、パターンの描画に寄与させる必要光と、パターンの描画に寄与させない不要光とを、互いに異なる方向に反射させる、空間光変調器４４１を備える。

空間光変調器４４１は、たとえば、変調素子である固定リボンと可動リボンとが一次元に配設された回折格子型の空間変調器（たとえば、グレーチングライトバルブ（ｇｒａｔｉｎｇ ｌｉｇｈｔ ｖａｌｖｅ、すなわち、ＧＬＶ：登録商標））などを利用して構成される。

回折格子型の空間変調器は、格子の深さを変更することができる回折格子であり、たとえば、半導体装置の製造技術を用いて製造される。

空間光変調器４４１の構成の例について、以下具体的に説明する。空間光変調器４４１は、複数の変調単位が一次元的に並べられた構成である。それぞれの変調単位は、その動作が、たとえば、電圧の印加の有無によって制御されるものであり、空間光変調器４４１は、複数の変調単位のそれぞれに対して独立に電圧を印加可能なドライバ回路ユニット（図示省略）を備えている。これによって、それぞれの変調単位の電圧が、独立して切り替え可能となっている。

変調単位が第１の電圧状態（たとえば、電圧が印加されていない状態）とされると、変調単位の表面はたとえば、平面となる。表面が平面となっている変調単位に光が入射すると、その入射光は回折せずに正反射する。これによって、正反射光（０次回折光）が発生する。この正反射光は、パターンの描画に寄与させるべき必要光として、後述する投影光学系４５を介して、基板Ｗの表面に導かれる。

一方で、変調単位が第２の電圧状態（たとえば、電圧が印加されている状態）とされると、変調単位の表面には定められた深さ（最大深さ）の平行な溝が周期的に並んで１本以上形成される。この状態で変調単位に光が入射すると、正反射光（０次回折光）は打ち消しあって消滅し、他の次数の回折光（±１次回折光、±２次回折光、および、さらに高次の回折光）が発生する。この０次以外の次数の回折光は、パターンの描画に寄与させるべきでない不要光として、後述する投影光学系４５において遮断され、基板Ｗに到達しない。

以下において、第１の電圧状態となっている変調単位を「オン状態」ともいい、第２の電圧状態となっている変調単位を「オフ状態」ともいう。

空間光変調器４４１は、さらに、一群の変調単位それぞれのオン状態の出射率を、個別に調整することができる機構（出射率調整部）を備えていてもよい。

ここでいう、変調単位の「出射率」とは、変調単位における、入射光量に対する出射光量の比（出射光量／入射光量）を指す。ただし、ここでいう「出射光量」は、必要光（すなわち、基板Ｗに到達する方向に出射される光）の光量であり、ここでは、正反射光（０次回折光）の光量である。

変調単位の出射率は、変調単位の表面が平面となっていれば１００％となる。そして、変調単位の表面に溝が形成されると出射率は低下し、当該溝の深さが深くなるほど出射率は小さくなる。出射率調整部は、それぞれの変調単位について、当該変調単位がオン状態とされている際に表面に形成される溝の深さを、ゼロ以上、かつ、上述した最大溝深さ（すなわち、オフ状態の変調単位の表面に形成される溝の深さであり、０パーセントの出射率を与える）以下の範囲で、調整することによって、オン状態の変調単位の出射率を、０％から１００％の任意の値に調整することができる。

投影光学系４５は、空間光変調器４４１から入射する光のうち、不要光を遮断するとともに必要光を基板Ｗの上面に導いて、必要光を基板Ｗの上面に結像させる。すなわち、空間光変調器４４１から出射される必要光はＺ軸に沿って−Ｚ方向に進行し、空間光変調器４４１から出射される不要光はＺ軸から±Ｘ方向に僅かに傾斜した軸に沿って−Ｚ方向に進行するところ、投影光学系４５は、たとえば、必要光のみを通過させるように真ん中に貫通孔が形成された遮断板を備え、この遮断板で不要光を遮断する。

投影光学系４５は、この遮断板の他に、必要光の幅を広げる（または狭める）ズーム部を構成する複数のレンズと、必要光を定められた倍率として基板Ｗの上面において結像させる対物レンズとをさらに備える構成であってもよい。

光学ユニット４０に描画動作を実行させる場合、制御部８０は、レーザー駆動部４１を駆動させて、レーザー発振器４２から光を出射させる。出射された光は、照明光学系４３においてラインビームとされ、ミラー４６を介して空間光変調ユニット４４の空間光変調器４４１に入射する。ただし、空間光変調器４４１は、複数の変調単位の反射面の法線が、ミラー４６を介して入射する入射光の光軸に対して傾斜するような姿勢で配置されている。

上述のとおり、空間光変調器４４１においては複数の変調単位が副走査方向（Ｘ軸方向）に沿って並んで配置されており、入射光はその線状の光束断面の長幅方向を変調単位の配列方向に沿わせるようにして、一列に配列された複数の変調単位に入射する。

制御部８０は、パターンデータＰＤに基づいてドライバ回路ユニットに指示を与え、ドライバ回路ユニットは、当該指示にしたがって所定の変調単位に対して電圧を印加する。

これによって、それぞれの変調単位において個々に空間変調された光を含む、断面が帯状の描画光が形成され、そして、当該描画光が、基板Ｗに向けて出射されることになる。

１個の変調単位において空間変調された光は、１画素分の描画光となり、空間光変調器４４１から出射される描画光は、副走査方向に沿う複数画素分の描画光となっている。

空間光変調器４４１から出射された描画光は、投影光学系４５に入射する。そして、投影光学系４５において、入射光のうちの不要光が遮断されるとともに必要光のみが基板Ｗの上面に導かれ、定められた倍率とされて基板Ｗの上面において結像される。

それぞれの光学ユニット４０は、主走査方向（Ｙ軸方向）に沿って基板Ｗに対して相対的に移動しながら、副走査方向に沿う複数画素分の描画光を断続的に照射し続ける（すなわち、基板Ｗの上面に、パルス光を繰り返し投影し続ける）。したがって、光学ユニット４０が主走査方向に沿って基板Ｗを横断すると、基板Ｗの上面において、主走査方向に沿って延在し、かつ、副走査方向に沿って複数画素分の幅（以下、「描画幅Ｍ」ともいう）を有する１本の帯状領域に、パターン群が描画されることになる。

光学ユニット４０は、描画光の照射を伴う主走査を行った後、主走査方向と直交する副走査方向（Ｘ軸方向）に沿って、所定距離だけ基板Ｗに対して相対的に移動した上で（副走査）、再び、描画光の照射を伴う主走査を行う。これによって、先の主走査で描画された帯状領域の隣に、パターン群が描画されることになる。

このようにして、副走査を挟みつつ、描画光の照射を伴う主走査が繰り返して行われることによって、描画対象領域の全体にパターン群が描画される。

＜撮像部５０＞
撮像部５０は、支持フレーム１０７に固設され、ステージ１０に保持された基板Ｗの上面に形成されたアライメントマークを撮像する。撮像部５０は、たとえば、鏡筒、対物レンズ、および、たとえば、エリアイメージセンサー（二次元イメージセンサー）によって構成されるＣＣＤイメージセンサーを備える。

また、撮像部５０は、撮像に用いられる照明光を供給する照明ユニット５０１と、ファイバーなどを介して接続される。ただし、この照明光としては、基板Ｗの上面におけるレジストなどを感光させない波長の光源が採用される。

照明ユニット５０１から出射される光は、ファイバーなどを介して鏡筒に導かれ、鏡筒を介して基板Ｗの上面に導かれる。そして、その反射光が、対物レンズを介してＣＣＤイメージセンサーで受光される。

これによって、撮像部５０において、基板Ｗの上面の撮像データが取得されることになる。ＣＣＤイメージセンサーは、制御部８０からの指示に応じて撮像データを取得するとともに、取得された撮像データを制御部８０に送信する。なお、撮像部５０は、オートフォーカス可能なオートフォーカスユニットをさらに備えていてもよい。

＜搬送装置６０＞
搬送装置６０は、基板Ｗを搬送する装置であり、具体的には、たとえば、基板Ｗを支持するための２本のハンド６１およびハンド６１と、ハンド６１およびハンド６１をそれぞれ独立に移動（進退移動および昇降移動）させるハンド駆動機構６２とを備える。

描画装置１の本体外部であって、受け渡し領域１０３に隣接する位置には、カセットＣを載置するためのカセット載置部１０４が配置されており、搬送装置６０は、カセット載置部１０４に載置されたカセットＣに収容されている未処理の基板Ｗを取り出して、処理領域１０２に搬入する。それとともに、搬送装置６０は、処理領域１０２から処理済みの基板Ｗを搬出して、カセットＣに収容する。なお、カセット載置部１０４に対するカセットＣの受け渡しは、外部搬送装置（図示省略）によって行われる。

＜プリアライメント部７０＞
プリアライメント部７０（図２参照）は、基板Ｗの回転位置を粗く補正する装置である。プリアライメント部７０は、たとえば、回転可能に構成された載置台と、載置台に載置された基板Ｗの外周縁の一部に形成された切り欠き部（たとえば、ノッチまたはオリエンテーションフラットなど）の位置を検出するセンサーと、載置台を回転させる回転機構とを備える。この場合、プリアライメント部７０におけるプリアライメント処理は、まず、載置台に載置された基板Ｗの切り欠き部の位置をセンサーで検出し、続いて、回転機構が、当該切り欠き部の位置が定められた位置となるように載置台を回転させることによって行われる。

＜制御部８０＞
制御部８０は、描画装置１が備えるそれぞれの構成要素と電気的に接続されており、各種の演算処理を実行しつつ描画装置１のそれぞれの構成要素の動作を制御する。

図３は、制御部８０のハードウェア構成の例を示す図である。図３に例が示されるように、制御部８０は、たとえば、中央演算処理装置（ｃｅｎｔｒａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｕｎｉｔ、すなわち、ＣＰＵ）８１、リードオンリーメモリー（ｒｅａｄ ｏｎｌｙ ｍｅｍｏｒｙ、すなわち、ＲＯＭ）８２、ランダムアクセスメモリー（ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ、すなわち、ＲＡＭ）８３、および、記憶装置８４などがバスライン８５を介して相互接続された一般的なコンピュータである。

ＲＯＭ８２は基本プログラムなどを格納しており、ＲＡＭ８３はＣＰＵ８１が所定の処理を行う際の作業領域として供される。

記憶装置８４は、フラッシュメモリ、または、ハードディスク装置などの不揮発性の記憶装置によって構成されている。記憶装置８４にはプログラムＰが格納されており、このプログラムＰに記述された手順にしたがって、主制御部としてのＣＰＵ８１が演算処理を行い、各種機能が実現されるように構成されている。

プログラムＰは、通常、あらかじめ記憶装置８４などのメモリに格納されて使用されるものであるが、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭまたは外部のフラッシュメモリなどの記録媒体に記録された形態（プログラムプロダクト）で提供され（または、ネットワークを介した外部サーバーからのダウンロードなどにより提供され）、追加的または交換的に記憶装置８４などのメモリに格納されるものであってもよい。なお、制御部８０において実現される一部または全部の機能は、専用の論理回路などでハードウェア的に実現されてもよい。

また、制御部８０では、入力部８６、表示部８７および通信部８８も、バスライン８５に接続されている。

入力部８６は、たとえば、キーボードおよびマウスによって構成される入力デバイスであり、オペレータからの各種の操作（コマンドまたは各種データの入力などの操作）を受け付ける。なお、入力部８６は、各種スイッチ、タッチパネルなどによって構成されてもよい。

表示部８７は、液晶表示装置またはランプなどによって構成される表示装置であり、ＣＰＵ８１による制御の下、各種の情報を表示する。

通信部８８は、ネットワークを介して外部装置との間でコマンドまたはデータなどの送受信を行うデータ通信機能を有する。

＜描画装置の動作＞
描画装置１において実行される基板Ｗに対する一連の処理の全体の流れについて、図４を参照しながら説明する。ここで、図４は、本実施の形態に関する描画装置の動作の例を示すフローチャートである。また、以下に説明される一連の動作は、制御部８０の制御下で行われる。

ここで、制御部８０は、以下に説明される一連の動作に先立って、処理条件が記述されたレシピを記憶装置８４などから読み込んで、当該レシピに指定された処理条件に応じて各種パラメータなどを調整する。

この場合、制御部８０は、記憶装置８４に記憶されたデータベースＤなどから、当該レシピにおいて指定された処理条件（または、当該レシピのレシピ番号）などと対応付けられて記憶されている情報も読み出すことができる。

そして、搬送装置６０が、カセット載置部１０４に載置されたカセットＣから未処理の基板Ｗを取り出して描画装置１に搬入する（ステップＳＴ１）。

続いて、搬送装置６０は搬入された基板Ｗをプリアライメント部７０に搬入する。そして、プリアライメント部７０において、当該基板Ｗに対するプリアライメント処理が行われる（ステップＳＴ２）。

プリアライメント処理は、たとえば、載置台に載置された基板Ｗの切り欠き部の位置をセンサーで検出し、当該切り欠き部の位置が定められた位置となるように載置台を回転させることによって行われる。これによって、載置台に載置された基板Ｗが、定められた回転位置におおまかに位置合わせされた状態となる。

続いて、搬送装置６０が、プリアライメント処理済みの基板Ｗをプリアライメント部７０から搬出し、さらに当該基板Ｗをステージ１０に載置する（ステップＳＴ３）。そして、ステージ１０は、ステージ１０の上面に基板Ｗが載置されると、基板Ｗを吸着しつつ保持する。

基板Ｗがステージ１０に吸着保持された状態となると、続いて、当該基板Ｗが適正な位置に配置されるように精密に位置合わせする処理（ファインアライメント処理）が行われる（ステップＳＴ４）。

具体的には、まず、ステージ駆動機構２０が、ステージ１０を撮像部５０の下方位置まで移動させる。そして、ステージ１０が撮像部５０の下方に配置されると、撮像部５０が、基板Ｗの上面におけるアライメントマークを撮像して、当該撮像データを取得する。

続いて、制御部８０が、撮像部５０によって取得された撮像データを画像解析し、当該解析結果に基づいてアライメントマークの位置を検出する。そして、制御部８０は、その検出位置に基づいて、基板Ｗの適正位置からのずれ量を算出する。

上記のずれ量が算出されると、ステージ駆動機構２０が、算出されたずれ量分だけステージ１０を移動させる。これによって、基板Ｗが適正位置に配置されるように位置合わせが行われる。

基板Ｗが適正位置に配置されると、続いて、パターンの描画処理が行われる（ステップＳＴ５）。

パターンの描画処理は、制御部８０の制御下で、ステージ駆動機構２０が、ステージ１０に載置された基板Ｗを２つの光学ユニット４０に対して相対的に移動させつつ、２つの光学ユニット４０のそれぞれから基板Ｗの上面に空間変調された光を照射させることによって行われる。

具体的には、ステージ駆動機構２０は、まず、撮像部５０の下方位置に配置されているステージ１０を主走査方向（Ｙ軸方向）に沿って＋Ｙ方向に移動させることによって、基板Ｗを２つの光学ユニット４０に対して主走査方向に沿って相対的に移動させる（主走査）。

当該主走査を基板Ｗからみると、それぞれの光学ユニット４０は基板Ｗ上を主走査方向に沿って−Ｙ方向に横断することになる。

主走査が行われる間、それぞれの光学ユニット４０は、パターンデータＰＤに対応する空間変調がなされた描画光を、基板Ｗに向けて断続的に照射し続ける（すなわち、基板Ｗの上面にパルス光が繰り返して投影され続ける）。すなわち、それぞれの光学ユニット４０は、副走査方向に沿う複数画素分の空間変調された光を含む描画光を、断続的に照射し続けながら、基板Ｗ上を主走査方向に沿って横断する。

したがって、光学ユニット４０が主走査方向に沿って基板Ｗを１回横断すると、１本の帯状領域（主走査方向に沿って延在し、かつ、副走査方向に沿う幅が描画幅Ｍに相当する領域）に、パターン群が描画されることになる。本実施の形態では、２個の光学ユニット４０が同時に基板Ｗを主走査方向に沿って横断するので、一回の主走査によって２本の帯状領域のそれぞれにパターン群が描画されることになる。

１回の主走査が終了すると、ステージ駆動機構２０は、ステージ１０を副走査方向（Ｘ軸方向）に沿って−Ｘ方向に、定められた距離だけ移動させる。そうすることによって、基板Ｗをそれぞれの光学ユニット４０に対して副査方向に沿って相対的に移動させる（副走査）。

当該副走査を基板Ｗからみると、それぞれの光学ユニット４０は副走査方向に沿って＋Ｘ方向に、定められた距離分だけ移動することになる。

副走査が終了すると、再び主走査が行われる。すなわち、ステージ駆動機構２０は、ステージ１０を主走査方向に沿って−Ｙ方向に移動させることによって、基板Ｗを２つの光学ユニット４０に対して主走査方向に沿って相対的に移動させる。

当該主走査を基板Ｗからみると、それぞれの光学ユニット４０は、基板Ｗ上における、先の主走査で描画された帯状領域の隣を、主走査方向に沿って＋Ｙ方向に移動して横断することになる。

ここでも、それぞれの光学ユニット４０は、パターンデータＰＤに対応する空間変調がなされた描画光を、基板Ｗに向けて断続的に照射し続けながら、基板Ｗ上を主走査方向に沿って横断する。これによって、先の主走査で描画された帯状領域の隣の帯状領域に、パターン群が描画されることになる。

以後、同様に、主走査と副走査とが繰り返して行われ、描画対象領域の全域にパターンが描画されると、描画処理が終了する。

そして、描画処理が終了すると、搬送装置６０が処理済みの基板Ｗを搬出する（ステップＳＴ６）。これによって、当該基板Ｗに対する一連の処理が終了する。

＜２重照射処理＞
以下においては、本実施の形態に関する描画装置を用いる描画処理として、２重露光処理を説明する。

ここで、２重照射処理とは、光が照射された領域に対し、再度光を照射する処理をいう。

本実施の形態の場合、２度目の光の照射は、基板Ｗ全体の主走査が終了した後に基板Ｗ全体に対して行われることが想定されるが、たとえば、基板Ｗの一部の領域について主走査が終了した時点で、残りの領域の主走査を行う前に、主走査が終了している領域に２度目の光の照射が行われてもよい。

また、２度目の光の照射は、主走査が終了している領域に完全に一致して行われなくてもよく、２度目の光の照射を行う領域の少なくとも一部が、主走査が終了している領域に重なっていればよい。

＜ネガ型の感光材料を用いる２重照射処理＞
まず、図５から図１７を参照しつつ、ネガ型の感光材料を用いる２重照射処理について説明する。なお、図５から図１７は、本実施の形態に関する、ネガ型の感光材料を用いる２重照射処理を説明するための基板上部の断面図である。

はじめに、図５に例が示されるように、ガラス基板などである基板Ｗの上面にシード層６００を形成し、さらに、シード層６００の上面にネガ型のレジスト６０１を形成する。

ここで、シード層６００は、後述のＣｕなどからなる金属のパターン形状をめっき形成するために用いられる層である。また、ネガ型のレジスト６０１は、たとえば、厚さが３μｍの、ＪＳＲ社製のＴＨＢシリーズ（商品名）である。

次に、図６に例が示されるように、ネガ型のレジスト６０１の一部の領域に対し、空間変調された光１０００を照射する。すなわち、基板Ｗの上面に形成された感光材料であるレジスト６０１に対し、描画パターンに従う描画光を照射する。図６においては、光１０００が照射された領域のレジストが、レジスト６０１Ａとして示されている。

ここで、レジスト６０１Ａが形成される幅は、光学ユニット４０の解像力の限度で定まる。本実施の形態では、光学ユニット４０の解像力が２／２μｍ［Ｌ／Ｓ］で示されるものとし、レジスト６０１Ａの幅Ｄ１およびレジスト６０１の幅Ｄ２は、光学ユニット４０で形成可能な最小幅である２μｍであるものとする。なお、［Ｌ／Ｓ］は、ライン、アンド、スペースを意味し、形成されるパターン形状の幅と、パターン形状間の幅とを示すものである。

なお、図６では、レジスト６０１Ａの幅Ｄ１およびレジスト６０１の幅Ｄ２はともに２μｍとされたが、これらは２μｍよりも大きい幅であってもよく、また、レジスト６０１Ａの幅Ｄ１とレジスト６０１の幅Ｄ２とが、異なる大きさの幅であってもよい。

次に、図７に例が示されるように、レジスト６０１とレジスト６０１Ａとに跨る領域（すなわち、図６における光１０００が照射された領域からずれた領域）に対し、空間変調された光１０００Ａを照射する。すなわち、基板Ｗの上面に形成された感光材料であるレジスト６０１およびレジスト６０１Ａに対し、図６における描画パターンからは少なくとも一部がずれている描画パターンに従う描画光を照射する。図７においては、光１０００Ａが照射された領域のうち、図６における光１０００が照射されなかった領域のレジストがレジスト６０１Ａとして示され、図６における光１０００が照射された領域（すなわち、光１０００および光１０００Ａが照射された領域）のレジストがレジスト６０１Ｂとして示されている。

なお、図７においても図６における場合と同様に、光学ユニット４０の解像力が２／２μｍ［Ｌ／Ｓ］で示されるものとする。また、光１０００Ａが照射される領域は、光１０００が照射された領域から１μｍずれた領域であるものとする。

この場合、レジスト６０１Ｂの幅Ｄ３は、光１０００が照射された領域と光１０００Ａが照射された領域とが重なる領域の幅に対応するため、１μｍとなる。

また、光１０００Ａが照射される領域が光１０００が照射された領域から１μｍずれた領域であるため、レジスト６０１の幅Ｄ４は、図６におけるレジスト６０１の幅Ｄ２から１μｍだけ狭くなり１μｍとなる。

なお、光１０００Ａが照射される領域と光１０００が照射された領域とのずれ幅は、図７に示された１μｍである場合に限られるものではなく、光１０００Ａが照射される領域と光１０００が照射された領域とが重なる領域が存在する範囲において変更可能である。すなわち、本実施の形態の場合、光１０００Ａが照射される領域と光１０００が照射された領域とのずれ幅は、２μｍ未満の範囲で変更可能である。

次に、図８に例が示されるように、光１０００および光１０００Ａのいずれも照射されていないレジスト６０１を、図示しない現像液供給装置から供給される現像液を用いる現像処理によって除去する。他方、少なくとも一方の描画光が照射されたレジスト６０１Ａおよびレジスト６０１Ｂは、現像後に残存する。

次に、図９に例が示されるように、レジスト６０１が除去された幅Ｄ４の領域に、厚さがたとえば２μｍである金属パターン７００をめっき形成する。なお、金属パターン７００は、たとえば、銅などの金属からなる。

次に、図１０に例が示されるように、レジスト６０１Ａおよびレジスト６０１Ｂをたとえばウェットエッチングによって除去する。これによって、幅が１μｍである金属パターン７００が形成され、また、金属パターン７００間の距離が３μｍ（幅Ｄ１と幅Ｄ２との総和から幅Ｄ４を除いた距離）となる。

次に、図１１に例が示されるように、シード層６００の上面、および、金属パターン７００の上面および側面を覆う、ネガ型のレジスト６０２を形成する。ここで、レジスト６０２は、たとえば、スリット塗布方式で形成される。

次に、図１２に例が示されるように、ネガ型のレジスト６０２の一部の領域で、かつ、金属パターン７００が形成された領域と一部重なる領域に対し、空間変調された光１００１を照射する。すなわち、基板Ｗの上面に形成された感光材料であるレジスト６０２に対し、描画パターンに従う描画光を照射する。図１２においては、光１００１が照射された領域のレジストが、レジスト６０２Ａとして示されている。

ここで、レジスト６０２Ａの幅Ｅ１およびレジスト６０２の幅Ｅ２は、光学ユニット４０で形成可能な最小幅である２μｍであるものとする。

なお、図１２では、レジスト６０２Ａの幅Ｅ１およびレジスト６０２の幅Ｅ２はともに２μｍとされたが、これらは２μｍよりも大きい幅であってもよく、また、レジスト６０２Ａの幅Ｅ１とレジスト６０２の幅Ｅ２とが、異なる大きさの幅であってもよい。

次に、図１３に例が示されるように、レジスト６０２とレジスト６０２Ａとに跨る領域（すなわち、図１２における光１００１が照射された領域からずれた領域）で、かつ、金属パターン７００が形成された領域と一部重なる領域に対し、空間変調された光１００１Ａを照射する。すなわち、基板Ｗの上面に形成された感光材料であるレジスト６０２およびレジスト６０２Ａに対し、図１２における描画パターンからは少なくとも一部がずれている描画パターンに従う描画光を照射する（ずれている描画パターンは、後述のシフトパターンに相当する）。図１３においては、光１００１Ａが照射された領域のうち、図１２における光１００１が照射されなかった領域のレジストがレジスト６０２Ａとして示され、図１２における光１００１が照射された領域（すなわち、光１００１および光１００１Ａが照射された領域）のレジストがレジスト６０２Ｂとして示されている。

なお、図１３においても図１２における場合と同様に、光学ユニット４０の解像力が２／２μｍ［Ｌ／Ｓ］で示されるものとする。また、光１００１Ａが照射される領域は、光１００１が照射された領域から１μｍずれた領域であるものとする。

この場合、レジスト６０２Ｂの幅Ｅ３は、光１００１が照射された領域と光１００１Ａが照射された領域とが重なる領域の幅に対応するため、１μｍとなる。

また、光１００１Ａが照射される領域が光１００１が照射された領域から１μｍずれた領域であるため、レジスト６０２の幅Ｅ４は、図１２におけるレジスト６０２の幅Ｅ２から１μｍだけ狭くなり１μｍとなる。

なお、光１００１Ａが照射される領域と光１００１が照射された領域とのずれ幅は、図１３に示された１μｍである場合に限られるものではなく、光１００１Ａが照射される領域と光１００１が照射された領域とが重なる領域が存在する範囲において変更可能である。すなわち、本実施の形態の場合、光１００１Ａが照射される領域と光１００１が照射された領域とのずれ幅は、２μｍ未満の範囲で変更可能である。

次に、図１４に例が示されるように、光１００１および光１００１Ａのいずれも照射されていないレジスト６０２を、図示しない現像液供給装置から供給される現像液を用いる現像処理によって除去する。一方で、光１００１または光１００１Ａの少なくとも一方が照射されたレジストであるレジスト６０２Ａおよび６０２Ｂは、現像後にも残存する。

次に、図１５に例が示されるように、レジスト６０２が除去された幅Ｅ４の領域に、厚さがたとえば２μｍである金属パターン７０１をめっき形成する。

次に、図１６に例が示されるように、レジスト６０２Ａおよびレジスト６０２Ｂを、たとえばウェットエッチングによって除去する。これによって、幅が１μｍである金属パターン７０１が金属パターン７００の間（すなわち、金属パターン７００に隣接する領域）にさらに形成される。また、金属パターン７００と金属パターン７０１との間の距離が１μｍとなる。

そして、シード層６００をウェットエッチングすることによって、図１７に示されるような、１／１μｍ［Ｌ／Ｓ］のパターン形状（金属パターン）を形成することができる。

＜ネガ型の２重照射処理の具体例＞
図１８は、２重照射処理によって形成されるパターン形状の例を示す平面図である。図１８においては、１つのマスの１辺が１μｍに対応するものとする。

本実施の形態によれば、光学ユニット４０の解像力が２／２μｍ［Ｌ／Ｓ］である場合に、幅が１μｍであるライン形状の金属パターンとパターン間の距離が１μｍである部分とを含むパターン形状９００を形成することが可能である。ここで、ライン形状とは、線分、直線、曲線を含む形状をいう。

図１９は、２重照射処理に用いられる描画パターンの例を示す平面図である。

図１９には、たとえば、図６に示された状態に対応する状態が示されており、形成されたレジスト６０１の一部の領域に対し、空間変調された光が描画パターンに従って照射される。そして、光が照射された領域のレジストが、レジスト６０１Ａとなる。

図２０は、２重照射処理に用いられる描画パターンの例を示す平面図である。

図２０には、たとえば、図７に示された状態に対応する状態が示されており、図１９におけるレジスト６０１とレジスト６０１Ａとに跨る領域（すなわち、図１９における光が照射された領域からずれた領域）に対し、空間変調された光が描画パターンに従って照射される。

ここで、図２０においては、簡単のため、図２０における光の照射のみに着目して、形成されたレジスト８０１の一部の領域に対し空間変調された光が照射され、光が照射された領域のレジストが、レジスト８０１Ａとなるものとする（すなわち、図１９において照射された光との重ね合わせは考慮していない）。

図２０に示されるように、レジスト８０１およびレジスト８０１Ａそれぞれが形成される範囲は、図１９におけるレジスト６０１およびレジスト６０１Ａそれぞれが形成される範囲からずれている。

ただし、詳細には、レジスト８０１が対応するレジスト６０１に対してずれている態様は、ライン形状である描画パターンの、ライン形状が延びる方向とは交差する方向（図２０においては直交する方向）にずれる態様である。レジスト８０１をレジスト６０１に対してずらす方法としては、たとえば、１または複数の基準点を設け、当該基準点を中心として描画パターンを移動させる方法などがある。なお、レジスト８０１がレジスト６０１に対してずれるに際し、レジスト８０１が一部拡大または縮小してもよい。

一方で、円形状である部分のレジスト８０１はレジスト６０１に対してずれていない。すなわち、レジスト８０１がレジスト６０１に対してずれる範囲は、レジスト８０１の少なくとも一部であればよい。

図１９において照射された描画光に対応する描画パターンに対し、図２０において照射された描画光に対応する描画パターンはずれているが、詳細には、図１９と図２０との間で、ライン形状である部分のレジスト８０１を形成する単位パターンが、ライン形状が延びる方向とは交差する方向にずれている。ここで、図１９の描画パターンにおける対応する単位パターンに対してずれている図２０の描画パターンにおける単位パターンを、シフトパターンと称する。

図１９と図２０とを比較すると、図２０における上記のシフトパターンは、図１９の描画パターンにおける対応する単位パターンに一部で重なりつつ、ずれている。すなわち、描画光が照射されていない領域であるレジスト６０１とレジスト８０１とは、一部で重なりつつ、ずれている。

他方、図１９における描画光が照射された領域であるレジスト６０１Ａのライン形状である部分（たとえば、レジスト６０１間に挟まれた部分）と、図２０における描画光が照射された領域であるレジスト８０１Ａのライン形状である部分（たとえば、レジスト８０１間に挟まれた部分）とについても、一部で重なりつつ、ずれている。

図２１は、２重照射処理によって形成されるパターン形状の、形成途中の状態を示す平面図である。

図２１には、図１９および図２０に示されたレジストを用いて光の照射を行った場合に、形成されるパターン形状９０１が示されている。

図２１に示されているように、図１９および図２０に示されたレジストを用いることによって、光学ユニット４０の解像力を超える解像力に対応する幅１μｍのパターン形状（金属パターン）を形成することができる。

図２２は、２重照射処理に用いられる描画パターンの例を示す平面図である。

図２２には、たとえば、図１２に示された状態に対応する状態が示されており、形成されたレジスト６０２の一部の領域に対し、空間変調された光が照射される。そして、光が照射された領域のレジストが、レジスト６０２Ａとなる。なお、既に形成されているパターン形状については、簡単のため、図示は省略されている。

図２３は、２重照射処理に用いられる描画パターンの例を示す平面図である。

図２３には、たとえば、図１３に示された状態に対応する状態が示されており、図２２におけるレジスト６０２とレジスト６０２Ａとに跨る領域（すなわち、図２２における光が照射された領域からずれた領域）に対し、空間変調された光が照射される。

ここで、図２３においては、簡単のため、図２３における光の照射のみに着目して、形成されたレジスト８０２の一部の領域に対し空間変調された光が照射され、光が照射された領域のレジストが、レジスト８０２Ａとなるものとする（すなわち、図２２において照射された光との重ね合わせは考慮していない）。

図２３に示されるように、レジスト８０２およびレジスト８０２Ａそれぞれが形成される範囲は、図２２におけるレジスト６０２およびレジスト６０２Ａそれぞれが形成される範囲からずれている。

ただし、詳細には、レジスト８０２がレジスト６０２に対してずれている態様は、ライン形状である描画パターンの、ライン形状が延びる方向とは交差する方向（図２３においては直交する方向）にずれる態様である。なお、レジスト８０２がレジスト６０２に対してずれるに際し、レジスト８０２が一部拡大または縮小してもよい。

一方で、円形状である部分のレジスト８０２はレジスト６０２に対してずれていない。すなわち、レジスト８０２がレジスト６０２に対してずれる範囲は、レジスト８０２の少なくとも一部であればよい。

図２４は、２重照射処理によって形成されるパターン形状の例を示す平面図である。図２４には、図１９および図２０に示されたレジストを用いる２重照射処理と、図２２および図２３に示されたレジストを用いる２重照射処理とによって得られる、パターン形状９００が示されている。

図１９および図２０に示されたレジストを用いる２重照射処理と、図２２および図２３に示されたレジストを用いる２重照射処理とに分けて描画を行うことによって、パターン形状間の距離がたとえば１μｍなどである描画、すなわち、隣接する領域における描画においても、光学ユニット４０の解像力を超える解像力に対応する幅１μｍのパターン形状を形成することができる。

＜ポジ型の感光材料を用いる２重照射処理＞
次に、図２５から図３８を参照しつつ、ポジ型の感光材料を用いる２重照射処理について説明する。なお、図２５は、ポジ型の感光材料の感光特性の例を示す図である。図２５においては、縦軸が残膜厚を示し、横軸が露光量［ｍＪ／ｃｍ^２］を示す。また、図２６から図３８は、本実施の形態に関する、ポジ型の感光材料を用いる２重照射処理を説明するための基板上部の断面図である。

図２５に示されるように、本実施の形態で用いられるポジ型の感光材料は化学増幅型レジストであることが望ましい。２重照射処理に際し、１回分の照射による露光量は現像処理によって膜厚が減り始める露光量Ｅ_ｉｎｉｔよりも小さく、かつ、２回分の照射による露光量Ｅ_ｏｐｔは現像処理によって膜厚が０になる露光量Ｅ_０よりも大きくなるレジストであることが望ましい。すなわち、１回分の光の照射では現像処理によって除去される露光量には到達せず、２回分の光の照射で現像処理によって除去される露光量に到達し除去されるレジストであることが望ましい。

次に、ポジ型の感光材料を用いる２重照射処理の手順について説明する。はじめに、図２６に例が示されるように、基板Ｗの上面にシード層６００を形成し、さらに、シード層６００の上面にポジ型のレジスト６１１を形成する。

ここで、ポジ型のレジスト６１１は、たとえば、厚さが３μｍとなるポジ型の化学増幅型レジストである。

次に、図２７に例が示されるように、ポジ型のレジスト６１１の一部の領域に対し、空間変調された光１０００を照射する。図２７においては、光１０００が照射された領域のレジストが、レジスト６１１Ａとして示されている。

ここで、レジスト６１１Ａが形成される幅は、光学ユニット４０の解像力の限度で定まる。本実施の形態では、レジスト６１１Ａの幅Ｄ１およびレジスト６１１の幅Ｄ２は、光学ユニット４０で形成可能な最小幅である２μｍであるものとする。

なお、図２７では、レジスト６１１Ａの幅Ｄ１およびレジスト６１１の幅Ｄ２はともに２μｍとされたが、これらは２μｍよりも大きい幅であってもよく、また、レジスト６１１Ａの幅Ｄ１とレジスト６１１の幅Ｄ２とが、異なる大きさの幅であってもよい。

次に、図２８に例が示されるように、レジスト６１１とレジスト６１１Ａとに跨る領域（すなわち、図２７における光１０００が照射された領域からずれた領域）に対し、空間変調された光１０００Ａを照射する。図２８においては、光１０００Ａが照射された領域のうち、図２７における光１０００が照射されなかった領域のレジストがレジスト６１１Ａとして示され、図２７における光１０００が照射された領域（すなわち、光１０００および光１０００Ａが照射された領域）のレジストがレジスト６１１Ｂとして示されている。

なお、図２８においても図２７における場合と同様に、光学ユニット４０の解像力が２／２μｍ［Ｌ／Ｓ］で示されるものとする。また、光１０００Ａが照射される領域は、光１０００が照射された領域から１μｍずれた領域であるものとする。

この場合、レジスト６１１Ｂの幅Ｄ３は、光１０００が照射された領域と光１０００Ａが照射された領域とが重なる領域の幅に対応するため、１μｍとなる。

また、光１０００Ａが照射される領域が光１０００が照射された領域から１μｍずれた領域であるため、レジスト６１１の幅Ｄ４は、図２７におけるレジスト６１１の幅Ｄ２から１μｍだけ狭くなり１μｍとなる。

なお、光１０００Ａが照射される領域と光１０００が照射された領域とのずれ幅は、図２８に示された１μｍである場合に限られるものではなく、光１０００Ａが照射される領域と光１０００が照射された領域とが重なる領域が存在する範囲において変更可能である。すなわち、本実施の形態の場合、光１０００Ａが照射される領域と光１０００が照射された領域とのずれ幅は、２μｍ未満の範囲で変更可能である。

次に、図２９に例が示されるように、光１０００および光１０００Ａの双方が照射されたレジスト６１１Ｂを、図示しない現像液供給装置から供給される現像液を用いる現像処理によって除去する。

次に、図３０に例が示されるように、レジスト６１１Ｂが除去された幅Ｄ３の領域に、厚さがたとえば２μｍである金属パターン７００をめっき形成する。

次に、図３１に例が示されるように、レジスト６１１およびレジスト６１１Ａをたとえばウェットエッチングによって除去する。これによって、幅が１μｍである金属パターン７００が形成され、また、金属パターン７００間の距離が３μｍ（幅Ｄ１と幅Ｄ２との総和から幅Ｄ３を除いた距離）となる。

次に、図３２に例が示されるように、シード層６００の上面、および、金属パターン７００の上面および側面を覆う、ポジ型のレジスト６１２を形成する。ここで、レジスト６１２は、たとえば、スリット塗布方式で形成される。

次に、図３３に例が示されるように、ポジ型のレジスト６１２の一部の領域で、かつ、金属パターン７００が形成された領域とは重ならずに隣接する領域に対し、空間変調された光１００１を照射する。図３３においては、光１００１が照射された領域のレジストが、レジスト６１２Ａとして示されている。

ここで、レジスト６１２Ａの幅Ｅ１およびレジスト６１２の幅Ｅ２は、光学ユニット４０で形成可能な最小幅である２μｍであるものとする。

なお、図３３では、レジスト６１２Ａの幅Ｅ１およびレジスト６１２の幅Ｅ２はともに２μｍとされたが、これらは２μｍよりも大きい幅であってもよく、また、レジスト６１２Ａの幅Ｅ１とレジスト６１２の幅Ｅ２とが、異なる大きさの幅であってもよい。

次に、図３４に例が示されるように、レジスト６１２とレジスト６１２Ａとに跨る領域（すなわち、図３３における光１００１が照射された領域からずれた領域）で、かつ、金属パターン７００が形成された領域とは重ならない領域に対し、空間変調された光１００１Ａを照射する。図３４においては、光１００１Ａが照射された領域のうち、図３３における光１００１が照射されなかった領域のレジストがレジスト６１２Ａとして示され、図３３における光１００１が照射された領域（すなわち、光１００１および光１００１Ａが照射された領域）のレジストがレジスト６１２Ｂとして示されている。

なお、図３４においても図３３における場合と同様に、光学ユニット４０の解像力が２／２μｍ［Ｌ／Ｓ］で示されるものとする。また、光１００１Ａが照射される領域は、光１００１が照射された領域から１μｍずれた領域であるものとする。

この場合、レジスト６１２Ｂの幅Ｅ３は、光１００１が照射された領域と光１００１Ａが照射された領域とが重なる領域の幅に対応するため、１μｍとなる。

また、光１００１Ａが照射される領域が光１００１が照射された領域から１μｍずれた領域であるため、レジスト６１２の幅Ｅ４は、図３３におけるレジスト６１２の幅Ｅ２から１μｍだけ狭くなり１μｍとなる。

なお、光１００１Ａが照射される領域と光１００１が照射された領域とのずれ幅は、図３４に示された１μｍである場合に限られるものではなく、光１００１Ａが照射される領域と光１００１が照射された領域とが重なる領域が存在する範囲において変更可能である。すなわち、本実施の形態の場合、光１００１Ａが照射される領域と光１００１が照射された領域とのずれ幅は、２μｍ未満の範囲で変更可能である。

次に、図３５に例が示されるように、光１００１および光１００１Ａの双方が照射されたレジスト６１２Ｂを、図示しない現像液供給装置から供給される現像液を用いる現像処理によって除去する。

次に、図３６に例が示されるように、レジスト６１２Ｂが除去された幅Ｅ３の領域に、厚さがたとえば２μｍである金属パターン７０１をめっき形成する。

次に、図３７に例が示されるように、レジスト６１２およびレジスト６１２Ａを、たとえばウェットエッチングによって除去する。これによって、幅が１μｍである金属パターン７０１が金属パターン７００の間（すなわち、金属パターン７００に隣接する領域）にさらに形成される。また、金属パターン７００と金属パターン７０１との間の距離が１μｍとなる。

そして、シード層６００をウェットエッチングすることによって、図３８に示されるような、１／１μｍ［Ｌ／Ｓ］のパターン形状（金属パターン）を形成することができる。

＜以上に記載された実施の形態によって生じる効果について＞
次に、以上に記載された実施の形態によって生じる効果の例を示す。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態に例が示された具体的な構成に基づいて当該効果が記載されるが、同様の効果が生じる範囲で、本願明細書に例が示される他の具体的な構成と置き換えられてもよい。

以上に記載された実施の形態によれば、描画方法において、基板Ｗの上面に配置された感光材料に対し、第１の描画パターンで描画光を照射する工程と、感光材料に対し、第１のシフトパターンを少なくとも一部に有する第２の描画パターンで、描画光を照射する工程と、第１の描画パターンおよび第２の描画パターンでの描画光の照射後に、感光材料を現像する工程と、現像された感光材料に基づいて、基板Ｗの上面に第１のパターン形状を形成する工程とを備える。ここで、感光材料は、たとえば、レジスト６０１などに対応するものである。また、描画光は、たとえば、光１０００などに対応するものである。また、第１のパターン形状は、たとえば、金属パターン７００などに対応するものである。そして、第１のシフトパターンは、第１の描画パターンにおける対応する単位パターンに少なくとも一部で重なり、かつ、対応する単位パターンからずれる単位パターンである。

このような構成によれば、焦点深度の低下などを抑制しつつ、形成されるパターン形状の微細化を実現することができる。

一般に、露光装置の解像力は、露光に用いる波長に比例し、かつ、レンズの開口度（ｎｕｍｅｒｉｃａｌ ａｐｅｒｔｕｒｅ、すなわち、ＮＡ）は解像力に反比例する。なお、ＮＡは、屈折率とｓｉｎθとの積である（θは、露光に用いられる光が基板に対して有する入射角）。そのため、ＮＡを大きくすれば、露光装置の解像力を向上させることができる。

一方で、焦点深度（ＤＯＦ）は、ＮＡの２乗に反比例する。そのため、ＮＡを大きくすれば。焦点深度（ＤＯＦ）は急激に低下する。

そのため、ＮＡを大きくすることによって解像力を高めようとすると焦点合わせの裕度（フォーカスマージン）が急激に小さくなり、基板の上面に僅かな凹凸がある場合であっても、適切な露光を行うことが困難となる。

一方で、本実施の形態によれば、ＮＡを変更せずにパターン形状を微細化することができる。そのため、焦点深度の低下などを抑制することができる。

なお、特段の制限がない場合には、それぞれの処理が行われる順序は変更することができる。

また、上記の構成に本願明細書に例が示された他の構成を適宜追加した場合、すなわち、上記の構成としては言及されなかった本願明細書中の他の構成が適宜追加された場合であっても、同様の効果を生じさせることができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、単位パターンはライン形状である。そして、第１のシフトパターンは、対応する単位パターンから、ライン形状が延びる方向とは交差する方向にずれる単位パターンである。このような構成によれば、ライン形状が延びる方向とは交差する方向において、描画パターンの露光部分が重なる幅（または非露光部分が重なる幅）が光学ユニット４０の解像力を超える微細な幅となるため、当該描画パターンの重ね合わせによって、形成されるパターン形状を微細化することができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、描画光が照射された感光材料の少なくとも一部は、現像後に除去される。このような構成によれば、光が照射されたレジスト６１１Ｂが除去された幅Ｄ３の領域に、幅が１μｍである金属パターン７００をめっき形成することができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、レジスト６１１Ｂは、第１の描画パターンでの光１０００および第２の描画パターンでの光１０００Ａのうちのどちらか一方のみの照射後に現像された場合には現像後に除去されず、かつ、第１の描画パターンでの光１０００および第２の描画パターンでの光１０００Ａの双方の照射後に現像された場合には現像後に除去される。このような構成によれば、光１０００および光１０００Ａの双方が照射されたレジスト６１１Ｂが除去された幅Ｄ３の領域に、幅が１μｍである金属パターン７００をめっき形成することができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、描画光が照射されたレジスト６０１Ａおよびレジスト６０１Ｂは、現像後に残存する。このような構成によれば、光１０００および光１０００Ａのいずれも照射されていないレジスト６０１を除去することによって、レジスト６０１が除去された幅Ｄ４の領域に、幅が１μｍである金属パターン７００をめっき形成することができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、金属パターン７００が形成された領域に隣接する領域である隣接領域において、感光材料に対し、第３の描画パターンで光１００１を照射する工程と、隣接領域において、感光材料に対し、第２のシフトパターンを少なくとも一部に有する第４の描画パターンで、光１００１Ａを照射する工程と、第３の描画パターンおよび第４の描画パターンでの描画光の照射後に、感光材料を現像する工程と、現像された感光材料に基づいて、基板Ｗの上面に第２のパターン形状を形成する工程とを備える。ここで、第２のパターン形状は、たとえば、金属パターン７０１などに対応するものである。そして、第２のシフトパターンは、第３の描画パターンにおける対応する単位パターンに少なくとも一部で重なり、かつ、対応する単位パターンからずれる単位パターンである。このような構成によれば、金属パターン７００を形成するための２重照射処理とは別に、金属パターン７０１を形成するための２重照射処理を行うことによって、パターン形状間の距離がたとえば１μｍなどである描画、すなわち、隣接する領域における描画においても、光学ユニット４０の解像力を超える解像力に対応する幅１μｍのパターン形状を形成することができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、単位パターンはライン形状である。そして、第２のシフトパターンは、対応する単位パターンから、ライン形状が延びる方向とは交差する方向にずれる単位パターンである。このような構成によれば、ライン形状が延びる方向とは交差する方向において、描画パターンの露光部分が重なる幅（または非露光部分が重なる幅）が光学ユニット４０の解像力を超える微細な幅となるため、当該描画パターンの重ね合わせによって、形成されるパターン形状を微細化することができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、隣接領域において、描画光が照射された感光材料の少なくとも一部は、現像後に除去される。このような構成によれば、光が照射されたレジスト６１２Ｂが除去された幅Ｅ３の領域に、幅が１μｍである金属パターン７０１をめっき形成することができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、隣接領域におけるレジスト６１２Ｂは、第３の描画パターンでの光１００１および第４の描画パターンでの光１００１Ａのうちのどちらか一方のみの照射後に現像された場合には現像後に除去されず、かつ、第３の描画パターンでの光１００１および第４の描画パターンでの光１００１Ａの双方の照射後に現像された場合には現像後に除去される。このような構成によれば、光１００１および光１００１Ａの双方が照射されたレジスト６１２Ｂが除去された幅Ｅ３の領域に、幅が１μｍである金属パターン７０１をめっき形成することができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、隣接領域において、描画光が照射されたレジスト６０２Ａおよびレジスト６０２Ｂは、現像後に残存する。このような構成によれば、光１００１および光１００１Ａのいずれも照射されていないレジスト６０２を除去することによって、レジスト６０２が除去された幅Ｅ４の領域に、幅が１μｍである金属パターン７０１をめっき形成することができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、基板Ｗはガラス基板であり、かつ、金属パターン７００の材料は銅である。このような構成によれば、ガラス基板に、微細な銅線パターンを形成することができる。

以上に記載された実施の形態によれば、描画装置は、基板Ｗの上面に配置された感光材料に対し、描画光を照射する照射部と、照射部の動作を制御する制御部８０とを備える。ここで、照明部は、たとえば、光学ユニット４０などに対応するものである。制御部８０は、光学ユニット４０に、感光材料に対し、第１の描画パターンで描画光を照射させる。また、制御部８０は、光学ユニット４０に、感光材料に対し、第１のシフトパターンを少なくとも一部に有する第２の描画パターンで、描画光を照射させる。ここで、第１のシフトパターンは、第１の描画パターンにおける対応する単位パターンに少なくとも一部で重なり、かつ、対応する単位パターンからずれる単位パターンである。

このような構成によれば、焦点深度の低下などを抑制しつつ、形成されるパターン形状の微細化を実現することができる。

なお、上記の構成に本願明細書に例が示された他の構成を適宜追加した場合、すなわち、上記の構成としては言及されなかった本願明細書中の他の構成が適宜追加された場合であっても、同様の効果を生じさせることができる。

＜以上に記載された実施の形態の変形例について＞
上記の実施の形態では、ネガ型の感光材料を用いる２重照射処理と、ポジ型の感光材料を用いる２重照射処理とがそれぞれ説明されたが、２重照射処理のうち、１回目の光の照射の際にはネガ型（またはポジ型）の感光材料を用い、さらに、２回目の光の照射の際にはポジ型（またはネガ型）の感光材料を用いてもよい。すなわち、１回目の光の照射と、２回目の光の照射とで、異なる種類の感光材料を用いてもよい。

また、上記の実施の形態では、２重照射処理のための１回目の光の照射と、２回目の光の照射とは異なるタイミングで行われたが、双方の光の照射が同時に行われてもよい。すなわち、たとえば図１９に示された描画パターンと図２０に示された描画パターンとが同時に用いられ、双方に同時に光が照射されてもよい。

以上に記載された実施の形態では、それぞれの構成要素の材質、材料、寸法、形状、相対的配置関係または実施の条件などについても記載する場合があるが、これらはすべての局面においてひとつの例であって、本願明細書に記載されたものに限られることはないものとする。

したがって、例が示されていない無数の変形例、および、均等物が、本願明細書に開示される技術の範囲内において想定される。たとえば、少なくとも１つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合が含まれるものとする。

１ 描画装置
１０ ステージ
２０ ステージ駆動機構
２１ 回転機構
２２ 支持プレート
２３ 副走査機構
２４ ベースプレート
２５ 主走査機構
３０ ステージ位置計測部
４０ 光学ユニット
４１ レーザー駆動部
４２ レーザー発振器
４３ 照明光学系
４４ 空間光変調ユニット
４５ 投影光学系
４６ ミラー
５０ 撮像部
６０ 搬送装置
６１ ハンド
６２ ハンド駆動機構
７０ プリアライメント部
８０ 制御部
８１ ＣＰＵ
８２ ＲＯＭ
８３ ＲＡＭ
８４ 記憶装置
８５ バスライン
８６ 入力部
８７ 表示部
８８ 通信部
１０１ 本体フレーム
１０２ 処理領域
１０３ 受け渡し領域
１０４ カセット載置部
１０５ 基台
１０７ 支持フレーム
２１１ 回転軸部
２１２ 回転駆動部
２３１，２５１ リニアモータ
２３２，２５２ ガイド部材
４０１ 光源部
４０２ ヘッド部
４４１ 空間光変調器
５０１ 照明ユニット
６００ シード層
６０１，６０１Ａ，６０１Ｂ，６０２，６０２Ａ，６０２Ｂ，６１１，６１１Ａ，６１１Ｂ，６１２，６１２Ａ，６１２Ｂ，８０１，８０１Ａ，８０２，８０２Ａ レジスト
７００，７０１ 金属パターン
９００，９０１ パターン形状
１０００，１０００Ａ，１００１，１００１Ａ 光

Claims (12)

1. 基板の上面に配置された感光材料に対し、第１の描画パターンで描画光を照射する工程と、
   前記感光材料に対し、第１のシフトパターンを少なくとも一部に有する第２の描画パターンで、前記描画光を照射する工程と、
   前記第１の描画パターンおよび前記第２の描画パターンでの前記描画光の照射後に、前記感光材料を現像する工程と、
   現像された前記感光材料に基づいて、前記基板の上面に第１のパターン形状を形成する工程とを備え、
   前記第１のシフトパターンは、前記第１の描画パターンにおける対応する単位パターンに少なくとも一部で重なり、かつ、対応する前記単位パターンからずれる前記単位パターンである、
   描画方法。
2. 請求項１に記載の描画方法であり、
   前記単位パターンはライン形状であり、
   前記第１のシフトパターンは、対応する前記単位パターンから、前記ライン形状が延びる方向とは交差する方向にずれる前記単位パターンである、
   描画方法。
3. 請求項１または２記載の描画方法であり、
   前記描画光が照射された前記感光材料の少なくとも一部は、現像後に除去される、
   描画方法。
4. 請求項３に記載の描画方法であり、
   前記感光材料は、前記第１の描画パターンでの前記描画光および前記第２の描画パターンでの前記描画光のうちのどちらか一方のみの照射後に現像された場合には現像後に除去されず、かつ、前記第１の描画パターンでの前記描画光および前記第２の描画パターンでの前記描画光の双方の照射後に現像された場合には現像後に除去される、
   描画方法。
5. 請求項１または２に記載の描画方法であり、
   前記描画光が照射された前記感光材料は、現像後に残存する、
   描画方法。
6. 請求項１から５のうちのいずれか１つに記載の描画方法であり、
   前記第１のパターン形状が形成された領域に隣接する領域である隣接領域において、前記感光材料に対し、第３の描画パターンで前記描画光を照射する工程と、
   前記隣接領域において、前記感光材料に対し、第２のシフトパターンを少なくとも一部に有する第４の描画パターンで、前記描画光を照射する工程と、
   前記第３の描画パターンおよび前記第４の描画パターンでの前記描画光の照射後に、前記感光材料を現像する工程と、
   現像された前記感光材料に基づいて、前記基板の上面に第２のパターン形状を形成する工程とをさらに備え、
   前記第２のシフトパターンは、前記第３の描画パターンにおける対応する前記単位パターンに少なくとも一部で重なり、かつ、対応する前記単位パターンからずれる前記単位パターンである、
   描画方法。
7. 請求項６に記載の描画方法であり、
   前記単位パターンはライン形状であり、
   前記第２のシフトパターンは、対応する前記単位パターンから、前記ライン形状が延びる方向とは交差する方向にずれる前記単位パターンである、
   描画方法。
8. 請求項６または７に記載の描画方法であり、
   前記隣接領域において、前記描画光が照射された前記感光材料の少なくとも一部は、現像後に除去される、
   描画方法。
9. 請求項８に記載の描画方法であり、
   前記隣接領域における前記感光材料は、前記第３の描画パターンでの前記描画光および前記第４の描画パターンでの前記描画光のうちのどちらか一方のみの照射後に現像された場合には現像後に除去されず、かつ、前記第３の描画パターンでの前記描画光および前記第４の描画パターンでの前記描画光の双方の照射後に現像された場合には現像後に除去される、
   描画方法。
10. 請求項６または７に記載の描画方法であり、
    前記隣接領域において、前記描画光が照射された前記感光材料は、現像後に残存する、
    描画方法。
11. 請求項１から１０のうちのいずれか１つに記載の描画方法であり、
    前記基板はガラス基板であり、かつ、前記第１のパターン形状の材料は銅である、
    描画方法。
12. 基板の上面に配置された感光材料に対し、描画光を照射する照射部と、
    前記照射部の動作を制御する制御部とを備え、
    前記制御部は、
    前記照射部に、前記感光材料に対し、第１の描画パターンで前記描画光を照射させ、
    前記照射部に、前記感光材料に対し、第１のシフトパターンを少なくとも一部に有する第２の描画パターンで、前記描画光を照射させ、
    前記第１のシフトパターンは、前記第１の描画パターンにおける対応する単位パターンに少なくとも一部で重なり、かつ、対応する前記単位パターンからずれる前記単位パターンである、
    描画装置。

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