TWI645255B

TWI645255B - 描繪方法

Info

Publication number: TWI645255B
Application number: TW104132257A
Authority: TW
Inventors: 柴田文晴; 平藤祐美子; 小八木康幸; 中井一博
Original assignee: 思可林集團股份有限公司
Priority date: 2014-09-30
Filing date: 2015-09-30
Publication date: 2018-12-21
Also published as: KR20160038788A; US20160091794A1; TW201624144A; JP2016071135A

Abstract

本發明之目的在於提供一種容易於基板形成灰階數較空間調變器所能表現之曝光量之灰階數更多之圖案

該描繪方法係於基板描繪圖案者。讀取記錄有對基板上之每一位置所應曝光之累積曝光量之累積曝光量分佈資料。其次，將曝光裝置1以一次曝光掃描能夠對基板曝光之最大曝光量設為Ma時，基於累積曝光量分佈資料而特定出未超過Ma之基板W上之區域R11及超過Ma之上述基板上之區域R12。其次，製作記錄有包含區域R11之區域中之各位置之曝光量資訊之圖案資料PD11、及記錄有包含區域R12之區域中之各位置之曝光量資訊之圖案資料PD12~PD14。其後，曝光裝置1將基於各圖案資料PD11~PD14而經空間調變之光照射至基板W而描繪圖案。

Description

描繪方法

本發明係關於將經空間調變之光照射至基板而對基板曝光之技術。

近年來如下之直接描繪型之曝光裝置(描繪裝置)受到關注，即於在塗佈於基板上之感光材料形成電路等圖案時，對自光源出射之光實施與表示圖案之圖案資料對應之空間調變，並以經該空間調變後之光掃描基板上之感光材料，且不使用遮罩。此處，對光實施空間調變之空間調變器係以調變面接收自光源出射之光並對該所接收到之光實施空間調變之裝置。

例如，於專利文獻1中揭示有一種曝光裝置，其具備具有以二維排列之複數個像素且藉由明暗之二值控制而形成光學像之空間調變元件(微鏡陣列)。又，該曝光裝置係能夠實施無遮罩式灰階微影(Maskless gray-scale lithography)地構成，即藉由光學系統使光學像按各行或各列重合而形成曝光量為多灰階之圖案。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2006-128194號公報

然而，近年來，要求於基板形成先進之3D(Dimension，維)形狀之圖案。例如，為形成微透鏡等光滑之大致球狀之圖案，需要以高灰階變更曝光量之技術。然而，於引用文獻1中，所形成之圖案之曝光量的灰階數僅限於能夠藉由空間調變器表現之灰階數，而未揭示以超過此之灰階數描繪圖案之技術。

本發明係鑒於上述問題而完成者，其目的在於提供一種容易於基板形成灰階數較能夠藉由空間調變器表現之曝光量之灰階數更多之圖案之技術。

為解決上述問題，第1態樣係一種於基板描繪圖案之描繪方法，其包含如下步驟：(a)將曝光裝置以一次曝光掃描能夠對基板曝光之最大曝光量設為第1最大曝光量時，上述曝光裝置對上述基板上包含應曝光之累積曝光量未超過上述第1最大曝光量之第1區域的區域，照射基於記錄有各位置之曝光量資訊之第1圖案資料而經空間調變之光，而描繪圖案；及(b)上述曝光裝置對上述基板上包含上述累積曝光量超過上述第1最大曝光量之第2區域的區域，照射基於記錄有各位置之曝光量資訊之第2圖案資料而經空間調變之光，而描繪圖案。

又，第2態樣係如第1態樣之描繪方法，其包含如下步驟：(c)於上述(a)步驟之前，讀取基板上之位置資訊，並且讀取針對每一位置而記錄有上述累積曝光量之累積曝光量分佈資料；(d)基於上述(c)步驟中所讀取之上述累積曝光量分佈資料而特定出上述基板上之上述第1區域及上述第2區域；(e)針對包含上述(d)步驟中所特定出之上述第1區域之區域及包含上述第2區域之區域，製作記錄有各位置之曝光量之上述第1圖案資料及第2圖案資料。

又，第3態樣係如第1或第2態樣之描繪方法，其中上述(b)步驟係於將上述曝光裝置之上述最大曝光量切換為較上述第1最大曝光量更大之第2最大曝光量後，對包含上述第2區域之區域進行曝光之步驟。

又，第4態樣係如第1至第3態樣中之任一態樣之描繪方法，其中於上述(a)步驟及上述(b)步驟中，兩者均將上述曝光裝置之上述最大曝光量設為上述第1最大曝光量。

根據第1至第4態樣之描繪方法，可於基板上之第2區域形成曝光量較第1區域之第1最大曝光量更大之圖案。因此，可於基板形成灰階數較利用一次曝光掃描可表現之曝光量之灰階數更大之圖案。因此，能以灰階數較曝光裝置利用一次曝光掃描可表現之灰階數更多之曝光量形成圖案。

又，根據第3態樣之描繪方法，其中可於未與上述第1區域重疊之第2區域之部分以大於第1最大曝光量之曝光量描繪圖案。

又，根據第4態樣之描繪方法，因以相同之最大曝光量進行基於第1圖案資料及第2圖案資料之曝光掃描，故可省略每次曝光掃描時校正光量之作業。因此，可迅速地形成圖案。

1‧‧‧曝光裝置

2‧‧‧搬送裝置

3‧‧‧預對準部

4‧‧‧載物台

5‧‧‧載物台驅動機構

6‧‧‧載物台位置測量部

7‧‧‧標記攝像單元

8‧‧‧曝光單元

9‧‧‧控制部

11‧‧‧本體框架

12‧‧‧覆蓋面板

13‧‧‧交付區域

14‧‧‧處理區域

15‧‧‧基座

16‧‧‧支持架

17‧‧‧匣盒載置部

21‧‧‧手部

51‧‧‧旋轉機構

52‧‧‧支持架

53‧‧‧副掃描機構

54‧‧‧底板

55‧‧‧主掃描機構

80‧‧‧曝光頭

81‧‧‧光源部

82‧‧‧調變單元

83‧‧‧投影光學系統

91‧‧‧CPU

92‧‧‧ROM

93‧‧‧RAM

94‧‧‧記憶裝置

95‧‧‧匯流排線

96‧‧‧輸入部

97‧‧‧顯示部

98‧‧‧通信部

511‧‧‧旋轉軸部

512‧‧‧旋轉驅動部

531‧‧‧線性馬達

532‧‧‧導引構件

551‧‧‧線性馬達

552‧‧‧導引構件

700‧‧‧照明單元

811‧‧‧雷射驅動部

812‧‧‧雷射振盪器

813‧‧‧照明光學系統

814‧‧‧描繪用聚焦透鏡

815‧‧‧衰減器

820‧‧‧調變面

821‧‧‧空間光調變器

831‧‧‧遮蔽板

832‧‧‧遮蔽板

833‧‧‧透鏡

834‧‧‧透鏡

835‧‧‧聚焦透鏡

911‧‧‧區域特定部

913‧‧‧圖案資料製作部

A‧‧‧旋轉軸

AR11‧‧‧箭頭符號

AR12‧‧‧箭頭符號

AR13‧‧‧箭頭符號

C‧‧‧匣盒

ED1‧‧‧累積曝光量分佈資料

G1‧‧‧曲線

L1‧‧‧中央線

Ma‧‧‧最大曝光量

2Ma‧‧‧第2最大曝光量

3Ma‧‧‧第3最大曝光量

4Ma‧‧‧第4最大曝光量

PD11‧‧‧圖案資料

PD12‧‧‧圖案資料

PD13‧‧‧圖案資料

PD14‧‧‧圖案資料

PD21‧‧‧圖案資料

PD22‧‧‧圖案資料

PD23‧‧‧圖案資料

PD24‧‧‧圖案資料

PT1‧‧‧曝光圖案

PT11‧‧‧圖案

PT21‧‧‧圖案

R11‧‧‧區域(第1區域)

R12‧‧‧區域(第2區域)

R21‧‧‧區域

R22‧‧‧區域

R31‧‧‧區域

R32‧‧‧區域

RD11‧‧‧剩餘累積曝光量

RD12‧‧‧剩餘累積曝光量

RD13‧‧‧剩餘累積曝光量

RD21‧‧‧剩餘累積曝光量

RD22‧‧‧剩餘累積曝光量

RD23‧‧‧剩餘累積曝光量

S1~S6‧‧‧步驟

S21~S24‧‧‧步驟

S51~S54‧‧‧步驟

X‧‧‧位置

Y‧‧‧位置

W‧‧‧基板

θ‧‧‧位置

圖1係模式性地表示實施形態之曝光裝置之構成之側視圖。

圖2係模式性地表示實施形態之曝光裝置之構成之俯視圖。

圖3係模式性地表示實施形態之曝光頭之圖。

圖4係用於說明實施形態之曝光掃描之概略俯視圖。

圖5係表示實施形態之控制部之構成之方塊圖。

圖6係表示實施形態之曝光裝置所執行之處理流程之圖。

圖7係表示實施形態之圖案資料製作處理之詳細流程之圖。

圖8係表示累積曝光量分佈及曝光圖案之一例之圖。

圖9概念性地表示最大曝光量固定之情形時之圖案資料製作例之圖。

圖10概念性地表示最大曝光量可變之情形時之圖案資料製作例之圖。

圖11係表示圖6所示之描繪處理之詳細流程之圖。

以下，一面參照圖式，一面對本發明之實施形態進行說明。再者，以下之實施形態係將本發明具體化之一例，但並非為限定本發明之技術範疇之示例。於以下之說明所參照之各圖中，為使各構件之位置關係或動作方向明晰化，而適當附加有共通之XYZ正交座標系及θ軸。又，於圖式中，為易於理解，有將各部之尺寸或數量放大或簡略化而予以圖示之情形。

<1.曝光裝置1之全體構成>

圖1係模式性地表示實施形態之曝光裝置1之構成之側視圖。圖2係模式性地表示實施形態之曝光裝置1之構成之俯視圖。再者，於圖1及圖2中，為方便說明而省略覆蓋面板(cover panel)12之一部分之圖示。

曝光裝置1係對形成有抗蝕劑等感光材料之層之基板W之上表面照射根據CAD資料等經空間調變後之光(描繪光)而曝光(描繪)圖案(例如電路圖案)之裝置，即為所謂之描繪裝置。成為曝光裝置1之處理對象之基板W係例如半導體基板、印刷基板、液晶顯示裝置等所具備之彩色濾光片用基板、液晶顯示裝置或電漿顯示裝置等所具備之平板顯示器用玻璃基板、或磁碟用基板、光碟用基板、太陽電池用面板等。於以下說明中，將基板W設為圓形之半導體基板。

曝光裝置1具備由本體框架11構成之骨架之頂面、地板面、及於周面安裝有覆蓋面板12之構成。本體框架11與覆蓋面板12形成曝光裝置1之框體。曝光裝置1之框體之內部空間(亦即由覆蓋面板12包圍之空間)劃分為交付區域13與處理區域14。於處理區域14配置有基座 15。又，於基座15上設置有門型之支持架16。

曝光裝置1具備搬送裝置2、預對準部3、載物台4、載物台驅動機構5、載物台位置測量部6、標記攝像單元7、曝光單元8、及控制部9。該等各構成要素配置於曝光裝置1之框體內部(亦即，交付區域13及處理區域14)，或框體外部(亦即，本體框架11之外側之空間)。

<搬送裝置2>

搬送裝置2搬送基板W。搬送裝置2配置於交付區域13，其進行相對於處理區域14之基板W之搬入搬出。具體而言，搬送裝置2例如具備用於支持基板W之2個手部21、21、及使手部21、21獨立地移動(進退移動及升降移動)之手部驅動機構22。

於曝光裝置1之框體外部且鄰接於交付區域13之位置，配置有用於載置匣盒C之匣盒載置部17，搬送裝置2取出被載置於匣盒載置部17之匣盒C中所收容之未處理之基板W並將其搬入至處理區域14，或自處理區域14搬出已處理完畢之基板W並將其收容至匣盒C。再者，匣盒C相對於匣盒載置部17之交付係藉由外部搬送裝置(省略圖示)而進行。

<預對準部3>

預對準部3係於將基板W載置於後述之載物台4之前，進行粗略修正該基板W之旋轉位置之處理(預對準處理)。預對準部3例如可構成為包含：載置台，其可旋轉地構成；感測器，其檢測形成於載置台上所載置之基板W之外周緣之一部分之切口部(例如凹槽、定向平面等)之位置；及旋轉機構，其使載置台旋轉。於該情形時，預對準部3之預對準處理係藉由首先利用感測器檢測載置台上所載置之基板W之切口部之位置，其次旋轉機構以使該切口部之位置成為規定位置之方式使載置台旋轉而進行。

<載物台4>

載物台4係將基板W保持於框體內部之保持台。載物台4配置於被配置於處理區域14之基座15上。具體而言，載物台4具有例如平板狀之外形，於其之上表面，以水平姿勢載置並保持基板W。於載物台4之上表面型成有複數個吸引孔(省略圖示)，可藉由於該吸引孔形成負壓(吸引壓力)而將載置於載物台4上之基板W固定並保持於載物台4之上表面。

<載物台驅動機構5>

載物台驅動機構5使載物台4相對於基座15移動。載物台驅動機構5配置於被配置於處理區域14之基座15上。

具體而言，載物台驅動機構5具備：旋轉機構51，其使載物台4朝旋轉方向(繞Z軸之旋轉方向(θ軸軸向))旋轉；支持板52，其隔著旋轉機構51而支持載物台4；及副掃描機構53，其使支持板52朝副掃描方向(X軸方向)移動。載物台驅動機構5進而具備：底板54，其隔著副掃描機構53而支持支持板52；及主掃描機構55，其使底板54朝主掃描方向(Y軸方向)移動。

旋轉機構51穿過載物台4之上表面(基板W之載置面)之中心，使載物台4以與該載置面垂直之旋轉軸A為中心而旋轉。旋轉機構51例如可構成為包含：旋轉軸部511，其上端固定於載置面之背面側，且沿鉛垂軸延伸；及旋轉驅動部(例如旋轉馬達)512，其設置於旋轉軸部511之下端，且使旋轉軸部511旋轉。於該構成中，藉由旋轉驅動部512使旋轉軸部511旋轉而使載物台4於水平面內以旋轉軸A為中心而旋轉。

副掃描機構53具有線性馬達531，該線性馬達531包含安裝於支持板52之下表面之轉子及鋪設於底板54之上表面之定子。又，於底板54鋪設有朝副掃描方向延伸之一對導引構件532，於該導引構件532與支持板52之間，設置有可一面於導引構件532滑動一面沿該導引構件 532移動之滾珠軸承。即，支持板52係經由該滾珠軸承而被支持於一對導引構件532上。於該構成中，若使線性馬達531動作，則支持板52以被導引構件532導引之狀態沿副掃描方向平滑地移動。

主掃描機構55具有線性馬達551，該線性馬達551包含安裝於底板54之下表面之轉子及鋪設於基座15上之定子。又，於基座15鋪設有朝主掃描方向延伸之一對導引構件552，於各導引構件552與底板54之間例如設置有空氣軸承(air bearing)。始終自實體設備對空氣軸承供給空氣，底板54係藉由空氣軸承而以非接觸被懸浮支持於導引構件552上。於該構成中，若使線性馬達551動作，則底板54以被導引構件552導引之狀態沿主掃描方向無摩擦地平滑移動。

<載物台位置測量部6>

載物台位置測量部6測量載物台4之位置。具體而言，載物台位置測量部6例如由干涉式之雷射測長器構成，該干涉式之雷射測長器係自載物台4之外部朝載物台4出射雷射光並且接收其之反射光，且根據該反射光與出射光之干涉而測量載物台4之位置(具體而言，沿著主掃描方向之Y位置、及沿著旋轉方向之θ位置)。

<標記攝像單元7>

標記攝像單元7係拍攝被保持於載物台4之基板W之上表面之光學機器。標記攝像單元7被支持於支持架16。具體而言，標記攝像單元7例如具備鏡筒、聚焦透鏡、CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合器件)影像感測器、及驅動部。鏡筒係經由光纖電纜等而與配置於曝光裝置1之框體外部之照明單元(亦即，供給攝像用之照明光(其中，作為照明光，選擇不會使基板W上之抗蝕劑等感光之波長之光)之照明單元)700連接。CCD影像感測器係由區域影像感測器(二維影像感測器)等構成。又，驅動部係由馬達等構成，其驅動聚焦透鏡而變更其之高度位置。藉由驅動部調整聚焦透鏡之高度位置而進行聚焦。

於具備此種構成之標記攝像單元7中，自照明單元700出射之光被導入至鏡筒，並經由聚焦透鏡而被導引至載物台4上之基板W之上表面。其次，其反射光由CCD影像感測器接收。藉此，取得基板W之上表面之攝像資料。該攝像資料被發送至控制部9以供基板W之對準(對位)。

<曝光單元8>

曝光單元8係形成描繪光之光學裝置。曝光裝置1具備2個曝光單元8。實際上，曝光單元8之搭載個數並非必須為2個，亦可為1個，亦可為3個以上。

曝光單元8具備曝光頭80與光源部81。曝光頭80具備調變單元82與投影光學系統83。光源部81、調變單元82及投影光學系統83係被支持於支持板16。具體而言，例如，光源部81收容於被載置於支持板16之頂板上之收容箱。又，調變單元82及投影光學系統83收容於被固定於支持板16之+Y側之收容箱。

對曝光單元8所具備之光源部81、調變單元82及投影光學系統83，除參照圖1及圖2以外，亦參照圖3而進行說明。圖3係模式性地表示實施形態之曝光頭80之圖。

a.光源部81

光源部81朝曝光頭80出射光。具體而言，光源部81例如具備：雷射驅動部811；及雷射振盪器812，其接收來自雷射驅動部811之驅動而自輸出鏡(未圖示)出射雷射光。又，光源部81具備照明光學系統813，其使自雷射振盪器812出射之光(點光束)為強度分佈均勻之線狀之光(亦即，光束剖面為帶狀之光即線光束)。

光源部81進而具備描繪用聚焦透鏡814(第1透鏡)，該描繪用聚焦透鏡814係使自照明光學系統813出射之線光束收斂於空間光調變器821之調變面820。描繪用聚焦透鏡814例如由柱面透鏡構成，其以使其柱面(圓筒面)朝向入射光之上游側之方式配置。又，描繪用聚焦透鏡814配置於如自照明光學系統813出射之線光束入射至其中心線般之高度位置(以下，亦將此種高度位置稱為描繪用聚焦透鏡814之「基準位置」)。其中，於描繪用聚焦透鏡814設置有變更其高度位置(沿著Z方向之位置)之機構，描繪用聚焦透鏡814亦有配置於較基準位置更高之(或更低)位置之情形。

於具備此種構成之光源部81中，受雷射驅動部811之驅動而自雷射振盪器812出射雷射光，該雷射光於照明光學系統813成為線光束。自照明光學系統813出射之線光束入射至描繪用聚焦透鏡814，並自其柱面出射且收斂於調變單元82之調變面820。即，調變面820成為線光束之聚光面。

又，光源部81具備衰減器815。衰減器815設置於自描繪用聚焦透鏡814至調變單元82之光路上(參照圖1及圖3)。其中，設置衰減器815之位置並非限定於此，可設置於自雷射振盪器812至到達基板W之光路上之適當位置。衰減器815基於自控制部9發送之控制信號而調整自光源部81出射之光之光闌。藉此，衰減器815係按多灰階變更自光源部81朝調變單元82出射之光量。

b.調變單元82

調變單元82對入射至其之光實施與圖案資料對應之空間調變。所謂「使光空間調變」係指變更光之空間分佈(振幅、相位、及偏光等)。又，所謂「圖案資料」係指以像素單位記錄有應照射光之基板W上之位置資訊的資料。圖案資料係例如藉由自經由網路等而連接之外部終端裝置接收或自記錄媒體讀取而取得，並被儲存於後述之控制部9之記憶裝置94。

調變單元82具備空間光調變器821。空間光調變器821係例如藉由電性控制使光空間調變而使有助於圖案描繪之所需要之光與和圖案描繪無關之不需要之光朝互不相同之方向反射之裝置。

空間光調變器821例如包含繞射光柵型之空間光調變器(例如GLV(Grating Light Valve，光柵光閥))而構成，其係將調變元件即固定色帶與可動色帶以使其上表面沿著相同面(以下，亦稱為「調變面」)820之方式配設為一維。於繞射光柵型之空間光調變器821中，特定數量個之固定色帶及特定數量個之可動色帶形成1個調變單位，該調變單位成為沿X軸方向一維地排列有複數個之構成。空間光調變器821係以包含可對複數個調變單位之各者獨立地施加電壓之驅動器電路單元而構成，其可獨立切換施加至各調變單位之電壓。利用電壓量來控制各調變單位之動作。即，可藉由控制電壓量，而以複數階段來調節可動色帶之反射面與固定色帶之固定反射面之高度差。藉此，藉由將入射至各調變單位之光切換為0次光及除0次光以外之次數之繞射光，而能以複數灰階(例如6灰階)來切換光量。

於調變單元82中，在控制部9之控制下，一面根據圖案資料切換空間光調變器821之各調變單位之狀態，一面使自照明光學系統813出射之光(線光束)經由鏡面822以規定角度入射至空間光調變器821之調變面820。其中，線光束係以使其線狀之光束剖面之長度方向沿著空間光調變器821之複數個調變單位之排列方向(X軸方向)的方式入射至排列成一行之複數個調變單位。因此，自空間光調變器821出射之光成為包含沿副掃描方向進行了複數個像素之量之空間調變之光(其中，以1個調變單位進行空間調變之光成為1個像素之量之光)的剖面為帶狀之描繪光。如此，空間光調變器821係以調變面820接收自光源部81出射之光，並對該所接收到之光實施與圖案資料對應之空間調變。

c.投影光學系統83

投影光學系統83遮蔽自空間光調變器821出射之描繪光中之不需要之光，並且將所需要之光導引至基板W之表面，而使所需要之光成像於基板W之表面。亦即，自空間光調變器821出射之描繪光中包含所需要之光與不需要之光，所需要之光係沿Z軸朝-Z方向前進，不需要之光係沿自Z軸朝±X方向略微傾斜之軸而向-Z方向前進。投影光學系統83例如具備遮蔽板831，該遮蔽板831係以僅使所需要之光通過之方式於正中形成有貫通孔，以該遮蔽板831遮蔽不需要之光。於投影光學系統83中，除該遮蔽板831以外，亦可進而包含如下等：遮蔽雙重光之遮蔽板832；構成使所需要之光之寬度變寬(或縮窄)之變焦部之複數個透鏡833、834；使所需要之光以規定之倍率成像於基板W上之聚焦透鏡835；及藉由驅動聚焦透鏡835變更其之高度位置而進行自動聚焦之驅動部(例如馬達)(省略圖示)。

圖4係用於說明實施形態之曝光掃描之概略俯視圖。於曝光掃描時，藉由載物台驅動機構5使載物台4沿主掃描軸(Y軸)朝往路方向(此處，例如設為+Y方向)移動，而使基板W相對於各曝光頭80沿主掃描軸相對移動(往路主掃描)。於自基板W觀察其時，各曝光頭80如箭頭AR11所示係沿主掃描軸於-Y方向橫穿基板W。又，開始往路主掃描，並且自各曝光頭80進行掃描光之照射。亦即，讀取圖案資料(詳細而言，圖案資料中之記述有應描繪至成為該往路主掃描之掃描對象之條紋狀區域之資料的部分)，根據該圖案資料而控制調變單元82。其次，自各曝光頭80將根據該圖案資料而實施了空間調變之描繪光照射至基板W。

若各曝光頭80一面向基板W間斷性地出射描繪光，一面沿主掃描軸橫穿基板W一次，則可於一個條紋狀區域(沿主掃描軸延伸，且沿著副掃描軸之寬度相當於掃描光之寬度之區域)描繪圖案群。此處，因2個曝光頭80，80同時橫穿基板W，故藉由一次往路主掃描對2個條紋狀區域之各者描繪圖案群。

若伴隨描繪光之照射之往路主掃描結束，則載物台驅動機構5使載物台4沿副掃描軸(X軸)朝特定方向(例如-X方向)移動相當於掃描光之寬度之距離。藉此，基板W相對於各曝光頭80沿副掃描軸相對移動(副掃描)。於自基板W觀察其時，如箭頭AR12所示，各曝光頭80沿副掃描軸朝+方向移動條紋狀區域之寬度之量。

若副掃描結束，則執行伴隨描繪光之照射之返路主掃描。亦即，載物台移動機構5使載物台4沿主掃描軸(Y軸)朝返路方向(此處，-Y方向)移動。藉此，基板W相對於各曝光頭80沿主掃描軸相對移動(返路主掃描)。於自基板W觀察其時，如箭頭AR13所示，各曝光頭80沿主掃描軸朝+Y方向於基板W上移動並橫穿基板W。另一方面，若開始返路主掃描，則自各曝光頭80開始描繪光之照射。可藉由該返路主掃描，而對在先前之往路主掃描描繪之條紋狀區域之相鄰之條紋狀區域描繪圖案群。

若伴隨描繪光之照射之返路主掃描結束，則進行副掃描，並且再度進行伴隨描繪光之照射之往路主掃描。可藉由該往路主掃描，而對在先前之返路主掃描描繪之條紋狀區域之相鄰之條紋狀區域描繪圖案群。此後當亦同樣地一面隔著副掃描一面反覆進行伴隨描繪光之照射之主掃描而對描繪對象區域之全體區域描繪圖案時，對1個圖案資料之描繪處理結束。

<控制部9>

圖5係表示實施形態之控制部9之構成之方塊圖。控制部9與曝光裝置1所具備之各部電性連接，一面進行各種運算處理，一面控制曝光裝置1之各部之動作。

控制部9例如如圖5所示係構成為CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)91、ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)92、RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)93及記憶裝置94等經由匯流排線95而相互連接之普通電腦。ROM92儲存基本程式。RAM93提供CPU91進行特定處理時之作業區域。記憶裝置94係由快閃記憶體或硬碟裝置等非揮發性之記憶裝置構成。於記憶裝置94安裝有程式PG。藉由作為主控制部之CPU91根據該程式PG所記述之順序進行運算處理而實現各種功能(例如區域特定部911、圖案資料製作部913等)。

雖程式PG通常係預先儲存於記憶裝置94等記憶體以供使用者，但其亦可記錄於CD-ROM(Compact Disc-Read Only Memory，緊密光碟-唯讀記憶體)、DVD-ROM(Digital Video Disk-Read Only Memory，數位化通用光碟-唯讀記憶體)或外部快閃記憶體等記錄介質之形態(程式產品)而提供(或藉由經由網路自外部伺服器下載等而提供)，亦可為追加或更換性地儲存於記憶裝置94等記憶體者。再者，於控制部9實現之一部分或全部功能更亦可利用專用之邏輯電路等硬體性地實現。

又，於控制部9中，輸入部96、顯示部97、通信部98亦連接於回流排線95。輸入部96係例如由鍵盤及滑鼠構成之輸入器件，其受理來自操作者之各種操作(指令或各種資料之輸入等操作)。再者，輸入部96亦可由各種開關、觸控面板等構成。顯示部97係由液晶顯示裝置及燈等構成之顯示裝置，其於CPU91之控制下顯示各種資訊。通信部98具有經由網路而於與外部裝置之間進行指令或資料等之接收或發送之資料通信功能。

<2.曝光裝置1之動作>

圖6係表示於實施形態之曝光裝置1所執行之處理流程之圖。以下所說明之一連串之動作係於控制部9之控制下進行。

於曝光裝置1中，首先，進行累積曝光量分佈資料ED1之讀取(步驟S1)。累積曝光量分佈資料ED1如圖5所示係儲存於記憶裝置94。累積曝光量分佈資料ED1記錄有基板W上之位置資訊及應對基板W上之各位置進行曝光之總曝光量(累積曝光量)之資訊。累積曝光量分佈資料ED1係藉由對使用CAD(Computer Aided Design：計算機輔助設計)而產生之圖案之設計資料進行光柵處理而產生。若完成累積曝光量分佈資料ED1之讀取，則進行圖案資料之製作(步驟S2)。

圖7係表示實施形態之圖案資料製作處理之詳細流程之圖。若開始圖案資料製作處理，則首先，區域特定部911基於累積曝光量分佈資料，而特定出未超過最大曝光量之區域(第1區域)及超過最大曝光量之區域(第2區域)(步驟S21)。此處，所謂「最大曝光量」係指曝光裝置1利用一次曝光掃描可對基板W照射之曝光量之最大值。又，所謂「一次曝光掃描」，如圖4所示係指一面向基板W照射描繪光，一面使各曝光頭80沿主掃描軸於基板W之特定之條紋狀區域上移動一次。

若特定出第1區域及第2區域，則製作與步驟S21中所特定出之第1區域相關之圖案資料(第1圖案資料)(步驟S22)。該圖案資料記錄有基於累積曝光量分佈資料ED1而於步驟S21中所特定出之第1區域之各位置之曝光量資料。

若完成第1區域之圖案資料製作，則判斷於第2區域中是否存在剩餘累積曝光量超過最大曝光量之部分(步驟S23)。所謂剩餘累積曝光量係指自累積曝光量減去以步驟S22中所產生之圖案資料曝光之曝光量所得之曝光量。於不存在超過最大曝光量之部分之情形時(於步驟S23中，否)，製作與該第2區域相關之圖案資料(步驟S24)。該圖案資料中記錄有包含基於累積曝光量分佈資料ED1而於第2步驟S21中所特定出之第2區域之各位置之曝光量資訊。

於第2區域存在超過最大曝光量之部分之情形時(於步驟S23中，是)，則返回至步驟S21，再次於該第2區域中特定出未超過最大曝光量之區域(第1區域)與超過最大曝光量之區域(第2區域)。其次，製作與各區域相關之圖案資料。如此，反覆進行區域之特定與圖案資料之製作直至不存在剩餘累積曝光量超過最大曝光量之區域為止。

其次，列舉具體例對圖7所示之圖案資料之製作流程進行說明。

圖8係表示累積曝光量分佈與曝光圖案之一例之圖。於圖8中，概略性地以俯視圖圖示微透鏡狀之曝光圖案PT1。又，於圖8中，以曲線圖G1表示用於形成該曝光圖案PT1之累積曝光量分佈資料ED1。再者，於曲線圖G1中，橫軸表示基板W上之位置(更詳細而言，曝光圖案PT1之中央線L1上之位置)，縱軸表示累積曝光量。取得此種累積曝光量分佈之曲線圖G1之步驟相當於圖6所示之步驟S1。再者，毋庸贅言，圖6所示之圖案描繪方法亦於形成除微透鏡以外之形狀之圖案時有效。

曝光圖案PT1係以多灰階(此處為24灰階)表現曝光量之圖案，且成為於中心部曝光量最高，並隨著趨向外側而曝光量呈階梯狀減少之圖案。於曝光裝置1中，為於基板W形成此種曝光圖案PT1，而執行複數次圖4所示之曝光掃描。圖案資料製作部913係基於累積曝光量分佈之曲線圖G1而製作用於執行複數次曝光掃描之各者之複數個圖案資料。

再者，曝光裝置1係可於複數次曝光掃描中使最大曝光量為固定而進行曝光掃描，亦可於每次曝光掃描時使最大曝光量為可變而進行曝光掃描。因此，以下，分為最大曝光量固定之情形與最大曝光量可變之情形而說明各者之圖案資料製作例。

<最大曝光量固定之情形>

圖9係概念性地表示最大曝光量固定之情形時之圖案資料製作例之圖。圖9所示之例係曝光裝置1之最大曝光量固定為「Ma」之情形時之圖案資料製作例。

首先，區域特定部911基於累積曝光量分佈資料ED1而特定出未超過曝光裝置1之最大曝光量即「Ma」之第1區域與超過「Ma」之第2 區域。於圖示之例中，曝光圖案PT1中位於最外周之環狀之區域R11成為第1區域，位於其內側之圓形之區域R12成為第2區域。特定出該第1區域及第2區域之步驟相當於圖7所示之步驟S21。

若特定出第1區域即區域R11，則圖案資料製作部913製作用於對包含該區域R11之區域進行曝光之圖案資料PD11。製作圖案資料PD11之步驟相當於圖7所示之步驟S22。如圖9所示，圖案資料PD11中記錄有包含區域R11之區域(詳細而言為區域R11及區域R12)之每一位置之曝光量。具體而言，對於區域R11，設定與累積曝光量分佈資料ED1對應之曝光量、且以自0至Ma之6灰階表現之曝光量。對於區域R12，設定曝光量為最大曝光量即Ma。藉由將基於此種圖案資料PD11實施空間調變後之描繪光照射至基板W，而如圖9所示般形成區域R11之曝光量以6灰階變化、且將區域R12以最大曝光量即Ma均勻地曝光之圖案PT11。

其次，圖案資料製作部913係於第2區域即區域R12中，判斷剩餘累積曝光量RD11中是否存在超過最大曝光量即「Ma」之部分。該步驟相當於圖7所示之步驟S23。亦即，區域R12雖為累積曝光量超過Ma之部分，但針對該累積曝光量中之Ma之量，仍利用基於先前產生之圖案資料PD11之曝光掃描進行曝光。因此，對於區域R12，只要僅對剩餘累積曝光量RD11加以探討即可。又，區域R12中，於剩餘累積曝光量RD11中包含超過最大曝光量即「Ma」之部分。因此，區域特定部911係於區域R12中，分別特定出剩餘累積曝光量RD11未超過Ma之區域R21(第1區域)及剩餘累積曝光量RD11超過Ma之區域R22(第2區域)(步驟S21)。

若特定出第1區域即區域R21，則圖案資料製作部913製作用於對包含該區域R21之區域曝光之圖案資料PD12(步驟S22)。如圖9所示，圖案資料PD12中記錄有包含區域R21之區域(詳細而言，區域R21及區域R22)之各位置之曝光量。具體而言，對於區域R21，設定與剩餘累積曝光量RD11對應之曝光量、且以自0至Ma之6灰階表現之曝光量。又，將區域R22之各位置之曝光量設定為最大曝光量即Ma。

其次，圖案資料製作部913於第2區域即區域R22中，判斷剩餘累積曝光量RD12中是否存在超過最大曝光量即「Ma」之部分(步驟S23)。區域R22雖為累積曝光量超過2Ma之部分，但針對2Ma之量，仍利用基於先前產生之圖案資料PD11，PD12之曝光掃描進行曝光。因此，區域R22之剩餘累積曝光量RD12成為去除該2Ma之量後之曝光量。

又，區域R22中包含剩餘累積曝光量RD12超過最大曝光量即「Ma」之部分。因此，區域特定部911分別特定出區域R22中之剩餘累積曝光量RD11未超過Ma之區域R31(第1區域)及剩餘累積曝光量RD11超過Ma之區域R32(第2區域)(步驟S21)。

若特定出第1區域即區域R31，則圖案資料製作部913製作用於對包含該區域R31之區域曝光之圖案資料PD13(步驟S22)。如圖9所示，圖案資料PD13中記錄有包含區域R31之區域(詳細而言，區域R31及區域R32)之各位置之曝光量。具體而言，對於區域R31，設定與剩餘累積曝光量RD12對應之曝光量、且以自0至Ma之6灰階表現之曝光量。又，將區域R32之各位置之曝光量設定為最大曝光量即Ma。

其次，圖案資料製作部913係於第2區域即區域R32中，判斷剩餘累積曝光量RD13中是否存在超過最大曝光量即「Ma」之部分(步驟S23)。區域R32雖為累積曝光量超過3Ma之部分，但針對3Ma之量，仍利用基於先前產生之圖案資料PD11、PD12、PD13之曝光掃描進行曝光。因此，區域R32之剩餘累積曝光量RD13成為去除該3Ma之量後之曝光量。

區域R32係僅由剩餘累積曝光量未超過最大曝光量Ma之區域構成。因此，圖案資料製作部913製作用於對區域R32曝光之圖案資料PD14。該步驟相當於製作與第2區域相關之圖案資料之步驟(圖7所示之步驟S24)。於圖案資料PD14中，對於區域R32，設定與剩餘累積曝光量RD13對應之曝光量、且以自0至Ma之6灰階表現之曝光量(參照圖9)。

如以上般，於本圖案資料之製作例中，反覆進行區域之特定及圖案資料之製作直至不存在剩餘累積曝光量超過最大曝光量Ma之區域為止。所製作之圖案資料PD11~PD14適當保存於RAM93或記憶裝置94。

再者，以圖9所說明之曝光方法係藉由對相同區域(例如R12、R22、R32)進行複數次曝光而形成曝光圖案PT1者。因此，以下將圖9所示之曝光方式稱為積層曝光方式。

<變更最大曝光量之情形>

其次，對以多階段變更最大曝光量之情形時之圖案資料製作例進行說明。再者，曝光裝置1之最大曝光量例如可藉由控制衰減器815而變更。

圖10係概念性地表示最大曝光量為可變之情形時之圖案資料製作例之圖。再者，於本例中，係設定為曝光裝置1之最大曝光量能夠以「Ma」、「2Ma」、「3Ma」、「4Ma」之4階段變更。

於本製作例中，首先，區域特定部911將曝光裝置1之最大曝光量設定為第1最大曝光量即「Ma」。其次，特定出累積曝光量未超過Ma之區域(第1區域)與累積曝光量超過Ma之區域(第2區域)(步驟S21)。於本例之情形時，特定出區域R11作為第1區域，且特定出區域R12作為第2區域。

其次，圖案資料製作部913製作第1區域即區域R11之圖案資料PD21(步驟S22)。如圖10所示，於圖案資料PD21中，將區域R11之各位置之曝光量設定為與累積曝光量分佈資料ED1對應之曝光量，詳細而言，設為自0至Ma之6灰階之曝光量。如此，圖案資料PD21成為表示區域R11之各位置之曝光量資訊之資料。藉由基於該圖案資料PD21實施了空間調變之光照射至基板W，而形成如圖10所示般環狀之區域R11以複數灰階(6灰階)變化之圖案PT21。

其次，圖案資料製作部913判斷第2區域即區域R12中是否包含剩餘累積曝光量RD21超過曝光裝置1之第2最大曝光量即「2Ma」之部分(步驟S23)。於本例中，因區域R12中包含超過2Ma之部分，故藉由區域特定部911特定出未超過2Ma之區域R21(第1區域)與超過2Ma之區域R22(第2區域)(步驟S21)。其次，圖案資料製作部913製作與第1區域即區域R21相關之圖案資料PD22(步驟S22)。

如圖10所示，於圖案資料PD22中，將區域R21之各位置之曝光量設定為與累積曝光量分佈資料ED1對應之曝光量、且以自Ma至2Ma之6灰階表現之曝光量。

其次，圖案資料製作部913判斷第2區域即區域R22中是否包含剩餘累積曝光量RD22超過第3最大曝光量即「3Ma」之部分(步驟S23)。於本例中，因區域R22中包含超過3Ma之部分，故藉由區域特定部911特定出未超過3Ma之區域R31(第1區域)與超過3Ma之區域R32(第2區域)(步驟S21)。其次，圖案資料製作部913製作與第1區域即區域R31相關之圖案資料PD23(步驟S22)。

如圖10所示，於圖案資料PD23中，將區域R31之各位置之曝光量設定為與累積曝光量分佈資料ED1對應之曝光量、且自2Ma至3Ma之6灰階之曝光量。

其次，圖案資料製作部913判斷第2區域即區域R32中是否包含剩餘累積曝光量RD23超過第4最大曝光量即「4Ma」之部分(步驟S23)。於本例中，區域R32不包含超過4Ma之部分。因此，圖案資料製作部 913製作與區域R32相關之圖案資料PD24。該步驟相當於製作第2區域即區域R32之圖案資料之步驟(步驟S24)。於圖案資料PD24中，將區域R32之各位置之曝光量設定為與累積曝光量分佈資料ED1對應之曝光量、且以自3Ma至4Ma之6灰階表現之曝光量。

依以上要領分別產生與一次曝光掃描對應之圖案資料PD21~PD24。再者，圖案資料PD21~PD24中亦記錄有用於將曝光裝置1之最大曝光量切換為「Ma」、「2Ma」、「3Ma」及「4Ma」之各者之切換資訊。更具體而言，圖案資料PD21中記錄有將最大曝光量切換為「Ma」之切換資訊，圖案資料PD22中記錄有將最大曝光量切換為「2Ma」之切換資訊。又，圖案資料PD23中記錄有將最大曝光量切換為「3Ma」之切換資訊，圖案資料PD24記錄有將最大曝光量切換為「4Ma」之切換資訊。

根據基於圖案資料PD21~PD24之曝光掃描，各區域R11，R21，R31，R32之各者係藉由僅一次之曝光而形成有曝光圖案PT1。因此，於以下說明中，有將圖10所示之曝光方式稱為1部位1曝光方式之情形。

返回至圖6，若完成圖案資料之製作，則搬送裝置2自載置於匣盒載置部17之匣盒C取出1片未處理之基板W，並將其移載至處理區域14之載物台4上(步驟S3)。此時，根據需要，搬送裝置2亦可經由預對準部3將基板W移載至載物台4上。亦即，搬送裝置2亦可根據需要將自匣盒C取出之未處理之基板W暫時搬入至預對準部3，並自預對準部3搬出預對準處理後之基板W且將其移載至載物台4上。

當將基板W載置於載物台4上，並使載物台4吸附保持該基板W時，繼而，載物台驅動機構5使載物台4移動至標記攝像單元7之下方位置為止。當載物台4配置於標記攝像單元7之下方時，繼而，以使載物台4上之基板W位於適當位置之方式進行精準對位之處理(預對準處理)(步驟S4)。當完成基板W之對位時，繼而進行描繪處理(步驟S5)。

圖11係表示圖6所示之描繪處理之詳細流程之圖。當開始描繪處理時，進行圖案資料之讀取(步驟S51)。此處，讀取步驟S2中所製作之圖案資料。例如，於製作有圖9所示之圖案資料PD11~PD14之情形時，讀取其中之一圖案資料。

當讀取到圖案資料時，基於記錄於該圖案資料之資訊而設定曝光裝置1以一次曝光掃描可照射之最大曝光量(步驟S52)。曝光裝置1之最大曝光量如上述般係藉由控制衰減器815而變更。再者，如圖9所示之圖案資料製作例，於將最大曝光量設定為固定而製作之情形時，亦可跳過該步驟S52。

若已設定最大曝光量，則進行曝光掃描(步驟S53)。如於圖4中所說明般，曝光掃描係藉由一面使各曝光頭80相對於基板W相對移動，一面自各曝光頭80向基板W之上表面照射根據圖案資料經空間調變後之描繪光而進行。藉此，完成基於1個圖案資料對基板W之一次曝光掃描。

再者，於圖4所示之例中，於一次曝光掃描中，描繪光於基板W上之所有條紋區域移動一次。然而，亦可跳過對基板W中之無需曝光之條紋區域之曝光掃描。亦即，亦可僅對需要曝光之條紋區域進行曝光掃描。

若完成曝光掃描，則判斷是否存在其他圖案資料(步驟S54)。於不存在其他圖案資料之情形時(於步驟S54中，是)，則完成描繪處理，並轉至圖6所示之步驟S6。於存在其他圖案資料之情形時(於步驟S54中，否)，則返回至步驟S51。其次，基於其他圖案資料，再次執行最大曝光量之設定(步驟S52)及曝光掃描(步驟S53)。

返回至圖6，若完成描繪處理，則搬送裝置2自載物台4接收處理完畢之基板W，並將其收容於匣盒C(步驟S6)。藉此，相對於該基板 W之一連串處理結束。搬送裝置2於將處理完畢之基板W收容於匣盒C後，自匣盒C取出新的未處理之基板W。藉此，對該基板W實施上述一連串之處理。

<3.效果>

根據上述實施形態，自1個累積曝光量分佈資料ED1製作複數個圖案資料(例如圖案資料PD11~PD14、PD12~PD24)，並基於各圖案資料而進行複數次曝光掃描。因此，於在一次曝光掃描中僅可形成以6灰階之曝光量表現之圖案的曝光裝置1中，可藉由積層曝光方式或1部位1曝光方式而使曝光量多於最大曝光量。藉此，可於基板W形成以超過6灰階之曝光量表現之圖案(例如，24灰階之曝光圖案PT1)。

又，根據上述實施形態，不於每次曝光掃描時將基板W搬出而是連續進行曝光掃描。因此，於各曝光掃描期間，可降低基板W之位置偏移。因此，於各曝光掃描期間，可使圖案之形成位置高精度地對準。

又，如以圖9所說明般，於將曝光裝置1之最大曝光量設定為固定而進行各曝光掃描之積層曝光方式之情形時，可省略於每次曝光掃描時校準光量之作業。因此，可迅速地進行圖案形成。

又，根據所應形成之圖案之累積曝光量分佈而存在如下情形，即以圖10所說明之1部位1曝光方式較以圖9所說明之積層曝光方式具有減少曝光掃描次數之優勢。亦即，於積層曝光方式之情形時，因最大曝光量固定，故例如必須對累積曝光量成為最大之部分，進行以最大曝光量除該最大值而得之次數量(例如N次)之曝光掃描。相對於此，若為1部位1曝光方式之情形，則只要藉由增大最大曝光量而對累積曝光量成為最大之部分進行1次(或少於N次之次數)之曝光掃描即可。

又，因增加曝光量之灰階數，故若欲如上述般於先前之遮罩曝光方式之曝光裝置實現複數次曝光，則必須準備複數個遮罩(主光罩)，從而有導致成本增加之虞。又，因須於每次曝光時更換遮罩，故亦存在作業長時間化或產生污染物之虞。此外，於更換遮罩時，因必須將曝光位置高精度地對位，故亦有作業變繁雜之虞。相對於此，於本實施形態之無遮罩曝光方式之曝光裝置1之情形時，只要準備每一曝光掃描之圖案資料即可，故不會使成本或作業量大幅增加即可容易地實現高灰階之曝光。

<變化例>

例如，於在產生用於執行複數次曝光掃描之各者之複數個圖案資料時將曝光裝置1之最大曝光量設定為固定之情形時，亦可省略衰減器815等變更光量之要素。

又，於上述實施形態中，係藉由利用衰減器815變更光量而變更曝光裝置1之最大曝光量。然而，亦可藉由變更曝光掃描時之曝光頭80相對於基板W之相對移動速度而變更最大曝光量。即，可藉由加快移動速度而降低最大曝光量，又可藉由減慢移動速度而提高最大曝光量。

又，於以圖9及圖10所說明之曝光方式中，於所有曝光掃描中使最大曝光量一致或使最大曝光量不同而製作各圖案資料。然而，亦能以組合使最大曝光量一致之2次以上之曝光掃描及最大曝光量不同之2次以上之曝光掃描而形成圖案之方式形成各圖案資料。

又，於以圖9所說明之積層曝光方式中，於各曝光掃描中最大曝光量固定。然而，亦可考慮採用變更最大曝光量之積層曝光方式。亦即，亦可變更最大曝光量而對相同區域進行複數次曝光掃描。

又，於上述實施形態中，雖使用繞射光柵型之空間光調變器作為空間光調變器821，但空間光調變器821之構成並非限定於此。例如，亦可利用如鏡般之調變單位排列為一維或二維之空間光調變器等。例如，亦可使用DMD(Digital Micromirror Device：數位微鏡器件)。

雖已詳細地說明本發明，但上述說明之所有態樣均為示例，本發明並非限定於此。應理解為可於不脫離本發明之範圍之情形下構設未予以例示之無數種變化例。又，於上述各實施形態及各變化例中所說明之各構成亦可於不相互矛盾之前提下予以適當組合或省略。

Claims

一種描繪方法，其係於基板描繪圖案者，且包含如下步驟：(a)將以曝光裝置所具備之輸出光之曝光頭在基板上一次移動之一次曝光掃描能夠對上述基板曝光之最大曝光量設為第1最大曝光量時，上述曝光裝置對上述基板上包含應曝光之累積曝光量未超過上述第1最大曝光量之第1區域的區域，基於記錄有各位置之曝光量資訊之第1圖案資料而自上述曝光頭照射經空間調變之光，而描繪圖案；及(b)上述曝光裝置對上述基板上包含上述累積曝光量超過上述第1最大曝光量之第2區域的區域，基於記錄有各位置之曝光量資訊之第2圖案資料而自上述曝光頭照射經空間調變之光，而描繪圖案；上述(b)步驟係於將上述曝光裝置之上述最大曝光量切換為較上述第1最大曝光量更大之第2最大曝光量，對包含上述第2區域之區域進行曝光之步驟；上述第1最大曝光量與上述第2最大曝光量之切換係藉由變更自上述曝光頭輸出之光之光量、或藉由變更上述曝光頭相對於上述基板之相對移動速度而實現。
如請求項1之描繪方法，其包含如下步驟：(c)於上述(a)步驟之前，讀取基板上之位置資訊，並且讀取針對各個位置而記錄有上述累積曝光量之累積曝光量分佈資料；(d)基於上述(c)步驟中所讀取之上述累積曝光量分佈資料，而特定出上述基板上之上述第1區域及上述第2區域；及(e)針對包含上述(d)步驟中所特定出之上述第1區域之區域及包含上述第2區域之區域，製作記錄有各位置之曝光量之上述第1 圖案資料及第2圖案資料。
一種描繪方法，其係於基板描繪圖案者，且包含如下步驟：(a)將曝光裝置以一次曝光掃描能夠對基板曝光之最大曝光量設為第1最大曝光量時，上述曝光裝置對上述基板上包含應曝光之累積曝光量未超過上述第1最大曝光量之第1區域的區域，照射基於記錄有各位置之曝光量資訊之第1圖案資料而經空間調變之光，而描繪圖案；及(b)上述曝光裝置對上述基板上包含上述累積曝光量超過上述第1最大曝光量之第2區域的區域，照射基於記錄有各位置之曝光量資訊之第2圖案資料而經空間調變之光，而描繪圖案；於上述(a)步驟及上述(b)步驟中，兩者均將上述曝光裝置之上述最大曝光量設為上述第1最大曝光量。
如請求項3之描繪方法，其包含如下步驟：(c)於上述(a)步驟之前，讀取基板上之位置資訊，並且讀取針對各個位置而記錄有上述累積曝光量之累積曝光量分佈資料；(d)基於上述(c)步驟中所讀取之上述累積曝光量分佈資料，而特定出上述基板上之上述第1區域及上述第2區域；及(e)針對包含上述(d)步驟中所特定出之上述第1區域之區域及包含上述第2區域之區域，製作記錄有各位置之曝光量之上述第1圖案資料及第2圖案資料。