KR102269979B1 - 묘화 장치, 및 묘화 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 묘화 장치, 및 묘화 방법을 제공한다. 묘화 장치 (1) 는, 광학 유닛 (40) 과, 제어부 (60) 를 구비한다. 광학 유닛 (40) 이 다중 노광 처리를 실시하도록, 제어부 (60) 가 광학 유닛 (40) 을 제어한다. 다중 노광 처리는, 복수의 노광 처리를 포함한다. 노광 처리는, 기판 (W) 의 소정 영역 (W1) 에 대하여 광학 유닛 (40) 에 의해 묘화 광을 조사하는 처리를 나타낸다. 복수의 노광 처리의 각각은, 연결 영역 (G3) 이 형성되도록 광학 유닛 (40) 에 의해 묘화 광을 병렬로 조사하는 처리를 포함한다. 연결 영역 (G3) 은, 병렬로 조사된 묘화 광의 조사 영역의 일부끼리 겹치는 영역을 나타낸다.
Description
본 발명은, 묘화 장치, 및 묘화 방법에 관한 것이다.
특허문헌 1 에 기재된 묘화 장치는, 노광해야 하는 영역을 복수의 필드로 분리함과 함께, 필드를 복수의 서브 필드로 분리한다. 그리고, 특허문헌 1 에 기재된 묘화 장치는, 분리한 필드마다 가변 성형의 전자 빔을 사용하여 축차 노광 처리를 실시하고, 또한 인접하는 필드의 경계부에서 다중 노광 처리를 실시하여 기판 상에 원하는 패턴을 노광한다.
그러나, 패턴 현상 후에, 경계부 (연결 영역) 에 노광 줄무늬가 발생할 우려가 있었다. 경계부의 노광 줄무늬는, 경계부에 있어서의 패턴의 불연속성 (예를 들어, 패턴이 중단, 굵어짐 또는 가늘어짐) 의 원인으로도 될 수 있다. 노광 줄무늬는, 원하는 패턴은 아니기 때문에, 외관 검사시에 NG 가 될 우려가 있었다. 또한, 감광성 절연막이 사용되는 경우, 노광 줄무늬가 발생하면, 노광 줄무늬가 제품 중에 남는다. 이 경우, 노광 줄무늬가 제품의 전기적 특성에 직접적으로 영향을 주지 않아도 허용되지 않는다.
본 발명은, 연결 영역에 발생하는 노광 줄무늬를 완화시킬 수 있는 묘화 장치, 및 묘화 방법을 제공한다.
본 발명의 제 1 국면에 의하면, 묘화 장치는, 기판에 묘화 광을 조사함으로써 상기 기판에 패턴을 묘화한다. 묘화 장치는, 조사부와, 제어부를 구비한다. 조사부는, 상기 묘화 광을 조사한다. 제어부는, 상기 조사부를 제어한다. 상기 조사부가 다중 노광 처리를 실시하도록, 상기 제어부가 상기 조사부를 제어한다. 상기 다중 노광 처리는, 복수의 노광 처리를 포함한다. 노광 처리는, 상기 기판의 소정 영역에 대하여 상기 조사부에 의해 상기 묘화 광을 조사하는 처리를 나타낸다. 상기 복수의 노광 처리의 각각은, 연결 영역이 형성되도록 상기 조사부에 의해 상기 묘화 광을 병렬로 조사하는 처리를 포함한다. 상기 연결 영역은, 상기 병렬로 조사된 상기 묘화 광의 조사 영역의 일부 끼리가 겹치는 영역을 나타낸다.
본 발명의 묘화 장치에 있어서, 상기 다중 노광 처리에 의해 형성된 복수의 상기 연결 영역이, 서로 겹치지 않는 장소에 위치한다.
본 발명의 묘화 장치에 있어서, 상기 복수의 노광 처리 중 적어도 2 개의 노광 처리에서는 상기 기판에 동일한 패턴이 묘화되도록, 상기 제어부가 상기 조사부를 제어한다.
본 발명의 묘화 장치에 있어서, 상기 연결 영역은 패턴이 묘화되는 영역이다.
본 발명의 묘화 장치에 있어서, 상기 다중 노광 처리에 의해 상기 기판에 소정 패턴이 묘화되는 경우, 상기 노광 처리마다 상기 기판에 조사된 복수의 상기 묘화 광의 노광량의 합계가, 상기 소정 패턴을 묘화하기 위해서 필요한 필요 노광량과 대략 동일해지도록, 상기 제어부가 상기 조사부를 제어한다.
본 발명의 묘화 장치는, 스테이지와, 구동 기구를 추가로 구비한다. 스테이지는, 상기 기판을 유지한다. 구동 기구는, 상기 조사부에 대하여 상기 스테이지를 이동시킨다. 상기 조사부에 대한 상기 스테이지의 이동 속도가 빨라질수록, 상기 기판에 대한 상기 묘화 광의 노광량이 감소하도록, 상기 제어부가 상기 구동 기구를 제어함으로써, 상기 묘화 광의 노광량을 조정한다.
본 발명의 묘화 장치에 있어서, 상기 기판에 대한 상기 묘화 광의 조사 위치와, 상기 묘화 광의 노광량의 관계를 나타내는 그래프는, 사다리꼴상으로 형성되는 부분을 갖는다. 상기 사다리꼴상의 부분은, 중앙부와, 1 쌍의 단부를 갖는다. 중앙부에서는, 상기 노광량이 일정하다. 1 쌍의 단부는, 상기 중앙부에 연이어 있다. 1 쌍의 단부에서는, 상기 중앙부로부터 이간됨에 수반하여 상기 노광량이 체감 (遞減) 한다. 상기 1 쌍의 단부의 사이에는 상기 중앙부가 위치한다.
본 발명의 묘화 장치에 있어서, 상기 복수의 노광 처리는, 제 1 노광 처리와, 제 2 노광 처리를 포함한다. 상기 제 1 노광 처리시에 상기 기판에 조사된 상기 묘화 광의 제 1 노광량이, 상기 제 2 노광 처리시에 상기 기판에 조사된 상기 묘화 광의 제 2 노광량과 동일하거나, 또는, 상기 제 1 노광량이 상기 제 2 노광량과 상이하다.
본 발명의 제 2 국면에 의하면, 묘화 방법은, 기판에 묘화 광을 조사함으로써 상기 기판에 패턴을 묘화한다. 묘화 방법은, 다중 노광 처리를 실시하는 다중 노광 공정을 포함한다. 상기 다중 노광 처리는, 복수의 노광 처리를 포함한다. 노광 처리는, 상기 기판의 소정 영역에 대하여 상기 묘화 광을 조사하는 처리를 나타낸다. 상기 복수의 노광 처리의 각각은, 연결 영역이 형성되도록 상기 묘화 광을 병렬로 조사하는 처리를 포함한다. 상기 연결 영역은, 상기 병렬로 조사된 상기 묘화 광의 조사 영역의 일부끼리가 겹치는 영역을 나타낸다.
본 발명의 묘화 장치, 및 묘화 방법에 의하면, 연결 영역에 발생하는 노광 줄무늬를 완화시킬 수 있다.
도 1 은 본 발명의 실시 형태에 관련된 묘화 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 측면도이다.
도 2 는 묘화 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 3 은 묘화 장치의 구성을 나타내는 블록도이다.
도 4 는 묘화 장치가 기판에 패턴을 묘화하는 순서를 나타내는 블록도이다.
도 5 는 제 1 노광 처리가 실시되고 있는 상태를 나타내는 모식도이다.
도 6 은 제 1 그래프의 일부 확대도이다.
도 7 은 제 2 노광 처리가 실시되고 있는 상태를 나타내는 모식도이다.
도 8 은 기판에 묘화된 소정 패턴을 나타내는 모식도이다.
도 9 는 (a) 는 기판에 노광량 100 % 의 묘화 광이 조사된 상태를 모식적으로 나타내는 측면도이다. (b) 는 종래의 패턴 현상 후의 기판을 나타내는 평면도이다.
도 10 은 (a) 는 기판에 대하여 제 1 노광 처리와 제 2 노광 처리가 실시된 상태를 모식적으로 나타내는 측면도이다. (b) 는 본원의 패턴 현상 후의 기판을 나타내는 평면도이다.
도 11 은 합성 그래프의 제 1 변형예를 나타내는 도면이다.
도 12 는 합성 그래프의 제 2 변형예를 나타내는 도면이다.
도 13 은 합성 그래프의 제 3 변형예를 나타내는 도면이다.
도 14 는 합성 그래프의 제 4 변형예를 나타내는 도면이다.
도 2 는 묘화 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 3 은 묘화 장치의 구성을 나타내는 블록도이다.
도 4 는 묘화 장치가 기판에 패턴을 묘화하는 순서를 나타내는 블록도이다.
도 5 는 제 1 노광 처리가 실시되고 있는 상태를 나타내는 모식도이다.
도 6 은 제 1 그래프의 일부 확대도이다.
도 7 은 제 2 노광 처리가 실시되고 있는 상태를 나타내는 모식도이다.
도 8 은 기판에 묘화된 소정 패턴을 나타내는 모식도이다.
도 9 는 (a) 는 기판에 노광량 100 % 의 묘화 광이 조사된 상태를 모식적으로 나타내는 측면도이다. (b) 는 종래의 패턴 현상 후의 기판을 나타내는 평면도이다.
도 10 은 (a) 는 기판에 대하여 제 1 노광 처리와 제 2 노광 처리가 실시된 상태를 모식적으로 나타내는 측면도이다. (b) 는 본원의 패턴 현상 후의 기판을 나타내는 평면도이다.
도 11 은 합성 그래프의 제 1 변형예를 나타내는 도면이다.
도 12 는 합성 그래프의 제 2 변형예를 나타내는 도면이다.
도 13 은 합성 그래프의 제 3 변형예를 나타내는 도면이다.
도 14 는 합성 그래프의 제 4 변형예를 나타내는 도면이다.
본 발명의 실시 형태에 대하여, 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 도면 중, 동일 또는 상당 부분에 대해서는 동일한 참조 부호를 부여하고 설명을 반복하지 않는다.
도 1 및 도 2 를 참조하여, 본 발명의 실시 형태에 관련된 묘화 장치 (1) 에 대하여 설명한다. 도 1 은, 본 발명의 실시 형태에 관련된 묘화 장치 (1) 의 구성을 모식적으로 나타내는 측면도이다. 도 2 는, 묘화 장치 (1) 의 구성을 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 1 및 도 2 에 나타내는 바와 같이, 묘화 장치 (1) 는, 레지스트와 같은 감광 재료의 층이 형성된 기판 (W) 에, 소정 데이터에 따라 변조된 묘화 광을 조사함으로써, 회로 패턴과 같은 패턴을 노광 (묘화) 한다. 소정 데이터는, CAD 데이터와 같은 패턴을 나타내는 데이터이다. 본 실시 형태에서는, 마스크를 이용하지 않고, 묘화 광에 의해 기판 (W) 상의 감광 재료를 주사함으로써, 감광 재료에 직접적으로 패턴을 묘화하는 마스크리스 노광이 실시된다.
기판 (W) 은, 예를 들어, 실리콘 웨이퍼, 수지 기판, 또는, 유리·석영 기판이다. 기판 (W) 은, 예를 들어, 반도체 기판, 프린트 기판, 컬러 필터용 기판, 플랫 패널 디스플레이용 유리 기판, 자기 디스크용 기판, 광 디스크용 기판, 또는, 태양 전지용 패널이다. 컬러 필터용 기판은, 예를 들어, 액정 표시 장치 등에 구비된다. 플랫 패널 디스플레이용 유리 기판은, 예를 들어, 액정 표시 장치, 또는 플라즈마 표시 장치에 구비된다. 도 1 및 도 2 에는, 기판 (W) 으로서, 원형의 반도체 기판이 예시되어 있다. 또한, 기판 (W) 의 형상은 특별히 한정되지 않는다. 기판 (W) 은, 예를 들어, 사각 형상으로 형성되어 있어도 된다.
묘화 장치 (1) 는, 본체 프레임 (2) 을 구비한다. 본체 프레임 (2) 은, 묘화 장치 (1) 의 케이싱을 구성한다. 본체 프레임 (2) 의 내부에는, 처리 영역 (3) 과, 전달 영역 (4) 이 형성된다. 처리 영역 (3) 과 전달 영역 (4) 은, 서로 구분되어 있다.
묘화 장치 (1) 는, 기대 (5) 와, 지지 프레임 (6) 과, 카세트 재치부 (7) 와, 스테이지 (10) 와, 구동 기구 (20) 와, 스테이지 위치 계측부 (30) 와, 광학 유닛 (40) 과, 반송 장치 (50) 와, 제어부 (60) 를 추가로 구비한다.
기대 (5), 지지 프레임 (6), 스테이지 (10), 구동 기구 (20), 스테이지 위치 계측부 (30), 및 광학 유닛 (40) 은, 처리 영역 (3) 에 설치된다. 반송 장치 (50) 는, 전달 영역 (4) 에 설치된다. 카세트 재치부 (7) 는, 본체 프레임 (2) 의 외부에 설치된다.
이하에서는, 묘화 장치 (1) 가 구비하는 각 부의 구성에 대하여 설명한다.
기대 (5) 는, 스테이지 (10) 를 지지한다. 지지 프레임 (6) 은, 기대 (5) 에 설치된다. 지지 프레임 (6) 은, 광학 유닛 (40) 을 지지한다.
스테이지 (10) 는, 기판 (W) 을 유지한다. 스테이지 (10) 는, 평판상의 형상을 갖는다. 스테이지 (10) 의 상면에는, 기판 (W) 을 재치 (載置) 가능한 재치면 (11) 이 형성된다. 스테이지 (10) 의 재치면 (11) 에는, 복수의 흡인공 (도시 생략) 이 형성되어 있다. 스테이지 (10) 의 흡인공에 부압 (흡인압) 이 형성됨으로써, 스테이지 (10) 의 재치면 (11) 에 재치된 기판 (W) 이 스테이지 (10) 에 고정된다. 그 결과, 스테이지 (10) 는, 기판 (W) 을 유지한다.
구동 기구 (20) 는, 스테이지 (10) 를 이동시킨다. 구동 기구 (20) 는, 스테이지 (10) 를 주주사 방향 (Y), 부주사 방향 (X), 및 회전 방향 (θ) 을 따라 이동시킨다. 주주사 방향 (Y) 은, 도 1 및 도 2 에 나타내는 Y 축의 + 측 방향이다. 부주사 방향 (X) 은, 도 1 및 도 2 에 나타내는 X 축의 + 측 방향이다. 회전 방향 (θ) 은, 도 1 및 도 2 에 나타내는 Z 축 주위의 회전 방향이다. X 축, Y 축, 및 Z 축은, 서로 수직인 축이다. 본 실시 형태에서는, Z 축의 + 측 방향은, 연직 방향의 상방을 나타낸다. 또한, 본 실시 형태에서는, 스테이지 (10) 의 재치면 (11) 은, X 축 및 Y 축의 각각에 대하여 평행이다.
구동 기구 (20) 는, 회전 기구 (21) 와, 지지 플레이트 (22) 와, 부주사 기구 (23) 와, 베이스 플레이트 (24) 와, 주주사 기구 (25) 를 갖는다. 회전 기구 (21) 는, 스테이지 (10) 를 회전시킨다. 지지 플레이트 (22) 는, 회전 기구 (21) 를 개재하여 스테이지 (10) 를 지지한다. 부주사 기구 (23) 는, 지지 플레이트 (22) 를 부주사 방향 (X) 을 따라 이동시킨다. 베이스 플레이트 (24) 는, 부주사 기구 (23) 를 개재하여 지지 플레이트 (22) 를 지지한다. 주주사 기구 (25) 는, 베이스 플레이트 (24) 를 주주사 방향 (Y) 을 따라 이동시킨다.
회전 기구 (21) 는, 회전 축 (A) 을 중심으로 하여 스테이지 (10) 를 회전시킨다. 회전 축 (A) 은, 스테이지 (10) 의 중심을 통과함과 함께, Z 축에 대하여 평행한 축이다.
회전 기구 (21) 는, 예를 들어, 회전 축부 (211) 와, 회전 구동부 (212) 를 포함한다. 회전 축부 (211) 는, 재치면 (11) 의 뒤편에 고정되고, Z 축을 따라 연장된다. 회전 구동부 (212) 는, 예를 들어, 모터를 포함한다. 회전 구동부 (212) 는, 회전 축부 (211) 의 하단에 형성되고, 회전 축부 (211) 를 회전시킨다. 회전 구동부 (212) 가 회전 축부 (211) 를 회전시킴으로써, 스테이지 (10) 가 회전 축 (A) 을 중심으로 하여 회전한다.
부주사 기구 (23) 는, 리니어 모터 (231) 를 갖는다. 리니어 모터 (231) 는, 이동자와, 고정자로 구성된다. 이동자는, 지지 플레이트 (22) 의 하면에 장착된다. 고정자는, 베이스 플레이트 (24) 의 상면에 부설 (敷設) 된다.
베이스 플레이트 (24) 에는, 부주사 방향 (X) 으로 연장되는 1 쌍의 가이드 부재 (232) 가 부설된다. 각 가이드 부재 (232) 와 지지 플레이트 (22) 사이에는, 볼 베어링이 설치되어 있다. 볼 베어링은, 가이드 부재 (232) 를 따라 슬라이딩한다.
지지 플레이트 (22) 는, 볼 베어링을 개재하여 1 쌍의 가이드 부재 (232) 에 지지된다. 리니어 모터 (231) 가 동작하면, 지지 플레이트 (22) 는 가이드 부재 (232) 에 안내되면서, 부주사 방향 (X) 을 따라 이동한다.
주주사 기구 (25) 는, 리니어 모터 (251) 를 갖는다. 리니어 모터 (251) 는, 이동자와 고정자에 의해 구성된다. 이동자는, 베이스 플레이트 (24) 의 하면에 장착된다. 고정자는, 묘화 장치 (1) 의 기대 (5) 상에 부설된다.
기대 (5) 에는, 주주사 방향 (Y) 으로 연장되는 1 쌍의 가이드 부재 (252) 가 부설되어 있다. 각 가이드 부재 (252) 와 베이스 플레이트 (24) 사이에는, 예를 들어, 에어 베어링이 설치되어 있다. 에어 베어링에는, 유틸리티 설비로부터 에어가 공급된다. 베이스 플레이트 (24) 는, 에어 베어링에 의해 가이드 부재 (252) 상으로 부상한다. 그 결과, 베이스 플레이트 (24) 는, 가이드 부재 (252) 에 대하여 비접촉의 상태로 지지된다.
리니어 모터 (251) 가 동작하면, 베이스 플레이트 (24) 는 가이드 부재 (252) 에 안내되면서, 주주사 방향 (Y) 을 따라 이동한다. 이 때, 베이스 플레이트 (24) 와 가이드 부재 (252) 사이에 마찰이 발생하는 것이 회피된다.
스테이지 위치 계측부 (30) 는, 스테이지 (10) 의 위치를 계측한다. 스테이지 위치 계측부 (30) 는, 예를 들어, 간섭식의 레이저 측장기에 의해 구성된다. 스테이지 위치 계측부 (30) 는, 예를 들어, 스테이지 (10) 밖으로부터 스테이지 (10) 를 향하여 레이저 광을 출사함과 함께, 스테이지 (10) 에서 반사한 레이저 광을 수광한다. 그리고, 스테이지 위치 계측부 (30) 는, 스테이지 (10) 를 향하여 출사한 레이저 광과, 스테이지 (10) 에서 반사한 레이저 광의 간섭으로부터 스테이지 (10) 의 위치를 계측한다. 스테이지 (10) 의 위치는, 주주사 방향 (Y) 의 위치와, 회전 방향 (θ) 의 위치를 나타낸다.
광학 유닛 (40) 은, 스테이지 (10) 상에 유지된 기판 (W) 에 묘화 광을 조사함으로써, 기판 (W) 에 패턴을 묘화한다. 패턴은, 예를 들어, Hole, Trench, 및 Gate 등 일반적인 패턴이다.
광학 유닛 (40) 은, 본 발명의 조사부의 일례이다.
광학 유닛 (40) 은, 광원부 (401) 와, 헤드부 (402) 를 갖는다. 광원부 (401) 는, 지지 프레임 (6) 에 설치된다. 헤드부 (402) 는, 지지 프레임 (6) 에 장착된 부설 (付設) 박스의 내부에 수용된다.
광원부 (401) 는, I 선을 출사하는 레이저 광원으로서 기능한다. 광원부 (401) 는, 레이저 구동부 (41) 와, 레이저 발진기 (42) 와, 조명 광학계 (43) 를 갖는다.
레이저 발진기 (42) 는, 레이저 구동부 (41) 로부터의 구동을 받아, 출력 미러 (도시 생략) 로부터 레이저 광인 스폿 빔을 출사한다. 스폿 빔은, 조명 광학계 (43) 에 입사한다. 조명 광학계 (43) 는, 스폿 빔으로부터 선상의 광을 생성한다. 선상의 광은, 강도 분포가 대략 균일하고, 광속 단면이 띠상인 라인 빔이다. 라인 빔은, 헤드부 (402) 에 입사한다. 이하에서는, 헤드부 (402) 에 입사한 라인 빔을, 입사 광이라고 기재하는 경우가 있다.
또한, 입사 광이 헤드부 (402) 에 입사하기 전의 단계에서 입사 광에 조리개를 조르는 것에 의해, 입사 광의 광량을 조정하는 구성으로 해도 된다.
입사 광은, 헤드부 (402) 에 있어서, 패턴 데이터 (PD) 에 따른 공간 변조가 실시된다.
패턴 데이터 (PD) 는, 기판 (W) 에 대한 묘화 광의 조사 위치를 나타내는 정보가 화소 단위로 기록된 정보이다.
묘화 장치 (1) 는, 패턴 데이터 (PD) 를 나타내는 정보를, 미리 취득하고 있다. 묘화 장치 (1) 는, 예를 들어, 외부 단말 장치로부터 네트워크를 통하여 패턴 데이터 (PD) 를 나타내는 정보를 수신함으로써 취득한다. 또한, 묘화 장치 (1) 는, 예를 들어, 묘화 장치 (1) 에 접속된 기록 매체로부터 패턴 데이터 (PD) 를 나타내는 정보를 판독하는 것에 의해 취득한다.
입사 광을 공간 변조시키는 것은, 입사 광의 공간 분포를 변화시키는 것을 나타낸다. 입사 광의 공간 분포는, 예를 들어, 광의 진폭, 광의 위상, 및/또는, 편광을 나타낸다. 입사 광의 공간 분포는, 예를 들어, CAD (Computer Aided Desing) 를 사용하여 생성된 패턴의 설계 데이터를 래스터라이즈함으로써 생성된다.
헤드부 (402) 는, 공간 광 변조 유닛 (44) 과, 투영 광학계 (45) 와, 미러 (46) 를 갖는다.
헤드부 (402) 에 입사한 입사 광은, 미러 (46) 를 통하여, 미리 정해진 각도로 공간 광 변조 유닛 (44) 에 입사한다.
공간 광 변조 유닛 (44) 은, 공간 광 변조기 (441) 를 갖는다. 공간 광 변조기 (441) 는, 입사 광을 공간 변조시킴으로써, 입사 광을 묘화 광과 불필요 광으로 분별한다. 그리고, 공간 광 변조기 (441) 는, 부주사 방향 (X) 을 따른 복수 화소분의 묘화 광을 출사한다. 묘화 광은, 패턴의 묘화에 기여하는 광을 나타낸다. 불필요 광은, 패턴의 묘화에 기여하지 않는 광을 나타낸다.
공간 광 변조기 (441) 는, 예를 들어, 광 변조 소자인 고정 리본과 가요 리본이 배치 형성된 회절 격자형의 공간 변조기로 구성된다. 회절 격자형의 공간 변조기는, 예를 들어, GLV (Grating Light Valve : 그레이팅·라이트·밸브) (「GLV」 는 등록상표) 이다. 본 실시 형태에서는, GLV 의 최대 노광 폭은, 렌즈 교환에 의해 변경 가능하다.
회절 격자형의 공간 변조기는, 격자의 깊이를 변경할 수 있는 회절 격자로, 예를 들어, 반도체 장치 제조 기술을 사용하여 제조된다.
공간 광 변조기 (441) 는, 복수의 변조 단위 (442) (도 5 참조) 와, 드라이버 회로 유닛 (443) 을 갖는다. 복수의 변조 단위 (442) 는, 부주사 방향 (X) 을 따라 나열된다. 드라이버 회로 유닛 (443) 은, 복수의 변조 단위 (442) 의 각각에 대하여 전압을 인가한다. 드라이버 회로 유닛 (443) 은, 복수의 변조 단위 (442) 의 각각에 인가하는 전압을, 독립적으로 제어할 수 있다.
드라이버 회로 유닛 (443) 은, 변조 단위 (442) 의 상태를, 오프 상태, 및 온 상태 중 어느 상태로 전환할 수 있다. 오프 상태는, 변조 단위 (442) 에 전압이 인가되어 있지 않은 상태를 나타낸다. 온 상태는, 변조 단위 (442) 에 전압이 인가되어 있는 상태를 나타낸다.
변조 단위 (442) 가 오프 상태가 되면, 가요 리본이 휘지 않기 때문에, 변조 단위 (442) 의 표면은, 평면이 된다. 변조 단위 (442) 의 평면에 입사 광이 입사하면, 입사 광은 회절하지 않고 정반사한다. 입사 광은, 정반사함으로써, 0 차 회석 광인 묘화 광이 된다. 묘화 광은, 변조 단위 (442) 로부터 출사하면, 기판 (W) 에 도달한다.
변조 단위 (442) 가 온 상태가 되면, 가요 리본이 휨으로써, 변조 단위 (442) 의 표면에는 홈이 형성된다. 변조 단위 (442) 의 홈에 입사 광이 입사하면, 입사 광은 회석한다. 입사 광은, 회석함으로써, 비 0 차 회절 광인 불필요 광이 된다. 불필요 광은, 변조 단위 (442) 로부터 출사하면, 기판 (W) 에 도달하지 않는다.
이하에서는, 변조 단위 (442) 의 표면에 형성되는 홈을, 표면 홈이라고 기재하는 경우가 있다.
드라이버 회로 유닛 (443) 은, 변조 단위 (442) 에 인가하는 전압을 변경함으로써, 표면 홈의 깊이를 변경할 수 있다. 표면 홈의 깊이가 변경됨으로써 묘화 광의 광량이 조정된다.
제어부 (60) 는, 드라이버 회로 유닛 (443) 을 제어함으로써, 변조 단위 (442) 마다 묘화 광의 출사율을 조정한다. 묘화 광의 출사율은, 입사 광량에 대한 출사 광량의 비 (출사 광량/입사 광량) 를 나타낸다. 입사 광량은, 변조 단위 (442) 에 입사하는 입사 광의 광량을 나타낸다. 출사 광량은, 변조 단위 (442) 로부터 출사하는 묘화 광의 광량을 나타낸다.
변조 단위 (442) 가 오프 상태일 때, 요컨대, 변조 단위 (442) 의 표면이 평면일 때, 묘화 광의 출사율은 출사율 100 % 가 된다. 변조 단위 (442) 의 표면에 표면 홈이 형성되면, 출사율이 저하한다. 표면 홈이 깊어질수록, 출사율이 작아진다. 제어부 (60) 는, 드라이버 회로 유닛 (443) 을 제어하여, 표면 홈의 깊이를 변경함으로써, 묘화 광의 출사율을, 출사율 0 % 부터 출사율 100 % 까지의 사이의 임의의 값으로 조정할 수 있다.
변조 단위 (442) 로부터 출사한 묘화 광은, 투영 광학계 (45) 에 입사한다.
투영 광학계 (45) 는, 공간 광 변조기 (441) 로부터 입사하는 광 중, 묘화 광을 기판 (W) 에 유도한다. 투영 광학계 (45) 는, 예를 들어, 차단판을 갖는다. 차단판은, 관통공이 형성된 판상의 부재이다.
묘화 광은, 관통공을 통과한다. 그 결과, 묘화 광은, 기판 (W) 에 도달한다. 이에 반하여, 불필요 광은, 관통공을 통과하지 않고, 차단판에 도달한다. 그 결과, 불필요 광은, 차단판에 의해, 기판 (W) 에 도달하는 것이 차단된다.
묘화 광이 기판 (W) 에 도달함으로써, 기판 (W) 에 패턴이 묘화된다. 1 개의 변조 단위 (442) 로부터 출사된 묘화 광은, 기판 (W) 에 묘화되는 패턴의 1 화소를 형성한다.
투영 광학계 (45) 는, 줌 렌즈, 및/또는, 대물 렌즈를 추가로 가지고 있어도 된다. 줌 렌즈는, 묘화 광의 폭을 조정하는 줌부를 구성한다. 묘화 광의 폭을 조정하는 것은, 묘화 광의 폭을 넓히는 것, 및/또는, 묘화 광의 폭을 좁히는 것을 나타낸다. 대물 렌즈는, 묘화 광을 소정 배율로 기판 (W) 상에 결상시킨다.
반송 장치 (50) 는, 처리 영역 (3) 으로의 기판 (W) 의 반입, 및 처리 영역 (3) 으로부터의 기판 (W) 의 반출을 실시한다. 반송 장치 (50) 는, 복수의 핸드 (51) 와, 핸드 구동 기구 (52) 를 갖는다. 핸드 (51) 는, 기판 (W) 을 반송한다. 핸드 구동 기구 (52) 는, 핸드 (51) 를 구동시킨다.
카세트 재치부 (7) 에는, 미처리의 기판 (W) 이 수용된다. 반송 장치 (50) 는, 카세트 재치부 (7) 로부터 기판 (W) 을 취출하여 처리 영역 (3) 에 반입함과 함께, 처리 영역 (3) 으로부터 처리가 완료된 기판 (W) 을 반출하여 카세트 (C) 에 수용한다.
다음으로, 도 3 을 참조하여, 묘화 장치 (1) 에 대하여 추가로 설명한다. 도 3 은, 묘화 장치 (1) 의 구성을 나타내는 블록도이다.
도 3 에 나타내는 바와 같이, 묘화 장치 (1) 는, 입력부 (70) 와, 기억부 (80) 를 추가로 구비한다.
입력부 (70) 는, 묘화 장치 (1) 에 대한 지시를 접수한다. 유저는, 예를 들어, 기판 (W) 에 패턴을 묘화하는 지시를 입력부 (70) 로부터 입력한다. 입력부 (70) 는, 예를 들어, 묘화 장치 (1) 의 케이싱에 형성된 조작 키, 또는, 묘화 장치 (1) 와 통신 가능하게 접속된 PC (Personal Computer) 와 같은 단말이다.
기억부 (80) 는, ROM (Read Only Memory), 및 RAM (Random Access Memory) 과 같은 주기억 장치 (예를 들어, 반도체 메모리) 를 포함하고, 보조 기억 장치 (예를 들어, 하드 디스크 드라이브) 를 추가로 포함해도 된다. 주기억 장치, 및/또는, 보조 기억 장치는, 제어부 (60) 에 의해 실행되는 여러 가지 컴퓨터 프로그램을 기억한다.
제어부 (60) 는, CPU (Central Processing Unit) 및 MPU (Micro Processing Unit) 와 같은 프로세서를 포함한다. 제어부 (60) 는, 묘화 장치 (1) 의 각 요소를 제어한다. 구체적으로는, 제어부 (60) 의 프로세서는, 기억부 (80) 에 기억된 컴퓨터 프로그램을 실행함으로써, 구동 기구 (20) 와, 스테이지 위치 계측부 (30) 와, 광학 유닛 (40) 과, 반송 장치 (50) 와, 입력부 (70) 와, 기억부 (80) 를 제어한다.
본 실시 형태에서는, 제어부 (60) 는, 기판 (W) 에 대한 묘화 광의 노광량을 조정하는 경우, 묘화 광의 에너지를 변경하지 않고, 스테이지 (10) 의 이동 속도를 변경한다. 구체적으로는, 제어부 (60) 는, 기판 (W) 에 대한 묘화 광의 노광량을 감소시키는 경우, 구동 기구 (20) 를 제어하여, 광학 유닛 (40) 에 대한 스테이지 (10) 의 이동 속도를 빠르게 한다. 그 결과, 기판 (W) 에 대한 묘화 광의 조사 시간이 짧아지기 때문에, 기판 (W) 에 대한 묘화 광의 노광량이 감소한다. 이에 반하여, 제어부 (60) 는, 기판 (W) 에 대한 묘화 광의 노광량을 증가시키는 경우, 구동 기구 (20) 를 제어하여, 광학 유닛 (40) 에 대한 스테이지 (10) 의 이동 속도를 느리게 한다. 그 결과, 기판 (W) 에 대한 묘화 광의 조사 시간이 길어지기 때문에, 기판 (W) 에 대한 묘화 광의 노광량이 증가한다. 노광량은, 묘화 광의 단위 면적 당의 에너지와, 묘화 광의 조사 시간의 곱이다.
다음으로, 도 4 내지 도 8 을 참조하여, 묘화 장치 (1) 가 기판 (W) 에 패턴을 묘화하는 순서에 대하여 설명한다. 도 4 는, 묘화 장치 (1) 가 기판 (W) 에 패턴을 묘화하는 순서를 나타내는 블록도이다.
도 4 에 나타내는 바와 같이, 스텝 S10 에 있어서, 입력부 (70) 는, 기판 (W) 의 소정 영역 (W1) 에 대하여 소정 패턴 (Q) (도 8 참조) 을 묘화하는 지시를 접수한다. 소정 패턴 (Q) 은, 원하는 패턴을 나타낸다.
본 실시 형태에서는, 소정 영역 (W1) 은, 기판 (W) 의 표면의 전역을 나타낸다. 또한, 본 실시 형태에서는, 소정 패턴 (Q) 은, 노광량 100 % 의 묘화 광으로 묘화되는 패턴을 나타낸다.
본 실시 형태에서는, 노광량은, 기준인 노광량 100 % 에 대한 비율로 나타낸다. 본 실시 형태에서는, 노광량 100 % 는, 예를 들어, 묘화 광이 T 초간 조사되었을 때의 노광량을 나타낸다. T 는, 0 보다 큰 실수이다.
노광량은, 묘화 광의 조사 시간에 비례한다. 따라서, 묘화 광이 (T/2) 초간 조사된 경우, 노광량은, 노광량 50 % 가 된다.
본 실시 형태에서는, 소정 영역 (W1) 에 대하여 노광량 100 % 의 묘화 광이 한 번에 조사되지 않고, 다중 노광 처리가 실시된다. 다중 노광 처리는, 묘화 광을 다중으로 조사하는 처리를 나타낸다.
다중 노광 처리에서는, 노광 처리가 중복되어 실시된다. 노광 처리는, 기판 (W) 의 소정 영역 (W1) 에 묘화 광을 조사하는 처리를 나타낸다. 본 실시 형태에서는, 다중 노광 처리에 있어서, 제 1 노광 처리와 제 2 노광 처리가 실시된다.
스텝 S20 에 있어서, 제어부 (60) 는, 제 1 노광 처리를 실시한다. 본 실시 형태에서는, 제 1 노광 처리가 실시됨으로써, 소정 영역 (W1) 에 제 1 패턴 (Q1) 이 묘화된다. 제 1 패턴 (Q1) 은, 노광량 50 % 의 묘화 광으로 묘화되는 패턴을 나타낸다.
제 1 노광 처리는, 다중 노광 처리 중 1 회째에 실시되는 노광 처리를 나타낸다.
도 5 는, 제 1 노광 처리가 실시되고 있는 상태를 나타내는 모식도이다.
도 5 에 나타내는 바와 같이, 제 1 노광 처리는, 스테이지 (10) 에 의해 기판 (W) 이 유지된 상태에서, 구동 기구 (20) 에 의해 스테이지 (10) 가 이동되면서, 광학 유닛 (40) 에 의해 기판 (W) 에 대하여 묘화 광이 출사됨으로써 실시된다.
이하에서는, 제 1 노광 처리에 대하여 구체적으로 설명한다.
먼저, 스테이지 (10) 에 의해 기판 (W) 이 유지된 상태에서, 구동 기구 (20) 는, 스테이지 (10) 를 주주사 방향 (Y) 을 따라 이동시킨다. 그 결과, 기판 (W) 이, 광학 유닛 (40) 에 대하여 주주사 방향 (Y) 으로 이동한다. 기판 (W) 으로부터 보면, 화살표 (AR11) 에 나타내는 바와 같이, 광학 유닛 (40) 은, 주주사 방향 (Y) 을 따라 기판 (W) 을 횡단한다.
광학 유닛 (40) 이 기판 (W) 을 횡단하는 동안, 광학 유닛 (40) 은, 패턴 데이터 (PD) 에 따른 공간 변조가 형성된 묘화 광을, 기판 (W) 을 향하여 조사한다. 이 경우, 광학 유닛 (40) 은, 부주사 방향 (X) 을 따른 복수 화소분의 묘화 광을 조사하면서, 주주사 방향 (Y) 을 따라 기판 (W) 을 횡단한다.
이하에서는, 광학 유닛 (40) 이 주주사 방향 (Y) 을 따라 기판 (W) 을 횡단하면서, 기판 (W) 에 대하여 패턴 데이터 (PD) 에 따른 묘화 광을 조사하는 처리를, 주주사 처리라고 기재하는 경우가 있다.
광학 유닛 (40) 이 주주사 처리를 실시하면, 화살표 (AR11) 를 따른 조사 영역 (G1) 이 기판 (W) 상에 형성된다. 조사 영역 (G1) 은, 광학 유닛 (40) 이 묘화 광을 조사하는 영역을 나타낸다.
광학 유닛 (40) 이 주주사 처리를 1 회 실시하면, 기판 (W) 상에 1 개의 조사 영역 (G1) 이 형성된다.
1 회의 주주사 처리가 종료되면, 구동 기구 (20) 는, 스테이지 (10) 를 부주사 방향 (X) 을 따라 소정 거리만큼 이동시킨다. 그 결과, 기판 (W) 이, 광학 유닛 (40) 에 대하여 부주사 방향 (X) 을 따라 소정 거리만큼 이동한다. 기판 (W) 으로부터 보면, 화살표 (AR12) 에 나타내는 바와 같이, 광학 유닛 (40) 은 부주사 방향 (X) 을 따라 소정 거리만큼 이동한다. 소정 거리는, 조사 영역 (G1) 의 부주사 방향 (X) 의 치수보다 작다.
이하에서는, 광학 유닛 (40) 이 부주사 방향 (X) 을 따라 소정 거리만큼 이동하는 것을, 부주사 처리라고 기재하는 경우가 있다.
부주사 처리가 종료되면, 화살표 (AR13) 에 나타내는 바와 같이, 주주사 처리가 실시된다. 그 결과, 화살표 (AR13) 를 따른 조사 영역 (G1) 이 기판 (W) 상에 형성된다. 주주사 처리가 종료되면, 화살표 (AR14) 에 나타내는 바와 같이, 부주사 처리가 실시된다.
제 1 노광 처리에 있어서, 주주사 처리와 부주사 처리가 교대로 실시된다. 그 결과, 소정 영역 (W1) 에 대하여 묘화 광이 병렬로 조사된다.
주주사 처리와 부주사 처리가 교대로 실시됨으로써, 소정 영역 (W1) 에 제 1 패턴 (Q1) 이 묘화된다. 기판 (W) 의 소정 영역 (W1) 에 제 1 패턴 (Q1) 이 묘화되면, 제 1 노광 처리가 종료된다.
조사 영역 (G1) 에 대하여 설명한다.
주주사 처리와 부주사 처리가 교대로 실시됨으로써, 기판 (W) 의 소정 영역 (W1) 에는, 복수의 조사 영역 (G1) 이 형성된다. 복수의 조사 영역 (G1) 의 각각은, 주주사 방향 (Y) 을 따라 연장된다. 복수의 조사 영역 (G1) 은, 병렬로 배치되고, 부주사 방향 (X) 을 따라 나열된다.
조사 영역 (G1) 은, 1 중 조사 영역 (G2) 과, 연결 영역 (G3) 을 포함한다. 1 중 조사 영역 (G2) 은, 이웃하는 조사 영역 (G1) 끼리 겹치지 않는 영역을 나타낸다. 제 1 노광 처리가 실시될 때에, 1 중 조사 영역 (G2) 에 대해서는, 묘화 광이 1 중으로 조사된다.
연결 영역 (G3) 은, 이웃하는 조사 영역 (G1) 의 일부끼리 겹치는 영역을 나타낸다. 제 1 노광 처리가 실시될 때에, 연결 영역 (G3) 에 대해서는, 묘화 광이 2 중으로 조사된다. 연결 영역 (G3) 은, 예를 들어, 20 ㎛ 의 폭을 갖는다.
이하에서는, 제 1 노광 처리가 실시될 때에, 기판 (W) 상에 형성되는 연결 영역 (G3) 을, 제 1 연결 영역 (G31) 이라고 기재하는 경우가 있다.
도 5 는, 제 1 그래프 (J1) 를 추가로 나타낸다. 도 5 를 참조하여 제 1 그래프 (J1) 에 대하여 설명한다.
도 5 에 나타내는 바와 같이, 제 1 그래프 (J1) 는, 제 1 노광 처리가 실시되었을 때의, 묘화 광의 노광량과, 부주사 방향 (X) 의 위치의 관계를 나타낸 그래프이다. 제 1 그래프 (J1) 의 세로 축은, 제 1 노광 처리시의 묘화 광의 노광량을 나타낸다. 제 1 그래프 (J1) 의 가로 축은, 주주사 방향 (Y) 의 위치가 위치 (Y1) 일 때의, 부주사 방향 (X) 의 위치를 나타낸다. 위치 (Y1) 는, 주주사 방향 (Y) 에 있어서, 기판 (W) 의 중심 (W2) 이 위치하는 장소를 나타낸다.
제 1 노광 처리가 실시되면, 위치 (Y1) 에 있어서, 1 중 조사 영역 (G2) 과, 제 1 연결 영역 (G31) 이, 부주사 방향 (X) 을 따라 교대로 배치된다.
1 중 조사 영역 (G2) 에는, 노광량 50 % 의 묘화 광이 조사된다. 그 결과, 1 중 조사 영역 (G2) 에 제 1 패턴 (Q1) 이 묘화된다.
제 1 그래프 (J1) 는, 사다리꼴상으로 변화하는 부분을 갖는다. 사다리꼴상의 부분은, 제 1 중앙부 (J11) 와, 1 쌍의 제 1 단부 (J12) 를 갖는다. 제 1 중앙부 (J11) 는, 노광량이 노광량 50 % 로 일정한 부분이다. 1 쌍의 제 1 단부 (J12) 의 각각은, 제 1 중앙부 (J11) 에 연이어 있고, 제 1 중앙부 (J11) 로부터 이간됨에 수반하여 노광량이 체감한다. 본 실시 형태에서는, 1 쌍의 제 1 단부 (J12) 의 각각에 있어서, 제 1 중앙부 (J11) 로부터 이간됨에 수반하여 묘화 광의 출사율이 체감됨으로써, 노광량이 체감한다. 1 쌍의 제 1 단부 (J12) 의 사이에는 제 1 중앙부 (J11) 가 위치한다.
다음으로, 도 5 및 도 6 을 참조하여, 제 1 연결 영역 (G31) 에 조사되는 묘화 광의 노광량에 대하여 설명한다. 도 6 은, 제 1 그래프 (J1) 의 일부 확대도이다.
도 5 및 도 6 에 나타내는 바와 같이, 제 1 연결 영역 (G31) 에 있어서, 묘화 광 (H1) 의 노광량과, 묘화 광 (H2) 의 노광량은, 부주사 방향 (X) 의 위치에 따라, 노광량 0 % 내지 노광량 50 % 의 사이에서 변화한다. 묘화 광 (H1) 은, 제 1 연결 영역 (G31) 에 겹쳐서 조사되는 2 개의 묘화 광 중 일방의 묘화 광을 나타낸다. 묘화 광 (H2) 은, 제 1 연결 영역 (G31) 에 겹쳐서 조사되는 2 개의 묘화 광 중 타방의 묘화 광을 나타낸다.
도 6 은, 임의 위치 (Xα) 와, 노광량 (α1%) 과, 노광량 (α2%) 을 나타낸다. 임의 위치 (Xα) 는, 제 1 연결 영역 (G31) 내의 부주사 방향 (X) 의 임의의 위치를 나타낸다. 노광량 (α1%) 은, 임의 위치 (Xα) 에 조사되는 묘화 광 (H1) 의 노광량을 나타낸다. 노광량 (α2%) 은, 임의 위치 (Xα) 에 조사되는 묘화 광 (H2) 의 노광량을 나타낸다.
노광량 (α1%) 과, 노광량 (α2%) 의 합은, 노광량 50 % 이다. 그 결과, 제 1 연결 영역 (G31) 에 노광량 50 % 의 묘화 광이 조사된 것에 상당하기 때문에, 제 1 연결 영역 (G31) 에 제 1 패턴 (Q1) 을 묘화하는 것이 가능해진다.
모든 1 중 조사 영역 (G2) 과, 모든 제 1 연결 영역 (G31) 에 제 1 패턴 (Q1) 이 묘화됨으로써, 소정 영역 (W1) 의 전역에 제 1 패턴 (Q1) 이 묘화된다.
도 3 에 나타내는 바와 같이, 소정 영역 (W1) 에 제 1 패턴 (Q1) 이 묘화되면, 스텝 S20 에 나타내는 제 1 노광 처리가 종료된다. 그 결과, 처리가 스텝 S30 으로 이행한다.
스텝 S30 에 있어서, 제어부 (60) 는, 제 2 노광 처리를 실시한다. 본 실시 형태에서는, 제 2 노광 처리가 실시됨으로써, 소정 영역 (W1) 의 제 1 패턴 (Q1) 상에 제 2 패턴 (Q2) 이 묘화된다. 제 2 패턴 (Q2) 은, 노광량 50 % 의 묘화 광으로 묘화되는 패턴을 나타낸다.
제 2 노광 처리에서는, 소정 영역 (W1) 에 대하여 다중 노광 중 2 회째의 노광 처리가 실시된다.
도 7 은, 제 2 노광 처리가 실시되고 있는 상태를 나타내는 모식도이다.
도 7 에 나타내는 바와 같이, 제 2 노광 처리에 있어서, 주주사 처리와 부주사 처리가 교대로 실시된다. 그 결과, 기판 (W) 의 소정 영역 (W1) 에 제 2 패턴 (Q2) 이 묘화된다.
기판 (W) 의 소정 영역 (W1) 에 제 2 패턴 (Q2) 이 묘화되면, 처리가 종료된다.
도 7 은, 제 2 그래프 (J2) 를 추가로 나타낸다. 도 7 을 참조하여 제 2 그래프 (J2) 에 대하여 설명한다.
도 7 에 나타내는 바와 같이, 제 2 그래프 (J2) 는, 제 2 노광 처리가 실시되었을 때의, 묘화 광의 노광량과, 부주사 방향 (X) 의 위치의 관계를 나타낸 그래프이다. 제 2 그래프 (J2) 의 세로 축은, 제 2 노광 처리시의 묘화 광의 노광량을 나타낸다. 제 2 그래프 (J2) 의 가로 축은, 주주사 방향 (Y) 의 위치가 위치 (Y1) 일 때의, 부주사 방향 (X) 의 위치를 나타낸다.
제 2 노광 처리가 실시되면, 위치 (Y1) 에 있어서, 1 중 조사 영역 (G2) 과, 연결 영역 (G3) 이, 부주사 방향 (X) 을 따라 교대로 배치된다.
제 2 그래프 (J2) 는, 사다리꼴상으로 변화하는 부분을 갖는다. 사다리꼴상의 부분은, 제 2 중앙부 (J21) 와, 1 쌍의 제 2 단부 (J22) 를 갖는다. 제 2 중앙부 (J21) 는, 노광량이 노광량 50 % 로 일정한 부분이다. 1 쌍의 제 2 단부 (J22) 의 각각은, 제 2 중앙부 (J21) 에 연이어 있고, 제 2 중앙부 (J21) 로부터 이간됨에 수반하여 노광량이 체감한다. 본 실시 형태에서는, 1 쌍의 제 2 단부 (J22) 의 각각에 있어서, 제 2 중앙부 (J21) 로부터 이간됨에 수반하여 묘화 광의 출사율이 체감됨으로써, 노광량이 체감한다. 1 쌍의 제 2 단부 (J22) 의 사이에는 제 2 중앙부 (J21) 가 위치한다.
이하에서는, 제 2 노광 처리가 실시될 때에, 기판 (W) 상에 형성되는 연결 영역 (G3) 을, 제 2 연결 영역 (G32) 이라고 기재하는 경우가 있다.
1 중 조사 영역 (G2) 에는, 노광량 50 % 의 묘화 광이 조사된다. 그 결과, 1 중 조사 영역 (G2) 에 제 2 패턴 (Q2) 이 묘화된다.
도 6 에 나타내는 바와 같이, 제 2 연결 영역 (G32) 에 대해서도, 제 1 연결 영역 (G31) 과 동일하게, 노광량의 합이 노광량 50 % 가 되도록 묘화 광이 2 중으로 조사된다. 그 결과, 제 2 연결 영역 (G32) 에 제 2 패턴 (Q2) 이 묘화된다.
다음으로, 도 8 을 참조하여, 기판 (W) 에 묘화된 소정 패턴 (Q) 에 대하여 설명한다. 도 8 은, 기판 (W) 에 묘화된 소정 패턴 (Q) 을 나타내는 모식도이다.
도 8 에 나타내는 바와 같이, 제 1 노광 처리와 제 2 노광 처리가 실시됨으로써, 기판 (W) 의 소정 영역 (W1) 에는, 제 1 연결 영역 (G31) 과, 제 2 연결 영역 (G32) 이 형성된다. 제 1 연결 영역 (G31) 과, 제 2 연결 영역 (G32) 은, 주주사 방향 (Y) 을 따라 연장된다. 제 1 연결 영역 (G31) 과, 제 2 연결 영역 (G32) 은, 부주사 방향 (X) 을 따라 교대로 배치된다. 제 1 연결 영역 (G31) 과, 제 2 연결 영역 (G32) 은, 서로 겹치지 않는 장소에 배치된다. 또한, 겹치는 것은, Z 축이 연장되는 방향으로 겹치는 것을 나타낸다. 또한, 겹치지 않는 것은, Z 축이 연장되는 방향으로 겹치지 않는 것을 나타낸다.
도 8 은, 합성 그래프 (J) 를 추가로 나타낸다. 도 8 을 참조하여, 합성 그래프 (J) 에 대하여 추가로 설명한다.
도 8 에 나타내는 바와 같이, 합성 그래프 (J) 는, 노광 처리마다, 묘화 광의 노광량과, 부주사 방향 (X) 의 위치의 관계를 나타낸 그래프이다. 본 실시 형태의 합성 그래프 (J) 는, 도 5 에 나타내는 제 1 그래프 (J1) 와, 도 7 에 나타내는 제 2 그래프 (J2) 를 조합한 그래프이다. 합성 그래프 (J) 의 세로 축은, 제 1 노광 처리시의 묘화 광의 노광량과, 제 2 노광 처리시의 묘화 광의 노광량을 나타낸다. 합성 그래프 (J) 의 가로 축은, 주주사 방향 (Y) 의 위치가 위치 (Y1) 일 때의, 부주사 방향 (X) 의 위치를 나타낸다.
제 1 노광 처리와, 제 2 노광 처리가 실시됨으로써, 기판 (W) 의 소정 영역 (W1) 에는, 노광량 50 % 의 묘화 광이 2 중으로 조사된다. 따라서, 소정 영역 (W1) 에 대하여 2 중으로 조사된 묘화 광의 노광량의 합이, 노광량 100 % 가 된다. 그 결과, 소정 영역 (W1) 에 노광량 100 % 의 묘화 광이 조사된 것에 상당하기 때문에, 소정 영역 (W1) 에 소정 패턴 (Q) 을 묘화하는 것이 가능해진다.
다음으로, 도 9(a) 및 도 9(b) 를 참조하여, 기판 (W) 에 노광량 100 % 의 묘화 광이 조사되었을 때의 기판 (W) 의 상태에 대하여 설명한다. 도 9(a) 는, 기판 (W) 에 노광량 100 % 의 묘화 광이 조사된 상태를 모식적으로 나타내는 측면도이다. 도 9(b) 는, 종래의 패턴 현상 후의 기판 (W) 을 나타내는 평면도이다.
도 9(a) 및 도 9(b) 에 나타내는 바와 같이, 종래에는, 기판 (W) 에 소정 패턴 (Q) 을 묘화하는 경우, 기판 (W) 에 대하여 노광량 100 % 의 묘화 광이 조사되고 있었다. 요컨대, 노광 처리가 한 번으로 완료되어 있었다. 그 결과, 기판 (W) 의 레지스트의 표층에는, 소정 패턴 (Q) 의 현상 후에, 노광 줄무늬 (R) 가 발생해 있었다. 노광 줄무늬 (R) 는, 연결 영역 (G3) 에 발생해 있었다.
다음으로, 도 10(a) 및 도 10(b) 를 참조하여, 도 4 의 스텝 S20 에 나타내는 제 1 노광 처리와, 스텝 S30 에 나타내는 제 2 노광 처리가 실시되었을 때의 기판 (W) 의 상태에 대하여 설명한다. 도 10(a) 는, 기판 (W) 에 대하여 제 1 노광 처리와 제 2 노광 처리가 실시된 상태를 모식적으로 나타내는 측면도이다. 도 10(b) 는, 본원의 패턴 현상 후의 기판 (W) 을 나타내는 평면도이다.
도 10(a) 및 도 10(b) 에 나타내는 바와 같이, 본원 발명자는, 묘화 장치 (1) 에 제 1 노광 처리와 제 2 노광 처리를 실시하게 함으로써, 기판 (W) 에 소정 패턴 (Q) 을 묘화하였다. 요컨대, 본원 발명자는, 노광 처리를 복수 실시하였다. 그 결과, 소정 패턴 (Q) 의 현상 후에, 연결 영역 (G3) 에 발생하는 노광 줄무늬 (R) 가 완화되었다.
이하에서는, 노광 줄무늬 (R) 가 완화되는 원리에 대하여 설명한다. 본원 발명자는, 연결 영역 (G3) 의 노광량이 많아질수록, 노광 줄무늬 (R) 가 진해지는 것을 발견하였다. 연결 영역 (G3) 의 노광량은, 연결 영역 (G3) 에 겹쳐서 조사되는 묘화 광의 노광량의 합계를 나타낸다. 도 9(a) 및 도 9(b) 에 나타내는 종래의 노광 처리에서는, 연결 영역 (G3) 의 노광량은, 노광량 100 % 이다. 이에 반하여, 도 10(a) 및 도 10(b) 에 나타내는 본원의 노광 처리에서는, 연결 영역 (G3) 의 노광량은, 노광량 50 % 이다. 따라서, 본원과 같이, 소정 영역 (W1) 에 대한 노광 처리를 복수 실시함으로써, 연결 영역 (G3) 의 노광량을 적게 할 수 있다. 그 결과, 연결 영역 (G3) 에 발생하는 노광 줄무늬 (R) 가 옅어지기 때문에, 노광 줄무늬 (R) 가 완화된다.
이상, 도 4 내지 도 10(b) 를 참조하여 설명한 바와 같이, 다중 노광 처리가 실시된다. 본 실시 형태의 다중 노광 처리는, 스텝 S20 에 나타내는 제 1 노광 처리와, 스텝 S30 에 나타내는 제 2 노광 처리를 포함한다. 제어부 (60) 는, 구동 기구 (20) 와 광학 유닛 (40) 을 제어함으로써, 다중 노광 처리를 실시한다. 제 1 노광 처리에서는, 제 1 연결 영역 (G31) 이 형성되도록, 광학 유닛 (40) 에 의해 묘화 광이 병렬로 조사된다. 제 2 노광 처리에서는, 제 2 연결 영역 (G32) 이 형성되도록, 광학 유닛 (40) 에 의해 묘화 광이 병렬로 조사된다. 따라서, 노광 처리를 복수 실시함으로써, 노광 처리를 한 번에 완료하는 경우에 비하여, 제 1 연결 영역 (G31) 의 노광량과, 제 2 연결 영역 (G32) 의 노광량을 적게 할 수 있다. 그 결과, 노광 줄무늬 (R) 를 완화시킬 수 있다.
또한, 도 8 에 나타내는 바와 같이, 노광 처리마다 형성된 제 1 연결 영역 (G31) 과 제 2 연결 영역 (G31) 이, 서로 겹치지 않는 장소에 위치한다. 따라서, 노광 줄무늬 (R) 를 효과적으로 완화시킬 수 있다.
이상, 도면 (도 1 ∼ 도 10) 을 참조하면서 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명하였다. 단, 본 발명은, 상기의 실시 형태에 한정되는 것이 아니고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 양태에 있어서 실시하는 것이 가능하다 (예를 들어, (1) ∼ (10)). 또한, 상기의 실시 형태에 개시되어 있는 복수의 구성 요소를 적절히 조합하는 것에 의해, 여러 가지 발명의 형성이 가능하다. 예를 들어, 실시 형태에 나타나는 전체 구성 요소로부터 몇 개의 구성 요소를 삭제해도 된다. 도면은, 이해하기 쉽게 하기 위해서, 각각의 구성 요소를 주체로 모식적으로 나타내고 있고, 도시된 각 구성 요소의 개수 등은, 도면 작성의 형편으로부터 실제와는 상이한 경우도 있다. 또한, 상기의 실시 형태에서 나타내는 각 구성 요소는 일례로서, 특별히 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 효과로부터 실질적으로 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 변경이 가능하다.
(1) 도 8 에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태에서는, 제 1 노광 처리에서는 노광량 50 % 의 묘화 광이 조사되고, 제 2 노광 처리에서도 노광량 50 % 의 묘화 광이 조사된다. 요컨대, 제 1 노광 처리와 제 2 노광 처리에서는, 동일한 패턴이 묘화된다. 그러나, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 제 1 노광 처리로 조사되는 묘화 광의 노광량과, 제 2 노광 처리로 조사되는 묘화 광의 노광량의 합이 필요 노광량과 대략 동일하면 된다. 필요 노광량은, 소정 패턴 (Q) 을 묘화하기 위해서 필요한 노광량을 나타낸다. 본 실시 형태에서는, 필요 노광량은, 노광량 100 % 이다.
도 11 을 참조하여, 노광 처리의 제 1 변형예에 대하여 설명한다. 도 11 은, 합성 그래프 (J) 의 제 1 변형예 (JA) 를 나타내는 도면이다. 도 11 에 나타내는 바와 같이, 필요 노광량이 노광량 100 % 인 경우, 예를 들어, 제 1 노광 처리로 조사되는 묘화 광의 노광량을 노광량 30 % 로 하고, 제 2 노광 처리로 조사되는 묘화 광의 노광량을 노광량 70 % 로 해도 된다. 따라서, 기판 (W) 에 노광량 100 % 의 묘화 광이 조사된다 (30 % + 70 % = 100 %). 그 결과, 필요 노광량과 동등한 노광량의 묘화 광이 기판 (W) 에 조사되기 때문에, 기판 (W) 에 소정 패턴 (Q) 을 묘화하는 것이 가능해진다.
(2) 본 실시 형태에서는, 필요 노광량은, 노광량 100 % 이다. 그러나, 본 발명은, 이것에 한정되지 않는다. 필요 노광량은, 노광량 0 % 보다 크면 된다. 또한, 필요 노광량은, 노광량 100 % 보다 커도 된다.
도 12 를 참조하여, 노광 처리의 제 2 변형예에 대하여 설명한다. 도 12 는, 합성 그래프 (J) 의 제 2 변형예 (JB) 를 나타내는 도면이다. 도 12 에 나타내는 바와 같이, 필요 노광량이 노광량 70 % 인 경우, 예를 들어, 제 1 노광 처리로 조사되는 묘화 광의 노광량을 노광량 35 % 로 하고, 제 2 노광 처리로 조사되는 묘화 광의 노광량을 노광량 35 % 로 해도 된다. 따라서, 기판 (W) 에 노광량 70 % 의 묘화 광이 조사된다 (35 % + 35 % = 70 %). 그 결과, 필요 노광량과 동등한 노광량의 묘화 광이 기판 (W) 에 조사되기 때문에, 기판 (W) 에 소정 패턴 (Q) 을 묘화하는 것이 가능해진다.
(3) 본 실시 형태에서는, 필요 노광량은, 소정 영역 (W1) 의 모든 위치에 있어서 일정한 노광량 100 % 이다. 그러나, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 필요 노광량은, 소정 영역 (W1) 중 묘화 광이 조사되는 장소마다 (화소마다) 상이해도 된다.
(4) 본 실시 형태에서는, 기판 (W) 에 소정 패턴 (Q) 을 묘화할 때, 노광 처리가 2 회 실시된다. 구체적으로는, 제 1 노광 처리와, 제 2 노광 처리가 실시된다. 그러나, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 노광 처리는 3 회 이상 실시되어도 된다. 예를 들어, 노광 처리는, 4 회 실시되어도 된다.
도 13 을 참조하여, 노광 처리가 4 회 실시된 경우의 묘화 광의 노광량에 대하여 설명한다. 도 13 은, 합성 그래프 (J) 의 제 3 변형예 (JC) 를 나타내는 도면이다. 도 13 에 나타내는 바와 같이, 제 1 노광 처리와, 제 2 노광 처리와, 제 3 노광 처리와, 제 4 노광 처리가 실시되어도 된다. 이 경우, 필요 노광량을 노광량 100 % 로 하면, 제 1 노광 처리 ∼ 제 4 노광 처리의 각각에 있어서, 예를 들어, 노광량 25 % 의 묘화 광이 조사된다. 따라서, 기판 (W) 에 노광량 100 % 의 묘화 광이 조사된다 (25 % + 25 % + 25 % + 25 % = 100 %). 그 결과, 필요 노광량과 동등한 노광량의 묘화 광이 기판 (W) 에 조사되기 때문에, 기판 (W) 에 소정 패턴 (Q) 을 묘화하는 것이 가능해진다.
(5) 도 14 를 참조하여, 제 1 연결 영역 (G31) 과, 제 2 연결 영역 (G32) 의 위치 관계의 변형예에 대하여 설명한다. 도 14 는, 합성 그래프 (J) 의 제 4 변형예 (JD) 를 나타내는 도면이다.
본 실시 형태에서는, 제 1 연결 영역 (G31) 과, 제 2 연결 영역 (G32) 은, 서로 겹치지 않는 장소에 배치된다 (도 8 참조). 그러나, 본 발명은, 이것에 한정되지 않는다. 노광 처리마다 형성되는 연결 영역 (G3) 의 위치는, 특별히 한정되지 않는다. 도 14 에 나타내는 바와 같이, 제 1 연결 영역 (G31) 과, 제 2 연결 영역 (G32) 이, 서로 겹치는 장소에 배치되어도 된다. 그 결과, 소정 패턴 (Q) 의 현상 후에, 연결 영역 (G3) 에 발생하는 노광 줄무늬 (R) 를 완화시킬 수 있다.
이하에서는, 제 1 연결 영역 (G31) 과 제 2 연결 영역 (G32) 이 서로 겹치는 장소에 배치되는 경우에도, 노광 줄무늬 (R) 를 완화시킬 수 있는 원리에 대하여 설명한다. 본원 발명자는, 연결 영역 (G3) 의 노광량이 소정의 임계값을 초과하면, 노광 줄무늬 (R) 의 진함이 갑자기 증가하는 것을 발견하였다. 요컨대, 연결 영역 (G3) 의 노광량이 소정의 임계값보다 적을 때에는, 노광 줄무늬 (R) 가 완화되어 있다. 따라서, 본원과 같이 소정 영역 (W1) 에 대한 노광 처리를 복수 실시함으로써, 연결 영역 (G3) 의 노광량을 소정의 임계값보다 적게 할 수 있기 때문에, 연결 영역 (G3) 에 형성되는 노광 줄무늬 (R) 가 완화된 상태를 확보할 수 있다. 그 결과, 제 1 연결 영역 (G31) 과 제 2 연결 영역 (G32) 이 서로 겹치는 장소에서도, 노광 처리를 한 번에 완료하는 경우에 비하여, 노광 줄무늬 (R) 를 완화시킬 수 있다.
(6) 광학 유닛 (40) 의 광 변조 소자는, GLV 에 한정되지 않는다. 광학 유닛 (40) 의 광 변조 소자는, 묘화 광의 출사율을 변경할 수 있는 구조를 가지고 있으면 된다. 광 변조 소자는, 예를 들어, DMD (Digital Micromirror Device) 여도 된다.
(7) 본 실시 형태에서는, 1 개의 광학 유닛 (40) 이 형성된다. 그러나, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 광학 유닛 (40) 은, 예를 들어, 2 개 이상 형성되어 있어도 된다. 광학 유닛 (40) 이 2 개 형성되는 경우, 예를 들어, 일방의 광학 유닛 (40) 이 기판 (W) 의 소정 영역 (W1) 중 절반의 영역의 노광을 담당하고, 타방의 광학 유닛 (40) 이 소정 영역 (W1) 중 나머지 절반의 노광을 담당한다.
(8) 본 실시 형태에서는, 노광 처리가 실시될 때, 기판 (W) 이 이동한다. 그러나, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 노광 처리가 실시될 때, 광학 유닛 (40) 이 이동해도 되고, 기판 (W) 및 광학 유닛 (40) 의 양방이 이동해도 된다. 또한, 기판 (W) 이 이동하는 것은, 기판 (W) 이 스테이지 (10) 에 유지되어 있는 상태에서, 스테이지 (10) 가 이동하는 것을 나타낸다.
(9) 도 4 에 나타내는 스텝 S20 및 스텝 S30 이 실시될 때의, 기판 (W) 의 이동 속도에 대하여 설명한다.
본 실시 형태에서는, 스텝 S20 및 스텝 S30 의 각각에 있어서, 기판 (W) 의 소정 영역 (W1) 에 대하여 노광량 50 % 의 묘화 광을 조사하는 경우 (도 5 및 도 7 참조), 소정 영역 (W1) 에 대하여 노광량 100 % 의 묘화 광을 한 번에 조사하는 경우 (도 9(a) 참조) 와 비교하여, 묘화 광의 에너지는 동일하면서, 기판 (W) 의 이동 속도는 2 배의 속도로 한다. 그 결과, 소정 영역 (W1) 에 대하여 노광량 100 % 의 묘화 광을 한 번에 조사하는 경우와 비교하여, 노광 처리에 필요로 하는 시간이 길어지는 것을 억제할 수 있다. 그러나, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다.
스텝 S20 및 스텝 S30 의 각각에 있어서, 기판 (W) 의 소정 영역 (W1) 에 대하여 노광량 50 % 의 묘화 광을 조사하는 경우, 노광량 100 % 의 묘화 광을 한 번에 조사하는 경우와 비교하여, 묘화 광의 에너지는 반감시키면서, 기판 (W) 의 이동 속도는 동일하게 해도 된다.
(10) 본 실시 형태에서는, 기판 (W) 에 묘화되는 패턴은, 노광 처리 후의 현상에 의해, 노광된 영역이 최종적으로 화상 패턴으로서 남는 네거티브 패턴이다. 그러나, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 기판 (W) 에 묘화되는 패턴은, 노광 처리 후의 현상에 의해, 노광되지 않은 영역이 남는 포지티브 패턴이어도 된다.
본 발명은, 묘화 장치, 및 묘화 방법의 분야에 이용 가능하다.
W ; 기판
1 ; 묘화 장치
10 ; 스테이지
20 ; 구동 기구
40 ; 광학 유닛 (조사부)
60 ; 제어부
G3 ; 연결 영역
W1 ; 소정 영역
1 ; 묘화 장치
10 ; 스테이지
20 ; 구동 기구
40 ; 광학 유닛 (조사부)
60 ; 제어부
G3 ; 연결 영역
W1 ; 소정 영역
Claims (12)
- 기판에 묘화 광을 조사함으로써 상기 기판에 패턴을 묘화하는 묘화 장치로서,
상기 묘화 광을 조사하는 조사부와,
상기 조사부를 제어하는 제어부,
를 구비하고,
상기 조사부가 다중 노광 처리를 실시하도록, 상기 제어부가 상기 조사부를 제어하고,
상기 다중 노광 처리는, 상기 기판의 소정 영역에 대하여 상기 조사부에 의해 상기 묘화 광을 조사하는 노광 처리를 복수 포함하고,
상기 다중 노광 처리는,
상기 기판의 소정 영역 전체면에 대하여 상기 조사부에 의해 조사되는 상기 묘화 광을 상대적으로 주사하는 제 1 노광 처리와,
상기 제 1 노광 처리된 상기 기판의 소정 영역 전체면에 대하여 상기 조사부에 의해 조사되는 상기 묘화 광을 상대적으로 주사하는 제 2 노광 처리를 포함하고,
상기 복수의 노광 처리의 각각은, 연결 영역이 형성되도록 상기 조사부에 의해 상기 묘화 광을 병렬로 조사하는 처리를 포함하고,
상기 연결 영역은, 상기 병렬로 조사된 상기 묘화 광의 조사 영역의 일부끼리 겹치는 영역을 나타내는, 묘화 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 다중 노광 처리에 의해 형성된 복수의 상기 연결 영역이, 서로 겹치지 않는 장소에 위치하는, 묘화 장치. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 복수의 노광 처리 중 적어도 2 개의 노광 처리에서는 상기 기판에 동일한 패턴이 묘화되도록, 상기 제어부가 상기 조사부를 제어하는, 묘화 장치. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 연결 영역은 패턴이 묘화되는 영역인, 묘화 장치. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 다중 노광 처리에 의해 상기 기판에 소정 패턴이 묘화되는 경우, 상기 노광 처리마다 상기 기판에 조사된 상기 묘화 광의 노광량의 각각의 합계가, 상기 소정 패턴을 묘화하기 위해서 필요한 필요 노광량과 동일해지도록, 상기 제어부가 상기 조사부를 제어하는, 묘화 장치. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 기판을 유지하는 스테이지와,
상기 조사부에 대하여 상기 스테이지를 이동시키는 구동 기구
를 추가로 구비하고,
상기 조사부에 대한 상기 스테이지의 이동 속도가 빨라질수록, 상기 기판에 대한 상기 묘화 광의 노광량이 감소하도록, 상기 제어부가 상기 구동 기구를 제어함으로써 상기 묘화 광의 노광량을 조정하는, 묘화 장치. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 기판에 대한 상기 묘화 광의 조사 위치와, 상기 묘화 광의 노광량의 관계를 나타내는 그래프는, 사다리꼴상으로 형성되는 부분을 갖고,
상기 사다리꼴상의 부분은, 상기 노광량이 일정한 중앙부와, 상기 중앙부에 연이어 있고, 상기 중앙부로부터 이간됨에 수반하여 상기 노광량이 체감하는 1 쌍의 단부를 갖고,
상기 1 쌍의 단부 사이에는 상기 중앙부가 위치하는, 묘화 장치. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 노광 처리시에 상기 기판에 조사된 상기 묘화 광의 제 1 노광량이, 상기 제 2 노광 처리시에 상기 기판에 조사된 상기 묘화 광의 제 2 노광량과 동등하거나, 또는, 상기 제 1 노광량이 상기 제 2 노광량과 상이한, 묘화 장치. - 기판에 묘화 광을 조사함으로써 상기 기판에 패턴을 묘화하는 묘화 방법으로서,
다중 노광 처리를 실시하는 다중 노광 공정을 포함하고,
상기 다중 노광 처리는, 상기 기판의 소정 영역에 대하여 상기 묘화 광을 조사하는 노광 처리를 복수 포함하고,
상기 다중 노광 처리는,
상기 기판의 소정 영역 전체면에 대하여 상기 묘화 광을 상대적으로 주사하는 제 1 노광 처리와,
상기 제 1 노광 처리된 상기 기판의 소정 영역 전체면에 대하여 상기 묘화 광을 상대적으로 주사하는 제 2 노광 처리를 포함하고,
상기 복수의 노광 처리의 각각은, 연결 영역이 형성되도록 상기 묘화 광을 병렬로 조사하는 처리를 포함하고,
상기 연결 영역은, 상기 병렬로 조사된 상기 묘화 광의 조사 영역의 일부끼리 겹치는 영역을 나타내는, 묘화 방법. - 기판에 묘화 광을 조사함으로써 상기 기판에 패턴을 묘화하는 묘화 장치로서,
광 변조 소자에 의해 상기 묘화 광을 생성하고, 상기 묘화 광을 조사하는 조사부와,
상기 조사부를 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 조사부가 다중 노광 처리를 실시하도록, 상기 제어부가 상기 조사부를 제어하고,
상기 다중 노광 처리는, 상기 기판의 소정 영역에 대하여 상기 조사부에 의해 상기 묘화 광을 조사하는 노광 처리를 복수 포함하고,
상기 복수의 노광 처리의 각각은, 연결 영역이 형성되도록 상기 조사부에 의해 상기 묘화 광을 병렬로 연속적으로 조사하는 처리를 포함하고,
상기 연결 영역은, 상기 병렬로 연속적으로 조사된 상기 묘화 광의 조사 영역의 일부끼리 겹치는 영역을 나타내는, 묘화 장치. - 제 10 항에 있어서,
상기 다중 노광 처리는, 제 1 노광 처리 및 제 2 노광 처리를 포함하고,
상기 제 1 노광 처리는, 상기 연결 영역으로서, 제 1 연결 영역을 형성하고,
상기 제 2 노광 처리는, 상기 연결 영역으로서, 제 2 연결 영역을 형성하고,
상기 제 1 노광 처리 및 상기 제 2 노광 처리에 의해 형성된 상기 제 1 연결 영역과 상기 제 2 연결 영역은, 서로 겹치지 않는 장소에 위치하는, 묘화 장치. - 광 변조 소자에 의해 생성한 묘화 광을 기판에 조사함으로써 상기 기판에 패턴을 묘화하는 묘화 방법으로서,
다중 노광 처리를 실시하는 다중 노광 공정을 포함하고,
상기 다중 노광 처리는, 상기 기판의 소정 영역에 대하여 상기 묘화 광을 조사하는 노광 처리를 복수 포함하고,
상기 복수의 노광 처리의 각각은, 연결 영역이 형성되도록 상기 묘화 광을 병렬로 연속적으로 조사하는 처리를 포함하고,
상기 연결 영역은, 상기 병렬로 연속적으로 조사된 상기 묘화 광의 조사 영역의 일부끼리 겹치는 영역을 나타내는, 묘화 방법.
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JP2022097979A (ja) * | 2020-12-21 | 2022-07-01 | 株式会社Screenホールディングス | 描画装置、描画システムおよび描画方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003057833A (ja) * | 2001-08-10 | 2003-02-28 | Pentax Corp | 多重露光描画装置および多重露光描画装置の露光領域変形防止機構 |
JP2010026465A (ja) * | 2008-07-24 | 2010-02-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | パターン描画装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2980270B2 (ja) * | 1992-08-20 | 1999-11-22 | 松下電子工業株式会社 | 電子ビーム描画方法 |
JP2000260686A (ja) * | 1999-03-08 | 2000-09-22 | Toshiba Corp | 露光方法及び露光装置 |
JP2000299273A (ja) * | 1999-04-14 | 2000-10-24 | Nikon Corp | 周辺露光装置及び方法 |
TW486741B (en) * | 2000-04-17 | 2002-05-11 | Nikon Corp | Aligner and method of exposure |
KR100573469B1 (ko) * | 2003-12-30 | 2006-04-24 | 동부아남반도체 주식회사 | 전자빔을 이용하는 포토마스크의 다중 노광방법 |
JP2006147760A (ja) * | 2004-11-18 | 2006-06-08 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 露光装置および露光方法 |
DE102008017623A1 (de) * | 2007-04-05 | 2008-10-09 | Heidelberg Instruments Mikrotechnik Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Abbilden einer programmierbaren Maske auf einem Substrat |
JP2012073420A (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置の製造方法 |
JP2014066954A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 描画装置、および、描画方法 |
JP6467233B2 (ja) * | 2015-01-29 | 2019-02-06 | 株式会社Screenホールディングス | 検査装置、描画装置及び検査方法 |
-
2018
- 2018-09-14 JP JP2018172476A patent/JP7182406B2/ja active Active
-
2019
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003057833A (ja) * | 2001-08-10 | 2003-02-28 | Pentax Corp | 多重露光描画装置および多重露光描画装置の露光領域変形防止機構 |
JP2010026465A (ja) * | 2008-07-24 | 2010-02-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | パターン描画装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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