JP2003057833A

JP2003057833A - 多重露光描画装置および多重露光描画装置の露光領域変形防止機構

Info

Publication number: JP2003057833A
Application number: JP2001243398A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Washiyama; 裕之鷲山
Original assignee: Pentax Corp
Current assignee: Pentax Corp
Priority date: 2001-08-10
Filing date: 2001-08-10
Publication date: 2003-02-28

Abstract

(57)【要約】【課題】マトリクス状に配置された多数の変調素子を
持つ露光ユニットを用いて回路パターンを描画する際
に、各変調素子に対応する露光領域の変形を防止して回
路パターンを高精度に描画する。【解決手段】マトリクス状に配列された多数のマイク
ロミラーＭ（ｍ，ｎ）を持つ露光ユニット２０₀₁を用い
て、多重露光により描画面上に所定パターンを描画す
る。描画面と光源との間にマイクロミラーＭ（ｍ，ｎ）
の露光作動に同期して回転するシャッタ部材２３を設け
る。マイクロミラーＭ（ｍ，ｎ）の静止時にはシャッタ
部材２３の光透過領域２３Ａが光路を横切って光源から
の照明光を描画面へ導く。マイクロミラーＭ（ｍ，ｎ）
の相対移動時にはシャッタ部材２３の遮光領域２３Ｂが
光路を横切って光源からの照明光を遮断する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はマトリクス状に配置
された多数の変調素子を持つ露光ユニットを用いて描画
面上に所定のパターンを描画する描画装置に関し、特に
個々の変調素子のパターン切り替え時に発生する露光領
域の変形を防止する露光領域変形防止機構に関する。

【０００２】

【従来の技術】上述したような描画装置は一般的には適
当な被描画体の表面に微細なパターンや文字等の記号を
光学的に描画するために使用される。代表的な使用例と
しては、フォトリゾグラフィ（photolithography）の手
法によりプリント回路基板を製造する際の回路パターン
の描画が挙げられ、この場合には被描画体はフォトマス
ク用感光フィルム或いは基板上のフォトレジスト層であ
る。

【０００３】近年、回路パターンの設計プロセスから描
画プロセスに至るまでの一連のプロセスは統合されてシ
ステム化され、描画装置はそのような統合システムの一
翼を担っている。統合システムには、描画装置の他に、
回路パターンを設計するためのＣＡＤ（Computer Aided
Design）ステーション、このＣＡＤステーションで得
られた回路パターンのベクタデータを編集するＣＡＭ
（Computer Aided Manufacturing）ステーション等が設
けられる。ＣＡＤステーションで作成されたベクタデー
タ或いはＣＡＭステーションで編集されたベクタデータ
は描画装置に転送され、そこでラスタデータに変換され
た後にビットマップメモリに格納される。

【０００４】露光ユニットの一タイプとして、例えばＤ
ＭＤ（Digital Micromirror Device）或いはＬＣＤ（Li
quid Crystal Display）アレイ等から構成されるものが
知られている。周知のように、ＤＭＤの反射面には、マ
イクロミラーがマトリクス状に配置され、個々のマイク
ロミラーの反射方向が独立して制御されるようになって
おり、このためＤＭＤの反射面の全体に導入された光束
は個々のマイクロミラーによる反射光束として分割され
るようになっており、このため各マイクロミラーは変調
素子として機能する。また、ＬＣＤアレイにおいては、
一対の透明基板間に液晶が封入され、その双方の透明基
板には互いに整合させられた多数対の微細な透明電極が
マトリクス状に配置され、個々の一対の透明電極に電圧
を印加するか否かにより光束の透過および非透過が制御
されるようになっており、このため各一対の透明電極が
変調素子として機能する。

【０００５】描画装置には被描画体の感光特性に応じた
適当な光源装置、例えば超高圧水銀灯、キセノンラン
プ、フラッシュランプ、ＬＥＤ（Light Emitting Diod
e）、レーザ等が設けられ、また露光ユニットには結像
光学系が組み込まれる。光源装置から射出した光束は照
明光学系を通して露光ユニットに導入させられ、露光ユ
ニットの個々の変調素子はそこに入射した光束を回路パ
ターンのラスタデータに従って変調し、これにより回路
パターンが被描画体上に露光されて光学的に描画され
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】以上で述べたような従
来の描画装置にあっては、個々のマイクロミラーは略正
方形を呈し、その対角線を回転軸として異なる２つの反
射位置の間で相対回転するように構成されている。一
方、光源はその光出力を一定に保つために常時点灯させ
られており、マイクロミラーは２つの反射位置で位置決
めされている間であっても相対回転時であっても常に照
明光に照らされている。このため、描画面上には本来マ
イクロミラーに対応した正方形の領域が露光されるべき
であるのに、マイクロミラーの回転時にも照明光が供給
されるために、その露光領域は菱形に変形して回路パタ
ーンを高精度に描画できないという問題点が生じる。

【０００７】従って、本発明の目的は、マトリクス状に
配置された多数の変調素子を持つ露光ユニットを複数個
用いて描画面上に所定のパターンを描画する描画装置に
おいて、各変調素子に対応する露光領域の変形を防止し
て回路パターンを高精度に描画することができる多重露
光描画装置を提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明に係る多重露光描
画装置は、マトリクス状に配置された多数の変調素子を
有する露光ユニットを用いて所定のパターンを描画面上
に多重露光により描画する多重露光描画装置であって、
変調素子に対して常時照明光を供給する光源と、個々の
変調素子を、照明光を描画面へ導く第１状態と照明光の
描画面への到達を阻止する第２状態とのいずれか一方に
設定する変調素子制御手段と、光源と描画面との間の光
路上に設けられたシャッタ部材を有し、このシャッタ部
材が、全ての変調素子が第１状態または第２状態で安定
している安定期間においては変調された照明光を描画面
に導くと共に変調素子が第１状態と第２状態との間を遷
移する遷移期間においては照明光を遮断することによ
り、変調素子のそれぞれに対応した描画面における個々
の露光領域の変形を防止する露光領域変形防止機構とを
備えることを特徴としている。

【０００９】上記多重露光描画装置において、変調素子
に常時照明光を供給する光源としては、例えば超高圧水
銀ランプ、キセノンランプまたはフラッシュランプが含
まれる。

【００１０】上記多重露光描画装置のシャッタ部材は、
照明光の光路を横切るように回転自在な円板部材であっ
てよく、好ましくはこの円板部材には安定期間において
光路を横断する光透過領域と遷移期間において光路を横
断する遮光領域とが設けられる。

【００１１】さらに、この円板部材は光透過性の良好な
部材から形成され、その一部が遮光フィルタにより覆わ
れてもよく、このとき遮光フィルタを除く領域が光透過
領域に定められると共に、遮光フィルタに覆われる領域
が遮光領域に定められる。またさらに、円板部材が遮光
性の良好な部材から形成され、その一部に開口が形成さ
れてもよく、この場合開口が光透過領域に定められると
共に、開口を除く領域が遮光領域に定められる。さらに
好ましくは、シャッタ部材の遮光領域が光路を横断する
通過期間が遷移期間より長く、かつ遮光領域の光路横断
開始が遷移期間の開始より早く設定されると共に、シャ
ッタ部材の光透過領域が光路を横断する通過期間が安定
期間より短く、かつ光透過領域の光路横断開始が安定期
間の開始より遅く設定される。

【００１２】また、本発明に係る多重露光描画装置は、
マトリクス状に配置された多数の変調素子を有する露光
ユニットを用いて所定のパターンを描画面上に多重露光
により描画する多重露光描画装置であって、個々の変調
素子を、照明光を描画面へ導く第１状態と照明光の描画
面への到達を阻止する第２状態とのいずれか一方に設定
する変調素子制御手段と、全ての変調素子が第１状態ま
たは第２状態で安定している安定期間においては点灯さ
れて変調素子に照明光を供給すると共に、変調素子が第
１状態と第２状態との間を遷移する遷移期間においては
消灯されることにより、変調素子のそれぞれに対応した
描画面における個々の露光領域の変形を防止する光源と
を備えることを特徴としている。

【００１３】上記多重露光描画装置において、変調素子
に照明光を供給するまたは供給を停止する光源には、例
えば複数のＬＥＤ（Light Emitting Diode）素子が含ま
れる。

【００１４】上記多重露光描画装置において、光源の消
灯期間が遷移期間より長くかつ消灯開始が遷移期間の開
始より早く設定されると共に、光源の点灯期間は安定期
間より短く、かつ点灯開始が安定期間の開始より遅く設
定されてもよい。

【００１５】また本発明に係る露光領域変形防止機構
は、マトリクス状に配置された個々の変調素子を、照明
光を描画面へ導く第１状態と照明光の描画面への到達を
阻止する第２状態とのいずれか一方に設定可能な露光ユ
ニットを用いて所定のパターンを描画面上に多重露光に
より描画する多重露光描画装置に適用されるものであっ
て、変調素子に対して常時照明光を供給する光源と描画
面との間の光路上に設けられるシャッタ部材を備え、こ
のシャッタ部材が、全ての変調素子が第１状態または第
２状態で安定している安定期間においては変調された照
明光を描画面に導くと共に変調素子が第１状態と第２状
態との間を遷移する遷移期間においては照明光を遮断す
ることにより、変調素子のそれぞれに対応した描画面に
おける個々の露光領域の変形を防止することを特徴とす
る。

【００１６】また本発明に係る露光領域変形防止機構
は、マトリクス状に配置された個々の変調素子を、照明
光を描画面へ導く第１状態と照明光の描画面への到達を
阻止する第２状態とのいずれか一方に設定可能な露光ユ
ニットを用いて所定のパターンを描画面上に多重露光に
より描画する多重露光描画装置に適用されるものであっ
て、全ての変調素子が第１状態または第２状態で安定し
ている安定期間においては光源を点灯して変調素子に照
明光を供給すると共に、変調素子が第１状態と第２状態
との間を遷移する遷移期間においては光源を消灯するこ
とにより、変調素子のそれぞれに対応した描画面におけ
る個々の露光領域の変形を防止することを特徴とする。

【００１７】

【発明の実施の形態】次に、添付図面を参照して、本発
明による多重露光描画装置の一実施形態について説明す
る。

【００１８】図１には、本発明による多重露光描画装置
の実施形態が斜視図として概略的に示される。この多重
露光描画装置はプリント回路基板を製造するための基板
上に形成されたフォトレジスト層に回路パターンを直接
描画するように構成されている。

【００１９】図１に示すように、多重露光描画装置１０
は床面上に据え付けられる基台１２を備える。基台１２
上には一対のガイドレール１４が平行に敷設され、さら
にそれらガイドレール１４上には描画テーブル１６が搭
載される。この描画テーブル１６は図示されない適当な
駆動機構、例えばボール螺子等をステッピングモータ等
のモータにより駆動させられ、これにより一対のガイド
レール１４に沿ってそれらの長手方向であるＸ方向に相
対移動する。描画テーブル１６上には被描画体３０とし
てフォトレジスト層を持つ基板が設置され、このとき被
描画体３０は図示されない適当なクランプ手段によって
描画テーブル１６上に適宜固定される。

【００２０】基台１２上には一対のガイドレール１４を
跨ぐようにゲート状構造体１８が固設され、このゲート
状構造体１８の上面には複数の露光ユニットが描画テー
ブル１６の移動方向（Ｘ方向）に対して直角なＹ方向に
２列に配列される。第１列目に配された８個の露光ユニ
ットを図の左側から順に符号２０₀₁、２０₀₃、２０₀₅、
２０₀₇、２０₀₉、２０₁₁、２０₁₃および２０₁₅で示し、
その後方に配された第２列目の７個の露光ユニットを図
の左側から符号２０₀₂、２０₀₄、２０₀₆、２０ ₀₈、２０
₁₀、２０₁₂および２０₁₄で示している。

【００２１】第１列目の露光ユニット２０₀₁、２０₀₃、
２０₀₅、２０₀₇、２０₀₉、２０₁₁、２０₁₃および２０₁₅
と、第２列目の露光ユニット２０₀₂、２０₀₄、２０₀₆、
２０ ₀₈、２０₁₀、２０₁₂および２０₁₄とは所謂千鳥状に
配置される。即ち、隣り合う２つの露光ユニット間の距
離は、全て１つの露光ユニットの幅に略等しく設定さ
れ、第２列目の露光ユニット２０₀₂、２０₀₄、２０₀₆、
２０₀₈、２０₁₀、２０₁₂および２０₁₄の配列ピッチは第
１列目の露光ユニット２０₀₁、２０₀₃、２０₀₅、２
０₀₇、２０₀₉、２０₁₁、２０₁₃および２０₁₅の配列ピッ
チに対して半ピッチだけずらされている。

【００２２】本実施形態では、１５個の露光ユニット２
０₀₁〜２０₁₅はそれぞれＤＭＤユニットとして構成され
ており、各露光ユニットの反射面は例えば１０２４×１
２８０のマトリクス状に配列された１３１０７２０個の
変調素子（以下、マイクロミラーと記載する）から形成
される。各露光ユニット２０₀₁〜２０₁₅は、Ｘ軸に沿っ
て１０２４個、Ｙ軸に沿って１２８０個のマイクロミラ
ーが配列されるように設置される。

【００２３】ゲート状構造体１８の上面の適当な箇所、
例えば第１露光ユニット２０₀₁の図中左方には光源装置
２２が設けられる。この光源装置２２には図示しない超
高圧水銀ランプが用いられており、この超高圧水銀ラン
プから発した光は集光されて平行光束として光源装置２
２の射出口から射出される。光源装置２２は、その光出
力を所定レベルに安定させるために、多重露光描画装置
１０の電源（図示せず）が投入されてから切断されるま
で、常時所定レベルの照明光を出射する。光源装置２２
には超高圧水銀ランプの他、キセノンランプ、フラッシ
ュランプおよびレーザ等を用いてもよい。

【００２４】光源装置２２の射出口には１５本の光ファ
イバケーブル束が接続され、個々の光ファイバケーブル
２４は１５個の露光ユニット２０₀₁〜２０₁₅のそれぞれ
に対して延設され、これにより光源装置２２から各露光
ユニット２０₀₁〜２０₁₅へ照明光が導入される。各露光
ユニット２０₀₁〜２０₁₅は、光源装置２２からの照明光
を描くべき回路パターンに応じて変調し、図の下方即ち
ゲート状構造体１８の内側を進む描画テーブル１６上の
被描画体３０に向かって出射する。これにより、被描画
体３０の上面に形成されたフォトレジスト層において照
明光が照射された部分だけが感光する。

【００２５】図２には、第１露光ユニット２０₀₁の主要
構成が概念的に図示されている。他の１４個の露光ユニ
ット２０₀₂〜２０₁₅は第１露光ユニット２０₁と同じ構
成および機能を有しており、ここでは説明を省略する。
第１露光ユニット２０₁には、照明光学系２６および結
像光学系２８が組み込まれ、両者の間の光路上にはＤＭ
Ｄ素子２７が設けられる。このＤＭＤ素子２７は、例え
ばウェハ上にアルミスパッタリングで作りこまれた、反
射率の高い正方形マイクロミラーを静電界作用により動
作させるデバイスであり、このマイクロミラーはシリコ
ンメモリチップの上に１０２４×１２８０のマトリクス
状に１３１０７２０個敷き詰められている。それぞれの
マイクロミラーは、対角線を中心に回転傾斜することが
でき、後で詳述する安定した２つの姿勢、即ち露光位置
（第１状態）および非露光位置（第２状態）に位置決め
できる。

【００２６】照明光学系２６は凸レンズ２６Ａおよびコ
リメートレンズ２６Ｂを含み、凸レンズ２６Ａは光源装
置２２から延設された光ファイバケーブル２４と光学的
に結合される。このような照明光学系２６により、光フ
ァイバケーブル３０から射出した光束は第１露光ユニッ
ト２０₀₁のＤＭＤ素子２７の反射面全体を照明するよう
な平行光束ＬＢに成形される。

【００２７】光ファイバケーブル２４と第１露光ユニッ
ト２０₁との間には、一定速度で回転する円板状のシャ
ッタ部材２３が設けられており、第１露光ユニット２０
₁の作動させるべきマイクロミラーが露光位置または非
露光位置で静止している安定期間には、図に示すように
シャッタ部材２３の光透過領域２３Ａが光路を横断し、
照明光が第１露光ユニット２０₁に導入される。一方、
第１露光ユニット２０₁の作動させるべきマイクロミラ
ーが露光位置と非露光位置との間で相対移動する遷移期
間にはシャッタ部材２３の遮光領域２３Ｂが光路を横断
し、照明光は第１露光ユニット２０₁へ導入されない。
シャッタ部材２３についは後で詳述する。

【００２８】結像光学系２８には２つの凸レンズ２８Ａ
および２８Ｃと、２つの凸レンズ２８Ａおよび２８Ｃ間
に配されるリフレクタ２８Ｂとが含まれ、この結像光学
系２８の倍率は例えば等倍（倍率１）に設定される。

【００２９】第１露光ユニット２０₀₁に含まれる個々の
マイクロミラーはそれぞれに入射した光束を結像光学系
２８に向けて反射させる露光位置と該光束を結像光学系
２８から逸らすように反射させる非露光位置との間で回
動変位するように動作させられる。任意のマイクロミラ
ーＭ（ｍ，ｎ）（１≦ｍ≦１０２４，１≦ｎ≦１２８
０）が露光位置に位置決めされると、そこに入射したス
ポット光は一点鎖線ＬＢ ₁で示されるように結像光学系
２８に向かって反射され、同マイクロミラーＭ（ｍ，
ｎ）が非露光位置に位置決めされると、スポット光は一
点鎖線ＬＢ₂で示されるように光吸収板２９に向かって
反射されて結像光学系２８から逸らされる。

【００３０】マイクロミラーＭ（ｍ，ｎ）から反射され
たスポット光ＬＢ₁は、結像光学系２８によって描画テ
ーブル１６上に設置された被描画体３０の描画面３２上
に導かれる。例えば、第１露光ユニット２０₀₁に含まれ
る個々のマイクロミラーＭ（ｍ，ｎ）のサイズがＣ×Ｃ
であるとすると、結像光学系２８の倍率は等倍であるか
ら、マイクロミラーＭ（ｍ，ｎ）の反射面は描画面３２
上のＣ×Ｃの露光領域Ｕ（ｍ，ｎ）として結像される。
Ｃは例えば２０μｍである。

【００３１】なお、１つのマイクロミラーＭ（ｍ，ｎ）
によって得られるＣ×Ｃの露光領域は以下の記載では単
位露光領域Ｕ（ｍ，ｎ）として言及され、全てのマイク
ロミラーＭ（１，１）〜Ｍ（１０２４，１２８０）によ
って得られる（Ｃ×１０２４）×（Ｃ×１２８０）の露
光領域は、全面露光領域Ｕａ₀₁として言及される。

【００３２】図２の左上隅のマイクロミラーＭ（１，
１）に対応する単位露光領域Ｕ（１，１）は全面露光領
域Ｕａ₀₁の左下隅に位置し、左下隅のマイクロミラーＭ
（１０２４，１）に対応する単位露光領域Ｕ（１０２
４，１）は全面露光領域Ｕａ₀₁の左上隅に位置する。ま
た、右上隅のマイクロミラーＭ（１，１２８０）に対応
する単位露光領域Ｕ（１，１２８０）は全面露光領域Ｕ
ａ₀₁の右下隅に位置し、右下隅のマイクロミラーＭ（１
０２４，１２８０）に対応する単位露光領域Ｕ（１０２
４，１２８０）は全面露光領域Ｕａ₀₁の右上隅に位置す
る。

【００３３】第１露光ユニット２０₀₁では、個々のマイ
クロミラーＭ（ｍ，ｎ）は通常は非露光位置に位置決め
されているが、露光時には非露光位置から露光位置に回
動変位させられる。マイクロミラーＭ（ｍ，ｎ）の非露
光位置から露光位置への回動変位の制御については、後
述するように回路パターンのラスタデータに基づいて行
われる。なお、結像光学系２８から逸らされたスポット
光ＬＢ₂は描画面３２に到達しないように光吸収板２９
によって吸収される。

【００３４】第１露光ユニット２０₀₁に含まれる１３１
０７２０個の全てのマイクロミラーが露光位置に置かれ
たときは、全マイクロミラーから反射された全スポット
光が結像光学系２８に入射させられ、描画面３２上には
第１露光ユニット２０₀₁による全面露光領域Ｕａ₀₁が形
成される。全面露光領域Ｕａ₀₁のサイズについては、単
位露光領域Ｕ（ｍ，ｎ）の一辺長さＣが２０μｍであれ
ば、２５．６ｍｍ（＝１０２４×２０μｍ）×２０．４
８ｍｍ（＝１２８０×２０μｍ）となり、そこに含まれ
る総画素数は勿論１０２４×１２８０個となる。

【００３５】図３（ａ）〜（ｃ）を参照して、多重露光
描画装置における描画処理について説明する。図３
（ａ）〜（ｃ）は描画処理の経時変化を段階的に示す図
であり、被描画体３０の描画面３２の平面図である。以
下の説明の便宜上、描画面３２を含む平面上にはＸ−Ｙ
直交座標系が定義される。破線で囲まれた長方形の領域
は、１５個の露光ユニット２０₀₁〜２０₁₅のそれぞれに
よってＸ−Ｙ平面上で得られる全面露光領域Ｕａ₀₁〜Ｕ
ａ₁₅である。第１列の全面露光領域Ｕａ₀₁、Ｕａ₀₃、Ｕ
ａ₀₅、Ｕａ₀₇、Ｕａ₀₉、Ｕａ₁₁、Ｕａ₁₃およびＵａ₁₅は
その図中下辺がＹ軸に一致するように配置させられ、第
２列の全面露光領域Ｕａ₀₂、Ｕａ₀₄、Ｕａ₀₆、Ｕａ₀₈、
Ｕａ₁₀、Ｕａ₁₂およびＵａ₁₄はその図中下辺がＹ軸から
負側に距離Ｓだけ離れた直線に一致するように配され
る。

【００３６】Ｘ−Ｙ直交座標系のＸ軸は露光ユニット２
０₀₁〜２０₁₅の配列方向に対して直角とされ、このため
各露光ユニット２０₀₁〜２０₁₅内のそれぞれ１３１０７
２０（１０２４×１２８０）個のマイクロミラーもＸ−
Ｙ直交座標系のＸ軸およびＹ軸に沿ってマトリクス状に
配列される。

【００３７】図３では、Ｘ−Ｙ直交座標系の座標原点は
第１列目の第１露光ユニット２０₀₁によって得られる全
面露光領域Ｕａ₀₁の図中左下角に一致しているように図
示されているが、正確には、座標原点は第１露光ユニッ
ト２０₀₁のＹ軸に沿う第１ラインのマイクロミラーのう
ちの先頭のマイクロミラーＭ（１，１）によって得られ
る単位露光領域Ｕ（１，１）の中心に位置する。上述し
たように、本実施形態では単位露光領域Ｕ（１，１）の
サイズは２０μｍ×２０μｍであるので、Ｙ軸は第１露
光ユニット２０による全面露光領域Ｕａ₀₁の境界から１
０μｍだけ内側に進入したものとなっている。換言すれ
ば、第１列目の８つの露光ユニット２０ ₀₁、２０₀₃、２
０₀₅、２０₀₇、２０₀₉、２０₁₁、２０₁₃および２０₁₅の
それぞれの第１ラインに含まれる１２８０個のマイクロ
ミラーＭ（１，ｎ）（１≦ｎ≦１２８０）の全ての中心
がＹ軸上に位置する。

【００３８】描画面３２は描画テーブル１６により白抜
き矢印で示すようにＸ軸に沿ってその負の方向に向かっ
て移動させられるので、全面露光領域Ｕａ₀₁〜Ｕａ₁₅は
描画面３２に対してＸ軸の正の方向に相対移動すること
になる。

【００３９】描画面３２に設定された描画開始位置ＳＬ
がＹ軸、即ち第１列目の８個の露光ユニット２０₀₁、２
０₀₃、２０₀₅、２０₀₇、２０₀₉、２０₁₁、２０₁₃および
２０ ₁₅に対応する第１列目の全面露光領域Ｕａ₀₁、Ｕａ
₀₃、Ｕａ₀₅、Ｕａ₀₇、Ｕａ₀₉、Ｕａ₁₁、Ｕａ₁₃およびＵ
ａ₁₅の境界に一致すると、まず第１列目の露光ユニット
２０₀₁、２０₀₃、２０₀₅、２０₀₇、２０₀₉、２０₁₁、２
０₁₃および２０₁₅により描画面３２の露光が開始され
る。図３（ａ）に示すように、第１列目の全面露光領域
Ｕａ₀₁、Ｕａ₀₃、Ｕａ₀₅、Ｕａ₀₇、Ｕａ₀₉、Ｕａ₁₁、Ｕ
ａ₁₃およびＵａ₁₅のＹ軸に達していない部分に対応する
マイクロミラーについては非露光位置に位置決めされた
まま露光は行われず、また第２列目の全面露光領域Ｕａ
₀₂、Ｕａ₀₄、Ｕａ₀₆、Ｕａ₀₈、Ｕａ₁₀、Ｕａ₁₂およびＵ
ａ₁₄もＹ軸に達していないため、露光ユニット２０₀₂、
２０₀₄、２０₀₆、２０₀₈、２０₁₀、２０₁₂および２０₁₄
による露光も停止させられている。図３では、第１列目
の８個の露光ユニット２０₀₁、２０₀₃、２０₀₅、２
０₀₇、２０₀₉、２０₁₁、２０₁₃および２０₁₅によって露
光された領域を右上がりのハッチングで示している。

【００４０】さらに描画面３２が移動し、全面露光領域
Ｕａ₀₂、Ｕａ₀₄、Ｕａ₀₆、Ｕａ₀₈、Ｕａ₁₀、Ｕａ₁₂およ
びＵａ₁₄の境界がＹ軸に一致すると、第２列目の７個の
露光ユニット２０₀₂、２０₀₄、２０₀₆、２０₀₈、２
０₁₀、２０₁₂および２０₁₄による露光が開始される。図
３(ｂ)に示すように、第２列目の露光ユニット２０₀₂、
２０₀₄、２０₀₆、２０₀₈、２０₁₀、２０₁₂および２０₁₄
による露光は、第１列目の露光ユニット２０₀₁、２
０₀₃、２０₀₅、２０₀₇、２０₀₉、２０₁₁、２０₁₃および
２０₁₅による露光よりも常に距離Ｓだけ遅れて進行す
る。図３では、第２列目の露光ユニット２０₀₂、２
０₀₄、２０₀₆、２０₀₈、２０₁₀、２０₁₂および２０₁₄に
よって露光された領域を右下がりのハッチングで示して
いる。

【００４１】さらに描画面３２が相対移動して、図３
（ｃ）に示すように第１列目の全面露光領域Ｕａ₀₁、Ｕ
ａ₀₃、Ｕａ₀₅、Ｕａ₀₇、Ｕａ₀₉、Ｕａ₁₁、Ｕａ₁₃および
Ｕａ₁₅の境界が描画終了位置ＥＬに達すると、第１列目
の露光ユニット２０₀₁、２０₀₃、２０₀₅、２０₀₇、２０
₀₉、２０₁₁、２０₁₃および２０₁₅による露光が停止させ
られる。厳密にいえば、描画終了位置ＥＬに達した単位
露光領域Ｕ（ｍ，ｎ）に対応するマイクロミラーＭ
（ｍ，ｎ）から順に非露光位置に静止させられる。図３
（ｃ）の状態からさらに描画面３２が距離Ｓだけ進む
と、第２列目の全面露光領域Ｕａ₀₂、Ｕａ₀₄、Ｕａ₀₆、
Ｕａ₀₈、Ｕａ₁₀、Ｕａ₁₂およびＵａ₁₄の境界が描画終了
位置ＥＬに達し、第２列目の露光ユニット２０₀₂、２０
₀₄、２０₀₆、２０ ₀₈、２０₁₀、２０₁₂および２０₁₄によ
る露光が停止させられる。

【００４２】以上のように、１５個の露光ユニット２０
₀₁〜２０₁₅は、Ｘ軸に平行な帯状領域をそれぞれ露光
し、この帯状領域の幅はそれぞれ全面露光領域Ｕａ₀₁〜
Ｕａ₁₅の幅に実質的に一致する。隣り合う２つの帯状領
域の境界部分は微少量だけ重ね合わされている。なお、
同一ライン上に描かれるべき回路パターンを一致させる
ために、第１列目の露光ユニット２０₀₁、２０₀₃、２０
₀₅、２０₀₇、２０₀₉、２０₁₁、２０₁₃および２０₁₅に所
定ラインの回路パターンに応じた露光データが与えられ
ると、第２列目の露光ユニット２０₀₂、２０₀₄、２
０₀₆、２０₀₈、２０₁₀、２０₁₂および２０₁₄には描画面
３２が距離Ｓを移動する時間だけ遅れたタイミングで同
一ラインの露光データが与えられる。

【００４３】露光方式としては、描画テーブル１６を走
査方向に沿って間欠的に移動させる動作と、描画テーブ
ル１６の停止時に回路パターンを部分的に順次露光によ
り描画する動作とを交互に繰り返すことにより、各描画
領域を継ぎ足して全体の回路パターンを得るステップ・
アンド・リピート（Step & Repeat）方式を採用しても
よいし、描画テーブル１６を一定速度で移動させつつ同
時に露光を行う方式であってもよい。

【００４４】本実施形態の多重露光描画装置１０におい
ては、露光１回当たりの描画テーブル１６の移動量が全
面露光領域Ｕａの一辺長さより短く、これにより描画面
３２は多数回に渡って露光される、即ち多重露光される
ことになる。

【００４５】なお、露光時間、即ち個々のマイクロミラ
ーＭ（ｍ，ｎ）が露光位置に留められる時間について
は、描画面３２における一画素領域内での露光回数、描
画面３２（本実施形態では、フォトレジスト層）の感
度、光源装置２２の光強度等に基づいて決められ、これ
により描画面３２上の各一画素露光領域について所望の
露光量が得られるように設定される。

【００４６】図４は多重露光描画装置１０の制御ブロッ
ク図である。同図に示すように、多重露光描画装置１０
にはマイクロコンピュータから構成されるシステムコン
トロール回路３４が設けられる。即ち、システムコント
ロール回路３４は中央演算処理ユニット（ＣＰＵ）、種
々のルーチンを実行するためのプログラムや定数等を格
納する読出し専用メモリ（ＲＯＭ）、演算データ等を一
時的に格納する書込み／読出し自在なメモリ（ＲＡ
Ｍ）、および入出力インターフェース（Ｉ／Ｏ）から成
り、多重露光描画装置１０の作動全般を制御する。

【００４７】描画テーブル１６は、駆動モータ３６によ
ってＸ軸方向に沿って駆動させられる。この駆動モータ
３６は例えばステッピングモータとして構成され、その
駆動制御は駆動回路３８から出力される駆動パルスに従
って行われる。描画テーブル１６と駆動モータ３６との
間には先に述べたようにボール螺子等を含む駆動機構が
介在させられるが、そのような駆動機構については図４
では破線矢印で象徴的に示されている。

【００４８】駆動回路３８は描画テーブル制御回路４０
の制御下で動作させられ、この描画テーブル制御回路４
０は描画テーブル１６に設けられた描画テーブル位置検
出センサ４２に接続される。描画テーブル位置検出セン
サ４２は描画テーブル１６の移動経路に沿って設置され
たリニアスケール４４からの光信号を検出して描画テー
ブル１６のＸ軸方向に沿うその位置を検出するものであ
る。なお、図４では、リニアスケール４４からの光信号
の検出が破線矢印で象徴的に示されている。

【００４９】描画テーブル１６の移動中、描画テーブル
位置検出センサ４２はリニアスケール４４から一連の光
信号を順次検出して一連の検出信号（パルス）として描
画テーブル制御回路４０に対して出力する。描画テーブ
ル制御回路４０では、そこに入力された一連の検出信号
が適宜処理され、その検出信号に基づいて一連の制御ク
ロックパルスが作成される。描画テーブル制御回路４０
からは一連の制御クロックパルスが駆動回路３８に対し
て出力され、駆動回路３８ではその一連の制御クロック
パルスに従って駆動モータ３６に対する駆動パルスが作
成される。要するに、リニアスケール４４の精度に応じ
た正確さで描画テーブル１６をＸ軸方向に沿って移動さ
せることができる。なお、このような描画テーブル１６
の移動制御自体は周知のものである。

【００５０】図４に示すように、描画テーブル制御回路
４０はシステムコントロール回路３４に接続され、これ
により描画テーブル制御回路４０はシステムコントロー
ル回路３４の制御下で行われる。一方、描画テーブル位
置検出センサ４２から出力される一連の検出信号（パル
ス）は描画テーブル制御回路４０を介してシステムコン
トロール回路３４にも入力され、これによりシステムコ
ントロール回路３４では描画テーブル１６のＸ軸に沿う
移動位置を常に監視することができる。

【００５１】システムコントロール回路３４はＬＡＮ
（Local Area Network）を介してＣＡＤステーション或
いはＣＡＭステーションに接続され、ＣＡＤステーショ
ン或いはＣＡＭステーションからはそこで作成処理され
た回路パターンのベクタデータがシステムコントロール
回路３４に転送される。システムコントロール回路３４
にはデータ格納手段としてハードディスク装置４６が接
続され、ＣＡＤステーション或いはＣＡＭステーション
から回路パターンのベクタデータがシステムコントロー
ル回路３４に転送されると、システムコントロール回路
３４は回路パターンのベクタデータを一旦ハードディス
ク装置４６に書き込んで格納する。また、システムコン
トロール回路３４には外部入力装置としてキーボード４
８が接続され、このキーボード４８を介して種々の指令
信号や種々のデータ等がシステムコントロール回路３４
に入力される。

【００５２】ラスタ変換回路５０はシステムコントロー
ル回路３４の制御下で動作させられる。描画作動に先立
って、ハードディスク装置４６から回路パターンのベク
タデータが読み出されてラスタ変換回路５０に出力さ
れ、このベクタデータはラスタ変換回路５０によってラ
スタデータに変換され、このラスタデータはビットマッ
プメモリ５２に書き込まれる。要するに、ビットマップ
メモリ５２には回路パターンデータとして０または１で
表されるビットデータとして格納される。ラスタ変換回
路５０でのデータ変換処理およびビットマップメモリ５
２へのデータ書き込み処理についてはキーボード４８を
介して入力される指令信号により行われる。

【００５３】読出しアドレス制御回路５８は各露光ユニ
ット２０₀₁〜２０₁₅に与えるべきビットデータをビット
マップメモリ５２から露光作動毎に読み出し、ＤＭＤ駆
動回路５６に順次出力する。ＤＭＤ駆動回路５６は個々
の露光ユニット２０₀₁〜２０ ₁₅のマイクロミラーを露光
位置または非露光位置に位置決めさせるためのビットデ
ータを生成し、そのビットデータに基づいて露光ユニッ
ト２０₀₁〜２０₁₅をそれぞれ独立して作動し、これによ
り各露光ユニット２０₀₁〜２０₁₅の個々のマイクロミラ
ーは選択的に露光作動を行うことになる。露光データは
露光ユニット２０₀₁〜２０₁₅による露光作動が繰り返さ
れる度毎に書き換えられる。

【００５４】なお、図４では、個々のマイクロミラーの
露光作動が破線矢印で象徴的に図示されている。また、
図４では図の複雑化を避けるために露光ユニットは１つ
しか示されていないが、実際には１５個（２０₀₁〜２０
₁₅）存在し、ＤＭＤ駆動回路５６によってそれぞれ駆動
されることは言うまでもない。

【００５５】図４〜図６を参照して、露光領域変形防止
機構の構成および動作について説明する。露光領域変形
防止機構は円板状のシャッタ部材２３を備え、このシャ
ッタ部材２３は駆動モータ２３２により光束に略平行な
回転軸ＬＲ周りに等速で回転する。シャッタ部材２３は
照明光を透過可能な部材、例えば石英ガラスや透明な合
成樹脂材から形成され、ハッチングで示す遮光領域２３
Ｂには遮光フィルタが貼付されている。ハッチングされ
ていない即ち遮光フィルタに覆われていない扇形の領域
は光透過領域２３Ａに相当する。

【００５６】駆動モータ２３２はシャッタ駆動回路２３
４により駆動制御される。シャッタ部材２３の相対回転
位置はシャッタ位置検出センサ２３６により検出され
る。具体的には、シャッタ位置検出センサ２３６はシャ
ッタ部材２３の外縁を挟むように互いに対向する発光素
子２３６Ａおよび受光素子２３６Ｂを備え、発光素子２
３６Ａからの光がシャッタ部材２３の検出穴２３８を通
って受光素子２３６Ｂにより受光されると、シャッタ部
材２３の相対回転位置がシャッタ駆動回路２３４により
認識される。

【００５７】図６は、露光ユニット２０₀₁の任意のマイ
クロミラーM（ｍ，ｎ）と、シャッタ部材２３とのそれ
ぞれの動作タイミングを示すタイミングチャートであ
る。マイクロミラーM（ｍ，ｎ）は、一定周期で露光位
置および非露光位置間で相対移動する遷移状態（遷移期
間ｔ１）と各位置で静止する安定状態（安定期間ｔ２）
とを交互に繰り返す。なお、遷移状態には露光位置から
非露光位置への移動および非露光位置から露光位置への
移動の場合だけでなく、連続して露光位置（または非露
光位置）に位置決めされる場合も含み、このとき遷移状
態ではマイクロミラーM（ｍ，ｎ）は実質的に動かな
い。

【００５８】一方、シャッタ部材２３は一定速度で回転
するため、遮光領域２３Ｂが光路を通過する期間ｔ３
と、光透過領域２３Ａが光路を通過する期間ｔ４とが交
互に一定周期で繰り返される。マイクロミラーM（ｍ，
ｎ）の周期とシャッタ部材２３の周期とは一致している
（ｔ１＋ｔ２＝ｔ３＋ｔ４）、即ちシャッタ部材２３は
マイクロミラーＭ（ｍ，ｎ）に同期して回転する。期間
ｔ３とｔ４との和は、シャッタ部材２３が一回転するの
に要する時間に相当する。

【００５９】マイクロミラーM（ｍ，ｎ）の遷移期間ｔ
１より遮光領域２３Ｂの通過期間ｔ３の方が長く、かつ
相対移動期間ｔ１の開始タイミングより通過期間ｔ３の
開始タイミングが早い。即ち、マイクロミラーM（ｍ，
ｎ）の相対移動は、シャッタ部材２３が照明光を遮断し
ている間に行われる。一方、マイクロミラーM（ｍ，
ｎ）の安定期間ｔ２より光透過領域２３Ａの通過期間ｔ
４の方が短く、かつ安定期間ｔ２の開始タイミングより
通過期間ｔ４の開始タイミングが遅い。即ち、マイクロ
ミラーM（ｍ，ｎ）が静止している間に照明光が露光ユ
ニット２０₀₁に導入される。従って、マイクロミラーM
（ｍ，ｎ）による露光期間は通過期間ｔ４に実質的に一
致する。

【００６０】このように、マイクロミラーM（ｍ，ｎ）
が露光位置および非露光位置間で相対移動している間
は、シャッタ部材２３により照明光が遮断されて露光ユ
ニット２０₀₁〜２０₁₅内に導入されないので、相対移動
中に照明光が照射されることによる単位露光領域Ｕ
（ｍ，ｎ）の変形が防止され、回路パターンを高精度に
描画できる。

【００６１】なお、第１実施形態においてはシャッタ部
材２３を光ファイバケーブル２４と露光ユニット２０₀₁
との間に設けているが、特に設ける位置は限定されず、
光源２２から描画面３２に至るまでの光路上にあればよ
い。従って、例えば個々の露光ユニット２０₀₁〜２０₁₅
内にそれぞれ設ける場合、凸レンズ２６Ａとコリメート
レンズ２６Ｂとの間、コリメートレンズ２６ＢとＤＭＤ
素子２７との間、ＤＭＤ素子２７と凸レンズ２８Ａとの
間、凸レンズ２８Ａとリフレクタ２８Ｂとの間、リフレ
クタ２８Ｂと凸レンズ２８Ｃとの間、凸レンズ２８Ｃと
描画面３２との間のいずれかの位置に設けてもよい。

【００６２】また、第１実施形態では遮光フィルタ（２
３Ｂ）はシャッタ部材２３の略９０度に渡って貼付され
ているが、特に限定されることは無く、光透過領域２３
Ａの通過時間ｔ４がマイクロミラーＭ（ｍ，ｎ）の安定
期間ｔ２を超えないように設定されることが好ましく、
シャッタ部材２３の回転速度や大きさ、光束断面の面積
等に応じて適宜変更され得る。

【００６３】図７および図８を参照して多重露光描画装
置の第２実施形態について説明する。図７は多重露光描
画装置のブロック図であり、図８は露光ユニット２０₀₁
の任意のマイクロミラーM（ｍ，ｎ）と、ＬＥＤ光源装
置３２２とのそれぞれの動作タイミングを示すタイミン
グチャートである。

【００６４】第２実施形態においては、光源装置が複数
のＬＥＤ（Light Emitting Diode）を備えたＬＥＤ光源
装置である点と、シャッタ部材およびこれを駆動するた
めの構成を設けていない点が第１実施形態と異なってい
るが、その他の構成については同様である。ここでは第
１実施形態と共通する構成については同符号を付し説明
を省略する。

【００６５】ＬＥＤ光源装置３２２の複数のＬＥＤは、
システムコントロール回路３４により点灯および消灯が
制御される。多重露光描画装置の電源が投入された時点
では消灯させられており、露光ユニット２０₀₁のマイク
ロミラーM（ｍ，ｎ）が作動するときにのみ全ＬＥＤが
同時に点灯する。

【００６６】図８を参照して詳述すると、ＬＥＤ光源装
置３２２はマイクロミラーM（ｍ，ｎ）に同期して消灯
（期間ｔ５）および点灯（期間ｔ６）を交互に繰り返し
ており、消灯期間ｔ５はマイクロミラーM（ｍ，ｎ）の
遷移期間ｔ１より長く、かつ遷移期間ｔ１の開始タイミ
ングより早く開始される。即ち、マイクロミラーM
（ｍ，ｎ）の相対移動は、ＬＥＤ光源装置３２２の消灯
中に行われる。一方、ＬＥＤ光源装置３２２の点灯期間
ｔ６は、マイクロミラーM（ｍ，ｎ）の安定期間ｔ２よ
り短く、かつ安定期間ｔ２の開始タイミングより遅く開
始される。即ち、マイクロミラーM（ｍ，ｎ）が静止し
ている間にＬＥＤ光源装置３２２が点灯して照明光が露
光ユニット２０₀₁に導入される。従って、マイクロミラ
ーM（ｍ，ｎ）による露光期間は点灯期間ｔ６に実質的
に一致する。このように、第２実施形態ではＬＥＤ光源
装置３２２そのものが露光領域変形防止機能を備えてい
る。

【００６７】なお、ＬＥＤの数は１個であってもよく、
必要とされる露光量に応じてその数が適宜決定される。
ＬＥＤは被描画体３０の分光感度に応じて、紫外光を発
するタイプ、可視光（赤色光、緑色光、青色光など）を
発するタイプのものが適宜選択される。

【００６８】このように、第２実施形態においても第１
実施形態と同様、マイクロミラーM（ｍ，ｎ）が露光位
置および非露光位置間で相対移動している遷移期間に
は、ＬＥＤ光源装置３２２から照明光が露光ユニットへ
供給されないので、相対移動中に照明光が照射されるこ
とによる単位露光領域Ｕ（ｍ，ｎ）の変形が防止され、
回路パターンを高精度に描画できる。

【００６９】さらに、第２実施形態の利点としては、Ｌ
ＥＤ光源装置３２２は、第１実施形態の超高圧水銀ラン
プ、キセノンランプ、フラッシュランプおよびレーザ等
を用いた光源装置２２と比較すると、光出力が極めて安
定しており、また電気的制御が簡単であるという利点を
有する。また、ＬＥＤ光源装置３２２は各ＬＥＤのＯＮ
が指令された時のみ、即ちマイクロミラーM（ｍ，ｎ）
の作動時のみ照明光を出力するので、無駄な電力を消費
せず、長期にわたって安定して使用することができる。
また、ＤＭＤ素子２７に対する照明光の照射が必要最小
限に抑えられるので、照明光の長時間照射に起因する熱
疲労、紫外光成分による早期劣化が防止できる。

【００７０】また、複数のＬＥＤを用いる場合には、そ
の内の１つが故障しても光量への影響は小さくなり、残
りのＬＥＤの光量を増幅させればよいので、常に安定し
た光量を得ることができる。

【００７１】なお、第１および第２実施形態においては
変調素子としてマイクロミラーを用いているが、ＬＣＤ
（Liquid Crystal Display）であってもよい。詳述する
と、ＤＭＤデバイス２７のかわりに、一対の透明基板間
に液晶が封入されその双方の透明基板に互いに整合させ
られた多数対の微細な透明電極をマトリクス状に配した
ＬＣＤアレイが用いられる。このＬＣＤアレイにおいて
は、個々の一対の透明電極に電圧を印加するか否かによ
り光束の透過および非透過が制御されるようになってお
り、このため各一対の透明電極が変調素子として機能す
る。このようなＬＣＤアレイを用いる場合においても、
高速で変調した場合には個々の透明電極により得られる
単位露光領域が変形する可能性がある。従って、第１お
よび第２実施形態のように、光束を透過する露光状態お
よび光束を透過しない非露光状態に遷移する遷移期間に
は、シャッタ部材２３あるいはＬＥＤ光源装置３２２の
切替によって照明光が露光ユニットへ供給されないよう
に構成すれば、遷移期間中に照明光が照射されることに
よる単位露光領域の変形が防止され、回路パターンを高
精度に描画できる。

【００７２】

【発明の効果】以上の記載から明らかなように、本発明
にあっては、各マイクロミラーに対応する露光領域の変
形を防止して回路パターンを高精度に描画することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による多重露光描画装置の第１実施形態
を示す概略斜視図である。

【図２】本発明による多重露光描画装置で用いる露光ユ
ニットの機能を説明するための概略概念図である。

【図３】図１に示す多重露光描画装置の描画テーブル上
の被描画体の描画面および各露光ユニットによる露光領
域を説明するための平面図である。

【図４】本発明による多重露光式描画装置のブロック図
である。

【図５】多重露光装置の露光領域変形防止機構を示す斜
視図である。

【図６】露光ユニットの個々のマイクロミラーとシャッ
タ部材との動作タイミングを示すタイミングチャートで
ある。

【図７】本発明による多重露光描画装置の第２実施形態
を示すブロック図である。

【図８】図７に示す露光ユニットの個々のマイクロミラ
ーとＬＥＤ光源装置との動作タイミングを示すタイミン
グチャートである。

【符号の説明】

１０多重露光描画装置２０₀₁、…２０₁₅ 露光ユニット２２光源装置２３シャッタ部材２７ＤＭＤ素子３０被描画体３２描画面３４システムコントロール回路Ｍ（１，１）、…Ｍ（１０２４，１２８０）マイクロ
ミラー（変調素子）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】マトリクス状に配置された多数の変調素
子を有する露光ユニットを用いて所定のパターンを描画
面上に多重露光により描画する多重露光描画装置であっ
て、前記変調素子に対して常時照明光を供給する光源と、個々の前記変調素子を、前記照明光を前記描画面へ導く
第１状態と前記照明光の前記描画面への到達を阻止する
第２状態とのいずれか一方に設定する変調素子制御手段
と、前記光源と前記描画面との間の光路上に設けられた
シャッタ部材を有し、このシャッタ部材が、全ての前記
変調素子が前記第１状態または前記第２状態で安定して
いる安定期間においては変調された前記照明光を前記描
画面に導くと共に前記変調素子が前記第１状態と前記第
２状態との間を遷移する遷移期間においては前記照明光
を遮断することにより、前記変調素子のそれぞれに対応
した前記描画面における個々の露光領域の変形を防止す
る露光領域変形防止機構とを備えることを特徴とする多
重露光描画装置。
【請求項２】前記光源が超高圧水銀ランプ、キセノン
ランプまたはフラッシュランプを含むことを特徴とする
請求項１に記載の多重露光描画装置。
【請求項３】前記シャッタ部材が前記照明光の光路を
横切るように回転自在な円板部材であり、この円板部材
には前記安定期間において光路を横断する光透過領域と
前記遷移期間において光路を横断する遮光領域とが設け
られることを特徴とする請求項１に記載の多重露光描画
装置。
【請求項４】前記円板部材が光透過性の良好な部材か
ら形成され、その一部が遮光フィルタにより覆われるこ
とにより、前記遮光フィルタを除く領域が前記光透過領
域に定められると共に、前記遮光フィルタに覆われる領
域が前記遮光領域に定められることを特徴とする請求項
３に記載の多重露光描画装置。
【請求項５】前記シャッタ部材の前記遮光領域が前記
光路を横断する通過期間が前記遷移期間より長く、かつ
前記遮光領域の光路横断開始が前記遷移期間の開始より
早く設定されると共に、前記シャッタ部材の前記光透過
領域が前記光路を横断する通過期間が前記安定期間より
短く、かつ前記光透過領域の光路横断開始が前記安定期
間の開始より遅く設定されることを特徴とする請求項３
に記載の多重露光描画装置。
【請求項６】マトリクス状に配置された多数の変調素
子を有する露光ユニットを用いて所定のパターンを描画
面上に多重露光により描画する多重露光描画装置であっ
て、個々の前記変調素子を、前記照明光を前記描画面へ導く
第１状態と前記照明光の前記描画面への到達を阻止する
第２状態とのいずれか一方に設定する変調素子制御手段
と、全ての前記変調素子が前記第１状態または前記第２
状態で安定している安定期間においては点灯されて前記
変調素子に照明光を供給すると共に、前記変調素子が前
記第１状態と前記第２状態との間を遷移する遷移期間に
おいては消灯されることにより、前記変調素子のそれぞ
れに対応した前記描画面における個々の露光領域の変形
を防止する光源とを備えることを特徴とする多重露光描
画装置。
【請求項７】前記光源が、複数のＬＥＤ（Light Emit
ting Diode）素子を含むことを特徴とする請求項６に記
載の多重露光描画装置。
【請求項８】前記光源の消灯期間が前記遷移期間より
長くかつ消灯開始が前記遷移期間の開始より早く設定さ
れると共に、前記光源の点灯期間は前記安定期間より短
く、かつ点灯開始が前記安定期間の開始より遅く設定さ
れることを特徴とする請求項６に記載の多重露光描画装
置。
【請求項９】マトリクス状に配置された個々の前記変
調素子を、照明光を前記描画面へ導く第１状態と前記照
明光の前記描画面への到達を阻止する第２状態とのいず
れか一方に設定可能な露光ユニットを用いて所定のパタ
ーンを描画面上に多重露光により描画する多重露光描画
装置に適用される露光領域変形防止機構であって、前記変調素子に対して常時前記照明光を供給する光源と
前記描画面との間の光路上に設けられるシャッタ部材を
備え、このシャッタ部材が、全ての前記変調素子が前記
第１状態または前記第２状態で安定している安定期間に
おいては変調された前記照明光を前記描画面に導くと共
に前記変調素子が前記第１状態と前記第２状態との間を
遷移する遷移期間においては前記照明光を遮断すること
により、前記変調素子のそれぞれに対応した前記描画面
における個々の露光領域の変形を防止することを特徴と
する露光領域変形防止機構。
【請求項１０】マトリクス状に配置された個々の前記
変調素子を、照明光を前記描画面へ導く第１状態と前記
照明光の前記描画面への到達を阻止する第２状態とのい
ずれか一方に設定可能な露光ユニットを用いて所定のパ
ターンを描画面上に多重露光により描画する多重露光描
画装置に適用される露光領域変形防止機構であって、全ての前記変調素子が前記第１状態または前記第２状態
で安定している安定期間においては光源を点灯して前記
変調素子に照明光を供給すると共に、前記変調素子が前
記第１状態と前記第２状態との間を遷移する遷移期間に
おいては前記光源を消灯することにより、前記変調素子
のそれぞれに対応した前記描画面における個々の露光領
域の変形を防止することを特徴とする露光領域変形防止
機構。