JPH0917719A - 露光装置及びこれを用いたデバイス生産方法 - Google Patents
露光装置及びこれを用いたデバイス生産方法Info
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- JPH0917719A JPH0917719A JP16737795A JP16737795A JPH0917719A JP H0917719 A JPH0917719 A JP H0917719A JP 16737795 A JP16737795 A JP 16737795A JP 16737795 A JP16737795 A JP 16737795A JP H0917719 A JPH0917719 A JP H0917719A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
-
- G—PHYSICS
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70566—Polarisation control
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高精度なデバイスを低コストで生産すること
ができるマスク及び露光装置の提供。 【構成】 パターンを表示する反射式液晶表示手段（光
書き込み型または電気書き込み型の反射式液晶）をマス
クとして用い、これに露光光を照射して反射光をウエハ
に投影してパターンを露光転写する。
ができるマスク及び露光装置の提供。 【構成】 パターンを表示する反射式液晶表示手段（光
書き込み型または電気書き込み型の反射式液晶）をマス
クとして用い、これに露光光を照射して反射光をウエハ
に投影してパターンを露光転写する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体デバイスや液晶デ
バイス等の微小デバイスを生産する際に用いる露光装置
やデバイス生産方法に関する。
バイス等の微小デバイスを生産する際に用いる露光装置
やデバイス生産方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の製造の要となる半導体
露光装置では、ガラス基板上に微細な回路パターンを形
成したレチクルを用意し、照明光学系によってこれを照
明したものを、投影光学系によってレジストを塗布した
ウエハ上に縮小投影してパターンを露光転写する。集積
回路を製造する際には多数の回路パターンを同一ウエハ
上に重ね合わせるため、一つのパターンを露光転写した
ら、所定の工程の後に再びウエハにレジストを塗布し
て、再度、別のレチクルを用いて重ね焼きする。
露光装置では、ガラス基板上に微細な回路パターンを形
成したレチクルを用意し、照明光学系によってこれを照
明したものを、投影光学系によってレジストを塗布した
ウエハ上に縮小投影してパターンを露光転写する。集積
回路を製造する際には多数の回路パターンを同一ウエハ
上に重ね合わせるため、一つのパターンを露光転写した
ら、所定の工程の後に再びウエハにレジストを塗布し
て、再度、別のレチクルを用いて重ね焼きする。
【０００３】ところが、レチクルは高価である上に、１
つの集積回路を製造するのに多数のレチクルを必要とす
るためコストがかかる。ゆえに、同一の集積回路を多数
量産する場合はまだしも、少数の特種集積回路やデバイ
スを低コストに製作するのは困難であり、また、小さな
回路設計変更ができないという課題がある。また、レチ
クルを交換する毎にレチクルの保持精度を高度に管理し
なければならず、高度な位置合わせ機構を要すると共に
スループットの低下を招いてしまう。また、レチクル交
換の際に微細なゴミや塵などが発生しやすいといった問
題がある。
つの集積回路を製造するのに多数のレチクルを必要とす
るためコストがかかる。ゆえに、同一の集積回路を多数
量産する場合はまだしも、少数の特種集積回路やデバイ
スを低コストに製作するのは困難であり、また、小さな
回路設計変更ができないという課題がある。また、レチ
クルを交換する毎にレチクルの保持精度を高度に管理し
なければならず、高度な位置合わせ機構を要すると共に
スループットの低下を招いてしまう。また、レチクル交
換の際に微細なゴミや塵などが発生しやすいといった問
題がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そこでこれを解決すべ
く、レチクルの代わりに二次元表示器（透過型液晶ディ
スプレイ）上にマスクパターンを表示形成して、これを
ウエハに縮小転写するアイデアが提案されている（特開
昭50-159677号公報、特開平6-232024号公報、特開昭64-
5017号公報、特開平2-307号公報、特開平2-192710号公
報、特開平2-209729号公報、特開平4-23314号公報、特
開平3-201423号公報など）。
く、レチクルの代わりに二次元表示器（透過型液晶ディ
スプレイ）上にマスクパターンを表示形成して、これを
ウエハに縮小転写するアイデアが提案されている（特開
昭50-159677号公報、特開平6-232024号公報、特開昭64-
5017号公報、特開平2-307号公報、特開平2-192710号公
報、特開平2-209729号公報、特開平4-23314号公報、特
開平3-201423号公報など）。
【０００５】しかしながら、集積回路のような微細な二
次元パターンを表示できる液晶表示器を作成することは
容易ではなく、特に回路パターンが大面積化しつつある
状況にあっては、実用化には困難性が伴う。
次元パターンを表示できる液晶表示器を作成することは
容易ではなく、特に回路パターンが大面積化しつつある
状況にあっては、実用化には困難性が伴う。
【０００６】特に、上記各例では電気書き込み型の透過
型液晶ディスプレイを用いているため、 （１）マスクパターン画素間の細かさを決定するのは、
デバイス内部の電極の加工精度に左右されているため、
精度の高いマスクパターンを作成するのが非常に困難で
ある。 （２）同様な理由のため、画素間の隙間を無くすのが非
常に困難である。 （３）透過式であるため、内部の物質による光の吸収が
大きく、露光照度が低下する。 （４）液晶部分にて、偏光成分のうち、Ｓ偏光分が消え
てしまうため、全光量が半分になり、光の利用効率が悪
い。 （５）同様な理由でマスクパターンのコントラストが悪
い。 といった問題があった。
型液晶ディスプレイを用いているため、 （１）マスクパターン画素間の細かさを決定するのは、
デバイス内部の電極の加工精度に左右されているため、
精度の高いマスクパターンを作成するのが非常に困難で
ある。 （２）同様な理由のため、画素間の隙間を無くすのが非
常に困難である。 （３）透過式であるため、内部の物質による光の吸収が
大きく、露光照度が低下する。 （４）液晶部分にて、偏光成分のうち、Ｓ偏光分が消え
てしまうため、全光量が半分になり、光の利用効率が悪
い。 （５）同様な理由でマスクパターンのコントラストが悪
い。 といった問題があった。
【０００７】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
大面積のパターンでも精度良く且つ低コストに露光転写
することができる露光装置ならびにデバイス生産方法を
提供することを目的とする。
大面積のパターンでも精度良く且つ低コストに露光転写
することができる露光装置ならびにデバイス生産方法を
提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決する本
発明の露光装置は、パターンを表示する反射式液晶表示
手段と、ウエハを搭載するステージと、該反射式液晶表
示手段に表示されたパターンを照明する手段と、該パタ
ーンで反射した光をウエハに投影する手段とを有するこ
とを特徴とするものである。
発明の露光装置は、パターンを表示する反射式液晶表示
手段と、ウエハを搭載するステージと、該反射式液晶表
示手段に表示されたパターンを照明する手段と、該パタ
ーンで反射した光をウエハに投影する手段とを有するこ
とを特徴とするものである。
【０００９】
＜実施例１＞図１は、本発明の第１実施例の半導体製造
用の露光装置の全体図を示したものである。同図におい
て、１はウエハを載せて縦横にステップ駆動するＸＹス
テージ、２は焼き付けのターゲットであるウエハ、３は
マスクパターンをウエハに縮小投影するプロジェクショ
ンレンズ、４は光書き込み型反射式液晶マスク、５はマ
イクロレンズアレイ、６は照明光中のＳ偏光成分をＰ偏
光成分に変換する（Ｓ偏光を分離し、Ｐ偏光に変換した
後、再び合わせて２倍のＰ偏光成分を作りだす）Ｐ偏光
変換器、７はＰ偏光変換器からの光を再び平行光化する
ための平行光束化レンズ、８はランプから放射される光
を拡大し平行にするためのランプ光集束用コンデンサレ
ンズ、９は露光光源である露光用ランプ、１５はマスク
制御装置、２２は多角形回転ミラーユニット、２３はガ
ルバノミラー駆動ユニット、２４はガルバノミラー、２
５は斜鏡、２６はレーザー光変調素子、２７はマスクパ
ターン書き込み用レーザー、２９は反射式マスクからの
Ｓ偏光反射光のみをＸＹステージ１の方向に反射させる
ための偏光部材であり、具体的にはブリュースター角の
ガラス板である。なお、ガラス板２９は偏光ビームスプ
リッタに置き換えることもできる。マスク制御装置１５
は、光ファイバーケーブル４０を経由して外部のコンピ
ュータ３０から入力したデータに基づいて、多角形回転
ミラーユニット２２、ガルバノミラー駆動ユニット２３
及びレーザー光変調素子２６をコントロールする。
用の露光装置の全体図を示したものである。同図におい
て、１はウエハを載せて縦横にステップ駆動するＸＹス
テージ、２は焼き付けのターゲットであるウエハ、３は
マスクパターンをウエハに縮小投影するプロジェクショ
ンレンズ、４は光書き込み型反射式液晶マスク、５はマ
イクロレンズアレイ、６は照明光中のＳ偏光成分をＰ偏
光成分に変換する（Ｓ偏光を分離し、Ｐ偏光に変換した
後、再び合わせて２倍のＰ偏光成分を作りだす）Ｐ偏光
変換器、７はＰ偏光変換器からの光を再び平行光化する
ための平行光束化レンズ、８はランプから放射される光
を拡大し平行にするためのランプ光集束用コンデンサレ
ンズ、９は露光光源である露光用ランプ、１５はマスク
制御装置、２２は多角形回転ミラーユニット、２３はガ
ルバノミラー駆動ユニット、２４はガルバノミラー、２
５は斜鏡、２６はレーザー光変調素子、２７はマスクパ
ターン書き込み用レーザー、２９は反射式マスクからの
Ｓ偏光反射光のみをＸＹステージ１の方向に反射させる
ための偏光部材であり、具体的にはブリュースター角の
ガラス板である。なお、ガラス板２９は偏光ビームスプ
リッタに置き換えることもできる。マスク制御装置１５
は、光ファイバーケーブル４０を経由して外部のコンピ
ュータ３０から入力したデータに基づいて、多角形回転
ミラーユニット２２、ガルバノミラー駆動ユニット２３
及びレーザー光変調素子２６をコントロールする。
【００１０】図２及び図３は光書き込み型反射式液晶マ
スク４の詳細な構造を示したものであり、図２は上面図
及び側面図、図３は図２の点線で囲んだ部分の拡大図で
ある。アモルファスシリコン層ａ、誘電体多層膜ミラー
ｂ、配向層ｃ、液晶層ｄ、透明電極層ｅ、ベース材（ガ
ラス基板）ｆ、保護用コートｇ、スペーサｈ、給電ケー
ブルｉより構成されている。
スク４の詳細な構造を示したものであり、図２は上面図
及び側面図、図３は図２の点線で囲んだ部分の拡大図で
ある。アモルファスシリコン層ａ、誘電体多層膜ミラー
ｂ、配向層ｃ、液晶層ｄ、透明電極層ｅ、ベース材（ガ
ラス基板）ｆ、保護用コートｇ、スペーサｈ、給電ケー
ブルｉより構成されている。
【００１１】図３の内部詳細図に示すように、透明電極
ｅ間に一定の電圧をかけている状態にて、アモルファス
シリコン層ａに書き込み光ｖを照射すると、照射した部
分だけ電荷が蓄積され、層ｂ，ｃをまたいで液晶層ｄに
伝達される。反対側より読み出し光ｗを垂直に照射する
と、電荷の伝達された液晶層ｄの部分のみ偏光回転角が
４５゜に変化するようになっている。この光は内部の誘
電体ミラーｂにて反射するため、合計回転角は９０゜と
なり、Ｐ偏光をＳ偏光に変換できる角度となる。このよ
うにして照射されたマスクパターン像は、アモルファス
シリコン層ａにより記憶されるとともに、液晶層ｄによ
り偏光回転角の形態で表示され、露光光をＰ偏光からＳ
偏光に変換する形で伝達するようになっている。また給
電ケーブルｉは液晶層ｄが受け取る電荷のエネルギを供
給する。
ｅ間に一定の電圧をかけている状態にて、アモルファス
シリコン層ａに書き込み光ｖを照射すると、照射した部
分だけ電荷が蓄積され、層ｂ，ｃをまたいで液晶層ｄに
伝達される。反対側より読み出し光ｗを垂直に照射する
と、電荷の伝達された液晶層ｄの部分のみ偏光回転角が
４５゜に変化するようになっている。この光は内部の誘
電体ミラーｂにて反射するため、合計回転角は９０゜と
なり、Ｐ偏光をＳ偏光に変換できる角度となる。このよ
うにして照射されたマスクパターン像は、アモルファス
シリコン層ａにより記憶されるとともに、液晶層ｄによ
り偏光回転角の形態で表示され、露光光をＰ偏光からＳ
偏光に変換する形で伝達するようになっている。また給
電ケーブルｉは液晶層ｄが受け取る電荷のエネルギを供
給する。
【００１２】マスクパターンの形成の際には、レーザー
光源２７からの光を変調素子２６によってマスクパター
ン情報に基づいて変調して斜鏡２５に入射させ、ガルバ
ノミラー２４に向けて図面（紙面）に垂直な方向に反射
する。ガルバノミラー２４はガルバノミラー駆動ユニッ
ト２３により入射光を垂直方向に走査し、多面体回転ミ
ラーユニット２２に向けて反射する。多面体回転ミラー
ユニット２２は回転しながら光を水平方向に走査し、光
書き込み型反射式液晶マスク４に向けて反射する。こう
して二次元のマスクパターン像を光書き込み型反射式液
晶マスク４の右側面上に生成する。
光源２７からの光を変調素子２６によってマスクパター
ン情報に基づいて変調して斜鏡２５に入射させ、ガルバ
ノミラー２４に向けて図面（紙面）に垂直な方向に反射
する。ガルバノミラー２４はガルバノミラー駆動ユニッ
ト２３により入射光を垂直方向に走査し、多面体回転ミ
ラーユニット２２に向けて反射する。多面体回転ミラー
ユニット２２は回転しながら光を水平方向に走査し、光
書き込み型反射式液晶マスク４に向けて反射する。こう
して二次元のマスクパターン像を光書き込み型反射式液
晶マスク４の右側面上に生成する。
【００１３】次にマスクパターンをウエハに露光転写す
る際には、露光用ランプ９からの光をコンデンサレンズ
８を通して平行光に変換した後、ガラス板２９を経てマ
イクロレンズアレイ５により各画素ごとに集光して上記
パターンが書き込まれた光書き込み型反射式液晶マスク
４を照射する。光書き込み型反射式液晶マスク４は、内
部にある液晶層ｄと透明電極層ｅの偏光回転角が４５゜
の時（内部の誘電体ミラーｂにより反射されるので偏光
回転角の合計は９０゜となる）のみ、入射するＰ偏光を
Ｓ偏光に変換して反射する。それ以外では入射するＰ偏
光をＰ偏光のまま反射する。
る際には、露光用ランプ９からの光をコンデンサレンズ
８を通して平行光に変換した後、ガラス板２９を経てマ
イクロレンズアレイ５により各画素ごとに集光して上記
パターンが書き込まれた光書き込み型反射式液晶マスク
４を照射する。光書き込み型反射式液晶マスク４は、内
部にある液晶層ｄと透明電極層ｅの偏光回転角が４５゜
の時（内部の誘電体ミラーｂにより反射されるので偏光
回転角の合計は９０゜となる）のみ、入射するＰ偏光を
Ｓ偏光に変換して反射する。それ以外では入射するＰ偏
光をＰ偏光のまま反射する。
【００１４】液晶マスク４でＳ偏光に変化した反射光
は、マイクロレンズアレイ５により再び拡大・平行化し
た後、ブリュースター角のガラス板２９によってプロジ
ェクションレンズ３の方向に全反射するが、液晶マスク
４でＳ偏光に変換されないＰ偏光の反射光はガラス板２
９では反射しない。よってパターン像形状となってガラ
ス板２９で反射し、反射した露光光はプロジェクション
レンズ３で縮小してＸＹステージ１上のウエハ２のレジ
ストを照射してパターンを露光転写する。こうして、液
晶マスク４に書き込んだマスクパターンをウエハ２に転
写することができる。
は、マイクロレンズアレイ５により再び拡大・平行化し
た後、ブリュースター角のガラス板２９によってプロジ
ェクションレンズ３の方向に全反射するが、液晶マスク
４でＳ偏光に変換されないＰ偏光の反射光はガラス板２
９では反射しない。よってパターン像形状となってガラ
ス板２９で反射し、反射した露光光はプロジェクション
レンズ３で縮小してＸＹステージ１上のウエハ２のレジ
ストを照射してパターンを露光転写する。こうして、液
晶マスク４に書き込んだマスクパターンをウエハ２に転
写することができる。
【００１５】本実施例によれば、光書き込み型の反射式
液晶を用いたため、内部電極等の加工精度に関係なくマ
スクパターン精度が高くかつ画素間の隙間もないため高
精細なマスクパターンを形成することができる。また、
露光に際しては露光照度が大きくコントラストが高いと
いった利点も有する。また物理的なマスク交換が必要な
いため、スループットの向上や低塵化も達成できる。ま
た、価格の高いマスクを多数使用する必要もなく、マス
クパターンの修正も容易で、多品種少量生産の用途にも
好適である。
液晶を用いたため、内部電極等の加工精度に関係なくマ
スクパターン精度が高くかつ画素間の隙間もないため高
精細なマスクパターンを形成することができる。また、
露光に際しては露光照度が大きくコントラストが高いと
いった利点も有する。また物理的なマスク交換が必要な
いため、スループットの向上や低塵化も達成できる。ま
た、価格の高いマスクを多数使用する必要もなく、マス
クパターンの修正も容易で、多品種少量生産の用途にも
好適である。
【００１６】＜実施例２＞次に本発明の第２の実施例に
ついて説明する。本実施例は上記実施例で用いた光書き
込み型の反射式液晶の代わりに、電気書き込み型の反射
式液晶であるＩＣビジョンを使用したことを特徴とす
る。
ついて説明する。本実施例は上記実施例で用いた光書き
込み型の反射式液晶の代わりに、電気書き込み型の反射
式液晶であるＩＣビジョンを使用したことを特徴とす
る。
【００１７】図４は、本発明の第２実施例の全体構成図
であり、先の実施例１と同一の符号は同一の部材を表
す。先の実施例との差異は、ＩＣビジョン型反射式マス
ク２８を用いて、これをコントロールするマスクため制
御装置１５、信号ケーブル１６を設けた点である。
であり、先の実施例１と同一の符号は同一の部材を表
す。先の実施例との差異は、ＩＣビジョン型反射式マス
ク２８を用いて、これをコントロールするマスクため制
御装置１５、信号ケーブル１６を設けた点である。
【００１８】図５は、電気書き込み型の反射式液晶であ
るＩＣビジョンの構造について説明した図である。ＩＣ
ビジョンの画素は、基板下面の集積回路素子部ｔ、集積
回路素子部ｔの上層に設けられ反射鏡の機能も兼ねる細
かな電極ｒ、電極ｒの上に塗布された液晶ｄ、及び液晶
ｄの上部表面を覆う透明電極層ｅ・保護用コートｇによ
り構成されている。ここで液晶ｄの下面に構成された電
極ｒに電荷を与えることで、電極ｒと透明電極層ｅとの
間の液晶ｄの偏光回転角を変化させ、全反射する条件の
回転角（９０゜）にすることで、Ｓ偏光画像の生成を行
なっている。
るＩＣビジョンの構造について説明した図である。ＩＣ
ビジョンの画素は、基板下面の集積回路素子部ｔ、集積
回路素子部ｔの上層に設けられ反射鏡の機能も兼ねる細
かな電極ｒ、電極ｒの上に塗布された液晶ｄ、及び液晶
ｄの上部表面を覆う透明電極層ｅ・保護用コートｇによ
り構成されている。ここで液晶ｄの下面に構成された電
極ｒに電荷を与えることで、電極ｒと透明電極層ｅとの
間の液晶ｄの偏光回転角を変化させ、全反射する条件の
回転角（９０゜）にすることで、Ｓ偏光画像の生成を行
なっている。
【００１９】図６は、本実施例のマスクの表示制御を行
う制御システムのブロック構成図である。ＩＣビジョン
型反射式マスク２８はドライブ素子を３２を備え、制御
装置１５は、マスク用インターフェース３５、高速バス
マザーボード３４、ＣＰＵ３６、マスクパターン記憶用
メモリ３７、外部接続用インターフェイス３８、発光素
子３９ａ、受光素子３９ｂにより構成されており、光フ
ァイバーケーブル４０にて外部コンピュータ３０と接続
されている。外部コンピュータ３０より光ファイバーケ
ーブル４０を経由して入力したマスクパターンデータ
は、受光素子３９ｂにより電気信号に変換し、外部接続
用インターフェイス３８及びマザーボード３４内の１０
０Ｍｂｙｔｅ／ｓ以上の高速バス（ＰＣＩバス〔１３２
〜２６４Ｍｂｙｔｅ／ｓ〕、ＶＬバス〔１００〜２００
Ｍｂｙｔｅ／ｓ〕等）を通してマスクパターン記憶用メ
モリ３７に蓄積する。ここで、マザーボード内のバスを
上述のように高速としたのは、一枚分当たり約７．４Ｇ
ｂｙｔｅ以上というマスクパターンデータの情報量の巨
大さ、及び約１分前後というマスクパターン書き換え時
間を達成するためである。ＣＰＵ３６がマスクパターン
記憶用メモリ３７からマザーボード３４を通してマスク
パターンデータを読み取り、駆動信号に変換してマザー
ボード３４及びマスク用インターフェース３５を介して
ドライブ素子３２を駆動し、ＩＣビジョン型反射式マス
ク２８にマスクパターンを偏光回転角４５゜の形で表示
するようになっている。
う制御システムのブロック構成図である。ＩＣビジョン
型反射式マスク２８はドライブ素子を３２を備え、制御
装置１５は、マスク用インターフェース３５、高速バス
マザーボード３４、ＣＰＵ３６、マスクパターン記憶用
メモリ３７、外部接続用インターフェイス３８、発光素
子３９ａ、受光素子３９ｂにより構成されており、光フ
ァイバーケーブル４０にて外部コンピュータ３０と接続
されている。外部コンピュータ３０より光ファイバーケ
ーブル４０を経由して入力したマスクパターンデータ
は、受光素子３９ｂにより電気信号に変換し、外部接続
用インターフェイス３８及びマザーボード３４内の１０
０Ｍｂｙｔｅ／ｓ以上の高速バス（ＰＣＩバス〔１３２
〜２６４Ｍｂｙｔｅ／ｓ〕、ＶＬバス〔１００〜２００
Ｍｂｙｔｅ／ｓ〕等）を通してマスクパターン記憶用メ
モリ３７に蓄積する。ここで、マザーボード内のバスを
上述のように高速としたのは、一枚分当たり約７．４Ｇ
ｂｙｔｅ以上というマスクパターンデータの情報量の巨
大さ、及び約１分前後というマスクパターン書き換え時
間を達成するためである。ＣＰＵ３６がマスクパターン
記憶用メモリ３７からマザーボード３４を通してマスク
パターンデータを読み取り、駆動信号に変換してマザー
ボード３４及びマスク用インターフェース３５を介して
ドライブ素子３２を駆動し、ＩＣビジョン型反射式マス
ク２８にマスクパターンを偏光回転角４５゜の形で表示
するようになっている。
【００２０】ＩＣビジョン型反射式マスク２８は液晶面
上にＳ偏光のマスクパターン像を電気的に生成する。露
光転写の際には、Ｐ偏光光をブリュースター角のガラス
板２９を通過させて、マイクロレンズアレイ５により各
画素ごとに集光してＩＣビジョン型反射式マスク２８に
照射する。ＩＣビジョン型反射式マスク２８は、上記第
１実施例の液晶マスクと同様、内部にある液晶層による
偏光回転角が４５゜（内部電極により反射するためトー
タル９０゜）の時にだけ、反射光をＰ偏光からＳ偏光に
変換するようになっている。マスク２８にて反射した光
はマイクロレンズアレイ５により再び拡大・平行化され
る。そしてブリュースター角を持ったガラス板２９では
Ｓ偏光のみ全反射するため、ガラス板２９を反射した光
はパターン像形状となり、これはプロジェクションレン
ズ３で縮小されＸＹステージ１上のウエハ２のレジスト
を照射する。こうして、液晶マスク２８に書き込んだマ
スクパターンをウエハ２に転写することができる。
上にＳ偏光のマスクパターン像を電気的に生成する。露
光転写の際には、Ｐ偏光光をブリュースター角のガラス
板２９を通過させて、マイクロレンズアレイ５により各
画素ごとに集光してＩＣビジョン型反射式マスク２８に
照射する。ＩＣビジョン型反射式マスク２８は、上記第
１実施例の液晶マスクと同様、内部にある液晶層による
偏光回転角が４５゜（内部電極により反射するためトー
タル９０゜）の時にだけ、反射光をＰ偏光からＳ偏光に
変換するようになっている。マスク２８にて反射した光
はマイクロレンズアレイ５により再び拡大・平行化され
る。そしてブリュースター角を持ったガラス板２９では
Ｓ偏光のみ全反射するため、ガラス板２９を反射した光
はパターン像形状となり、これはプロジェクションレン
ズ３で縮小されＸＹステージ１上のウエハ２のレジスト
を照射する。こうして、液晶マスク２８に書き込んだマ
スクパターンをウエハ２に転写することができる。
【００２１】＜実施例３＞次に上記説明した露光装置を
利用したデバイスの生産方法の実施例を説明する。
利用したデバイスの生産方法の実施例を説明する。
【００２２】図７は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半
導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マ
イクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１
（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。
ステップ２（マスク製作）では設計した回路パターンを
形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ
製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、
上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技
術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステ
ップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によ
って作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程
であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディン
グ）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含
む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷（ステップ７）される。
導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マ
イクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１
（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。
ステップ２（マスク製作）では設計した回路パターンを
形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ
製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、
上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技
術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステ
ップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によ
って作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程
であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディン
グ）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含
む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半
導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査
を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷（ステップ７）される。
【００２３】図８は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ
１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ
１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分
を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンが形成される。
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ
１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ
１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分
を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンが形成される。
【００２４】本実施例の生産方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを低コストに
製造することができる。
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを低コストに
製造することができる。
【００２５】
【発明の効果】請求項１及び８〜９記載の発明によれ
ば、露光装置のマスクとして反射式液晶を用いたため、
マスクパターン精度、露光照度、コントラストなどに優
れ、高精度な露光が可能となる。
ば、露光装置のマスクとして反射式液晶を用いたため、
マスクパターン精度、露光照度、コントラストなどに優
れ、高精度な露光が可能となる。
【００２６】請求項２記載の発明によれば、光書き込み
型液晶を用いることで、マスクパターンの精度を制限す
る電極の加工精度の影響を無くし、より簡単にパターン
精度の高いマスクを実現することができる。また、マス
クパターン画素間の隙間の大きさを左右する電極の加工
精度の影響を無くし、より簡単に画素間の隙間が無いマ
スクを実現することができる。
型液晶を用いることで、マスクパターンの精度を制限す
る電極の加工精度の影響を無くし、より簡単にパターン
精度の高いマスクを実現することができる。また、マス
クパターン画素間の隙間の大きさを左右する電極の加工
精度の影響を無くし、より簡単に画素間の隙間が無いマ
スクを実現することができる。
【００２７】請求項４乃至６記載の発明によれば、露光
照度を低下させる偏光フィルタの透過率の影響を無くす
ことができ、光利用効率の高い露光装置を実現すること
ができる。また、より一層高いコントラストが得られ
る。
照度を低下させる偏光フィルタの透過率の影響を無くす
ことができ、光利用効率の高い露光装置を実現すること
ができる。また、より一層高いコントラストが得られ
る。
【００２８】請求項７記載の発明によれば、高集積度の
デバイスを低コストに生産することができる。
デバイスを低コストに生産することができる。
【図１】本発明の第１実施例の全体構成図である。
【図２】光書き込み型の反射式液晶の構造図である。
【図３】図２の要部の詳細な拡大図である。
【図４】本発明の第２実施例の全体構成図である。
【図５】電気書き込み型の反射式液晶（ＩＣビジョン）
の構造図である。
の構造図である。
【図６】第２実施例の実施例の制御システムの構成図で
ある。
ある。
【図７】半導体デバイスの生産フローを示す図である。
【図８】ウエハプロセスの詳細なフローを示す図であ
る。
る。
１ ＸＹステージ ２ ウエハ ３ プロジェクションレンズ ４ 光書き込み型反射式液晶マスク ５ マイクロレンズアレイ ６ Ｐ偏光変換器 ７ 平行光束化レンズ ８ ランプ光集束用コンデンサレンズ ９ 露光用ランプ １０ １／４λ板 １５ マスク制御装置 １６ 信号ケーブル ２２ レーザー光垂直操作用多角形回転ミラーユニット ２３ ガルバノミラー駆動ユニット ２４ レーザー光水平操作用ガルバノミラー ２５ 斜鏡 ２６ レーザー光変調素子 ２７ マスクパターン書き込み用レーザー ２８ ＩＣビジョン型反射式マスク ２９ ブリュースター角のガラス板 ３０ コンピュータ ３２ ＩＣビジョン用ドライブ素子 ３５ マスク用インターフェース ３６ ＣＰＵ ３７ マスクパターン記憶用メモリ ３８ 外部接続用インターフェース ３９ａ 発光素子 ３９ｂ 受光素子 ４０ 光ファイバーケーブル ａ アモルファスシリコン層 ｂ 誘電体多層膜ミラー ｃ 配向層 ｄ 液晶層 ｅ 透明電極層 ｆ ベース材（ガラス基板） ｇ 保護用コート ｈ スペーサ ｉ 給電ケーブル ｖ 書き込み光 ｗ 読み出し光 ｑ 液晶保護用絶縁膜及び配向膜 ｒ 液晶駆動用電極 ｓ 素子内の回路配線 ｔ 液晶駆動用集積回路素子部分
Claims (9)
- 【請求項１】 パターンを表示する反射式液晶表示手段
と、ウエハを搭載するステージと、該反射式液晶表示手
段に表示されたパターンを照明する手段と、該パターン
で反射した光をウエハに投影する手段とを有することを
特徴とする露光装置。 - 【請求項２】 前記表示手段として、光書き込み型の反
射式液晶を用いたことを特徴とする請求項１記載の露光
装置。 - 【請求項３】 前記表示手段として、電気書き込み型の
反射式液晶を用いたことを特徴とする露光装置。 - 【請求項４】 前記照明手段は特定の偏光光を前記反射
式液晶表示手段に照射し、前記投影手段は反射光のうち
該特定の偏光から変化した偏光光を光路中に設けた偏光
部材で反射して、前記ウエハに投影することを特徴とす
る請求項１記載の露光装置。 - 【請求項５】 前記特定の偏光光はＰ偏光であり、前記
反射する光はＳ偏光であることを特徴とする請求項４記
載の露光装置。 - 【請求項６】 光路中にマイクロレンズアレイを設けた
ことを特徴とする請求項１記載の露光装置。 - 【請求項７】 請求項１乃至６のいずれか記載の露光装
置を用いてデバイスを生産することを特徴とするデバイ
ス生産方法。 - 【請求項８】 反射式液晶を用いて、転写用のマスクパ
ターンを形成するようにしたことを特徴とするパターン
転写用マスク。 - 【請求項９】 前記反射式液晶は光書き込み型もしくは
電気書き込み型の反射式液晶であることを特徴とする請
求項８記載のパターン転写用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16737795A JPH0917719A (ja) | 1995-07-03 | 1995-07-03 | 露光装置及びこれを用いたデバイス生産方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16737795A JPH0917719A (ja) | 1995-07-03 | 1995-07-03 | 露光装置及びこれを用いたデバイス生産方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0917719A true JPH0917719A (ja) | 1997-01-17 |
Family
ID=15848593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16737795A Withdrawn JPH0917719A (ja) | 1995-07-03 | 1995-07-03 | 露光装置及びこれを用いたデバイス生産方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0917719A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002231618A (ja) * | 2001-02-02 | 2002-08-16 | Toshiyuki Horiuchi | 液晶マトリックス投影露光装置 |
| US6515734B1 (en) | 1999-12-06 | 2003-02-04 | Olympus Optical Co., Ltd. | Exposure apparatus |
| US6590718B2 (en) | 2000-02-05 | 2003-07-08 | Carl-Zeiss-Stiftung | Projection exposure system having a reflective reticle |
| JP2005338852A (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Asml Holding Nv | リソグラフィシステム |
-
1995
- 1995-07-03 JP JP16737795A patent/JPH0917719A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6515734B1 (en) | 1999-12-06 | 2003-02-04 | Olympus Optical Co., Ltd. | Exposure apparatus |
| US6590718B2 (en) | 2000-02-05 | 2003-07-08 | Carl-Zeiss-Stiftung | Projection exposure system having a reflective reticle |
| USRE40743E1 (en) | 2000-02-05 | 2009-06-16 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure system having a reflective reticle |
| JP2002231618A (ja) * | 2001-02-02 | 2002-08-16 | Toshiyuki Horiuchi | 液晶マトリックス投影露光装置 |
| JP2005338852A (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Asml Holding Nv | リソグラフィシステム |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020903 |