JP2003057836A - 多重露光描画装置および多重露光描画方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 マトリクス状に配置された多数の変調素子を
持つ露光ユニットを用いて、パターンデータの画素サイ
ズがどのような大きさのものであってもそのパターンデ
ータに基づいて所定のパターンを適正に多重露光により
描画する。 【解決手段】 露光ユニット２０₀₁〜２０₁₅のマトリク
ス状に配置された変調素子の一方の配列方向に沿ってし
かも該配列方向に対して該露光ユニット２０₀₁〜２０₁₅
を描画面３２に対して相対移動させる。露光ユニットの
変調素子によって描画面上に得られる単位露光領域のサ
イズの整数倍の距離Ａに該サイズより小さい距離ａを加
えた距離（Ａ＋ａ）だけ露光ユニットが描画面上に対し
て相対的に移動する度毎に該露光ユニットの変調素子を
所定のパターンデータに基づいて選択的に露光作動させ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はマトリクス状に配置
された多数の変調素子を持つ露光ユニットを用いて描画
面上に所定のパターンを描画する描画装置および描画方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】上述したような描画装置は一般的には適
当な被描画体の表面に微細なパターンや文字等の記号を
光学的に描画するために使用される。代表的な使用例と
しては、フォトリゾグラフィ（photolithography）の手
法によりプリント回路基板を製造する際の回路パターン
の描画が挙げられ、この場合には被描画体はフォトマス
ク用感光フィルム或いは基板上のフォトレジスト層であ
る。

【０００３】近年、回路パターンの設計プロセスから描
画プロセスに至るまでの一連のプロセスは統合されてシ
ステム化され、描画装置はそのような統合システムの一
翼を担っている。統合システムには、描画装置の他に、
回路パターンを設計するためのＣＡＤ（Computer Aided
Design）ステーション、このＣＡＤステーションで得
られた回路パターンのベクタデータを編集するＣＡＭ
（Computer Aided Manufacturing）ステーション等が設
けられる。ＣＡＤステーションで作成されたベクタデー
タ或いはＣＡＭステーションで編集されたベクタデータ
は描画装置に転送され、そこでラスタデータに変換され
た後にビットマップメモリに格納される。

【０００４】露光ユニットの一タイプとして、例えばＤ
ＭＤ（Digital Micromirror Device）或いはＬＣＤ（Li
quid Crystal Display）アレイ等から構成されるものが
知られている。周知のように、ＤＭＤの反射面には、マ
イクロミラーがマトリクス状に配置され、個々のマイク
ロミラーの反射方向が独立して制御されるようになって
おり、このためＤＭＤの反射面の全体に導入された光束
は個々のマイクロミラーによる反射光束として分割され
るようになっており、このため各マイクロミラーは変調
素子として機能する。また、ＬＣＤアレイにおいては、
一対の透明基板間に液晶が封入され、その双方の透明基
板には互いに整合させられた多数対の微細な透明電極が
マトリクス状に配置され、個々の一対の透明電極に電圧
を印加するか否かにより光束の透過および非透過が制御
されるようになっており、このため各一対の透明電極が
変調素子として機能する。

【０００５】描画装置には被描画体の感光特性に応じた
適当な光源、例えば超高圧水銀灯、キセノンランプ、フ
ラッシュランプ、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）、レ
ーザ等が設けられ、また露光ユニットには結像光学系が
組み込まれる。光源から射出した光束は照明光学系を通
して露光ユニットに導入させられ、露光ユニットの個々
の変調素子はそこに入射した光束を回路パターンのラス
タデータに従って変調し、これにより回路パターンが被
描画体上に露光されて光学的に描画される。この場合、
描画される回路パターンの画素のサイズは変調素子のサ
イズに対応したものとなり、例えば、上述した結像光学
系の倍率が等倍であるとき、描画回路パターンの画素の
サイズと変調素子のサイズとは実質的に等しくなる。

【０００６】通常、被描画体に描画されるべき回路パタ
ーンの描画面積は露光ユニットによる露光面積よりも遥
かに大きく、このため被描画体上に回路パターンの全体
を描画するためには、被描画体を露光ユニットで走査す
ることが必要となる。即ち、被描画体に対して露光ユニ
ットを相対的に移動させつつ回路パターンを部分的に描
画してその全体の回路パターンを得ることが必要とな
る。そこで、従来では、描画装置には、例えば所定の走
査方向に沿って移動可能な描画テーブルが設けられ、こ
の描画テーブルの移動経路の上方に露光ユニットが固定
位置に配置される。描画テーブル上には被描画体が所定
の位置に位置決めされ、描画テーブルを走査方向に沿っ
て間欠的に移動させつつ回路パターンを部分的に順次描
画して継ぎ足すことにより、全体の回路パターンが得ら
れることになる。このような露光方式についてはステッ
プ・アンド・リピート（Step & Repeat）方式と呼ばれ
る。

【０００７】また、別のタイプの露光ユニットとして、
例えばレーザビーム走査光学系から構成されるものも知
られている。このようなタイプの露光ユニットを用いる
描画装置にあっては、被描画体の移動方向を横切る方向
にレーザビームを偏向させて該レーザビームでもって被
描画体を走査すると共に該走査レーザビームを一ライン
分の描画データ（ラスタデータ）でもって順次変調させ
ることによって、所望の回路パターンの描画が行われ
る。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】以上で述べたような従
来の描画装置のいずれのタイプのものにあっては、回路
パターンの描画解像度は個々の描画装置で予め決められ
た画素サイズ（ドットサイズ）によって決まる。即ち、
マトリクス状に配列された変調素子から成る露光ユニッ
トを持つ描画装置にあっては、回路パターンの描画解像
度は個々の変調素子サイズ即ち画素サイズによって決ま
り、またレーザビーム走査光学系を持つ描画装置にあっ
ては、走査レーザビームのビーム径即ち画素サイズによ
って決まる。

【０００９】かくして、従来では、ＣＡＤステーション
或いはＣＡＭステーションで回路パターンを設計する際
の一画素サイズはその回路パターンを描画すべき個々の
描画装置によって予め決められた画素サイズに一致させ
ることが必要である。換言すれば、ＣＡＤステーション
或いはＣＡＭステーションでの回路パターンの設計の自
由度を高めるためには、種々の画素サイズに対応できる
描画装置が用意されなければならないし、種々の画素サ
イズに対応できる描画装置を用意できなければ、ＣＡＤ
ステーション或いはＣＡＭステーションでの回路パター
ンの設計の自由度が制限されるということになる。

【００１０】従って、本発明の目的は、マトリクス状に
配置された多数の変調素子を持つ露光ユニットを用いて
描画面上に所定のパターンを描画する描画方法および描
画装置であって、パターンデータの画素サイズがどのよ
うな大きさのものであってもそのパターンデータに基づ
いて所定のパターンを適正に描画し得るようになった新
規な多重露光描画装置および多重露光描画方法を提供す
ることである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明に係る多重露光描
画装置は、マトリクス状に配列された多数の変調素子を
持つ少なくとも１つの露光ユニットを用いて所定パター
ンを描画面上に多重露光により描画する多重露光描画装
置であって、所定パターンを所定の画素サイズに基づい
て表したラスタデータを保持する第１メモリ手段と、描
画面に対する露光ユニットの相対位置を画素サイズに基
づいて表した露光位置データを保持する第２メモリ手段
と、露光ユニットにおける各変調素子の相対位置を示す
露光点データを保持する第３メモリ手段と、露光位置デ
ータおよび露光点データに基づいて、個々の変調素子に
対応するラスタデータを第１メモリ手段から読み出して
露光データを生成する露光データ生成手段と、露光デー
タに基づいて変調素子をそれぞれ駆動制御する変調素子
制御手段とを備えることを特徴とする。

【００１２】多重露光描画装置は、好ましくは露光ユニ
ットのマトリクス状に配置された変調素子の一方の配列
方向に沿ってしかも配列方向に対して所定の角度だけ傾
斜させて露光ユニットを描画面に対して相対的に移動さ
せる移動手段と、露光ユニットの変調素子によって描画
面上に得られる単位露光領域のサイズの整数倍の距離Ａ
にサイズより小さい距離ａを加えた距離（Ａ＋ａ）だけ
露光ユニットが描画面上に対して相対的に移動する度毎
に露光ユニットの変調素子を露光データに基づいて選択
的に露光作動させる露光手段とをさらに備える。

【００１３】多重露光描画装置は、露光点データを描画
面の露光すべき一画素領域に対応させるための補正デー
タを保持する第４メモリ手段をさらに備えてもよく、ま
た、補正データが回路パターンの描画精度の許容誤差に
応じた数だけ設けられ、任意の１つの補正データが選択
されてもよい。

【００１４】また本発明に係る多重露光描画方法は、マ
トリクス状に配列された多数の変調素子を持つ少なくと
も１つの露光ユニットを用いて所定パターンを描画面上
に多重露光により描画する多重露光描画方法であって、
所定パターンを所定の画素サイズに基づいて表したラス
タデータを第１メモリに保持する第１ステップと、描画
面に対する露光ユニットの相対位置を画素サイズに基づ
いて表した露光位置データを第２メモリに保持する第２
ステップと、露光ユニットにおける各変調素子の相対位
置を示す露光点データを第３メモリに保持する第３ステ
ップと、露光位置データおよび露光点データに基づい
て、個々の変調素子に対応するラスタデータを第１メモ
リ手段から読み出して露光データを生成する第４ステッ
プと、露光データに基づいて各変調素子を駆動制御する
第５ステップと備えることを特徴とする。

【００１５】

【発明の実施の形態】次に、添付図面を参照して、本発
明による多重露光描画装置の一実施形態について説明す
る。

【００１６】図１には、本発明による多重露光描画装置
の実施形態が斜視図として概略的に示される。この多重
露光描画装置はプリント回路基板を製造するための基板
上に形成されたフォトレジスト層に回路パターンを直接
描画するように構成されている。

【００１７】図１に示すように、多重露光描画装置１０
は床面上に据え付けられる基台１２を備える。基台１２
上には一対のガイドレール１４が平行に敷設され、さら
にそれらガイドレール１４上には描画テーブル１６が搭
載される。この描画テーブル１６は図示されない適当な
駆動機構、例えばボール螺子等をステッピングモータ等
のモータにより駆動させられ、これにより一対のガイド
レール１４に沿ってそれらの長手方向であるＸ方向に相
対移動する。描画テーブル１６上には被描画体３０とし
てフォトレジスト層を持つ基板が設置され、このとき被
描画体３０は図示されない適当なクランプ手段によって
描画テーブル１６上に適宜固定される。

【００１８】基台１２上には一対のガイドレール１４を
跨ぐようにゲート状構造体１８が固設され、このゲート
状構造体１８の上面には複数の露光ユニットが描画テー
ブル１６の移動方向（Ｘ方向）に対して直角なＹ方向に
２列に配列される。第１列目に配された８個の露光ユニ
ットを図の左側から順に符号２０₀₁、２０₀₃、２０₀₅、
２０₀₇、２０₀₉、２０₁₁、２０₁₃および２０₁₅で示し、
その後方に配された第２列目の７個の露光ユニットを図
の左側から符号２０₀₂、２０₀₄、２０₀₆、２０ ₀₈、２０
₁₀、２０₁₂および２０₁₄で示している。

【００１９】第１列目の露光ユニット２０₀₁、２０₀₃、
２０₀₅、２０₀₇、２０₀₉、２０₁₁、２０₁₃および２０₁₅
と、第２列目の露光ユニット２０₀₂、２０₀₄、２０₀₆、
２０ ₀₈、２０₁₀、２０₁₂および２０₁₄とは所謂千鳥状に
配置される。即ち、隣り合う２つの露光ユニット間の距
離は、全て１つの露光ユニットの幅に略等しく設定さ
れ、第２列目の露光ユニット２０₀₂、２０₀₄、２０₀₆、
２０₀₈、２０₁₀、２０₁₂および２０₁₄の配列ピッチは第
１列目の露光ユニット２０₀₁、２０₀₃、２０₀₅、２
０₀₇、２０₀₉、２０₁₁、２０₁₃および２０₁₅の配列ピッ
チに対して半ピッチだけずらされている。

【００２０】本実施形態では、１５個の露光ユニット２
０₀₁〜２０₁₅はそれぞれＤＭＤユニットとして構成され
ており、各露光ユニットの反射面は例えば１０２４×１
２８０のマトリクス状に配列された１３１０７２０個の
マイクロミラーから形成される。即ち、各露光ユニット
２０₀₁〜２０₁₅は、Ｘ方向に沿って１０２４個、Ｙ方向
に沿って１２８０個のマイクロミラーがマトリクス状に
配列されるように設置される。

【００２１】ゲート状構造体１８の上面の適当な箇所、
例えば第１露光ユニット２０₀₁の図中左方には光源装置
２２が設けられる。この光源装置２２には図示しない複
数のＬＥＤ（Light Emitting Diode）が含まれ、これら
ＬＥＤから発した光は集光されて平行光束として光源装
置２２の射出口から射出される。光源装置２２にはＬＥ
Ｄの他、レーザ、超高圧水銀ランプ、キセノンランプお
よびフラッシュランプ等を用いてもよい。

【００２２】光源装置２２の射出口には１５本の光ファ
イバケーブル束が接続され、個々の光ファイバケーブル
２４は１５個の露光ユニット２０₀₁〜２０₁₅のそれぞれ
に対して延設され、これにより光源装置２２から各露光
ユニット２０₀₁〜２０₁₅へ照明光が導入される。各露光
ユニット２０₀₁〜２０₁₅は、光源装置２２からの照明光
を描くべき回路パターンに応じて変調し、図の下方即ち
ゲート状構造体１８の内側を進む描画テーブル１６上の
被描画体３０に向かって出射する。これにより、被描画
体３０の上面に形成されたフォトレジスト層において照
明光が照射された部分だけが感光する。照明光の強度は
被描画体３０のフォトレジスト層の感度に応じて調整さ
れる。

【００２３】図２には、第１露光ユニット２０₀₁の主要
構成が概念的に図示されている。他の１４個の露光ユニ
ット２０₀₂〜２０₁₅は第１露光ユニット２０₀₁と同じ構
成および機能を有しており、ここでは説明を省略する。
第１露光ユニット２０₀₁には、照明光学系２６および結
像光学系２８が組み込まれ、両者の間の光路上にはＤＭ
Ｄ素子２７が設けられる。このＤＭＤ素子２７は、例え
ばウェハ上にアルミスパッタリングで作りこまれた、反
射率の高い一辺がＣの正方形マイクロミラーを静電界作
用により動作させるデバイスであり、このマイクロミラ
ーはシリコンメモリチップの上に１０２４×１２８０の
マトリクス状に１３１０７２０個敷き詰められている。
それぞれのマイクロミラーは、対角線を中心に回転傾斜
することができ、安定した２つの姿勢（第１および第２
反射位置）に位置決めできる。

【００２４】照明光学系２６は凸レンズ２６Ａおよびコ
リメートレンズ２６Ｂを含み、凸レンズ２６Ａは光源２
２から延設された光ファイバケーブル３０と光学的に結
合される。このような照明光学系２６により、光ファイ
バケーブル３０から射出した光束は第１露光ユニット２
０₀₁のＤＭＤ素子２７の反射面全体を照明するような平
行光束ＬＢに成形される。結像光学系２８には２つの凸
レンズ２８Ａおよび２８Ｃと、２つの凸レンズ２８Ａお
よび２８Ｃ間に配されるリフレクタ２８Ｂとが含まれ、
この結像光学系２８の倍率は例えば等倍（倍率１）に設
定される。

【００２５】第１露光ユニット２０₀₁に含まれる個々の
マイクロミラーはそれぞれに入射した光束を結像光学系
２８に向けて反射させる第１反射位置（以下、露光位置
と記載する）と該光束を結像光学系２８から逸らすよう
に反射させる第２反射位置（以下、非露光位置と記載す
る）との間で回動変位するように動作させられる。任意
のマイクロミラーＭ（ｍ，ｎ）（１≦ｍ≦１０２４，１
≦ｎ≦１２８０）が露光位置に位置決めされると、そこ
に入射したスポット光は一点鎖線ＬＢ₁で示されるよう
に結像光学系２８に向かって反射され、同マイクロミラ
ーＭ（ｍ，ｎ）が非露光位置に位置決めされると、スポ
ット光は一点鎖線ＬＢ₂で示されるように光吸収版２９
に向かって反射されて結像光学系２８から逸らされる。

【００２６】マイクロミラーＭ（ｍ，ｎ）から反射され
たスポット光ＬＢ₁は、結像光学系２８によって描画テ
ーブル１６上に設置された被描画体３０の描画面３２上
に導かれる。例えば、第１露光ユニット２０₀₁に含まれ
る個々のマイクロミラーＭ（ｍ，ｎ）のサイズがＣ×Ｃ
であるとすると、結像光学系２８の倍率は等倍であるか
ら、マイクロミラーＭ（ｍ，ｎ）の反射面は描画面３２
上のＣ×Ｃの露光領域Ｕ（ｍ，ｎ）として結像される。
Ｃは例えば２０μｍである。

【００２７】なお、１つのマイクロミラーＭ（ｍ，ｎ）
によって得られるＣ×Ｃの露光領域は以下の記載では単
位露光領域Ｕ（ｍ，ｎ）として言及され、全てのマイク
ロミラーＭ（１，１）〜Ｍ（１０２４，１２８０）によ
って得られる（Ｃ×１０２４）×（Ｃ×１２８０）の露
光領域は、全面露光領域Ｕａ₀₁として言及される。

【００２８】図２の左上隅のマイクロミラーＭ（１，
１）に対応する単位露光領域Ｕ（１，１）は全面露光領
域Ｕａ₀₁の左下隅に位置し、左下隅のマイクロミラーＭ
（１０２４，１）に対応する単位露光領域Ｕ（１０２
４，１）は全面露光領域Ｕａ₀₁の左上隅に位置する。ま
た、右上隅のマイクロミラーＭ（１，１２８０）に対応
する単位露光領域Ｕ（１，１２８０）は全面露光領域Ｕ
ａ₀₁の右下隅に位置し、右下隅のマイクロミラーＭ（１
０２４，１２８０）に対応する単位露光領域Ｕ（１０２
４，１２８０）は全面露光領域Ｕａ₀₁の右上隅に位置す
る。

【００２９】第１露光ユニット２０₀₁では、個々のマイ
クロミラーＭ（ｍ，ｎ）は通常は非露光位置に位置決め
されているが、露光時には非露光位置から露光位置に回
動変位させられる。マイクロミラーＭ（ｍ，ｎ）の非露
光位置から露光位置への回動変位の制御については、後
述するように回路パターンのラスタデータに基づいて行
われる。なお、結像光学系２８から逸らされたスポット
光ＬＢ₂は描画面３２に到達しないように光吸収板２９
によって吸収される。

【００３０】第１露光ユニット２０₀₁に含まれる１３１
０７２０個の全てのマイクロミラーが露光位置に置かれ
たときは、全マイクロミラーから反射された全スポット
光が結像光学系２８に入射させられ、描画面３２上には
第１露光ユニット２０₀₁による全面露光領域Ｕａ₀₁が得
られる。全面露光領域Ｕａ₀₁のサイズについては、単位
露光領域Ｕ（ｍ，ｎ）の一辺の長さＣが２０μｍであれ
ば、２５．６ｍｍ（＝１０２４×２０μｍ）×２０．４
８ｍｍ（＝１２８０×２０μｍ）となり、そこに含まれ
る総画素数は勿論１０２４×１２８０個となる。

【００３１】図３（ａ）〜（ｃ）を参照して、多重露光
描画装置における描画処理について説明する。図３
（ａ）〜（ｃ）は描画処理の経時変化を段階的に示す図
であり、被描画体３０の描画面３２の平面図である。以
下の説明の便宜上、描画面３２を含む平面上にはＸ−Ｙ
直交座標系が定義される。破線で囲まれた長方形の領域
は、１５個の露光ユニット２０₀₁〜２０₁₅のそれぞれに
よってＸ−Ｙ平面上で得られる全面露光領域Ｕａ₀₁〜Ｕ
ａ₁₅である。第１列の全面露光領域Ｕａ₀₁、Ｕａ₀₃、Ｕ
ａ₀₅、Ｕａ₀₇、Ｕａ₀₉、Ｕａ₁₁、Ｕａ₁₃およびＵａ₁₅は
その図中下辺がＹ軸に一致するように配置させられ、第
２列の全面露光領域Ｕａ₀₂、Ｕａ₀₄、Ｕａ₀₆、Ｕａ₀₈、
Ｕａ₁₀、Ｕａ₁₂およびＵａ₁₄はその図中下辺がＹ軸から
負側に距離Ｓだけ離れた直線に一致するように配され
る。

【００３２】Ｘ−Ｙ直交座標系のＸ軸は露光ユニット２
０₀₁〜２０₁₅の配列方向に対して直角とされ、このため
各露光ユニット２０₀₁〜２０₁₅内のそれぞれ１３１０７
２０（１０２４×１２８０）個のマイクロミラーもＸ−
Ｙ直交座標系のＸ軸およびＹ軸に沿ってマトリクス状に
配列される。

【００３３】図３では、Ｘ−Ｙ直交座標系の座標原点は
第１列目の第１露光ユニット２０₀₁によって得られる全
面露光領域Ｕａ₀₁の図中左下角に一致しているように図
示されているが、正確には、座標原点は第１露光ユニッ
ト２０₀₁のＹ軸に沿う第１ラインのマイクロミラーのう
ちの先頭のマイクロミラーＭ（１，１）によって得られ
る単位露光領域Ｕ（１，１）の中心に位置する。上述し
たように、本実施形態では単位露光領域Ｕ（１，１）の
サイズは２０μｍ×２０μｍであるので、Ｙ軸は第１露
光ユニット２０による全面露光領域Ｕａ₀₁の境界から１
０μｍだけ内側に進入したものとなっている。換言すれ
ば、第１列目の８つの露光ユニット２０ ₀₁、２０₀₃、２
０₀₅、２０₀₇、２０₀₉、２０₁₁、２０₁₃および２０₁₅の
それぞれの第１ラインに含まれる１２８０個のマイクロ
ミラーＭ（１，ｎ）（１≦ｎ≦１２８０）の全ての中心
がＹ軸上に位置する。

【００３４】描画面３２は描画テーブル１６により白抜
き矢印で示すようにＸ軸に沿ってその負の方向に向かっ
て移動させられるので、全面露光領域Ｕａ₀₁〜Ｕａ₁₅は
描画面３２に対してＸ軸の正の方向に相対移動すること
になる。

【００３５】描画面３２に設定された描画開始位置ＳＬ
がＹ軸、即ち第１列目の８個の露光ユニット２０₀₁、２
０₀₃、２０₀₅、２０₀₇、２０₀₉、２０₁₁、２０₁₃および
２０ ₁₅に対応する第１列目の全面露光領域Ｕａ₀₁、Ｕａ
₀₃、Ｕａ₀₅、Ｕａ₀₇、Ｕａ₀₉、Ｕａ₁₁、Ｕａ₁₃およびＵ
ａ₁₅の境界に一致すると、まず第１列目の露光ユニット
２０₀₁、２０₀₃、２０₀₅、２０₀₇、２０₀₉、２０₁₁、２
０₁₃および２０₁₅により描画面３２の露光が開始され
る。図３（ａ）に示すように、第１列目の全面露光領域
Ｕａ₀₁、Ｕａ₀₃、Ｕａ₀₅、Ｕａ₀₇、Ｕａ₀₉、Ｕａ₁₁、Ｕ
ａ₁₃およびＵａ₁₅のＹ軸に達していない部分に対応する
マイクロミラーについては非露光位置に位置決めされた
まま露光は行われず、また第２列目の全面露光領域Ｕａ
₀₂、Ｕａ₀₄、Ｕａ₀₆、Ｕａ₀₈、Ｕａ₁₀、Ｕａ₁₂およびＵ
ａ₁₄もＹ軸に達していないため、露光ユニット２０₀₂、
２０₀₄、２０₀₆、２０₀₈、２０₁₀、２０₁₂および２０₁₄
による露光も停止させられている。図３では、第１列目
の８個の露光ユニット２０₀₁、２０₀₃、２０₀₅、２
０₀₇、２０₀₉、２０₁₁、２０₁₃および２０₁₅によって露
光された領域を右上がりのハッチングで示している。

【００３６】さらに描画面３２が移動し、全面露光領域
Ｕａ₀₂、Ｕａ₀₄、Ｕａ₀₆、Ｕａ₀₈、Ｕａ₁₀、Ｕａ₁₂およ
びＵａ₁₄の境界がＹ軸に一致すると、第２列目の７個の
露光ユニット２０₀₂、２０₀₄、２０₀₆、２０₀₈、２
０₁₀、２０₁₂および２０₁₄による露光が開始される。図
３(ｂ)に示すように、第２列目の露光ユニット２０₀₂、
２０₀₄、２０₀₆、２０₀₈、２０₁₀、２０₁₂および２０₁₄
による露光は、第１列目の露光ユニット２０₀₁、２
０₀₃、２０₀₅、２０₀₇、２０₀₉、２０₁₁、２０₁₃および
２０₁₅による露光よりも常に距離Ｓだけ遅れて進行す
る。図３では、第２列目の露光ユニット２０₀₂、２
０₀₄、２０₀₆、２０₀₈、２０₁₀、２０₁₂および２０₁₄に
よって露光された領域を右下がりのハッチングで示して
いる。

【００３７】さらに描画面３２が相対移動して、図３
（ｃ）に示すように第１列目の全面露光領域Ｕａ₀₁、Ｕ
ａ₀₃、Ｕａ₀₅、Ｕａ₀₇、Ｕａ₀₉、Ｕａ₁₁、Ｕａ₁₃および
Ｕａ₁₅の境界が描画終了位置ＥＬに達すると、第１列目
の露光ユニット２０₀₁、２０₀₃、２０₀₅、２０₀₇、２０
₀₉、２０₁₁、２０₁₃および２０₁₅による露光が停止させ
られる。厳密にいえば、描画終了位置ＥＬに達した単位
露光領域Ｕ（ｍ，ｎ）に対応するマイクロミラーＭ
（ｍ，ｎ）から順に非露光位置に静止させられる。図３
（ｃ）の状態からさらに描画面３２が距離Ｓだけ進む
と、第２列目の全面露光領域Ｕａ₀₂、Ｕａ₀₄、Ｕａ₀₆、
Ｕａ₀₈、Ｕａ₁₀、Ｕａ₁₂およびＵａ₁₄の境界が描画終了
位置ＥＬに達し、第２列目の露光ユニット２０₀₂、２０
₀₄、２０₀₆、２０ ₀₈、２０₁₀、２０₁₂および２０₁₄によ
る露光が停止させられる。

【００３８】以上のように、１５個の露光ユニット２０
₀₁〜２０₁₅は、Ｘ軸に平行な帯状領域をそれぞれ露光
し、この帯状領域の幅はそれぞれ全面露光領域Ｕａ₀₁〜
Ｕａ₁₅の幅に実質的に一致する。隣り合う２つの帯状領
域の境界部分は微少量だけ重ね合わされている。なお、
同一ライン上に描かれるべき回路パターンを一致させる
ために、第１列の露光ユニットに所定ラインの回路パタ
ーンに応じた露光データが与えられると、第２列の露光
ユニットには描画面３２が距離Ｓを移動する時間だけ遅
れたタイミングで同一ラインの露光データが与えられ
る。

【００３９】露光方式としては、描画テーブル１６を走
査方向に沿って間欠的に移動させる動作と、描画テーブ
ル１６の停止時に回路パターンを部分的に順次描画する
動作とを交互に繰り返すことにより、各描画領域を継ぎ
足して全体の回路パターンを得るステップ・アンド・リ
ピート（Step & Repeat）方式を採用してもよいし、描
画テーブル１６を一定速度で移動させつつ同時に描画動
作を行う方式であってもよい。本実施形態では説明を容
易にするためにステップ・アンド・リピート方式を採用
する。即ち、多重露光描画装置１０では、描画テーブル
１６を所定の移動間隔で間欠的に移動させつつ、回路パ
ターンのラスタデータに従って回路パターンを多重露光
により描画する描画方法が採用される。以下に、このよ
うな多重露光描画方法の原理について説明する。

【００４０】図４には、第１露光ユニット２０₀₁によっ
て描画面３２上に投影される全面露光領域Ｕａ₀₁の一部
が示され、この全面露光領域Ｕａ₀₁は各マイクロミラー
Ｍ（ｍ，ｎ）から得られる単位露光領域Ｕ（ｍ，ｎ）か
ら成る。ここで、パラメータｍは第１露光ユニット２０
₀₁のＸ軸方向に沿うライン番号を示し、パラメータｎは
第１露光ユニット２０₀₁のＹ軸方向に沿う行番号を示
し、本実施形態では１≦ｍ≦１０２４および１≦ｎ≦１
２８０となる。

【００４１】要するに、単位露光領域Ｕ（１，１）、Ｕ
（１，２）、Ｕ（１，３）、Ｕ（１，４）、Ｕ（１，
５）、…、Ｕ（１，１２８０）は第１露光ユニット２０
₀₁のＹ軸に沿う第１ラインの１２８０個のマイクロミラ
ーＭ（１，１）〜Ｍ（１，１２８０）から得られるもの
であり、単位露光領域Ｕ（２，１）、Ｕ（２，２）、Ｕ
（２，３）、Ｕ（２，４）、Ｕ（２，５）、…、Ｕ
（２，１２８０）は第１露光ユニット２０₀₁のＹ軸に沿
う第２ラインの１２８０個のマイクロミラーＭ（２，
１）〜Ｍ（２，１２８０）から得られるものであり、単
位露光領域Ｕ（３，１）、Ｕ（３，２）、Ｕ（３，
３）、Ｕ（３，４）、Ｕ（３，５）、…、Ｕ（３，１２
８０）は第１露光ユニット２０₀₁のＹ軸に沿う第３ライ
ンのマイクロミラーＭ（３，１）〜Ｍ（３，１２８０）
から得られるものである。

【００４２】例えば、露光１回当たりの移動距離が単位
露光領域の１つ分のサイズＣの整数倍である距離Ａ（例
えばＡ＝４Ｃ）と距離ａ（０≦ａ＜Ｃ）との和である場
合について説明すると、描画テーブル１６がＸ軸に沿っ
てその負側に移動させられる、即ち第１露光ユニット２
０₀₁が描画テーブル１６に対してＸ軸の正側に向かって
相対移動し、全面露光領域Ｕａ₀₁が描画面３２上の描画
開始位置ＳＬに到達すると、そこで一旦停止させられて
第１露光ユニット２０₀₁の第１ラインの１２８０個のマ
イクロミラーＭ（１，１）〜Ｍ（１，１２８０）が所定
の回路パターンのラスタデータに従って動作させられて
第１回目の露光が行われる。このときの描画面３２の相
対位置を第１回目露光位置と定義する。

【００４３】第１回目の露光が終了すると、第１露光ユ
ニット２０₀₁は再びＸ軸に沿ってその正側に相対移動
し、その全面露光領域Ｕａ₀₁の移動量が（Ａ＋ａ）とな
ったとき、第１露光ユニット２０₀₁は第２回目露光位置
に到達したと判断されて停止され、第１露光ユニット２
０₀₁の第１〜第５ラインのマイクロミラーＭ（１，１）
〜Ｍ（５，１２８０）が所定の回路パターンのラスタデ
ータに従って動作させられて第２回目の露光が行われ
る。

【００４４】第２回目の露光が終了すると、第１露光ユ
ニット２０₀₁は更にＸ軸に沿ってその正側に移動量（Ａ
＋ａ）だけ移動させられて第３回目露光位置で停止さ
れ、第１露光ユニット２０₀₁の第１〜第９ラインのマイ
クロミラーＭ（１，１）〜Ｍ（９，１２８０）が所定の
回路パターンのラスタデータに従って動作させられて第
３回目の露光が行われる。

【００４５】このように第１露光ユニット２０₀₁がＸ軸
に沿ってその正側に移動量（Ａ＋ａ）だけ移動させられ
る度毎に停止されて露光作動が繰り返され、描画面３２
の同一領域が第１露光ユニット２０₀₁によって多数回に
渡って多重露光されることになる。例えば、ａ＝０の場
合、第１露光ユニット２０₀₁はＸ軸に沿ってその正側に
Ａ（＝４Ｃ）ずつ移動し、単位露光領域Ｕ（ｍ，ｎ）の
中心は常に同一点上に一致する。このため、第１列目の
先頭のマイクロミラーＭ（１，１）によって露光された
Ｃ×Ｃの領域は、さらに第（４ｋ＋１）番目の先頭のマ
イクロミラーＭ（４ｋ＋１，１）によって露光され（た
だし、１≦ｋ≦２５５）、合計２５６回（＝１０２４Ｃ
／Ａ）だけ多重露光されることになる。一方、ａ≠０の
場合、重なり合う単位露光領域Ｕ（ｍ，ｎ）の中心は距
離ａだけ徐々にずれていくため、同一領域が２５６回多
重露光されるとは限らない。そこで、所定の領域を２５
６回露光させるために、各単位露光領域Ｕ（ｍ，ｎ）の
中心を２５６個だけこの所定領域内に均等に配列させ、
実質的に２５６回多重露光させている。

【００４６】図３では、被描画体３０の移動方向はＸ軸
に平行であったが、Ｘ軸に対して微少角αだけ傾斜させ
て移動させてもよい。このとき、第１露光ユニット２０
₀₁はＸ軸に沿ってその正側に移動量（Ａ＋ａ）だけ移動
させられる度毎に単位露光領域Ｕ（ｍ，ｎ）はＹ軸に沿
ってその負側に所定距離だけ相対的にシフトすることに
なる。

【００４７】図５は、被描画体３０をＸ軸に対して傾斜
させつつ順次移動させたときの単位露光領域Ｕ（ｍ，
ｎ）の変位を経時的に示す図である。図５を参照する
と、第１回目露光位置での全面露光領域Ｕａ₀₁の一部が
破線で示され、第２回目露光位置での全面露光領域Ｕａ
₀₁の一部が一点鎖線で示され、第３回目露光位置での全
面露光領域Ｕａ₀₁の一部が実線で示され、各単位露光領
域Ｕ（ｍ，ｎ）のＹ軸の負側に沿う移動距離がｂで示さ
れている。

【００４８】第１回目露光位置において第１露光ユニッ
ト２０₀₁の第１ラインのマイクロミラーＭ（１，１）〜
Ｍ（１，１２８０）によって得られる単位露光領域Ｕ
（１，１）、Ｕ（１，２）、…Ｕ（１，１２８０）に注
目すると、これら単位露光領域Ｕ（１，１）、Ｕ（１，
２）、…Ｕ（１，１２８０）に対して、第２回目露光位
置における第１露光ユニット２０₀₁の第５ラインのマイ
クロミラーＭ（５，１）〜Ｍ（５，１２８０）によって
得られる単位露光領域Ｕ（５，１）、Ｕ（５，２）、…
Ｕ（５，１２８０）がＸ軸及びＹ軸に沿ってそれぞれ
（＋ａ）および（−ｂ）だけずれて互いに重なり合い、
さらに第３回目露光位置においては第１露光ユニット２
０₀₁の第９ラインのマイクロミラーＭ（９，１）〜Ｍ
（９，１２８０）によって得られる単位露光領域Ｕ
（９，１）、Ｕ（９，２）、…Ｕ（９，１２８０）は、
Ｘ軸方向及びＹ軸方向にそれぞれ（＋２ａ）および（−
２ｂ）だけずれて互いに重なり合うことになる。なお、
図５では、３つの互いに重なり合う単位露光領域Ｕ
（１，１）、Ｕ（５，１）及びＵ（９，１）がそれぞれ
破線、一点鎖線及び実線の引出し線で例示的に示されて
いる。

【００４９】ここで各単位露光領域Ｕ（ｍ，ｎ）の相対
位置をその中心である露光点ＣＮ（ｍ，ｎ）で代表して
示すと、第２回目露光位置における露光点ＣＮ（５，
１）は、第１回目露光位置における露光点ＣＮ（１，
１）から（＋ａ，−ｂ）だけ離れており、第３回目露光
位置における露光点ＣＮ（９，１）は、第１回目露光位
置における露光点ＣＮ（１，１）から（＋２ａ，−２
ｂ）だけ離れて存在することになる。なお、各ラインに
おける互いに隣接した露光点間の距離は単位露光領域Ｕ
（ｍ，ｎ）のサイズＣ（＝２０μｍ）に一致する。

【００５０】上述したように、移動距離が、単位露光領
域Ｕ（ｍ，ｎ）の一辺長さＣの４倍と距離ａとの和とさ
れるとき、距離ａ及びｂを適当に選ぶことにより、個々
の単位露光領域Ｕ（ｍ，ｎ）と同じ大きさの面積Ｃ×Ｃ
内に露光点を均一に分布させることができる。

【００５１】例えば、図６に示すように、単位露光領域
Ｕ（ｍ，ｎ）と同じ大きさの面積Ｃ×Ｃ（＝２０μｍ×
２０μｍ）内に２５６個の露光点を分布させるために
は、Ｘ軸及びＹ軸に沿ってそれぞれ２５６個の単位露光
領域の中心を１６個ずつ配列させればよいことになり、
距離ａ及びｂは以下の計算式によって定められる。 ａ＝Ｃ／１６ ＝２０μｍ／１６ ＝１．２５μｍ ｂ＝Ｃ／２５６＝２０μｍ／２５６＝０．０７８１２５
μｍ

【００５２】なお、言うまでもないが、距離ｂを０．０
７８１２５μｍに設定するということは、描画テーブル
１６がＸ軸の負側に距離（Ａ＋ａ＝８１．２５μｍ）だ
け移動したとき、個々の単位露光領域Ｕ（ｍ，ｎ）がＹ
軸の負側に０．０７８１２５μｍだけシフトするように
描画テーブル１６の傾斜角度αを設定するということに
他ならない。

【００５３】図６において、参照符号ＣＮ（１，１）で
示される露光点が例えば第１回目露光位置における第１
露光ユニット２０₀₁の第１ラインの先頭のマイクロミラ
ーＭ（１，１）によって得られる単位露光領域Ｕ（１，
１）のものであるとすると、先の記載から明らかなよう
に、露光点ＣＮ（５，１）は第２回目露光位置における
第１露光ユニット２０₀₁の第５ラインの先頭のマイクロ
ミラーＭ（５，１）によって得られる単位露光領域Ｕ
（５，１）のものであり、露光点ＣＮ（９，１）は第３
回目露光位置における第１露光ユニット２０₀₁の第９ラ
インの先頭のマイクロミラーＭ（９，１）によって得ら
れる単位露光領域Ｕ（９，１）のものとなる。

【００５４】さらに、露光点ＣＮ（１，１）から距離
（＋１６ａ，−１６ｂ）だけ離れた露光点ＣＮ（６１，
１）は、第１６回目露光位置における第６１ラインの先
頭のマイクロミラーＭ（６１，１）によって得られる単
位露光領域Ｕ（６１，１）の中心であり、露光点ＣＮ
（１，１）から距離（０，−ａ）だけ離れた露光点ＣＮ
（６５，１）は第１７回目露光位置における第６５ライ
ンの先頭のマイクロミラーＭ（６５，１）によって得ら
れる単位露光領域Ｕ（６５，１）の中心である。同様
に、露光点ＣＮ（１，１）から距離（０，−１５ａ）だ
け離れた露光点ＣＮ（６５，１）は第２４１回目露光位
置における第９６１ラインの先頭のマイクロミラーＭ
（９６１，１）によって得られる単位露光領域Ｕ（９６
１，１）の中心であり、露光点ＣＮ（１，１）から距離
（１５ａ，−１６ａ）だけ離れた露光点ＣＮ（１０２
１，１）は第２５６回目露光位置における第１０２１ラ
インの先頭のマイクロミラーＭ（１０２１，１）によっ
て得られる単位露光領域Ｕ（１０２１，１）の中心であ
る。

【００５５】かくして、１５個の露光ユニット２０₀₁〜
２０₁₅に対して描画テーブル１６が上述した条件下でＸ
軸の負側に間欠的に移動させられると、それら露光ユニ
ット２０₀₁〜２０₁₅の個々のマイクロミラーＭ（ｍ，
ｎ）よって得られる単位露光領域Ｕ（ｍ，ｎ）の中心、
即ち露光点ＣＮ（ｍ，ｎ）がＸ軸及びＹ軸のそれぞれに
沿ってピッチａ及びｂで描画面３２の全体にわたって配
列されることになる。個々の単位画素領域と同じ大きさ
の領域Ｃ×Ｃ（２０μｍ×２０μｍ）内には２５６個の
露光点が均一に分布させられる。

【００５６】なお、露光ユニット２０₀₁〜２０₁₅におけ
る個々の露光点を描画面３２の全体にわたって更に高密
度に分布させることももちろん可能であり、例えば、2
０μｍ×２０μｍの面積内に５１２個の単位露光領域の
中心を均一に配列させる場合には、距離Ａは単位露光領
域のサイズＣの２倍（４０μｍ）に設定され、距離ａお
よびｂはそれぞれ１．２５μｍ／２、０．０７８１２５
μｍ／２に設定される。

【００５７】また、図６に示す例では１６個の露光点は
Ｙ軸に沿って平行に配列されているが、距離ａ及びｂの
値を僅かに変化させることによって、露光点をＹ軸に沿
って斜めに配列させることも可能である。

【００５８】このように本実施形態の多重露光描画装置
１０においては、回路パターンのラスタデータに基づい
て回路パターンの描画が行われるとき、該回路パターン
データの画素サイズがどのようなサイズであっても、そ
の回路パターンを描画することが可能である。換言すれ
ば、多重露光描画装置１０側には、描画されるべき回路
パターンに対する画素の概念は存在しないといえる。

【００５９】例えば、ラスタデータの画素サイズが２０
μｍ×２０μｍに設定されている場合には、任意の１ビ
ットデータに“１”が与えられると、露光作動時にその
１ビットデータに対応する一画素領域（２０μｍ×２０
μｍ）に含まれる個々の露光点ＣＮ（ｍ，ｎ）に対応し
たマイクロミラーＭ（ｍ，ｎ）が該１ビットデータによ
って動作されて非露光位置から露光位置に回動させら
れ、これによりかかる一画素領域（２０μｍ×２０μ
ｍ）が総計２５６回にわたって多重露光を受けることに
なる。

【００６０】また、別の例として、ラスタデータの画素
サイズが１０μｍ×１０μｍに設定されている場合に
は、任意の１ビットデータに“１”が与えられると、露
光作動時にその１ビットデータに対応する一画素領域
（１０μｍ×１０μｍ）に含まれる個々の露光点ＣＮ
（ｍ，ｎ）に対応したマイクロミラーＭ（ｍ，ｎ）が該
１ビットデータによって動作されて非露光位置から露光
位置に回動させられ、これによりかかる一画素領域（１
０μｍ×１０μｍ）が総計６４回にわたって多重露光を
受けることになる。

【００６１】なお、露光時間、即ち個々のマイクロミラ
ーＭ（ｍ，ｎ）が露光位置に留められる時間について
は、描画面３２における一画素領域内での露光回数、被
描画体３０（本実施形態では、フォトレジスト層）の感
度、光源装置２２の光強度等に基づいて決められ、これ
により各一画素露光領域について所望の露光量が得られ
るように設定される。

【００６２】図７は多重露光描画装置１０の制御ブロッ
ク図である。同図に示すように、多重露光描画装置１０
にはマイクロコンピュータから構成されるシステムコン
トロール回路３４が設けられる。即ち、システムコント
ロール回路３４は中央演算処理ユニット（ＣＰＵ）、種
々のルーチンを実行するためのプログラムや定数等を格
納する読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、演算データ等を
一時的に格納する書込み／読み出し自在なメモリ（ＲＡ
Ｍ）、および入出力インターフェース（Ｉ／Ｏ）から成
り、多重露光描画装置１０の作動全般を制御する。

【００６３】描画テーブル１６は、駆動モータ３６によ
ってＸ軸方向に沿って駆動させられる。この駆動モータ
３６は例えばステッピングモータとして構成され、その
駆動制御は駆動回路３８から出力される駆動パルスに従
って行われる。描画テーブル１６と駆動モータ３６との
間には先に述べたようにボール螺子等を含む駆動機構が
介在させられるが、そのような駆動機構については図７
では破線矢印で象徴的に示されている。

【００６４】駆動回路３８は描画テーブル制御回路４０
の制御下で動作させられ、この描画テーブル制御回路４
０は描画テーブル１６に設けられた描画テーブル位置検
出センサ４２に接続される。描画テーブル位置検出セン
サ４２は描画テーブル１６の移動経路に沿って設置され
たリニアスケール４４からの光信号を検出して描画テー
ブル１６のＸ軸方向に沿うその位置を検出するものであ
る。なお、図７では、リニアスケール４４からの光信号
の検出が破線矢印で象徴的に示されている。

【００６５】描画テーブル１６の移動中、描画テーブル
位置検出センサ４２はリニアスケール４４から一連の光
信号を順次検出して一連の検出信号（パルス）として描
画テーブル制御回路４０に対して出力する。描画テーブ
ル制御回路４０では、そこに入力された一連の検出信号
が適宜処理され、その検出信号に基づいて一連の制御ク
ロックパルスが作成される。描画テーブル制御回路４０
からは一連の制御クロックパルスが駆動回路３８に対し
て出力され、駆動回路３８ではその一連の制御クロック
パルスに従って駆動モータ３６に対する駆動パルスが作
成される。要するに、リニアスケール４４の精度に応じ
た正確さで描画テーブル１６をＸ軸方向に沿って移動さ
せることができる。なお、このような描画テーブル１６
の移動制御自体は周知のものである。

【００６６】図７に示すように、描画テーブル制御回路
４０はシステムコントロール回路３４に接続され、これ
により描画テーブル制御回路４０はシステムコントロー
ル回路３４の制御下で行われる。一方、描画テーブル位
置検出センサ４２から出力される一連の検出信号（パル
ス）は描画テーブル制御回路４０を介してシステムコン
トロール回路３４にも入力され、これによりシステムコ
ントロール回路３４では描画テーブル１６のＸ軸に沿う
移動位置を常に監視することができる。

【００６７】システムコントロール回路３４はＬＡＮ
（Local Area Network）を介してＣＡＤステーション或
いはＣＡＭステーションに接続され、ＣＡＤステーショ
ン或いはＣＡＭステーションからはそこで作成処理され
た回路パターンのベクタデータがシステムコントロール
回路３４に転送される。システムコントロール回路３４
にはデータ格納手段としてハードディスク装置４６が接
続され、ＣＡＤステーション或いはＣＡＭステーション
から回路パターンのベクタデータがシステムコントロー
ル回路３４に転送されると、システムコントロール回路
３４は回路パターンのベクタデータを一旦ハードディス
ク装置４６に書き込んで格納する。また、システムコン
トロール回路３４には外部入力装置としてキーボード４
８が接続され、このキーボード４８を介して種々の指令
信号や種々のデータ等がシステムコントロール回路３４
に入力される。

【００６８】ラスタ変換回路５０はシステムコントロー
ル回路３４の制御下で動作させられる。描画作動に先立
って、ハードディスク装置４６から回路パターンのベク
タデータが読み出されてラスタ変換回路５０に出力さ
れ、このベクタデータはラスタ変換回路５０によって所
定の画素サイズで表されたラスタデータに変換され、こ
のラスタデータはビットマップメモリ５２に書き込まれ
る。要するに、ビットマップメモリ５２には回路パター
ンデータとして０または１で表されたビットデータとし
て格納される。ラスタ変換回路５０でのデータ変換処理
およびビットマップメモリ５２でのデータ書込みについ
てはキーボード４８を介して入力される指令信号により
行われる。

【００６９】読み出しアドレス制御回路５８は各露光ユ
ニットに与えるべきビットデータをビットマップメモリ
５２から露光作動毎に読み出し、露光データとして露光
データメモリ５４に格納する。露光データは個々の露光
ユニット２０₀₁〜２０₁₅のマイクロミラーを露光位置ま
たは非露光位置に位置決めさせるための二値データであ
る。読み出しアドレス制御回路５８から一連の読み出し
アドレスデータが露光データメモリ５４に対して出力さ
れると、その読み出しアドレスデータに従って露光デー
タメモリ５４からは所定の二値データがＤＭＤ駆動回路
５６に対して出力され、ＤＭＤ駆動回路５６はそのビッ
トデータに基づいて露光ユニット２０₀₁〜２０₁₅をそれ
ぞれ独立して作動し、これにより各露光ユニットの個々
のマイクロミラーは選択的に露光作動を行うことにな
る。露光データは露光ユニット２０ ₀₁〜２０₁₅による露
光作動が繰り返される度毎に書き換えられる。なお、読
み出しアドレスデータおよび露光データについては後で
詳しく説明する。

【００７０】なお、図７では、個々のマイクロミラーの
露光作動が破線矢印で象徴的に図示されている。また、
図７では図の複雑化を避けるために露光ユニットは１つ
しか示されていないが、実際には１５個（２０₀₁〜２０
₁₅）存在し、ＤＭＤ駆動回路５６によってそれぞれ駆動
されることは言うまでもない。

【００７１】図８には、ビットマップメモリ５２上に展
開された回路パターンデータ（ラスタデータ）の一部分
が模式的に示されている。同図に示すライン番号Ｌは描
画面３２上に描画されるべき回路パターンのＹ軸に沿う
描画ライン番号に対応し、各ラインには１２８０×１５
個のビットデータが含まれる。同図に示すように、個々
のビットデータは“Ｂ”で示され、この“Ｂ”には描画
されるべき回路パターンに従って“１”か“０”のうち
のいずれかの値が与えられる。

【００７２】本発明によれば、回路パターンデータ（ラ
スタデータ）の一画素サイズ、即ち個々のビットデータ
“Ｂ”のサイズについてはその回路パターンの設計段階
で種々の大きさを与えることが可能である。例えば、ビ
ットデータ“Ｂ”のサイズが１０μｍ×１０μｍであれ
ば、描画面３２上に描かれるべき描画ラインの幅も１０
μｍとなり、ビットデータ“Ｂ”のサイズが２０μｍ×
２０μｍであれば、描画ラインの幅も２０μｍとなり、
ビットデータ“Ｂ”のサイズが３０μｍ×３０μｍであ
れば、描画ラインの幅も３０μｍとなる。

【００７３】図８に示すように、各ラインに含まれる１
２８０×１５個のビットデータは１２８０ビット毎に第
１番目ないし第１５番目のグループに分けられる。第１
列目の８つの露光ユニット２０₀₁、２０₀₃、２０₀₅、２
０₀₇、２０₀₉、２０₁₁、２０ ₁₃および２０₁₅のそれぞれ
の露光作動については奇数番目のグループのビットデー
タに従って行われ、第２列目の７つの露光ユニット２０
₀₂、２０₀₄、２０₀₆、２０₀₈、２０₁₀、２０₁₂および２
０₁₄のそれぞれの露光作動については偶数番目のグルー
プのビットデータに従って行われる。

【００７４】各グループの個々のビットデータ“Ｂ”に
対しては、図９に模式的に示すようなアドレスデータ
［Ｌ_x，Ｒ_y］が与えられる。アドレスデータ成分Ｌ_xは
ライン番号Ｌ（図８）を示し、アドレスデータ成分Ｒ_y
は各グループの最上ビットからの数えて何ビット目に当
たるかを表す。例えば、アドレスデータ［０００００
１，０００１］は各グループのライン番号１の最上位ビ
ットのビットデータ“Ｂ”を表し、アドレスデータ［０
００００３，０００１］は各グループのライン番号３の
最上位ビットのビットデータ“Ｂ”を表し、またアドレ
スデータ［０００００１，１２７８］は各グループのラ
イン番号１の最上位ビットから数えて１２７８番目のビ
ットデータ“Ｂ”を表し、アドレスデータ［０００００
３，１２７８］は各グループのライン番号３の最上位ビ
ットから数えて１２７８番目のビットデータ“Ｂ”を表
し、更にアドレスデータ［０００００１，１２８０］は
各グループのライン番号１の最下位ビットのビットデー
タ“Ｂ”を表し、アドレスデータ［０００００３，１２
８０］は各グループのライン番号３の最下位ビットのビ
ットデータ“Ｂ”を表す。

【００７５】以下に第１露光ユニット２０₀₁の個々のマ
イクロミラーＭ（ｍ，ｎ）と各露光位置でのビットデー
タ“Ｂ”との関係について具体例をあげて説明する。

【００７６】図１０は、描画面３２と、単位露光領域Ｕ
（１，１）および単位露光領域Ｕ（１，１）を形成する
マイクロミラーＭ（１，１）の中心を示す露光点ＣＮ
（１，１）との相対位置関係を示す概念図である。

【００７７】描画面３２の描画領域には、回路パターン
に対応させるべく２０μｍ四方の一画素領域がグリッド
状に設定され、その図中左上隅の角が原点Ｏとされる。
第１回目露光位置は原点Ｏから３２μｍだけＸ軸の正方
向に離れた位置に定められ、描画面３２は露光１回当り
８４μｍ（Ａ＝８０μｍ、ａ＝４μｍ）だけＸ軸に沿っ
てその正側に相対移動する。説明の複雑化を避けるた
め、ここでは図３のように描画面３２の移動方向をＸ軸
に平行に定める。

【００７８】このとき、第１回目露光位置においては、
露光点ＣＮ（１，１）は原点ＯからＸ方向に２２μｍ、
Ｙ方向に１０μｍ離れた位置にある。言いかえると、原
点ＯからＸ方向に２番目であってＹ方向に１番目の一画
素領域Ｇ（２，１）の領域内（右上がりのハッチングで
示す）に位置する。このとき、露光点ＣＮ（１，１）に
対応するマイクロミラーＭ（１，１）は、一画素領域Ｇ
（２，１）に描画すべきラスタデータ、即ちアドレスＬ
ｘ＝０００００２、Ｒｙ＝０００１（図９参照）のビッ
トデータ”Ｂ”に基づいて露光位置または非露光位置に
位置決めされる。例えばビットデータ”Ｂ”の値が１で
マイクロミラーＭ（１，１）が露光位置に位置決めされ
た場合には、２つの一画素領域Ｇ（１，１）および
（２，１）にまたがって、具体的には一画素領域Ｇ
（２，１）に対してＸ軸の負側に８μｍだけずれた一辺
長さ２０μｍの正方形領域（右下がりのハッチングで示
される）が露光される。この露光された領域は単位露光
領域Ｕ（１，１）に相当する。

【００７９】また、第２回目露光位置においては、露光
点ＣＮ（１，１）は原点からＸ方向に１０６μｍ、Ｙ方
向に１０μｍ離れた位置即ち一画素領域Ｇ（６，１）の
領域内に位置し、マイクロミラーＭ（１，１）はアドレ
スＬｘ＝０００００６、Ｒｙ＝０００１（図９参照）の
ビットデータ”Ｂ”に基づいて露光位置または非露光位
置に位置決めされ、マイクロミラーＭ（１，１）による
単位露光領域Ｕ（１，１）は２つの一画素領域Ｇ（５，
１）およびＧ（６，１）にまたがっている、具体的には
一画素領域Ｇ（６，１）に対してＸ軸の負側に４μｍだ
けずれている。

【００８０】さらに、第３回目露光位置においては、露
光点ＣＮ（１，１）は原点ＯからＸ方向に１９０μｍ、
Ｙ方向に１０μｍ離れた位置、即ち一画素領域（１０，
１）の領域内に位置し、マイクロミラーＭ（１，１）は
アドレスＬｘ＝００００１０、Ｒｙ＝０００１（図９参
照）のビットデータ”Ｂ”に基づいて露光位置または非
露光位置に位置決めされ、マイクロミラーＭ（１，１）
による単位露光領域Ｕ（１，１）は一画素領域Ｇ（１
０，１）に一致する。

【００８１】このように、第１露光ユニット２０₀₁に対
して描画面３２が相対移動する毎に、露光点ＣＮ（１，
１）を含む一画素領域Ｇが特定され、この一画素領域Ｇ
に対応したビットデータに基づいてマイクロミラーＭ
（１，１）が作動させられる。

【００８２】図１１は第１〜第８回目露光位置における
原点Ｏに対する露光点ＣＮ（１，１）のＸ座標およびＹ
座標（単位：μｍ）と、露光点ＣＮ（１，１）が含まれ
る一画素領域Ｇのピクセル座標である。図１１に明らか
なように、描画面３２はＸ軸に平行に相対移動するた
め、露光点ＣＮ（１，１）のＹ座標は一定であり、Ｘ座
標のみが変化する。

【００８３】第ｉ回目露光位置における描画面３２に対
する露光点ＣＮ（１，１）のＸ座標Ｘｓ（ｉ）は、
（１）式に示すように、原点Ｏからの露光開始位置ＡＳ
（第１回目露光位置）および露光１回当りの描画面３２
の相対移動量（Ａ＋ａ）により算出される。図１０の例
ではＡＳ＝３２μｍ、Ａ＋ａ＝８４μｍである。 Ｘｓ（ｉ）＝ＡＳ＋（Ａ＋ａ）（ｉ−１） …（１）

【００８４】第ｉ回目露光位置における露光点ＣＮ
（１，１）のＸ座標Ｘｓ（ｉ）を一画素領域Ｇのピッチ
ＰＳでそれぞれ除算すれば、何れの一画素領域内に含ま
れるのかがわかる。言いかえると、露光点ＣＮ（１，
１）のピクセル座標Ｐｘが得られる。しかし、ここで問
題となるのは、除算の結果、割り切れた場合にはその商
をピクセル座標Ｐｘとすることができる（（２）式参
照）が、割り切れなかった場合には小数点１位を切り上
げる必要があり（（３）式参照）、商に１を加算するか
否かの場合分けが必要になる。

【００８５】 Ｐｘ＝ＩＮＴ［ＸＳ（ｉ）／ＰＳ］ … （２） Ｐｘ＝ＩＮＴ［ＸＳ（ｉ）／ＰＳ］＋１ … （３） ここで、一般的に、除算ｅ／ｆが行われるとき、演算子
ＩＮＴ［ｅ／ｆ］は除算ｅ／ｆの商を表し、０≦ｅ＜ｆ
のとき、ＩＮＴ［ｅ／ｆ］＝０として定義される。ま
た、“ＰＳ”はビットデータ“Ｂ”のサイズを表す。

【００８６】しかし、露光点ＣＮ（１，１）の相対位
置、露光開始位置、露光１回当りの描画面３２の相対移
動量（Ａ＋ａ）および一画素領域ＧのピッチＰＳは、描
画面３２の大きさや回路パターンの画素ピッチなどの設
計により変動するため、割り切れるか否かを露光毎に判
断してピクセル座標Ｐｘを算出することは時間がかかり
余り現実的ではない。しかし（２）式または（３）式の
何れか一方で演算すれば、最大１ピクセル（２０μｍ）
の誤差が生じることとなる。一般に、描画装置には１／
１０ピクセル程度の誤差範囲内で描画できる性能が必要
とされるため、最大１ピクセルの誤差は許容されるもの
ではない。そこで本実施形態では、以下に説明するよう
に、マスクパターンを用いることによって１／１０ピク
セル以下の誤差で回路パターンを描画している。

【００８７】図１２は、マスクパターンと描画面３２と
の関係を概念的に示す図である。マスクパターンは、描
画面３２のグリッドに一致するよう一辺長さＰＳ（＝２
０μｍ）の格子状に分割され、そのグリッド線が描画面
３２上のグリッド線に一致するように所定位置に位置決
めされる。マスクパターンは、マイクロミラーＭ（１，
１）によって露光すべき一辺長さ２０μｍの正方形領域
を有しており、例えば許容誤差が１／１０ピクセルであ
れば１０個分用意され、マスクパターン００〜０９とし
て定義される。これらマスクパターン００〜０９のうち
任意の１つが選択される。各マスクパターン００〜０９
は、Ｘ軸方向に一画素領域２つ分の幅を持ちＹ軸方向に
伸びる帯状を呈し、描画面３２においてマスクパターン
に設定された露光領域に重なる箇所が露光される。

【００８８】各マスクパターンには、露光領域を特定す
るために図中左上隅の一辺長さＣの正方形領域から順に
Ｘ方向に番号００および０１が付され、Ｙ方向に番号０
０、０１、０２、…が付される。従って、マスクパター
ン００における左上隅の正方形領域（図中ハッチングで
示される）の位置はピクセル座標（００，００）で表さ
れる。

【００８９】マスクパターン００は、左上隅の正方形領
域（００，００）を単位露光領域Ｕ（１，１）として定
めることができ、例えばマスクパターン００の図中左辺
中央に設定された基準点ＫＴを描画面３２の原点Ｏから
Ｘ軸の正側に１０ピクセル（２００μｍ）離れた位置に
位置決めした場合、一画素領域Ｇ（１０，１）全体が露
光されることと実質的に同じになる。

【００９０】９つのマスクパターン０１〜０９は、単位
露光領域Ｕ（１，１）の相対位置がＸ軸の正方向に許容
誤差上限値であるＣ／１０（＝２μｍ）毎に徐々にずれ
て設定されたマスクパターンであり、このずれ量が｛Ｘ
Ｓ（ｉ）／ＰＳ｝の余りに最も近いマスクパターンが選
択される。

【００９１】図１３の表を参照して具体的に説明する
と、まず（４）式を用いてマスクパターンの基準点ＫＴ
の位置を示すマスク位置データＭＩ（ｉ）が算出され
る。このマスク位置データＭＩ（ｉ）はｉ回目露光位置
における露光点ＣＮ（１，１）のＸ座標ＸＳ（ｉ）を画
素ピッチＰＳで除算した商であり、もし除算の結果余り
ｅが０でなければその余りｅ分だけ露光点ＣＮ（１，
１）からＸ軸の負側に位置するグリッド線のＸピクセル
座標である。 ＭＩ（ｉ）＝ＩＮＴ［ＸＳ（ｉ）／ＰＳ］ ＝ＩＮＴ［｛ＡＳ＋（Ａ＋ａ）（ｉ−１）｝／ＰＳ］ …（４）

【００９２】例えば、第１回目露光位置では、露光点Ｃ
Ｎ（１，１）のＸ座標ＸＳ（１）が３２μｍであるか
ら、マスク位置データＭＩ（１）＝１となり、余りｅは
１２μｍとなる。従って、基準点ＫＴが原点Ｏから１ピ
クセルだけ離れた位置に一致するように、マスクパター
ン００〜０９のいずれか１つが位置決めされる。

【００９３】次に、（５）式により使用すべきマスクパ
ターンが決定される。ＭＮ（ｉ）はマスクパターンの番
号（００〜０９）を示す。 ＭＮ（ｉ）＝ｅ／（Ｃ／１０） ＝｛ＸＳ（ｉ）−ＰＳ・ＭＩ（ｉ）｝／２ …（５）

【００９４】第１回目露光位置においては、余りｅが１
２μｍであるから、マスク番号ＭＮ（１）は６となり、
マスクパターン０６が選択される。図１２に明らかなよ
うに、マスクパターン０６の露光点ＣＮ（１，１）は第
２列目の左端の画素（００，０１）に含まれ、Ｘピクセ
ル座標はマスク位置データＭＩ（ｉ）＝１にＸ補正デー
タＨｘ（ｉ）＝１が加算された値即ち２となる。このＸ
ピクセル座標はビットマップデータのＸ方向の読み出し
アドレスＬｘに相当する（（６）式参照）。Ｘ補正デー
タＨｘ（ｉ）は、マスク番号ＭＮ（ｉ）に対応して予め
定められており、０または１の値をとる。 Ｌｘ＝ＭＩ（ｉ）＋Ｈｘ（ｉ） …（６）

【００９５】図１４はマスク番号と、各露光点ＣＮ
（ｍ，ｎ）（１≦ｍ≦１０２４，１≦ｎ≦１２８０）の
Ｘ補正データＨｘおよびＹ補正データＨｙの関係を部分
的に示す表である。

【００９６】図１５は、図７に示す読み出しアドレス制
御回路５８の詳細ブロック図である。読み出しアドレス
制御回路５８は上記のようにビットマップメモリ５２へ
与える読み出しアドレスを生成する。読み出しアドレス
制御回路５８には、１５個の露光ユニット２０₀₁〜２０
₁₅にそれぞれ対応した制御回路が設けられているが、こ
こでは第１露光ユニット２０₀₁に対応した第１制御回路
５８０のみを示し、残り１４個の制御回路については省
略する。

【００９７】第１制御回路５８０のカウンタ５８１に
は、システムコントロール回路３４から基本制御クロッ
クパルスＣＬＫ１および露光クロックパルスＥ＿ＣＬＫ
が入力されており、ここで各マイクロミラーＭにラスタ
データを与えるべきタイミングに応じたクロックパルス
ＣＬＫ２を生成し、Ｘ補正データメモリ５８２ｘおよび
Ｙ補正データメモリ５８２ｙに出力する。２つの補正デ
ータメモリ５８２ｘおよび５８２ｙにはシステムコント
ロール回路３４から入力される各露光点のピクセル座標
を補正するＸ補正データおよびＹ補正データが格納され
ている。

【００９８】また第１制御回路５８０にはマスク選択デ
ータメモリ５８４が設けられ、このマスク選択データメ
モリ５８４には露光作動毎に変化する描画面３２の相対
位置に応じた上述のマスクパターン番号を示すマスク選
択データが格納される。またマスク位置データメモリ５
８５には（４）式により得られるマスク位置データＭＩ
（ｉ）が格納される。

【００９９】第１制御回路５８０のカウンタ５８３に
は、システムコントロール回路３４から露光クロックパ
ルスＥ＿ＣＬＫが入力されており、ここでマスク位置デ
ータメモリ５８５からマスク位置データを読み出すため
のアドレスを生成し、このアドレスに対応するマスク位
置データを加算器５８６に出力させる。またカウンタ５
８３はアドレスをマスク選択データメモリ５８４にも出
力し、同アドレスに対応するマスク選択データをＸ補正
データメモリ５８２ｘに出力させている。なお、クロッ
クパルスＥ＿ＣＬＫの周期はクロックパルスＣＬＫ１の
周期の１３１０７２０倍以上とされる。

【０１００】Ｘ補正データメモリ５８２ｘは、制御クロ
ックパルスＣＬＫ１に同期してアドレス変更される毎に
加算器５８６に順次Ｘ補正データを出力し、マスク位置
データメモリ５８５はクロックパルスＥ＿ＣＬＫに同期
してアドレスが変更される毎に加算器５８６にマスク位
置データを出力する。加算器５８６では個々のＸ補正デ
ータに現在のマスク位置データを加算し、両者の和をア
ドレスデータ成分Ｌ_xとしてアドレス制御回路５８８に
出力する。Ｙ補正データメモリ５８２ｙは、制御クロッ
クパルスＣＬＫ１に同期してアドレス変更される毎に順
次Ｙ補正データをアドレスデータ成分Ｒ_yとしてアドレ
ス制御回路５８８に出力する。アドレス制御回路５８８
は２つのアドレスデータ成分の入力に基づいてビットマ
ップメモリから所定のビットデータを読み出す。

【０１０１】要するに、描画の許容誤差範囲が１／１０
ピクセルであれば、Ｘ方向に１／１０ピクセルずつ単位
露光領域Ｕ（１，１）がずれた１０種のマスクパターン
００〜０９を用意し、露光すべき領域に最も近い一画素
露光領域にマスクパターンの一つを位置決めするととも
に、露光すべき領域とマスクパターン上の単位露光領域
との位置ずれを最も小さくできるように上記マスクパタ
ーンを選択している。この場合、位置ずれ量は１／１０
より小さくなり、さらに許容誤差範囲を小さくする場合
にはマスクパターンの数を増やせばよい。

【０１０２】なお、描画面３２がＸ軸に平行に移動する
場合（図４参照）については、上述したように露光点Ｃ
Ｎの相対位置がＸ補正データのみに基づいて補正される
が、描画面３２がＸ軸に対して傾斜して移動する場合
（図５参照）には露光点ＣＮの相対位置がＹ補正データ
をも加味して補正される。

【０１０３】

【発明の効果】以上の記載から明らかなように、本発明
にあっては、パターンデータがどのような大きさの画素
サイズを持っていても、所定のパターンを適正に描画す
ることができるので、本発明による多重露光装置を１台
だけ用意するだけでＣＡＤステーション或いはＣＡＭス
テーションでの回路パターンの設計の自由度を大巾に高
めることができる。

【０１０４】また、本発明により得られる特徴的な作用
効果の１つとして、露光ユニット内の変調素子の幾つか
が正常に機能しなくなったとしても、画素欠陥を生じさ
せることなくパターンの描画を適正に行い得るという点
も挙げられる。というのは、描画パターン領域は複数回
の露光作動にわたる多重露光によって得られるので、そ
のうちの数回程度の露光作動が正常に行われなかったと
しても、その描画パターン領域の総露光量は十分に得ら
れるからである。

【０１０５】本発明による多重露光方式から得られる別
の作用効果として、個々の露光ユニットに組み込まれる
結像光学系に起因する露光むらがあったとしても、その
露光むらの影響は多重露光のために小さくされるという
点も挙げられる。

【０１０６】本発明による多重露光方法から得られる更
に別の作用効果として、光源装置の出力が低くても、多
重露光のために十分な露光量が確保し得るので、光源装
置を安価に構成し得る点も挙げられる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による多重露光描画装置の概略斜視図で
ある。

【図２】本発明による多重露光描画装置で用いる露光ユ
ニットの機能を説明するための概略概念図である。

【図３】図１に示す多重露光描画装置の描画テーブル上
の被描画体の描画面および各露光ユニットによる露光領
域を説明するための平面図である。

【図４】本発明による多重露光描画装置により実行され
る多重露光描画方法の原理を説明するための模式図であ
って、Ｘ−Ｙ座標系のＸ軸に沿う複数の露光位置に露光
ユニットを順次移動させた状態を経時的に示す図であ
る。

【図５】図４と同様な模式図であって、Ｘ−Ｙ座標系の
Ｘ軸に沿う複数の露光位置に露光ユニットを順次移動さ
せた際に該露光ユニットがＹ軸に沿って所定距離だけ変
位する状態を経時的に示す図である。

【図６】本発明の多重露光方法に従って露光ユニットを
複数の露光位置に順次移動させた際に該露光ユニットの
所定のマイクロミラーによって得られる単位露光領域の
中心が所定領域内にどのように分布するかを示す説明図
である。

【図７】本発明による多重露光描画装置のブロック図で
ある。

【図８】本発明による多重露光描画装置で描画すべき回
路パターンのラスタデータの一部を露光データメモリ上
に展開した状態で示す模式図である。

【図９】図８に示すビットデータの一部とその読み出し
アドレスデータとの関係を示す模式図である。

【図１０】各露光位置における描画面と単位露光領域と
の関係を示す概念図である。

【図１１】各露光位置における露光点とそのピクセル座
標の関係を示す表である。

【図１２】各露光位置における描画面とマスクパターン
との関係を示す概念図である。

【図１３】各露光位置におけるマスクパターンと読み出
しアドレスとの関係を示す表である。

【図１４】マスクパターンの番号とＸ補正データおよび
Ｙ補正データとの対応関係を示す表である。

【図１５】図７に示す読み出しアドレス制御回路の内部
を詳細に示すブロック図である。

【符号の説明】

１２ 多重露光描画装置 １６ 描画テーブル ２０₀₁、…２０₁₅ 露光ユニット ２７ ＤＭＤ素子 ３０ 被描画体 ３２ 描画面 ３４ システムコントロール回路 ５２ ビットマップメモリ ５４ 露光データメモリ ５６ ＤＭＤ駆動回路

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 マトリクス状に配列された多数の変調素
   子を持つ少なくとも１つの露光ユニットを用いて、所定
   パターンを多重露光により描画面上に描画する多重露光
   描画装置であって、 前記所定パターンを所定の画素サイズに基づいて表した
   ラスタデータを保持する第１メモリ手段と、 前記描画面に対する前記露光ユニットの相対位置を前記
   画素サイズに基づいて表した露光位置データを保持する
   第２メモリ手段と、 前記露光ユニットにおける各変調素子の相対位置を示す
   露光点データを保持する第３メモリ手段と、 前記露光位置データおよび前記露光点データに基づい
   て、個々の前記変調素子に対応する前記ラスタデータを
   前記第１メモリ手段から読み出して露光データを生成す
   る露光データ生成手段と、 前記露光データに基づいて前記変調素子をそれぞれ駆動
   制御する変調素子制御手段とを備えることを特徴とする
   多重露光描画装置。
2. 【請求項２】 前記露光ユニットのマトリクス状に配置
   された変調素子の一方の配列方向に沿ってしかも前記配
   列方向に対して所定の角度だけ傾斜させて前記露光ユニ
   ットを前記描画面に対して相対的に移動させる移動手段
   と、 前記露光ユニットの変調素子によって前記描画面上に得
   られる単位露光領域のサイズの整数倍の距離Ａに前記サ
   イズより小さい距離ａを加えた距離（Ａ＋ａ）だけ前記
   露光ユニットが前記描画面上に対して相対的に移動する
   度毎に前記露光ユニットの変調素子を前記露光データに
   基づいて選択的に露光作動させる露光手段とをさらに備
   えることを特徴とする請求項１に記載の多重露光描画装
   置。
3. 【請求項３】 前記露光点データを前記描画面の露光す
   べき一画素領域に対応させるための補正データを保持す
   る第４メモリ手段をさらに備えることを特徴とする請求
   項１に記載の多重露光描画装置。
4. 【請求項４】 前記補正データが前記回路パターンの描
   画精度の許容誤差に応じた数だけ設けられ、任意の１つ
   の前記補正データが選択されることを特徴とする請求項
   １に記載の多重露光描画装置。
5. 【請求項５】 マトリクス状に配列された多数の変調素
   子を持つ少なくとも１つの露光ユニットを用いて所定パ
   ターンを描画面上に多重露光により描画する多重露光描
   画方法であって、 前記所定パターンを所定の画素サイズに基づいて表した
   ラスタデータを第１メモリに保持する第１ステップと、 前記描画面に対する前記露光ユニットの相対位置を前記
   画素サイズに基づいて表した露光位置データを第２メモ
   リに保持する第２ステップと、 前記露光ユニットにおける各変調素子の相対位置を示す
   露光点データを第３メモリに保持する第３ステップと、 前記露光位置データおよび前記露光点データに基づい
   て、個々の前記変調素子に対応する前記ラスタデータを
   前記第１メモリ手段から読み出して露光データを生成す
   る第４ステップと、 前記露光データに基づいて各変調素子を駆動制御する第
   ５ステップとを備えることを特徴とする多重露光描画方
   法。