JP2003057837A - 多重露光描画装置および多重露光描画方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 パターンの画素サイズがどのような大きさの
ものであっても、そのパターンを適正に描画する。 【解決手段】 マトリクス状に配列された多数のマイク
ロミラーと、これらマイクロミラーからの光学像を投影
する光学系とを持つ露光ユニットを用いて、多重露光に
より描画面上に所定パターンを描画する。各露光ユニッ
トの数に対応して分割した回路パターンのラスタデータ
を分割領域用メモリ５４１に格納する。各露光ユニット
におけるマイクロミラーの相対位置を示す露光点座標デ
ータと、描画面に対する各露光ユニットの相対位置を示
す露光位置データとを加算し、読み出しアドレスデータ
を生成する。この読み出しアドレスデータに対応するラ
スタデータを分割領域用メモリ５４１から読み出して露
光データメモリ５４９に格納し、格納された露光データ
を個々のマイクロミラーに与える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はマトリクス状に配置
された多数の変調素子を持つ露光ユニットを用いて描画
面上に所定のパターンを描画する描画装置および描画方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】上述したような描画装置は一般的には適
当な被描画体の表面に微細なパターンや文字等の記号を
光学的に描画するために使用される。代表的な使用例と
しては、フォトリゾグラフィ（photolithography）の手
法によりプリント回路基板を製造する際の回路パターン
の描画が挙げられ、この場合には被描画体はフォトマス
ク用感光フィルム或いは基板上のフォトレジスト層であ
る。

【０００３】近年、回路パターンの設計プロセスから描
画プロセスに至るまでの一連のプロセスは統合されてシ
ステム化され、描画装置はそのような統合システムの一
翼を担っている。統合システムには、描画装置の他に、
回路パターンを設計するためのＣＡＤ（Computer Aided
Design）ステーション、このＣＡＤステーションで得
られた回路パターンのベクタデータを編集するＣＡＭ
（Computer Aided Manufacturing）ステーション等が設
けられる。ＣＡＤステーションで作成されたベクタデー
タ或いはＣＡＭステーションで編集されたベクタデータ
は描画装置に転送され、そこでラスタデータに変換され
た後にビットマップメモリに格納される。

【０００４】露光ユニットの一タイプとして、例えばＤ
ＭＤ（Digital Micromirror Device）或いはＬＣＤ（Li
quid Crystal Display）アレイ等から構成されるものが
知られている。周知のように、ＤＭＤの反射面には、マ
イクロミラーがマトリクス状に配置され、個々のマイク
ロミラーの反射方向が独立して制御されるようになって
おり、このためＤＭＤの反射面の全体に導入された光束
は個々のマイクロミラーによる反射光束として分割され
るようになっており、このため各マイクロミラーは変調
素子として機能する。また、ＬＣＤアレイにおいては、
一対の透明基板間に液晶が封入され、その双方の透明基
板には互いに整合させられた多数対の微細な透明電極が
マトリクス状に配置され、個々の一対の透明電極に電圧
を印加するか否かにより光束の透過および非透過が制御
されるようになっており、このため各一対の透明電極が
変調素子として機能する。

【０００５】描画装置には被描画体の感光特性に応じた
適当な光源、例えば超高圧水銀灯、キセノンランプ、フ
ラッシュランプ、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）、レ
ーザ等が設けられ、また露光ユニットには結像光学系が
組み込まれる。光源から射出した光束は照明光学系を通
して露光ユニットに導入させられ、露光ユニットの個々
の変調素子はそこに入射した光束を回路パターンのラス
タデータに従って変調し、これにより回路パターンが被
描画体上に露光されて光学的に描画される。この場合、
描画される回路パターンの画素のサイズは変調素子のサ
イズに対応したものとなり、例えば、上述した結像光学
系の倍率が等倍であるとき、描画回路パターンの画素の
サイズと変調素子のサイズとは実質的に等しくなる。

【０００６】通常、被描画体に描画されるべき回路パタ
ーンの描画面積は露光ユニットによる露光面積よりも遥
かに大きく、このため被描画体上に回路パターンの全体
を描画するためには、被描画体を露光ユニットで走査す
ることが必要となる。即ち、被描画体に対して露光ユニ
ットを相対的に移動させつつ回路パターンを部分的に描
画してその全体の回路パターンを得ることが必要とな
る。そこで、従来では、描画装置には、例えば所定の走
査方向に沿って移動可能な描画テーブルが設けられ、こ
の描画テーブルの移動経路の上方に露光ユニットが固定
位置に配置される。描画テーブル上には被描画体が所定
の位置に位置決めされ、描画テーブルを走査方向に沿っ
て間欠的に移動させつつ回路パターンを部分的に順次描
画して継ぎ足すことにより、全体の回路パターンが得ら
れることになる。このような露光方式についてはステッ
プ・アンド・リピート（Step & Repeat）方式と呼ばれ
る。

【０００７】また、別のタイプの露光ユニットとして、
例えばレーザビーム走査光学系から構成されるものも知
られている。このようなタイプの露光ユニットを用いる
描画装置にあっては、被描画体の移動方向を横切る方向
にレーザビームを偏向させて該レーザビームでもって被
描画体を走査すると共に該走査レーザビームを一ライン
分の描画データ（ラスタデータ）でもって順次変調させ
ることによって、所望の回路パターンの描画が行われ
る。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】以上で述べたような従
来の描画装置のいずれのタイプのものにあっては、回路
パターンの描画解像度は個々の描画装置で予め決められ
た画素サイズ（ドットサイズ）によって決まる。即ち、
マトリクス状に配列された変調素子から成る露光ユニッ
トを持つ描画装置にあっては、回路パターンの描画解像
度は個々の変調素子サイズ即ち画素サイズによって決ま
り、またレーザビーム走査光学系を持つ描画装置にあっ
ては、走査レーザビームのビーム径即ち画素サイズによ
って決まる。

【０００９】かくして、従来では、ＣＡＤステーション
或いはＣＡＭステーションで回路パターンを設計する際
の画素サイズはその回路パターンを描画すべき個々の描
画装置によって予め決められた画素サイズに一致させる
ことが必要である。換言すれば、ＣＡＤステーション或
いはＣＡＭステーションでの回路パターンの設計の自由
度を高めるためには、種々の画素サイズに対応できる描
画装置が用意されなければならないし、種々の画素サイ
ズに対応できる描画装置を用意できなければ、ＣＡＤス
テーション或いはＣＡＭステーションでの回路パターン
の設計の自由度が制限されるということになる。

【００１０】従って、本発明の目的は、マトリクス状に
配置された多数の変調素子を持つ露光ユニットを用いて
描画面上に所定のパターンを描画する描画装置および描
画方法であって、パターンデータの画素サイズがどのよ
うな大きさのものであっても、そのパターンデータに基
づいて所定のパターンを適正に描画し得るようになった
新規な多重露光描画装置および多重露光描画方法を提供
することである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明に係る多重露光描
画装置は、所定方向に複数個並べられ、それぞれマトリ
クス状に配列された多数の変調素子によって描画面を多
重露光する露光ユニットと、描画面に露光すべきパター
ンのラスタデータを保持するメモリ手段と、パターンを
所定方向に沿って露光ユニットの数と等しい数のパター
ン領域に分割する分割手段と、個々のパターン領域を含
みかつパターン領域の所定方向における幅よりも大きい
幅を有する分割領域を決定する分割領域決定手段と、個
々の分割領域に対応するラスタデータをメモリ手段から
読み出す読み出し手段と、読み出し手段により読み出さ
れた分割領域のラスタデータの中から所定のラスタデー
タを選択し、分割領域に対応する露光ユニットの各変調
素子を駆動制御する変調素子制御手段とを備えることを
最大の特徴としている。

【００１２】多重露光描画装置において、露光ユニット
の所定方向における最大露光幅が、パターン領域の幅よ
り長く、かつ分割領域の幅より短い。

【００１３】また、本発明に係る多重露光描画方法は、
所定方向に複数個並べられ、それぞれマトリクス状に配
列された多数の変調素子を有する露光ユニットを用いて
多重露光することにより所定パターンを描画面上に描画
する多重露光描画方法であって、所定パターンのラスタ
データをメモリに保持する第１ステップと、所定パター
ンを所定方向に沿って露光ユニットの数と等しい数のパ
ターン領域に分割する第２ステップと、個々のパターン
領域を含みかつパターン領域の所定方向における幅より
も大きい幅を有する分割領域を決定する第３ステップ
と、個々の分割領域に対応するラスタデータをメモリか
ら読み出す第４ステップと、読み出し手段により読み出
された分割領域のラスタデータの中から所定のラスタデ
ータを選択し、分割領域に対応する露光ユニットの各変
調素子を駆動制御する第５ステップとを備えることを特
徴とする多重露光描画方法。

【００１４】

【発明の実施の形態】次に、添付図面を参照して、本発
明による多重露光描画装置の一実施形態について説明す
る。

【００１５】図１には、本発明による多重露光描画装置
の第１実施形態が斜視図として概略的に示される。この
多重露光描画装置はプリント回路基板を製造するための
基板上に形成されたフォトレジスト層に回路パターンを
直接描画するように構成されている。

【００１６】図１に示すように、多重露光描画装置１０
は床面上に据え付けられる基台１２を備える。基台１２
上には一対のガイドレール１４が平行に敷設され、さら
にそれらガイドレール１４上には描画テーブル１６が搭
載される。この描画テーブル１６は図示されない適当な
駆動機構、例えばボール螺子等をステッピングモータ等
のモータにより駆動させられ、これにより一対のガイド
レール１４に沿ってそれらの長手方向であるＸ方向に相
対移動する。描画テーブル１６上には被描画体３０とし
てフォトレジスト層を持つ基板が設置され、このとき被
描画体３０は図示されない適当なクランプ手段によって
描画テーブル１６上に適宜固定される。

【００１７】基台１２上には一対のガイドレール１４を
跨ぐようにゲート状構造体１８が固設され、このゲート
状構造体１８の上面には複数の露光ユニットが描画テー
ブル１６の移動方向（Ｘ方向）に対して直角なＹ方向に
２列に配列される。第１列目に配された８個の露光ユニ
ットを図の左側から順に符号２０₀₁、２０₀₃、２０₀₅、
２０₀₇、２０₀₉、２０₁₁、２０₁₃および２０₁₅で示し、
その後方に配された第２列目の７個の露光ユニットを図
の左側から符号２０₀₂、２０₀₄、２０₀₆、２０ ₀₈、２０
₁₀、２０₁₂および２０₁₄で示している。

【００１８】第１列目の露光ユニット２０₀₁、２０₀₃、
２０₀₅、２０₀₇、２０₀₉、２０₁₁、２０₁₃および２０₁₅
と、第２列目の露光ユニット２０₀₂、２０₀₄、２０₀₆、
２０ ₀₈、２０₁₀、２０₁₂および２０₁₄とは所謂千鳥状に
配置される。即ち、隣り合う２つの露光ユニット間の距
離は、全て１つの露光ユニットの幅に略等しく設定さ
れ、第２列目の露光ユニット２０₀₂、２０₀₄、２０₀₆、
２０₀₈、２０₁₀、２０₁₂および２０₁₄の配列ピッチは第
１列目の露光ユニット２０₀₁、２０₀₃、２０₀₅、２
０₀₇、２０₀₉、２０₁₁、２０₁₃および２０₁₅の配列ピッ
チに対して半ピッチだけずらされている。

【００１９】本実施形態では、１５個の露光ユニット２
０₀₁〜２０₁₅はそれぞれＤＭＤユニットとして構成され
ており、各露光ユニットの反射面は例えば１０２４×１
２８０のマトリクス状に配列された１３１０７２０個の
マイクロミラーから形成される。各露光ユニット２０₀₁
〜２０₁₅は、Ｘ方向に沿って１０２４個、Ｙ方向に沿っ
て１２８０個のマイクロミラーがマトリクス状に配列さ
れるように設置される。

【００２０】ゲート状構造体１８の上面の適当な箇所、
例えば第１露光ユニット２０₀₁の図中左方には光源装置
２２が設けられる。この光源装置２２には図示しない複
数のＬＥＤ（Light Emitting Diode）が含まれ、これら
ＬＥＤから発した光は集光されて平行光束として光源装
置２２の射出口から射出される。光源装置２２にはＬＥ
Ｄの他、レーザ、超高圧水銀ランプ、キセノンランプお
よびフラッシュランプ等を用いてもよい。

【００２１】光源装置２２の射出口には１５本の光ファ
イバケーブル束が接続され、個々の光ファイバケーブル
２４は１５個の露光ユニット２０₀₁〜２０₁₅のそれぞれ
に対して延設され、これにより光源装置２２から各露光
ユニット２０₀₁〜２０₁₅へ照明光が導入される。各露光
ユニット２０₀₁〜２０₁₅は、光源装置２２からの照明光
を描くべき回路パターンに応じて変調し、図の下方即ち
ゲート状構造体１８の内側を進む描画テーブル１６上の
被描画体３０に向かって出射する。これにより、被描画
体３０の上面に形成されたフォトレジスト層において照
明光が照射された部分だけが感光する。照明光の強度は
被描画体３０のフォトレジスト層の感度に応じて調整さ
れる。

【００２２】図２には、第１露光ユニット２０₀₁の主要
構成が概念的に図示されている。他の１４個の露光ユニ
ット２０₀₂〜２０₁₅は第１露光ユニット２０₁と同じ構
成および機能を有しており、ここでは説明を省略する。
第１露光ユニット２０₁には、照明光学系２６および結
像光学系２８が組み込まれ、両者の間の光路上にはＤＭ
Ｄ素子２７が設けられる。このＤＭＤ素子２７は、例え
ばウェハ上にアルミスパッタリングで作りこまれた、反
射率の高い一辺長さＣの正方形マイクロミラーを静電界
作用により動作させるデバイスであり、このマイクロミ
ラーはシリコンメモリチップの上に１０２４×１２８０
のマトリクス状に１３１０７２０個敷き詰められてい
る。それぞれのマイクロミラーは、対角線を中心に回転
傾斜することができ、安定した２つの姿勢に位置決めで
きる。

【００２３】照明光学系２６は凸レンズ２６Ａおよびコ
リメートレンズ２６Ｂを含み、凸レンズ２６Ａは光源２
２から延設された光ファイバケーブル２４と光学的に結
合される。このような照明光学系２６により、光ファイ
バケーブル２４から射出した光束は第１露光ユニット２
０₀₁のＤＭＤ素子２７の反射面全体を照明するような平
行光束ＬＢに成形される。結像光学系２８には２つの凸
レンズ２８Ａおよび２８Ｃと、２つの凸レンズ２８Ａお
よび２８Ｃ間に配されるリフレクタ２８Ｂとが含まれ、
この結像光学系２８の倍率は例えば等倍（倍率１）に設
定される。

【００２４】第１露光ユニット２０₀₁に含まれる個々の
マイクロミラーはそれぞれに入射した光束を結像光学系
２８に向けて反射させる第１の反射位置（以下、露光位
置と記載する）と該光束を結像光学系２８から逸らすよ
うに反射させる第２の反射位置（以下、非露光位置と記
載する）との間で回動変位するように動作させられる。
任意のマイクロミラーＭ（ｍ，ｎ）（１≦ｍ≦１０２
４，１≦ｎ≦１２８０）が露光位置に位置決めされる
と、そこに入射したスポット光は一点鎖線ＬＢ₁で示さ
れるように結像光学系２８に向かって反射され、同マイ
クロミラーＭ（ｍ，ｎ）が非露光位置に位置決めされる
と、スポット光は一点鎖線ＬＢ₂で示されるように光吸
収板２９に向かって反射されて結像光学系２８から逸ら
される。

【００２５】マイクロミラーＭ（ｍ，ｎ）から反射され
たスポット光ＬＢ₁は、結像光学系２８によって描画テ
ーブル１６上に設置された被描画体３０の描画面３２上
に導かれる。例えば、第１露光ユニット２０₀₁に含まれ
る個々のマイクロミラーＭ（ｍ，ｎ）のサイズがＣ×Ｃ
であるとすると、結像光学系２８の倍率は等倍であるか
ら、マイクロミラーＭ（ｍ，ｎ）の反射面は描画面３２
上のＣ×Ｃの露光領域Ｕ（ｍ，ｎ）として結像される。
Ｃは例えば２０μｍである。

【００２６】なお、１つのマイクロミラーＭ（ｍ，ｎ）
によって得られるＣ×Ｃの露光領域は以下の記載では単
位露光領域Ｕ（ｍ，ｎ）として言及され、全てのマイク
ロミラーＭ（１，１）〜Ｍ（１０２４，１２８０）によ
って得られる（Ｃ×１０２４）×（Ｃ×１２８０）の露
光領域は、全面露光領域Ｕａ₀₁として言及される。

【００２７】図２の左上隅のマイクロミラーＭ（１，
１）に対応する単位露光領域Ｕ（１，１）は全面露光領
域Ｕａ₀₁の左下隅に位置し、左下隅のマイクロミラーＭ
（１０２４，１）に対応する単位露光領域Ｕ（１０２
４，１）は全面露光領域Ｕａ₀₁の左上隅に位置する。ま
た、右上隅のマイクロミラーＭ（１，１２８０）に対応
する単位露光領域Ｕ（１，１２８０）は全面露光領域Ｕ
ａ₀₁の右下隅に位置し、右下隅のマイクロミラーＭ（１
０２４，１２８０）に対応する単位露光領域Ｕ（１０２
４，１２８０）は全面露光領域Ｕａ₀₁の右上隅に位置す
る。

【００２８】第１露光ユニット２０₀₁では、個々のマイ
クロミラーＭ（ｍ，ｎ）は通常は非露光位置に位置決め
されているが、露光時には非露光位置から露光位置に回
動変位させられる。マイクロミラーＭ（ｍ，ｎ）の非露
光位置から露光位置への回動変位の制御については、後
述するように回路パターンのラスタデータに基づいて行
われる。なお、結像光学系２８から逸らされたスポット
光ＬＢ₂は描画面３２に到達しないように光吸収板２９
によって吸収される。

【００２９】第１露光ユニット２０₀₁に含まれる１３１
０７２０個の全てのマイクロミラーが露光位置に置かれ
たときは、全マイクロミラーから反射された全スポット
光が結像光学系２８に入射させられ、描画面３２上には
第１露光ユニット２０₀₁による全面露光領域Ｕａ₀₁が得
られる。全面露光領域Ｕａ₀₁のサイズについては、単位
露光領域Ｕ（ｍ，ｎ）の一辺の長さＣが２０μｍであれ
ば、２５．６ｍｍ（＝１０２４×２０μｍ）×２０．４
８ｍｍ（＝１２８０×２０μｍ）となり、そこに含まれ
る総画素数は勿論１０２４×１２８０個となる。

【００３０】図３（ａ）〜（ｃ）を参照して、多重露光
描画装置における描画処理について説明する。図３
（ａ）〜（ｃ）は描画処理の経時変化を段階的に示す図
であり、被描画体３０の描画面３２の平面図である。以
下の説明の便宜上、描画面３２を含む平面上にはＸ−Ｙ
直交座標系が定義される。破線で囲まれた長方形の領域
は、１５個の露光ユニット２０₀₁〜２０₁₅のそれぞれに
よってＸ−Ｙ平面上で得られる全面露光領域Ｕａ₀₁〜Ｕ
ａ₁₅である。第１列の全面露光領域Ｕａ₀₁、Ｕａ₀₃、Ｕ
ａ₀₅、Ｕａ₀₇、Ｕａ₀₉、Ｕａ₁₁、Ｕａ₁₃およびＵａ₁₅は
その図中下辺がＹ軸に一致するように配置させられ、第
２列の全面露光領域Ｕａ₀₂、Ｕａ₀₄、Ｕａ₀₆、Ｕａ₀₈、
Ｕａ₁₀、Ｕａ₁₂およびＵａ₁₄はその図中下辺がＹ軸から
負側に距離Ｓだけ離れた直線に一致するように配され
る。

【００３１】Ｘ−Ｙ直交座標系のＸ軸は露光ユニット２
０₀₁〜２０₁₅の配列方向に対して直角とされ、このため
各露光ユニット２０₀₁〜２０₁₅内のそれぞれ１３１０７
２０（１０２４×１２８０）個のマイクロミラーもＸ−
Ｙ直交座標系のＸ軸およびＹ軸に沿ってマトリクス状に
配列される。

【００３２】図３では、Ｘ−Ｙ直交座標系の座標原点は
第１列目の第１露光ユニット２０₀₁によって得られる全
面露光領域Ｕａ₀₁の図中左下角に一致しているように図
示されているが、正確には、座標原点は第１露光ユニッ
ト２０₀₁のＹ軸に沿う第１ラインのマイクロミラーのう
ちの先頭のマイクロミラーＭ（１，１）によって得られ
る単位露光領域Ｕ（１，１）の中心に位置する。上述し
たように、本実施形態では単位露光領域Ｕ（１，１）の
サイズは２０μｍ×２０μｍであるので、Ｙ軸は第１露
光ユニット２０₀₁による全面露光領域Ｕａ₀₁の境界から
１０μｍだけ内側に進入したものとなっている。換言す
れば、第１列目の８つの露光ユニット２０₀₁、２０₀₃、
２０₀₅、２０₀₇、２０₀₉、２０₁₁、２０₁₃および２０₁₅
のそれぞれの第１ラインに含まれる１２８０個のマイク
ロミラーＭ（１，ｎ）（１≦ｎ≦１２８０）の全ての中
心がＹ軸上に位置する。

【００３３】描画面３２は描画テーブル１６により白抜
き矢印で示すようにＸ軸に沿ってその負の方向に向かっ
て移動させられるので、全面露光領域Ｕａ₀₁〜Ｕａ₁₅は
描画面３２に対してＸ軸の正の方向に相対移動すること
になる。

【００３４】描画面３２に設定された描画開始位置ＳＬ
がＹ軸、即ち第１列目の８個の露光ユニット２０₀₁、２
０₀₃、２０₀₅、２０₀₇、２０₀₉、２０₁₁、２０₁₃および
２０ ₁₅に対応する第１列目の全面露光領域Ｕａ₀₁、Ｕａ
₀₃、Ｕａ₀₅、Ｕａ₀₇、Ｕａ₀₉、Ｕａ₁₁、Ｕａ₁₃およびＵ
ａ₁₅の境界に一致すると、まず第１列目の露光ユニット
２０₀₁、２０₀₃、２０₀₅、２０₀₇、２０₀₉、２０₁₁、２
０₁₃および２０₁₅により描画面３２の露光が開始され
る。図３（ａ）に示すように、第１列目の全面露光領域
Ｕａ₀₁、Ｕａ₀₃、Ｕａ₀₅、Ｕａ₀₇、Ｕａ₀₉、Ｕａ₁₁、Ｕ
ａ₁₃およびＵａ₁₅のＹ軸に達していない部分に対応する
マイクロミラーについては非露光位置に位置決めされた
まま露光は行われず、また第２列目の全面露光領域Ｕａ
₀₂、Ｕａ₀₄、Ｕａ₀₆、Ｕａ₀₈、Ｕａ₁₀、Ｕａ₁₂およびＵ
ａ₁₄もＹ軸に達していないため、露光ユニット２０₀₂、
２０₀₄、２０₀₆、２０₀₈、２０₁₀、２０₁₂および２０₁₄
による露光も停止させられている。図３では、第１列目
の８個の露光ユニット２０₀₁、２０₀₃、２０₀₅、２
０₀₇、２０₀₉、２０₁₁、２０₁₃および２０₁₅によって露
光された領域を右上がりのハッチングで示している。

【００３５】さらに描画面３２が移動し、全面露光領域
Ｕａ₀₂、Ｕａ₀₄、Ｕａ₀₆、Ｕａ₀₈、Ｕａ₁₀、Ｕａ₁₂およ
びＵａ₁₄の境界がＹ軸に一致すると、第２列目の７個の
露光ユニット２０₀₂、２０₀₄、２０₀₆、２０₀₈、２
０₁₀、２０₁₂および２０₁₄による露光が開始される。図
３(ｂ)に示すように、第２列目の露光ユニット２０₀₂、
２０₀₄、２０₀₆、２０₀₈、２０₁₀、２０₁₂および２０₁₄
による露光は、第１列目の露光ユニット２０₀₁、２
０₀₃、２０₀₅、２０₀₇、２０₀₉、２０₁₁、２０₁₃および
２０₁₅による露光よりも常に距離Ｓだけ遅れて進行す
る。図３では、第２列目の露光ユニット２０₀₂、２
０₀₄、２０₀₆、２０₀₈、２０₁₀、２０₁₂および２０₁₄に
よって露光された領域を右下がりのハッチングで示して
いる。

【００３６】さらに描画面３２が相対移動して、図３
（ｃ）に示すように第１列目の全面露光領域Ｕａ₀₁、Ｕ
ａ₀₃、Ｕａ₀₅、Ｕａ₀₇、Ｕａ₀₉、Ｕａ₁₁、Ｕａ₁₃および
Ｕａ₁₅の境界が描画終了位置ＥＬに達すると、第１列目
の露光ユニット２０₀₁、２０₀₃、２０₀₅、２０₀₇、２０
₀₉、２０₁₁、２０₁₃および２０₁₅による露光が停止させ
られる。厳密にいえば、描画終了位置ＥＬに達した単位
露光領域Ｕ（ｍ，ｎ）に対応するマイクロミラーＭ
（ｍ，ｎ）から順に非露光位置に静止させられる。図３
（ｃ）の状態からさらに描画面３２が距離Ｓだけ進む
と、第２列目の全面露光領域Ｕａ₀₂、Ｕａ₀₄、Ｕａ₀₆、
Ｕａ₀₈、Ｕａ₁₀、Ｕａ₁₂およびＵａ₁₄の境界が描画終了
位置ＥＬに達し、第２列目の露光ユニット２０₀₂、２０
₀₄、２０₀₆、２０ ₀₈、２０₁₀、２０₁₂および２０₁₄によ
る露光が停止させられる。

【００３７】以上のように、１５個の露光ユニット２０
₀₁〜２０₁₅は、Ｘ軸に平行な帯状領域をそれぞれ露光
し、この帯状露光領域の幅はそれぞれ全面露光領域Ｕａ
₀₁〜Ｕａ₁₅の幅に略一致する。隣り合う２つの帯状領域
の境界部分は微少量だけ重ね合わされている。なお、同
一ライン上に描かれるべき回路パターンを一致させるた
めに、第１列目の露光ユニット２０₀₁、２０₀₃、２
０₀₅、２０₀₇、２０₀₉、２０ ₁₁、２０₁₃および２０₁₅に
所定ラインの回路パターンに応じた露光データが与えら
れると、第２列目の露光ユニット２０₀₂、２０₀₄、２０
₀₆、２０₀₈、２０₁₀、２０₁₂および２０₁₄には描画面３
２が距離Ｓを移動する時間だけ遅れたタイミングで同一
ラインの露光データが与えられる。

【００３８】露光方式としては、描画テーブル１６を走
査方向に沿って間欠的に移動させる動作と、描画テーブ
ル１６の停止時に回路パターンを部分的に順次描画する
動作とを交互に繰り返すことにより、各描画領域を継ぎ
足して全体の回路パターンを得るステップ・アンド・リ
ピート（Step & Repeat）方式を採用してもよいし、描
画テーブル１６を一定速度で移動させつつ同時に描画動
作を行う方式であってもよい。本実施形態では説明を容
易にするためにステップ・アンド・リピート方式を採用
する。即ち、多重露光描画装置１０では、描画テーブル
１６を所定の移動間隔で間欠的に移動させつつ、回路パ
ターンのラスタデータに従って回路パターンを多重露光
により描画する描画方法が採用される。以下に、このよ
うな多重露光描画方法の原理について説明する。

【００３９】図４には、第１露光ユニット２０₀₁によっ
て描画面３２上に投影される全面露光領域Ｕａ₀₁の一部
が示され、この全面露光領域Ｕａ₀₁は各マイクロミラー
Ｍ（ｍ，ｎ）から得られる単位露光領域Ｕ（ｍ，ｎ）か
ら成る。ここで、パラメータｍは第１露光ユニット２０
₀₁のＸ軸方向に沿うライン番号を示し、パラメータｎは
第１露光ユニット２０₀₁のＹ軸方向に沿う行番号を示
し、本実施形態では１≦ｍ≦１０２４および１≦ｎ≦１
２８０となる。

【００４０】要するに、単位露光領域Ｕ（１，１）、Ｕ
（１，２）、Ｕ（１，３）、Ｕ（１，４）、Ｕ（１，
５）、…、Ｕ（１，１２８０）は第１露光ユニット２０
₀₁のＹ軸に沿う第１ラインの１２８０個のマイクロミラ
ーＭ（１，１）〜Ｍ（１，１２８０）から得られるもの
であり、単位露光領域Ｕ（２，１）、Ｕ（２，２）、Ｕ
（２，３）、Ｕ（２，４）、Ｕ（２，５）、…、Ｕ
（２，１２８０）は第１露光ユニット２０₀₁のＹ軸に沿
う第２ラインの１２８０個のマイクロミラーＭ（２，
１）〜Ｍ（２，１２８０）から得られるものであり、単
位露光領域Ｕ（３，１）、Ｕ（３，２）、Ｕ（３，
３）、Ｕ（３，４）、Ｕ（３，５）、…、Ｕ（３，１２
８０）は第１露光ユニット２０₀₁のＹ軸に沿う第３ライ
ンのマイクロミラーＭ（３，１）〜Ｍ（３，１２８０）
から得られるものである。

【００４１】例えば、露光１回当たりの移動距離が単位
露光領域の１つ分のサイズＣの整数倍である距離Ａ（例
えばＡ＝４Ｃ）と距離ａ（０≦ａ＜Ｃ）との和である場
合について説明すると、描画テーブル１６がＸ軸に沿っ
てその負側に移動させられる、即ち第１露光ユニット２
０₀₁が描画テーブル１６に対してＸ軸の正側に向かって
相対移動し、単位露光領域Ｕａ₀₁が描画面３２上の描画
開始位置ＳＬに到達すると、そこで一旦停止させられて
第１露光ユニット２０₀₁の第１ラインの１２８０個のマ
イクロミラーＭ（１，１）〜Ｍ（１，１２８０）が所定
の回路パターンのラスタデータに従って動作させられて
第１回目の露光が行われる。このときの描画面３２の相
対位置を第１回目露光位置と定義する。

【００４２】第１回目の露光が終了すると、第１露光ユ
ニット２０₀₁は再びＸ軸に沿ってその正側に相対移動
し、その単位露光領域Ｕａ₀₁の移動量が（Ａ＋ａ）とな
ったとき、第１露光ユニット２０₀₁は第２回目露光位置
に到達したと判断されて停止され、第１露光ユニット２
０₀₁の第１〜第５ラインのマイクロミラーＭ（１，１）
〜Ｍ（５，１２８０）が所定の回路パターンのラスタデ
ータに従って動作させられて第２回目の露光が行われ
る。

【００４３】第２回目の露光が終了すると、第１露光ユ
ニット２０₀₁は更にＸ軸に沿ってその正側に移動量（Ａ
＋ａ）だけ移動させられて第３回目露光位置で停止さ
れ、第１露光ユニット２０₀₁の第１〜第９ラインのマイ
クロミラーＭ（１，１）〜Ｍ（９，１２８０）が所定の
回路パターンのラスタデータに従って動作させられて第
３回目の露光が行われる。

【００４４】このように第１露光ユニット２０₀₁がＸ軸
に沿ってその正側に移動量（Ａ＋ａ）だけ移動させられ
る度毎に停止されて露光作動が繰り返され、描画面３２
の同一領域が第１露光ユニット２０₀₁によって多数回に
渡って多重露光されることになる。例えば、ａ＝０の場
合、第１露光ユニット２０₀₁はＸ軸に沿ってその正側に
Ａ（＝４Ｃ）ずつ移動し、単位露光領域Ｕ（ｍ，ｎ）の
中心は常に同一点上に一致する。このため、第１列目の
先頭のマイクロミラーＭ（１，１）によって露光された
Ｃ×Ｃの領域は、さらに第（４ｋ＋１）番目の先頭のマ
イクロミラーＭ（４ｋ＋１，１）によって露光され（た
だし、１≦ｋ≦２５５）、合計２５６回（＝１０２４Ｃ
／Ａ）だけ多重露光されることになる。一方、ａ≠０の
場合、重なり合う単位露光領域Ｕ（ｍ，ｎ）の中心は距
離ａだけ徐々にずれていくため、同一領域が２５６回多
重露光されるとは限らない。そこで、所定の領域を２５
６回露光させるために、各単位露光領域Ｕ（ｍ，ｎ）の
中心を２５６個だけこの所定領域内に均等に配列させ、
実質的に２５６回多重露光させている。

【００４５】図３では、露光ユニット２０₀₁〜２０₁₅の
マイクロミラーの並びはＸ軸およびＹ軸に平行であった
が、露光ユニット２０₀₁〜２０₁₅の姿勢をＸ軸に対して
微少角αだけ傾斜させつつ移動させる構成であってもよ
い。このとき、第１露光ユニット２０₀₁がＸ軸に沿って
その正側に移動量（Ａ＋ａ）だけ移動させられる度毎
に、単位露光領域Ｕ（ｍ，ｎ）はＹ軸に沿ってその負側
に所定距離だけ相対的にシフトすることになる。

【００４６】図５は、露光ユニット２０₀₁をＸ軸に対し
て傾斜させつつ順次移動させたときの単位露光領域Ｕ
（ｍ，ｎ）の変位を経時的に示す図である。図５を参照
すると、第１回目露光位置での全面露光領域Ｕａ₀₁の一
部が破線で示され、第２回目露光位置での全面露光領域
Ｕａ₀₁の一部が一点鎖線で示され、第３回目露光位置で
の全面露光領域Ｕａ₀₁の一部が実線で示され、各単位露
光領域Ｕ（ｍ，ｎ）のＹ軸の負側に沿う移動距離がｂで
示されている。

【００４７】第１回目露光位置において第１露光ユニッ
ト２０₀₁の第１ラインのマイクロミラーＭ（１，１）〜
Ｍ（１，１２８０）によって得られる単位露光領域Ｕ
（１，１）、Ｕ（１，２）、…Ｕ（１，１２８０）に注
目すると、これら単位露光領域Ｕ（１，１）、Ｕ（１，
２）、…Ｕ（１，１２８０）に対して、第２回目露光位
置における第１露光ユニット２０₀₁の第５ラインのマイ
クロミラーＭ（５，１）〜Ｍ（５，１２８０）によって
得られる単位露光領域Ｕ（５，１）、Ｕ（５，２）、…
Ｕ（５，１２８０）がＸ軸およびＹ軸に沿ってそれぞれ
（＋ａ）および（−ｂ）だけずれて互いに重なり合い、
さらに第３回目露光位置においては第１露光ユニット２
０₀₁の第９ラインのマイクロミラーＭ（９，１）〜Ｍ
（９，１２８０）によって得られる単位露光領域Ｕ
（９，１）、Ｕ（９，２）、…Ｕ（９，１２８０）は、
Ｘ軸方向およびＹ軸方向にそれぞれ（＋２ａ）および
（−２ｂ）だけずれて互いに重なり合うことになる。な
お、図５では、３つの互いに重なり合う単位露光領域Ｕ
（１，１）、Ｕ（５，１）およびＵ（９，１）がそれぞ
れ破線、一点鎖線および実線の引出し線で例示的に示さ
れている。

【００４８】ここで各単位露光領域Ｕ（ｍ，ｎ）の相対
位置をその中心である露光点ＣＮ（ｍ，ｎ）で代表して
示すと、第２回目露光位置における露光点ＣＮ（５，
１）は、第１回目露光位置における露光点ＣＮ（１，
１）から（＋ａ，−ｂ）だけ離れており、第３回目露光
位置における露光点ＣＮ（９，１）は、第１回目露光位
置における露光点ＣＮ（１，１）から（＋２ａ，−２
ｂ）だけ離れて存在することになる。なお、各ラインに
おける互いに隣接した露光点間の距離は単位露光領域Ｕ
（ｍ，ｎ）のサイズＣ（＝２０μｍ）に一致する。

【００４９】上述したように、移動距離が、単位露光領
域Ｕ（ｍ，ｎ）の一辺長さＣの４倍と距離ａとの和とさ
れるとき、距離ａおよびｂを適当に選ぶことにより、個
々の単位露光領域Ｕ（ｍ，ｎ）と同じ大きさの面積Ｃ×
Ｃ内に露光点を均一に分布させることができる。

【００５０】例えば、図６に示すように、単位露光領域
Ｕ（ｍ，ｎ）と同じ大きさの面積Ｃ×Ｃ（＝２０μｍ×
２０μｍ）内に２４０個の露光点を分布させるために
は、Ｘ軸に沿って１６個およびＹ軸に沿って１５個配列
させればよいことになり、距離ａおよびｂは以下の計算
式によって定められる。 ａ＝Ｃ／１６ ＝２０μｍ／１６ ＝１．２５μｍ ｂ＝Ｃ／２４０＝２０μｍ／２４０＝０．０８３３μｍ

【００５１】なお、言うまでもないが、距離ｂを０．０
８３３μｍに設定するということは、描画テーブル１６
がＸ軸の負側に距離（Ａ＋ａ＝８１．２５μｍ）だけ移
動したとき、個々の単位露光領域Ｕ（ｍ，ｎ）がＹ軸の
負側に０．０８３３μｍだけシフトするように描画テー
ブル１６の傾斜角度αを設定するということに他ならな
い。

【００５２】図６において、参照符号ＣＮ（１，１）で
示される露光点が例えば第１回目露光位置における第１
露光ユニット２０₀₁の第１ラインの先頭のマイクロミラ
ーＭ（１，１）によって得られる単位露光領域Ｕ（１，
１）のものであるとすると、先の記載から明らかなよう
に、露光点ＣＮ（５，１）は第２回目露光位置における
第１露光ユニット２０₀₁の第５ラインの先頭のマイクロ
ミラーＭ（５，１）によって得られる単位露光領域Ｕ
（５，１）のものであり、露光点ＣＮ（９，１）は第３
回目露光位置における第１露光ユニット２０₀₁の第９ラ
インの先頭のマイクロミラーＭ（９，１）によって得ら
れる単位露光領域Ｕ（９，１）のものとなる。

【００５３】さらに、露光点ＣＮ（１，１）から距離
（＋１５ａ，−１５ｂ）だけ離れた露光点ＣＮ（６１，
１）は、第１６回目露光位置における第６１ラインの先
頭のマイクロミラーＭ（６１，１）によって得られる単
位露光領域Ｕ（６１，１）の中心であり、露光点ＣＮ
（１，１）から距離（０，−１６ｂ）だけ離れた露光点
ＣＮ（６６，１）は第１７回目露光位置における第６６
ラインの先頭のマイクロミラーＭ（６６，１）によって
得られる単位露光領域Ｕ（６６，１）の中心である。同
様に、露光点ＣＮ（１，１）から距離（０，−２２４
ｂ）だけ離れた露光点ＣＮ（９１１，１）は第２４１回
目露光位置における第９１１ラインの先頭のマイクロミ
ラーＭ（９１１，１）によって得られる単位露光領域Ｕ
（９１１，１）の中心であり、露光点ＣＮ（１，１）か
ら距離（１５ａ，−２３９ｂ）だけ離れた露光点ＣＮ
（９７５，１）は第２４０回目露光位置における第９７
５ラインの先頭のマイクロミラーＭ（９７５，１）によ
って得られる単位露光領域Ｕ（９７５，１）の中心であ
る。

【００５４】かくして、１５個の露光ユニット２０₀₁〜
２０₁₅に対して描画テーブル１６が上述した条件下でＸ
軸の負側に間欠的に移動させられると、それら露光ユニ
ット２０₀₁〜２０₁₅の個々のマイクロミラーＭ（ｍ，
ｎ）よって得られる単位露光領域Ｕ（ｍ，ｎ）の中心、
即ち露光点ＣＮ（ｍ，ｎ）がＸ軸およびＹ軸のそれぞれ
に沿ってピッチａおよびｂで描画面３２の全体にわたっ
て配列されることになる。個々の単位画素領域と同じ大
きさの領域Ｃ×Ｃ（２０μｍ×２０μｍ）内には２４０
個の露光点が均一に分布させられる。

【００５５】なお、露光ユニット２０₀₁〜２０₁₅におけ
る個々の露光点を描画面３２の全体にわたって更に高密
度に分布させることももちろん可能であり、例えば、2
０μｍ×２０μｍの面積内に４８０個の単位露光領域の
中心を均一に配列させる場合には、距離Ａは単位露光領
域のサイズＣの２倍（４０μｍ）に設定され、距離ａお
よびｂはそれぞれ１．２５μｍ／２、０．８３３μｍ／
２に設定される。

【００５６】また、図６に示す例では１５個の露光点は
Ｙ軸に沿って平行に配列されているが、距離ａおよびｂ
の値を僅かに変化させることによって、露光点をＹ軸に
沿って斜めに配列させることも可能である。

【００５７】このように本実施形態の多重露光描画装置
１０においては、回路パターンのラスタデータに基づい
て回路パターンの描画が行われるとき、該回路パターン
データの画素サイズがどのようなサイズであっても、そ
の回路パターンを描画することが可能である。換言すれ
ば、多重露光描画装置１０側には、描画されるべき回路
パターンに対する画素の概念は存在しないといえる。

【００５８】例えば、ラスタデータの画素サイズが２０
μｍ×２０μｍに設定されている場合には、任意の１ビ
ットデータに“１”が与えられると、露光作動時にその
１ビットデータに対応する一画素領域（２０μｍ×２０
μｍ）に含まれる個々の露光点ＣＮ（ｍ，ｎ）に対応し
たマイクロミラーＭ（ｍ，ｎ）が該１ビットデータによ
って動作されて非露光位置から露光位置に回動させら
れ、これによりかかる一画素領域（２０μｍ×２０μ
ｍ）が総計２４０回にわたって多重露光を受けることに
なる。

【００５９】また、別の例として、ラスタデータの画素
サイズが１０μｍ×１０μｍに設定されている場合に
は、任意の１ビットデータに“１”が与えられると、露
光作動時にその１ビットデータに対応する一画素領域
（１０μｍ×１０μｍ）に含まれる個々の露光点ＣＮ
（ｍ，ｎ）に対応したマイクロミラーＭ（ｍ，ｎ）が該
１ビットデータによって動作されて非露光位置から露光
位置に回動させられ、これによりかかる一画素領域（１
０μｍ×１０μｍ）が総計６０回にわたって多重露光を
受けることになる。

【００６０】なお、露光時間、即ち個々のマイクロミラ
ーＭ（ｍ，ｎ）が露光位置に留められる時間について
は、描画面３２における一画素領域内での露光回数、被
描画体３０（本実施形態では、フォトレジスト層）の感
度、光源装置２２の光強度等に基づいて決められ、これ
により各一画素露光領域について所望の露光量が得られ
るように設定される。

【００６１】図７は多重露光描画装置１０の制御ブロッ
ク図である。同図に示すように、多重露光描画装置１０
にはマイクロコンピュータから構成されるシステムコン
トロール回路３４が設けられる。即ち、システムコント
ロール回路３４は中央演算処理ユニット（ＣＰＵ）、種
々のルーチンを実行するためのプログラムや定数等を格
納する読出し専用メモリ（ＲＯＭ）、演算データ等を一
時的に格納する書込み／読出し自在なメモリ（ＲＡ
Ｍ）、および入出力インターフェース（Ｉ／Ｏ）から成
り、多重露光描画装置１０の作動全般を制御する。

【００６２】描画テーブル１６は、駆動モータ３６によ
ってＸ軸方向に沿って駆動させられる。この駆動モータ
３６は例えばステッピングモータとして構成され、その
駆動制御は駆動回路３８から出力される駆動パルスに従
って行われる。描画テーブル１６と駆動モータ３６との
間には先に述べたようにボール螺子等を含む駆動機構が
介在させられるが、そのような駆動機構については図７
では破線矢印で象徴的に示されている。

【００６３】駆動回路３８は描画テーブル制御回路４０
の制御下で動作させられ、この描画テーブル制御回路４
０は描画テーブル１６に設けられた描画テーブル位置検
出センサ４２に接続される。描画テーブル位置検出セン
サ４２は描画テーブル１６の移動経路に沿って設置され
たリニアスケール４４からの光信号を検出して描画テー
ブル１６のＸ軸方向に沿うその位置を検出するものであ
る。なお、図７では、リニアスケール４４からの光信号
の検出が破線矢印で象徴的に示されている。

【００６４】描画テーブル１６の移動中、描画テーブル
位置検出センサ４２はリニアスケール４４から一連の光
信号を順次検出して一連の検出信号（パルス）として描
画テーブル制御回路４０に対して出力する。描画テーブ
ル制御回路４０では、そこに入力された一連の検出信号
が適宜処理され、その検出信号に基づいて一連の制御ク
ロックパルスが作成される。描画テーブル制御回路４０
からは一連の制御クロックパルスが駆動回路３８に対し
て出力され、駆動回路３８ではその一連の制御クロック
パルスに従って駆動モータ３６に対する駆動パルスが作
成される。要するに、リニアスケール４４の精度に応じ
た正確さで描画テーブル１６をＸ軸方向に沿って移動さ
せることができる。なお、このような描画テーブル１６
の移動制御自体は周知のものである。

【００６５】図７に示すように、描画テーブル制御回路
４０はシステムコントロール回路３４に接続され、これ
により描画テーブル制御回路４０はシステムコントロー
ル回路３４の制御下で行われる。一方、描画テーブル位
置検出センサ４２から出力される一連の検出信号（パル
ス）は描画テーブル制御回路４０を介してシステムコン
トロール回路３４にも入力され、これによりシステムコ
ントロール回路３４では描画テーブル１６のＸ軸に沿う
移動位置を常に監視することができる。

【００６６】システムコントロール回路３４はＬＡＮ
（Local Area Network）を介してＣＡＤステーション或
いはＣＡＭステーションに接続され、ＣＡＤステーショ
ン或いはＣＡＭステーションからはそこで作成処理され
た回路パターンのベクタデータがシステムコントロール
回路３４に転送される。システムコントロール回路３４
にはデータ格納手段としてハードディスク装置４６が接
続され、ＣＡＤステーション或いはＣＡＭステーション
から回路パターンのベクタデータがシステムコントロー
ル回路３４に転送されると、システムコントロール回路
３４は回路パターンのベクタデータを一旦ハードディス
ク装置４６に書き込んで格納する。また、システムコン
トロール回路３４には外部入力装置としてキーボード４
８が接続され、このキーボード４８を介して種々の指令
信号や種々のデータ等がシステムコントロール回路３４
に入力される。

【００６７】ラスタ変換回路５０はシステムコントロー
ル回路３４の制御下で動作させられる。描画作動に先立
って、ハードディスク装置４６から回路パターンのベク
タデータが読み出されてラスタ変換回路５０に出力さ
れ、このベクタデータはラスタ変換回路５０によってラ
スタデータに変換され、このラスタデータはビットマッ
プメモリ５２に書き込まれる。要するに、ビットマップ
メモリ５２には回路パターンデータとして０または１で
表されたビットデータとして格納される。ラスタ変換回
路５０でのデータ変換処理およびビットマップメモリ５
２でのデータ書込みについてはキーボード４８を介して
入力される指令信号により行われる。

【００６８】ビットマップメモリ５２には、１５個の露
光データ生成回路５４₀₁〜５４₁₅（図７では４つの露光
データ生成回路５４₀₁、５４₀₂、５４₀₃および５４₁₅の
みを示す）が接続される。各露光データ回路５４₀₁〜５
４₁₅はそれぞれ露光ユニット２０₀₁〜２０₁₅に対応して
おり、各露光ユニットに与えるべきビットデータをビッ
トマップメモリ５２から読み出し、露光データを生成し
てＤＭＤ駆動回路５６に出力する。露光データは個々の
露光ユニット２０₀₁〜２０₁₅のマイクロミラーを露光位
置または非露光位置に位置決めさせるためのビットデー
タである。

【００６９】ＤＭＤ駆動回路５６はその露光データに基
づいて露光ユニット２０₀₁〜２０₁₅をそれぞれ独立して
作動し、これにより各露光ユニットの個々のマイクロミ
ラーは選択的に露光作動を行うことになる。露光データ
は露光ユニット２０₀₁〜２０ ₁₅による露光作動が繰り返
される度毎に書き換えられる。

【００７０】なお、図７では、個々のマイクロミラーの
露光作動が破線矢印で象徴的に図示されている。また、
図７では図の複雑化を避けるために露光ユニットは１つ
しか示されていないが、実際には１５個（２０₀₁〜２０
₁₅）存在し、ＤＭＤ駆動回路５６によってそれぞれ駆動
されることは言うまでもない。

【００７１】図８には、ビットマップメモリ５２上に展
開された回路パターンのラスタデータの一部分が模式的
に示されている。同図に示すライン番号Ｌは描画面３２
上に描画されるべき回路パターンのＹ軸に沿う描画ライ
ン番号に対応し、各ラインには１２８０×１５個のビッ
トデータが含まれる。同図に示すように、個々のビット
データは“Ｂ”で示され、この“Ｂ”には描画されるべ
き回路パターンに従って“１”か“０”のうちのいずれ
かの値が与えられる。

【００７２】本発明によれば、回路パターンデータ（ラ
スタデータ）の画素サイズ、即ち個々のビットデータ
“Ｂ”のサイズについてはその回路パターンの設計段階
で種々の大きさを与えることが可能である。例えば、ビ
ットデータ“Ｂ”のサイズが１０μｍ×１０μｍであれ
ば、描画面３２上に描かれるべき描画ラインの幅も１０
μｍとなり、ビットデータ“Ｂ”のサイズが２０μｍ×
２０μｍであれば、描画ラインの幅も２０μｍとなり、
ビットデータ“Ｂ”のサイズが３０μｍ×３０μｍであ
れば、描画ラインの幅も３０μｍとなる。

【００７３】図８に示すように、各ラインに含まれる１
２８０×１５個のビットデータは第１番目ないし第１５
番目のグループに分けられる。図３に示すように描画面
３２がＸ軸に平行な方向に移動する場合、第１露光ユニ
ット２０₀₁によって描かれるべき回路パターンに必要な
データは左端から１２８０ビット分のラスタデータであ
る。しかし、図５に示すように露光ユニットがＸ軸に対
して傾斜して移動する場合には、露光領域Ｕａ₀₁がＹ軸
に沿ってシフトするため露光データの生成には１２８０
ビット以上のラスタデータが必要である。

【００７４】そこで本実施形態においては、第１露光デ
ータ生成回路５４₀₁は、ビットマップメモリ５２から、
先頭（図中左端）から（１２８０＋β）ビット分のラス
タデータを読み出しており、読み出された第１番目のグ
ループのラスタデータに基づいて第１露光ユニット２０
₀₁に与えるべき露光データを生成する、即ちこれらラス
タデータからＹ軸方向に並ぶ１２８０個のマイクロミラ
ーに与えるべき１２８０ビット分のラスタデータを選択
して露光データとして出力する。

【００７５】第２露光データ生成回路５４₀₂は、ビット
マップメモリ５２から、左端から１２８１番目から２５
６０番目までの１２８０ビット分のラスタデータを含
み、その前後βビット分だけ多い（１２８０＋２β）ビ
ット分のラスタデータを第２番目のグループとして読み
出し、第２露光ユニット２０₀₂に与えるべき露光データ
を生成する。第３〜第１４露光データ生成回路５４₀₃〜
５４₁₄についても、第２露光データ生成回路５４₀₂と同
様に（１２８０＋２β）ビット分のラスタデータを読み
出して露光データを生成する。第１５露光データ生成回
路５４₁₅は、最後（図中右端）の（１２８０＋β）ビッ
ト分のラスタデータを読み出して露光データを生成す
る。

【００７６】なおβは正の整数であり、システムコント
ロール回路３４において予め設定された定数である。特
にその値は限定されないが、数十程度が好ましい。ま
た、各グループのラスタデータの数を全て等しくする必
要は無く、個々のグループについて任意に変更しても良
い。

【００７７】各グループの個々のビットデータ“Ｂ”に
対しては、図９に模式的に示すようなアドレスデータ
［Ｌ_x，Ｒ_y］が与えられる。アドレスデータ成分Ｌ_xは
ライン番号Ｌ（図８）を示し、アドレスデータ成分Ｒ_y
は各グループの最上ビットからの数えて何ビット目に当
たるかを表す。例えば、アドレスデータ［０００００
１，０００１］は各グループのライン番号１の最上位ビ
ットのビットデータ“Ｂ”を表し、アドレスデータ［０
００００３，０００１］は各グループのライン番号３の
最上位ビットのビットデータ“Ｂ”を表し、またアドレ
スデータ［０００００１，１２７８］は各グループのラ
イン番号１の最上位ビットから数えて１２７８番目のビ
ットデータ“Ｂ”を表し、アドレスデータ［０００００
３，１２７８］は各グループのライン番号３の最上位ビ
ットから数えて１２７８番目のビットデータ“Ｂ”を表
し、更にアドレスデータ［０００００１，１２８０］は
各グループのライン番号１の最下位ビットのビットデー
タ“Ｂ”を表し、アドレスデータ［０００００３，１２
８０］は各グループのライン番号３の最下位ビットのビ
ットデータ“Ｂ”を表す。

【００７８】図１０は、回路パターンと、第１および第
２露光ユニット２０₀₁および２０₀₂との関係を示す模式
図である。説明を簡単にするために、ここでは描画面３
２をＸ軸に平行に移動させた場合（図３）について説明
する。

【００７９】第１露光ユニット２０₀₁は、全面露光領域
Ｕａ₀₁と同一幅である帯状の領域を多重露光により描画
する。この帯状の領域を第１パターン領域Ｒａ₀₁と定義
する。第１露光ユニットは第１パターン領域Ｒａ₀₁のＹ
方向長さ（以下、パターン領域幅Ｄ１と記載する）より
も幅の大きい領域（破線で囲まれる）を露光するだけの
数（Ｙ方向に１２８０個）のマイクロミラーを備えてい
るが、実際に露光作動させられるマイクロミラーは、右
上がりのハッチングで示される全面露光領域Ｕａ₀₁に対
応する１２８０個以下のマイクロミラーのみである。こ
の第１パターン領域Ｒａ₀₁に描かれる回路パターンは、
そのＹ方向長さがパターン全体のＹ方向長さの１／１５
に相当し、図８に示す第１番目のグループに含まれる先
頭からパターン領域幅Ｄ１に相当するラスタデータに基
づいて描かれる。

【００８０】第１番目のグループに含まれるラスタデー
タに対応する領域を第１分割領域Ｂａ₀₁（図中一点鎖線
で囲まれた領域）として定義すると、この第１分割領域
Ｂａ ₀₁のＹ方向長さである分割領域幅Ｄ２はパターン領
域幅Ｄ１よりも長く設定され、その差Ｄ３はβビット分
のラスタデータに相当する長さ（β×ＰＳ）に等しい。
即ち、第１露光データ生成回路５４₀₁において第１分割
領域Ｂａ₀₁に相当するラスタデータが読み出され、その
中から第１パターン領域Ｒａ₀₁に相当するビットデータ
が露光データとして選択され、第１露光ユニット２０₀₁
が作動させられる。

【００８１】第２露光ユニット２０₀₂についても同様
に、第２露光データ生成回路５４₀₂によってパターン領
域幅Ｄ１よりも長さ（Ｄ３×２）だけ長い分割領域幅Ｄ
４を持つ第２分割領域Ｂａ₀₂に相当する（１２８０＋２
β）ビット分のラスタデータが読み出され、この第２分
割領域Ｂａ₀₂に含まれる第２パターン領域Ｒａ₀₂を多重
露光するための露光データが生成される。なお、第３〜
第１５露光データ生成回路５４₀₂〜５４₁₅においても同
様に露光データが生成されることは言うまでもない。

【００８２】隣り合う２つのパターン領域Ｒａ₀₁および
Ｒａ₀₂は重なることはなく実質的に隙間なく並んでいる
が、隣り合う２つの分割領域Ｂａ₀₁およびＢａ₀₂はＹ方
向に長さＤ３×２だけ重なり合っている。即ち、第１お
よび第２露光データ生成回路５４₀₁および５４₀₂は２β
ビット分のラスタデータを共有することになる。なお、
第１分割領域Ｂａ₀₁の分割領域幅Ｄ２は、第１露光ユニ
ット２０₀₁の最大露光幅Ｄ５よりも大きい値に設定され
る。

【００８３】このように、パターン領域よりも広い分割
領域に相当するラスタデータを読み出して露光データを
生成するので、上記のようにパターン領域がＹ方向にシ
フトする場合や、回路パターンを座標変換（回転、拡
大、縮小、移動等）して描画する場合においても十分に
対応することができる。

【００８４】図１１は、回路パターンに回転変換を施し
た場合の分割領域とパターン領域との関係を示す図であ
る。本来の回路パターンを破線で示し、時計回りに角度
θだけ回転変換した回路パターンを実線で示す。

【００８５】回路パターンを回転した場合、図に示すよ
うに本来第１露光ユニット２０₀₁のみで描画すべき幅Ｄ
１の回路パターン（第１パターン領域Ｒａ₀₁）を第１お
よび第２露光ユニット２０₀₁、２０₀₂の双方を用いて描
画しなければならない。即ち、第１パターン領域Ｒａ₀₁
のうち右上がりのハッチングで示される台形の領域が第
１露光ユニット２０₀₁により描画され、右下がりのハッ
チングで示される残りの三角形領域が第２露光ユニット
２０₀₂により描画されるべきである。従って、第２分割
領域Ｂａ₀₂の分割領域幅Ｄ４は、回転変換前の第１パタ
ーン領域Ｒａ₀₁の一部を含むようにパターン領域幅Ｄ１
よりも大きく設定される。これにより、実質的に回路パ
ターンを回転させて描くことができる。

【００８６】図１２は、図７に示す第１露光データ生成
回路５４₀₁の構成をさらに詳細に示すブロック図であ
る。なお、残り１４個の露光データ生成回路５４₀₂〜５
４₁₅は、第１露光データ生成回路５４₀₁と同じ構成を有
しており、ここでは説明を省略する。

【００８７】第１露光データ生成回路５４₀₁には、分割
領域チェック回路５４０および分割領域メモリ５４１が
設けられる。分割領域チェック回路５４０には、システ
ムコントロール回路３４により第１分割領域Ｂａ₀₁に相
当するラスタデータのアドレスデータ（以下、分割領域
データと記載する）が与えられ、ビットマップメモリ５
２から順に読み出されたラスタデータから第１分割領域
Ｂａ₀₁に相当するラスタデータのみを抽出して、分割領
域用メモリ５４１に格納する。即ち、分割領域用メモリ
５４１には第１分割領域Ｂａ₀₁に相当するラスタデータ
が格納される。

【００８８】第１露光データ生成回路５４₀₁には露光点
座標データメモリ５４２が設けられ、この露光点座標デ
ータメモリ５４２には１０２４×１２８０のマトリクス
状に配列されたマイクロミラーＭ（ｍ，ｎ）に対応する
１３１０７２０個の露光点ＣＮ（ｍ，ｎ）の座標データ
が格納される。この露光点座標データは、第１ラインの
先頭のマイクロミラーＭ（１，１）に対応する露光点Ｃ
Ｎ（１，１）を原点とする２次元直交座標系で表され、
その座標系の２軸はそれぞれＸ軸およびＹ軸に平行であ
る。この露光点座標データは描画面３２全体の描画が行
われる毎に見直され、必要に応じてシステムコントロー
ル回路３４から与えられ、更新される。

【００８９】第１露光データ生成回路５４₀₁のカウンタ
５４４には、システムコントロール回路３４から基本制
御クロックパルスＣＬＫ１および露光クロックパルスＥ
＿ＣＬＫが入力され、その出力は露光点座標データメモ
リ５４２および露光データメモリ５４９に入力される。

【００９０】基本制御クロックパルスＣＬＫ１は、１３
１０７２０個の各マイクロミラーを順次作動させるタイ
ミングを制御するパルスであり、露光クロックパルスＥ
＿ＣＬＫは露光開始タイミングを制御するパルスであ
る。露光クロックパルスＥ＿ＣＬＫの周期はクロックパ
ルスＣＬＫ１の周期の１３１０７２０倍以上とされる。

【００９１】カウンタ５４４は基本制御クロックパルス
ＣＬＫ１のパルス数をカウントし、そのカウント値を出
力する。このカウント値は露光クロックパルスＥ＿ＣＬ
Ｋの入力毎に初期値０にリセットされる。従って、カウ
ンタ５４４からの出力は露光点座標データメモリ５４２
または露光データメモリ５４９から各マイクロミラーに
与えるべきビットデータの読み出す順番を示すアドレス
データに相当する。

【００９２】また第１露光データ生成回路５４₀₁には露
光位置データメモリ５４６が設けられ、この露光位置デ
ータメモリ５４６には露光作動毎に変化する第１露光ユ
ニット２０₀₁の描画面３２に対する相対位置データ（以
下、露光位置データと記載する）、具体的には第１ライ
ンの先頭のマイクロミラーＭ（１，１）に対応する露光
点ＣＮ（１，１）の座標データが格納される。露光位置
データは描画毎にシステムコントロール回路３４から与
えられ、更新される。

【００９３】第１露光データ生成回路５４₀₁のカウンタ
５４５には、システムコントロール回路３４から露光ク
ロックパルスＥ＿ＣＬＫが入力されており、パルス数が
カウントされる。カウント値は露光位置データメモリ５
４６から露光位置データを読み出すアドレスデータとし
て露光位置データメモリ５４６に出力される。

【００９４】露光点座標データメモリ５４２はクロック
パルスＣＬＫ１に同期してアドレス変更される毎にパタ
ーン領域幅チェック回路５４３を介して加算器５４７に
順次露光点座標データを出力し、露光位置データメモリ
５４６はクロックパルスＥ＿ＣＬＫに同期してアドレス
が変更される毎に加算器５４７に露光位置データを出力
する。

【００９５】パターン領域幅チェック回路５４３は、個
々の露光点座標データが、パターン領域幅Ｄ１を超えて
いないかどうかをチェックするための回路であり、パタ
ーン領域幅Ｄ１のデータ、即ち露光ユニット２０₀₁のパ
ターン領域幅を示すＹ座標からなるパターン領域データ
はシステムコントロール回路３４により与えられる。

【００９６】加算器５４７では個々の露光点座標データ
に現在の露光位置データを加算し、両者の和をピクセル
処理回路５４８に出力する。露光位置データおよび露光
点座標データはμｍ単位で表された値であるため、ピク
セル処理回路５４８では描画すべきラスタデータの画素
サイズＰＳに基づいたデータに変換する。このデータが
分割領域用メモリ５４１からラスタデータを読み出す際
の読出しアドレスデータ［Ｌ_x，Ｒ_y］となる。

【００９７】分割領域用メモリ５４１から読み出された
ラスタデータは、露光データメモリ５４９に一旦格納さ
れ、カウンタ５４４からの出力、即ち各マイクロミラー
に与えるべきビットデータの読み出す順番を示すアドレ
スデータに基づいて露光データとして読み出され、ＤＭ
Ｄ駆動回路５６に出力される。なお、座標変換を行う際
には、システムコントロール回路３４において露光点座
標データまたは露光位置座標データに座標変換が施さ
れ、これにより読み出すべきラスタデータの位置を変更
している。

【００９８】以下に露光ユニット２０₀₁の個々のマイク
ロミラーＭ（ｍ，ｎ）と各露光位置でのビットデータ
“Ｂ”との関係について説明する。

【００９９】露光ユニット２０₀₁が露光開始位置即ち第
１回目露光位置に置かれている場合にその任意のマイク
ロミラーによって得られる単位露光領域Ｕ（ｍ，ｎ）の
露光点ＣＮ（ｍ，ｎ）のＸＹ座標Ｐ_[x(m),y(n)]（１≦
ｍ≦１０２４，１≦ｎ≦１２８０）については以下のよ
うに表される。尚、Ｃは単位露光領域のサイズであり、
Ｘｐ（ｍ）およびＹｐ（ｎ）は露光点座標データであ
る。ここで、ｂは前述したように、Ｘ軸方向に（Ａ＋
ａ）だけ移動した際のＹ方向の移動量である。 ｘ（ｍ）＝Ｘｐ（ｍ）＝（ｍ−１）Ｃ ｙ（ｎ）＝Ｙｐ（ｎ）＝（ｎ−１）Ｃ−b（ｍ−１）

【０１００】露光ユニット２０₀₁が第１回目露光位置か
らＸ軸方向に距離（Ａ＋ａ）ずつ順次移動させられて第
ｉ回目露光位置まで到達したとすると、そのときの露光
位置データＸｓ（ｉ）およびＹｓ（ｉ）は以下のように
表される。ここで、“ｉ”は露光回数である。 Ｘｓ（ｉ）＝（Ａ＋ａ）（ｉ−１） …（１） Ｙｓ（ｉ）＝０ …（２）

【０１０１】従って、露光ユニット２０₀₁が第ｉ回目露
光位置まで到達したときの座標Ｐ_{[x (m),y(n)]}のＸ成分
ｘ（ｍ）およびＹ成分ｙ（ｎ）は以下の式で示される。 ｘ（ｍ）＝Ｘｓ（ｉ）＋Ｘｐ（ｍ） …（３） ｙ（ｎ）＝Ｙｓ（ｉ）＋Ｙｐ（ｎ） …（４）

【０１０２】第ｉ回目露光位置において、任意のマイク
ロミラーによって得られる単位露光領域（Ｕ_(m,n)）の
露光点ＣＮ_(m,n)の座標Ｐ_[x(m),y(n)]が或る一画素領域
内に含まれるとき、その一画素領域に対応するビットデ
ータ“Ｂ”のアドレス［Ｌ_x，Ｒ_y］は上述の２つの
（３）式および（４）式の演算結果を用いて以下の式で
表せる。 Ｌ_x＝ＩＮＴ［ｘ（ｍ）／ＰＳ］＋１ … （５） Ｒ_y＝ＩＮＴ［ｙ（ｎ）／ＰＳ］＋１ … （６） ここで、一般的に、除算ｅ／ｆが行われるとき、演算子
ＩＮＴ［ｅ／ｆ］は除算ｅ／ｆの商を表し、０≦ｅ＜ｆ
のとき、ＩＮＴ［ｅ／ｆ］＝０として定義される。ま
た、“ＰＳ”はビットデータ“Ｂ”のサイズを表す。

【０１０３】かくして、第ｉ回目露光位置では、座標Ｐ
_[x(m),y(n)]に対応したマイクロミラーは上述の（５）
式および（６）式の演算結果によって決まるアドレス
［Ｌ_x，Ｒ_y］のビットデータ“Ｂ”に従って動作される
ことになる。

【０１０４】上述の（３）式の演算結果、即ち座標Ｐ
_[x(m),y(n)]のＸ成分の演算結果が以下の関係となった
とき、 ｘ（ｍ）＜０ 座標Ｐ_[x(m),y(n)]は未だ描画面３２上の描画領域に侵
入していないことになる。従って、この場合には、座標
Ｐ_[x(m),y(n)]に対応したマイクロミラーを動作すべき
ビットデータは存在しないことになり、このとき該マイ
クロミラーはダミーデータ“０”に従って動作させられ
る。

【０１０５】また、上述の（４）式の演算結果ｙ
（ｎ）、即ち座標Ｐ_[x(m),y(n)]のＹ成分の演算結果が
以下の関係となったとき、 ｙ（ｎ）＜０ 座標Ｐ_[x(m),y(n)]は描画領域のＹ軸に沿う負側の境界
線を越えることになる。従って、この場合にも、座標Ｐ
_[x(m),y(n)]に対応したマイクロミラーを動作すべきビ
ットデータは存在しないことになり、このとき該マイク
ロミラーはダミーデータ“０”に従って動作させられ
る。

【０１０６】第１列目のその他の露光ユニット２０₀₃〜
２０₁₅に含まれる任意のマイクロミラーを露光動作時に
どのビットデータ“Ｂ”によって動作させるべきかも上
述の場合と同様な態様で確定することが可能であるが、
しかしその場合には、上述の演算時に露光ユニット２０
₀₃、２０₀₅、〜２０₁₅の各々が露光ユニット２０₀₁より
も座標原点からＹ軸に沿って正側に離れていることが考
慮されなければならない。また、第２列目の露光ユニッ
ト２０₀₂、２０₀₄、〜２０₁₄のそれぞれの任意のマイク
ロミラーを各露光動作時にどのビットデータ“Ｂ”によ
って動作させるべきかも上述の場合と同様な態様で確定
することが可能であるが、しかしその場合には、上述の
演算時に露光ユニット２０₀₂、２０₀₄、〜２０₁₄の各々
が露光ユニット２０₀₁よりも座標原点からＸ軸に沿って
負側にしかもＹ軸に沿って正側に離れていることが考慮
されなければならない。

【０１０７】上述した実施形態では、描画作動時、描画
テーブル１６が露光位置に到達する度毎に停止され、そ
の停止位置で露光ユニット２０₀₁〜２０₁₅による露光作
動が行われている。しかしながら、描画作動時、描画テ
ーブル１６を間欠的に移動させることなく連続的に一定
速度で移動させつつ、所定の条件下で露光ユニット２０
₀₁〜２０₁₅による露光作動を行うことも可能である。詳
述すると、描画テーブル１６が距離（Ａ＋ａ）だけ移動
する度毎に露光ユニット２０₀₁〜２０₁₅による露光作動
が開始されることは上述の実施形態と同じであるが、し
かし露光時間については、描画テーブル１６が各露光ユ
ニットの個々のマイクロミラーによって得られる単位露
光領域のサイズ（２０μｍ）より小さい距離ｄを移動す
る間の時間とされる。

【０１０８】このように露光時間を設定すれば、上述の
場合と同様な態様で回路パターンの描画を行うことがで
きるだけでなく、回路パターンの描画に必要とされる描
画時間も短縮することもできる。また、描画作動時、描
画テーブル１６を連続的に一定速度で移動させる別の利
点として、描画テーブル１６の駆動系が故障し難いとい
うことも挙げられる。

【０１０９】このように、本実施形態においては、回路
パターンを露光ユニットの数に応じて分割しており、さ
らにこれら分割されたパターン領域よりも大きい分割領
域を決定し、この分割領域に相当するラスタデータから
任意のラスタデータを選択するため、座標変換が簡単な
構成で容易に行える。また、ビットマップメモリ５２内
のラスタデータには何ら座標変換を施す必要がない。

【０１１０】

【発明の効果】以上の記載から明らかなように、本発明
にあっては、パターンデータがどのような大きさの画素
サイズを持っていても、所定のパターンを適正に描画す
ることができるので、本発明による多重露光装置を１台
だけ用意するだけでＣＡＤステーション或いはＣＡＭス
テーションでの回路パターンの設計の自由度を大巾に高
めることができる。

【０１１１】また、本発明による多重露光装置にあって
は、回路パターンを露光ユニットの数に応じて分割して
おり、さらにこれら分割されたパターン領域よりも大き
い分割領域を決定し、この分割領域に相当するラスタデ
ータから任意のラスタデータを選択するため、座標変換
が簡単な構成で容易に行える。また、１５個の露光ユニ
ットについてそれぞれの露光データを同時に生成できる
ので、時間短縮が図れる。

【０１１２】また、本発明により得られる特徴的な作用
効果の１つとして、露光ユニット内の変調素子の幾つか
が正常に機能しなくなったとしても、画素欠陥を生じさ
せることなくパターンの描画を適正に行い得るという点
も挙げられる。というのは、描画パターン領域は複数回
の露光作動にわたる多重露光によって得られるので、そ
のうちの数回程度の露光作動が正常に行われなかったと
しても、その描画パターン領域の総露光量は十分に得ら
れるからである。

【０１１３】本発明による多重露光方式から得られる別
の作用効果として、個々の露光ユニットに組み込まれる
結像光学系に起因する露光むらがあったとしても、その
露光むらの影響は多重露光のために小さくされるという
点も挙げられる。

【０１１４】本発明による多重露光方法から得られる更
に別の作用効果として、光源装置の出力が低くても、多
重露光のために十分な露光量が確保し得るので、光源装
置を安価に構成し得る点も挙げられる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による多重露光描画装置の概略斜視図で
ある。

【図２】本発明による多重露光描画装置で用いる露光ユ
ニットの機能を説明するための概略概念図である。

【図３】図１に示す多重露光描画装置の描画テーブル上
の被描画体の描画面および各露光ユニットによる露光領
域を説明するための平面図である。

【図４】本発明による多重露光描画装置により実行され
る多重露光描画方法の原理を説明するための模式図であ
って、Ｘ−Ｙ座標系のＸ軸に沿う複数の露光位置に露光
ユニットを順次移動させた状態を経時的に示す図であ
る。

【図５】図４と同様な模式図であって、Ｘ−Ｙ座標系の
Ｘ軸に沿う複数の露光位置に露光ユニットを順次移動さ
せた際に該露光ユニットがＹ軸に沿って所定距離だけ変
位する状態を経時的に示す図である。

【図６】本発明の多重露光方法に従って露光ユニットを
複数の露光位置に順次移動させた際に該露光ユニットの
所定のマイクロミラーによって得られる単位露光領域の
中心が所定領域内にどのように分布するかを示す説明図
である。

【図７】本発明による多重露光描画装置のブロック図で
ある。

【図８】本発明による多重露光描画装置で描画すべき回
路パターンのラスタデータの一部をビットマップメモリ
上に展開した状態で示す模式図である。

【図９】図８に示すビットデータの一部とその読出しア
ドレスデータとの関係を示す模式図である。

【図１０】回路パターンのパターン領域と分割領域との
関係を示す模式図である。

【図１１】回路パターンを回転させたときのパターン領
域と分割領域との関係を示す模式図である。

【図１２】図７に示す第１露光データ生成回路の内部を
詳細に示すブロック図である。

【符号の説明】 １０ 多重露光描画装置 １６ 描画テーブル ２０₀₁、…２０₁₅ 露光ユニット ２７ ＤＭＤ素子 Ｍ（１，１）、…Ｍ（１０２４，１２８０） マイクロ
ミラー（変調素子） ３０ 被描画体 ３２ 描画面 ３４ システムコントロール回路 ５２ ビットマップメモリ ５４₀₁、…５４₁₅ 露光データ生成回路 ５６ ＤＭＤ駆動回路

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 所定方向に複数個並べられ、それぞれマ
   トリクス状に配列された多数の変調素子によって描画面
   を多重露光する露光ユニットと、 前記描画面に露光すべきパターンのラスタデータを保持
   するメモリ手段と、 前記パターンを前記所定方向に沿って前記露光ユニット
   の数と等しい数のパターン領域に分割する分割手段と、 個々の前記パターン領域を含みかつ前記パターン領域の
   前記所定方向における幅よりも大きい幅を有する分割領
   域を決定する分割領域決定手段と、 個々の前記分割領域に対応するラスタデータを前記メモ
   リ手段から読み出す読み出し手段と、 前記読み出し手段により読み出された分割領域のラスタ
   データの中から所定のラスタデータを選択し、前記分割
   領域に対応する前記露光ユニットの各変調素子を駆動制
   御する変調素子制御手段とを備えることを特徴とする多
   重露光描画装置。
2. 【請求項２】 前記露光ユニットの前記所定方向におけ
   る最大露光幅が、前記パターン領域の幅より長く、かつ
   前記分割領域の幅より短いことを特徴とする請求項１に
   記載の多重露光描画装置。
3. 【請求項３】 所定方向に複数個並べられ、それぞれマ
   トリクス状に配列された多数の変調素子を有する露光ユ
   ニットを用いて多重露光することにより所定パターンを
   描画面上に描画する多重露光描画方法であって、 所定パターンのラスタデータをメモリに保持する第１ス
   テップと、 前記所定パターンを前記所定方向に沿って前記露光ユニ
   ットの数と等しい数のパターン領域に分割する第２ステ
   ップと、 個々の前記パターン領域を含みかつ前記パターン領域の
   前記所定方向における幅よりも大きい幅を有する分割領
   域を決定する第３ステップと、 個々の前記分割領域に対応するラスタデータを前記メモ
   リから読み出す第４ステップと、 前記読み出し手段により読み出された分割領域のラスタ
   データの中から所定のラスタデータを選択し、前記分割
   領域に対応する前記露光ユニットの各変調素子を駆動制
   御する第５ステップとを備えることを特徴とする多重露
   光描画方法。