JPH0210967A - プリントパターンの形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は高アドレス解像度ラスタ化の方法および装置に
関し、特に低アドレス解像度ラスタ化プリンティングシ
ステムを用いた高アドレス解像度ラスタ化の方法に関す
る。

〔従来の技術〕

多数の方法の１つを用いてラスタ化デイスプレィのアド
レス解像度を増大することが知られている。アドレス解
像度を改良する１つの方法はピクセル（画素）密度を増
大し、各個の画素の直径を減少させるものである。この
ような方法はアドレス解像度を改善するが画素の直径を
減少し、その密度を増大する能力は大体の応用において
限定されることになる。

アドレス解像度を改良する第２の方法においては画素密
度を増大するようにし、隣接画素間である程度の重なり
をもたせてお互いからずらすようにすることが知られて
いる。たとえば第１（ａ）図において２列の画素１０１
，１０２が示されている。この例において、列１０２の
各画素は列１０１の各画素から少しだけずれている。こ
の方法の特定の応用例は第１（ｂ）図に示されている。

文字ＡｌＯ３は複数個の重なりかつずれた画素を表わす
ものとして示されている。この方法は、文字類似性（ｎ
ｓａｒ−１ｅｔｔｅｒ−ｑｕａｌｉｔｙ）としばしば呼
ばれるものを形成する多数のドツトマトリックスプリン
タ会社によって用いられている。

他の関連した技術の中には、５ａｎｔａ　Ｃ１ａｒａ　
。

Ｃａｌ　ＩｆｏｒｎｌａのＶｅｒｓａｔｅｃによって製
造されているスペクトルＣ２５００シリーズプロッタに
よって用いられている方法がある。この方法では、低ア
ドレス解像度プロットデータが受は入れられ、プロッタ
の通常プロッティングのためにアドレス解像度を用いる
。第１（ｃ）図において、データがプロッタによって出
力されるとき、ビット１０５のようなプロッタへの各入
力ビット（第１　（ｃ）図において黒化画素によって表
わされている）は領域１０４のような２×２画素領域に
変換される。第１（ｃ）図においてその変換によって加
えられたビットは黒化されていない。平滑化アルゴリズ
ムは非直交線上の２画素ステップを最小化するように画
定される。

この平滑化アルゴリズムによってビット１０６のような
ビットは第１（Ｃ）図において斜線マークによって示さ
れている。

集積回路製造のためのフォトリングラフィ形成パターン
製造においてラスタ化システムを用いることも知られて
いる。このようなシステムは、１９８５年１０月４日に
出願され、本願の譲受人に譲渡された“Ｒａｇｔｅｒｌ
ｚ＠ｒ　ｆｏｒ　Ｐａｔｔｅｒｎ　ｇｅｎｅｒａｔｏｒ
”と題する同時係属出願ＳＮ　７８４８５６号に開示さ
れている。

低アドレス解像度システムから高アドレス解像度出力を
与える改良された方法、とくにフォトリングラフィ形成
パターンの発生において用いられるラスタライザ（ｒａ
ｇｔｅｒｉｚｅｒ）　　とともに用いるシステムを開発
することが要望される。

〔発明の概要〕

フォトリソグラフィ形成パターンの製造に用いるシステ
ムにおいて改良されたアドレス解像度出力を与える方法
が開示されている。この方法は集積回路製造のためのホ
）　ＩＪソグラフィ形成マスクの製造に特に応用される
。

本発明は低アドレス解像度プリンティングシステムを用
いて高アドレス解像度データベースから高アドレス解像
度プリントパターンをプリントする方法を開示する。本
発明は高アドレス解像度データベースに基づいて複数の
低アドレス解像度データベースを生成することおよび低
アドレス解像度プリンティングシステムに対する入力と
して複数の低アドレス解像度を用いることを開示されて
いる。低アドレス解像度プリンティングシステムはお互
いに上にかぶせられた各低アドレス解像度データベース
をプリントし、高アドレス解像度プリントパターンを生
成する。

本発明の好適実施例はレーザ光学システムノ複数の論理
バスを用いて感光材料を露光する。第１の組のバスは第
１組の領域を露光する。第１組の各バスは適用量（ドー
ズ）が変化し、それによつて変化する量の感光材料を露
光する。第２の組のパスは、第１組からはずれている第
２の組の領域を露光するようになっている。第２組の各
パスも光の適用量が変化してもよい。

以下では、フォトリソグラフィ形成パターンの製造のた
めに用いられるシステムにおいて改良された解像度出力
を与える方法および装置が開示される。そして以下の説
明では本発明の完全な理解を得るために多くの細部につ
いて特定の値を用いて説明がなされる。しかし、当業者
はこれら特定の細部についての説明がなくても本発明を
実施できることは明らかであろう。また、本発明を不必
要に不明確にしかいために周知の構造、回路は詳細には
説明しない。

本発明は低アドレス解像度プリンタを用いるプリンティ
ングシステムにおいて高アドレス解像度データベースか
ら高アドレス解像度プリントパターンを生成する方法を
開示する。好適実施例は集積回路などの製造のためにフ
ォトリングラフィ形成パターンを生成するために用いる
ことができる。

また、好適実施例はレーザ光学システムに関連して説明
される。基板を露光するために放射エネルギを用いる他
のシステム（たとえば電子ビームシステム）にも同様に
応用できることは当業者に明らかであろう。

従来技術において、フォトリソグラフィ形成パターンを
生成するのに本発明の低アドレス解像度プリンタを用い
ることは公知である。このようなシステムは第２図に例
示され、また１９８５年１０月４日に出願された１−Ｒ
ａｓｔｅｒｉｚｅｒ　ｆｏｒ　ＰａｔｔｅｒｎＧｅｎｅ
ｒａｔｏｒ　”と題する本出願人による同時係属出願Ｓ
Ｎ　７８４，８５６号（ここに参考のために引用）に開
示されている。第２図において、パターン転送コンピュ
ータ２０１はパターンを画定する旧データ２００を受け
、そのデータをラスタライザ２０２によって用いられる
形式（フォーマット）に変換する。半導体装置の製造に
おいては通常、装置の各レベルはそのレベルの目的物を
画定するためにディジタル化される。このデータは台形
その他の形状の位置、寸法および配向を表わすことがで
きる。

パターン転送コンピュータ２０１はデータを２つの目的
物（矩形および三角形）に変換する。ラスタライザ２０
２は光学システム２０３を駆動する画素データとなるこ
の変換データである。

本発明の目的はパターン転送コンピュータ２０１、ラス
タライザ２０２および光学システム２０３を用いて高ア
ドレス解像度プリントパターンを生成することである。

〔実施例〕

第３図において、本発明の詳細な説明するデータ流れ図
が示されている。パターンを画定する高アドレス解像度
データベース３０１が形状分解プロセス３０２への入力
として用いられる。形状分解プロセス３０２はパターン
転送コンピュータ２０１または他のプロセッサで実行で
きる。形状分解プロセス３０２は複数の方法のいずれか
を用いて複数の低アドレス解像度データベース３０３を
生成できる。

形状分解プロセスによって用いることのできる方法の例
として、テーブルルックアップルーチン、インライン判
定ツリー、その他のアルゴリズムが挙げられる。

たとえば、物体形状の例として矩形を用いて次のアルゴ
リズムを用いることができる。まず、矩形はその原点（
ｘ、ｙ）、高さ（Ｈ）および幅（Ｗ）を用いて画定でき
るものと仮定する。複数（Ｎ）の低アドレス解像度デー
タベース３０３は次のアルゴリズムを用いて形状分解ア
ドレス３０２によって出力できる。

各形状（すなわち矩形）に対して 形状（Ｘｏ、Ｙｏ、Ｆ（ｏ、Ｗｏ）をロードする。

各パス１〜Ｎに対して ｘ　、、　　＝　（ｘｏ＋ｘ−オフセット、、　）’＞
＞ｌｏｇ　２ＮＹ　、、Ｘ＝　（ｙｏ＋ｙ−オフセット
、、　）＞＞ｌｏｇ　ＢＮＨ、、＝　（（Ｙｏ＋Ｈｏ＋
Ｈ−オフセット、、、Ｘ）＞ｌｏｇ２Ｎ）−Ｙ７．ユ ｗ、、＝　（（ｘｏ＋ｗｏ十ｗ−オフセット、、、）＞
＞ｌｏｇ、Ｎ）−Ｘ、ア （Ｘ７．ユ、Ｙ２．ユ、　Ｔ（、、Ｘ、Ｗ、、ユ）記憶
パス終了 形状終了。

特定のＸ−オフセットパユ、Ｙ−オフセットＡｙ　ＩＷ
−オフセット２．ユおよびＨ−オフセット、Ｚｘ　ｌｄ
　ＮＯ値および特定形状（すなわち矩形、三角形など）
に基づいて決定される。Ｘ、、　、Ｙ、、ユ、Ｈ７、ユ
およびＷ７．ユの値は右移動−８Ｎ位置である。

例として、第４ａ図において所望の矩形４０１が示され
る。所望矩形４０１は、（１，１）の原点４０２　（Ｘ
　ｔ　Ｙ　）、３単位の高さ（Ｔ（）および５単位の幅
（Ｗ）を有している。２つの低アドレス解僑度が発生す
る（すなわちＮ＝２）システムを仮定する。このような
システムでは、Ｘ−オフセット０．Ｙ−オフセット１．
Ｈ−オフセット０．および司オフセット、はｌに等しい
。バス２に対しては、夏オフセット２．Ｙ−オフセット
３．Ｈ−オフセット、、ｗ、オフセット、は０に等しく
なる。そこで、Ｘ工＝１ Ｙ工＝１ Ｈ１＝１ Ｗｌ＝　２ かつ、 Ｘ３＝Ｏ Ｙ２−　〇 Ｔ（２＝　Ｏ Ｗ、＝３ となる。

第４（ｂ）図は低アドレス解像度プリンティングシステ
ムによってプリントできる画素グリッドを示す。上記ア
ルゴリズムによって発生した形状を用いて、画素４０３
および４０４は第１パスによって選択され、を九画素４
０３，４０４，４０５，４０６，４０７および４０８が
第２パスによって選択される。これによって所望の矩形
４０１と密接に対応した形状４１０が生じる。

低アドレス解像度データベース３０３はラスタ化プロセ
ス３０４に対する入力として用いられる。ラスタ化プロ
セス３０４は並列か直列に複数の低解儂度データベース
３０３を処理できる。ラスタ化プロセス３０４を出願人
による上記同時係属出願によシ詳細に説明されている。

ラスタ化プロセス３０４は出力として、低アドレス解像
度データベース３０３に対応する複数のビットマツプさ
れたアドレス解像度データベース３０５を発生する。好
適実施例によって用いられるこれらのデータベースの形
式（フォーマット）はより詳細には出願人による上記同
時係属出願および第５図に示されている。

第５図は高さ５０１９幅５０２　、　ｘ−座標５０３．
およびｙ−座標のデータの一般的なフォーマットを示す
。ビット５０６の特定フォーマットは出願人による上記
同時係属出願に示されている。ビット５０５はビット５
０６に加えて与えられ、本発明によって用いられる付加
的なアドレス指定能力を与える。

一般に、矩形または直角４５三角形は、高さ５０１、幅
５０２．原点（Ｘ軸座標５０３およびＹ軸座標５０４か
らなる）およびその配向（原点の化石、原点の南西、原
点の南東または原点の北東）によって記述できる。本発
明は複数（Ｎ）個の付加ビット５０５を用いてビットマ
ツプされた低アドレス解像度データベース３０５に対応
する複数の形状を画定する。

ビットマツプされた低アドレス解像度データベース３０
５は、基板３０７が所望のパターンでプリントされるオ
ーバレイプリンティングプロセス３０６に対する入力と
して用いられる。好適実施例において、基板３０７は集
積回路用のホトレジストマスクを有してもよいし、また
はパターンを半導体ウェーハ上に１接書込んでもよい。

パターンは基板３０γに単一バスで書込んでもよいし、
またはビットマツプされた低アドレス解像度データベー
スの各々に対応する複数の別々のバスで書込んでもよい
。ここで用いられる「論理バス」という用語は別々の物
理バスか単一バスの組合せにおいてビットマツプされた
低アドレス解像度データベースの１つを書込むことを指
すものとする。

本発明は、間隙グリッド（オフセット）プリンティング
の技術を、複数の形状をお互いに重ねてプリントする反
エイリアスシング（ライン平滑化）法に複数のビットマ
ツプされた低アドレス解像度データベースに基づいて組
合せる。

第６図にはホトレジストの特性が示されている。

通常、ホトレジストは一定量の光（または放射エネルギ
）６０３が印加されるまで露光されない（領域６０１）
。次にホトレジストは露光スレツショルド６０４に達す
るが、それ以上の光が印加されている間露光されたまま
である。ホトレジストの露光は単一露光でもよいし、複
数露光を積重ねてもよい。

第７図（ａ）において、基板７０１　（ａ）はホトレジ
スト材料を含むものとして示されている。基板７０１　
（Ａはその表面にわたって曲線７０４（ａ）によって示
されるような光源に露光される。光源が線７０３（ａ）
によって示される感光材料の露光スレショルドに達する
と、基板表面は現像の際露光される（領域γ０２（ａ）
）。

第７図（ｂ）に示されるように、基板７０１（ｂ）は線
７０４（ｂ）によって示されるような複数個の画素露光
源で露光してもよい。感光材料の上記性質のために基板
７０１（ｂ）は領域７０２（ｂ）で正しく露光される。

今、領域７０５を露光することが望まれるとする。

この場合、別の画素７０７を露光すると、領域γ０５お
よび領域７０６の両方が露光され、予定より大きな露光
領域が生じる。曲線７０８によって示されるように光源
の適用量を減少することによって所望領域７０５のみが
露光スレッショルドレベル７０３（ｂ）に露光される。

第７図（、）に示されるように、本発明は第２図の光学
システム２０３からの複数の論理バスを用いて基板７０
１　（ｃ）の領域γ０２（ｅ）を露光することを開示す
る。低アドレス解像度プリンタを用いるプリンティング
システムにおいて、論理パスをお互いからずらしてもよ
い（オフセットしてもよい）。たとえば、好適実施例に
おいて、第１組の論理パスが第１組の画素位置を露光し
、第２組の論理パスが第２組の画素位置を露光する間隙
グリッドが用いられる。第２組の画素位置は第１組の画
素の間にずらしてその中央に置かれる。たとえば、第８
図においてＷ、１組の複数の画素はドツト８０１のよう
なドツトによって表わされ、第１組の複数の画素からず
らされ、その間の中央に置かれた第２組の画素は三角形
８０２のような三角形によって表わされる。

好適実施例において、レーザ光学システムの各論理パス
は露光スレッショルドレベル７０３　ｒｅ）の約％に等
しい先遣用量を与える。好適実施例では各画素毎に２つ
の論理パスが作られ、合計４バスとなる。各パスの間、
光源はオンでもオフでもよい。

各パスは第６図の１００％露光量６０５の約にの量を与
える。

こうして、２つの画素位置の任意の組合せに対してプリ
ントできる多数のパターンが存在する。

第９図（、）〜（ｉ）および下記のテーブルに示される
ように、光源の４個の論理パス（各画素毎に２つの論理
パス）を用い、各パスがそのピーク値において露光スレ
ッショルド量を与えるシステムにおいて、９個の別々の
パターンが生じる。

４個の論理パスは実際には１６個の別々の組合せが生じ
る。たとえば、下の表のパターン２におイテ、光源カハ
ス３．パス４のいずれでオンテアろうとほぼ同じパター
ンが生じ、光源をオンにするパス４だけが詳細に示され
ている。好適実施例において、第９図（ａ）〜（１）に
示されていない７個の組合せが、隣接形状その他の７ア
クタに依存する例において実際に用いられる。

図示された例において、画素１はパス１によって露光さ
れ、画素２はパス３および４によって露光される。再言
すると、パス１．２．３および４は連続してでも同時に
でも生じうることは明かで応し、第９（ｃ）図はパター
ン番号３に対応する。以下同様である。

第９図（、）〜（ｉ）において、線９０１　（ａ）〜９
０１　（＋）は、基板９０２（ａ）〜９０２（りを露光
する露光スレッショルドレベル適用量に対応する。曲線
９０４（ｂ）〜９０４（ｉ）によって表わされるガウス
分布および画素の特定の数は変化してもよいことは当業
者には明らかである。基板の任意の特定領域における累
積的な放射エネルギ適用量は露光を決定する。

第９図（＆）において、画素１９画素２０両方とも光源
の各パスにおいて露光されない。その結果、基板にプリ
ントされていないパターンが生じる。

第９図（ｂ）において、曲線９０４（ｂ）は光源の１パ
スの間露光されている画素２を示す。結果として、基板
９０２（ｂ）上の領域９０３（ｂ）が露光される。本例
では露光領域９０３（ｂ）を本質的に基板９０２（ｂ　
）上のドツトであるとして示しているけれども、実際に
、図示されていない隣接画素による露光が組合せられた
ときには、別のパターンが現像される。

第９図（ｃ）において、曲線９０４（ｅ）は光源のパス
３゜４の両方の間露光されている画素２を示す。画素１
は露光されないま＼で、基板９０２（ｃ）上に露光領域
９０３（ｅ）　　が生じる。第１．第２パスからの光の
組合せ適用量によって光の累積的効果がフォトレジスト
基板９０２（ｅ）上に生じ、露光領域９０３（ｃ）が生
じる。露光領域９０３（ｃ）　　は露光スレッショルド
の５０％で曲線９０４（ｅ）　　の下にある領域にほぼ
対応する。

第９図（ｄ）において、画素１は曲線９０４（ｄ）　　
によって示された光源の１パスの間に露光される。その
結果、領域９０３（ｄ）が基板９０２（ｄ）上で露光さ
れることになる。第９図（ｄ）で、画素２は露光されな
いま−である。

第９図（ｆ）において、曲線９０４（ｓ）　　によって
示されるように、曲線９０４（ｆ）　　は光源の１バス
の間に露光される画素１および光源の２パスの間に露光
される画素２を示す。これによって、基板９０２（ｆ）
上に露光領域９０３（ｆ）が生じる。

第９図（ｇ）において、曲線９０４（ｇ）は、基板９０
２（ｇ）上に露光領域９０３（ｇ）　　を生じさせる。

光源の２パスの間の画素１の露光を示す。第９図（Ｘ）
）において、画素２は露光されないま＼である。第９図
葎）は本質的に第９図（ｃ）の鏡像である。

第９図（ｈ）において、曲線９０４（ｈ）　は光源の２
パスの間に露光される画素１および光源の１バスの間に
露光される画素２（基板９０２（ｈ）上に露出領域（ｈ
）を生じさせる）を示す。第９図（ｈ）は本質的に第９
図（ｆ）の鏡像である。

最後に、第９図０）は、画素１が光源の２パスの間に露
光され、画素２が光源の２パスの間に露光される曲線９
０４（ｉ）を示す。基板９０２（１）上で領域９０３（
ｉ）　　が露光されることになる。

第９図（ａ）〜（１）によって示された画素の露光の糧
々の組合せを用いると、複数の物体形状を境界を１画素
の中央または外端において描くことができることは明ら
かであろう。また、当業者にとって、上記２画素例は任
意の数の画素を用い、隣接画素からの累積的な光適用量
によって多数の個別パターンを生じさせることが可能な
システムに拡張できることは明らかであろう。

また、上記例は光の適用量がパスによって異なるシステ
ムにも拡張できることも明らかであろう。

九とえば、第１０図において、第１バスは曲線１００２
によって示されるように基板１００１の１領域を領域１
００３を露光する１００チの相対量でできる。第２バス
は基板１００１の１領域を５０％の相対量で露光し、曲
線１００２および曲線１００４の累積酌量効果によって
領域１００５を露光する。第３パスは曲線１００４と２
５チの相対量を有する曲線１００６の累積効果によって
領域１００７を露光できる。結果として、重ね合せ（オ
ーバレイ〕形状を変化する強度で複数論理パス露光する
ことによってますます良好なアドレス解像度が生じる。

間隙グリッド、反エイリアシング技術を用いて良好な境
界解像度を生じさせる方法を＠１１図（ａ）〜（ｃ）、
第１２図（ａ）　〜（ｅ）および第１３図（＆）　〜（
ｄ）を参照して更に説明する。

Ｗ、１１図（ａ）　〜（Ｃ）にはグリッド１１０１（１
ｋ）、１１０１（ｂ）および１１０１（ｃ）に書込みを
行なう従来の方法が示されている。第１１図（ａ）〜（
ｃ）においては、画素は約０．５μ間隔にオフセットし
ている。第１１　図（ａ）において画素列１１０２は１
００チ相対適用量の光源によって完全に露光される。画
素列１１０３（ａ）は露光されないま＼である。これに
よって、画素列１１０２と画素列ｊ１０３（ａ）の中間
に有効な形状縁１１０４が生じる。第１１図（ｂ）にお
いて、画素列１１０３（ｂ）を露光し、画素列１１０５
（ｂ）を露光されないま＼にすることによって、有効形
状縁は約０．５μ移動する。第１１図＜ｃ）において、
画素列６）を露光し、画素列１１０７を露光されないま
＼にすることによって有効縁１１０８は再び約０．５μ
移動する。

第１２図（、）〜（Ｃ）を参照して反アイリアス法を用
いる効果を説明する。再言すると、グリッド１２０１（
ａ）　、　１２０１（ｂ）および１２０１（ｃ）は約０
．５μ間隔に配置された画素を有する。

第１２図（＆）において、画素１２０２（ａ）は１００
％の相対適用量の光源に完全に露光される。画素列１２
０３（ａ）は露光されないま＼で、列１２０２（ａ）と
列１２（）３（ａ）のほぼ中間に有効形状縁１２０４が
生じる。

これは第１１図（ａ）の縁に対応する。第１２図（ｂ）
において画素列１２０２（ｂ）は１００％相対適用量の
光源に露光され、画素列１２０３（ｂ）はほぼ５０％の
相対適用量の光源に露光される。これによって、第１０
図に関連して説明したよう（、画素列１２０３（ｂ）の
ほぼ中心に有効形状縁、ライン１２０５が生じる。

第１２図（ｃ）において、画素列１２０３（ｅ）は】０
０チの相対光源適用量に露光され、画素列１２０７は露
光されないま＼で、画素列１２０３（ｅ）と１２０７の
ほぼ中間に有効形状縁が生じる。こうして、反エイリア
シング法によって０．５μ間隔上の画素を用いて有効な
０．２５μ書込みグリッドを生じさせることができる。

他の画素密度では対応する有効書込みが生じることは当
業者には明らかであろう。

第１３図（ａ）〜（ｄ）には、反アイリアシング法と間
隙グリッドを組合せてよシ改良されたアドレス解像度を
生じさせることが示されている。グリッド１３０１　（
ａ）〜１３０１（ｄ）は約０．５μ間隔で円で表わされ
た第１組の画素および約０．５μ間隔で六角形で表わさ
れた第２組の画素を有する。第２組の画素は第】組の各
画素間でずれ（ｏｆｆｓｅｔ）　、かつ中間に位置する
。

第１３図（ＩＬ）において、画素列１３０２（ａ）は１
００チ相対適用量の光源に露光され、画素列１３０３（
ａ）は露光されないま＼である。これによって、画素列
１３０２（ＩＬ）と画素列１３０３（ＩＬ）のほぼ中間
に有効形状縁１３０４が生じ、これはほぼ第９図（ｇ）
に対応する。

第１３図（ｂ）は、画素列１３０２（ｂ）が１００％の
光源相対適用量に露光され、画素列１３０３（ｂ）は５
０％適用量の光源に露光され、これによって有効形状縁
１３０５が生じることを示している。これはほぼ第９図
（ｈ）に対応する。第１３図（Ｃ）は画素列１３０３（
ｅ）が１００％相対適用量の光源に露光され、画素列１
３０６（ｃ）が露光されないで有効形状縁１３０７が生
じることを示す。これはほぼ第９図（Ｃ）に対応する。

第１３図（ｄ）は、画素列１３０３（ａ）が１００％適
用量の光源に露光され、画素１３０６（ｄ　）は５０チ
適用Ｉの光源に露光され、有効形状縁１３０８が生じる
ことを示す。これはほぼ第９図（ｆ）に対応する。反エ
イリアシング法と間隙グリッドの組合せによって、約０
．５μ間隔で配置された第１組の画素および第１組の画
素の中間にあって約５μ間隔で配置された第２組の画素
を有するシステムにおいて０．１２５μ有効書込みグリ
ッドを生じさせることができる。

これによって、約０．５μ間隔の画素に書込みを行なっ
て光源の複数ＭＢ！パスを用いて有効な０．１２５μ書
込みグリッドを生じさせることのできる低アドレス解像
度プリンティングシステムが提供できる。

以上で、低アドレス解像度システムを用いて高アドレス
解像度データベースから高アドレス解像度プリントパタ
ーンを形成する方法および装置を説明した。

【図面の簡単な説明】

第１（＆）図は、画素列をずらすことによって画素のア
ドレス解像度を増大する公知の方法を示す図、第１伽）
図も画素をずらして改良されたアドレス解像度文字を生
成する公知の方法を示す図、第１（Ｃ）図は低アドレス
解像度入力から改良されたアドレス解像度データを表示
する公知の方法を示す図、第２図は本発明によって用い
ることのできる公知のラスタライザを示すブロック図、
第３図は本発明の方法を示すデータフロー図、第４（ａ
）図および第４０）図は本発明による物体形状の形成を
示す図、第５図は本発明のラスタライザへの入力データ
を示す図、第６図はホトレジスト材料の特性を示す図、
第７（ａ）図〜第７（ｃ）図は放射エネルギへのホトレ
ジストの露光の効果を表わす図、第８図は本発明の画素
形成を示す画素マツプ図、第９（ａ）図〜第９（１）図
は放射エネルギ源へのホトレジストの露光の効果を示す
図、第１０図は放射エネルギ源へのホトレジストの露光
の効果をさらに示す図、第１１（ＩＬ）図〜第１１（（
り図、第１２（ａ）図〜第１２（ｃ）図およびｉｇ　１
３　（ａ）図〜第１３（ｄ）図は、本発明の反エイリア
シング（ａｌｌａａｌｎｇ）　を間げきグリッドプリン
ティング法を示す図である。 ３０１　・・・・高アドレス解像度データベース、３０
２・・・・形状分解プロセス、３０３・・・・低アドレ
ス解像度データベース、３０４・・・・ラスタプロセス
、３０５・・・・ビットマツプされた低アドレス解像度
データベース、３０６・・・・オーハレイフリンテイン
グプロセス

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）高アドレス解像度データベースに基づいた複数個
   の低アドレス解像度データベースにして、前記高アドレ
   ス解像度に対応する複数個のオーバレイパターンを含む
   ものを発生する工程と；前記低アドレス解像度データベ
   ースから複数個の低アドレス解像度パターンを形成する
   工程と；上にかぶさつた前記各低アドレス解像度パター
   ンをお互いの上にプリントする工程とから構成されるこ
   とを特徴とする高アドレス解像度データベースから高ア
   ドレス解像度プリントパターンを形成する方法。
2. （２）データ表現物体からラスタ化パターンを形成し、
   プリントされるべき形状を表わす高アドレス解像度デー
   タベースと低アドレス解像度プリンテイングシステムを
   含む装置において； 前記低アドレス解像度プリンテイングシステムと両立で
   きるフォーマットを有する複数個の低アドレス解像度デ
   ータベースにして前記形状に対応する複数個のオーバレ
   イパターンを含むものを形成する工程と；放射エネルギ
   システムへ入力するための複数のビットマップされた低
   アドレス解像度データベースを形成する工程を含み；前
   記放射エネルギーシステムは前記複数ビットマップされ
   た低アドレス解像度データベースを受け、これに応答し
   て基板上に複数のオーバレイパターンを形成することを
   特徴としたラスタ化パターンの形成方法。
3. （３）高アドレス解像度のデータベースと低アドレス解
   像度のプリンテイングシステムを使用して、幾何学的物
   体を表現するラスタ化されたパターンを発生するための
   方法であつて；第１の光適用量において副射エネルギー
   を生ずる光源に、その光源の第１論理パス中、第１組の
   画素位置において基板を露光させる工程と；第２の光適
   用量において副射エネルギーを生ずる光源に、その光源
   の第２論理パス中、前記第１組の画素位置において前記
   基板を露光させる工程、よりなることを特徴とするラス
   タ化されたパターンを発生させる方法。