DE4124025C2 - Lithographisches Verfahren zur Positionierung von Mikrostrukturen - Google Patents
Lithographisches Verfahren zur Positionierung von MikrostrukturenInfo
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
- G03F7/704—Scanned exposure beam, e.g. raster-, rotary- and vector scanning
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein lithographisches Verfahren zur Positionierung
von Mikrostrukturen gemäß den im Oberbegriff des Patentanspruchs 1 angegebenen
Merkmalen.
Ein derartiges Verfahren ist aus der Zeitschrift "Solid State Technology, December
1985, Pages 81-85" bekannt. Nach diesem vorbekannten Verfahren werden ohne
Masken durch das sogenannte direkte Schreiben mit Laserstrahlen Bereiche belichtet
oder nicht belichtet, um vorgegebene Strukturen zu erhalten. Mittels eines
fokussierten Strahls werden entsprechend einer Punktmatrix vorgebbare Bereiche
für die zu erzeugende Struktur belichtet. Die Lage der Struktur hängt vor allem von
der Lichtenergie des Lasers sowie der Empfindlichkeit des zum Einsatz gelangenden
Fotolacks ab. Maßgeblich für die Lage einer solchen Struktur, welche sich als
dreidimensionales Gebilde entlang der Oberfläche und in der Tiefe des Substrates
erstreckt, ist eine mittlere Strukturkante. Eine Strukturkantenpositionierung kann
bei vorgegebener Belichtungsenergie und unter Beibehaltung der Entwicklungsbedingungen
des Fotolacks entsprechend dem durch die Punktmatrix vorgegebenen
Raster mit entsprechender Auflösung erfolgen. Durch Reduzierung der
Punktgröße oder durch Variation der Strahlungsenergie des jeweils zu beleuchtenden
Punktes kann zwar die Auflösung erhöht werden, doch wird hierdurch ein
erheblicher zusätzlicher Aufwand erforderlich.
Des weiteren besteht bei derartigen lithographischen Verfahren grundsätzlich die
Möglichkeit, die Punktmatrix auf mehrere Ebenen zu erweitern. Für den jeweiligen
Punkt steht dann nicht mehr nur eine einfache Information als "Laser-an" oder
"Laser-aus" zur Verfügung, sondern eine Anzahl von Lichtintensitäten. Auch hierfür
ist ein erheblicher Aufwand für Hardware, Software und für die Bearbeitung der
Datenmengen erforderlich.
So sind beispielsweise in der Zeitschrift "J. Vac. Sci. Technol. B7 (2), Mar/Apr
1989" die Zusammenhänge der Lichtabsorption in der zu belichtenden Schicht unter
Berücksichtigung der Wellenlänge des jeweils zum Einsatz gelangenden Lasers
dargelegt. Die bei kürzeren Wellenlängen auftretenden Absorptionsprobleme werden
erläutert, wobei die Dicke und Materialeigenschaften des Fotolacks ebenso wie
die zweckmäßigerweise vorzugebende Belichtungsdosis diskutiert werden. Des weiteren
werden in der Zeitschrift "J. Vac. Sci. Technol. B7 (4) Jul/Aug 1989" Zusammenhänge
im Hinblick auf die Intensitätsverteilung und die Möglichkeit in mehreren
Fokalebenen zu belichten dargelegt.
Ferner ist in der Zeitschrift "Solid State Technology/November 1989" ein holographisches
Verfahren beschrieben. Dieses Verfahren wird in zwei Schritten durchgeführt,
wobei im ersten Schritt eine holographische Aufzeichnung auf der Fotomaske
erfolgt und dann in einem zweiten Schritt die Rekonstruktion der Maskenabbildung
in der Ebene des Wafers durchgeführt wird. Mit diesem Verfahren sind zwar vergleichsweise
kleine Strukturen reproduzierbar, doch ist zur Durchführung dieses
Verfahrens ein nicht unerheblicher apparativer Aufwand erforderlich.
Schließlich ist aus der GB 2 215 553 A ein lithographisches Verfahren bekannt, bei
welchem die Belichtung mittels des fokussierten Strahls in einer Punktmatrix erfolgt.
Hierbei werden in zwei Verfahrensschritten zwei örtlich versetzte Sätze von
belichteten Punkten oder Pixel-Positionen vorgegeben. In jedem dieser beiden Sätze
erfolgt die Belichtung mit einem vorgegebenen Anteil, vorzugsweise die Hälfte, der
zur Durchbelichtung des Fotolacks erforderlichen Dosis. Die Daten zur Positionierung
der Punktmatrix in den beiden örtlich zueinander versetzten Positionen erfordern
ebenso wie die exakte Vorgabe der Belichtungsdosis die Verarbeitung einer
wesentlich erhöhten Datenmenge mit entsprechend hohen Anforderungen an den
Rechner.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, das Verfahren der eingangs genannten
Art dahingehend weiterzubilden, daß eine Positionierung von Strukturkanten
unterhalb der Punktgröße mit reduziertem Aufwand erreicht wird, wobei ein
geringer Zeitaufwand bei der Belichtung erforderlich sein soll und die Strukturkanten
zumindest näherungsweise keine Rauhigkeit aufweisen sollen.
Bei dem gattungsgemäßen Verfahren erfolgt die Lösung dieser Aufgabe gemäß den
kennzeichnenden Merkmalen des Patentanspruchs 1.
Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht mit minimalem
Aufwand die Positionierung von Strukturkanten oder Herstel
lung Strukturdimensionen in einem feineren Raster als der
Punktgröße. Das Verfahren erfordert weder eine Reduzierung
der Punktgröße noch eine Veränderung der Intensität der
Strahlungsenergie des jeweils zu belichtenden Punktes und
ermöglicht gleichwohl die Positionierung von Strukturen
und/oder Strukturkanten unterhalb der Punktgröße bzw. des
durch den Abstand der Punkte vorgegebenen Rasters der Punkte
matrix. Es werden erfindungsgemäß für den Strukturrand nicht
sämtlich mögliche Punkte belichtet, sondern ein vorgegebener
Anteil. Es wird somit eine Randmodulation durchgeführt, bei welcher
die Anzahl der gesetzten Punkte in definierter Weise reduziert
ist.
So wird beispielsweise zur Erzeugung einer geraden Struk
turkante von den äußersten zu besetzenden Punkte nur ein
vorgegebener Anteil tatsächlich belichtet, wodurch eine
entsprechende Änderung der Intensität und somit eine Ver
schiebung der Strukturkante erreicht wird. Maßgebende Voraus
setzung hierbei ist die Nutzung und Erkenntnis der Tatsache,
daß der Fokusdurchmesser wenigstens um den Faktor 3 größer als die Punktgröße
ist.
Die Periode der Randmodulation liegt insbesondere noch innerhalb
der Größenordnung des Fokusdurchmessers, so daß in besonders
zweckmäßiger Weise trotz Verschiebung der Strukturkante
kleiner als der Rasterabstand der einzelnen Punkte eine
Rauhigkeit der Strukturkante praktisch nicht festzustellen
ist. Das Verfahren ist in gleicher Weise zur Erzeugung von
gradlinigen oder krummlinigen Strukturkanten einsetzbar wie
auch zur Veränderung von Strukturdimensionen in einem fei
neren Raster als die jeweilige Punktgröße.
Anhand der beiden nachfolgenden Beispiele wird die Erfindung
näher erläutert:
In den beiden Beispielen ist eine Punktmatrix definiert,
welche in den beiden orthogonalen Richtungen jeweils zwanzig
durch die Ziffer 1 repräsentierte Punkte aufweist. Jede
Ziffer soll hierbei einem Punkt von 0,25 µm×0,25 µm ent
sprechen. Es sind in der X-Richtung sowie in der Y-Richtung
jeweils zwanzig Punkte vorhanden, wobei lediglich aus Gründen
der Vereinfachung beim Schreiben in den Spalten und Zeilen
verschiedene Abstände angegeben sind.
Es ist also gemäß dem linken Beispiel 1 eine quadratische
Punktmatrix mit Außenabmessungen 5 µm×5 µm definiert.
Entsprechend kann eine quadratische Struktur mit geraden
Strukturkanten erzeugt werden.
Gemäß dem Beispiel 2 wurde die im Prinzip gleiche Struktur im
unteren Bereich mit einer Randmodulation versehen. Wie ersicht
lich, wurden am unteren Rand nicht sämtliche Punkte gesetzt,
sondern zwischen den gesetzten Punkten jeweils vier perio
disch freigelassen. Es wurden somit lediglich 20% der
möglichen Punkte gesetzt, wodurch die mittlere Intensität in
diesem Bereich auf 20% reduziert werden konnte. Im Vergleich
mit dem Beispiel 1 wird hierdurch eine Verschiebung der
Strukturkante um vier Fünftel der Punktgröße nach oben
erreicht.
Bei den vorstehenden Beispielen 1 und 2 betrug der Fokus
durchmesser etwa 1 µm. Die Periode der im Beispiel 2 vorge
gebenen Randmodulation beträgt 1,25 µm und liegt somit in der
Größenordnung des Fokusdurchmessers von 1 µm. Hieraus ergibt
sich, daß im Hinblick auf eine minimale und/oder zu ver
nachlässigende Kantenrauhigkeit die Periode der Randmodulation
nicht exakt durch den Fokusdurchmesser begrenzt ist, sondern
auch um einen vorgegebenen Wert größer als der Fokusdurchmes
ser sein kann. Je nach dem, welche Rauhigkeit unter den
praktischen Gegebenheiten zulässig erscheint, wird die
maximale Periode der Randmodulation unter Berücksichtigung des
Fokusdurchmessers vorgegeben. Die gemäß dem Beispiel 2 um
vier Fünftel der Punktgröße nach oben verschobene Struk
turkante zeigte keine erkennbare Kantenrauhigkeit. Aufgrund
der Randmodulation wird in defi
nierter Weise eine Verschiebung der Strukturkante erreicht,
und zwar in einem feineren Raster als mit der Punktgröße
vorgegeben. Aus dem Beispiel 2 ist ferner die erfindungsge
mäße Möglichkeit entnehmbar, Strukturdimensionen in einem
feineren Raster als die Punktgröße herzustellen.
Im Rahmen der Erfindung liegen auch solche Ausführungsformen,
bei welchen nicht nur die äußerste Reihe der Punktmatrix in
der Belegung verändert wird, sondern auch weiter zum Inneren
der Struktur hin liegende Reihen. Somit ist eine noch feinere
Abstufung der Belichtungsenergie möglich.
In einer Meßreihe wurde eine Anzahl von Teststrukturen im
Fotolack erzeugt. Hierbei wurde ein Rand der Struktur mit 0
von 5 bis hin zu 5 von 5 Punkten moduliert. Eine solche
Struktur wurde mehrmals mit geänderter Laserleistung belich
tet, wobei ein Bereich von "gerade anbelichtet" bis "total
überbelichtet" überstrichen wurde. Die derart entstandenen
Strukturen wiesen keine Rauhigkeit am Rand auf und die
Position der modulierten Strukturkante war in dem gewünschten
Bereich unterhalb der Punktgröße entsprechend der gewählten
Modulation verschoben. In einem zweiten Schritt wurde dann
die unter dem Fotolack vorhandene Chromschicht geätzt und
nach Beseitigung des Lackes vermessen. Auch hierbei konnte
die gewünschte Positionierung der Strukturkante nachgewiesen
werden, wobei keine Kantenrauhigkeit erkennbar war.
Als besonders vorteilhaftes Ergebnis dieser Meßreihe mit
einer Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen
Verfahrens wurde ferner festgestellt, daß die relative
Verschiebung der Strukturkante praktisch unabhängig von der
Belichtungsenergie ist.
Claims (3)
1. Lithographisches Verfahren zur Positionierung von Mikrostrukturen auf
belackten Substraten, wobei mittels eines fokussierten Strahls, insbesondere eines
Laserstrahls, gemäß einer Punktmatrix vorgegebene Bereiche zur Erzeugung von
Strukturen mit wenigstens einem Strukturrand belichtbar sind,
dadurch gekennzeichnet,
daß für den Strukturrand eine Randmodulation derart durchgeführt wird,
daß am Strukturrand von den dort möglichen Punkten bedarfsweise nur ein vorgebbarer Anteil belichtet wird und dort belichtete und unbelichtete Punkte in definierter Folge abwechseln und
daß der Fokusdurchmesser wenigstens um den Faktor 3 größer ist als die Größe eines Punktes der Punktmatrix.
daß für den Strukturrand eine Randmodulation derart durchgeführt wird,
daß am Strukturrand von den dort möglichen Punkten bedarfsweise nur ein vorgebbarer Anteil belichtet wird und dort belichtete und unbelichtete Punkte in definierter Folge abwechseln und
daß der Fokusdurchmesser wenigstens um den Faktor 3 größer ist als die Größe eines Punktes der Punktmatrix.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß am Strukturrand
belichtete und unbelichtete Punkte periodisch vorgegeben werden.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die maximale
Periode unter Berücksichtigung des Fokusdurchmessers vorgegeben wird, wobei
die maximale Periode in der Größenordnung des Fokusdurchmessers liegt und
insbesondere maximal um den Faktor 1,5 größer als der Fokusdurchmesser ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4124025A DE4124025C2 (de) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | Lithographisches Verfahren zur Positionierung von Mikrostrukturen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4124025A DE4124025C2 (de) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | Lithographisches Verfahren zur Positionierung von Mikrostrukturen |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4124025A1 DE4124025A1 (de) | 1993-01-21 |
DE4124025C2 true DE4124025C2 (de) | 1994-03-10 |
Family
ID=6436585
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4124025A Expired - Lifetime DE4124025C2 (de) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | Lithographisches Verfahren zur Positionierung von Mikrostrukturen |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE4124025C2 (de) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4408507A1 (de) * | 1994-03-14 | 1995-09-28 | Heidelberg Instruments Mikrotechnik Gmbh | Lithografisches Verfahren |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4879605A (en) * | 1988-02-29 | 1989-11-07 | Ateq Corporation | Rasterization system utilizing an overlay of bit-mapped low address resolution databases |
-
1991
- 1991-07-19 DE DE4124025A patent/DE4124025C2/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE4124025A1 (de) | 1993-01-21 |
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