DE2528666C2 - Verfahren zur Herstellung einer Maske für Röntgenstrahl-Lithographie - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer Maske für Röntgenstrahl-LithographieInfo
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 title description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 15
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 8
- 206010073306 Exposure to radiation Diseases 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 4
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000000256 polyoxyethylene sorbitan monolaurate Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Description
dadurch gekennzeichnet, daß
1. auf den Schichtträger vor dem Aufbringen der Fotolackschicht eine erste, darauf haftende dünne
Metallschicht aufgebracht wird, wobei Schichtträger und Metallschicht für Röntgenstrahlen
transparent sind, uud
2. jeweils am Ende jedes Entwicklungsschrittes in den freigelegten Oberflächenbereichen durch
die Plattierung ein Röntgenstrahlen absorbierendes Material aufgebracht wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die hinsichtlich Elektronenstrahlung
empfindliche Schicht etwa 200 nm bis 1 μπι dick ist.
3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die strahlungsempfindliche
Schicht aus Poly-Methylmethacrylat besteht.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die strahlungsempfindliche
Schicht in einer Dicke aufgebracht wird, die größer oder gleich ist der minimalen
Linienbreite der herzustellenden Maskenstruktur.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer unterschiedliche Dicken aufweisenden Maske entsprechend
dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1. Dabei ist von dem älteren Vorschlag gemäß DF.-PS
20 589 ausgegangen.
Im gleichen Zusammenhang ist aus der DE-OS 19 527 ein Verfahren zum Ätzen eines Films an verschiedenen
Stellen mit verschiedener Tiefe bekannt, wobei der Film mit einer strahlungsempfindlichcn
Schicht überzogen und diese an den zu ätzenden Stellen bestrahlt wird. Dabei erfolgt die Bestrahlung mit Elektronenstrahlen,
die örtlich unterschiedliche Bestrahlungsdichten aufweisen. Der am tiefsten zu ätzende Bereich
wird als erster mit der höchsten Bestrahlungsdichte bestrahlt. Die Bestrahlung erfolgt in den übrigen Bereichen
mit demgegenüber verringerter Bestrahlungsdichte entsprechend der abnehmenden Dicke der durchzuführenden
Ätzung. In mehreren Entwicklungsvorgängen wird zunächst die Fotolackschicht im Bereich der
stärksten Bestrahlung vollständig entferni und die darunterliegende
Schicht erstmals geätzt. Im nächsten Entwicklungsschritt
werden die Bereiche mit der zweithöchsten Bestrahlungsdichte nunmehr vollständig entfernt
und die hierbei freigelegten Bereiche geätzt Diese Entwicklungs- und anschließende Ätzschritte werden
entsprechend der durchzuätzenden Schichtabstufung bzw. Bestrahlungsabstufung durchgeführt
Röntgenstrahlen sind mittlerweile für lithographische Herstellungsverfahren attraktiv geworden, weil sie die
Ausbildung planarer Goldmuster auf dünnen Siliziumsubstraten erlauben, welche Muster ihrerseits ohne nennenswerte
Absorption oder Streuung bzw. Beugung tief in ein Fotolackmaterial projiziert werden können. Nach
dem Entwickeln schält man auf diese Weise Strukturen mit einem hohen Auflösungs- bzw. Wirkungsgrad. Solche
vorteilhaften Anwendungen von Röntgenstrahl-Lithographieverfahren
sind im einzelnen angesprochen in dem Aufsatz »X-Ray Lithography: Complementary Technique to Electron Beam Lithography«, von
H. I. Smith u. a., Twelfth Symposium on Electron, lon,
Laser Beam Technology, MIT, Cambridge, Mass., Mai 21 -23,1973 sowie in der US-PS 37 43 842.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zur Herstellung einer für Röntgenstrahl-Lithographie verwendbaren
Maske anzugeben, das die Erzielung einer weiter verbesserten Auflösung gestattet. Insbesondere sollen
damit Strukturen mit minimaler Linienbreite herstellbar sein, die den mittels Ätzen hergestellten Masken überlegen
sind. Gelöst wird diese Aufgabe durch die im Patentanspruch 1 angegebenen Maßnahmen. Vorteilhafte
Ausgestallungen und Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.
Die Erfindung wird im folgenden anhand eines Ausführungsbeispiels und der Zuhilfenahme der Zeichnungen
näher erläutert.
In den F i g. 1 bis 7 sind die zur Ausführung der Erfindung
aufeinanderfolgenden Verfahrensschritte illustriert. Wie in F i g. 1 dargestellt ist, beginnt man mit
einem Substrat 2 aus irgendeinem Material, auf das eine Metallschicht 4 von ungefähr 20 bis 30 nm Dicke aufgebracht
wird. Die Metallschicht 4 kann aus Gold, Kupfer, Permalloy oder einem anderen Metall bestehen, mit
dem ein anderes Metall durch Elektroplattierung oder stromloses Abscheiden dauerhaft verbunden werden
kann. Eine solche dünne Schicht 4 ist ebenso wie das Substrat 2 bezüglich Röntgenstrahlung sehr transparent.
Der nächste Herstellungsschritt ist in F i g. 2 gezeigt, wo ein (Elektronen-) strahlungsempfindlicher Resist-
Überzug 6, im folgenden auch Fotolackschicht 6 genannt, über die Metallschicht 4 aufgebracht wird. Diese
Fotolackschicht wird mit einer Dicke aufgebracht, die größer ist als die beabsichtigte minimale Linienbreite
der nachfolgend fertiggestellten Maske. Bei Einsatz einer Röntgenstrahlung mit Wellenlängen zwischen 0,2
bis 1 nm ist eine Fotolackschichtdicke von etwa 200 nm bis zu einem Mikrometer angemessen. Ein geeignetes
Material füi' derartige strahlungscmpfindliche Über/.ü-
ge ist Poly-Methylmethacrylat oder PMMA, wobei dies
ein Fotolack ist, der empfindlich gegenüber einer Elektroneneinstrahlung ist, so daß nach dem Belichten mit
einer solchen Strahlung das PMMA mil einem entsprechenden Lösungsmittel entwickelt werden kann.
Im dritten Verfahrensschritt wird die strahlungsempfindliche Schicht selektiv verschiedenen BclichtULgsmengen A, B bzw. C ausgesetzt, vgl. F i g. 3. Dabei ist
angenommen, daß die Bestrahlungsmenge (bzw. -dichte) A größer ist als B und letztere wiederum größer ist
als C. Derartig unterschiedliche Bestrahlungsdichten können rechnergesteuert festgelegt werden und bilden
in ihr^n Details nicht Gegenstand der vorliegenden Erfindung. Beispielsweise wird über eine rechnergesteuerte Anweisung die Bewegung eines Schreibstrahles so
festgelegt, daß die Verweilzeit des Strahles auf einem selektiven Flächenbereich genau definiert ist Dabei resultiert eine längere Verweilzeit des Schreibstrahles auf
der strahlungsempfindlichen Schicht 6 in einer höheren
Bestrahlungsdichte dieses Bereiches.
Nach einer solchen unterschiedlichen Bestrahlung entsprechend Fig.3 wird die Fotolackschicht 6 soweit
entwickelt, bis das am stärksten bestrahlte Gebiet (Strahlbereich A) im Bereich 8 geöffnet ist, wogegen im
Bereich der Strahlung B und C noch Resist-Malerial verbleibt, vgl. Fig.4. Als nächstes wird entsprechend
F i g. 5 Gold oder ein anderes Röntgenstrahlen absorbierendes Material 10 in einer vorbestimmten Höhe innerhalb der öffnung 8 auf die dort freigelegte Metallschicht 4 niedergeschlagen. Danach wird der Entwicklungsvorgang des übrigen Fotolacks fortgesetzt, bis das
Gebiet im Strahlbereich B vollständig zur öffnung 12
durchentwickelt ist, wobei jedoch die Fotolackschicht 6 im Bereich des Strahles C noch vorhanden ist. Wiederum wird dann eine vorbestimmte Metallmenge in die
nunmehr beiden öffnungen niedergeschlagen, so daß die Metallschicht 10 durch die weitere Schicht 14 aufgestockt wird, die ihrerseits auch in der Öffnung 12 der
Fotolackschicht 6 entsprechend F i g. 4 vorliegt. Die abschließende Entwicklung legt dann den Strahlbereich C
frei.
Erneut wird eine vorbestimmte Menge Gold als Schicht 16 aufgebracht. Folglich werden drei unterschiedlich
dicke Schichten aus Gold oder einem anderen Material erhalten, die dauerhaft mit der Metallschicht 4
verbunden sind. Die fertiggestellte Maske, von der nunmehr die gesamte Fotolackschicht 6 entfernt ist, weist
über ihre Länge Bereiche unterschiedlicher Dicke auf, wobei auch mehr als drei unterschiedliche Dickenwerte
vorgesehen werden können. Das hängt jeweils von der Dicke der anfänglichen strahlungsempfindlichen
Schicht 6, deren Empfindlichkeit hinsichtlich der möglichen Abstufungen bei der Bestrahlung sowie der Möglichkeit
ab, solche abgestuften Bestrahlungen einzustellen.
Das oben beschriebene Verfahren zur Herstellung
einer Maske für Röntgenstrahlen (F i g. 7) ist besonders wirkungsvoll, weil es möglich ist, diese Maske in einem
einzigen Bestrahlungsvorgang in einer evakuierten Kammer auszubilden. Wollte man eine solche Maske
mit unterschiedlichen Dicken einer Goldschicht in Stufenweisem Aufbau herstellen, wurden die damit verbundenen
lustageprobleme erhebliche Schwierigkeiten bereiten. Die Ausrichtung der Maskenöffnungen für die
getrennten Beslrahlungsvorgänge würde eine höhere Genauigkeit erfordern, als das eigentlich bezüglich der
endgültigen Maske erfüllt sein müßte. Schließlich ist festzustellen, daß verschiedene Dicken der Metallschichten gewählt werden können, und zwar in Abhängigkeit von den Röntgenstrahlungen absorbierenden
Materialien sowie der maximal r.ulässigen Abschwächung solcher Röntgenstrahlen durch das Substrat 2
und die damit verbundene Schicht 4 derart, daß die vollständige Röntgenstrahl-Maske als differentieller Röntgenstrahl-Absorber wirken kann.
Claims (1)
1. Verfahren zur Herstellung einer unterschiedliche Dicken aufweisenden Maske für mit Röntgenstrahlen
durchzuführende lithographische Verfahren, bei dem
a) auf einen Schichträger eine gleichmäßige dicke strahlungsempfindliche Fotolackschicht aufgebracht
und in dem gewünschten Muster einem einzigen Bestrahlungsvorgang mit örtlich unterschiedlichen
Bestrahlungsmengcn ausgesetzt wird,
b) die derart unterschiedlich bestrahlten Bereiche einem ersten Entwicklungsprozeß unterworfen
werden, so daß die am stärksten bestrahlten Bereiche der Fotolackschicht in voller Tiefe und
die übrigen Bestrahlungsbereiche entsprechend ihrer geringeren Bestrahlungsmenge lediglich
teilweise entfernt werden,
c) dann die vollständig freigelegten Oberflächenbereiche plattiert werden,
d) schließlich in entsprechend den Bestrahlungsabstufungen weiteren Entwicklungsprozessen
weitere Bereiche der Fotolackschicht entfernt und
e) die freigelegten Oberflächenbereiche jeweils plattiert werden,
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US48985374A | 1974-07-19 | 1974-07-19 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2528666A1 DE2528666A1 (de) | 1976-01-29 |
DE2528666C2 true DE2528666C2 (de) | 1984-11-22 |
Family
ID=23945535
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19752528666 Expired DE2528666C2 (de) | 1974-07-19 | 1975-06-27 | Verfahren zur Herstellung einer Maske für Röntgenstrahl-Lithographie |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5117672A (de) |
DE (1) | DE2528666C2 (de) |
FR (1) | FR2279135A1 (de) |
GB (1) | GB1507752A (de) |
IT (1) | IT1039152B (de) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4142107A (en) * | 1977-06-30 | 1979-02-27 | International Business Machines Corporation | Resist development control system |
US4328298A (en) * | 1979-06-27 | 1982-05-04 | The Perkin-Elmer Corporation | Process for manufacturing lithography masks |
JPS5695770U (de) * | 1979-12-20 | 1981-07-29 | ||
DE3529966C1 (de) * | 1985-08-22 | 1987-01-15 | Kernforschungsz Karlsruhe | Verfahren zur Herstellung von Masken fuer die Roentgentiefenlithographie |
KR920010065B1 (ko) * | 1989-04-20 | 1992-11-13 | 삼성전자 주식회사 | X선 마스크 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE568197A (de) * | 1957-06-12 | |||
US3649393A (en) * | 1970-06-12 | 1972-03-14 | Ibm | Variable depth etching of film layers using variable exposures of photoresists |
US3743842A (en) * | 1972-01-14 | 1973-07-03 | Massachusetts Inst Technology | Soft x-ray lithographic apparatus and process |
-
1975
- 1975-06-03 FR FR7518148A patent/FR2279135A1/fr active Granted
- 1975-06-20 IT IT2458175A patent/IT1039152B/it active
- 1975-06-23 JP JP7574475A patent/JPS5117672A/ja active Granted
- 1975-06-27 DE DE19752528666 patent/DE2528666C2/de not_active Expired
- 1975-07-01 GB GB2776375A patent/GB1507752A/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2528666A1 (de) | 1976-01-29 |
JPS5312793B2 (de) | 1978-05-04 |
FR2279135A1 (fr) | 1976-02-13 |
GB1507752A (en) | 1978-04-19 |
IT1039152B (it) | 1979-12-10 |
JPS5117672A (ja) | 1976-02-12 |
FR2279135B1 (de) | 1977-07-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OD | Request for examination | ||
8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: GAUGEL, H., DIPL.-ING., PAT.-ASS., 7030 BOEBLINGEN |
|
8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: GAUGEL, H., DIPL.-ING. MOENIG, A., DIPL.-ING., PAT |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |