JP2004302043A - 露光装置及び露光方法 - Google Patents

露光装置及び露光方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2004302043A
JP2004302043A JP2003093984A JP2003093984A JP2004302043A JP 2004302043 A JP2004302043 A JP 2004302043A JP 2003093984 A JP2003093984 A JP 2003093984A JP 2003093984 A JP2003093984 A JP 2003093984A JP 2004302043 A JP2004302043 A JP 2004302043A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
projection optical
exposure apparatus
unit
optical system
exposure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2003093984A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2004302043A5 (ja
JP4496711B2 (ja
Inventor
Shuji Takenaka
修二 竹中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP2003093984A priority Critical patent/JP4496711B2/ja
Publication of JP2004302043A publication Critical patent/JP2004302043A/ja
Publication of JP2004302043A5 publication Critical patent/JP2004302043A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4496711B2 publication Critical patent/JP4496711B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

【課題】大面積の感光性基板に対して転写パターンの露光を良好に行うことができる露光装置及び該露光装置を用いた露光方法を提供することである。
【解決手段】複数の投影光学ユニット2を備えて構成される露光装置において、前記投影光学ユニット2は、転写パターンが形成されたマスクと、前記マスクに形成された前記転写パターンの像を感光性基板P上に投影する投影光学系と、前記投影光学系による前記転写パターンの像のフォーカス位置を他の投影光学系とは独立に設定するフォーカス位置設定手段とをそれぞれ備える。
【選択図】 図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体素子、液晶表示素子、その他のマイクロデバイスの製造工程において用いられる露光装置及び該露光装置を用いた露光方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
マイクロデバイスの一つである液晶表示素子は、通常、ガラス基板(プレート)上に透明薄膜電極をフォトリソグラフィの手法で所望の形状にパターニングして、TFT(Thin Film Transistor)等のスイッチング素子及び電極配線を形成して製造される。このフォトリソグラフィの手法を用いた製造工程では、マスク上に形成された原画となるパターンを、投影光学系を介してフォトレジスト等の感光剤が塗布されたプレート上に投影露光する投影露光装置が用いられている。
【0003】
従来は、マスクとプレートとの相対的な位置合わせを行った後で、マスクに形成されたパターンをプレート上に設定された1つのショット領域に一括して転写し、転写後にプレートをステップ移動させて他のショット領域の露光を行う、ステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(所謂、ステッパー)が多用されていた。
【0004】
近年、液晶表示素子の大面積化が要求されており、これに伴ってフォトリソグラフィ工程において用いられる投影露光装置は露光領域の拡大が望まれている。投影露光装置の露光領域を拡大するためには投影光学系を大型化する必要があるが、残存収差が極力低減された大型の投影光学系を設計及び製造するにはコスト高となってしまう。そこで、投影光学系の大型化を極力避けるために、投影光学系の物体面側(マスク側)における投影光学系の有効径と同程度に長手方向の長さが設定されたスリット状の照明光をマスクに照射し、マスクを介したスリット状の光が投影光学系を介してプレートに照射されている状態で、マスクとプレートとを投影光学系に対して相対的に移動させて走査し、マスクに形成されたパターンの一部を順次プレートに設定された1つのショットに転写し、転写後にプレートをステップ移動させて他のショット領域に対する露光を同様にして行う、所謂ステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置が案出されている。
【0005】
また、近年では、更なる露光領域の拡大を図るため、1つの大型の投影光学系を用いるのではなく、小型の部分投影光学系を走査方向に直交する方向(非走査方向)に所定間隔をもって複数配列した第1の配列と、この部分投影光学系の配列の間に部分光学系が配置されている第2の配列とを走査方向に配置した、所謂マルチレンズ方式の投影光学系を備える投影露光装置が案出されている(例えば特許文献1参照)。
【0006】
【特許文献1】
特開平7−57986号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、露光領域の拡大につれ、マスク及びプレートの大面積化も近年顕著になっている。しかしながら、マスク及びプレートの巨大化はそれだけで莫大なコストアップに直結し、更に大面積化によって引き起こされる、投影レンズの焦点深度を超えたプレートのたわみ、うねりなどが現在深刻な問題となっている。
【0008】
この発明の課題は、大面積のプレートに対して転写パターンの露光を良好に行うことができる露光装置及び該露光装置を用いた露光方法を提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の露光装置は、複数の投影光学ユニットを備えて構成される露光装置において、前記投影光学ユニットは転写パターンが形成されたマスクと、前記マスクに形成された前記転写パターンの像を感光性基板上に投影する投影光学系と、前記投影光学系による前記転写パターンの像のフォーカス位置を他の投影光学系とは独立に設定するフォーカス位置設定手段とをそれぞれ備えることを特徴とする。
【0010】
この請求項1に記載の露光装置によれば、投影光学系による転写パターンの像のフォーカス位置を他の投影光学系とは独立に設定するため、各投影光学ユニットの投影光学系の結像位置を感光性基板の表面に合致させることができる。従って、感光性基板のたわみ、うねり等に影響されることのない最適な露光を容易に行なうことができる。また、複数の投影光学ユニットを備えて構成されるため、マスクの大きさが各投影光学ユニットの露光領域分だけで充分となり、更にこの露光領域を小さく設定することができる。従って、マスク面のたわみ、うねりといった問題も解消することができる。
【0011】
また、請求項2に記載の露光装置は、前記感光性基板上の複数個所の面位置を検出する面位置検出手段を更に備え、前記投影光学ユニットの前記フォーカス位置設定手段は前記面位置検出手段により検出された前記感光性基板上の複数個所の面位置に基づいて、フォーカス位置を独立に設定することを特徴とする。
【0012】
また、請求項3に記載の露光装置は、前記面位置検出手段が前記投影光学ユニット毎に設けられた露光領域の面位置を検出する第1面位置検出手段を含んで構成されることを特徴とする。
【0013】
この請求項2及び請求項3に記載の露光装置によれば、感光性基板の面位置を検出する面位置検出手段を備え、その検出結果に基づいてフォーカス位置を独立に設定するため、各投影光学ユニットの投影光学系の結像位置を感光性基板の表面に正確に合致させることができる。
【0014】
また、請求項4に記載の露光装置は、前記フォーカス位置設定手段が前記投影光学ユニットを前記投影光学系の光軸に沿って移動させる投影光学ユニット駆動手段を備えることを特徴とする。
【0015】
この請求項4に記載の露光装置によれば、投影光学ユニット駆動手段により投影光学ユニットを移動させることによりフォーカス位置設定を行なうため、投影光学系の収差バランスを全く崩すことなく、各投影光学ユニットの投影光学系の結像位置を感光性基板の表面に合致させることができる。
【0016】
また、請求項5に記載の露光装置は、前記フォーカス位置設定手段が前記投影光学ユニットの前記マスクを前記投影光学系の光軸に沿って移動させるマスク駆動手段を備えることを特徴とする。
【0017】
この請求項5に記載の露光装置によれば、マスク駆動手段によりマスクを移動させることによりフォーカス位置設定を行なうため、駆動対象の質量を小さく抑えることができ、迅速に各投影光学ユニットの投影光学系の結像位置を感光性基板の表面に合致させることができる。
【0018】
また、請求項6に記載の露光装置は、前記フォーカス位置設定手段が前記投影光学ユニットの前記投影光学系を構成する光学部材の中の少なくとも1つを前記投影光学系の光軸に沿って移動させる光学部材駆動手段を備えることを特徴とする。
【0019】
この請求項6に記載の露光装置によれば、光学部材駆動手段により投影光学系を構成する光学部材の少なくとも1つを移動させることによりフォーカス位置設定を行なうため、駆動対象の質量を小さく抑えることができ、迅速に各投影光学ユニットの投影光学系の結像位置を感光性基板の表面に合致させることができる。
【0020】
また、請求項7に記載の露光装置は、前記マスクが可変パターン生成装置を備えることを特徴とする。この請求項7に記載の露光装置によれば、可変パターン生成装置によりマスクのパターンを電気的に制御することができ、抵コストで所望のパターンを容易に生成することができる。
【0021】
また、請求項8に記載の露光装置は、前記可変パターン生成装置が発光パターンを形成する自発光型画像表示素子を備えることを特徴とする。この請求項8に記載の露光装置によれば、可変パターン生成装置が自発光型画像表示素子を備えているため、照明光学系を設置する必要がなく、露光装置のコストダウン及びコンパクト化を可能とする。
【0022】
また、請求項9に記載の露光装置は、前記可変パターン生成装置が光源と該光源からの照明光の光路中に配置された非発光型画像表示素子とを備えることを特徴とする。この請求項9に記載の露光装置によれば、所望のパターンを容易に生成することができる。
【0023】
また、請求項10に記載の露光装置は、前記マスクと前記投影光学系とが光軸直交方向に相対移動を行わないことを特徴とする。
【0024】
また、請求項11に記載の露光装置は、前記投影光学ユニットと前記感光性基板とを相対的に走査方向に沿って移動させる走査手段を備えることを特徴とする。
【0025】
また、請求項12に記載の露光装置は、前記面位置検出手段が前記投影光学ユニット毎に設けられて、前記第1面位置検出手段による第1の検出点とは前記走査方向に沿って異なる第2の検出点での面位置を検出する第2面位置を備えることを特徴とする。
【0026】
この請求項12に記載の露光装置によれば、予め走査露光する位置の面位置を第2面位置検出手段により検出する。従って、感光性基板の走査を停止又は走査速度を低下させることなく第2面位置検出手段により検出された値に基づいて各投影光学ユニットの投影光学系の結像位置と感光性基板の面位置を合致させることができる。
【0027】
また、請求項13に記載の露光方法は、請求項1乃至請求項12の何れか一項に記載の露光装置を用いた露光方法において、前記投影光学ユニット毎にフォーカス位置を独立設定するフォーカス位置設定工程と、前記マスクのパターンを感光性基板上に転写する転写工程とを含むことを特徴とする。
【0028】
また、請求項14に記載の露光方法は、前記フォーカス位置設定工程が前記感光性基板上の複数個所の面位置を検出する面位置検出工程を含むことを特徴とする。
【0029】
この請求項13及び請求項14に記載の露光方法によれば、請求項1乃至請求項12の何れか一項に記載の露光装置を用いるため、感光性基板の面位置の検出が良好に行なわれ、各投影光学ユニットの投影光学系の結像位置と感光性基板の面位置との合致が正確に行なわれていることから、微細な露光パターンの露光を良好に行なうことができる。
【0030】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、この発明の実施の形態の説明を行う。図1は、この実施の形態にかかる露光装置の全体の概略構成を示す斜視図である。以下の説明においては、図1中に示したXYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。XYZ直交座標系は、X軸及びY軸がプレートPに対して平行となるよう設定され、Z軸がプレートPに対して直交する方向に設定されている。図中のXYZ座標系は、実際にはXY平面が水平面に平行な面に設定され、Z軸が鉛直上方向に設定される。また、この実施の形態ではプレートPを移動させる方向(走査方向)をX軸方向に設定している。
【0031】
この実施の形態においては、複数の投影光学ユニット2を備え、複数の投影光学ユニット2に対してプレートPを相対的に移動させつつ液晶表示素子のパターン等の転写パターンの像を感光性材料(レジスト)が塗布された感光性基板としてのプレートP上に転写するステップ・アンド・スキャン方式の露光装置を例に挙げて説明する。
【0032】
図2は、この実施の形態にかかる露光装置に備えられている投影光学ユニット2の概略構成を示す図である。図2に示すように、各投影光学ユニット2は、円筒形状を有する鏡筒4を有し、鏡筒4の上部に転写パターンを形成する可変パターン生成装置6を備えると共に、鏡筒4内に可変パターン生成装置6により形成された転写パターンをプレートステージ(図示せず)上に保持されたプレートP上に投影する投影光学系PLを備えている。ここで、この投影光学系PLは縮小倍率を有する。なお、投影光学系PLの倍率は等倍であってもよい。
【0033】
可変パターン生成装置6は、プレートP上に転写する転写パターンに基づいて発光パターンを形成する自発光型画像表示素子により構成されている。ここで自発光型画像表示素子としては、例えば、CRT(Cathode ray tube)、無機ELディスプレイ、有機ELディスプレイ(OLED : Organic Light Emitting Diode)、LEDディスプレイ、LDディスプレイ、電界放出ディスプレイ(FED : Field Emission Display)、プラズマディスプレイ(PDP : Plasma Display Panel)等が挙げられる。
【0034】
また、各投影光学ユニット2は、投射部AF1及び検出部AF2を有する斜入射オートフォーカス系を備えている。斜入射オートフォーカス系は、投射部AF1からの投射光がプレートPの表面で反射される際に、検出部AF2において受光される光の位置を検出することにより、投影光学系PLの像面(露光面)とプレートPの表面との合焦状態を光電的に検出する。更に、各投影光学ユニット2は、投影光学ユニット2を投影光学系PLの光軸方向(Z方向)に移動させるためのユニット駆動部8を備えている。
【0035】
図3は、各投影光学ユニット2の配置状態を説明するための図である。投影光学ユニット2は、第1列目(図3における最も手前の列)にY方向に等間隔で7個配置されており、第2列目〜第5列目にY方向に等間隔で各6個配置されており、第6列目にY方向に等間隔で7個配置されている。ここで各投影光学ユニット2は、露光エリア10がY方向に隣り合う他の何れかの投影光学ユニット2の露光エリア10と重なるように、即ちオーバラップ露光が行えるように配置されている。
【0036】
各投影光学ユニット2の可変パターン生成装置6において生成された転写パターンは、各投影光学ユニット2の投影光学系PLによりプレートP上に投影され転写パターンの像が形成される。
【0037】
また、この露光装置には、プレートステージを走査方向であるX軸方向に沿って移動させるための長いストロークを有する走査駆動系(図4に示すプレートステージ駆動部24及びプレートステージ制御部26)、プレートステージを走査直交方向であるY軸方向に沿って微小量だけ移動させると共にZ軸廻りに微小量だけ回転させるための一対のアライメント駆動系(図示せず)が設けられている。そして、プレートステージの位置座標が移動鏡12を用いたレーザ干渉計(図示せず)によって計測され、かつ位置制御されるように構成されている。
【0038】
図4は、この実施の形態にかかる露光装置のシステム構成を示すブロック図である。各投影光学ユニット2は、制御装置20に接続されている。また、制御装置20には、各投影光学ユニット2の可変パターン生成装置6において生成する転写パターンを記憶するマスクパターン記憶部22、プレートステージを走査方向に移動させるプレートステージ駆動部24を制御するプレートステージ制御部26が接続されている。
【0039】
制御装置20は、プレートステージの走査に同期して、各投影光学ユニット2の可変パターン生成装置6において生成する転写パターンを各投影光学ユニット2の可変パターン生成装置6に対して順次出力する。また、制御装置20は、各投影光学ユニット2の斜入射オートフォーカス系において検出されたプレートP表面の位置に基づいて、各投影光学ユニット2を光軸(Z方向)に沿って移動させるための制御信号を各投影光学ユニット2のユニット駆動部8に対して順次出力する。
【0040】
この露光装置においては、各投影光学ユニット2に対してプレートPを相対的に移動させつつ、プレートPの走査に同期して各投影光学ユニット2の可変パターン生成装置6において液晶表示素子のパターン等の転写パターンを順次生成し、各投影光学ユニット2は、生成された転写パターンの像を感光性材料(レジスト)が塗布された感光性基板としてのプレートP上に順次転写する。ここで、各投影光学ユニット2は、斜入射オートフォーカス系により検出されたプレートPの面の位置に基づいて、ユニット駆動部8により投影光学ユニット2の全体を光軸方向(Z方向)に移動させることにより、投影光学系PLの結像位置をプレートPの面の位置に合致させつつ転写パターンの像をプレートP上に転写する。即ち、図5に示すように、各投影光学ユニット2は、プレートPのたわみ、うねりに影響されることなく、投影光学系PLの結像位置をプレートPの表面の位置に合致させることができる。こうして、マスクパターン記憶部22に記憶されている転写パターンの全体がプレートP上の露光領域の全体に転写(走査露光)される。
【0041】
この実施の形態にかかる露光装置によれば、投影光学ユニット2の全体を光軸方向(Z方向)に移動させることにより、投影光学系PLの結像位置をプレートPの表面の位置に合致させつつ転写パターンの像をプレートP上に転写するため、投影光学系PLの収差バランスを全く崩すことなく、各投影光学系PLの結像位置をプレートPの表面の位置に合致させることができる。
【0042】
また、可変パターン生成装置6において転写パターンをプレートPの走査に同期して順次生成するため、大面積のマスクを用意する場合に比較してコストを大幅に削減することができる。
【0043】
また、スキャン方向に電気的にパターンを変化させていくことで、マルチレンズ方式においてマスクの大きさが各投影光学ユニット2の露光領域分だけで充分になり、さらにこの露光領域を小さく設定することで、マスクのコストダウンはもとより、マスク面のたわみ、うねりといった問題を解消することができる。さらに各々の投影光学ユニット単位で収差バランスを全く崩さないフォーカス位置の設定が可能であるので、大面積のプレートPが自重その他の影響によりたわみ、うねり等を生じている場合においても、たわみ、うねり等に影響されることのない最適な露光を容易に行うことが可能になる。
【0044】
なお、この実施の形態においては、斜入射オートフォーカス系を用いて露光領域におけるプレートPの表面の位置(第1の検出点)の検出を行なっている。しかしながら、図6に示すように、各投影光学ユニット2に露光領域におけるプレートPの表面の位置を検出する第1の斜入射オートフォーカス系を備えると共に、投射部AF11及び検出部AF12を有し、第1の斜入射オートフォーカス系とは走査方向に沿って異なる位置の第2の検出点の面位置を検出する第2の斜入射オートフォーカス系を備えるようにしてもよい。即ち、図6に示すように、プレートPをX軸方向に走査させる時に、投影光学ユニット2の露光領域のプレートPの露光面の位置を予め検出できるように第2の斜入射オートフォーカス系を第1の斜入射オートフォーカス系の−X方向に設置する。従って、プレートPの走査を停止、又はプレートPの走査速度を低下させることなく、第2の斜入射オートフォーカス系により予め検出された投影光学ユニット2の露光領域のプレートPの露光面の位置に基づいて、露光時に投影光学系PLの像面(露光面)とプレートPの表面とを合致させることができる。
【0045】
また、この実施の形態においては、各投影光学ユニット2の投影光学系PLの結像位置をプレートPの表面の位置に合致させるために各投影光学ユニット2をユニット駆動部8により投影光学系PLの光軸方向に移動させている。しかしながら、図7に示すように、可変パターン生成装置6に、例えばピエゾ素子等により構成されているマスク駆動部30を設置し、マスク駆動部30により可変パターン生成装置6を投影光学系PLの光軸方向に移動させることにより各投影光学ユニット2の投影光学系PLの結像位置をプレートPの表面の位置に合致させてもよい。この場合においては、駆動対象の質量を小さく抑えることができ、迅速に各投影光学ユニット2の投影光学系PLの結像位置をプレートPの表面に合致させることができる。また、各投影光学ユニット2の投影光学系PLの結像位置をプレートPの表面の位置に合致させるために、ユニット駆動部8により各投影光学ユニット2を投影光学系PLの光軸方向に移動させることにより結像位置の粗調整を行ない、マスク駆動部30により各可変パターン生成装置6を投影光学系PLの光軸方向に移動させることにより結像位置の微調整を行なってもよい。
【0046】
また、図8に示すように、各投影光学系PLを構成している光学部材の一部分を投影光学系PLの光軸方向に移動させるための光学部材駆動部32を設置し、各投影光学系PLを構成している光学部材の一部分、例えば、投影光学系PLの前群又は後群を投影光学系PLの光軸方向に移動させることにより各投影光学ユニット2の投影光学系PLの結像位置をプレートPの表面の位置に合致させてもよい。この場合においては、駆動対象の質量を小さく抑えることができ、迅速に各投影光学ユニット2の投影光学系PLの結像位置をプレートPの表面に合致させることができる。
【0047】
また、この実施の形態においては、各投影光学ユニット2がそれぞれ斜入射オートフォーカス系を備え、投影光学系PLの像面(露光面)とプレートPの表面との合焦状態を光電的に検出しているが、図9に示すように、プレートPの上部にプレートPのY方向の面位置を一度に検出できる面位置検出センサ34を設置し、プレートPをX軸方向に走査させることにより、プレートPの面位置全体を検出し、検出された面位置に基づいて、各投影光学ユニット2の投影光学系PLの結像面(露光面)とプレートPの表面とが合致するように、各投影光学ユニット2の投影光学系PLの結像位置を設定してもよい。
【0048】
また、プレートPの上部にプレートPのY方向の特定の検出点における面位置を検出できる面位置検出センサを設置し、プレートPをX軸方向に走査させることにより、プレートPのY方向の特定の検出点における面位置をX軸方向に検出し、検出された特定の検出点における面位置に基づいてプレートPの他の面位置を演算により補完し、検出点における面位置と演算により求められた面位置とに基づいて、各投影光学ユニット2の投影光学系PLの結像面(露光面)とプレートPの表面とが合致するように、各投影光学ユニット2の投影光学系PLの結像位置を設定してもよい。
【0049】
また、この実施の形態においては、可変パターン生成装置6が自発光型画像表示素子を備える場合について説明を行なったが、可変パターン生成装置6が光源と、この光源からの照明光の光路中に配置される非発光型画像表示素子を備えるようにしてもよい。ここで非発光型画像表示素子とは、空間光変調器(SLM : Spatial Light Modulator)とも呼ばれ、光の振幅、位相あるいは偏光の状態を空間的に変調する素子であり、透過型空間光変調器としては、透過型液晶表示素子(LCD : Liquid Crystal Display)、エレクトロクロミックディスプレイ(ECD)等が例として挙げられる。また、反射型空間光変調器としては、DMD(Deformable Micro−mirror Device、またはDigital Micro−mirror Device)、反射ミラーアレイ、反射型液晶表示素子、電気泳動ディスプレイ(EPD : ElectroPhoretic Display)、電子ペーパー(または電子インク)、光回折型ライトバルブ(Grating Light Valve)等が例として挙げられる。
【0050】
また、この実施の形態にかかる露光装置には複数の投影光学ユニット2を備えているが、各投影光学ユニット2の投影光学系PLの光学部材の製造誤差等に因り各投影光学ユニット2に結像性能の違いが生じる場合がある。従って、各投影光学ユニット2の結像性能を予め計測し、各投影光学ユニット2の結像性能の違いに応じて、各可変パターン生成装置6において生成される転写パターンの修正を行なうようにしてもよい。また、各投影光学ユニット2の結像性能を予め計測し、各投影光学ユニット2の結像性能の違いに応じて、各投影光学ユニット2の投影光学系PLの結像位置の調整を行なうようにしてもよい。
【0051】
また、この実施の形態において、可変パターン生成装置が備える自発光型画像表示素子として、複数の発光点を有する固体光源チップ、チップを複数個アレイ状に配列した固体光源チップアレイ、または複数の発光点を1枚の基板に作り込んだタイプのもの等を用い、該固体光源チップを電気的に制御してパターンを形成してもよい。なお、固体光源素子は、無機、有機を問わない。
【0052】
次に、この発明の実施の形態による露光装置をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法について説明する。図10は、マイクロデバイスとしての半導体デバイスの製造方法を説明するためのフローチャートである。まず、図10のステップS40において、1ロットのウエハ(プレート)上に金属膜が蒸着される。次のステップS42において、その1ロットのウエハ(プレート)上の金属膜上にフォトレジストが塗布される。その後、ステップS44において、この発明の実施の形態にかかる露光装置を用いて、各投影光学系の結像位置とウエハ(プレート)の面位置を合致させるために各投影光学ユニットを投影光学系の光軸方向に移動させつつ、可変パターン生成装置のパターン像をその投影光学系(投影光学ユニット)を介して、その1ロットのウエハ(プレート)上の各ショット領域に順次露光転写する。
【0053】
その後、ステップS46において、その1ロットのウエハ(プレート)上のフォトレジストの現像が行われた後、ステップS48において、その1ロットのウエハ(プレート)上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって、マスク上のパターンに対応する回路パターンが、各ウエハ(プレート)上の各ショット領域に形成される。その後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を行うことによって、半導体素子等のデバイスが製造される。上述の半導体デバイス製造方法によれば、プレートの面位置の検出が良好に行なわれ、各投影光学ユニットの投影光学系の結像位置とプレートの面位置との合致が正確に行なわれていることから、プレートのたわみ、うねり等に影響されることのない最適な露光を行なうことができ、極めて微細な回路パターンを有する半導体デバイスをスループット良く得ることができる。
【0054】
また、この発明の実施の形態にかかる露光装置では、プレート(ガラス基板)上に所定のパターン(回路パターン、電極パターン等)を形成することによって、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得ることもできる。図11は、この実施の形態の露光装置を用いてプレート上に所定のパターンを形成することによって、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を製造する方法を説明するためのフローチャートである。
【0055】
図11のパターン形成工程S50では、この実施の形態の露光装置を用いて各投影光学ユニットの投影光学系の結像位置とプレートの面位置を合致させるために各投影光学ユニットを投影光学系の光軸方向に移動させることにより位置調整を行ないつつ、可変パターン生成装置のパターンを感光性基板(レジストが塗布されたガラス基板等)に順次転写露光する、所謂光リソグラフィ工程が実行される。この光リソグラフィ工程によって、感光性基板上には多数の電極等を含む所定パターンが形成される。その後、露光された基板は、現像工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等の各工程を経ることによって、基板上に所定のパターンが形成され、次のカラーフィルタ形成工程S52へ移行する。
【0056】
次に、カラーフィルタ形成工程S52では、R(Red)、G(Green)、B(Blue)に対応した3つのドットの組がマトリックス状に多数配列されたり、又はR、G、Bの3本のストライプのフィルタの組を複数水平走査線方向に配列されたりしたカラーフィルタを形成する。そして、カラーフィルタ形成工程S52の後に、セル組み立て工程S54が実行される。セル組み立て工程S54では、パターン形成工程S50にて得られた所定パターンを有する基板、及びカラーフィルタ形成工程S52にて得られたカラーフィルタ等を用いて液晶パネル(液晶セル)を組み立てる。
【0057】
セル組み立て工程S54では、例えば、パターン形成工程S50にて得られた所定パターンを有する基板とカラーフィルタ形成工程S52にて得られたカラーフィルタとの間に液晶を注入して、液晶パネル(液晶セル)を製造する。その後、モジュール組立工程S56にて、組み立てられた液晶パネル(液晶セル)の表示動作を行わせる電気回路、バックライト等の各部品を取り付けて液晶表示素子として完成させる。上述の液晶表示素子の製造方法によれば、プレートの面位置の検出が良好に行なわれ、各投影光学ユニットの投影光学系の結像位置とプレートの面位置との合致が正確に行なわれていることから、プレートのたわみ、うねり等に影響されることのない最適な露光を行なうことができ、極めて微細な回路パターンを有する液晶表示素子をスループット良く得ることができる。
【0058】
【発明の効果】
この発明の露光装置によれば、投影光学系による転写パターンの像のフォーカス位置を他の投影光学系とは独立に設定するため、各投影光学ユニットの投影光学系の結像位置を感光性基板の表面に合致させることができる。従って、感光性基板のたわみ、うねり等に影響されることのない最適な露光を容易に行うことができる。また、複数の投影光学ユニットを備えて構成されるため、マスクの大きさが各投影光学ユニットの露光領域分だけで充分となり、更にこの露光領域を小さく設定することができる。従って、マスク面のたわみ、うねりといった問題も解消することができる。
【0059】
また、感光性基板の面位置を検出する面位置検出手段を備え、その検出結果に基づいてフォーカス位置を独立に設定するため、各投影光学ユニットの投影光学系の結像位置を感光性基板の表面に正確に合致させることができる。また、投影光学ユニット駆動手段により投影光学ユニットを移動させることによりフォーカス位置設定を行なう場合には、投影光学系の収差バランスを全く崩すことなく、各投影光学ユニットの投影光学系の結像位置を感光性基板の表面に合致させることができる。また、マスク駆動手段によりマスクを移動または光学部材駆動手段により投影光学系を構成する光学部材の少なくとも1つを移動させることによりフォーカス位置設定を行なう場合には、駆動対象の質量を小さく抑えることができ、迅速に各投影光学ユニットの投影光学系の結像位置を感光性基板の表面に合致させることができる。また、可変パターン生成装置によりマスクのパターンを電気的に制御することができ、抵コストで所望のパターンを容易に生成することができる。
【0060】
また、この発明の露光方法によれば、この発明の露光装置を用いるため、感光性基板の面位置の検出が良好に行なわれ、各投影光学ユニットの投影光学系の結像位置と感光性基板の面位置との合致が正確に行なわれていることから、感光性基板のたわみ、うねり等に影響されることのない最適な露光を行なうことができ、微細な露光パターンの露光を良好に行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態にかかる露光装置の全体の概略構成を示す斜視図である。
【図2】実施の形態にかかる露光装置の投影光学ユニットの構成を示す図である。
【図3】実施の形態にかかる露光装置の各投影光学ユニットの配列を示す斜視図である。
【図4】実施の形態にかかる露光装置のシステム構成を示すブロック図である。
【図5】実施の形態にかかる各投影光学ユニットの投影光学系の結像位置とプレートの表面の位置とを合致させた状態を示す図である。
【図6】実施の形態にかかる第2の斜入射オートフォーカス系を備える投影光学ユニットの構成を示す図である。
【図7】実施の形態にかかる露光装置の投影光学ユニットの他の構成を示す図である。
【図8】実施の形態にかかる露光装置の投影光学ユニットの他の構成を示す図である。
【図9】実施の形態にかかる露光装置の他の概略構成を示す斜視図である。
【図10】実施の形態にかかるマイクロデバイスとしての半導体デバイスを製造する方法のフローチャートである。
【図11】実施の形態にかかるマイクロデバイスとしての液晶表示素子を製造する方法のフローチャートである。
【符号の説明】
2…投影光学ユニット、4…鏡筒、6…可変パターン生成装置、8…ユニット駆動部、10…露光領域、12…移動鏡、20…制御装置、22…マスクパターン記憶部、24…プレートステージ駆動部、26…プレートステージ制御部、30…マスク駆動部、32…光学部材駆動部、34…面位置検出センサ、P…プレート、PL…投影光学系。

Claims (14)

  1. 複数の投影光学ユニットを備えて構成される露光装置において、
    前記投影光学ユニットは、
    転写パターンが形成されたマスクと、
    前記マスクに形成された前記転写パターンの像を感光性基板上に投影する投影光学系と、
    前記投影光学系による前記転写パターンの像のフォーカス位置を他の投影光学系とは独立に設定するフォーカス位置設定手段と
    をそれぞれ備えることを特徴とする露光装置。
  2. 前記感光性基板上の複数個所の面位置を検出する面位置検出手段を更に備え、
    前記投影光学ユニットの前記フォーカス位置設定手段は、前記面位置検出手段により検出された前記感光性基板上の複数個所の面位置に基づいて、フォーカス位置を独立に設定することを特徴とする請求項1記載の露光装置。
  3. 前記面位置検出手段は、前記投影光学ユニット毎に設けられた露光領域の面位置を検出する第1面位置検出手段を含んで構成されることを特徴とする請求項2記載の露光装置。
  4. 前記フォーカス位置設定手段は、前記投影光学ユニットを前記投影光学系の光軸に沿って移動させる投影光学ユニット駆動手段を備えることを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れか一項に記載の露光装置。
  5. 前記フォーカス位置設定手段は、前記投影光学ユニットの前記マスクを前記投影光学系の光軸に沿って移動させるマスク駆動手段を備えることを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れか一項に記載の露光装置。
  6. 前記フォーカス位置設定手段は、前記投影光学ユニットの前記投影光学系を構成する光学部材の中の少なくとも1つを前記投影光学系の光軸に沿って移動させる光学部材駆動手段を備えることを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れか一項に記載の露光装置。
  7. 前記マスクは、可変パターン生成装置を備えることを特徴とする請求項1乃至請求項6の何れか一項に記載の露光装置。
  8. 前記可変パターン生成装置は、発光パターンを形成する自発光型画像表示素子を備えることを特徴とする請求項7記載の露光装置。
  9. 前記可変パターン生成装置は、光源と、該光源からの照明光の光路中に配置された非発光型画像表示素子とを備えることを特徴とする請求項7記載の露光装置。
  10. 前記マスクと前記投影光学系とは、光軸直交方向に相対移動を行わないことを特徴とする請求項1乃至請求項9の何れか一項に記載の露光装置。
  11. 前記投影光学ユニットと前記感光性基板とを相対的に走査方向に沿って移動させる走査手段を備えることを特徴とする請求項1乃至請求項10の何れか一項に記載の露光装置。
  12. 前記面位置検出手段は、前記投影光学ユニット毎に設けられて、前記第1面位置検出手段による第1の検出点とは前記走査方向に沿って異なる第2の検出点での面位置を検出する第2面位置検出手段を備えることを特徴とする請求項3乃至請求項11の何れか一項に記載の露光装置。
  13. 請求項1乃至請求項12の何れか一項に記載の露光装置を用いた露光方法において、
    前記投影光学ユニット毎にフォーカス位置を独立設定するフォーカス位置設定工程と、
    前記マスクのパターンを感光性基板上に転写する転写工程と、
    を含むことを特徴とする露光方法。
  14. 前記フォーカス位置設定工程は、前記感光性基板上の複数個所の面位置を検出する面位置検出工程を含むことを特徴とする請求項13記載の露光方法。
JP2003093984A 2003-03-31 2003-03-31 露光装置及び露光方法 Expired - Fee Related JP4496711B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003093984A JP4496711B2 (ja) 2003-03-31 2003-03-31 露光装置及び露光方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003093984A JP4496711B2 (ja) 2003-03-31 2003-03-31 露光装置及び露光方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2004302043A true JP2004302043A (ja) 2004-10-28
JP2004302043A5 JP2004302043A5 (ja) 2008-03-21
JP4496711B2 JP4496711B2 (ja) 2010-07-07

Family

ID=33406653

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003093984A Expired - Fee Related JP4496711B2 (ja) 2003-03-31 2003-03-31 露光装置及び露光方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4496711B2 (ja)

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006191060A (ja) * 2004-12-28 2006-07-20 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
WO2006080285A1 (ja) * 2005-01-25 2006-08-03 Nikon Corporation 露光装置及び露光方法並びにマイクロデバイスの製造方法
WO2006104262A1 (en) * 2005-03-30 2006-10-05 Fujifilm Corporation Projection head focus position measurement method and exposure method
JP2008166650A (ja) * 2007-01-05 2008-07-17 Nikon Corp 走査型露光装置、デバイスの製造方法及びマスク
KR100852325B1 (ko) 2006-11-02 2008-08-14 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 패턴 묘화 장치
JP2013527593A (ja) * 2010-02-23 2013-06-27 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置
US20130271945A1 (en) 2004-02-06 2013-10-17 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US9341954B2 (en) 2007-10-24 2016-05-17 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9423698B2 (en) 2003-10-28 2016-08-23 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9678332B2 (en) 2007-11-06 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9678437B2 (en) 2003-04-09 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction
US9885872B2 (en) 2003-11-20 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light
US9891539B2 (en) 2005-05-12 2018-02-13 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
US10101666B2 (en) 2007-10-12 2018-10-16 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2019102957A1 (ja) * 2017-11-24 2019-05-31 株式会社ブイ・テクノロジー 光学装置の取付構造及び露光装置
WO2020004164A1 (ja) * 2018-06-25 2020-01-02 株式会社ブイ・テクノロジー 露光装置および高さ調整方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH086263A (ja) * 1994-06-20 1996-01-12 Nikon Corp 面位置検出装置
JPH08111375A (ja) * 1994-10-07 1996-04-30 Nikon Corp 走査型露光装置
JP2001166497A (ja) * 1999-10-01 2001-06-22 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP2001330963A (ja) * 2000-05-19 2001-11-30 Sharp Corp 露光装置及びそれを用いた製造方法並びに電子部品
JP2001337463A (ja) * 2000-05-26 2001-12-07 Nikon Corp 露光装置、露光装置の製造方法、およびマイクロデバイスの製造方法
WO2002097510A1 (en) * 2001-05-25 2002-12-05 Kodak Polychrome Graphics Co. Ltd. Compact imaging head and high speed multi-head laser imaging assembly and method
JP2003057837A (ja) * 2001-08-21 2003-02-28 Pentax Corp 多重露光描画装置および多重露光描画方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH086263A (ja) * 1994-06-20 1996-01-12 Nikon Corp 面位置検出装置
JPH08111375A (ja) * 1994-10-07 1996-04-30 Nikon Corp 走査型露光装置
JP2001166497A (ja) * 1999-10-01 2001-06-22 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP2001330963A (ja) * 2000-05-19 2001-11-30 Sharp Corp 露光装置及びそれを用いた製造方法並びに電子部品
JP2001337463A (ja) * 2000-05-26 2001-12-07 Nikon Corp 露光装置、露光装置の製造方法、およびマイクロデバイスの製造方法
WO2002097510A1 (en) * 2001-05-25 2002-12-05 Kodak Polychrome Graphics Co. Ltd. Compact imaging head and high speed multi-head laser imaging assembly and method
JP2005509893A (ja) * 2001-05-25 2005-04-14 コダック・ポリクローム・グラフィックス・エルエルシー 小型結像ヘッド、高速マルチヘッドレーザ結像アセンブリ、および高速マルチヘッドレーザ結像方法
JP2003057837A (ja) * 2001-08-21 2003-02-28 Pentax Corp 多重露光描画装置および多重露光描画方法

Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9885959B2 (en) 2003-04-09 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus having deflecting member, lens, polarization member to set polarization in circumference direction, and optical integrator
US9678437B2 (en) 2003-04-09 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction
US9423698B2 (en) 2003-10-28 2016-08-23 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9760014B2 (en) 2003-10-28 2017-09-12 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US10281632B2 (en) 2003-11-20 2019-05-07 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical member with optical rotatory power to rotate linear polarization direction
US9885872B2 (en) 2003-11-20 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light
US10234770B2 (en) 2004-02-06 2019-03-19 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US10007194B2 (en) 2004-02-06 2018-06-26 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US20130271945A1 (en) 2004-02-06 2013-10-17 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US10241417B2 (en) 2004-02-06 2019-03-26 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
JP2006191060A (ja) * 2004-12-28 2006-07-20 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
TWI402627B (zh) * 2005-01-25 2013-07-21 尼康股份有限公司 曝光裝置與曝光方法以及微元件的製造方法
WO2006080285A1 (ja) * 2005-01-25 2006-08-03 Nikon Corporation 露光装置及び露光方法並びにマイクロデバイスの製造方法
JP4858439B2 (ja) * 2005-01-25 2012-01-18 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法並びにマイクロデバイスの製造方法
US7864293B2 (en) 2005-01-25 2011-01-04 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and producing method of microdevice
WO2006104262A1 (en) * 2005-03-30 2006-10-05 Fujifilm Corporation Projection head focus position measurement method and exposure method
US9891539B2 (en) 2005-05-12 2018-02-13 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
KR100852325B1 (ko) 2006-11-02 2008-08-14 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 패턴 묘화 장치
JP2008166650A (ja) * 2007-01-05 2008-07-17 Nikon Corp 走査型露光装置、デバイスの製造方法及びマスク
US10101666B2 (en) 2007-10-12 2018-10-16 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9341954B2 (en) 2007-10-24 2016-05-17 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9857599B2 (en) 2007-10-24 2018-01-02 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9678332B2 (en) 2007-11-06 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2013527593A (ja) * 2010-02-23 2013-06-27 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置
WO2019102957A1 (ja) * 2017-11-24 2019-05-31 株式会社ブイ・テクノロジー 光学装置の取付構造及び露光装置
KR20200088270A (ko) * 2017-11-24 2020-07-22 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디 광학 장치의 부착 구조 및 노광 장치
KR102598555B1 (ko) 2017-11-24 2023-11-03 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디 광학 장치의 부착 구조 및 노광 장치
WO2020004164A1 (ja) * 2018-06-25 2020-01-02 株式会社ブイ・テクノロジー 露光装置および高さ調整方法
JP2020003533A (ja) * 2018-06-25 2020-01-09 株式会社ブイ・テクノロジー 露光装置および高さ調整方法
JP7017239B2 (ja) 2018-06-25 2022-02-08 株式会社ブイ・テクノロジー 露光装置および高さ調整方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP4496711B2 (ja) 2010-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7573052B2 (en) Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US9645502B2 (en) Lithographic apparatus, programmable patterning device and lithographic method
JP2004327660A (ja) 走査型投影露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP5630634B2 (ja) 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP4496711B2 (ja) 露光装置及び露光方法
TWI321270B (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101570544B1 (ko) 노광 방법, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
TWI471679B (zh) 可變狹縫裝置、照明裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
JP2008300821A (ja) 露光方法、および電子デバイス製造方法
KR20100030999A (ko) 마스크리스 노광 장치 및 이를 이용한 정렬 오차의 보상 방법
JP2008263194A (ja) 露光装置、露光方法、および電子デバイス製造方法
KR101678050B1 (ko) 오프 액시스 정렬을 이용한 마스크리스 노광 장치 및 방법
JP2004335949A (ja) 露光装置及び露光方法
JP2017134408A (ja) 空間光変調ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2004319899A (ja) 露光装置及び露光方法
JP2007108559A (ja) 走査型露光装置及びデバイスの製造方法
JP2007101592A (ja) 走査型露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
KR102439508B1 (ko) 투영 노광 장치
JP2004303951A (ja) 露光装置及び露光方法
JP2010161246A (ja) 伝送光学系、照明光学系、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法
JP2009170681A (ja) 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US7136146B2 (en) Exposure device and exposure method
KR20050086755A (ko) 노광 장치 및 노광 방법
JP2004303879A (ja) 露光装置、該露光装置における可変パターン生成装置の交換方法及び露光方法
JP5245456B2 (ja) 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060227

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080131

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20081107

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081118

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090114

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090811

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090908

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100323

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100405

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130423

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130423

Year of fee payment: 3

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130423

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130423

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130423

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140423

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees