JP5245456B2 - 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、マスクに設けられたパターンの像を感光基板に転写する露光装置、露光方法及びデバイス製造方法に関するものである。

従来、液晶表示デバイスや半導体デバイスなどの各種デバイスは、マスク等に設けられたパターンを感光基板に転写するフォトリソグラフィ工程を利用して製造されている。このフォトリソグラフィ工程で使用される露光装置では、マスク等に設けられたパターンを露光光により照明し、パターンの投影像を投影光学系を介して感光基板に転写している。近年、液晶表示デバイス等の大面積化に対応するために、マルチレンズ式の走査型露光装置が開発されている（例えば、特許文献１参照）。このマルチレンズ式の走査型露光装置においては、単レンズ式の露光装置に比較して大型のマスクが用いられている。
特開平７−５７９８６号公報

ところが、マスクを大型化した場合、マスクを保持するマスクステージやマスクホルダの製造（加工および組立等）が困難となり、その形状誤差（凹凸、歪み等）に起因するマスク歪が増大し、このマスク歪が増大した領域において感光基板に対するマスクの焦点合わせ誤差（フォーカス誤差）が拡大する。従って、マスクに設けられたパターンの像をそのパターン全域にわたって高精度に感光基板に転写することが困難になっている。

本発明の目的は、マスクに設けられたパターンの像をパターン全域にわたって高精度に感光基板に転写することができる露光装置、露光方法及びデバイス製造方法を提供することである。

本発明の露光装置は、第１方向に沿って配置された一対の保持部のうち少なくとも一方が上下動可能な保持部対を前記第１方向と交差する第２方向に複数有し、該保持部対を介して保持したマスクを前記第２方向へ移動させるマスクステージと、前記第１方向に配列されると共に前記第２方向に所定間隔で配置された複数の投影光学モジュールを有し、前記マスクステージが移動させる前記マスクに設けられたパターンの像を前記投影光学モジュールを介して投影する投影光学ユニットとを備え、複数の前記保持部対のうち隣り合う保持部対の前記第２方向における間隔は、前記所定間隔の整数分の一に等しいことを特徴とする。

また、本発明の露光方法は、マスクの第１方向における両端部を、該第１方向と交差する第２方向の複数の保持位置で前記第１方向に沿って保持する保持工程と、前記保持工程によって保持された前記マスクを前記第２方向へ移動させる走査工程と、前記保持位置ごとに前記両端部の少なくとも一方を上下動させて前記マスクの高さを調整する調整工程と、前記走査工程によって移動され、前記調整工程によって高さ調整された前記マスクに設けられたパターンの像を、前記第１方向に配列され且つ、前記第２方向に所定間隔で配置された複数の投影光学モジュールを有する投影光学ユニットを介して投影する投影工程とを含み、前記保持工程は、前記所定間隔の整数分の一に等しい間隔で設けられた前記複数の保持位置で前記マスクの前記第１方向における両端部を保持することを特徴とする。

また、本発明のデバイス製造方法は、本発明の露光装置を用いて、前記マスクに設けられたパターンの像を感光基板に転写する露光工程と、前記パターンの像が転写された前記感光基板を現像し、前記パターンの像に対応する形状の転写パターン層を前記感光基板上に生成する現像工程と、前記転写パターン層を介して前記感光基板を加工する加工工程とを含むことを特徴とする。
また、本発明のデバイス製造方法は、本発明の露光方法を用いて、前記マスクに設けられたパターンの像を感光基板に転写する露光工程と、前記パターンの像が転写された前記感光基板を現像し、前記パターンの像に対応する形状の転写パターン層を前記感光基板上に生成する現像工程と、前記転写パターン層を介して前記感光基板を加工する加工工程とを含むことを特徴とする。

本発明の露光装置、露光方法及びデバイス製造方法によれば、マスクに設けられたパターンの像をパターン全域にわたって高精度に感光基板に転写することができる。

以下、図面を参照して、本発明の実施形態に係る露光装置及び露光方法について説明する。図１は本発明の実施形態に係る露光装置の概略斜視図である。本実施形態に係る露光装置ＥＸは、露光光に対してマスクＭと感光基板Ｐとを同期移動して走査露光する走査型露光装置であり、以下の説明において、投影光学系ＰＬの光軸方向をＺ軸方向、Ｚ軸方向に垂直な方向でマスクＭ及び感光基板Ｐの同期移動方向（走査方向）をＸ軸方向、Ｚ軸方向及びＸ軸方向と直交する方向（非走査方向）をＹ軸方向とする。また、Ｘ軸まわり、Ｙ軸まわり、Ｚ軸まわりの各回転方向をθＸ方向、θＹ方向、θＺ方向とする。

図１において、露光装置ＥＸは、パターンが形成されたマスクＭを支持するマスクステージＭＳＴ（図２参照）と、ガラス基板に感光剤（フォトレジスト）を塗布した感光基板Ｐを基板ホルダ（図示せず）を介して保持する基板保持機構である基板ステージ（図示せず）と、マスクステージＭＳＴに支持されたマスクＭを露光光で照明する照明光学系ＩＬと、露光光で照明されたマスクＭのパターンの像を感光基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬとを備えている。マスクステージＭＳＴに支持されているマスクＭと、基板ステージＰＳＴに支持されている感光基板Ｐとは、投影光学系ＰＬを介して光学的に共役な位置関係に配置されている。

マスクＭを支持するマスクステージＭＳＴは、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に移動可能であって、一次元の走査露光を行うべくＹ軸方向に比してＸ軸方向に長いストロークを有している。マスクステージＭＳＴは、このマスクステージＭＳＴをＸ軸方向及びＹ軸方向に移動するマスクステージ駆動部（図示せず）に接続されている。マスクステージ駆動部は制御装置（図示せず）により制御される。

投影光学系ＰＬは、７つの投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇ（投影光学モジュールＰＬｂ、ＰＬｄは、図示せず）を有している。投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇは、Ｘ軸方向およびＹ軸方向にそれぞれ所定間隔をもって配置されている。より具体的には、４つの投影光学モジュールＰＬａ，ＰＬｃ，ＰＬｅ，ＰＬｇと、３つの投影光学モジュールＰＬｂ，ＰＬｄ，ＰＬｆとがそれぞれ非走査方向に第１の間隔で配列されており、投影光学モジュールＰＬａ，ＰＬｃ，ＰＬｅ，ＰＬｇの列（投影光学ユニットＰＬ１）と、投影光学モジュールＰＬｂ，ＰＬｄ，ＰＬｆの列（投影光学ユニットＰＬ２）とは、走査方向に第２の間隔で配置されている。これによって、投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇは、全体として非走査方向に沿って千鳥状に配置されている。

照明光学系ＩＬは、マスクM上の領域のうち、投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇにそれぞれ対応する７つの領域を照明領域として露光光で照明する。各照明領域においてマスクＭを透過した露光光は、投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇにそれぞれ入射する。投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇは、各々対応する照明領域に存在するマスクＭのパターンの像を感光基板Ｐ上に投影し、これによって、感光基板Ｐ上にマスクＭのパターンの像が転写される。

投影光学ユニットＰＬ１と投影光学ユニットＰＬ２との間には、マスクＭのパターン面及び感光基板Ｐの露光面のＺ方向における位置（高さ）を検出するオートフォーカス系（高さセンサ）ＡＦが設けられている。オートフォーカス系ＡＦは、投影光学ユニットＰＬ１，ＰＬ２の少なくとも一方の近傍の非走査方向に沿った複数の位置におけるマスクＭのパターン面の高さおよび感光基板Ｐの露光面の高さを検出する。具体的には、マスクＭに対しては、例えば非走査方向に沿った両端部近傍位置を含む２箇所以上の位置でパターン面の高さを検出する。オートフォーカス系ＡＦの検出結果は、前述の制御装置へ出力される。なお、オートフォーカス系ＡＦとしては、斜入射型面位置検出装置、鏡焦点検出装置または干渉計等の周知の面位置検出装置もしくは距離計測装置等を用いることができる。

感光基板Ｐを支持する基板ステージＰＳＴは、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に移動可能であって、一次元の走査露光を行うべくＸ軸方向にマスクステージＭＳＴのストロークに対応するストロークを有しており、この基板ステージＰＳＴをＸ軸方向及びＹ軸方向に移動する基板ステージ駆動部（図示せず）に接続されている。また、基板ステージＰＳＴは、基板ステージ駆動部によってＺ軸方向、及びθＸ、θＹ、θＺ方向にも移動可能とされている。これにより、基板ステージＰＳＴに保持される感光基板Ｐは、基板ステージ駆動部を駆動することで、高さおよび傾斜の少なくとも一方が調整可能とされている。基板ステージ駆動部は、前述の制御装置により駆動制御される。

図２は、マスクステージＭＳＴの構成を示す平面図である。マスクステージＭＳＴには、マスクＭの非走査方向（第１方向）の両端部をそれぞれ保持する一対の保持部１０Ｒ，１０Ｌ（保持部対１０）が、走査方向（第２方向）に等間隔で複数対設けられている。ここで保持部対１０の走査方向における間隔Ｍｐは、投影光学ユニットＰＬ１と投影光学ユニットＰＬ２との間隔と等しく設定されている。ここで、投影光学ユニットＰＬ１，ＰＬ２の間隔とは、投影光学ユニットＰＬ１，ＰＬ２のマスクＭ上における視野領域の間隔であって、より具体的には、投影光学モジュールＰＬａ、ＰＬｃ、ＰＬｅ、ＰＬｇの台形状の視野領域３０ａ、３０ｃ、３０ｅ、３０ｇと、投影光学モジュールＰＬｂ、ＰＬｄ、ＰＬｆの台形状の視野領域３０ｂ、３０ｄ、３０ｆとのそれぞれの中心の走査方向における距離Ｌｐに相当する。視野領域３０ａ，３０ｃ，３０ｅ，３０ｇの各中心位置は、走査方向の等しい位置に設けられ、視野領域３０ｂ，３０ｄ，３０ｆの各中心位置も同様に、走査方向の等しい位置に設けられている。なお、視野領域３０ａ〜３０ｇは、それぞれ投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇが備える図示しない視野絞りに基づいて規定される領域である。

図３は、保持部１０Ｒの構成を示す図である。保持部１０Ｒは、マスクＭの底面が載置される座部１０ａと、マスクステージＭＳＴ上に設けられて座部１０ａを上下方向（Ｚ軸方向）に移動させるアクチュエータ（上下駆動部）１０ｂとを備えている。また、保持部１０Ｌも保持部１０Ｒと同様に、座部１０ａおよびアクチュエータ１０ｂを備えている。各保持部対１０における保持部１０Ｒ，１０Ｌは、前述した制御装置によってそれぞれ独立してアクチュエータ１０ｂが駆動制御され、座部１０ａの上下方向の高さが個別に変更可能である。従って、各保持部１０Ｒ，１０Ｌをそれぞれ独立して駆動制御することにより、マスクＭの座部１０ａで保持した部分の高さを個別に調整することができ、例えばマスクステージＭＳＴの高さ方向の形状誤差（凹凸、歪み等）に起因するマスクＭの歪を補正することができる。なお、座部１０ａは、アクチュエータ１０ｂに対して傾斜自在に接続されている。

本実施形態に係る露光装置ＥＸを用いて、マスクＭのパターンを感光基板Ｐに転写する場合には、まず、マスクＭをマスクステージＭＳＴ上に搬送し、マスクＭの非走査方向の両端部を、走査方向の複数の位置で、保持部対１０により非走査方向に沿って保持する（保持工程）。また、感光基板Ｐを基板ステージＰＳＴ上に搬送して載置する（基板保持工程）。つづいて、マスクステージＭＳＴ及び基板ステージＰＳＴを走査方向に同期して移動させ（走査工程）、オートフォーカス系ＡＦによりマスクＭの高さを検出し（検出工程）、この検出結果に基づき、保持部対１０ごとに各保持部１０Ｒ，１０Ｌのアクチュエータ１０ｂを駆動して座部１０ａを上下動させて、各保持部１０Ｒ，１０ＬにおけるマスクＭの高さを調整する（調整工程）。そして、この調整結果としての保持部１０Ｒ，１０Ｌの上下動位置に対応して基板ステージ駆動部により基板ステージＰＳＴを駆動し、基板ステージＰＳＴが保持する感光基板Ｐの高さ及び傾斜の少なくとも一方を調整し（基板調整工程）、投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｆを介して、マスクＭのパターンの像を感光基板Ｐ上に投影する（投影工程）。これによって、マスクＭのパターンの像が感光基板Ｐに転写される。

なお、ここで説明した各工程は、前述の制御装置の制御のもとで行われる。また、検出工程、調整工程、基板調整工程および投影工程は、走査工程と連動して行われる。この場合、オートフォーカス系ＡＦは、マスクステージＭＳＴおよび基板ステージＰＳＴの走査方向前方におけるマスクＭおよび感光基板Ｐの高さを検出（先読み）する。そして、制御装置は、この検出結果に基づいて、投影光学ユニットＰＬ１，ＰＬ２の近傍に位置している保持部対１０を駆動制御してマスクＭの高さを調整するとともに、基板ステージ駆動部を駆動制御して感光基板Ｐの高さおよび傾斜を調整する。

これによって、制御装置は、投影光学ユニットＰＬ１，ＰＬ２の各露光領域内に位置する感光基板Ｐの露光面を、投影光学ユニットＰＬ１，ＰＬ２のマスクＭ上における視野領域内のパターン面に対応する像面に高精度に一致させることができる。そして、この像面に一致させた露光面に対してマスクＭのパターンの像を投影することで、マスクステージＭＳＴの形状誤差の影響を受けることなく、パターンの像を感光基板Ｐ上に高精度に転写することができる。さらに、制御装置は、マスクＭおよび感光基板Ｐを走査中に検出工程、調整工程および投影工程を逐次繰り返すことで、マスクＭに設けられたパターンの像をそのパターン全域にわたって高精度に感光基板Ｐに転写することができる。なお、投影光学ユニットＰＬ１，ＰＬ２の各露光領域とは、各投影光学モジュールに設けられた前述の視野絞りに基づいて規定される感光基板Ｐ側の視野領域である。

また、本実施形態に係る露光装置においては、保持部対１０の走査方向における間隔Ｍｐが投影光学ユニットＰＬ１，ＰＬ２の間隔、すなわちマスクＭ上の視野領域３０ａ、３０ｃ、３０ｅ、３０ｇと視野領域３０ｂ、３０ｄ、３０ｆとのそれぞれの中心の走査方向における距離Ｌｐに等しく設定されているため、隣り合う保持部対１０に挟まれた領域でマスクＭに走査方向の撓みが生じた場合においても、投影光学ユニットＰＬ１の視野領域３０ａ、３０ｃ、３０ｅ、３０ｇにおけるマスクＭのパターン面の高さおよび傾斜と、投影光学ユニットＰＬ２の視野領域３０ｂ、３０ｄ、３０ｆにおけるマスクＭのパターン面の高さおよび傾斜とを、マスクＭの走査方向の移動位置に依らずほぼ等しくすることができる。これは、マスクＭの走査方向の撓みが、各保持部対１０によって保持された位置を節として周期的に生じることによる。そして、このように各投影光学ユニットＰＬ１，ＰＬ２に対してほぼ等しいパターン面の傾斜の影響は、感光基板Ｐの傾斜を調整することで一括して高精度に補正することができる。このため、走査工程に対応して投影されるパターンの像をパターン全域にわたって高精度に感光基板Ｐに転写することができる。

なお、上述の実施形態においては、保持部対１０の走査方向における間隔Ｍｐを投影光学ユニットＰＬ１，ＰＬ２の間隔に相当する距離Ｌｐと等しく設定しているが、図４に示すように、間隔Ｍｐを距離Ｌｐの整数分の一と等しく設定してもよい。この場合にも上述と同様の効果を得ることができる。

また、上述の実施形態においては、マスクＭの高さを先読みし、走査工程および投影工程に連動させて検出工程および調整工程を行う、つまり走査露光中に保持部対１０の駆動制御を行うこととしたが、走査露光前に予め走査工程、検出工程および調整工程を行って各保持部対１０におけるマスクＭの高さを調整し、その後、走査露光を行うようにしてもよい。この場合、予め高さ調整したマスクＭの調整結果を記憶し、その後の走査露光における基板調整工程に用いてもよく、あるいは走査露光中にあらためて検出工程を行うようにしてもよい。

また、上述の実施形態においては、検出工程の検出結果に基づいて調整工程におけるマスクＭの高さ調整、すなわち各保持部１０Ｒ，１０Ｌの駆動制御を行うこととしたが、調整工程では、図示しない記憶部に記憶された制御情報に基づいてマスクＭの高さ調整を行うようにすることもできる。この制御情報とは、保持部対１０ごとの各保持部１０Ｒ，１０Ｌの上下動位置（駆動位置）に関する情報であって、例えば露光装置ＥＸとは別の外部装置を用いて予め取得されたデータ、もしくは露光装置ＥＸの利用者が適宜入力する入力データ等を用いることができる。この場合、前述の制御装置は、調整工程前に、かかる制御情報を記憶部に記憶させる記憶工程を介し、調整工程では、この記憶工程によって記憶された制御情報に基づいて各保持部１０Ｒ，１０Ｌを駆動制御する。

また、上述の実施形態においては、２つの投影光学ユニットＰＬ１，ＰＬ２を用いて、マスクＭのパターンの像を感光基板Ｐに投影しているが、図５に示すように投影光学ユニットＰＬ１（図５においては、投影光学ユニットＰＬ１に対応する視野領域３０ａ、３０ｃ、３０ｅ、３０ｇを示す。）のみを用いて、パターンの像を投影するようにしてもよい。あるいは、３つ以上の投影光学ユニットを用いてパターンの像を投影するようにしても構わない。

なお、各保持部対１０を構成する保持部１０Ｒ，１０Ｌの配置方向（例えば図５における直線Ｍｘの方向）は、非走査方向に平行である必要はなく、投影光学ユニットを構成する投影光学モジュールの配列方向（例えば図５に示す直線Ｌｘの方向）と平行であればよい。これによって、マスクＭの走査方向の撓みに起因するパターン面の傾斜を各投影光学モジュールに対してほぼ等しくすることができる。そして、このように各投影光学モジュールに対して等しいパターン面の傾斜の影響は、感光基板Ｐの傾斜を調整することで一括して高精度に補正することができる。なお、ここで求められる平行性とは、厳密に平行であるばかりでなく、略平行な場合を含むものである。

また、上述の実施形態において、図６（ａ）、（ｂ）に示すように、マスクステージＭＳＴの走査方向の前端部と後端部にマスクの下面を支持する支持部１２をそれぞれ設けるようにしてもよい。この場合には、支持部１２の高さは、マスクＭの非走査方向の撓みを考慮して、図６（ｂ）に示すように保持部１０の高さよりも僅かに低く形成されている。この支持部１２を設けることにより、マスクＭの走査方向の前端部および後端部における垂れ変形を防止することができ、全体としてマスクＭが鞍型に変形することを防止することができる。

また、上述の実施形態においては、図３に示すように構成された保持部１０Ｒ，１０Ｌを用いているが、図７〜図９に示すように構成される保持部を用いてもよい。これによって、マスクステージＭＳＴ上にマスクホルダを介してマスクＭを載置する場合にも、マスクステージＭＳＴおよびマスクホルダの形状誤差の影響を受けることなく、マスクＭのパターンの像の転写を行うことができる。

図７は、マスクホルダＭＨに設けられた保持部２０Ｒの構成を示す図である。この保持部２０Ｒにおいては、マスクホルダＭＨ内に設けられたアクチュエータ２０ｂにより、マスクＭの下面を保持する座部２０ａを上下動させることで、マスクＭの座部２０ａにより保持されている部分の高さを調整することができる。

図８は、マスクステージＭＳＴに設けられた保持部２１Ｒの構成を示す図である。この保持部２１Ｒにおいては、マスクステージＭＳＴに設けられたアクチュエータ２１ｂによりマスクホルダ支持部２１ａを上下動させることで、マスクホルダＭＨに設けられた支持凸部ＭＨａにより支持されている部分のマスクＭの高さを調整することができる。

図９は、マスクステージＭＳＴに設けられた保持部２２Ｒの構成を示す図である。この保持部２２Ｒにおいては、マスクステージＭＳＴに設けられたアクチュエータ２２ｂにより、マスクホルダＭＨに設けられた貫通穴を介して、マスクＭの下面を保持する座部２２ａを上下動させることで、マスクＭの座部２２ａにより保持されている部分の高さを調整することができる。

なお、上述した実施形態では、各保持部対１０における両方の保持部を共に上下動可能な構成としたが、例えばマスクステージＭＳＴおよびマスクホルダＨＭの形状誤差の程度に応じて、一方の保持部のみ上下動可能な構成とすることができる。ただし、両方の保持部を上下動可能な構成とすることで、形状誤差に応じた高さ調整ばかりでなく、投影光学ユニットＰＬ１，ＰＬ２に対するマスクＭの焦点合わせ機構として用いることもできる。

次に、本発明に係る露光装置を用いたデバイス製造方法について説明する。図１０は、半導体デバイスの製造工程を示すフローチャートである。この図に示すように、半導体デバイスの製造工程では、半導体デバイスの基板となるウエハに金属膜を蒸着し（ステップＳ４０）、この蒸着した金属膜上に感光性材料であるフォトレジストを塗布する（ステップＳ４２）。つづいて、本発明に係る露光装置を用いて、マスクに設けられたパターンの像をウエハ上の各ショット領域に転写し（ステップＳ４４：露光工程）、この転写が終了したウエハの現像、つまりパターンの像が転写されたフォトレジストの現像を行う（ステップＳ４６：現像工程）。その後、ステップＳ４６によってウエハ上に形成されたレジストパターンを加工用マスクとし、ウエハに対してエッチング等の加工を行う（ステップＳ４８：加工工程）。ここで、レジストパターンとは、本発明にかかる露光装置によって転写されたパターンの像に対応する形状の凹凸が形成されたフォトレジスト層（転写パターン層）であって、その凹部がフォトレジスト層を貫通しているものである。ステップＳ４８では、このレジストパターンを介してウエハ表面の加工を行う。ステップＳ４８で行われる加工には、例えばウエハ表面のエッチングまたは金属膜等の成膜の少なくとも一方が含まれる。なお、ステップＳ４４では、本発明にかかる露光装置は、フォトレジストが塗布されたウエハを感光基板としてパターンの像の転写を行う。

図１１は、液晶表示素子等の液晶デバイスの製造工程を示すフローチャートである。この図に示すように、液晶デバイスの製造工程では、パターン形成工程（ステップＳ５０）、カラーフィルタ形成工程（ステップＳ５２）、セル組立工程（ステップＳ５４）およびモジュール組立工程（ステップＳ５６）を順次行う。ステップＳ５０のパターン形成工程では、感光基板としてフォトレジストが塗布されたガラス基板上に、本発明にかかる露光装置を用いて回路パターンおよび電極パターン等の所定のパターンを形成する。このパターン形成工程には、本発明にかかる露光装置を用いてフォトレジスト層に、マスクに設けられたパターンの像を転写する露光工程と、パターンの像が転写された感光基板の現像、つまりガラス基板上のフォトレジスト層の現像を行い、パターンの像に対応する形状のフォトレジスト層を形成する現像工程と、この現像されたフォトレジスト層を介してガラス基板を加工する加工工程とが含まれている。ステップＳ５２のカラーフィルタ形成工程では、Ｒ（Ｒｅｄ）、Ｇ（Ｇｒｅｅｎ）、Ｂ（Ｂｌｕｅ）に対応する３つのドットの組をマトリクス状に多数配列するか、またはＲ、Ｇ、Ｂの３本のストライプのフィルタの組を水平走査方向に複数配列したカラーフィルタを形成する。ステップＳ５４のセル組立工程では、ステップＳ５０によって所定パターンが形成されたガラス基板と、ステップＳ５２０によって形成されたカラーフィルタとを用いて液晶パネル（液晶セル）を組み立てる。具体的には、例えばガラス基板とカラーフィルタとの間に液晶を注入することで液晶パネルを形成する。ステップＳ５６のモジュール組立工程では、ステップＳ５４によって組み立てられた液晶パネルに対し、この液晶パネルの表示動作を行わせる電気回路およびバックライト等の各種部品を取り付ける。

本発明の実施形態に係る露光装置の概略構成を示す斜視図である。 本発明の実施形態に係るマスクステージの構成を示す平面図である。 本発明の実施形態に係る保持部の構成を示す図である。 本発明の実施形態に係る他のマスクステージの構成を示す平面図である。 本発明の実施形態に係る他のマスクステージの構成を示す平面図である。 本発明の実施形態に係る他のマスクステージの構成を示す平面図である。 本発明の実施形態に係る他の保持部の構成を示す図である。 本発明の実施形態に係る他の保持部の構成を示す図である。 本発明の実施形態に係る他の保持部の構成を示す図である。 本発明に係るデバイス製造方法を示すフローチャートである。 本発明に係るデバイス製造方法を示すフローチャートである。

符号の説明

ＥＸ…露光装置、ＩＬ…照明装置、ＰＬ…投影光学系、ＰＬ１，ＰＬ２…投影光学ユニット、ＰＬａ〜ＰＬｇ…投影光学モジュール、Ｍ…マスク、Ｐ…感光基板、ＭＳＴ…マスクステージ、ＡＦ…オートフォーカス系、１０…保持部対、１０Ｒ，１０Ｌ…保持部、１０ａ…座部、１０ｂ…アクチュエータ、１２…支持部。

Claims (13)

1. 第１方向に沿って配置された一対の保持部のうち少なくとも一方が上下動可能な保持部対を前記第１方向と交差する第２方向に複数有し、該保持部対を介して保持したマスクを前記第２方向へ移動させるマスクステージと、
   前記第１方向に配列されると共に前記第２方向に所定間隔で配置された複数の投影光学モジュールを有し、前記マスクステージが移動させる前記マスクに設けられたパターンの像を前記投影光学モジュールを介して投影する投影光学ユニットと、
   を備え、
   複数の前記保持部対のうち隣り合う保持部対の前記第２方向における間隔は、前記所定間隔の整数分の一に等しいことを特徴とする露光装置。
2. 前記マスクステージは、前記マスクを保持するマスクホルダを介して該マスクを保持することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
3. 前記マスクステージによって保持された前記マスクの高さを検出する高さセンサと、
   前記高さセンサの検出結果に基づいて前記保持部を上下動させる上下駆動部と、
   を備えたことを特徴とする請求項１または２に記載の露光装置。
4. 前記高さセンサは、前記投影光学ユニット近傍の前記第１方向に沿った複数の位置における前記マスクの高さを検出することを特徴とする請求項３に記載の露光装置。
5. 前記保持部の上下動位置に関する制御情報を記憶した記憶部と、
   前記制御情報に基づいて前記保持部を上下動させる上下駆動部と、
   を備えたことを特徴とする請求項１または２に記載の露光装置。
6. 感光基板を保持する基板保持機構と、
   前記上下駆動部による前記保持部の上下動位置に対応して前記基板保持機構を駆動し、前記感光基板の高さおよび傾斜の少なくとも一方を調整する基板調整機構と、
   を備え、
   前記投影光学ユニットは、前記基板調整機構が調整した前記感光基板に前記パターンの像を投影することを特徴とする請求項３〜５のいずれか一項に記載の露光装置。
7. 前記マスクステージは、前記マスクの前記第２方向における前部および後部を支持する支持部を有することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の露光装置。
8. 請求項１〜７のいずれか一項に記載の露光装置を用いて、前記マスクに設けられたパターンの像を感光基板に転写する露光工程と、
   前記パターンの像が転写された前記感光基板を現像し、前記パターンの像に対応する形状の転写パターン層を前記感光基板上に生成する現像工程と、
   前記転写パターン層を介して前記感光基板を加工する加工工程と、
   を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
9. マスクの第１方向における両端部を、該第１方向と交差する第２方向の複数の保持位置で前記第１方向に沿って保持する保持工程と、
   前記保持工程によって保持された前記マスクを前記第２方向へ移動させる走査工程と、
   前記保持位置ごとに前記両端部の少なくとも一方を上下動させて前記マスクの高さを調整する調整工程と、
   前記走査工程によって移動され、前記調整工程によって高さ調整された前記マスクに設けられたパターンの像を、前記第１方向に配列され且つ、前記第２方向に所定間隔で配置された複数の投影光学モジュールを有する投影光学ユニットを介して投影する投影工程と、
   を含み、
   前記保持工程は、前記所定間隔の整数分の一に等しい間隔で設けられた前記複数の保持位置で前記マスクの前記第１方向における両端部を保持することを特徴とする露光方法。
10. 前記保持工程によって保持された前記マスクの高さを検出する検出工程を含み、
    前記調整工程は、前記検出工程の検出結果に基づいて前記マスクの高さを調整することを特徴とする請求項９に記載の露光方法。
11. 前記両端部の上下動位置に関する制御情報を記憶する記憶工程を含み、
    前記調整工程は、前記制御情報に基づいて前記マスクの高さを調整することを特徴とする請求項９に記載の露光方法。
12. 感光基板を保持する基板保持工程と、
    前記調整工程の調整結果に対応して前記感光基板の高さおよび傾斜の少なくとも一方を調整する基板調整工程と、
    を含み、
    前記投影工程は、前記基板調整工程によって調整された前記感光基板に前記パターンの像を投影することを特徴とする請求項９〜１１のいずれか一項に記載の露光方法。
13. 請求項９〜１２のいずれか一項に記載の露光方法を用いて、前記マスクに設けられたパターンの像を感光基板に転写する露光工程と、
    前記パターンの像が転写された前記感光基板を現像し、前記パターンの像に対応する形状の転写パターン層を前記感光基板上に生成する現像工程と、
    前記転写パターン層を介して前記感光基板を加工する加工工程と、
    を含むことを特徴とするデバイス製造方法。

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