JP2010161246A - 伝送光学系、照明光学系、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 光軸に沿って比較的コンパクトな構成を有し且つ射出側の開口数の小さい照明光学系。
【解決手段】 光源(LS)からの光により被照射面(M;W)を照明する照明光学系(1〜6)において、光源と被照射面との間の光路中に配置されてほぼ平行光束状態の入射光を被照射面まで導く伝送光学系(4)は、第1面内に配列された複数の第1負レンズ面を有する第1レンズアレイと、第1レンズアレイの後側に配置されて、第2面内に配列された複数の第2負レンズ面を有する第2レンズアレイと、第1レンズアレイと第2レンズアレイとの間の光路中に配置された第1集光光学系と、第2レンズアレイと所定面との間の光路中に配置された第2集光光学系とを備えている。
【選択図】 図1
【解決手段】 光源(LS)からの光により被照射面(M;W)を照明する照明光学系(1〜6)において、光源と被照射面との間の光路中に配置されてほぼ平行光束状態の入射光を被照射面まで導く伝送光学系(4)は、第1面内に配列された複数の第1負レンズ面を有する第1レンズアレイと、第1レンズアレイの後側に配置されて、第2面内に配列された複数の第2負レンズ面を有する第2レンズアレイと、第1レンズアレイと第2レンズアレイとの間の光路中に配置された第1集光光学系と、第2レンズアレイと所定面との間の光路中に配置された第2集光光学系とを備えている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、伝送光学系、照明光学系、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法に関する。さらに詳細には、半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等のデバイスをリソグラフィー工程で製造するための補助的な露光装置に好適な照明光学系に関するものである。
例えば半導体素子、液晶表示素子等の各種デバイス(電子デバイス、マイクロデバイス)を製造するためのリソグラフィー工程において、マスク(レチクル、フォトマスク等)のパターンを感光性基板(レジストが塗布されたウェハ、ガラスプレート等)に転写するために、一括露光型の露光装置、走査露光型の露光装置などが使用されている。
これらの露光装置によって露光されるウェハの中央部では、矩形状の完全な区画領域であるショット領域(以下、「本来のショット領域」という)が縦横に確保される。しかしながら、ウェハの周辺部では、矩形状の区画領域から一部が欠落した不完全な区画領域(一部が欠けた区画領域)であるショット領域(以下、「欠けショット領域」という)が存在している。欠けショット領域はデバイスとして使用することのできない部分であり、本来は欠けショット領域に露光を行う必要がない。
最近のデバイス製造工程では、パターンが形成されたウェハの表面を平坦化するために、化学機械的研磨であるCMP(Chemical & Mechanical Polishing)プロセスが適用されることがある。CMPプロセスを適用する際には、ウェハの周辺部にも中央部と同様の段差(又は周期性若しくはパターン密集率)を持つレジストパターンが形成されている必要がある。ただし、本来のショット領域への露光に用いる露光装置と同じ装置を用いて欠けショット領域への露光を行うと、欠けショット領域への露光に起因してスループットが低下する。
そこで、例えば現像装置内に設置された簡素な露光光学系を備えて、ウェハの周辺部の欠けショット領域に対してのみ露光を行う専用の露光ユニットが提案されている(例えば、特許文献1を参照)。また、露光装置のマスクステージの近傍に補助マスク(補助パターン板)を設置し、補助マスクのパターンをウェハ上の欠けショット領域に露光する露光装置が提案されている(例えば、特許文献2を参照)。
欠けショット領域への露光に起因するスループットの低下を抑えるには、本来のショット領域への露光に用いる露光装置(以下、「本来の露光装置」という)とは異なる専用の露光装置を用いて欠けショット領域へ露光することが有効である。ただし、この専用露光装置では、簡素な構成の投影光学系に対するマスクおよびウェハの位置合わせを容易にしてスループットの向上を図るために、照明σの小さい照明条件で欠けショット領域への露光を行う必要がある。換言すれば、欠けショット領域のための専用露光装置では、光軸に沿って比較的コンパクトな構成を有し且つ射出側の開口数の小さい照明光学系が求められる。
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたものであり、光軸に沿って比較的コンパクトな構成を有し且つ射出側の開口数の小さい照明光学系を提供することを目的とする。また、比較的コンパクトな構成を有し且つ射出側の開口数の小さい照明光学系を用いて、欠けショット領域への露光にかかるスループットの向上を実現することのできる露光装置を提供することを目的とする。
前記課題を解決するために、本発明の第1形態では、ほぼ平行光束状態の入射光を所定面まで導く伝送光学系において、
第1面内に配列された複数の第1負レンズ面を有する第1レンズアレイと、
前記第1レンズアレイの後側に配置されて、第2面内に配列された複数の第2負レンズ面を有する第2レンズアレイと、
前記第1レンズアレイと前記第2レンズアレイとの間の光路中に配置された第1集光光学系と、
前記第2レンズアレイと前記所定面との間の光路中に配置された第2集光光学系とを備えていることを特徴とする伝送光学系を提供する。
第1面内に配列された複数の第1負レンズ面を有する第1レンズアレイと、
前記第1レンズアレイの後側に配置されて、第2面内に配列された複数の第2負レンズ面を有する第2レンズアレイと、
前記第1レンズアレイと前記第2レンズアレイとの間の光路中に配置された第1集光光学系と、
前記第2レンズアレイと前記所定面との間の光路中に配置された第2集光光学系とを備えていることを特徴とする伝送光学系を提供する。
本発明の第2形態では、光源からの光により被照射面を照明する照明光学系において、
前記光源と前記被照射面との間の光路中に配置された第1形態の伝送光学系を備えていることを特徴とする照明光学系を提供する。
前記光源と前記被照射面との間の光路中に配置された第1形態の伝送光学系を備えていることを特徴とする照明光学系を提供する。
本発明の第3形態では、所定のパターンを照明するための第2形態の照明光学系を備え、前記所定のパターンを感光性基板に露光することを特徴とする露光装置を提供する。
本発明の第4形態では、第3形態の露光装置を用いて、前記所定のパターンを前記感光性基板に露光する露光工程と、
前記所定のパターンが転写された前記感光性基板を現像し、前記所定のパターンに対応する形状のマスク層を前記感光性基板の表面に形成する現像工程と、
前記マスク層を介して前記感光性基板の表面を加工する加工工程とを含むことを特徴とするデバイス製造方法を提供する。
前記所定のパターンが転写された前記感光性基板を現像し、前記所定のパターンに対応する形状のマスク層を前記感光性基板の表面に形成する現像工程と、
前記マスク層を介して前記感光性基板の表面を加工する加工工程とを含むことを特徴とするデバイス製造方法を提供する。
本発明の第5形態では、感光性基板上の異なる第1および第2領域を含む複数の領域を露光する露光方法において、
前記感光性基板の前記第1領域を第1光学系を介して露光する第1工程と、
前記感光性基板の前記第2領域を第4形態の露光装置を用いて露光する第2工程とを備えることを特徴とする露光方法を提供する。
前記感光性基板の前記第1領域を第1光学系を介して露光する第1工程と、
前記感光性基板の前記第2領域を第4形態の露光装置を用いて露光する第2工程とを備えることを特徴とする露光方法を提供する。
本発明の第6形態では、第5形態の露光方法を用いて、前記感光性基板を露光する露光工程と、
前記第1パターンが転写された前記感光性基板を現像し、前記第1パターンに対応する形状のマスク層を前記感光性基板の表面に形成する現像工程と、
前記マスク層を介して前記感光性基板の表面を加工する加工工程とを含むことを特徴とするデバイス製造方法を提供する。
前記第1パターンが転写された前記感光性基板を現像し、前記第1パターンに対応する形状のマスク層を前記感光性基板の表面に形成する現像工程と、
前記マスク層を介して前記感光性基板の表面を加工する加工工程とを含むことを特徴とするデバイス製造方法を提供する。
本発明の伝送光学系を含む照明光学系では、第1レンズアレイにより第1集光光学系の前側焦点位置に形成される複数の虚像を光源として第2レンズアレイの入射面をケーラー照明し、第2レンズアレイにより第2集光光学系の前側焦点位置に形成される複数の虚像を光源として被照射面をケーラー照明することが可能である。したがって、光学系を光軸方向に沿って小型化しつつ、被照射面に入射する光束の開口数を小さく抑えることができる。
すなわち、本発明では、光軸に沿って比較的コンパクトな構成を有し且つ射出側の開口数の小さい照明光学系を実現することができる。また、本発明の露光装置では、比較的コンパクトな構成を有し且つ射出側の開口数の小さい照明光学系を用いて、欠けショット領域への露光にかかるスループットの向上を図ることができる。
本発明の実施形態を、添付図面に基づいて説明する。図1は、本発明の実施形態にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。本実施形態では、感光性基板であるウェハW上の欠けショット領域への露光を行う専用露光装置に対して本発明を適用している。図1において、ウェハWの露光面(転写面)の法線方向に沿ってZ軸を、ウェハWの露光面内において図1の紙面に平行な方向にY軸を、ウェハWの露光面内において図1の紙面に垂直な方向にX軸をそれぞれ設定している。
図1を参照すると、本実施形態の露光装置では、光源LSから露光光(照明光)が供給される。光源LSとして、たとえば193nmの波長の光を供給するArFエキシマレーザ光源や248nmの波長の光を供給するKrFエキシマレーザ光源などを用いることができる。光源LSから射出された光束は、例えば複数のシリンドリカルレンズを有する第1整形光学系1を介してZ方向に拡大され、偏向部材2により+Z方向に偏向された後、第2整形光学系3に入射する。
第2整形光学系3により断面形状がX方向およびY方向に整形(縮小または拡大)された光束は、伝送光学系4中の第1光学系4a、偏向部材4b、および第2光学系4cを介して、ビームスプリッター5に入射する。伝送光学系4の具体的な構成および作用については後述する。ビームスプリッター5で−Z方向に反射された光は、照明視野絞りとしてのマスクブラインド6の開口部(光透過部)を介して、所定のパターンが形成されたマスクMをケーラー照明する。マスクブラインド6は、開口部の形状が固定された固定開口絞りでもよいし、開口部の形状が変化可能な可変開口絞りでもよい。
マスクステージMS上に保持されたマスクMのパターンを透過した光は、例えばダイソン型の等倍結像光学系のような簡素な構成を有する投影光学系PLを介して、ウェハステージWS上に保持されたウェハ(感光性基板)W上にマスクパターンの像を形成する。本実施形態にかかる露光装置の露光対象となるウェハW上の本来のショット領域には、本来の露光装置によりレジストパターンが既に形成されている。ウェハステージWSは、本実施形態の露光装置の専用ステージであっても良いし、本来の露光装置との共有ステージであっても良い。
具体的に、図2を参照すると、ウェハWの中央部には矩形状の完全な区画領域である本来のショット領域HSが縦横に確保され、各ショット領域HSには本来の露光装置により所要のレジストパターンが形成されている。ウェハWの周辺部には矩形状の区画領域から一部が欠落した不完全な区画領域である欠けショット領域KSが複数存在している。欠けショット領域KSは、直交する2方向(例えばX方向およびY方向)のいずれかに平行な直線とウェハWのエッジ部(外縁の境界線)とにより囲まれた領域である。図2では、本来のショット領域HSが占める領域の外側境界線を太線で示している。
欠けショット領域KSはデバイスとして使用することのできない部分であるが、CMPプロセスの適用に先立って、例えば本来のショット領域HSへのレジストパターンとは異なるレジストパターンを、欠けショット領域KSに形成することが必要である。ただし、実際には、完全な区画領域に近い外形形状を有する欠けショット領域KSはデバイスとして使用可能であり、これらの欠けショット領域KSにも本来の露光装置により所要のレジストパターンが形成される。
こうして、本実施形態では、投影光学系PLの光軸AXと直交する平面(XY平面)内においてウェハWを二次元的に駆動制御しながら一括露光を繰り返すことにより、ウェハWの各欠けショット領域KSにマスクMのパターンを逐次露光する。なお、ビームスプリッター5を透過した光は、周知の構成を有する光量モニター7により検出される。光量モニター7の検出結果は、図示を省略した制御部に供給される。制御部は、光量モニター7の検出結果に基づいて、例えば光源LSの出力を調整することにより、ウェハWの各欠けショット領域KSへの露光光の光量を制御する。
図3は、本実施形態にかかる伝送光学系の構成を概略的に示す図である。図3では、説明の理解を容易するために、偏向部材4bを省略して第1光学系4aおよび第2光学系4cを光軸AXに沿って直線状に展開するとともに、全体座標(X,Y,Z)に対応する局部座標(x,y,z)を設定している。本実施形態の伝送光学系4は、ほぼ平行光束状態で入射した光を、照明光学系(1〜6)の被照射面であるマスクMのパターン面まで導く機能を有する。
具体的に、伝送光学系4中の第1光学系4aは、xz平面に沿って縦横に且つ稠密に配列された複数の負レンズ要素11aを有する第1レンズアレイ11と、第1レンズアレイ11の後側に配置された第1集光光学系12とを備えている。第2光学系4bは、xz平面に沿って縦横に且つ稠密に配列された複数の負レンズ要素21aを有する第2レンズアレイ21と、第2レンズアレイ21の後側に配置された第2集光光学系22とを備えている。
第1集光光学系12は、光の入射側から順に、正の屈折力を有する第1レンズ群G11と、負の屈折力を有する第2レンズ群G12と、正の屈折力を有する第3レンズ群G13とを有する。同様に、第2集光光学系12は、光の入射側から順に、正の屈折力を有する第1レンズ群G21と、負の屈折力を有する第2レンズ群G22と、正の屈折力を有する第3レンズ群G23とを有する。
第1集光光学系12は、図4に示すように、第1レンズアレイ11の複数の負レンズ要素11aを経た光に対応して第1レンズアレイ11の前側に形成される複数の虚像の位置41と第1集光光学系12の前側焦点位置とが一致するように配置されている。同様に、第2集光光学系22は、第2レンズアレイ21の複数の負レンズ要素21aを経た光に対応して第2レンズアレイ21の前側に形成される複数の虚像の位置42と第2集光光学系22の前側焦点位置とが一致するように配置されている。第2レンズアレイ21は、第1レンズアレイ11の負レンズ要素11aの外形形状と相似な外形形状を有する。
本実施形態の伝送光学系4では、光軸AXに沿って第1レンズアレイ11に入射したほぼ平行光束状態の光は、複数の負レンズ要素11aにより二次元的に波面分割される。各負レンズ要素11aを経た光は、図4に示すように、第1集光光学系12の前側焦点位置41に形成される虚像からの光に対応している。
したがって、各負レンズ要素11aを経た光は、正・負・正の屈折力配置を有する第1集光光学系12を介して、第2レンズアレイ21の入射面に照野31を重畳的に形成する。すなわち、第1光学系4aでは、第1レンズアレイ11により第1集光光学系12の前側焦点位置41に形成される複数の虚像を光源として、第2光学系4cの第2レンズアレイ21の入射面をケーラー照明する。
同様に、第2光学系4cでは、光軸AXに沿って第2レンズアレイ21に入射したほぼ平行光束状態の光が、複数の負レンズ要素21aにより二次元的に波面分割される。各負レンズ要素21aを経た光は、図4に示すように、第2集光光学系22の前側焦点位置42に形成される虚像からの光に対応している。
したがって、各負レンズ要素21aを経た光は、正・負・正の屈折力配置を有する第2集光光学系22を介して、マスクMのパターン面に、ほぼ均一な光強度分布を有する照野32を重畳的に形成する。すなわち、第2光学系4cでは、第2レンズアレイ21により第2集光光学系22の前側焦点位置42に形成される複数の虚像を光源として、マスクMのパターン面をケーラー照明する。
本実施形態の露光装置では、投影光学系PLに対するマスクMおよびウェハWの位置合わせを容易にして、一連の欠けショット領域KSへの露光にかかるスループットの向上を図るために、投影光学系PLの焦点深度を十分に大きく確保することが求められる。すなわち、照明σ(σ値=照明光学系のマスク側開口数/投影光学系のマスク側開口数)の小さい照明条件で、欠けショット領域KSへの露光を行う必要がある。
ただし、専ら欠けショット領域への露光を行う専用露光装置では、比較的安価で簡素な構成を有する投影光学系、すなわち開口数の比較的小さい投影光学系を採用することも重要である。したがって、本実施形態の専用露光装置において、開口数の比較的小さい投影光学系PLを用いて照明σの小さい照明条件を実現するには、照明光学系(1〜6)の射出側の開口数、ひいては伝送光学系4の射出側の開口数が非常に小さいことが求められる。
本実施形態の伝送光学系4では、複数の負レンズ要素11aを有する第1レンズアレイ11と複数の負レンズ要素21aを有する第2レンズアレイ21とを直列に2段配置するとともに、第1レンズアレイ11と第2レンズアレイ21との間に第1集光光学系12を配置し且つ第2レンズアレイ21の後側に第2集光光学系22を配置した構成を採用している。この構成では、第1レンズアレイ11により第1集光光学系12の前側焦点位置41に形成される複数の虚像を光源として第2レンズアレイ21の入射面をケーラー照明し、第2レンズアレイ21により第2集光光学系22の前側焦点位置42に形成される複数の虚像を光源としてマスクMのパターン面をケーラー照明することが可能である。
したがって、第1レンズアレイ11と第1集光光学系12とからなる第1光学系4aを光軸AX方向に沿って小型化しつつ、第2レンズアレイ21に入射する光束の開口数を小さく抑えるとともに、入射光束のエッジが比較的鮮明なボケの小さい照野31を第2レンズアレイ21の入射面に形成することができる。同様に、第2レンズアレイ21と第2集光光学系22とからなる第2光学系4cを光軸AX方向に沿って小型化しつつ、マスクMのパターン面に入射する光束の開口数を小さく抑えるとともに、入射光束のエッジが比較的鮮明なボケの小さい照野32をマスクMのパターン面に形成することができる。
こうして、本実施形態では、光軸AXに沿って比較的コンパクトな構成を有し且つ射出側の開口数の小さい伝送光学系4を、ひいては光軸AXに沿って比較的コンパクトな構成を有し且つ射出側の開口数の小さい照明光学系(1〜6)を実現することができる。また、本実施形態の露光装置では、比較的コンパクトな構成を有し且つ射出側の開口数の小さい照明光学系(1〜6)を用いて、欠けショット領域KSへの露光にかかるスループットの向上を図ることができる。
特に、本実施形態では、第1集光光学系12および第2集光光学系22が光の入射側から順に正・負・正の屈折力配置を有するので、第1レンズアレイ11の入射面から第2レンズアレイ21の射出面までの光軸AXに沿った距離、すなわち伝送光学系4の全長を小さく抑えつつ各集光光学系12,22において所要の焦点距離f1,f2を確保することができる。また、本実施形態では、一対のレンズアレイ11と21とを直列に2段配置しているので、第1レンズアレイ11に入射する光束がxz平面に沿って位置ずれしても、ほぼ均一な光強度分布を有する照明領域をマスクMのパターン面上の所望位置に形成することができる。以下、2つの数値実施例を参照して、本実施形態にかかる伝送光学系4の作用効果を検証する。
[第1数値実施例]
第1数値実施例では、第1レンズアレイ11がx方向に3列でz方向に3列に配列された合計9個の負レンズ要素11aを有し、各負レンズ要素11aの焦点距離の大きさは888.88mmである。また、各負レンズ要素11aの外形形状は、x方向寸法およびz方向寸法がともに4mmの正方形である。すなわち、第1レンズアレイ11の外形形状は、x方向寸法およびz方向寸法がともに12mmの正方形である。
第1数値実施例では、第1レンズアレイ11がx方向に3列でz方向に3列に配列された合計9個の負レンズ要素11aを有し、各負レンズ要素11aの焦点距離の大きさは888.88mmである。また、各負レンズ要素11aの外形形状は、x方向寸法およびz方向寸法がともに4mmの正方形である。すなわち、第1レンズアレイ11の外形形状は、x方向寸法およびz方向寸法がともに12mmの正方形である。
第1レンズアレイ11の入射面には、x方向寸法およびz方向寸法がともに12mmの正方形状の断面を有し且つ発散角が0.5mrad(ミリ・ラジアン)のほぼ平行光束状態の光が入射する。第1集光光学系12の焦点距離f1は、4000mmである。
第2レンズアレイ21は、x方向に4列でz方向に5列に配列された合計20個の負レンズ要素21aを有する。各負レンズ要素21aの焦点距離の大きさは361.5mmである。また、各負レンズ要素21aの外形形状は、x方向寸法が4.7mmでz方向寸法が4mmの長方形である。すなわち、第2レンズアレイ21の外形形状は、x方向寸法が18.8mmでz方向寸法が20mmの長方形である。第2集光光学系22の焦点距離f2は、3000mmである。
第1レンズアレイ11のx方向に沿った外側の一対の負レンズ要素11aのx方向に沿った中心間距離をL1xとし、第1レンズアレイ11のz方向に沿った外側の一対の負レンズ要素11aのz方向に沿った中心間距離をL1zとし、第2レンズアレイ21への入射光束のxy平面に沿った開口数をNA1xとし、第2レンズアレイ21への入射光束のyz平面に沿った開口数をNA1zとするとき、次の式(1)および(2)に示す関係が成立する。
L1x=NA1x×f1×2 (1)
L1z=NA1z×f1×2 (2)
L1x=NA1x×f1×2 (1)
L1z=NA1z×f1×2 (2)
同様に、第2レンズアレイ21のx方向に沿った外側の一対の負レンズ要素21aのx方向に沿った中心間距離をL2xとし、第2レンズアレイ21のz方向に沿った外側の一対の負レンズ要素21aのz方向に沿った中心間距離をL2zとし、マスクMへの入射光束のxy平面に沿った開口数をNA2xとし、マスクMへの入射光束のyz平面に沿った開口数をNA2zとするとき、次の式(3)および(4)に示す関係が成立する。
L2x=NA2x×f2×2 (3)
L2z=NA2z×f2×2 (4)
L2x=NA2x×f2×2 (3)
L2z=NA2z×f2×2 (4)
第1数値実施例では、中心間距離L1xおよびL1zがともに8mmであり、焦点距離f1は4000mmである。したがって、第2レンズアレイ21への入射光束の開口数NA1xおよびNA1zはともに、0.001である。また、中心間距離L2xが14.1mmであり、中心間距離L2zが16mmであり、焦点距離f2は3000mmである。したがって、マスクMへの入射光束の開口数NA2xは0.00235であり、開口数NA2zは0.00267である。すなわち、第1数値実施例では、伝送光学系4のXY平面に沿った射出側の開口数NAXが0.00235であり、YZ平面に沿った射出側の開口数NAZが0.00267である。
なお、第1数値実施例では、いわゆるボケ(照野のエッジが不鮮明になって領域の外縁が実質的に外側へ広がる現象)の影響を考慮しない場合、光軸AXを中心としてx方向寸法およびz方向寸法がともに18mmの正方形の照野31が第2レンズアレイ21の入射面に形成され、光軸AXを中心としてx方向寸法が39mmでz方向寸法が33mmの長方形の照野32がマスクMのパターン面に形成される。そして、照野32のx方向に沿ったボケ幅bxおよびz方向に沿ったボケ幅bzおよびは、次の式(5)および(6)により表される。
bx=NA1x×f2 (5)
bz=NA1z×f2 (6)
bx=NA1x×f2 (5)
bz=NA1z×f2 (6)
第1数値実施例では、開口数NA1xおよびNA1zはともに0.001であり、焦点距離f2は3000mmである。したがって、ボケ幅bxおよびbzはともに3mmであり、ボケ幅bx=3mmを考慮した照野32のx方向寸法は39−3×2=33mmとなり、ボケ幅bz=3mmを考慮した照野32のz方向寸法は33−3×2=27mmとなる。すなわち、第1数値実施例においては、33mm×27mmのボケのない均一な照明領域が得られる。ここで、第1数値実施例における光の効率は、33×27/(39×33)≒69.2%である。
[第2数値実施例]
第2数値実施例では、第1レンズアレイ11がx方向に3列でz方向に3列に配列された合計9個の負レンズ要素11aを有し、各負レンズ要素11aの焦点距離の大きさは1411.8mmである。また、各負レンズ要素11aの外形形状は、x方向寸法およびz方向寸法がともに4mmの正方形である。すなわち、第1レンズアレイ11の外形形状は、x方向寸法およびz方向寸法がともに12mmの正方形である。
第2数値実施例では、第1レンズアレイ11がx方向に3列でz方向に3列に配列された合計9個の負レンズ要素11aを有し、各負レンズ要素11aの焦点距離の大きさは1411.8mmである。また、各負レンズ要素11aの外形形状は、x方向寸法およびz方向寸法がともに4mmの正方形である。すなわち、第1レンズアレイ11の外形形状は、x方向寸法およびz方向寸法がともに12mmの正方形である。
第1レンズアレイ11の入射面には、x方向寸法およびz方向寸法がともに12mmの正方形状の断面を有し且つ発散角が0.5mradのほぼ平行光束状態の光が入射する。第1集光光学系12の焦点距離f1は、6000mmである。すなわち、第2数値実施例では、各負レンズ要素11aの焦点距離の絶対値および第1集光光学系12の焦点距離f1が、第1数値実施例における対応する数値よりも大きい値に設定されている。
第2レンズアレイ21は、x方向に4列でz方向に5列に配列された合計20個の負レンズ要素21aを有する。各負レンズ要素21aの焦点距離の大きさは381.1mmである。また、各負レンズ要素21aの外形形状は、x方向寸法が4.7mmでz方向寸法が4mmの長方形である。すなわち、第2レンズアレイ21の外形形状は、x方向寸法が18.8mmでz方向寸法が20mmの長方形である。第2集光光学系22の焦点距離f2は、3000mmである。このように、第2数値実施例では、各負レンズ要素21aの焦点距離の絶対値および第2集光光学系22の焦点距離f2が、第1数値実施例における対応する数値とほぼ同じまたは同一の値に設定されている。
第2数値実施例では、中心間距離L1xおよびL1zがともに8mmであり、焦点距離f1は6000mmである。したがって、第2レンズアレイ21への入射光束の開口数NA1xおよびNA1zはともに、0.00067である。また、中心間距離L2xが14.1mmであり、中心間距離L2zが16mmであり、焦点距離f2は3000mmである。したがって、マスクMへの入射光束の開口数NA2xは0.00235であり、開口数NA2zは0.00267である。すなわち、第2数値実施例では、第1数値実施例よりも光軸AX方向に大型化しているが、第1数値実施例と同様に伝送光学系4の射出側開口数NAXが0.00235であり射出側開口数NAZが0.00267である。
なお、第2数値実施例では、ボケの影響を考慮しない場合、光軸AXを中心としてx方向寸法およびz方向寸法がともに17mmの正方形の照野31が第2レンズアレイ21の入射面に形成され、光軸AXを中心としてx方向寸法が37mmでz方向寸法が31mmの長方形の照野32がマスクMのパターン面に形成される。また、開口数NA1xおよびNA1zはともに0.00067であり、焦点距離f2は3000mmである。したがって、ボケ幅bxおよびbzはともに2mmであり、ボケ幅bx=2mmを考慮した照野32のx方向寸法は37−2×2=33mmとなり、ボケ幅bz=2mmを考慮した照野32のz方向寸法は31−2×2=27mmとなる。すなわち、第2数値実施例においては、33mm×27mmのボケのない均一な照明領域が得られる。ここで、第2数値実施例における光の効率は、33×27/(37×31)≒77.7%である。
上述の各数値実施例では、伝送光学系4の射出側開口数NAXが0.00235であり、射出側開口数NAZが0.00267である。このように、本実施形態では、射出側開口数が0.003よりも小さい照明光学系(1〜6)を容易に構成することができるので、投影光学系PLの入射側開口数が例えば0.15である場合、0.02よりも小さい照明σを実現することができる。
このように、本実施形態では、エキシマレーザからのレーザ光やHe−Neレーザからのガウスビーム等のビームの発散角をほとんど広げることなく、ダブルフライアイ構成を実現している。なお、上述の数値実施例において、ダブルフライアイ構成によって形成される準点光源は9×20=180個であり、これらの準点光源からの照明光束を重畳させることにより、照明ムラの低減、ビーム光束内での光量ばらつきの低減、ビームシフトの影響の低減を達成した極小σの照明系を実現している。
こうして、デバイスの製造に際して、本来の露光装置の投影光学系を介して本来のショット領域および一部の欠けショット領域にデバイス用の微細パターンを露光し、本実施形態の専用露光装置を用いて残りの欠けショット領域にデバイス用の微細パターンとは異なる所要のパターンを露光する。
なお、上述の実施形態では、第1レンズアレイ11がxz平面に沿って縦横に且つ稠密に配列された複数の負レンズ要素11aを有し、第2レンズアレイ21がxz平面に沿って縦横に且つ稠密に配列された複数の負レンズ要素21aを有する構成を採用している。換言すれば、第1レンズアレイ11はそれぞれ複数の負レンズ要素11aをxz平面内に二次元的に配列して構成され、第2レンズアレイ21はそれぞれ複数の負レンズ要素21aをxz平面内に二次元的に配列して構成されている。
しかしながら、これに限定されることなく、第1レンズアレイおよび第2レンズアレイの具体的な構成については様々な形態が可能である。一般に、第1レンズアレイは第1面内に配列された複数の第1負レンズ面を有し、第2レンズアレイは第2面内に配列された複数の第2負レンズ面を有する。具体的に、第1レンズアレイおよび第2レンズアレイの変形例として、複数の負レンズ要素を二次元的に集積したレンズアレイだけではなく、図5に示すように、入射側にシリンドリカル負レンズ要素51aを一次元的に配列し、射出側に当該一次元方向と直交する方向にシリンドリカル負レンズ要素51bを配列したシリンドリカル負レンズアレイ51を用いることができる。
また、第1レンズアレイおよび第2レンズアレイの変形例として、図6に示すように、入射側(または射出側)にのみシリンドリカル負レンズ面61aを一次元的に形成したシリンドリカル負レンズアレイ61を用いることができる。また、第1レンズアレイおよび第2レンズアレイの変形例として、図7に示すように、入射側にシリンドリカル負レンズ面71aを一次元的に形成し、射出側に当該一次元方向と直交する方向にシリンドリカル負レンズ面71bを形成したシリンドリカル負レンズアレイ71を用いることができる。図6および図7の負レンズアレイ61,71において、シリンドリカル負レンズ面61a,71a,71bは、光透過性の基板にエッチング等により一体的に形成される。
また、上述の実施形態では、欠けショット領域への露光を行う専用露光装置の照明光学系において光源と被照射面との間の光路中に配置される伝送光学系に対して本発明を適用している。しかしながら、これに限定されることなく、本来のショット領域への露光を行う本来の露光装置の照明光学系において、例えば光源と光束変換素子(回折光学素子など)との間の光路中に配置されるビーム送光系として、本発明の伝送光学系を用いることができる。また、レーザ加工装置において、光源と被加工物との間の適当な位置に配置されるビーム送光系として、本発明の伝送光学系を用いることができる。
また、上述の実施形態では、いわゆるステップ・アンド・リピート方式にしたがって、ウェハWの欠け露光領域にマスクMのパターンを一括露光する動作を繰り返している。しかしながら、これに限定されることなく、ステップ・アンド・スキャン方式にしたがって、ウェハWの欠けショット領域にマスクMのパターンを走査露光するスキャン動作を繰り返すこともできる。
また、上述の実施形態では、露光光としてArFエキシマレーザ光(波長:193nm)やKrFエキシマレーザ光(波長:248nm)を用いているが、これに限定されることなく、他の適当なレーザ光源、たとえば波長157nmのレーザ光を供給するF2レーザ光源などに対して本発明を適用することもできる。
また、上述の実施形態では、露光装置においてマスク(またはウェハ)を照明する照明光学系に対して本発明を適用しているが、これに限定されることなく、マスク(またはウェハ)以外の被照射面を照明する一般的な照明光学系に対して本発明を適用することもできる。
なお、He−Neレーザ等のガウスビームを供給する光源からのレーザ光の発散角を通常の光学系を用いて変更しようとすると、発散角の変更に伴ってビーム径も変更されてしまうが、本発明を適用した場合には、所望の発散角と所望の照野とを独立して設定することができる。そして、本発明を適用した場合には、ガウスビームに特徴的なエネルギー分布を均一化でき、且つレーザ光のビーム断面内のエネルギー分布の不均一性による影響や、入射ビームの横ずれや角度ずれの影響を低減することができる。
また、上述の実施形態では、マスクの代わりに、所定の電子データに基づいて所定パターンを形成する可変パターン形成装置を用いることができる。このような可変パターン形成装置を用いれば、パターン面が縦置きでも同期精度に及ぼす影響を最低限にできる。なお、可変パターン形成装置としては、たとえば所定の電子データに基づいて駆動される複数の反射素子を含むDMD(デジタル・マイクロミラー・デバイス)を用いることができる。DMDを用いた露光装置は、例えば特開2004−304135号公報、国際特許公開第2006/080285号パンフレットおよびこれに対応する米国特許公開第2007/0296936号公報に開示されている。また、DMDのような非発光型の反射型空間光変調器以外に、透過型空間光変調器を用いても良く、自発光型の画像表示素子を用いても良い。なお、パターン面が横置きの場合であっても可変パターン形成装置を用いても良い。ここでは、米国特許公開第2007/0296936号公報の教示を参照として援用する。
上述の実施形態の露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
次に、上述の実施形態にかかる伝送光学系が組み込まれた本来の露光装置を用いたデバイス製造方法について説明する。図8は、半導体デバイスの製造工程を示すフローチャートである。図8に示すように、半導体デバイスの製造工程では、半導体デバイスの基板となるウェハWに金属膜を蒸着し(ステップS40)、この蒸着した金属膜上に感光性材料であるフォトレジストを塗布する(ステップS42)。つづいて、上述の本来の露光装置を用い、マスク(レチクル)Mに形成されたパターンをウェハW上の各ショット領域に転写し(ステップS44:露光工程)、この転写が終了したウェハWの現像、つまりパターンが転写されたフォトレジストの現像を行う(ステップS46:現像工程)。その後、ステップS46によってウェハWの表面に生成されたレジストパターンをマスクとし、ウェハWの表面に対してエッチング等の加工を行う(ステップS48:加工工程)。
ここで、レジストパターンとは、上述の本来の露光装置によって転写されたパターンに対応する形状の凹凸が生成されたフォトレジスト層であって、その凹部がフォトレジスト層を貫通しているものである。ステップS48では、このレジストパターンを介してウェハWの表面の加工を行う。ステップS48で行われる加工には、例えばウェハWの表面のエッチングまたは金属膜等の成膜の少なくとも一方が含まれる。なお、ステップS44では、上述の本来の露光装置は、フォトレジストが塗布されたウェハWを、感光性基板つまりプレートPとしてパターンの転写を行う。
図9は、液晶表示素子等の液晶デバイスの製造工程を示すフローチャートである。図9に示すように、液晶デバイスの製造工程では、パターン形成工程(ステップS50)、カラーフィルター形成工程(ステップS52)、セル組立工程(ステップS54)およびモジュール組立工程(ステップS56)を順次行う。
ステップS50のパターン形成工程では、プレートPとしてフォトレジストが塗布されたガラス基板上に、上述の本来の露光装置を用いて回路パターンおよび電極パターン等の所定のパターンを形成する。このパターン形成工程には、上述の本来の露光装置を用いてフォトレジスト層にパターンを転写する露光工程と、パターンが転写されたプレートPの現像、つまりガラス基板上のフォトレジスト層の現像を行い、パターンに対応する形状のフォトレジスト層を生成する現像工程と、この現像されたフォトレジスト層を介してガラス基板の表面を加工する加工工程とが含まれている。
ステップS52のカラーフィルター形成工程では、R(Red)、G(Green)、B(Blue)に対応する3つのドットの組をマトリックス状に多数配列するか、またはR、G、Bの3本のストライプのフィルターの組を水平走査方向に複数配列したカラーフィルターを形成する。
ステップS54のセル組立工程では、ステップS50によって所定パターンが形成されたガラス基板と、ステップS52によって形成されたカラーフィルターとを用いて液晶パネル(液晶セル)を組み立てる。具体的には、例えばガラス基板とカラーフィルターとの間に液晶を注入することで液晶パネルを形成する。ステップS56のモジュール組立工程では、ステップS54によって組み立てられた液晶パネルに対し、この液晶パネルの表示動作を行わせる電気回路およびバックライト等の各種部品を取り付ける。
1,3 整形光学系
4 伝送光学系
6 マスクブラインド
7 光量モニター
LS 光源
M マスク
MS マスクステージ
PL 投影光学系
W ウェハ
WS ウェハステージ
4 伝送光学系
6 マスクブラインド
7 光量モニター
LS 光源
M マスク
MS マスクステージ
PL 投影光学系
W ウェハ
WS ウェハステージ
Claims (16)
- ほぼ平行光束状態の入射光を所定面まで導く伝送光学系において、
第1面内に配列された複数の第1負レンズ面を有する第1レンズアレイと、
前記第1レンズアレイの後側に配置されて、第2面内に配列された複数の第2負レンズ面を有する第2レンズアレイと、
前記第1レンズアレイと前記第2レンズアレイとの間の光路中に配置された第1集光光学系と、
前記第2レンズアレイと前記所定面との間の光路中に配置された第2集光光学系とを備えていることを特徴とする伝送光学系。 - 前記第1集光光学系および前記第2集光光学系は、光の入射側から順に、正の屈折力を有する第1レンズ群と、負の屈折力を有する第2レンズ群と、正の屈折力を有する第3レンズ群とを有することを特徴とする請求項1に記載の伝送光学系。
- 前記第1集光光学系は、前記第1レンズアレイの前記複数の第1負レンズ面を経た光に対応して前記第1レンズアレイの前側に形成される複数の虚像の位置と前記第1集光光学系の前側焦点位置とが一致するように配置され、
前記第2集光光学系は、前記第2レンズアレイの前記複数の第2負レンズ面を経た光に対応して前記第2レンズアレイの前側に形成される複数の虚像の位置と前記第2集光光学系の前側焦点位置とが一致するように配置されていることを特徴とする請求項1または2に記載の伝送光学系。 - 前記第1レンズアレイは、それぞれ前記第1負レンズ面を有する複数の第1負レンズ要素を前記第1面内に二次元的に配列して構成され、
前記第2レンズアレイは、それぞれ前記第2負レンズ面を有する複数の第2負レンズ要素を前記第2面内に二次元的に配列して構成されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の伝送光学系。 - 前記第2レンズアレイは、前記第1レンズアレイの前記第1負レンズ要素の外形形状と相似な外形形状を有することを特徴とする請求項4に記載の伝送光学系。
- 光源からの光により被照射面を照明する照明光学系において、
前記光源と前記被照射面との間の光路中に配置された請求項1乃至5のいずれか1項に記載の伝送光学系を備えていることを特徴とする照明光学系。 - 前記被照射面は、前記所定面と一致していることを特徴とする請求項6に記載の照明光学系。
- 所定のパターンを照明するための請求項6または7に記載の照明光学系を備え、前記所定のパターンを感光性基板に露光することを特徴とする露光装置。
- 前記所定のパターンの像を前記感光性基板上に形成する投影光学系を備えていることを特徴とする請求項8に記載の露光装置。
- 前記所定のパターンを前記感光性基板へ一括露光することを特徴とする請求項9に記載の露光装置。
- 請求項8乃至10のいずれか1項に記載の露光装置を用いて、前記所定のパターンを前記感光性基板に露光する露光工程と、
前記所定のパターンが転写された前記感光性基板を現像し、前記所定のパターンに対応する形状のマスク層を前記感光性基板の表面に形成する現像工程と、
前記マスク層を介して前記感光性基板の表面を加工する加工工程とを含むことを特徴とするデバイス製造方法。 - 感光性基板上の異なる第1および第2領域を含む複数の領域を露光する露光方法において、
前記感光性基板の前記第1領域を第1光学系を介して露光する第1工程と、
前記感光性基板の前記第2領域を請求項8乃至10のいずれか1項に記載の露光装置を用いて露光する第2工程とを備えることを特徴とする露光方法。 - 前記感光性基板の表面は、複数の完全な区画領域と、複数の一部が欠けた区画領域とに分割され、
前記第1領域は、前記複数の完全な区画領域と、前記複数の一部が欠けた区画領域の一部の領域とを含み、
前記第2領域は、前記複数の一部が欠けた区画領域のうちで、前記第1領域には含まれない領域を含むことを特徴とする請求項12に記載の露光方法。 - 前記感光性基板上の前記第2領域は、直交する2方向のいずれかに平行な直線と前記感光性基板のエッジ部とで囲まれた領域であることを特徴とする請求項13に記載の露光方法。
- 前記第1領域には第1パターンが露光され、前記第2領域には前記第1パターンとは異なる第2パターンが露光されることを特徴とする請求項12乃至14のいずれか1項に記載の露光方法。
- 請求項15に記載の露光方法を用いて、前記感光性基板を露光する露光工程と、
前記第1パターンが転写された前記感光性基板を現像し、前記第1パターンに対応する形状のマスク層を前記感光性基板の表面に形成する現像工程と、
前記マスク層を介して前記感光性基板の表面を加工する加工工程とを含むことを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009003010A JP2010161246A (ja) | 2009-01-09 | 2009-01-09 | 伝送光学系、照明光学系、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010161246A true JP2010161246A (ja) | 2010-07-22 |
Family
ID=42578210
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2009003010A Pending JP2010161246A (ja) | 2009-01-09 | 2009-01-09 | 伝送光学系、照明光学系、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010161246A (ja) |
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