JP6537407B2 - 投影露光装置 - Google Patents
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
Description
38 画像処理部
40 ステージ
42 ステージ駆動部
50 制御部
W 基板
AM アライメントマーク
R レチクル
Claims (9)
- レチクルに形成されたマスクパターンを、基板に定められた複数のショット領域に従って転写する露光制御部と、
複数のショット領域に従って前記基板に設けられたアライメントマークの位置を検出するアライメント調整部とを備え、
前記レチクルが、それぞれ異なるパターン数でマスクパターンを配列させた複数のレチクルフィールドを有し、
前記アライメント調整部が、検出されたアライメントマーク位置に基づいてレチクルフィールドを選択し、
前記露光制御部が、選択されたレチクルフィールドのマスクパターンを転写することを特徴とする投影露光装置。 - 前記アライメント調整部が、定められた演算領域に対し、所定のレチクルフィールドを用いた場合の位置合わせ誤差量を演算し、位置合わせ誤差量に応じてレチクルフィールドを選択することを特徴とする請求項1に記載の投影露光装置。
- 前記アライメント調整部が、あらかじめ定められた位置合わせ精度を満たすレチクルフィールドの中で、パターン配列数が最大となるレチクルフィールドを選択することを特徴とする請求項2に記載の投影露光装置。
- 前記アライメント調整部が、ロット更新後最初の計測では所定のアライメントマークの位置を検出し、2回目以降の計測では、定められた演算領域内の一部のアライメントマークの位置を検出することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の投影露光装置。
- 前記アライメント調整部が、選択されたレチクルフィールドに応じて、アライメント演算方式を選択することを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の投影露光装置。
- 前記複数のレチクルフィールドに対するパターン配列数の比が、2のべき乗で表されることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の投影露光装置。
- レチクルに形成されたマスクパターンを、基板に定められた複数のショット領域に従って転写し、
複数のショット領域に従って前記基板に設けられたアライメントマークの位置を検出する露光方法であって、
それぞれ異なるパターン数でマスクパターンを配列させた複数のレチクルフィールドを有するレチクルを提供し、
検出されたアライメントマーク位置に基づいてレチクルフィールドを選択し、
選択されたレチクルフィールドのマスクパターンを転写することを特徴とする投影露光方法。 - 投影露光装置を、
それぞれ異なるパターン数でマスクパターンを配列させた複数のレチクルフィールドを有し、レチクルに形成されたマスクパターンを、基板に定められた複数のショット領域に従って転写する露光制御手段と、
複数のショット領域に従って前記基板に設けられたアライメントマークの位置を検出するアライメント調整手段として機能させ、
検出されたアライメントマーク位置に基づいてレチクルフィールドを選択するように、アライメント調整手段として機能させ、
選択されたレチクルフィールドのマスクパターンを転写するように、前記露光制御手段として機能させることを特徴とするプログラム。 - それぞれ異なるパターン配列数でマスクパターンを配列させた複数のレチクルフィールドを有し、
隣接するレチクルフィールド間の距離間隔が、露光装置の照明光学系に設けられたアパーチャーによって生じるグレーゾーンの幅よりも大きいことを特徴とするレチクル。
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