KR20170023713A - 투영 노광 장치 - Google Patents

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Abstract

[과제] 레티클을 이용하여 패턴을 형성하는 투영 노광 장치에 있어서, 스루풋을 향상시키면서 마스크 패턴을 정밀하게 전사한다. [해결 수단] 패턴 배열 수의 각각 다른 복수의 레티클 필드(F1~F4)를 형성한 레티클(R)을 사용하는 투영 노광 장치(10)에 있어서, 기판(W)에 형성된 샷 영역(CP)에 대해 연산 영역(OA)을 규정하고, 위치 맞춤 오차량이 허용 오차 이하로 최대 사이즈의 레티클 필드를 선택한다.

Description

투영 노광 장치{PROJECTION EXPOSURE APPARATUS}
본 발명은, 레티클 등에 형성된 패턴을 기판에 전사하는 투영 노광 장치에 관한 것으로, 특히, 기판에 패턴을 거듭하여 전사할 때의 얼라인먼트(위치 맞춤)에 관한 것이다.
투영 노광 장치를 이용하여 제조되는 반도체 소자, 액정 표시 소자, 패키지 기판 등의 디바이스의 상당수는, 다층 구조가 되고, 웨이퍼 등의 기판에 패턴을 거듭 전사한다. 기판에 소정 피치로 같은 패턴을 배열시키듯이 노광을 하지만, 스루풋(throughput) 향상 때문에, 포토마스크(photo-mask)에 복수의 동일 패턴을 배치하고, 원 샷(one-shot, 1회의 노광)으로 복수의 샷(shot) 영역에 동시 전사하는 것도 가능하다.
한편, 원 샷당 전사하는 패턴 수를 많이 하면, 이미 전사되어 있는 하층 패턴에 대해서 전사 위치에 오차가 생기기 쉽고, 허용되는 중첩 오차의 범위에 넣는 것이 어렵다. 특히 FO-WLP(팬 아웃-웨이퍼 레벨 패키지, fan-out wafer level packaging) 기판의 경우는, 기판의 변형이 없더라도 팁 위치가 랜덤으로 시프트 하는 경향이 있다. 그 때문에, 전사 오차의 정보에 근거하여, 원 샷으로 동시에 노광하는 패턴 영역을 결정하고, 동시 전사의 패턴 수를, 위치 맞춤 정밀도에 따라 적당 변경한다.
거기에는, 복수의 동일 패턴을 소정 피치로 배치시킨 포토마스크(photo-mask)를 준비함과 동시에, 조명 광학계의 광로에 대해서 이동 및 퇴피 가능한 차광판을 설치한다. 얼라인먼트 오차에 따라 원 샷으로 노광하는 패턴 수가 결정되면, 노광에 사용하지 않는 패턴 영역을 차광하도록, 차광판을 이동시킨다(특허문헌 1, 2 참조).
일본 공개특허 특개2003-188071호 공보 일본 공개특허 특개2010-243823호 공보
차광판은 조명 광학계의 초점 위치에서 벗어나 있기 때문에, 차광판의 엣지 부분이 기판 상에 투영되면, 그 부분은 완전하게 차광되지 않는(노광량 제로가 아니다) 그레이 존(gray zone)이 되고, 패턴을 거듭하여 맞추었을 때 노광 불량이 된다. 이것을 막기 위해서는 패턴 간격을 넓히지 않으면 안 되지만, 패턴 배열이나 설계 등의 제약에 의해, 간격을 넓히는 것이 어렵다. 특히, 등배 투영 노광 장치의 경우, 일반적인 광학계에서는 그레이 존 폭이 넓어지기 때문에, 기판에 형성하는 패턴의 간격을 조밀하게 하는 것이 곤란해진다.
따라서, 얼라인먼트 정밀도, 스루풋을 유지하면서, 원 샷(one-shot)으로 노광하는 패턴 수를 적당 조정하여 패턴 간격을 조밀하게 노광 가능한 투영 노광 장치가 요구된다.
본 발명의 투영 노광 장치는, 레티클에 형성된 마스크 패턴을, 기판에 정해진 복수의 샷(shot) 영역에 따라 전사하는 노광 제어부와, 복수의 샷 영역에 따라 기판에 설치된 얼라인먼트 마크의 위치를 검출하는 얼라인먼트 조정부를 구비한다.
레티클에는, 각각 다른 패턴 수로 마스크 패턴을 배열시킨 복수의 레티클 필드가 형성되어 있다. 그리고, 레티클에서는, 일정한 거리 간격으로 마스크 패턴이 나란히 있는 것이 아니라, 인접하는 레티클 필드 사이는, 각 필드의 마스크 패턴 배열 간격과는 다른 소정의 거리 간격이 설치되어 있다. 이 인접하는 레티클 필드 간의 거리 간격은, 노광 장치의 조명 광학계에 설치된 조리개(aperture)에 의해서 생긴 그레이 존의 폭보다 커지도록 구성되어 있다. 예를 들면, 인접하는 레티클 필드 간의 거리 간격은, 각 필드의 마스크 패턴 간격보다 크다. 다만, 여기서의 레티클은, 포토마스크(photo-mask)와 동의(同義)이다.
본 발명에서는, 이러한 특징적인 레티클 필드가 형성된 레티클에 대해, 얼라인먼트 조정부가, 검출된 얼라인먼트 마크 위치에 근거하여 레티클 필드를 선택하고, 노광 제어부가, 선택된 레티클 필드의 마스크 패턴을 전사한다. 차광부 등에서 사용하는 마스크 패턴 에어리어(area)를 선택하는 것이 아니라, 미리 덩어리가 따로 분리된 소정수의 마스크 패턴 배열 중 어느 하나 선택하는 것으로, 조밀한 패턴 형성에서도 노광 불량이 억제된다. 특히, 차광판을 이용하는 것이 어려운 등배 투영 노광 장치 등의 장치에서도, 스루풋(throughput), 얼라인먼트 정밀도를 유지하면서 패턴 간격이 조밀한 노광을 실현 가능하게 한다.
얼라인먼트 조정부는, 정해진 연산 영역에 대해, 소정의 레티클 필드를 이용했을 경우의 위치 맞춤 오차량을 연산하고, 위치 맞춤 오차량에 따라 레티클 필드를 선택하는 것이 가능하다. 예를 들면, 위치 맞춤 오차량이 미리 정해진 위치 맞춤 정밀도, 즉 허용 오차량을 넘지 않는 레티클 필드를 선택하면 좋다. 처리 시간을 보다 짧게 하는 것을 고려하면, 얼라인먼트 조정부는, 미리 정해진 위치 맞춤 정밀도를 만족시키는 레티클 필드 중에서, 패턴 배열 수가 최대가 되는 레티클 필드를 선택하는 것이 좋다.
샷 배열의 오차 특성은, 로트 마다 같은 경향에 있을 가능성이 높다. 따라서, 얼라인먼트 조정부는, 로트 갱신 후 최초의 계측에서는 소정의 얼라인먼트 마크의 위치를 검출하고, 2번째 이후의 계측에서는, 정해진 연산 영역 내의 일부의 얼라인먼트 마크의 위치를 검출하면 좋다.
얼라인먼트 조정부가, 선택된 레티클 필드에 따르고, 얼라인먼트 연산 방식을 선택할 수 있다. 예를 들면, 위치 맞춤 오차량이 소정치를 넘지 않고, 보다 처리 시간이 짧은 얼라인먼트 방식(분할 글로벌 방식, 다이·바이·다이 얼라인먼트(die by die alignment) 방식 등)를 선택하면 좋다.
샷 배열이 매트릭스 형태인 것을 고려하면, 복수의 레티클 필드에 대한 패턴 배열 수의 비가 2의 제곱승으로 나타내지도록, 레티클 필드를 형성하면 좋다. 이것에 의해서, 샷 배열 전체에 대해서 효과적으로 레티클 필드를 선택적으로 채울 수 있다.
본 발명의 다른 태양에서의 투영 노광 방법은, 레티클에 형성된 마스크 패턴을, 기판에 정해진 복수의 샷 영역에 따라 전사하고, 복수의 샷 영역에 따라 기판에 설치된 얼라인먼트 마크의 위치를 검출하는 투영 노광 방법에 있어서, 각각 다른 패턴 수로 마스크 패턴을 배열시킨 복수의 레티클 필드를 갖는 레티클을 제공하고, 검출된 얼라인먼트 마크 위치에 근거하여 레티클 필드를 선택하고, 선택된 레티클 필드의 마스크 패턴을 전사한다.
본 발명의 다른 태양에서의 프로그램은, 투영 노광 장치를, 각각 다른 패턴 수로 마스크 패턴을 배열시킨 복수의 레티클 필드를 갖고, 레티클에 형성된 마스크 패턴을, 기판에 정해진 복수의 샷 영역에 따라 전사하는 노광 제어 수단과, 복수의 샷 영역에 따라 기판에 설치된 얼라인먼트 마크의 위치를 검출하는 얼라인먼트 조정 수단으로서 기능시키고, 검출된 얼라인먼트 마크 위치에 근거하여 레티클 필드를 선택하도록, 얼라인먼트 조정 수단으로서 기능시키고, 선택된 레티클 필드의 마스크 패턴을 전사하도록, 노광 제어 수단으로서 기능시킨다.
본 발명에 의하면, 투영 노광 장치에서, 스루풋을 향상시키면서, 마스크 패턴을 기판에 정밀도 좋게 전사할 수 있다.
[도 1] 본 실시 형태인 투영 노광 장치의 개략적 블록도이다.
[도 2] 기판(W)에 형성된 샷 배열을 나타낸 도이다.
[도 3] 기판(W)의 변형 등에 기인하는 샷 배열의 일그러짐을 나타낸 도이다.
[도 4] 레티클(R)을 나타낸 평면도이다.
[도 5] 기판에 설정된 연산 영역을 나타내는 도이다.
[도 6] 선택된 레티클 필드를 나타낸 도이다.
[도 7] 노광 시에 사용하는 레티클 필드(F1~F4)의 선택 순서를 나타낸 도이다.
[도 8] 얼라인먼트 조정을 포함한 노광 동작의 플로차트(flow chart)이다.
이하에서는, 도면을 참조하여 본 발명의 실시 형태에 대해 설명한다.
도 1은, 본 실시 형태인 투영 노광 장치의 개략적 블록도이다. 이하에서는, 1층의 패턴이 기판에 형성되고, 2층 이후, 기판에 마스크 패턴을 거듭하여 맞추는 노광 프로세스를 실시하는 것을 전제로 하여 설명한다.
투영 노광 장치(10)는, 포토마스크(photo-mask)로서의 레티클(R)에 형성된 마스크 패턴을, 스텝&리피트(step & repeat) 방식에 따라서 기판(워크 기판)(W)에 전사하는 노광 장치이며, 방전 램프 등의 광원(20), 투영 광학계(34)를 구비하고 있다. 레티클(R)은 석영재 등으로 구성되고, 차광 영역을 갖는 마스크 패턴이 형성되어 있다. 기판(W)은, 여기에서는 실리콘, 세라믹스, 유리 혹은 수지제의 기판(예를 들면, 인터포저(interposer) 기판) 등이 적용된다.
광원(20)으로부터 방사된 조명광은, 미러(22)를 개입시켜 인티그레이터(integrators)(24)에 입사하고, 조명 광량이 균일하게 된다. 균일이 된 조명광은, 미러(26)를 개입시켜 콜리메이터 렌즈(collimator lens)(28)에 입사한다. 이것에 의해, 평행광이 레티클(R)에 입사한다. 광원(20)은, 램프 구동부(21)에 의해서 구동 제어된다.
레티클(R)에는, 복수의 필드 마다 마스크 패턴이 형성되고, 마스크 패턴이 투영 광학계(34)의 광원측 초점 위치가 되도록, 레티클(R)이 레티클용 스테이지(30)에 탑재되어 있다. 1개의 필드만 광을 조사하도록, 조리개(aperture)(도시하지 않음)가 레티클(R)의 광원 측에 설치되어 있다.
레티클(R)을 탑재한 스테이지(30), 기판(W)을 탑재한 스테이지(40)에는, 서로 직교하는 X-Y―Z의 3축 좌표계가 규정되어 있다. 스테이지(30)는, 레티클(R)을 초점면을 따라서 이동시키도록 X-Y 방향으로 이동 가능하고, 스테이지 구동부(32)에 의해서 구동된다. 또 스테이지(30)는, X-Y 좌표 평면에서 회전도 가능하다. 스테이지(30)의 위치 좌표는, 여기에서는 레이저 간섭계 혹은 리니어 엔코더(도시하지 않음)에 의해서 측정된다.
레티클(R)의 마스크 패턴이 형성된 레티클 필드(에어리어)를 투과한 광은, 투영 광학계(34)에 의해서 기판(W)에 패턴광으로서 투영된다. 기판(W)은, 그 노광면이 투영 광학계(34)의 상측 초점 위치와 일치하도록, 기판용 스테이지(40)에 탑재되어 있다.
스테이지(40)는, 기판(W)을 초점면을 따라서 이동시키도록 X-Y 방향으로 이동 가능하고, 스테이지 구동부(42)에 의해서 구동된다. 또, 스테이지(40)는, 초점면(X-Y 방향)에 수직인 Z축 방향(투영 광학계(34)의 광축 방향)으로 이동 가능하고, 또한, X-Y 좌표 평면에서 회전도 가능하다. 스테이지(40)의 위치 좌표는, 도시하지 않은 레이저 간섭계 혹은 리니어 엔코더에 의해서 측정된다.
제어부(50)는, 스테이지 구동부(32, 42)를 제어하여 레티클(R), 기판(W)을 위치 결정함과 동시에, 램프 구동부(21)를 제어한다. 그리고, 스텝&리피트 방식에 근거하는 노광 동작을 실행한다. 제어부(50)에 설치된 메모리(도시하지 않음)에는, 레티클(R)의 마스크 패턴 위치 좌표, 기판(W)에 형성된 샷 영역의 설계 상의 위치 좌표, 스텝 이동량 등이 기억되어 있다.
얼라인먼트 마크 촬상부(36)는, 기판(W)에 형성된 얼라인먼트 마크를 촬상하는 카메라 혹은 현미경이며, 샷 노광 전에 얼라인먼트 마크를 촬상한다. 화상 처리부(38)는, 얼라인먼트 마크 촬상부(36)에서 보내져 오는 화상 신호에 근거하여, 얼라인먼트 마크의 위치 좌표를 검출한다.
제어부(50)는, 스텝&리피트 방식에 따라, 기판(W)에 형성된 각 샷 영역에 레티클(R)의 마스크 패턴을 차례차례 전사하여 나간다. 즉, 제어부(50)는, 샷 영역 간격에 따라서 스테이지(40)를 간헐적으로 이동시켜, 마스크 패턴의 투영 위치에 노광 대상이 되는 샷 영역이 위치 결정되면, 광원(20)을 구동하여 패턴광을 샷 영역에 투영시킨다.
마스크 패턴의 전사에 앞서, 제어부(50)는, 글로벌 얼라인먼트(global alignment, 이하, GA) 방식 혹은 다이바이다이(die by die, 이하, D/D) 방식에 따라, 샷 영역의 배열 오차, 즉 위치 맞춤 오차를 검출gkrh, 기판(W)의 샷 영역과 마스크 패턴의 투영 에어리어(area)와의 위치 맞춤을 실시한다.
도 2는, 기판(W)에 형성된 샷 배열을 나타낸 도이다. 도 3은, 기판(W)의 변형 등에 기인하는 샷 배열의 일그러짐을 나타낸 도이다.
도 2에 나타내듯이, 기판(W)에는, X-Y 좌표계에 의해서 규정되는 그리드(grid)에 맞추어 칩(CP)을 매트릭스 형상으로 일정 간격으로 배열시킨 하층 패턴이 형성되어 있다. 각 칩(CP)은 샷 영역에 상당하고, 레티클(R)에 형성되어 있는 마스크 패턴을 칩(CP)(이하, 샷 영역이라고도 한다) 상에 겹쳐 형성한다.
또, 샷 영역(CP)의 배열에 따라서, 위치 맞춤용의 얼라인먼트 마크(AM)가 각 샷 영역 내의 임의의 위치(도 2에서는 좌우단 중앙 위치)에 짝이 형성되어 있다. 도 2에서는, 7×7의 샷 영역(CP)이 웨이퍼 등의 기판(W)에 형성되어 있다.
투영 노광의 경우, 레티클(R)에 복수의 마스크 패턴을 설치하는 것으로, 복수의 마스크 패턴을 원 샷으로 노광할 수 있다. 스루풋 향상을 위해서는, 가능한 한 패턴 수를 많이 하는 것이 바람직하다. 그 한편으로, 샷 영역(CP)에 패턴을 거듭하는 경우, 위치 맞춤 정밀도의 관점에서 보면, 가능한 한 적은 패턴 수로 원 샷 노광을 실시하는 것이 바람직하다.
도 3에는, 기판(W)의 변형에 의해서 샷 영역(CP)의 줄이 무너지고 있는 상태를 나타내고 있다. 여기에서는, 샷 배열의 일그러짐을 과장하여 그리고 있지만, 기판(W)이 프린트 기판이나 인터포저 기판인 경우, 기판(W)의 변형은 크고, 또, 변형의 정도는 기판 부위에 의해서 다르다. 또, FO-WLP 기판 등에서는, 칩 마운트 정밀도에 기인하는 랜덤인 샷 배열 오차가 발생한다.
본 실시 형태에서는, 레티클(R)에 대해 마스크 패턴의 배열 수가 각각 다른 복수의 레티클 필드를 형성하고, 기판(W)의 장소에 의해서 원 샷 노광시의 패턴 수를 변경하고, 특히, 허용되는 위치 맞춤 정밀도를 만족하는 범위에서 패턴 수가 최대의 레티클 필드를 선택한다. 이하, 이것에 대해 설명한다.
도 4는, 레티클(R)을 나타낸 평면도이다.
레티클(R)에는, 차광부가 되는 레티클 본체(RB)에 4개의 레티클 필드(F1~F4)가 설치되고, 동일한 마스크 패턴(MP)이, 패턴 배열 수가 각각 다르도록 형성되어 있다. 레티클 필드(F1, F2, F3, F4)의 패턴 배열 수는, 각각 1(=20), 4(=22), 8(=23), 16(=24)이 되고 있다. 다만, 여기에서는 마스크 패턴 1개의 경우도, 배열 수라고 하여 포함한다. 또, 레티클 필드의 배열 수의 조합은 임의이며, 이 조합에 한정하는 것은 아니다.
레티클(R)에 조사되는 조명광의 조사 에어리어는, 레티클 필드(F4)의 사이즈에 상당한다. 그리고, 특정의 레티클 필드를 조사하는 경우, 다른 레티클 필드에 조명광이 입사하지 않게, 필드 간에서 거리 간격을 비워 레티클 필드(F1~F4)를 형성하고 있다. 인접하는 레티클 필드 간의 거리 간격은, 각 필드의 마스크 패턴 간격보다 충분히 크고, 상술한 조리개에 의해서 생기는 그레이 존의 폭보다 커지도록 정해져 있다.
마스크 패턴(MP) 및 그 배열 간격은, 기판(W)의 샷 영역(CP)의 배열 간격에 대응하고 있다. 따라서, 도 2에 나타내듯이 기판(W) 변형이 없는 이상적(이론적) 샷 영역의 배열인 경우, 샷 영역의 배열 오차가 없는 것으로부터, 가장 패턴 배열 수가 많은 레티클 필드(F4)에 의해서 패턴 전사하면, 기판(W) 전체에 대한 샷 회수를 최소로 억제할 수 있다.
그렇지만, 도 3에 나타내는 복잡한 변형을 가지는 기판(W)의 경우, 가장 패턴 배열 수가 많은 레티클 필드(F4)를 이용하여 노광을 실시하면, 허용되는 오버레이 정밀도를 넘어 마스크 패턴을 거듭하여 맞출 우려가 있다.
거기서, 기판(W)의 노광 대상 영역 전체를 복수의 영역(이하에서는, 연산 영역이라고 한다)에 분할하고, 연산 영역마다 위치 겹침 오차량을 산출하고, 허용되는 위치 맞춤 정밀도를 만족시키는 레티클 필드 중에서 패턴 수가 최대가 되는 레티클 필드를 선택한다.
도 5는, 기판으로 설정된 연산 영역을 나타내는 도이다. 도 6은, 선택된 레티클 필드를 나타낸 도이다. 다만, 도 5에서는, 도 2, 3과 달리, 8×8의 샷 영역 배열이 되어 있다. 또, 여기에서는 설명을 용이하게 하기 위해, 레티클(R)에는 레티클 필드(F1, F2)만 선택 대상으로 한다.
레티클 필드(F1, F2) 중 어느 하나를 선택하기 위해, 레티클 필드(F2)의 패턴 배열에 대응 하는 2×2의 샷 영역(CP)이, 연산 영역(OA)으로서 규정된다. 샷 영역(CP) 각각에는 1쌍의 얼라인먼트 마크(AM)가 설치되어 있기 때문에, 연산 영역(OA)에는 8개의 얼라인먼트 마크(AM)가 포함되어 있다.
기판(W)에는 4×4(=16)의 연산 영역(OA)이 규정되어, 각각의 연산 영역(OA)에 대해서 위치 맞춤 오차를 요구한다. 여기에서는, 이론상(설계상)의 얼라인먼트 마크 위치 좌표와 실제로 계측된 얼라인먼트 마크 위치 좌표와의 차분량을 8개의 얼라인먼트 마크(AM) 각각 구하고, 그 표준 편차를 위치 맞춤 오차로서 산출한다.
또한, 기판(W)의 네 모서리에 형성되는 샷 영역(CP)은 위치 맞춤 오차량 산출 대상 외로 한다. 또, 표준 편차 대신에, 오차총화(誤差總和), 평균치 등을 위치 맞춤 오차량으로서 산출해도 괜찮다.
소정의 연산 영역(OA)에 대해서 구해진 위치 맞춤 오차량은, 허용 오차량과 비교된다. 허용 오차량은, 허용되는 오차량의 최대 오차량을 나타내고, 요구되는 패턴 정밀도, 기판(W)의 성질 등에 대응하여 정해진다. 구해진 위치 맞춤 오차량이, 허용 오차량 이하의 경우, 그 연산 영역(OA)에 대해, 레티클 필드(F2)를 이용하여 노광 동작을 실시한다.
한편, 산출된 위치 맞춤 오차량이 허용 오차량보다 큰 경우, 1개의 마스크 패턴 밖에 설치되지 않은 레티클 필드(F1)를 이용한 노광 동작을 한다. 도 6에서는, 해칭된 연산 영역(OA)에는 레티클 필드(F2)가 선택되고, 그 이외의 연산 영역(OA)에 대해서는, 레티클 필드(F1)가 선택되고 있다.
연산 영역(OA) 각각에 대해 레티클 필드(F1, F2) 중 어느 하나를 선택하면, 레티클 필드(F1), 레티클 필드(F2) 마다 노광 동작을 실행한다. 예를 들면, 처음에 레티클 필드(F2)가 선택된 연산 영역(OA)에 대해, 차례차례 스텝 노광을 실행하고, 그 후, 레티클 필드(F1)가 선택된 연산 영역(OA)에 대해서 스텝 노광이 실행된다.
도 5, 6에서는, 레티클 필드(F1, F2)만을 사용했을 경우의 노광 순서에 대해 설명했지만, 실제로는, 도 2에 나타낸 레티클 필드(F1~F4)를 사용하여 노광 동작을 실행한다. 이하, 도 7을 이용하여 설명한다.
도 7은, 노광시에 사용하는 레티클 필드(F1~F4)의 선택 순서를 나타낸 도이다.
도 5, 6과 동일하게, 기판(W)에는 8×8의 샷 영역(CP)이 형성되는 것으로 한다. 여기에서는, 레티클 필드(F4), F3, F2, F1의 순서로 필드 선택을 실시하기 위해, 연산 영역(OA)도 거기에 맞추어 차례차례 사이즈를 변경하여 나간다. 처음에, 전체의 샷 배열(총 배열)(SA)에 대해, 레티클 필드(F4)의 패턴 배열 수에 맞춘 연산 영역(OA1)을 정한다. 즉, 4×4(=16)의 샷 영역(CP)으로 구성되는 연산 영역(OA1)이 최초로 규정된다.
그리고, 규정된 4개의 연산 영역(OA1)에 대해, 얼라인먼트 마크의 위치 맞춤 오차량이 각각 산출된다. 위치 맞춤 오차량이 미리 정해진 허용 오차량 이하인 연산 영역(OA1)에 대해서는, 레티클 필드(F4)를 선택한다. 한편, 위치 맞춤 오차량이 허용 오차량을 넘는 경우, 새롭게 연산 영역을 규정한다. 레티클 필드(F3)의 선택 판단을 실시하기 위해, 2×4(=8)의 샷 영역(CP)으로 구성되는 연산 영역(OA2)을, 레티클 필드(F4)의 선택되지 않았던 에어리어를 대상으로 하여 규정한다.
필드 선택 대상이 되는 연산 영역(OA2)(도 7에서는 4개) 각각에 대해 위치 맞춤 오차량을 산출하고, 레티클 필드(F3)가 선택 가능한가 판단한다. 위치 맞춤 오차량이 허용 오차량 이하인 경우, 레티클 필드(F3)가 선택된다. 한편, 위치 맞춤 오차량이 허용 오차량을 넘는 경우, 나머지의 에어리어에 대해서 2×2(=4)의 샷 영역(CP)으로 구성되는 연산 영역(OA3)이 새롭게 규정된다.
연산 영역(OA3) 각각에 대해 위치 맞춤 오차량을 산출하고, 허용 오차 이하인 경우에는 레티클 필드(F2)가 선택된다. 위치 맞춤 오차량이 허용 오차를 넘는 경우, 나머지의 에어리어에 대해서 레티클 필드(F1)가 선택된다.
이와 같이 사이즈가 큰 레티클 필드의 순서로 레티클 필드 및 그 레티클 필드로 노광하는 에어리어를 설정함으로써, 총 배열(SA)에 대한 스텝 노광 회수를 최소한으로 억제할 수 있다.
한편, 상술한 것처럼, 검출된 위치 맞춤 오차량에 근거하여 보정치를 산출하고, 스테이지(40)를 구동 제어하여 얼라인먼트의 조정, 즉 패턴의 거듭하여 맞댐 위치를 조정한다. 구체적으로는, 위치 맞춤 오차량으로부터 오프셋치, 회전량의 보정치를 산출한다. 그리고, 스테이지(40)를 X-Y 좌표계에 따라 이동시키고, 기판(W)의 위치를 조정한다.
여기서 보정치의 산출은, GA방식, D/D방식에 의해서 산출의 방법이 다르다(다만, 여기에서는 연산 영역(OA)이 산출 대상 에어리어가 된다).
GA방식으로는, 비직선 상에 있는 적어도 3개의 얼라인먼트 마크(AM)를 대상이 되는 연산 영역(OA)에 대해서 임의로 추출하고, 계측된 얼라인먼트 마크(AM)의 위치로부터 구할 수 있는 통계적인 보정치에 의해서 얼라인먼트 조정을 실시한다. 얼라인먼트 조정이 한 번 행해지면, 1개의 연산 영역(OA)을 노광하고 있는 동안, 동일한 보정치를 사용하여 기판(W)을 스텝 노광한다.
한편, D/D방식으로는, 샷 영역(CP)에 대응하는 영역마다 2곳의 얼라인먼트 마크(AM)가 추출되고, 보정치가 산출된다. 이 보정치는 연산 영역(OA) 각각에 대해 산출되어, 각각의 보정치를 사용하여 기판(W)을 스텝 노광한다.
본 실시 형태에서는, 레티클 필드 선택과 동시에, 그 레티클 필드를 사용하는 노광 대상 에어리어(즉, 연산 영역(OA))에 대해, 얼라인먼트 방식이 선택된다. 구체적으로는, 각 샷의 위치 맞춤 오차량을 예측하고, 위치 맞춤 오차량이 소정치를 넘지 않는 범위에서 보다 처리 시간이 짧은 얼라인먼트 방식이 채용된다.
예를 들면, 샷 배열이 설계치에 가까운 경우에 이용되는 레티클 필드(F4)를 사용하는 연산 영역에 대해서는 GA방식을 사용하고, 샷 배열이 비교적 랜덤인 경우에 이용되는 레티클 필드(F2)를 사용하는 연산 영역에 대해서 D/D방식을 채용할 수 있다. 또, 변형 정도의 큼, 즉 위치 맞춤 오차량이 큰 연산 영역에 대해서는 D/D 방식을 채용하고, 오차량이 작은 연산 영역에 도착하여 GA방식을 채용해도 괜찮다. 또, GA 혹은 D/D 방식 이외의 얼라인먼트 방식을 이용해도 괜찮다.
도 8은, 얼라인먼트 조정을 포함한 노광 동작의 플로 차트(flow chart)이다.
노광 대상이 되는 기판이 생산 로트 한 장의 경우, 모든 얼라인먼트 마크의 위치가 계측된다(S101, S102). 한편, 생산 로트 2매째 이후인 경우, 생산 로트 1매째에 구할 수 있던 연산 영역의 필요 최소수로 얼라인먼트 마크의 위치를 계측한다(S101, S103). 생산 로트 1매째와 2매째 이후에서, 그 기판 변형 특성이 같은 특성을 갖고 있다고 보고, 계측하는 얼라인먼트 마크 수를 줄여도 같은 위치 맞춤 오차량을 산출할 수 있다.
스텝 S104, S105에서는, 정해진 연산 영역에 대해서 위치 맞춤 오차량이 허용 오차량 이하가 되는 레티클 필드 중에서 최대 사이즈(최대 패턴 배열 수)의 레티클 필드가 선택됨과 동시에, 얼라인먼트 방식이 선택된다. 그리고, 선택된 얼라인먼트 방식에 따라서 보정치가 산출된다(S106, S107, S108).
보정치에 근거하여 기판(W)의 얼라인먼트 조정을 함과 동시에, 스테이지(30)에 의해서 선택된 레티클 필드를 전사하도록 스테이지(30)를 이동시키다. 그것과 함께, 기판(W)의 위치를 이동시켜 대상이 되는 노광 에어리어에 대해 스텝&리피트 노광을 실시한다. 이것을 사이즈가 큰 레티클 필드의 순서로 실시한다(S109). 다만, 전회의 스텝&리피트 노광에 최후에 사용된 레티클 필드를 최초로 선택하여 노광해도 괜찮다.
이와 같이 본 실시 형태에 의하면, 패턴 배열 수의 각각 다른 복수의 레티클 필드(F1~F4)를 형성한 레티클(R)을 사용하는 투영 노광 장치(10)에 있어서, 기판(W)에 형성된 샷 영역(CP)에 대해 연산 영역(OA)을 규정하고, 위치 맞춤 오차량이 허용 오차 이하로 최대 사이즈의 레티클 필드를 선택한다.
이러한 구성에 의해, 조리개 등의 광학 부재에 의하지 않고 바람직한 패턴 배열 수로 원 샷 노광을 실시하는 것이 가능해져, 스루풋 저하를 억제하면서, 패턴 간격을 조밀하게 노광하는 것이 가능하고, 또 패턴 위치 정밀도를 향상시킬 수 있다. 특히, 2의 제곱승의 비에 따라서 패턴 배열 수를 설정하는 것에 의해서, 기판 전체에 대해서 틈새 없이 레티클 필드를 선택할 수 있다.
또, 로트 1매째와 2매째 이후에 있어서 얼라인먼트 마크의 계측의 방법을 변경하는 것으로, 로트 전체의 생산성을 높일 수 있다. 또한, 기판의 부위 마다 적합한 얼라인먼트 방식에 의해서 얼라인먼트 조정할 수 있다.
또한, 얼라인먼트 마크는, 홀(hoel), 패턴, 문자, 스크라이브 라인(scribe line) 등 화상 처리에 의해 인식 가능한 특징이면 좋다. 포토마스크(photo-mask)는 1매로 한정되지 않고, 복수의 레티클을 준비하여 각 레티클에 1개 또는 복수의 레티클 필드를 형성해도 좋다. 이 경우, 복수의 레티클을 위치 결정 제어한다.
10 투영 노광 장치
38 화상 처리부
40 스테이지
42 스테이지 구동부
50 제어부
W 기판
AM 얼라인먼트 마크
R 레티클

Claims (9)

  1. 레티클에 형성된 마스크 패턴을, 기판에 정해진 복수의 샷 영역에 따라 전사하는 노광 제어부와,
    복수의 샷 영역에 따라 상기 기판에 설치된 얼라인먼트 마크의 위치를 검출하는 얼라인먼트 조정부를 구비하고,
    상기 레티클이, 각각 다른 패턴 수로 마스크 패턴을 배열시킨 복수의 레티클 필드를 갖고,
    상기 얼라인먼트 조정부가, 검출된 얼라인먼트 마크 위치에 근거하여 레티클 필드를 선택하고,
    상기 노광 제어부가, 선택된 레티클 필드의 마스크 패턴을 전사하는 것을 특징으로 하는 투영 노광 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 얼라인먼트 조정부가, 정해진 연산 영역에 대해, 소정의 레티클 필드를 이용했을 경우의 위치 맞춤 오차량을 연산하고, 위치 맞춤 오차량에 따라 레티클 필드를 선택하는 것을 특징으로 하는 투영 노광 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 얼라인먼트 조정부가, 미리 정해진 위치 맞춤 정밀도를 만족시키는 레티클 필드 중에서, 패턴 배열 수가 최대가 되는 레티클 필드를 선택하는 것을 특징으로 하는 투영 노광 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 얼라인먼트 조정부가, 로트 갱신 후 최초의 계측에서는 소정의 얼라인먼트 마크의 위치를 검출하고, 2번째 이후의 계측에서는, 정해진 연산 영역 내의 일부의 얼라인먼트 마크의 위치를 검출하는 것을 특징으로 하는 투영 노광 장치.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 얼라인먼트 조정부가, 선택된 레티클 필드에 따라, 얼라인먼트 연산 방식을 선택하는 것을 특징으로 하는 투영 노광 장치.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 레티클 필드에 대한 패턴 배열 수의 비가, 2의 제곱승으로 나타내지는 것을 특징으로 하는 투영 노광 방법.
  7. 레티클에 형성된 마스크 패턴을, 기판에 정해진 복수의 샷 영역에 따라 전사하고,
    복수의 샷 영역에 따라 상기 기판에 설치된 얼라인먼트 마크의 위치를 검출하는 투영 노광 방법에 있어서,
    각각 다른 패턴 수로 마스크 패턴을 배열시킨 복수의 레티클 필드를 갖는 레티클을 제공하고,
    검출된 얼라인먼트 마크 위치에 근거하여 레티클 필드를 선택하고,
    선택된 레티클 필드의 마스크 패턴을 전사하는 것을 특징으로 하는 투영 노광 방법.
  8. 투영 노광 장치를,
    각각 다른 패턴 수로 마스크 패턴을 배열시킨 복수의 레티클 필드를 갖고, 레티클에 형성된 마스크 패턴을, 기판에 정해진 복수의 샷 영역에 따라 전사하는 노광 제어 수단과,
    복수의 샷 영역에 따라 상기 기판에 설치된 얼라인먼트 마크의 위치를 검출하는 얼라인먼트 조정 수단으로서 기능시키고,
    검출된 얼라인먼트 마크 위치에 근거하여 레티클 필드를 선택하도록, 얼라인먼트 조정 수단으로서 기능시키고,
    선택된 레티클 필드의 마스크 패턴을 전사하도록, 상기 노광 제어 수단으로서 기능시키는 것을 특징으로 하는 프로그램.
  9. 각각 다른 패턴 배열 수로 마스크 패턴을 배열시킨 복수의 레티클 필드를 갖고,
    인접하는 레티클 필드 간의 거리 간격이, 노광 장치의 조명 광학계에 설치된 조리개(aperture)에 의해서 생기는 그레이 존의 폭보다 큰 것을 특징으로 하는 레티클.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200105371A (ko) * 2019-02-28 2020-09-07 가부시키가이샤 오크세이사쿠쇼 노광 장치, 측정 장치, 및 얼라이먼트 방법
US12014935B2 (en) 2019-10-21 2024-06-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Interposer and method of manufacturing the interposer

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110727169B (zh) * 2018-07-17 2021-04-06 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种掩模装置、曝光设备及曝光方法
JP7229637B2 (ja) * 2019-02-28 2023-02-28 株式会社オーク製作所 露光装置および露光方法
KR20210000922A (ko) * 2019-06-26 2021-01-06 동우 화인켐 주식회사 분할 노광 마스크 및 이를 이용한 분할 노광 방법
CN113267957B (zh) * 2021-05-28 2024-01-23 上海华力微电子有限公司 掩模板及监控遮光板位置的方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1187229A (ja) * 1997-09-01 1999-03-30 Canon Inc 位置合わせ方法、露光装置およびデバイス製造方法
JP2002099097A (ja) * 2000-09-25 2002-04-05 Nikon Corp 走査露光方法および走査型露光装置
JP2003188071A (ja) 2001-12-17 2003-07-04 Nikon Corp 露光方法及びデバイス製造方法
KR20030063066A (ko) * 2002-01-18 2003-07-28 산에이 기껜 가부시키가이샤 분할 노광방법
JP2010093056A (ja) * 2008-10-08 2010-04-22 Mejiro Precision:Kk 投影露光装置
JP2010243823A (ja) 2009-04-07 2010-10-28 Mejiro Precision:Kk 投影露光装置のアライメント方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000267257A (ja) * 1999-03-12 2000-09-29 Canon Inc マスク及びそれを用いた露光方法
JP2006186254A (ja) * 2004-12-28 2006-07-13 Nikon Corp 基板処理装置で用いられるデータのデータ構造及びデータ処理方法、記録媒体、並びにプログラム
JP5311341B2 (ja) * 2006-06-14 2013-10-09 Ｎｓｋテクノロジー株式会社 近接露光装置及び近接露光方法
CN101652720A (zh) * 2007-04-10 2010-02-17 株式会社尼康 曝光装置、曝光方法和电子器件制造方法
US9025136B2 (en) * 2008-09-23 2015-05-05 Applied Materials, Inc. System and method for manufacturing three dimensional integrated circuits
US8299446B2 (en) * 2009-08-12 2012-10-30 Ultratech, Inc. Sub-field enhanced global alignment
TWI530986B (zh) * 2010-09-03 2016-04-21 應用材料股份有限公司 ３ｄ堆疊式集成電路之微影製程方法及系統
TWI578096B (zh) * 2013-03-22 2017-04-11 V科技股份有限公司 校正用光罩及校正方法
WO2015138130A1 (en) * 2014-03-10 2015-09-17 Applied Materials, Inc. Pixel blending for multiple charged-particle beam lithography

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1187229A (ja) * 1997-09-01 1999-03-30 Canon Inc 位置合わせ方法、露光装置およびデバイス製造方法
JP2002099097A (ja) * 2000-09-25 2002-04-05 Nikon Corp 走査露光方法および走査型露光装置
JP2003188071A (ja) 2001-12-17 2003-07-04 Nikon Corp 露光方法及びデバイス製造方法
KR20030063066A (ko) * 2002-01-18 2003-07-28 산에이 기껜 가부시키가이샤 분할 노광방법
JP2010093056A (ja) * 2008-10-08 2010-04-22 Mejiro Precision:Kk 投影露光装置
JP2010243823A (ja) 2009-04-07 2010-10-28 Mejiro Precision:Kk 投影露光装置のアライメント方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200105371A (ko) * 2019-02-28 2020-09-07 가부시키가이샤 오크세이사쿠쇼 노광 장치, 측정 장치, 및 얼라이먼트 방법
US12014935B2 (en) 2019-10-21 2024-06-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Interposer and method of manufacturing the interposer

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