JP2010093056A - 投影露光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】露光前に第1の露光領域の各露光位置における各重ね合わせ誤差を演算するステップ(S21)と、プリント基板の測定結果に基づき演算結果が許容値未満か否かを判断するステップ(S22)と、判断の結果が許容値未満の露光位置ではその露光領域で露光を設定するステップ(S23)と、判断の結果が許容値以上の露光位置ではその露光領域を分割した露光領域を設定するステップ(S24)とを露光領域の面積が最小になるまで繰り返して面積及び露光順序を設定する。
【選択図】図7
Description
請求項1の本発明によれば、露光領域露光領域の各露光位置における露光領域に対応したプリント基板上に形成されたパターン回路との各重ね合わせ誤差を演算して、重ね合わせ誤差の演算結果が予め入力された重ね合わせ誤差の許容値未満か否かを判断することができる。従って、重ね合わせ誤差の精度が許容値未満の露光領域の露光位置では比較的大きな露光領域を用いて露光させて露光の製造速度を上げることができる。逆に、重ね合わせ誤差の精度が許容値以上の露光領域の露光位置では、比較的小さな露光領域を用いて露光させて各基準マークの位置が偏移しても回路パターンを的確な位置に形成できる。
また、小さな露光領域で露光する場合でも、予め計測した結果よりその露光領域に対応した各重ね合わせ誤差を再演算するので、特許文献2の毎回実測した結果により新たな位置合わせを行う事による処理時間の低下も発生しない。また、予め計測した結果を用いるので、小さな露光領域の近傍に基板マークを設置する必要も無い。
請求項2の本発明によっても、請求項1と同様に、露光領域の各露光位置における隣接する露光領域との各重ね合わせ誤差を演算して、プリント基板の寸法の測定結果に基づき、重ね合わせ誤差の演算結果が予め入力された重ね合わせ誤差の許容値未満か否かを判断することができる。従って、重ね合わせ誤差の精度が許容値未満の露光領域の露光位置では比較的大きな露光領域で露光させて露光の製造速度を上げることができる。逆に、重ね合わせ誤差の精度が許容値以上の露光領域の露光位置では、比較的小さな露光領域で露光させて各基準マークの位置が偏移しても回路パターンを的確な位置に形成できる。
また、小さな露光領域で露光する場合でも、予め計測した結果よりその露光領域に対応した各重ね合わせ誤差を再演算するので、新たな位置合わせを行う事による処理時間の低下も発生しない。また、予め計測した結果を用いるので、小さな露光領域の近傍に基板マークを設置する必要も無く、誤差を演算できない場合が無い。
本実施態様では、露光回路パターンの最大と最小の領域を設定できるので、露光回路パターンの領域を装置の仕様や能力に応じて決めることができる。
本実施態様では、重ね合わせ誤差を演算して、判断することができるので、重ね合わせ誤差により、露光に適した露光領域のうちの重ね合わせ精度を満たす最大領域を選択することができる。
本実施態様では、測定結果から非線形の誤差を分類することで重ね合わせ誤差を得ることができる。この重ね合わせ誤差は、実際にその露光領域の大きさで投影光学系による補正をして露光を行った時に予想される重ね合わせ誤差となる為、最適な露光領域の大きさを見つけるのに役立つ。
又、最適な露光領域で露光する場合でも、予め計測した結果よりその露光領域に対応した各重ね合わせ誤差を再演算するので、新たな位置合わせを行う事による処理時間の低下も発生しない。
本実施態様では、重ね合わせ誤差を許容値と比較することで、実際にその露光領域の大きさで投影光学系による補正をして露光を行った場合に、重ね合わせ仕様を満足するか否かの可否を判断することができる。また、露光領域の大きさが変わるという事は露光範囲の変更や移動位置の変更を伴う。これらの情報に基づき露光順序を決定する事で、処理時間を短くできるという効果がある。
本実施態様では、可動板によりフォトマスク上の回路パターン領域から露光領域を選択して露光させることができる。例えば、最大露光領域を同じ大きさに4分割する場合、可動板は4分割された各位置を露光させるように駆動させる必要がある。この4分割された各領域中の4つの回路パターンは共通の回路パターンである。従って、可動板を早く駆動できる場合は問題ないが、その駆動が遅い場合は、可動板は一つの露光領域を露光できるように固定して、プリント基板を載置する高速なXYステージ等を駆動させることで露光領域面積が固定された可動板を、プリント基板上の4分割された各領域に対応するように移動させても良い。
本実施態様では、最大露光領域と最小露光領域との中間の面積の露光領域を用いて露光させるので、最大領域で露光させることができない場合に、全て最小露光領域としなくてもよいので、露光回数を減らし、総露光時間を少なくすることができる。
<第1実施形態>
図1は、本発明に係る第1実施形態の投影露光装置の概略構成を示すブロック図である。
投影露光装置1は、光源部を含む照明光学系10からの出射光をフォトマスク20に形成された回路パターンに照射し、そのフォトマスク20を通過した回路パターンの像を含む光を、投影光学系50を介してプリント基板100上に投影して露光させる装置である。より詳しくは、露光前のプリント基板材料の上に均等に塗布された感光材料(フォトレジスト)に、回路パターンを露光させることで、プリント基板材料の上にプリント配線部を形成する装置である。露光装置には、使用される感光材料に対応してソルダレジスト用とパターンレジスト(ドライフィルムレジスト等)用がある。後工程ではんだを付着させる場合にはソルダレジストが用いられ、基板の銅箔層をエッチングする場合には、パターンレジストが用いられる。
フォトマスク側顕微鏡15は、露光させる波長の光を用いてフォトマスク20上の投影側基準マーク25と、プリント基板100上の基板側基準マーク105との位置が合致するように調整する場合に使用する。フォトマスク側顕微鏡15は、2個又は4個等の複数の顕微鏡と各顕微鏡から得られた画像を撮像する撮像素子等のカメラを含む。複数のフォトマスク側顕微鏡15を用いることで、複数の基準マーク25とステージ基準マーク75の位置ズレ量を計測することができる。
次に基板側顕微鏡65をステージ基準マーク75の上に移動し、基板側顕微鏡65により投影側基準マーク25の投影像とステージ基準マーク75の位置ズレ量を計測する。計測されたデータはマーク計測部70により同じく処理され、基板側顕微鏡65の計測した位置とフォトマスク20の投影像との位置関係が記憶される。
ステージ60上にプリント基板100が搭載された際には、基板側顕微鏡65により計測されたプリント基板100上の基準マーク105の計測結果を、上記した各位置関係の記憶を用いて補正することで、フォトマスク20の投影像をプリント基板100に正確に重ね合わせて露光する事が可能となる。
上記のように基板側顕微鏡65の計測位置は、予め伸縮が無い条件で設定されているので、各基準マーク105を計測することで基板の伸縮量を計測することが可能になる。尚、本実施形態の基板側顕微鏡65は、処理時間を短縮する為に複数設けられているが、ステージ60を移動する事で、複数の基準マーク105を計測するようにしてもよい。
上述のプリント基板の伸縮量がマーク計測部70により計測されると、その結果に応じて伸縮したプリント基板とフォトマスク20の投影像が精度良く重なり合う様に投影倍率制御により制御が行われる。
ステージ基準マーク75は、ステージ60上に設けられ、基板側顕微鏡65により基準マーク25との位置ズレ量が計測される。
投影倍率制御部90は、制御部80からの制御信号を受けて、例えば、モータと各種ギア等の駆動機構で倍率補正機構55のレンズ間隔及び、XY独立倍率補正部30内のシリンドリカルレンズを駆動する。
又、インテリジェントグローバル方式では、基板側基準マーク105の位置の誤差を補正する場合、3次式近似誤差とランダム誤差のどちらが支配的な誤差であるかを判定し、補正方法を変更する。判定方法としては、例えば、上記した重み付け係数Wを用いて所定値以上か以下かで判定することができる。
図3(a)に示された最大回路パターン領域(p)は、可動板40により領域が記載され、最小単位面積の最小回路パターン領域(p)を縦に4列、横に4行で16個有している。尚、図3(a)に示された外周の円は、投影露光可能な領域を示している。基板側基準マーク105は、各最小回路パターン領域(p)の角に形成されている。基板側基準マーク105は、基準マークとして計測される可能性がある部分に付与されるものであり、基準マークとして計測される可能性がない場所には形成する必要はない。尚、マーク計測部70は、基板側顕微鏡65により計測を行うが、露光時には、投影露光可能な領域の外に退避される。
図3(b)に示された最小回路パターン領域(B)は、可動板40により領域が記載され、最小単位面積の最小回路パターン領域(p)を縦に2列、横に2行で4個有している。
図4(a)の全回路パターン領域(P)では、最大露光領域(A)を縦に2列と横に2行で4個有している。それに対して、図4(b)の全回路パターン領域(P)では、最小露光領域(B)を縦に4列と横に4行で16個有している。つまり、プリント基板100上の全回路パターン領域(P)を露光させるために、最大露光領域(A)では4回の露光回数ですむが、最小露光領域(B)では16回の露光回数が必要になり、露光工数と時間が増大する。従来は、この最大露光領域(A)と最小露光領域(B)のいずれかしか選択できなかった。
図5(a)、(b)は、図3(a)、(b)と同様であるので説明を省略する。図5(c)の中間の露光領域(C)は、最大露光領域(A)及び最小露光領域(B)との中間の面積を有する領域の一例であり、可動板40により領域が記載され、最小単位面積の最小回路パターン領域(p)を縦に4列、横に2行で8個有している。図5(d)の中間の露光領域(D)も、最大露光領域(A)及び最小露光領域(B)との中間の面積を有する領域の一例であり、可動板40により領域が記載され、最小単位面積の最小回路パターン領域(p)を縦に2列、横に4行で8個有している。
図6(a)は、図4(a)と同様であり、全回路パターン領域(P)で、最大露光領域(A)を縦に2列と横に2行で4個有しているが、この場合は誤差が境地を超えており、精度を得られず、このまま露光はできないため比較用として示したものである。それに対して、図6(b)の全回路パターン領域(P)では、最大露光領域(A)を1個、中間の露光領域(C)を3個、中間の露光領域(D)を2個、最小露光領域(B)を2個有している。つまり、プリント基板100上の全回路パターン領域(P)を露光させるために、図6(b)の場合は8回の露光回数が必要になっている。図6(b)の場合は、図6(a)の場合よりも露光工数と時間は倍に増大しているが、従来の16回よりは減少している。
本発明の第1実施形態の投影露光方法では、フォトマスク20上の回路パターン領域をプリント基板100上に投影させた像の領域である露光領域を、少なくとも最大と最小の2段階以上に変化させると共に、各露光領域がプリント基板100上の全回路パターン領域(P)内で各々重ならないようにプリント基板100上の水平面内で順次位置を移動させて、各露光領域をプリント基板100上に露光させる。
重ね合わせ誤差(PEn)を演算するステップ(S21)では、最大露光領域(A)と最小露光領域(B)との中間の面積で、且つ、最小回路パターン領域(p)の整数倍の面積を有する少なくとも1つ中間露光領域(C)、(D)を用いた場合の重ね合わせ誤差(PEn)を演算する。
又、各露光領域の面積及び露光順序を設定する場合は、演算結果の重ね合わせ誤差(PEn)と許容値(AL)との比較結果により、各露光領域の面積及び露光順序を決定する。
本実施形態の投影露光方法では、重ね合わせ誤差(PEn)を演算するステップ(S21)の前に、露光領域の情報として、フォトマスク20上の最小の単位面積の回路パターンの領域である最小回路パターン領域(p)を複数個含んで一回の露光時に投影される最大の面積を有する最大露光領域(A)と、最小回路パターン領域(p)を少なくとも一個含んで一回の露光時に投影される最小の面積を有する最小露光領域(B)と、それらの露光位置の情報と、重ね合わせ誤差の許容値(AL)を設定入力する(S41)。
本実施形態の投影露光方法では、重ね合わせ誤差(PEn)を演算するステップ(S21)では、重ね合わせ誤差の演算に先立ち図2のステップS5に示したように、回路パターンが露光されるプリント基板100上の複数の基板側基準マーク105を測定した測定結果を用いて、パターン回路位置を算出し(S51)、それから露光される回路パターンの像の予想される露光位置を算出し(S52)、さらに、パターン回路位置をと露光される回路パターンの像の予想される露光位置との差分を算出する(S53)。
又、本実施形態の投影露光方法では、重ね合わせ誤差(PEn)の演算結果と重ね合わせ誤差の許容差(AL)を判断するステップ(S22)では、演算結果の重ね合わせ誤差(PEn)を許容値(AL)と比較する(S61)。
本実施形態の投影露光方法における、各露光領域の面積及び露光順序を設定する場合には、全回路パターン領域(P)内に、重ね合わせ誤差(PEn)が許容値(AL)未満であって、同じ形状で同じ面積の露光領域が複数設定されているか否かを判断する(S81)。複数存在しない場合(S81:NO)には、この処理を終了させて同じ面積の露光領域による連続露光は実施せず、複数存在する場合(S81:YES)には、当該露光領域を連続して露光させる(S82)。
図12(a)〜(d)は、本発明に係る第2実施形態の投影露光装置1における最大露光領域(A)とマーク計測部70で測定する基板側基準マーク105の位置関係を示す図である。
第2実施形態は、上記したグローバル方式またはインテリジェントグローバル方式を用いた実施形態であり、非線形の誤差を重ね合わせ誤差としており、詳細なプリント基板の基準マークの計測方法、曲線近似による任意位置で位置ズレ誤差の算出、設定された露光領域における倍率補正(XY独立編倍30と倍率補正機構55)による補正量の算出という演算処理を用いて、最終的に残留する非線形誤差を算出する。
図13(a)は、図6(a)と同様に比較用として示したものであるが、さらに、マーク計測部70で測定する基板側基準マーク105の位置を示している。それに対して、図13(b)の全回路パターン領域(P)では、最大露光領域(A)を1個、中間の露光領域(C)を3個、中間の露光領域(D)を2個、最小露光領域(B)を2個有している。つまり、プリント基板100上の全回路パターン領域(P)を露光させるために、図13(b)の場合は8回の露光回数が必要になっている。図13(b)の場合、図6(a)の場合よりも露光工数と時間は倍に増大しているが、従来の16回よりは減少しており、露光回数及び露光時間を減少させる効果を有している。
本発明の第2実施形態の投影露光方法でも、フォトマスク20上の回路パターン領域をプリント基板100上に投影させた像の領域である露光領域を、少なくとも最大と最小の2段階以上に変化させると共に、各露光領域がプリント基板100上の全回路パターン領域(P)内で各々重ならないようにプリント基板100上の水平面内で順次位置を移動させて、各露光領域をプリント基板100上に露光させる。
重ね合わせ誤差(PEn)を演算するステップ(S31)では、最大露光領域(A)と最小露光領域(B)との中間の面積で、且つ、最小回路パターン領域(p)の整数倍の面積を有する少なくとも1つ中間露光領域(C)、(D)を用いた場合の重ね合わせ誤差(PEn)を演算する。
又、各露光領域の面積及び露光順序を設定する場合は、演算結果の重ね合わせ誤差(PEn)と許容値(AL)との比較結果により、各露光領域の面積及び露光順序を決定する。
本実施形態の投影露光方法では、図14に示した基板側基準マーク105の測定結果から重ね合わせ誤差(PEn)を演算するステップ(S31)では、例えば、上記したグローバル方式またはインテリジェントグローバル方式で説明したように、測定結果から得られる誤差を、投影露光方法で用いられる投影光学系により補正可能である線形の誤差と、補正不能な非線形の誤差に分類し(S71)、非線形の誤差を重ね合わせ誤差(PEn)とする(S72)。
図16(a)〜(h)は、本発明に係る投影露光装置における全回路パターン領域(P)と最大露光領域(A)及び最小露光領域(B)と中間の露光領域(C)、(D)の位置関係の各例を示す図である。
図16(a)の全回路パターン領域(P)では、最大露光領域(A)を4個有し、従って4回の露光回数が必要になっている。図16(b)の全回路パターン領域(P)では、最大露光領域(A)を3個、中間の露光領域(D)を2個有している。従って5回の露光回数が必要になっている。図16(c)の全回路パターン領域(P)では、最大露光領域(A)を3個、中間の露光領域(C)を2個有している。従って5回の露光回数が必要になっている。図16(d)の全回路パターン領域(P)では、最大露光領域(A)を3個、中間の露光領域(C)を1個、最小露光領域(B)を2個有している。従って6回の露光回数が必要になっている。図16(e)の全回路パターン領域(P)では、最大露光領域(A)を2個、中間の露光領域(C)を4個有している。従って6回の露光回数が必要になっている。図16(f)の全回路パターン領域(P)では、最大露光領域(A)を2個、中間の露光領域(D)を4個有している。従って6回の露光回数が必要になっている。図16(g)の全回路パターン領域(P)では、最大露光領域(A)を1個、中間の露光領域(C)を4個、中間の露光領域(D)を2個有している。従って7回の露光回数が必要になっている。図16(h)の全回路パターン領域(P)では、最大露光領域(A)を1個、中間の露光領域(C)を2個、中間の露光領域(D)を4個有している。従って7回の露光回数が必要になっている。
10 照明光学系、
15 フォトマスク側顕微鏡、
20 フォトマスク、
25 投影側基準マーク、
30 XY独立倍率補正部、
40 可動板、
50 投影光学系、
55 倍率補正機構、
60 ステージ、
65 基板側顕微鏡、
70 マーク計測部、
75 ステージ基準マーク、
80 制御部、
85 可動板制御部、
90 投影倍率制御部、
95 ステージ制御部、
100 プリント基板、
105 基板側基準マーク。
Claims (9)
- プリント基板上の複数の基板側基準マークを測定し、光源からの光をフォトマスクに形成された回路パターン領域に照射し、フォトマスク上の回路パターンをプリント基板上に投影する事で、基板上に順次露光パターン像を形成していくステップアンドリピート動作型の露光方法であって、
前記露光パターン像の露光領域と、各露光位置における前記露光領域に対応したプリント基板上に形成されたパターン回路との各重ね合わせ誤差を、前記測定した結果より演算するステップと、
前記重ね合わせ誤差の演算結果が予め入力された重ね合わせ誤差の許容値未満か否かを判断するステップと、
前記判断の結果が許容値未満の露光位置では、前記露光領域を用いて露光されるように設定するステップと、
前記判断の結果が許容値以上の露光位置では、前記露光領域より小さい露光領域に分割するステップと、
前記各ステップを、判断結果に応じて露光領域の面積が最大の場合から、最小になるまで、露光領域を分割させながら繰り返すことにより、各露光領域の面積及び露光順序を設定する
ことを特徴とする投影露光方法。 - プリント基板上の複数の基板側基準マークを測定し、光源からの光をフォトマスクに形成された回路パターン領域に照射し、フォトマスク上の回路パターンをプリント基板上に投影する事で、基板上に順次露光パターン像を形成していくステップアンドリピート動作型の露光方法であって、
露光前に、前記露光パターン像の露光領域と、各露光位置における前記露光領域に対応したプリント基板上に形成されたパターン回路との各重ね合わせ誤差を、前記測定した結果より演算するステップと、
前記重ね合わせ誤差の演算結果が予め入力された重ね合わせ誤差の許容値未満か否かを判断するステップと、
前記判断の結果が許容値未満の露光位置では、前記露光領域より大きい露光領域に拡大するステップと、
前記判断の結果が許容値以上の露光位置では、露光領域を拡大する前に戻した露光領域を用いて露光されるように設定するステップと、
前記各ステップを、判断結果に応じて露光領域の面積が最小の場合から、最大になるまで、露光領域を拡大させながら繰り返すことにより、各露光領域の面積及び露光順序を設定する
ことを特徴とする投影露光方法。 - 前記重ね合わせ誤差を演算するステップの前に、
一回の露光時に投影される前記露光パターン像の最小の面積を有する最小露光領域、及び、前記最小露光領域の整数倍であって一回の露光時に投影される最大の面積を有する最大露光領域と、基板上の露光位置情報と、前記許容値を設定入力するステップ
を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の投影露光方法。 - 前記重ね合わせ誤差を演算するステップは、
前記プリント基板上で前記測定した結果より、露光位置に対応したプリント基板上に形成されたパターン回路位置を算出するステップと、
前記露光パターン像の予想される露光位置を算出するステップと、
前記算出された形成回路パターン位置とそれに対応した前記予想される露光位置との差分を算出するステップと
を有することを特徴とする請求項1乃至3の何れかに記載の投影露光方法。 - 前記露光領域内で求められた前記複数の差分値から前記重ね合わせ誤差を演算するステップは、
前記複数の差分値を、前記投影露光方法で用いられる投影光学系により補正可能である線形の誤差と、補正不能な非線形の誤差に分類するステップと、
前記非線形の誤差を前記重ね合わせ誤差とするステップと
を有することを特徴とする請求項4に記載の投影露光方法。 - 前記各露光領域の面積及び露光順序を設定するステップでは、
前記演算結果の重ね合わせ誤差と前記許容値との比較結果により、各露光領域の面積及び露光順序を決定する
ことを特徴とする請求項1乃至5の何れかに記載の投影露光方法。 - 前記露光領域の面積は、
前記基板伸縮誤差に基づき、フォトマスク上に設けられて遮光機能を有する可動板を駆動させることにより面積を変化させる
ことを特徴とする請求項1乃至6の何れかに記載の投影露光方法。 - 前記重ね合わせ誤差を演算するステップでは、
前記最大露光領域と最小露光領域との中間の面積で、且つ、前記最小回路パターン領域の整数倍の面積を有する少なくとも1つの中間露光領域を用いた場合の前記重ね合わせ誤差を演算する
ことを特徴とする請求項1乃至7の何れかに記載の投影露光方法。 - 前記各露光領域の面積及び露光順序を設定するステップでは、
前記全回路パターン領域内に、前記重ね合わせ誤差が前記重なり許容値を満たしており、露光させる同じ形状で同じ面積の露光領域が複数設定されているか否かを判断するステップと、
複数存在する場合には、当該露光領域を連続して露光させるステップと
を有することを特徴とする請求項1乃至8の何れかに記載の投影露光方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010093056A true JP2010093056A (ja) | 2010-04-22 |
JP5133193B2 JP5133193B2 (ja) | 2013-01-30 |
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ID=42255506
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008261549A Active JP5133193B2 (ja) | 2008-10-08 | 2008-10-08 | 投影露光装置 |
Country Status (1)
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JP (1) | JP5133193B2 (ja) |
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