JP5311341B2 - 近接露光装置及び近接露光方法 - Google Patents
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Description
(1) 被露光材としての基板を保持する基板保持部と、マスクパターンを有するマスクを保持するマスク保持部と、パターン露光用の光をマスクを介して前記基板に照射する照射手段と、を有し、マスクと基板とを所定のギャップを持って互いに近接配置した状態で、マスクのマスクパターンを照射手段によって基板に露光転写する近接露光装置であって、
照射手段は、引っ張り或いは押圧可能な複数の支持部材によって裏面が支持されたコリメーションミラーと、コリメーションミラーの反射面における変形量を設定し、複数の支持部材を用いてコリメーションミラーの変形と移動とを組み合わせて行い、コリメーションミラーによって反射されるパターン露光用の光の照射角度を変更する照射角度変更機構と、を有することを特徴とする近接露光装置。
(2) マスク又は基板の伸縮による、マスクと基板との平面ずれ量を検出するずれ量検出手段を、さらに備え、
マスクと基板との間の所定のギャップ及びコリメーションミラーによって反射されるパターン露光用の光の照射角度は、ずれ量検出手段によって検出された平面ずれ量に応じて設定されることを特徴とする(1)に記載の近接露光装置。
(3) 複数の支持部材は、流体圧力によって引っ張り或いは押圧可能であることを特徴とする(1)または(2)に記載の近接露光装置。
(4) タイマを備えることを特徴とする(1)から(3)のいずれかに記載の近接露光装置。
コリメーションミラーの反射面における変形量を設定する工程と、
照射角度変更機構によって、複数の支持部材を用いてコリメーションミラーの変形と移動とを組み合わせて行い、コリメーションミラーによって反射されるパターン露光用の光の照射角度を変更する工程と、
照射手段によって照射されるパターン露光用の光によりマスクの露光パターンを基板に露光転写する工程と、
を備えることを特徴とする近接露光方法。
(6) ずれ量検出手段により、マスク又は基板の伸縮による、マスクと基板との平面ずれ量を検出する工程と、
マスクと基板との間を所定のギャップに調整する工程と、
をさらに備え、
マスクと基板との間の所定のギャップ及びコリメーションミラーによって反射されるパターン露光用の光の照射角度は、ずれ量検出手段によって検出された平面ずれ量に応じて設定されることを特徴とする(5)に記載の近接露光方法。
13 マスク位置調整機構(マスク移動機構)
17 ギャップセンサ
18 アライメントカメラ(ずれ量検出手段)
21 基板保持部
40 照明光学系(照射手段)
47 コリメーションミラー
70 制御装置
71 照射角度変更機構
e 平面ずれ量
g ギャップ
M マスク
PE ステップ式近接露光装置
W ガラス基板(被露光材)
θd デクリネーション角(照射角度)
図1は、第1実施形態の大型の基板上にマスクのマスクパターンを分割して近接露光するステップ式近接露光装置PEを示すものであり、マスクパターンを有するマスクMをx、y、θ方向に移動可能に保持するマスクステージ10と、被露光材としてのガラス基板Wをx、y、z方向に移動可能に保持する基板ステージ20と、所定の照射角、即ち、マスクMに照射される有効な露光光が光軸となす最大角度であるデクリネーション角θd(図5参照)を有するパターン露光用の光をマスクMを介して基板Wに照射する照射手段である照明光学系40と、制御装置70とから主に構成されている。
次に、本発明の第2実施形態に係る近接露光装置及び近接露光方法について、図面を参照して詳細に説明する。なお、第1実施形態と同等部分については、同一符号を付して説明を省略或いは簡略化する。
基板保持部21に保持された基板Wに作用する処理液や熱、或はチャック等により基板Wが伸縮する。この基板Wが伸縮したまま露光転写が行なわれると、転写されるべき所定の位置からオフセットした位置にマスクMの露光パターンが転写されてしまう。
次に、本発明の第3実施形態における近接露光装置及び近接露光方法について、図12を参照して詳細に説明する。なお、第2実施形態と同等部分については同一符号を付して説明を省略或は簡略化する。
なお、その他の露光工程は、第1実施形態のものと同様である。
Claims (6)
- 被露光材としての基板を保持する基板保持部と、マスクパターンを有するマスクを保持するマスク保持部と、パターン露光用の光を前記マスクを介して前記基板に照射する照射手段と、を有し、前記マスクと前記基板とを所定のギャップを持って互いに近接配置した状態で、前記マスクのマスクパターンを前記照射手段によって前記基板に露光転写する近接露光装置であって、
前記照射手段は、引っ張り或いは押圧可能な複数の支持部材によって裏面が支持されたコリメーションミラーと、該コリメーションミラーの反射面における変形量を設定し、前記複数の支持部材を用いて前記コリメーションミラーの変形と移動とを組み合わせて行い、該コリメーションミラーによって反射される前記パターン露光用の光の照射角度を変更する照射角度変更機構と、を有することを特徴とする近接露光装置。 - 前記マスク又は前記基板の伸縮による、前記マスクと前記基板との平面ずれ量を検出するずれ量検出手段を、さらに備え、
前記マスクと前期基板との間の前記所定のギャップ及び前記コリメーションミラーによって反射される前記パターン露光用の光の照射角度は、前記ずれ量検出手段によって検出された前記平面ずれ量に応じて設定されることを特徴とする請求項1に記載の近接露光装置。 - 前記複数の支持部材は、流体圧力によって引っ張り或いは押圧可能であることを特徴とする請求項1または2に記載の近接露光装置。
- タイマを備えることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の近接露光装置。
- 請求項1から4のいずれか1項に記載の近接露光装置を備えた近接露光方法であって、
該コリメーションミラーの反射面における変形量を設定する工程と、
前記照射角度変更機構によって、前記複数の支持部材を用いて前記コリメーションミラーの変形と移動とを組み合わせて行い、前記コリメーションミラーによって反射される前記パターン露光用の光の照射角度を変更する工程と、
前記照射手段によって照射される前記パターン露光用の光により前記マスクのマスクパターンを前記基板に露光転写する工程と、
を備えることを特徴とする近接露光方法。 - 前記ずれ量検出手段により、前記マスク又は前記基板の伸縮による、前記マスクと前記基板との平面ずれ量を検出する工程と、
前記マスクと前記基板との間を所定のギャップに調整する工程と、
をさらに備え、
前記マスクと前期基板との間の前記所定のギャップ及び前記コリメーションミラーによって反射される前記パターン露光用の光の照射角度は、前記ずれ量検出手段によって検出された前記平面ずれ量に応じて設定されることを特徴とする請求項5に記載の近接露光方法。
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