JPH07201711A - 近接露光方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 大型化された基板にも精度良くパターンを転
写できる近接露光方法及びその装置を提供する。 【構成】 光源から照射された露光用照明光の反射して
マスク面に照射する光路反転ミラー６５の裏面の複数個
所に、微小変位可能なアクチュエータ６７が配備されて
いる。露光用照明光の平行度の局部的な調整およびマス
クの局部的な伸縮等を補正するにあたり、該当個所のア
クチュエータ６７が駆動されることにより、光路反転ミ
ラー６５のその個所の曲率が調整される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、感光剤が塗布された液
晶表示用ガラス基板等の基板に回路パターン等を焼き付
ける近接露光方法及びその装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般的な近接露光装置では、露光処理を
繰り返し行っていくうちに、露光用照明光等からの熱の
影響を受けてマスクが熱膨張して歪みが生じ、基板に焼
き付けられたパターンに誤差（ズレ）が生じることがあ
った。

【０００３】そこで、このような誤差を補正するための
近接露光装置として、例えば特開平４−１９５０５３号
公報に記載されているものが知られている。この装置
は、図１１の全体概略構成図に示すように、マスクホル
ダ１０３に保持されているマスク１０１と露光ステージ
１０６に吸着保持されている基板１０４とを所定の間隔
に設定し、マスクパターン面に描かれている一対のアラ
イメントマーク１０２と基板１０４に焼き付けられてい
る一対のアライメントマーク１０５との相対位置を検出
光学系１０７および検出素子１０８により検出する。こ
のアライメントマーク１０２，１０５の相対位置関係よ
りマスク１０１と基板１０４とのズレ量を演算装置１０
９で求める。

【０００４】算出されたズレ量に応じて制御装置１１２
が光学系１１１を光軸に沿って変位させることにより、
露光用光源１１０からの照明光Ｌの照射角度を調整す
る。すなわち、焼き付けられたパターンのズレがマイナ
ス（縮小）方向に生じている場合は、図１２（ａ）に示
すように、露光用照明光Ｌをマスク１０１に対して拡げ
て（発散させて）照射するとマスクパターンは基板１０
４上に拡大して焼き付けられることにより、ズレが補正
される。また、焼き付けられたパターンのズレがプラス
（拡大）方向に生じている場合は、図１２（ｂ）に示す
ように、露光用照明光Ｌをマスク１０１に対して狭める
（収束させる）とマスクパターンは基板１０４上に縮小
して焼き付けられることにより、ズレが補正される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た近接露光装置には、つぎのような問題点がある。すな
わち、従来の装置では、拡大あるいは縮小倍率は基板の
全面に対して一律であるのに対し、実際のマスクの伸縮
は必ずしも一律に生じるのではなく、マスク内の温度分
布のバラツキに起因して、マスクが局部的に伸縮してい
る。そのため、従来の装置によれば、パターンのズレを
基板の全面にわたって高精度に補正することができない
という欠点がある。特に、基板の大型化に伴ってマスク
も大きくなっているので、マスク内の局部的な伸縮が大
きくなり、上記の欠点は無視できなくなっている。

【０００６】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、大型化された基板にも精度良くパター
ンを転写できる近接露光方法及びその装置を提供するこ
とを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は次のように構成されている。すなわち、請
求項１に記載の発明は、パターンが形成されたマスクに
対向して基板を保持し、前記マスクを介在させて前記基
板に露光用照明光を照射し、前記基板表面に前記マスク
のマターンを焼き付ける近接露光方法において、前記マ
スクのパターンのズレ量とその個所を測定し、前記測定
結果に基づいて、前記露光用照明光の照射角度を局部的
に変更すること、を特徴とする。

【０００８】また、請求項２に記載の発明は、パターン
が形成されたマスクに対向して基板を保持し、前記マス
クを介在させて前記基板に露光用照明光を照射し、前記
基板表面に前記マスクのマターンを焼き付ける近接露光
装置において、前記露光用照明光を発する光源と、前記
光源からの露光用照明光を前記マスクに向けて反射する
弾性変形可能な光路反転ミラーと、前記光路反転ミラー
の非反射面側の複数個所に連結配備され、前記光路反転
ミラーの反射面の曲率を局部的に変化させるミラー変形
手段と、を備えたことを特徴とする。

【０００９】

【作用】請求項１に係る発明の近接露光方法によれば、
マスクのパターンのズレ量およびその個所を検出し、検
出された結果に基づいて、マスクを通して基板に照明さ
れる光の照射角度を局部的に変更して照射する。すなわ
ち、ズレが生じていない領域については基板に対して垂
直な照明光によって露光し、ズレが生じている領域につ
いては照明光の照射角度を変えることによって、パター
ンの焼き付け倍率を局部的に変更する。その結果、焼き
付けパターンの局部的なズレが補正されて基板全面にわ
たってパターンが精度よく焼き付けられる。

【００１０】また、請求項２に係る発明の近接露光装置
によれば、ミラー変形手段により局部的に光路反転ミラ
ーの曲率を変化させることによって、露光用照明光の照
射角度が局部的に変更され、その結果、マスクのパター
ンの焼き付け倍率が局部的に変更される。

【００１１】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の一実施例を説
明する。図１は、本実施例に係る近接露光装置の全体概
略斜視図、図２は、図１の正面図であり、図３は、図１
の平面図である。但し、図３では露光光学部６を省略し
てある。

【００１２】本実施例の近接露光装置は、感光剤が塗布
された基板１を１枚ずつ順次搬入するための基板ローダ
部３と、基板１を露光用のマスク２に対向させて保持し
て露光処理を行う露光部４と、露光済基板１’を搬出す
るための基板アンローダ部５と、露光用照明光をマスク
２に向けて照射する実施例の要部である露光光学部６等
から構成されている。

【００１３】基板ローダ部３は、基板カセット３１から
基板１を順に取り出すローダロボット３２を備えてい
る。このローダロボット３２は、ローダアーム３３をロ
ーダ位置ＬＰから図の左方向へ移動させて基板カセット
３１に挿入させ、そこでローダアーム３３を上昇させ、
基板カセット３１に収納されている複数枚の基板１の中
の最下段の基板１を１枚取り出し、ローダ位置ＬＰまで
運び、ローダアーム３３を降下させて基板搬送機７に渡
す。

【００１４】また、ローダロボット３２は、後述する倍
率設定もしくは確認の必要が生じた際に、図３に示すよ
うに、ローダアーム３３をローダ位置ＬＰで９０°回転
させ、下方向へ移動させてマスク収納カセット３４に挿
入させる。そこで上記と同じようにローダアーム３３を
上昇させ、マスク収納カセット３４に収納されているキ
ャリブレーションマスクＭを取り出し、ローダ位置ＬＰ
まで運び、さらに９０°回転させて露光位置ＲＰへ搬送
する。

【００１５】基板搬送機７は、図３に示すように、ロー
ダアーム３３等を挟んで対向配置され、それぞれ基板搬
送方向に同期して移動可能な一対のアーム７１、７２を
備えている。この基板搬送機７は、露光部４への基板１
の搬入と、露光部４から基板アンローダ部５への露光済
基板１’の搬出とを行うことができるように、その両端
部にそれぞれ吸着支持部７ａ、７ｂを備えている。

【００１６】基板搬送機７の吸着支持部７ａに支持され
た基板１は、図における右方向に搬送されることによっ
て露光部４に搬入される。なお、マスク２は、マスクホ
ルダー２１によって露光ステージ４１の上方位置に設置
されている。次に、露光ステージ４１は、Ｚ方向駆動機
４２によってＺ方向に上昇されることにより、基板搬送
機７で保持されている基板１を底面から吸着保持する。
それと同時に、基板搬送機７は基板１の吸着を解除して
ローダ位置ＬＰに戻る。さらに、露光ステージ４１は基
板１を保持した状態で、Ｚ方向駆動機４２によって、Ｚ
方向に上昇しながら、基板１とマスク２とのギャップが
均一になるように微調整を行い、例えば、前記ギャップ
が５０μｍ〜１００μｍになるようにして停止する。ま
た、露光ステージ４１の両側部に、後述するマスク２と
キャリブレーションマスクＭとの交換を行うための昇降
駆動する一対のハンド４３が配備されている。

【００１７】露光光学部６は、その内部に露光用照明光
の光源６１を備えている。光源６１としては、例えば、
紫外線照射用のキセノン（Ｘｒ）ランプが用いられる。
光源６１から出射された光は凹面鏡６２で集光される。
集光された光は光路反転ミラー６３により光路が反転さ
れた後、フライアイレンズ６４を介して光路反転ミラー
６５に入射される。光路反転ミラー６５は弾性変形可能
な部材から構成されている。

【００１８】図２，図４に示すように、光路反転ミラー
６５の非反射面（裏面）側の複数個所に微小変位可能な
アクチュエータ６７が連結配備されている。これらのア
クチュエータ６７としては、例えば圧電素子あるいは磁
気歪素子等が用いられる。各アクチュエータ６７が各々
独立して駆動されることにより、光路反転ミラー６５の
反射面の曲率が局部的に変えられる。本実施例では、縦
横４×５個の合計２０個のアクチュエータ６７が配備さ
れている。これらのアクチュエータ６７は、本発明にお
けるミラー変形手段に相当する。

【００１９】光路反転ミラー６５で反射された光は、フ
レネルレンズ６６により、マスク２に垂直な平行光に変
えられた後、マスク２を通って基板１の表面に照射され
る。その結果、マスク２のパターンが、基板１に塗布し
た感光剤に焼き付けられる。

【００２０】露光が終了すると、露光ステージ４１は、
露光済基板１’を保持した状態で、Ｚ方向駆動機４２に
よってＺ方向に降下される。降下とともに基板１の吸着
を解除することにより、既に待機している基板搬送機７
の吸着支持部７ｂ上に基板１が移載される。露光ステー
ジ４１は、さらに降下され、次の基板１が搬入される待
機位置で停止される。基板１が載置された基板搬送機７
は、基板１を吸着保持して、基板アンローダ部５のアン
ローダ位置ＵＰに移動される。基板１の露光処理が行わ
れている間に、基板搬送機７の吸着支持部７ａに次の基
板１が載置され、吸着支持部７ｂに支持された露光済基
板１’がアンローダ位置ＵＰに搬出されると同時に、吸
着支持部７ａに支持された新たな基板１が露光部４に搬
入される。

【００２１】アンローダ位置ＵＰに搬出された露光済基
板１’は、アンローダロボット５２のアンローダアーム
５３がアンローダ位置ＵＰで上昇されることによって、
アンローダアーム５３に受け渡される。このアンローダ
アーム５３が露光済基板カセット５１に進入することに
より露光済基板カセット５１に露光済基板１’が収納さ
れる。

【００２２】以上のように、本実施例の近接露光装置は
構成されている。以下にマスク２と基板１とのズレの補
正方法について説明する。マスク２は、露光処理を繰り
返し行われていくうちに、露光用照明光等の熱の影響を
受け、不均一に熱膨張する。このマスク２を用いて平行
光を照射しても基板１上には局部的に拡大（あるいは縮
小）したパターンがそのまま転写されてしまう。一方、
マスク２を通して基板１上へ照射される光は、基板１の
全面にわたり完全な平行光ではなく、装置の精度等の要
因で局部的に傾斜した光として照射されるので、このよ
うな光がマスク２を通して照射されると、さらに局部的
に変倍したパターンが基板１に転写されてしまい、設計
値通りのパターンが転写された基板１が得られない。

【００２３】そこで、基準となるキャリブレーションマ
スクＭを用いて露光用照明光の照射角度の状態を測定
し、これに基づいて光路反転ミラー６５の反射面の曲率
を局部的に変えることにより照明光を完全な平行光に補
正する。次に、完全な平行光をマスク２を通して基板１
上へ照射してパターンを転写し、転写されたパターンを
光学的に測定することによって、マスク２の熱膨張の状
態を求める。この状態に応じて光路反転ミラー６５の曲
率を局部的に変えることによって照明光の平行度を局部
的に変化させる。その結果、補正されたマスク２のパタ
ーンが基板１に転写される。以下に、具体的に説明す
る。

【００２４】キャリブレーションマスクによる露光用照
明光の照射角度の補正手順を図５に示すフローチャート
に従って説明する。 ステップＳ１：露光時間、ギャップ等の露光条件の入力
を行う。

【００２５】ステップＳ２：マスク２をキャリブレーシ
ョンマスクＭと取り替える。以下、この手順を図１〜図
３を参照して説明する。先ず、露光ステージ４１の両側
部に配備された一対のハンド４３を、昇降装置４４によ
ってＺ方向に上昇させ、マスクホルダ２１に装着されて
いるマスク２を持ち上げて保持する。ローダロボット３
２のローダアーム３３を上昇させ、次にローダアーム３
３を露光位置ＲＰへ移動させてローダアーム３３をマス
ク２の下面へ挿入させる。ローダアーム３３を上昇さ
せ、ハンド４３上のマスク２を受取る。マスク２を保持
した状態でローダアーム３３をローダ位置ＬＰへ後退さ
せ、そこで平面視で時計方向へ９０°回転させる。マス
ク２を格納する所定位置までローダアーム３３を上昇さ
せ待機させる。この間にマスク収納カセット３４の扉３
５が開き、ローダアーム３３をマスク収納カセット３４
方向へ移動させてマスク収納カセット３４内へ挿入す
る。ローダアーム３３が降下することによりマスク２が
マスク収納カセット３４内へ一旦格納される。引き続
き、ローダアーム３３は、マスク収納カセット３４から
退避し、そこでキャリブレーションマスクＭの下部に位
置する高さまで下降する。再びローダアーム３３をマス
ク収納カセット３４内へ挿入し、上昇することでキャリ
ブレーションマスクＭを受取る。以後、上述した逆の手
順でキャリブレーションマスクＭをマスク収納カセット
３４から取り出し、マスクホルダ２１上にセットする。

【００２６】ステップＳ３：アンローダロボット５２に
備えられた倍率検出装置５５を使って倍率検出を行うた
めに、アンローダロボット５２の動作モードを、通常の
露光モードから計測モードに変更する。

【００２７】倍率検出装置５５は、アンローダロボット
５２のアンローダアーム５３の一端に内蔵され、図３に
示すように、通常の基板１の搬送状態では、露光済基板
カセット５１側に位置している。図示しない制御系によ
って、通常の基板を搬送するための露光モードから、倍
率を計測するための計測モードに制御が切り換えられる
と、アンローダアーム５３は１８０°反転し、更に、ア
ンローダアーム５３は露光位置ＲＰへ移動して倍率検出
装置５５が、図６，図７に示すように、前記したキャリ
ブレーションマスクＭの測定位置の下面に移動される。
キャリブレーションマスクＭは、上述したようにマスク
２の熱膨張を測定するための基準となるものであり、熱
張係数の小さい石英ガラス等の材料で作られている。こ
の下面に格子状にピンホールＰ１〜Ｐ９が設けられたパ
ターンが描かれている。このピンホールＰ１〜Ｐ９が露
光用照明光を平行光に補正するための測定位置である。
各ピンホールＰ１〜Ｐ９の位置は、制御系の記憶部に予
め記憶されている。アンローダロボット５２は、これら
の位置情報に基づいて、検出装置５５が各ピンホールＰ
１〜Ｐ９の直下に順にくるように、アンローダアーム５
３を駆動する（図７参照）。

【００２８】ステップＳ４：露光光学部６からの照明光
がキャリブレーションマスクＭ上に照射される。

【００２９】ステップＳ５：検出装置５５によって各ピ
ンホールＰ１〜Ｐ９における照明光のズレ量を測定す
る。以下、図８を参照して説明する。検出装置５５は、
図８（ａ），（ｂ）に示すように、センサＡ，Ｂ，Ｃ，
Ｄからなる４分割センサー５６と、４分割センサー５６
の下部に連結され、４分割センサー５６をＺ方向へ駆動
させる圧電あるいは磁歪素子等のアクチュエータ５７と
で構成されている。

【００３０】照明光のズレ量は以下のように検出され
る。図８（ａ）に示すように、キャリブレーションマス
クＭのピンホールＰ１の直下に、４分割センサ５６を位
置決めし、ピンホールＰ１を通過した光を高さＺ１，Ｚ
２でそれぞれセンサＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄによって受光する。
先ず、Ｘ方向だけをみると、図８（ｂ）に示すように、
高さＺ１での受光位置Ｅ１はセンサＢとセンサＣとの出
力の差として検出される。

【００３１】次に、４分割センサ５６の下部に連結され
たアクチュエータ５７により４分割センサ５６を高さΔ
ｚ（例えば５０μｍ）上昇させてキャリブレーションマ
スクＭに近づける。この位置Ｚ２で、上記と同様に、Ｘ
方向の受光位置Ｅ２を検出する。Ｚ１でのＸ方向の受光
位置Ｅ１と、Ｚ２でのＸ方向の受光位置Ｅ２との差を求
めることにより、ピンホールＰ１に入射された光の傾き
の度合いに応じたズレ量Ｘ₁ が算出される。同様にして
Ｙ方向も検出する。このようにして、ピンホールＰ１〜
Ｐ９の各ズレ量Ｘ₁,Ｙ₁ 〜Ｘ₉,Ｙ₉ を順次検出する。

【００３２】ステップＳ６：ステップＳ５で求められた
ズレ量Ｘ₁,Ｙ₁ 〜Ｘ₉,Ｙ₉ を倍率分布マップとして一
旦、制御系の記憶部へ記憶する。

【００３３】ステップＳ７：倍率分布マップの各値が予
め設定されている許容範囲であるかどうかを判定する。
倍率分布マップの各ズレ量Ｘ₁,Ｙ₁ 〜Ｘ₉,Ｙ₉ が、許容
範囲を越えている場合はステップＳ８に移行し、許容範
囲を越えていなければステップＳ９に進む。この許容範
囲は、露光用照明光の平行度のズレの許容量に関連する
もので、パターン転写の要求精度に応じて定められる。

【００３４】ステップＳ８：上記の各ズレ量Ｘ₁,Ｙ₁ 〜
Ｘ₉,Ｙ₉ のいずれかが、許容範囲を越えている場合は、
光路反転ミラー６５に配備されたアクチュエータ６７群
のうち、許容範囲を越えたズレ量が生じている個所に対
応したアクチュエータ６７を駆動して、光路反転ミラー
６５の該当個所の曲率を局部的に変化させることによ
り、露光用照明光の平行度を補正する。この補正手法の
詳細は後述する。

【００３５】ステップＳ９：最後に、ローダロボット３
により、上述した手順とは逆の手順でキャリブレーショ
ンＭを露光用のマスク２と交換する。以上で露光用照明
光の平行度の補正が完了する。

【００３６】次に、ステップＳ８で行われる光路反転ミ
ラー６５を使った露光用照明光の平行度の補正手法を具
体的に説明する。図８（ａ）を参照する。露光用照明光
の検出されたズレ量がＸ₁ であり、また、４分割センサ
５６の変位量をΔｚとすると、照明光の傾斜角度αは次
式(1) によって求められる。 α＝tan ^-1（Ｘ₁ ／Δｚ） ………(1)

【００３７】(1) 式で求められた露光用照明光の照射角
度αを光路反転ミラー６５の局部的な曲率を変えること
により補正する。図９（ａ）に模式的に示したように、
照明光Ｌの照射角度をαだけ変位させるためには、光路
反転ミラー６５における照明光Ｌの入射点Ｐ₁ の傾きを
α／２だけ変位させればよい。以下、図９（ｂ）を参照
する。この図は、入射点Ｐ₁ において光路反転ミラー６
５の反射面をα／２だけ変位させるために、入射点Ｐ₁
に関連したアクチュエータ６７を微小距離δだけ変位さ
せた状態を示している。ここでは、反射面が略円弧状に
変形するものとする。図中、ｒは反射面の曲率半径、Ｌ
は曲率中心から光路反転ミラー６５の初期位置までの距
離、φは一つのアクチュエータ６７によって変形される
領域の幅であり、アクチュエータ６７の配列ピッチに概
ね等しい。

【００３８】図９（ｂ）より、アクチュエータ６７の変
位量δは次式(2) で表される。 δ＝ｒ−Ｌ＝ｒ−ｒcos(α／２）＝ｒ（１−cos(α／２））………(2) 一方、ｒは次式(3) で表される。 ｒ＝（φ／２）／sin(α／２） ………(3) したがって、(2) ，(3) 式により、δは次式(4) によっ
て求められる。 δ＝（（φ／２）／sin(α／２））・（１−cos(α／２））………(4)

【００３９】以上のようにして、露光用照明光の平行度
を補正すると、次に、実際の露光処理に使用されるマス
ク２の伸縮を補正するために、光路反転ミラー６５の反
射面の曲率を再度調整する。具体的には、マスク２をセ
ッティングして基板１上へパターンの焼き付けを行い、
焼き付けられたパターンのズレ量を光学的に測定する。
パターンのズレ量は、照明光の平行度の調整において設
定した各ピンホールＰ１〜Ｐ９と略同じ個所を測定す
る。図１０に示すように、各個所のズレ量Δｘと、マス
ク２と基板１のギャップＧとに基づき、前記ズレ量Δｘ
を補正するために設定すべき露光用照明光Ｌの傾斜角度
αを次式(5) により求める。 α＝tan ^-1（Δｘ／Ｇ） ………(5)

【００４０】上述のようにして求められた角度αだけ露
光用照明光の照射角度を局部的に調整するために、光路
反転ミラー６５の該当個所のアクチュエータ６７を駆動
する。その結果、マスク２のパターンが基板１上の正し
い位置に焼き付けられる。なお、アクチュエータ６７の
変位量の算出手法は、上述して照明光の平行度の補正の
場合と同様であるので、ここでの説明は省略する。

【００４１】なお、本発明は次のように変形実施するこ
ともできる。上述した実施例では、検出装置によって各
ピンホールＰ１〜Ｐ９における照明光のズレ量を検出し
た後、このズレ量に基づいてアクチュエータ６７の変位
量δを演算により算出して、光路反転ミラー６５の曲率
を調整した。しかし、本発明はこれに限定されず、各ピ
ンホールＰ１〜Ｐ９における照明光のズレ量を検出しな
がら、そのズレ量が許容範囲になるようにアクチュエー
タ６７の変位量をフィードバック制御することによっ
て、光路反転ミラー６５の曲率を調整するようにしても
よい。

【００４２】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
１に係る発明の近接露光方法によれば、マスクパターン
の検出されたズレ量に対応する部位を照射する露光用照
明光の照射角度を局部的に変更するので、マスクパター
ンの局部的なズレを補正することができ、大型化された
基板に対しても全面にわたりマスクパターンを精度よく
焼き付けることができる。

【００４３】また、請求項２に係る発明の近接露光装置
によれば、請求項１に係る発明の近接露光方法を好適に
実施することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例に係る近接露光装置の全体概略斜視図で
ある。

【図２】実施例装置の全体概略正面図である。

【図３】実施例装置の一部切欠全体概略平面図である。

【図４】光路反転ミラーの変形機構の構成を示した図で
ある。

【図５】露光用照明光の平行度調整の手順を示したフロ
ーチャートである。

【図６】キャリブレーションマスクのピンホールと検出
装置との位置関係を示した図である。

【図７】検出装置の測定動作を示した図である。

【図８】検出装置による測定方法を示した図である。

【図９】光路反転ミラーの曲率設定の説明に供する図で
ある。

【図１０】マスクパターンのズレの補正方法の説明に供
する図である。

【図１１】従来装置の全体概略側面図である。

【図１２】従来装置によるパターンのズレの補正方法の
説明に供する図である。

【符号の説明】

１ … 基板 ２ … マスク ３ … 基板ローダ部 ４ … 露光部 ５ … 基板アンローダ部 ６ … 露光光学部 ７ … 基板搬送機 ３２ … ローダロボット ５２ … アンローダロボット ５５ … 検出装置 ５６ … ４分割センサ ６５ … 光路反転ミラー ６７ … アクチュエータ Ｍ … キャリブレーションマスク

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/20

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 パターンが形成されたマスクに対向して
   基板を保持し、前記マスクを介在させて前記基板に露光
   用照明光を照射し、前記基板表面に前記マスクのマター
   ンを焼き付ける近接露光方法において、 前記マスクのパターンのズレ量とその個所を測定し、 前記測定結果に基づいて、前記露光用照明光の照射角度
   を局部的に変更すること、 を特徴とする近接露光方法。
2. 【請求項２】 パターンが形成されたマスクに対向して
   基板を保持し、前記マスクを介在させて前記基板に露光
   用照明光を照射し、前記基板表面に前記マスクのマター
   ンを焼き付ける近接露光装置において、 前記露光用照明光を発する光源と、 前記光源からの露光用照明光を前記マスクに向けて反射
   する弾性変形可能な光路反転ミラーと、 前記光路反転ミラーの非反射面側の複数個所に連結配備
   され、前記光路反転ミラーの反射面の曲率を局部的に変
   化させるミラー変形手段と、 を備えたことを特徴とする近接露光装置。