JPH09148236A - 露光装置の基板ステージの移動制御方法及び装置 - Google Patents
露光装置の基板ステージの移動制御方法及び装置Info
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- JPH09148236A JPH09148236A JP7328281A JP32828195A JPH09148236A JP H09148236 A JPH09148236 A JP H09148236A JP 7328281 A JP7328281 A JP 7328281A JP 32828195 A JP32828195 A JP 32828195A JP H09148236 A JPH09148236 A JP H09148236A
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 露光装置内の温度の影響を考慮し、露光装置
内の温度勾配の変化等による悪影響を最小限に抑え、安
定した露光作業環境を確保すること。 【課題を解決するための手段】 基板ステージ（１８）
に対する露光のための一連の制御が停止している待機時
に、当該基板ステージ（１８）を熱的に安定な位置に待
機させる。
内の温度勾配の変化等による悪影響を最小限に抑え、安
定した露光作業環境を確保すること。 【課題を解決するための手段】 基板ステージ（１８）
に対する露光のための一連の制御が停止している待機時
に、当該基板ステージ（１８）を熱的に安定な位置に待
機させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、露光装置の基板ス
テージの移動制御方法及び装置に関し、特に、露光のた
めの一連の制御が停止している待機時の基板ステージの
位置の制御方法及び装置に関する。
テージの移動制御方法及び装置に関し、特に、露光のた
めの一連の制御が停止している待機時の基板ステージの
位置の制御方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、マスクのパターンをステップ・
アンド・リピート方式で感光性の基板上に露光する露光
装置等において、露光作業を行っていない状態では、基
板を載置したステージを、例えば、基板のローディング
位置に待機させている。また、感光性の基板と同時にマ
スクも移動させるタイプの露光装置においては、露光作
業を行っていない状態では、マスクを載置したステージ
をある一定の位置に待機させている。
アンド・リピート方式で感光性の基板上に露光する露光
装置等において、露光作業を行っていない状態では、基
板を載置したステージを、例えば、基板のローディング
位置に待機させている。また、感光性の基板と同時にマ
スクも移動させるタイプの露光装置においては、露光作
業を行っていない状態では、マスクを載置したステージ
をある一定の位置に待機させている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一般に、露光装置内の
基板やマスクのステージの周囲の温度分布は平坦ではな
く、種々の発熱体により温度勾配がある。また、基板や
マスクのステージ位置によって装置内で気流の変化が生
じ、温度勾配も変化する。上記のような従来の露光装置
においては、露光装置内の温度環境を考慮せずに基板ス
テージとマスクステージの待機位置を設定しているた
め、温度勾配によるアライメント精度の誤差の発生等、
安定した露光作業を行うのにも限界があった。従って、
本発明の目的は、露光装置内の温度の影響を考慮し、露
光装置内の温度勾配の変化等による悪影響を最小限に抑
え、安定した露光作業環境を確保することにある。
基板やマスクのステージの周囲の温度分布は平坦ではな
く、種々の発熱体により温度勾配がある。また、基板や
マスクのステージ位置によって装置内で気流の変化が生
じ、温度勾配も変化する。上記のような従来の露光装置
においては、露光装置内の温度環境を考慮せずに基板ス
テージとマスクステージの待機位置を設定しているた
め、温度勾配によるアライメント精度の誤差の発生等、
安定した露光作業を行うのにも限界があった。従って、
本発明の目的は、露光装置内の温度の影響を考慮し、露
光装置内の温度勾配の変化等による悪影響を最小限に抑
え、安定した露光作業環境を確保することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明においては、上記
課題を解決するために、基板ステージに対する露光のた
めの一連の制御が停止している待機時に、当該基板ステ
ージを熱的に安定な位置に待機させている。一つの態様
としては、基板ステージに対する露光のための一連の制
御が行われている間に滞在する時間的に平均な位置に基
板ステージを待機させる。
課題を解決するために、基板ステージに対する露光のた
めの一連の制御が停止している待機時に、当該基板ステ
ージを熱的に安定な位置に待機させている。一つの態様
としては、基板ステージに対する露光のための一連の制
御が行われている間に滞在する時間的に平均な位置に基
板ステージを待機させる。
【０００５】また、他の態様としては、基板ステージに
対する露光のための一連の制御が行われている間に、基
板ステージ上の複数箇所での平均温度を温度センサによ
って求め、各温度センサの平均温度に対応する基板ステ
ージの位置をそれぞれ平均温度位置として求め、更に、
これら各平均温度位置の平均位置に基板ステージを待機
させる。あるいは、各温度センサの平均温度に対応する
基板ステージの位置として求めた平均温度位置に、基板
ステージを順番に移動させて待機させる。また、マスク
に関しても同様に、待機位置を求める。
対する露光のための一連の制御が行われている間に、基
板ステージ上の複数箇所での平均温度を温度センサによ
って求め、各温度センサの平均温度に対応する基板ステ
ージの位置をそれぞれ平均温度位置として求め、更に、
これら各平均温度位置の平均位置に基板ステージを待機
させる。あるいは、各温度センサの平均温度に対応する
基板ステージの位置として求めた平均温度位置に、基板
ステージを順番に移動させて待機させる。また、マスク
に関しても同様に、待機位置を求める。
【０００６】
【作用】上記のような構成の本発明においては、基板ス
テージを露光装置内で熱的に安定な位置に待機させてい
るため、装置内の温度勾配による次の露光作業への影響
が大幅に解消される。更に具体的には、基板ステージに
対する露光のための一連の制御が行われている間に滞在
する時間的に平均な位置や、平均温度位置に基板ステー
ジを待機させているため、露光が行われていない待機時
においても基板ステージには露光作業中と略同じ温度条
件が与えられる。
テージを露光装置内で熱的に安定な位置に待機させてい
るため、装置内の温度勾配による次の露光作業への影響
が大幅に解消される。更に具体的には、基板ステージに
対する露光のための一連の制御が行われている間に滞在
する時間的に平均な位置や、平均温度位置に基板ステー
ジを待機させているため、露光が行われていない待機時
においても基板ステージには露光作業中と略同じ温度条
件が与えられる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に示された実施例に基づいて説明する。
図面に示された実施例に基づいて説明する。
【０００８】
【実施例】図１は本発明の第１実施例にかかる走査型投
影露光装置１０を示し、図２は露光装置１０に使用され
るレチクル１２の周辺の構成を示し、図３はウエハ１４
の周辺の構成を示す。この装置１０は、レチクル１２と
ウエハ１４とを露光光に対して相対的に走査させること
により、レチクル１２上に形成されたパターンをウエハ
１４上に順次投影露光する走査型投影露光装置、所謂ス
キャニング・ステッパである。
影露光装置１０を示し、図２は露光装置１０に使用され
るレチクル１２の周辺の構成を示し、図３はウエハ１４
の周辺の構成を示す。この装置１０は、レチクル１２と
ウエハ１４とを露光光に対して相対的に走査させること
により、レチクル１２上に形成されたパターンをウエハ
１４上に順次投影露光する走査型投影露光装置、所謂ス
キャニング・ステッパである。
【０００９】装置１０は、レチクル１２に対してスリッ
ト状の露光光を照射する光源１６と、レチクル１２が真
空吸着されたレチクルステージ１８と、レチクルステー
ジ１８上に固定された反射ミラー２０、２２と、反射ミ
ラー２０からの光に基づいてレチクルステージ１８の位
置を検出する干渉計２４ａ、２４ｂ（図２参照）と、反
射ミラー２２からの光に基づいてレチクルステージ１８
の位置を検出する干渉計２６（図２参照）と、レチクル
ステージ１８を駆動するレチクル駆動装置２８と、レチ
クル１２上に形成されたパターン１２ａをウエハ１４上
に投影する投影レンズ３０と、ウエハ１４が真空吸着さ
れたウエハステージ３２と、ウエハステージ３２上に固
定された反射ミラー３４、３６と、反射ミラー３４から
の光に基づいてウエハステージ３２の位置を検出する干
渉計３８ａ、３８ｂ（図３参照）と、反射ミラー３６か
らの光に基づいてウエハステージ３２の位置を検出する
干渉計４０ａ、４０ｂ（図３参照）と、ウエハステージ
３２を駆動するウエハ駆動装置４２と、投影光学系３０
の側部に配置されたアライメント顕微鏡４４とを備えて
いる。
ト状の露光光を照射する光源１６と、レチクル１２が真
空吸着されたレチクルステージ１８と、レチクルステー
ジ１８上に固定された反射ミラー２０、２２と、反射ミ
ラー２０からの光に基づいてレチクルステージ１８の位
置を検出する干渉計２４ａ、２４ｂ（図２参照）と、反
射ミラー２２からの光に基づいてレチクルステージ１８
の位置を検出する干渉計２６（図２参照）と、レチクル
ステージ１８を駆動するレチクル駆動装置２８と、レチ
クル１２上に形成されたパターン１２ａをウエハ１４上
に投影する投影レンズ３０と、ウエハ１４が真空吸着さ
れたウエハステージ３２と、ウエハステージ３２上に固
定された反射ミラー３４、３６と、反射ミラー３４から
の光に基づいてウエハステージ３２の位置を検出する干
渉計３８ａ、３８ｂ（図３参照）と、反射ミラー３６か
らの光に基づいてウエハステージ３２の位置を検出する
干渉計４０ａ、４０ｂ（図３参照）と、ウエハステージ
３２を駆動するウエハ駆動装置４２と、投影光学系３０
の側部に配置されたアライメント顕微鏡４４とを備えて
いる。
【００１０】図２に示すように、レチクル１２の中央付
近には、ウエハ１４上に投影される回路パターン１２ａ
が形成されている。レチクルステージ１８は、投影光学
系３０の光軸をＺ軸とした場合に、ＸＹ平面内におい
て、レチクル駆動装置２８によって並進及び回転可能に
構成されている。干渉計２４ａ、２４ｂ、２６は、それ
ぞれ反射ミラー２０、２２に対して位置検出用の光を照
射する。そして、干渉計２４ａ、２４ｂは、反射ミラー
２０からの反射光に基づいてレチクルステージ１８のＸ
方向の変位を測定する。一方、干渉計２６は、反射ミラ
ー２２からの反射光に基づいてレチクルステージ１８の
Ｙ方向の変位を測定する。また、干渉計２４ａ、２４ｂ
の計測値を平均してＸ方向の並進成分を検出し、差をと
ってレチクルステージ１８のＸＹ平面内の回転成分を検
出する。
近には、ウエハ１４上に投影される回路パターン１２ａ
が形成されている。レチクルステージ１８は、投影光学
系３０の光軸をＺ軸とした場合に、ＸＹ平面内におい
て、レチクル駆動装置２８によって並進及び回転可能に
構成されている。干渉計２４ａ、２４ｂ、２６は、それ
ぞれ反射ミラー２０、２２に対して位置検出用の光を照
射する。そして、干渉計２４ａ、２４ｂは、反射ミラー
２０からの反射光に基づいてレチクルステージ１８のＸ
方向の変位を測定する。一方、干渉計２６は、反射ミラ
ー２２からの反射光に基づいてレチクルステージ１８の
Ｙ方向の変位を測定する。また、干渉計２４ａ、２４ｂ
の計測値を平均してＸ方向の並進成分を検出し、差をと
ってレチクルステージ１８のＸＹ平面内の回転成分を検
出する。
【００１１】レチクル１２のパターン１２ａは、ウエハ
１４の中央付近複数の露光領域１４ａに順次露光され
る。ウエハステージ３２は、ＸＹ平面内において、ウエ
ハ駆動装置４２によって並進及び回転可能に構成されて
いる。干渉計（３８ａ、３８ｂ）と（４０ａ、４０ｂ）
は、それぞれ反射ミラー３４、３６に対して位置検出用
の光を照射する。そして、干渉計３８ａ、３８ｂは、反
射ミラー３４からの反射光に基づいてウエハステージ３
２のＸ方向の変位を測定する。一方、干渉計４０ａ、４
０ｂは、反射ミラー３６からの反射光に基づいてウエハ
ステージ３２のＹ方向の変位を測定する。また、干渉計
３８ａ、３８ｂの計測値を平均してＸ方向の並進成分を
検出し、干渉計４０ａ、４０ｂの計測値を平均してＹ方
向の並進成分を検出し、干渉計３８ａ、３８ｂの測定値
の差と、干渉計４０ａ、４０ｂの測定値の差との平均値
に基づいてウエハステージ３２のＸＹ平面内の回転成分
を検出する。
１４の中央付近複数の露光領域１４ａに順次露光され
る。ウエハステージ３２は、ＸＹ平面内において、ウエ
ハ駆動装置４２によって並進及び回転可能に構成されて
いる。干渉計（３８ａ、３８ｂ）と（４０ａ、４０ｂ）
は、それぞれ反射ミラー３４、３６に対して位置検出用
の光を照射する。そして、干渉計３８ａ、３８ｂは、反
射ミラー３４からの反射光に基づいてウエハステージ３
２のＸ方向の変位を測定する。一方、干渉計４０ａ、４
０ｂは、反射ミラー３６からの反射光に基づいてウエハ
ステージ３２のＹ方向の変位を測定する。また、干渉計
３８ａ、３８ｂの計測値を平均してＸ方向の並進成分を
検出し、干渉計４０ａ、４０ｂの計測値を平均してＹ方
向の並進成分を検出し、干渉計３８ａ、３８ｂの測定値
の差と、干渉計４０ａ、４０ｂの測定値の差との平均値
に基づいてウエハステージ３２のＸＹ平面内の回転成分
を検出する。
【００１２】レチクル１２に対して照射されるスリット
状の露光光１００は、Ｙ方向にパターン領域１２ａと略
同じか若干大きく成形され、Ｘ方向には幅Ｓを有する。
露光が行われる際には、レチクル１２とウエハ１４はそ
れぞれＸ軸に沿って、一定の速度で走査される。投影レ
ンズ３０の縮小倍率が１／４とすると、レチクル１２と
ウエハ１４の走査速度比は４：１となる。なお、レチク
ル１２上のパターンは投影レンズ３０を介して１８０°
回転した像としてウエハ１４上に投影されるため、レチ
クル１２とウエハ１４の走査方向は逆（プラスとマイナ
ス）になる。ウエハステージ３２は、１つの露光領域１
４ａの露光走査が終了する度にＹ方向若しくはＸ方向に
ステッピングし、次の領域の露光が行われる。従って、
ウエハステージ３２の挙動は、図３の矢印で示すように
ジグザグになる。
状の露光光１００は、Ｙ方向にパターン領域１２ａと略
同じか若干大きく成形され、Ｘ方向には幅Ｓを有する。
露光が行われる際には、レチクル１２とウエハ１４はそ
れぞれＸ軸に沿って、一定の速度で走査される。投影レ
ンズ３０の縮小倍率が１／４とすると、レチクル１２と
ウエハ１４の走査速度比は４：１となる。なお、レチク
ル１２上のパターンは投影レンズ３０を介して１８０°
回転した像としてウエハ１４上に投影されるため、レチ
クル１２とウエハ１４の走査方向は逆（プラスとマイナ
ス）になる。ウエハステージ３２は、１つの露光領域１
４ａの露光走査が終了する度にＹ方向若しくはＸ方向に
ステッピングし、次の領域の露光が行われる。従って、
ウエハステージ３２の挙動は、図３の矢印で示すように
ジグザグになる。
【００１３】アライメント顕微鏡４４は、投影光学系３
０と光軸の異なる所謂オフ・アクシス形式の顕微鏡であ
り、ウエハ１４内の複数の領域から予め定められた数点
のアライメントマーク（図示せず）を検出する。そし
て、検出されたアライメントマークの位置に基づき、最
小自乗近似計算によってウエハ１４の位置（座標）を計
測する。また、アライメント顕微鏡４４と投影光学系３
０の光軸間の距離であるベースライン量を測定し、露光
開始時にウエハステージ３２をベースライン量だけ移動
させる。なお、ウエハ１４のアライメント原理として
は、レーザを使って回折光を検出したり、所定のアライ
メントマークを画像検出する等の種々の原理が適用でき
る。
０と光軸の異なる所謂オフ・アクシス形式の顕微鏡であ
り、ウエハ１４内の複数の領域から予め定められた数点
のアライメントマーク（図示せず）を検出する。そし
て、検出されたアライメントマークの位置に基づき、最
小自乗近似計算によってウエハ１４の位置（座標）を計
測する。また、アライメント顕微鏡４４と投影光学系３
０の光軸間の距離であるベースライン量を測定し、露光
開始時にウエハステージ３２をベースライン量だけ移動
させる。なお、ウエハ１４のアライメント原理として
は、レーザを使って回折光を検出したり、所定のアライ
メントマークを画像検出する等の種々の原理が適用でき
る。
【００１４】図４は、露光装置１０の制御系の概念的な
構成を示す。先に説明したレチクル干渉計２４ａ、２４
ｂ、２６と、ウエハ干渉計３８ａ、３８ｂ、４０ａ、４
０ｂと、レチクル駆動装置２８と、ウエハ駆動装置４２
は、それぞれ制御部５０によって制御される。すなわ
ち、制御部は、レチクル干渉計２４ａ、２４ｂ、２６
と、ウエハ干渉計３８ａ、３８ｂ、４０ａ、４０ｂから
の位置情報に基づいて、レチクル駆動装置２８及びウエ
ハ駆動装置４２を介して、レチクル１２及びウエハ１４
の位置を制御する。制御部５０には、所定の情報を記憶
するメモリ５２が接続されている。
構成を示す。先に説明したレチクル干渉計２４ａ、２４
ｂ、２６と、ウエハ干渉計３８ａ、３８ｂ、４０ａ、４
０ｂと、レチクル駆動装置２８と、ウエハ駆動装置４２
は、それぞれ制御部５０によって制御される。すなわ
ち、制御部は、レチクル干渉計２４ａ、２４ｂ、２６
と、ウエハ干渉計３８ａ、３８ｂ、４０ａ、４０ｂから
の位置情報に基づいて、レチクル駆動装置２８及びウエ
ハ駆動装置４２を介して、レチクル１２及びウエハ１４
の位置を制御する。制御部５０には、所定の情報を記憶
するメモリ５２が接続されている。
【００１５】図５は、ウエハ１４の露光時及びアライメ
ント時における、投影光学系３０に対するウエハステー
ジ３２の位置を示す。図では、（Ａ）〜（Ｊ）までの１
０種類の状態を示し、符号３００は投影レンズ３０の位
置、４００はアライメントセンサ４４の位置をそれぞれ
示す。図において、（Ａ）〜（Ｉ）はウエハ１４を露光
している状態を示し、（Ｊ）はアライメントセンサ４４
によってアライメントをしている状態を示す。露光作業
中においては、ウエハステージ３２はウエハ１４の直径
分（例えば、１２インチ）だけ移動することになる。一
方、ウエハ１４のアライメント中においては、アライメ
ント顕微鏡４４が投影光学系３０の外側にあるため、ウ
エハステージ３２は（Ａ）〜（Ｊ）の露光中に比べて、
更に外側まで移動する必要がある。
ント時における、投影光学系３０に対するウエハステー
ジ３２の位置を示す。図では、（Ａ）〜（Ｊ）までの１
０種類の状態を示し、符号３００は投影レンズ３０の位
置、４００はアライメントセンサ４４の位置をそれぞれ
示す。図において、（Ａ）〜（Ｉ）はウエハ１４を露光
している状態を示し、（Ｊ）はアライメントセンサ４４
によってアライメントをしている状態を示す。露光作業
中においては、ウエハステージ３２はウエハ１４の直径
分（例えば、１２インチ）だけ移動することになる。一
方、ウエハ１４のアライメント中においては、アライメ
ント顕微鏡４４が投影光学系３０の外側にあるため、ウ
エハステージ３２は（Ａ）〜（Ｊ）の露光中に比べて、
更に外側まで移動する必要がある。
【００１６】次に、図５に示した状況以外の状況、すな
わちウエハステージ３２に対する露光のための一連の制
御が停止している待機時でのウエハステージ３２の位置
について説明する。例えば、時刻ｔ１にウエハ交換が行
われ、アライメント及び全ての露光領域の露光が行われ
て、時刻ｔ２に次のウエハと交換されるとする。時間ｔ
１〜ｔ２において、ウエハステージ３２は、ウエハステ
ージ３２に対する露光のための一連の制御が行われてい
る間に滞在する時間的に平均な位置に待機する。すなわ
ち、ウエハステージ３２の待機位置（Ｘ、Ｙ）は、時間
ｔの関数として以下のように定められる。
わちウエハステージ３２に対する露光のための一連の制
御が停止している待機時でのウエハステージ３２の位置
について説明する。例えば、時刻ｔ１にウエハ交換が行
われ、アライメント及び全ての露光領域の露光が行われ
て、時刻ｔ２に次のウエハと交換されるとする。時間ｔ
１〜ｔ２において、ウエハステージ３２は、ウエハステ
ージ３２に対する露光のための一連の制御が行われてい
る間に滞在する時間的に平均な位置に待機する。すなわ
ち、ウエハステージ３２の待機位置（Ｘ、Ｙ）は、時間
ｔの関数として以下のように定められる。
【００１７】
【数１】
【００１８】時間ｔ１〜ｔ２は、ウエハ１４に塗布され
るフォトレジストの厚さや性質、ウエハ１４の下地の反
射率、露光装置の照明パワーによって一義的に決められ
る最適露光時間、アライメントマークに選択され各マー
クの位置、マークの数及びアライメント検出に要する時
間、ウエハ交換に要する時間等の事前に判明している条
件に基づいて、制御部５０によって計算によって求める
ことができる。上記のようなウエハ１４に対する各条件
は、メモリ５２に記憶しておく。
るフォトレジストの厚さや性質、ウエハ１４の下地の反
射率、露光装置の照明パワーによって一義的に決められ
る最適露光時間、アライメントマークに選択され各マー
クの位置、マークの数及びアライメント検出に要する時
間、ウエハ交換に要する時間等の事前に判明している条
件に基づいて、制御部５０によって計算によって求める
ことができる。上記のようなウエハ１４に対する各条件
は、メモリ５２に記憶しておく。
【００１９】なお、ウエハステージ３２の待機位置の算
出に際し、次に使用されるウエハの諸条件を予め認識
し、メモリ５２に記憶してある場合には、その記憶され
ている条件に従ってウエハステージ３２の時間的平均滞
在位置を算出し、これをウエハステージ３２の待機位置
とする。仮に、次に使用されるウエハの諸条件が記憶さ
れていない場合には、直前に露光を行ったウエハの条件
に基づいて、ウエハステージ３２の時間的平均滞在位置
を算出し、これをウエハステージ３２の待機位置とす
る。
出に際し、次に使用されるウエハの諸条件を予め認識
し、メモリ５２に記憶してある場合には、その記憶され
ている条件に従ってウエハステージ３２の時間的平均滞
在位置を算出し、これをウエハステージ３２の待機位置
とする。仮に、次に使用されるウエハの諸条件が記憶さ
れていない場合には、直前に露光を行ったウエハの条件
に基づいて、ウエハステージ３２の時間的平均滞在位置
を算出し、これをウエハステージ３２の待機位置とす
る。
【００２０】以上説明した本実施例においては、ウエハ
ステージ３２に対する露光のための一連の制御が行われ
ている間に滞在する時間的に平均な位置に、当該ウエハ
ステージ３２を待機させているため、露光装置内の温度
勾配の変化等により安定した露光作業が阻害されること
がない。即ち、アライメントセンサ４４のベースライン
量の変動や、反射ミラーの曲がり変動や、干渉計３８
ａ、３８ｂ、４０ａ、４０ｂの光路温度の変化や、投影
光学系３０内の温度未調整部分（テレセントリック部）
の諸変動の防止に大きく貢献できる。
ステージ３２に対する露光のための一連の制御が行われ
ている間に滞在する時間的に平均な位置に、当該ウエハ
ステージ３２を待機させているため、露光装置内の温度
勾配の変化等により安定した露光作業が阻害されること
がない。即ち、アライメントセンサ４４のベースライン
量の変動や、反射ミラーの曲がり変動や、干渉計３８
ａ、３８ｂ、４０ａ、４０ｂの光路温度の変化や、投影
光学系３０内の温度未調整部分（テレセントリック部）
の諸変動の防止に大きく貢献できる。
【００２１】ウエハステージ３２と同様に、レチクルス
テージ１８の待機位置についても、レチクルステージ１
８に対する露光のための一連の制御が行われている間に
滞在する時間的に平均な位置として求める。なお、本実
施例の場合、レチクルステージ１８の待機位置は、走査
露光時の露光領域の中心位置となる。従って、露光領域
の中心が露光照明光の中心と重なる位置をレチクルステ
ージ１８の待機位置とする。一般に、レチクル１２に形
成される回路パターン１２ａはレチクル１２の外形中心
と一致することが多く、その場合には、レチクル１２の
外形中心が投影光学系３０の中心に重なる位置がレチク
ルステージ１８の待機位置となる。
テージ１８の待機位置についても、レチクルステージ１
８に対する露光のための一連の制御が行われている間に
滞在する時間的に平均な位置として求める。なお、本実
施例の場合、レチクルステージ１８の待機位置は、走査
露光時の露光領域の中心位置となる。従って、露光領域
の中心が露光照明光の中心と重なる位置をレチクルステ
ージ１８の待機位置とする。一般に、レチクル１２に形
成される回路パターン１２ａはレチクル１２の外形中心
と一致することが多く、その場合には、レチクル１２の
外形中心が投影光学系３０の中心に重なる位置がレチク
ルステージ１８の待機位置となる。
【００２２】図６は、本発明の第２実施例にかかる露光
装置に使用されるウエハステージ６０周辺の様子を示
す。なお、図３に示したウエハステージ３２の構成と同
一又は対応する構成には同一の符号を付し、その説明を
省略する。本実施例にかかるウエハステージ６０は、図
３に示した第１実施例のウエハステージ３２の四隅に温
度センサ６２、６４、６６、６８を搭載したものであ
る。
装置に使用されるウエハステージ６０周辺の様子を示
す。なお、図３に示したウエハステージ３２の構成と同
一又は対応する構成には同一の符号を付し、その説明を
省略する。本実施例にかかるウエハステージ６０は、図
３に示した第１実施例のウエハステージ３２の四隅に温
度センサ６２、６４、６６、６８を搭載したものであ
る。
【００２３】図７は、本発明の第２実施例にかかる露光
装置に使用されるレチクルステージ７０周辺の様子を示
す。なお、図２に示したレチクルステージ１８の構成と
同一又は対応する構成には同一の符号を付し、その説明
を省略する。本実施例にかかるレチクルステージ７０
は、図２に示した第１実施例のレチクルステージ１８の
上下端に温度センサ７２、７４を搭載したものである。
装置に使用されるレチクルステージ７０周辺の様子を示
す。なお、図２に示したレチクルステージ１８の構成と
同一又は対応する構成には同一の符号を付し、その説明
を省略する。本実施例にかかるレチクルステージ７０
は、図２に示した第１実施例のレチクルステージ１８の
上下端に温度センサ７２、７４を搭載したものである。
【００２４】図８は、本発明の第２実施例の露光装置の
制御系の概念的な構成を示す。なお、図４に示した制御
系の構成と同一又は対応する構成には同一の符号を付
し、詳細な説明は省略する。本実施例においては、図４
に示した第１実施例と同様に、レチクル干渉計２４ａ、
２４ｂ、２６と、ウエハ干渉計３８ａ、３８ｂ、４０
ａ、４０ｂと、レチクル駆動装置２８と、ウエハ駆動装
置４２は、それぞれ制御部８０によって制御される。制
御部８０には更にウエハ温度センサ６２、６４、６６、
６８と、レチクル温度センサ７２、７４と、メモリ８２
がそれぞれ接続されている。
制御系の概念的な構成を示す。なお、図４に示した制御
系の構成と同一又は対応する構成には同一の符号を付
し、詳細な説明は省略する。本実施例においては、図４
に示した第１実施例と同様に、レチクル干渉計２４ａ、
２４ｂ、２６と、ウエハ干渉計３８ａ、３８ｂ、４０
ａ、４０ｂと、レチクル駆動装置２８と、ウエハ駆動装
置４２は、それぞれ制御部８０によって制御される。制
御部８０には更にウエハ温度センサ６２、６４、６６、
６８と、レチクル温度センサ７２、７４と、メモリ８２
がそれぞれ接続されている。
【００２５】上記のように構成された本発明の第２実施
例においては、実際の露光時間やアライメント点数等に
基づいて、ウエハステージ６０を実際に駆動し、その間
の各温度センサ６２、６４、６６、６８によって計測さ
れる温度変化を制御部８０を介してメモり８２に記憶す
る。次に、制御部８０は、メモリ８２に記憶されている
温度情報に基づいて、各温度センサ６２、６４、６６、
６８の平均温度を算出する。次に、ウエハステージ６０
をゆっくりと動かしながら、各温度センサ６２、６４、
６６、６８の出力を観察し、４つの温度センサ６２、６
４、６６、６８が先に求めた平均温度となるそれぞれの
ウエハステージ６０の位置（Ｘ１，Ｙ１）、（Ｘ２，Ｙ
２）、（Ｘ３，Ｙ３）、（Ｘ４，Ｙ４）を求める。そし
て、これら４つのポジション（Ｘ１，Ｙ１）、（Ｘ２，
Ｙ２）、（Ｘ３，Ｙ３）、（Ｘ４，Ｙ４）の平均位置
（Ｘ０，Ｙ０）をウエハステージ６０の待機位置とす
る。
例においては、実際の露光時間やアライメント点数等に
基づいて、ウエハステージ６０を実際に駆動し、その間
の各温度センサ６２、６４、６６、６８によって計測さ
れる温度変化を制御部８０を介してメモり８２に記憶す
る。次に、制御部８０は、メモリ８２に記憶されている
温度情報に基づいて、各温度センサ６２、６４、６６、
６８の平均温度を算出する。次に、ウエハステージ６０
をゆっくりと動かしながら、各温度センサ６２、６４、
６６、６８の出力を観察し、４つの温度センサ６２、６
４、６６、６８が先に求めた平均温度となるそれぞれの
ウエハステージ６０の位置（Ｘ１，Ｙ１）、（Ｘ２，Ｙ
２）、（Ｘ３，Ｙ３）、（Ｘ４，Ｙ４）を求める。そし
て、これら４つのポジション（Ｘ１，Ｙ１）、（Ｘ２，
Ｙ２）、（Ｘ３，Ｙ３）、（Ｘ４，Ｙ４）の平均位置
（Ｘ０，Ｙ０）をウエハステージ６０の待機位置とす
る。
【００２６】以上説明した本実施例においては、４つの
温度センサ６２、６４、６６、６８が平均温度となるそ
れぞれのウエハステージ６０の位置（Ｘ１，Ｙ１）、
（Ｘ２，Ｙ２）、（Ｘ３，Ｙ３）、（Ｘ４，Ｙ４）の平
均位置（Ｘ０，Ｙ０）にウエハステージ６０を待機させ
る構成であるため、上記第１実施例と同様に、露光装置
内の温度勾配の変化等を最小限に抑えることができ、安
定した露光作業が確保できる。
温度センサ６２、６４、６６、６８が平均温度となるそ
れぞれのウエハステージ６０の位置（Ｘ１，Ｙ１）、
（Ｘ２，Ｙ２）、（Ｘ３，Ｙ３）、（Ｘ４，Ｙ４）の平
均位置（Ｘ０，Ｙ０）にウエハステージ６０を待機させ
る構成であるため、上記第１実施例と同様に、露光装置
内の温度勾配の変化等を最小限に抑えることができ、安
定した露光作業が確保できる。
【００２７】一方、レチクルステージ７０に関しても、
ウエハステージ６０の場合と同様に、実際の露光作業時
の条件と同じ条件でレチクルステージ７０を実際に駆動
し、その間の各温度センサ７２、７４によって計測され
る温度変化を制御部８０を介してメモり８２に記憶す
る。次に、制御部８０は、メモリ８２に記憶されている
温度情報に基づいて、各温度センサ７２、７４の平均温
度を算出する。次に、レチクルステージ７０をゆっくり
と動かしながら、各温度センサ７２、７４の出力を観察
し、２つの温度センサ７２、７４が先に求めた平均温度
となるそれぞれのレチクルステージ７０の位置を求め、
更に、これら２つのポジションの平均位置をレチクルス
テージ７０の待機位置とする。
ウエハステージ６０の場合と同様に、実際の露光作業時
の条件と同じ条件でレチクルステージ７０を実際に駆動
し、その間の各温度センサ７２、７４によって計測され
る温度変化を制御部８０を介してメモり８２に記憶す
る。次に、制御部８０は、メモリ８２に記憶されている
温度情報に基づいて、各温度センサ７２、７４の平均温
度を算出する。次に、レチクルステージ７０をゆっくり
と動かしながら、各温度センサ７２、７４の出力を観察
し、２つの温度センサ７２、７４が先に求めた平均温度
となるそれぞれのレチクルステージ７０の位置を求め、
更に、これら２つのポジションの平均位置をレチクルス
テージ７０の待機位置とする。
【００２８】次に、本発明の第３実施例について説明す
る。本実施例は、上記第２実施例の改良であり、待機時
にウエハステージ６０を各温度センサ６２、６４、６
６、６８の平均温度位置の平均位置（Ｘ０，Ｙ０）に停
止させず、各温度センサ６２、６４、６６、６８の平均
温度となるそれぞれの位置（Ｘ１，Ｙ１）、（Ｘ２，Ｙ
２）、（Ｘ３，Ｙ３）、（Ｘ４，Ｙ４）を順に移動させ
るようになっている。また、レチクルステージ７０に関
してもウエハステージ６０と同様に、各温度センサ７
２、７４の平均温度となるそれぞれの位置を順に移動さ
せる。
る。本実施例は、上記第２実施例の改良であり、待機時
にウエハステージ６０を各温度センサ６２、６４、６
６、６８の平均温度位置の平均位置（Ｘ０，Ｙ０）に停
止させず、各温度センサ６２、６４、６６、６８の平均
温度となるそれぞれの位置（Ｘ１，Ｙ１）、（Ｘ２，Ｙ
２）、（Ｘ３，Ｙ３）、（Ｘ４，Ｙ４）を順に移動させ
るようになっている。また、レチクルステージ７０に関
してもウエハステージ６０と同様に、各温度センサ７
２、７４の平均温度となるそれぞれの位置を順に移動さ
せる。
【００２９】以上、本発明の実施例について説明した
が、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
く、特許請求の範囲に示された本発明の技術的思想とし
ての要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
が、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
く、特許請求の範囲に示された本発明の技術的思想とし
ての要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、基
板ステージに対する露光のための一連の制御が停止して
いる待機時に、当該基板ステージを熱的に安定な位置に
待機させている。例えば、基板ステージに対する露光の
ための一連の制御が行われている間に滞在する時間的に
平均な位置に基板ステージを待機させる。これにより、
露光装置内の温度勾配の変化等による悪影響を最小限に
抑えることができ、安定した露光作業が確保できるとい
う効果がある。
板ステージに対する露光のための一連の制御が停止して
いる待機時に、当該基板ステージを熱的に安定な位置に
待機させている。例えば、基板ステージに対する露光の
ための一連の制御が行われている間に滞在する時間的に
平均な位置に基板ステージを待機させる。これにより、
露光装置内の温度勾配の変化等による悪影響を最小限に
抑えることができ、安定した露光作業が確保できるとい
う効果がある。
【図１】図１は、本発明の第１実施例にかかる走査型投
影露光装置の構成を示す概念図（正面図）である。
影露光装置の構成を示す概念図（正面図）である。
【図２】図２は、図１に示す第１実施例の要部の構成を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図３】図３は、第１実施例の要部の構成を示す平面図
である。
である。
【図４】図４は、第１実施例の制御系の構成を示すブロ
ック図である。
ック図である。
【図５】図５（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、
（Ｅ）、（Ｄ）、（Ｆ）、（Ｇ）、（Ｈ）、（Ｉ）、
（Ｊ）は、それぞれ第１実施例の動作を示す説明図であ
る。
（Ｅ）、（Ｄ）、（Ｆ）、（Ｇ）、（Ｈ）、（Ｉ）、
（Ｊ）は、それぞれ第１実施例の動作を示す説明図であ
る。
【図６】図６は、本発明の第２実施例の要部の構成を示
す平面図である。
す平面図である。
【図７】図７は、第２実施例の要部の構成を示す平面図
である。
である。
【図８】図８は、第２実施例の制御系の構成を示すブロ
ック図である。
ック図である。
１０・・・走査型投影露光装置 １２・・・レチクル １４・・・ウエハ １６・・・光源 １８、７０・・・レチクルステージ ２８・・・レチクル駆動装置 ３２、６０・・・ウエハステージ ４２・・・ウエハ駆動装置 ５０、８０・・・制御部 ５２、８２・・・メモリ ６２、６４、６６、６８・・・ウエハ温度センサ ７２、７４・・・レチクル温度センサ
Claims (10)
- 【請求項１】 露光装置において、表面に所定のパター
ンが露光される基板を移動可能に保持する基板ステージ
の移動制御方法において、 前記基板ステージに対する露光のための一連の制御が停
止している待機時に、前記基板ステージを熱的に安定な
位置に待機させることを特徴とする基板ステージの移動
制御方法。 - 【請求項２】 前記熱的に安定な位置は、前記基板ステ
ージに対する露光のための一連の制御が行われている間
に滞在する時間的に平均な位置として求められることを
特徴とする請求項１に記載の制御方法。 - 【請求項３】 前記時間的に平均な位置は、次に露光作
業を行う基板に対して予想される位置として求められる
ことを特徴とする請求項２に記載の制御方法。 - 【請求項４】 前記基板ステージに対する露光のための
一連の制御が行われている間に、前記基板ステージ上の
複数箇所での平均温度を温度センサによって求める工程
と；前記各温度センサの平均温度に対応する前記基板ス
テージの位置をそれぞれ平均温度位置として求める工程
と；前記各平均温度位置の平均位置を求め、該位置に前
記基板ステージを待機させることを特徴とする請求項１
に記載の制御方法。 - 【請求項５】 前記基板ステージに対する露光のための
一連の制御が行われている間に、前記基板ステージ上の
複数箇所での平均温度を温度センサによって求める工程
と；前記各温度センサの平均温度に対応する前記基板ス
テージの位置をそれぞれ平均温度位置として求める工程
と；前記基板ステージを前記平均温度位置に順番に移動
させて待機させる工程を含むことを特徴とする請求項１
に記載の制御方法。 - 【請求項６】 露光装置において、所定のパターンが形
成された露光用マスクを移動可能に保持するマスクステ
ージの移動制御方法において、 前記マスクステージに対する露光のための一連の制御が
停止している待機時に、前記マスクステージを熱的に安
定な位置に待機させることを特徴とするマスクステージ
の移動制御方法。 - 【請求項７】 前記熱的に安定な位置は、前記マスクス
テージに対する露光のための一連の制御が行われている
間に滞在する時間的に平均な位置として求められること
を特徴とする請求項６に記載の制御方法。 - 【請求項８】 前記マスクステージに対する露光のため
の一連の制御が行われている間に、前記マスクステージ
上の複数箇所での平均温度を温度センサによって求める
工程と；前記各温度センサの平均温度に対応する前記マ
スクステージの位置をそれぞれ平均温度位置として求め
る工程と；前記各平均温度位置の平均位置を求め、該位
置に前記マスクステージを待機させることを特徴とする
請求項６に記載の制御方法。 - 【請求項９】 露光装置において、所定のパターンが露
光される基板を移動可能に保持する基板ステージの移動
制御装置において、 前記基板ステージの複数箇所に配置され、前記基板ステ
ージに対する露光のための一連の制御が行われている間
の大気温度をそれぞれ検出する複数の温度センサと；前
記複数の温度センサによって検出された温度の各センサ
毎の平均を求め、求められた平均温度に対応する前記基
板ステージの位置をそれぞれ平均温度位置として求め、
且つ前記各平均温度位置の平均位置を求める演算手段
と；前記求められた平均位置に前記基板ステージを待機
させる駆動手段とを備えたことを特徴とする基板ステー
ジの移動制御装置。 - 【請求項１０】 露光装置において、所定のパターンが
露光される基板を移動可能に保持する基板ステージの移
動制御装置において、 前記基板ステージの複数箇所に配置され、前記基板ステ
ージに対する露光のための一連の制御が行われている間
の大気温度をそれぞれ検出する複数の温度センサと；前
記複数の温度センサによって検出された温度の各センサ
毎の平均を求め、求められた平均温度に対応する前記基
板ステージの位置をそれぞれ平均温度位置として求める
演算手段と；前記基板ステージを前記求められた平均温
度位置に順番に移動させて待機させる駆動手段とを含む
ことを特徴とする基板ステージの移動制御装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7328281A JPH09148236A (ja) | 1995-11-22 | 1995-11-22 | 露光装置の基板ステージの移動制御方法及び装置 |
| KR1019960055889A KR970028866A (ko) | 1995-11-22 | 1996-11-21 | 노광장치, 노광 방법 및 기판, 마스크 스테이지의 이동 제어 방법 |
| US09/630,548 US6645701B1 (en) | 1995-11-22 | 2000-08-01 | Exposure method and exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7328281A JPH09148236A (ja) | 1995-11-22 | 1995-11-22 | 露光装置の基板ステージの移動制御方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09148236A true JPH09148236A (ja) | 1997-06-06 |
Family
ID=18208481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7328281A Pending JPH09148236A (ja) | 1995-11-22 | 1995-11-22 | 露光装置の基板ステージの移動制御方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09148236A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011082549A (ja) * | 2005-09-29 | 2011-04-21 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、デバイス製造方法およびそれによって製造されたデバイス |
| JP2011146737A (ja) * | 2007-05-24 | 2011-07-28 | Asml Netherlands Bv | エンコーダ型位置センサシステムを有するリソグラフィ装置 |
| US8760615B2 (en) | 2007-05-24 | 2014-06-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus having encoder type position sensor system |
| JP2021005045A (ja) * | 2019-06-27 | 2021-01-14 | キヤノン株式会社 | ステージ装置、制御方法、基板処理装置、および物品の製造方法 |
| JP2021005046A (ja) * | 2019-06-27 | 2021-01-14 | キヤノン株式会社 | ステージ装置、制御方法、基板処理装置、および物品の製造方法 |
| WO2022205697A1 (zh) * | 2021-03-30 | 2022-10-06 | 长鑫存储技术有限公司 | 对准标记数获取方法和装置 |
| US11860555B2 (en) | 2021-03-30 | 2024-01-02 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Alignment mark count acquiring method and device |
-
1995
- 1995-11-22 JP JP7328281A patent/JPH09148236A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011082549A (ja) * | 2005-09-29 | 2011-04-21 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、デバイス製造方法およびそれによって製造されたデバイス |
| JP2011146737A (ja) * | 2007-05-24 | 2011-07-28 | Asml Netherlands Bv | エンコーダ型位置センサシステムを有するリソグラフィ装置 |
| US8687166B2 (en) | 2007-05-24 | 2014-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus having an encoder position sensor system |
| US8760615B2 (en) | 2007-05-24 | 2014-06-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus having encoder type position sensor system |
| US8836913B2 (en) | 2007-05-24 | 2014-09-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus having an encoder type position sensor system |
| JP2021005045A (ja) * | 2019-06-27 | 2021-01-14 | キヤノン株式会社 | ステージ装置、制御方法、基板処理装置、および物品の製造方法 |
| JP2021005046A (ja) * | 2019-06-27 | 2021-01-14 | キヤノン株式会社 | ステージ装置、制御方法、基板処理装置、および物品の製造方法 |
| WO2022205697A1 (zh) * | 2021-03-30 | 2022-10-06 | 长鑫存储技术有限公司 | 对准标记数获取方法和装置 |
| US11860555B2 (en) | 2021-03-30 | 2024-01-02 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Alignment mark count acquiring method and device |
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|
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