JPWO2019155886A1 - 近接露光装置、近接露光方法、及び近接露光装置用光照射装置 - Google Patents

近接露光装置、近接露光方法、及び近接露光装置用光照射装置 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2019155886A1
JPWO2019155886A1 JP2019570664A JP2019570664A JPWO2019155886A1 JP WO2019155886 A1 JPWO2019155886 A1 JP WO2019155886A1 JP 2019570664 A JP2019570664 A JP 2019570664A JP 2019570664 A JP2019570664 A JP 2019570664A JP WO2019155886 A1 JPWO2019155886 A1 JP WO2019155886A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
work
exposure
mask
light source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2019570664A
Other languages
English (en)
Inventor
工 富樫
工 富樫
榎本 芳幸
芳幸 榎本
智紀 原田
智紀 原田
洋徳 川島
洋徳 川島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
V Technology Co Ltd
Original Assignee
V Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by V Technology Co Ltd filed Critical V Technology Co Ltd
Publication of JPWO2019155886A1 publication Critical patent/JPWO2019155886A1/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7038Alignment for proximity or contact printer
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70141Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/7035Proximity or contact printers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

近接露光装置は、平面ミラー(68)よりもランプユニット(60)側に配置され、ワーク(W)の感光材が感光する第1の波長領域を有する露光光と異なる、第2の波長領域を備える非露光光を、ランプユニット(60)からの光の光軸と同軸に照射する非露光光照明手段(100)と、非露光光を用いて、ワーク(W)に投影されたマスク(M)側のアライメントマーク(101)の投影像(102)と、ワーク(W)側のアライメントマーク(103)とを同時に撮像可能なアライメントカメラ(110)と、を備える。これにより、試し露光を行うことなく、高精度なアライメント調整を実現することができると共に、露光精度を大幅に向上することができる。

Description

本発明は、近接露光装置、近接露光方法、及び近接露光装置用光照射装置に関する。
近接露光装置では、感光材が塗布された被露光基板に、露光パターンが形成されたマスクを数10μm〜数100μmのギャップで近接配置し、光照明装置からの露光光をマスクを介して照射して露光パターンを被露光基板に転写する。また、近接露光装置に適用される光照明装置では、マスクに照射される光の照度の均一性を向上するため、インテグレータが使用されている。
従来の近接露光装置では、反射鏡の曲率を補正する曲率補正機構が照明装置に設けられたものがあり、反射鏡を湾曲させて反射鏡のデクリネーション角を変化させることで、露光パターンの形状を補正し、高精度な露光結果を得るものが考案されている(例えば、特許文献1、2参照。)。
特許文献1では、基準となるキャリブレーションマスクを用いて露光用照明光の平行度を、光路反射ミラーの反射面の曲率を局部的に変えて補正する。次に、露光用マスクを用いて、基板にパターンの焼き付けを行い、転写されたパターンを測定し、光路反射ミラーの曲率を局部的に変えてマスクの伸縮を補正する。
特許文献2では、コリメーションミラーと、該コリメーションミラーによって反射されるパターン露光用の光の照射角度を変更する照射角度変更機構と、を有し、マスクのアライメントマークと基板のアライメントマークとのずれ量、及びマスクと基板とのギャップに基づいて、照射角度変更機構を作動させてコリメーションミラーを変形させる近接露光装置が知られている。
また、特許文献3では、第1の光照射部の光によりマスクのアライメントマークの投影像を受像し、画像処理してその相対位置を検出/記憶し、第2の光照射部の光によりワークのアライメントマークを受像・画像処理して相対位置を検出/記憶し、両アライメントマークが重なるようにワークおよび/またはマスクを移動させてマスクとワークの位置合わせを精度良く行うマスクとワークの自動位置合わせ方法および装置が記載されている。
日本国特開平7−201711号公報 日本国特許第5311341号公報 日本国特開平8−234452号公報
ところで、特許文献1によれば、キャリブレーションマスクが別途必要であり、また、最終的な露光位置は、一度露光(試し露光)した後でしか得ることができないという課題がある。また、特許文献2によれば、アライメント調整時の照明手段について具体的に記載されていない。さらに、特許文献3によれば、ワークおよび/またはマスクの移動によりマスクとワークの位置合わせを行っており、マスクやワークの局部的な歪を補正することを考慮したものではなかった。
本発明は、前述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、試し露光を行うことなく高精度なアライメント調整を実現することができると共に、露光精度を大幅に向上することができる近接露光装置、近接露光方法、及び近接露光装置用光照射装置を提供することにある。
本発明の上記目的は、下記の構成により達成される。
(1) 光源と、
該光源からの光を均一にして出射するインテグレータと、
反射面の曲率を変更可能なミラー曲げ機構を備え、前記インテグレータから出射された前記光を反射する反射鏡と、
を備え、
露光パターンが形成されたマスクとワークとをギャップを介して近接配置し、前記マスクを介して前記反射鏡から出射された光を前記ワーク上に照射して前記露光パターンを前記ワークに露光転写するための近接露光装置であって、
前記反射鏡よりも前記光源側に配置され、前記ワークの感光材が感光する第1の波長領域を有する露光光と異なる、第2の波長領域を備える非露光光を、前記光源からの光の光軸と同軸に照射する非露光光照明手段と、
前記非露光光を用いて、前記ワークに投影された前記マスク側のアライメントマークの投影像と、前記ワーク側のアライメントマークとを同時に撮像可能なアライメントカメラと、
をさらに備えることを特徴とする近接露光装置。
(2) 前記非露光光照明手段は、前記光源からの光の前記光路上に進退自在に配置され、前記光源からの光の前記第1の波長領域を遮断することで、通過した前記光源からの光を前記第2の波長領域を備える前記非露光光とするカットフィルタを具備することを特徴とする(1)に記載の近接露光装置。
(3) 前記光源からの光の前記光路上に進退自在に配置され、前記第2の波長領域を遮断することで、通過した前記光源からの光を前記第1の波長領域を備える前記露光光とする他のカットフィルタをさらに備えることを特徴とする(2)に記載の近接露光装置。
(4) 前記カットフィルタは、前記光源からの光の前記光路上から退避することで、前記光源からの光の前記第1の波長領域を備える前記露光光を、前記マスクを介して前記ワーク上に照射し、前記光路上に進出することで、該露光光を遮るシャッターを構成することを特徴とする(2)に記載の近接露光装置。
(5) 前記非露光光照明手段は、前記光源と別体に設けられ、前記第2の波長領域を備える前記非露光光を照射する非露光用光源を具備する(1)に記載の近接露光装置。
(6) 前記非露光用光源は、前記光源と共役な位置に配置されることを特徴とする(5)に記載の近接露光装置。
(7) 前記反射鏡と前記マスクとの間で、前記非露光光の光路上に配置されるハーフミラーをさらに備え、
前記アライメントカメラは、前記ハーフミラーを介して、前記マスク側のアライメントマークの投影像と、前記ワーク側のアライメントマークとを同時に撮像することを特徴とする(1)〜(6)のいずれかに記載の近接露光装置。
(8) 前記ワークは、前記マスクの露光パターンに対応する、矩形状の露光領域を備え、
前記アライメントカメラは、前記露光領域又は該露光領域周囲の四隅、及び該四隅を結ぶ各辺における少なくとも一点において、前記ワークに投影された前記マスク側のアライメントマークの投影像と、前記ワーク側のアライメントマークとを同時に撮像することを特徴とする(1)〜(7)のいずれかに記載の近接露光装置。
(9) 前記ワークと前記マスクとを相対移動する移動機構と、
撮像された前記マスク側のアライメントマークの投影像と前記ワーク側のアライメントマークの各中心とが一致するように、前記ミラー曲げ機構により前記反射鏡の曲率を補正すると共に、前記移動機構により前記マスクと前記ワークとを相対移動する制御部と、
を備えることを特徴とする(1)〜(8)のいずれかに記載の近接露光装置。
(10) 前記ワークは、前記マスクの露光パターンに対応する、矩形状の露光領域を備え、
前記アライメントカメラは、所定の枚数の前記ワークの露光時において、前記露光領域又は該露光領域周囲の四隅、及び該四隅を結ぶ各辺における少なくとも一点において、前記ワークに投影された前記マスク側のアライメントマークの投影像と、前記ワーク側のアライメントマークとを同時に撮像し、且つ、
前記所定の枚数以降の前記ワークの露光時において、前記アライメントカメラは、前記ワークの四隅において、前記ワークに投影された前記マスク側のアライメントマークの投影像と、前記ワーク側のアライメントマークとを同時に撮像し、
前記制御部は、前記所定の枚数のワークにおける、前記アライメントカメラで撮像された、前記四隅及び各辺における少なくとも一点の各位置でのずれ量に基づいて、前記ワークの平均形状を決定し、且つ、
前記所定の枚数以降の前記ワークの露光時において、前記ミラー曲げ機構による前記反射鏡の曲率補正と、前記マスクと前記ワークとの相対移動とを、前記アライメントカメラで撮像された前記四隅でのずれ量と、前記ワークの平均形状とに基づいて行うことを特徴とする(9)に記載の近接露光装置。
(11) (1)〜(10)のいずれかに記載の近接露光装置を用いた近接露光方法であって、
前記非露光光照明手段によって前記非露光光を照射しながら、前記ワーク上に投影された前記マスク側のアライメントマークの投影像と、前記ワーク側のアライメントマークと、を前記アライメントカメラで同時に撮像する工程と、
前記マスク側のアライメントマークの投影像と前記ワーク側のアライメントマークの各中心とが一致するように、前記ミラー曲げ機構により前記反射鏡の曲率を補正すると共に、前記マスクと前記ワークとを相対移動する工程と、
を備えることを特徴とする近接露光方法。
(12) 光源と、
該光源からの光を均一にして出射するインテグレータと、
反射面の曲率を変更可能なミラー曲げ機構を備え、前記インテグレータから出射された前記光を反射する反射鏡と、
を備え、
露光パターンが形成されたマスクとワークとをギャップを介して近接配置し、前記マスクを介して前記反射鏡から出射された光を前記ワーク上に照射して前記露光パターンを前記ワークに露光転写するための近接露光装置用光照射装置であって、
前記反射鏡よりも前記光源側に配置され、前記ワークの感光材が感光する第1の波長領域を有する露光光と異なる、第2の波長領域を備える非露光光を、前記光源からの光の光軸と同軸に照射する非露光光照明手段と、
前記非露光光を用いて、前記ワークに投影された前記マスク側のアライメントマークの投影像と、前記ワーク側のアライメントマークとを同時に撮像可能なアライメントカメラと、
をさらに備えることを特徴とする近接露光装置用光照射装置。
(13) 前記非露光光照明手段は、前記光源からの光の前記光路上に進退自在に配置され、前記光源からの光の前記第1の波長領域を遮断することで、通過した前記光源からの光を前記第2の波長領域を備える前記非露光光とするカットフィルタを具備することを特徴とする(12)に記載の近接露光装置用光照射装置。
(14) 前記光源からの光の前記光路上に進退自在に配置され、前記第2の波長領域を遮断することで、通過した前記光源からの光を前記第1の波長領域を備える前記露光光とする他のカットフィルタをさらに備えることを特徴とする(13)に記載の近接露光装置用光照射装置。
(15) 前記カットフィルタは、前記光源からの光の前記光路上から退避することで、前記光源からの光の前記第1の波長領域を備える前記露光光を、前記マスクを介して前記ワーク上に照射し、前記光路上に進出することで、該露光光を遮るシャッターを構成することを特徴とする(13)に記載の近接露光装置用光照射装置。
(16) 前記非露光光照明手段は、前記光源と別体に設けられ、前記第2の波長領域を備える前記非露光光を照射する非露光用光源を具備する(12)に記載の近接露光装置用光照射装置。
(17) 前記非露光用光源は、前記光源と共役な位置に配置されることを特徴とする(16)に記載の近接露光装置用光照射装置。
(18) 前記反射鏡と前記マスクとの間で、前記非露光光の光路上に配置されるハーフミラーをさらに備え、
前記アライメントカメラは、前記ハーフミラーを介して、前記マスク側のアライメントマークの投影像と、前記ワーク側のアライメントマークとを同時に撮像することを特徴とする(12)〜(17)のいずれかに記載の近接露光装置用光照射装置。
(19) 前記ワークは、前記マスクの露光パターンに対応する、矩形状の露光領域を備え、
前記アライメントカメラは、前記露光領域又は該露光領域周囲の四隅、及び該四隅を結ぶ各辺における少なくとも一点において、前記ワークに投影された前記マスク側のアライメントマークの投影像と、前記ワーク側のアライメントマークとを同時に撮像することを特徴とする(12)〜(18)のいずれかに記載の近接露光装置用光照射装置。
本発明の近接露光装置及び近接露光装置用光照射装置によれば、光源と、該光源からの光を均一にして出射するインテグレータと、反射面の曲率を変更可能なミラー曲げ機構を備え、前記インテグレータから出射された前記光を反射する反射鏡と、反射鏡よりも光源側に配置され、ワークの感光材が感光する第1の波長領域を有する露光光と異なる、第2の波長領域を備える非露光光を、光源からの光の光軸と同軸に照射する非露光光照明手段と、非露光光を用いて、ワークに投影されたマスク側のアライメントマークの投影像と、ワーク側のアライメントマークとを同時に撮像可能なアライメントカメラと、を備える。これにより、露光光となる光源からの光の光軸と同軸の非露光光を用いて、試し露光を行うことなく、高精度でアライメント調整を実現することができる。したがって、露光光と非露光光の互いの光軸のずれが発生することがなく、実際の露光の際に、該光軸のずれに起因するパターンの位置ずれが防止され、露光精度が大幅に向上する。
また、本発明の近接露光方法によれば、非露光光照明手段によって非露光光を照射しながら、ワーク上に投影されたマスク側のアライメントマークの投影像と、ワーク側のアライメントマークと、をアライメントカメラで同時に撮像する工程と、マスク側のアライメントマークの投影像とワーク側のアライメントマークの各中心とが一致するように、ミラー曲げ機構により反射鏡の曲率を補正すると共に、マスクとワークとを相対移動する工程と、を備える。これにより、試し露光を行うことなく高精度なアライメント調整を実現することができると共に、露光精度を大幅に向上することができる。
本発明の第1実施形態に係る近接露光装置の正面図である。 図1に示す近接露光装置に適用される光照射装置の構成を示す側面図である。 (a)は、マスク側のアライメントマークの平面図であり、(b)は、ワーク側のアライメントマークの平面図である。 (a)は、ミラー曲げ機構によりアライメント調整される前の状態を示す光照射装置の要部側面図、(b)は、アライメント調整される前のマスク側のアライメントマークの投影像とワーク側のアライメントマークとの位置関係を示す説明図である。 (a)は、ミラー曲げ機構によりアライメント調整される状態を示す光照射装置の要部側面図、(b)は、アライメント調整されたマスク側のアライメントマークの投影像とワーク側のアライメントマークとの位置関係を示す説明図である。 近接露光装置用光照射装置から出射する光の波長と、i線を基準とした相対強度の関係、及び紫外線カットフィルタでカットされる波長領域を示すグラフである。 アライメント調整及び露光の手順を示すフローチャートである。 本発明の第2実施形態に係る近接露光装置用光照射装置を模式的に示す側面図である。 第2実施形態の変形例に係る近接露光装置用光照射装置を模式的に示す側面図である。 本発明の第3実施形態に係る近接露光装置用光照射装置を模式的に示す側面図である。 本発明の第4実施形態に係る光照射装置の構成を示す側面図である。 本発明の第4実施形態に係るアライメント調整及び露光の手順を示すフローチャートである。 本発明の第4実施形態に係る光照射装置の構成を概略示す上面図である。 (a)は、本発明の第4実施形態の変形例に係るマスク側アライメントマークとワーク側アライメントマークの撮像位置を示し、(b)は、変形前と変形後のワークの外形を示す図である。
以下、本発明に係る近接露光装置及び近接露光装置用光照射装置の各実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
(第1実施形態)
図1に示すように、近接露光装置PEは、被露光材としてのワークWより小さいマスクMを用い、マスクMをマスクステージ(マスク支持部)1で保持すると共に、ワークWをワークステージ(ワーク支持部)2で保持し、マスクMとワークWとを近接させて所定の露光ギャップで対向配置した状態で、近接露光装置用光照射装置(以下、単に光照射装置とも言う)3からパターン露光用の光をマスクMに向けて照射することにより、マスクMのパターンをワークW上に露光転写する。また、ワークステージ2をマスクMに対してX軸方向とY軸方向の二軸方向にステップ移動させて、ステップ毎に露光転写が行われる。
ワークステージ2をX軸方向にステップ移動させるため、装置ベース4上には、X軸送り台5aをX軸方向にステップ移動させるX軸ステージ送り機構5が設置されている。X軸ステージ送り機構5のX軸送り台5a上には、ワークステージ2をY軸方向にステップ移動させるため、Y軸送り台6aをY軸方向にステップ移動させるY軸ステージ送り機構6が設置されている。Y軸ステージ送り機構6のY軸送り台6a上には、ワークステージ2が設置されている。ワークステージ2の上面には、ワークWがワークチャック等で真空吸引された状態で保持される。また、ワークステージ2の側部には、マスクMの下面高さを測定するための基板側変位センサ15が配設されている。従って、基板側変位センサ15は、ワークステージ2と共にX、Y軸方向に移動可能である。
装置ベース4上には、複数(図に示す実施形態では4本)のX軸リニアガイドのガイドレール51がX軸方向に配置され、それぞれのガイドレール51には、X軸送り台5aの下面に固定されたスライダ52が跨架されている。これにより、X軸送り台5aは、X軸ステージ送り機構5の第1リニアモータ20で駆動され、ガイドレール51に沿ってX軸方向に往復移動可能である。また、X軸送り台5a上には、複数のY軸リニアガイドのガイドレール53がY軸方向に配置され、それぞれのガイドレール53には、Y軸送り台6aの下面に固定されたスライダ54が跨架されている。これにより、Y軸送り台6aは、Y軸ステージ送り機構6の第2リニアモータ21で駆動され、ガイドレール53に沿ってY軸方向に往復移動可能である。
Y軸ステージ送り機構6とワークステージ2の間には、ワークステージ2を上下方向に移動させるため、比較的位置決め分解能は粗いが移動ストローク及び移動速度が大きな上下粗動装置7と、上下粗動装置7と比べて高分解能での位置決めが可能でワークステージ2を上下に微動させてマスクMとワークWとの対向面間のギャップを所定量に微調整する上下微動装置8が設置されている。
上下粗動装置7は後述の微動ステージ6bに設けられた適宜の駆動機構によりワークステージ2を微動ステージ6bに対して上下動させる。ワークステージ2の底面の4箇所に固定されたステージ粗動軸14は、微動ステージ6bに固定された直動ベアリング14aに係合し、微動ステージ6bに対し上下方向に案内される。なお、上下粗動装置7は、分解能が低くても、繰り返し位置決め精度が高いことが望ましい。
上下微動装置8は、Y軸送り台6aに固定された固定台9と、固定台9にその内端側を斜め下方に傾斜させた状態で取り付けられたリニアガイドの案内レール10とを備えており、該案内レール10に跨架されたスライダ11を介して案内レール10に沿って往復移動するスライド体12にボールねじのナット(図示せず)が連結されると共に、スライド体12の上端面は微動ステージ6bに固定されたフランジ12aに対して水平方向に摺動自在に接している。
そして、固定台9に取り付けられたモータ17によってボールねじのねじ軸を回転駆動させると、ナット、スライダ11及びスライド体12が一体となって案内レール10に沿って斜め方向に移動し、これにより、フランジ12aが上下微動する。
なお、上下微動装置8は、モータ17とボールねじによってスライド体12を駆動する代わりに、リニアモータによってスライド体12を駆動するようにしてもよい。
この上下微動装置8は、Z軸送り台6aのY軸方向の一端側(図1の左端側)に1台、他端側に2台、合計3台設置されてそれぞれが独立に駆動制御されるようになっている。これにより、上下微動装置8は、ギャップセンサ27による複数箇所でのマスクMとワークWとのギャップ量の計測結果に基づき、3箇所のフランジ12aの高さを独立に微調整してワークステージ2の高さ及び傾きを微調整する。
なお、上下微動装置8によってワークステージ2の高さを十分に調整できる場合には、上下粗動装置7を省略してもよい。
また、Y軸送り台6a上には、ワークステージ2のY方向の位置を検出するY軸レーザ干渉計18に対向するバーミラー19と、ワークステージ2のX軸方向の位置を検出するX軸レーザ干渉計に対向するバーミラー(共に図示せず)とが設置されている。Y軸レーザ干渉計18に対向するバーミラー19は、Y軸送り台6aの一側でX軸方向に沿って配置されており、X軸レーザ干渉計に対向するバーミラーは、Y軸送り台6aの一端側でY軸方向に沿って配置されている。
Y軸レーザ干渉計18及びX軸レーザ干渉計は、それぞれ常に対応するバーミラーに対向するように配置されて装置ベース4に支持されている。なお、Y軸レーザ干渉計18は、X軸方向に離間して2台設置されている。2台のY軸レーザ干渉計18により、バーミラー19を介してY軸送り台6a、ひいてはワークステージ2のY軸方向の位置及びヨーイング誤差を検出する。また、X軸レーザ干渉計により、対向するバーミラーを介してX軸送り台5a、ひいてはワークステージ2のX軸方向の位置を検出する。
マスクステージ1は、略長方形状の枠体からなるマスク基枠24と、該マスク基枠24の中央部開口にギャップを介して挿入されてX,Y,θ方向(X,Y平面内)に移動可能に支持されたマスクフレーム25と、マスクフレーム25をマスク基枠24に対してX,Y,θ方向に移動可能となるように設けられた複数のマスク駆動部28と、を備えており、マスク基枠24は装置ベース4から突設された支柱4aによってワークステージ2の上方の定位置に保持されている。
マスクフレーム25の中央部開口の下面には、枠状のマスクホルダ26が設けられている。即ち、マスクフレーム25の下面には、図示しない真空式吸着装置に接続される複数のマスクホルダ吸着溝が設けられており、マスクホルダ26が複数のマスクホルダ吸着溝を介してマスクフレーム25に吸着保持される。
マスクホルダ26の下面には、マスクMのマスクパターンが描かれていない周縁部を吸着するための複数のマスク吸着溝(図示せず)が開設されており、マスクMは、マスク吸着溝を介して図示しない真空式吸着装置によりマスクホルダ26の下面に着脱自在に保持される。
図2に示すように、本実施形態の露光装置PEの光照射装置3は、光源としてのランプユニット60と、光路ELの向きを変えるための平面ミラー63と、照射光路を開閉制御する露光制御用シャッターユニット64と、露光制御用シャッターユニット64の下流側に配置され、ランプユニット60からの光を均一にして出射するインテグレータ65と、インテグレータ65の下流側に配置されインテグレータ65から出射された光路ELの向きを変えるための平面ミラー66と、高圧水銀ランプ61からの光を平行光として照射するコリメーションミラー67と、該コリメーションミラー67からの光をマスクMに向けて照射する平面ミラー68と、を備える。
さらに、光照射装置3は、ランプユニット60からの光の光路EL上に、露光光(紫外線)である第1の波長領域をカットする紫外線カットフィルタ90と、露光光より波長が長い第2の波長領域をカットする長波長カットフィルタ95が、進退自在に配設されている。本実施形態では、ランプユニット60と紫外線カットフィルタ90は、非露光光照明手段100を構成する。
なお、図4(a)及び図5(a)では、説明のため、図2に示す光照射装置3の構成部品の一部を省略して示している。
ランプユニット60は、例えば高圧水銀ランプ61と、この高圧水銀ランプ61から出射された光を集光するリフレクタ62をそれぞれ複数有する。なお、光源としては、単一の高圧水銀ランプ61とリフレクタ62の構成であってもよく、或いは、LEDによって構成されてもよい。
図6に示すように、ランプユニット60から出射する光は、第1の波長領域の光と、第2の波長領域の光を含んでいる。第1の波長領域の光は、ワークWに塗布された感光材を感光可能な365nm付近の領域を含む紫外線からなる露光光である。第2の波長領域の光は、感光材を感光させない、550nm付近の領域を含む可視光からなる非露光光である。非露光光は、後述するように、マスクMとワークWとのアライメント調整に用いられる。
図2に戻り、インテグレータ65は、マトリックス状に配列された複数の不図示のレンズ素子を備え、リフレクタ62で集光された光を照射領域においてできるだけ均一な照度分布となるようにして出射する。
平面ミラー63、平面ミラー66、コリメーションミラー67、及び平面ミラー68は、全波長の光(第1、及び第2の波長領域の光)を反射可能(実質的に全反射)な反射鏡であり、例えば、反射面にはアルミニウム膜が形成される。なお、「実質的に全反射」とは、反射率が90%以上であることを意味する。
また、平面ミラー68には、ミラー曲げ機構70が裏面側に配設されている。これにより、平面ミラー68は、信号線81により各ミラー曲げ機構70に接続されたミラー制御部80からの指令に基づいて、平面ミラー68の形状を変更し、反射面の曲率を局部的に変更することで、平面ミラー68のデクリネーション角を補正することができる。
紫外線カットフィルタ90は、ランプユニット60と平面ミラー63との間に配置され、図6に示すように、第1の波長領域の露光光を含む、例えば480nm未満の波長の光をカットしてランプユニット60から出射された光を第2の波長領域を有する非露光光とする。
なお、紫外線カットフィルタ90は、一般的に、i線(365nm)、h線(405nm)、g線(436nm)近傍の波長を含むように480nm未満の波長の光をカットしている。
長波長カットフィルタ95は、ランプユニット60と平面ミラー63との間に配置され、第2の波長領域の非露光光を含む480nm以上の波長の光をカットして、ランプユニット60から出射された光を第1の波長領域を有する露光光とする。
その他、光照射装置3では、インテグレータ65と露光面との間には、偏光フィルタ、バンドパスフィルタが配置されてもよい。
このように構成された露光装置PEでは、光照射装置3において、露光時に露光制御用シャッターユニット64が開制御されると、高圧水銀ランプ61から出射された光が、平面ミラー63で反射されてインテグレータ65の入射面に入射する。そして、インテグレータ65の出射面から発せられた光は、平面ミラー66、コリメーションミラー67、及び平面ミラー68によってその進行方向が変えられる。さらに、この光は、マスクステージ1に保持されるマスクM、さらにはワークステージ2に保持されるワークWの表面に対して略垂直にパターン露光用の光として照射され、マスクMのパターンがワークW上に露光転写される。
図3(a)及び(b)に示すように、マスクM及びワークWの所定位置には、マスク側アライメントマーク101、及びワーク側アライメントマーク103がそれぞれ形成されている。ここでは、マスク側アライメントマーク101は、円101a内に、正方形の頂点に4つの小円101bを備えた形状とし、ワーク側アライメントマーク103は、十字形状としている。マスク側アライメントマーク101、及びワーク側アライメントマーク103は、両アライメントマーク101、103の一致が確認可能な形状であれば、図示した形状に限定されない。
図4に示すように、マスク側アライメントマーク101、及びワーク側アライメントマーク103は、互いに対応して設けられている。例えば、矩形状のマスクMには、矩形パターンの周囲に、複数のマスク側アライメントマーク101が形成され、ワークWには、パターンが転写される箇所ごとに、複数のマスク側アライメントマーク101に対応して、複数のワーク側アライメントマーク103が形成される。
また、ワークWの下方には、ワークWの上面に焦点を合わせたアライメントカメラ110が配置されている。ワークステージ2は、アライメントカメラ110が両アライメントマーク101,103を視認可能な構成とする必要があり、例えば、透明なガラスステージによって構成される。アライメントカメラ110は、図4(b)に示すように、マスク側アライメントマーク101、厳密には、ワークWの上面に投影されたマスク側アライメントマーク101の投影像102と、ワーク側アライメントマーク103を同時に撮像する。
また、図1に示すように、制御部40は、光照射装置3を含む露光装置PEの各種機構を制御するが、特に、本実施形態では、アライメントの際に、アライメントカメラ110で撮像されたマスク側アライメントマーク101の投影像102とワーク側アライメントマーク103とのずれ量を取得して、複数のマスク駆動部28を駆動し、マスクMを移動させるとともに、ミラー制御部80に、ミラー曲げ機構70を駆動するための信号を送信する。
なお、制御部40は、ミラー制御部80の制御を兼ねてもよい。また、制御部40は、アライメントの際、マスク駆動部28によってマスクMを移動させる代わりに、X軸ステージ送り機構5及びY軸ステージ送り機構6によって、ワークWを移動させてもよい。即ち、マスクMとワークWを相対移動する移動機構は、複数のマスク駆動部28でもよいし、X軸ステージ送り機構5及びY軸ステージ送り機構6でもよい。
次に、マスクMのパターンをワークW上に露光転写する手順について図4〜図7を参照して説明する。まず、ランプユニット60からの光の光路EL上に紫外線カットフィルタ90を挿入すると共に、長波長カットフィルタ95を光路EL上から退避させる(ステップS0)。ランプユニット60から出射された光は、紫外線カットフィルタ90によって第1の波長領域を含む480nm未満の波長がカットされる。これにより、ランプユニット60から出射された光は、ワークWに塗布された感光材を感光させない第2の波長領域を含む非露光光となる。
非露光光が照射されている状態で露光制御用シャッターユニット64を開くと(図7のステップS1)、非露光光がマスクMを介してワークWに照射され、マスク側アライメントマーク101の投影像102がワークW上に形成される。アライメントカメラ110は、図4(b)に示すように、マスク側アライメントマーク101の投影像102とワーク側アライメントマーク103を同時に撮像して、該投影像102とワーク側アライメントマーク103のずれ量を取得する(ステップS2)。
このとき、ワークWに照射される非露光光は、後述する露光光としても機能するランプユニット60から出射する光であるので、その光軸は露光光の光軸と同軸となる。
そして、アライメントカメラ110が取得したずれ量に基づいて、マスクステージ1が保持するマスクMを移動させてマスクMとワークWのアライメント調整を行う。さらに、マスクMとワークWの相対移動だけではアライメント調整しきれずに残ったずれ量は、図5に示すように、ミラー制御部80から平面ミラー68の各ミラー曲げ機構70に対して駆動信号を伝達して駆動し、平面ミラー68の形状を局部的に変更して、平面ミラー68のデクリネーション角を補正する(ステップS3)。これにより、マスク側アライメントマーク101の投影像102の中心Oとワーク側アライメントマーク103の中心Oを一致させてアライメント調整する。なお、本実施形態では、マスク側アライメントマーク101の投影像102の中心Oとは、4つの小円101bからなる正方形の対角線の交点であり、ワーク側アライメントマーク103の中心Oとは、十字形状の交点である。
マスク側アライメントマーク101の投影像102とワーク側アライメントマーク103のずれ量を取得する非露光光は、ワークWに塗布された感光材を感光させることがないので、ワークWの露光前に、且つ従来の露光装置では困難であったショットごとに投影像102とワーク側アライメントマーク103のずれ量を確認しながらアライメント調整することができる。さらに、平面ミラー68の各ミラー曲げ機構70による光軸の変化によるマスク側アライメントマーク101の投影像102の移動を、アライメントカメラ110で把握しながらアライメント調整することが可能となる。
次いで、アライメントカメラ110により、マスク側アライメントマーク101の投影像102とワーク側アライメントマーク103のずれ量が許容範囲内であることを確認した後(ステップS4、S5)、露光制御用シャッターユニット64を一旦閉じ、紫外線カットフィルタ90を光路EL上から退避させると共に、長波長カットフィルタ95を光路EL上に挿入する。また、必要に応じてアライメントカメラ110を光路EL上から退避させる(ステップS6)。これにより、ランプユニット60から出射された光は、第1の波長領域を有する露光光となり、該露光光のワークWへの照射が可能となる。
そして、再び露光制御用シャッターユニット64を開き、露光光によりマスクMに形成されたパターンをワークWに露光転写する(ステップS7)。
上述したステップS3のアライメント調整では、マスクMを移動させた後、平面ミラー63の曲げ補正を行っているが、マスクMの移動と平面ミラー63の曲げ補正は同時に行われてもよい。また、マスク側アライメントマーク101の投影像102とワーク側アライメントマーク103のずれ量の取得は、マスクMを移動させた後、平面ミラー63の曲げ補正を行う前に、再度行われてもよい。
また、ステップS5において、ずれ量が許容範囲を越えている場合には、ステップS3に戻り、ステップS3において、複数のアライメントマークを総合的に判断して、マスクMを移動させるか、平面ミラー63の曲げ補正を行うかを選択してもよい。
上記したように、露光光及び非露光光は、同一のランプユニット60から出射する光を紫外線カットフィルタ90と長波長カットフィルタ95を、交互に光路上に挿入及び退避することにより透過波長を選択して形成されるので、露光光と非露光光の光軸は同一である。従って、アライメント調整時と露光時とで互いの光軸のずれが発生することがなく、実際の露光の際に、該光軸のずれに起因するパターンの位置ずれが防止され、高精度での露光が可能となる。
以上説明したように、本実施形態の近接露光装置PE及び近接露光装置用光照射装置3によれば、反射面の曲率を変更可能なミラー曲げ機構70を備える平面ミラー68と、平面ミラー68よりも光源側に配置され、ワークWの感光材が感光する第1の波長領域を有する露光光と異なる、第2の波長領域を備える非露光光を、ランプユニット60からの光の光軸と同軸に照射する非露光光照明手段100と、非露光光を用いて、ワークWに投影されたマスクM側のアライメントマーク101の投影像102と、ワークW側のアライメントマーク103とを同時に撮像可能なアライメントカメラ110と、を備える。これにより、露光光となるランプユニット60からの光の光軸と同軸の非露光光を用いて、マスクM側のアライメントマーク101の投影像102とワークW側のアライメントマーク103とにより、マスクMとワークWの位置を確認しながら、マスクMとワークWの相対移動と、平面ミラー68の反射面の曲率の局部的な変更とによって、試し露光を行うことなく高精度なアライメント調整を実現することができる。また、アライメント調整時と露光時とで互いの光軸のずれが発生することがなく、実際の露光の際に、該光軸のずれに起因するパターンの位置ずれが防止され、露光精度が大幅に向上する。
また、非露光光照明手段100は、ランプユニット60からの光の光路上に進退自在に配置され、ランプユニット60からの光の第1の波長領域を遮断することで、通過したランプユニット60からの光を第2の波長領域を備える非露光光とする紫外線カットフィルタ90を具備するので、紫外線カットフィルタ90を光路EL上に進退させるだけで、露光光と非露光光とを容易に切り換えることができる。
また、ランプユニット60からの光の光路上に進退自在に配置され、第2の波長領域を遮断することで、通過したランプユニット60からの光を第1の波長領域を備える露光光とする長波長カットフィルタ95をさらに備えるので、第2の波長領域の光をカットして通常の露光を行うことができ、ランプユニット60を非露光光と露光光とに切り替ながら共用することができる。
また、本発明の近接露光方法によれば、上記の近接露光装置PEを用いた近接露光方法であって、非露光光照明手段100によって非露光光を照射しながら、ワークW上に投影されたマスクM側のアライメントマーク101の投影像102と、ワークW側のアライメントマーク103と、をアライメントカメラ110で同時に撮像する工程と、マスクM側のアライメントマーク101の投影像102とワークW側のアライメントマーク103の各中心O1,O3とが一致するように、ミラー曲げ機構70により平面ミラー68の曲率を補正すると共に、マスクMとワークWとを相対移動する工程と、を備える。これにより、試し露光を行うことなく高精度なアライメント調整を実現することができると共に、露光精度を大幅に向上することができる。
(第2実施形態)
次に、第2実施形態の近接露光装置PEについて図8を参照して説明する。なお、図8においては、図2に示す平面ミラー66、コリメーションミラー67をレンズとして簡略して示している。
第2実施形態の近接露光装置PEは、非露光光照明手段において第1実施形態の近接露光装置PEと異なる。その他の部分については、本発明の第1実施形態の近接露光装置PEと同様であるので、同一部分には同一符号又は相当符号を付して説明を簡略化又は省略する。
本実施形態の非露光光照明手段120は、インテグレータ65の周囲を囲んで、ランプユニット60と共役な位置にリング状のLED照明ユニット121が配置される。即ち、LED照明ユニット121の中心は、インテグレータ65の中心と一致しており、ランプユニット60から出射される光の光軸と、LED照明ユニット121から出射される光の光軸とは、一致している。これにより、LED照明ユニット121から出射される光と、ランプユニット60から出射される光との光軸のずれに起因した、露光時でのパターンずれが防止される。
LED照明ユニット121は、第2の波長領域を有する非露光光を出射し、第1の波長領域を有する露光光が出射されないタイプのLEDで構成されてもよいし、或いは、LED照明ユニット121の前面に、480nm未満の波長をカットする紫外線カットフィルタを配置して、第1の波長領域を有する露光光をカットしてもよい。
LED照明ユニット121から出射される光により、ワークWに塗布された感光材が感光することはなく、マスクM側のアライメントマーク101の投影像102とワークW側のアライメントマーク103とをアライメントカメラ110で確認して、マスクM側のアライメントマーク101の投影像102とワークW側のアライメントマーク103との中心O,Oが一致するように、マスクMを移動させると共に、ミラー曲げ機構70により平面ミラー68の曲率を補正してアライメント調整する。
なお、非露光光照明手段120は、ランプユニット60と共役な位置に配置されればよく、インテグレータ65の周囲に限定されない。例えば、図9に示すように、ランプユニット60からインテグレータ65までの光路EL上に、光路EL上に進退自在なミラー122を配置し、該光路EL上に進出したミラー122がランプユニット60から出射される光を遮光するとともに、LED照明ユニット121から出射される光を反射して光路EL上に導くようにしてもよい。
また、非露光光照明手段120は、非露光光を出射可能な光源であればよく、LED照明ユニット121に限定されない。
このような構成の本実施形態では、第1実施形態のようなランプユニット60と平面ミラー63との間に進退自在な紫外線カットフィルタ90は設けられていない。また、本実施形態では、長波長カットフィルタ95を設ける代わりに、平面ミラー63に、第2の波長領域を含む480nm以上の波長をカットする膜が形成されていてもよい。
以上説明したように、本実施形態の近接露光装置PE及び近接露光装置用光照射装置3によれば、非露光光照明手段120は、ランプユニット60と別体に設けられ、第2の波長領域を備える非露光光を出射する非露光用光源としてのLED照明ユニット121を具備するので、ワークWに塗布された感光材を感光させることなく、アライメント調整できる。
また、LED照明ユニット121は、ランプユニット60と共役な位置に配置されるので、高精度なアライメント調整が実現でき、LED照明ユニット121から出射される光と、ランプユニット60から出射される光との光軸のずれに起因した、露光時でのパターンずれが防止される。
その他の機構及び作用については、第1実施形態の近接露光装置PEと同様である。
(第3実施形態)
次に、第3実施形態の近接露光装置PEについて図10を参照して説明する。
第3実施形態の近接露光装置PEは、非露光光照明手段のアライメントカメラの配置において第1実施形態のものと異なる。その他の部分については、本発明の第1実施形態の近接露光装置PEと同様であるので、同一部分には同一符号又は相当符号を付して説明を簡略化又は省略する。
図10に示すように、本実施形態では、平面ミラー68とマスクMとの間の光路EL上には、ハーフミラー130が配置されており、アライメントカメラ110は、光の光路ELから外れた、マスクMの上方且つ光路ELの側方に配置されている。
このため、アライメントカメラ110は、ハーフミラー130を介して、マスクM側のアライメントマーク101の投影像102と、ワークW側のアライメントマーク103とを同時に撮像する。
以上説明したように、本実施形態の近接露光装置PE及び近接露光装置用光照射装置3によれば、平面ミラー68とマスクMとの間で、非露光光の光路上に配置されるハーフミラー130をさらに備え、アライメントカメラ110は、ハーフミラー130を介して、マスクM側のアライメントマーク101の投影像102と、ワークW側のアライメントマーク103とを同時に撮像するので、ワークステージ2の構成に依らずに、アライメントカメラ110を用いて、高精度なアライメント調整を実現できる。
その他の機構及び作用については、第1実施形態の近接露光装置PEと同様である。
(第4実施形態)
次に、第4実施形態の近接露光装置PEについて図11及び図12を参照して説明する。
第4実施形態の近接露光装置PEは、近接露光装置用光照射装置3の構成において第1実施形態のものと異なる。その他の部分については、本発明の第1実施形態の近接露光装置PEと同様であるので、同一部分には同一符号又は相当符号を付して説明を簡略化又は省略する。
図11に示すように、本実施形態では、第1実施形態の露光制御用シャッターユニット64を設けない代わりに、紫外線カットフィルタ90をシャッターとして機能させている。即ち、本実施形態の紫外線カットフィルタ90は、ランプユニット60からの光の光路EL上から退避することで、ランプユニット60からの光の第1の波長領域を備える露光光を、マスクMを介してワークW上に照射し、光路EL上に進出することで、該露光光を遮るシャッターを構成する。また、本実施形態は、第1実施形態の長波長カットフィルタ95を備えておらず、一方、ランプユニット60と紫外線カットフィルタ90との間で、ランプユニット60からの光の光路EL上に進退自在なプリシャッター96を備える。このプリシャッター96は、メンテナンス時等、作業者がチャンバー内で作業する際に、光路EL上に進出し、ランプユニット60からの全ての光を遮るように構成される。
次に、本実施形態の、マスクMのパターンをワークW上に露光転写する手順について、図12を参照して、第1実施形態と比較しながら説明する。即ち、本実施形態においては、前のワークの露光が完了した時点で、シャッターを構成する紫外線カットフィルタ90が、予め光路EL上に進入した位置にあるため、ステップS0aにおいては、アライメントカメラ110を光路EL上に進入させることで、ステップS2のアライメント動作へ移行し、第1実施形態のステップS1は行わない。
その後、第1実施形態と同様に、アライメントカメラ110による撮像(ステップS2)、マスクMの移動及びミラー補正(ステップS3)、撮像を含む、ずれ量の確認(ステップS4、S5)を行い、アライメント調整を完了する。そして、露光動作に移行する際には、本実施形態では、ステップS6aにおいて、まず、アライメントカメラ110を光路EL上から退避させ、その後、ステップS7aにおいて、紫外線カットフィルタ90を退避させることで、露光光によりマスクMに形成されたパターンをワークWに露光転写する。
即ち、本実施形態の非露光光は、第1実施形態と同様に、第2の波長領域を備えているが、本実施形態の露光光は、第1及び第2の波長領域の両方を備える。また、本実施形態では、紫外線カットフィルタ90がシャッターを兼ね、また、長波長カットフィルタ95を備えないため、本実施形態の露光方法は、タクトタイムを短縮することができる。
その他の機構及び作用については、第1実施形態の近接露光装置PEと同様である。
(第5実施形態)
次に、第5実施形態の近接露光装置PEについて図13及び図14を参照して説明する。
第5実施形態の近接露光装置PEは、近接露光装置用光照射装置3の構成、及びアライメント調整において第1実施形態のものと異なる。その他の部分については、本発明の第1実施形態の近接露光装置PEと同様であるので、同一部分には同一符号又は相当符号を付して説明を簡略化又は省略する。
なお、図13は、ワークWの外形、及びワーク側アライメントマーク103を示しているが、ワークWは、マスクMの露光パターンに対応する、図示しない矩形状の露光領域を備えており、ワークWの外形は、矩形状の露光領域に略相似形状であると考える。
本実施形態では、図13に示すように、マスク側アライメントマーク101及びワーク側アライメントマーク103は、マスクMとワークWの矩形状の露光領域周囲の四隅A1〜A4だけでなく、該四隅A1〜A4を結ぶ各辺の中間位置またはその近傍B1〜B4、C1〜C4に設けられている。制御部40は、上記四隅A1〜A4と、各辺の中点位置近傍B1〜B4、C1〜C4との両方でのずれ量を確認し、マスク駆動部28におるマスクMの移動と、ミラー曲げ機構70による平面ミラー68の曲率補正の両方を行っている。
また、本実施形態では、第3実施形態で説明したアライメントカメラ110とハーフミラー130とをそれぞれ有する8台のカメラユニット140が、図示しない駆動機構によって、それぞれワークWの長手方向又は短手方向に移動可能、且つ、露光領域に進退可能に、各レール141に取り付けられている。
したがって、8台のカメラユニット140は、それぞれ移動しながら、ワークWの四隅A1〜A4、及び各辺の中点近傍B1〜B4、C1〜C4の2箇所ずつの計12箇所で、マスク側アライメントマーク101の投影像102とワーク側アライメントマーク103とを撮像する。
なお、カメラユニット140の数は、撮像箇所に対応する数設けるようにしてもよい。また、ワークWの各辺の中点1箇所で、マスク側アライメントマーク101の投影像102とワーク側アライメントマーク103とを撮像してもよい。
そして、制御部40は、ワークWの四隅A1〜A4でのマスク側アライメントマーク101の投影像102とワーク側アライメントマーク103のずれ量に基づいて、マスクMを移動させてアライメント調整を行い、さらに、四隅A1〜A4でのずれ量に加えて、中点近傍B1〜B4、C1〜C4でのマスク側アライメントマーク101の投影像102とワーク側アライメントマーク103のずれ量に基づいて、平面ミラー63の曲げ補正を行う。
したがって、本実施形態では、アライメントカメラ110が、中点近傍B1〜B4、C1〜C4でのずれ量も測定して、それに基づいて平面ミラー63の曲げ補正を行うことで、より高精度での露光が可能となる。
また、本実施形態では、カメラユニット140を移動させながら、ワークWの各辺の中点近傍B1〜B4、C1〜C4において、アライメントカメラ110による撮像を行っているため、タクトタイムが長くなることが懸念される。このため、本実施形態の変形例としては、まず、所定の枚数の露光時には、図14(a)に示すように、本実施形態の上記手法で、ワークWの四隅A1〜A4、及び各辺の中点近傍B1〜B4、C1〜C4の2箇所ずつの計12箇所で、マスク側アライメントマーク101とワーク側アライメントマーク103を撮像し、制御部80は、撮像した複数のワーク側アライメントマーク103に基づいて、ワークWの平均形状を求める。そして、その後の所定の枚数を越えた露光時には、アライメントカメラ110は、ワークWの中点近傍での撮像を行わず、ワークWの四隅A1〜A4での撮像を行い、制御部40は、ワークWの四隅A1〜A4でのずれ量と、ワークWの平均形状に基づいて、アライメント調整を行う。
即ち、図14(b)に示すように、制御部40は、ワークWの四隅A1〜A4でのマスク側アライメントマーク101の投影像102とワーク側アライメントマーク103のずれ量に基づいて、マスクMを移動させてx、y、θ方向の調整を行う。さらに、四隅A1〜A4でのずれ量に基づいて、四隅A1〜A4でのマスク側のアライメントマーク101の投影像102とワーク側のアライメントマーク103の各中心とが一致するように、ミラー曲げ機構70による平面ミラー63の曲げ補正を行い、さらに、四隅A1〜A4でのミラー曲げ機構70による平面ミラー63の曲げ補正の大きさや方向を、ワークWの平均形状の他の位置にも適用して、平面ミラー63の曲げ補正を行う。この際、四隅A1〜A4でのワーク側アライメントマーク103の位置と、四隅A1〜A4での平均形状における位置とのずれ量に基づいて、平均形状に対してワークWが拡大形状であるか、縮小形状であるかどうかを判断して、該他の位置での平面ミラー63の曲げ補正に反映している。
また、四隅A1〜A4での平面ミラー63の曲げ補正の大きさはそれぞれ異なる。このため、中点での補正は、中点の両側の四隅A1〜A4のずれ量をx方向成分、y方向成分に分けた後、各成分ごとに、2点の平均値を用いている。また、中点での補正量としては、この2点の平均値に対してさらに係数をかけて使用されてもよい。
これによって、中点でのひずみ形状を含む、所定の枚数のワークWを撮像することで得られた平均形状を元にして、残りのワークWをアライメント補正することができるので、タクトタイムの影響を抑えつつ、高精度な露光が可能となる。
その他の機構及び作用については、第1実施形態の近接露光装置PEと同様である。
尚、本発明は、前述した各実施形態に限定されるものではなく、適宜、変形、改良、等が可能である。
なお、上記実施形態では、アライメント調整の際、アライメントカメラ110は、マスク側アライメントマーク101と、ワーク側アライメントマーク103とを撮像しているが、本発明では、アライメントカメラ110は、ワーク側アライメントマーク103の代わりに、予めワークWに露光転写された画素(ピクセルアライメント)を撮像してもよい。即ち、ピクセルアライメントは、露光領域の四隅を構成する。
本出願は、2018年2月8日出願の日本特許出願2018−021151に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
3 光照射装置(近接露光装置用光照射装置)
60 ランプユニット(光源)
63,66 平面ミラー(反射鏡)
65 インテグレータ
67 コリメーションミラー(反射鏡)
68 平面ミラー(反射鏡)
70 ミラー曲げ機構
90 紫外線カットフィルタ(カットフィルタ)
95 長波長カットフィルタ(他のカットフィルタ)
100,120 非露光光照明手段
101 マスク側アライメントマーク
102 マスク側のアライメントマークの投影像
103 ワーク側アライメントマーク
110 アライメントカメラ
121 LED照明ユニット(非露光用光源)
130 ハーフミラー
M マスク
マスク側のアライメントマークの投影像の中心
ワーク側のアライメントマークの中心
PE 近接露光装置
W ワーク

Claims (19)

  1. 光源と、
    該光源からの光を均一にして出射するインテグレータと、
    反射面の曲率を変更可能なミラー曲げ機構を備え、前記インテグレータから出射された前記光を反射する反射鏡と、
    を備え、
    露光パターンが形成されたマスクとワークとをギャップを介して近接配置し、前記マスクを介して前記反射鏡から出射された光を前記ワーク上に照射して前記露光パターンを前記ワークに露光転写するための近接露光装置であって、
    前記反射鏡よりも前記光源側に配置され、前記ワークの感光材が感光する第1の波長領域を有する露光光と異なる、第2の波長領域を備える非露光光を、前記光源からの光の光軸と同軸に照射する非露光光照明手段と、
    前記非露光光を用いて、前記ワークに投影された前記マスク側のアライメントマークの投影像と、前記ワーク側のアライメントマークとを同時に撮像可能なアライメントカメラと、
    をさらに備えることを特徴とする近接露光装置。
  2. 前記非露光光照明手段は、前記光源からの光の前記光路上に進退自在に配置され、前記光源からの光の前記第1の波長領域を遮断することで、通過した前記光源からの光を前記第2の波長領域を備える前記非露光光とするカットフィルタを具備することを特徴とする請求項1に記載の近接露光装置。
  3. 前記光源からの光の前記光路上に進退自在に配置され、前記第2の波長領域を遮断することで、通過した前記光源からの光を前記第1の波長領域を備える前記露光光とする他のカットフィルタをさらに備えることを特徴とする請求項2に記載の近接露光装置。
  4. 前記カットフィルタは、前記光源からの光の前記光路上から退避することで、前記光源からの光の前記第1の波長領域を備える前記露光光を、前記マスクを介して前記ワーク上に照射し、前記光路上に進出することで、該露光光を遮るシャッターを構成することを特徴とする請求項2に記載の近接露光装置。
  5. 前記非露光光照明手段は、前記光源と別体に設けられ、前記第2の波長領域を備える前記非露光光を照射する非露光用光源を具備する請求項1に記載の近接露光装置。
  6. 前記非露光用光源は、前記光源と共役な位置に配置されることを特徴とする請求項5に記載の近接露光装置。
  7. 前記反射鏡と前記マスクとの間で、前記非露光光の光路上に配置されるハーフミラーをさらに備え、
    前記アライメントカメラは、前記ハーフミラーを介して、前記マスク側のアライメントマークの投影像と、前記ワーク側のアライメントマークとを同時に撮像することを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の近接露光装置。
  8. 前記ワークは、前記マスクの露光パターンに対応する、矩形状の露光領域を備え、
    前記アライメントカメラは、前記露光領域又は該露光領域周囲の四隅、及び該四隅を結ぶ各辺における少なくとも一点において、前記ワークに投影された前記マスク側のアライメントマークの投影像と、前記ワーク側のアライメントマークとを同時に撮像することを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の近接露光装置。
  9. 前記ワークと前記マスクとを相対移動する移動機構と、
    撮像された前記マスク側のアライメントマークの投影像と前記ワーク側のアライメントマークの各中心とが一致するように、前記ミラー曲げ機構により前記反射鏡の曲率を補正すると共に、前記移動機構により前記マスクと前記ワークとを相対移動する制御部と、
    を備えることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の近接露光装置。
  10. 前記ワークは、前記マスクの露光パターンに対応する、矩形状の露光領域を備え、
    前記アライメントカメラは、所定の枚数の前記ワークの露光時において、前記露光領域又は該露光領域周囲の四隅、及び該四隅を結ぶ各辺における少なくとも一点において、前記ワークに投影された前記マスク側のアライメントマークの投影像と、前記ワーク側のアライメントマークとを同時に撮像し、且つ、
    前記所定の枚数以降の前記ワークの露光時において、前記アライメントカメラは、前記ワークの四隅において、前記ワークに投影された前記マスク側のアライメントマークの投影像と、前記ワーク側のアライメントマークとを同時に撮像し、
    前記制御部は、前記所定の枚数のワークにおける、前記アライメントカメラで撮像された、前記四隅及び各辺における少なくとも一点の各位置でのずれ量に基づいて、前記ワークの平均形状を決定し、且つ、
    前記所定の枚数以降の前記ワークの露光時において、前記ミラー曲げ機構による前記反射鏡の曲率補正と、前記マスクと前記ワークとの相対移動とを、前記アライメントカメラで撮像された前記四隅でのずれ量と、前記ワークの平均形状とに基づいて行うことを特徴とする請求項9に記載の近接露光装置。
  11. 請求項1〜10のいずれか1項に記載の近接露光装置を用いた近接露光方法であって、
    前記非露光光照明手段によって前記非露光光を照射しながら、前記ワーク上に投影された前記マスク側のアライメントマークの投影像と、前記ワーク側のアライメントマークと、を前記アライメントカメラで同時に撮像する工程と、
    前記マスク側のアライメントマークの投影像と前記ワーク側のアライメントマークの各中心とが一致するように、前記ミラー曲げ機構により前記反射鏡の曲率を補正すると共に、前記マスクと前記ワークとを相対移動する工程と、
    を備えることを特徴とする近接露光方法。
  12. 光源と、
    該光源からの光を均一にして出射するインテグレータと、
    反射面の曲率を変更可能なミラー曲げ機構を備え、前記インテグレータから出射された前記光を反射する反射鏡と、
    を備え、
    露光パターンが形成されたマスクとワークとをギャップを介して近接配置し、前記マスクを介して前記反射鏡から出射された光を前記ワーク上に照射して前記露光パターンを前記ワークに露光転写するための近接露光装置用光照射装置であって、
    前記反射鏡よりも前記光源側に配置され、前記ワークの感光材が感光する第1の波長領域を有する露光光と異なる、第2の波長領域を備える非露光光を、前記光源からの光の光軸と同軸に照射する非露光光照明手段と、
    前記非露光光を用いて、前記ワークに投影された前記マスク側のアライメントマークの投影像と、前記ワーク側のアライメントマークとを同時に撮像可能なアライメントカメラと、
    をさらに備えることを特徴とする近接露光装置用光照射装置。
  13. 前記非露光光照明手段は、前記光源からの光の前記光路上に進退自在に配置され、前記光源からの光の前記第1の波長領域を遮断することで、通過した前記光源からの光を前記第2の波長領域を備える前記非露光光とするカットフィルタを具備することを特徴とする請求項12に記載の近接露光装置用光照射装置。
  14. 前記光源からの光の前記光路上に進退自在に配置され、前記第2の波長領域を遮断することで、通過した前記光源からの光を前記第1の波長領域を備える前記露光光とする他のカットフィルタをさらに備えることを特徴とする請求項13に記載の近接露光装置用光照射装置。
  15. 前記カットフィルタは、前記光源からの光の前記光路上から退避することで、前記光源からの光の前記第1の波長領域を備える前記露光光を、前記マスクを介して前記ワーク上に照射し、前記光路上に進出することで、該露光光を遮るシャッターを構成することを特徴とする請求項13に記載の近接露光装置用光照射装置。
  16. 前記非露光光照明手段は、前記光源と別体に設けられ、前記第2の波長領域を備える前記非露光光を照射する非露光用光源を具備する請求項12に記載の近接露光装置用光照射装置。
  17. 前記非露光用光源は、前記光源と共役な位置に配置されることを特徴とする請求項16に記載の近接露光装置用光照射装置。
  18. 前記反射鏡と前記マスクとの間で、前記非露光光の光路上に配置されるハーフミラーをさらに備え、
    前記アライメントカメラは、前記ハーフミラーを介して、前記マスク側のアライメントマークの投影像と、前記ワーク側のアライメントマークとを同時に撮像することを特徴とする請求項12〜17のいずれか1項に記載の近接露光装置用光照射装置。
  19. 前記ワークは、前記マスクの露光パターンに対応する、矩形状の露光領域を備え、
    前記アライメントカメラは、前記露光領域又は該露光領域周囲の四隅、及び該四隅を結ぶ各辺における少なくとも一点において、前記ワークに投影された前記マスク側のアライメントマークの投影像と、前記ワーク側のアライメントマークとを同時に撮像することを特徴とする請求項12〜18のいずれか1項に記載の近接露光装置用光照射装置。
JP2019570664A 2018-02-08 2019-01-23 近接露光装置、近接露光方法、及び近接露光装置用光照射装置 Pending JPWO2019155886A1 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018021151 2018-02-08
JP2018021151 2018-02-08
PCT/JP2019/002128 WO2019155886A1 (ja) 2018-02-08 2019-01-23 近接露光装置、近接露光方法、及び近接露光装置用光照射装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPWO2019155886A1 true JPWO2019155886A1 (ja) 2021-01-28

Family

ID=67549027

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019570664A Pending JPWO2019155886A1 (ja) 2018-02-08 2019-01-23 近接露光装置、近接露光方法、及び近接露光装置用光照射装置

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPWO2019155886A1 (ja)
KR (1) KR20200119235A (ja)
CN (1) CN111699440A (ja)
TW (1) TW201940993A (ja)
WO (1) WO2019155886A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7361599B2 (ja) * 2019-12-26 2023-10-16 キヤノン株式会社 露光装置および物品製造方法
CN111352312B (zh) * 2020-04-29 2021-09-07 中国科学院光电技术研究所 一种多功能光刻装置
JP2021193429A (ja) * 2020-06-08 2021-12-23 株式会社ブイ・テクノロジー 露光用の光源装置、照明装置、露光装置、及び露光方法
JP2022138883A (ja) * 2021-03-11 2022-09-26 セイコーエプソン株式会社 画像生成方法、制御方法、および情報処理装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08264427A (ja) * 1995-03-23 1996-10-11 Nikon Corp アライメント方法及びその装置
JP2006098649A (ja) * 2004-09-29 2006-04-13 Nsk Ltd 露光装置および露光方法
JP2011169924A (ja) * 2010-01-22 2011-09-01 Nsk Ltd 露光装置及び露光方法
JP2014207300A (ja) * 2013-04-12 2014-10-30 株式会社オーク製作所 光源装置および露光装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07201711A (ja) 1993-12-29 1995-08-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 近接露光方法及びその装置
JP3246300B2 (ja) 1994-11-29 2002-01-15 ウシオ電機株式会社 マスクとワークの自動位置合わせ方法および装置
JP5311341B2 (ja) 2006-06-14 2013-10-09 Nskテクノロジー株式会社 近接露光装置及び近接露光方法
CN102193339A (zh) * 2011-06-13 2011-09-21 中国科学院光电技术研究所 一种无掩模光刻对准系统
KR101941323B1 (ko) * 2011-08-10 2019-01-22 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디 노광 장치용 얼라인먼트 장치 및 얼라인먼트 마크
JP6296174B2 (ja) * 2015-01-15 2018-03-20 株式会社村田製作所 露光装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08264427A (ja) * 1995-03-23 1996-10-11 Nikon Corp アライメント方法及びその装置
JP2006098649A (ja) * 2004-09-29 2006-04-13 Nsk Ltd 露光装置および露光方法
JP2011169924A (ja) * 2010-01-22 2011-09-01 Nsk Ltd 露光装置及び露光方法
JP2014207300A (ja) * 2013-04-12 2014-10-30 株式会社オーク製作所 光源装置および露光装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW201940993A (zh) 2019-10-16
WO2019155886A1 (ja) 2019-08-15
CN111699440A (zh) 2020-09-22
KR20200119235A (ko) 2020-10-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPWO2019155886A1 (ja) 近接露光装置、近接露光方法、及び近接露光装置用光照射装置
JP5311341B2 (ja) 近接露光装置及び近接露光方法
US20110027542A1 (en) Exposure apparatus and exposure method
TWI722389B (zh) 圖案形成裝置、對齊標記檢測方法和圖案形成方法
JP6535197B2 (ja) 露光装置及び露光方法
JP5464991B2 (ja) 近接露光装置及び近接露光方法
CN107615170B (zh) 曝光用照明装置、曝光装置和曝光方法
WO2021251090A1 (ja) 露光用の光源装置、照明装置、露光装置、及び露光方法
JP2008015314A (ja) 露光装置
JP2002365810A (ja) 分割逐次近接露光装置
JP2012049326A (ja) マスクの位置決め装置及びマスクの回転中心算出方法
US8400618B2 (en) Method for arranging an optical module in a measuring apparatus and a measuring apparatus
KR20010091971A (ko) 얼라인먼트 장치, 얼라인먼트 방법, 노광 장치 및 노광 방법
KR20150067077A (ko) 노광 장치, 노광 방법 및 미러 휨 기구 부착 반사경
JP5465024B2 (ja) 露光装置及び露光方法
JP2994968B2 (ja) マスクとワークの位置合わせ方法および装置
JP5089238B2 (ja) 露光装置用基板アダプタ及び露光装置
JP2001125284A (ja) 分割逐次近接露光装置
JP7088552B2 (ja) 近接露光装置及び近接露光方法
JPWO2019059315A1 (ja) 露光用照明装置、露光装置及び露光方法
US6819401B2 (en) Exposure method and apparatus
JP2007086684A (ja) 露光装置
JP2008209631A (ja) 露光装置及びそのマスク装着方法
KR101578385B1 (ko) 근접 노광 장치, 근접 노광 방법 및 조명 광학계
JP2008089993A (ja) 露光装置のギャップ量測定方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20211027

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20221129

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230127

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230509

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20231031