JP7088552B2 - 近接露光装置及び近接露光方法 - Google Patents

近接露光装置及び近接露光方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7088552B2
JP7088552B2 JP2018555042A JP2018555042A JP7088552B2 JP 7088552 B2 JP7088552 B2 JP 7088552B2 JP 2018555042 A JP2018555042 A JP 2018555042A JP 2018555042 A JP2018555042 A JP 2018555042A JP 7088552 B2 JP7088552 B2 JP 7088552B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
work
alignment mark
mirror
pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018555042A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2018105658A1 (ja
Inventor
洋徳 川島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
V Technology Co Ltd
Original Assignee
V Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by V Technology Co Ltd filed Critical V Technology Co Ltd
Publication of JPWO2018105658A1 publication Critical patent/JPWO2018105658A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7088552B2 publication Critical patent/JP7088552B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2045Exposure; Apparatus therefor using originals with apertures, e.g. stencil exposure masks
    • G03F7/2047Exposure with radiation other than visible light or UV light, e.g. shadow printing, proximity printing
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/08Mirrors
    • G02B5/10Mirrors with curved faces
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/36Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70141Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/702Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70433Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
    • G03F7/70441Optical proximity correction [OPC]
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70825Mounting of individual elements, e.g. mounts, holders or supports
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

本発明は、近接露光装置及び近接露光方法に関する。
従来、特許文献1には、反射鏡の曲率を補正可能なミラー曲げ機構をそれぞれ備える複数の反射鏡を有し、マスク側の一方の反射鏡は、ワークのひずみ量に応じてミラー曲げ機構を駆動させてワークの歪を補正し、他方の反射鏡は、一方の反射鏡の曲率を補正した状態で、ミラー曲げ機構を駆動させて反射鏡の曲率を補正して露光光の照度分布を向上させる露光装置が開示されている。
日本国特開2015-146417号公報
ところで、特許文献1に記載のように、ミラー曲げを行うと、ワークに照射される露光光の主光線の角度がワークに対して垂直ではなくなり、転写パターンがその分だけずれて転写されることになる。このため、2層目を露光する際のアライメントに使用される、1層目を露光した際に転写されたワーク側のアライメントマークは、位置ずれして転写されている場合がある。このワーク側のアライメントマークを用いてアライメント調整し、2層目以降の露光を行うと、上記主光線の角度のずれ分だけずれて露光転写されるため、露光精度が低下する。
また、ワークは露光した際に、ワークの温度変化による伸長、吸着状態の変化、ワークの特性等により、ワークごとに固有の歪が生じる。このため、2層目以降を露光する際のアライメントに使用される、ワーク側のアライメントマークには、上記ワークに固有の歪によっても位置ずれして転写されている場合がある。
特許文献1に記載の露光装置では、ワークの歪に応じて反射鏡の曲率を補正しているが、1層目の露光時のデクリネーション角の変化分だけ、アライメントマークが位置ずれする点を考慮していない。また、アライメントマークの位置ずれだけでは、ワーク固有のひずみを判断することができない。
本発明は、前述した課題に鑑みてなされたものであり、その第1の目的は、ミラー曲げに伴う露光光の主光線の角度に起因するアラメント誤差を補正してマスクのパターンを精度よく露光転写可能な近接露光装置及び近接露光方法を提供することにある。また、第2の目的は、ワーク固有の歪に起因するずれ量を補正してマスクのパターンを精度よく露光転写可能な近接露光装置及び近接露光方法を提供することにある。
本発明の上記目的は、下記の構成により達成される。
(1) ワークを支持するワーク支持部と、
マスクを支持するマスク支持部と、
光源、インテグレータ、及び光源からの露光光を反射する複数の反射鏡を有する照明光学系と、
を備え、前記光源からの露光光を前記マスクを介して前記ワークに照射して前記マスクのパターンを前記ワークに転写する近接露光装置であって、
前記複数の反射鏡の内の少なくとも1つの前記反射鏡は、前記反射鏡の曲率を補正可能なミラー曲げ機構を有し、
マスク側のアライメントマークと、ワーク側のアライメントマークとを撮像可能なアライメントカメラと、
1層目の前記マスクのパターンを露光する際における前記ワークに照射される前記露光光の主光線の角度と、前記マスク及び前記ワーク間のギャップとから計算される、前記ワーク側のアライメントマークの初期ずれ成分を記憶する記憶部と、
2層目以降の前記マスクのパターンを露光する際、前記アライメントカメラにより観測される前記ワーク側のアライメントマークに対して前記初期ずれ成分をオフセットして得られたワーク側の補正アライメントマークと、前記マスク側のアライメントマークとでアライメント調整する制御装置と、
を備えることを特徴とする近接露光装置。
(2) 前記2層目以降の前記マスクのパターンを露光する際、前記マスク側のアライメントマークと前記ワーク側の補正アライメントマークとの各位置でのずれ量に基づいて、前記ミラー曲げ機構を駆動して前記反射鏡の曲率を補正することを特徴とする(1)に記載の近接露光装置。
(3) 前記ミラー曲げ機構を備えた前記反射鏡を、該反射鏡に対して垂直方向にそれぞれ移動可能なミラー移動機構をさらに備え、
前記2層目以降の前記マスクのパターンを露光する際、前記マスク側のアライメントマークと前記ワーク側の補正アライメントマークとの各位置でのずれ量に基づいて、平均ずれ量を算出し、該平均ずれ量に基づいて前記ミラー移動機構によって前記反射鏡の傾きを変更すると共に、前記各位置でのずれ量と前記平均ずれ量との差分に基づいて前記ミラー曲げ機構によって前記反射鏡の曲率を補正することを特徴とする(1)に記載の近接露光装置。
(4) 前記記憶部は、2層目以降の所定の層における前記マスクのパターンを露光する際、前記ワーク側の補正アライメントマークに対して、露光する際の前記マスク側のアライメントマークとの位置ずれ成分を、所定数のワークを露光した際に平均化してひずみ起因ずれ成分として記録し、
前記制御装置は、前記ひずみ起因ずれ成分に基づいて、前記ミラー曲げ機構によって前記反射鏡の曲率を補正することを特徴とする(1)に記載の近接露光装置。
(5) ワークを支持するワーク支持部と、
マスクを支持するマスク支持部と、
光源、インテグレータ、及び光源からの露光光を反射する複数の反射鏡を有する照明光学系と、
を備え、前記光源からの露光光を前記マスクを介して前記ワークに照射して前記マスクのパターンを前記ワークに転写する近接露光装置であって、
前記複数の反射鏡の内の少なくとも1つの前記反射鏡は、前記反射鏡の曲率を補正可能なミラー曲げ機構を有し、
マスク側のアライメントマークと、ワーク側のアライメントマークとを撮像可能なアライメントカメラを備え、
2層目以降の所定の層における前記マスクのパターンを露光する際、前記ワーク側のアライメントマークに対して、露光する際の前記マスク側のアライメントマークとの位置ずれ成分を、所定数のワークを露光した際に平均化してひずみ起因ずれ成分として記録する記憶部と、
前記ひずみ起因ずれ成分に基づいて、前記ミラー曲げ機構によって前記反射鏡の曲率を補正する制御部と、
を備えることを特徴とする近接露光装置。
(6) ワークを支持するワーク支持部と、
マスクを支持するマスク支持部と、
光源、インテグレータ、及び光源からの露光光を反射する複数の反射鏡を有する照明光学系と、
前記複数の反射鏡の内の少なくとも1つの前記反射鏡は、前記反射鏡の曲率を補正可能なミラー曲げ機構を有し、
マスク側のアライメントマークと、ワーク側のアライメントマークとを撮像可能なアライメントカメラと、
を備える近接露光装置を用いて、前記光源からの露光光を前記マスクを介して前記ワークに照射して前記マスクのパターンを前記ワークに転写する近接露光方法であって、
1層目のマスクのパターンを露光する際における前記ワークに照射される前記露光光の主光線の角度と、前記マスク及び前記ワーク間のギャップとから計算される、前記ワーク側のアライメントマークの初期ずれ成分を記憶する工程と、
2層目以降の前記マスクのパターンを露光する際、前記アライメントカメラにより観測される前記ワーク側のアライメントマークに対して前記初期ずれ成分をオフセットして得られたワーク側の補正アライメントマークと、前記マスク側のアライメントマークとでアライメント調整する工程と、
を備えることを特徴とする近接露光方法。
(7) 前記2層目以降の前記マスクのパターンを露光する際、前記マスク側のアライメントマークと前記ワーク側の補正アライメントマークとの各位置でのずれ量に基づいて、前記ミラー曲げ機構を駆動して前記反射鏡の曲率を補正することを特徴とする(6)に記載の近接露光方法。
(8) 前記近接露光装置は、前記ミラー曲げ機構を備えた前記反射鏡を、該反射鏡に対して垂直方向にそれぞれ移動可能なミラー移動機構をさらに備え、
前記2層目以降の前記マスクのパターンを露光する際、前記マスク側のアライメントマークと前記ワーク側の補正アライメントマークとの各位置でのずれ量に基づいて、平均ずれ量を算出し、該平均ずれ量に基づいて前記ミラー移動機構によって前記反射鏡の傾きを変更すると共に、前記各位置でのずれ量と前記平均ずれ量との差分に基づいて前記ミラー曲げ機構によって前記反射鏡の曲率を補正することを特徴とする(6)に記載の近接露光方法。
(9) 2層目以降の所定の層における前記マスクのパターンを露光する際、前記ワーク側の補正アライメントマークに対して、露光する際の前記マスク側のアライメントマークとの位置ずれ成分を、所定数のワークを露光した際に平均化してひずみ起因ずれ成分として記録する工程と、
前記ひずみ起因ずれ成分に基づいて、前記ミラー曲げ機構によって前記反射鏡の曲率を補正する工程と、
を備えることを特徴とする(6)に記載の近接露光方法。
(10) ワークを支持するワーク支持部と、
マスクを支持するマスク支持部と、
光源、インテグレータ、及び光源からの露光光を反射する複数の反射鏡を有する照明光学系と、
前記複数の反射鏡の内の少なくとも1つの前記反射鏡は、前記反射鏡の曲率を補正可能なミラー曲げ機構を有し、
マスク側のアライメントマークと、ワーク側のアライメントマークとを撮像可能なアライメントカメラと、
を備える近接露光装置を用いて、前記光源からの露光光を前記マスクを介して前記ワークに照射して前記マスクのパターンを前記ワークに転写する近接露光方法であって、
2層目以降の所定の層における前記マスクのパターンを露光する際、前記ワーク側のアライメントマークに対して、露光する際の前記マスク側のアライメントマークとの位置ずれ成分を、所定数のワークを露光した際に平均化してひずみ起因ずれ成分として記録する工程と、
前記ひずみ起因ずれ成分に基づいて、前記ミラー曲げ機構によって前記反射鏡の曲率を補正する工程と、
を備えることを特徴とする近接露光方法。
本発明の近接露光装置及び近接露光方法によれば、1層目のマスクのパターンを露光する際におけるワークに照射される前記露光光の主光線の角度と、マスク及びワーク間のギャップとから計算される、ワーク側のアライメントマークの初期ずれ成分を記憶し、2層目以降のマスクのパターンを露光する際、アライメントカメラにより観測されるワーク側のアライメントマークに対して初期ずれ成分をオフセットして得られたワーク側の補正アライメントマークと、マスク側のアライメントマークとでアライメント調整する。これにより、ミラー曲げに伴う露光光の主光線の角度に起因するアラメント誤差を補正してマスクのパターンを精度よく露光転写することができる。
また、本発明の近接露光装置及び近接露光方法によれば、2層目以降の所定の層におけるマスクのパターンを露光する際、ワーク側のアライメントマークに対して、露光する際のマスク側のアライメントマークとの位置ずれ成分を、所定数のワークを露光した際に平均化してひずみ起因ずれ成分として記録し、ひずみ起因ずれ成分に基づいて、ミラー曲げ機構によって反射鏡の曲率を補正する。これにより、ワーク固有の歪に起因するずれ量を補正してマスクのパターンを精度よく露光転写することができる。
本発明の第1実施形態に係る露光装置の正面図である。 図1に示す照明光学系を示す図である。 (a)は、照明光学系のミラー変形ユニットを示す平面図であり、(b)は(a)のA-A線に沿った断面図であり、(c)は、(a)のB-B線に沿った断面図である。 図3のミラー変形ユニットの支持機構を作動した状態を示す図である。 ミラー変形ユニットの作動手順を示すフローチャートである。 デクリネーション角によりマスクのアライメントマークがずれてワークに転写される状態を示す模式図である。 本発明の第1実施形態に係る、デクリネーション角と露光ギャップとからアライメントマークの初期ずれ成分を算出する手順を示すフローチャートである。 本発明の第1実施形態に係る、アライメントマークの初期ずれ成分を補正してアライメント調整する手順を示すフローチャートである。 (a)は、アライメント調整前にアライメントカメラで観測されるマスク側のアライメントマークとワーク側のアライメントマークとの位置関係を示す模式図、(b)は、アライメント調整後のマスク側のアライメントマークとワーク側のアライメントマークとの位置関係を示す模式図である。 本発明の第2実施形態に係る、ミラー移動機構を備えた平面ミラーの概略斜視図である。 (a)は、図10のミラー移動機構の動作状態の一例であり、(b)は、図10のミラー移動機構の動作状態の他の例である。 本発明の第3実施形態に係る、アライメントマークの初期ずれ成分を補正し、さらにワーク固有の歪によるずれ成分を補正して2層目以降のワークを露光する手順を示すフローチャートである。 初期ずれ成分をオフセットしたマーク間距離の平均値に基づいて、2層目以降の所定の層のマスクのパターンを露光する状態を示す模式図である。 (a)は1枚目のワーク露光時のマスク側のアライメントマークとワーク側のアライメントマークとの位置関係を示す模式図、(b)は2枚目のワーク露光時のマスク側のアライメントマークとワーク側のアライメントマークとの位置関係を示す模式図、(c)は3枚目のワーク露光時のマスク側のアライメントマークとワーク側のアライメントマークとの位置関係を示す模式図、(d)は4枚目のワークを、1~3枚目のアライメントマークのずれ成分の平均化して露光する時のマスク側のアライメントマークとワーク側のアライメントマークとの位置関係を示す模式図である。
(第1実施形態)
以下、本発明に係る露光装置の第1実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。図1に示すように、近接露光装置PEは、被露光材としてのワークWより小さいマスクMを用い、マスクMをマスクステージ(マスク支持部)1で保持すると共に、ワークWをワークステージ(ワーク支持部)2で保持し、マスクMとワークWとを近接させて所定の露光ギャップで対向配置した状態で、照明光学系3からパターン露光用の光をマスクMに向けて照射することにより、マスクMのパターンをワークW上に露光転写する。また、ワークステージ2をマスクMに対してX軸方向とY軸方向の二軸方向にステップ移動させて、ステップ毎に露光転写が行われる。
ワークステージ2をX軸方向にステップ移動させるため、装置ベース4上には、X軸送り台5aをX軸方向にステップ移動させるX軸ステージ送り機構5が設置されている。X軸ステージ送り機構5のX軸送り台5a上には、ワークステージ2をY軸方向にステップ移動させるため、Y軸送り台6aをY軸方向にステップ移動させるY軸ステージ送り機構6が設置されている。Y軸ステージ送り機構6のY軸送り台6a上には、ワークステージ2が設置されている。ワークステージ2の上面には、ワークWがワークチャック等で真空吸引された状態で保持される。また、ワークステージ2の側部には、マスクMの下面高さを測定するための基板側変位センサ15が配設されている。従って、基板側変位センサ15は、ワークステージ2と共にX、Y軸方向に移動可能である。
装置ベース4上には、複数(図に示す実施形態では4本)のX軸リニアガイドのガイドレール51がX軸方向に配置され、それぞれのガイドレール51には、X軸送り台5aの下面に固定されたスライダ52が跨架されている。これにより、X軸送り台5aは、X軸ステージ送り機構5の第1リニアモータ20で駆動され、ガイドレール51に沿ってX軸方向に往復移動可能である。また、X軸送り台5a上には、複数のY軸リニアガイドのガイドレール53がY軸方向に配置され、それぞれのガイドレール53には、Y軸送り台6aの下面に固定されたスライダ54が跨架されている。これにより、Y軸送り台6aは、Y軸ステージ送り機構6の第2リニアモータ21で駆動され、ガイドレール53に沿ってY軸方向に往復移動可能である。
Y軸ステージ送り機構6とワークステージ2の間には、ワークステージ2を上下方向に移動させるため、比較的位置決め分解能は粗いが移動ストローク及び移動速度が大きな上下粗動装置7と、上下粗動装置7と比べて高分解能での位置決めが可能でワークステージ2を上下に微動させてマスクMとワークWとの対向面間のギャップを所定量に微調整する上下微動装置8が設置されている。
上下粗動装置7は後述の微動ステージ6bに設けられた適宜の駆動機構によりワークステージ2を微動ステージ6bに対して上下動させる。ワークステージ2の底面の4箇所に固定されたステージ粗動軸14は、微動ステージ6bに固定された直動ベアリング14aに係合し、微動ステージ6bに対し上下方向に案内される。なお、上下粗動装置7は、分解能が低くても、繰り返し位置決め精度が高いことが望ましい。
上下微動装置8は、Y軸送り台6aに固定された固定台9と、固定台9にその内端側を斜め下方に傾斜させた状態で取り付けられたリニアガイドの案内レール10とを備えており、該案内レール10に跨架されたスライダ11を介して案内レール10に沿って往復移動するスライド体12にボールねじのナット(図示せず)が連結されると共に、スライド体12の上端面は微動ステージ6bに固定されたフランジ12aに対して水平方向に摺動自在に接している。
そして、固定台9に取り付けられたモータ17によってボールねじのねじ軸を回転駆動させると、ナット、スライダ11及びスライド体12が一体となって案内レール10に沿って斜め方向に移動し、これにより、フランジ12aが上下微動する。
なお、上下微動装置8は、モータ17とボールねじによってスライド体12を駆動する代わりに、リニアモータによってスライド体12を駆動するようにしてもよい。
この上下微動装置8は、Z軸送り台6aのY軸方向の一端側(図1の左端側)に1台、他端側に2台、合計3台設置されてそれぞれが独立に駆動制御されるようになっている。これにより、上下微動装置8は、ギャップセンサ27による複数箇所でのマスクMとワークWとのギャップ量の計測結果に基づき、3箇所のフランジ12aの高さを独立に微調整してワークステージ2の高さ及び傾きを微調整する。
なお、上下微動装置8によってワークステージ2の高さを十分に調整できる場合には、上下粗動装置7を省略してもよい。
また、Y軸送り台6a上には、ワークステージ2のY方向の位置を検出するY軸レーザ干渉計18に対向するバーミラー19と、ワークステージ2のX軸方向の位置を検出するX軸レーザ干渉計に対向するバーミラー(共に図示せず)とが設置されている。Y軸レーザ干渉計18に対向するバーミラー19は、Y軸送り台6aの一側でX軸方向に沿って配置されており、X軸レーザ干渉計に対向するバーミラーは、Y軸送り台6aの一端側でY軸方向に沿って配置されている。
Y軸レーザ干渉計18及びX軸レーザ干渉計は、それぞれ常に対応するバーミラーに対向するように配置されて装置ベース4に支持されている。なお、Y軸レーザ干渉計18は、X軸方向に離間して2台設置されている。2台のY軸レーザ干渉計18により、バーミラー19を介してY軸送り台6a、ひいてはワークステージ2のY軸方向の位置及びヨーイング誤差を検出する。また、X軸レーザ干渉計により、対向するバーミラーを介してX軸送り台5a、ひいてはワークステージ2のX軸方向の位置を検出する。
マスクステージ1は、略長方形状の枠体からなるマスク基枠24と、該マスク基枠24の中央部開口にギャップを介して挿入されてX,Y,θ方向(X,Y平面内)に移動可能に支持されたマスクフレーム25とを備えており、マスク基枠24は装置ベース4から突設された支柱4aによってワークステージ2の上方の定位置に保持されている。
マスクフレーム25の中央部開口の下面には、枠状のマスクホルダ26が設けられている。即ち、マスクフレーム25の下面には、図示しない真空式吸着装置に接続される複数のマスクホルダ吸着溝が設けられており、マスクホルダ26が複数のマスクホルダ吸着溝を介してマスクフレーム25に吸着保持される。
マスクホルダ26の下面には、マスクMのマスクパターンが描かれていない周縁部を吸着するための複数のマスク吸着溝(図示せず)が開設されており、マスクMは、マスク吸着溝を介して図示しない真空式吸着装置によりマスクホルダ26の下面に着脱自在に保持される。
また、マスクフレーム25には、マスクMのアライメントマークMaと、ワークWのアライメントマークWaとを撮像するアライメント調整用のCCDカメラ30が搭載されている。近接露光装置PEは、CCDカメラ30により撮像されたマスクMのアライメントマークMaとワークWのアライメントマークWaとのマーク間距離に基づいてマスクMとワークWとのアライメント調整する制御装置90を備える。制御装置90は、後述するワークWのアライメントマークWaの初期ずれ成分や、ワーク固有の歪に起因するひずみ起因ずれ成分を記憶する記憶部91を含んで構成されている。さらに、ワークステージ2には、ワークステージ2に照射される露光光の照度を測定する照度測定手段としての複数の照度センサ95が設けられている。
図2に示すように、本実施形態の露光装置PEの照明光学系3は、紫外線照射用の光源である高圧水銀ランプ61、及びこの高圧水銀ランプ61から照射された光を集光するリフレクタ62をそれぞれ備えたマルチランプユニット60と、光路ELの向きを変えるための平面ミラー63と、照射光路を開閉制御する露光制御用シャッターユニット64と、露光制御用シャッターユニット64の下流側に配置され、リフレクタ62で集光された光を照射領域においてできるだけ均一な照度分布となるようにして出射するオプティカルインテグレータ65と、オプティカルインテグレータ65から出射された光路ELの向きを変えるための平面ミラー66と、高圧水銀ランプ61からの光を平行光として照射するコリメーションミラー67と、該平行光をマスクMに向けて照射する平面ミラー68と、を備える。なお、オプティカルインテグレータ65と露光面との間には、DUVカットフィルタ、偏光フィルタ、バンドパスフィルタが配置されてもよい。また、光源は、高圧水銀ランプは、単一のランプであってもよく、或いは、LEDによって構成されてもよい。
そして、露光時にその露光制御用シャッターユニット64が開制御されると、マルチランプユニット60から照射された光が、平面ミラー63、オプティカルインテグレータ65、平面ミラー66、コリメーションミラー67、平面ミラー68を介して、マスクホルダ26に保持されるマスクM、ひいてはワークWの表面にパターン露光用の光として照射され、マスクMの露光パターンがワークW上に露光転写される。
ここで、図3に示すように、平面ミラー66,68は、正面視矩形状に形成されたガラス素材からなる。マスク側の平面ミラー68は、平面ミラー68の裏面側に設けられたミラー曲げ機構である複数のミラー変形ユニット70によりミラー変形ユニット保持枠71に支持されている。ミラー変形ユニット70は、複数のパッド72と、複数の保持部材73と、駆動装置である複数のモータ74と、を備える。ミラー変形ユニット70は、平面ミラー68の裏面の中央付近3箇所、及び周縁部16箇所に設けられている。
中央付近に設けられたミラー変形ユニット70では、パッド72が平面ミラー68の裏面に接着剤で固定されている。周縁部に設けられたミラー変形ユニット70では、平面ミラー68の表裏面を挟むように設けられた支持部75にパッド72が接着剤で固定されている。また、一端がパッド72に固定された各保持部材73には、パッド72寄りの位置に、±0・5deg以上の屈曲を許容する屈曲機構としてのボールジョイント76が設けられており、ミラー変形ユニット保持枠71に対して反対側となる他端には、モータ74が取り付けられている。なお、平面ミラー68の中央の保持部材73は、ミラー変形ユニット保持枠71に固定される構造であってもよい。
また、矩形状のミラー変形ユニット保持枠71には、互いに直交する2辺の位置に案内部材77,78が取り付けられており、これら案内部材77,78に対向する支持部75の側面には、転動部材79が取り付けられている。また、転動部材79を案内する案内部材77,78の案内面77a,78aには、テフロン(登録商標)等の低摩擦機構80が塗布されている。
さらに、マスク側のアライメントマーク(図示せず)の位置に露光光を反射する平面ミラー68の各位置の裏面には、複数の接触式センサ81が取り付けられている。
これにより、平面ミラー68は、接触式センサ81によって平面ミラー68の変位量をセンシングしながら、各ミラー変形ユニット70のモータ74を駆動することにより、各ミラー変形ユニット70がその長さを変えて支持部75を直線的に移動させる。そして、各ミラー変形ユニット70の長さの違いによって、平面ミラー68は支持部75に設けられた転動部材79を介して2つの案内部材77,78によって案内されながら、その曲率を局部的に補正することができる。
なお、図2に示すように、平面ミラー68のミラー変形ユニット70の各モータ74には、制御装置90からの指令に基づいて各モータ74に制御信号を送出する制御部94が接続されている。制御部94は、平面ミラー68の曲率を補正して、後述するワークWの歪を補正するとともに、照度センサ95で測定された露光光の照度のばらつきが抑制されるように、モータ74に制御信号を与える。
図5は、ミラー変形ユニット70の作動手順を示すフローチャートであり、マスクMのパターンをワークWに露光し(ステップS1)、この露光転写パターンWpを測長する(ステップS2)。そして、測長結果と設計値とを比較し(ステップS3)、その差から補正量を決定し(ステップS4)、平面ミラー68の形状を決めて(ステップS5)、ミラー変形ユニット70の各モータ74の駆動量を決定する(ステップS6)。
また、図4に示すように、各ミラー変形ユニット70には、ボールジョイント76が設けられているので、支持部側の部分を三次元的に回動可能とすることができ、各パッド72を平面ミラー68の表面に沿って傾斜させることができる。このため、各パッド72と平面ミラー68との接着剥がれを防止するすると共に、移動量の異なる各パッド72間における平面ミラー68の応力が抑制され、平均破壊応力値が小さいガラス素材からなる場合であっても、平面ミラー68の曲率を局部的に補正する際、平面ミラー68を破損することなく、10mmオーダーで平面ミラー68を曲げることができ、曲率を大きく変更することができる。
ここで、下地マークがない1層目の露光は、近接露光装置PEの機械精度によって露光位置が決定される。また、1層目の露光では、2層目以降の各層の露光で使用されるワークWのアライメントマークWaが露光される。
この1層目の露光時には、露光装置のギャップ分布や、照明装置のデクリネーション角の分布、ワークの温度ひずみ等により、例えば、長方形に露光しようとしても、僅かに歪む場合がある。この場合、1層目の露光結果のパターンを測長し、設計座標と測定座標のずれ量を求め、このずれ量を元に、ミラー曲げ量を決定する。即ち、ずれ量が0となるように、測定結果を設計座標値に近づける。平面ミラー68がミラー曲げ補正されていると、図6に示すように、主光線ELの角度(デクリネーション角)がワークWに垂直な方向に対して傾くので、ワークWのアライメントマークWaは、マスクMのアライメントマークMaの真下の位置からずれた位置に形成される。
1層目のワークWの露光におけるマスクMのアライメントマークMaとワークWのアライメントマークWaとのずれ量(初期ずれ成分)は、図7に示すフローチャートによって求められる。即ち、平面ミラー68の形状とマスクMのパターンとから、各アライメントマークMaの位置に対応して決まるデクリネーション角(ステップS11)をまず求める。そして、各デクリネーション角と、マスクMとワークWの露光ギャップ(ステップS12)とに基づいて、初期ずれ成分が算出される(ステップS13)。この初期ずれ成分は、記憶部91に記憶される。
そして、2層目以降のワークWの露光においては、図8に示すように、CCDカメラ30によりマスクMのアライメントマークMaとワークWのアライメントマークWaとを、同時に観測する(ステップS21)。その際、CCDカメラ30により観測されるワーク側のアライメントマークWaに対して、記憶部91に記憶されている初期ずれ成分(ステップS22)をオフセットして得られるワーク側の補正アライメントマークを使用し、マスクMのアライメントマークMaとの間でアライメント補正量を決定する(ステップS23)。その後、不図示のマスク駆動部によりマスクステージ(マスク支持部)1に保持されているマスクMを移動してアライメント調整する(ステップS24)。
これにより、図9(a)に示すように、初期ずれ成分だけずれて観測されるワークWのアライメントマークWaに対して、初期ずれ成分をオフセットしてアライメント調整することにより、制御装置90内では、図9(b)に示すように、マスクMのアライメントマークMaとワークWのアライメントマークWaとが一致した状態となるようにアライメント調整を行うことができる。
なお、実際には、ミラー変形ユニットに起因する誤差、アライメント動作による誤差や、ワークWを露光処理する際の、ワークの温度変化による伸長、吸着状態の変化、ワークの特性等によりワークW固有の歪がさらに含まれている。このため、実際の露光において観測される各マークの位置は、初期ずれ成分をオフセットしてアライメント調整しても全てのマスク側のアライメントマークとワーク側の補正アライメントマークとが一致することはなく、マスク側のアライメントマークとワーク側のアライメントマークのずれ量の合計が最小となるようにアライメント調整が行われる。
このため、第1実施形態では、マスク側のアライメントマークとワーク側の補正アライメントマークとの各位置でのずれ量に基づいて、ワークWごとに各ミラー変形ユニット70のモータを駆動することで、平面ミラー68をさらにミラー曲げ補正する。これによって、ワークW固有の歪によるずれ量も取り除いて、2層目以降のワークWの露光を行うことができる。
以上説明したように、本実施形態の近接露光装置PE及び近接露光方法によれば、1層目のマスクMのパターンを露光する際におけるワークWに照射される露光光の主光線ELの角度と、マスクM及びワークW間のギャップとから計算される、ワークW側のアライメントマークWaの初期ずれ成分を記憶し、2層目以降のマスクMのパターンを露光する際、CCDカメラ30により観測されるワークW側のアライメントマークWaに対して初期ずれ成分をオフセットして得られたワークW側の補正アライメントマークと、マスクM側のアライメントマークMaとでアライメント調整する。これにより、ミラー曲げに伴う露光光の主光線ELの角度に起因するアラメント誤差を補正してマスクMのパターンを精度よく露光転写することができる。
また、本実施形態では、2層目以降のマスクMのパターンを露光する際、マスク側のアライメントマークMaとワーク側の補正アライメントマークとの各位置でのずれ量に基づいて、ミラー変形ユニット70を駆動して平面ミラー68の曲率を補正するので、ワークW固有の歪によるずれ量も取り除いて、2層目以降のワークWの露光精度をさらに向上することができる。
(第2実施形態)
次に、本発明の第2実施形態に係る近接露光装置及び近接露光方法について、図10及び図11を参照して説明する。なお、本実施形態は、平面ミラー68がミラー移動機構をさらに備える点において、及び、ミラーの制御方法において、第1実施形態のものと異なる。
第2実施形態では、ミラー変形ユニット70を備えた平面ミラー68は、該平面ミラー68に対して垂直方向にそれぞれ移動可能な複数(本実施形態では、4つ)のミラー移動機構80をさらに備える。図10に示すように、複数のミラー移動ユニット80は、ミラー変形ユニット保持枠71の4箇所の隅部にそれぞれ取り付けられる。複数のミラー移動ユニット80は、例えば、平面ミラー68の全体をX方向に対して、又はY方向に対して、或いはX,Y両方向に対して傾けて、光源からの主光線の角度を変えるようにして駆動される。
ここで、第1実施形態と同様にして、2層目以降のマスクのパターンを露光する際、マスク側のアライメントマークMaとワーク側の補正アライメントマークとの各位置でのずれ量を、Pi=(Δxi,Δyi)とする。ただし、i=1,2,・・・,N
ここで、各位置でのずれ量の平均ずれ量Gは、次式で表される。
Figure 0007088552000001
したがって、本実施形態では、まず、平均ずれ量Gのx成分、y成分に基づいてそれぞれミラー移動機構80を駆動して、平面ミラー68の傾きを変更する。例えば、平均ずれ量Gがx方向にδ(μm)ずれていたとすると、露光ギャップをgap(μm)とすれば、補正角θは、以下の式で表わされる。
Figure 0007088552000002
一方、回転させるミラーのx方向に対応する辺の長さがL(mm)とすると、平均ずれ量Gだけ主光線を傾けるには、A=Ltan(θ/2)となり、このA(mm)だけ、平面ミラー68の辺を動かせばよい。例えば、gap=200μm、δ=1μm、L=2000mmの時、A=5mmとなる。
なお、平面ミラー68をAだけ傾ける際には、図11(a)に示すように、x方向の一方のミラー移動機構80のみを動かしてもよいし、図11(b)に示すように、x方向の両側のミラー移動機構80を逆方向に均等にA/2ずつ動かしてもよい。
さらに、各位置でのずれ量Piと平均ずれ量Gとの差分Ai=Pi-Gを算出して、この差分に基づいてミラー変形ユニット70によって平面ミラー68の曲率を補正する。
したがって、本実施形態では、2層目以降の前記マスクのパターンを露光する際、マスク側のアライメントマークMaとワーク側の補正アライメントマークとの各位置でのずれ量Piに基づいて、平均ずれ量Gを算出し、該平均ずれ量Gに基づいてミラー移動機構80によって平面ミラー68の傾きを変更すると共に、各位置でのずれ量Piと平均ずれ量Gとの差分Aiに基づいてミラー変形ユニット70によって平面ミラー68の曲率を補正する。これにより、ワークW固有の歪によるずれ量も取り除いて、2層目以降のワークWの露光精度をさらに向上することができると共に、ミラー変形ユニット70のストロークを小さく設定することができ、平面ミラー68の曲げを抑えることができる。
その他の構成及び作用については、第1実施形態のものと同一又は同等である。
(第3実施形態)
次に、本発明の第3実施形態に係る近接露光装置及び近接露光方法について、図12~図14を参照して説明する。なお、本実施形態では、ミラーの制御手法において、第1及び第2実施形態のものと異なる。
上述したように、ワーク側のアライメントマークWaには、ワークW固有の歪によるずれ成分も含まれてしまうため、本実施形態においても、2層目以降のワークWの露光に当たっては、このずれ成分によるずれ量を補正する。
2層目以降のワークWの露光に当たっては、観測されるワーク側のアライメントマークWaには、上述したミラー曲げ補正による初期ずれ成分Aの他、ワークW固有の歪によるずれ成分Bが含まれている。例えば、1箇所のマーク観測位置に着目すると、図14(a)~(c)に示すように、観測されるワーク側のアライメントマークWaは、ミラー曲げ補正による初期ずれ成分Aをオフセットすると、ワーク側の補正アライメントマークWa´が与えられ、この中に、ワークW固有の歪によるずれ成分Bが含まれている。そしてずれ成分Bを含むワーク側の補正アライメントマークWa´(Wa1´,Wa2´,Wa3´)の位置は、図14(a)~(c)に示すように、ワークWごとに異なる。
本実施形態では、このワーク側の補正アライメントマークWa´に対して、露光する際のマスク側のアライメントマークMaとの位置ずれ成分を、所定数のワーク(図14では、3つのワーク)を露光した際に平均化して、ひずみ起因ずれ成分Cとして記録する(図14(d)参照)。そして、ひずみ起因ずれ成分Cに基づいて、ミラー変形ユニット70によって平面ミラー68の曲率を補正する。
図12は、アライメントマークの初期ずれ成分を補正し、さらにワーク固有の歪によるずれ成分を補正して2層目以降のワークを露光する手順を示すフローチャートである。図12に示すように、CCDカメラ30によりマスクMのアライメントマークMaとワークWのアライメントマークWaとを、同時に観測し(ステップS31)、マスクMのアライメントマークMaに対して、記憶部91に記憶されている初期ずれ成分をオフセットして補助アライメントマークWa´を求める(ステップS32)。
次いで、ワーク側の補正アライメントマークWa´と、マスクMのアライメントマークMaとを使用してアライメント調整する(ステップS33)。このとき、アライメント調整量が許容範囲より大きい場合は、マスクステージ(マスク支持部)1を移動(ステップS34)してステップS31に戻る。アライメント調整量が許容範囲より小さい場合は、観測されるアライメントマークWaに対して初期ずれ成分をオフセットしてワークW固有の歪によるずれ成分Bを算出する(ステップS35)。複数枚のワークWを露光した場合には、図14(d)に示すように、各ワークW(図14では3枚のワークW)固有の歪によるずれ成分Bの平均値(ひずみ起因ずれ成分C)を算出し(ステップS36)、これをアライメントマーク基準位置として補正する(ステップS37)。
そして、アライメントマークWaの位置からパターン補正位置の補正変換係数を算出し(ステップS38)、露光パターン補正量を算出して(ステップS39)、平面ミラー68の形状を決定する(ステップS40)。次いで、得られた平面ミラー68の形状を達成するためのモータ74の作動範囲が、リミットを超えているか否かを判別する(ステップS41)。そして、モータ74の作動範囲がリミットを超えている場合には、これ以上の平面ミラー68の形状修正は困難であるので、ステップS45で露光転写する。
一方、モータ74の作動範囲がリミットを超えていない場合には、モータ74のさらなる移動分(差分)を算出して(ステップS42)、その差分だけモータ74を作動(ステップS43)させて平面ミラー68の形状を変形(ステップS44)して、マスクMのパターンをワークWに露光転写する(ステップS45)。そして、露光が終了した後(ステップS46)、ワークステージ(ワーク支持部)2を次の露光位置に移動し(ステップS47)、モータ74を設定ポジションに移動して(ステップS48)、ステップS31に戻り、同様の動作を繰り返し行う。
以上説明したように、本実施形態の近接露光装置PE及び近接露光方法によれば、2層目以降の所定の層におけるマスクMのパターンを露光する際、ワーク側の補正アライメントマークWa´に対して、露光する際のマスク側のアライメントマークMaとの位置ずれ成分を、所定数のワークWを露光した際に平均化してひずみ起因ずれ成分Cとして記録し、ひずみ起因ずれ成分Cに基づいて、ミラー変形ユニット70によって平面ミラー68の曲率を補正する。これにより、ワークW固有の歪に起因するずれ成分Bを補正してマスクMのパターンを精度よく露光転写することができる。
なお、ミラー変形ユニットに起因する誤差、アライメント動作による誤差を特定することができる場合には、ワーク側の補正アライメントマークWa´は、初期ひずみ成分に加え、これらの誤差成分もオフセットして与えることができる。
尚、本発明は、前述した実施形態に限定されるものではなく、適宜、変形、改良、等が可能である。
例えば、上記実施形態では、ワーク固有の歪に起因するずれ量の補正は、ミラー曲げに伴う露光光の主光線の角度に起因するアラメント誤差の補正と独立して行われてもよい。即ち、本発明の近接露光装置及び近接露光方法は、2層目以降の所定の層におけるマスクのパターンを露光する際、ワーク側のアライメントマークに対して、露光する際のマスク側のアライメントマークとの位置ずれ成分を、所定数のワークを露光した際に平均化してひずみ起因ずれ成分として記録し、ひずみ起因ずれ成分に基づいて、ミラー曲げ機構によって反射鏡の曲率を補正する。これにより、ワーク固有の歪に起因するずれ量を補正してマスクのパターンを精度よく露光転写することができる 。
本発明を詳細にまた特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく様々な変更や修正を加えることができることは当業者にとって明らかである。
本出願は、2016年12月8日出願の日本特許出願2016-238738に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
1 マスクステージ(マスク支持部)
2 ワークステージ(ワーク支持部)
3 照明光学系
30 CCDカメラ(アライメントカメラ)
60 マルチランプユニット(光源)
65 オプティカルインテグレータ
68 平面ミラー(反射鏡)
70 ミラー変形ユニット(ミラー曲げ機構)
90 制御装置
91 記憶部
EL 主光線
M マスク
Ma マスク側のアライメントマーク
PE 近接露光装置
W ワーク
Wa ,Wa1,Wa2,Wa3 ワーク側のアライメントマーク
Wa´,Wa1´,Wa2´,Wa3´ ワーク側の補助アライメントマーク

Claims (10)

  1. ワークを支持するワーク支持部と、
    マスクを支持するマスク支持部と、
    光源、インテグレータ、及び光源からの露光光を反射する複数の反射鏡を有する照明光学系と、
    を備え、前記光源からの露光光を前記マスクを介して前記ワークに照射して前記マスクのパターンを前記ワークに転写する近接露光装置であって、
    前記複数の反射鏡の内の少なくとも1つの前記反射鏡は、前記反射鏡の曲率を補正可能なミラー曲げ機構を有し、
    マスク側のアライメントマークと、ワーク側のアライメントマークとを撮像可能なアライメントカメラと、
    1層目の前記マスクのパターンを露光する際における前記ワークに照射される前記露光光の主光線の角度と、前記マスク及び前記ワーク間のギャップとから計算される、前記ワーク側のアライメントマークの初期ずれ成分を記憶する記憶部と、
    2層目以降の前記マスクのパターンを露光する際、前記アライメントカメラにより観測される前記ワーク側のアライメントマークに対して前記初期ずれ成分をオフセットして得られたワーク側の補正アライメントマークと、前記マスク側のアライメントマークとでアライメント調整する制御装置と、
    を備えることを特徴とする近接露光装置。
  2. 前記2層目以降の前記マスクのパターンを露光する際、前記マスク側のアライメントマークと前記ワーク側の補正アライメントマークとの各位置でのずれ量に基づいて、前記ミラー曲げ機構を駆動して前記反射鏡の曲率を補正することを特徴とする請求項1に記載の近接露光装置。
  3. 前記ミラー曲げ機構を備えた前記反射鏡を、該反射鏡に対して垂直方向にそれぞれ移動可能なミラー移動機構をさらに備え、
    前記2層目以降の所定の層における前記マスクのパターンを露光する際、当該所定の層の前記マスクのパターンを露光する際のアライメントにおける、前記マスク側のアライメントマークと前記ワーク側の補正アライメントマークとの各位置でのずれ量に基づいて、平均ずれ量を算出し、該平均ずれ量に基づいて前記ミラー移動機構によって前記反射鏡の傾きを変更すると共に、前記各位置でのずれ量と前記平均ずれ量との差分に基づいて前記ミラー曲げ機構によって前記反射鏡の曲率を補正することを特徴とする請求項1に記載の近接露光装置。
  4. 前記記憶部は、2層目以降の所定の層における前記マスクのパターンを露光する際、当該所定の層の前記マスクのパターンの露光を予め所定数のワークに対して行った際における前記ワーク側の補正アライメントマークに対する、前記マスク側のアライメントマークとの位置ずれ成分を平均化してひずみ起因ずれ成分として記録し、
    前記制御装置は、前記ひずみ起因ずれ成分に基づいて、前記ミラー曲げ機構によって前記反射鏡の曲率を補正することを特徴とする請求項1に記載の近接露光装置。
  5. ワークを支持するワーク支持部と、
    マスクを支持するマスク支持部と、
    光源、インテグレータ、及び光源からの露光光を反射する複数の反射鏡を有する照明光学系と、
    を備え、前記光源からの露光光を前記マスクを介して前記ワークに照射して前記マスクのパターンを前記ワークに転写する近接露光装置であって、
    前記複数の反射鏡の内の少なくとも1つの前記反射鏡は、前記反射鏡の曲率を補正可能なミラー曲げ機構を有し、
    マスク側のアライメントマークと、ワーク側のアライメントマークとを撮像可能なアライメントカメラを備え、
    2層目以降の所定の層における前記マスクのパターンを露光する際、当該所定の層の前記マスクのパターンの露光を予め所定数のワークに対して行った際における前記ワーク側のアライメントマークに対する、前記マスク側のアライメントマークとの位置ずれ成分を平均化してひずみ起因ずれ成分として記録する記憶部と、
    前記ひずみ起因ずれ成分に基づいて、前記ミラー曲げ機構によって前記反射鏡の曲率を補正する制御部と、
    を備えることを特徴とする近接露光装置。
  6. ワークを支持するワーク支持部と、
    マスクを支持するマスク支持部と、
    光源、インテグレータ、及び光源からの露光光を反射する複数の反射鏡を有する照明光学系と、
    前記複数の反射鏡の内の少なくとも1つの前記反射鏡は、前記反射鏡の曲率を補正可能なミラー曲げ機構を有し、
    マスク側のアライメントマークと、ワーク側のアライメントマークとを撮像可能なアライメントカメラと、
    を備える近接露光装置を用いて、前記光源からの露光光を前記マスクを介して前記ワークに照射して前記マスクのパターンを前記ワークに転写する近接露光方法であって、
    1層目のマスクのパターンを露光する際における前記ワークに照射される前記露光光の主光線の角度と、前記マスク及び前記ワーク間のギャップとから計算される、前記ワーク側のアライメントマークの初期ずれ成分を記憶する工程と、
    2層目以降の前記マスクのパターンを露光する際、前記アライメントカメラにより観測される前記ワーク側のアライメントマークに対して前記初期ずれ成分をオフセットして得られたワーク側の補正アライメントマークと、前記マスク側のアライメントマークとでアライメント調整する工程と、
    を備えることを特徴とする近接露光方法。
  7. 前記2層目以降の前記マスクのパターンを露光する際、前記マスク側のアライメントマークと前記ワーク側の補正アライメントマークとの各位置でのずれ量に基づいて、前記ミラー曲げ機構を駆動して前記反射鏡の曲率を補正することを特徴とする請求項6に記載の近接露光方法。
  8. 前記近接露光装置は、前記ミラー曲げ機構を備えた前記反射鏡を、該反射鏡に対して垂直方向にそれぞれ移動可能なミラー移動機構をさらに備え、
    前記2層目以降の所定の層における前記マスクのパターンを露光する際、当該所定の層の前記マスクのパターンを露光する際のアライメントにおける、前記マスク側のアライメントマークと前記ワーク側の補正アライメントマークとの各位置でのずれ量に基づいて、平均ずれ量を算出し、該平均ずれ量に基づいて前記ミラー移動機構によって前記反射鏡の傾きを変更すると共に、前記各位置でのずれ量と前記平均ずれ量との差分に基づいて前記ミラー曲げ機構によって前記反射鏡の曲率を補正することを特徴とする請求項6に記載の近接露光方法。
  9. 2層目以降の所定の層における前記マスクのパターンを露光する際、当該所定の層の前記マスクのパターンの露光を予め所定数のワークに対して行った際における前記ワーク側の補正アライメントマークに対する、前記マスク側のアライメントマークとの位置ずれ成分を平均化してひずみ起因ずれ成分として記録する工程と、
    前記ひずみ起因ずれ成分に基づいて、前記ミラー曲げ機構によって前記反射鏡の曲率を補正する工程と、
    を備えることを特徴とする請求項6に記載の近接露光方法。
  10. ワークを支持するワーク支持部と、
    マスクを支持するマスク支持部と、
    光源、インテグレータ、及び光源からの露光光を反射する複数の反射鏡を有する照明光学系と、
    前記複数の反射鏡の内の少なくとも1つの前記反射鏡は、前記反射鏡の曲率を補正可能なミラー曲げ機構を有し、
    マスク側のアライメントマークと、ワーク側のアライメントマークとを撮像可能なアライメントカメラと、
    を備える近接露光装置を用いて、前記光源からの露光光を前記マスクを介して前記ワークに照射して前記マスクのパターンを前記ワークに転写する近接露光方法であって、
    2層目以降の所定の層における前記マスクのパターンを露光する際、当該所定の層の前記マスクのパターンの露光を予め所定数のワークに対して行った際における前記ワーク側のアライメントマークに対する、前記マスク側のアライメントマークとの位置ずれ成分を平均化してひずみ起因ずれ成分として記録する工程と、
    前記ひずみ起因ずれ成分に基づいて、前記ミラー曲げ機構によって前記反射鏡の曲率を補正する工程と、
    を備えることを特徴とする近接露光方法。
JP2018555042A 2016-12-08 2017-12-06 近接露光装置及び近接露光方法 Active JP7088552B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016238738 2016-12-08
JP2016238738 2016-12-08
PCT/JP2017/043825 WO2018105658A1 (ja) 2016-12-08 2017-12-06 近接露光装置及び近接露光方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2018105658A1 JPWO2018105658A1 (ja) 2019-10-24
JP7088552B2 true JP7088552B2 (ja) 2022-06-21

Family

ID=62492235

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018555042A Active JP7088552B2 (ja) 2016-12-08 2017-12-06 近接露光装置及び近接露光方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP7088552B2 (ja)
KR (1) KR102477736B1 (ja)
CN (1) CN110062914B (ja)
TW (1) TWI748017B (ja)
WO (1) WO2018105658A1 (ja)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000081708A (ja) 1998-09-03 2000-03-21 Toray Ind Inc 露光装置およびそれを用いたプラズマディスプレイの製造方法
JP2003224058A (ja) 2002-01-30 2003-08-08 Nsk Ltd 露光装置及び露光方法
JP2006128346A (ja) 2004-10-28 2006-05-18 Tokyo Seimitsu Co Ltd 露光装置、異物検出方法、異物位置特定方法及び露光方法
JP2006293197A (ja) 2005-04-14 2006-10-26 Sanee Giken Kk 半導体レーザを用いた露光用光源
WO2007145038A1 (ja) 2006-06-14 2007-12-21 Nsk Ltd. 近接露光装置及び近接露光方法
JP2011028122A (ja) 2009-07-28 2011-02-10 Nsk Ltd 露光装置及び露光方法
JP2012155086A (ja) 2011-01-25 2012-08-16 Nsk Technology Co Ltd 露光装置及び露光方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07106230A (ja) * 1993-10-07 1995-04-21 Nikon Corp プロキシミティ露光装置
JPWO2007013140A1 (ja) * 2005-07-26 2009-02-05 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 位置合わせ方法
JP5166916B2 (ja) * 2008-03-04 2013-03-21 キヤノン株式会社 パターンの重ね合わせを行う装置およびデバイス製造方法
US20110027542A1 (en) * 2009-07-28 2011-02-03 Nsk Ltd. Exposure apparatus and exposure method
JP5597031B2 (ja) * 2010-05-31 2014-10-01 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置及び物品の製造方法
JP2015026644A (ja) * 2013-07-24 2015-02-05 Nskテクノロジー株式会社 近接露光装置及び近接露光方法
JP6574087B2 (ja) 2013-12-09 2019-09-11 株式会社ブイ・テクノロジー 露光装置、露光方法及びミラー曲げ機構付き反射鏡

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000081708A (ja) 1998-09-03 2000-03-21 Toray Ind Inc 露光装置およびそれを用いたプラズマディスプレイの製造方法
JP2003224058A (ja) 2002-01-30 2003-08-08 Nsk Ltd 露光装置及び露光方法
JP2006128346A (ja) 2004-10-28 2006-05-18 Tokyo Seimitsu Co Ltd 露光装置、異物検出方法、異物位置特定方法及び露光方法
JP2006293197A (ja) 2005-04-14 2006-10-26 Sanee Giken Kk 半導体レーザを用いた露光用光源
WO2007145038A1 (ja) 2006-06-14 2007-12-21 Nsk Ltd. 近接露光装置及び近接露光方法
JP2011028122A (ja) 2009-07-28 2011-02-10 Nsk Ltd 露光装置及び露光方法
JP2012155086A (ja) 2011-01-25 2012-08-16 Nsk Technology Co Ltd 露光装置及び露光方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201827943A (zh) 2018-08-01
CN110062914A (zh) 2019-07-26
JPWO2018105658A1 (ja) 2019-10-24
KR102477736B1 (ko) 2022-12-14
TWI748017B (zh) 2021-12-01
KR20190090804A (ko) 2019-08-02
CN110062914B (zh) 2021-09-07
WO2018105658A1 (ja) 2018-06-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6535197B2 (ja) 露光装置及び露光方法
JP6765607B2 (ja) 露光装置、露光方法
KR20110011519A (ko) 노광 장치 및 노광 방법
CN107615170B (zh) 曝光用照明装置、曝光装置和曝光方法
JPWO2019155886A1 (ja) 近接露光装置、近接露光方法、及び近接露光装置用光照射装置
JP2008015314A (ja) 露光装置
JP7088552B2 (ja) 近接露光装置及び近接露光方法
KR100849871B1 (ko) 노광장치
JP5089238B2 (ja) 露光装置用基板アダプタ及び露光装置
JP2006100590A (ja) 近接露光装置
JP2019109445A (ja) 近接露光装置及び近接露光方法
JP5473793B2 (ja) プロキシミティ露光装置、及びプロキシミティ露光装置のギャップ制御方法
JP2007248636A (ja) 位置測定装置のミラー固定構造
JP6484853B2 (ja) 露光装置用反射鏡ユニット及び露光装置
JP4487688B2 (ja) ステップ式近接露光装置
JPWO2019059315A1 (ja) 露光用照明装置、露光装置及び露光方法
JP2004349494A (ja) ワークステージ及びその位置測定方法、並びにこれを備えた露光装置
JP2006093604A (ja) 近接露光装置
JP2007171667A (ja) 露光装置
JP2007086684A (ja) 露光装置
JP6485627B2 (ja) 露光装置及び露光方法
JP2008089993A (ja) 露光装置のギャップ量測定方法
JP2016148811A (ja) 露光装置及び照明装置
JP2007140187A (ja) 露光装置のマスク搬送、取付方法
JP2007101882A (ja) 露光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200911

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20211102

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211227

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220510

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220602

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7088552

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150