WO2018105658A1 - 近接露光装置及び近接露光方法 - Google Patents

近接露光装置及び近接露光方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2018105658A1
WO2018105658A1 PCT/JP2017/043825 JP2017043825W WO2018105658A1 WO 2018105658 A1 WO2018105658 A1 WO 2018105658A1 JP 2017043825 W JP2017043825 W JP 2017043825W WO 2018105658 A1 WO2018105658 A1 WO 2018105658A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
mask
alignment mark
workpiece
mirror
proximity exposure
Prior art date
Application number
PCT/JP2017/043825
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
洋徳 川島
Original Assignee
株式会社ブイ・テクノロジー
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社ブイ・テクノロジー filed Critical 株式会社ブイ・テクノロジー
Priority to CN201780076227.6A priority Critical patent/CN110062914B/zh
Priority to JP2018555042A priority patent/JP7088552B2/ja
Priority to KR1020197016160A priority patent/KR102477736B1/ko
Publication of WO2018105658A1 publication Critical patent/WO2018105658A1/ja

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2045—Exposure; Apparatus therefor using originals with apertures, e.g. stencil exposure masks
    • G03F7/2047—Exposure with radiation other than visible light or UV light, e.g. shadow printing, proximity printing
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/08—Mirrors
    • G02B5/10—Mirrors with curved faces
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70141—Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
    • G03F7/70441—Optical proximity correction [OPC]
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70825—Mounting of individual elements, e.g. mounts, holders or supports
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment

Definitions

  • the present invention relates to a proximity exposure apparatus and a proximity exposure method.
  • Patent Document 1 has a plurality of reflecting mirrors each provided with a mirror bending mechanism capable of correcting the curvature of the reflecting mirror, and one of the reflecting mirrors on the mask side has a mirror bending mechanism according to the strain amount of the workpiece. Drive to correct the distortion of the workpiece, while the other reflecting mirror corrects the curvature of one reflecting mirror, the mirror bending mechanism is driven to correct the curvature of the reflecting mirror and improve the illuminance distribution of exposure light An exposure apparatus is disclosed.
  • the alignment mark on the workpiece side which is used for alignment when exposing the second and subsequent layers, may be transferred by being displaced due to distortion inherent to the workpiece.
  • the curvature of the reflecting mirror is corrected according to the distortion of the workpiece, but the alignment mark is displaced by the amount of change in the declination angle during the exposure of the first layer. Is not considered.
  • the distortion inherent to the workpiece cannot be determined only by the misalignment of the alignment mark.
  • the present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and a first object of the present invention is to accurately expose a mask pattern by correcting an alignment error caused by the principal ray angle of exposure light accompanying mirror bending.
  • An object of the present invention is to provide a proximity exposure apparatus and a proximity exposure method capable of transfer.
  • a second object of the present invention is to provide a proximity exposure apparatus and a proximity exposure method capable of correcting and transferring a shift amount caused by distortion inherent to a workpiece and accurately exposing and transferring a mask pattern.
  • a work support part for supporting the work A mask support for supporting the mask;
  • An illumination optical system having a light source, an integrator, and a plurality of reflecting mirrors that reflect exposure light from the light source;
  • a proximity exposure apparatus that irradiates the work with exposure light from the light source through the mask and transfers the pattern of the mask to the work,
  • At least one of the plurality of reflecting mirrors has a mirror bending mechanism capable of correcting the curvature of the reflecting mirror;
  • An alignment camera capable of imaging the mask side alignment mark and the workpiece side alignment mark; The alignment mark on the workpiece side calculated from the angle of the principal ray of the exposure light irradiated to the workpiece when exposing the mask pattern of the first layer and the gap between the mask and the workpiece.
  • a storage unit for storing an initial deviation component;
  • the workpiece-side corrected alignment mark obtained by offsetting the initial deviation component with respect to the workpiece-side alignment mark observed by the alignment camera;
  • a control device for alignment adjustment with the alignment mark on the mask side;
  • a proximity exposure apparatus comprising: (2) When exposing the pattern of the mask after the second layer, the mirror bending mechanism is driven based on the amount of deviation at each position of the mask side alignment mark and the workpiece side correction alignment mark.
  • the proximity exposure apparatus according to (1), wherein a curvature of the reflecting mirror is corrected.
  • the proximity exposure apparatus characterized in that: (4) When the storage unit exposes the mask pattern in a predetermined layer after the second layer, the position of the mask-side alignment mark at the time of exposure with respect to the workpiece-side correction alignment mark The deviation component is averaged when a predetermined number of workpieces are exposed and recorded as a distortion-induced deviation component, The proximity exposure apparatus according to (1), wherein the control device corrects the curvature of the reflecting mirror by the mirror bending mechanism based on the distortion-induced deviation component.
  • a work support part for supporting the work;
  • a mask support for supporting the mask;
  • An illumination optical system having a light source, an integrator, and a plurality of reflecting mirrors that reflect exposure light from the light source;
  • a proximity exposure apparatus that irradiates the work with exposure light from the light source through the mask and transfers the pattern of the mask to the work,
  • At least one of the plurality of reflecting mirrors has a mirror bending mechanism capable of correcting the curvature of the reflecting mirror; It has an alignment camera that can image the mask side alignment mark and the workpiece side alignment mark, When exposing the pattern of the mask in a predetermined layer after the second layer, a positional deviation component of the alignment mark on the workpiece side with respect to the alignment mark on the mask side at the time of exposure is determined with a predetermined number of workpieces.
  • a storage unit that averages and records as a strain-induced deviation component when exposed, Based on the strain-induced deviation component, a control unit that corrects the curvature of the reflecting mirror by the mirror bending mechanism;
  • a proximity exposure apparatus comprising: (6) a work support part for supporting the work; A mask support for supporting the mask; An illumination optical system having a light source, an integrator, and a plurality of reflecting mirrors that reflect exposure light from the light source; At least one of the plurality of reflecting mirrors has a mirror bending mechanism capable of correcting the curvature of the reflecting mirror; An alignment camera capable of imaging the mask side alignment mark and the workpiece side alignment mark;
  • a proximity exposure method comprising: irradiating the work with exposure light from the light source through the mask using a proximity exposure apparatus comprising: The initial alignment mark on the workpiece side calculated from the angle of the principal ray of the exposure light applied to the workpiece when exposing the pattern of the first layer mask and the gap between the mask and the workpiece Storing a deviation component; When exposing the
  • the proximity exposure method wherein the curvature of the reflecting mirror is corrected.
  • the proximity exposure apparatus further includes a mirror moving mechanism capable of moving the reflecting mirror including the mirror bending mechanism in a direction perpendicular to the reflecting mirror, When exposing the mask pattern of the second and subsequent layers, an average shift amount is calculated based on the shift amount at each position of the mask side alignment mark and the workpiece side correction alignment mark, and the average The tilt of the reflecting mirror is changed by the mirror moving mechanism based on the shift amount, and the curvature of the reflecting mirror is corrected by the mirror bending mechanism based on the difference between the shift amount at each position and the average shift amount.
  • the proximity exposure method according to (6).
  • a positional deviation component between the correction mark on the workpiece side and the alignment mark on the mask side at the time of exposure is set to a predetermined value.
  • a proximity exposure method comprising: irradiating the work with exposure light from the light source through the mask using a proximity exposure apparatus comprising: When exposing the pattern of the mask in a predetermined layer after the second layer, a positional deviation component of the alignment mark on the workpiece side with respect to the alignment mark on the mask side at the time of exposure is determined with a predetermined number of workpieces. A process of averaging and recording as a strain-induced deviation component when exposed; Correcting the curvature of the reflecting mirror by the mirror bending mechanism based on the strain-induced deviation component; A proximity exposure method comprising:
  • the proximity exposure apparatus and the proximity exposure method of the present invention calculation is performed from the angle of the principal ray of the exposure light applied to the workpiece and the gap between the mask and the workpiece when the first mask pattern is exposed.
  • the initial deviation component of the workpiece side alignment mark is stored, and when the mask pattern of the second and subsequent layers is exposed, the initial deviation component is offset with respect to the workpiece side alignment mark observed by the alignment camera.
  • Alignment adjustment is performed using the obtained workpiece-side corrected alignment mark and the mask-side alignment mark. Thereby, the mask pattern can be accurately exposed and transferred by correcting the alignment error caused by the principal ray angle of the exposure light accompanying the mirror bending.
  • the alignment on the mask side during exposure is performed with respect to the alignment mark on the workpiece side.
  • the positional deviation component with respect to the mark is averaged when a predetermined number of workpieces are exposed and recorded as a distortion-induced deviation component, and the curvature of the reflecting mirror is corrected by a mirror bending mechanism based on the distortion-induced deviation component.
  • the mask pattern can be accurately exposed and transferred by correcting the shift amount caused by the distortion inherent to the workpiece.
  • FIG. 1 is a front view of an exposure apparatus according to a first embodiment of the present invention. It is a figure which shows the illumination optical system shown in FIG. (A) is a plan view showing a mirror deformation unit of the illumination optical system, (b) is a cross-sectional view taken along line AA in (a), and (c) is a cross-sectional view along B--B in (a). It is sectional drawing along a B line. It is a figure which shows the state which act
  • FIG. 1 It is a schematic diagram which shows the state which the alignment mark of a mask shifts
  • (A) is a schematic diagram showing a positional relationship between a mask-side alignment mark and a workpiece-side alignment mark observed by an alignment camera before alignment adjustment, and (b) is a mask-side alignment mark after alignment adjustment.
  • FIG. 10 It is a schematic diagram which shows the positional relationship with the alignment mark by the side of a workpiece
  • (A) is an example of the operation state of the mirror movement mechanism of FIG. 10, and
  • (b) is another example of the operation state of the mirror movement mechanism of FIG.
  • FIG. 5 is a schematic diagram showing a positional relationship between a mask side alignment mark and a work side alignment mark when a fourth work is exposed by averaging shift components of the first to third alignment marks.
  • the proximity exposure apparatus PE uses a mask M smaller than the workpiece W as a material to be exposed, holds the mask M on a mask stage (mask support portion) 1, and holds the workpiece W on the workpiece stage (workpiece (workpiece)).
  • the patterning light is irradiated from the illumination optical system 3 toward the mask M.
  • the pattern of the mask M is exposed and transferred onto the workpiece W.
  • the work stage 2 is moved stepwise with respect to the mask M in the two axial directions of the X axis direction and the Y axis direction, and exposure transfer is performed for each step.
  • an X-axis stage feed mechanism 5 for moving the X-axis feed base 5a stepwise in the X-axis direction is installed on the apparatus base 4.
  • a Y-axis stage feed mechanism 6 for step-moving the Y-axis feed base 6a in the Y-axis direction is installed in order to move the work stage 2 stepwise in the Y-axis direction.
  • the work stage 2 is installed on the Y-axis feed base 6 a of the Y-axis stage feed mechanism 6.
  • the work W On the upper surface of the work stage 2, the work W is held in a state of being sucked by a work chuck or the like. Further, a substrate side displacement sensor 15 for measuring the lower surface height of the mask M is disposed on the side portion of the work stage 2. Therefore, the substrate side displacement sensor 15 can move in the X and Y axis directions together with the work stage 2.
  • a plurality of (four in the embodiment shown in the figure) X-axis linear guide rails 51 are arranged in the X-axis direction, and each guide rail 51 has a lower surface of the X-axis feed base 5 a.
  • a slider 52 fixed to the bridge is straddled.
  • the X-axis feed base 5 a is driven by the first linear motor 20 of the X-axis stage feed mechanism 5 and can reciprocate along the guide rail 51 in the X-axis direction.
  • a plurality of guide rails 53 for Y-axis linear guides are arranged on the X-axis feed base 5a in the Y-axis direction.
  • Each guide rail 53 has a slider 54 fixed to the lower surface of the Y-axis feed base 6a. Is straddled. Accordingly, the Y-axis feed base 6 a is driven by the second linear motor 21 of the Y-axis stage feed mechanism 6 and can reciprocate in the Y-axis direction along the guide rail 53.
  • the vertical coarse motion device 7 having a relatively coarse positioning resolution but a large moving stroke and moving speed, and the vertical coarse motion Positioning with high resolution is possible compared with the apparatus 7, and a vertical fine movement apparatus 8 is provided for finely adjusting the gap between the opposing surfaces of the mask M and the work W to a predetermined amount by finely moving the work stage 2 up and down. .
  • the vertical coarse movement device 7 moves the work stage 2 up and down with respect to the fine movement stage 6b by an appropriate drive mechanism provided on the fine movement stage 6b described later.
  • the stage coarse movement shafts 14 fixed at four positions on the bottom surface of the work stage 2 are engaged with linear motion bearings 14a fixed to the fine movement stage 6b, and are guided in the vertical direction with respect to the fine movement stage 6b.
  • it is desirable that the vertical coarse motion device 7 has high repeated positioning accuracy even if the resolution is low.
  • the vertical fine movement device 8 includes a fixed base 9 fixed to the Y-axis feed base 6a, and a linear guide guide rail 10 attached to the fixed base 9 with its inner end inclined obliquely downward.
  • a ball screw nut (not shown) is coupled to a slide body 12 that reciprocates along the guide rail 10 via a slider 11 straddling the guide rail 10, and an upper end surface of the slide body 12. Is in contact with the flange 12a fixed to the fine movement stage 6b so as to be slidable in the horizontal direction.
  • the vertical fine movement device 8 may drive the slide body 12 by a linear motor instead of driving the slide body 12 by the motor 17 and the ball screw.
  • the vertical fine movement device 8 is installed on one end side (left end side in FIG. 1) in the Y-axis direction of the Z-axis feed base 6a and two on the other end side, for a total of three units, and each is independently driven and controlled. It has become so. Accordingly, the vertical fine movement device 8 independently finely adjusts the heights of the three flanges 12 a based on the measurement results of the gap amounts between the mask M and the workpiece W at a plurality of locations by the gap sensor 27, and the workpiece stage 2. Fine-tune the height and inclination of In addition, when the height of the work stage 2 can be sufficiently adjusted by the vertical fine movement device 8, the vertical coarse movement device 7 may be omitted.
  • a bar mirror (both not shown) facing the interferometer is installed.
  • the bar mirror 19 facing the Y-axis laser interferometer 18 is arranged along the X-axis direction on one side of the Y-axis feed base 6a, and the bar mirror facing the X-axis laser interferometer is located on the Y-axis feed base 6a. It is arranged along the Y-axis direction on one end side.
  • the Y-axis laser interferometer 18 and the X-axis laser interferometer are each arranged so as to always face the corresponding bar mirror and supported by the apparatus base 4.
  • Two Y-axis laser interferometers 18 are installed apart from each other in the X-axis direction.
  • the two Y-axis laser interferometers 18 detect the position of the Y-axis feed base 6a and consequently the work stage 2 in the Y-axis direction and the yawing error via the bar mirror 19.
  • the X-axis laser interferometer detects the position of the X-axis feed base 5a and eventually the work stage 2 in the X-axis direction via the opposing bar mirror.
  • the mask stage 1 is inserted in a X, Y, ⁇ direction (in the X, Y plane) by inserting a mask base frame 24 composed of a substantially rectangular frame body and a gap into a central opening of the mask base frame 24.
  • the mask base frame 24 is held at a fixed position above the work stage 2 by a support column 4a protruding from the apparatus base 4.
  • a frame-shaped mask holder 26 is provided on the lower surface of the central opening of the mask frame 25. That is, a plurality of mask holder suction grooves connected to a vacuum suction device (not shown) are provided on the lower surface of the mask frame 25, and the mask holder 26 is sucked to the mask frame 25 through the plurality of mask holder suction grooves. Retained.
  • a plurality of mask suction grooves are provided on the lower surface of the mask holder 26 for sucking the peripheral portion of the mask M on which the mask pattern is not drawn.
  • the mask M passes through the mask suction grooves. Then, it is detachably held on the lower surface of the mask holder 26 by a vacuum suction device (not shown).
  • the mask frame 25 is equipped with a CCD camera 30 for alignment adjustment that images the alignment mark Ma of the mask M and the alignment mark Wa of the workpiece W.
  • the proximity exposure apparatus PE includes a control device 90 that adjusts the alignment between the mask M and the workpiece W based on the distance between the alignment mark Ma of the mask M and the alignment mark Wa of the workpiece W taken by the CCD camera 30.
  • the control device 90 includes a storage unit 91 that stores an initial deviation component of an alignment mark Wa of the workpiece W, which will be described later, and a distortion-induced deviation component caused by workpiece-specific distortion.
  • the work stage 2 is provided with a plurality of illuminance sensors 95 as illuminance measuring means for measuring the illuminance of the exposure light irradiated on the work stage 2.
  • the illumination optical system 3 of the exposure apparatus PE of the present embodiment includes a high-pressure mercury lamp 61 that is a light source for ultraviolet irradiation, and a reflector 62 that collects light emitted from the high-pressure mercury lamp 61.
  • a multi-lamp unit 60 provided with a flat mirror 63 for changing the direction of the optical path EL, an exposure control shutter unit 64 for controlling the opening and closing of the irradiation optical path,
  • An optical integrator 65 that emits light collected by the reflector 62 so as to have as uniform illumination distribution as possible in the irradiation region, a plane mirror 66 for changing the direction of the optical path EL emitted from the optical integrator 65, and a high pressure
  • a collimation mirror 67 for irradiating light from the mercury lamp 61 as parallel light;
  • a DUV cut filter, a polarization filter, and a band pass filter may be disposed between the optical integrator 65 and the exposure surface.
  • the light source may be a single lamp as a high-pressure mercury lamp, or may be constituted by an LED.
  • the exposure control shutter unit 64 When the exposure control shutter unit 64 is controlled to open during exposure, the light emitted from the multi-lamp unit 60 passes through the plane mirror 63, the optical integrator 65, the plane mirror 66, the collimation mirror 67, and the plane mirror 68. Then, the mask M held by the mask holder 26 and, consequently, the surface of the work W are irradiated as light for pattern exposure, and the exposure pattern of the mask M is exposed and transferred onto the work W.
  • the plane mirrors 66 and 68 are made of a glass material formed in a rectangular shape in front view.
  • the mask-side flat mirror 68 is supported on the mirror deformation unit holding frame 71 by a plurality of mirror deformation units 70 which are mirror bending mechanisms provided on the back surface side of the flat mirror 68.
  • the mirror deformation unit 70 includes a plurality of pads 72, a plurality of holding members 73, and a plurality of motors 74 that are drive devices.
  • the mirror deformation units 70 are provided at three locations near the center of the back surface of the flat mirror 68 and 16 peripheral portions.
  • the pad 72 is fixed to the back surface of the flat mirror 68 with an adhesive.
  • the pad 72 is fixed to the support portion 75 provided so as to sandwich the front and back surfaces of the flat mirror 68 with an adhesive.
  • Each holding member 73 one end of which is fixed to the pad 72, is provided with a ball joint 76 as a bending mechanism that allows bending of ⁇ 0 ⁇ 5 deg or more at a position near the pad 72.
  • a motor 74 is attached to the other end opposite to the holding frame 71.
  • the holding member 73 at the center of the flat mirror 68 may be fixed to the mirror deformation unit holding frame 71.
  • guide members 77 and 78 are attached to the rectangular mirror deformation unit holding frame 71 at positions on two sides orthogonal to each other, and on the side surface of the support portion 75 facing these guide members 77 and 78, A rolling member 79 is attached.
  • a low friction mechanism 80 such as Teflon (registered trademark) is applied to the guide surfaces 77 a and 78 a of the guide members 77 and 78 that guide the rolling member 79.
  • a plurality of contact sensors 81 are attached to the back surface of each position of the flat mirror 68 that reflects exposure light at the position of an alignment mark (not shown) on the mask side.
  • the plane mirror 68 drives the motor 74 of each mirror deformation unit 70 while sensing the amount of displacement of the plane mirror 68 by the contact sensor 81, so that each mirror deformation unit 70 changes its length.
  • the support part 75 is moved linearly. Due to the difference in length of each mirror deformation unit 70, the plane mirror 68 is guided by the two guide members 77 and 78 via the rolling member 79 provided on the support 75, and the curvature thereof is locally determined. It can be corrected.
  • each motor 74 of the mirror deformation unit 70 of the plane mirror 68 is connected to a control unit 94 that sends a control signal to each motor 74 based on a command from the control device 90.
  • the control unit 94 corrects the curvature of the flat mirror 68 to correct distortion of the workpiece W, which will be described later, and controls the motor 74 so that variation in the illuminance of the exposure light measured by the illuminance sensor 95 is suppressed. Give a signal.
  • FIG. 5 is a flowchart showing an operation procedure of the mirror deformation unit 70.
  • the pattern of the mask M is exposed on the workpiece W (step S1), and the exposure transfer pattern Wp is measured (step S2). Then, the length measurement result is compared with the design value (step S3), the correction amount is determined from the difference (step S4), the shape of the plane mirror 68 is determined (step S5), and each motor of the mirror deformation unit 70 is determined.
  • the drive amount 74 is determined (step S6).
  • each mirror deformation unit 70 is provided with a ball joint 76, so that the support side portion can be rotated three-dimensionally, and each pad 72 can be It can be inclined along the surface of the plane mirror 68. For this reason, the adhesive peeling between each pad 72 and the plane mirror 68 is prevented, and the stress of the plane mirror 68 between the pads 72 having different movement amounts is suppressed, and the average fracture stress value is made of a small glass material. Even when the curvature of the plane mirror 68 is locally corrected, the plane mirror 68 can be bent on the order of 10 mm without damaging the plane mirror 68, and the curvature can be greatly changed.
  • the exposure position of the first layer without the base mark is determined by the mechanical accuracy of the proximity exposure apparatus PE.
  • the alignment mark Wa of the workpiece W used in the exposure of each layer after the second layer is exposed.
  • the exposure of the first layer for example, exposure to a rectangle may be slightly distorted due to the gap distribution of the exposure apparatus, the distribution of the declination angle of the illumination apparatus, the temperature distortion of the workpiece, and the like.
  • the pattern of the exposure result of the first layer is measured, the deviation amount between the design coordinates and the measurement coordinates is obtained, and the mirror bending amount is determined based on the deviation amount. That is, the measurement result is brought close to the design coordinate value so that the deviation amount becomes zero.
  • the angle (declination angle) of the principal ray EL is tilted with respect to the direction perpendicular to the workpiece W as shown in FIG.
  • the mask M is formed at a position shifted from a position directly below the alignment mark Ma.
  • the amount of deviation (initial deviation component) between the alignment mark Ma of the mask M and the alignment mark Wa of the workpiece W in the exposure of the first layer of workpiece W is obtained by the flowchart shown in FIG. That is, a declination angle (step S11) determined corresponding to the position of each alignment mark Ma is first obtained from the shape of the plane mirror 68 and the pattern of the mask M. Based on each declination angle and the exposure gap between the mask M and the workpiece W (step S12), an initial deviation component is calculated (step S13). This initial deviation component is stored in the storage unit 91.
  • the alignment mark Ma of the mask M and the alignment mark Wa of the work W are simultaneously observed by the CCD camera 30 (step S21).
  • a workpiece-side corrected alignment mark obtained by offsetting the initial deviation component (step S22) stored in the storage unit 91 with respect to the workpiece-side alignment mark Wa observed by the CCD camera 30 is used.
  • the alignment correction amount is determined between the mask M and the alignment mark Ma (step S23).
  • the mask M held on the mask stage (mask support) 1 is moved by a mask driving unit (not shown) to adjust the alignment (step S24).
  • the alignment adjustment can be performed so that the alignment mark Ma of the mask M and the alignment mark Wa of the workpiece W are matched.
  • the error due to the mirror deformation unit the error due to the alignment operation, the elongation due to the temperature change of the workpiece when the workpiece W is subjected to the exposure process, the change in the suction state, the characteristics of the workpiece, etc. Further distortion is included. For this reason, the position of each mark observed in actual exposure does not match all the alignment marks on the mask side and the correction alignment mark on the workpiece side even if the alignment adjustment is performed by offsetting the initial deviation component. Alignment adjustment is performed so that the total amount of deviation between the mask side alignment mark and the workpiece side alignment mark is minimized.
  • each mirror deformation unit 70 by driving the motor of each mirror deformation unit 70 for each workpiece W based on the shift amount at each position of the mask side alignment mark and the workpiece side correction alignment mark, The plane mirror 68 is further corrected for mirror bending. Accordingly, it is possible to remove the shift amount due to the distortion inherent to the workpiece W and to expose the workpiece W in the second and subsequent layers.
  • the initial deviation component of the alignment mark Wa on the workpiece W side calculated from the gap between the mask M and the workpiece W is stored, and is observed by the CCD camera 30 when exposing the pattern of the mask M on the second and subsequent layers.
  • Alignment adjustment is performed using the workpiece W-side corrected alignment mark obtained by offsetting the initial deviation component with respect to the workpiece W-side alignment mark Wa and the mask M-side alignment mark Ma.
  • the pattern of the mask M can be accurately exposed and transferred by correcting the alignment error caused by the angle of the principal ray EL of the exposure light accompanying the mirror bending.
  • the mirror deformation unit 70 when exposing the pattern of the mask M of the second and subsequent layers, is based on the shift amount at each position between the mask side alignment mark Ma and the workpiece side correction alignment mark. Since the curvature of the plane mirror 68 is corrected by driving, the amount of deviation due to the distortion inherent to the workpiece W can be removed, and the exposure accuracy of the workpiece W in the second and subsequent layers can be further improved.
  • the plane mirror 68 including the mirror deformation unit 70 further includes a plurality (four in this embodiment) of mirror movement mechanisms 80 that can move in the vertical direction with respect to the plane mirror 68. .
  • the plurality of mirror moving units 80 are respectively attached to the four corners of the mirror deformation unit holding frame 71.
  • the plurality of mirror moving units 80 for example, tilt the entire plane mirror 68 with respect to the X direction, the Y direction, or both the X and Y directions to change the angle of the principal ray from the light source. To be driven.
  • the average deviation amount G of the deviation amounts at each position is expressed by the following equation.
  • the mirror moving mechanism 80 is driven based on the x component and the y component of the average deviation amount G, and the inclination of the plane mirror 68 is changed.
  • the correction angle ⁇ is expressed by the following equation when the exposure gap is gap ( ⁇ m).
  • only one mirror moving mechanism 80 in the x direction may be moved as shown in FIG. 11A, or as shown in FIG.
  • the mirror moving mechanisms 80 on both sides in the x direction may be moved A / 2 equally in the opposite direction.
  • the difference Ai Pi ⁇ G between the shift amount Pi and the average shift amount G at each position is calculated, and the curvature of the plane mirror 68 is corrected by the mirror deformation unit 70 based on this difference.
  • the average deviation amount is based on the deviation amount Pi at each position between the mask side alignment mark Ma and the workpiece side correction alignment mark.
  • G is calculated, the inclination of the plane mirror 68 is changed by the mirror moving mechanism 80 based on the average deviation amount G, and the mirror deformation unit is based on the difference Ai between the deviation amount Pi and the average deviation amount G at each position.
  • the curvature of the plane mirror 68 is corrected by 70. Accordingly, the deviation amount due to the distortion inherent to the workpiece W can be removed, and the exposure accuracy of the workpiece W in the second and subsequent layers can be further improved, and the stroke of the mirror deformation unit 70 can be set to be small. 68 bending can be suppressed.
  • Other configurations and operations are the same as or equivalent to those of the first embodiment.
  • the alignment mark Wa on the workpiece side also includes a shift component due to distortion inherent to the workpiece W, in this embodiment as well, this shift component is used for exposure of the second and subsequent workpieces W. The amount of deviation due to is corrected.
  • the observed alignment mark Wa on the workpiece side includes a deviation component B due to distortion inherent to the workpiece W in addition to the initial deviation component A due to the mirror bending correction described above.
  • the observed workpiece-side alignment mark Wa is offset by offsetting the initial deviation component A due to mirror bending correction.
  • a correction alignment mark Wa ′ on the side is provided, and a deviation component B due to distortion inherent in the workpiece W is included therein.
  • the positions of the workpiece-side corrected alignment marks Wa ′ (Wa1 ′, Wa2 ′, Wa3 ′) including the deviation component B are different for each workpiece W as shown in FIGS.
  • this workpiece-side corrected alignment mark Wa ′ is exposed to a predetermined number of workpieces (three workpieces in FIG. 14) with respect to a positional deviation component from the mask-side alignment mark Ma at the time of exposure. Are averaged and recorded as a distortion-induced deviation component C (see FIG. 14D). Based on the distortion-induced deviation component C, the curvature of the plane mirror 68 is corrected by the mirror deformation unit 70.
  • FIG. 12 is a flowchart showing a procedure for correcting the initial deviation component of the alignment mark and further correcting the deviation component due to the distortion inherent to the workpiece to expose the second and subsequent workpieces.
  • the CCD camera 30 simultaneously observes the alignment mark Ma of the mask M and the alignment mark Wa of the workpiece W (step S31), and stores them in the storage unit 91 for the alignment mark Ma of the mask M.
  • the auxiliary alignment mark Wa ′ is obtained by offsetting the initial deviation component (step S32).
  • step S33 alignment adjustment is performed using the workpiece-side corrected alignment mark Wa ′ and the alignment mark Ma of the mask M (step S33).
  • the mask stage (mask support part) 1 is moved (step S34), and the process returns to step S31.
  • step S35 the average value of the deviation components B due to distortion inherent to each workpiece W (three workpieces W in FIG. 14) (distortion-induced deviation components). C) is calculated (step S36), and this is corrected as the alignment mark reference position (step S37).
  • step S38 the correction conversion coefficient of the pattern correction position is calculated from the position of the alignment mark Wa (step S38), the exposure pattern correction amount is calculated (step S39), and the shape of the plane mirror 68 is determined (step S40).
  • step S41 it is determined whether or not the operating range of the motor 74 for achieving the shape of the obtained flat mirror 68 exceeds the limit (step S41).
  • step S41 it is difficult to correct the shape of the plane mirror 68 beyond this, so exposure transfer is performed in step S45.
  • step S42 a further movement amount (difference) of the motor 74 is calculated (step S42), and the motor 74 is operated by the difference (step S43) to obtain a plane mirror.
  • the shape of 68 is deformed (step S44), and the pattern of the mask M is exposed and transferred onto the workpiece W (step S45).
  • step S46 the work stage (work support unit) 2 is moved to the next exposure position (step S47), the motor 74 is moved to the set position (step S48), and the process proceeds to step S31. Return and repeat the same operation.
  • the proximity exposure apparatus PE and the proximity exposure method of the present embodiment when the pattern of the mask M in the second and subsequent layers is exposed, the workpiece side correction alignment mark Wa ′ is applied. Then, the positional deviation component with respect to the alignment mark Ma on the mask side at the time of exposure is averaged when a predetermined number of workpieces W are exposed and recorded as a distortion-induced deviation component C. Based on the distortion-induced deviation component C, The curvature of the plane mirror 68 is corrected by the mirror deformation unit 70. As a result, the shift component B caused by the distortion inherent in the workpiece W can be corrected and the pattern of the mask M can be accurately exposed and transferred.
  • the corrected alignment mark Wa ′ on the workpiece side is offset and given in addition to the initial distortion components. Can do.
  • the correction of the shift amount due to the distortion inherent to the workpiece may be performed independently of the correction of the alignment error due to the angle of the principal ray of the exposure light accompanying the mirror bending. That is, in the proximity exposure apparatus and the proximity exposure method of the present invention, when exposing the mask pattern in the second and subsequent predetermined layers, the alignment mark on the mask side during exposure is different from the alignment mark on the workpiece side. These positional deviation components are averaged when a predetermined number of workpieces are exposed and recorded as distortion-induced deviation components, and the curvature of the reflecting mirror is corrected by a mirror bending mechanism based on the distortion-induced deviation components. As a result, the mask pattern can be accurately exposed and transferred by correcting the shift amount due to the distortion inherent to the workpiece.
  • Mask stage (mask support part) 2 Work stage (work support part) 3 Illumination optical system 30 CCD camera (alignment camera) 60 Multi lamp unit (light source) 65 Optical Integrator 68 Plane Mirror (Reflector) 70 Mirror deformation unit (mirror bending mechanism) 90 Control Device 91 Storage Unit EL Main Ray M Mask Ma Mask Side Alignment Mark PE Proximity Exposure Device W Work Wa, Wa1, Wa2, Wa3 Work Side Alignment Mark Wa ′, Wa1 ′, Wa2 ′, Wa3 ′ Work Side Assist Alignment mark

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

曲率を補正可能なミラー変形ユニット（７０）を有する平面ミラー（６８）と、マスクＭ側のアライメントマーク（Ｍａ）とワーク（Ｗ）側のアライメントマーク（Ｗａ）とを撮像可能なＣＣＤカメラ（３０）と、１層目のマスク（Ｍ）のパターンを露光する際におけるワーク（Ｗ）に照射される主光線（ＥＬ）の角度とマスク（Ｍ）及びワーク（Ｗ）間のギャップとから計算されるアライメントマーク（Ｗａ）の初期ずれ成分を記憶する記憶部（９１）と、２層目以降のマスク（Ｍ）のパターンを露光する際、ＣＣＤカメラ（３０）により観測されるワーク（Ｗ）側のアライメントマーク（Ｗａ）に対して初期ずれ成分をオフセットして得られたワーク（Ｗ）側の補正アライメントマーク（Ｗａ´）と、マスクＭ側のアライメントマーク（Ｍａ）とでアライメント調整する制御装置（９０）と、を備える。

Description

近接露光装置及び近接露光方法
　本発明は、近接露光装置及び近接露光方法に関する。
　従来、特許文献１には、反射鏡の曲率を補正可能なミラー曲げ機構をそれぞれ備える複数の反射鏡を有し、マスク側の一方の反射鏡は、ワークのひずみ量に応じてミラー曲げ機構を駆動させてワークの歪を補正し、他方の反射鏡は、一方の反射鏡の曲率を補正した状態で、ミラー曲げ機構を駆動させて反射鏡の曲率を補正して露光光の照度分布を向上させる露光装置が開示されている。
日本国特開２０１５－１４６４１７号公報
　ところで、特許文献１に記載のように、ミラー曲げを行うと、ワークに照射される露光光の主光線の角度がワークに対して垂直ではなくなり、転写パターンがその分だけずれて転写されることになる。このため、２層目を露光する際のアライメントに使用される、１層目を露光した際に転写されたワーク側のアライメントマークは、位置ずれして転写されている場合がある。このワーク側のアライメントマークを用いてアライメント調整し、２層目以降の露光を行うと、上記主光線の角度のずれ分だけずれて露光転写されるため、露光精度が低下する。
　また、ワークは露光した際に、ワークの温度変化による伸長、吸着状態の変化、ワークの特性等により、ワークごとに固有の歪が生じる。このため、２層目以降を露光する際のアライメントに使用される、ワーク側のアライメントマークには、上記ワークに固有の歪によっても位置ずれして転写されている場合がある。
　特許文献１に記載の露光装置では、ワークの歪に応じて反射鏡の曲率を補正しているが、１層目の露光時のデクリネーション角の変化分だけ、アライメントマークが位置ずれする点を考慮していない。また、アライメントマークの位置ずれだけでは、ワーク固有のひずみを判断することができない。
　本発明は、前述した課題に鑑みてなされたものであり、その第１の目的は、ミラー曲げに伴う露光光の主光線の角度に起因するアラメント誤差を補正してマスクのパターンを精度よく露光転写可能な近接露光装置及び近接露光方法を提供することにある。また、第２の目的は、ワーク固有の歪に起因するずれ量を補正してマスクのパターンを精度よく露光転写可能な近接露光装置及び近接露光方法を提供することにある。
　本発明の上記目的は、下記の構成により達成される。
（１）　ワークを支持するワーク支持部と、
　マスクを支持するマスク支持部と、
　光源、インテグレータ、及び光源からの露光光を反射する複数の反射鏡を有する照明光学系と、
を備え、前記光源からの露光光を前記マスクを介して前記ワークに照射して前記マスクのパターンを前記ワークに転写する近接露光装置であって、
　前記複数の反射鏡の内の少なくとも１つの前記反射鏡は、前記反射鏡の曲率を補正可能なミラー曲げ機構を有し、
　マスク側のアライメントマークと、ワーク側のアライメントマークとを撮像可能なアライメントカメラと、
　１層目の前記マスクのパターンを露光する際における前記ワークに照射される前記露光光の主光線の角度と、前記マスク及び前記ワーク間のギャップとから計算される、前記ワーク側のアライメントマークの初期ずれ成分を記憶する記憶部と、
　２層目以降の前記マスクのパターンを露光する際、前記アライメントカメラにより観測される前記ワーク側のアライメントマークに対して前記初期ずれ成分をオフセットして得られたワーク側の補正アライメントマークと、前記マスク側のアライメントマークとでアライメント調整する制御装置と、
を備えることを特徴とする近接露光装置。
（２）　前記２層目以降の前記マスクのパターンを露光する際、前記マスク側のアライメントマークと前記ワーク側の補正アライメントマークとの各位置でのずれ量に基づいて、前記ミラー曲げ機構を駆動して前記反射鏡の曲率を補正することを特徴とする（１）に記載の近接露光装置。
（３）　前記ミラー曲げ機構を備えた前記反射鏡を、該反射鏡に対して垂直方向にそれぞれ移動可能なミラー移動機構をさらに備え、
　前記２層目以降の前記マスクのパターンを露光する際、前記マスク側のアライメントマークと前記ワーク側の補正アライメントマークとの各位置でのずれ量に基づいて、平均ずれ量を算出し、該平均ずれ量に基づいて前記ミラー移動機構によって前記反射鏡の傾きを変更すると共に、前記各位置でのずれ量と前記平均ずれ量との差分に基づいて前記ミラー曲げ機構によって前記反射鏡の曲率を補正することを特徴とする（１）に記載の近接露光装置。
（４）　前記記憶部は、２層目以降の所定の層における前記マスクのパターンを露光する際、前記ワーク側の補正アライメントマークに対して、露光する際の前記マスク側のアライメントマークとの位置ずれ成分を、所定数のワークを露光した際に平均化してひずみ起因ずれ成分として記録し、
　前記制御装置は、前記ひずみ起因ずれ成分に基づいて、前記ミラー曲げ機構によって前記反射鏡の曲率を補正することを特徴とする（１）に記載の近接露光装置。
（５）　ワークを支持するワーク支持部と、
　マスクを支持するマスク支持部と、
　光源、インテグレータ、及び光源からの露光光を反射する複数の反射鏡を有する照明光学系と、
を備え、前記光源からの露光光を前記マスクを介して前記ワークに照射して前記マスクのパターンを前記ワークに転写する近接露光装置であって、
　前記複数の反射鏡の内の少なくとも１つの前記反射鏡は、前記反射鏡の曲率を補正可能なミラー曲げ機構を有し、
　マスク側のアライメントマークと、ワーク側のアライメントマークとを撮像可能なアライメントカメラを備え、
　２層目以降の所定の層における前記マスクのパターンを露光する際、前記ワーク側のアライメントマークに対して、露光する際の前記マスク側のアライメントマークとの位置ずれ成分を、所定数のワークを露光した際に平均化してひずみ起因ずれ成分として記録する記憶部と、
　前記ひずみ起因ずれ成分に基づいて、前記ミラー曲げ機構によって前記反射鏡の曲率を補正する制御部と、
を備えることを特徴とする近接露光装置。
（６）　ワークを支持するワーク支持部と、
　マスクを支持するマスク支持部と、
　光源、インテグレータ、及び光源からの露光光を反射する複数の反射鏡を有する照明光学系と、
　前記複数の反射鏡の内の少なくとも１つの前記反射鏡は、前記反射鏡の曲率を補正可能なミラー曲げ機構を有し、
　マスク側のアライメントマークと、ワーク側のアライメントマークとを撮像可能なアライメントカメラと、
を備える近接露光装置を用いて、前記光源からの露光光を前記マスクを介して前記ワークに照射して前記マスクのパターンを前記ワークに転写する近接露光方法であって、
　１層目のマスクのパターンを露光する際における前記ワークに照射される前記露光光の主光線の角度と、前記マスク及び前記ワーク間のギャップとから計算される、前記ワーク側のアライメントマークの初期ずれ成分を記憶する工程と、
　２層目以降の前記マスクのパターンを露光する際、前記アライメントカメラにより観測される前記ワーク側のアライメントマークに対して前記初期ずれ成分をオフセットして得られたワーク側の補正アライメントマークと、前記マスク側のアライメントマークとでアライメント調整する工程と、
を備えることを特徴とする近接露光方法。
（７）　前記２層目以降の前記マスクのパターンを露光する際、前記マスク側のアライメントマークと前記ワーク側の補正アライメントマークとの各位置でのずれ量に基づいて、前記ミラー曲げ機構を駆動して前記反射鏡の曲率を補正することを特徴とする（６）に記載の近接露光方法。
（８）　前記近接露光装置は、前記ミラー曲げ機構を備えた前記反射鏡を、該反射鏡に対して垂直方向にそれぞれ移動可能なミラー移動機構をさらに備え、
　前記２層目以降の前記マスクのパターンを露光する際、前記マスク側のアライメントマークと前記ワーク側の補正アライメントマークとの各位置でのずれ量に基づいて、平均ずれ量を算出し、該平均ずれ量に基づいて前記ミラー移動機構によって前記反射鏡の傾きを変更すると共に、前記各位置でのずれ量と前記平均ずれ量との差分に基づいて前記ミラー曲げ機構によって前記反射鏡の曲率を補正することを特徴とする（６）に記載の近接露光方法。
（９）　２層目以降の所定の層における前記マスクのパターンを露光する際、前記ワーク側の補正アライメントマークに対して、露光する際の前記マスク側のアライメントマークとの位置ずれ成分を、所定数のワークを露光した際に平均化してひずみ起因ずれ成分として記録する工程と、
　前記ひずみ起因ずれ成分に基づいて、前記ミラー曲げ機構によって前記反射鏡の曲率を補正する工程と、
を備えることを特徴とする（６）に記載の近接露光方法。
（１０）　ワークを支持するワーク支持部と、
　マスクを支持するマスク支持部と、
　光源、インテグレータ、及び光源からの露光光を反射する複数の反射鏡を有する照明光学系と、
　前記複数の反射鏡の内の少なくとも１つの前記反射鏡は、前記反射鏡の曲率を補正可能なミラー曲げ機構を有し、
　マスク側のアライメントマークと、ワーク側のアライメントマークとを撮像可能なアライメントカメラと、
を備える近接露光装置を用いて、前記光源からの露光光を前記マスクを介して前記ワークに照射して前記マスクのパターンを前記ワークに転写する近接露光方法であって、
　２層目以降の所定の層における前記マスクのパターンを露光する際、前記ワーク側のアライメントマークに対して、露光する際の前記マスク側のアライメントマークとの位置ずれ成分を、所定数のワークを露光した際に平均化してひずみ起因ずれ成分として記録する工程と、
　前記ひずみ起因ずれ成分に基づいて、前記ミラー曲げ機構によって前記反射鏡の曲率を補正する工程と、
を備えることを特徴とする近接露光方法。
　本発明の近接露光装置及び近接露光方法によれば、１層目のマスクのパターンを露光する際におけるワークに照射される前記露光光の主光線の角度と、マスク及びワーク間のギャップとから計算される、ワーク側のアライメントマークの初期ずれ成分を記憶し、２層目以降のマスクのパターンを露光する際、アライメントカメラにより観測されるワーク側のアライメントマークに対して初期ずれ成分をオフセットして得られたワーク側の補正アライメントマークと、マスク側のアライメントマークとでアライメント調整する。これにより、ミラー曲げに伴う露光光の主光線の角度に起因するアラメント誤差を補正してマスクのパターンを精度よく露光転写することができる。
　また、本発明の近接露光装置及び近接露光方法によれば、２層目以降の所定の層におけるマスクのパターンを露光する際、ワーク側のアライメントマークに対して、露光する際のマスク側のアライメントマークとの位置ずれ成分を、所定数のワークを露光した際に平均化してひずみ起因ずれ成分として記録し、ひずみ起因ずれ成分に基づいて、ミラー曲げ機構によって反射鏡の曲率を補正する。これにより、ワーク固有の歪に起因するずれ量を補正してマスクのパターンを精度よく露光転写することができる。
本発明の第１実施形態に係る露光装置の正面図である。 図１に示す照明光学系を示す図である。 （ａ）は、照明光学系のミラー変形ユニットを示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ－Ａ線に沿った断面図であり、（ｃ）は、（ａ）のＢ－Ｂ線に沿った断面図である。 図３のミラー変形ユニットの支持機構を作動した状態を示す図である。 ミラー変形ユニットの作動手順を示すフローチャートである。 デクリネーション角によりマスクのアライメントマークがずれてワークに転写される状態を示す模式図である。 本発明の第１実施形態に係る、デクリネーション角と露光ギャップとからアライメントマークの初期ずれ成分を算出する手順を示すフローチャートである。 本発明の第１実施形態に係る、アライメントマークの初期ずれ成分を補正してアライメント調整する手順を示すフローチャートである。 （ａ）は、アライメント調整前にアライメントカメラで観測されるマスク側のアライメントマークとワーク側のアライメントマークとの位置関係を示す模式図、（ｂ）は、アライメント調整後のマスク側のアライメントマークとワーク側のアライメントマークとの位置関係を示す模式図である。 本発明の第２実施形態に係る、ミラー移動機構を備えた平面ミラーの概略斜視図である。 （ａ）は、図１０のミラー移動機構の動作状態の一例であり、（ｂ）は、図１０のミラー移動機構の動作状態の他の例である。 本発明の第３実施形態に係る、アライメントマークの初期ずれ成分を補正し、さらにワーク固有の歪によるずれ成分を補正して２層目以降のワークを露光する手順を示すフローチャートである。 初期ずれ成分をオフセットしたマーク間距離の平均値に基づいて、２層目以降の所定の層のマスクのパターンを露光する状態を示す模式図である。 （ａ）は１枚目のワーク露光時のマスク側のアライメントマークとワーク側のアライメントマークとの位置関係を示す模式図、（ｂ）は２枚目のワーク露光時のマスク側のアライメントマークとワーク側のアライメントマークとの位置関係を示す模式図、（ｃ）は３枚目のワーク露光時のマスク側のアライメントマークとワーク側のアライメントマークとの位置関係を示す模式図、（ｄ）は４枚目のワークを、１～３枚目のアライメントマークのずれ成分の平均化して露光する時のマスク側のアライメントマークとワーク側のアライメントマークとの位置関係を示す模式図である。
（第１実施形態）
　以下、本発明に係る露光装置の第１実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。図１に示すように、近接露光装置ＰＥは、被露光材としてのワークＷより小さいマスクＭを用い、マスクＭをマスクステージ（マスク支持部）１で保持すると共に、ワークＷをワークステージ（ワーク支持部）２で保持し、マスクＭとワークＷとを近接させて所定の露光ギャップで対向配置した状態で、照明光学系３からパターン露光用の光をマスクＭに向けて照射することにより、マスクＭのパターンをワークＷ上に露光転写する。また、ワークステージ２をマスクＭに対してＸ軸方向とＹ軸方向の二軸方向にステップ移動させて、ステップ毎に露光転写が行われる。
　ワークステージ２をＸ軸方向にステップ移動させるため、装置ベース４上には、Ｘ軸送り台５ａをＸ軸方向にステップ移動させるＸ軸ステージ送り機構５が設置されている。Ｘ軸ステージ送り機構５のＸ軸送り台５ａ上には、ワークステージ２をＹ軸方向にステップ移動させるため、Ｙ軸送り台６ａをＹ軸方向にステップ移動させるＹ軸ステージ送り機構６が設置されている。Ｙ軸ステージ送り機構６のＹ軸送り台６ａ上には、ワークステージ２が設置されている。ワークステージ２の上面には、ワークＷがワークチャック等で真空吸引された状態で保持される。また、ワークステージ２の側部には、マスクＭの下面高さを測定するための基板側変位センサ１５が配設されている。従って、基板側変位センサ１５は、ワークステージ２と共にＸ、Ｙ軸方向に移動可能である。
　装置ベース４上には、複数（図に示す実施形態では４本）のＸ軸リニアガイドのガイドレール５１がＸ軸方向に配置され、それぞれのガイドレール５１には、Ｘ軸送り台５ａの下面に固定されたスライダ５２が跨架されている。これにより、Ｘ軸送り台５ａは、Ｘ軸ステージ送り機構５の第１リニアモータ２０で駆動され、ガイドレール５１に沿ってＸ軸方向に往復移動可能である。また、Ｘ軸送り台５ａ上には、複数のＹ軸リニアガイドのガイドレール５３がＹ軸方向に配置され、それぞれのガイドレール５３には、Ｙ軸送り台６ａの下面に固定されたスライダ５４が跨架されている。これにより、Ｙ軸送り台６ａは、Ｙ軸ステージ送り機構６の第２リニアモータ２１で駆動され、ガイドレール５３に沿ってＹ軸方向に往復移動可能である。
　Ｙ軸ステージ送り機構６とワークステージ２の間には、ワークステージ２を上下方向に移動させるため、比較的位置決め分解能は粗いが移動ストローク及び移動速度が大きな上下粗動装置７と、上下粗動装置７と比べて高分解能での位置決めが可能でワークステージ２を上下に微動させてマスクＭとワークＷとの対向面間のギャップを所定量に微調整する上下微動装置８が設置されている。
　上下粗動装置７は後述の微動ステージ６ｂに設けられた適宜の駆動機構によりワークステージ２を微動ステージ６ｂに対して上下動させる。ワークステージ２の底面の４箇所に固定されたステージ粗動軸１４は、微動ステージ６ｂに固定された直動ベアリング１４ａに係合し、微動ステージ６ｂに対し上下方向に案内される。なお、上下粗動装置７は、分解能が低くても、繰り返し位置決め精度が高いことが望ましい。
　上下微動装置８は、Ｙ軸送り台６ａに固定された固定台９と、固定台９にその内端側を斜め下方に傾斜させた状態で取り付けられたリニアガイドの案内レール１０とを備えており、該案内レール１０に跨架されたスライダ１１を介して案内レール１０に沿って往復移動するスライド体１２にボールねじのナット（図示せず）が連結されると共に、スライド体１２の上端面は微動ステージ６ｂに固定されたフランジ１２ａに対して水平方向に摺動自在に接している。
　そして、固定台９に取り付けられたモータ１７によってボールねじのねじ軸を回転駆動させると、ナット、スライダ１１及びスライド体１２が一体となって案内レール１０に沿って斜め方向に移動し、これにより、フランジ１２ａが上下微動する。
　なお、上下微動装置８は、モータ１７とボールねじによってスライド体１２を駆動する代わりに、リニアモータによってスライド体１２を駆動するようにしてもよい。
　この上下微動装置８は、Ｚ軸送り台６ａのＹ軸方向の一端側（図１の左端側）に１台、他端側に２台、合計３台設置されてそれぞれが独立に駆動制御されるようになっている。これにより、上下微動装置８は、ギャップセンサ２７による複数箇所でのマスクＭとワークＷとのギャップ量の計測結果に基づき、３箇所のフランジ１２ａの高さを独立に微調整してワークステージ２の高さ及び傾きを微調整する。
　なお、上下微動装置８によってワークステージ２の高さを十分に調整できる場合には、上下粗動装置７を省略してもよい。
　また、Ｙ軸送り台６ａ上には、ワークステージ２のＹ方向の位置を検出するＹ軸レーザ干渉計１８に対向するバーミラー１９と、ワークステージ２のＸ軸方向の位置を検出するＸ軸レーザ干渉計に対向するバーミラー（共に図示せず）とが設置されている。Ｙ軸レーザ干渉計１８に対向するバーミラー１９は、Ｙ軸送り台６ａの一側でＸ軸方向に沿って配置されており、Ｘ軸レーザ干渉計に対向するバーミラーは、Ｙ軸送り台６ａの一端側でＹ軸方向に沿って配置されている。
　Ｙ軸レーザ干渉計１８及びＸ軸レーザ干渉計は、それぞれ常に対応するバーミラーに対向するように配置されて装置ベース４に支持されている。なお、Ｙ軸レーザ干渉計１８は、Ｘ軸方向に離間して２台設置されている。２台のＹ軸レーザ干渉計１８により、バーミラー１９を介してＹ軸送り台６ａ、ひいてはワークステージ２のＹ軸方向の位置及びヨーイング誤差を検出する。また、Ｘ軸レーザ干渉計により、対向するバーミラーを介してＸ軸送り台５ａ、ひいてはワークステージ２のＸ軸方向の位置を検出する。
　マスクステージ１は、略長方形状の枠体からなるマスク基枠２４と、該マスク基枠２４の中央部開口にギャップを介して挿入されてＸ，Ｙ，θ方向（Ｘ，Ｙ平面内）に移動可能に支持されたマスクフレーム２５とを備えており、マスク基枠２４は装置ベース４から突設された支柱４ａによってワークステージ２の上方の定位置に保持されている。
　マスクフレーム２５の中央部開口の下面には、枠状のマスクホルダ２６が設けられている。即ち、マスクフレーム２５の下面には、図示しない真空式吸着装置に接続される複数のマスクホルダ吸着溝が設けられており、マスクホルダ２６が複数のマスクホルダ吸着溝を介してマスクフレーム２５に吸着保持される。
　マスクホルダ２６の下面には、マスクＭのマスクパターンが描かれていない周縁部を吸着するための複数のマスク吸着溝（図示せず）が開設されており、マスクＭは、マスク吸着溝を介して図示しない真空式吸着装置によりマスクホルダ２６の下面に着脱自在に保持される。
　また、マスクフレーム２５には、マスクＭのアライメントマークＭａと、ワークＷのアライメントマークＷａとを撮像するアライメント調整用のＣＣＤカメラ３０が搭載されている。近接露光装置ＰＥは、ＣＣＤカメラ３０により撮像されたマスクＭのアライメントマークＭａとワークＷのアライメントマークＷａとのマーク間距離に基づいてマスクＭとワークＷとのアライメント調整する制御装置９０を備える。制御装置９０は、後述するワークＷのアライメントマークＷａの初期ずれ成分や、ワーク固有の歪に起因するひずみ起因ずれ成分を記憶する記憶部９１を含んで構成されている。さらに、ワークステージ２には、ワークステージ２に照射される露光光の照度を測定する照度測定手段としての複数の照度センサ９５が設けられている。
　図２に示すように、本実施形態の露光装置ＰＥの照明光学系３は、紫外線照射用の光源である高圧水銀ランプ６１、及びこの高圧水銀ランプ６１から照射された光を集光するリフレクタ６２をそれぞれ備えたマルチランプユニット６０と、光路ＥＬの向きを変えるための平面ミラー６３と、照射光路を開閉制御する露光制御用シャッターユニット６４と、露光制御用シャッターユニット６４の下流側に配置され、リフレクタ６２で集光された光を照射領域においてできるだけ均一な照度分布となるようにして出射するオプティカルインテグレータ６５と、オプティカルインテグレータ６５から出射された光路ＥＬの向きを変えるための平面ミラー６６と、高圧水銀ランプ６１からの光を平行光として照射するコリメーションミラー６７と、該平行光をマスクＭに向けて照射する平面ミラー６８と、を備える。なお、オプティカルインテグレータ６５と露光面との間には、ＤＵＶカットフィルタ、偏光フィルタ、バンドパスフィルタが配置されてもよい。また、光源は、高圧水銀ランプは、単一のランプであってもよく、或いは、ＬＥＤによって構成されてもよい。
　そして、露光時にその露光制御用シャッターユニット６４が開制御されると、マルチランプユニット６０から照射された光が、平面ミラー６３、オプティカルインテグレータ６５、平面ミラー６６、コリメーションミラー６７、平面ミラー６８を介して、マスクホルダ２６に保持されるマスクＭ、ひいてはワークＷの表面にパターン露光用の光として照射され、マスクＭの露光パターンがワークＷ上に露光転写される。
　ここで、図３に示すように、平面ミラー６６，６８は、正面視矩形状に形成されたガラス素材からなる。マスク側の平面ミラー６８は、平面ミラー６８の裏面側に設けられたミラー曲げ機構である複数のミラー変形ユニット７０によりミラー変形ユニット保持枠７１に支持されている。ミラー変形ユニット７０は、複数のパッド７２と、複数の保持部材７３と、駆動装置である複数のモータ７４と、を備える。ミラー変形ユニット７０は、平面ミラー６８の裏面の中央付近３箇所、及び周縁部１６箇所に設けられている。
　中央付近に設けられたミラー変形ユニット７０では、パッド７２が平面ミラー６８の裏面に接着剤で固定されている。周縁部に設けられたミラー変形ユニット７０では、平面ミラー６８の表裏面を挟むように設けられた支持部７５にパッド７２が接着剤で固定されている。また、一端がパッド７２に固定された各保持部材７３には、パッド７２寄りの位置に、±０・５ｄｅｇ以上の屈曲を許容する屈曲機構としてのボールジョイント７６が設けられており、ミラー変形ユニット保持枠７１に対して反対側となる他端には、モータ７４が取り付けられている。なお、平面ミラー６８の中央の保持部材７３は、ミラー変形ユニット保持枠７１に固定される構造であってもよい。
　また、矩形状のミラー変形ユニット保持枠７１には、互いに直交する２辺の位置に案内部材７７，７８が取り付けられており、これら案内部材７７，７８に対向する支持部７５の側面には、転動部材７９が取り付けられている。また、転動部材７９を案内する案内部材７７，７８の案内面７７ａ，７８ａには、テフロン（登録商標）等の低摩擦機構８０が塗布されている。
　さらに、マスク側のアライメントマーク（図示せず）の位置に露光光を反射する平面ミラー６８の各位置の裏面には、複数の接触式センサ８１が取り付けられている。
　これにより、平面ミラー６８は、接触式センサ８１によって平面ミラー６８の変位量をセンシングしながら、各ミラー変形ユニット７０のモータ７４を駆動することにより、各ミラー変形ユニット７０がその長さを変えて支持部７５を直線的に移動させる。そして、各ミラー変形ユニット７０の長さの違いによって、平面ミラー６８は支持部７５に設けられた転動部材７９を介して２つの案内部材７７，７８によって案内されながら、その曲率を局部的に補正することができる。
　なお、図２に示すように、平面ミラー６８のミラー変形ユニット７０の各モータ７４には、制御装置９０からの指令に基づいて各モータ７４に制御信号を送出する制御部９４が接続されている。制御部９４は、平面ミラー６８の曲率を補正して、後述するワークＷの歪を補正するとともに、照度センサ９５で測定された露光光の照度のばらつきが抑制されるように、モータ７４に制御信号を与える。
　図５は、ミラー変形ユニット７０の作動手順を示すフローチャートであり、マスクＭのパターンをワークＷに露光し（ステップＳ１）、この露光転写パターンＷｐを測長する（ステップＳ２）。そして、測長結果と設計値とを比較し（ステップＳ３）、その差から補正量を決定し（ステップＳ４）、平面ミラー６８の形状を決めて（ステップＳ５）、ミラー変形ユニット７０の各モータ７４の駆動量を決定する（ステップＳ６）。
　また、図４に示すように、各ミラー変形ユニット７０には、ボールジョイント７６が設けられているので、支持部側の部分を三次元的に回動可能とすることができ、各パッド７２を平面ミラー６８の表面に沿って傾斜させることができる。このため、各パッド７２と平面ミラー６８との接着剥がれを防止するすると共に、移動量の異なる各パッド７２間における平面ミラー６８の応力が抑制され、平均破壊応力値が小さいガラス素材からなる場合であっても、平面ミラー６８の曲率を局部的に補正する際、平面ミラー６８を破損することなく、１０ｍｍオーダーで平面ミラー６８を曲げることができ、曲率を大きく変更することができる。
　ここで、下地マークがない１層目の露光は、近接露光装置ＰＥの機械精度によって露光位置が決定される。また、１層目の露光では、２層目以降の各層の露光で使用されるワークＷのアライメントマークＷａが露光される。
　この１層目の露光時には、露光装置のギャップ分布や、照明装置のデクリネーション角の分布、ワークの温度ひずみ等により、例えば、長方形に露光しようとしても、僅かに歪む場合がある。この場合、１層目の露光結果のパターンを測長し、設計座標と測定座標のずれ量を求め、このずれ量を元に、ミラー曲げ量を決定する。即ち、ずれ量が０となるように、測定結果を設計座標値に近づける。平面ミラー６８がミラー曲げ補正されていると、図６に示すように、主光線ＥＬの角度（デクリネーション角）がワークＷに垂直な方向に対して傾くので、ワークＷのアライメントマークＷａは、マスクＭのアライメントマークＭａの真下の位置からずれた位置に形成される。
　１層目のワークＷの露光におけるマスクＭのアライメントマークＭａとワークＷのアライメントマークＷａとのずれ量（初期ずれ成分）は、図７に示すフローチャートによって求められる。即ち、平面ミラー６８の形状とマスクＭのパターンとから、各アライメントマークＭａの位置に対応して決まるデクリネーション角(ステップＳ１１)をまず求める。そして、各デクリネーション角と、マスクＭとワークＷの露光ギャップ(ステップＳ１２)とに基づいて、初期ずれ成分が算出される(ステップＳ１３)。この初期ずれ成分は、記憶部９１に記憶される。
　そして、２層目以降のワークＷの露光においては、図８に示すように、ＣＣＤカメラ３０によりマスクＭのアライメントマークＭａとワークＷのアライメントマークＷａとを、同時に観測する(ステップＳ２１)。その際、ＣＣＤカメラ３０により観測されるワーク側のアライメントマークＷａに対して、記憶部９１に記憶されている初期ずれ成分(ステップＳ２２)をオフセットして得られるワーク側の補正アライメントマークを使用し、マスクＭのアライメントマークＭａとの間でアライメント補正量を決定する(ステップＳ２３)。その後、不図示のマスク駆動部によりマスクステージ（マスク支持部）１に保持されているマスクＭを移動してアライメント調整する(ステップＳ２４)。
　これにより、図９（ａ）に示すように、初期ずれ成分だけずれて観測されるワークＷのアライメントマークＷａに対して、初期ずれ成分をオフセットしてアライメント調整することにより、制御装置９０内では、図９（ｂ）に示すように、マスクＭのアライメントマークＭａとワークＷのアライメントマークＷａとが一致した状態となるようにアライメント調整を行うことができる。
　なお、実際には、ミラー変形ユニットに起因する誤差、アライメント動作による誤差や、ワークＷを露光処理する際の、ワークの温度変化による伸長、吸着状態の変化、ワークの特性等によりワークＷ固有の歪がさらに含まれている。このため、実際の露光において観測される各マークの位置は、初期ずれ成分をオフセットしてアライメント調整しても全てのマスク側のアライメントマークとワーク側の補正アライメントマークとが一致することはなく、マスク側のアライメントマークとワーク側のアライメントマークのずれ量の合計が最小となるようにアライメント調整が行われる。
　このため、第１実施形態では、マスク側のアライメントマークとワーク側の補正アライメントマークとの各位置でのずれ量に基づいて、ワークＷごとに各ミラー変形ユニット７０のモータを駆動することで、平面ミラー６８をさらにミラー曲げ補正する。これによって、ワークＷ固有の歪によるずれ量も取り除いて、２層目以降のワークＷの露光を行うことができる。
　以上説明したように、本実施形態の近接露光装置ＰＥ及び近接露光方法によれば、１層目のマスクＭのパターンを露光する際におけるワークＷに照射される露光光の主光線ＥＬの角度と、マスクＭ及びワークＷ間のギャップとから計算される、ワークＷ側のアライメントマークＷａの初期ずれ成分を記憶し、２層目以降のマスクＭのパターンを露光する際、ＣＣＤカメラ３０により観測されるワークＷ側のアライメントマークＷａに対して初期ずれ成分をオフセットして得られたワークＷ側の補正アライメントマークと、マスクＭ側のアライメントマークＭａとでアライメント調整する。これにより、ミラー曲げに伴う露光光の主光線ＥＬの角度に起因するアラメント誤差を補正してマスクＭのパターンを精度よく露光転写することができる。
　また、本実施形態では、２層目以降のマスクＭのパターンを露光する際、マスク側のアライメントマークＭａとワーク側の補正アライメントマークとの各位置でのずれ量に基づいて、ミラー変形ユニット７０を駆動して平面ミラー６８の曲率を補正するので、ワークＷ固有の歪によるずれ量も取り除いて、２層目以降のワークＷの露光精度をさらに向上することができる。
（第２実施形態）
　次に、本発明の第２実施形態に係る近接露光装置及び近接露光方法について、図１０及び図１１を参照して説明する。なお、本実施形態は、平面ミラー６８がミラー移動機構をさらに備える点において、及び、ミラーの制御方法において、第１実施形態のものと異なる。
　第２実施形態では、ミラー変形ユニット７０を備えた平面ミラー６８は、該平面ミラー６８に対して垂直方向にそれぞれ移動可能な複数（本実施形態では、４つ）のミラー移動機構８０をさらに備える。図１０に示すように、複数のミラー移動ユニット８０は、ミラー変形ユニット保持枠７１の４箇所の隅部にそれぞれ取り付けられる。複数のミラー移動ユニット８０は、例えば、平面ミラー６８の全体をＸ方向に対して、又はＹ方向に対して、或いはＸ，Ｙ両方向に対して傾けて、光源からの主光線の角度を変えるようにして駆動される。
　ここで、第１実施形態と同様にして、２層目以降のマスクのパターンを露光する際、マスク側のアライメントマークＭａとワーク側の補正アライメントマークとの各位置でのずれ量を、Ｐｉ＝（Δｘｉ，Δｙｉ）とする。ただし、ｉ＝１，２，・・・，Ｎ
　ここで、各位置でのずれ量の平均ずれ量Ｇは、次式で表される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
　したがって、本実施形態では、まず、平均ずれ量Ｇのｘ成分、ｙ成分に基づいてそれぞれミラー移動機構８０を駆動して、平面ミラー６８の傾きを変更する。例えば、平均ずれ量Ｇがｘ方向にδ（μｍ）ずれていたとすると、露光ギャップをｇａｐ（μｍ）とすれば、補正角θは、以下の式で表わされる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000002
　一方、回転させるミラーのｘ方向に対応する辺の長さがＬ（ｍｍ）とすると、平均ずれ量Ｇだけ主光線を傾けるには、Ａ＝Ｌｔａｎ（θ／２）となり、このＡ（ｍｍ）だけ、平面ミラー６８の辺を動かせばよい。例えば、ｇａｐ＝２００μｍ、δ＝１μｍ、Ｌ＝２０００ｍｍの時、Ａ＝５ｍｍとなる。
　なお、平面ミラー６８をＡだけ傾ける際には、図１１（ａ）に示すように、ｘ方向の一方のミラー移動機構８０のみを動かしてもよいし、図１１（ｂ）に示すように、ｘ方向の両側のミラー移動機構８０を逆方向に均等にＡ／２ずつ動かしてもよい。
　さらに、各位置でのずれ量Ｐｉと平均ずれ量Ｇとの差分Ａｉ＝Ｐｉ－Ｇを算出して、この差分に基づいてミラー変形ユニット７０によって平面ミラー６８の曲率を補正する。
　したがって、本実施形態では、２層目以降の前記マスクのパターンを露光する際、マスク側のアライメントマークＭａとワーク側の補正アライメントマークとの各位置でのずれ量Ｐｉに基づいて、平均ずれ量Ｇを算出し、該平均ずれ量Ｇに基づいてミラー移動機構８０によって平面ミラー６８の傾きを変更すると共に、各位置でのずれ量Ｐｉと平均ずれ量Ｇとの差分Ａｉに基づいてミラー変形ユニット７０によって平面ミラー６８の曲率を補正する。これにより、ワークＷ固有の歪によるずれ量も取り除いて、２層目以降のワークＷの露光精度をさらに向上することができると共に、ミラー変形ユニット７０のストロークを小さく設定することができ、平面ミラー６８の曲げを抑えることができる。
　その他の構成及び作用については、第１実施形態のものと同一又は同等である。
（第３実施形態）
　次に、本発明の第３実施形態に係る近接露光装置及び近接露光方法について、図１２～図１４を参照して説明する。なお、本実施形態では、ミラーの制御手法において、第１及び第２実施形態のものと異なる。
　上述したように、ワーク側のアライメントマークＷａには、ワークＷ固有の歪によるずれ成分も含まれてしまうため、本実施形態においても、２層目以降のワークＷの露光に当たっては、このずれ成分によるずれ量を補正する。
　２層目以降のワークＷの露光に当たっては、観測されるワーク側のアライメントマークＷａには、上述したミラー曲げ補正による初期ずれ成分Ａの他、ワークＷ固有の歪によるずれ成分Ｂが含まれている。例えば、１箇所のマーク観測位置に着目すると、図１４（ａ）～（ｃ）に示すように、観測されるワーク側のアライメントマークＷａは、ミラー曲げ補正による初期ずれ成分Ａをオフセットすると、ワーク側の補正アライメントマークＷａ´が与えられ、この中に、ワークＷ固有の歪によるずれ成分Ｂが含まれている。そしてずれ成分Ｂを含むワーク側の補正アライメントマークＷａ´（Ｗａ１´，Ｗａ２´，Ｗａ３´）の位置は、図１４（ａ）～（ｃ）に示すように、ワークＷごとに異なる。
　本実施形態では、このワーク側の補正アライメントマークＷａ´に対して、露光する際のマスク側のアライメントマークＭａとの位置ずれ成分を、所定数のワーク（図１４では、３つのワーク）を露光した際に平均化して、ひずみ起因ずれ成分Ｃとして記録する（図１４（ｄ）参照）。そして、ひずみ起因ずれ成分Ｃに基づいて、ミラー変形ユニット７０によって平面ミラー６８の曲率を補正する。
　図１２は、アライメントマークの初期ずれ成分を補正し、さらにワーク固有の歪によるずれ成分を補正して２層目以降のワークを露光する手順を示すフローチャートである。図１２に示すように、ＣＣＤカメラ３０によりマスクＭのアライメントマークＭａとワークＷのアライメントマークＷａとを、同時に観測し(ステップＳ３１)、マスクＭのアライメントマークＭａに対して、記憶部９１に記憶されている初期ずれ成分をオフセットして補助アライメントマークＷａ´を求める(ステップＳ３２)。
　次いで、ワーク側の補正アライメントマークＷａ´と、マスクＭのアライメントマークＭａとを使用してアライメント調整する(ステップＳ３３)。このとき、アライメント調整量が許容範囲より大きい場合は、マスクステージ（マスク支持部）１を移動（ステップＳ３４)してステップＳ３１に戻る。アライメント調整量が許容範囲より小さい場合は、観測されるアライメントマークＷａに対して初期ずれ成分をオフセットしてワークＷ固有の歪によるずれ成分Ｂを算出する（ステップＳ３５)。複数枚のワークＷを露光した場合には、図１４（ｄ）に示すように、各ワークＷ（図１４では３枚のワークＷ）固有の歪によるずれ成分Ｂの平均値（ひずみ起因ずれ成分Ｃ）を算出し（ステップＳ３６)、これをアライメントマーク基準位置として補正する（ステップＳ３７)。
　そして、アライメントマークＷａの位置からパターン補正位置の補正変換係数を算出し（ステップＳ３８)、露光パターン補正量を算出して（ステップＳ３９)、平面ミラー６８の形状を決定する（ステップＳ４０)。次いで、得られた平面ミラー６８の形状を達成するためのモータ７４の作動範囲が、リミットを超えているか否かを判別する（ステップＳ４１)。そして、モータ７４の作動範囲がリミットを超えている場合には、これ以上の平面ミラー６８の形状修正は困難であるので、ステップＳ４５で露光転写する。
　一方、モータ７４の作動範囲がリミットを超えていない場合には、モータ７４のさらなる移動分（差分）を算出して（ステップＳ４２)、その差分だけモータ７４を作動（ステップＳ４３)させて平面ミラー６８の形状を変形（ステップＳ４４)して、マスクＭのパターンをワークＷに露光転写する（ステップＳ４５)。そして、露光が終了した後（ステップＳ４６)、ワークステージ（ワーク支持部）２を次の露光位置に移動し（ステップＳ４７）、モータ７４を設定ポジションに移動して（ステップＳ４８)、ステップＳ３１に戻り、同様の動作を繰り返し行う。
　以上説明したように、本実施形態の近接露光装置ＰＥ及び近接露光方法によれば、２層目以降の所定の層におけるマスクＭのパターンを露光する際、ワーク側の補正アライメントマークＷａ´に対して、露光する際のマスク側のアライメントマークＭａとの位置ずれ成分を、所定数のワークＷを露光した際に平均化してひずみ起因ずれ成分Ｃとして記録し、ひずみ起因ずれ成分Ｃに基づいて、ミラー変形ユニット７０によって平面ミラー６８の曲率を補正する。これにより、ワークＷ固有の歪に起因するずれ成分Ｂを補正してマスクＭのパターンを精度よく露光転写することができる。
　なお、ミラー変形ユニットに起因する誤差、アライメント動作による誤差を特定することができる場合には、ワーク側の補正アライメントマークＷａ´は、初期ひずみ成分に加え、これらの誤差成分もオフセットして与えることができる。
　尚、本発明は、前述した実施形態に限定されるものではなく、適宜、変形、改良、等が可能である。
　例えば、上記実施形態では、ワーク固有の歪に起因するずれ量の補正は、ミラー曲げに伴う露光光の主光線の角度に起因するアラメント誤差の補正と独立して行われてもよい。即ち、本発明の近接露光装置及び近接露光方法は、２層目以降の所定の層におけるマスクのパターンを露光する際、ワーク側のアライメントマークに対して、露光する際のマスク側のアライメントマークとの位置ずれ成分を、所定数のワークを露光した際に平均化してひずみ起因ずれ成分として記録し、ひずみ起因ずれ成分に基づいて、ミラー曲げ機構によって反射鏡の曲率を補正する。これにより、ワーク固有の歪に起因するずれ量を補正してマスクのパターンを精度よく露光転写することができる 。
　本発明を詳細にまた特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく様々な変更や修正を加えることができることは当業者にとって明らかである。
　本出願は、２０１６年１２月８日出願の日本特許出願２０１６－２３８７３８に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
１    　マスクステージ（マスク支持部）
２    　ワークステージ（ワーク支持部）
３    　照明光学系
３０  　ＣＣＤカメラ（アライメントカメラ）
６０  　マルチランプユニット（光源）
６５  　オプティカルインテグレータ
６８  　平面ミラー（反射鏡）
７０  　ミラー変形ユニット（ミラー曲げ機構）
９０  　制御装置
９１  　記憶部
ＥＬ  　主光線
Ｍ    　マスク
Ｍａ  　マスク側のアライメントマーク
ＰＥ  　近接露光装置
Ｗ    　ワーク
Ｗａ  ，Ｗａ１，Ｗａ２，Ｗａ３　ワーク側のアライメントマーク
Ｗａ´，Ｗａ１´，Ｗａ２´，Ｗａ３´  ワーク側の補助アライメントマーク

Claims (10)

  1. 　ワークを支持するワーク支持部と、
    　マスクを支持するマスク支持部と、
    　光源、インテグレータ、及び光源からの露光光を反射する複数の反射鏡を有する照明光学系と、
    を備え、前記光源からの露光光を前記マスクを介して前記ワークに照射して前記マスクのパターンを前記ワークに転写する近接露光装置であって、
    　前記複数の反射鏡の内の少なくとも１つの前記反射鏡は、前記反射鏡の曲率を補正可能なミラー曲げ機構を有し、
    　マスク側のアライメントマークと、ワーク側のアライメントマークとを撮像可能なアライメントカメラと、
    　１層目の前記マスクのパターンを露光する際における前記ワークに照射される前記露光光の主光線の角度と、前記マスク及び前記ワーク間のギャップとから計算される、前記ワーク側のアライメントマークの初期ずれ成分を記憶する記憶部と、
    　２層目以降の前記マスクのパターンを露光する際、前記アライメントカメラにより観測される前記ワーク側のアライメントマークに対して前記初期ずれ成分をオフセットして得られたワーク側の補正アライメントマークと、前記マスク側のアライメントマークとでアライメント調整する制御装置と、
    を備えることを特徴とする近接露光装置。
  2. 　前記２層目以降の前記マスクのパターンを露光する際、前記マスク側のアライメントマークと前記ワーク側の補正アライメントマークとの各位置でのずれ量に基づいて、前記ミラー曲げ機構を駆動して前記反射鏡の曲率を補正することを特徴とする請求項１に記載の近接露光装置。
  3. 　前記ミラー曲げ機構を備えた前記反射鏡を、該反射鏡に対して垂直方向にそれぞれ移動可能なミラー移動機構をさらに備え、
    　前記２層目以降の前記マスクのパターンを露光する際、前記マスク側のアライメントマークと前記ワーク側の補正アライメントマークとの各位置でのずれ量に基づいて、平均ずれ量を算出し、該平均ずれ量に基づいて前記ミラー移動機構によって前記反射鏡の傾きを変更すると共に、前記各位置でのずれ量と前記平均ずれ量との差分に基づいて前記ミラー曲げ機構によって前記反射鏡の曲率を補正することを特徴とする請求項１に記載の近接露光装置。
  4. 　前記記憶部は、２層目以降の所定の層における前記マスクのパターンを露光する際、前記ワーク側の補正アライメントマークに対して、露光する際の前記マスク側のアライメントマークとの位置ずれ成分を、所定数のワークを露光した際に平均化してひずみ起因ずれ成分として記録し、
    　前記制御装置は、前記ひずみ起因ずれ成分に基づいて、前記ミラー曲げ機構によって前記反射鏡の曲率を補正することを特徴とする請求項１に記載の近接露光装置。
  5. 　ワークを支持するワーク支持部と、
    　マスクを支持するマスク支持部と、
    　光源、インテグレータ、及び光源からの露光光を反射する複数の反射鏡を有する照明光学系と、
    を備え、前記光源からの露光光を前記マスクを介して前記ワークに照射して前記マスクのパターンを前記ワークに転写する近接露光装置であって、
    　前記複数の反射鏡の内の少なくとも１つの前記反射鏡は、前記反射鏡の曲率を補正可能なミラー曲げ機構を有し、
    　マスク側のアライメントマークと、ワーク側のアライメントマークとを撮像可能なアライメントカメラを備え、
    　２層目以降の所定の層における前記マスクのパターンを露光する際、前記ワーク側のアライメントマークに対して、露光する際の前記マスク側のアライメントマークとの位置ずれ成分を、所定数のワークを露光した際に平均化してひずみ起因ずれ成分として記録する記憶部と、
    　前記ひずみ起因ずれ成分に基づいて、前記ミラー曲げ機構によって前記反射鏡の曲率を補正する制御部と、
    を備えることを特徴とする近接露光装置。
  6. 　ワークを支持するワーク支持部と、
    　マスクを支持するマスク支持部と、
    　光源、インテグレータ、及び光源からの露光光を反射する複数の反射鏡を有する照明光学系と、
    　前記複数の反射鏡の内の少なくとも１つの前記反射鏡は、前記反射鏡の曲率を補正可能なミラー曲げ機構を有し、
    　マスク側のアライメントマークと、ワーク側のアライメントマークとを撮像可能なアライメントカメラと、
    を備える近接露光装置を用いて、前記光源からの露光光を前記マスクを介して前記ワークに照射して前記マスクのパターンを前記ワークに転写する近接露光方法であって、
    　１層目のマスクのパターンを露光する際における前記ワークに照射される前記露光光の主光線の角度と、前記マスク及び前記ワーク間のギャップとから計算される、前記ワーク側のアライメントマークの初期ずれ成分を記憶する工程と、
    　２層目以降の前記マスクのパターンを露光する際、前記アライメントカメラにより観測される前記ワーク側のアライメントマークに対して前記初期ずれ成分をオフセットして得られたワーク側の補正アライメントマークと、前記マスク側のアライメントマークとでアライメント調整する工程と、
    を備えることを特徴とする近接露光方法。
  7. 　前記２層目以降の前記マスクのパターンを露光する際、前記マスク側のアライメントマークと前記ワーク側の補正アライメントマークとの各位置でのずれ量に基づいて、前記ミラー曲げ機構を駆動して前記反射鏡の曲率を補正することを特徴とする請求項６に記載の近接露光方法。
  8. 　前記近接露光装置は、前記ミラー曲げ機構を備えた前記反射鏡を、該反射鏡に対して垂直方向にそれぞれ移動可能なミラー移動機構をさらに備え、
    　前記２層目以降の前記マスクのパターンを露光する際、前記マスク側のアライメントマークと前記ワーク側の補正アライメントマークとの各位置でのずれ量に基づいて、平均ずれ量を算出し、該平均ずれ量に基づいて前記ミラー移動機構によって前記反射鏡の傾きを変更すると共に、前記各位置でのずれ量と前記平均ずれ量との差分に基づいて前記ミラー曲げ機構によって前記反射鏡の曲率を補正することを特徴とする請求項６に記載の近接露光方法。
  9. 　２層目以降の所定の層における前記マスクのパターンを露光する際、前記ワーク側の補正アライメントマークに対して、露光する際の前記マスク側のアライメントマークとの位置ずれ成分を、所定数のワークを露光した際に平均化してひずみ起因ずれ成分として記録する工程と、
    　前記ひずみ起因ずれ成分に基づいて、前記ミラー曲げ機構によって前記反射鏡の曲率を補正する工程と、
    を備えることを特徴とする請求項６に記載の近接露光方法。
  10. 　ワークを支持するワーク支持部と、
    　マスクを支持するマスク支持部と、
    　光源、インテグレータ、及び光源からの露光光を反射する複数の反射鏡を有する照明光学系と、
    　前記複数の反射鏡の内の少なくとも１つの前記反射鏡は、前記反射鏡の曲率を補正可能なミラー曲げ機構を有し、
    　マスク側のアライメントマークと、ワーク側のアライメントマークとを撮像可能なアライメントカメラと、
    を備える近接露光装置を用いて、前記光源からの露光光を前記マスクを介して前記ワークに照射して前記マスクのパターンを前記ワークに転写する近接露光方法であって、
    　２層目以降の所定の層における前記マスクのパターンを露光する際、前記ワーク側のアライメントマークに対して、露光する際の前記マスク側のアライメントマークとの位置ずれ成分を、所定数のワークを露光した際に平均化してひずみ起因ずれ成分として記録する工程と、
    　前記ひずみ起因ずれ成分に基づいて、前記ミラー曲げ機構によって前記反射鏡の曲率を補正する工程と、
    を備えることを特徴とする近接露光方法。
PCT/JP2017/043825 2016-12-08 2017-12-06 近接露光装置及び近接露光方法 WO2018105658A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201780076227.6A CN110062914B (zh) 2016-12-08 2017-12-06 接近式曝光装置以及接近式曝光方法
JP2018555042A JP7088552B2 (ja) 2016-12-08 2017-12-06 近接露光装置及び近接露光方法
KR1020197016160A KR102477736B1 (ko) 2016-12-08 2017-12-06 근접 노광 장치 및 근접 노광 방법

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-238738 2016-12-08
JP2016238738 2016-12-08

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2018105658A1 true WO2018105658A1 (ja) 2018-06-14

Family

ID=62492235

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2017/043825 WO2018105658A1 (ja) 2016-12-08 2017-12-06 近接露光装置及び近接露光方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP7088552B2 (ja)
KR (1) KR102477736B1 (ja)
CN (1) CN110062914B (ja)
TW (1) TWI748017B (ja)
WO (1) WO2018105658A1 (ja)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07106230A (ja) * 1993-10-07 1995-04-21 Nikon Corp プロキシミティ露光装置
JP2000081708A (ja) * 1998-09-03 2000-03-21 Toray Ind Inc 露光装置およびそれを用いたプラズマディスプレイの製造方法
JP2003224058A (ja) * 2002-01-30 2003-08-08 Nsk Ltd 露光装置及び露光方法
JP2006293197A (ja) * 2005-04-14 2006-10-26 Sanee Giken Kk 半導体レーザを用いた露光用光源
WO2007145038A1 (ja) * 2006-06-14 2007-12-21 Nsk Ltd. 近接露光装置及び近接露光方法
JP2011028122A (ja) * 2009-07-28 2011-02-10 Nsk Ltd 露光装置及び露光方法
JP2012155086A (ja) * 2011-01-25 2012-08-16 Nsk Technology Co Ltd 露光装置及び露光方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006128346A (ja) 2004-10-28 2006-05-18 Tokyo Seimitsu Co Ltd 露光装置、異物検出方法、異物位置特定方法及び露光方法
KR100919173B1 (ko) * 2005-07-26 2009-09-28 후지쯔 마이크로일렉트로닉스 가부시키가이샤 위치 맞춤 방법
JP5166916B2 (ja) * 2008-03-04 2013-03-21 キヤノン株式会社 パターンの重ね合わせを行う装置およびデバイス製造方法
US20110027542A1 (en) * 2009-07-28 2011-02-03 Nsk Ltd. Exposure apparatus and exposure method
JP5597031B2 (ja) * 2010-05-31 2014-10-01 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置及び物品の製造方法
JP2015026644A (ja) * 2013-07-24 2015-02-05 Ｎｓｋテクノロジー株式会社 近接露光装置及び近接露光方法
JP6574087B2 (ja) 2013-12-09 2019-09-11 株式会社ブイ・テクノロジー 露光装置、露光方法及びミラー曲げ機構付き反射鏡

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07106230A (ja) * 1993-10-07 1995-04-21 Nikon Corp プロキシミティ露光装置
JP2000081708A (ja) * 1998-09-03 2000-03-21 Toray Ind Inc 露光装置およびそれを用いたプラズマディスプレイの製造方法
JP2003224058A (ja) * 2002-01-30 2003-08-08 Nsk Ltd 露光装置及び露光方法
JP2006293197A (ja) * 2005-04-14 2006-10-26 Sanee Giken Kk 半導体レーザを用いた露光用光源
WO2007145038A1 (ja) * 2006-06-14 2007-12-21 Nsk Ltd. 近接露光装置及び近接露光方法
JP2011028122A (ja) * 2009-07-28 2011-02-10 Nsk Ltd 露光装置及び露光方法
JP2012155086A (ja) * 2011-01-25 2012-08-16 Nsk Technology Co Ltd 露光装置及び露光方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP7088552B2 (ja) 2022-06-21
JPWO2018105658A1 (ja) 2019-10-24
TWI748017B (zh) 2021-12-01
CN110062914A (zh) 2019-07-26
CN110062914B (zh) 2021-09-07
TW201827943A (zh) 2018-08-01
KR102477736B1 (ko) 2022-12-14
KR20190090804A (ko) 2019-08-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6535197B2 (ja) 露光装置及び露光方法
JP6765607B2 (ja) 露光装置、露光方法
JP4900465B2 (ja) 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
KR20110011519A (ko) 노광 장치 및 노광 방법
WO2007145038A1 (ja) 近接露光装置及び近接露光方法
WO2019155886A1 (ja) 近接露光装置、近接露光方法、及び近接露光装置用光照射装置
WO2016190381A1 (ja) 露光用照明装置、露光装置及び露光方法
JP2007193296A (ja) 露光装置及び露光方法
JP2008015314A (ja) 露光装置
JP2007184328A (ja) 露光装置
JP5499399B2 (ja) 露光装置及び露光方法
WO2018105658A1 (ja) 近接露光装置及び近接露光方法
KR100849871B1 (ko) 노광장치
JP2006100590A (ja) 近接露光装置
JP6484853B2 (ja) 露光装置用反射鏡ユニット及び露光装置
JP2019109445A (ja) 近接露光装置及び近接露光方法
JP2006093604A (ja) 近接露光装置
JP4487688B2 (ja) ステップ式近接露光装置
JP2008209632A (ja) マスク装着方法及び露光装置ユニット
JP2007248636A (ja) 位置測定装置のミラー固定構造
JP2007086684A (ja) 露光装置
WO2021193494A1 (ja) 露光装置及び露光方法
JP2007171667A (ja) 露光装置
JP4487700B2 (ja) 近接露光装置
JP2008089993A (ja) 露光装置のギャップ量測定方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 17879258

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2018555042

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20197016160

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 17879258

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1