JP2003215807A - 分割露光方法 - Google Patents
分割露光方法Info
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
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- G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
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- H—ELECTRICITY
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- H—ELECTRICITY
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- H01L2223/54426—Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment
Abstract
(57)【要約】
【課題】 フォトマスクのパターンが描かれた面から遮
光体までの距離を縮めなくても、基板の効率的な利用を
可能とする、分割露光方法を提供する。 【解決手段】 フォトマスク１Ａと基板４Ａとを相対的
に移動させて、フォトマスク１Ａの非投光スペース２６
の幅を減じるように、フォトマスク１Ａと基板４Ａとを
相対的に移動させ、隣接する基板４Ａの露光領域の間の
距離を縮めて、基板４Ａに露光領域２１〜２４の露光パ
ターンを転写する。
光体までの距離を縮めなくても、基板の効率的な利用を
可能とする、分割露光方法を提供する。 【解決手段】 フォトマスク１Ａと基板４Ａとを相対的
に移動させて、フォトマスク１Ａの非投光スペース２６
の幅を減じるように、フォトマスク１Ａと基板４Ａとを
相対的に移動させ、隣接する基板４Ａの露光領域の間の
距離を縮めて、基板４Ａに露光領域２１〜２４の露光パ
ターンを転写する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、フォトマスクを
通して光を基板に照射することによって、フォトマスク
に描かれたパターンを基板に転写する露光方法に関し、
より特定的には、分割露光方法に関する。
通して光を基板に照射することによって、フォトマスク
に描かれたパターンを基板に転写する露光方法に関し、
より特定的には、分割露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】プリント基板に形成される導電パターン
は、年々高密度化、高精度化が望まれている。しかしな
がら、プリント基板の主な材料であるプラスチックは、
温度や湿度の変化によって寸法変化が生じる。導電パタ
ーンと絶縁層とを積層してなる積層基板においては、プ
リント基板の寸法変化に起因して、各層の導電パターン
形状に誤差が生じた場合、予め定められた多数の位置に
おいて、細かい導電孔を介して精度よく上下の導電パタ
ーンを電気的に接続することが困難となり、プリント基
板の高密度化への要求の障害となっている。
は、年々高密度化、高精度化が望まれている。しかしな
がら、プリント基板の主な材料であるプラスチックは、
温度や湿度の変化によって寸法変化が生じる。導電パタ
ーンと絶縁層とを積層してなる積層基板においては、プ
リント基板の寸法変化に起因して、各層の導電パターン
形状に誤差が生じた場合、予め定められた多数の位置に
おいて、細かい導電孔を介して精度よく上下の導電パタ
ーンを電気的に接続することが困難となり、プリント基
板の高密度化への要求の障害となっている。
【０００３】このような障害を少なくする方法として、
プリント基板の大きさを小さくすれば寸法変化も比例し
て小さくすることができる。しかし、生産性の観点か
ら、比較的大きな基板を用いて、多面取りすることが望
まれる。
プリント基板の大きさを小さくすれば寸法変化も比例し
て小さくすることができる。しかし、生産性の観点か
ら、比較的大きな基板を用いて、多面取りすることが望
まれる。
【０００４】そこで、基板への露光工程では、基板の露
光領域を複数に分割し、露光領域を小さくして、フォト
マスクに描かれたパターンを精度よく基板に転写する分
割露光方法が採用されている。
光領域を複数に分割し、露光領域を小さくして、フォト
マスクに描かれたパターンを精度よく基板に転写する分
割露光方法が採用されている。
【０００５】この分割露光方法で、基板の全域を照射す
る光源を用いる場合、任意の分割された露光領域にのみ
光を照射して、フォトマスクに描かれたパターンを基板
に転写するためには、他の領域の光照射を遮断する遮光
体が必要である。
る光源を用いる場合、任意の分割された露光領域にのみ
光を照射して、フォトマスクに描かれたパターンを基板
に転写するためには、他の領域の光照射を遮断する遮光
体が必要である。
【０００６】この目的に用いられる遮光体（たとえば平
板状遮光体）は、フォトマスク面に平行した面上をＸＹ
方向に独立して移動可能にする必要がある。ここで、遮
光体としては、一般的にはＸ方向に移動するＸ方向遮光
体と、Ｙ方向に移動するＹ方向遮光体とを設けるが、こ
のＸ方向遮光体とＹ方向遮光体とからなる平板状遮光体
を備えた場合には、平板状遮光体とフォトマスク面との
間に所定の間隔をあけ、さらに、Ｘ方向遮光体とＹ方向
遮光体との間にも所定の間隔をあけてフォトマスク面上
に重ねて配置する必要がある。
板状遮光体）は、フォトマスク面に平行した面上をＸＹ
方向に独立して移動可能にする必要がある。ここで、遮
光体としては、一般的にはＸ方向に移動するＸ方向遮光
体と、Ｙ方向に移動するＹ方向遮光体とを設けるが、こ
のＸ方向遮光体とＹ方向遮光体とからなる平板状遮光体
を備えた場合には、平板状遮光体とフォトマスク面との
間に所定の間隔をあけ、さらに、Ｘ方向遮光体とＹ方向
遮光体との間にも所定の間隔をあけてフォトマスク面上
に重ねて配置する必要がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ここで、図８に、従来
の分割された露光領域１２１，１２２，１２３，１２
４、および、非透光スペース１２５〜１３０が設けられ
るフォトマスク１０１の平面図を示し、図９に、被露光
パターン１５１〜１５４が転写された基板１０４の平面
図を示す。
の分割された露光領域１２１，１２２，１２３，１２
４、および、非透光スペース１２５〜１３０が設けられ
るフォトマスク１０１の平面図を示し、図９に、被露光
パターン１５１〜１５４が転写された基板１０４の平面
図を示す。
【０００８】従来の方法に基づいた分割露光方法に用い
られるフォトマスク１０１、および、基板１０４によれ
ば、図１０の断面図に示すように、フォトマスク１０１
のパターンが描かれた面から遮光体７までには、所定の
距離（図１０中、Ｓ３）が必要であり、遮光体１０７の
フォトマスク１０１側と反対方向側から光９をフォトマ
スク１０１に向かって照射すると、照射される光は必ず
しもフォトマスク１０１面に対して垂直でないため、遮
光体１０７の端部１０７Ｅに対応するフォトマスク面上
では、フォトマスク１０１面から遮光体１０７までの距
離に比例した幅（ｇ１）で、明暗の区別が明確でなく照
度が０〜１００％の範囲で変化するいわゆる「グレーゾ
ーン」が生じる。
られるフォトマスク１０１、および、基板１０４によれ
ば、図１０の断面図に示すように、フォトマスク１０１
のパターンが描かれた面から遮光体７までには、所定の
距離（図１０中、Ｓ３）が必要であり、遮光体１０７の
フォトマスク１０１側と反対方向側から光９をフォトマ
スク１０１に向かって照射すると、照射される光は必ず
しもフォトマスク１０１面に対して垂直でないため、遮
光体１０７の端部１０７Ｅに対応するフォトマスク面上
では、フォトマスク１０１面から遮光体１０７までの距
離に比例した幅（ｇ１）で、明暗の区別が明確でなく照
度が０〜１００％の範囲で変化するいわゆる「グレーゾ
ーン」が生じる。
【０００９】このグレーゾーンは照度が一定でないた
め、フォトマスク１０１の分割された露光領域１２１，
１２２，１２３，１２４のパターンを基板１０４に転写
するには適さない。そのため、基板１０４の各被露光パ
ターン１５１〜１５４の相互の間には、図９に示すよう
に、グレーゾーン幅（ｇ１）以上の間隔（ｇ２）を設け
る必要があった。また、グレーゾーンには露光工程後現
像すると不安定なフォトレジストが基板１０４上に残
り、品質上の問題を残すことになる。
め、フォトマスク１０１の分割された露光領域１２１，
１２２，１２３，１２４のパターンを基板１０４に転写
するには適さない。そのため、基板１０４の各被露光パ
ターン１５１〜１５４の相互の間には、図９に示すよう
に、グレーゾーン幅（ｇ１）以上の間隔（ｇ２）を設け
る必要があった。また、グレーゾーンには露光工程後現
像すると不安定なフォトレジストが基板１０４上に残
り、品質上の問題を残すことになる。
【００１０】ここで、この基板１０１に設けられる各被
露光パターン１５１〜１５４間のスペースは、基板１０
１の効率的な利用の観点からは極力狭くするべきであ
る。しかしながら、上述したように平板状遮光体（Ｘ方
向遮光体、Ｙ方向遮光体）はフォトマスク面に平行した
面をＸＹ方向に独立して移動可能にするため、平板状遮
光体はフォトマスク面と間隔をあけ、また、Ｘ方向遮光
体とＹ方向遮光体との互いにおいても間隔をあけてフォ
トマスク面上に重ねられているため、フォトマスクのパ
ターンが描かれた面から遮光体までの距離（Ｓ３）を縮
めてスペースをさらに狭くすることは困難である。
露光パターン１５１〜１５４間のスペースは、基板１０
１の効率的な利用の観点からは極力狭くするべきであ
る。しかしながら、上述したように平板状遮光体（Ｘ方
向遮光体、Ｙ方向遮光体）はフォトマスク面に平行した
面をＸＹ方向に独立して移動可能にするため、平板状遮
光体はフォトマスク面と間隔をあけ、また、Ｘ方向遮光
体とＹ方向遮光体との互いにおいても間隔をあけてフォ
トマスク面上に重ねられているため、フォトマスクのパ
ターンが描かれた面から遮光体までの距離（Ｓ３）を縮
めてスペースをさらに狭くすることは困難である。
【００１１】したがって、この発明は、上記課題を解決
するためになされたものであり、フォトマスクのパター
ンが描かれた面から遮光体までの距離を縮めなくても、
基板の効率的な利用を可能とする、分割露光方法を提供
することを目的とする。
するためになされたものであり、フォトマスクのパター
ンが描かれた面から遮光体までの距離を縮めなくても、
基板の効率的な利用を可能とする、分割露光方法を提供
することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に基づいた分割露光方法においては、フォト
マスクと、フォトレジストが表面に塗布または貼り付け
られた基板とを接触または近接して配置し、上記フォト
マスクを通して光を上記基板に照射することによって、
上記フォトマスクに描かれたパターンを分割して上記基
板に転写する分割露光方法であって、上記フォトマスク
に描かれたパターンを分割して上記基板に転写するため
の光を遮蔽するための遮光体を備え、上記フォトマスク
には複数の露光領域に分割され、それぞれの上記露光領
域に所定の露光パターンが描かれているとともに、相互
に隣接する上記露光領域と上記露光領域との間には、あ
らかじめ定めた幅の非透光スペースが設けられ、上記露
光領域のそれぞれの上記露光パターンを上記基板に順次
転写する過程で、上記フォトマスクの上記非透光スペー
ス幅を減じるように、上記フォトマスクと上記基板とを
相対的に移動させることにより、隣接する上記露光領域
間の距離を縮めて、上記基板に各上記露光領域の露光パ
ターンを転写することを特徴とする。
め、本発明に基づいた分割露光方法においては、フォト
マスクと、フォトレジストが表面に塗布または貼り付け
られた基板とを接触または近接して配置し、上記フォト
マスクを通して光を上記基板に照射することによって、
上記フォトマスクに描かれたパターンを分割して上記基
板に転写する分割露光方法であって、上記フォトマスク
に描かれたパターンを分割して上記基板に転写するため
の光を遮蔽するための遮光体を備え、上記フォトマスク
には複数の露光領域に分割され、それぞれの上記露光領
域に所定の露光パターンが描かれているとともに、相互
に隣接する上記露光領域と上記露光領域との間には、あ
らかじめ定めた幅の非透光スペースが設けられ、上記露
光領域のそれぞれの上記露光パターンを上記基板に順次
転写する過程で、上記フォトマスクの上記非透光スペー
ス幅を減じるように、上記フォトマスクと上記基板とを
相対的に移動させることにより、隣接する上記露光領域
間の距離を縮めて、上記基板に各上記露光領域の露光パ
ターンを転写することを特徴とする。
【００１３】上記露光方法によれば、フォトマスクと基
板とを相対的に移動させ、隣接する露光領域間の距離を
縮めて、基板に各露光領域の露光パターンを転写するこ
とから、基板に転写された被露光パターンの相互の間隔
は、従来の非透光スペースの幅をそのまま転写する場合
に比べて、小さくすることが可能になり、基板の効率的
な利用が可能となる。
板とを相対的に移動させ、隣接する露光領域間の距離を
縮めて、基板に各露光領域の露光パターンを転写するこ
とから、基板に転写された被露光パターンの相互の間隔
は、従来の非透光スペースの幅をそのまま転写する場合
に比べて、小さくすることが可能になり、基板の効率的
な利用が可能となる。
【００１４】また、上記露光方法において好ましくは、
上記遮光体の端部を、転写される所定の露光領域に隣接
する上記非透光スペース幅のほぼ中央に重なる位置に配
置することによって、転写される所定の露光領域以外の
露光領域を遮光して、上記基板に所定の露光領域の露光
パターンを転写する。このように、本願の分割露光方法
によれば、非透光スペース幅のほぼ中央に重なる位置に
遮光体の端部を配置すれば良く、従来の分割露光方法の
ように、遮光体を精度良く停止させる必要がない。その
結果、遮光体の移動機構の簡素化を図ることを可能とし
ている。
上記遮光体の端部を、転写される所定の露光領域に隣接
する上記非透光スペース幅のほぼ中央に重なる位置に配
置することによって、転写される所定の露光領域以外の
露光領域を遮光して、上記基板に所定の露光領域の露光
パターンを転写する。このように、本願の分割露光方法
によれば、非透光スペース幅のほぼ中央に重なる位置に
遮光体の端部を配置すれば良く、従来の分割露光方法の
ように、遮光体を精度良く停止させる必要がない。その
結果、遮光体の移動機構の簡素化を図ることを可能とし
ている。
【００１５】この場合、遮光体としては、フォトマスク
と平行な面上をＸＹ方向の少なくとも一方向に移動可能
な、１つまたは複数の遮光体で構成されていることが好
ましく、また、この遮光体は平板状で構成されているこ
とがさらに好ましい。
と平行な面上をＸＹ方向の少なくとも一方向に移動可能
な、１つまたは複数の遮光体で構成されていることが好
ましく、また、この遮光体は平板状で構成されているこ
とがさらに好ましい。
【００１６】また、上記露光方法においてさらに好まし
くは、隣接する分割領域間の距離を縮めて基板に各分割
領域のパターンを転写するために、フォトマスクと基板
とを相対的に移動する手段として、フォトマスクと基板
との位置合わせ用の位置合わせマークおよび位置合わせ
装置を共用することが望ましい。
くは、隣接する分割領域間の距離を縮めて基板に各分割
領域のパターンを転写するために、フォトマスクと基板
とを相対的に移動する手段として、フォトマスクと基板
との位置合わせ用の位置合わせマークおよび位置合わせ
装置を共用することが望ましい。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、この発明に基づいた実施の
形態における分割露光方法の実施の形態について、図を
参照しながら説明する。なお、以下に示す分割露光方法
においては、一例として露光領域を４分割する場合につ
いて説明するが、その他、２分割、６分割等の複数分割
する露光方法に適用することが可能である。
形態における分割露光方法の実施の形態について、図を
参照しながら説明する。なお、以下に示す分割露光方法
においては、一例として露光領域を４分割する場合につ
いて説明するが、その他、２分割、６分割等の複数分割
する露光方法に適用することが可能である。
【００１８】まず、図１から図５を参照して、本発明に
おける分割露光方法について説明する。なお、図１は本
分割露光方法に用いられるフォトマスクを露光光源側か
ら見た平面図であり、図２は遮光体、フォトマスク、お
よび、基板を露光光源側から見た平面図であり、図３は
図２中ＩＩＩ−ＩＩＩ線矢視断面図であり、図４は図３
中のＩＶで囲まれる領域の部分拡大図であり、図５は、
基板に転写される被露光パターンを露光光源側から見た
平面図である。
おける分割露光方法について説明する。なお、図１は本
分割露光方法に用いられるフォトマスクを露光光源側か
ら見た平面図であり、図２は遮光体、フォトマスク、お
よび、基板を露光光源側から見た平面図であり、図３は
図２中ＩＩＩ−ＩＩＩ線矢視断面図であり、図４は図３
中のＩＶで囲まれる領域の部分拡大図であり、図５は、
基板に転写される被露光パターンを露光光源側から見た
平面図である。
【００１９】図１を参照して、まず、本分割露光方法に
用いられるフォトマスク１Ａには、その平面領域を４分
割し、所定の露光パターンが描かれた露光領域２１，２
２，２３，２４が設けられ、露光領域２１，２２，２
３，２４のそれぞれを取り囲むように、露光光を透過し
ない非透光スペース２５〜３０が設けられている。露光
領域２１，２２，２３，２４の相互の間に位置する非透
光スペース２５，２６の幅（Ａｙ、Ａｘ）は、上述した
「グレーゾーン」より十分に広い幅が設けられている。
用いられるフォトマスク１Ａには、その平面領域を４分
割し、所定の露光パターンが描かれた露光領域２１，２
２，２３，２４が設けられ、露光領域２１，２２，２
３，２４のそれぞれを取り囲むように、露光光を透過し
ない非透光スペース２５〜３０が設けられている。露光
領域２１，２２，２３，２４の相互の間に位置する非透
光スペース２５，２６の幅（Ａｙ、Ａｘ）は、上述した
「グレーゾーン」より十分に広い幅が設けられている。
【００２０】なお、各露光領域２１，２２，２３，２４
の四隅近傍には、露光時に基板との位置合わせを行なう
ためのフォトマスク側位置合わせマーク３がそれぞれ設
けられ、一方、基板４Ａ側の転写領域にも、基板側位置
合わせマーク６（後述の図５参照）が設けられている。
の四隅近傍には、露光時に基板との位置合わせを行なう
ためのフォトマスク側位置合わせマーク３がそれぞれ設
けられ、一方、基板４Ａ側の転写領域にも、基板側位置
合わせマーク６（後述の図５参照）が設けられている。
【００２１】次に、図２および図３を参照して、上述し
たフォトマスク１Ａと、フォトレジスト（図示省略）が
表面に塗布または貼り付けられ、フォトマスク１Ａに対
して接触または所定の間隔を隔てるように近接して配置
されている基板４Ａとが、所定位置に配置されている。
たフォトマスク１Ａと、フォトレジスト（図示省略）が
表面に塗布または貼り付けられ、フォトマスク１Ａに対
して接触または所定の間隔を隔てるように近接して配置
されている基板４Ａとが、所定位置に配置されている。
【００２２】フォトマスク１Ａの露光光である光９が照
射される側には、フォトマスク１Ａに対して所定の間隔
を隔てて、Ｘ方向に移動可能に設けられるＸ方向移動遮
光板７と、このＸ方向移動遮光板７の光９が照射される
反対側には、Ｘ方向移動遮光板７に対して所定の間隔を
隔てて、Ｙ方向に移動可能に設けられるＹ方向移動遮光
板８が設けられている。
射される側には、フォトマスク１Ａに対して所定の間隔
を隔てて、Ｘ方向に移動可能に設けられるＸ方向移動遮
光板７と、このＸ方向移動遮光板７の光９が照射される
反対側には、Ｘ方向移動遮光板７に対して所定の間隔を
隔てて、Ｙ方向に移動可能に設けられるＹ方向移動遮光
板８が設けられている。
【００２３】図２に示す状態においては、フォトマスク
１Ａの露光領域２１のみが露出し、他の露光領域２２〜
２４は、Ｘ方向移動遮光板７、Ｙ方向移動遮光板８、お
よび、フォトマスク１Ａの非透光スペース２５，２６に
覆われ、光９が照射されない状態が選択されている。こ
のとき、露光領域２１以外の領域を遮光するためには、
ＸＹ方向に単独に移動可能なＸ方向移動遮光板７および
Ｙ方向移動遮光板８を適宜移動させて、Ｘ方向移動遮光
板７の端部７ＥおよびＹ方向移動遮光板８の端部８Ｅ
が、非透光スペース２５，２６のほぼ中央となる位置ま
で移動させればよい。
１Ａの露光領域２１のみが露出し、他の露光領域２２〜
２４は、Ｘ方向移動遮光板７、Ｙ方向移動遮光板８、お
よび、フォトマスク１Ａの非透光スペース２５，２６に
覆われ、光９が照射されない状態が選択されている。こ
のとき、露光領域２１以外の領域を遮光するためには、
ＸＹ方向に単独に移動可能なＸ方向移動遮光板７および
Ｙ方向移動遮光板８を適宜移動させて、Ｘ方向移動遮光
板７の端部７ＥおよびＹ方向移動遮光板８の端部８Ｅ
が、非透光スペース２５，２６のほぼ中央となる位置ま
で移動させればよい。
【００２４】次に、フォトマスク１Ａと基板４Ａとが近
接して重ねられた状態で、フォトマスク１Ａと基板４Ａ
とを相対的に移動させて、フォトマスク１Ａの露光領域
２１と基板４Ａの予め定めた転写領域５１をと合わせ
る。このとき、フォトマスク１Ａと基板４Ａとを相対的
に移動させて、フォトマスク１Ａの露光領域２１と基板
４Ａの予め定めた転写領域５１とを精度よく合わせるに
は、フォトマスク１Ａと基板４Ａとに設けたフォトマス
ク側位置合マーク３と基板側位置合マーク６とを、ＣＣ
Ｄカメラ（図示省略）で読取って、そのデータに基づい
てフォトマスク１Ａと基板４Ａとを位置合わせする装置
を用いることが望ましい。
接して重ねられた状態で、フォトマスク１Ａと基板４Ａ
とを相対的に移動させて、フォトマスク１Ａの露光領域
２１と基板４Ａの予め定めた転写領域５１をと合わせ
る。このとき、フォトマスク１Ａと基板４Ａとを相対的
に移動させて、フォトマスク１Ａの露光領域２１と基板
４Ａの予め定めた転写領域５１とを精度よく合わせるに
は、フォトマスク１Ａと基板４Ａとに設けたフォトマス
ク側位置合マーク３と基板側位置合マーク６とを、ＣＣ
Ｄカメラ（図示省略）で読取って、そのデータに基づい
てフォトマスク１Ａと基板４Ａとを位置合わせする装置
を用いることが望ましい。
【００２５】なお、Ｘ方向移動遮光板７およびＹ方向移
動遮光板８の位置決め、フォトマスク１Ａおよび基板４
Ａの位置決めに関しては、上記順番に限らず、フォトマ
スク１Ａおよび基板４Ａの位置決めの後に、Ｘ方向移動
遮光板７およびＹ方向移動遮光板８の位置決めを行なう
場合もあり、また、プログラム制御により最終的に、そ
れぞれの位置決めが行なわれる場合も考えられる。
動遮光板８の位置決め、フォトマスク１Ａおよび基板４
Ａの位置決めに関しては、上記順番に限らず、フォトマ
スク１Ａおよび基板４Ａの位置決めの後に、Ｘ方向移動
遮光板７およびＹ方向移動遮光板８の位置決めを行なう
場合もあり、また、プログラム制御により最終的に、そ
れぞれの位置決めが行なわれる場合も考えられる。
【００２６】次に、露光時には、一般的にはフォトマス
ク１Ａと基板４Ａとを密着させて、露光のための光９が
フォトマスク１Ａを通して基板４Ａに照射されて、フォ
トマスク１Ａの露光領域２１の露光パターンが基板４Ａ
の転写領域５１に被露光パターンとして転写される。
ク１Ａと基板４Ａとを密着させて、露光のための光９が
フォトマスク１Ａを通して基板４Ａに照射されて、フォ
トマスク１Ａの露光領域２１の露光パターンが基板４Ａ
の転写領域５１に被露光パターンとして転写される。
【００２７】その後、露光領域２２〜２４の、基板４Ａ
の転写領域５２〜５４への露光においては、フォトマス
ク１Ａの非透光スペース２５，２６の幅を減じるよう
に、フォトマスク１Ａと基板４Ａとを相対的に移動さ
せ、隣接する基板４Ａの露光領域５２〜５４の間の距離
を縮めて、基板４Ａに露光領域２２〜２４の露光パター
ンを転写する。Ｘ方向移動遮光板７およびＹ方向移動遮
光板８の動作については、上記と同様である。
の転写領域５２〜５４への露光においては、フォトマス
ク１Ａの非透光スペース２５，２６の幅を減じるよう
に、フォトマスク１Ａと基板４Ａとを相対的に移動さ
せ、隣接する基板４Ａの露光領域５２〜５４の間の距離
を縮めて、基板４Ａに露光領域２２〜２４の露光パター
ンを転写する。Ｘ方向移動遮光板７およびＹ方向移動遮
光板８の動作については、上記と同様である。
【００２８】基板４Ａの転写領域５１〜５４に被露光パ
ターンが転写された後は、公知のフォトリソグラフィ技
術を用いて、基板４Ａの上に所定のパターン形状を有す
る配線等が形成されることになる。
ターンが転写された後は、公知のフォトリソグラフィ技
術を用いて、基板４Ａの上に所定のパターン形状を有す
る配線等が形成されることになる。
【００２９】（作用・効果）以上、本発明に基づいた分
割露光方法によれば、図４に示すように、非透光スペー
ス２６の幅（Ａｘ）を、遮光体７の端部７Ｅを通過する
光によって生じるいわゆるグレーゾーンの幅（ｇ１）よ
りも十分大きく設けている。これにより、遮光体７の端
部７Ｅに起因するグレーゾーンの影響を確実に排除可能
としている。
割露光方法によれば、図４に示すように、非透光スペー
ス２６の幅（Ａｘ）を、遮光体７の端部７Ｅを通過する
光によって生じるいわゆるグレーゾーンの幅（ｇ１）よ
りも十分大きく設けている。これにより、遮光体７の端
部７Ｅに起因するグレーゾーンの影響を確実に排除可能
としている。
【００３０】一方、基板４Ａ面からフォトマスク１Ａま
での距離（Ｓ２）は十分短く設定することができること
から、非透光スペース２６の端部２６Ｅを通過する光に
よって生じるいわゆるグレーゾーンの幅（ｇ２）は極端
に狭くすることが可能となる。また、フォトマスク１Ａ
と基板４Ａとを密着させて露光すればグレーゾーンの幅
（ｇ２）は０にすることも可能になる。なお、上記効果
については、非透光スペース２５側においても同様に得
られるものである。
での距離（Ｓ２）は十分短く設定することができること
から、非透光スペース２６の端部２６Ｅを通過する光に
よって生じるいわゆるグレーゾーンの幅（ｇ２）は極端
に狭くすることが可能となる。また、フォトマスク１Ａ
と基板４Ａとを密着させて露光すればグレーゾーンの幅
（ｇ２）は０にすることも可能になる。なお、上記効果
については、非透光スペース２５側においても同様に得
られるものである。
【００３１】さらに、露光領域２１の転写後、フォトマ
スク１Ａと基板４Ａとを相対的に移動させて、フォトマ
スク１Ａの非透光スペース２５，２６の幅を減じるよう
に、フォトマスク１Ａと基板４Ａとを相対的に移動さ
せ、隣接する基板４Ａの露光領域の間の距離を縮めて、
基板４Ａに他の露光領域２２〜２４の露光パターンを転
写することにより、図５に示すように、基板４Ａの転写
領域５１〜５４の間隔（Ｂｘ，Ｂｙ）も極端に狭くまた
は０にすることも可能となる。これにより、基板４Ａの
全面積に対するパターン面積比率が向上して生産性を上
げるとともに、コスト低減を図ることができる。また、
グレーゾーンでの露光がなくなるため、品質の向上にも
寄与可能となる。
スク１Ａと基板４Ａとを相対的に移動させて、フォトマ
スク１Ａの非透光スペース２５，２６の幅を減じるよう
に、フォトマスク１Ａと基板４Ａとを相対的に移動さ
せ、隣接する基板４Ａの露光領域の間の距離を縮めて、
基板４Ａに他の露光領域２２〜２４の露光パターンを転
写することにより、図５に示すように、基板４Ａの転写
領域５１〜５４の間隔（Ｂｘ，Ｂｙ）も極端に狭くまた
は０にすることも可能となる。これにより、基板４Ａの
全面積に対するパターン面積比率が向上して生産性を上
げるとともに、コスト低減を図ることができる。また、
グレーゾーンでの露光がなくなるため、品質の向上にも
寄与可能となる。
【００３２】なお、上記フォトマスク１Ａおよび基板４
Ａにおいては、露光領域２１〜２４の外周部に非透光ス
ペース２７〜３０を設ける場合について説明している
が、たとえば、図６および図７に示すように、露光領域
２１〜２４の外周部には非透光スペースを全く設けない
フォトマスク１Ｂを採用することも可能である。これに
より基板４Ｂの全面積に対するパターン面積比率がさら
に向上して生産性を上げるとともに、コスト低減をさら
に図ることが可能となる。
Ａにおいては、露光領域２１〜２４の外周部に非透光ス
ペース２７〜３０を設ける場合について説明している
が、たとえば、図６および図７に示すように、露光領域
２１〜２４の外周部には非透光スペースを全く設けない
フォトマスク１Ｂを採用することも可能である。これに
より基板４Ｂの全面積に対するパターン面積比率がさら
に向上して生産性を上げるとともに、コスト低減をさら
に図ることが可能となる。
【００３３】なお、今回開示された実施の形態はすべて
の点で例示であって制限的なものではない。本発明の範
囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示
され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのす
べての変更が含まれる。
の点で例示であって制限的なものではない。本発明の範
囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示
され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのす
べての変更が含まれる。
【００３４】
【発明の効果】この発明に基づいた分割露光方法によれ
ば、フォトマスクと基板とを相対的に移動させ、隣接す
る露光領域間の距離を縮めて、基板に各露光領域の露光
パターンを転写することから、基板に転写された被露光
パターンの相互の間隔は、従来の非透光スペースの幅を
そのまま転写する場合に比べて、小さくすることが可能
になり、基板の効率的な利用が可能となる。
ば、フォトマスクと基板とを相対的に移動させ、隣接す
る露光領域間の距離を縮めて、基板に各露光領域の露光
パターンを転写することから、基板に転写された被露光
パターンの相互の間隔は、従来の非透光スペースの幅を
そのまま転写する場合に比べて、小さくすることが可能
になり、基板の効率的な利用が可能となる。
【図１】 本発明に基づいた実施の形態における分割露
光方法に用いられるフォトマスクを露光光源側から見た
平面図である。
光方法に用いられるフォトマスクを露光光源側から見た
平面図である。
【図２】 本発明に基づいた実施の形態における分割露
光方法に用いられる遮光体、フォトマスク、および、基
板を露光光源側から見た平面図である。
光方法に用いられる遮光体、フォトマスク、および、基
板を露光光源側から見た平面図である。
【図３】 図２中ＩＩＩ−ＩＩＩ線矢視断面図である。
【図４】 図３中のＩＶで囲まれる領域の部分拡大図で
ある。
ある。
【図５】 本発明に基づいた実施の形態における基板に
転写される被露光パターンを露光光源側から見た平面図
である。
転写される被露光パターンを露光光源側から見た平面図
である。
【図６】 本発明に基づいた他の実施の形態における分
割露光方法に用いられるフォトマスクを露光光源側から
見た平面図である。
割露光方法に用いられるフォトマスクを露光光源側から
見た平面図である。
【図７】 本発明に基づいた他の実施の形態における基
板に転写される被露光パターンを露光光源側から見た平
面図である。
板に転写される被露光パターンを露光光源側から見た平
面図である。
【図８】 従来の技術における分割露光方法に用いられ
るフォトマスクを露光光源側から見た平面図である。
るフォトマスクを露光光源側から見た平面図である。
【図９】 従来の技術における基板に転写される被露光
パターンを露光光源側から見た平面図である。
パターンを露光光源側から見た平面図である。
【図１０】 従来の技術における分割露光方法の問題点
を示す断面図である。
を示す断面図である。
１Ａ，１Ｂ フォトマスク、３ フォトマスク側位置合
わせマーク、４Ａ，４Ｂ 基板、６ 基板側位置合わせ
マーク、７ Ｘ方向移動遮光板、８ Ｙ方向移動遮光
板、９ 光、２１，２２，２３，２４ 露光領域、２５
〜３０ 非透光スペース、５１〜５４ 転写領域。
わせマーク、４Ａ，４Ｂ 基板、６ 基板側位置合わせ
マーク、７ Ｘ方向移動遮光板、８ Ｙ方向移動遮光
板、９ 光、２１，２２，２３，２４ 露光領域、２５
〜３０ 非透光スペース、５１〜５４ 転写領域。
Claims (3)
- 【請求項１】 フォトマスクと、フォトレジストが表面
に塗布または貼り付けられた基板とを接触または近接し
て配置し、上記フォトマスクを通して光を前記基板に照
射することによって、前記フォトマスクに描かれたパタ
ーンを分割して前記基板に転写する分割露光方法であっ
て、 前記フォトマスクに描かれたパターンを分割して前記基
板に転写するための光を遮蔽するための遮光体を備え、 前記フォトマスクには、複数の露光領域に分割され、そ
れぞれの前記露光領域に所定の露光パターンが描かれて
いるとともに、相互に隣接する前記露光領域と前記露光
領域との間には、あらかじめ定めた幅の非透光スペース
が設けられ、 前記露光領域のそれぞれの前記露光パターンを前記基板
に順次転写する過程で、前記フォトマスクの前記非透光
スペース幅を減じるように、前記フォトマスクと前記基
板とを相対的に移動させることにより、隣接する前記露
光領域間の距離を縮めて、前記基板に各前記露光領域の
露光パターンを転写することを特徴とする、分割露光方
法。 - 【請求項２】 前記遮光体の端部を、転写される所定の
露光領域に隣接する前記非透光スペース幅のほぼ中央に
重なる位置に配置することによって、転写される所定の
露光領域以外の露光領域を遮光して、前記基板に所定の
露光領域の露光パターンを転写する、請求項１に記載の
分割露光方法。 - 【請求項３】 隣接する前記露光領域間の距離を縮めて
前記基板に各分割領域のパターンを転写するために、前
記フォトマスクと前記基板とを相対的に移動させるた
め、前記フォトマスクと前記基板との位置合わせ用の位
置合わせマーク、および、位置合わせ装置を共用する、
請求項１または２に記載の分割露光方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002009804A JP2003215807A (ja) | 2002-01-18 | 2002-01-18 | 分割露光方法 |
| TW091110041A TW559884B (en) | 2002-01-18 | 2002-05-14 | Divided exposure method |
| KR10-2002-0031572A KR100468524B1 (ko) | 2002-01-18 | 2002-06-05 | 분할 노광방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002009804A JP2003215807A (ja) | 2002-01-18 | 2002-01-18 | 分割露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003215807A true JP2003215807A (ja) | 2003-07-30 |
Family
ID=27647715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002009804A Pending JP2003215807A (ja) | 2002-01-18 | 2002-01-18 | 分割露光方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003215807A (ja) |
| KR (1) | KR100468524B1 (ja) |
| TW (1) | TW559884B (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008058476A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Nikon Corp | 露光装置、デバイスの製造方法及び露光方法 |
| JP2008224754A (ja) * | 2007-03-08 | 2008-09-25 | Nsk Ltd | 分割逐次近接露光方法及び分割逐次近接露光装置 |
| JP2009158986A (ja) * | 2009-04-15 | 2009-07-16 | Hitachi High-Technologies Corp | 露光装置、露光方法、及び基板製造方法 |
| JP2011081317A (ja) * | 2009-10-09 | 2011-04-21 | San Ei Giken Inc | 露光装置および露光方法 |
| JP2011124356A (ja) * | 2009-12-10 | 2011-06-23 | Dainippon Printing Co Ltd | レチクルを用いた複数パターンの形成方法及びパターン形成装置 |
| JP2013258284A (ja) * | 2012-06-12 | 2013-12-26 | Canon Inc | 走査露光装置、物品の製造方法、アライメント方法および走査露光方法 |
| JP2017044721A (ja) * | 2015-08-24 | 2017-03-02 | 株式会社オーク製作所 | 投影露光装置 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI385772B (zh) * | 2007-03-30 | 2013-02-11 | Ngk Spark Plug Co | 配線基板的製造方法 |
| JP5022241B2 (ja) * | 2008-01-11 | 2012-09-12 | サンエー技研株式会社 | 露光に用いられるフォトマスク |
| KR102059823B1 (ko) | 2013-06-11 | 2019-12-27 | 삼성전기주식회사 | 기판 제조 방법 및 빌드-업 기판 적층체 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100360554B1 (ko) * | 1993-12-08 | 2003-01-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 스캐닝노출방법및이러한스캐닝노출방법을사용하여반도체장치를제조하는방법 |
| KR100522028B1 (ko) * | 1998-08-06 | 2006-01-12 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 분할 노광방법과 분할 노광마스크 |
| TW495836B (en) * | 2000-02-02 | 2002-07-21 | Nikon Corp | Scanning exposure method and device |
-
2002
- 2002-01-18 JP JP2002009804A patent/JP2003215807A/ja active Pending
- 2002-05-14 TW TW091110041A patent/TW559884B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-06-05 KR KR10-2002-0031572A patent/KR100468524B1/ko not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008058476A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Nikon Corp | 露光装置、デバイスの製造方法及び露光方法 |
| JP2008224754A (ja) * | 2007-03-08 | 2008-09-25 | Nsk Ltd | 分割逐次近接露光方法及び分割逐次近接露光装置 |
| JP2009158986A (ja) * | 2009-04-15 | 2009-07-16 | Hitachi High-Technologies Corp | 露光装置、露光方法、及び基板製造方法 |
| JP2011081317A (ja) * | 2009-10-09 | 2011-04-21 | San Ei Giken Inc | 露光装置および露光方法 |
| JP2011124356A (ja) * | 2009-12-10 | 2011-06-23 | Dainippon Printing Co Ltd | レチクルを用いた複数パターンの形成方法及びパターン形成装置 |
| JP2013258284A (ja) * | 2012-06-12 | 2013-12-26 | Canon Inc | 走査露光装置、物品の製造方法、アライメント方法および走査露光方法 |
| JP2017044721A (ja) * | 2015-08-24 | 2017-03-02 | 株式会社オーク製作所 | 投影露光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100468524B1 (ko) | 2005-01-27 |
| KR20030063066A (ko) | 2003-07-28 |
| TW559884B (en) | 2003-11-01 |
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