TWI385772B - 配線基板的製造方法 - Google Patents
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Description
本發明係關於配線基板的製造方法。
在配線基板的製作當中，形成導體層之圖案的時候或在防焊層形成既定開口的時候，常會使用曝光技術。近幾年，隨著配線基板之高密度化的要求等，相較於使基板之全曝光區域一次曝光之所謂的一次曝光法，因為可進行高精度的曝光，所以正在嘗試將分割基板之曝光區域而得之複數個分割曝光區域依序曝光的分割曝光法。
作為採用分割曝光法的配線基板之製造方法，則揭露了於防焊部形成既定開口的時候，以設在基板之周緣部或複數個分割曝光區域之間的對位標記作為基準，將複數個分割曝光區域之感光性的防焊部依序曝光的技術(例如，參照專利文獻1)。
[專利文獻1]特開2004－31528號公報
這種配置在複數個分割曝光區域之間的對位標記，通常是形成在分割曝光區域間之數mm寬的餘白(以下稱為「空白處」)。
不過，因為這種空白處是沒有形成電路的非製品(非配線基板)部分，最後會被切斷並除去。因此，可得知當設置這種空白處時，能從一片基板取得的製品(配線基板)數量會減少，會有良率下降的可能性。
另外，一般而言，製作配線基板來作為連結有複數個配線基板的連結配線基板，藉由切斷連結配線基板來將配線基板的各個分開時，則切斷並除去此空白處部分。切斷並除去此空白處部分的時候，因為必須在包夾著空白處而形成的配線基板之間進行2次切斷，所以可得知會有生產率下降的可能性。
有鑑於上述，本發明之目的在於提供一種配線基板的製造方法，其進行分割曝光，且可謀求良率之提升和生產率之提升。
本發明之一型態的配線基板的製造方法，其特徵為具備：將導體層及樹脂絕緣層依序層積在基板上的步驟；在層積有前述導體層及前述樹脂絕緣層的基板中形成對位標記的步驟；在形成有前述對位標記的基板上配置感光性材料的步驟；以前述對位標記為基準，使由配置有前述對位標記之邊界區域所區分的複數個曝光區域之前述感光性材料依序進行曝光的步驟；以及在前述基板的複數個曝光區域之間，以與前述邊界區域之寬度大略相同的切斷寬度而在前述對位標記上進行切斷，藉以使前述對位標記消失的步驟。
本發明之其他型態的配線基板的製造方法，其特徵為具備：將導體層及具有感光性之樹脂絕緣層依序層積在基板上的步驟；在層積有前述導體層及前述樹脂絕緣層的基板中形成對位標記的步驟；以前述對位標記為基準，使由配置有前述對位標記之邊界區域所區分的複數個曝光區域
之前述樹脂絕緣層依序進行曝光的步驟；以及在前述基板的複數個曝光區域之間，以與前述邊界區域之寬度大略相同的切斷寬度而在前述對位標記上進行切斷，藉以使前述對位標記消失的步驟。
此外，上述之的「與邊界區域之寬度大略相同的切斷寬度」，就代表著將寬度設定為進行一次上述切斷就會使形成於前述邊界區域上的前述對位標記消失。
在本發明之一型態的配線基板的製造方法中，將配置有對位標記的邊界區域(分割曝光區域之間的餘白)之寬度，設定為與將在連結配線基板上包夾邊界區域而相鄰形成之複數個配線基板切斷、分離時的切斷寬度大略相同。因此，因為邊界區域的寬度比以前還要狹窄，所以能從一片基板(配線基板工件)取得的製品(配線基板)數量會增加，進行分割曝光的同時，能謀求良率的提升。另外，將在連結配線基板(配線基板工件)上包夾邊界區域而相鄰形成之複數個配線基板切斷、分離的時候，將邊界區域上切斷1次即可，因為不需要如同以往地將複數個配線基板之間切斷2次，所以能進行分割曝光，並提升生產率。
另外，在本發明的之其他型態的配線基板的製造方法中，也將配置有對位標記的邊界區域之寬度，設定為與將在連結配線基板上包夾邊界區域而相鄰形成之複數個配線基板切斷、分離時的切斷寬度大略相同。因此，如同前述，能進行分割曝光，並謀求良率的提升或生產率的提升。
以下，參照圖式來說明本發明的實施形態。
第1圖、第2圖係分別表示本發明之一實施形態的配線基板1之第一主面、和第一主面相反之側的第二主面之構成的平面圖。另外，第3圖係模式地表示配線基板1之截面構造的截面圖。
採用本發明的配線基板1係外形為約35mm×約35mm×約1mm的平面觀看為矩形形狀的概略板狀。
配線基板1係在由耐熱性樹脂板(例如，雙馬來醯亞胺－三樹脂板)、或纖維強化樹脂板(例如，玻璃纖維強化環氧樹脂)等所構成之板狀核芯2的兩表面上，分別形成使配線金屬層成為既定圖案的核芯導體層M1、M11(也僅稱為導體層)。這些核芯導體層M1、M11係被形成作為覆蓋板狀核芯2之表面大部分的面導體圖案，且被使用來作為電源層或者接地層。另一方面，在板狀核芯2上形成藉由鑽頭等所穿設的通孔12，在此內壁面上形成使核芯導體層M1、M11互相導通的通孔導體30。另外，通孔12係被環氧樹脂等之樹脂製填補材料31所填充。
另外，在核芯導體層M1、M11的上層分別形成由熱硬化性樹脂組成物6所構成之第一通孔層(增層式層：絕緣體層)V1、V11。此外，在此表面上藉由鍍Cu而形成分別具有金屬配線7的第一導體層M2、M12。此外，核芯導體層M1、M11和第一導體層M2、M12係分別藉由通孔34來進行層間連接。同樣地，在第一導體層M2、M12的上層係分別形成使用熱硬化性樹脂組成物6的第二通孔層(增層式層：絕緣體層)V2、V12。在其表面上形成具有金屬端子襯墊10、
17的第二導體層M3、M13。這些第一導體層M2、M12和第二導體層M3、M13係分別藉由通孔34來進行層間連接。通孔34係具有：通孔穴34h和設在其內周面的通孔導體34s；在底面側設置成與通孔導體34s導通的通孔襯墊34p；以及在與通孔襯墊34p相反之側上從通孔導體34h之開口周緣向外突出的通孔島狀部341。
在板狀核芯2的第一主表面MP1上，核芯導體層M1、第一通孔層V1、第一導體層M2以及第二通孔層V2係形成第一配線層積部L1。另外，在板狀核芯2的第二主表面MP2上，核芯導體層M11、第一通孔層V11、第一導體層M12以及第二通孔層V12係形成第二配線層積部L2。任一個都是以藉由絕緣層6來形成第一主表面CP的方式，而交互層積絕緣層和導體層，在該第一主表面CP上分別形成複數個金屬端子襯墊10至17。第一配線層積部L1側的金屬端子襯墊10係構成作為用以將積體電路晶片等進行覆晶連接之襯墊(FC襯墊)的焊料島狀部。另外，利用第二配線層積部L2側的金屬端子襯墊17，來作為用以藉由插針網格陣列(PGA)或者球閘陣列封裝(BGA)來將配線基板本身連接於主板(mother board)等的反面島狀部(PGA襯墊、BGA襯墊)。
如第1圖所示，焊料島狀部10係在配線基板1之第一主表面的略中央部分排列成格子狀，與分別形成於其上的焊料凸塊11(第3圖)一起形成晶片裝載部40。另外，如第2圖所示，第二導體層M13內的反面島狀部17也被排列成格子狀。然後，在各第二導體層M3、M13上分別形成由具
有感光性之樹脂絕緣材料所組成的防焊層8、18(SR1、SR11)。任一個都為了使焊料島狀部10或反面島狀部17露出，故以與各島狀部一對一對應之形式而形成開口部8a、18a。形成於第一配線層積部L1側的防焊層8之焊料凸塊11能藉由例如Sn－Ag、Sn－Cu、Sn－Ag－Cu、Sn－Sb等之實質不含有Pb的焊料所構成。另一方面，第二配線層積部L2側之金屬端子襯墊17係構成為在防焊層18之開口18a內露出。
以下，說明配線基板1的製造方法。
首先，準備外周是約400mm×約400mm的平面觀看為矩形形狀之板狀的耐熱性樹脂板(例如，雙馬來醯亞胺－三樹脂板)或者是纖維強化樹脂板(例如，玻璃纖維強化環氧樹脂)來作為核芯2。以鑽孔等方法來鑽出通孔12。藉由圖案電鍍來形成第一導體層M1、M11以及通孔導體30，將樹脂製填補材料31填充於通孔12。
接著，在對第一導體層M1、M11施行粗化處理後，以覆蓋第一導體層M1、M11的方式來層積(貼合)樹脂膜並使之硬化，以獲得絕緣層V1、V11。樹脂膜係將已混入二氧化矽填充物等的熱硬化性樹脂組成物進行膜化者。在板狀核芯2上將第一導體層M1、M11和絕緣層V1、V11依此順序層積以後，對絕緣層V1、V11(通孔層)從其主表面照射雷射，以預期的圖案形成通孔穴34h(所謂的雷射通孔處理)。在將此通孔穴34h穿孔的雷射加工步驟中，能夠形成用於形成更上面的導體層M2、M12的對位標記50(參照第4圖)。
第4圖係連結有複數個製造途中之配線基板1a的配線
基板工件1’之全體模式圖。一般而言，第3圖所示之配線基板1係被製作來作為連結有複數個配線基板1的連結配線基板。亦即，如第4圖所示，本實施形態中說明的各步驟係針對連結有複數個製造途中之配線基板1a(以下，僅以「配線基板1a」來表示)的配線基板工件1’而進行。
配線基板工件1’係外周是大約400mm×約400mm之平面觀看為矩形形狀的概略板狀。配線基板工件1’係在其中央具有製品部115，在此製品部115之周緣具有周緣部121。這當中的製品部115被設為10×10＝100個(圖中簡化為16個)之製造途中的配線基板1a或切斷、分離前之配線基板1(以下，僅以「配線基板1」來表示)介由連結部119而連結的連結製品部。
配線基板1a係其外周是大約35mm×約35mm之平面觀看為概略矩形形狀的概略板狀。配線基板1a係在經過本實施形態所說明之各步驟以後，成為配線基板1的部分。
另外，連結部119(包含後述的邊界區域151)係在爾後進行之切斷、分離步驟(容後敘述)中，從配線基板工件1’個別區分成配線基板1時所被切斷的部分。連結部119(包含後述的邊界區域151)係形成為與切斷時之切斷寬度(約0.3mm)大略相同之寬度(約0.3mm)，使得在切斷、分離步驟中以一次的切斷次數就可於複數之配線基板之間分離。
此外，通常在切斷、分離步驟的切斷寬度係較佳為1.0mm以下，甚至是更佳為0.5mm以下。藉此，藉由1次切斷就能良率佳地使對位標記50消失。此外，如同上述具體例所述，特別是0.3~0.4mm左右。
在本說明書中，連結部119(包含邊界區域151)之寬度與在切斷、分離步驟中之切斷寬度大略相同，就意味著相對於連結部119之寬度，連結部119的寬度和切斷寬度的差異為10%以下。切斷、分離步驟中之切斷的位置精度(例如0.05mm)係通常是因為相對於切斷寬度而超過10%，所以連結部119之寬度和切斷寬度的差異在相對於連結部119之寬度為10%以下時，連結部119的寬度就能視為和切斷寬度大略相同。
在本實施形態中，在後述的分割曝光步驟(乾式膜分割曝光步驟、防焊層分割曝光步驟)中，5列5行(圖中簡略化為2列2行)之配線基板1a和配置在這些配線基板1a之間的連結部119所組成且畫上斜線的區域係被設為分割曝光區域150。在配線基板工件1’中設有被邊界區域151所區分之4個分割曝光區域150(亦即，以4分割來進行分割曝光)。此外，爾後描述關於分割曝光步驟的詳細情況。
邊界區域151係連結部119當中，配置於複數個分割曝光區域150之間者。
在本說明書中，分割曝光區域150是指欲分割曝光的區域或者已分割曝光的區域。在已分割曝光的區域中，也包含在除去乾膜抗鍍部DF等之感光性材料(容後敘述)或無電解鍍Cu層56(容後敘述)以後在厚度方向上將已分割曝光之區域投影於感光性材料的區域。
然後，在配線基板工件1’的周緣部121以及邊界區域151上，設有複數個環狀(或是同心圓狀)的對位標記50(50a、50b)。在本實施形態中，於周緣部121中，在周緣
部121的四個角隅以及此四個角隅之間的各個略中央部上，逐個設置共計8個對位標記50a。在邊界區域151中，於十字形狀之邊界區域151的交叉位置上設置一個對位標記50b。因此，在每個分割曝光區域150上，於分割曝光區域150之4個角隅部附近逐個配置對位標記50(50a、50b)。在周緣部121之四個角隅間的略中央部所分別配置的4個對位標記50a能共通使用於分別對附近的2個分割曝光區域150進行曝光時的對位。
另外，配置於邊界區域151的對位標記50b能共通使用於分別對4個分割曝光區域150進行曝光時的對位。
能夠以此對位標記50(50a、50b)為基準，來進行配線基板工件1’之分割曝光區域150與曝光用遮罩的相對對位。
第5圖係表示對位標記50(50a、50b)的截面模式圖以及上視圖。對位標記50係具有絕緣層V1被掘削為環狀而成的溝槽50c。在溝槽50c內，露出了構成導體層M1的基底導體60。構成對位標記50的溝槽50c之內徑D1和外徑D2的差異，係調整為例如20 μm以上、未滿100 μm即可。當溝槽50c的寬度太窄時，溝槽50c的辨識度下降，導致對位標記50的辨識精度下降。相反地，即使溝槽50c的寬度太大，也會如同後述，在將乾膜抗鍍部圖案化為抗鍍部的步驟中(參照第7圖)，乾膜抗鍍部會撓曲而進入溝槽50c內，導致對位標記50的辨識精度下降。
對位標記50的大小係較佳為外徑D2是0.1mm以上。當外徑D2未滿0.1mm時，會有不易形成對位標記50的情
形、或不易由CCD照相機54來進行辨識的情形。
另外，對位標記50的外徑D2之大小，係較佳為從後述之切斷、分離步驟的切斷寬度(例如，0.3mm)中，減去切斷之位置精度(通常是±0.05mm)之2倍的值(通常是0.1mm)的值(本例中為0.2mm)以下。這是因為考慮到切斷的位置精度時，藉由在切斷、分離步驟中將邊界區域151上進行切斷，會有無法使對位標記50完全消失的情形。
如同上述的對位標記50係如同以下而形成即可。第6圖係表示欲照射雷射的掘削預定區域58以及照射位置Km、kn(m、n：自然數)的概念圖。如第6圖所示，在形成對位標記50的步驟中，沿著圓周方向而使照射位置偏移，並且對掘削預定區域58照射雷射。具體而言，在掘削預定區域58上沿著圓周方向而決定了內外二行之基準線T1、T2(基準圓)，在各基準線T1、T2上以既定角度間隔來設定雷射的照射位置Km、kn，對設定之照射位置Km、kn依序照射雷射。其結果，雷射的照射點會在環狀之掘削預定區域58的圓周方向和徑向方向上有重疊。
藉由如同上述地照射雷射，形成的溝槽50c的開口端50p、50q(參照第5圖)係成為平滑且具有較均勻之輪廓，同時增加此輪廓的正圓度。如果能獲得這種輪廓，就能期待曝光裝置之攝影機器(CCD照相機等)的畫像辨識精度之提升。特別是進行將以反射光來拍攝對位標記50而獲得的像和預先登錄之人工模式進行圖案匹配的畫像處理，進行配線基板工件1’之分割曝光區域150和曝光用遮罩的相對對位的情況下，因為對位標記50之輪廓鮮明度和正圓度對
於畫像辨識精度的影響很大，所以推薦採用如同本實施形態的雷射加工。此外，以反射方式來拍攝這種複數個對位標記50以獲得複數個位置資訊，同時根據能使這些位置資訊平均化而獲得的位置資訊，來進行配線基板工件1’之分割曝光區域150和曝光用遮罩的相對對位的方式也很適合。
另外，在雷射加工的穿孔步驟中，常常進行對同樣的位置照射2個脈波雷射。比起在同樣的位置照射2個脈波，在進行巡迴相同順序之掃描的循環加工方面，局部的加熱更小且加工精度提高。如第6圖所示，在決定基準線T1、T2的情況下，首先，將雷射依序照射於以既定間隔而設定在基準線T1上的照射位置Km，接著，將雷射依序照射於以既定間隔而設定在基準線T2上的照射位置kn，並將這些掃描重複2次的方法作為適合的範例而加以表示。
另外，在形成對位標記50以及通孔穴34h的雷射加工步驟中，能使用準分子雷射、二氧化碳雷射、Nd：YAG雷射等的各種的雷射加工機。在形成對位標記50的時候，考量了照射位置Km、kn以及掘削預定區域58之面積等，來調整雷射點徑。例如，在第6圖的範例中，將絕緣層V1之主表面上的雷射點徑調整至對位標記50的溝槽50c之寬度(徑向方向)的2/3左右。另外，在第6圖的範例中，會成為一個照射位置之照射點的外周緣，通過其相鄰之照射位置(光束的中心)的形態。在此情況下，因為相鄰之一對照射位置的照射點會重疊的比例(重疊率)係約40%左右，所以很適合。
如同上述，藉由雷射加工來形成對位標記50之後，使用鉻酸溶液或鹼性過錳酸鉀溶液等，來洗淨溝槽50c內及通孔穴34h內(去汙垢步驟)。藉此，除去在通孔穴34h以及溝槽50c內殘餘的汙垢。去汙垢步驟結束之後，藉由軟式蝕刻(soft etching)來除去在對位標記50之溝槽50c內露出的基底導體60之表層部及在通孔穴34h中露出的通孔襯墊34p之表層部。導體層M1係施加用於提升絕緣層V1之黏著性的粗化處理。若預先除去構成導體層M1之表層部的粗化層時，在無電解鍍Cu步驟之電鍍析出性會獲得改善，進而有助於通孔的導通連接性。在此軟式蝕刻中，能使用例如硫酸或鹽酸。另外，藉由H2
SO4
－H2
O2
或Na2
S2
O8
等的氧化性溶液，來進行構成導體層M1之Cu的微蝕刻，接著能採用藉由硫酸或鹽酸來進行酸洗淨的方法。
接著，在絕緣層V1的表面上形成無電解鍍Cu層56。然後，在無電解鍍Cu層56的上層積用於形成電解鍍層的乾膜抗鍍部DF(參照第7圖)。此乾膜抗鍍部DF是感光性材料，經過曝光、顯影而被圖案化，且被使用作為針對電解鍍Cu的抗鍍部。
第7圖係藉由反射光來拍攝對位標記50，以進行配線基板工件1’之分割曝光區域150和曝光用遮罩的相對對位之步驟的模式圖。使乾膜抗鍍部DF曝光的步驟能夠如同以下來進行。亦即，對於在分割曝光區域150之4個角隅部附近而逐個配置的4個對位標記50，從絕緣層V1的主表面側照射用來檢測位置的光，並以CCD照相機54等之攝影機器來檢測出反射光。絕緣層V1的表面會被在前述之
去汙垢步驟中使用的藥液(鹼性過錳酸鉀溶液等)所粗化。因為對位標記50之溝槽50c部分的反射率比周圍還要高，所以能以高精度來辨識對位標記50。
藉由CCD照相機54來拍攝4個對位標記50，根據處理影像而獲得的位置資訊，來進行配線基板工件1’之分割曝光區域150和曝光用遮罩52的相對對位。在此，檢測反射光的CCD照相機54之焦點能對準於絕緣層V1的主表面。然後，隔著乾膜抗鍍部DF來拍攝對位標記50，並辨識對位標記50的溝槽50c之開口端50p、50q(參照第5圖)即可。
此時，較佳為乾膜抗鍍部DF能確實地被貼於溝槽50c。假設乾膜抗鍍部DF撓曲並進入至溝槽50c內時，會導致對位標記50之邊緣(溝槽50c的開口端50p、50q)的辨識精度下降。因此，在形成對位標記50的步驟中，將掘削預定區域58(溝槽50c的寬度)設定為能抑制乾膜抗鍍部DF循從至被雷射所掘削的溝槽50c內。
如同上述，進行配線基板工件1’之分割曝光區域150與曝光用遮罩(圖示省略)的相對對位，對分割曝光區域150的乾膜抗鍍部DF進行曝光。
重複以上的順序，依序曝光4個分割曝光區域150之乾膜抗鍍部DF(乾式膜分割曝光步驟)，接著進行顯影。
爾後，進行電解鍍Cu步驟。在未被乾膜抗鍍部DF覆蓋的部分上，選擇性地形成電解鍍Cu層。當電解鍍Cu步驟結束時，以藥液來除去乾膜抗鍍部DF。然後，藉由快速蝕刻，來除去作為用於形成電解鍍Cu層之通電路徑而採用
的無電解鍍Cu層56。以此方式，形成具有預期圖案的導體層M2。
此外，如第8圖所示，也可以保持以薄的支撐膜51來支撐乾膜抗鍍部DF的狀態，介由乾膜抗鍍部DF、支撐膜51以及曝光用遮罩52三者來照射用於辨識對位標記50的光。接著，在曝光步驟中，也能以第8圖的狀態來進行。若以此方式，因為雜質等不易附著於曝光用遮罩52，所以較為理想。因為配線基板工件1’具有辨識度優良的對位標記50，所以即使在乾膜抗鍍部DF和曝光用遮罩52之間介入有支撐膜51，也不會對對位精度造成很大的妨礙。此外，支撐膜51係期望能夠對於拍攝對位標記時使用的光(例如白色光)、和使乾膜抗鍍部DF曝光時使用的光(i線、h線、g線等)具有良好的透光性(具體而言，透過率80%以上)。例如，薄的PET膜較合適。
另外，如第9圖所示，以避開對位標記50的形式來將乾膜抗鍍部DF層積於配線基板工件1’上，此外，能以避開對位標記50的形式來配置曝光用遮罩52。若以此方式，因為在對位標記50和CCD照相機54之間沒有障礙，所以對比度不會下降，對位標記50的辨識度會變得非常良好。
重複進行以上的順序，形成第一配線層積部L1以及第二配線層積部L2以後，形成以作為感光性材料的感光性環氧樹脂所構成之防焊層SR1、SR11。接著，如第4圖所示，在防焊層SR1、SR11的既定位置上，藉由前述的雷射加工來形成複數之對位標記50(50a、50b)。接著，以分割曝光區域150附近之4個對位標記50為基準，進行既定之曝光用
遮罩(未圖示)與配線基板工件1’之分割曝光區域150的相對對位，對分割曝光區域150之防焊層SR1、SR11進行曝光。
藉由以上的順序，對複數個分割曝光區域150的防焊層SR1、SR11依序進行曝光(防焊層分割曝光步驟)、顯影，並在防焊層SR1、SR11設置開口8a、18a。
此外，在未將防焊層SR1、SR11配置在對位標記50a、50b之形成區域上時，也可以使用已在乾式膜分割曝光步驟中形成的對位標記50a、50b，對防焊層SR1、SR11進行分割曝光。
另外，在本實施形態中，在用於形成導體層M2、M3、M12、M13之配線圖案的所有乾式膜分割曝光步驟、或者用於在防焊層SR1、SR11上形成既定開口8a、18a的防焊層分割曝光步驟中，將分割曝光區域150、邊界區域151設定於與第4圖所示之相同區域。
然後，對在防焊層SR1、SR11之開口8a、18a內露出的導體層M3、M13進行鍍Ni/Au，獲得端子襯墊10、17。鍍Ni/Au步驟結束之後，藉由網版印刷法等的手法，來將Sn－Ag－Cu等的無鉛焊料糊漿或Sn－Pb共晶糊漿充填於防焊層SR1之開口8a內，並進行回焊步驟。藉此，在端子襯墊10上形成焊料凸塊11。
將連結有複數個如同以上所作成之配線基板1的配線基板工件1’之連結部119(連結部119中也包含邊界區域151)上切斷，藉以獲得多數個配線基板1(切斷、分離步驟)。
如同以上，製作第3圖所示之配線基板1。
第7圖~第9圖中說明的實施形態，係將曝光用遮罩52貼緊或者充分接近於配線基板工件1’的曝光法，所謂的接觸曝光為前提，但本發明並非被限定於接觸曝光。例如，如第10圖所示，也能適當地採用在配線基板工件1’和曝光用遮罩53之間介有投影透鏡55的曝光方法，就是所謂的投影曝光。在以CCD照相機54拍攝對位標記50，根據此拍攝結果來進行配線基板工件1’與曝光用遮罩53的相對對位方面，則投影曝光和接觸曝光之間並無差異。
藉由以上的本實施形態之配線基板1的製造方法(也包括曝光步驟之其他實施形態)，能獲得以下的優點(效果)。
本實施形態的製造方法中，將對位標記50b配置於邊界區域151而得的寬度，在切斷、分離步驟中，設定為與將包夾邊界區域151而相鄰形成之配線基板1之間切斷、分離時的切斷寬度大略相同。因此，未形成電路的非製品(非配線基板)部分且被最後被切斷除去之邊界區域151的寬度係因為比以往還狹窄，所以能增加從一片配線基板工件1’中取得的製品(配線基板1)數量，可謀求良率的提升。
另外，藉由本實施形態，在將包夾邊界區域151而相鄰形成的複數個配線基板1切斷、分離的切斷、分離步驟時，將邊界區域151上切斷1次即可，不需要如同以往要將複數個配線基板之間切斷2次。藉此，能提升配線基板1的生產率。
另外，在本實施形態中，在切斷、分離步驟的時候，配置對位標記50b，並將與切斷寬度大略相同之寬度的邊界
區域151上切斷。因此，可使對位標記50b消失，提升配線基板1的完成外觀。
另外，在本實施形態中，於乾式膜分割曝光步驟中，進行分割曝光而形成導體層M2、M3、M12、M13的配線圖案。因此，能減低配線基板工件1’或曝光用遮罩之因溫度和濕度變化所引起的尺寸變化之影響，以進行高精度的曝光，能夠因應配線圖案的細微化。
另外，在本實施形態中，於防焊層分割曝光步驟中，進行分割曝光而在防焊層SR1、SR11上形成既定開口8a、18a。因此，能減低配線基板工件1’或曝光用遮罩之因溫度和濕度變化所引起的尺寸變化之影響，以進行高精度的曝光，能夠以更高的精度來形成防焊層SR1、SR11的開口8a、18a，以因應端子襯墊10、17的窄間距化。
另外，在本實施形態中，以反射光來拍攝對位標記50。通常，因為在絕緣層V1、V2、V11、V12中混入二氧化矽等的填充物，所以很難提升光的透過率。因此，藉由不透過絕緣層V1等並以反射光來讀取對位標記50，可提升對位標記50的檢測精度，進而能提升曝光用遮罩對於配線基板工件1’之分割曝光區域150的對位精度。
另外，本實施形態的對位標記50係少許地使照射位置偏移並照射雷射所形成。雖然雷射加工機的加工精度能達到逐個的照射位置，但作為對位標記50全體，因為成為不均情形已被平均化的形式，所以不易反映出雷射加工機的加工精度，能夠提升形成之對位標記50的位置精度。因此，在切斷、分離步驟中與切斷寬度(例如0.3mm)大略相同
之寬度(例如0.3mm)的狹窄邊界區域151內，能精度良好地將對位標記50(例如外徑D2(直徑)是0.2mm)配置在例如邊界區域151之寬度方向的概略中心。藉此，在切斷、分離步驟中將邊界區域151上切斷方面，即使發生因切斷之位置精度(通常±0.05mm)引起的切斷位置之偏移，也能更確實地使在邊界區域151內配置之對位標記50消失。藉此，能更確實地提升配線基板1的完成外觀。
另外，本實施形態的對位標記50係因為以環狀之掘削預定區域58的圓周方向和徑向方向上有重疊的方式來照射雷射，所以在對位標記50的溝槽50c之內側開口端以及外側開口端的兩者中，能形成平順的環狀開口端。以此方式，對位標記50係因為謀求對位標記50自身之形成精度的提升，所以能提升反射光的對位標記50之檢測精度，能提升配線基板工件1’的分割曝光區域150之位置的辨識精度。因此，更能進一步因應配線圖案的細微化。
本發明之實施形態並不侷限於上述的實施形態，可以進行擴充、變更，擴充、變更後的實施形態也包含在本發明之技術範圍內。
例如，使用作為針對電解鍍Cu的抗鍍部，作為在無電解鍍Cu層56上配置的感光性材料，不僅是第7圖等所例示之乾膜抗鍍部，也可以是直接塗佈於配線基板工件的液態抗鍍部。在配線基板工件1’全面上塗佈液態抗鍍部的情況下，液態抗鍍部進入到構成對位標記50的溝槽50c中，但因為液態抗鍍部係均勻地填充於溝槽50c的態樣，
所以不會對光的反射造成大的妨礙，因而能良好地保持對位標記50的辨識精度。不過，即使是液態抗鍍部，也因為不會有不進入溝槽50c而跳過的情形，所以較佳為以避開對位標記50的形式來塗佈於配線基板工件1’。
另外，作為對位標記，不僅是第5圖等所示之環狀的對位標記50，也能採用十字形狀等的其他形狀。
另外，配置在每個分割曝光區域150的對位標記50係考慮了分割曝光時之對位精度，只要是2個以上就能廣泛地採用。
另外，對位標記50未被限定於分割曝光區域150之4個角隅部附近，也可以配置在周緣部121或邊界區域151的其他位置。
1‧‧‧配線基板
1a‧‧‧製造途中的配線基板
1’‧‧‧配線基板工件
50(50a、50b)‧‧‧對位標記
50c‧‧‧溝槽
54‧‧‧CCD照相機
58‧‧‧掘削預定區域
M1~M3、M11~M13‧‧‧導體層
V1、V2、V11、V12‧‧‧絕緣層
L1、L2‧‧‧配線層積部
DF‧‧‧乾膜抗鍍部
SR1、SR11‧‧‧防焊層
115‧‧‧製品部
119‧‧‧連結部
121‧‧‧周緣部
150‧‧‧分割曝光區域
151‧‧‧邊界區域
第1圖係表示本發明之一實施形態的配線基板之第一主面的構成的平面圖。
第2圖係表示本發明之一實施形態的配線基板之第二主面的構成的平面圖。
第3圖係模式地表示本發明之一實施形態的配線基板之截面構造的截面圖。
第4圖係連結有複數個製造途中之配線基板的配線基板工件之全體模式圖。
第5圖係表示對位標記的截面模式圖以及上視圖。
第6圖係表示欲照射雷射之掘削預定區域以及照射位置的概念圖。
第7圖係表示藉由反射光來拍攝對位標記，以進行配
線基板工件之分割曝光區域和曝光用遮罩的相對對位的步驟的模式圖。
第8圖係表示在以薄支撐膜來支撐著乾膜抗鍍部的情況下進行對位步驟、曝光步驟的實施形態之模式圖。
第9圖係表示未介入有曝光用膜以及乾膜抗鍍部而拍攝對位標記的實施形態之模式圖。
第10圖係表示分割投影之曝光步驟的模式圖。
1a‧‧‧製造途中的配線基板
1’‧‧‧配線基板工件
50a、50b‧‧‧對位標記
50c‧‧‧溝槽
115‧‧‧製品部
119‧‧‧連結部
121‧‧‧周緣部
150‧‧‧分割曝光區域
151‧‧‧邊界區域
Claims (5)
- 一種配線基板(1)的製造方法，其包含以下步驟：將複數個導體層(M1、M11、M2、M12)及複數個樹脂絕緣層(V1、V11、V2、V12)依序層積在基板(2)上；在層積有前述導體層(M1、M11、M2、M12)及前述樹脂絕緣層(V1、V11、V2、V12)的基板(1’)中形成第一對位標記(50a)及第二對位標記(50b)，前述第二對位標記(50b)設置於十字形狀之邊界區域的交叉位置；在形成有前述第一及第二對位標記(50a、50b)的前述基板(1’)上配置感光性材料(DF、SR1、SR11)；根據前述第一及第二對位標記(50a、50b)，使由包括前述第二對位標記(50b)之邊界區域(151)所區分的複數個曝光區域(150)上配置的前述感光性材料(DF、SR1、SR11)依序進行曝光，前述第二對位標記(50b)被共通使用在前述曝光區域(150)分別曝光時的對位；以及在前述基板(1’)中的複數個曝光區域(150)之間，以與前述邊界區域(151)之寬度大略相同的切斷寬度而在前述第二對位標記(50b)上進行切斷，藉以使前述對位標記(50b)消失。
- 一種配線基板(1)的製造方法，其包含以下步驟：將複數個導體層(M3、M13)及複數個感光性之樹脂絕緣層(SR1、SR11)依序層積在基板(2)上； 在層積有前述導體層(M3、M13)及前述樹脂絕緣層(SR1、SR11)的基板(1’)中形成第一對位標記(50a)及第二對位標記(50b)，前述第二對位標記(50b)設置於十字形狀之邊界區域的交叉位置；根據前述第一及第二對位標記(50a、50b)，使由包括前述第二對位標記(50b)之邊界區域(151)所區分的複數個曝光區域(150)上配置的前述樹脂絕緣層(SR1、SR11)依序進行曝光，前述第二對位標記(50b)被共通使用在前述曝光區域(150)分別曝光時的對位；以及在前述基板(1’)中的複數個曝光區域(150)之間，以與前述邊界區域(151)之寬度大略相同的切斷寬度而在前述第二對位標記(50b)上進行切斷，藉以使前述第二對位標記(50b)消失。
- 如申請專利範圍第1項或第2項之配線基板(1)的製造方法，其中，形成前述第一及第二對位標記(50a、50b)的步驟還包括藉由將雷射照射於前述樹脂絕緣層(V1、V11、V2、V12、SR1、SR11)之主面來露出前述導體層(M1、M11、M2、M12、M3、M13)。
- 如申請專利範圍第1項之配線基板(1)的製造方法，其中，該切斷寬度為1.0mm或以下。
- 如申請專利範圍第2項之配線基板(1)的製造方法，其中，該切斷寬度為1.0mm或以下。
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